Запись изображения в кристаллах ниобата лития широкополосным излучением тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

На правах рукописи

СЮЙ АЛЕКСАНДР ВЯЧЕСЛАВОВИЧ

ЗАПИСЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ ШИРОКОПОЛОСНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

01.04.05 - Оптика

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

19 г.:др

Хабаровск 2009

003464554

Работа выполнена в Дальневосточном государственном университете пут сообщения

Научный консультант: заслуженный деятель науки РФ

доктор физико-математических наук, профессор

Строганов Владимир Иванович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор

Букин Олег Алексеевич

доктор физико-математических наук, профессор

Малов Александр Николаевич

доктор физико-математических наук, профессор

Барышников Сергей Васильевич

Ведущая организация: Институт химии и технологии редких

элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева

Кольского научного центра РАН

Защита состоится 22 апреля 2009 года в 14ю часов на заседании диссертацио ного совета ДМ 218.003.01 при Дальневосточном государственном университете путей сообщения по адресу: 680021, Хабаровск, ул. Серышева, 47, ауд. 204.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Дальневосточног государственного университета путей сообщения.

Автореферат разослан 20 марта 2009 года.

Ученый секретарь у

диссертационного совета ДМ 218.003.01 & ^иьлиЛ«*- т н Шабалин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы

С момента создания лазера началось интенсивное развитие лазерной техники, оторое позволило реализовать многочисленные эксперименты в области нели-ейной оптики. Практически любой эффект нелинейной оптики можно применить информационных технологиях для записи, хранения и передачи информации.

В настоящее время большое внимание со стороны ученых различных отраслей наний уделяется исследованию фоторефрактивных сред и особенностям взаимо-ействия электромагнитного излучения с этими средами. Фоторефрактивные сре-ы являются наиболее перспективными для создания на их основе новых элемен-ов информационной техники, для оптических систем обработки информации, ипичными примерами таких систем являются фурье-процессоры, устройства ространственной фильтрации изображений, корреляторы, светофильтры, модуля-1оры и затворы широкополосного излучения [1-4]. Одним из наиболее эффективных фоторефрактивных кристаллов (ФРК) является кристалл ниобата лития. Этот кристалл обладает высокими нелинейными, электрооптическими, пьезоэлектрическими, пироэлектрическими, фотовольтаическими и фоторефрактивными свойствами, что обуславливает возможность его широкого применения в устройствах географической записи информации, а также модуляции, дефлекции и преобразования частоты оптического излучения. Прямым следствием фоторефрактивного эффекта является фоторефрактивное рассеяние света (ФРРС), которое обуславливает сильную деструкцию лазерного пучка, проходящего через ФРК, что является ограничивающим условием для голографической записи информации. Исследование ФРРС в ниобате лития важно и интересно в двух аспектах. С одной стороны, это накопление и систематизация информации, необходимой для улучшения голографиче-ских характеристик ФРК, с другой стороны, ФРРС позволяет получить новые данные о свойствах кристалла и влиянии различных примесей на эти свойства.

Большинство научных работ по исследованию фоторефрактивного эффекта проведено с использованием когерентных источников света (лазеров с длиной волны X = 0,44 мкм и X = 0,488 мкм). С использованием широкополосного некогерентного излучения работ крайне мало. В то же время известно, что ФРРС прояв-яется только при взаимодействии когерентного света с ФРК. Использование некогерентного излучения в перспективе может привести к существенному улучшению характеристик уже существующих и созданию новых устройств, в которых используются ФРК, а также к значительному снижению стоимости таких приборов.

Таким образом, данное направление в области оптики фоторефрактивных сред в научном плане и в плане прикладных разработок является важной и актуальной задачей и требует дальнейших систематических исследований.

Цель и задачи работы

Целью исследований является выявление физических закономерностей и особенностей формирования оптического изображения в легированных кристаллах ниобата лития с использованием широкополосного некогерентного излучения и рассмотрение сопутствующих эффектов. Выявление спектральных и поляризаци-

онных характеристик излучения, прошедшего через систему кристаллических пла стинок, используемых для записи изображения.

Для достижения указанной цели в работе поставлены и решены следующи задачи:

1. Исследовано влияние различных факторов (ориентации, линейного размер светового пятна, поляризации излучения относительно полярной оси кристалла концентрации и вида примесей, температуры окружающей среды) на контраст скорость записи, а также на время хранения оптического изображения;

2. Исследованы особенности протекания фотовольтаического эффекта пр облучении легированных кристаллов ниобата лития широкополосным некоге рентным излучением;

3. Исследовано фоторефрактивное рассеяние света с использованием излуче ния гелий-неонового лазера, влияние многократного термического отжига на про цесс фоторефрактивного рассеяния света; возможность управления индикатрисо рассеяния при помощи внутренних и внешних электрических полей;

4. Исследовано формирование нетрадиционных коноскопических картин широкоапертурных слаборасходящихся пучках света. Предложен новый оптиче ский метод наблюдения оптически наведенных неоднородностей показателя пре ломления в образце;

5. Исследованы спектры пропускания отдельных кристаллических пластинок изготовленных из кристаллов кварца (8102), кальцита (СаС03), ЮЭР (КН2РО4) ниобата лития (ЫЫЬОз) при различном расположении оптической оси пластинк относительно направления пропускания поляризатора, разной толщине пласта нок, при вращении анализатора;

6. Рассчитаны спектры излучения, прошедшего через систему из двух, трех четырех кристаллических пластинок. Выявлены особенности этих спектров. Ис следовано влияние на спектры пропускания пластинок их толщины, количеств пластинок, угла поворота пластинок друг относительно друга и относительн плоскости пропускания поляризатора, а также изменение спектра при вращени анализатора;

7. Изучены особенности изменения параметров поляризации излучения, про шедшего через кристаллическую пластинку: эллиптичности, азимута и степен поляризации, при различных углах поворота пластинки по отношению к плоско сти пропускания поляризатора, различной разности фаз между компонентам* электрического поля прошедшей волны и различной длине волны, на пример кристаллов КБР и ниобата лития. Предложен метод определения поляризацион ных характеристик излучения, прошедшего через систему фазовых пластинок, ос нованный на применении параметрических уравнений эллипса поляризации. Вы явлены возможности использования фазовой пластинки с произвольной разность фаз между обыкновенным и необыкновенным лучами для управления эллиптич ностью прошедшего излучения.

Объекты и методы исследования

В качестве основного объекта исследования выбраны кристаллы ниобата ли тия с различными примесями и концентрациями, а также номинально чистые кри

сталлы. Все кристаллы выращены с использованием одной и той же методики и постоянной шихты, что исключает случайную природу наблюдаемых эффектов.

Кроме этого, исследовались кристаллы КОР, кальцита, кварца.

К выполнению работы привлечен набор методик: фотографических, фотоэлектрических и спектроскопических, компьютерное моделирование.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Запись изображения реализуется при наличии градиента интенсивности записывающего пучка сШйг, направленного вдоль полярной оси кристалла. Отклик Ап (изменения показателя преломления кристалла) пропорционален градиенту интенсивности Шйг.

2. В фоторефрактивных кристаллах возможна запись изображения объектов за счет квадратичной нелинейности кристалла при освещении их некогерентным широкополосным излучением.

3. При записи изображения объектов в фоторефрактивных кристаллах некогерентным широкополосным излучением мешающее влияние фоторефрактивного рассеяния света исключается из-за наличия множества частот излучения, некогерентных относительно друг друга.

4. Точка перехода линейчатого спектра в сплошной в системе поляризатор-кристалл-анализатор позволяет определить или задать не только угол между главным сечением кристаллической пластинки и направлением пропускания поляризатора, но и характерные для данной пластинки спектры пропускания, а также угол между направлениями пропускания поляризатора и анализатора.

5. Эффект компенсации влияния плоскопараллельных кристаллических пластинок на спектр пропускания системы, состоящей из поляризатора, пластинок и анализатора реализуется, когда направления пропускания поляризатора и анализатора взаимно перпендикулярны и одно из главных сечений кристаллических пластинок совпадает с направлением пропускания поляризатора.

6. Параметрические уравнения эллипса поляризации и уравнения характеристических направлений позволяют построить эллипс поляризации прошедшего через систему излучения, определять его характеристики и управлять ими.

7. Фотовольтаический отклик в кристаллах ниобата лития при освещении широкополосным излучением обусловлен вкладом одинаковых частотных компонент. Перекрестные взаимодействия разных частотных компонент вклада не дают, так как эти компоненты не когерентны.

8. В кристаллах ниобата лития наблюдается эффект термической усталости при многократном термическом отжиге (в течение 30 мин при температуре 200°С).

Научная новизна работы

1. Реализована запись изображения с широкополосным, немонохроматическим излучением в фоторефрактивных легированных кристаллах ниобата лития. Изменения показателя преломления (запись изображения) происходят благодаря наличию градиента интенсивности записывающего излучения, направленного вдоль полярной оси кристалла. Контраст записи и время хранения изображения, в легированных кристаллах ниобата лития при использовании широкополосного не-

когерентного излучения зависит от формы падающего на кристалл светового и бражения и его ориентации относительно полярной оси кристалла, а также от ляризации излучения.

2. Существует эффект компенсации влияния одной из пластинок в систе поляризатор-кристалл-кристалл-ализатор на спектр пропускания системы.

3. В системе поляризатор-кристалл-анализатор существует характерная то ка перехода линейчатого спектра в сплошной при вращении плоскости главно сечения кристаллической пластинки относительно направления пропускания п ляризатора или вращении анализатора.

4. Предложен метод определения поляризационных характеристик излуч ния, прошедшего через систему кристаллических пластинок, основанный на пр менении параметрических уравнений эллипса поляризации.

5. Впервые обнаружено и продемонстрировано проявление термической талости кристалла ниобата лития в фоторефрактивном рассеянии света при мног кратном отжиге. Вероятно, это обусловлено увеличением темновой проводимо кристалла. Фоторефрактивные свойства кристалла при этом ослабевают.

6. Предложенная методика исследования фоторефрактивных кристаллов, ключающаяся в наблюдении коноскопических картин в широкоапертурных слаб расходящихся пучках света, позволяет определять наличие оптических неодн родностей в кристалле.

7. Впервые зарегистрированы нетрадиционные интерференционные кон скопические картины в слаборасходящихся пучках света от двух кристаллическ пластинок ниобата лития. Интерференционная картина трансформируется при и менении угла между плоскостями главных сечений кристаллических пластинок.

8. При облучении кристаллов 1ЖЬ03:Ш1 излучением гелий-неонового лазе происходит периодическая перекачка части энергии излучения из рассеянного центральное пятно и обратно.

Оригинальность и новизна результатов подтверждается публикациями в вед щих зарубежных и отечественных физических журналах.

Связь с государственными программами и НИР

Диссертационная работа связана с фундаментальной научн исследовательской темой ОАО «РЖД» «Анизотропное отражение света и эле трооптические свойства кристаллов», выполняемой на кафедре «Физик ДВГУПС.

Практическая значимость работы

Все полученные в диссертационной работе результаты служат основой создания новых нелинейно-оптических элементов и на их основе приборов ново типа, применяемых в открытых и волоконных линиях связи, для создания новь запоминающих и других устройств. Применение в этих устройствах широкоп лосного, естественного света может существенно снизить их стоимость. Получе ные в диссертационной работе научные результаты могут быть использованы выявления характеристик кристалла - величины двулучепреломления, налич дефектов, определения степени поликристалличности пластинок. Возможное

зменения спектров пропускания плоскопараллельных пластинок могут быть по-езны при управлении характеристиками широкополосных лазеров на красителях, ри селекции в лазерах модового состава, изменении спектра в обычных пучках злучения, изготовив из пластинок, поляризатора и анализатора монохроматор изучения. Такая система может оказаться полезной при создании реперных спек-ов при проведении спектральных исследований; при определении угла между птическими осями двух пластинок.

Достоверность научных результатов

Результаты работы гарантируются использованием современных представле-ий о фоторефрактивных процессах в кристаллах ниобата лития, основанных на бщепринятых физических моделях и подтверждаются сопоставлением с наблю-аемыми экспериментальными данными или с результатами численных расчетов.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях:

• 1, 2, 3, 4, 5 Международной научной конференции молодых ученых и спе-иалистов «Оптика 1999», «Оптика 2001», «Оптика 2003», «Оптика 2005», «Оп-ика 2007», Санкт-Петербург, 1999,2001, 2003,2005,2007;

• Modern problems of laser physics. (MPLP'2000) Simposium, Novosibirsk, 000;

• First international conference for young on laser optics (LO-YS 2000), St-etersburg, 2000;

• Asia-Pacific Conference on Fundamental problems of Opto- and Microelectron-cs and International Workshop on Optical Beam Transformation (IWBT'2001) Vladi-ostok, 2001;

• 4, 5, 6, 7 Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и фикладные исследования, образование», Владивосток, 2003, Хабаровск, 2005, лаговещенск, 2006, Владивосток, 2007;

• Региональной научной конференции студентов, аспирантов и молодых 1еных по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материа-ов, Владивосток, 2004;

• 4 Международной научной конференции «Радиационно-термические эф-екты и процессы в неорганических материалах», Томск, 2004;

• Asia-Pacific Conference on Fundamental Problems of Opto- and Microelectron-cs, APCOM-2004, Khabarovsk, 2004;

• 3, 4, 5 Международной научной конференции «Фундаментальные пробле-ы оптики», С.-Петербург, 2004,2006,2008;

• Fifth Asia-Pacific Conference and Workshop on Fundamental Problems of Opto-nd Microelectronics, APCOM - 2005, Vladivostok, 2005;

• IV Международной научной конференции творческой молодежи «Научно-ехническое сотрудничество стран АТР в XXI веке», Хабаровск, 2005;

• Международной научной конференции «Принципы и процессы создания неорганических материалов» (Третьи Самсоновские чтения), Хабаровск, 2006;

• Научной сессии МИФИ - 2007, МИФИ - 2008, Москва, 2007 г., 2008 г.;

• 12th Conference on Laser Optics, LO-2006, St.Peterburg, 2006;

• XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, ВКС-1 С.-Петербург, 2008;

• VII Международной научной конференции «Лазерная физика и оптически технологии», Минск, 2008.

Публикации и вклад автора

По теме диссертации автором опубликовано 45 работ, в том числе 15 статей ведущих рецензируемых научных журналах, рекомендованных Высшей аттест ционной комиссией для соискателей ученой степени доктора наук, 3 патента н изобретение, 3 монографии, 5 статей в Proceedings of SPIE.

Автору принадлежит формулировка цели и постановка задач исследовани" обоснование способов их осуществления, непосредственное выполнение значи тельной части экспериментов, основных аналитических расчетов, систематизац и анализ результатов.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, 6 глав, заключения, содержит 255 страни машинописного текста, 81 рисунок, 3 таблицы и список литературы из 255 найме нований, включая работы автора.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснованы актуальность и практическая значимость работы, оп ределена цель диссертации, кратко изложено содержание работы, сформулирова ны основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава посвящена обзору литературы по экспериментальным и теоре тическим исследованиям записи изображения в кристаллах ниобата лития, фото вольтаического эффекта, фоторефрактивного рассеяния света, формирования ко носкопических фигур в одноосных оптических кристаллах. Рассмотрены различ ные модели, закономерности и механизмы фотовольтаического и фоторефрактив ного эффектов. Дан обзор литературы по проблемам, затронутым в последующи главах. Описаны характерные особенности поляризационных спектров фазово пластинки и системы фазовых пластинок, а также оптические характеристики фа зовой пластинки и возможности управления ими.

Во второй главе представлены экспериментальные результаты по исследова нию оптической записи изображения в кристаллах ниобата лития при освещени объектов широкополосным некогерентным излучением.

Голографическая запись информации в кристаллах ниобата лития исследуетс достаточно интенсивно и широко с применением лазерного излучения [4, 5]. Воз можность использования широкополосного некогерентного излучения для запис информации в литературе только упоминается [4, 5]. И лишь недавно предприня попытка записи изображения в кристаллах ниобата лития [6].

В параграфе 2.1 рассматриваются экспериментальные схемы для записи опти ческого изображения. Запись изображения в фоторефрактивном кристалле произ водится путем проецирования излучения на переднюю грань кристалла в вид изображения объекта или различных световых пятен. Форма светового пятна зада

"гтся либо диафрагмой, установленной непосредственно на пути излучения, либо Занесенной на зеркало репликой определенной формы. В этом случае излучение ртражается от зеркала и теневое изображение реплики проецируется на кристалл. | В параграфе 2.2 приведены экспериментальные результаты записи оптического изображения в кристаллах ниобата лития в виде световых полосок, сформированных при помощи диафрагмы.

Свет от лампы накаливания фокусируется с помощью системы объективов так. ято фокусное пятно диаметром 15 мм имеет однородную освещенность и падает да входную грань образца. Плотность мощности излучения составляла 0,35 • ¡Вт/мм2. Кристаллы облучались в течение 1-5-15 мин. Непосредственно перед кристаллической пластинкой располагалась диафрагма, которая вырезает световую юлоску размерами 1x6 мм2 (рис. 1). Световая полоска ориентируется по отноше-

Рис. 1. Запись световой полоски в кристалле ЫКЬСЬ:Ре (0,3 % вес.): а) а = 45°, б) а = 90°. Р$ - полярная ось кристалла

I

'нию к полярной оси кристалла под углами а = 0, 30, 45, 60, 90 градусов (ноль градусов соответствует случаю, когда световая полоска параллельна полярной оси ¡кристалла).

Контраст изображения определялся по формуле:

Г = /г"ах ~ 'тп 100%, (1)

1+1 ' птах 1 ' пип

где /щах' 'шт - значения максимальной и минимальной интенсивностей записанного изображения в кристалле.

В кристаллах ниобата лития с примесью железа производится наиболее контрастная (до 64 %) запись изображения световой полоски (рис. 1). От концентрации железа зависит время записи и ее хранения (до 7 суток в темноте). В номинально чистых кристаллах запись не производится. В кристаллах, легированных ионами рутения (0,3 % вес.), меди (0,05 % вес.) и двойными примесями: железо |(0,3 % вес.) с медью (0,01 % вес.), железо (0,3 % вес.) с родием (0,01 % вес.) запись ¡слабо контрастная (Т = 10+20 %), но при увеличении времени экспозиции с 5 мин. до 10-5-15 мин. изображение становится контрастным (Т = 40+50 %) и визуально ¡хорошо наблюдается. Только у кристаллов с примесью железа получается контрактная запись (Т = 50+60 %) при сравнительно небольшом времени облучения (1+5 мин]. В кристаллах ниобата лития с примесью родия (0,05 % вес.) производится

запись с долговременной памятью (более 50 суток). Изображение стирается те мическим отжигом при температуре 200 °С в течение 30 минут.

