Зондирование объемных электрических полей и зарядов в облученных и радиоактивных твердых диэлектриках с помощью акустических импульсов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ОСНОВНЫЕ ПРОЦЕССЫ РАДИАЩОННОЙ ЭЛЕКТРИЗАЩИ.

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Высокоэнергетическая инжекция носителей заряда

1.1.1. Электронное облучение. ♦

1.1.2. Гамма-облучение.

1.1.3. Избыточный заряд при самооблучении (радиоактивные материалы).

1.2. Процессы релаксации.

1.2.1. Радиационная проводимость.

1.2.2. Перенос заряда избыточными носителями.

1.2.3. Процессы релаксационной поляризации.

1.2.4. Некоторые другие эффекты

1.3. Модели процесса электризации

1.3.1. Примеры моделей радиационного заряжения.

1.4. Методы измерения объемных электрических величин.

1.5. Обзор результатов измерений пространственных распределений электрического поля и заряда

Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЩОННОЙ

ЭЛЕКТРИЗАЩИ.

2.1. Исследуемые твердые диэлектрики и методы их электризации

2.1Л. Характеристика материалов, приготовление образцов.

2.1.2. Облучение образцов

2.2. Теоретические основы метода "акустического зонда"

2.3. Основные факторы искажений в процессе измерения. Оценка точности

2.4. Экспериментальная аппаратура.

2.4.1. Установка для измерения пространственных распределений электрических величин.

2.4.2. Измерения методом "расщепленного цилиндра Фарадея".

Глава 3. ОСНОВНЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ.

3.1. Облучение кристаллических диэлектриков ускоренными электронами.

3.2. Облучение полимеров электронами.

3.3. Заряжение радиоактивных образцов

3.4. "Биографическая" электризация ионных кристаллов.

Глава 4. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ЭКСПЕРИМЕНТА.

АНАЛИЗ ПРОЦЕССОВ ЭЛЕКТРИЗАЦИИ И РЕЛАКСАЦИИ

4.1. Формирование пространственных распределений электрических величин в процессе облучения

4.2. Кинетика, максимальный уровень и устойчивость объемных электрических величин при радиационной электризации

4.3. Заряжение неорганических кристаллов при электронном облучении.

4.4. Заряжение полимеров при электронном облучении

4.5. Заряжение радиоактивных диэлектриков

4.6. "Биографические поля" в щелочногалоидных кристаллах.

Одним из характерных свойств твердых диэлектриков является способность образовывать достаточно устойчивые состояния с отличными от нуля величинами электрического поля и поляризации. Наличие в объеме диэлектрика электрического заряда и поля оказывает существенное влияние на его свойства. Было отмечено влияние объемных полей на различные параметры диэлектриков - механические, оптические, магнитные, электрические /5,15,19,23,53,55,169/ а также на ход физико-химических процессов, в том числе в гетерогенных системах /29,59,85,134/. Как при получении такого состояния диэлектрика (иногда его называют электретным /13,160/) искусственным путем, так и при неконтролируемом (спонтанном) его образовании, процесс может осуществляться различными способами. Часто электризация отмечается при механическом воздействии на твердые тела - разрушении /11,52,54,91/, деформации /94,166/. Наиболее распространенный способ контролируемого получения электретов - воздействие на образец внешнего электрического поля совместно с термо- или фотовоздействием.

Большой научный и практический интерес представляет электризация твердых тел при воздействии ионизирующих излучений - образование радиоэлектретов. Начало интенсивных исследований в дан -ной области было положено в 50-х годах. К настоящему времени накоплен значительный экспериментальный материал, создан ряд теоретических моделей явления. Наибольший вклад в развитие данного направления внесен работами Б.Гросса, Дж.Сесслера, Л.Монтейса -за рубежом; в СССР - А.А.Воробьевым и О.Б.Евдокимовым, А.И.Аки-шиным, В.В.Громовым и др.

Образование объемного электрического поля и заряда (процесс радиационной электризации или, что эквивалентно, радиационного заряжения) практически важно при эксплуатации диэлектриков в поле ионизирующих излучений. Это могут быть элементы и материалы электронных и электротехнических устройств контроля и управления в различных ядерных установках; защитные окна "горячих" камер, элементы устройств, работающих в космосе /29,99,132/.Круг объектов, участвующих в процессах с применением различных видов излучений непрерывно расширяется и, соответственно, растет практическая значимость радиационно-физических явлений, в том числе радиационной электризации /29,92/.

Наряду с очевидной необходимостью изучения закономерностей данного явления и разработкой методов его контроля, представляет интерес возможность его целенаправленного использования. Одним из примеров является разработка гамма-дозиметров /120,123,137/. В научном плане использование радиационного заряжения весьма перспективно для изучения свойств облученных материалов - радиационной проводимости, энергетического спектра дефектов и т.д. /131,148/.

Также важным с точки зрения исследования влияния излучения на твердые тела является комплексный характер радиационно-элек-трических воздействий. Изучение радиационно-физических процессов при наличии контролируемого электрического поля в объеме материалов может расширить и уточнить представления об их механиз -мах и, возможно, выявить новые эффекты /8,62/.

Учитывая, что процесс радиационной электризации является функцией многих параметров, его теоретическое описание, даже при полностью контролируемом радиационном воздействии и правиль

- б ной оценке механизма релаксации заряда в материале, достаточно сложно. Во многих реальных случаях эта задача вряд ли разрешима даже на качественном уровне. Поэтому перспективы изучения радиационной электризации, как с практической, так и с научной точки зрения связаны, прежде всего, с экспериментальным исследованием основных величин, характеризующих это явление. Очевидно, что такими величинами являются плотность объемного заряда и напряженность электрического поля. До настоящего времени усилия в области разработки методов прямого неразрушающего контроля характеристик объемного электрического поля и заряда не привели к созданию достаточно эффектичного метода, пригодного для прямых исследований объемных электрических процессов.

