Анизотропное распыление и ионообразование при ионной бомбардировке поверхностей твердых тел тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ



академии наук украины институт металлофизики

На правах рукописи УДК 537.534

косячков Александр Александрович

анизотропнок рашш'ше и ионообразование при ионной бомбардировке поверхностей твердых тел

01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических неук

Киев - 1991

Работа выполнена в Институте металлофизики АН Украины

Официальные опоненты: доктор физико-математических наук, член-корреспондент АН Украины профессор В.Г.Литотзченко

Ведущая организация: физический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова

заседании специализированного совета Д,016.37.01. по фкзико -математическим наукам при Институте металлофизики АН Укрвины, Киев, проспект Вернадского, 36, конференц-зал ИМФ АН Украины. С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института металлофизики АН Украины.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные печатью учреждения, просим направлять по адресу: 252680, ГСП, Киев, проспект Вернадского, 36, Институт металлофизики АН Украины.

Ученый секретарь . специализированного совета

доктор физико-математических наук профессор Н.Н.Петров

доктор физико-математических наук профессор В.Б.Молодкин

г. п

часов на

Д.016.37.01. кандидат физико-математических наук

-; ощ,\я характеристика paeotij

j f Актуальность те)ш. Изучение распыления нейтральных атоиов и ""Вторичных ионов под воздействием бомбардировки поверхности конденсированных материалов иошшш пучкаш представляется bbuhju для различных областей фазикп твердого тела. Это обусловлено фундаментальный значением процессов, последовательно вовлекаешь в распилеше и ценообразование. По марв воссоздания последовательности событий в распылении, первый из таких процессов является диссипация энергии бомбардирующих ионов в каскадах столкновений атомов отдачи цпшеии. А1шзотрошше свойства этого процесса проявляются при распадении монокристаллов. Однако наряду с этим, наблюдается и собствешмя ашзотроппя потока атоиов отдачи, природа которой в последние годы иыроко обсувдается в теории распыления auoplamx и поликристалличейюх материалов и, к соааленшэ, до настоящего времени практически не учитывается при описании вторично-ионной эмиссии (ВИЗ).

Второй из процессов, составляю,¡ах оСидв физическую основу распыления и ВИЗ, заюшчается в преодолении эмитируешш атонои потенциального барьера поверхности. Актуальность соответствуюцзх исследований в значительной степени обусловлена возмокностьи получения уникальной информации об энергии связи атоиов поверхности. Эта концепция нувдается в дальнейшей развитии с учетом наблюдаемой в некоторых случаях тонкой структурой энергетических спектров распиленных атомных частиц.

В отличие от нейтральных атоиов, образование вторичных ионов имеет особенности, связанные с перезарядкой эмитируемых частиц вблизи поверхности мишени. Современный подход к изучении процессов ионизации распыляемых атоиов и нейтрализации вторичных ионов основан на совместных исследованиях нейтральной и пошзпровшшой компонент распыления. Этот подход используется в 1Ш All Украины с 1972 года, подтвердил свои информативность и может быть развит благодаря возможностям новой экспериментальной техники и методов моделирования.

Последним и в нзшеньшей степени изученный процессом, влияодаи на формирование конечных траекторий и энергий вторичных ионов гак зарлзештх частиц, является их взаимодействие с естественными электростптичомстт! полям! поверхности и бо!йЗардирухцего пучка. Актуальность изучертя кулойовешго ион-иокного взаимодействуя,

влияния сол изображения и вариаций работы выхода электронов поверхности неоднократно подчеркивалась в литературе по теории ВИЗ. Однако, проведение' соответствующих экспериментальных измерений возможно лишь в условиях, полностью исключающих внешние воздействия, и требует наличия сверхвысокого энергетического и пространственного разрешений используемой аппаратуры, что до недавнего времени представлялось проблематичный.

Новые сведения о кавдои из этих процессов могут быть получены на основе исследований потоков распыляемых атомов и вторичных ионов, разделенных по анергиям, углам выхода и массам. Возрастающий интерес к изучению тягой дифференциальных распределений связан такко с практическим применением распыления и В11Э, в частности, с совершенствованием методов диагностики поверхности. В первую очередь -ото относится к вторично - иогаюй масс - спектрометрии (ВИМС). Дополнительные пространственное и энергетическое разрешения могли бы способствовать качественно новому применению ВМС для анализа состава, структуры и свойств твердого тела.

Цель и задачи«работы. Цель настоящей работы заключается в развитии представлении о физических процессах, определяющих механизмы распыления и вторично - ионной эмиссии, а также в расширении диагностических возможностей вторично-ионной ыасс-спектрометрш на основе исследований разделенных по углам, энергиям и ыассаи потоков распыляемых атомов и вторичных ионов. Дяя достижения поставленной цели представлялось необходимым решить следующие задачи:

- Создать свергвысоковакуумную спектрометрическую аппаратуру с высоким энергетическим, угловым и масс-спектралышм разрешениями.

- Изучить взаимосвязь ыекду угловыми и . энергетическими распределениями эмитируемых поверхностью атошшх частиц как проявление анизотропных свойств процесса диссипации энергии в каскадах атошшх столкновений. Дяя решения этой задачи выполнить экспериментальные измерения дифференциальных распределений ВИЗ и моделирование распыления аморфных, поликристаллических и ионокристаллических материалов.

- Исследовать влияние сил связи атомов поверхности на энергетические и угловые распределения, в том числе, но формирование тонкой структуры энергетических спектров ВИЗ.

- Выполнить исследование процессов ионизацпи и нейтрализации атомных 'частиц, эмитируемых из чистых поверхностей, а тшше в условиях адсорбции и иошюй. имплантации актив1шх газов. Установить достоверность различных моделей механизма новообразования.

- Разработать подход к экспериментальному исследованию и исследовать роль естественных электростатичеашх Полей поверхности и бомбардирующего пучка ионов в формировании конечных траекторий и энергий испускаемых поверхностью вторичных ионов.

- Определить области наиболее эффективного применения Б1Ж с энергетический и угловым разрешениями для диагностики поверхности твердого тела.

Научная новизна. В диссертации впервые получены следуклдае научные результата:

- Предложен п обоснован подход к определению вида и параметров потенциала взаимодействия атошшх частиц по данным экспериментальных исследований рассеяния ионов на болыяие углы. Полученные результаты соответствуют применимости потенциала Томаса - Ферми - Мольера и рекомендуются для моделирования распыления монокристаллов с помощью программа НАКМШ.

