Создание и исследование фотодиодных гетероструктур на основе узкозонных твердых растворов CaInAsSb тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

ГЛАВА I Основные свойства, получение и применение твердых растворов

Оаь\1п\Л$^8Ь1.у (обзор литературы).

1.1 Основные свойства четырехкомпонентных твердых растворов

Оаьх^хАзуБЬх.у.

1.1.1 Физико-химические свойства бинарных соединений ОаБЬ, ОаАз, [пБЬ и 1пАв, образующих твердые растворы Оа^х^хАзуЗЬ^у.

1.1.2 Термодинамический расчет диаграмм фазовых равновесий системы Оа-1п-А8-8Ь.

1.1.3 Область существования твердых растворов Оаьх^хАзуБЬьу. Изопериодные твердые растворы.

1.1.4 Зонная структура и электрофизические свойства твердых растворов ОаьхХпхАвуЗЬьу.

1.2 Фотоэлектрические приборы на основе твердых растворов

Оак^ПхЛяуЗЬм.

1.2.1 Предварительные замечания.

1.2.2 Р-п и Рч-п-фотодиоды.

1.2.3 Лавинные фотодиоды.

Выводы.

Постановка задачи.

ГЛАВА II Получение твердых растворов Оакх^хАзуБЬьу из обогащенных индием растворов-расплавов и из свинцовых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии.

2.1 Предварительные замечания.

2.2 Экспериментальная установка.

2.3 Исходные материалы и их обработка.

2.4 Получение изопериодных с подложкой ОаБЬ твердых растворов ОаьхГпхАвуЗЬьу из обогащенных индием растворов-расплавов.

2.4.1 Жидкофазная эпитаксия и контроль параметров эпитаксиальных слоев.

2.4.2 Снижение концентрации носителей в эпитаксиальных слоях.

2.4.3 Особенности жидкофазной эпитаксии вблизи границ области несмешиваемости.

2.4.4 Влияние кристаллографической ориентации подложки ваБЬ на состав получаемых твердых растворов.

2.5 Получение твердых растворов Оа^ПхАБуЗЬ ] .у с использованием свинца в качестве нейтрального растворителя.

2.5.1 Предварительные замечания.

2.5.2 Термодинамический расчет диаграмм фазовых равновесий расплав-твердое тело (диаграмм плавкости) в системе

1п Оа /\s-Sb-Pb.

2.5.3 Методика получения твердых растворов Оаьх^ПхАзуБЬьу с использованием свинца в качестве нейтрального растворителя.

2.5.4 Основные параметры твердых растворов, полученных из свинцовых растворов-расплавов при температурах 560°С и 600°С.

Выводы.

ГЛАВА Ш Пассивация полупроводниковых соединений Оа8Ь, Са1пАз8Ь,

ОаА1Аз8Ь и структур на их основе в водных сульфидных растворах

3.1 Предварительные замечания.

3.2 Динамика травления ОаБЬ и материалов на его основе в водных растворах сульфида натрия (МагБ) и сульфида аммония ((№14)28).

3.3 Модель процесса формирования пассивирующего покрытия на поверхности антимонида галлия.

3.4 Выращивание эпитаксиальных слоев Оа^ПхАвуЗЬьу на поверхности подложки Оа8Ь(1СЮ), пассивированной в водных растворах №28х.

3.4.1 Предварительные замечания.

3.4.2 Методика эксперимента.

3.4.3 Структурное совершенство и резкость гетерограницы

ОаЯЬ/ Оа1.\1п.\А5у8Ь1.у структур.

3.4.4 Химическая модель процесса.

3.4.5 Влияние сульфидной обработки подложки на фотоэлектрические и электрические свойства n-GaSb/p- Gai-xInxAsYSbi.Y структур.

Выводы.

ГЛАВА IV Фотодиоды на основе твердых растворов Gai-xInxAsySbi-y.

4.1 Предварительные замечания.

4.2 Фотодиоды с граничной длиной волны 2,4 мкм.

4.2.1 Конструкция фотодиода.

4.2.2 Процесс формирования меза-геометрии фотодиодной структуры.

4.1.3 Фотоэлектрические свойства фотодиода.

4.1.4 Вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики фотодиода.

4.1.5 Поверхностные токи утечки.

4.1.6 Быстродействующие фотодиоды на основе гетероструктуры GaSb/Gao.78lno.22Aso.i8Sbo.82/Gao.66Alo.34Aso.o25Sbo.975.

4.2 Фотодиоды на основе n-GaSb/n-GalnAsSb/p-GaAlAsSb с боковой поверхностью мезы, пассивированной в водных сульфидных растворах.

4.2.1 Предварительные замечания.

4.2.2 Пассивация боковой поверхности фотодиодных меза-структур n-GaSb/n-GalnAsSb/p-GaAlAsSb в водных растворах (NH4)2S.

4.3 Фотодиоды с граничной длиной волны 2,55 мкм.

4.3.1 Предварительные замечания.

4.3.2 Конструкция фотодиода на основе n-GaSb/n"-GaInAsSb/p+-GaAlAsSb структур.

4.3.3 Фотоэлектрические свойства фотодиода.

4.3.4 Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики фотодиода.

Выводы.

В последние годы привлекает внимание исследователей и активно осваивается средняя инфракрасная (ИК) область спектра (2-5 мкм) для решения экологических, медицинских и других проблем. При этом спектральный диапазон 1.8-3.0 мкм представляет интерес для задач лазерной диодной спектроскопии газов и молекул [1], систем лазерной дальнометрии [2,3], а также медицинских применений [4] и мониторинга окружающей среды. Особенно привлекательно для задач экологического мониторинга использование спектрального окна 2.2-2.4 мкм, поскольку в этом спектральном диапазоне такие атмосферные загрязнения как СН4, СО, N02 и Н2СО имеют сильные линии поглощения, в то время как полосы поглощения паров воды и углекислого газа слабы [5]. Эти и ряд других возможных применений ставят задачу создания элементной базы - оптоэлектронных приборов для указанного спектрального диапазона.

Наиболее перспективными материалами как для источников, так и для приемников излучения в диапазоне 1.8-3.0 мкм являются многокомпонентные твердые растворы на основе антимонида галлия (ОаБЬ). Несмотря на то, что в последнее время интенсивно ведется работа по созданию таких твердых растворов и изучению их свойств, целый ряд технологических и физических проблем требует дополнительного исследования.

В литературе уделяется большое внимание лазерам и светодиодам на основе узкозонных твердых растворов Оа1пАз8Ь, однако мало работ посвящено фотодиодам на основе таких твердых растворов. Необходимость создания высокоэффективных фотодиодов с улучшенными параметрами требует новых нетрадиционных подходов как к технологии получения твердых растворов Оа1пА$8Ь, так и к конструкции фотодиодов, а также к процессу изготовления таких приборов. Наиболее важными задачами в настоящее время остаются повышение быстродействия, снижение величины обратных темновых токов и увеличение длинноволновой границы спектральной чувствительности фотодиодов. Решению этих задач, представляющих значительный научный и практический интерес, а также сопряженных с ними проблем служат проведенные в данной диссертационной работе исследования. 6

Целью настоящей работы являлось создание и исследование высокоэффективных неохлаждаемых быстродействующих фотодиодов с низкими обратными темновыми токами на основе изопериодных гетероструктур Са8Ь/Са1пА88Ь/ОаА1А88Ь для спектрального диапазона 1.2-2.55 мкм.

Научная новизна полученных в работе результатов состоит в следующем:

1. Проведено исследование влияния ориентации подложки ОаБЬ на состав твердых растворов ОаьхХпхАвуБЬьу, полученных вблизи границы области несмешиваемости. Обнаружено, что подложка Оа8Ь(111)В оказывает наибольшее стабилизирующее влияние, что позволяет получить твердые растворы с наибольшим содержанием индия в твердой фазе, что, в свою очередь, приводит к сдвигу длинноволнового края спектральной чувствительности структур ОаБЬ/ОаГпАзЗЬ в более длинноволновую область.