Целью работы является:

1. Разработка метода прямого неразрушающего контроля объемных электрических величин в твердом теле, позволяющего вести исследования в различных твердых телах в широком диапазоне измеряемых величин.

2. Исследование особенностей формирования объемных электрических полей и зарядов в .диэлектриках с различными фундаментальными свойствами и структурой при различных видах облучения.

Научная новизна результатов работы может быть представлена следующими положениями:

1. В настоящей работе впервые использованы для измерения напряженности электрического поля и плотности заряда в объеме твердых диэлектриков механические импульсы малой длительности ("акустическое зондирование").

2. Развита теория "акустического зондирования" объемных электрических величин; разработаны методы оценки точности и анализа экспериментальных данных.

3. Создана установка для неразрушающего контроля объемных электрических величин в твердых телах с использованием ОКГ (лазера) для генерации механических импульсов.

4. Впервые проведено исследование радиационной электризации различных по свойствам и структуре материалов (неорганических кристаллов, полимеров) единым, прямым, неразрушающим методом в с о широком (10 4-10 В/м) диапазоне напряженности электрического поля.

5. Впервые проведено прямое экспериментальное исследование объемной электризации радиоактивных диэлектриков. Предложен метод расчета связи пространственного распределения радиоактивного изотопа и объемных электрических величин - напряженности поля и плотности заряда.

6. Для различных диэлектриков установлено наличие характерных особенностей пространственных распределений напряженности поля и плотности заряда, отражающих специфику процессов радиационной электризации в этих материалах.

Практическая значимость. Применение "акустического зондирования" для исследования радиационной электризации ряда материалов показало эффективность данного метода неразрушающего контроля для широкого круга твердых материалов. Способы технической реализации данного принципа неразрушающего контроля признаны изобретениями, на них выданы авторские свидетельства СССР (№ 890274 и № 976507).

Данные методы могут найти применение в различных областях науки и техники, связанных с применением диэлектриков в условиях воздействия излучений, электрических и других полей, с целью контроля технологических процессов, радиационной стойкости изделий, свойств материалов и т.д.

К защите представляются:

1. Теоретическое обоснование метода "акустического зондирования" .

2. Экспериментальная установка для измерения пространственных распределений напряженности электрического поля и плотности заряда в твердых диэлектриках.

3. Результаты измерения пространственных распределений напряженности электрического поля и плотности заряда в щелочно -галоидных кристаллах, иттрий-алюминиевом гранате, окиси алюминия, рубине, полиметилметакрилате, полиэтилене, облученных электронами.

4. Результаты измерений пространственных распределений напряженности электрического поля и плотности заряда в радиоактивных материалах: иттрий-алюминиевом гранате, содержащем » стекле "пирекс" в полиметилметакрилате, содержащих .

5. Модель расчета связи пространственного распределения радиоактивного изотопа и объемных электрических величин в р -радиоактивных твердых диэлектриках.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и приложений. В основной части работы проведен обзор методов исследования радиационной электризации и основных результатов; дан теоретический анализ нового метода исследования - "акустического зондирования" объемного заряда, описан способ его технической реализации; приведен ряд экспериментальных данных по исследованию радиационной электризации твердых диэлектриков.

Все основные результаты получены методом "акустического зонда", дающим максимальную информацию об объемной электризации твердых тел. В предыдущей главе разработаны его теоретические основы и способ технической реализации. Материал настяощей главы включает как новые данные, которые, собственно, являются целью разработки метода, так и практическую его проверку.

Одним из критериев достоверности полученных результатов является, с одной стороны, совпадение ряда результатов с наиболее надежными и достоверными данными других экспериментальных методов и теоретических моделей. Другим - главным для анализа - соответствие экспериментальных распределений при инверсии образцов требованиям, сформулированным в предыдущей главе. Критерием "неразрушающего" характера измерений была повторяемость результатов при многократных измерениях.

Кривые объемных распределений электрического поля и объемного заряда строились по фотографиям осциллограмм, регистрируемых при измерении сигналов. Зондирование каждого образца проводилось в прямом и обратном направлении. При фтом прямым именуется зондирование образца облученного электронами, если поверхность, на которую падал электронный пучок во время облучения примыкает к электроду возбуждения. На графиках эта поверхность обозначается координатой ос = О . Для других видов облучения направление зондирования выбирается произвольно, если это особо не оговорено. Операция прямого и обратного зондирования предназначена для анализа погрешностей и корректировки результатов согласно (2.38) - (2.41). На рис.14 дан график поправочной функции для образца ПММА, облу

Рис.14. График функции поправок, предназначенных для компенсации затухания звуковой волны при построении функции распределения напряженности поля. ченного электронами.

На рис.15 а,б приведены фотографии сигнала, соответствующего зондированию электрического поля: а - прямое зондирование, б - обратное. Кривая 15в дает истинное распределение напряженности поля, полученное согласно данным рис.14.

В случаях наличия особенностей структуры кривых напряженности поля или плотности объемного заряда, частично не разрешенных пространственно, вводятся поправки, согласно (2.47).

3.1. Облучение кристаллических диэлектриков ускоренными электронами

В группе исследованных кристаллических диэлектриков (таблица I), использованных в работе,наибольшей устойчивостью объемного заряда характеризовались образцы LiP и иттрийалюминиевого граната ( Уз fjts 0<г ) со значительным содержанием МА и Сг . Устойчивость заряда во всех материалах оценивалась по их релаксации после облучения. Первое измерение проводилось меньше,чем через минуту после облучения, поэтому данные таблицы 2 приблизительны, также как и в силу ограниченной точности измерения абсолютных величин напряженности поля. С учетом различия плотности, среднего атомного номера, для большинства кристаллических материалов характер объемных распределений напряженности электрического поля и плотности заряда близок.