- Установлены общие и отличительные признаки процесса анизотропного перераспределения анергии бомбардирующих ионов в каскадах столкновений, развивающихся в приповерхностной области аморфных, поликристаллических, в той число многокомпонентных, текстурированных и монокристаллпческпх материалов. Собствешмя анизотропия является характерным свойством распыления, которое проявляется независимо от кристаллической структуры распыляемого материала в увеличении полярного угла выхода эмитируемых атомов и вторичных ионоп при увеличении их энергии. Фокусирующее воздействие упорядочешюй решетки монокристалла обусловливает образование дополнительных максимумов в энергетических распределениях, а также немонотонную зависимость энергетических характеристик распыляемых атошшх частиц от их угла выхода. Данные экспериментальных исследований ВИЗ соответствуют результатам моделирования распыления с помощью программ ТИП! и МАПИШ.

- Ewrojnrrw теоретический анализ механизма распыления примесей лел'их ялр1!°нтол и кчекпдях столкновений матричных атомов

металлов и полупроводников. Обоснована возможность накопления ряда элементов, от водорода до углерода, в распыляемой поверхности тяжелой матрицы. Модельные представления подтверждены результатами экспериментальных исследований каскадного распыления и прямого выбивания водорода из поверхностей выдородсодердащих материалов.

- Проведено систематическое исследование влияния различных ' фязико-химичсгасих процессов на характер энергетического сдвига и образование тонкой структуры энергетических распределений ВИЗ. Установлен простой 1фитерий подобия дифференциалы гых распределений распыления и ВИЗ, предооределлвпгяй возможность использования последних для измерения энергии связи, или, при наличии тонкой структуры, для определения энергий различных состояний связи атомов поверхности. Этим критерием является отсутствие энергетического сдвига максимума (максимумов) энергетических распределений при изменении полярного угла выхода вторичных ионов.

- Выполнен комплекс исследований влияния процессов иошзацин и нейтрализации щ> дифференциальные спектры вторичных ионов, эмитируемых из атомночистых поверхностей, при адсорбции кислорода и Еодорода, а тшеве под воздействием бомбардировки поверхности ионами водорода. Обнаружена частичная нейтрализация двухзарядных вторичных ионов кремния до однозарядного состояния. Подтверядена существенная роль характера и энергии связи атомоз поверхности в механизме новообразования. Экспериментальные результаты использованы для количественной проверки соответствующих теоретических моделей ионизации.

- Предлоге« и реализован подход к исследованию роли слабых электростатических полей пучка бомбардирующих ионов, сил изображения и.вариаций работы выхода электронов поверхности в формировании конечных траекторий и энергий вторачшх ионов. Он основан на анализе сдвигов обнаружмшой тонкой структуры энергетических и угловых распределений аргона, икплантиру г.т.ого и одновременно распыляемого из поверхности в виде вторичных ионов с тепловыми скоростями, а таксе на изучен™ спектров злектронко-стииулироватюй десорбции ионов. Определены степень и пределы ицдггепдуахыгах и совместных поздайстк-й электростатических процессов. Газг-г;тн методы ггод-зя.пошияп

кулоиовского пон-иошюго взаимодействия и определения работы шхода электронов непосредстветга при бонблрдировке поверхности твердого тела иошшш пучкагл.

Практическая цвшюсть работы. Создан комплекс орпгиналъних аппаратурш.1Х и иетодпческпх средств, обоспечиващих совместное исследование процессов десорбции, ззадссин п рассеяния ионов п злмстронов, а ттсге подготовку образцов, их тестировать на месте п контроль условий эюзпаргшента разлтлшш иатодана пошюЛ и электронной спектроскопии. В частности, реализованы уншсалышэ возсотгностп исследования зпколокерностей вторнчно-иошгой эшссгш с знергетическш (до 0,04 -0,05 эВ), простронствешгтл (до 2,4 Ю-^ стер) и цасс-спектралыщц (до I Н) разрешениями в сверхвысокой вакууш (до 10 ® Па), в бесполевом пространство вблизи образца, при независмсм выборе углов боцбярдороаа поверхности сепарировашшии по масса« искана с анергией до 10 кзВ и углов зглссии вторичных ионов с энергией до 6 кэВ. Конструкция создашшх спектрометрических приборов, а также разработашше способы диагностики защищены авторисшм свидетельствашь Аппаратура удостоена первой прении конкурса имени С.И.Вавилова по создании приборов, установок и систем для научннх исследований за 1586 год Ю'О приборостроительный промышленности и отмечена наградами ВДНХ Украины.

На основании результатов, получешшх с помощью разработанных экспериментальных приборов и методик, определим области наиболее эффективного диагностического применения вторично-ионной масс-спектрсиетрпи с энергетический п угловым разрешениями и выполнен физяко-хитческий анализ кишретных материалов. Развиты методические основы применения угловых спектров ЕПЭ для диагностшш поверхностной сегрегации, в том числе, вызванной иошгой бомбардировкой сегрегации водорода. Впервые проденонстрнрованп возшжиость использования ионизированных атоиов пряной отдачи для послойного анализа водорода. Подтверждена эффективность разрабатываемого метода при выявлении нест локализации пдсорбатов, изучении процессов анорЦязации, развитая микрорельефа поверхности под воздействием ионной бо!<бардкр„л1ш, экспрессного контроля совершенства и кристаллографической ориентации монокристаллов.

Г;пр,"Пптячч ортгиналычт способы определения глобальных

характеристик поверхности: энергии связи «токов, точного (0,04-0,05 эБ) измерения работа выхода электронов непосредственна в процессе ионной бомбардировки, а такке исследования вида и параметров потенциала взаимодействия атомных частиц. Развиты экспериментальные ые то дней, позволяющие изучать процессы прошшювего'л ионов низ!шх и средних анергий е решетку монокристаллов, разделять влияние осевого и плоскостного квналировашш ионов на эмиссию вторичных частиц, оценивать динамическое равновесие мепду концентрацией имплантанта и скоростью рэешьчшшл поверхности, выявлять различные состояния связи гшплантировашшх атомов инертного газа в твердых телах.

Основные научные полопаиня, вьпшевме на завдту:

1. Диссипация энергии бомбардирующих ионов ¡в- каемдах столкновений атомов поверхности аморфных, поликристаллических и кококристаллическлх материалов характеризуется собственной анизотропией, которая предопределяет взаимосвязь между направлением и энергией эмиссии нейтральных атомов и вторичных ионов. В наиболее полной мере эта взаимосвязь проявляется в увеличении полярного угла выхода испускаемых поверхностью частиц при увеличении энергии, передаваемой атомам поверхности в каскадах атомных столшювений.