2. Проведен термодинамический анализ условий фазового равновесия и впервые фрагментарно исследованы фазовые диаграммы в системе Оа-1п-Аз-8Ь-РЬ. Впервые получены твердые растворы Gao.g6lno.14Aso.12Sbo.88 и Gao.8iIno.19Aso.i6Sbo.84 с использованием свинца в качестве нейтрального растворителя.

3. Впервые выполнено исследование динамики процессов травления и пассивации поверхности Оа8Ь(ЮО) и твердых растворов Оа1пАз8Ь, ОаАЬ^Ь в водных растворах сульфида натрия и сульфида аммония.

4. Впервые проведено исследование влияния пассивации подложки Оа8Ь(100) перед процессом ЖФЭ в водных растворах сульфида натрия на морфологию эпитаксиальных слоев твердых растворов Оаьх^ПхАзуБЬку и резкость интерфейса п-Оа8Ь/р-Оа1пАз8Ь гетероструктур, а также на фотоэлектрические и электрические свойства таких гетероструктур.

5. Впервые проведено исследование влияния пассивации боковой поверхности Оа8Ь/Оа1пА58Ь/ОаА1Аз8Ь фотодиодных меза-структур в водных растворах сульфида аммония на величину обратных темновых токов. 7

Результаты проведенных исследований позволили сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

ПОЛОЖЕНИЕ I (об ориентационной зависимости состава твердого раствора ОаьхГпхАБуЗЬьу)

Границы области существования изопериодных с ОаБЬ твердых растворов йя] -х1п.хАэуЗЬ 1-у, полученных методом жидкофазной эпитаксии со стороны составов, близких к Оа8Ь, зависят от ориентации подложки; при этом максимальное содержание индия в таких твердых растворах, полученных при температуре Т=(600±3)°С, растет в ряду ориентаций положки ОаБЬ (100), (111)А и (111)В и составляет 0.22, 0.23, 0.24, соответственно.

ПОЛОЖЕНИЕ II (о пассивации поверхности Оа8Ь и полупроводниковых соединений на его основе в водных растворах ШгБх и (ТЧГЩЬБ) Пассивация поверхности ОаБЬООО) и твердых растворов Оа1пА$8Ь, ОаАЬА^Ь на основе ОаБЬ в водных растворах Ыа^Ах и (NH4)2S сопровождается процессом травления; при этом в водных растворах (N114)28 травление идет с постоянной скоростью, а в водных растворах №г8х скорость травления падает со временем обработки вплоть до остановки процесса, что обусловлено образованием пассивирующего покрытия, защищающего поверхность полупроводника от дальнейшего травления.

ПОЛОЖЕНИЕ III (об обратном темновом токе фотодиода)

В меза-фотодиодах на основе твердых растворов ОаюДпхАвуЗЬ^у с диаметром чувствительной площадки 200-300мкм обратный темновой ток определяется, в основном, поверхностной составляющей тока, а после пассивации боковой поверхности мезы в водных растворах (N114)28 - объемной составляющей; при этом в объемной составляющей обратного темнового тока при Т>215К и обратных смещениях иобр<2.0В доминирует компонента тока, обусловленная генерацией-рекомбинацией носителей в области пространственного заряда, а при иобр>2.0В либо Т<215К проявляется компонента тока, обусловленная межзонным туннелированием носителей. 8

Практическая значимость результатов работы заключается в том, что:

1. Созданы быстродействующие p-i-n фотодиоды на основе гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/GaAlAsSb с низкими темновыми токами (1<1 мкА при U06P=-3B) для спектрального диапазона 1.2-2.4 мкм, работающие при комнатной температуре. Полоса пропускания фотодиодов составила не менее 1.5 ГГц на длине волны А,=2.0 мкм.

2. Впервые созданы методом ЖФЭ длинноволновые фотодиоды на основе гетероструктуры Gao.765lno.235As0.2iSbo.79/Gao,66Alo.34Aso.o25Sbo.975 на подложках GaSb(lll)B с граничнои длинои волны А,гр—2.55 мкм и проведено исследование их электрических и фотоэлектрических свойств.

3. Разработана методика выращивания методом ЖФЭ изопериодных к GaSb твердых растворов Gai-xInxAsySbi.y из свинцовых растворов-расплавов.

4. Разработана методика пассивации подложки GaSb(lOO) в водных растворах Na2Sx перед процессом ЖФЭ с целью улучшения электрических и фотоэлектрических характеристик n-GaSb/p-GalnAsSb фотодиодных гетероструктур.

5. Разработана методика пассивации боковой поверхности фотодиодных меза-структур на основе GaSb/GalnAsSb/GaAlAsSb в водных растворах (NHL^S, которая позволяет значительно (в 5-10 раз) снизить величину обратного темнового тока фотодиодов.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем работы составляет 172 страницы, включая 54 рисунка и 7 таблиц. Список цитируемой литературы включает 202 наименования и занимает 17 страниц.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. M.P.Mikhailova, Yu.P.Smortchova, E.V.Kunitsyna, Yu.P.Yakovlev. New photocurrent amplification mechanism due to quantum effects at the type II N-n heterointerface.//Proc.Int.Semicond.Dev.Research Symp. Charlottesville, OmniaHotel, USA, 1993, v.2, pp.631-663.

2. I.A.Andreev, E.V.Kunitsyna, V.M.Lantratov, T.V.L'vova, M.P.Mikhailova, Yu.P.Yakovlev. Sulphide passivation of GaSb/GalnAsSb/GaAlAsSb photodiode heterostructures.//Proc.23rd International Symposium Compound Semiconductors, St.Petersburg, Russia, 1996, p.p.453-456.

3. И.А.Андреев, Е.В.Куницына, В.М.Лантратов, Т.В.Львова, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев. Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GalnAsSb/GaAlAsSb.//ФТП. 1997, т.31, в.6, с. 653-657.

154

4. T.V.L'vova, I.A.Andreev, E.V.Kunitsyna, M.P.Mikhailova, Yu.P.Yakovlev, V.P.Ulin. Sulphide passivation of GaSb, GalnAsSb and GaAlAsSb in water sulfide solutions.// Electrochemical Society Proc. v.97-21,1997,p.p.351-357.

5. Е В. Куницына, Ю.В. Соловьев, Н А. Чарыков, Ю.П.Яковлев. Получение твердых растворов Gai-xInxAsySbi-x из свинцовых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии.//Сборник трудов 2-ого Российского симпозиума "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур",Обнинск, Россия,1997,с.256-261.

6. T.T.Piotrowski, E.Papis, M.Guziewicz, K.Golaszewska, E.Kaminska, A. Piotrowska, I.A. Andreev, M.P.Mikhailova, E.V.Kunitsyna, Yu.P.Yakovlev. Wet and dry etching of GaSb/GalnAsSb/GaAlAsSb photodiode heterostructures.// Electron Technology, 1998, v. 31 ,No. 3/4,pp. 3 04-310.

7. T.V.L'vova, I.A.Andreev, E.V.Kunitsyna, M.P.Mikhailova, Yu.P.Yakovlev, V.P.Ulin. Liquid-Phase Epitaxial Growth of GaSb-related compounds on sulfide treated (100) GaSb substrates.//IEE Proc.-Optoelectron.,1998,v.l45,No.5,pp.303-306.

8. E.V.Kunitsyna, I.A.Andreev, N.A.Charykov, Yu.V.Solov'ev, Yu.P.Yakovlev, Liquidphase epitaxial growth of Gai-xInxAsYSbi.x solid solution using Pb neutral solvent.//Proc. 2nd Inter. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice Castle, Slovakia, 1998, pp.55-58.