На рис.16 показано распределение напряженности поля в кристалле Y5flE50^(Ncl,Cr) , облученном^ электронами с энергией 1,2; 5,5 и 6,5 МэВ при экспозиции 10~2 Кл/м2. (Экспозиция - произведение плотности тока на время облучения). Размер образца вдоль оси X (Ю мм) был заведомо больше максимального пробега элек

Прямое" зондирование 1

Обратное" зондирование

Рис.15. Функция пространственного распределения напряженности электрического поля, построенная по осциллограмме зарегистрированного сигнала при "прямом" и "обратном" зондировании.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основной целью работы являлась реализация нового подхода к изучению радиационного заряжения твердых тел на основе принципиального расширения возможностей экспериментальных исследований. Вследствие этого основные выводы диссертации отражают как этапы разработки принципиально нового метода электрических измерений в твердых телах, так и новые результаты, доказывающие целесообразность его применения:

1. Впервые предложен и обоснован теоретически метод зондирования объемных электрических величин в твердых телах с помощью коротких акустических импульсов.

2. Разработан метод реализации принципа зондирования объемных электрических величин с помощью упругих волн, основанный на генерации механических импульсов с помощью ОКГ.

3. Создана установка для измерения пространственных распределений напряженности электрического поля и плотности заряда в твердых диэлектриках, имеющая следующие параметры: чувствительность * 2.10^ В/м (5.10""^ Кл/м3); пространственное разрешение м; время измерения единичного распределения~ 10"^ с. Это наилучшие характеристики среди всех систем, применявшихся для прямых исследований радиационной электризации.

4. Впервые в практике исследования радиационной электризации в различных по свойствам твердых материалах были проведены систематические прямые измерения пространственных распределений электрических величин в широком

Ю5*Ю8)В/м и (Ю'^ЮЖл/м3) диапазоне их изменения.

5. Впервые проведено прямое исследование объемной электризации радиоактивных диэлектриков.Экспериментально установлены параметры распределения поля и заряда при однородном распределении радиоактивного изотопа. Предложен и разработан теоретически метод количественной оценки связи объемных электрических величин и концентрации радиоактивного изотопа при его неоднородном распределении.

6. При исследовании электризации твердых органических диэлектриков - полиметилметакрилата и полиэтилена - установлено не зарегистрированное ранее и не описанное теоретически явление: образование в объеме материалов при электронном облучении положительного объемного заряда в области линейного накопления заряда (при отсутствии или незначительном уровне релаксации).

7. В полиэтилене впервые обнаружено характерное распределение напряженности поля и плотности заряда (система слоев заряда различного знака). Образование системы связано с достижением определенного уровня напряженности объемного электрического поля.

8. Пространственное распределение напряженности поля и плотности заряда, их изменения с ростом экспозиции облучения определяются индивидуальными особенностями процессов инжекции заряда и релаксации в каждом материале.

9. В исследованных кристаллах ЩГК обнаружено наличие "биографической" электризации, зависящей от термической и механической обработки кристаллов.

Полученные результаты указывают на необходимость расширения представлений о свойствах некоторых диэлектриков и их взаимодействии с ионизирующим излучением (п.6,7,9).

Главным выводом работы, с которым связаны задачи и перспективы дальнейших исследований является необходимость развития прямых методов измерения объемных электрических величин, в особенности, метода акустического зондирования. Это определяется следующими положениями:

1. При исследованиях радиационной электризации необходимым условием получения достаточной информации о протекающих процессах с целью выработки точных теоретических представлений является прямое измерение объемных электрических величин - напряженности поля и плотности заряда.

2. Прямое измерение объемных электрических величин позволяет установить особенности механизмов накопления и релаксации заряда, присущих конкретным материалам: это дает возможность применения радиационной объемной электризации в качестве метода исследования фундаментальных свойств твердых тел, обнаруживать новые явления.

3. В настоящее время наилучшими характеристиками, как реальными, так и принципиальными для широких исследований объемной электризации твердых тел обладает метод"акустического зондирования?

Положение о наибольшей перспективности метода "акустического зондирования" подтверждается значительным его распространением (учитывая сравнительно небольшой срок с начала его разработки). Так со времени первой публикации, содержащей все основные элементы, характеризующие метод "акустического зонда" /71/, в ряде научных центров за рубежом (США, ФРГ, Франция) были созданы аналогичные устройства, использующие тот же принцип и ту же технику /98, 144,162/. С его использованием в большой мере связываются перспективы изучения радиоэлектретов.

Прямой неразрушающий контроль объемных электрических величин в твердых телах принципиально расширяет возможности исследования и контроля материалов. В практическом плане он может быть основой разнообразных методов интроскопии твердых тел, контроля ради&ционной стойкости материалов, контроля технологических процессов. В научных исследованиях он может быть применен для изучения механизмов переноса, нелинейных процессов, контактных явлений, изучения доменной структуры и т.д.

В настоящей работе значительная часть результатов, полученных с помощью прямого метода исследования объемных электрических величин, обладает существенной новизной. Можно полагать, что при расширении исследований данное положение сохранится.

1. Абдулгамидов С.А., И.С.Желудев, В.И.Ноеов, В.М.Фридкин.

2. О распределении внутреннего поля в монокристаллических фотоэлектретах. Физ.тв.тела, 1964, б, 3, 764-770.

