Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение. стр.

ГЛАВА I. Эффект неравновесного обеднения (обзор литературы)

1.1. Сущность явления неравновесного обеднения.

1.2. Релаксация неравновесного обеднения при умеренных электрических полях.

1.2Л. Большая плотность 113С.

1.2.2. Малая плотность ПЭС.

1.3. Термополевые процессы ускорения релаксации при больших электрических полях.

Выводы к главе 1.

ГЛАВА II. Релаксация неравновесного обеднения на реальной и термически окисленной поверхности кремния.

2.1. Введение.

2.2. Методика исследований.

2.3. Релаксация неравновесного обеднения на реальной поверхности кремния р-типа.

2.3.1. Релаксация в начальный момент неравновесного обеднения.

2.3.2. Релаксация, обусловленная туннельно-акти-вационными процессами.

2.4. Релаксация неравновесного обеднения на реальной поверхности кремния п-типа.

2.5. Релаксация неравновесного обеднения на термически окисленной поверхности кремния п-типа.

2.6. Анализ релаксации неравновесного обеднения стр. при больших электрических полях на атомарно-чистой поверхности кремния.

2.7. Выводы к главе II.

ГЛАВА III. Релаксация неравновесного обеднения на легированной металлами поверхности кремния.

3.1. Введение.

3.2. Методика легирования поверхности кремния металлами.

3.3. Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния, легированной золотом.

3.4. Релаксация неравновесного обеднения на легированной цинком поверхности кремния.

3.4.1. Поверхность, легированная по способу JPI.

3.4.2. Поверхность, легированная по способу №2. ПО

3.5. Выводы к главе III.

ГЛАВА 1У. Релаксация неравновесного обеднения на кремниевых ВДЦП-структурах.^.

4.1. Введение.

4.2. Методика исследований.

4.3. Технология изготовления исследуемых ОДЦПструктур.

4.4. Релаксация неравновесного обеднения на НЦП-структурах, изготовленных с применением хлорной технологии.

4.5. Релаксация неравновесного обеднения на МДП-структурах, полученных окислением в сухом кислороде.

4.6. Релаксация неравновесного обеднения на стр. МДП-структурах, облученных ^-радиацией

4.7. Способ подавления релаксации емкости кремниевых ВДП-структур.

4.7.1. Экспериментальные результаты.

4.7.2. Природа процессов, приводящих к подавлению релаксации неравновесной емкости.

4.8. Выводы к главе 1У.

Актуальность темы» В современной микроэлектронике широко используется эффект изменения концентрации носителей з&рзда в приповерхностной области полупроводника при приложении к его поверхности внешнего электрического поля, для чего создается система металл-диэлектрик-полупроводник (ЦДЛ). Изменение концентрации носителей заряда вызывает изменение проводимости и емкости приповерхностной области, что позволило создать такие приборы микроэлектроники, как полевой транзистор и варактор, и на юс основе различные интегральные схемы.

Поэтому исследование процессов, протекающих в полупроводнике при приложении к его поверхности внешнего электрического поля, всегда являлось актуальной задачей, которая важна как с научной, так и практической стороны. Особый интерес представляет исследование эффекта поля в режиме неравновесного обеднения полупроводника основными носителями заряда. Такой режим часто реализуется при работе различных ЬЩП-приборов, в частности, в нашедших широкое применение приборах с зарядовой связью (ПЗС).

Релаксация неравновесного обеднения - в общем случае сложное явление и может определяться изменением зареда в поверхностных электронных состояниях (ПЭС), генерацией неосновных носителей через ПЭС и через уровни в истощенном слое объема и пограничных областей, диффузией неосновных носителей из нейтрального объема., полевыми механизмами и т.д. Несмотря на большое число работ по исследованию релаксации неравновесного обеднения, механизм ускорения релаксации в сильных электрических полях, которые еще не вызывают лавину в обедненном слое за счет ударной ионизации, оставался неясным. Решению этой задачи посвящена данная работа.