9. T.T.Piotrowski, K.Golaszewska, E.Kaminska, M.Guziewicz, A. Piotrowska, I.A.Andreev, M.P.Mikhailova, E.V.Kunitsyna, Yu.P.Yakovlev. InGaAsSb/AlGaAsSb heterojunction photodetectors for wavelength 1.8-2.4 |im grown by LPE.// Proc. 2nd Inter. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice Castle, Slovakia, 1998,pp. 95-98.

10.1. A. Andreev, T.V.L'vova, M.P.Mikhailova, E.V.Kunitsyna, V.A.Solov'ev, Yu.P.Yakovlev. Using sulfide treatment to improve performance of GaSb/GalnAsSb/GaAlAsSb photodiode heterostructures for spectral range of 1.7-2.5 (im.// Proc. 2nd Inter. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice Castle, Slovakia,1998,pp. 155-158.

11.И.А.Андреев, ЕВ.Куницына, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев. Неохлаждаемые быстродействующие фотодиоды для спектрального диапазона 1.6-2.55 \хт.П

155

Тезисы докладов Международной конференции "Прикладная оптика - 98", Санкт-Петербург, Россия, 1998,с. 85.

12.И.А.Андреев, Е.В.Куницына, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев. Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов с составом вблизи границы области несмешиваемости.//ФТП, 1999, т.ЗЗ, в.2, с.249-253.

13.E.V.Kunitsyna, I.A.Andreev, N.A.Charykov, Yu.V.Solov'ev, Yu.P.Yakovlev. Growth of Gai-xInxAs ySbi-x solid solutions from the five-component Ga-In-As-Sb-Pb melt by liquid phase epitaxy.//Appl.Surf.Sei. ,1999,v. 142, No. 1-4, pp.371-374.

14.E V.Kunitsyna, I.A.Andreev, T.V.L'vova, M.P.Mikhailova, Yu.P.Yakovlev, V.P.Ulin. Sulfide passivation: an emerging method for improvement in the performance of GaSb-based devices//Abstracts of 1 International Seminar on Semiconductor Surface Passivation, Ustron, Poland,1999,p.41.

15.И.А.Андреев, Е.В.Куницына, Ю.В.Соловьев, Н.А.Чарыков, Ю.П.Яковлев. Использование свинца в качестве нейтрального растворителя для получения твердых растворов Gai-xInxAsySbi-y.//Письма в ЖТФ,1999,т.25,в.19, с.77-81

В заключение я считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность за предложенную тему исследований, всестороннюю поддержку данной работы и руководство на всем протяжении моей работы в институте моему научному руководителю, профессору Юрию Павловичу Яковлеву.

Я также глубоко благодарна Майе Павловне Михайловой за постоянное внимание к этой работе и поддержку.

Искренне признательна профессору Николаю Александровичу Чарыкову, Татьяне Викторовне Львовой и Игорю Анатольевичу Андрееву за сотрудничество и всестороннюю помощь.

Я также благодарна Е.А.Гребенщиковой за фотолитографические работы; Е.В.Кузнецовой за сборку приборов; Т.Б.Поповой, Н.Н.Фалееву, В.Соловьеву и A.M.Ситниковой за измерения и обсуждение результатов.

Спасибо всем сотрудникам лаборатории инфракрасной оптоэлектроники ФТИ им. А.Ф.Иоффе, сотрудникам института, всем тем, кто искренне поддерживал меня.

156

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Целью данной работы являлось создание и исследование высокоэффективных неохлаждаемых быстродействующих фотодиодов с низкими обратными темновыми токами на основе изопериодных гетероструктур Оа8Ь/Оа1пА88Ь/ОаА1Аз8Ь для спектрального диапазона 1.2-2.55 мкм.

1. A.1.Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. Applications Tunable Diode Lasers SPIE, 1992,1724, p.2

2. M.Kavaya. Coherent laser radar provides eye-safe operation. Laser focus world,1991,Nol,pp.27-28

3. O.I.Avdeev, A.B.Lukin, V.V.Lubchenko et al. Multipurpose miniature solid-state lasers. J. of Optics , 1995,No. 7,pp. 71 -77

4. J.Lucas. Infrared fibers. Infr.Phys.,1985,V.25,Nol,pp.277-281

5. Pierson R.N., Fletcher A N. Catalog of IR Spectra for Qualitative Analisis of Gases.Analyt.Chem. 1956,V.28,No.8,pp. 1218-1239

6. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. M., Советское радио, 1968,268 с.

7. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев, Наукова думка, 1975, 682с

8. Хиггиботеэм С. У., Поллак Ф.Х., Кар дона М. Зонная структура и оптические постоянные InSb, InAs, GaSb, k-p-метод. Труды IX Международной конференции по физике полупроводников. Москва ,Наука,1969,Т.1, С.61

9. A.Bignazzi, A.Bosacchi, R.Magnanini Photoluminiscence study of heavy dopping effects in Te-doped GaSb. J.Appl.Phys.,1997, V.81,No.ll, pp.7540-7547

10. P.S.Dutta, H.L.Bhat, Vikram Kumar.The physics and technology of gallium antimonide: An amerging optoelectronic material J.Appl.Phys.,1997, V.81,No9,pp.5821-5870

11. В.М.Глазов, О.Д.Щеликов. Термическое расширение и характеристики рочности межатомной связи в расплавах соединений АВ (AlSb, InSb, GaSb, InAs, GaAs). ФТП ,1998,Т.32, No.4, C.429-431

12. М.Г.Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. Москва,.Металлургия ,1984 ,224с

13. Van Vechten J. A. Simple theoretical estimatetes of enthalpy of antistructure pair formation and virtual-enthalpies of isolated antiside defects in zinc-blende and wurtzite type semiconductors.J.Electrochem.Soc., 1975,V. 122,No3,pp.423-428

14. Wen-Jang Jiang, Yun-Maoh Sun, Meng-Chyi Wu Electrical and photoluminescent properties of high-quality GaSb and AlGaSb layers grown from Sb-rich solution by liquid-phase epitaxy. J.Appl.Phys.,1995,V.77,No.4,pp. 1725-1728

15. Van Vechten J.A. Simple theoretical estimatetes of schottky constants and virtual-enthalpies of single vacancy formation in zinc-blende and wurtzite types semiconductors J.Electrochem.Soc., 1975,'V. 122, No3,pp.419-423

16. Т.И.Воронина, Б.Е.Джуртанов, Т.С.Лагунова, М.А.Сиповская, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава.ФТП,1998,Т.32,КЗ,С.278-284

17. D.Kranzer. Mobility of holes of Zine-Blende III-V and II-VI compounds Phys.Stat.Solidi (a),1974 ,V.26,Nol, pp. 11-52

18. Jakovetz W, Ruhle W., Breeuningen K., Pilkuhn M. Luminescence and photoconductivity of undoped p-GaSb. Phys.Stat.Sol.(a),1980,V.12,No.l,pp,169-174

19. A.G.Brigss, L.J.Challis. Photon scattering by acceptor defects in GaSb and GaSb-InSb alloys. J.Phys.C.Sol.St.Phys.,1969,V.2,No.7,pp. 1353-1356

20. Y.J.van der Meulen Growth properties of GaSb : the struture of the residual centers. J.Phys.Chem. Sol.,1967,V.28,No.l,pp.25-32

21. E.T.R.Chidley, S.K.Hauwood, A.B .Henriques et al. Photoluminescence of GaSb grown by metalorganic vapour phase epitaxy. Semicond. Sci. Technol., 1991,V.6,No 1,pp.45-53

22. D.E.Effer, P.J. Effer. Investigation into the apparent purity limit in GaSb. J.Phys.Chem.Sol.,V.25, 1964, pp.451-460

23. Nakashima K. Electrical and optical studies in gallium antimonide. Jap.J.Appl.Phys.,V.20, No.4,1981,pp. 1085-1094

24. M.Ichimura, K.Higuchi , T.Wada, N.Kitamura Native defects in the AlxGai-xSb alloy semiconductor. J.Appl.Phys., 1990,V.68,No.l2, pp. 6153-6158