3. Ададуров А.Ф., Лазурик-Эльпуфин В.Т. Вторичные электроны и распределение поглощенной энергии в одномерной слоистой структуре при гамма-облучении. В кн. "Вторичное электронное излучение". Л-д, Изд. Радиевого ин-та им. В.Г.Хлопина, 1977,с.67-71.

4. Акишин А.И., Гончаров Ю.С., Пашин А.Е., Цепляев Л.И. О распределении объемного заряда в силикатных стеклах после облучения электронами. "Изв. ВУЗов. Физика", 1977, №5, 127-129.

5. Андреев О.В., Сапожков Ю.Н., Евдокимов О.Б., Кононов Б.А., Ягушкин Н.И. Установка для зондирования электрических полей в диэлектрических пленках альбедным методом. "Приб. и техн. эксп.", 1982, №6, 175-177.

6. Андроникашвили Э.Л., Паперно И.М., Галусташвили М.В. Зависимость напряжения сдвига кристаллов LiP от концентрации ориентированных диполей. Физ.тв.тела, 1978, 20, 5,1423-1425.

7. Астратов В.И., Ильинский А.В. Прямое исследование расцределе-ния электрического поля в кристаллах Bi^Ge Ozo с помощью поперечного электрооптического эффекта. Физ.тв.тела, 1982, 24, I, 108-115.

8. Балычев И.М., Вайсбурд Д.И., Геринг Г.И. Мощная пороговая эмиссия диэлектриков цри облучении наносекундными электронными пучками большой плотности. Письма в журн. тех. физ., 1976, 2, W7, 327-330.

9. Багиров М.А., Алиев А.А., Малик В.П., Гезерян Ю.Н. Изменение ИК-спектров полиэтилена после if -облучения на воздухе в процессе электрического старения. Высокомол. соед. Кратк. сообщ., 1981, Б23, 7, 491-494.

10. Боев С.Г., Анисимов Ю.М., Сигаев Г.И. Особенности электропереноса в облученных электронами образцах щелочно-галоидных монокристаллов. Физ. тв. тела, 1978, 20, 8, 2475-2477.

11. Боев С.Г. Пространственное распределение заряда в облученных электронами диэлектриках. Томск, 1979, Деп.ВИНИТИ №3740-79, 41 с.

12. Боев С.Г., Галанов А.Н. Заряжение монокристаллов фтористого лития при раскалывании. Физ.тв.тела, 1980, 22, 10, 3069 --3075.

13. Боев С.Г. Накопление заряда диэлектриками при электронном облучении. Изв. ВУЗов. Физика, 1981, №2, 49-57.

14. Борисова М.Э., Койков С.Н. Электретный эффект в диэлектриках.-Изв. ВУЗов. Физика, 1979, №1, 74-89.

15. Ботаки А.А., Воробьев А.А., Ульянов В.Л. Радиационная физика ионных кристаллов. М., Атомиздат, 1980, 128-162.

16. Брик А.Б. Об определении внутренних электрических полей в кварце с помощью релаксационного магнитоэлектрического эффекта. Физ. тв. тела. 1982, 24, 6, 1594-1597.

17. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. Пер. с англ., М., Из-во иностр. лит-ры, 1962, 558 с.

18. Ванников А.В., Матвеев В.К., Сичкарь В.П., Тютнев А.П. -Радиационные эффекты в полимерах. Электрические свойства. М.,"Наука',' 1982 , 270 с.

19. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И.

20. Физика и химия превращений позитронов в полимерах. -"Успехихимии", 1981, 50, 10, 1892-1893.

21. Вахромеев В.Г., Зиновьева С.М. Влияние электрического поля на спектры наведенного оптического поглощения натриевоборат-ного стекла, облученного электронами. Изв. ВУЗов. Физика, 1974, №11 (150), 146-148.

22. Верещинский И.В., Пикаев А.К. Введение в радиационную химию. М., Изд-во АН СССР, 1963, 343-359.

23. Вершинин Ю.Н., Зотов D.A. Перегревная неустойчивость в кристаллических изоляторах в предпробивном электрическом поле. -Физ.тв.тела, 1975, 17, 3, 826-834.

24. Воробьев А.А., Кононов Б.А. Прохождение электронов через вещество. Томск, Изд-во томского университета, 1966, I44-I5I.

25. Гезалов Х.В., Керимов М.Н. Термолюминесценция полиэтилена, вызванная электрическим полем. "Выс.-мол. соед. Кратк. сообщ.", 1979, Б21, 8, 598-601.

26. Герман В.Г. Эффект направленности пробоя в ориентированном полиэтилене. "Выс.-мол. соед. Кратк.сообщ.", 1975, Б17, 2, 122-124.

27. Громов В.В. 0 величине электрического заряда радиоактивных препаратов. Атомная энергия, 1969, 26, 3, 250-252.

28. Громов В.В., Озиранер С.Н., Спицын В.И., Минаев А.А. Измерение заряда, аккумулированного в радиоактивных диэлектриках. -Журн. физ.химии, 1971, 45, II, 2804-2808.

29. Громов В.В., Суриков В.В. Электрический заряд в радиоактивных диэлектриках. Атомная энергия, 1972, 32, 2, 172-173.

30. Громов В.В. Электрический заряд в радиоактивных материалах. -Вестник АН СССР, 1979, №2, 69-75,

31. Громов В.В. Электрический заряд в облученных материалах. М., Энергоиздат, 1982, III с.

32. Губкин А.Н. Электреты. Электретный эффект в твердых диэлектриках. М., "Наука", 1978, 191 с.

33. Губкин А.Н. Релаксационная поляризация диэлектриков. Изв. ВУЗов. Физика, 1979, №1, 56-73.