2. Дифференциальные распределения вторично-ионной эмиссии характеризуются тонкой структурой, отображающей анизотропные свойства процессов распыления и ионооОразования в зависишстп от красталлоструктуршх свойств мишени, различий в энергиях связи и направленности связей атомов поверхности, а таже от условий перезарядки и электростатического взаимодействия вторичных ионов с поверхностью и с ионами бомбардирующего пучка.

3. Анализ дифференциальных распределений вторэтно-иошой эмиссии, шу-ерлегих с высоким энергетичесюш и углопым разрешениями, является основой экспержектальноа диагносгагл поверхностной сегрегации, вшаочая водород, мест локализации втомов адсорОатов, изменений морфологии поверхности, работы выхода электронов и энергии связи атомов под влиянием физико-химических воздействий.

Совокупность научных положила и результатов работы способствует развития теории распыления и вторично-колкой зшссии, а также диагностичесгдх прптанештГт вторггшо-г.ошгсИ масс-спектрометрки и представляется крушкк достп-сипем в области

физики поверхности твердого тела.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертации долсЕшш и обсуудеки на слпдук-ьда симпозиумах, конференциях и сеи.тзрах:

3,4,5,7 Всесоюзных конференциях по взаимодействию атомных частиц с твердим телом (Книв,1974 г., Харьков,1976 г., Нпнск, 1970 г., 198-1 г.); 16,19,20,21 Всесоюзных конференциях по эмиссионной электронике ( Махачкала,1976 г., Ташсш1Т,19В4 г., Киев, 1937 г., Ленинград, 1950 г.); Всесоюзном симпозиуме по взаимодействию атомных частиц с тверды» телом ( Таикент,1979 г.); Всесо:оз:шх семшарвх по вторичио-иошгой и иошго-фотонной эмиссии ( Харьков,1900 г., 1908 г.); Семинарах-совещаниях по диагностика поверхности ионными лучами ( Донецк,1980 г.,1988 г., Запорожье, 1933 г., Укгород, 1985 г.); (¿евдународной конференции "Высокий вакуум, поверхность раздела, тонкий слой" (Германия, Дрезден,1981 г.); Всесоюзных конференциях по масс-спектрочетр'лч (Ленинград,1981 г., Сунн,1986 г.); 10,11 Мевдуняродных конференциях по иасс-спектрометрни ( Великобритания, Свансн,1905 г., Франция, Бордо,1900 г.); 3 Всесоюзной конференции по локалыкм рентгеноскопический исследованиям и их прир.'.епенпю (Черноголовка, 1902 г.)! 3,4,0,7,0 Мекдународ?щх конференциях по вторично-вотюй масс- спектрометрии ( Венгрия, Будапешт,1982 г., Япония, Осака, 1903 г., Франция, Версаль,1987 г., США, МонтерейДЭЯЭ г., Нидррлтгды, Амстердам, 1991 г.); 6, 7 Международных конференциях по модификации материалов ионными пучками(Япония, Токио,1980 г., Кноксвил, США,1990 г.); Всесоюзной конференции "Поверхность-ОЭ" (Черноголовка, 1989 г.); Международной конференции по вакуушгой, ионной и электронной технологиям (Болгария, Варнв,1989 г.); Мрядународной конференции по ионной имплантация и оборудованию дяя ионных пучков (Болгария, Элените, 19Э0 г.); 6 Международной конференции по радиационный эффектам в изоляторах ( Германия, Веймар, 1991 г.);

Публикации. По теме диссертации опублизеовано 50 статей, включая 5 обзорных, и получено 6 авторских свидетельств ня взобретешя, Перечень приведен в конце автореферата.

Структур ч ч об*,пм диссертации.Диссертация состоит из введения, гочстнТ.чщГй ргжлшпния, содержит 109 рисунков, II таблиц и СПГ"Г"->ТС лптпрптурм ЦП 193 МП1'ипцоПП)ШЛ.

о

основное содержание работы

В первой главе обсуждены совремсшие тенденции в аналитическом

приборостроении для исследования эмиссионных процессов и

диагностики поверхности твердого тела ■ рассмотрены

спектрометрические приборы, позволяющие осуществлять частичное

или полное разделение потоков зарллыпгых частиц по энергиям,

направлениям движения, зарядам и массам. Нредлокыш оригинальные

тсх1шческие решения, которые били взятк за основу при создании

спектрометрического комплекса и иошго-электронного спектрометра с

энергетическим и угловым разрссгатямч. Это автоматизированные

двухкамерные приборы, обеспвчивакщте подготов!су, аттеотатрно

поверхности на месте и ее исследований в сверхвысоком вакууме до —й

10 Па, а такке в процессе адсорбции газов и других физшео-хишческих воздействий. Обрезец, независимо перемещаемый и поворачиваемый относительно трех ортогональных направлений, СомЗардируют пучками злектроиоп или сепарированных по массам ионов. Зарякенные частицы, эмитируемые или рассеиваемые поверхностью в бесполевом пространстве, анализируют с разрешениями по онергшш до 0,04-0,1)5 оВ, по углам - до I® и по массам - до I II с помощью подвижного эниргоанализатора, совмещенного с радиочастотным мосс-спектрометрои. Рассмотрен состав приборов, конструшдоя основных аналитических устройств, систем электронного управления и автоматизации, а такие предлагаемые методики автоматизированной обработка результатов измерений. Приведены примеры, иллюстрирующие аналитические характеристики и методические возможности создаююй аппаратуры при использовании различных методов иошгой и электронной спектроскопии с энергетическим и угловым разрешениями. В соответствии с задачами настоящей работы обоснована целесообразность комплексных исследований вторпчно-иошюй эмиссии, электронно-стЕиулировашой десорбции и рассеяния медленных ионов, совмещенных с измерением коэффициентов распыления и моделированием распыления нейтральных огоиов с помощь» ЭВМ,

Последующие главы посвящены фундаментальным процесам, определяющим ыехтшжн распыления и ионсоОразоззкил. Результаты исследований тозпгпх гааямодействий вторичных и электронно -десорбпрованшв: ионов с естествсз-лти ялектростатичесглии подан

[j

поверхности и бомбардяруячцего пучка ионов обсундены во второй главе. Процессы, сост/шлггащпс общую фпзичеиЕую основу распилен;v¿ Й Ёторично-пошгоЯг эмюсии изучит в зависипостп от крпстпллоструктурннх свойств поверхности металлов ;s полупроводников (третья глава), шгагокогаонентных материалов (четвертая глава) нТ^онокрпс'х'лллоп (питая глава). ~tlo пгр^"шссоздягою последонатсльПосга собйшй в раелмшеж перши из таких процессов лштетсл диссипация энергии боиЗярдирукиг.'х ионов в каскадах стояшовеши! атомов отдачи гашиш. Основы теории каскадного рэстшяшп рязрпсЗотага Зкгздп,;;ои и Тошсонои в конце 60-х годов. Предполагалось, что в результате няогокрптного рпссешюл, поток атомов отдачи, дсикухцжсл в бесструктурной среде, становится изотропным. Поэтому конечше угловые п энергетические распределения распылешшх атомов не зависят друг от другл и описываются довольно просиял! уравнешлш. Теория изотропного распыления сыграла выдсюцувсл роль в понимании иехштзиов распыления и понообрпзовагаш. Она широко используется и в настоящее время.