25. Акчурин P.X., Жегалин B.A., Чалдышев В В. Электрические и фото люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb<Bi> и GaSb<Bi,Sn>, полученных из висмутовых растворов. ФТП,1992,Т.26, Вып.8, С. 1409-1414

26. W.Ruhle, D.Bimberg Linear and quadratic Zeeman effect of excitons bound to neutral acceptors in GaSb. Phys.Rev.B, 1975,V. 12 ,No.6,pp. 2382-2390

27. Johnson E.L., Fan H.Y. Impurity and exiton effectson on the infrared absorption edges of III-V compounds. Phys.Rev,A,1965,V.139, No.6, pp. 1991-2001158

28. Gladkov P., Monova E. and J.Weber Liquid phase epitaxy and photoluminescence characterization of p-type GaSb layers grown from Bi based melt. J.Crystal Growth, 1995,V.146,p.319

29. P.S.Dutta, K.S.R. Koteswara Rao, H.L.Bhat, K.Gopalakrishna Naik, V.Kumar Surface morphology, electrical and optical properties of gallium antimonide layers grown by liquid phase epitaxy. J.Cristal Growth, 1995,V. 152,pp. 14-20

30. C.Anayama, T.Tanaheshi, H.Kuwatsuka, S.Nishiyama, S.Isozumi, K.Nakajima, High-purity GaSb epitaxial layers grown from Sb-rich solutions. Appl.Phys.Lett.,1990, V. 56,No.3,pp.239-240

31. Гермогенов В.П., Отман Я.И., Чалдышев В В. Подавление природных акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом. ФТП, 1990, Т.24,В.6,с. 1095-1160

32. S.S.Chadvancar, B.M.Arora. LPE growth of GaSb from Ga and Sn solutions. J.Crystal Growth , 1987,V. 80,No. 1 ,pp. 69-72

33. Баранов A.H., Литвак A .M., Шерстнев В В. Фазовая диаграмма системы Ga-Sb-Pb. Неорганические материалы,1989,T.25,No.6,C.922-925

34. K.Nakajma, K.Osamura, K.Yasuda, Y.Murakami.The pseudoquaternary phase diagram calculation of Gai.xInxAsYSbi quaternary system.J.Cryst.Growth,1977,V.41,Nolpp.87-92

35. Wu Wei, Yan Luming, Wei Guangyu, Peng Ruiwu. Solid-liquid and solid-vapor equilibrium of GalnAsSb system and artificial neural network prediction. J.Appl.Phys.,1995,V.78,No,2, pp.897-899

36. JoullieA., F.Jia Hua, Karouta F., Mani H, LPE growth of GalnAsSb/GaSb system: the importance of the sign of the lattice mismatch, J.Cryst.Growth,1986,V.75,No.2,pp.309

37. Dolginov L.M., Eliseev P.G., Lapshin A.N., Milvidskii M.G. A study of phase equilibria and heterojunction in Ga-In-As-Sb quaternary system. Krist.und Technik., 1978, V. 13 ,No. 6,pp. 631

38. Jordan A.S., Ilegems M. Solid- liquid equilibria for quaternary solid solutions unvolving compounds semiconductors in the regular solution approximation. J.Phys.Chem. Solids, 1975,V.36,No.4,pp.329-342

39. Jordan A S. Activity coefficients for a regular multycomponent solution, J.Electrochem. Soc., 1972,V. 119, No 1,pp. 123-124

40. Sankaran R., Antypas G.A. Liquid phase epitaxial growth of GalnAsSb on (111) GaSb. J. Cry st. Growth, 1976, V. 3 6,No 1 ,pp. 198

41. Капо Н., Miyzawa S., Sugiyama К., Liquid-phase epitaxy of Gai-YlnYAsxSbi-x quaternary alloys on GaSb. Jap.J.Appl.Phys.,1979/V. 18,Noll,pp.2183

42. Kabayashy N., Horikoshy, J.Uemura C. Liquid phase epitaxial growth of InGaAsSb/GaSb and InGaAsSb/AlGaAsSb DN wafers. Jap. J. Appl.Phys, 1979, V. 18,No ,ll,pp.2169-1270

43. Бочкарев А.Э., Гульгазов B.H., Долгинов Л.М., Селин A.A. Кристаллизация твердых растворов GaxIni-xAsySbi-y на подложках из GaSb и InAs. Неорганические материалы, 1987,Т. 23 ,No. 10,С. 1610-1614

44. Баранов А Н., Литвак A.M., Чернева Т В., Шерстнев В В., Ястребов С.Г. Анализ фазовых равновесий в системе In-As-Sb с использованием модели квазирегулярных ассоциированных растворов. Изв.АН СССР .Неорг. материалы, 1990,Т. 26,В. 10,С.2021 -2025

45. Литвак А.М.,Чарыков H.A. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. Изв.АН СССР.Неорг.материалы,1991,Т.27,Ш2,С.225-230

46. Литвак А.М.,Чарыков H.A. Новый термодинамический метод расчета фазовых равновесий расплав-твердое тело системы А3В5. }K<PX,1990,T.64,No9,C.2331-2337

47. А.А.Гусейнов, Б.Е.Джуртанов, А.М.Литвак и др.Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав-твердое тело в системах АЗВ5(на примере In-Ga-As-Sb). Письма в ЖТФД989, Т. 15,No. 12, С.67-72

48. А.Н.Баранов, A.M. Литвак, К.Д.Моисеев, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев Получение твердых растворов InGaAsSb/GaSb и InGaAsSb/InAs в области составов, прилегающих к InAs. ЖПХ,1994,Т.67,В12,С.1951-1956

49. Баранов АН. , A.M. Литвак, К.Д.Моисеев, Чарыков H.A. , В.В.Шерстнев. Фазовые равновесия расплав-твердое тело в четырехкомпонентных системах In-Ga-As-Sb и In-As-P-Sb. ЖФХ,1990,Т.64, В.6, С.1651-1654

50. А.Н.Баранов, А.М.Литвак, К.Д.Моисеев, Н.А.Чарыков, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев. О построении кривых кристаллизации в четырехкомпонентных полупроводниковых А3В5 системах In-Ga-As-Sb и In-P-As-Sb . ЖПХ,1990,Ш.5,С.976-981

51. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев:Наукова думка, 1975, С.704

52. Стрельченко С.С., Лебедев В В. Соединения А3В5, М.Металлургия ,1984 ,С.144

53. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Экстремальные свойства молекулярных твердых растворов, находящихся в равновесии с расплавами молекулярного состава. ЖФХ, 1992 Д .66,В.4, С.923-929

54. А.Н.Баранов, А.А.Гусейнов, A.M.Литвак, А.А.Попов, Н.А.Чарыков, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев. Получение твердых растворов InGaAsSb, изопериодных к GaSb, вблизи границы области несмешиваемости Письма в ЖТФ, Т. 16,No.5,С.33-38

55. G.B.Stringfellow. Calculation of ternary phase diagrams of III-V systems. J.Phys.Chem. Solids.,1972,V.33,No.3,pp.665-667

56. G.B.Stringfellow. Immiscibility and spinodal decomposition in III/V alliys, J.of Crystal Growth, 1983,V.65, pp.454-462

57. И.П.Ипатова, В.Г.Малышкин, В.А.Щукин. Спинодальный распад полупроводников А3В5 в упругоанизотропных эпитаксиальных пленках. Известия АН: физическая серия, 1994, T.58,No.7,C. 105-117

58. Onabe К. Unstable region on III-V quaternary solid solution composition plane calculated with regular solution approximation. J.J.Appl.Phys.,1982,V.21,No.6,pp.L323-L325

