Релаксация зарядового состояния структур металл - диэлектрик - полупроводник в сильных электрических полях тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

зарядов в производстве МДП-ИС

4.1. Сравнительное исследование зарядовой деградации МДП-структур при облучении протонами и воздействии сильных электрических полей.

4.2. Влияние технологических факторов на релаксацию зарядового состояния МДП-структур в сильных электрических полях

4.3. Контроль релаксации зарядового состояния в производстве МДП-ИС

Выводы к главе IV.

Актуальность темы Надёжность современной радиоэлектронной аппаратуры и вычислительной техники в первую очередь связана с безотказностью и стабильностью комплектующих её интегральных схем. В последнее время наиболее перспективными элементами микроэлектроники являются полупроводниковые приборы на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Явления зарядовой нестабильности оказывают существенное влияние на работу МДП-приборов, так как непосредственно определяют их рабочие характеристики в критических условиях работы. Повышение надёжности и качества МДП-интегральных схем неразрывно связано с их стойкостью к таким воздействиям, как: сильные электрические поля, радиационное облучение, плазменная обработка и т.д.-Таким образом, становится важной разработка новых методов исследования, позволяющих комплексно и оперативно контролировать изменение зарядового состояния МДП-структур после критических воздействий. Особый интерес представляет исследование зарядовой деградации МДП-приборов в сильных электрических полях, приводящих к инжекции заряда в диэлектрик. За последнее десятилетие опубликовано большое количество работ, посвящённых деградации подзатворного диэлектрика МДП-структур в сильных электрических полях. Авторами предложено несколько моделей, описывающих деградацион-ные процессы. Однако в большинстве работ и ни в одной модели не учитывается релаксация заряда в сильных электрических полях, что, по-видимому, связано с недостаточностью экспериментальных данных и несовершенством методов определения параметров релаксирующей компоненты заряда. Как показали исследования, данная компонента вносит существенный вклад в зарядовую нестабильность МДП-приборов при их работе в критических режимах и, следовательно, не может быть исключена из рассмотрения. В результате появляется возможность более полно определить механизмы деградации подзатворного диэлектрика и критические режимы работы полупроводниковых приборов, определить пути совершенствования технологии получения диэлектрических плёнок, направленные на повышение стойкости приборов на основе МДП-структур к стрессовым воздействиям.

Большое научное и практическое значение имеет исследование релаксации зарядового состояния в МДП-структурах в сильных электрических полях после воздействия ионизирующих излучений. МДП-интегральные схемы широко используются в изделиях специального назначения. МДП-структуры являются основой для изготовления современных БИС и микропроцессоров, изделия с применением МДП-БИС используются на космических аппаратах. Всё вышесказанное заставляет уделять деградации зарядового состояния МДП-структур в сильных электрических полях после воздействия космических и прочих ионизирующих излучений самое пристальное внимание.

Исследование релаксационных явлений в диэлектрических плёнках МДП-структур после критических воздействий проводят с помощью следующих экспериментальных методов: метода высокочастотных и низкочастотных вольт-фарадных характеристик (CV - методы), метода зарядовой накачки (CP - метод), измерение токов термостимулированной деполяризации (ТСД). Однако все вышеперечисленные методы при исследовании релаксации зарядового состояния МДП-структур после воздействия требуют обязательной перекоммутации тестируемого образца и позволяют проводить исследования в диапазоне слабых полей, соизмеримых с полем заряда в диэлектрике.

Одним из перспективных методов исследования параметров зарядовой нестабильности МДП-структур является метод управляемой токовой нагрузки, поддающийся автоматизации и позволяющий проводить комплексное исследование параметров зарядового состояния подзатворного диэлектрика в широком диапазоне полей и без перекоммутадии тестируемого образца. Таким образом, разработка методики исследования параметров релаксирую-щих зарядов на его основе представляет большой практический интерес.

Цель работы

Установление закономерностей релаксации зарядового состояния в МДП-структурах в сильных электрических полях. Поставленная цель вызвала необходимость решения следующих задач:

1) разработка инжекционного метода исследования параметров релаксирующего заряда в МДП-структурах в сильных электрических полях и установки, реализующей данный метод;

2) комплексное исследование физических механизмов, определяющих зарядовые явления в МДП-структурах, определение параметров релаксирующих зарядов в МДП-структурах в сильных электрических полях после сильнополевых и радиационных воздействий;

3) изучение влияния технологических факторов на характеристики релаксирующих компонент заряда. 7

Научная новизна

1. Впервые установлены закономерности релаксации зарядового состояния МДП-структур Si-Si02-Al и Si-Si02-0CC-А1 в сильных электрических полях в диапазоне E=5-f-8 МВ/см.