Наилучшая запись световой полоски {Т = 64 %) получается при угле а = 90 хуже (Т = 42 %) при а = 45° (рис. 1, табл. 1).

Визуализация изображения световой полоски производится на просвет Me ¡ дом фазового контраста [2] и в широкоапертурном пучке поляризованного све Изображение фотографируется цифровой камерой и обрабатывается с помоцц математического пакета mathcad.

При форме световой полоски в виде буквы «Г» регистрируется только элем & буквы, перпендикулярный полярной оси кристалла (в нашем случае горизонт

ная линия буквы параллельна полярн оси кристалла), причем внешняя верт кальная линия буквы записывается пол стью до внешней горизонтальной линии внутренняя вертикальная линия записью ется до внутренней горизонтальной лин (рис. 2). Данный эксперимент и описанн! ниже показали, что при проецирован] длинных световых полосок, ориентиров;) ных параллельно полярной оси кристал запись не производится. Причиной этой наиболее вероятно, является своеобразн компенсация электрических полей, на димых светом, внутренними электрик скими полями кристалла, стремящими ослабить внешнее воздействие. Даш точка зрения хорошо подтверждается á ботой [7].

Механизм переноса электрического э ряда в кристаллах ниобата лития преимущественно полевой. Максимальная вел чина наводимого электрического поля достигается на границах освещенной обл <

ти кристалла, перпендикулярных его полярн оси. Соответственно в этих областях кристалла счет электрооптического эффекта происход максимальное изменение показателя прелом ния и наибольший набег фаз между обыкнове ным и необыкновенным лучами, что и фикси ется методом фазового контраста.

В кристаллах ниобата лития записывает изображение произвольной формы, но при уел вии наличия градиента освещенности в изоб жении, направленного вдоль полярной оси кр сталла (рис. 3).

При записи изображения, в ряде случаев сн мали напряжение с электродов, нанесенных на г:; ни, перпендикулярные полярной оси кристал;!

Рис. 2. Запись световой полоски в виде буквы «Г» в кристалле ИЫЬОз^е (0,05 % вес.): - полярная ось кристалла; 1 -внешняя линия буквы; 2 - внутренняя линия буквы

2 мм

Ps

Рис. 3. Запись слова «ЛУЧ» в кристалле 1лЫЬОз;Ре (0,3 % вес.); 1\ ~ полярная ось кристалла

этого используется электростатический вольтметр > Ю10 Ом). В первона-альный момент наблюдается быстрый рост напряжения на электродах до достиже-ия максимума, после чего плавный спад до некоторой стационарной величины.

При перекрывании излучения наблюдается резкое падение напряжения на ве-шчину пироэлектрического заряда, а затем плавный спад по экспоненциальному акону до нуля. Первоначальный быстрый рост напряжения и резкое падение при тключении обусловлены пироэлектрическим эффектом. Плавное падение напря-ения до стационарной величины наблюдается при прогреве всего кристалла, то сть исключения влияния пироэлектрического эффекта. Плавный спад напряже-ия до нуля обусловлен темновой релаксацией электрического заряда.

Экспериментально установлено, что фотоотклик максимален при ориентации ветовой полоски перпендикулярно полярной оси кристалла и минимален при па-аллельной ориентации, что соответствует максимальному и минимальному зна-ениям внутренних наведенных электрических полей [8].

В кристаллах ниобата лития с выше приведенными примесями запись изобра-ения происходит за 60+100 секунд (Г = 25+35 %). При дальнейшем облучении ристалла 1л№Ю3:Ре (0,3 % вес.) изображение становится более контрастным и за 00+350 секунд набирает контраст Т= 64 %. Изображение сохраняется контраст-ым (Т=40+50 %) при комнатной температуре, в темноте около суток.

Запись изображения также зависит от температуры окружающей среды. При емпературе окружающей среды 40+85 °С изображение записывается в течение +15 минут и сохраняет контрастность Г = 40+50 % в течение 35+40 часов. Если величить температуру до 85 °С, то запись изображения осуществляется за 20+25 инут, а при 180 °С запись уже не производится, так как при этой температуре наеденная оптическая неоднородность стирается.

В параграфе 23 приведены экспериментальные результаты по записи оптиче-кого изображения в кристаллах ниобата лития в виде цифр, снежинок и т.п., формированных при помощи реплики, нанесенной на зеркало.

При формировании изображения в кристаллах ОМЮз^е широкополосным некогерентным излучением от лампы накаливания за счет возникновения фотоин-дуцированного изменения показателя преломления осуществляется запись изображения нити накаливания лампы. Изменение показателя преломления происходит локально, в области освещения кристаллов (рис. 4 и 5). На рис. 4,а представлено изображение нити накаливания электрической лампы, полученное методом фазового контраста, на рис. 4,6 то же самое изображение, полученное поляризационным методом.

Следует отметить, что реплика изображения (рис. 5,а) не полностью записывается в кристалле. Составляющая, параллельная полярной оси кристалла, не записывается и не визуализируется, так как градиент освещенности в этом случае минимальный (рис. 5,6).

Теоретические и экспериментальные результаты показали, что в фоторефрак-тивных кристаллах возможна запись изображения объектов за счет квадратичной нелинейности кристалла при освещении их некогерентным широкополосным излучением. Это несколько необычный вывод. Казалось бы, за счет множества частотных компонент, фазы фотовольтаических токов меняются хаотически и результирующий фотовольтаический ток должен быть равен нулю, т.е. фотовольтаиче-

ское поле должно быть равно нулю. Эффекта записи быть не должно. Это дейсз вительно так, компоненты электрических полей с разными частотами (О/^ю, к ф; товольтаическому эффекту не приводят. Фотовольтаический эффект, а следов ! тельно эффект записи изображения при освещении объектов широкополосным т лучением возникает только за счет одинаковых частотных компонент со,; сорю,.

Л

а> б)

! 2 мм |

Рис. 4. Изображеш1е нити накаливания электрической лампы, записанное в кристалле ШЛЮз^е (0,3% вес.):

а - полученное методом фазового контраста, б -полученное поляризационным методом. Р5 - полярная ось кристалла

Рис. 5. Изображение реплики в виде снежинки, нанесенной на зеркало: а - реплика на зеркале; б - изображение реплики, записанное в кристалле ЫЫЬОз'.Ре (0,3 % вес.) и воспроизведенное поляризационным методом. Р$ - ' полярная ось кристалла

В параграфе 2.4 приведены результаты исследований по ориентационно-поляризационной зависимости контраста записи изображения нити накаливания я кристаллах ниобата лития с примесями железа 0,3% вес. от поляризации излуче ния и ориентации световых полосок относительно полярной оси кристалл® 12

(табл. 1). Контраст изображения определялся по формуле (1), где максимальная и минимальная интенсивности определялись как средние значения интенсивностей из множества точек взятых из светлых и темных областей изображения нити накаливания с помощью математического пакета таШсас!.

Таблица 1

Контраст изображения в зависимости от ориентации световых полосок

и вектора Е

Ориентация свето- Ориентация вектора Е Контраст изображения

вых полосок по отноше- световой волны по отноше- Т, %

нию к полярной оси нию к полярной оси кристал-

кристалла, град ла, град

90 0 63,4

90 45 54,7

90 90 44,2

45 0 42,0

45 45 31,6

45 90 22,7

0 0 0

0 45 0

0 90 0

Видно, что при параллельной ориентации световых полосок при любом положении вектора Е контраст равен нулю и запись изображения в кристалле не реализуется. Если же полоски перпендикулярны полярной оси кристалла, то контраст максимальный. Запись изображения реализуется. Изменение положения вектора Е при этом приводит лишь к незначительному снижению контраста.

Общий вывод. Запись изображения в фоторефрактивном кристалле при использовании широкополосного излучения реализуется при наличии градиента интенсивности dJ/dz в записывающем пучке в направлении, совпадающим с направлением полярной оси кристалла. Величина An пропорциональна dJ/dz.

При записи изображения в фоторефрактивных кристаллах широкополосным некогерентным излучением отсутствует такой мешающий эффект как фотореф-рактивное рассеяние света. Данный эффект всегда присутствует при записи фоторефрактивных решеток (фоторефрактивных голограмм). Это обусловлено тем, что фоторефрактивное рассеяние света является когерентным эффектом и при использовании некогерентного света происходит усреднение различных частотных компонент до нуля.

Третья глава посвящена теоретическим и экспериментальным исследованиям кристаллических пластинок, аналогичных пластинкам, используемым для записи оптического изображения. Приведены характеристики таких пластинок и характеристики излучения, проходящего через пластинки. Для сравнения использовались пластинки из фоторефрактивных кристаллов, например из кристаллов нио-бата лития и нефоторефрактивных (кристаллы иодата лития, кальцита, KDP и др.).

В общем случае рассмотрены спектры пропускания системы, состоящей из поляризатора, кристалла (кристаллов) и анализатора, а также определены характеристики поляризованного излучения прошедшего через кристаллическую пластинку

13

(или пластинки). Данные сведения необходимы, в основном, при анализе сист записи изображения с широкополосным излучением в фоторефрактивных кр сталлах.

С другой стороны новые сведения об особенностях спектров пропускания, п ляризационных характеристиках излучения, возможностью управления этими х рактеристиками полезны для квантовой и нелинейной оптики и способствуют со данию новых оригинальных оптических приборов.

Следует отметить, что несмотря на многочисленные работы, посвященные п ляризационным и спектральным характеристикам плоскопараллельных крист лических пластинок ряд тонких вопросов в данном направлении не был прораб тан. Данные новые сведения приведены ниже.

Отметим, что в работах [10-13] и других просматривается основная напра ленность исследований на определение двулучепреломления (п0 - пс), дихроиз (ко - ке), то есть в основном на задачи эллипсометрии и поляриметрии. Меньш часть работ этих и других авторов связана с определением эллиптичности излуч ния, прошедшего через фазовые пластинки. В работе [13] авторами исследова ориентационная зависимость пропускания системы поляризатор-кристал анализатор, что позволило создать метод определения двулучепреломления и ди роизма кристаллов. В работе [14] наоборот, проведены исследования по оцен величины изменений вносимых полуволновыми и четвертьволновыми фазовы пластинками в состояние поляризации излучения при их малых коллимационнь поворотах.

В параграфе 3.1 показано, что при скрещенных направлениях пропускан поляризатора и анализатора для угла поворота кристаллической пластинки (пло кости главного сечения кристалла) а = 45° спектр является линейчатым. Инте сивность света в спектре пропускания зависит от угла поворота плоскости главн го сечения кристаллической пластинки а относительно направления пропускан поляризатора. Спектр излучения, прошедшего через фазовую пластинку завис от величин углов а, Р (Р - угол поворота анализатора относительно скрещенно направления пропускания поляризатора и анализатора) и может быть линейчаты сплошным или на фоне сплошного частично линейчатым. При Р < а и р > а фоне сплошного спектра наблюдается линейчатый, интенсивность которого мен ется в зависимости от соотношения углов а и Р (рис. 6). При р = а линейчаты спектр исчезает, остается только сплошной спектр.

Такая характерная зависимость интенсивности I выходящего из системы из чения от величины угла а позволяет экспериментально устанавливать кристалл ческую пластинку в необходимое положение, то есть ориентировать оптическ ось кристалла относительно направления пропускания поляризатора.

Изменяя направление пропускания анализатора (угол 3) можно измерить п ложение оптической оси пластинки (угол поворота а) относительно плоскост пропускания поляризатора, используя равенство а = Р, при котором линейчаты спектр исчезает (остается только сплошной). Например, на рис. 6,а присутству только линейчатый спектр. Кривая 1 определяет максимальные значения инте сивности сплошного спектра. В случае рис. 6,6 присутствует сплошной спектр кривая 2 определяет его интенсивность - и на фоне сплошного - линейчатый (кр вая 1). Точка Р = а = 30° соответствует исчезновению линейчатого спектра. Отм 14

тим, что данные свойства системы позволяют, при необходимости, достаточно точно ориентировать (задавать) положение оптической оси кристаллической пластинки, устранив неточности положения оптической оси в пластинке.

Л1о, отн. ед. 1

а)

а,град

а, град

15 30 45 60 75 90

15 30 45 60 75 90

Шо, отн. ед. 1

б)

Щ), отн. ед. 1

Д)

а, град

15 30 45 60 75 90

15 30 45 60 75 90

а, град

ЛЗо, отн. ед. 1

в)

15 30 45 60 75 90 ГрЗД

Рис. 6. Зависимость Ш0 от а. 1 - «Ашх (интенсивность линейчатого спектра на фоне сплошного); 2 - ./,„,„ (интенсивность сплошного спектра); а) Р = 0°; б) Р = 30°; в) р = 45°; г) 0 = 60°; д) Р = 90°

В параграфе 3.2 аналогично работам [10-14] показано, что спектром пропус-ания системы, состоящей из двух фазовых пластинок можно управлять в значи-ельных пределах при повороте пластинок друг относительно друга (оптические си остаются в параллельных плоскостях) и относительно направления пропуска-ия поляризатора, а также при вращении анализатора.

Известно, что спектр пропускания двух кристаллических пластинок, разме-енных между поляризатором и анализатором соответствует суммарной (с1] + йг) \ разностной (й\ - ) толщинам кристаллических пластинок при параллельном и ерпендикулярном ориентировании плоскостей главных сечений пластинок соот-етственно. Нами обнаружен эффект компенсации влияния одной из пластинок на пектр проходящего излучения. Показано, что эффект компенсации имеет место я а = ф = 45° при Р = 0° (ф - угол между плоскостями главных сечений первой и торой кристаллических пластинок). На рис. 7 показано разбиение луча на обык-овенный и необыкновенный в первой кристаллической пластинке и повторно ка-дый луч разбивается во второй кристаллической пластинке.

При а = ф = 45° ((3 = 0°) интенсивность излучения при этом равна:

^ А = 2-/°

1 2п л л

I — сое—А^й] %

(2

где ^ ~ интенсивность излучения при ф = 0°; й\ - толщина первой пластинки; Д1 -разность между показателем преломления обыкновенного и необыкновенного лучей кристаллической пластинки; X - длина волны.

Для случая трех пластинок спектр пропускания зависит от эффективной тол щины всех трех пластинок. Выражение для интенсивности в автореферате не при водится из-за большого объема. Отмечено значительное видоизменение и услож

б)

Рис. 7. Расположение векторов напряженности в кристаллах: а) в первой пластинке; б) во второй пластинке П - плоскость пропускания поляризатора; А - плоскость пропускания анализатора; Ао - первоначальное положение анализатора; 2/7] - оптическая ось первой пластинки; 7^7,2 - оптическая ось второй пластинки

нение спектров системы двух, трех и четырех пластинок. Это увеличивает воз можности управления спектрами пропускания.

Анализ зависимости интенсивности 3 прошедшего излучения от разности фаз между обыкновенным и необыкновенным лучами показал, что причиной компен сации спектра второй, третьей или четвертой пластинки является расположени данной пластинки так, что ее плоскость главного сечения параллельна направле нию пропускания поляризатора, при перпендикулярном направлении пропускан! анализатора. При таком расположении пластинка вносит одинаковый набег фаз обыкновенный и необыкновенный лучи, результат интерференции которых зави сит от величины 5 и определяет пропускание системы.

В параграфе 3.3 выявлены дополнительные возможности управления эллип

точностью у = —, где а, Ь - большая и малая полуоси эллипса поляризации а

]—(р2у

видом, направлением и степенью поляризации Р =--- системы, состоящей и

1 + (8 Г

поляризатора и фазовой пластинки. Направление поляризации определяется ази мутом х (угол между оптической осью пластинки и большой осью эллипса поля ризации) или Х1 (угол между большой осью эллипса поляризации и направлением пропускания поляризатора).

Показано, что изменяя угол между плоскостями главных сечений кристаллических пластинок, с заданной разностью фаз, друг относительно друга, можно получить излучение с необходимой степенью поляризации.

Отмечено скачкообразное изменение направления оси эллипса на 90° при а = 45°. При разности хода, близкой к 90° азимут % сначала растет очень медленно (на 2-3°), а затем наблюдается резонанс: резкое возрастание угла % до 45° (при а = 45° и б = 90°).

Эллиптичность периодически меняется по амплитуде на 45°, причем, только при а = 45° зависимость 7(8) линейная (рис. 8). График на рис. 8 известен из литературы и приводится, так как справедлив для любых фазовых пластинок, рассчитанных для произвольных длин волн излучения.

7. град

Рис. 8. Зависимость угла 7 эллиптичности от разности фаз 8 при различных углах а поворота пластинки: углы а, градусы: 1 - 10; 2 - 20; 3 - 30; 4 - 45

Зависимость Xi от а носит практически периодический характер при изменении разности фаз от 0° до 90°. В области а = 45° и 8 > 90° угол Xi скачком увеличивается на 90° и продолжает линейно возрастать до 180° при увеличении угла а.

Графики (рис. 8 и рис. 9) являются своеобразным паспортом кристаллической пластинки, позволяя управлять эллиптичностью и степенью поляризации с помощью пластинки произвольной толщины (заданном значении 5).

Рассмотрен характер зависимости у, и Р от 8 в области 150°-210°. Особенностью является некритичность поворота большой оси эллипса поляризации при повороте пластинки на угол а. С высокой точностью большая ось эллипса поворачивается на угол 2а при значительных отклонениях разности фаз 8 относительно 180°. График зависимости азимута Xi эллипса поляризации от угла а практически не изменяется для любого 8 из интервала 150°-210°. Такая зависимость может

быть использована для задания направления большой оси эллипса с высокой точ ностью, так как зависимость линейная.

135 180

Рис. 9. Кривые зависимости степени поляризации от разности фаз б при различных углах поворота ОС кристаллической пластинки относительно направления пропускания поляризатора. Значения угла а, градусы: 1 - 20 и 70; 2 - 30 и 60; 3 - 45

5, град

В параграфе 3.4 показаны возможности управления оптическими характеристиками немонохроматического излучения, прошедшего через систему пластинок, а = 44,9° а = 45,1°

Х.-Л 7

а)

XJ> Ч

б)

Рис. 10. Зависимость азимута эллипса поляризации х (1), эллиптичности 7 (2) и интенсивности излучения 3 (3) от длины волны к (поляризатор и анализатор скрещены):

Пластинка толщиной 2 мм из кристалла ниобата лития

Рассчитаны зависимости эллиптичности у. азимута х эллипсов поляризации и интенсивности J от длины волны К излучения. Все указанные величины периодически изменяются с изменением длины волны.