Целью настоящей работы было исследование релаксации нерав

- б новесного обеднения при различных состояниях поверхности кремния в условиях сильного электрического поля. При этом били решены следующие основные задачи:

1. Выяснен механизм ускорения релаксации неравновесного обеднения в сильных электрических полях на реальной поверхности кремния,

2. Исследовано влияние легирования реальной поверхности кремния примесями металлов на релаксацию неравновесного обеднения в сильных электрических полях.

3. Исследован механизм релаксации неравновесного обеднения при сильных электрических полях на промышленных кремниевых ОДП-струк-турах.

Научная новизна. На основании исследований температурных и полевых зависимостей скорости релаксации неравновесного обеднения выяснены механизмы ускорения релаксации неравновесного обеднения при больших электрических полях на реальной, легированной металлами и термически окисленной поверхности кремния.

Установлено, что ускорение релаксации может быть обусловлено реализацией эффектов Франца-Келдыша или Френкеля при выбросе основных носителей заряда из поверхностных электронных состояний в соответствующую разрешенную зоцу, а также туннельно-активацион-ными переходами основных носителей из ловушек в поверхностной I пленке в разрешенную зону.

Показано, что скоростью релаксации неравновесного обеднения можно эффективно управлять, легируя поверхность кремния примесями металлов с положительным и отрицательным электрохимическим потенциалом.

Установлено, что на промышленных кремниевых ЦДЛ-структурах ускорение релаксации неравновесного обеднения в сильных электрических полях обусловлено реализацией эффекта Франца-Келдыша при основных переходе носителей заряда из электронных состояний, находящихся на границе с-^¿¿^ , в разрешенную зону в процессе генерации электронно-дырочных пар. Исследовано влияние % - радиации на релаксацию неравновесного обеднения на кремниевых ЩП-структурах.

Определены параметры электронных состояний, участвующих в релаксации неравновесного обеднения, при различных состояниях поверхности кремния. Показано, что имеет место сильная чувствительность к состоянию поверхности величины параметра (Г , характеризующего связь электрона с фононами окружающей среды при его переходе из ПЭС в разрешенную зону полупроводника.

Практическая ценность работы состоит в том, что показана возможность целенаправленного управления скоростью релаксации неравновесного обеднения путем изменения состояния поверхности кремния.

Исследование релаксации неравновесного обеднения на ЩП-структурах при больших электрических полях позволило установить режим электротренировки ЦЦП-структур, приводящий к подавлению ускоренной релаксации неравновесного обеднения, обусловленной неоднородностями на окисленных пластинах кремния. На защиту выносятся:

- результаты исследования полевых и температурных зависимостей скорости релаксации неравновесного обеднения на реальной поверхности кремния п-и р- типа, позволившие установить, что ускорение релаксации происходит в результате реализации 'эффекта Франца-Келдыша при переходе основных носителей из ПЭС в разрешенную зону;

- обнаружение и исследование влияния поверхностного легирования металлами на скорость релаксации неравновесного обеднения, в результате которого было показано, что ускорение релаксации может происходить не только за счет эффекта Франца-Келдыша, но и за счет эффекта Френкеля;

- установление факта, что примесь металла с положительным электрохимическим потенциалом (золото) значительно увеличивает скорость релаксации неравновесного обеднения, при этом ее зависимость от концентрации легирующего металла имеет У - образный характер;

- установление факта, что скорость релаксации неравновесного обеднения понижается на порядок величины при термическом окислении поверхности кремния, а также при образовании на поверхности кремния силикатной пленки цинка в результате адсорбции ионов цинка;

- результаты, показавшие, что на реальной и покрытой силикатной пленкой цинка поверхности кремния с течением времени релаксация может ускоряться за счет туннельно-активационного механизма перехода носителей заряда из ловушек в поверхностной пленке в разрешенную зону;

- определение параметров электронных состояний, участвующих в релаксации неравновесного обеднения,на реальной,термически окисленной и легированной примесями металлов поверхности кремния;

- определение цри различных состояниях поверхности кремния параметра электрон-фононной связи б4" , характеризующего связь носителя заряда с фононами окружающей среды при его переходе из ПЭС в разрешенную зону полупроводника;

- установление механизма ускорения релаксации неравновесной емкости при больших электрических полях на промышленных кремниевых ЩП-структурах;

- результаты исследования релаксации неравновесного обеднения на ЩЩ-структурах, подвергнутых воздействию \ - радиации;

- способ подавления повышенной релаксации неравновесного обеднения на ВДП-структурах.

