Спектроскопия мелких примесей в Ge, GaAs и сверхрешетках (GaAs)n(InAs) в магнитном поле тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

1 » > л Я

ь 0

РОССИЙСКАЯ АКДЕЖЯ НАУК СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ ФИЗИЮ! ПОЛУПРОВОДНИКОВ

На правах рукописи УДК 621.315.592

Шегай Олег Александрович

СПЕКТРОСКОПИЯ МЕЛКИХ ПРИМЕСЕЙ В ве, СаАз И СВЕРХРН1ШТКАХ (ааАз)п(ШАз) В МАГНИТНОМ ПОЛЕ

01.04.10 - Физика полупроводников и диэлектриков

Автореферат диссертации, представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Новосибирск - 1ЭЭ5

Работа выполнена в Институте физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук.

Научный руководитель :

кандидат физико-математических наук ПАЛЮ1Н A.M.

Официальные оппоненты :

доктор физико-математических наук САВВИНЫХ С.К.

кандидат физико-математических наук ГАЯСЛЕР В.А.

Ведуаая организация :

Институт неорганической химии,

Новосибирск

Защита диссертации состоится " 1995 г.

в часов на заседании специализированного совета К 003.05.01 по присуждению ученой степени кандидата наук при Институте физики полупрово,'эихов Сибирского отделения РАН ( 630090, НовосиОирск 90, пр. ак. Лаврентьева, 13 ).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики полупроводников СО РАН.

Автореферат разослан "•<■/ " 1995 г.

Ученый секретарь Специализированного совета доктор

физико-математических наук A.B. Двуреченский

профессор

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность,темы.

Необходимость получения особо чистых полупроводниковых материалов важна как с фундаментальной, так и с прикладной точек зрения. В настоящее время одними из наиболее чистых полупроводниковых материалов являются германий и СаАз, нашедшими широкое применение в производстве детекторов ядерного излучения (Се), опто-апектронных устройствах, НЖГ- транзисторах и т.д. (СаАз).

Электрофизические параметр« многих полупроводников, не подверженных специальному легированию, во многом определяются мелкими примесями. Разработанные достаточно давно теоретические представления хорошо описывают поведение изолированного примесного атома донорного или акцепторного типа. Современные достижения в получении чистых полупроводниковых материалов стали возможны как в результате совершенствования технологий роста и очистки кристаллов, так и методов регистрации остаточных мелких примесей, идентификации их химической природы. Таким методом стал метод фотоэлектрической спектроскопии, в основе которого лежит измерение спектра фотопроводимости (ФИ). Линейчатый спектр ФП, возникает в результате двухступенчатого процесса. : под действием внешнего источника излучения атом переводится из основного состояния в возбужденное, а затем, за счет поглощения кванта фонона решетки, происходит ионизация примеси с образованием носителя заряда. При сканировании длины волны внешнего источника резонансн возникают всякий раз, когда энергия фотона совпадает с энергией перехода на одно из возбужденных состояний атома. Оценки показывают, что сигнал в спектре не зависит от концентрации примесей вплоть до N * Ю5 см-3, т. е. имеет огромный запас чувствительности.

По мере очистки материала уменьшается количество примесных атомов в кристалле и это• позволяет исследовать высоковозбужденные примесные состояния, не подверженные влиянию соседних примесных атомов. К тому же определенный интерес последнее время вызывают исследования по влиянию магнитного поля

на такие состояния. Это связано с проблемой поведения атсь:з водорода в сильном магнитном поле (Ьи/2>1{у > I, где Т®-циклотронаяэнергия, йу- энергия связанного состояния щявюсе).

Из современных методик изучения примесного состава примесей только метод фотоэлектрической спектроскопии позволяет идентифицировать химическую природу мелких примесей в столь низких концентрациях (в сверхчистом германии это <*Ю9 см-3). Существуют две наиболее распространенных экспериментальных возможности реализации этой методики. Метод Фурье-спектроскопии, использующий высокоскоростные ЭВМ обратного Фурье преобразования и метод субмиллиме травой лазерной магниго спектроскопии (СММ Л МС), когда примесный спектр записывается сканированием магнитного поля при фиксированной длине волны излучения.