Характерно, что вблизи а = 45° (для одной фазовой пластинки) азимут эллипса поляризации сохраняет свою ориентацию относительно оптической оси пластинки на определенном участке длин волн. На определенных длинах волн происходит скачок - изменение угла % на противоположный, что соответствует изменению направления поляризации (рис. 10).

Независимо от значений максимумы и минимумы интенсивности соответствуют одним и тем же длинам волн, то есть их положение не зависит от % и а. Но интенсивность прошедшего излучения (в максимуме) определяется величиной угла а.

Зависимость /(X) является эталонной и позволяет определить поляризационные характеристики прошедшего излучения. Соединив данную пластинку с моно-хроматором, можно получить излучение с необходимой степенью поляризации.

В параграфе 3.5 рассматривается применение параметрических уравнений колебаний вектора напряженности электрического поля световой волны, прошедшего через фазовую пластинку, для получения поляризационных характеристик излучения (эллиптичности, степени поляризации).

п

о

V г,

/

V \ /

* \ \\

\

У

\

/ V

/ Л

Рис. 11. Эллипсы поляризации для двух фазовых пластинок: Угол поворота первой пластинки относительно направления пропускания поляризатора а=45°; угол поворота второй пластинки относительно первой а! =30°.

Кривые: 1 - 5,=02=30°; 2 - 5, =30°, 52=60°; 3 - 6,=30°, §2=90°

Параметрический метод является более удобным и наглядным по сравнению другими, особенно, когда рассматривается система, состоящая из двух и боле пластинок. Построенный с помощью параметрических уравнений эллипс поляри зации позволяет сравнительно легко определять параметры поляризации прошед шего через систему излучения (рис. 11).

В случае двух кристаллических пластинок напряженности электрических по лей световых волн на выходе из системы пластинок: Е\ - Еее cos ш = Eq cos a cos ccj cos tot,

Ei = Eeo cos(cot + 62) = Eq cos a sin oq cos(cot + 62),

£3 = -Eoe cos(cot + 5j) = -Eq sin a sin ocj cos(a>t + 61), ' ^

£4 = E00 cos(cot + 5j + 62) = Eq sin a cos ccj cos((Dt + 8j + S2)

где Eq - амплитуда напряженности электрического поля световой волны, а - уго между направлением пропускания поляризатора и плоскостью главного сечени первой кристаллической пластинки, ai - угол между плоскостями главных сече ний первой и второй кристаллических пластинок, 8Ь 82 - разность фаз меж обыкновенным и необыкновенным лучами первой и второй кристаллических пла стинок соответственно, со - частота, t - время.

Положение конца вектора Е на эллипсе поляризации в каждый момент време ни задается точкой (£ь Е2, £3, £4). Для построения эллипса поляризации задае значения параметра ах, изменяющегося в пределах от 0 до 2л, a, a¡, 8¡, 82 и вы числяем значения E¡, Е2, £3, Е4. Алгебраически складываем E¡, £3 и £2, £4, по полу ченным точкам строим кривую - эллипс поляризации в системе координат (Z>, Х2) Построенный таким образом эллипс (рис. 11) позволяет определить угол эллип точности у через отношение его полуосей, угол наклона эллипса к оптической ос пластинки или к направлению пропускания поляризатора (азимут), степень поля ризации излучения.

В четвертой главе описывается нетрадиционный коноскопический метод ис следования оптических кристаллов. В отличие от классической схемы для наблюдения коноскопических картин кристаллов используются широкоапертурные ела борасходящиеся пучки света.

В параграфе 4.1 представлен коноскопический метод исследования кристаллов. Описана установка для наблюдения коноскопических картин оптических кристаллов в широкоапертурном слаборасходящемся пучке света. В зависимости от ориентации кристалла в оптической схеме получены необычные коноскопические картины в виде колец, эллипсов, параллельных полос (рис. 12).

На вид интерференционных линий (изогир и изохор) влияют внешние электрические и тепловые поля. При наличии градиента электрического или теплового поля коноскопическая картина деформируется: появляется изгиб интерференционных линий по направлению приложенного электрического или теплового поля. Скорость движения интерференционных линий зависит от величины градиента электрического или теплового полей.

Рис. 12. Коноскопические картины кристалла КОР в широкоапертурном пучке: а - пучок распространяется вдоль оси х; б - пучок распространяется вдоль оси у. Размеры кристалла: ххухг соответственно 12,8x12,8x8 мм3

В параграфе 4.2 представлены экспериментальные результаты коноскопиче-ского метода исследования качества оптических кристаллов на наличие оптических неоднородностей (рис. 13) с использованием широкоапертурного слаборас-ходящегося пучка света. Предварительно наведенные оптические неоднородности достаточно быстро образуются при облучении фоторефрактивных кристаллов и медленно релаксируют. На рис. 13 приведены картины кристалла ниобата лития с примесью железа до облучения лазерным излучением (А. - 0,6328 мкм, Р = 20 мВт) и после облучения.

Рис. 13. Коноскопические картины кристалла 1л1ЧЮз:Ре в широкоапертурном пучке: а - без наведенных оптических неоднородностей; б - с наведенными оптическими неоднородностями

В параграфе 4.3 описываются коноскопические фигуры в виде параллельных прямых полос (линий), заполняющих на экране изображение кристалла (рис. 14). Число линий и расстояние между ними зависят от толщины кристалла. Главная особенность этих картин - чередующиеся темные и светлые полосы. Оптическая 1 ось кристалла составляет определенный угол с плоскостью пластинки. Проекция

оптической оси на плоскость пластинки перпендикулярна темным и светлым полосам.

Если имеется значительное число плоскопараллельных пучков, падающих вблизи нормали к поверхности кристалла в небольшом угловом интервале, то воз-| можно два следующих варианта.

1. Толщина кристалла d достаточно велика, Дф ~ ofAn/cosp, где Ап - п„ - пе{ cosP ~ cosPo = cosPe. Полагая, что в первом приближении малых углов преломления An ~ const и, учитывая, что для наблюдения минимумов в интерференционной! картине, Дф должно быть равно ±л!Ч/2 (N = 1,2,3,...), получаем на экране совокупность минимумов - черных концентрических окружностей. Если при увеличении угла Р происходит небольшое изменение Ал, то появляются концентрические тем-1 ные эллипсы.

2. Если же d достаточно мало и ¿//cosfi = const, то значительно больше сказываются изменения в величине An наибольшие в плоскости, содержащей оптическую ось кристалла. В этом случае получаем совокупность черных и светлых полос.

Рис. 14. Коноскопическая картина LiNb03:Cu : (0,3 % вес.) толщиной 1,94 мм в слаборасходя-щихся пучках света.

Плоскость главного сечения кристалла составляет угол а = 45° с плоскостью пропускания поляризатора

В параграфе 4.4 рассматривается интерференция коноскопических картин в, слаборасходящихся пучках света от двух плоскопараллельных одноосных оптических кристаллических пластинок. Оптическая ось кристалла расположена под1 некоторым углом к плоскости входной грани пластинки. ,

Для исследования интерференции коноскопических картин в слаборасходящихся пучках света от двух плоскопараллельных одноосных кристаллических пластинок используются кристаллы ЫНЬ03:Си (0,3 % вес.) толщиной 1,94 мм и УЫЬО^Ки (0,3 % вес.) толщиной 1,36 мм. При вращении одного из кристаллов вокруг оси светового пучка интерференционная картина трансформируется, получаются параллельные полосы, прерывистые наклонные штрихи. Расстояние1 между интерференционными полосами изменяется в зависимости от изменения угла между оптическими осями кристаллов у (рис. 15).

Предложена векторная модель интерференции коноскопических картин. Введены для каждого кристалла волновые векторы коноскопической картины к\ =2я/Л] и =2п/ А2, где Л) и Л2 расстояние между максимумами интенсивности соседних интерференционных полос. Рассматриваемые векторы направлены перпендикулярно интерференционным полосам. По коноскопическим картинам от каждого кристалла определяем значения Л1 иЛ2. Волновой вектор £3 = 2п/А^, где Л:! расстояние между максимумами интенсивности соседних интерференционных полос суммарной интерференционной картины определим как сумму волновых

Рис. 15. Интерференция двух коноскопи-ческих картин в слаборасходящихся пучках света.

Кристаллы У [ЧЮьКи (0,3 % вес.) толщиной 1,36 мм и иЫЬОд:Си (0,3 % вес.) толщиной 1,94 мм.

Проекции оптических осей на плоскость кристаллических пластинок составляют между собой угол у, градусы: а) 90, б) 0, в) 60

векторов каждой картины, то есть к^=к\+ к2 ,что является своеобразным законом сложения в векторной форме интерференционных коноскопических картин. Модуль вектора к^ находим по теореме косинусов:

к] = к} + к1 -2^2 008(180-7). (4)

По виду интерференционной картины можно производить оценку структуры световых пучков. Использование второй кристаллической пластинки с одной стороны усложняет суммарную коноскопическую картину, а с другой стороны дает возможность формирования различного вида интерференционных картин (структуры световых пучков, выходящих из системы двух кристаллов).

В пятой главе приведены экспериментальные результаты по исследованию особенностей фотовольтаического эффекта в кристаллах ниобата лития.

В параграфе 5.1 показано, что фотовольтаический отклик возможен с немонохроматическим излучением.

Фотовольтаический ток /, в кристалле ниобата лития (4, 5] обусловлен в основном наибольшей компонентой когда поля ЕР Ек и ток /, направлены вдоль полярной оси 2. Полагая, что = Е^^ 5т(со/ -кг + Ф[); Ер. = £о£ (ш' ~ + Ф2) и

обычно используется когерентное лазерное излучение, поэтому фг - ф1 = 0, а значит, вдоль оси 2 возникает фотовольтаический ток

(5)

В случае некогерентного излучения, казалось бы величина (ф2 - фО меняется хаотическим образом во времени и среднее значение со$(ф2 - Ф0 = 0. То есть для

некогерентного, тем более немонохроматического излучения фотовольтаически эффект должен отсутствовать.

Однако, в эксперименте, при использовании немонохроматического излучен фотовольтаический эффект наблюдается, возникает также фоторефрактивный эф фект и возможна запись изображения в фоторефрактивных кристаллах.

Суммируя вклад всех частотных компонент широкого спектра в результирую

ЩИЙ фоТОВО,,1--гп "иргч-им тшс 1 плтшиии

где щ и со* - две частотные компоненты широкого спектра излучения, которое по сылается в кристалл. Ширина спектра Дш. Первый член в (7) записан для частот ных компонент / Ф к, которые между собой не когерентны, а поэтому интеграл ра вен нулю. Во втором случае у = к, то есть, обусловлен одной и той же компоненто широкого спектра и интеграл отличен от нуля

Если при генерации в кристаллах оптических гармоник и суммарных часто широкополосным излучением дают вклад вторая гармоника (j = к) и суммарны частоты (J ть к), то для фотовольтаического эффекта существенен только вкл; одинаковых частотных компонент (/ = к), когерентных между собой. Из (7) видно что величина постоянной (const) пропорциональна ширине спектра Асо, исполь зуемого излучения (полагаем, что частотные компоненты спектра одинаковой ин тенсивности).

Перекрестные частотные компоненты широкого спектра вклада в фотовольтаический эффект не дают из-за их совместной некогерентности. Фотовольтаический отклик пропорционален ширине спектра используемого излучения.

Значительный вклад в фотоотклик дает пироэлектрический эффект. При регистрации стационарного фотоотклика роль пироэлектрического эффекта сводится нулю.

В параграфе 5,2 получены зависимости фотовольтаического напряжения от времени для кристаллов ниобата лития легированных Ru (0,3% вес.) и Fe (0,05-Ю,3% вес.) с использованием некогерентного широкополосного излучения. В качестве источника излучения используется лампа накаливания. Плотность мощности падающего излучения на входную грань кристалла около 0,5 мВт/мм2. Пучок света направляется перпендикулярно полярной оси кристалла. Напряжение снимается с серебряных электродов, напыленных на грани кристалла, перпендикулярных его полярной оси. Приведены спектральные характеристики.

Зависимость фотонапряжения от времени с некогерентным источником света идентична зависимости для когерентного источника (лазера). Фотовольтаический эффект наиболее ярко проявляется при длинах волн, соответствующих активному свету, что соответствует работам других авторов [4, 6, 8].

В параграфе 5.3 обсуждается вопрос о влиянии электрических полей на фотовольтаический эффект. Показано, что предварительно наведенные электрические

(6

!рез=^ХЕо-const

а

(7

оля изменяют вид кривой зависимости напряжения от времени при последующем блучении кристалла (рис. 16). Первоначально происходит компенсация пред-арительно наведенного электрического поля, а затем плавный рост напряжения о насыщения.

Рис. 16. Влияние предварительно наведенного электрического поля на кривую фотовольтаического эффекта

Если нелегированный кристалл ниобата лития, который предварительно облучить (больше 20 минут) широкополосным некогерентным излучением, то есть создать в нем внутреннее электрическое поле, и затем электроды кристалла закоротить между собой (непродолжительное время - 1+5 мин.), то после замыкания электродов на входную емкость вольтметра напряжение возрастает (без облучения) по такому же закону, как и при облучении (рис. 17). Происходит накопление заряда на гранях кристалла, перпендикулярных его полярной оси, величина которого соответствует величине напряжения.

Рис. 17. Зависимость напряжения от времени при последовательном замыкании электродов без облучения. 1 - первое замыкание в течении 1 минуты; 2 - второе замыкание на 5 минут; 3 - третье замыкание на 5 минут

В шестой главе представлены экспериментальные и теоретические результаты исследования фоторефрактивного рассеяния лазерного излучения в легированных кристаллах ниобата лития.

В параграфе 6.1 описано кольцевое фотоиндуцированное рассеяние света пр облучении чистых и легированных железом кристаллов ниобата лития лазерным излучением в направлении, перпендикулярном оптической оси кристалла. Данной рассеяние имеет место в направлении как отраженных, так и прошедших луче! накачки. Структура и кинетика данного типа фоторефрактивного рассеяния позволяют предположить необходимость выполнения условий фазового синхронизма при векторном взаимодействии волн накачки и рассеянного света. 1 В параграфе 6.2 рассмотрены некоторые особенности фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах ниобата лития при маломощной лазерной накачку (порядка 1 мВт) в зависимости от многократного термического отжига кристалла; Когда угол между вектором напряженности электрического поля световой волны Е и полярной осью кристалла равен нулю (взаимодействие ее - типа), происходит! вытягивание (значительное увеличение размеров) на экране «лепестков восьмер ки» вдоль полярной оси кристалла. Отклонение рассеянных лучей в этом случае достигает 704-80 градусов. Если же вектор Е перпендикулярен полярной оси кристалла, рассеяние (оо - типа) выражено значительно слабее (угол раскрытия «лепестков восьмерки» составляет 5+10 градусов).

Время облучения с неполяризованным лазерным излучением до полного раскрытия «лепестков восьмерки» составляет примерно 15 минут при первоначальном облучении. При повторных облучениях и последовательных отжигах время до полного раскрытия «лепестков восьмерки» увеличивается до 85 минут. Р*

Рис. 18. Кинетика развития центрального пятна ФРРС в кристалле Ы№Оз:Ре (0,3 % вес.).

Излучение: а) неполяризованное, Р = 2 мВт; б) неполяризованное, Р = 2 мВт, после многократного отжига кристалла; в) поляризованное, Р = 1 мВт, вектор Е параллелен полярной оси кристалла, после многократного отжига кристалла.

Время облучения, секунды: 1 - 30; 2 - 2400; 3 - 5400

На рис. 18 представлены картины развития центральных пятен ФРРС, соответствующих проходящему через кристалл световому лучу. С неполяризованным лазерным излучением, центральное пятно картины ФРРС вытягивается вдоль полярной оси кристалла. Внутри пятна наблюдается определенная структура (рис. 18,а,б). В течение облучения происходят пульсации центрального пятна. При этом пятно постоянно увеличивается в размерах до насыщения. После многократного термического отжига (при температуре 200 °С) в течение 30 минут фоторефрак-тивные свойства кристалла несколько ослабевают (рис. 18). Вероятно, увеличивается темновая проводимость кристалла и электроны не могут закрепиться на ловушках, которые расположены на периферии светового пятна. Проявляется эффект термической усталости кристалла. Этот эффект наблюдается по форме центрального пятна фоторефрактивного рассеяния света при выходе на насыщение. Изменяются размеры и структура центрального пятна ФРРС.

В параграфе 6.3 показано, что при облучении кристаллов 1ЛМЮ3:Ш1 происходит периодическая перекачка излучения из центрального пятна в рассеянное обусловленная видом примеси. Рассматривается влияние внешних и внутренних электрических полей на кинетику и форму фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах 1л1ЧЬОз:Ре.

В параграфе 6.4 рассматривается моделирование индикатрисы ФРРС. Численное моделирование показывает, что на основе предложенной модели индикатриса ФРРС повторяет форму «восьмерки», ориентированной параллельно полярной оси кристалла. Приведены результаты экспериментального исследования кинетики фоторефрактивного рассеяния света в направлении прошедших лучей в кристаллах ниобата лития, легированных железом и родием, при различных ин-тенсивностях пучка накачки. Рассматривается возможность определения величины фотопроводимости кристаллов ниобата лития, легированных фоторефрактив-ными примесями по времени достижения интенсивности ФРРС максимума.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Возможны ФВЭ и запись изображения в фоторефрактивных кристаллах с немонохроматическим излучением за счет вклада одинаковых частотных компонент широкого спектра. Запись оптического изображения в легированных кристаллах ниобата лития осуществляется при наличии градиента в распределении освещенности. Контраст записи и время хранения изображения в легированных кристаллах ниобата лития зависят от рода и концентрации легирующей примеси, ориентации изображения объекта относительно полярной оси кристалла и типа поляризации излучения.

2. Детально исследованы спектры пропускания широкополосного излучения, прошедшего через фазовые пластинки, изготовленные из кристаллов ниобата лития, КБР, кальцита. Выявлено существование характерной точки перехода линейчатого спектра в сплошной.