Апробация работы. Основные материалы диссертации докладывались на : УП Всесоюзном симпозиуме по электронным процессам на поверхности полупроводников ( г.Новосибирск, 1980), III и 1У Республиканской конференции "Физические проблемы ЩП-интегральной электроники" ( г.Севастополь, 1980, 1983), У Всесоюзной школе по физике поверхности полупроводников ( г. Одесса, 1982), Всесоюзной конференции по физике полупроводников ( г. Баку, 1982), научно-техническом семинаре "Физические основы микроэлектроники" ( г. Киев, 1982), Всесоюзной школе по физике поверхности ( г. Ташкент, 1983), Международной конференции по физике поверхности и границам раздела полупроводников ( г. Райнхардсбрун, ГДР, 1983).

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Основные выводы диссертации.

1. Исследованы температурные и полевые зависимости скорости релаксации неравновесного обеднения на реальной, термически окисленной и легированной примесями металлов поверхности кремния. Установлены механизмы ускорения релаксации неравновесного обеднения на этих поверхностях при больших электрических полях.

2. Показано, что на реальной поверхности кремния п- и р-типа (стандартно травленной, обработанной в ИР или подвергнутой гидротермальной обработке) в условиях большой плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) по сравнению с индуцируемым в эффекте поля зарядом релаксация неравновесного обеднения в начальный его момент происходит за счет термического выброса основных носителей из ПЭС в соответствующую разрешенную зону полупроводника. При больших электрических полях ( Ю^В/сы этот выброс ускоряется за счет реализации эффекта Франца-Келдыша.

3. Термическое окисление реальной поверхности кремния на порядок уменьшает скорость релаксации неравновесного обеднения, что связано , в основном, с уменьшением плотности поверхностных состояний при окислении выброс носителей заряда из которых на окисленной поверхности ускоряется при больших полях благодаря эффекту Франца-Келдыша.

4. Легирование реальной поверхности кремния примесью золота (металл с положительным электрохимическим потенциалом) на пять порядков увеличивает скорость релаксации неравновесного обеднения, что связано, в первую очередь, с ростом плотности ПЭС и увеличением сечения захвата ПЭС при легировании. Обнаружена Ы - образная зависимость скорости релаксации от концентрации легирующей примеси. Показано, что при низких температурах ( 100 К) и больших концентрациях легирующей примеси Л золота (С> 1.10"° моль/л) релаксация неравновесного обеднения ускоряется при больших электрических полях благодаря реализации эффекта Френкеля при переходе носителей из ПЗС в разрешенную зону полупроводника.При концентрации легирующей примеси

С С 5.10"^ моль/л и Т^ 100 К реализуется эффект Франца-Келдыша.

5. Легирование реальной поверхности кремния примесью цинка (металл с отрицательным электрохимическим потенциалом) уменьшает скорость релаксации неравновесного обеднения, что связано с уменьшением плотности ПЭС. Ускорение релаксации неравновесного обеднения при больших полях происходит при переходе основных носителей из ПЭС в разрешенную зону за счет проявления эффектов Френкеля или Франца-Келдыша, конкретная реализация одного из которых зависит от условий легирования, температуры,величины электрического поля и параметров ПЭС.

6. На реальной и легированной цинком поверхности кремния р-типа обнаружены дополнительные ускоренные участки релаксации неравновесного обеднения спустя определенное время после ее начала. Показано, что эти ускоренные участки релаксации связаны с туннельно-активационным механизмом перехода основных носителей из ловушек в поверхностной окисной (силикатной) пленке в разрешенную зону полупроводника. Определено энергетическое положение этих ловушек. Выяснена роль электрического поля в полупроводнике и поверхностной пленке в ускорении релаксации неравновесного обеднения на дополнительных участках.