59. G.B.Stringfellow. Miscibility gaps in quaternary III-V alloys, J.of Crystal Growth ,V.58,1982, pp. 94-202

60. G.B.Stringfellow. Miscibility gaps and spinodal decomposition in III-V quaternary alloys of the type AxByCi-x-yD .J. Appl.Phys.,1983,V.54,No.l,pp.404-409

61. G.B.Stringfellow. Spinodal decomposition and clustering in III-V alloys. J.Electr.Mater.,1982, V.l 1,No.5,pp.903-918

62. Малышкин В.Г., Щукин В. А. Развитие неоднородностей состава при послойном росте эпитаксиальной пленки твердого раствора полупроводникоА3В5.ФТП,1993,Т.27,№) 11/12 С. 1932-1943

63. Onda Т., Ito R. Behavior of miscibility gaps in the phase diagrams of III-V semiconductor solid solutions. Quaternary systems of the type AxByCi.x.yD. J. Cryst. Growth, 1987,V.83, pp. 353-360

64. Kazakov A.I., Kishmar I.N., Bocharev A.E., Dolginov L.M. J.Cryst.Growth,1992, V. 116,pp.204-212161

65. Пригожин ИР, Дефэй Р. Химическая термодинамика. М.:Наука, 1966,509 с.

66. Sadao Adachi. Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GalnAsSb, and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2-4 mm optoelectronic device applications J. Appl.Phys., 1997, V. 61,No. 10,pp.4869-4876

67. Sadao Adachi, К.Ое. Quadratic electro-optic (Kerr) effects in zincblende-type semiconductors: Key properties of InGaAsP relevant to device design, J.Appl.Phys., 1984,V.56, No.5, pp.1499-1504

68. Sadao Adachi GaAs, AlAs and AlxGai-xAs material parameters for use in reseach and device applications, J.Appl.Phys.,1985,V.58,No.3, R1-R29

69. J.C.DeWinter, M.A.Pollack, A.K.Sritastava and J.L.Zyskind Liquid phase epitaxial GaxInixAsi-ySby lattice-matched to (100)GaSb over the 1.71 to 2.33 mm wavelanght range. J.Electron materials, 1985,V.4,No.6,pp.729-747

70. Воронина Т.И, Лагунова Т.С., Михайлова М П., Сиповская М.А., Шерстнев В В., Яковлев Ю.П. Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInAsSb:Mn^Tn,1991,T.25,B.2,C.276-282

71. Литвак A.M., Н.А.Чарыков. Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава многокомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5. ФТП,1990,Т.24,В.12,С.2106-2110

72. F.Karouta, H.Mani, J.Bhan, Fan Jia Hua, A.Joullie Croissance par epitaxie an phase liquide et caracterisation d'alliages GaxInixAsiySb y a paramétré de maille accorde sur celui de GaSb. Rev.Phys.Appl.,1987,V.22,No. 11,pp. 1459-1467

73. Шерстнев В.В. Кан.дисс. Жидкостная эпитаксия узкозонных твердых растворов антимонида галлия и арсенида индия для фотоэлектрических и люминесцентных приборов. Л. ФТИ, 1989,221 с.

74. А.Н.Баранов, А.А.Гусейнов, А.А.Рогачев, А Н.Титков, В.Н.Чебан, Ю.П.Яковлев. Локализация электронов на гетерогранице II типа. Письма в ЖЭТФ, 1988,Т.48,В. 6,С. 342

75. M.P.Mikhailova, A.N.Titkov. Type II heterojunktion in the GalnAsSb/GaSb system Sem. Sci.Techn.,1994.,V.9,pp. 1279162

76. М.И.Афраилов,А.Н.Баранов,А.П.Дмитриев,М.П.Михайлова,Ю.П.Сморчкова, И.Н.Тимченко, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев, И.Н.Яссиевич. Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs. ФТП, 1990, Т. 24,В. 6,С. 13 97

77. N.Nakao, S.Yoshida, S.Gonda. Heterojunction Band discontinuties of quaternary semiconductor alloys. Solid.State Commun.,1984,V.49,No7,pp.663

78. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых структур.ФТП, 1998, Т.32,В.1,С.3-18

79. Долгинов JIM., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г., Лапшин АН., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н. Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора GalnAsSb. Квантовая электроника, 1978,Т.5,No.3

80. Datt B.V., Temkin H., Kolb ED., Sunger W.A. Appl.Phys.Lett.,1985,V.45,No.2 pp.111-113

81. Баранов АН., Джуртанов Б.Е., Именков АН., Рогачев A.A., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом Письма в ЖТФ,1986,Т.12,В.11,С.664-667

82. Баранов АН., Гребенщикова Е.А., Джуртанов Б.Е., Данилова Т.Н., Именков АН., Яковлев Ю.П. Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов GalnAsSb вблизи границы области несмешиваемости (к=2.5 мкм, Т=300 К). Письма в ЖТФ, 1988,Т. 14,В.20,С. 1839-1943

83. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г., Мухитдинов М., Мусаев Э.С., Рожков В.М., Шевченко Е.Г. Применение светодиодов на основе GalnAsSb для измерения влажности. Измерительна техника, 1981, В.6, С.29-31

84. Андаспаева A.A., Гусейнов A.A., Баранов АН., Именков АН., Литвак A.M., Филаретова Г.М., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb(À=2MKM, h=4%, Т=300К) ). Письма в ЖТФ,1989,Т.14,В.9,С.845-849

85. Андаспаева A.A., Баранов АН., Гусейнов A.A., Именков АН., Яковлев Ю.П. Светодиоды для спектрального диапазона 1.8-2.5мкм Материалы I Всесоюзной конференции. Ленинград, 1989 ,С. 104-105163

86. H.K.Choi, С.A.Wang, G.W.Turner, M.J.Manfra, D.L.Spears, G.W.Charache, L.R.Danielson, D.M.Depoy. High-performance GalnAsSb thermophotovoltaic devices with an AlGaAsSb window. Appl.Phys.Lett.,1997, V.21,No.26,pp.3758-3760

87. J.E.Bowers, A.K.Srivastava, S.A.Burrus, J.C.DeWinter, M.A.Pollack, J.L.Zyskind High-speed GalnAsSb/GaSb pin-photodetectors for wavelengths to 2.3 (im. Electr.Let., 1986,V.22,No3, pp. 137-139

88. A.K.Srivastava, J.C.DeWinter, C.Caneau, M.A.Pollack, and J.L.Zyskind High performance GalnAsSb/GaSb p-n photodiodiodes for the 1.8-2.3 (im wavelengths. Appl.Phys.Lett., 1986 ,V.48,No.l4 ,pp.903-904

89. И.ААндреев, М.А.Афраилов, АН.Баранов, В.Г.Данильченко, М.АМирсагатов, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев. Фотодиоды на основе твердых растворов GalnAsSb/GaAlAsSb Письма в ЖТФ, 1986, Т.12,В.21,С.1311-1315

90. Z.A.Shellenbarger, M.G.Mauk, P.E.Sims, J.A.Cox, J.D.Lesko, J.R.Bower, J.D.South, L.C.Dinette Progress on GalnAsSb and InAsSbP photodetectors for mid-infrared wavelengths. Procid MRS ,1997 ,Fall Meeting Boston USA ,Simp.F

91. Meng-Chyi Wu, Chi-Ching Chen Liqid-phase epitaxial srowth of GalnAsSb with application to GalnAsSb/GaSb heterostructure diodes.J.Appl.Phys.,1992,V.71,pp,6116-6120

92. V.M.Smirnov, D.Akhmedov, V.I.Vasirev, T.S.Tabarov, I.A.Zhebulev. GalnAsSb/GaSb double heterojunctions room temperature photodetectors Abstr. Intern. Conference Mid-infrared Optoelectronics, 1996 ,England,pp. 54-55