2. Экспериментально определена полевая зависимость времени релаксации положительного заряда в МДП-структурах с термической двуокисью кремния в сильных электрических полях в диапазоне Е=5-^8 МВ/см при условии инжекции заряда в диэлектрик.

3. Определены особенности релаксации зарядового состояния МДП-структур с термической двуокисью кремния после протонного облучения с энергией Е=100ч-500кэВ, флюенсом F=10n-bl013 см~2 непосредственно в процессе протонного облучения и последующей выдержки образцов.

Практическая ценность работы

1. Разработан метод исследования релаксации зарядового состояния МДП-структур в сильных электрических полях в условиях инжекции заряда в диэлектрик.

2. Разработана автоматизированная установка определения зарядовых характеристик МДП-структур, реализующая предложенный метод.

3. Проведено сравнение релаксации зарядов в МДП-структурах в сильных электрических полях, изготовленных в различных технологических процессах.

4 . Предложена методика имитационных испытаний радиационной стойкости МДП-приборов по результатам сильнополевой инжекции заряда в диэлектрик. 8

5. Предложены рекомендации по совершенствованию технологического процесса изготовления подзатворного диэлектрика КМДП-ИС на ОАО "Восход" г. Калуга.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Метод исследования релаксации зарядового состояния МДП-структур в сильных электрических полях в условиях инжекции заряда в диэлектрик.

2. Полевая зависимость времени релаксации положительного заряда в МДП-структурах с термической двуокисью кремния в сильных электрических полях в диапазоне Е=5-н8 МВ/см при условии инжекции носителей в диэлектрик.

3. Результаты исследования релаксации зарядового состояния МДП-структур с термической двуокисью кремния после протонного облучения с энергией Е=100-^500кэВ, флюенсом F=10n-1013 см"2.

4. Результаты исследования влияния технологических факторов на релаксацию зарядового состояния МДП-структур в сильных электрических полях.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Научно-технической конференции "Создание прогрессивных технологий, конструкций и систем" (Калуга,

1997), Международной научно-технической конференции "Прибо-ростроение-97" (Винница-Симеиз, 1997), Научно-технической конференции "Создание прогрессивных технологий, конструкций и систем" (Калуга, 1998), Международной научно-технической конференции "Приборостроение-98" (Винница-Симферополь,

1998), Научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 98" (МИЭТ, Москва, 1998), VIII Межнациональном совещании "Радиационная физика твёрдого тела" (Севастополь, Москва, 1998), Азиатско-тихоокеанская конференции по анализу свойств поверхности и границы раздела (Сингапур, 1998), Всероссийской научно-технической конференции "Микро- и нано-электроника-98" (Звенигород, 1998), Юбилейной всероссийской научно-технической конференции "Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении" (Калуга, 1999), Международной научно-технической конференции "Прибо-ростроение-99" (Ялта, 1999), IX Межнациональном совещании "Радиационная физика твёрдого тела" (Севастополь, Москва, 1999), Шестой научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника" (Гурзуф, 1999), Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва, 1999) , III Международной конференции "Взаимодействие излучений с твёрдым телом" (Минск, 1999), Третьей международной конференции МПС1Г99 (Сумы, Украина, 1999), 5-ом Российско-китайском международном симпозиуме "Перспективные материалы и процессы" (Бай-кальск, Россия, 1999), научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов МГИЭМ (Москва,

1999), Н. Новгород -99, 10-ой конференции по диэлектрикам в микроэлектронике (Барселона, 1999), Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва, 2000), 1-ой Российской конференции молодых учёных по математическому моделированию (Москва, МГТУ, 2000), 2-ой Международной конференции "Перспективы в современных естественных науках" (Россия, Калуга,

2000), X Межнациональном совещании "Радиационная физика твёрдого тела" (Севастополь, Москва, 2000), XXX Международ

10 ной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, МГУ, 2000), заседании Школы-семинара научно-образовательного центра по проблеме "Концентрированные потоки энергии и их воздействие на материалы" (Москва, 2000), Научно-технической конференции, посвященной 170 лет МГТУ им.Н.Э.Баумана (Москва, 2000), Всероссийской научно-технической конференции "Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении" (Калуга, 2000) .