7. На реальной, термически окисленной, легированной золотом и цинком поверхности кремния определены параметры ПЭС, из которых происходит термический выброс основных носителей в разрешенную зону при релаксации неравновесного обеднения (энергетическое положение ПЭС в запрещенной зоне Е^ , параметр электрон-фононной связи (Г , сечения захвата носителей заряда). В большинстве случаев ПЭС находятся вблизи середины запрещенной зоны. Величина параметра (Г , характеризующего связь носителя заряда с фононами окружающей среды при его выбросе из ПЭС в разрешенную зону, увеличивается с ростом толщины и плотности поверхностной пленки (окисной, силикатной, островковой пленки металла). Минимальное значение (Г определено на атомарно-чистой поверхности кремния (0,023 эВ), когда носитель заряда взаимодействует лишь с фононами полупроводника. При наличии поверхностной пленки носитель заряда взаимодействует также с ее фононами.

8. Исследованы температурные и полевые зависимости скорости релаксации емкости при создании неравновесного обеднения на промышленных кремниевых ВДП-структурах, изготовленных по различной технологии. На ВДП-структурах с повышенной релаксацией неравновесного обеднения, обусловленной генерационными неоднород-ностями, релаксация ускоряется при больших полях (10^-10^ В/см) за счет реализации эффекта Франца-Келдыша на этапе перехода основного носителя заряда из локального электронного состояния в разрешенную зону. Определены параметры ( , (Г ) для этих генерационных состояний запрещенной зоны.

9. Наследованы температурные и полевые зависимости скорости релаксации неравновесного обеднения на кремниевых ВДП-структурах, л с подвергнутых у - облучению дозой 10-10 рад. Показано, что при больших полях релаксация ускоряется за счет проявления эффекта Франца-Келдыша при переходе носителей заряда из электронных состояний, созданных на границе раздела S¿-ScO¿ ^ „ излучением, в разрешенную зону полупроводника. Определены параметры ( Е* , ) для состояний созданных у - радиацией.

10. Предложен способ подавления релаксации емкости кремниевых ЩП-структур в режиме неравновесного обеднения путем электротренировки ВДП-структур при истощающих напряжениях, больших некоторого критического. х х х

Настоящая диссертация, основные материалы которой были опубликованы в работах /50, 53, 58, 62, 95, 97, 105, 106, 107/, была выполнена в Секторе поверхностных и контактных явлений в полупроводниках ИП АН УССР.

Автор выражает глубокую благодарность руководителю Сектора член-корр. АН УССР СНИТКО ОЛЕГУ ВЯЧЕСЛАВОВИЧУ за поддержку настоящей работы, постоянно проявляемый к ней интерес и обсуждение ее результатов.

Выражаю также благодарность руководителю работы доктору физ.-мат. наук ПРИМАЧЕНКО В.Е. за предложенную тему и постоянную помощь в работе.

Выражаю благодарность сотрудникам Сектора, а также сотрудникам отдела №9 за полезное обсуждение работы и ценные замечания.

Выражаю благодарность ст. инженеру отдела №10 Фроловой Н.Г. и технику этого отдела Михайловой С Л), за помощь при выполнении работы.

1. Many A., Goldstein G., Grover N.B. Semiconductor Surfaces. Amsterdam, H-H 1965, p.496.

2. Пека Г.П. Физика поверхности полупроводников. Изд. Киевского университета. 1967, с.190.

3. Литовченко В.Г., Ляшенко В.И. Исследование свойств поверхности германия при различных температурах I. ФТТ, 196I, т.З, №1, с.61-72.

4. Литовченко В.Г. Исследование быстрых поверхностных состояний кремния. ФТТ, 1959, т.2, с.83-87.

5. Дмитрук Н.Л., Ляшенко В.И., Сытенко Т.Н. Влияние внешнего электрического поля на проводимость арсенвда галлия. УФЖ, 1965, т.Ю, *7, с.753-762.