93. E.Tournie, J.-L.Lazzari, E.Villemain, A.Joullie, L.Gouskov, M.Karim, I.Salesse GalnAsSb/GaSb pn photodiodes for detection to 2.4 ¡im Electronics Letters,1991, V.27,No. 14,pp. 1237-1239164

94. A.Z.Li, J.Q,Zhong, Y.L.Zheng, J.X.Wang,G.P.Ru, W.G.Bi, M.Qi Molecular beam epitaxial growth, characterization and performance high-detectivity GalnAsSb/GaSb PIN detectors operating at 2.0 to 2.6|am.J.Cryst.Growth,1995,V. 150,pp. 1375-1378

95. Yan Shi, Jian H.Zhao, Hao Lee, J.Sarathy, M.Cohen, G.Olsen. Resonant cavity enhanced GalnAsSb photodetectors grown by MBE for room temperature operation at 2.35 ¡дт. Electronics Letters, 1996,V.32,No.24,pp.2268-2269

96. Yan Shi, Jian H.Zhao, J.Sarathy, G.Olsen, Hao Lee. Quantum confined Stark effect in GalnAsSb/GaAlAsSb quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Electronics Letters,1997,V.33,No.3,pp.248-250

97. G.Ru, Y.Zheng, A.Li. The wavelength shift in GalnAsSb photodiode structures. J.Appl.Phys.,1995,V.77,pp.6721-6723

98. Shockley W. Electron and Holes in semiconductors. 1950, Toronto-New York-London, p. 571

99. Sah S T., Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junction characteristics. Proc.IRE,1957,V.45,No.9,pp. 1228-1243

100. Shockley W., Read W.T. Statistics of the recombination of the holes and electrons. Phys.Rev.,1952,V.87,No. 5,pp. 835-842

101. Forrest S.R. Evidence for tunneling in reverse-biased III-V photodetector diodes. Appl.Phys.Lett. ,1980,V.36,No.7,pp.580-582

102. McKay K G., McAffe K B. Phys.Rev.,1953,V.91,No.l,pp.l079-1084

103. Жингарев M.3., Корольков В.И., Михайлова М П., Яссиевич И.Н. Особенности ударной ионизации в GaSb и твердых растворах на его основе.Письма в ЖТФ 1979,Т.5,В 14,С. 862-866

104. Дмитриев А.П., Михайлова М П., Яссиевич И.Н. Ударная ионизация электронами в полупроводниках А3В5. ФТП,1976,Т. 10,С.860-865

105. Dmitriev А.Р., Mikhailova M P., Yassievich I.N. High energy distribution function in an electric field and electron impact ionization in A3B5 semiconductors. Phys. Stat. Sol.(b) 1982,V. 113, pp. 125-135

106. Forrest S.R., Leheny R.I., Nahory R.E., Pollack M A.Gao.47Ino.53As photodiodes with dark current limited by generation-recombination and tunneling.Appl.Phys.Lett.,1980, V.37,No.3,pp. 322-325

107. Takanashi J., Horikoshy J. InGaAs/InGaAsP avalanche photodiodes and analysis of internal quantum effeciency. Jap. J. Appl.Phys. , 1981,V.20,pp. 1271-1278

108. Жингарев M.3., Корольков В.И., Михайлова МП., Сазонов В В. Зависимость коэффициентов ионизации электронов и дырок от ориентации и состава в твердых растворах Gai.xAl xSb. Письма в ЖТФ,1981,Т. 15,В.7,С. 1487

109. Capasso F., Tsang W.T., Hutchinson A.L., Williams G.F. Enhancement of electron impact ionization in superlattice: a new APD's with a large ionization rates ration. Appl.Phys.Lett., 1982, V.40,No. 1,pp.36-40

110. Chin R., Holonyak N., Stillman G.E., Tsang J.T., Hess K. Impact ionization in multilayer heterojunction strustures. Electr.Lett.,1980,V. 16, pp.467

111. И.А Андреев, М.А.Афраилов, А.Н.Баранов, М.А.Мирсагатов, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев. Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе GalnAsSb. Письма в ЖТФ,1987,Т.13,В.8,С.481-486

112. И.А.Андреев, М.А.Афраилов, А.Н.Баранов, М.А.Мирсагатов, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев. Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения и умножения на основе GalnAsSb/GaAlAsSb. Письма в ЖТФ,1988,Т.14,В.11,С.986-990

113. J.Benoit, M.Boulou, G.Soulage, A.Joullie, H.Mani. Performance Evaluation of GaAlAsSb/GalnAsSb SAM-APDs for High Bit Rate Transmissions in the the 2.5 (im Wavelength Region. J.Opt.Commun.,1988,V.9,No.2,pp.55-58

114. И.А.Андреев, М.А.Афраилов, А.Н.Баранов, Н.Н.Марьинская, М.А.Мирсагатов, М.П.Михайлова, Ю.П.Яковлев Малушумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения и умножения для области спектра 1.6-2.4 мкм. Письма в ЖТФ,1989,Т.15,В.17,С.71-76

115. Tsang W.T., Chiu Т.Н., Risker D.W., Ditzenberter J.A. Molecular beam epitaxial growth of GalnAsSb lattice matched to GaSb. Appl.Phys.Lett.,1985,V.46.pp.283

116. H.K.Choi, S.J.Eglash, G.W.Turner Double-heterostructure diode lasers emitting at 3 im with a metastable GalnAsSb active layer and GalnAsSb cladding layers. Appl Phys.Lett., 1994 ,V. 64,No 19,pp. 2471 -2607

117. Cheng M.J., Jen H.R., Larsen C.A., Stringfellow G.W., Lundt H., Taylor P C. MOVPE growth of GalnAsSb. J.Crystal Growth,1986,V.77,Nol-3,pp.408-417166

118. Cheng M.J., Stringfellow G.W.,Srivastava A.K., Zyskind J.L. GalnAsSb metastable alloys grown by organometallic vapor phase epitaxy. Appl.Phys.Lett.,1986, V. 48,No. 6,pp. 419-421

119. Sh.Li, Y.Jin, T.Zhou, B.Zhang, Y.Ning, H.Jiang et al. Growth of GalnAsSb alloys by metalorganic chemical vapor depisition. J.Crystal Growth,1995,V. 156,Nol,pp.39-44

120. Селин A.A., Вигдорович В Н., Батура В.П. Выбор растворителя для ЖФЭ GaxIni.xAsYSbi.y. Изв. АН СССР. Неорган.материалы, 1982,Т. 18,No.9,C. 1464-1468

121. В.М.Андреев, Л.М.Долгинов, Д.Н.Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М."Советское радио", 1975,327С.

122. Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. Поведение примесей в твердых растворах p-GalnAsSb. ФТП,1991,Т.25,В.2 ,С.283-286

123. Баранов А.Н., Дахно АН., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs-ФТП ,1990,Т.24 ,В. 1,С.98-102

124. Баранов АН., Воронина Т.И., Зимогорова НС., Канская Л.М., Яковлев Ю.П. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных из расплавов, обогащенных сурьмой.ФТП,1985,Т.19,В.9,С.1676-1679

125. Баранов А.Н. Канд.дисс. Жидкостная эпитаксия изопериодных GaAlAsSb/GaSb фото диодных структур. 1984 ,Л.,ФТИ

126. А.Э.Бочкарев, Л.М.Долгинов, Л.В.Дружинина, З.Б.Капанадзе. Полупроводники и гетеропереходы. Сборник статей под ред.к.ф.-м.н. А.И.Розенталя. Таллин"Валгус" 1987, с.3-5.