Однако результата исследований, выполненных в последнее десятилетие, позволяют заключить, что поток атомов отдача в приповерхностной области бомбардируемой мшиени, в общем, анизотропен по направлениям распространения и анергиям. Это приводит к систематически возрастающий о tiuiohc ниш измеряемых ко2$фяцяентов рпешлония переходных металлов по иере увеличения массы их атомов от расчетов, выполненных на основе теории Зигмунда-Томпсона. Алшзотропные свойства ¡саскада столкновений в более полной мере отображаются в дпффе р в i щи а лышх распределениях испуисаеных поверхностью атошшх частиц, исследованных экспериментально для вторичных ионов и россчитвшшх с помкцыэ программ TRIM и ИШОТЕ для нейтральных атомов. На рис.1 представлены полярнне распределения распыления и ВИЗ в зависимости от кристаллоструктурных особенностей материала мишени. Рис Лв иллюстрирует данные моделирования распыления аморфного кремния пучком ионов средних масс и энергий, направленным по нормали к поверхности мишени. Деке в этих условиях, наиболее благоприятных для развития протяжеюшх каскадов столкновений атомов в твердом теле, наблюдаются значительные отклонения от изотропного распыления. Угловые

m

о

Í» о»

•5°

go

Выход amo мод кремния, отн.ед.

о о

со

§ 5?

о»

ВыхоЭы amoMci

3

M N>

od

'Г»-,

Q

S -g

1 iï

H

ic о

H t» Sa

So

„ ^ о

Qj-C* ' CJ

S

a вторичных йот премию, отн.ед.

Выгоды атом об и бторичных uonol

cs to

h

1' s»

¿ария, отн.ед.

р

_ to ГП Ci " С

tir

№ О

Выход Вторичных uohoÍ ниобия, отн.еЗ.

Л

сэ

Ю

cd

С*

' сэ

/êi,

/.

У ~"-Ч

r'b §

Ей

lu С»

l s l/

¿"Выходы атомоЬ и Вторичных ионов алюминия, отн.ед.

———1 "

А

?

Ol 1

О "

Ol

Ol

распределения отличаются от закона косюгуса и сутцествешю зависят от анергии распыляема* атомов, При этой наиболее вероятным оказывается, распыление в относительно коротких каскадах столгаговеннй, порядка пяти соударений атомов отдачи. Роль коротких каскадом столкновений становится более существеюгой при ншглошгой бомбардировке поверхности (рис.16). Длина наиболее вероятной цепочга! соудареш5й, приводящей к распылению ато-ш кремния, уненьпается до трех-ченфвх взаимодействий атгл-ов отдачи. В угловых распределениях появляется дополштелышй максимум, соответствующей прямому выбиванию атомов поверхности ионами бо/.:Оардирую?;ого пучка.

Иллюстрируемое на рисЛ увеличение наиболее вероятного полярного угла выхода по перо увеличения энергии распыляемых атомов представляется не тривиальным с учетом противопояоншх тенденций этой зависимости, которые мокно получить на основании анализа различит: моделей анизотропного распыления бесструктурной среда, разработанных в последние годи. Наблюдаемая яаконоыерность впервые изучена для более общего случая распыления - распылигля многокомпонентного материала. 0) 1з:зллось, что увеличение наиболее вероятного полярного угла распыления связано не толысо с увеличением энергии пмитируешх частиц, гак это показано для атомов и втори'пшх ионов Оарил на рисЛв, но и с увеличением массы распыляемых атомов компонент сложного по составу соединения. Именно такая закономерность следует из анализа уравнения однократного упругого столкновения, связывающего угол рассеяния атома отдачи с его энергией и массой. Она частично сохраняется при увеличении количества столкновений'атомов отдачи и хорошо прослеживается во всех результатах выполненых экспериментальных исследований и моделирования.

Исследуемая закономерность является проявлением собствешшх свойств пространствешю и энергетически анизотропного потока атомов отдачи вблизи поверхности твердого тела, характерным для материалов с различной атомной структурой п составом. В настоящей работе установлено, что роль такой собствешюй, не связанной со структурой млпвни анизотропии каскада столзсновений, важна и при ряспнлет».! монскриствллов. Выл предложен способ определения вида и параметром потенциала взаимодействия атомных частиц, необходимых для моделирования распыления монокристаллов с помоцьп

программы ШЫХЛ'Ж. Результата экспериментальны! исследований и моделирования выборочно представлены на рис.1г,д. Видно, что обусловлештя наличием собственной анизотропии каскада столгаювений тенденция смещения максимумов угловых распределений, сохраняется и дли монокристаллов. Наряду с зтим, наблюдается анизотропное распыленно в низкоиндсксннх направлениях решетки, отмеченных на рис.1 стрелками, которое является более характерным для плотпоупсковакного ГЦК-металла алшиния, чем для СЦК-кристаялов. Аналогичные проявления собствегаюй и вызвагаюй симметрией расположения атомов анизотропии потока атомов отдачи в монокристаллах исследованы в зависимости от угла поденпя, энергии »и массы бомбардирующих ионов. Вклад собственной онизотрошш в растление сохраняется при введении дополнительных внешних воздействий на поверхность,с таких так адсорбция кислорода, усиление тепловых колебаний атомов за счет увеличения температуры мишени, текстурироваше поверхности прокаткой.

Новые результаты, полученные при изучении процесса диссипации энергии в каскадах атомных столкновений, обобщены в приведешюм выше первом зощяжпемом положении.

Процесс диссипации энергии бомбардирующего иона заканчивается выходом каскада на поверхность мишени. Атом поверхности, получивший энергаю достаточную для преодоления потенциального барьера поверхности, будет эмитирован в вакуум. В качестве меры потенциального барьера обычно используют энергию связи атомов в поверхности. Соответствие мевду этими характеристиками и положением максимума энергетического распределения испускаемых нейтральных атомов следует непосредствмшо из теории каскадного распыления. Для ьторично-иозшой эмиссии это соответствие впервые изучено нами в 1978 году на карбидах переходных металлов.