6. Garrett C.G.B., Brattain W.H. Phys* Rev. 1955, v.99, p.376-396.

7. Проблемы физики полупроводников. M. ИЛ. 1957, с.345-365.

8. Литовченко В.Г., Горбань А.П., Ковбасюк В.П. Исследование реальной поверхности кремния методом малых импульсных возбуждений. УФЕ, 1965, т.Ю, №3, с.287-297.

9. Юнович А.Э. Кинетика электронного обмена между поверхностью и объемом в германии. ФТТ, 1959, т.1, №6, с.908-912.

10. Литовченко В.Г., Ляшенко В.И. Исследование свойств поверхности германия при различных температурах 2. ФТТ, 1961, т.З, №1, с.73-88.

11. Rupprecht G.I. Capture cross section of surfaces and hulk Btates in semiconductors by pulsed field effect technique. Proc.of the intern.conf.on semicond.phys.Prague,p.282-286.

12. П.Юнович А,Э. О кинетике поверхностных явлений в полупроводниках при больших изменениях потенциала поверхности "Поверхностные свойства полупроводников". М.Изд. АН СССР, 1962, с.127-137.

13. Юнович А.Э., Тихонов В.И. О кинетике поверхностных явлений в кремнии "Поверхностные свойства полупроводников". М. Изд. АН СССР, 1962, с.'138-146.

14. Примаченко В.Е., Снитко О.В., Миленин В.В. Исследование неравновесного эффекта обеднения кремния основными носителями тока. УФЖ, 1965, т.Ю, №4, с.382-388.

15. Примаченко В.Е., Снитко О.В., Миленин В.В. Относительно механизма неравновесного эффекта обеднения кремния основными носителями тока. УФЖ, 1965, т.Ю, №4, с.389-397.

16. Primachenko V.E., Snitko O.V., Milenin V.V. Nonequilihrium field effect on Si in the region of high depletion.

17. Phys. Stat. Sol. 1965, v.11, N 3, p.711-718.

18. Литовченко В.Г., Горбань А.П., Ляшенко В.И. Релаксация монополярной проводимости пространственного заряда "Электрические процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников". Изд. Наука, 1967, с.77-85.

19. Ржанов А.В., Плотников А.Ф. О поверхностных уровнях на германии по данным фотопроводимости в инфракрасной области спектра. ФТТ, 1961, т.З, №5, с.1557-1560.

20. Ржанов A.B., Мигаль А.П., Мигаль Н.И. Об энергетическом спектре поверхностных состояний на германии. ФТП, 1969, т.З, №9, с.1333-1336.

21. Wei L.S., Simmons J.G. Transient emission and generation currents in metal-insulator-semiconductor capacitors. Sol. Stat. Electr. 1975, v.18, TS 10, p.853-857.

22. Gorban' А.P., Litovchenko V.G., Moskal1 D.H. Investigation of MIS structure generation characteristics« Sol. st. electr. 1975, v.18, N 11, p.1053-1059.

23. Полупроводниковые приборы" Под. ред. Ржанова А.В. М. И.Л. 1953, с.214-221.

24. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., Изд. Наука, 1971, с.480. 33.Schroder D.K. Bulk and optical generation parameters measuredwith the pulsed MOS-capacitor. IEEE Trans. Electron. Dev. 1972, ED-19, N 9, p.1018-1023.

25. Нестеренко Б.А., Примаченко B.E., Розумнюк В.Т., Снитко О.В. Об особенности релаксации неравновесного сильносигнального эффекта поля на атомарно-чистой поверхности кремния. ФТП, 1969, т.З, №1, с.144-147.

26. Горбань А.П., Литовченко В.Г. Туннельно-активационный механизм нетепловой генерации с поверхностных центров памяти в импульсном эффекте поля. ПТМ, 1976, №22, с.75-81.

27. Плотников А.Ф., Шубин В,Э., Кравченко А.Б., Гольбрайх Н.И.

28. Исследования лавинного процесса в ОДП-структуре. Микроэлектроника, 1979, т.8, №1, с.49-55.