34. Гусельников В.Н. Динамика накопления объемного заряда в диэлектриках при облучении их быстрыми электронами. Автореферат дисс. на соиск. ученой степени канд. физ.-мат.наук, Томск, 1973, 15 с.

35. Гусельников В.Н., Евдокимов О.В., Кононов Б.А., Орлов В.И., Соловьев Ю.А., Тубалов Н.П. Резонансный размерный эффект в релаксации объемных зарядов в полиметилметакрилате. Изв. ВУЗов. Физика, 1979, №7, 62-67.

36. Дергобузов К.А., Евдокимов О.Б., Кононов Б.А., Радиационная диагностика электрических потенциалов. М., Атомиздат, 1978, 85 с.

37. Евдокимов О.Б., Тубалов Н.П. Расслоение рбъемного заряда в диэлектриках, облученных быстрыми электронами. Физ.тв.тела, 1973, 15, 9, 2804-2805.

38. Евдокимов О.Б., Гусельников В.Н. Феноменологическая модель накопления объемного заряда в диэлектриках, облучаемых быстрыми электронами. Хим.выс.энергий, 1974, 8, 5, 423-427.

39. Евдокимов О.Б., Ялович А.П., Шевелев Г.Е. Влияние электрического поля в диэлектриках и полупроводниках на выход комптонов-ских электронов. Физ.тв.тела, 1974, 16, 8 , 2308-2399.

40. Евдокимов О.Б., Кононов Б.А., Ягушкин Н.И. Накопление объемного заряда в слабопроводящих средах при неоднородной высокоэнергетической инжекции электронов. Изв.ВУЗов. Физика, 1975, 6, I58-161.

41. Евдокимов О.Б. Объемная высокоэнергетическая инжекция электронов в диэлектрике. Изв.ВУЗов.Физика, 1976, №3, 7-12.

42. Евдокимов О.Б., Кононов Б.А., Ягушкин Н.И.-Пробег быстрых электронов в диэлектрических материалах. Атомная энергия,1976, 41, 4, 282-283.

43. Евдокимов О.Б., Орлов В.И. Влияние толщины образцов на релаксацию зарядов в полиметилметакрилате.-Изв.ВУЗов.Физика, 1979, №12, 97-99.

44. Евдокимов О.Б., Соловьев Ю.А. К феноменологической модели накопления объемного заряда при высокоэнергетической инжекции электронов в высокоомные материалы. Изв.ВУЗов. Физика, 1980,5, 96-98.

45. Евдокимов О.Б. Квазистационарное взаимодействие быстрых электронов и объемного заряда в диэлектриках. Автореф. дисс. на соиск. ученой степ. докд. физ.-мат. наук, Москва, 1980, 39 с.

46. Евстигнеев В.В. Экспериментальное исследование прохождения электронов с энергией 0,1-30 МэВ через вещество. В кн.: "Вторичное электронное излучение", Л-д, Изд-во радиевого ин-та им. В.Г.Хлопина, 1977, 94-112.

47. Завадовская Е.К., Анненков Ю.М., Малофиенко Г.М. Распределение объемного заряда по толщине ионных кристаллов. Изв.ВУЗов. Физика, 1969, №11, 130-132.

48. Зельдович Я.Б., Мышкис А.Д. Элементы прикладной математики. -М., "Наука", 1972.

49. Каминский А.А. Лазерные кристаллы. М., "Наука", 1975, 189 --190.

50. Кёнциг В. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Пер. с англ. М., Изд-во иностр. лит-ру, I960, 234 с.

51. Килькеев Р.Ш., Куксенко B.C. Электрические эффекты и зарождение трещин в щелочногалоидных кристаллах. Физ.тв.тела, 1980, 22, 10, 3133-3138.

52. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. Пер. с англ. М., Гос.изд-во физ.-мат. лит-ры, 1962, 197 с.

53. Клюев В.А. Закономерности эмиссии электронов высоких энергий и рентгеновского излучения при разрушении адгезионного контакта. Автореф. дисс. на соиск. уч.степ. канд. физ.-мат.ваук, М., 1982, 20 с.

54. Корниенко Е.В., Уваров В.Л. Прямое наблюдение поверхности нулевого поля в полиметилметакрилате. "Письма в ЖТФ", 1979, 5, 6, 349-351.

55. Корнфельд М.И. Заряженные дислокации в щелочно-галоидных кристаллах. Физ.тв.тела, 1978, 20, 4, 1272-1273.

56. Кропотов B.C., Поткин Л.Н., Усманов Р.Ж. Влияние внешнего электрического поля на спектр ЭПР Мпа+ в M5WO4. . -Физ. тв.тела, 1973, 15, 2, 599-560.

57. Кудрявцев В.Н., Кабанов В.Я., Спицын В.И. 0 механизме возникновения термостимулированного тока в облученных полимерах. -Докл. АН СССР, 1977, 233, 2, 409-412.

58. Кузьминов Ю.С. Ниобат и танталат лития. М., "Наука", 1975, с. 22-23.

59. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. -Пер. с англ. М., "Мир", 1973, 342-353.

60. Лаптенков Б.К., Раевский А.В., Манелис Г.Б., Абруков С.А.

61. О влиянии электростатического поля на термическое разложение монокристаллов перхлората аммония. Докл. АН СССР, 1980, 250, 5, II85-II87.

62. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Теория упругости. М., "Наука", 1965, 130-155.

63. Малышенков А.В., Смирнов В.В. Расчетные методы определения характеристик вторичного электронного излучения. В кн.: "Вторичное электронное излучение", Л-д, Изд-во радиевого ин-та им. В.Г.Хлопина, 1977, 10-23.

64. Мелькер А.И. Токмаков И.Л. Разрушение твердых тел при облучении электронами. Физ. и хим. обработки материалов, 1977, №5, 62-68.