В случае гетерогешюй поверхности различные состояния связи атомов могут проявляться в образовании точкой структуры энергетических распределений распыляегмх частиц. Изучение фор»;;фовашш и энергетических сдвигов топкой структур-/ ВЛЭ метилов и креишя (рнс.2о) на определешшх сто,ум." мх окисления, а тшеке массивных мзталлооксидов УВз?Си307_х (рис.26) псбвояпяо предлокать простой кртт.рьй, соб-код-шю которого псобхолшк» при использовании отпргстстсскт расп^эдошь-й г"э для зксаср'..мзнгалького опрсдолсипп энари'л саг.-чя а.ч;">з л потертости

кишит. Таким критерием является незавчсимоегь положения максимума или максимумов энергетического распределения от полярного угла эмиссии вторичных понов, как мера минимального изменения энергетического спектра нейтральных атомов под воздействием процессов ионоовразопанил. Соблюдение эт>го критерия иллюстрируется на рис.2а для окисленной поверхности кремния. С другой стороны, наблюдаемые на этом рисунке вариации соотношений выходов вторичных ионов кремния в максимумах тогасой энергетической структуры свидетельствуют о различиях в угловых распределениях ВИЗ и, следовательно, о различной тшравлетюсти связей атомов кретгая в окислегогой поверхности. Это свойство тогасой структуры энергетичегасих распределений обнарукено впервые и представляется перспективным для изучения пространственной анизотропии связей атомов в ионных соединениях.

а бкМГ § ЗкзВАг* йЬкМг*

г 6кэВАг<-

ю 20 30 - 0 Ю ?.0а30 о 30 60 30„О п 1

Знерш9 вторичных ионов, эВ

Г!»с.2, Пютргетигчтгтог спгапкутлончя вторичн?« иокад

Силы связи атоиов поверхности влияют таете на механизм образования вторичных ионов. Ваинейшиии из процессов ценообразовании является ионизация распыляемых атоиов и нейтрализация образовавшихся ионов. К настоящему времени разработан ряд квантово-механических моделей ионизации, пригодных для описания ВИЗ из чистой поверхности и в условиях адсорбции хишческа активных газов. В этих моделях в явном или неявном виде учитываются характер и энергия связи атоиов поверхности. В настоящей работе установлена количественная корреляция мезду вероятностью ионизации атомов 17-ти переходных металлов, распыляемых ионами водорода в процессе адсорбции водорода, и анергией адсорбции водорода на поверхности этих металлов. Совместное измерение выхода вторичных ионов и работы выхода электронов при адсорбции водорода и кислорода на грани монокристалла молибдена позволило подтвердить достоверность модели ионизации, которая также ''обосновывает определяювдю роль разрыва локальных связей мецду атомами адсорбата и металла в процессе ионизации последних. Эти исследования являются естественным продолжением работ, выполненных на чистых металлах, сплавах и соединениях с различными стехиометрическии составом и типом связи атомов. Некоторые особенности механизма ионизации при распылении легких металлов и полупроводников изучены тагасе на примере алшшгая в кремния.

Кремний оказался хороший объектом для иллюстрации оборотной стороны процесса перезарядки - нейтрализации вторичных ионов. Процесс нейтрализации Солее эффективен для вторичных ионов, испугаслешх по скользящим траекториям относительно поверхности образца. Измерение выхода вторичных ионов кремния в зависимости от полярного угла их эмиссии позволило впервые наблюдать процесс частичной нейтразизацип двухзарлдошх вторичных ионов до однозарядного состояния. Зависимость эффективности нейтрализации от нормальной компоненты скорости распыляемых частиц предопределяет также сдвиг максимума энергетического распределения вторичнкх ионов по мере увеличения полярного угла эмиссии ионов. Это характерно и для монокристаллов. Однако симметрия игристаллуческоа решетки дополнительно проявляется в увеличении энергии максимума энергетического распределения вторичных ионов, аиитрруеинх я неправ гении зюгмчли к поверхности

монокристалла молибдена. В этом направлении фокусируются высокознергетические атоин, распыляемые из поверхности ОЩС-кристялла. Другой эффект фокусировки наблюдался ранее при распылении нсйтрялышх атомов из грани (100) конокристалла золота. Он заключается во влиянии дисперсиогашх сво!ств линзы, образованной атомами упорядоченной решетки, на эт 'ргетическое распределения ряепшленких частиц. Прохоядеше линзы связано с обрззовашем дополнительного максимума в энергетическом распределена раегшлеишх атомов. Энергетическое полевение этого максимума определяется уравнением фокуспрогта. Рвс.йп иллюстрирует возможность наблюдение линзового эффекта в энергетических спектрах вторично-ионной эмиссии, изучешюй в настоящей роботе для другого ЩС кристалла - ллшшшя. Как видно из этого рисунка, тошсая структура энергетического распределения оСнарукивпется только на монокристяллическом образце. Положение высокознергетического максимума хорошо описывается с помощью уравнения фолусправки.

Последним и в наименьшей степени изученным процессом, определяет?;!,! формирование потока вторичных ионов как зоряхешшх частиц, является изменение энергии и траектории вторичного иона под воздействием слабых естествегашх электростатических полей. Это поля пространственного заряда пучка бомбардирующих ионов, сил изображения и вариаций работы выхода электронов поверхности. Экспериментальное исследование таких воздействий стало возмоптн благодаря обнаруженной впервые тонкой структуре энергетических распределений аргочо, который имплантируется и одновременно распыляется из поверхности в виде вторичных ионов с низкими, близкими к тепловым скоростями. Тонкая структура энергетического спектра ВИЗ аргона представлена на рис.2г. Параллельно изучали фортгирование тшшэ достаточно ярко вираяенных энергетических и угловых спектров электронно-стимулированной десорбции ионов. Исследования выполнены в зависимости от характеристик бомбардирующих ионов, определяющих эффективность кулонозского взаимодействия бомбардирующих первичных и эмитируемых вторячм/х ионов; в зявпстаости от направления и энергии г'нгодэ электрошго-лзоорбировшпшх ионов, подвершзнютх сопмпптлсчу ВЛИГ.Ш1Ю спл иаоОраггешя и процесса иеатралгаащпп; а wro л аарпего'оста от тботн вюодя ал«ястронов. влрьттругуой :*л- ечт

адсорбции различных газов. Установлены степень и пределы индивидуальных и совместных воздействий электростатических процессов на формирование потока вторичных ионов. Моделирование этих процессов позволяет восстанавливать начальные величины углов и энергий выхода вторичных ионов. Анализ результатов экспериментальных исследований выявил роль различных состояний связи атомов имплантированного аргона в образовании тонкой структуры энергетических спектров вторичных ионов аргона. Изучение тонких смещений таких спектров позволяет с точностью до 4-5 сотых эВ определять изменение работы выхода электронов непосредственно в процессе бомбардировки поверхности ионными пучками.