3. Показано, что при повороте одной пластинки относительно другой на угол а = ф при скрещенных направлениях пропускания поляризатора и анализатора наблюдается эффект компенсации: в интерференционной картине присутствует спектр только одной пластинки. Данный эффект наблюдается и в случае системы трех и четырех пластинок. Объяснена причина эффекта компенсации.

4. Выявлена зависимость оптических характеристик излучения, прошедше через фазовую пластинку от разности фаз между обыкновенным и необыкнове ным лучами и угла поворота пластинки относительно направления пропускан поляризатора. Показано, что данные зависимости можно использовать для упра ления поляризационными характеристиками с помощью фазовых пластинок пр извольной толщины. Предложен метод определения поляризационных характер стик излучения, прошедшего через систему кристаллических пластинок, основа ный на применении параметрических уравнений эллипса поляризации.

5. Интерференция нетрадиционных коноскопических картин от двух крист лических пластинок происходит в слаборасходящихся пучках световых луче Расстояние между интерференционными полосами в коноскопической карта определяется эффективной толщиной пластинки,

6. После многократной термической обработки легированных кристалл ниобата лития при температуре 200 °С в фоторефрактивном рассеянии света пр является эффект термической усталости.

7. Показано, что при облучении кристаллов LiNb03:Rh происходит период ческая перекачка излучения из центрального пятна в рассеянное обусловленн видом примеси.

ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. Гурзадян, Г.Г. Нелинейно-оптические кристаллы. Свойства и применение квантовой электронике / Г.Г. Гурзадян, В.Г. Дмитриев, Д.Н. Никогосян. - M.: Р дио и связь, 1991. - 160 с.

2. Бережной, A.A. Электрооптические модуляторы и затворы / A.A. Бережно // Оптический журнал. - 1999. - № 7. - С. 3-19.

3. Мустель, Е.Р. Методы модуляции и сканирования света / Е.Р. Мустель, В. Парыгин. - М: Наука, 1970. - 295 с.

4. Петров, М.П. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике / М.П. Пе ров, С.И. Степанов, A.B. Хоменко. - СПб.: Наука, 1992. - 320 с.

5. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, полярит ны. / Н.В. Сидоров, Т.Р. Волк, Б.Н. Маврин, В.Т. Калинников. - М.: Наука, 2003. 255 с.

6. Incoherent one beam recording in LiNb03 / Jung-Ping Liu, Tsung-Hsun Yan Hon-Fai Yau and Hsiao-Yi Lee // Optics Communications. - 2007. - Vol. 276. - iss. -P. 67-71.

7. Спекл-структура излучения, рассеянного фоторефрактивным кристаллом Ю.М. Карпец, В.И. Строганов, Н.В. Марченков, A.B. Емельяненко // Оптика спектроскопия. - 1989. - Т. 67. - № 4. - С. 982-985.

8. Электрические поля при фоторефракции в кристалле LiNb03:Fe / Т.Р. Вол A.B. Гинзберг, В.И. Ковалевич, Л.А. Шувалов // Известия АН СССР, сер. физ. 1977. - Т. 41. - № 4. - С. 783-787.

9. Thermal Fixation of the photorefractive holograms recorded in lithium niobat and related crystals / T. Volk, M. Wohlecke // Critical Reviewers in Solid State and M terials Sciences. - 2005. - Vol. 30. - iss.3. - P. 125-151.

10. Хасанов, Т. Определение параметров фазосдвигающих пластинок / T. X санов // Кристаллография. - 1992. - Т. 37. - № 2. - С. 1041-1045.

11. Абен, Х.К. К теории составной пластинки в четверть волны / Х.К. Абен // птика и спектроскопия. - 1962. - Т. 13. - № 5. - С. 746-750.

12. Абен, Х.К. Некоторые задачи суперпозиции двух двупреломляющих пла-тинок / Х.К. Абен // Оптика и спектроскопия. - 1963. - Т. 15. - № 5. - С. 682-689.

13. Исследование ориентационной зависимости пропускания системы поляри-атор-кристалл-анализатор / А.Ф. Константинова, А.Н. Степанов, Б.Н. Гречушни-ов, И.Т. Улуханов // Кристаллография. - 1990. - Т. 35. - № 2. - С. 429-432.

14. Влияние поворотов линейных фазовых пластинок на состояние поляриза-ии излучения / A.B. Витязев, В.А. Демченко, В.В. Коротаев // Оптический жур-ал. - 1998.-Т. 65. -№ 1.-С. 34-37.

СПИСОК ОСНОВНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Сюй, A.B. Применение теневого метода при исследовании фоторефрактив-ого эффекта / A.B. Сюй, Ю.М. Карпец // Межвузовский сборник научных трудов. Нелинейные процессы в оптике». - Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 1999. - С. 23-29.

2. Сюй, A.B. Исследование фотовольтаического эффекта в нелегированных ристаллах ниобата лития / A.B. Сюй, Ю.М. Карпец, Н.В. Марченков // Межвузов-кий сборник научных трудов. "Нелинейные процессы в оптике". - Хабаровск: зд-во ДВГУПС, 1999. - С. 29-32.

3. Карпец, Ю.М. Коноскопические фигуры нового вида / Ю.М. Карпец, В.И. троганов, A.B. Сюй // Межвузовский сборник научных трудов «Нелинейная оп-ика». - Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2000. - С. 57-60.

4. Сюй, A.B. Фотовольтаический эффект в легированных кристаллах ниобата ития / A.B. Сюй, Ю.М. Карпец, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений з5. - Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2000. - С. 45-49.

5. Карпец, Ю.М. Фотовольтаический и фоторефрактивный эффекты в легиро-анных и нелегированных кристаллах LiNb03 / Ю.М. Карпец, В.А. Максименко, .А. Ковалев, A.B. Сюй // Сборник научных трудов «Нелинейные свойства опти-еских сред». - Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2001. - С. 42-49.

6. Карпец, Ю.М. Особенности автоволнового фотоиндуцированного рассеяния вета в кристалле LiNb03:Fe / Ю.М. Карпец, В.А. Максименко, А.Ю. Сетейкин, .В. Скоблецкая, В.И. Строганов, A.B. Сюй // Вестник Амурского государствен-ого университета. - Благовещенск: Изд-во АмГУ, 2001. - вып. 15. - С. 55-56,

7. Кольцевые структуры при фоторефрактивном рассеянии света в кристалле iNb03:Fe / В.А. Максименко, Ю.М. Карпец, В.И. Строганов, О.В. Скоблецкая, .В. Сюй // Оптика и Спектроскопия. - 2001. - Т. 91. - № 6. - С. 907-908.

8. Криштоп, В.В. Внешнее неоднородное тепловое стимулирование оптической ктивности в негиротропном кристалле ниобата лития / В.В. Криштоп, A.B. Сюй И руды Ш Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и про-ессы в неорганических материалах». - Томск: Изд-во ТПУ, 2002. - С. 114-115.

9. Сюй, A.B. Проявление эффекта термической усталости в кристаллах iNb03:Fe / A.B. Сюй, В.В. Лихтин, В.И. Строганов // Труды IV Международной

научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». - Томск: Изд-во ТПУ, 2004. - С. 82-84.

lO.Stroganov, V.l. Manifestation of the thermal fatigue effect in LiNb03:Fe crystal / V.l. Stroganov, A.V. Syuy, V.V. Lihtin // Proceedings of SPIE Vol. 5851, P. 51-53,

2005 Fundamental Problems of Optoelectronics and Microelectronics II. Editor(s): Yu N. Kulchin, Oleg B. Vitrik, Vladimir I. Stroganov 470 pages.

11. Патент РФ № 2004116031/28 G02F1/00. Электрооптический модулятор В.И. Строганов, Е.В. Толстов, В.В. Криштоп, И.В. Рапопорт, М.Н. Литвинова, А. Сюй (РФ). Опубл. 2005.11.10. Приоритет от 25.05.2004.

12.Сюй, А.В. Фотовольтаический эффект в LiNb03:Fe (0,3 %) от некогерентно го широкополосного излучения / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Лихтин // Трудь 9 конференции студентов, аспирантов и молодых ученых ПДиММ-2005, Владиво сток,2005.-С. 261-265.

13. Сюй, А.В. Фотовольтаический эффект в кристаллах LiNb03:Fe (0,3 %) / А. Сюй, В.В. Лихтин, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений №10. - Хаба ровск: Изд-во ДВГУПС, 2005. - С. 70-74.

14.Максименко В.А., Карпец Ю.М., Данилова Е.В., Сюй А.В. Особенности и дикатрисы фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах // Электронный жу нал «Исследовано в России». - 063. - С. 624-628. - 2006. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2006/063.pdf.

15.Экспресс-анализ диффузных оптических изображений / В.В. Криштоп, В. Ефременко, Ман Нен Литвинова, А.В. Ли, В.И. Строганов, А.В. Сюй, В.А. Макс менко // Изв. ВУЗов. Приборостроение. - 2006. - Т. 49. - № 8.- С. 21-23.

16. Поляризационный метод управления спектром пропускания плоскопар лельной кристаллической пластинки / А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строгано В.В. Лихтин, В.В. Криштоп, В.А. Максименко // Изв. ВУЗов. Приборостроение. 2006. - Т. 49. - № 12. - С. 53-55.

17. Определение оптической неоднородности кристаллов по последовательн ста коноскопических фигур / В.В. Криштоп, М.Н. Литвинова, В.Г. Ефременк В.И. Строганов, А.В. Сюй, А.В. Денисов, О.С. Грунский // Оптический журнал. 2006. - Т. 73. - № 12,- С. 84-86.

18.0риентационная зависимость пропускания системы поляризатор-кристалл кристалл-анализатор / А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строганов, В.В. Криштоп Оптический журнал. - 2007. - Т. 74. - № 7. - С. 33-36.

19.Фоторефрактивное рассеяние излучения гелий-неонового лазера в кристал лах ниобата лития / А.В, Сюй, В.И. Строганов, В.В. Лихтин // Оптический жур нал. - 2007. - Т. 74. - № 5. - С. 79-81.

20. Градиентная запись изображения в кристаллах ниобата лития / А.В. Сю" В.И. Строганов, В.В. Лихтин // Оптический журнал. - 2007. - Т. 74. - № 6. - С. 17-19

21.Анализ индикатрисы фотоиндуцированного рассеяния света в кристалл-ниобата лития / Е.В. Данилова, В.А. Максименко, А.В. Сюй, В.В. Криштоп // Изв ВУЗов. Приборостроение. - 2007. - Т. 50. - № 10. - С. 64-66.

22. Преобразование инфракрасного излучения с ультрафиолетовой широкопо лосной накачкой / В.В. Криштоп, Е.В. Толстов, В.Г. Ефременко, А.В. Сюй, В.И Строганов // Изв. ВУЗов. Физика. Приложение - 2007. - Т. 50. - № 2.- С. 92-93.

23.Особенности преобразования инфракрасного излучения с широкополосно накачкой в нелинейно-оптических кристаллах / В.В. Криштоп, Е.В. Толстов, В.И Строганов, А.В. Сюй // Оптический журнал. - 2007. - Т. 74. - № 4. - С. 24-26.

24.Запись и считывание некогерентного изображения в полярных кристаллах А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.А. Максименко, В.В. Лихтин // Изв. ВУЗов. Прибо ростроение. - 2007. - Т. 50. - № 9. - С. 12-15. 30

25.Определение фотопроводимости легированных кристаллов ниобата лития по фотоиндуцированному рассеянию света / В.А. Максименко, Е.В. Данилова,

A.В. Сюй // Изв. ВУЗов. Приборостроение. - 2007. - Т. 50. - № 9. - С. 28-30.

26. Патент РФ № 2006117268/28 (018811) 8 G01J 5/58 Координатно-чувствительный приемник излучения / А.В. Сюй, Г.Г. Здоровцев, В.И. Иванов, С.В. Климентьев, В.В. Криштоп (РФ) Опубл. 25.07.2007. Приоритет от 19.05.2006.

27.Syuy, A.V. Conoscopic methods of optic crystal research / A.V. Syuy, V.I. Stro-ganov, V.V. Krishtop, V.V. Lihtin // Proceedings of SPIE Vol. 6595, 2007 Fundamental Problems of Optoelectronics and Microelectronics III. Editor(s): Yuri N. Kulchin, Jinping Ou, Oleg B. Vitrik, Zhi Zhou. 65950E.

28. Krishtop, V.V. The spectrum of up-converted broadband radiation in nonlinear optical crystals / V.V. Krishtop, V.G. Efremenko, M.N. Litvinova, A.V. Syuy, V.I. Stro-ganov, E.V. Tolstov // Proceedings of SPIE Vol. 6610, 2007 Laser Optics 2006: Solid State Lasers and Nonlinear Frequency Conversion. Editor(s): Vladimir I. Ustyugov. 66100T.

29.Maksimenko, V.A. Calculation of the selective photorefraction light scattering indicatrix in Rh-doped LiNb03 crystals / V.A. Maksimenko, E.V. Danilova, A.V. Syuy // Proceedings of SPIE Vol. 6613, 2007 Laser Optics 2006: Wavefront Transformation and Laser Beam Control. Editor(s): Leonid N. Soms. 66130F.

30. Syuy, A.V. Peculiar properties of polarized transmission spectrums of crystal plates / A.V. Syuy, N.A. Kravtsova, V.I. Stroganov, V.V. Lihtin, V.V. Krishtop, V.A. Maksimenko // Proceedings of SPIE Vol. 6613, 2007 Laser Optics 2006: Wavefront Transformation and Laser Beam Control. Editor(s): Leonid N. Soms. 661309.

31.Строганов, В.И. Оптические элементы из анизотропных кристаллов для фотоники и информационной оптики / В.И. Строганов, П.С. Андреев, Д.А. Кузнецов,

B.В. Криштоп, М.Н. Литвинова, И.С. Филиппова, А.В. Сюй, О.Ю. Пикуль, В.А. Лебедев, Н.А. Кравцова // Научная сессия МИФИ-2007. Сборник научных трудов. В 17 томах. Т. 15. Физика твердого тела. Фотоника и информационная оптика. -М.: Изд-во МИФИ, 2007. - С. 82-84.

32.Сюй, А.В. Фотовольтаический эффект в кристаллах ниобата лития от некогерентного широкополосного излучения / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Лихтин // Труды V Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оп-тика-2007» - С.-Петербург, 2007. - С. 84-85.

33. Сюй, А.В. Влияние электрических полей на процессы фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй, В.В. Строганов, В.В. Лихтин, В.В. Максименко // Бюллетень научных сообщений №12. - Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2007. - С. 47-50.

34. Сюй, А.В. Степень поляризации излучения, прошедшего через полуволновую пластинку при изменении ее толщины / А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строганов // Труды V Международной конференции молодых ученых и специалистов «0птика-2007». - С.-Петербург, 2007. - С. 198-199.

35.Сюй, А.В. Поляризационные характеристики излучения, прошедшего через систему кристаллических пластинок / А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строганов // Труды V Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2007». - С.-Петербург, 2007. - С. 200-201.

36.Максименко, В.А. Фотоиндуцированные процессы в кристаллах ниобата л тия / В.А. Максименко, А.В. Сюй, Ю.М. Карпец. - М.: Физматлит, 2008. - 96 с.

37. Влияние широкополосного некогерентного излучения на фотоотклик в кр сталлах ниобата лития / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Криштоп, В.В. Лихтин Оптика и спектроскопия.-2008.-Т. 104.-№ 1.-С. 140-143.

38.Сюй, А.В. Параметрический метод построения эллипса поляризации изл чения / А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строганов, В.В. Криштоп // Изв. ВУЗ Приборостроение. - 2008. - Т. 51. -№ 10. - С. 65-69.

39.Сюй, А.В. Интерференционно-поляризационные характеристики излучеш прошедшего кристаллические пластинки / А.В. Сюй. - Хабаровск: Изд-ДВГУПС, 2008.-99 с.

40.Сюй, А.В. Запись изображения в кристаллах ниобата лития широкопол ным излучением / А.В. Сюй. - Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2008. - 80 с.

41. Сюй, А.В. Запись изображения некогерентным широкополосным излучен ем в кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй // Научная сессия МИФИ-2008. Сбо ник научных трудов. В 17 томах. Т. 2. Физика твердого тела. Фотоника и инфо мационная оптика. - М.: Изд-во МИФИ, 2008. - С. 102-103.

42.Сюй, А.В. Запись изображения в легированных кристаллах ниобата лити А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Лихтин // Всероссийская конференция по физи сегнетоэлектриков -XVIH. - СПб.: Изд-во ЛЭТИ, 2008. - С.236.

43.Сюй, А.В. Поляризационно-ориентационная зависимость записи изображ ния в легированных кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй, Е.А. Антонычева // Международная научная конференция «Лазерная физика и оптические технол гии». Сборник научных трудов конференции. Том П. Применение лазеров в нау ных исследованиях и технике. Применение лазеров в биологии и медицине. Минск, 2008. - С. 239-242.

44. Патент РФ № 2006141076/28 (2334959) 7 G01J 4/00 Способ управления п ляризацией света / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Криштоп (РФ) Опуб 27.09.2008. Приоритет от 20.11.2006.

45.Syuy A.V. Interference of conoscopic pictures of optical crystals / A.V. Syu V.I. Stroganov // Optics Communications. - 2008. - V. 281. - P. 5935-5938.

СЮЙ АЛЕКСАНДР ВЯЧЕСЛАВОВИЧ

ЗАПИСЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ ШИРОКОПОЛОСНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Подписано в печать 20.01.2009 г. Формат 60x84Vi6- Гарнитура «Times New Roman». Печать RISO. Усл. печ. л. 2,0. Зак. 6. Тираж 120 экз.

Издательство ДВГУПС 68002), г. Хабаровск, ул. Серышева, 47.

ВВЕДЕНИЕ.

1 ГЛАВА. Запись изображения в фоторефрактивных кристаллах и сопутствующие эффекты.

1.1. Фотовольтаический эффект в фоторефрактивных кристаллах.

1.1.1. Линейный и циркулярный фотовольтаический эффект.

1.1.2. Поляризационные и спектральные свойства ФВЭ.

1.1.3. ФВЭ в сегнетоэлектрических кристаллах.

1.1.4. Модели фотовольтаического эффекта.

1.1.5. Фотовольтаический эффект в кристаллах ниобата лития от широкополосного некогерентного излучения.

1.2. Фоторефрактивный эффект.

1.2.1. Определение и основные свойства фоторефрактивного эффекта.

1.2.2. Модели фоторефрактивного эффекта.