Актуальность выбора материала обусловлена несколькими причинами. Во-первых, это наиболее чистые полупроводниковые материалы, которые являются модельными для исследования особенностей примесного спектра в магнитном поле. Во-вторых, они нашли широкое применение в производства полупроводниковых приборов, таких как детекторы ядерного излучения (Се). Контроль буферных слоев и высокочистых эпитаксиальных пленок СаАз, выращенных молекулярно- лучевой эпитаксией (МЛЭ) на предмет анализа химической природы мелких доноров (анализ акцепторов производится методом фотолюминесценции) проводился методом субмиллиметровой спектроскопии, что, в принципе, приводит к повышению эффективности транзисторов, работающих на квазидвумерном электронном газе (НЕМТ-транзисторы). Также последнее время большой интерес вызывают исследования примесного спектра в структурах пониженной размерности (квантовые ямы и сверхрешетки), в связи с возможностью их практического применения.

Целью данной работы было исследование особенностей спектра мелких примесей в чистых кристаллах Се и эпитаксиальных пленках СаАэ, выращенных жидкофазной (ЖФЭ) и молекулярно-лучевой эпитаксией (МЛЭ), а также сверхрешетках (СР) (СаАа)п(1пАз)п в магнитном поле.

Научная новизна работы. Все основные результаты и вывода диссертации являются оригинальными.

Впервые проведена идентификация метастабильных состояний дснсрсз и акцепторов г Се с помощью циркулярно- полярпзовапного субмиллимвтрового излучения. Обнаружены переходы с основного состояния акцептора непосредственно на уровни Ландау легких днрок. Показано, что снятие вырождения по магнитному моменту метастабильных состояний под уровнями Ландау легких дырок с различным спином различно. Обнаружен комбинированный резонанс на примесных состояниях как доноров ( Р и БЪ ), так и акцепторов (А1) при оптических переходах с основного состояния на возбужденные.

Изучено влияние условий роста и легирования редкоземельными элементам (РЗЭ) на химическую природу мелких доноров пленок СаАз, выращенного ШЭ из расплава В1. Обнаружена зависимость эффекта связывания доноров элементов VI группы от атомной массы как РЗЭ, так и самих доноров.

Впервые обнаружены примесные переходы в сверхрешетках (СаАз)п(1пАз)а. Обнаружена зависимость положения основного перехода от периода СР и конфигурации эксперимента (Фойгта или Фарадея). Обнаружена тонкая структура, связанная с вкладом доноров 3, расположенных в центре и на краю карьера СаАз.

Практическая ценность работы состоит в следующем.

Идентификация химической природы мелких" примесей в настоящее время возможна только по спектрам фототермической г.снкзашш, лазерный вариант которого используется в настоящей работе. Поэтому сама методика эксперимента дает ценную информации о наличии той или иной примеси и об относительном ее 1 кладе.

I. Проведенные в работе оценка чистоты - и идентификация химической природы фоновых доноров методом СММ Л МС, полученного Е^Э из расплава висмута были использованы для установления условий получения высокочистого малокомпенсированного СаАз пи р- типа. Установлено, что доминирующими мелкими донорами в образцах ОаАз являются Б и Бе.

Е. На основании измерений примесного спектра в С-аАэ, „-.егированного РЗЭ и установленном факте связывания элементов VI группы РЗЭ, удалось устранить неоднозначность в идентификации резонансов Бп/Эе и РЬ/Те и установить положение резонансов, обусловленных вкладами доноров Бе и Те.