Публикации

По теме диссертации опубликовано 38 работ. Результаты диссертационной работы вошли в научно-технические отчёты по хоздоговорным и гос.бюджетным НИР, выполненным при непосредственном участии автора.

Структура и объём работы Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения, библиографического списка из 110 наименований и приложения. Она содержит 14 6 страниц сквозной нумерации, 5 таблиц и 3 6 рисунков.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛВТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработан метод исследования релаксации зарядового состояния МДП-структур в сильных электрических полях на основе метода управляемой токовой нагрузки позволяющий контролировать релаксационные процессы без перекоммутации образца.

2. Разработана автоматизированная установка контроля параметров МДП-структур (УКПС), реализующая предложенный метод исследования релаксирующих зарядов в сильных электрических полях и позволяющая исследовать релаксационные процессы длительностью 0,01с и более в диапазоне токовых нагрузок от Ю-11 А до 10~4 А.

3. Установлено, что в структурах Si-Si02-0CC-Al при туннельной инжекции электронов из Si в сильных электрических полях наряду с накоплением отрицательного заряда в пленке ФСС и объёмного положительного заряда вблизи границы Si-Si02 наблюдается образование релаксирующей компоненты положительного заряда, оказывающей влияние на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структуры, время релаксации которой после снятия токовой нагрузки составляет порядка 100 секунд.

4. Показано, что после снятия токовой нагрузки одновременно с релаксацией части объёмного положительного заряда в структурах Si-Si02-®CC-Al происходит частичное уменьшение плотности быстрых поверхностных состояний, прогенерированных туннельной инжекцией электронов, что

129 может быть связано с пассивирующими действиями водорода, освобождаемого горячими электронами в объеме Si02.

5. Установлено, что время релаксации положительного заряда, прогенерированного туннельной инжекцией электронов из кремния в термической пленке SiC>2, имеет полевую зависимость, уменьшаясь с возрастанием напряженности внешнего электрического поля, в том числе и в условиях инжекции электронов. Показано, что время релаксации положительного заряда увеличивается с возрастанием величины самого заряда.

6. Определено, что при протонном облучении основными процессами характеризующими изменение зарядового состояния МДП-структуры является накопление в пленке Si02 положительного заряда и рост плотности поверхностных состояний. Найдено, что максимальное увеличение плотности поверхностных состояний при неизменном флюенсе происходит при энергиях протонов обеспечивающих торможение их потока в диэлектрической пленке и на границе раздела Si-Si02.

7. Показано, что после прекращения протонного облучения наблюдается релаксация зарядового состояния МДП-структуры, заключавшееся в последовательном стекании положительного заряда и уменьшении плотности поверхностных состояний прогенерированных протонным облучением.

8. Установлено, что характер изменения зарядового состояния МДП-структур Si-Si02-0CC-Al после воздействия

130 протонного излучения и сильнополевой инжекции различен, что связано с тем, что протонное излучение воздействует преимущественно на пленку Si02, не вызывая захвата электронов в ФСС, тогда как под действием инжектированных электронов в ФСС накапливается отрицательный заряд.

9. Определена напряженность электрического поля (7, б-Ю6 В/см) сильнополевой инжекции электронов из кремния, при которой изменения зарядового состояния МДП-структур Si-Si02-Al хорошо коррелируют с изменением зарядового состояния после протонного облучения.

10. Предложено при сравнительной оценке радиационной стойкости МДП-систем Si-Si02-®CC-Al по инжекционным испытаниям в качестве информативного параметра использовать интегральную плотность поверхностных состояний и метод управляемой токовой нагрузки.

11. Показано, что в структурах Si-Si02-Al при протонном облучении при флюенсе 5,7-1013 см"2 происходит смена механизма накопления заряда в объеме двуокиси кремния. Накопление положительного заряда сменяется на рост отрицательного .

12. Получены гистограммы распределения параметров релак-сируюших зарядов по пластине для МДП-структур, изготовленных по различным технологическим процессам.