65. Молоцкий М.И. Дислокационный механизм электризации ионных кристаллов при раскалывании. Физ.тв.тела, 1976, 18, 6, 1763-1764.

66. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Пер. с англ. М., "Мир", 1974, с.279-282.

67. Перепечко И.И. Акустические методы исследования полимеров. -М., "Химия", 1973, 295 с.

68. Перепечко И.И. Введение в физику полимеров. М., "Химия", 1978, 311 с.

69. Протасюк Г.Н., Уваров В.А. Акустическая эмиссия электронных лавин в твердом диэлектрике. Письма в журн.тех.физ., 1981, 7, 9, 530-533.

70. Ремизович B.C., Руденко А.И., Рязанов М.И. Роль вторичных электронов в черенковском излучении быстрых частицы. В кн.: "Вторичное электронное излучение". Л-д, Изд. радиевого ин-таим.В.Г.Хлопина, 1977, 179-184.

71. Розно А.Г., Громов В.В., Романов А.В., Анисимов Н.А. Электропроводность алюмо-иттриевого граната с примесью церия, облученного гамма-квантами. Физ.тв.тела, 1976, 18, 8, 2449-2451.

72. Розно А.Г., Громов В.В. Измерение плотности распределения объемного заряда в твердых диэлектриках. "Письма в журн. техн. физ., 1979, 5, II, 648-651.

73. Розно А.Г., Громов В.В. Особенности формирования и релаксации объемного заряда при электронном облучении некоторых диэлектриков. Журн. физ.химии, 1980, 54, 10, 2604-2606.

74. Розно А.Г., Громов В.В. Распределение электрического поля в твердых высокоомных радиоактивных материалах. Журн. физ.химии, 1981, 55, 6, 1597-1599.

75. Розно А.Г., Громов В.В. Акустическое зондирование объемного электрического заряда в облученных диэлектриках. Хим. выс. энергий, 1983, 17, 3, 223-232.

76. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. Пер. с англ. М., "Мир", 1966, 192 с.

77. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М., Физматгиз, 1963, 494 с.

78. Сахаров А.Г., Громов В.В. Формирование заряда в радиоактивных твердых телах. Журн.физ.химии, 1967, 50, 6, I5I3-I5I8.

79. Сахаров А.Г., Громов В.В., Мержанов К.М. Расчет пространственного распределения заряда в р -радиоактивных твердых телах.-Журн.физ.химии, 1978, 52, 2, 433-435.

80. Сичкарь В.П., Тютнев А.П., Вайсберг С.Э. Зависимость радиационной электропроводности от напряженности внешнего электрического поля в полимерных диэлектриках. -Высокомол.соед. Кратк.сообщ., 1975, Б17, 10, 767-769.

81. Сичкарь В.П., Вайсберг С.Э., Ванников А.В. Влияние структуры и химического строения полимера на концентрацию и характер движения избыточных носителей заряда, созданных ионизирующим излучением. Высокомол.соед., 1977, AI9, 7, 1632-1637.

82. Сичкарь В.П., Тютнев А.П., Вайсберг С.Э. Связь между кинетической подвижностью макромолекул и радиационной электропроводностью некоторых аморфных диэлектриков. Высокомол.соед. Кратк. сообщ., 1981, Б23, 3, 165-168.

83. Соловьев Ю.А., Ягушкин Н.И. Накопление объемного заряда приравномерной объемной высокоэнергетической инжекции электронов в полимеры. Изв.ВУЗов, "Физика", 1978, №б, 159, Деп. ВИНИТИ № 544-78.

84. Спицын В.И., Громов В.В. Физико-химические свойства радиоактивных твердых тел. М., Атомиздат, 1973, 75-100.

85. Стародубцев С.В., Романов A.M. Прохождение заряженных частиц через вещество. Ташкент, Изд-во АН УзССР, 1962, I96-2II.87. "Таблицы физических величин". Справочник под ред. ак. И.К.Кикоина. М., Атомиздат, 1976,

86. Тубалов Н.П. Эффект перезарядки в облученных электронным пучком высокоомных диэлектриках. Автореферат дисс. на соиск. уч. степ. канд.физ.-мат. наук, Томск, 1974, 25 с.

87. Тютнев А.П., Сичкарь В.П., Ванников А.В. Электронные процессы, индуцированные излучением в твердых органических системах. -Успехи химии, 1981, 50, б, 977-1001.

88. Финкель В.М., Головин Ю.И., Куликова Г.П. Торможение быстрых трешин скола в LlF электрическим полем. Физ.тв.тела, 1975, 17, I, 301-303.

89. Финкель В.М., Головин Ю.И., Середа В.Е., Куликова Г.П., Зуев Л. Б. Электрические эффекты при разрушении кристаллов LiF В связи с проблемой управления трещиной. Физ.тв.тела, 1975, 17, 3, 770-776.

90. Финкель Э.Э., Лещенко С.С., Брагинский Р.П. Радиационная химия и кабельная техника. М., Атомиздат, 1968, 219-252.

91. Франкевич Е.Л., Балабанов Е.И. Исследование движения носителей тока в органических веществах. Физ.тв.тела, 1965, 7, 6, 1667-1672.

92. Цыгельный И.М. К вопросу о возникновении поверхностной электрической поляризации на образцах полиметилметакрилате при их деформации. Физ.хим.механика материалов, 1975, .П, 4, 120121.

93. Шуваев А.П., Сажин Б.И., Скурихина B.C. 0 механизме неомической электропроводности и релаксации тока в полимерных диэлектриках. Высокомол.соед., 1975, AI7, 5, 1058-1063.