29. Goetzberger A., Nicollian E.H. MOS avalanche aiid tunneling effects in silicon surfaces. J. Appl. Phys., 1967, v.38,1. N 12, p.4582-4588.

30. Goetzberger A., Nicollian E.H. Transient voltage breakdown due to avalanche in MIS capacitors. Appl. Phys. Lett. 1967, v.9, N 12, p.446-448.

31. Prier H. Different mechanisms affecting the inversion layer transient response. IEEE Tran. Elec. Dev., 1968, v.ED-15,1. N 12, p.990-997.

32. Настаушев Ю.В., Овсюк В.H. Генерация носителей заряда в полупроводнике через "приповерхностные" состояния. Поверхность. Физика, химия, механика. 1982, №12, с.34-39.

33. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Теория захвата электронов на притягивающие центры в полупроводниках при фотовозбуэвдении. ЖЭТФ, 1977, т.72, №2, с.672-686.

34. Блох М.Д., Кляус Х.И., Сердюк И.Н., Черепов Е.И. Исследование влияния смещения фазовых электродов на токи термогенерации в приборах с зарядовой связью. Изв. вузов сер. физ. 1980, №12, с,14-18.

35. Гергель В.А., Старикова Т.И., Тишин Ю.И. Релаксационные процессы в ВДЦП-структурах при больших напряжениях. Микроэлектроника, 1979, т.8, №4, с.351-356.

36. Вьюков Л.А., Гергель В.А., Соляков А.Н. Локальная генерацияв ОПЗ ВДП-структур, как причина уменьшения времени релаксации с напряжением. Микроэлектроника, 1980, т.9, №2, с.107-113.

37. Гергель В.А., Тишин Ю.И. Лавинный пробой в многоэлектродных ВД1-структурах. Микроэлектроника, 1982, т.II, №2, с.179-181.

38. Барабан А.П., Тарантов Ю.А. Особенности релаксации неравновесной емкости структур О2. в сильных электрических полях. Микроэлектроника, 1979, т.8, №4, с.376-378.

39. Барабан А.П., Тарантов Ю.А., Коноров П.П., Трошихин А.Г. О природе поверхностных состояний на границе раздела 3>1-&1йа возникающих в сильных электрических полях. ФТП, 1980, т.44, »10, с.2058-2060.

40. Барабан А.П., Тарантов Ю.А. Влияние сильных электрических полей на генерационные свойства структур кремний-двуокись кремния. Весн. ЛГУ, Вып. физ.-хим. 1981, вып.З, №16, с.93-94.

41. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев, Изд. Наукова думка, 1978, с.316.

42. Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Снитко О.В. Ускорение релаксации неравновесного обеднения на реальной поверхности кремнияв сильных электрических полях. ФТП, 1981, т. 15, №5, с.874-880.

43. Тимашев С.Ф. О термической ионизации глубоких центров в области пространственного заряда в полупроводниках. ФТТ^ 1972,т.14, К, с.171-174.

44. Тимашев С.Ф. Об эффекте Френкеля при термополевой ионизации глубоких центров. ФТП, 1974, т.8, №4, с.804-806.

45. Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Снитко О.В. Влияние окисления на релаксацию неравновесного обеднения на поверхности кремния. Поверхность. Физика, химия, механика. 1982, №116, с.83-86.

46. Миленин В.В., Полудин В.И., Примаченко В.Е., Снитко О.В. Влияние примеси и Ли на электронные свойства поверхностикремния, УФК,' 1975, т.20, №4, с.614-618.

47. Миленин В.В., Примаченко В.Е., Снитко О.В., Попов В.Г. Исследование электронных свойств поверхности кремния, легированной металлами с отрицательным электрохимическим потенциалом. ФТП, 1979, т.13, Ив, с.1532-1538.

48. Антощук В.В., Примаченко В.Е., Снитко О.В. 0 влиянии внешнего электрического поля на фоточувствительность в ИК диапазоне реальной и легированной металлами поверхности кремния. ФТП, 1980, т.14, №12, с.2338-2342.