13. Показано, что МДП-структуры с подзатворным диэлектриком, выращенным в парах воды, характеризуются мень

131 шей величиной положительного заряда, прогенерированного при сильнополевой туннельной инжекции при величине поля Е > 6,7 МВ/см. Скорость захвата электронов на вновь образованные ловушки для МДП-структур с "влажным" диэлектриком выше, чем для МДП-структур с "сухим" диэлектриком, что, по-видимому, объясняется процессами перераспределения водорода в окисле.

14. Рекомендовано использовать метод определения характеристик релаксации зарядового состояния для контроля технологического процесса изготовления подзатворного диэлектрика КМДП-ИС. В качестве информативного параметра предложено использовать величину захваченного отрицательного заряда в окисле.

15. Показано, что метод исследования релаксации зарядового состояния МДП-структур (п.2.1) не только дополняет метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик, но и часто является единственным информативным способом получения данных о деградации подзатворного диэлектрика .

132

1. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1/Пер. с англ. Под ред. Р.А.Суриса. -М. : Мир, 1984. 456с.

2. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев Si02 на кремнии.- Л.: ЛГУ, 1988.-304 с.

3. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Основы физики приборов с зарядовой связью.-М.: Наука, 1982.-320 с.

4. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС.-М.: Энергоатомиздат, 1988.- 256 с.

5. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High field current induced-positive charge transients in Si02 // J. Appl. Phys.-1983.-Vol.54.-№ 10.-P.5793-5800.

6. Fischetti M.V., Ricco B. Hot electron-induced de-fects at the Si-Si02 interface at high fields at 295 and 77 К // J.Appl.Phys.-1985.-Vol.57.-№ 8.-P.2854-2859.

7. Avni E., Shappir J. Modeling of charge-injection effects in metal-oxide-semiconductor structures // J. Appl. Phys.-1988.-Vol. 64.-№ 2.-P.734-742.

8. Weinberg Z.A., Harstein A. Effect of silicon orientation and hydrogen anneling on tunneling from Si into Si02 // J.Appl. Phys.-1983.-Vol. 54.-№ 5.-P. 2517-2521.

9. Нагин А.П., Ткшькин B.M. О механизме генерации положительного заряда в структуре Si-Si02 в сильных полях // Письма ЖТФ.-1982.-Т.8.-Вып.23.-С.1423-1427.

10. Holand S., Ни S. Correlation between breakdown and process-induced positive charge trapping in thin thermal Si02 //J. Electrochem. Soc.-1986.-Vol.133.-№ 8.-P.1705-1712.

11. Khosru Q.D., Yasuda N., Taniguchi K. Generation and relaxation phenomena of positive charge and interface trap in a133metal-oxide-semiconductor structure // J.Appl. Phys.-1995.-Vol. 77.-№ 9.-P.4494-4503.

12. Fischetti M.V., Laux S.E., Crabbe E. Understanding hot-electron in silicon devices: is there a shortcut? // J.Appl.-Phys.-1995.-Vol. 78.-№ 2.-P.1058-1087.

13. Avni E., Shappir J. A model for silicon-oxide breakdown under high field and current stress// J. Appl. Phys. -1988.-Vol. 64.-№ 2.-P.743-748.

14. Chen C., Wu C. A characterization model for constant current stressed voltage-time characteristics of thin thermal oxides grown on silicon substrate // J. Appl. Phys.-1986.-Vol.60.-№ 11.-P.3926-3944.

15. Chen C.F., Wu C.Y. A characterization model for rampvolt-age-stressed I-V charactiristies of thin thermal oxides grown silicon substrate // Solid State Electronics. 1986.- Vol. 29.-№ 10.-P.1059-1068.

16. Fischetti M.V. Generation of positiv charge in silicon dioxide during avalanch and tunnel electron injection // J. Appl. Phys.-1985.-Vol.57.-№ 8.-P.2860-2879.

17. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High-field and current-induced positive charge in thermal Si02 layers // J. Appl. Phys.-1985.-Vol.57,-№ 8.-P. 2830-2839.

18. Solomon P., Klein N. Impact ionization in silicon dioxide at fields in breakdown range // Solid State Communications.-1975.-Vol.17.-№ 11.-P.1397-1400.

19. Knoll M., Brauning D., Fahrner W.R. Comparative studies of tunnel injection and irradiation on metal oxide semicondactor structures // J. Appl. Phys. -1982.-Vol.53,- № 10.-P.6946-6952.

20. Гадияк Г.В. Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках S102 в сильных электрических полях // ФТП.-1997.-Т.31.-№ 3.-С.257-263.