Результаты, полученные при исследовании процессов разрыва связей атомов и их ионизации при распылении, а также нейтрализации и взаимодействия вторичных ионов с естественными электростатическими полями, обобщены в сформулированной выше втором научном положении.

Шестая глава посвящена практическому применению дифференциальных распределений ВИЗ. На конкретных объектах выполнен физико-химический анализ поверхности и процессов взаимодействия ионных пучков с поверхностью твердого тела. Информативность угловых распределений ВИЗ при изучении поверхностной сегрегации атомов рассмотрена на примере сплава алшшгай-медь. Широкие перспективы элементного анализа открываются в связи с использованием ионизированных атомов прямой отдачи (АЛО), выбиваемых в результате однократного взаимодействия бомбардирующего иона с атомом поверхности. Высокое сечение прямого выбивания водорода обеспечивает уникальные возможности концентрационного анализа водорода в поверхности конденсированных материалов. Представлены результаты первого в практике послойного анализа применения ионизированных АЛО для изучения распределения водорода в тонкой пленке сх-сшшна, осавдешюго на подлой«; из кремния. Чувствительность методики оценивается в 10 -10 ыо1юслоя в зависимости от экспериментальной аппаратуры. Измерение ориентациояшх зависимостей выхода ионизированных АПО является перспективным и в практике структурнго анализа поверхности. Это иллюстрируется щимером использования ионизированных АПО кислорода для определения мест преимущественной локализации

атоион адсорбируемого кислорода на поверхности к'онозсристялля ниобия.

Анализ энергетических распределений ВИЗ, особшно топкой структуры знергетичегашх спектров, создает уникалышь возиоиюсти для определения фундаментальных физических х ¡рактерпстяк поверхности: работа выхода электронов и энергии евлзи атомов. Измерения работа выхода электронов производятся с высской точностью непосредственно в процессе ионной бомбардировки, когда применение других методов исследования представляется затрудюттелыгом. Пример диагностики связей атомов ь.члюстрируртся на рис.26 для ВТОТ-керамкки УГа^СЦдО^^. Наличие тонкой структуры энергетического распределения вторичных ионов бария свидетельствует о том, что в исходной керамике атомы бария находятся в двух различных состояниях связи. Вакуумный отяиг образцов приводит к исчезновеггию низкознергетического состояния. Это мокет быть вызвано частичным дефицитом кислород;шх связей атомов бария в исходной орторомбической решетке и наличием нестабильных соединений бария, распадающихся в процессе вакуумного откига.

Дифференциальные распределигая ВИЗ содержат информацию о процессах проникновения бомбардирующих ионов в твердое тело, а таете о связагашх с этим концентрациошмх и иорфологичесгах изменениях поверхности. Ориентационные эффекты ВИЗ, наблюдаете на монокристаллах, позволяют исследовать процесс каналироввния бомбардирующих ионов средних энергий. Предложена методика разделения вкладов осевого и плоскостного каналирования в распыление. В частности, установлено, что для кристалла ниобия с ОЦК решеткой наиболее эффективным является каналирование вдоль плоскостей Î11Q). При средних энергиях первичных ионов аргона осевое каналирование менее вероятно. Обнаружено также, что угол наклона осевого канала к плоскости поверхности образца нояет оказаться более существенный для распыления, чей прозрачность осевого канала. Вариации выходов вторичных ионов материала подлогам и имплантируемого аргона в зависимости от полярного утла бомбардировки поверхности монокристалла иллюстрируют обратную зависимость нейду концентрацией имплантанта и скоростью распчлешя поверхности. Монотонный характер углопых распределений ШЭ монокртстплла кремния свидетельствует об ямокьчляции

поверхности крешшп в процессе иошшй ОоиОардаровщ, что мскет быть испакьзовано для исследования процесса амортизации. Впервые выполнен теоретический анализ накопления легких прииесай. в распыляемых поверхностях патриц тянелых элементов, обусловленого различиями в механизмах распыления примесных а матричных атомов. Подучены экспериментальные подтверждения протекания этого процесса в поверхностях водородсодернащах материалов, распшшемых пучком ионов аргона.

Результаты исследования диагностических применений

дифференциальных распределений ВИЗ обобщены в представлешюм вше третьем защищаемом половешш.

Выводы. I. Создан комплекс оригинальной спектрометрической аппаратуры, обеспечивающей подготовку и аттестацию на месте, а также исследование поверхности твердых тел различными методами ионной и электронной спектроскопии с высоким энергетическим, угловым и масс - спектральным рагфешешяш.

. 2. Систематически исследованы фундаментальные процессы, составляющие физическую основу распылешя атомных частиц: диссипация энергии бомбардирущих ионов в каскадах атомных столкновений и разрыв связей атомов поверхности при их распылении. Установлено соответствие мевду анизотропными свойствами этих процессов и тонкой структурой дифференциальных распределений атомов и вторичных ионов испускаемых поверхностями аморфных, поликристаллических и монокристаллических материалов.

3. Выполнен комплекс исследований процессов ионизации распыляемых атомов, нейтрализации и электростатических взаимодеймтвий вторичных ионов в сверхвысоком вакууме, а также в условиях адсорбции и ионной имплантации активных газов. Установлены механизмы влияния этих процессов на выход, угловые и энергетические закономерности вторично-ионной эмиссии.

4. .Разработаны физические основы вторично-ионной мвсс-спектроыетрии с высоким энергетическим и угловым разрешениями. •На основании результатов анализе конкретных материалов установлены области применения этого метода для диагностики состава, структуры и ^зико-химичесних характеристик поверхности твердого теля.

ОСНОВНЫЕ РАБОТЫ ПО 'ШИЗ ДИССЕРТАЦИИ

1. Aöaicyiroc Л.И., Васильев М. А. .Косячков A.A., Кузакии tí.В., Черепин В.Е..Черный B.C., Юрасова В.Е. Изменен?е вторичной ионной эмиссии никеля при переходя через точку Кгра // Письчя ЗГТФ. -1975. -I, вып. 20. -С. 945-947.

2. Васильев H.A., Косячков A.A., Черепин В.Т. Влияние доля облучения iroiinir.j аргона и гелпл нв озотсление яел{ зя // ДАН УССР.Сер.A-I977.-№ 3.-С.269-271.

3. Косячков A.A. Установка для бомбардировки металлических поверхностей ускоренными понамя // Металлофдзяка.-1ЭТ6.-ВНП.64.-С.1Ю-ИЙ.