127. Говорков А.В., Мильвидский М.Г., Новиков А.Г. Влияние ориентации подложки на свойства гетероэпитаксиальных слоев GaAs, выращенных методом ЖФЭ. Кристаллография,1992,Т.37,В.5,С. 1281-1286

128. O.Ueda, S.Isozumi, S.Komiya Composition-Modulated Structures in InGaAsP and InGaP liquid phase epitaxial layers growth on (OOl)GaAs substrates. Japan J. Appl. Phys., 1984, V. 23 ,No4,L241-L243

129. У.М.Кулиш. Рост и электрофизические свойства пленок полупроводников (жидкофазная эпитаксия). Калмыцкое книжное издательство.Элиста, 206 С.

130. Л.Н.Александров Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок "Наука" Новосибирск, 1978167

131. Miki H., Segawa К., Fujibayaski К., Undoped n-type GaSb grown by liquid phase epitaxy. Jap.J.Appl.Phys., 1974 ,V.13,No.l,pp.203-204

132. Capasso F., Panish M.B., Sumsky S. The liqid phase epitaxial growth of low net donor concentration GaSb for detector applications in the 1.3-1.6 region. EEEE J.Quant.Electron ,1981, V-QE-17 ,No2,pp.273-274

133. Баграев Т.Н., Баранов А Н., ВоронинаТ.И., Толпаров Ю.Н., Яковлев Ю.П. Подавление природных акцепторов в GaSb.Письма в ЖТФ,1985,Т.11В.7С. 117-121

134. Yun-Maoh Sun, Meng Chyi Wu. X-ray photoelectron spectroscopy and optoelectrical properties of low-concentration erbium-doped GaSb layers grown from Sb-rich solution by liquid-phase epitaxy. J.Appl.Phys.,1995,V.78, No.ll,pp.6691-6695

135. Баранов А Н., ВоронинаТ.И., Зимогорова H.C., Канская Л.М., Яковлев Ю.П. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных из расплавов, обогащенных сурьмой.ФТП,1985,Т.19,В.9,С.1676-1679

136. ВасильевВ.И., Кузнецов В В., Мишурный В.А. Эпитаксия GalnAsSb с использованием сурьмы в качестве растворителя. Неорганические материалы, 1990,Т.26, Nol, с.23-27

137. V.V.Chaldyshev, V.P.Germogenov, Yu.V.Shmartsev. Photoluminescence of bismuth doped GaSb. Proc.Conf. Optical characterization of semiconductors. Sofia, Bulgaria, 1990,pp. 109-116

138. Баранов А Н.,Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Тимченко И.Н., Чугуева З.И., Шерстнев В В., Яковлев Ю.П. Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в p-GaSb^Tn,1989,T.23,N5,C.780

139. Гребенюк A.M., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков Н А., Шерстнев В В., Яковлев Ю.П. Фазовые равновесия расплав-твердое тело в системе Pb-GaAs-GaSb. ЖНХ, 1991,Т.36,В.4,С. 1067-1071

140. Гребенюк A.M., Литвак A.M., Чарыков Н А., Яковлев Ю.П. Фазовые равновесия расплав-твердое тело в системе РЬ-1пА8-1п8Ь.ЖНХ,1990,Т.35,В.11, С.2941-2944

141. Литвак A.M. Диаграммы плавкости многокомпонентных систем с нейтральным растворителем (на примере системы РЬ-1п-Оа-А8-8Ь).ЖНХ,1992,Т.37,В.2,С.470-478

142. Баранов АН., Гореленок А.А., Литвак A.M., Шерстнев В В., Яковлев Ю.П. Исследование диаграммы фазовых равновесий системы In-As-Pb. ЖНХ,1992,Т.37,1. B.2,С.448-453

143. Гребенюк A.M., Чарыков Н А., Пучков Л.В. Фазовые равновесия расплав-твердое тело в системах Pb-InSb-GaSb и Pb-InAs-GaAs.3KHX,1992,T.37,B.l,C.201-203

144. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Расчет избыточных термодинамических функций в расплавах А3,В5 компонентов и А3В5 твердых растворов.ЖНХ,1990,Т.35,В.12,1. C.3059-3062

145. A.Y.Polyakov, A.G.Milnes, N.B.Smirnov, L.V.Druznina, I.V.Tunitskaya Mechanisms of Fermi Level pinning in Scottky Barriers on InGaAsSb and AlGaAsSb. Solid-State Electronics,1993,V.36,No. 10, pp. 1371-1373

146. Бессолов В Н., Лебедев M B. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников А3В5.ФТП, 1998 ,Т.32,В. 11,С. 1281-1299

147. M.Kasu, T.Makimoto, N.Kobayashi Selectiv-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning-tunneling-microscopy modification on a nanometer scale Appl.Phys.Lett.,1997,V.70,No.9,pp. 1161-1163

148. Z.Lu, Y.Jiang, W.I.Wang, M.C.Teich, R.M.Osgood GaSb-oxide removal and surfase passivation using an electron cyclotron resonance hydrogen source. J.Vac.Sci.Technol., 1992 ,V.10,No,4, pp. 1856-1861

149. A.Y.Polyakov, AG.Milnes, X.Li, A.A.Balmashnov,N.V.Smirnov.Hydrogen and nitrogen plasma treatment effects on surface properties of GaSb and InGaAsSb . SolidState Electronics,1995,V.38, No. 10 ,pp. 1743-1745

150. G.Bruno, M.Losurdo,P.Capezzuto Hydrogen plasma passivation of InP: Real time ellipsometry monitoring and ex situ photoluminescence measurements. Appl.Phys.Lett., 1996,V.69,No. 5,pp.685-687

151. C.J.Sandroff, RN.Nottenburg, J.-C.BeschofF and Bhat.Dramatic enhancement in the gain of GaAs/AlGaAs heterostructure bipolar transistor by surface chemical passivation. ApplPhys.Lett. ,1987, V.51,No.l,pp.33-35.

152. A.M.Green, W.E.Spicer. Do we need a new methodology for GaAs passivation.Vac.Sci.Technol. A, 1993, V.ll,No.4, pp. 1061-1063

153. V.L.Berkovits, V.N.Bessolov, T.V.L'vova, E.B.Novikov, V.I.Safarov, R.V.Khasieva and B.V.Tsarenkov.Fermi level movement at GaAs(OOl) surfaces passivated with sodium solutionsJ.Appl.Phys. ,1991, V.70, No.7, pp.3707-3711.

154. T.Ohno, K.Shiraishi. First principles study of sulfur passivation of GaAs (001) surface.Physical Review B, 1990,V.42, No. 17, pp. 11194-11197

155. A.G.Milnes, A.Y.Polyakov.-Solid State Electron., 1993,V.36 ,pp.803

156. T.K.Paul, D.N.Bose. Improved surface properties of InP through chemical treatments. J.Appl.Phys. ,1991, V.70, No. 12, pp.7387-7391

157. Oigawa H., Fan J.F., Nannichi Y., Sugahara H. and Oshima M. Universal passivation effect of (NLDSx treatment on the serface of III-V Compaund Semiconductors (AlGaAs, GaP, InP, InAs) .Jap.J.Appl.Phys., 1991,V.30, No.3A,L322-325.

158. Yu.A.Kudryavtsev, E.B.Novikov, N.M.Stus' and E.A.Chaikina. Sulfide passivation on InAs surface. Sov.Phys.Semicond.,1992,V.26,No.lO, pp.975-978.