94. Юрьев В.Н., Преснов В.А. Механоэлектрические эффекты в полимерах. Докл. АН СССР, 1978, 243, I, 156-188.

95. Яковлев Б.С., Новиков Г.Ф. Об особенности кинетики электропроводности, наведенной ионизирующим излучением в органических диэлектриках. Физ.тв.тела, 1975, 17, 10, 3070-3072.

96. Alique С., G. Dreyfus, J. Lewiner. Stress-wave probing of electric field distributions in dielectrics. "Phys. Rev. Lett." 1981, £7, 20, 1483-1487.

97. Beers B.L., V.W. Pine, S.T. Ives. Internal breakdown in char-spacecraft dielectrics. IEEE Trans. Nucl. Sci., 1981,1. NS-28» 6, .4529.4531

98. Berkley D.A. Computer simulation of charge dynamics in electron-irradiated polymer foils. Journ. Appl. Phys., 1979, £0, 5, 3447-3453.

99. Bertolaccini M., A. Bisi, G. Gambarini, G. Padolini, A. Zoppa. Delayed electrical response of polyethylene observed in positrimium formation."Appl."Phys.1977, 12, 1, 93-96.

100. Cotts D.B. The effect of orientation on conductivity in crystalline and amophous organic conductors.

101. Amer.Chem.Soc., Polym.Prepr., 1982, N 1, 115-116.103* Collins R.E., Analisis of spatial distribution of charges and dipoles in electrets Ъу a transient heating technique. J.Appl.Phys., 1979, £L, 11, 4804-4B08.

102. Collins В.Б. Practical application of the thermal pulsing technique to the study of electrets.J.Appl.Phys., 1930, 51» No.6, 2973-2986.105» Collins R.E. The thermal pulsing technique applied topolymer electrets.Perroelectrios, 1981, 21, Ж 1-4, 65-75*

103. Eisenmenger W., M.Haardt. Observations of charged compensated polarization zones in polyvinylidenfluoride (PVDP) films by piezoelectric acoustic step-wave response.Solid State Communs., 1982, £1.» 12, 917-920,

104. Ferreira G.F.L., B.Gross. Dissipation of charge layers in dielectrics.Rivista Brasiliera f-isica, 1972, 3, 205-213.

105. Perreira G.P.L., B.Gross. Currents and charges in radio-electrets.Journ.Honmetals, 1973, 1, 129-131.

106. Freeman G.R. Effects of Electric Field Strength on the Gamma-radiation Conductance of Liquid Alkanes.J.Chem.Phys., 1971, 6» 1580-1586.'

107. Garret S.G.E., R.Pethig, V.Soni. Switching and other high field effects in organic films. Journ.Chem.Soc. Faraday Trans. II, Joum• Chem.Phys., 1974, H 10, 1732-1740.

108. Gross B. Irradiation Effects in Borosilicate Glass. Phys. Rev., 1957. 107,g. 368-373

109. Gross B. Irradiation Effects in Plexiglass. Journ.Polym. Sci., 1958, 21, 115, 135-143.

110. Gross B. The Compton Current. Zeitschrift fur Physik, 1959, 155. 475-487.

111. Gross В., F.V.Murphy. Electrical Effects in Solid Dielectrics. "Nukleonik", 1961, 2, 7, 279-285.

112. Gross B. R.J. de Moraes.Polarization of the Electrets. Journ.Chem.Phys., 1962, ^L, 4, 710-713.

113. Gross B. Compton Current and Polarization in Gamma-Irradiated Dielectrics. Journ.Appl.Phys., 1965, £6, 5, 1635-1641.

114. Gross В. High Potentials in Electron-Irradiated Dielectrics. JTjura.Appl.Phys., 1967, 5, 2272-2275.

115. Gross B. Dose rate dependence of carrier mobility. Sol. State Communs, 1974, 15, 10, 1655-1657.

116. Gross B. Compton Diodes. Zeitschrift fur angewandte Physik., 1971, 5, 323-331.

117. Gross B. Compton Dosimeter for Measurement of Penetrating X.Rays and Gamma-Rays. Rad.Research, 1961, 14, 2, 117-130.125* Gross В., J.Dow ., S.V. Uablo. Charge buildup in electron-irradiated dielectrics. Journ.Appl.Phys., 1973, 44» 6, 2459-2463.

118. Gross В., G.L.Ferreira L.N. de Oliveira, G.Dreyfus, J.Lewiner. Electric fields and currents due to excess charges and dipoles in insulators. Phys.Rev., 1974, В 9. 12, 5318-5319.

119. Gross В., L.N. de Oliveira. Transport of excess charge in electron-irradiated dielectrics. Journ.Appl.Phys., 1974, 42» 4724-4729.

120. Gross В., G.M.Sessler,J.E.West. Radiation hardening and pressure-actuated charge of electron irradiated Teflon electrets. Appl.Phys.Letters, 1974, M> 8» 351-363.

121. Gross В., G.M. Sessler , J.E.West. Location of charge centroid in electron-beam-charged polymer films. Journ. Appl.Phys., 1977, 48, 10, 4303-4306.

122. Gross B. Compton Currents-historical aspects and recollections. IEEE Trans.Nucl.Sci., 1978, NS 9-25, 4, 1048-1054.

123. Gross B. Radiation Induced Charge Storage and Polarization Effect. In "Electrets" Ed.G.M.Sessler.Berlin-Heidelberg, Springer-Verlag, 1980, 217-284.

124. Gross В., J.A.Giacometti, G.F.L. Ferreira. Charge storage and transport in electron irradiated and corona-charged dielectrics. IEEE Trans.Uucl.Sei., 1981, NS-28. 12, 4513-4523.