4. Васильев М.А., Косячков A.A. Влияние иошгой бонбарддровзш на изменение работа выхода железа и влияния // Там ея=-Т976.-Бып.65.-С.10а-110.

5. Chorepin V.l., КооуасЫсог A.A., Vasllует И.A. EÍXect oí Initial Ion bomljaritaent and oxidation on emlanlon ol secondary lona //Surface Scl. -1976.-4,tí 53.-P.609-612.

6. Васильев H.A., Косячков A.A., Мяхвлешсов B.C. Метод исследования поверхности по изменению работы выхода электронов // Заводская лаборатория. -1976.-Я II.-C.1370-I37I.

7. Васильев М.А., Косячков A.A., Черепин В.Т. ИсследовБНяе вторичзго-иошгой эмиссия соединений. - Препринт/ Ш® АН УССР. -Киев,1976.-гё 76.16.-19 Р.

О. Васильев М.А., Коваль Я.Н., Косячков A.A., Черепин В.Т. Количествешшй анализ железо-никелевых сплавов методом вторичной И01Ш0-И01Ш0Й эмиссии //ДАН УССР.Сер.А. -1977.-Я 4. -С.354-356.

9. Черепин В.Т., Васильев H.A., Косячков A.A., Морозов В.В., Шлюгсо В.Я.,„ Кресанов B.C. Вторичная иочно-ионная зттссия сплавов систем LsBg-SmBg и LaBg-YbBg //Порошковая металлургия. -1977.-/6 10.-С.22-25.

10. Васильев H.A., Косячков A.A., Трофимова Л.Н., Черепин В.Т., Чуистов К.В. Исследование распада пересыщенных твердых растворов алштшй-литпЯ методом вторичной ионно-ионной эшссии //ЮТ.-1978.-45,ß 5.-С.Ш7-Ш9.

11. Cherepln V.T., Kooyachl;ov A.A., VaBllyev M.A. Secondary Ion e.tilCGlori cl trrnnltion netnl carbides // rhyn.Stn '..¡!ol , A. -197П.-50,-Г.К113-К116.

12. Васильев U.A. .Косячков A.A..Панарин В.Е.,Шурин А.К.,Черепин В.Т. Исследование сшивов Fe-'JiBg методом вторичной uoimo-ионной эмиссии //Изв.АН СССР.Сер.3.-1979.-й 4.-С.202-204.

13. Васильев М.А., Косячков A.A., Немошкаленко И.Н., Черепин В.Т. Вторичная ионно-иошгая эмиссия комплексных ионов // Металлофизика.-1979.-I,К 2.-C.I03-II3.

14. Черепин В.Т., Косячков A.A., Гудзенко Г.И. Расшифровка масс-спектров ионов с помощью ЗШ // ЕАХ.-1980.-35,Вып.2. -С.232-236.

Ib. Cherepln V.T., Kosyachkov A.A., Gugzenko G.I. Computer peak identilicatlon In SHIS // Xnt.J.MaBB Spectrom.Ion PhjTB.-1980.-35,N 3-4.-P.225-230.

16. Васильев U.A., Косячков A.A., Красаак А.Д., Черепин В.Т. Эффект матрицы при послойном анализе полупроводниковых материалов // Письма в ХТФ.-1981.-7,Вып.9.-С.556-559.

17. Васильев U.A., Косячков A.A., Красмс А.Д., Черепин В.Т. Аномалии вторичной ионной эмиссии при послойном анализе полупроводников //ДАН УССР.Сер.А.-1981.-й 9.-С.56-57.

18. Васильев U.A., Косячков A.A., Макеева И.Н., Черепин В.Т. Аномально высокая вероятность ионизации распыленных атомов при бомбардировке ионами водорода //Поверхность.-1982.-Ja I.-C.I03-105.

19. Косячков A.A., Черепин В.Т. Олсе-зликтронная спектроскопия с угловым разрешением //Металлофизика.-1982.-4,й 2.-С.57-70.

20. Белоус U.B., Васильев U.A..Косячков A.A., Новожилов В.В., Семенова Л.А., Черепин В.Т., Красюк А.Д. Особенности взаимодействия фаз с дефектами в нелезо-углзродистых сплавах //Металлофизика.-1982.-4, К 2,- С.86-91.

21. Васильев U.A., Косячков A.A., Макеева И.Н., Черепин В.Т. Вторичная ионная эмиссия металлов, бомбардируемых ионами водорода //Там ке.-1982.-4,К 3.-С.63-69.

22. Гудзенко Г.И., Косячков A.A., Макеева ИЛ!., Синяков M.Ii., Черепин В Л'. Предварительная обработка масс-спектров вторичной войной эмиссии с помощью ЭВМ //Автометрия.-1982.-К 5.-С.95-97.

23. Косячков A.A., Ч^епин В.Т. Энерго-масс-пнвлизатор. АС 957317 /Бш. изобр, -1982, - J6 33,

24. Черепин A.A., Косячков А.А'., Звпорокец И.А. Спектроскопия ионов низких энергий о угловпи рпяри^мгапи. Препринт /1Ш АН

УССР.-Киев,1904.-й 10.83.-44 с.

25. Черепиц В.Т., Косячков A.A., Дубинский И.П., Гпьянов В.Э. Спектрометрический когтлекс с утловыи раэрг пишем для исследования поверхности твердого тела. Препринт / Ж 5 АН УССР. -Киев,1984.-Я II.84.-35 с.

26. Васильев М.Д., Дубинский И.Н., Косячков A.A., Макмева И.Н., Ченагаш С.II., Черепин В.Т., Костюченко В.Г. Способ масс-спектрометрического послойного анализа твердых тел. AC I13П055 /Бил.изобр.-1985.-К 5.

27. Черепин В.Т., Косячков A.A., ДуСпиский Й.Н., Ульянов В.З. Спектрометрический комплекс с угловым разрешением для исследования поверхности твердого тела //ПТЭ.-190'ö.-ß 1.-П.155 -157.

28. Черепин В.Т., Косячков A.A., Дубинский И.П., Исьянов В.Э. Иошшй а электронный спектрометр с угловым разрешением // Sei.Instram.-1906.-1 ,N 3.-Р.77-89.

29. Голиков D.K., Косячков A.A., Черепин В.Т. Знерго массанализчтор. АС 1265890 /Бюл. изобр.-1986.-JS 39.

30. Васильев М. А., Косячков A.A., Красюк А. Д., Черепин В. Т. Структурные эффекты в эмиссии вторичных ионов, имплантированных в кремний //Поверхность.-1987.-й I.-С.63-67.