3. Экспериментальные результаты по примесной спектроскопии в СР (СаАз)п(1пАз)в качественно позволяют делать вывод о неоднородном распределении примесей вдоль оси СР. Использование теоретических расчетов в дальнейшем, по-видимому, позволит установить количественное распределение примесей в СР и причины, приводящие к неравномерному их рапределению вдоль оси СР, не подверженных специальному легированию.

На защиту выносятся ^

1. Результаты экспериментального исследования спектров <Н1 дискретных и квазидискретных состояний мелких доноров Р, БЬ и акцепторов А1 в чистом германии в магнитном поле.

2. Экспериментальное обнаружение комбинированного резонанса йри оптическом возбуждении как доноров (Р и БЬ), так и акцепторов (А1) в германии.

3. Экспериментальные результаты по исследованию влияния условий" роста и легирования РЗЭ (ТСЪ, 0(1) на примесный состав мелких доноров пленок ваАз, выращенного ЖФЭ из В1 расплава.

4. Экспериментальное обнаружение спектра мелких доноров в СР (СаАз)п(1пАз)т в зависимости от периода СР.

Апробация работы.

Результаты, полученные в данной работе, докладывались на научных семинарах Отдела физики поверхности Ш1 СО РАН, на конкурсах научных работ ИФП, Всесоюзных конференциях по физике полупроводников (Киев 1985, Кишинев 1989, Киев 1990), I Международном симпозиума по эпитаксиальному росту кристаллов (Будапешт, 1990), V Международной конференции по модулированным полупроводниковым структурам (Нара,Япония, 1991 ), I Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, .1993), VI Международной - конференции по мелким примесным центрам в полупроводниках ( Беркли, США, 1994).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ, список которых приведен в конце реферата.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы.

Объем работы. Диссертация изложена на 145 страницах, включая 29 рисунков, 9 таблиц и списка литературы из 146 наименования.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность исследования примесного спектра в объемных полупроводниках ( Се, СаАз ) и низкоразмерных структурах (квантовых ямах и сверхрешетках), сформулированы основные задачи работы и защищаемые положения, дана краткая аннотация диссертационнной работы.

Первая глава является обзорной и посвящена анализу литературы по спектроскопии мелких примесей в Се, СаАз и структурах пониженной размерности (квантовые ямы и сверхрешетки). Теоретическое рассмотрение примесных центров проводилось в приближении эффективной массы, хорошо описывающем энергетический спектр мелких примесей, за исключением основного состояния (химсдвиг). Если для доноров Се химсдвиг велик 10*), то для СаАз - мал (=2%). Кроме того концентрация фоновых примесей даже в наиболее чистых слоях СаАз составляет з Ю14 см-? что оставляет малый промежуток для целенаправленного легирования и идентификации химической природы мелких доноров. Этим объясняется неоднозначность идентификации некоторых примесей в СаАз.

Также в главе рассматривается проблема поведения высоковозбукденных примесных состояний (дискретных и квазидискретных) в магнитном поле и описываемых набором квантовых чисел (К ш V) для доноров, где N - номер уровня Ландау, ш - магнитное квантовое число, V - кулоновское квантовое число. Отличие квазидискретных (метастабильных) от дискретных (стабильных) примесных состояний, имеющих обозначение (п 1 т), где п - главное квантовое число, 1 - орбитальный момент, состоит в том, что первые при уменьшении магнитного поля исчезают в непрерывном спектре зоны проводимости.

Обсуждаются механизмы, которые приводят к проявлению комбинированного резонанса на примесных состояниях. Наконец, рассматривается проблема поведения мелкого примесного центра в структурах пониженной размерности ( квантовой яме и

свехрешетке).

Во второй главе приводится описание экспериментальной установки, исследуемых образцов и методики получения примесного спектра.

Экспериментальная установка состоит из субмиллиметрового (СШ) лазера, оптического криостата со сверхпроводящим соленоидом, системы регистрации спектров ФП и системы контроля выходной мощности лазера.