1.2.2.1. Модель Чена.

1.2.2.2. Модель Джонстона.

1.2.2.3. Диффузионный механизм.

1.2.2.4. Оптическое возбуждение дипольных моментов примесных ионов.

1.2.2.5. Другие модели, объясняющие фоторефрактивный эффект.

1.3. Фоторефрактивное рассеяние света в кристаллах.

1.4. Электрооптический эффект и преобразование широкополосного излучения в нелинейнооптических кристаллах.

1.5. Интерференционно-поляризационные характеристики излучения, прошедшего кристаллические пластинки, используемые для записи изображения

1.5.1. Поляризация света, прошедшего кристаллическую пластинку.

1.5.2. Распространение светового излучения в анизотропных кристаллах.

1.5.3. Управление поляризацией света.

1.5.4. Интерференция поляризованных лучей.

1.6. Запись и считывание оптической информации в фоторефрактивных кристаллах.

1.6.1. Термооптический метод записи.

1.6.2. Запись изображения при формировании электрического заряда в приповерхностной области кристаллов ниобата лития.

1.6.3. Электрооптический метод записи в фоторефрактивных кристаллах.

1.6.4. Голографическая запись информации.

1.6.5. Запись изображения в фоторефрактивных кристаллах широкополосным некогерентным излучением.

ВЫВОДЫ.

2 ГЛАВА. Формирование изображения в фоторефрактивных кристаллах ниобата лития.

2.1. Экспериментальные схемы записи оптического изображения в кристаллах ниобата лития.84.

2.2. Формирование изображения в кристаллах ниобата лития при помощи диафрагмы.

2.3. Формирование изображения в кристаллах ниобата лития при помощи реплики, нанесенной на зеркало.

2.4. Ориентационно-поляризационная зависимость контраста записи изображения.

ВЫВОДЫ.

3 ГЛАВА. Интерференционно-поляризационные характеристики излучения, прошедшего через кристаллические пластинки, используемые для записи изображения.

3.1. Управление спектром пропускания кристаллической пластинки.

3.2. Управление спектром пропускания системы поляризатор-кристалл-кристалл-анализатор.

3.3. Управление поляризационными характеристиками излучения, прошедшего фазовую пластинку.

3.3.1. Задание поляризации излучения при помощи фазовой пластинки.

3.3.2. Критичность степени поляризации излучения, прошедшего через фазовую пластинку.

3.4. Эллиптичность немонохроматического излучения, прошедшего через фазовые пластинки.

3.5. Параметрический метод построения эллипса поляризации излучения и определение его характеристик.

ВЫВОДЫ.

4 ГЛАВА. Коноскопические картины оптических кристаллов в широкоапертурных слаборасходящихся пучках света.

4.1. Экспериментальная установка для наблюдения коноскопических картин оптических кристаллов в широкоапертурных слаборасходящихся пучках света

4.2. Исследование оптических кристаллов в широкоапертурных пучках света.

4.3. Трансформация коноскопических картин при изменении положения оптической оси кристаллической пластинки.

4.4. Интерференция коноскопических картин в широкоапертурных слаборасходящихся пучках света.

ВЫВОДЫ.

5 ГЛАВА. Фотовольтаический эффект в кристаллах ниобата лития.

5.1. Фотовольтаический эффект в кристаллах ниобата лития от широкополосного некогерентного излучения.

5.2. Кинетика фотовольтаического эффекта в кристаллах ниобата лития.

5.2.1. Фотовольтаический эффект в номинально чистых кристаллах.

5.2.2. ФВЭ в легированных кристаллах ниобата лития.

5.2.3. Спектральная чувствительность ФВЭ в кристаллах ниобата лития.

5.3. Влияние электрических полей на фотовольтаический эффект.

ВЫВОДЫ.

6 ГЛАВА. Фоторефрактивное рассеяние света в кристаллах ниобата лития.

6.1. Кольцевое фотоиндуцированное рассеяние света.

6.2. Эффект термической усталости в кристаллах ниобата лития и диффузионное рассеяние света.

6.3. Периодическая перекачка излучения в кристаллах LiNbC^Rh.

6.4. Моделирование индикатрисы фоторефрактивного рассеяния света.

6.4.1. Расчет индикатрисы широкоуглового фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах ниобата лития.

6.4.2. Расчет кинетики широкоуглового фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах ниобата лития.

6.4.3. Расчет индикатрисы селективного по углу фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах ниобата лития.

6.4.4. Определение фотопроводимости кристалла по кинетике фоторефрактивного рассеяния света.

ВЫВОДЫ.222.

С момента создания лазера, начались бурные исследования в области нелинейной оптики. Интенсивное развитие лазерной техники позволило реализовать многочисленные эксперименты в области нелинейной оптики. Практически любой эффект нелинейной оптики можно применить в информационных технологиях для записи, хранения и передачи информации.

В настоящее время уделяется большое внимание со стороны ученых различных отраслей знаний к исследованию фоторефрактивных сред и особенностям взаимодействия электромагнитного излучения с этими средами. Фо-торефрактивные среды являются наиболее перспективными для создания на их основе новых элементов информационной техники, для оптических систем обработки информации. Типичными примерами таких систем являются фурье-процессоры, устройства пространственной фильтрации изображений, корреляторы, светофильтры, модуляторы и затворы широкополосного излучения [1-4]. Одним из наиболее эффективных фоторефрактивных кристаллов (ФРК) является кристалл ниобата лития. Этот кристалл обладает высокими нелинейными, электрооптическими, пьезоэлектрическими, пироэлектрическими, фотовольтаическими (ФВ) и фоторефрактивными (ФР) свойствами, что обуславливает возможность его широкого применения в устройствах го-лографической записи информации, а также модуляции, дефлекции и преобразования частоты оптического излучения. Прямым следствием фоторефрак-тивного эффекта (ФРЭ) является фоторефрактивное рассеяние света (ФРРС), которое обуславливает сильную деструкцию лазерного пучка, проходящего через ФРК, что является ограничивающим условием для голографической записи информации. Исследование ФРРС в ниобате лития важно и интересно в двух аспектах. С одной стороны, это накопление и систематизация информации, необходимой для улучшения голографических характеристик ФРК, с другой стороны ФРРС позволяет получить новые данные о свойствах кристалла и влиянии различных примесей на эти свойства.

Большинство научных работ по исследованию ФРЭ проведено с использованием когерентных источников света (лазеров X = 0,44 мкм и X = 0,488 мкм). С использованием широкополосного некогерентного излучения работ крайне мало. В то же время известно, что ФРРС проявляется только при взаимодействии когерентного света с ФРК. Использование некогерентного излучения в перспективе может привести к существенному улучшению характеристик уже существующих и созданию новых устройств, в которых используются ФРК, а также к значительному снижению стоимости таких приборов.

Таким образом, данное направление в области оптики ФР сред в научном плане и в плане прикладных разработок является важной и актуальной задачей и требует дальнейших систематических исследований.

Цель и задачи работы

Целью исследований является выявление физических закономерностей и особенностей формирования оптического изображения в легированных кристаллах ниобата лития с использованием широкополосного некогерентного излучения и рассмотрение сопутствующих эффектов. Выявление спектральных и поляризационных характеристик излучения, прошедшего через систему кристаллических пластинок, используемых для записи изображения.

Для достижения указанной цели в работе поставлены и решены следующие задачи:

1. Исследовано влияние различных факторов (ориентации, линейного размера светового пятна, поляризации излучения относительно полярной оси кристалла, концентрации и вида примесей, температуры окружающей среды) на контраст и скорость записи, а также на время хранения оптического изображения;

2. Исследованы особенности протекания фотовольтаического эффекта при облучении легированных кристаллов ниобата лития широкополосным некогерентным излучением;

3. Исследовано фоторефрактивное рассеяние света с использованием излучения гелий-неонового лазера, влияние многократного термического отжига на процесс фоторефрактивного рассеяния света; возможность управления индикатрисой рассеяния при помощи внутренних и внешних электрических полей;

4. Исследовано формирование нетрадиционных коноскопических картин в широкоапертурных слаборасходящихся пучках света. Предложен новый оптический метод наблюдения оптически наведенных неоднородностей показателя преломления в образце;

5. Исследованы спектры пропускания отдельных кристаллических пластинок, изготовленных из кристаллов кварца (Si02), кальцита (СаСОз), KDP, (КН2Р04), ниобата лития (LiNb03) при различном расположении оптической оси пластинки относительно направления пропускания поляризатора, разной -толщине пластинок, при вращении анализатора;

6. Рассчитаны спектры излучения, прошедшего через систему из двух, трех и четырех кристаллических пластинок. Выявлены особенности этих спектров. Исследовано влияние на спектры пропускания пластинок их толщины, количества пластинок, угла поворота пластинок друг относительно друга и относительно плоскости пропускания поляризатора, а также изменение спектра при вращении анализатора;

7. Изучены особенности изменения параметров поляризации излучения, прошедшего через кристаллическую пластинку: эллиптичности, азимута и степени поляризации, при различных углах поворота пластинки по отношению к плоскости пропускания поляризатора, различной разности фаз между компонентами электрического поля прошедшей волны и различной длине волны, на примере кристаллов KDP и ниобата лития. Предложен метод определения поляризационных характеристик излучения, прошедшего через систему фазовых пластинок, основанный на применении параметрических уравнений эллипса поляризации. Выявлены возможности использования фазовой пластинки с произвольной разностью фаз между обыкновенным и необыкновенным лучами для управления эллиптичностью прошедшего излучения.

Объекты и методы исследования

В качестве основного объекта исследования выбраны кристаллы ниобата лития с различными примесями и концентрациями, а также номинально чистые кристаллы. Все кристаллы выращены с использованием одной и той же методики и постоянной шихты, что исключает случайную природу наблюдаемых эффектов.

Кроме этого, исследовались кристаллы KDP, кальцита, кварца.

К выполнению работы привлечен набор методик: фотографических, фотоэлектрических и спектроскопических, компьютерное моделирование.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Запись изображения реализуется при наличии градиента интенсивности записывающего пучка dJ/dz, направленного вдоль полярной оси кристалла. Отклик Дп (изменения показателя преломления кристалла) пропорционален градиенту интенсивности dJ/dz.

2. В фоторефрактивных кристаллах возможна запись изображения объектов за счет квадратичной нелинейности кристалла при освещении их некогерентным широкополосным излучением.

3. При записи изображения объектов в фоторефрактивных кристаллах некогерентным широкополосным излучением мешающее влияние фотореф-рактивного рассеяния света исключается из-за наличия множества частот излучения, некогерентных относительно друг друга.

4. Точка перехода линейчатого спектра в сплошной в системе поляризатор-кристалл-анализатор позволяет определить или задать не только угол между главным сечением кристаллической пластинки и направлением пропускания поляризатора, но и характерные для данной пластинки спектры пропускания, а также угол между направлениями пропускания поляризатора и анализатора.

5. Эффект компенсации влияния плоскопараллельных кристаллических пластинок на спектр пропускания системы, состоящей из поляризатора, пластинок и анализатора реализуется, когда направления пропускания поляризатора и анализатора взаимно перпендикулярны и одно из главных сечений кристаллических пластинок совпадает с направлением пропускания поляризатора.

6. Параметрические уравнения эллипса поляризации и уравнения характеристических направлений позволяют построить эллипс поляризации про- i шедшего через систему излучения, определять его характеристики и управлять ими.

7. Фотовольтаический отклик в кристаллах ниобата лития при освещении широкополосным излучением обусловлен вкладом одинаковых частотных компонент. Перекрестные взаимодействия разных частотных компонент вклада не дают, так как эти компоненты не когерентны.

8. В кристаллах ниобата лития наблюдается эффект термической усталости при многократном термическом отжиге (в течение 30 мин при температуре 200°С).

Научная новизна работы

1. Реализована запись изображения с широкополосным, немонохроматическим излучением в фоторефрактивных легированных кристаллах ниобата лития. Изменения показателя преломления (запись изображения) происходят благодаря наличию градиента интенсивности записывающего излучения, направленного вдоль полярной оси кристалла. Контраст записи и время хранения изображения, в легированных кристаллах ниобата лития при использовании широкополосного некогерентного излучения зависит от формы падающего на кристалл светового изображения и его ориентации относительно полярной оси кристалла, а также от поляризации излучения.

2. Существует эффект компенсации влияния одной из пластинок в системе поляризатор-кристалл-кристалл-ализатор на спектр пропускания системы.

3. В системе поляризатор-кристалл-анализатор существует характерная точка перехода линейчатого спектра в сплошной при вращении плоскости главного сечения кристаллической пластинки относительно направления пропускания поляризатора или вращении анализатора.

4. Предложен метод определения поляризационных характеристик излучения, прошедшего через систему кристаллических пластинок, основанный на применении параметрических уравнений эллипса поляризации.

5. Впервые обнаружено и продемонстрировано проявление термиче- -ской усталости кристалла ниобата лития в фоторефрактивном рассеянии света при многократном отжиге. Вероятно, это обусловлено увеличением тем-новой проводимости кристалла. Фоторефрактивные свойства кристалла при этом ослабевают.

6. Предложенная методика исследования фоторефрактивных кристаллов, заключающаяся в наблюдении коноскопических картин в широкоапертурных слаборасходящихся пучках света, позволяет определять наличие оптических неоднородностей в кристалле.

7. Впервые зарегистрированы нетрадиционные интерференционные коноскопические картины в слаборасходящихся пучках света от двух кристаллических пластинок ниобата лития. Интерференционная картина трансформируется при изменении угла между плоскостями главных сечений кристаллических пластинок.

8. При облучении кристаллов LiNbCbiRli излучением гелий-неонового лазера происходит периодическая перекачка части энергии излучения из рассеянного в центральное пятно и обратно.

Связь с государственными программами и НИР

Диссертационная работа связана с фундаментальной научно-исследовательской темой ОАО «РЖД» «Анизотропное отражение света и электрооптические свойства кристаллов», выполняемой на кафедре «Физика» ДВГУПС.

Практическая значимость работы

Все полученные в диссертационной работе результаты служат основой для создания новых нелинейно-оптических элементов и на их основе приборов нового типа, применяемых в открытых и волоконных линиях связи, для ; создания новых запоминающих и других устройств. Применение в этих устч ройствах широкополосного, естественного света может существенно снизить их стоимость. Полученные в диссертационной работе научные результаты могут быть использованы для выявления характеристик кристалла - величины двулучепреломления, наличия дефектов, определения степени поликристалличности пластинок. Возможности изменения спектров пропускания плоскопараллельных пластинок могут быть полезны при управлении характеристиками широкополосных лазеров на красителях, при селекции в лазерах модового состава, изменении спектра в обычных пучках излучения, изготовив из пластинок, поляризатора и анализатора монохроматор излучения. Такая система может оказаться полезной при создании реперных спектров при проведении спектральных исследований; при определении угла между оптическими осями двух пластинок.

Достоверность научных результатов

Результаты работы гарантируются использованием современных представлений о фоторефрактивных процессах в кристаллах ниобата лития, основанных на общепринятых физических моделях и подтверждаются сопоставлением с наблюдаемыми экспериментальными данными или с результатами численных расчетов.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях:

• 1, 2, 3, 4, 5 Международной научной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика 1999», «Оптика 2001», «Оптика 2003», «Оптика 2005», «Оптика 2007», Санкт-Петербург, 1999, 2001, 2003, 2005, 2007;

• Modern problems of laser physics. (MPLP'2000) Simposium, Novosibirsk, ' 2000;

• First international conference for young on laser optics (LO-YS 2000), St-Petersburg, 2000;

• Asia-Pacific Conference on Fundamental problems of Opto- and Microelectronics and International Workshop on Optical Beam Transformation (IWBT'2001) Vladivostok, 2001;

• 4, 5, 6, 7 Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование», Владивосток, 2003, Хабаровск, 2005, Благовещенск, 2006, Владивосток, 2007;

• Региональной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов, Владивосток, 2004;

• 4 Международной научной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах», Томск, 2004;

• Asia-Pacific Conference on Fundamental Problems of Opto- and Microelectronics, APCOM-2004, Khabarovsk, 2004;

• 3, 4, 5 Международной научной конференции «Фундаментальные проблемы оптики», С.-Петербург, 2004, 2006, 2008;

• Fifth Asia-Pacific Conference and Workshop on Fundamental Problems of Opto- and Microelectronics, APCOM - 2005, Vladivostok, 2005;

• IV Международной научной конференции творческой молодежи «Научно-техническое сотрудничество стран АТР в XXI веке», Хабаровск, 2005;

• Международной научной конференции «Принципы и процессы создания неорганических материалов» (Третьи Самсоновские чтения), Хабаровск, 2006;

• Научной сессии МИФИ - 2007, МИФИ - 2008, Москва, 2007 г., 2008 г.;

• 12th Conference on Laser Optics, L0-2006, St.Peterburg, 2006;

• XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, ВКС-18, С.-Петербург, 2008;

• VII Международной научной конференции «Лазерная физика и оптические технологии», Минск, 2008.

выводы

1. Обнаружено и исследовано кольцевое фотоиндуцированное рассеяние света при облучении номинально чистых и легированных железом кристаллов ниобата лития лазерным излучением в направлении, перпендикулярном оптической оси кристалла. Данное рассеяние имеет место в направлении как отраженных, так и прошедших лучей накачки. Структура и кинетика данного типа ФРРС позволяют предположить необходимость выполнения условий фазового синхронизма при векторном взаимодействии волн накачки и рассеянного света.

2. Для кристалла LiNb03:Fe (0,3 % вес.) обнаружена характерная зависимость угловой ширины центрального пятна ФРРС излучения гелий-неонового маломощного лазера от времени. Зарегистрированы изменения картины центрального пятна диффузионного ФРРС при многократном облучении кристалла (Р = l-v-2 мВт, ^=0,6328 мкм) и последовательном термическом отжиге в течение 30 минут при температуре 200 °С. В кристаллах ниобата лития проявляется эффект термической усталости при многократном отжиге.

3. Широкоугловое ФРРС в кристаллах ниобата лития имеет голографиче-скую природу, а во-вторых, в кристаллах ниобата лития, легированных родием преимущественным механизмом перераспределения фотогенерированных носителей заряда является ФВ механизм.