31. Васильев М.А., Косячков A.A., Макеева И.П., Черепин В.Т. Вторичная ионная эмиссия бинарных соединений, бомбардируемых ионами водорода //Металлофизика.-ISQ7■-9,Л I.-С.43-46.

32. Черепин В.Т., Косячков A.A., Исьянов В.Э., Яцук И.И. Устройство для исследования поверхности твердого тела. АС 1324079 /Бюл.изобр.-1987.-Я 26.

33. Влчев Р.Г., Косячков A.A., Черепин В.Т. Исследования эмиссии вторичных ионов с поверхности Ио(ПО) с разрешением по углей, энергиям и массам //Поверхность.-1988.-й 4.-С.144-145.

34. Косячков A.A., Черепин В.Т., Чичкань С.fi. Тонкая структура энергетичесгаи и угловых распределений вторично-ионной эмиссии имплантированного аргона //Письма в ХЭТФ.-1988.-47,Внп.З.-C.I49-I5I.

35. Вичев Р.Г., Косячков A.A., Черепин В.Т. Особенности вторично-иошгай г-жссии пмплянтировашгого аргона при образовании макрорельефа ira поверхеости Mo(IIO) //Письма в ЯТФ.-1907.-13, Вып.22.-С.1340-1350.

36. Вичев Р.Г., Косячков A.A., Черепин В.Т. Угловые в энергетические закономерности вторично-ионной эмиссии с поверхности Mo(IIO) //Металлофизика.-1988.-10,* 4.-C.I2I-I23.

37. Косячков A.A., Тршшцкий B.C., Черепин В.Т. Исследование монокристалла молибдена спектроскопией рассеяния медленных ионов на большие углы //Изв.АН СССР.Сер.физ.-1988.-52,* 8.-С.1594-1596.

38. Косячков A.A. Особенности энергетических и угловых распределений вторично-ионной эмиссии из поверхности кремния //Металлофизика.-198Э.-II,й I.-C.97-I0Q.

39. Косячков A.A., Томиленко В.Н., Черепин В.1. Моделирование электростатического ион-ионного взаимодействия //ДАН УССР.Сер. физ.-1988.-й II.-С.66-67.

4й. Черепин В.Т., Косячков A.A., Колесник В.И., Исьянов В.Э., Яцук И.И. Сверхвысоковакууыный манипулятор с шестью степенями свободы /ЛНЭ.-* 4.-С.187-189а

41. Гром C.B., Косячков A.A., Черепин В.Т. Исследоваше системы Ио(Ilü)-O методом электронно-стимулированной десорбции ионов с угловым разрешением //Поверхность.-1989.-* I.-С.28-31.

42. Косячков A.A., Черепин В.Т., Чичкань С.Ы., Вичев Р.Г. Два пика в угловых и энергетических распределениях ШЭ аргона, имплантированного в поверхность Ио(ЮО) //Поверхность.-1989.-N 2.-С.143-144.

43. Косячков A.A., Трилецкий B.C., Черепин В.Т. Способ анализа поверхности твердого тела. АС 1548726 /Бш.изобр.-1990.-* 9.

44. KoeyachKov A.A., Cherepln V.T. Energy efíects in secondary ion emission oí implanted and simultaneously sputtered argon //Sol. State Commun.-1989.-69.N б.-P.659-661.

45. Косячков A.A., Трилещшй B.C., Черепин В.Т. Способ анализа атомной структуры поверхности. АС 1582098 /Б«Ш.изобр.-1990.-Jfi 28.

46. Chakarov I.B., Cherepln V.T., Karpuzov D.S., KoeyachKov A.A., Vichev B.C. Angle und energy distributions oi eputtered particles íroro molyodenura (110) Burlaces //tíuc 1. Irm trura.and Uetli.PliyB,KeB.B=-rJ89.-39, N 1-4.-P.81-85.

47. Косячков A.A., Трилецкий B.C., Черепин В.'Х. Диагностика атомной структуры поверхности при рассеянии медпенннх ионов на больше углы //Поверхность.-1989.-» 7.-С.80-02.

48. Косячков A.A., ТрилецкиЯ B.C., Черепин В. Т., чичкань С.М. Наблюдение гелия-3 и трития, образугащхся при ионло-плазмегаюм насыщении титана дейтерием //Письма в 2ЭТФ.-1989.--49, Д 12.-С. 648-651.

49. Косячков A.A., Черепин В.Т., Чичкань С.М. О .грименимости дифференциалышх характеристик ВИЗ для анализа распыления // Поверхность.-1909.-й 5.-СЛ42-146.

50. Косячков A.A. Вторично-ионная эмиссия аргона, имплантпропашюго в монокристаллы металлов //Поверхность. -1989.-.1 9.-С.128-132.

51. Косячков A.A., Черепин В.Т., Чичкань С.М., Клименко А.Г. Углевые и энергетически закономерности вторично-ионной эмиссии УВа2Сиэ07_зг //Сверхпроводимость.-1990.-3, Я 6.-С.1664-1670.

52. Косячков A.A., Трилецкий B.C., Черепин В.Т., Чичкань С.М. Масс-спектроиетрическое исследоваше продуктов ядерных реакций, протекающих при ионно-плазмешюм насыщении титана дейтерием //ДАН СССР.-1930.-312,й I.-С.96-98.

53. Косячков A.A., Черепин В.Т., Колотый В.В., Кисурин К.К. Выход нейтронов при имплантации ионов дейтерия в титан //OTT.-1990.-32, ß 12.-С.3672-3673.

54. KonynchJíov A.A. Angular and energy dependencies oí secondary ion emission iron polycrystallino and alngle-cryntal mirlacea //Vacuum.-1991.-42,N 1-2.-P.143-145.

55. Косячков A.A. Угловые и энергетические закономерности распыления голпкристаллпческих и аморфных поверхностей

//Металлофазикя.-1991 .-13,й 2.-C.I-I9.

56. Косячков A.A., Черепин В.Т. Анизотропные эффекты при распылении монокристалла алюминия //Поверхность.-I99I.-Я 2.-С.153-154.

Александр Александрович Косячков

АНИЗОТРОПНОЕ РАСПШЕНИЕ И И0Н00БРА30ВАНИЕ ПРИ ИОННОМ БОМБАРДИРОВКЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ ТВЕРДЫХ ТЕЛ

Подо.к печ. 28.11.91. Формат 60x84/16. Бумага тип. Офс. печать. Усл.печ.л.1,63. Уол.кр.-отт.1,65. Уч.-изд.л.1,25. Тирая 120 экз. 3r.it. M'¿5. Бесплатно.

Отпечатан в Институте математики АН Украины. 252601 Киев-4, ГСП, Репина, 3