Характерные энергии залегания мелких примесей большинства полупроводников (например, Се и СаАз) приходятся на СИМ область спектра. В этой области спектра в настоящее время наибольшее распространение получили экспериментальные методики, использующие Фурье-спектрометры и газовые ®!М лазеры. В главе рассмотрены преимущества и недостатки обеих методик. При этом примесный спектр (из-за эффекта Зеемана) в лазерном варианте получается сканированием магнитного поля. С другой стороны магнитное поле приводит к снятию вырождения по магнитному квантовому числу и к появлению новых метастабильных состояний. Поэтому исследования в таком режиме, особенно в области сильных полей, становятся актуальными и с фундаментальной точки зрения.

Субмиллиметровый лазер состоит' из С0г лазера накачки мощностью 40-50 Вт и СШ резонатора, где в качестве активной среда используются пары молекул СН30Н, СН30Б и НСООН. Перестраиваемый С02-лазер состоит из двух последовательно соединенных соосных кварцевых трубок, помещенных в рубашку водяного охлаждения. Выбор диаметра трубки и геометрии зеркал резонатора обеспечивал одночастотный режим генерации.

Для получения спектра мелких примесей при гелиевых температурах в сильных магнитных полях нами был изготовлен оптический криостат со свехпроводящим соленоидом. Его достоинством является высокая однородность магнитного поля, что определяет высокое разрешение спектров, а наличие "холодных" окон позволяет проводить поляризационные измерения. Для проведения измерений с использованием циркулярно поляризованного СШ излучения были изготовлены пластинки к/4 из кристаллического кварца.

Для получения спектров Ш методом СММ Л МС использовались образцы Се в виде пластинок размером ^5x4x1 мм3, ориентированнее

в плоскости (III) с точностью ±30'. Предварительно они подвергались полировке и травлению в травителе с составом HN03 : HF = 3 : I в течение одной минуты с последующей тщательной промывкой в дистиллированной воде.

Омические контакты изготавливались нанесением чистого In к противоположным торцам образцов р-типа и с добавкой Sb (5%) -для образцов n-типа. Также для ряда образцов использовалась наиболее надежная методика получения омических контактов -ионная имплантация фосфора для n-типа и бора для- р-типа с последующим отжигом.

Приготовление омических контактов к пленкам GaAs проводилась традиционным способом : вжиганием In в атмосфере водорода при Т = 400 °С в течение десяти минут. Аналогичным образом были получены контакты и к сверхрешеточным структурам (InAs)ra(QaAs)n.

Измерения проводились по стандартной схеме синхронного детектирования при модуляции излучения СММ лазера на частоте механического прерывателя Г = 500 Гц. В ряде измерений использовалась смодулированная межзонная подсветка, которая позволяла регистрировать наряду со спектром основных примесей также и спектр компенсированных примесей из-за эффекта оптической перезарядки.

В третьей главе приводятся результаты исследования примесного спектра мелких доноров и акцепторов в чистом германии в магнитном поле.

В спектре 1з - пр+ с основного на дискретные высоковозбувденные состояния доноров Р 'обнаружены перехода вплоть до п = 13. Выявлена немонотонная зависимость интенсивности оптических переходов с ростом п - главного квантового числа, подтверждаемая теоретическими расчетами, сил осциллятора для доноров в Ge. Использование поляризационных измерений позволило идентифицировать известный в литературе "с"-пик, как переход на возбужденное квазидискретное состояние (ПО). Аналогичные примесные состояния фосфора обнаружены и для выше лежащих уровней Ландау, причем установлено, что интенсивности серии (НЮ) и (N10) сравнимы. Обнаружены квазидискретные состояния для Sb при оптических переходах с Is(T) состояния. Идентифицированы состояния (N Г v) и (N I v), а

под вторим уровнем Ландау (Н = 2) обнаружены переходи вплоть до V = 10 - кулоновского квантового числа. Аналогичные результаты получены для акцепторных состояний А1, появляющихся в магнитном поле под уровнями Лендау легких дырок. Интерпретация наблюдаемых экспериментальных результатов основана . на правилах отбора электро-дипольных оптических переходов с основного на возбужденные состояния.