125. Jungnickel B.-J. Kerr effect relaxation measurements on glassy amorphous poly(methylmethacrylate)."Polymer'*, 1981, 22, No 6, 720-725 .

126. Karlsson B.K. Polarization field induced by fast,heavy charges and the desorption of surface ions, "Nucl.Instr. and Math.Phys.Res., 1982, Ho 1, 121-123.

127. Kronenberg S., R.Lux, K.Nilson, G.Jurczyk, R.Preffer, H.Berkowitz. Gamma-ray induced charge build-up in insulators. IEEE Trans.Nucl.Sci., 1974, NS-21. 6, 243-248.

128. Lackner H., I.Kohlberg , S.V.Nablo. Production of large electric fields in dielectrics by electron injection. Joum.Appl.Phys., 1965, 6, 2064-2065.

129. Landsberg P.T., D.J.Robbins, E.Scholl. Threshold switching as a generation-recombination induced non-equilibrium phase transition.Phys.Stat.Sol., 1978, A-50, 2, 423-426.

130. LaMantia P.P., D.Acierno. Non-linear electric behaviour of polymeric materials interpreted through free volume changes ."Polymer", 1978, 12, No 7,851-853.

131. LaMantia P.P., D.Acierno. Transient response in nonlinear region of molten polymers subjected to a sudden imposition of constant electric field.Jour.Appl.Polym.Sci.,1980, 2£, No 4, 555-564.

132. Migliori A., J.D.Thompson. A nondestructive acooustic field probe. Journ.Appl.Phys., 1980, £1, 1, 479-485.

133. Migliori A., T.Hofler. Use of laser-generated acoustic pulses to measure the electric field inside a solid dielectric. Rev.Sci.Instr., 1982, N 5, 662-666.

134. Mita S., K.Yahagi. Effect of elongation on dielectric breakdown strength in polyethylene. Jap.Journ.Appl.Phys.,1975, Н» 2» 197-201.

135. Monteith L., J.R.Houser. Spaee charge effects in insulators resulting from electron irradiation.Journ.Appl.Phys., 1967, Л§, 13, 5355-5365.

136. Rozno A.G., V.V.Gromov. The electric charge in solid irradiated dielectrics . Zfl-Mitteilungen, 1980, Ко 33, 38 (Abstr.of paper on 2nd Working Meeting on Rad.Interaction, Leipzig, 1979).

137. Rozno A.G., V.V.Gromov, E.E.Finkel. Electric charge &n irradiated polyethylene. Rad.Phys.and Chem., 1983, 22, No 3-5, 555-564.

138. Rozno A.G., V.V.Gromov Study of Volume Electric Charge in Radioactive Dielectrios by the Method of "Acoustic Sounding" Isotopenpraxis, 1983, 19, 11, 376-378.

139. Rycerz Z. Computer simulation of threashold switching in non-crystalline semiconductors. Comput.Phys.Communs, 1978, 15, No 1-2, 15-21.

140. Sacher E. Persistant internal polarization in polyethylene therephtalate films. VI.Orientation and conductivity in amorphous material. Journ.Macromol.Sci., 1981, B19.1. No 1, 131-142.

141. Salomon R.E., H.Lee, C.S.Bak, M.M.Labes. Spaoe charge thermal expansion and pyroelectricity in polymers. Joum. Appl.Phys., 1976, 9, 4206-4208.

142. Sessler G.M., J.B.West, D.A.Berkley, G.Morgenstftrn. Determination of spatial distribution of charges in thin dielectrics. "Phys.Rev.Lett.", 1977, 7, 368-371.

143. Sessler G.M., Physical Principles of Electrets. In "Electrets" Ed. G.M.Sessler, Berlin-Heidelberg, Springier Verlag, 1980, 13-79.

144. Sessler G.M., J.E.West, H.von Seggern. Electron-beam method for detecting charge distribution in thin poly-ethylentherephtalate films.Journ.Appl.Phys., 1982, 52, 6, 4320-4328.

145. Sessler G.M., J.E.West, G.Qerhard. High-resolution laser-pulse method for measuring charge distribution in dielectrics.Phys.Rev.Letts. , 1982, £8, 8, 563-566.

146. Schaffbian M., M.Silver, G.Corthell, R.C.Hughes. Simulation of the transient photoconductivity in a-Si02 using a multiple-trap model.Journ.Appl.Phys., 1980, 51» 1»490.453.

147. Sheng S.J., D.M.Hanson. Spectroscopic measurement of the space-charge distribution in insulators, semiconductors and photoconductors.Journ.Appl.Phys., 11» 4954-4956.

148. Simmons J.G., G.W.Taylor. The theory of photoconductivity in defect insulators containing discrete trap levels. Journ.Phys.С:Solid State Phys., 1975, 8, 10, 3353-3359.

149. Strathdle J., W.H.Robinsone. Piezoelectricity in polymer electrets. Journ.Appl.Phys., 1982, 5Д, 1, 605-607.

150. Suzucki G., K.Gasuda, T.Misutani, M.Ieda.Field dependence of thermally stimulated currents from high density polyethylene. Jap.Journ.Appl.Phys., 1978, V£, 7, 1215-1217,.

151. Taylor G.W., J.G.Simmons. Photoconductivity characteristics of defect insulators. Journ.Phys.С:Solid Stat.Phys., 1975, 8, 10, 3360-3370.169• Toureille A. High-field conduction and oscillations in polymers. Lourn.Appl.Phys., 1976, 7, 2961-2963.

152. Tyutnev A.P., G.S. Mingaleev, V.S.Saenko, E.D.Pozhidaev, A.F.Akkerman. Bulk charging in dielectric films by low energy electrons. Phys.stat.sol. (a), 1982, 22» 361-366.