49. Проблемы физики полупроводников. Под. ред. Снитко О.В. Киев, Изд. Наукова думка. 531.

50. Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Снитко О.В. Релаксация неравновесного обеднения на реальной поверхности кремния, легированной золотом. УФЖ, 1982, т.27, №1, с.54-59.

51. Примаченко В.Е., Миленин В.В., Снитко О.В. Исследование легированной золотом поверхности кремния. УШ, 1965, т. 10, №1,с.39-45.

52. Миленин В.В., Полудин В.И., Примаченко В.Е., Снитко О.В., Трескунова М.Л. Образование дисперсных структур и Ли при их адсорбции на поверхности Ъь . Неорганические материалы, 1977, т.13, №3, с.515-517.

53. Зуев В.Н., Литовченко В.Г., Миленин В.В., Попов В.Г., Примаченко В.Е., Снитко О.В. Рекомбинация неравновесных носителей заряда при больших уровнях возбулодения на легированной металлами поверхности кремния. ФТП, 1977, т.II, №12, с.2351-2354.

54. Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Снитко О.В. Релаксация неравновесного обеднения на легированной цинком поверхности кремния. УФЖ, 1982, т.27, №8, с.1181-1186.

55. Антощук В.В., Миленин В.В., Примаченко В.Е., Снитко О.В. Определение некоторых параметров кремния при 77 К. ФТП, 1976, т.10, №10, с.2004-2006.

56. Захаров А.К., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н. Релаксация неравновесной емкости в ВДП-структурах. Микроэлектроника, 1976, т.5, №2, с.150-163.

57. Kooi Е. Effects of low-temperature heat treatments on the surface properties of oxidixed silicon. Philips Res. Repts. 1965, v.20, p.578-594.

58. Ronen R.S., Robinson P.H. Hydrogen Chloride and Chlorine Gettering: An effective technique for improving performance of silicon devices.J.Electrochem.Soc. 1972,v.119,H6,p.747-752.

59. Kriegler R.J., Cheng J.G., Colton D.R. The effect of HC1 and Cl2 on the thermal oxidation of silicon. J. Electrochem. Soc. 1972, v.119, N 3, p.388-392.

60. Литовченко В.Г. Исследование характеристик системы ДП методами ИК-спектроскопии. Полупроводниковая техника и микроэлектро ника, 1971, JP6, с.49-59.

61. Литовченко В.Г., Зуев В.А., Илюшин Б.Н. и др. Исследование переходного деструктнрованного слоя кремния в системе. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1974, №15, с.24-33.

62. Rozgonyi G.A. and Kusher К.A. The elimination of stacking faults "by preoxidation gettering of silicon wafers,

63. J. Electrochem. Soc. 1976, v.123, N 4, p.570-576.

64. Petroff P.M., Rozgonyi G.A., Shang T.T. Elimination of process induced stacking faults by preoxidation gettering of Si wafers. J. Electrochem. Soc. 1976, v.123, N 4, p.565-570.

65. Kooi E. Effects of ionizing irradiation on the properties of oxide covered silicon surfaces. Philips Res. Repts. 1965, v.20; p.595-619.

66. Гуртов В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства Щ1-приборов. М., ЦНИИ, "Электроника", 1978, с.31.

67. Герасимов А.В., Ангина Н.Р., Ушангишвили Л.И., Шилло А.Г., Технологические аспекты создания радиационно стойких МОП ИС. М., ЦНИИ, "Электроника", 1979, с.47.

68. Белановский А.С., Адсорбция и десорбция на поверхности полупроводниковых приборов. В кн. Обзоры по электронной технике". Сер. Микроэлектроника, M., 1969, вып.58, с.127-132.

69. Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М., Изд. Наука, 1970, с.399.

70. Ravi K.v., Valker C.J., Volk O.E. J. Electrochem. Soc. 1973, v.120, N 2, p.533-538.

71. Миленин B.B., Примаченко B.E., Сукач Г.А. Рекомбинационные процессы на легированной золотом поверхности кремния при лазерном возбузвдении. УШ, 1976, т.21, №8, с.1301-1304.