21. Arnold D., Cartier Е., DiMaria D.J. Theory of high-field electron transport and impact ionization in silicon dioxide// Phys. Rev. B.-1994.-Vol. 49.-№ 15.-P.10278-10297.

22. Михайловский И.П., Эпов А.Е. Зарядовая нестабильность кремниевых МДП-структур в сильных электрических полях// Микроэлектроника. -1985 . -Т . 14 . -Вып. 2 . -С. 173-176 .

23. Электронный захват в МДП-структурах с термическим оксидом кремния при туннельной инжекции / В.С.Солдатов, Н.В.Соболев, И.Б.Варлашов и др.// Изв. вузов. Физика.-1989.-№ 12.-С.82-84.

24. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под ред. А.В. Ржанова.-М.: Наука, 1976.- 219 с.

25. Пространственное распределение зарядов, прогенери-рованных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП-структуры/ В.С.Солдатов, А.Г.Воеводин, И.Б.Варлашов и др. // ФТП.-1990.-Т.24.-Вып.9.-С.1611-1615.

26. Nature of deforts in P- and B-dopel Si02 / M. Offenberg, M. Maier, P. Balk et al.// J. Vacuum Sci and Tachnel.-1986. -Vol.4.-№ 3.-P. 1009-1012.135

27. Mikhailovskii I.P., Potapov P.V., Epov A.E. Sign of the charge accumulated in thermal Si02 films of silicon MIS structures under high electric field condition// Phys. Stat. Sol.(a).-1986.-Vol.94.-P.679-685.

28. Солдатов B.C., Воеводин. А. Г., Коляда В. А. Модель генерации поверхностных состояний в МДП-структурах при туннельной инжекции // Поверхность. Физика, химия, механика.-1990.-№ 7.-С.92-97.

29. Zhang J. F., Al-kofahi I. S., Groeseneken G. Behavior of hot hole stressed Si02/Si interface at elevated temperature // J. Appl. Phys. 1997. Vol.81. № 6. P.843-850.

30. Khosru Q. D. M., Yasuda N., Taniguchi K., Hamaguchi C. Generation and relaxation phenomena of positive charge and interface trap in a metal-oxide-semiconductor structure // J. Appl. Phys. 1997. Vol.81. № 6. P.4494-4503.

31. В.В.Андреев, А.А.Бедняков, Г.Г.Бондаренко, Н.В.Кузнецов, Л.С.Новиков, Г.Г.Соловьев, А.А.Столяров, С.А.Лоскутов Влияние протонного облучения на электрофизические параметры МДП-структур. Физика и химия обработки материалов. 2001. №3. С.

32. Gadiyak G.V. Hydrogen redistribution in thin silicon dioxide films under electron injection in high field // J.Appl.Phys. 1997. Vol.82. N11. P.5573-5579.

33. А.И. Назаров и др. «Исследование неоднородной деградации МДП-транзисторов методом зарядовой накачки». Микроэлектроника. Том 23. Вып. 4. 1994 г.

34. N. Beltian, G. Groeseneken, R.F. De Keersmaecker, and H.E. Macs, "A reliable approach to charge pumping in MOS transistors", presented at ESSDERC-SSDT, Munich, Sept. 1982.

35. J.S. Brugler and P.G.A. Jespers, "Charge pumping in MOS devices", IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-16, p. 297, 1969.

36. W. V. Backensto and C.R. Viswanathan, "Measurement of interface state characteristics of MOS transistor utilising charge pumping techniques", Proc. IEEE, vol. 128, pt. 1, no. 2, p. 44, 1981.137

37. G. Groeseneken, et al. "A reliable approach to charge pumping measurements in MOS transistors", IEEE Tran. on Elect. Devices. 1984. ED-31. №1. p. 42.

38. А.И. Назаров и др. «Исследование неоднородной деградации МДП-транзисторов методом зарядовой накачки». Микроэлектроника. Том 23. Вып. 4. 1994 г.

39. В.Н. Вертопрахов, Е.Г. Сальман «Термостимулированные токи в неорганических веществах» Изд. «Наука», Сибирское отделение, Новосибирск, 1979.4 8. Румак Н. В. Система кремний-двуокись кремния в МОП структурах.- Минск: Наука и техника, 1986.-240 с.

40. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.- М. : Высшая школа, 1987.- С. 239.

41. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.-Киев. Наукова думка, 1978.- 316 с.

42. Гороховатский Ю.А. Основы термополяризационного анализа.-М.: Наука, 1981.- 176 с.

43. Джоветт Ч.Е. Статическое электричество в электронике. М. : Энергия, 1980.-136 с.

44. Физические основы надежности интегральных схем/Под ред. М.Миллера.-М.: Сов. радио, 1976.-320 с.

45. Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А.Г.Кадменский, С.Г.Кадменский, М.Н.Левин и др. // Письма в ЖТФ.-1993.-Т.19.-Вып.3.-С.41-45.

46. Барышев В.Г., Столяров А.А. Зарядовая нестабильность тонкопленочного диэлектрика в области предпробивных токов// Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1985. Вып.7. С.60-64.

47. Солдатов B.C., Соболев Н.В., Варлашов И.Б., Коляда В.А., Воеводин А.Г. Электронный захват в МДП-структурах с термическим оксидом кремния при туннельной инжекции// Изв.вузов. Физика. 1989. № 12. С.82-84.

48. Касумов Ю.Н., Козлов С.Н. Изменение электрофизических параметров системы Si-Si02-металл при инжекционной деградации// Микроэлектроника. 1993. Т.22. Вьет.2. С.20-26.

49. Andreev V.V., Baryshev V.G., Stolyarov A.A. Instability of the Parameters of Dielectric Layers Under Conditions of High-Field Injection Stresses // J. Advanced Materials. 1995. V.2. 1 6. P.451-457.

50. Андреев В.В., Барышев В.Г., Вихров С.П., Сидоров Ю.А. Ин-жекционный метод комплексного контроля параметров пленочного139диэлектрика в системе металл-диэлектрик-полупроводник // Электронная техника. Сер.8. 1992. № 4-5. С.55-59.

51. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров А.А. Метод постоянного тока в контроле МДП-структур // Петербургский журнал электроники. 1997. № 3. С.69-72.

52. Castagne R., Vapaille A. Description of the si interface properties by means of very low frequency MOS capacitance // Surface Sci. 1971. Vol.28. P.157-193.

53. Гадияк Г.В., Stathis J. Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/Si02-структуры при отжиге в вакууме // ФТП. 1998. Т. 32. № 9. С.1079-1082.

54. DiMaria D.J., Cartier Е., Buchanan D.A. Anode hole injection and trapping in silicon dioxide// J. Appl. Phys. 1996. Vol.80. № 1. P.304-317.

55. Andreev V.V., Baryshev V.G., Stolyarov A.A. Instability of the Parameters of Dielectric Layers Under Conditions of High-Field Injection Stresses // J. Advanced Materials. 1995. V.2. 1 6. P.451-457.

56. Исследование зарядовой деградации МДП-структур в сильных электрических полях методом управляемой токовой нагрузки/ В.В.Андреев, В.Г.Барышев, Г.Г.Бондаренко и др. // Микроэлектроника. 2000. Т.29. № 2. С.105-112.

57. Bondarenko G.G., Andreev V.V., Loskutov S.A., Stolyarov A.A. The method of the MIS structure interface analysis // Surface and Interface Analysis. 1999. V.28. P.142-145.140

58. Гуртов В.А., Назаров A.M., Травков И.В. Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП-структур при облучении// ФТП. 1990. Т.24. Вып.б. С.969-977.

59. Knoll М., Braunig D., Fahrner W.R. Comparative studies of tunnel injection and irradiation on metal oxide semiconductor structures// J. Appl. Phys. 1982. Vol.53. № 10. P.6946-6952.

60. DiMaria D.J., Buchanan D.A., Stathis J.H., Stahlbush R.E. Interface states induced by the presence of trapped holes near the silicon-silicon-dioxide interface// J.Appl. Phys. 1995. Vol.77. № 5. P.2032-2040.

61. Fishcetti M.V. Model for the generation of positive charge at the Si-Si02 interfase based on hot-hole injection from the anode//Phys. Rev. B. 1985. Vol. 31. № 4. P. 2099-2106.

62. Концевой Ю.А., Кудин В.Д. Методы контроля технологии и производства полупроводниковых приборов. М. : Энергия. 1973. -С. 144.

63. Столяров А.А. Расширение возможностей операционного контроля инжекционностойкого подзатворного диэлектрика в производстве МДП-БИС. // Перспективные материалы. -1999г -№1. -С.84-88.