Экспериментально обнаружен примесный комбинированный резонанс (КР) при оптическом возбуждении перехода 1з - 2р* для доноров фосфора (Р) и сурьмы (БЬ) и переходов с основного на метастабильные состояния для акцепторов алшиния (А1), проявляющийся в наблюдении дополнительных особенностей вблизи основных резонансов. Механизм, ответственный за возникновение КР для доноров, связан с сильной анизотропией g-фaктopa в многодолинном электронном спектре, для акцепторов - это непараболичность.

Четвертая глава посвящена анализу химической природы мелких доноров в эпитаксиальных пленках Сака, выращенных ЖФЭ и МЛЭ. При ЖФЭ использовался рост как из расплава галлия, так и висмута, при этом обнаружено различие примесного спектра. Использование легирования редкоземельными элементами (РЗЭ) приводит к изменению химической природы доминирующих доноров. Приведен анализ примесного состава нелегированного и легированного кремнием СаАз, выращенного МЛЭ.

Замена галлиевого растворителя на висмутовый в процессе ЖФЭ приводит к изменению состава остаточных доноров в слоях СаАз: при р9сте из Са расплава доминирует Э, а из В1 расплава - Бе. Экспериментально обнаружено, что при выращивании СаАз из В1 расплава происходит очистка пленок, т.е. уменьшение, концентрации мелких .фоновых примесей по сравнению с пленками, выращенными из Са расплава.

При исследовании влияния легирования РЗЭ УЬ и И при росте из расплава В1 на спектр мелких доноров в СаАз обнаружено, что с увеличением дозы легирования РЗЭ интенсивность линий, связанных с донорами - элементами VI группы, подавляется.

Детальное рассмотрение показывает, что легирование иттербием оказывает более сильное воздействие на электрофизические и оптические свойства слоев СаАз, полученных

из расплава висмута, чем гадолинием. Инверсия типа проводимости (с п на р) при легировании иттербием происходит при концентрации РЗЭ в жидкой фазе примерно на порядок меньшей, чем при легировании гадолинием.

Качественно это можно понять из следующего. При одинаковых температурах роста, в жидкой фазе более тяжелые РЗЭ связываются с элементами VI группы более активно в силу их меньшей тепловой скорости. Поэтому при меньших дозах УЪ по сравнению с Сй происходит связывание РЗЭ с Б и Бе, проявляющееся в резком подавлении связанных с ними резонансов относительно резонанса "Се". Это при соблюдении условия, что исходные (нелегированные) образцы СаАз имеют близкие параметры по концентрации остаточных доноров.

Аналогично.влияние легирования РЗЭ на различные элементы VI группы. Более тяжелые элементы Бе с большей вероятностью вступают во взаимодействие с РЗЭ, чем Б и его вклад в отношение интенсивностей резонансов подавляется быстрее с увеличением дозы легирования РЗЭ.

Использование легирования РЗЭ (УЪ, ей) в образцах СаАз, выращенных Ж®Э из В1 расплава, позволило по спаду интенсивности резонансов "Бп/Бе" и "РЬ/Те" с возрастанием дозы легирования РЗЭ идентифицировать как Бе и Те, соответственно. Сравнение со спектрами образцов СаАз, выращенных МЛЭ, позволило идентифицировать положение резонанса, ответственного за РЬ.

Таким образом, в слоях чистого СаАз, полученных из висмутового расплава при легировании РЗЭ (УЪ и Сй), с увеличением доли РЗЭ в расплаве уменьшается концентрация мелких донорных примесей относительно концентрации мелких акцепторных примесей.