72. Власенко Е.В., Гергель В.А. Распределение потенциала и плотности заряда инверсионного слоя близ края электрода в ЩП-структурах. Микроэлектроника, 1979, т.8, №5, с.445-448.

73. Гергель В.А., Кандыба П.Е., Лавринев A.A., Хайновский В.И. Особенности электрического пробоя в приборах с зарядовой связью. Микроэлектроника, 1979, т.8, №5, с.463-466.

74. Абрамова H.A., Семушкин Г.Б., Темников К.Л. Исследование теоретических ^ (V) зависимостей неоднородных МДП-структур. Микроэлектроника, 1981, т.10, №3, с.246-250.

75. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М., Изд. Энергия, 1973, с.450.

76. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М., Изд. Советское радио, 1980, с.296.

77. Горбань А.П., Литовченко В.Г., Москаль Д.Н., Романюк Б.Н.- 166

78. Исследование микрогеттерогенности поверхностного заряда в системе %i-$íD2 . УЗД, 1975, т.20, №12, с.2016-2024.

79. Ярмолаев A.B., Миронова О.В., Ляховский D.3., Семушкин Г.Б. Генерация и рекомбинация неосновных носителей в МОП-системах при пониженных температурах. Вопросы радиоэлектроники,

80. Сер. ТПО, 1979, выпЗ, с.22-27.

81. Горбань А.П., Литовченко В.Г., Марченко А.И. и др. Влияние низкотемпературных термоадсорбционных обработок на параметры границы раздела Sí -&L Ог и структуру переходного слоя. Тонкие диэлектрические пленки, 1973, выпЗ, с.154-156.

82. Валиев К.А. и др. Микромощные интегральные схемы. М., Изд. Советское радио, 1975, с.256.

83. Колбурт Е.А. и др. Надежность МОП БИС. ТИИЭР, 1974, вып. 62, №2, с.154-178.

84. Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Снитко О.В., Фролов О.С. Релаксация неравновесного обеднения на кремниевых ВДП-струк-турах при сильных электрических полях. Микроэлектроника, 1984, т.13, №3, с.236-242.

85. Литовченко В.Г. Природа радиационных эффектов в слоистых структурах ЦДЛ. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1982, №1, с.27-35.

86. Кириллова С.И., Примаченко В.Е., Снитко О.В. Релаксация неравновесного обеднения на Y облученных кремниевых ЩЩ-структурах при сильных электрических полях. УФЖ, 1985, т.30,№1.

87. Semiconductor silicon. .Ed. by Haberecht and Kern E.L.

88. Prinseton U-Y. 1969, p.596. 99.Metz E.J. J. Electrochem. Soc. 1965, v.112, p.420.- 167

89. Séidel Т.Е., Meek R.L., Culler A.G. J. Appl. Phys. 1975, v.46, p.600.

90. Степанов Г.В., Шевченко О.Ф., Мукаилов Н.С., Лукьянов А.Е., Уразгильдин И.Ф., Крохина Е.К. Исследование массопереноса материала электродов на поверхности Si ив объеме 0¿ . Поверхность. Физика, химия, механика, 1983, №4, с.79-81.

91. Степанов Г.В., Шевченко О.Ф., Мукаилов Н.С., Лукьянов А.Е., Уразгильдин И.Ф. Исследование явлений, протекающих при электрическом пробое на поверхности B¿ и в объеме §>¿ ü¿. • Изв. АН СССР, сер. физ. 1982, т.46, №2, с.2399-2403.

92. Hielscher F.H. and Preier Н.М. Nonequilibrium C-V and J-V characteristics of metal-insulator^semiconductor capacitors. Solid-State Electronics 1969, v.12, H 7, p.527-538.

93. Ю4.Литовченко В.Г., Киблик В.Я., Литвинов P.O. Влияние радиа-ционно-термических воздействий на характеристики полупроводниковых структур. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1982, №1, с.69-73.