64. Барышев В.Г., Столяров А.А. Исследование дефектности тонкопленочного диэлектрика методом микропробоя // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. - Вып.9. - С. 72-74.

65. Барышев В.Г., Столяров А.А. Метод постоянного тока при исследовании тонкопленочных диэлектриков в сильных полях // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1986. - Вып. 10. -С.79-80.

66. Барышев В.Г., Парфенов О.Д., Сидоров Ю.А., Столяров А. А. Моделирование выхода годных микросхем по дефектности подзатворного диэлектрика / / Технология и конструирование в электронной аппаратуре. -1992.-Вып. 2.-С. 57-58.

67. Першенков B.C., Согоян А.В., Черепко С. В. Водородно-электронная модель формирования поверхностных состояний в облученных МОП-приборах // ВАНТ. 1998. Вып.1-2. С.70-73.

68. Oldham T.R., McCaarrity J.M. Ionization of Si02 by heavy charged particles// IEEE Trans. Nucl. Sci. 1981. Vol.NS-28. N6. P.3975-3980.

69. G.G.Bondarenko, V.V.Andreev, S.A.Loskutov, A.A.Stolyarov. The method of the MIS structure interface analysis. Abstract proceedings of Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference. Singapore. 1998, Mi-p-4.

70. С.А.Лоскутов Контроль параметров быстро релаксирующих зарядов МДП-структур, генерируемых в сильных электрических полях. Методы исследования и проектирования сложных технических систем», №575, Москва, Изд-во МГТУ им.Н.Э.Баумана. 1999, С.74-79.

71. Г.Г.Бондаренко, С.А.Лоскутов Установка для исследования параметров МДП структур при инжекционных и радиационных воздействиях. Труды IX Межнационального совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, Москва. 1999. С. 437-443.

72. В.Г.Барышев, В.Е.Драч, С.В.Коротыгин, С.А.Лоскутов, И.В.Чухраев. Аппаратная реализация метода управляемой токовой нагрузки. Материалы международной научно-технической конференции «Приборостроение-99». Ялта, 1999. С. 289-292.

73. С.В.Коротыгин, С.А.Лоскутов Аппаратно-программный комплекс для измерений параметров МДП систем. Сборник трудов всероссийской научно-технической конференции «Создание прогрессивных технологий конструкций и систем». Калуга. 1998. С.121.

74. С.А.Лоскутов Устройство управления и обмена информацией для автоматизированной установки контроля параметров МДП систем. Тезисы докладов научно-тех. конф. «Создание прогрессивных технологий, конструкций и систем в условиях рынка». Калуга. 1997. С.50.

75. Г.Г.Бондаренко, С.А.Лоскутов Установка для автоматизированного измерения вольт-фарадных характеристик МДП-систем. Сборник трудов всероссийской научно-технической конференции «Создание прогрессивных технологий конструкций и систем». Калуга.1998. С.122.

76. Г.Г.Бондаренко, С.А.Лоскутов Программно-аппаратный комплекс контроля параметров подзатворного диэлектрика МДП-систем. Сборник трудов международной научно-технической конференции «Приборостроение-98». Винница Симферополь. 1998.,С.251.

77. V.V.Andreev, V.G.Baryshev, S.A.Loskutov, A. A.Stolyarov, I.V.Chukhraev. Investigation of MOS structures charge degradation by controlled current stress technique. Abstracts of 10th Workshop on dielectrics in microelectronics. Barcelona.1999. IV/P29.

78. В.В.Андреев, В.Г.Барышев, С.А.Лоскутов, А.А.Столяров Установка для исследования МДП структур высокополевым инжекционным методом. Сборник, трудов Международной Научно-техн. конфер. «Приборостроение-97». Винница-Симеиз. 1997. ч.2. С. 260.

79. С.А.Лоскутов Релаксация зарядового состояния МДП-структур Si-Si02-Al после сильнополевого воздействия. Тезисы докладов научно-технической конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов МГИЭМ. Москва. 1999. С.118.

80. В.В.Андреев, В.Г.Барышев, Г.Г.Бондаренко, А.А.Столяров, С.А.Лоскутов, И.В.Чухраев Влияние ионной имплантации на дефектность МДП-структур. Материалы III Международной конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск. 1999. С. 8991.