4. По кинетике угла селективного рассеяния можно исследовать кинетику ФРЭ в кристаллах ниобата лития. Это в свою очередь позволяет определить такую важную характеристику ФРК, как ФР чувствительность. Изучение кинетики ФРРС позволяет достаточно просто и быстро по сравнению с имеющимися методами определять величину и характер фотопроводимости легированных ФР примесями кристаллов ниобата лития.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Фоторефрактивный кристалл ниобата лития является одним из наиболее уникальных и широко применяемых в настоящее время сегнетоэлектриче-ских материалов в пьезотехнике, квантовой, опто- и акустоэлектонике. Оптические свойства этого материала - электрооптические и нелинейнооптиче-ские коэффициенты, чувствительность к голографической записи, возможность получения генерации с самоудвоением частоты, возможность записи изображения — делают его универсальным для оптических применений, подобно кварцу в акустике.

К числу свойств ниобата лития, сильно зависящих от состава, относится эффект фотоиндуцированного показателя преломления («эффект фоторефракции»), приводящий при традиционных оптических применениях к негативным последствиям (искажению волнового фронта проходящего лазерного пучка). Фоторефрактивная запись фазовых решеток, используемая для реализации постоянной памяти и создания устройств с высокой угловой селективностью (фильтров, корреляторов и т.д.) находится пока в стадии разработки. Вместе с тем ведутся разработки по формированию изображения в фотореф-рактивных кристаллах от широкополосного некогерентного излучения, которые могут стать основой для создания новых нелинейно-оптических элементов и приборов нового типа, применяемых в открытых и волоконных линиях связи, для создания новых запоминающих и других устройств. Применение в этих устройствах широкополосного, естественного света может существенно снизить их стоимость.

В настоящей работе рассматриваются способы записи и считывания изображения в фоторефрактивном кристалле ниобата лития при использовании широкополосного некогерентного излучения. Развиваются подходы к анализу и получению спектральных и поляризационных характеристик излучения, прошедшего через систему кристаллических пластинок, используемых для записи изображения. Рассматривается такой негативный эффект для записи оптической информации как фоторефрактивное рассеяние света. Основные результаты работы сводятся к следующему:

1. Запись изображения реализуется при наличии градиента интенсивности записывающего пучка dJ/dz, направленного вдоль полярной оси кристалла. Изменение показателя преломления кристалла пропорционально dJ/dz. Контраст изображения зависит от направления поляризации падающего излучения и в значительной степени от ориентации световых полосок в изображении относительно полярной оси кристалла. Формирование изображения в ФРК широкополосным некогерентным излучением реализуется за счет квадратичной нелинейности кристалла. При записи изображения объектов в ФРК некогерентным широкополосным излучением мешающее влияние ФРРС исключается.

2. Существует характерная точка перехода линейчатого спектра в сплошной, по которой можно определять или устанавливать заданное значение угла поворота кристаллической пластинки. В системе, содержащей поляризатор, анализатор и две кристаллических пластинки, расположенные между ними, можно в значительной степени управлять спектром пропускания за счет поворота плоскостей главных сечений кристаллических пластинок (изменяя эффективную толщину пластинки от d\-di до d\+d2) или за счет поворота плоскости пропускания анализатора. Выявлен эффект компенсации влияния одной из пластинок на спектр проходящего излучения.

3. Параметрический метод построения эллипса поляризации излучения, прошедшего через систему кристаллических пластинок является простым, наглядным и информативным по сравнению с другими существующими методами. С помощью двух и более кристаллических пластинок можно настраивать систему на любую длину волны для задания произвольного вида поляризации, путем поворота кристаллических пластинок относительно направления пропускания поляризатора.

4. В широкоапертурных слабо расходящихся пучках света наблюдаются своеобразные коноскопические картины оптических кристаллов, вид которых существенным образом зависит от угла падения пучков и толщины образцов. Использование широкоапертурных слабо расходящихся пучков света позволяет обнаружить оптические неоднородности кристалла, как приобретенные в процессе роста кристалла, так и предварительно наведенные. Возможна интерференция коноскопических картин при использовании двух и более близко расположенных оптических кристаллов. Сложение картин укладывается в рамки векторной модели сложения коноскопических картин. При помощи предложенной схемы возможно формирование различных пространственных структур пучков света, а также производить оценку имеющихся световых пучков.

5. Облучение нелегированных кристаллов ниобата лития некогерентным излучением создает внутреннее электрическое поле, которое при много- • кратном закорачивании кристалла (на l-s-5 мин) не компенсируется полностью, и при размыкании электродов ФВ напряжение растет по такому же закону, как и при облучении. Значение напряжения, соответствующее насыщению, уменьшается при каждом последующем закорачивании кристалла.

6. Скачки ФВ напряжения могут быть обусловлены локальной переполяризацией кристалла и поверхностным электрическим пробоем. Фотонапряжение появляется на гранях кристалла независимо от степени когерентности излучения. ФВ отклик пропорционален ширине спектра используемого широкополосного излучения и обеспечивается одинаковыми частотными компонентами широкого спектра излучения. Перекрестные частотные компоненты в ФВЭ вклада не дают, так как не когерентны.

7. Обнаружено и исследовано кольцевое фотоиндуцированное рассеяние света при облучении номинально чистых и легированных железом кристаллов ниобата лития лазерным излучением в направлении, перпендикулярном оптической оси кристалла. Структура и кинетика данного типа ФРРС позволяют предположить необходимость выполнения условий фазового синхронизма при векторном взаимодействии волн накачки и рассеянного света.

8. В кристаллах ниобата лития проявляется эффект термической усталости при многократном отжиге в течение 30 минут при 200 °С, аналогичный эффекту электрического старения кристаллов.

9. Широкоугловое ФРРС в кристаллах ниобата лития имеет голографи-ческую природу. В кристаллах ниобата лития, легированных родием преимущественным механизмом перераспределения фотогенерированных носителей заряда является ФВ механизм. По кинетике угла селективного рассеяния можно исследовать кинетику ФРЭ в кристаллах ниобата лития. Это в свою очередь позволяет определить такую важную характеристику ФРК, как ФР чувствительность. Изучение кинетики ФРРС позволяет достаточно просто и быстро по сравнению с имеющимися методами определять величину и характер фотопроводимости легированных ФР примесями кристаллов ниобата лития.

В заключение также хочется выразить особую благодарность моему научному консультанту Строганову Владимиру Ивановичу за постоянный интерес к работе, плодотворное обсуждение результатов и поддержку в работе. А также всем членам кафедры «Физика» Дальневосточного государственного университета путей сообщения за оказание моральной и другой помощи в течение работы над диссертацией.

Огромное спасибо Волк Татьяне Рафаиловне за интересные предложения по работе над диссертацией и радушный прием в стенах Института Кристаллографии РАН. А также Константиновой Алисе Федоровне и Евдищенко Елене Александровне за плодотворное обсуждение некоторых проблем, связанных с необычными коноскопическими картинами в оптических кристаллах.

Не могу не отметить благосклонное отношение, понимание и всяческую поддержку моей семьи, а именно моей супруги — Сюй Татьяны Сергеевны, отца —

Сюй Вячеслава Александровича матери - Сюй Раисы

Егоровны, сестры — Сюй Марины Вячеславовны и всех близких родственников, желающих мне всяческих успехов и достижений в жизни.

Особую благодарность следует выразить начальнику Управления аспирантуры, докторантуры и повышения научной квалификации ДВГУПС в лице Рудыха Олега Львовича и ректору ДВГУПС в лице Дынькина Бориса Евгеньевича за материальную поддержку при оформлении диссертации.

1. Гурзадян, Г.Г. Нелинейно-оптические кристаллы. Свойства и применение в квантовой электронике / Г.Г. Гурзадян, В.Г. Дмитриев, Д.Н. Нико-госян. — М.: Радио и связь, 1991. 160 с.

2. Бережной, А.А. Электрооптические модуляторы и затворы / А.А. Бережной // Оптический журнал. — 1999. № 7 — С. 3-19.

3. Мустель, Е.Р. Методы модуляции и сканирования света / Е.Р. Мус-тель, В.Н. Парыгин. М.: Наука, 1970. - 295 с.

4. Петров, М.П. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике / М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. СПб.: Наука, 1992. - 320 с.

5. Стурман, Б.И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления / Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. М.: Наука, 1992.-208 с.

6. Фридкин, В.М. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлек-триках / В.М. Фридкин, Б.Н. Попов // УФН. 1978. - Т. 124. - № 4. - С. 657671.

7. Лазарев, В.Г. Объемный фотовольтаический эффект и нетермализован-ные носители. Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. М.: ИКАН СССР, 1985.- 17 с.

8. Погосян, А.Р. Объемный фотовольтаический эффект и фотогальвано-магнитные явления в кристаллах иодата и ниобата лития. Автореф. дис. . канд .физ.-мат. наук. М.: ИКАН СССР, 1983. - 18 с.

9. Белинчер, В.И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии / В.И. Белинчер, Б.И. Стурман // УФН. 1980. - Т. 130. - № 3. - С. 415-458.

10. Glass, A.M. Dependence of refractive index from lighting / A.M. Glass, D. vonderLinde//Ferroelectrics. 1976.-V. 10.-P. 163-167.

11. Ashkin, A. Photorefractive effect in crystals / A. Ashkin, C.D. Boyd,

12. T.M. Dziedzic et al. // Appl. Phys. Lett. 1966. - V. 9. - P. 72-80.

13. Леванюк, А.П. Механизмы фоторефрактивного эффекта / А.П. Леванюк, В.В. Осипов // Известия АН. СССР, сер. физ. 1977. - Т. 41. - С. 752770.

14. Казлаускас, А.В., Левинсон И.Б. // ФТТ.- 1964. Т. 6. - С. 3192.

15. Гальперин, Ю.С., Коган Ш.М. // ФТП. 1968. - Т. 2. - С. 1697.

16. Гальперин, Ю.С., Коган Ш.М. // ЖЭТФ. 1969. - Т. 56. - С. 355.

17. Данишевский, A.M., Кастальский А.А., Рыбкин С.М., Ярошецкий И.Д. // ЖЭТФ. 1970. - Т. 58. - С. 544.

18. Рыбкин, С.М. Проблемы современной физики / С.М. Рыбкин, И.Д. Ярошецский. Л.: Наука, 1980. - 320 с.

19. Ивченко, Е.А. Новый фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах / Е.А. Ивченко, Г.Е. Пикус // Письма в ЖЭТФ. 1978. - Т. 27. -С. 640-643.

20. Fridkin, V.M. Investigation photovoltaic effect in KDP crystals / V.M. Fridkin, B.N. Popov, K.A. Verchovskaya // Appl. Phys. 1977. - V. 16. - P. 182- • 291.

21. Сиротин, Ю.И. Основы кристаллофизики / Ю.И. Сиротин, М.П. Шаскольская. М.: Наука, 1979. - 640 с.

22. Glass, A.M. Excited state polarization and bulk photovoltaic effect / A.M. Glass, D. von der Linde, D.H. Auston, T. Negran // J. Electron. Mater. — 1975. V. 40. - № 5. - P. 915-943.

23. Ионов, П.В. Температурная и спектральная зависимости фотоволь-таического тока в сегнетоэлектриках / П.В. Ионов, Б.Н. Попов, В.М. Фридкин // Изв. АН СССР: сер. физ. 1977. - Т. 41. - № 4. - С. 771-774.

24. Fridkin, V.M. Photoconductivity in centric ferroelectrics / V.M. Fridkin, A.A. Grekov, P.V. Iona, E.A. Savchenko, A.J. Rodin, K.A. Verkhovskaya // Ferroelectrics 1974. - V. 8. - P. 433.

25. Chen, F.S. Optically induced change of refractive indices in LiNb03 and

26. Ta03 / F.S. Chen // J. Appl. Phys. 1969. - V. 40. - № 8. - P. 3389-3396.

27. Kratzin E., Kurz H. //Ferroelectrics. 1976. -V. 13. - P. 295.

28. Адирович, Э.И. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника / Э.И. Адирович. — Ташкент, 1972. 240 с

29. Glass, A.M. Excited state dipole moments of impurities in piroelectrics crystals and their applications / A.M. Glass, D.H. Auston // Ferroelectrics. 1974. -V. 7.-P. 187-189.

30. Chen, F.S. Light modulation and beam deflection with potassium tanta-lat-niobate crystals / F.S. Chen, J.E. Geusic, S.K. Kurts, J.G. Skinner, S.H. Wem-ple // J. Appl. Phys. 1966. -V. 37. -№ 1. - P. 388-398.

31. Glass, A.M. High voltage bulk photovoltaic effect and photorefractive process / A.M. Glass, D. von der Linde, T.J. Negran // Appl. Phys. 1974. - V. 25. - № 4. — P. 233-235.

32. Glass, A.M. Dependence of refractive index from lighting / A.M'. Glass, , .; D. von der Linde // Ferroelectrics. 1976. - V. 10. - P. 163.

33. Верховская, К.А. Эффект аномально больших фотонапряжений, в ортониобате сурьмы / К.А. Верховская, А.Н. Лобачев, Б.Н. Попов, В.И. По-политов, В.Ф. Пескин, В.М. Фридкин // Письма ЖЭТФ. 1976. - Т. 23 - № 9. -С. 522-523.

34. Белинчер, В.И. Фотогальванический эффект в кристаллах с полярной осью / В.И. Белинчер, В.К. Малиновский, Б.И. Стурман // ЖЭТФ. 1977. -Т. 73. - № 8 - С. 692-699.

35. Греков, А.А. Фотосегнетоэлектрические эффекты в сегнетоэлектри-ках-полупроводниках типа А5В6С7 с низкотемпературными фазовыми переходами / А.А. Греков, М.А. Малицкая, В.Д. Спицина, В.М. Фридкин // Кристаллография. 1970. - Т. 15. - № 3. - С. 500-509.

36. Gunter, F. Photorefractive effects and photocurrents in КМЮз / F. Gunter, F. Mecheron // Ferroelectrics. 1978. - V. 18. - № 1. - P. 27-38.

37. Фридкин, В.М. Фотосегнетоэлектрики / В.М. Фридкин. М.: Наука,1979.-264 с.

38. Вартанян, Э.С. О поверхностном характере скачков наведенного изменения показателя преломления в ниобате лития / Э.С. Вартанян, Р.К. Овсе-пян // Квантовая электроника. 1979. - Т. 6. - № 11. - С. 2455-2456.

39. Белинчер, В.И. Пространственно осциллирующий фототок в кристаллах без центра симметрии / В.И. Белинчер // Препринт № 75, ИАиЭ СО АН СССР. Новосибирск, 1977. - 43 с.

40. Белабаев, К.Г. Фотовольтаический эффект в восстановленных кристаллах ниобата лития / К.Г. Белабаев, В.Б. Марков, С.Г. Одулов // ФТТ. — 1978. Т. 20. -№ 8. - С. 2520-2522.

41. Fridkin, V.M. Effect of anomalous bulk photo voltage in ferroelectrics / V.M. Fridkin, B.N. Popov, K.A. Verkhovskaya // Phys. stat. sol. 1977. - V. 39. --№ l.-P. 199-201.

42. Иванов, П.Б. Аномальный фотовольтаический эффект в полупро-водниках-сегнетоэлектриках при облучении кристаллов ионизирующим излучением / П.Б. Иванов, Э.Т. Шипатов // ФТТ. 1979. - Т. 21. - № 5. - С. 1565-1567.

43. Kratzin, Е. Photorefractive and photovoltaic effects in doped LiNb03 / E. Kratzin, H. Kurz // Optic acta. 1977. - V. 24. - № 4. - P. 475-482.

44. Канаев, И.Ф. Исследования механизмов фоторефракции в кристаллах ниобата лития. Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. — Новосибирск: ИАиЭ СО АН СССР, 1980. 20 с.

45. Канаев, И.Ф. Аномально сильное влияние электродов на фотогальванический ток в кристаллах ГлМэОз / И.Ф. Канаев, В.К. Малиновский // Автометрия. 1995. -№ 5. - С. 3-9.

46. Волк, Т.Р. Фотосегнетоэлектрические явления в фоторефрактивных сегнетоэлектриках. Автореф. дис. . д-ра физ.-мат. наук. — Москва: ИК РАН 1995.-32 с.

47. Канаев, И.Ф. Природа ограничения пространственного разрешения при записи голограмм в кристаллах LiNb03 / И.Ф. Канаев, В.К. Малиновский,

48. A.В. Новомлинцев, A.M. Пугачев // Автометрия. 1996. — № 3. - С. 3-15.

49. Fridkin, V.M. The possible mechanism for the bulk photovoltaic effect and optical damage in ferroelectrics / V.M. Fridkin // Appl. Phys. 1977. - V. 13. -P. 357-538.

50. Белинчер, В.И. Фотоиндуцированные токи в сегнетоэлектриках /

51. B.И. Белинчер, И.Ф. Канаев, В.К. Малиновский, Б.И. Стурман // Автометрия. -1976.-Т. 4.-С. 23-28.

52. Сюй, А.В. Влияние широкополосного некогерентного излучения на фотоотклик в кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй, В.И. Строганов; В.В. Криштоп, Лихтин В.В. // Оптика и спектроскопия 2008. - Т. - 104. - № 1.1. C. 140-143.

53. Сюй, А.В. Исследование фотовольтаического эффекта в нелегированных кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй, Ю.М. Карпец, Н.В. Марченков . . // Сборник научных трудов. "Нелинейные процессы в оптике". Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 1999. - С. 29-32.

54. Сюй, А.В. Фоторефрактивное рассеяние в кристаллах ниобата лития Дис. . канд. физ.-мат. наук. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2000. - 110 с.

55. Иванов, В.И. Кинетика фотовольтаического эффекта в легированных и нелегированных кристаллах ниобата лития / В.И. Иванов, Ю.М. Карпец, А.В. Сюй // Бюллетень научных сообщений № 3. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 1998.-С. 83-86.

56. Сюй, А.В. Фотовольтаический эффекты в легированных кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй, Ю.М. Карпец, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений № 5. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2000. - С. 45-49.

57. Сюй, А.В. Фотовольтаический эффект в кристаллах LiNb03:Fe (0,3 %) / А.В. Сюй, В.В. Лихтии, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений № Ю. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2005. - С. 70-74.

58. Сюй, А.В. Фотовольтаический эффект в кристаллах LiNb03:Fe (0,3%) / А.В. Сюй, В.В. Лихтин, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений № 10. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2005. - С. 70-74.

59. Сюй, А.В. Фотовольтаический эффект в кристаллах ниобата лития от некогерентного широкополосного излучения / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Лихтин // Труды V Международной конференции молодых ученых и специалистов «0птика-2007». СПб., 2007. - С. 84-85.