В пятой главе приводятся результаты экспериментов по исследованию примесных состояний остаточных доноров в сверхрешетках (СР) (СаАз)п(1пАз)т с ультратонкими ширинами ям (т = I, 2, п = 6, 8, 19, 23, 40). Обнаружено изменение энергетического спектра мелкого донора в зависимости от пространственного положения примеси, находящейся в яме или в барьере и периода СР.

Предварительно были проведены исследования примесного спектра пленок объемного 1пАз, выращенного методом МЛЭ на

поверхности GaAs. Так же здесь приводятся результаты исследования циклотронного резонанса (ЦР) в СР, полученные в геометрии Фойгта, X = 118,8 мкм. В спектре ЦР сверхрешеток (GaAs)n(InAs)g обнаружены резонансы; связанные с различием энергий, перехода между уровнями Ландау для орбит с центром в GaAs ("а" - 6,0 Тл) и InAs ("б" - 4,7 Тл). Обнаружено, что с уменьшением периода возрастает интенсивность "б" резонансов относительно "а", форма линии становится ассиметричной. Для сверхрешеток с одним монослоем InAs ширина линии ЦР "а" сужается приблизительно в два раза и разрешается дублетная структура, связанная, по-видимому, со спиновым расщеплением.

В спектре донорного перехода Is - 2р+. ( X = 118,8 мкм) в сверхрешетках (GaA3)n(InAs)z, обнаружены резонансы "а", по положению смещающиеся в область больших магнитных полей при увеличении п относительно объемного положения соответствующего резонанса в GaAs и "б" резонансы - по положению близкие к соответствующему резонансу объемного InAs. С возрастанием периода СР ширина резонанса "а" • уменьшается, что связано с уменьшением рассеивающего фактора структурных несовершенств гетерограницы при уменьшении количества периодов СР, укладывающихся на диаметре боровской орбиты.

В сверхрешетках с (n, т) = (6, I) обнаружена тонкая структура обусловленная вкладом мелкого донора S. Наблюдаемая дублетная структура объясняется различием пространственного положения примеси в слое GaAs.

• В заключении делаются выводы по основным результатам данной работы, оговаривается личный вклад автора.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДИ

■ I. В спектре высоковозбужденных состояний пр+ доноров фосфора особо чистого Ge экспериментально обнаружены переходы на состояния вплоть до п = 13, где п- главное квантовое число.

2. Впервые проведена идентификация метастабильных состояний доноров фосфора и сурьмы, возникающих в магнитном поле в Ge. Установлено, что под каждым уровнем Ландау (N>1) существуют метастабильные донорные состояния (N ±1 и), различающиеся по проекции момента на единицу. Идентификация проводилась с помощью

правил отбора для циркулярно- поляризованного субмиллиметрового излучения. При этом обнаружены переходы вплоть до 11=10, где V-кулоновское квантовое число.

3. Идентифицированы метастабильные состояния акцепторов А1, возникающие' под уровнями Ландау легких дырок с использованием правил отбора для циркулярно поляризованного излучения. При этом обнаружены переходы непосредственно на уровни Ландау легких дырок. -Показано, что снятие вырождения по магнитному моменту метастабильных состояний под уровнями Ландау легких дырок с различной проекцией момента различно : для Мл=3/2 энергия состояний с возрастанием т уменьшается, а для М^-3/2, наоборот, - увеличивается.

4. Впервые обнаружен комбинированный резонанс на примесных переходах 1з - 2р» доноров ( Р и БЬ ) и при оптических переходах с основного на возбужденные состояния акцепторов (А1). Измерены его поляризационные зависимости для циркулярно поляризованного лазерного излучения.

5. Впервые обнаружен примесный спектр, обусловленный различной химической природой мелких доноров в СаАз, выращенного ЖФЭ из расплава В1. В отличие от роста из расплава йа наблюдается эффект "очистки" материала висмутом, при этом обнаружено не только уменьшение концентрации остаточных примесей, но и изменение химической природы доминирующего донора с Б на Бе.