159. X.Gong, T.Yamaguchi, H.Kan, T.Makino, T.Iida et al. Influence of sulphidation treatment on the performance of mid-infrared InAsPSb/InAs detectors. Jpn. J. Appl.Phys., 1998, V.37,No. 1,pp. 55-58

160. Z.L.Yuan, X.M.Ding, B.Lai, X.Y.Hou, E.D.Lu, P.S.Xu, X.Y.Zhang. Neutralized (NFL^S Solution passivation of III-V phosphide surfaces.,Appl Phys.Lett., 1998,V.73, No.20,pp.2977-2979170

161. Y.Mada,K.Wada,Y.Wada. Passivation of (NELtbS-treated GaAs Surface with an As2S3 film. Appl.Phys.Lett., 1992 ,V.61,No.25,pp.2993-2995

162. R.Driad, Z.H.Lu, S.Charbonneau, W.R.McKinnon, S.Laframboise, P.J.Poole, S.P.Mc.Alister, Passivation of InGaAs surfaces and InGaAs/InP heterojunction bipolar transistors by sulfur treatment .Appl.Phys.Lett., 1998,V.73,No.5,pp.665-667

163. Y.Haga, S.Miwa, E.Morita. Appl.Surf.Sci. 1996,V. 107,pp.58

164. M.S.Carpenter, M.RMelloch, M.S.Lundstrom, S.P.Tobin Effect ofNa2S and (NH4)2S edge passivation treatments on the dark carrent-voltage characteristics of GaAs p-n diodes .Appl.Phys.Lett.,1988,V.52,No.25,pp.2157-2159

165. V.L.Berkovits, D.Paget. Optical study of surface dimers on sulfur-passivated (OOl)GaAs .Appl.Phys.Lett.,1992,V.61,No.l5,pp. 1835-1837

166. A.Y.Polyakov, M.Stam, A.G.Milnes, A.E.Bochkarev, S.J.Peatron Schottky barriers of various metals on Alo.5Gao.5Aso.05Sbo.95 and the influence of hydrogenand sulfiir treatments on their properties. J.Appl.Phys. ,1992, V.71, No.9, pp.4411-4414

167. P.S.Dutta, K.S.Sangunni, H.L.Bhat, V.Kumar. Sulphur passivation of gallium antimonide surfaces.Appl.Phys.Lett.,1994 ,V.65, No. 13,pp. 1695-1697

168. B.Rotelly, L.Tarricone, E.Combia, R.Mosca, M.Piroptin .Photoelectric properties of GaSb Scottky diodes .J.Appl.Phys.,1997,V.81,No.4,pp.l813-1819

169. M.Piroptin, P.Coundray, A.Atcheberry, L.Gouskov, C.Debiemme-Chouvy, H.Luquet Improvement of dark current of Ga(Al)Sb mesa diodes using (NHL^S treatment. Mat.Science and Engineering, 1994 ,V.28,pp.374-378

170. В.Л.Берковиц, В.М.Лантратов, Т.В.Львова, Г.А.Шакиашвили, В.П.Улин, Д.Паже. Жидкофазная эпитаксия на поверхностях AlxGaixAs, пассивированных в растворах сульфидов. ФТП,1994,Т.28,В.З, С.428-438

171. J.-W.Seo, T.Koker, S.Agarwala, I.Adesida. Etching characteristics of AlxGai-xAs in (NH4)2S solution. Appl.Phys.Lett.,1992, V60,No.9,1114-1116

172. J.Yota, V.A.Burrows, J.Vac.Sci.Technol.A.,1993,V.ll, pp.1083

173. V.N.Bessolov, E.V.Konenkova, M.V.Lebedev. Sulfidization of GaAs in alcoholic solutions: a method having an impact on efficiency and stability of passivation. Mater. Sci.Eng.B, 1997,V.44,pp.376-379

174. V.L.Berkovits, A.O.Gusev, V.M.Lantratov, T.V.L'vova, D.Paget, A.B.Pushnyia and V.P.Ulin. Phys.Low-Dim. Structur. ,1995,12, pp.293-300171

175. M.R.Melloch, M.S.Carpenter, T.E.Dungan, D.Li, N.Otsuka. Molecular beam epitaxy regrowth by use of ammonium sulfide chemical treatments.Appl.Phys.Lett., 1990,V.56 ,No. 11,pp. 1064-1066

176. V.I.Bercovits, V.M.Lantratov, T.V.L'vova, G.A.Shakiashvili, V.P.Ulin, D.Paget. Liquid phase epitaxial regrowth on sulfide-passivated Gai-xAlxAs.Appl.Phys.Lett., 1993, V.63,No. 7,pp. 970-972

177. Y. Miyamoto, H.Hirauama, T.Suemasu, Y.Miyake, S.Arai. Improvement of regrown interface in InP organo-metallic vapor phase epitaxy. JapanJ. Appl.Phys., 1991, V.30,No.4B,pp.L672-674

178. Forrest S.R., Lehemy R.F., Nahory R.R., Pollack M.A. Ino.53Gao.47As photodiodes with dark current limited by generation-recombination and tunneling. Appl.Phys.Lett.,1980, V.37, No.3, pp.322-325

179. Шокли У. Проблемы, связанные с р-п-переходами в кремнии. УФН, 1962, Т.77,В. 16, С.161-196

180. Баранов АН, Джуртанов Б.Е., Литвак A.M., Сяврис С.В., Чарыков Н А. Фазовые равновесия расплав-твердое тело в системе Al-Ga-As-Sb. ЖНХД990, Т.35, В.4, С.1020-1023

181. J.W.Faust, In. Compound Semiconductors, Preparation of III-V Compounds, Reinholds, Chapman and Fall, London, 1962, V.l, Chap.50

182. M.Kadama, J.Hasegawa, M.Kimata, Influence of Substrate Preparation on the Morphology of GaSb Films Grown by Molecular Beam Epitaxy, J.Electrochem. Soc.,1985,V. 132, No.3-4, pp.659-662

183. F.W.O.Da Silva, M.Silica, C.Raisin, L.Lassabatere. Study of GaSb(OOl) substrate chemical etching for molecular-beam epitaxy ,J.Vac.Sci.Technol.B,1990,V.8,No.l, pp.75

184. G.C.De Salvo, R.Kaspi, C.A.Bozada. Citric Asid Eyching of GaAs.xSbx, Alo.5Gao.5Sb, and InAs for heterostructure device fabrication. J.Electrochem.Soc., 1994,^V. 141, No.12, pp.3526-3531

185. J.G.Buglass, T.D.McLean, D.G.Parker, A controllable etchant for fabrication of GaSb Devices. J.Electrochem. Soc. Solid. StateSci.andTechnol., 1986, V. 133,No. 121986,pp.2565-2567

186. B.Zhang, T.Zhou, H.Jiang, Y.Ning, Y.Jin, GalnAsSb/GaSb infrared photodetectors prepared by MOCVD.Electron.Lett, 1995,V.31,No. 10,830-832172

187. J.Werking, J.Schramm, C.Nguyen, E.L.Hu, H.Kroemer. Methano/hydrogen-based reactive ion etching of InAs,InP,GaAs, and GaSb. Appl.Phys.Lett.,1991,V,58 No. 18, pp.2003-2005

188. A.Piotrowska, M.Guziewicz, E.Kaminska, E.Papis. Mat.Res.Symp.Proc.,1997, V.450,pp.67

189. S.J.Peatron, C.RAbernathy, F.Ren, High density low temperature dry etching in GaAs and InP device technology. J.Vac.Sci.Technol.A.,1995,V.13,No.3,pp.849-852

190. H.K.Choi, S.J.Eglash, M.K.Connors, Single-frequency GalnAsSb/GaalAsSb quantumwell ridge-waveguide lasers emitting at 2.1|im.Appl.Phys.Lett.,1993,V.63,No,24, pp.3271-3272

191. H.K.Choi, G.W.Turner, M.J.Manfra, M.K.Connors. 175K continuous wave operation of InAsSb/InAlAsSb quantum-well diode lasers emitting at 3.5 |im. Appl.Phys.Lett., 1996,V.68, No.21, pp.2936-2939

192. Малиновская Т.Д., Фефелова И.И., Красильникова JI M., Данилович B.C., Рояк А .Я. Структурно-морфологические закономерности формирования анодных оксидов на соединениях AmBv. Поверхность,1991,No. 1, с. 102-107

193. Рекламный проспект фирмы EPITAXX: High Sensitivity 2.5 |im Cutoff Wavelength InGaAs Photodiodes