60. Канаев, И.Ф. Фотогальванический и фоторефрактивный эффекты в кристаллах ниобата лития / И.Ф. Канаев, В.К. Малиновский // ФТТ. 1982. — Т. 24. -№ 7. -С. 2149-2158.

61. Волк, Т.Р. Электрические поля при фоторефракции в кристалле LiNb03:Fe / Т.Р. Волк, А.В, Гинзберг, В.И. Ковалевич, Л.А. Шувалов // Известия АН СССР, сер. физ. 1977. - Т. 41. - № 4. - С. 783-787.

62. Gunter, Р. // Phys. Rev. 1982. V. 93. - P. 199.

63. Коваленко, JI.JI. Влияние температуры кристалла ниобата лития на фоторефракцию / Л.Л. Коваленко, О.В. Скоблецкая, Г.П. Стариченко // Сборник научных трудов «Нелинейные процессы в оптических кристаллах». -Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 1998. С. 65-68.

64. Chen, F.S. Holographic storage in LiNb03 / F.S. Chen, J.T. La Machina, D.B. Fraser // Appl. // J. Appl. Phys. 1970. - V. 41. - № 8. - P. 3279-3282.

65. Jonston, W.D. Optical index damage in LiNb03 and other pyroelectric insulatore / W.D. Jonston // J. Appl. Phys. 1970. - V.41. - № 8. - P. 3279-3282.

66. Amodei, J.J. Mehanisms photorefractive effect / J.J. Amodei, D.L. Stae-bler // RCA Rev. 1972. - V. 33. - P. 71-76.

67. Amodei, J.J. Electron diffusion effect during holographic recordinary in insulators / J.J. Amodei // Appl. Phys. Lett. 1971. -V. 18. - P. 22-25.

68. Кузьминов, Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением / Ю.С. Кузьминов. — М.: Наука, 1982. — 400 с.

69. Леванюк, А.П. К теории оптического искажения в сегнето- и пиро-электриках / А.П. Леванюк, В.В. Осипов // Изв. АН СССР: Сер. физ. 1975. -Т. 39. - С. 686-689.

70. Levanyuk, А.Р. Optical distortion in crystals / A.P. Levanyuk, V.V. Osi-pov // Phys. Stat. Sol. 1976. - V. 35. - № 2. - P. 605-614.

71. Леванюк, А.П. К теории фотоиндуцированного изменения показателя преломления / А.П. Леванюк, В.В. Осипов // ФТТ. 1975. - Т. 17. - № 15.-С. 3595-3602.

72. Пашков, В.А. Наведённая оптическая неоднородность в ниобате лития во внешнем электрическом поле / В.А. Пашков, Н.М. Соловьёва, Н.Б. Ан-герт// ФТТ. 1979. - Т. 21. -№ 1. - С. 92-95.

73. Леванюк, А.П. Механизмы фоторефрактивного эффекта в ниобате лития с железом / А.П. Леванюк, В.М. Уюкин, В.А. Пашков, Н.М. Соловьёва // ФТТ. 1980. - Т. 22. - № 4. - С. 1161-1169.

74. Von der Linde, D. Photorefractive effects for reversible holographicstorage of information / D. Von der Linde, A.M. Glass // Appl. Phys. 1975. - P. 163-192.

75. Кочев, К.Д. Эффект оптического искажения в сегнетоэлектрическом кристалле наобата бария-стронция. Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. — Москва: ИК АН СССР, 1975. 18 с.

76. Glass, A.M. Photoinductive and excited state dipole mechanisms for optical storage in pyroelectrics / A.M. Glass, D. Von der Linde. // Ferroelectrics. — 1976.-V. 10.-P. 163-166.

77. Phillips, W. Optical and holographic storage properties of transition metal doped lithium niobate / W. Phillips, J.J. Amodei, D.L. Staebler // RCA Rev. 1972. -V. 33. -№ 3. -P. 94-109.

78. Magnusson, R. Laser scattering induced holograms in LiNb03 / R. Mag-nusson, T. Gaylord // Appl. Opt. 1974. -V. 13. -№ 7. - P. 1545-1548.

79. Kanaev, I.F. Investigation on photoinduced scattering in LiNbOj,crystals' . / I.F. Kanaev, V.K. Malinovski, B.I. Sturman // Opt. Comm. 1980. - V. 34. - № l.-P. 95-100.

80. Обуховский, В.В. Процессы фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах. Автореф. дис. . д-ра физ.-мат. наук. Киев: Изд-во КГУ, 1989. -24с.

81. Авакян, Э.М. Поляризационно-анизотропное светоиндуцированное рассеяние в кристаллах LiNb03:Fe / Э.М. Авакян, К.Г. Белабаев, С.Г. Одулов // ФТТ. 1983. - Т. 25. - В. 11. - С. 3274-3281.

82. Обуховский, В.В. Природа фотоиндуцированного рассеяния света в сегнетоэлектрических кристаллах /В.В. Обуховский // Укр. физ. журнал. — 1989. Т. 34. -№ 3. - С. 364- 368.

83. Zhang, G. Degenerate simulated parametric scattering in LiNb03:Fe / G. Zhang, Q.X. Li, P.P. Ho, R.R. Alfano // Opt. Soc. Am. 1987. - V. 3 - № 6. - P. 882-885.

84. Белабаев, К.Г. Новое параметрическое рассеяние света гологра-фического типа в 1Л№>Оз / К.Г. Белабаев, И.Н. Киселева, В.В. Обуховский и др. // ФТТ. 1986. - Т. 28. -№ 2. - С. 575-578.

85. Odulov, S. Degenerate stimulated parametric scattering in 1ЛТаОз / S. Odulov, K. Belabaev, I. Kiseleva // Opt. Lett. 1985. - V. 10. - № 5. - P. 342346.

86. Grousson, R. Amplified backward scattering in LiNbOsrFe / R. Grous-son, S. Mallick, S. Odulov // Opt. Comm. 1985. - V. 51. - № 5. - P. 342-346.

87. Новиков, А.Д. Взрывная неустойчивость и оптическая генерация в фоторефрактивных кристаллах / А.Д. Новиков, С.Г. Одулов, В.В. Обуховский, Б.И. Стурман // ПЖЭТФ. 1986. - Т. 44. - № 9. - С. 418-421.

88. Обуховский, В.В. Четырехволновое кросс-рассеяние света в кристаллах / В.В. Обуховский, В.В. Лемешко // ПЖТФ. 1986. - Т. 12. - № 16. -С. 961-966.

89. Обуховский, В.В. Четырехволновое кросс-рассеяние света в кристаллах ниобата лития / В.В. Обуховский, В.В. Лемешко // Укр. физ. журн. — 1987.-Т. 32. —№ 11. — С. 1663-1668.

90. Лемешко, В.В. Особенности фотоиндуцированного рассеяния света в кристаллах ниобата лития. Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук. — Киев: Изд-во КГУ, 1989. 17 с.

91. Обуховский, В.В. Автоволны фотоиндуцированного рассеяния света / В.В. Обуховский, В.В. Лемешко // ПЖТФ. 1985. - Т. 11. - № 22. - С. 1388-1393.

92. Степанов, С.И. Дифракция света с поворотом плоскости поляризации на объемных голограммах в электрооптических кристаллах / С.И. Степанов, М.П. Петров, А.А. Камшилин // ПЖТФ. 1977. - Т. 3. - № 7. - С. 849854.

93. Забродин, К.Н. Динамика параметрического рассеяния света голо-графического типа / К.Н. Забродин, А.Н. Пенин // Квантовая электроника.1991.-Т. 18.-№5.-С. 622-626.

94. Обуховский, В.В. Параметрическое рассеяние света голографиче-ского типа / В.В. Обуховский // Укр. физич. журнал. — 1986. — Т. 31. № 1. — С. 67-74.

95. Kogelnik, Н. Coupled wave theory for thick hologram grating / H. Ko-gelnik // Bell Syst. Techn. Journ. 1969. - V. 48. - № 9. - P. 2909-2947.

96. Максименко, B.A. Кольцевые структуры при фоторефрактивном рассеянии света в кристалле LiNb03:Fe / B.A. Максименко, Ю.М. Карпец, В.И. Строганов, О.В. Скоблецкая, А.В. Сюй // Оптика и Спектроскопия. -2001. Т. 91. - № 6. - С. 907-908.

97. Сюй, А.В. Фоторефрактивное рассеяние излучения гелий-неонового лазера в кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Лихтин, // Оптический журнал. 2007. - Т. 74. - № 5. - С. 79-81.

98. Максименко, В.А. Определение фотопроводимости легированных кристаллов ниобата лития по фотоиндуцированному рассеянию света / В.А. Максименко, Е.В. Данилова, А.В. Сюй // Изв.ВУЗов. Приборостроение. —2007. Т. 50. - № 9. - С. 28-30.

99. Данилова, Е.В. Анализ индикатрисы фотоиндуцированного рассеяния света в кристаллах ниобата лития / Е.В. Данилова, В.А. Максименко, А.В. Сюй, В.В. Криштоп // Изв.ВУЗов.Приборостроение. 2007. - Т. 50. - № 10.-С. 64-66.

100. Максименко, В.А. Фотоиндуцированные процессы в кристаллах ниобата лития / В.А. Максименко, А.В. Сюй, Ю.М. Карпец. -М.: Физматлит,2008.-96 с.

101. Staebler, D.L. Coupled wave analysis of holographic storage in LiNb03

102. D.L. Staebler, J.J. Amodei // J. Appl. Phys. 1972. - V. 43. - № 3. - P. 10421049.

103. Обуховский, В.В. Фотоиндуцированное рассеяние света на флук-туациях фотоэлектрических параметров среды /В.В. Обуховский, А.В. Стоянов, В.В. Лемешко // Квантовая электроника. 1987. - Т. 14. - № 1. - С. 113121.

104. Обуховский, В.В. Объемный заряд в сегнетоэлектриках как механизм фотоиндуцированного рассеяния света /В.В. Обуховский, А.В. Стоянов // ФТТ. 1987. - Т. 29. -№ 10. - С. 2919-2926.

105. Кухтарев, Н.В. Поляризационно-анизотропное светоиндуцирован-ное рассеяние в кристаллах LiNb03:Fe / Н.В. Кухтарев, В.Б. Марков, С.Г. Одулов // ФТТ. 1980. - Т. 50. - № 9. - С. 1905-1914.

106. Стурман, Б.И. Фотогальванический эффект новый механизм нелинейного взаимодействия волн электрооптических кристаллах / Б.И. Стурман // Квантовая электроника. - 1980. - Т. 7. - № 3. - С. 483-488.

107. Винецкий, В.Л. Динамическая самодифракция когерентных световых пучков / В.Л. Винецкий, Н.В. Кухтарев, С.Г. Одулов, М.С. Соскин // УФН. 1979. — Т. 129.-№ 1.-С. 113-138.

108. Морозовская, А.Н. Автоволновая неустойчивость в фоторефрактивных кристаллах / А.Н. Морозовская, В.В. Обуховский // Оптика и спектроскопия. 2000. - Т. 88. - № 2. - С. 263-269.

109. Морозовская, А.Н. Оптические автоволны в фоторефрактивных сег-нетоэлектрических кристаллах / А.Н. Морозовская, В.В. Обуховский // Оптика и спектроскопия. -2005. Т. 98. -№ 2. - С. 282-291.

110. Морозовская, А.Н. Динамическое гало-рассеяние в фоторефрактивных кристаллах / А.Н. Морозовская, В.В. Обуховский // Оптика и спектроскопия. 2002. - Т. 92. - № 5. - С. 839-846.

111. Дмитрик, Г.Н. Влияние фоторефракции на рэлеевское рассеяние света в LiNb03:Fe / Г.Н. Дмитрик, П.А. Короткое, В.В. Обуховский // Оптикаи спектроскопия. 1983. - Т. 55. -№ 2. - С. 399-400.

112. Лихтин, В.В. Особенности фоторефрактивного рассеяния света в сегнетоэлектриках при маломощной лазерной накачке /В.В. Лихтин, А.В. Сюй, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2004. - С. 25-28.

113. Киселева, И.Н. Фотоиндуцированная дисперсия света в кристаллах . при бигармонической накачке / И.Н. Киселева, С.Г. Одулов, О.И. Олейник, В.В. Обуховский // Укр. физич. журнал. 1986. - Т. 31. - № 11. - С. 16821686.

114. Лемешко, В.В. Домены в фотовозбужденном LiNb03:Fe / В.В. Ле-мешко, В.В. Обуховский // ФТТ. 1988. - Т. 30. -№ 6. - С. 1614-1618.

115. Обуховский, В.В. Фотоиндуцированное релеевское рассеяние света в кристаллах / В.В. Обуховский , А.В. Стоянов // Оптика и спектроскопия. 1985. - Т. 58. - № 2. - С. 378-385.

116. Карпец, Ю.М. Спекл-структура излучения, рассеянного фотореф-рактивным кристаллом / Ю.М. Карпец, В.И. Строганов, Н.В. Марченков, А.В. Емельяненко // Оптика и спектроскопия. — 1989. — Т. 67. № 4. — С. 982985.

117. Обуховский, В.В. Фотоиндуцированное рассеяние света в кристаллах с локальным откликом / В.В. Обуховский, А.В. Стоянов // Физика твердого тела. 1986. - Т. 28. - № 2. - С. 405-411.

118. Сущинский, М.М. Вынужденное рассеяние света / М.М. Сущин-ский. -М.: Наука, 1985. 176 с.

119. Карпец, Ю.М. Фотоиндуцированное рассеяние света в кристаллах LiNb03:Rh / Ю.М. Карпец, В.А. Максименко // Оптический журнал. — 2004. -Т. 71. — № 9. — С. 6-7.

120. Максименко, В.А. Селективное фоторефрактивное рассеяние света в кристаллах LiNb03:Rh / В.А. Максименко, Ю.М. Карпец, В.И. Строганов // Оптика и спектроскопия. 2004. - Т. 97. - № 4. - С. 620-623.

121. Одулов, С.Г. Лазеры на динамических решетках / С.Г. Одулов, М.Н. Соскин, А.И. Хижняк. -М.: Наука, 1990. 272 с.

122. Simon М., Jermann F., Kratzig Е. // Opt. Matirials. 1994. - V. 3. - P. 101.

123. Авакян, Э.М. Особенности наведенной неоднородности в кристаллах LiNb03 с примесью ионов железа / Э.М. Авакян, С.А. Алавердян, К.Г. Белабаев, В.Х. Саркисов, К.М. Туманян // ФТТ. 1978. - Т. 20. - № 8. - С. 2428-2432.

124. Сюй, А.В. Влияние электрических полей на процессы фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй, В.В. Строганов, В.В. Лихтин, В.В. Максименко // Бюллетень научных сообщений №12. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2007. - С. 47-50.

125. Максименко В.А., Карпец Ю.М., Данилова Е.В., Сюй А.В. Особенности индикатрисы фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах // Электронный журнал «Исследовано в России». С. 624-628. — 2006. — http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2006/063.pdf.

126. Ребрин, Ю.К. Управление оптическим лучом в пространстве / Ю.К. Ребрин. -М.: Сов. радио, 1977. 336 с.

127. Пихтин, А.Н. Оптическая и квантовая электроника / А.Н. Пихтин. — М.: Высшая школа, 2001. 573 с.

128. Архонтов, Л.Б. Многоканальные электрооптические модуляторы для цифровых систем записи и обработки информации / Л.Б. Архонтов, А.А. Данилов, Б.С. Киселев и др. / Радиотехника. — 1984. — № 7. — С. 23-27.

129. Ахманов, С.А. Самофокусировка и дифракция света в нелинейной среде / С.А. Ахманов, А.П. Сухоруков, Р.В. Хохлов // УФН. 1967. - Т. 93. -№1.-С. 19-70.

130. Луговой, В.Н. Теория распространения мощного лазерного излучения в нелинейной среде / В.Н. Луговой, A.M. Прохоров // УФН. 1973. - Т. 111.-№2.-С. 203-247.

131. Най, Дж. Физические свойства кристаллов / Дж. Най. М: Мир, 1967. -185 с.

132. Патент РФ № 2004116031/28 G02F1/00. Электрооптический модулятор / В.И. Строганов, Е.В. Толстов, В.В. Криштоп, И.В. Рапопорт, М.Н. Литвинова, А.В. Сюй (РФ). Опубл. 2005.11.10. Приоритет от 25.05.2004.

133. Бережной, А.А. Пространственно-временной модулятор света типа «Приз» с волоконно-оптическим входом / А.А. Бережной, А.А. Бужинский, Ю.В. Попов, Т.Н. Шерстенева // Оптико- механическая промышленность. — 1985.-№8.-С. 24-27.

134. Бережной, А.А. Широкоапертурный электрооптический модулятор немонохроматического света / А.А. Бережной, О.А Сеничкина //Оптический журнал. 1994. -№ 5. - С. 30-34.

135. Сонин, А.С. Электрооптические кристаллы / А.С. Сонин, А.С. Василевская,-М.: Атомиздат, 1971. — 397 с.

136. Никогосян, Д.Н. Кристаллы для нелинейной оптики / Д.Н. Никогосян, Г.Г. Гурзадян // Квантовая электроника. — 1987. — Т. 14. — № 8 С. 15291541.

137. Акустические кристаллы. Справочник / под. ред. М.П. Шасколь-ской. М.: Наука, 1982. - 670 с.

138. Salvestrini, J.P. Investigation of electrooptic modulation from organic -inorganic crystals / J.P. Salvestrini, J. Zaccaro, A. Ibanez, M.D. Fontana //Appl. Phys. 1998. - В 67. - P. 761-763.

139. Батанова, H.JI. Роль ян-теллеровских ионов в оптическом формировании доменов в ниобате лития / H.JI. Батанова, А.В. Голенищев-Кутузов, В.А. Голенищев-Кутузов, Р.И. Калимуллин // ФТТ. 2006, Т. 48. В. 11, С. 2017-2021.

140. Rauber, A. Chemistry and Physics of Lithium Niobate. Current Topic in Materials Science / Eds. E. Kalds. Amsterdam. North-Holland. - 1978. - V. 1. -P. 481-501.

141. Лайнс, M. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс. -М.: Мир, 1981. 736 с.

142. Abrahams, S.C. Properties of Lithium Niobate / S.C. Abrahams. NY., 1989.-234 p.

143. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Паснков, М.С. Шур. Л.: Наука, 1971.-476 с.