6. При легировании йаАэ, выращенного ЖФЭ из В1 расплава редкоземельными элементами УЪ и Ой, обнаружено уменьшение концентрации фоновых примесей, в спектре мелких доноров наблюдается изменение химической природа доминирующих примесей. По мере увеличения дозы легирования оба резонанса, обусловленных Бе и Б, подавлялись, что объясняется связыванием элементов VI группы редкоземельных элементов в жидкой фазе.

7. Обнаружена зависимость скорости связывания элементов VI группы от атомной массы редкоземельных элементов. При одинаковых дозах легирования подавление резонансов для УЪ сильнее, чем для И. Такой же эффект наблюдается и по отношению доноров -элементов VI группы, более тяжелые элементы связываются более эффективно, например Бе по отношению к Б.

8. Впервые обнаружены примесные переходы мелкого донора в сверхрешетках (СаАз)п(1пАз)т. Наблюдалась зависимость положения

основного перехода от периода сверхрешеток. Для сверхрешеток, где толщина InAs составляла один монослой, обнаружена тонкая структура, связанная с различием пространственного положения примесного атома S в слое GaAs.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Неизвестный И.Г., Олзоев И.К., Палкин A.M., Шегай O.A. Магниторезонансные осцилляции фотомагнитного эффекта в Ge. //«TT, 1987, т.29, в.2, с.570-572.

2. Якушева H.A., Журавлев К.С., Шегай O.A. Об "очистке" арсенида галлия висмутом. //ФТП, 1988, т.22, в.II, с.2083-2086.

3. Yakusheva N.A., Zhuravlev K.S., Chikichev S.I., Shegai O.A. Liquid phase epitaxial growth of undoped Gallium Arsenide from Bismuth and Gallium melts.// Cryst. Res. Technol. 1989, v.24, Л 2, p.235-246.,

А. Рудая H.C., Болховитянов Ю.Б., Журавлев K.C., Ше.гай O.A., Якушева H.A. Высокочистый p-GaAs, выращенный из раствора GaAs в Bi, легированного иттербием. // Письма в ЖТФ, 1990, т.16, * 9, с. 37-40.

5. Палкин A.M., Шегай O.A. Комбинированный резонанс при оптическом возбуждении доноров в n-Ge. // ФТТ, 1991, т.33, Jt 5, с.1581-1582.

6. Palkin A.M., Shegai O.A. Fine structure of quasi- bound acceptor states in Germanium induced by magnetic field. // Phys. Stat. Sol. (b), 1991, v.168, *1, p.193-199.

7. Палкин A.M., Шегай O.A. Дискретные и квазидаскретные состояния доноров в Ge в магнитном поле. // ФТТ, 1992, т.34, JS 3, с.794-800.

8. Shegai O.A., Moshegov N.T., Palkin A.M., Toropov A.I. Investigation of cyclotron and impurity cyclotron resonances о1 strained (GaAs)n(InAssuperlattices. // 5 th International Conference on Modulated Semicond. Structures. (Nara, Japan, July 1991) workbook, p.514.

9. Шегай O.A., Мошегов H.T., Палкин A.M., Торопов А.И. Циклотронный резонанс в сверхрешетках (GaAs)„(InAs)m. // ФТП, 1992, т.26, * II, С.1986-1988.

10. Шегай O.A., Мошегов Н.Т., Палкин A.M., Торопов А.И. Спектр мелкого донора в сверхрешетках (GaAs)n(InAs)ю. // ФТП, 1992,

T.26, * II, C.I988-I99I.

11. Falkin A.M., Shegai O.A. Quasi-bound donor and acceptor atates in Ge, Induced by magnetic field // Sol. St. Ccrsm. 1995, v.93 * 5, p.458.

12. Shegai O.A., Zhuravlev K.S., Sliamirzaev T.S., Yakusheva N.A. Magnetospectroscopy of shallow donors in GaAs, doped by Yb, Gd. // Sol. St. Comm. 1995, v.93, * 5, p.464.