144. Блистанов, А.А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики / А.А. Блистанов. М.: Изд-во МИСИС, 2000. - 430 с.

145. Бережной, А.А. Индуцированная оптическая анизотропия в фото-рефрактивных кристаллах / А.А. Бережной / Оптический журнал. — 1995. -№ 1.-С. 6-23.

146. Buse, К. Light-induced charge transport processes in photorefractive crystals I: Models and experimental methods / K. Buse // Appl. Phys. 1997. - В 64.-P. 273-291.

147. Сидоров, Н.В. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны / Н.В. Сидоров, Т.Р. Волк, Б.Н. Маврин, В.Т. Калинников. М.: Наука, 2003. - 255 с.

148. Бережной, А.А. Анизотропия электрооптического взаимодействия в кристаллах LiNb03 / А.А. Бережной // Оптика и спектроскопия. 2002. — Т. 92. -№ 3. - с. 503-509.

149. Бережной, А.А. Исследование многоканальной модуляции оптического излучения в кристаллах ниобата лития / А.А. Бережной, Е.Н. Плахотин // ЖТФ. 1990. - Т. 60. - № 11. - С. 142-146.

150. Sarkison, S.S. Nonlinear optical waveguides produced MeV ion-implantation in LiNb03 / S.S. Sarkison, M.J. Curley, E.K. Williams, and other // Nucl. In-strum. andMeth. Phys. Res. -2000. -B. 166-167. P. 750-757.

151. Atuchin, V.V Couses of refractive indeces changes in He-implanted LiNb03 and LiTa03 waveguides / V.V. Atuchin / Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. 2000. - B. 168. - №4. - P. 498-502.

152. Tascu, S. Optical near-field measurements of guided modes in various processed LiNb03 and LiTa03 channel waveguides / S. Tascu, P. Moretti, S. Kos-tritskii, B. Jacquier / Optical Materials. 2003. - V. 24. - Iss. - 1-2. - P. 297-302.

153. Takahashi, M. Preparation and characterization of high-quality stoichiometric LiNb03 thick films prepared by the sol-gel method / M. Takahashi, K.

154. Yamauchi, Т. Yagi and other / Thin Solid Films. 2004. - V. 458. - Iss. 1-2. - P. -108-113.

155. Chah, K. Electro-optic properties in undoped and Cr-doped LiNb03 crystals / K. Chah, M.D. Fontana, M. Aillerie, P. Bourson, G. Malovichko // Appl. Phys. — 1998—В 67. — P. 65-71.

156. Baumann, I. Erbium incorporation in LiNb03 by diffusion-doping / I. Baumann, R. Brinkmann, M. Dinand and other //Appl. Phys. 1997. - A 64. — P. 33-44.

157. Hukriede, J. Thermal fixing of holographic gratings in planar LiN-b03:Ti:Fe waveguides / J. Hukriede, D. Kip, E. Kratzig // Appl. Phys. 1998. - В 66, P. 333-338.

158. Ni, Pei-Gen. Bidimentional nonlinear photon crystal on a basis periodically focused LiNb03 / Ni Pei-Gen, Ma Bo-Qin, Cheng Bing-Ying, Zhang Dao-Zhong / Acta phys. sin. 2003. - 52. -№ 8. - P. 1925-1928.

159. Arizmendi, L. Photonic applications of lithium niobate crystals / L. Arizmendi // Phys. status solidi. 2004. 1. - № 2. - P. 253-283.

160. Патент РФ № 2006117268/28 (018811) 8 G01J 5/58 Координатно-чувствительный приемник излучения / А.В. Сюй, Г.Г. Здоровцев, В.И. Иванов, С.В. Климентьев, В.В. Криштоп (РФ) Опубл. 25.07.2007. Приоритет от 19.05.2006.

161. Криштоп, В.В. Преобразование инфракрасного излучения с ультрафиолетовой широкополосной накачкой /В.В. Криштоп, Е.В. Толстов, А.В. Сюй и др. // Изв.ВУЗов.Физика. Приложение 2007. - Т. 50. - № 2 - С. 92-93.

162. Криштоп, В.В. Особенности преобразования инфракрасного излучения с широкополосной накачкой в нелинейно-оптических кристаллах /В.В. Криштоп, Е.В. Толстов, В.И. Строганов, А.В. Сюй // Оптический журнал — 2007. Т. 74. - № 4. - С. 24-26.

163. Белинский, А.В. Регулярные и квазирегулярные спектры в разупо-рядоченных слоистых структурах / А.В. Белинский // УФН. — 1995. Т. 165. -№6. -С. 691-702.

164. Константинова, А.Ф. Исследование ориентационной зависимости пропускания системы поляризатор-кристалл-анализатор / А.Ф. Константинова, А.Н. Степанов, Б.Н. Гречушников, И.Т. Улуханов // Кристаллография. -1990. Т. 35. - № 2. - С. 429-432.

165. Витязев, А.В. Влияние поворотов линейных фазовых пластинок на состояние поляризации излучения / А.В. Витязев, В.А. Демченко, В.В. Коро-таев // Оптический журнал. 1998. — Т. 65. — № 1. — С. 34-37.

166. Патент РФ № 2006141076/28 (2334959) 7 G01J 4/00 Способ управления поляризацией света / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Криштоп (РФ) Опубл. 27.09.2008. Приоритет от 20.11.2006.

167. Константинова, А.Ф. Оптические свойства кристаллов / А.Ф. Константинова, Б.А. Гречушников, Б.В. Бокуть, Е.Г. Валяшко. -М.: Наука и техника, 1995.-302 с.

168. Борн, М. Основы оптики /М. Борн, Э. Вольф. М.: Наука, 1973. -856с.

169. Шерклифф, У. Поляризованный свет / У. Шерклифф. М.: Мир, 1965. -254 с.

170. Ахманов, С.А. Физическая оптика / С.А. Ахманов, С.Ю. Никитин. — М.: Изд-во МГУ, 1998. 656 с.

171. Сюй, А.В. Интерференционно-поляризационные характеристики излучения, прошедшего кристаллические пластинки / А.В. Сюй. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2008. - 99 с.

172. Сюй, А.В. Ориентационная зависимость пропускания системы поляризатор-кристалл-кристалл-анализатор // А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строганов, В.В. Криштоп // Оптический журнал 2007. - Т. 74. - № 7. - С. 33-36.

173. Пикуль, О.Ю. Сравнительный анализ поляризационных свойств кристаллических пластинок с различным расположением оптической оси / О.Ю. Пикуль, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений № 10. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2005. - С. 50-55.

174. Рудой, К.А. Перестраиваемые фазовые пластинки / К.А. Рудой, В.И. Строганов, JI.B. Алексеева // Бюллетень научных сообщений № 7. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2002. - С. 45-48.

175. Гречушников, Б.Н.Составные фазовые пластинки / Б.Н. Гречушни-ков, А.И. Вислобоков, Е.А. Евдищенко и др. // Кристаллография. — 1993. Т. 38.-№2.-С. 55-69.

176. Абен, Х.К. К теории составной пластинки в четверть волны / Х.К. Абен // Оптика и спектроскопия. 1962. - Т. 13. - № 5. - С. 746-750.

177. Хасанов, Т. Определение параметров фазосдвигающих пластинок / Т. Хасанов // Кристаллография. 1992. - Т. 37. - № 4. - С. 1041-1043.

178. Абен, Х.К. Об одном подходе к измерению разности фаз при помощи фазовых пластинок / Х.К. Абен // Оптика и спектроскопия. — 1963i — Т. 14. — № 2. — С. 240-246.

179. Абен, Х.К. Некоторые задачи суперпозиции двух двупреломляющих пластинок / Х.К. Абен // Оптика и спектроскопия. 1963. - Т. 15. - № 5. - С. 682-689.

180. Гольцер, И.В. Оптически активный аналог четвертьволновой пластинки / И.В. Гольцер, М.Я. Даршт, Б.Я. Зельдович, Н.Д. Кундикова // Квантовая электроника. 1993.-Т. 20.-№9.-С. 916-918.

181. Витязев, А.В. Влияние поворотов линейных фазовых пластинок на состояние поляризации /А.В, Витязев, В.А. Демченко, В.В. Коротаев // Оптический журнал. 1998. - Т. 65. -№ 1. - С. 34-37.

182. Кравцова, Н.А. Особые свойства пропускания многослойных кристаллических пластинок / Н.А. Кравцова, А.В. Сюй, В.И. Строганов, М.И. Костенко // Оптика конденсированных сред № 11. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2006.-С. 7-12.

183. Нагибина, И.М. Прикладная физическая оптика / И.М. Нагибина, В.А. Москалев, Н.А. Подушкина, B.JI. Рудин. М.: Радио и связь, 1991. - 160 с.

184. Сюй, А.В. Поляризационные характеристики излучения, прошедшего через систему из кристаллических пластинок / А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений № 12. — Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2007. С. 19-24.

185. Сюй, А.В. Критичность степени поляризации излучения, прошедшего через полуволновую пластинку при изменении ее толщины / А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений № 12. — Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2007. С. 10-12.

186. Сюй, А.В. Эллиптичность немонохроматического излучения, прошедшего через фазовую пластинку / А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений №12. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2007.-С. 60-63.

187. Пахомов, А.Г. Метод определения параметров фазовых пластинок / А.Г. Пахомов, В.Я. Посыльный, А.Ф. Константинова // Кристаллография. — 1982. Т. 27, вып.1. - С. 202-203.

188. Сюй, А.В. Параметрический метод построения эллипса поляризации излучения / А.В. Сюй, Н.А. Кравцова, В.И. Строганов, В.В. Криштоп // Изв. ВУЗов. Приборостроение. 2008. - Т. 51. - № 10. - С. 65-69.

189. Меланхолии, Н.М. Методы исследования оптических свойств кристаллов / Н.М. Меланхолии. -М.: Наука, 1970. 155 с.

190. Сюй, А.В. Частный случай коноскопических картин /А.В. Сюй, В.В. Лихтин // Бюллетень научных сообщений № 9. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2005. - С. 46-48.

191. Криштоп, В.В. Экспресс-анализ диффузных оптических изображений / В.В. Криштоп, В.Г. Ефременко, А.В. Сюй и др. // Изв. ВУЗов. Приборостроение. 2006. - Т. 49. - № 8. - С. 21-23.

192. Криштоп, В.В. Определение оптической неоднородности кристаллов по последовательности коноскопических фигур /В.В. Криштоп, М.Н.

193. Литвинова, А.В. Сюй и др. // Оптический журнал. — 2006. Т. 73. - № 12. - С. 84-86.

194. Сюй, А.В. Эволюция коноскопических картин при изменении положения оптической оси кристаллической пластинки / А.В. Сюй, К. А. Рудой, В.И. Строганов, В.В. Криштоп // Изв. ВУЗов. Приборостроение. — 2009. Т. 52. -№ 1.-С. 55-57.

195. Сюй, А.В. Применение теневого метода при исследовании фотореф-рактивного эффекта / А.В. Сюй, Ю.М. Карпец // Сборник научных трудов. «Нелинейные процессы в оптике». Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 1999. - С. 23-29.

196. Карпец, Ю.М. Коноскопические фигуры нового вида / Ю.М. Карпец, В.И. Строганов, А.В. Сюй // Сборник научных трудов «Нелинейная оптика». Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2000. - С. 57-60.

197. Syuy A.V. Interference of conoscopic pictures of optical crystals / A.V. Syuy, V.I. Stroganov // Optics Communications. 2008. - V. 281. - P. 5935-5938.

198. Лобань A.H. Бюллетень научных сообщений Дальневосточной государственной академии путей сообщения. 1996. В. 1. С. 43.

199. Лобань, А.Н. Интерференционные эффекты с немонохроматическим излучением в оптических кристаллических пластинках /А.Н. Лобань и др. // Сборник научных трудов «Оптика». — Хабаровск: Изд-во ДВГАПС, 1993. — С. 37-43.

200. Рудой, К.А. Оптические свойства системы, состоящей из двух кристаллических пластинок / К.А. Рудой, В.И. Строганов // Бюллетень научных сообщений № 7. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2000. - С. 40-44.

201. Пикуль, О.Ю. Наблюдение коноскопических фигур с эллиптически поляризованным излучением / О.Ю. Пикуль, К.А. Рудой,В .И. Строганов, Т.Н. Шабалина // Сборник научных трудов «Оптика конденсированных сред». — Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2004. С. 34-41.

202. Карпец, Ю.М. Полосы равного показателя преломления в прозрачных кристаллах / Ю.М. Карпец, В.И. Строганов, А.В. Сюй // Сборник научных трудов «Нелинейная оптика». Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2000. — С. 64-67.

203. Burfoot, J.C. Polar Dielectrics and Their Applications / J.C. Burfoot, G.W. Taylor, 1979.-386 p.

204. Дмитриев, В.Г. Прикладная нелинейная оптика / В.Г. Дмитриев, Л.В. Тарасов. — М.: Радио и связь, 1982. — 352 с.

205. Белянкин, Д.С. Кристаллооптика / Д.С. Белянкин. М.: Госгеоиздат, 1949.-128 с.

206. Константинова, А.Ф. Оптика анизотропных сред / А.Ф. Константинова, Б.А. Гречушников, И.Т. Улуханов, А.Н. Степанов. М.: МФТИ, 1987. - 244 с.

207. Блистанов, А.А. Старение кристаллов ниобата лития / А.А. Блиста-нов, В.В. Гераськин, Е.В. Макаревская, М. П. Третьяков // Физика твердого тела. 1983. - Т. 25. - № 6. - С. 1660-1663.

208. Педько, Б.Б. Новые эффекты долговременной памяти в кристаллах LiNbC>3 / Б.Б. Педько, Э.В. Лебедев, И.Л. Кислова, Т.Р. Волк // Физика твердого тела. 1998. - Т. 40. - № 2. - С. 337-339.

209. Педько, Б.Б. Эффект термооптической записи в кристаллах 1л№>Оз / Б.Б. Педько, И.Л. Кислова, Т.Р. Волк, Э.В. Лебедев // Кристаллография. -1999.-Т. 44.-В. 1.-С. 134-139.

210. Зубреева, А.А. Исследование возможностей формирования оптических изображений на полярных срезах монокристаллов ниобата лития / А.А. Зубреева, Б.Б. Педько // Нано- и микросистемная техника. 2007. - № 4. - С. 34-38.

211. Петров, М.П. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке / М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. -Л.: Наука, 1983.-269 с.

212. Ламперт, М. Инжекционные токи в твердых телах / М. Ламперт, П. Марк. -М.: Мир, 1973.-416 с.

213. Фрегатов, С.О. Локальное переключение поляризации в кристаллах LiNb03 / С.О. Фрегатов, А.Б. Шерман // Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23. - № 11.-С. 54-58.

214. Фрегатов, С.О. Локальное переполяризация LiNb03 при сканировании иглообразным электродом поверхности, перпендикулярной оси спонтанной поляризации / С.О. Фрегатов, А.Б. Шерман // Письма в ЖТФ. 1998. - Т. 24.-№6.-С. 52-57.

215. Фрегатов, С.О. Локальное формирование заряда в LiNb03 с помощью подвижного иглообразного электрода / С.О. Фрегатов, А.Б. Шерман // ФТТ. — 1999. — Т. 41. — № 3. — С. 510-512.

216. Бережной, А.А. // Письма в ЖТФ. 1980. - Т. 6. - В. 19. - С. 11561160.

217. Бережной, А.А. // Оптика и спектроскопия. 1992. - Т. 72. - В. 2. -С. 400-405.

218. Бережной, А.А. // ФТТ. 1972. - Т. 14. - В. 9. - С. 2576-2580.

219. Адрианов И.И., Бережной А.А., Гуревич В.З., Крупицкий Э.И., Попов Ю.В. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1975. - Т. 39. - В. 6. - С. 1344-1347.

220. Адрианов И.И., Бережной А.А., Гуревич В.З., Письменный В.А., Попов Ю.В. // Квант. Электрон. 1975. - Т. 17. - В. 2. - С. 152-154.

221. Бережной А.А., Королев Ю.Г., Попов Ю.В., Сидоренко Н.В. // Квант. Электрон. 1977. - Т. 4. - В. 9. - С. 2019-2021.

222. Бережной, А.А. Особенности записи оптической информации в фо-торефрактивных кристаллах, обладающих квадратичным электрооптическим эффектом / А.А. Бережной // Оптика и спектроскопия. 1994. - Т. 77. - № 5. - С. 860-864.

223. Сорока, JI.M. Голография и интерференционная обработка информации / Л.М. Сорока // УФН. 1966. -Т. 90. -№ 1. - С. 3-46.

224. Клименко, И.С. Голография сфокусированных изображений / И.С. Клименко, Г.В. Скроцкий // УФН. 1973. - Т. 109. - № 2. - С. 269-292.

225. Колфилд, Г. Оптическая голография / Г. Колфилд. — М.: Мир, 1982. -376 с.

226. Sitar, G.Y. Conoscopic holography. II: emsp Rigorous derivation / G.Y. Sitar // JOSA. A. 1992. - V. 9. - № 1. - P. 84-90.

227. Александров, С.А. Некогерентный метод получения голограмм / С.А. Александров // Оптика и спектроскопия. 1998. - Т. 85. - № 6. - С. 1029-1032.

228. Сюй, А.В. Градиентная запись изображения в кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Лихтин // Оптический журнал. 2007. -Т. 74. -№ 6. - С.17-19.

229. Сюй, А.В. Запись и считывание некогерентного изображения в полярных кристаллах / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.А. Максименко, В.В. Лихтин // Изв. ВУЗов. Приборостроение. 2007. - Т. 50. - № 9. - С. 12-15.

230. Jung-Ping Liu. Incoherent one beam recording in LiNbC>3 / Jung-Ping Liu, Tsung-Hsun Yang, Hon-Fai Yau and Hsiao-Yi Lee // Optics Communications. -2007. Vol. 276. - iss. 1. - P. 67-71.

231. Сюй, А.В. Запись изображения в кристаллах ниобата лития широкополосным излучением / А.В. Сюй. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2008. - 80с.

232. Сюй, А.В. Запись изображения в легированных кристаллах ниобата лития / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Лихтин // Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков XVIII. - СПб.: Изд-во ЛЭТИ, 2008. - С. 236.

233. Сюй, А.В. Оптическая запись в кристаллах LiNb03:Fe(0,3%) / А.В. Сюй, В.И. Строганов, В.В. Лихтин // Труды международной научной конференции «Фундаментальные проблемы оптики». СПб., 2006.