Исследование угловых распределений ВИЭ и распыления NB и YBa2Cu3O7-x тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

АКАДЕМИЯ НАУК УКРАИНЫ ИНСТИТУТ МЕТАЛЛОФИЗИКИ АН УКРАИНЫ

на правпх рукописи

ЧИЧКАКЬ СЕРГЕИ МИХАИЛОВИЧ

УДК 519.688.539.186.3

Исслвдов8яив угловнх распределений ВИЗ и распыления

«ЧЬ И УГ»и Си О

а з 7-м

Специальность 01.04.07. - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации ча соискание ученой степени кандидата физико-матвматичоских наук

Киев - 1992

Работа выполнена в Институте Металлофизики АН Украины Научные руководители: член-корреспондент АН Украины, доктор

физико-математических наук, профессор Чероиин В.Т.,

кандидат физико-математических наук, стертой! научный сотрудник Косячков A.A. Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Васильев М.А. (Институт металлофизики АН Украины), кандидат физико-математических наук Романова Г.Ф.

(Институт полупроводников АН Украины) Ведущая организация - Физический факультет Московского государственного университета им. М.Ломоносова

Защита диссертации состоится?^ J) 1992 г. в IУ часов на заседании специализированного совета К 0ie.37.0I по присуждению ученой степени кандидата физико-математических наук при Институте металлофизики АН Украины.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института металлофизики АН Украины ■

Отзывы в двух экземплярах, заверенные печатью учреждения просим направлять по .адресу: 252680, ГСП, Киев-142, бульвар Вернадского, 36 Институт металлофизики АН Украины, ученому секретарю Спец.Совета К 016.37.01 Корниловой Т.Н. тал.444-35-27

автореферат разослан Li января 1992г.

ученый секретарь Специализированного Совета К OT6.37.OI при ИМФ АН Украины кандидат физико-математических наук Корнилова ТаТьяна Николаевна

Г

л

-э-

ОБЩЯ ХАРАКТЕРИСЖА РАБОТЫ

Распыление поверхности твердых тел под воздействявм бомбардировки ускоренными ионами с образованием вторичных пейтралышх и ионизированных атомнш частиц является результатом фундаментального процесса передачи втргии и импульса первичного иона распыляемым атомам в каскаде столкновений атомов поверхности. Развитие каскада столкновений характеризуется анизотропным распределением энергии и импульса ато?тов отдачи на рашп1Х стадиях его формирования. Ранее такой анизотропии по уделялось должного внимания. Однако а последние годи в результата теоретических и экспериментальных исследований дкфферешдавлышх закономерностей раслилэния и вторично-ионной здатсски (ВИЗ) устшовлено существенное влшшио анизотропии каскада на распыление. Процессы распилеяия и ионообрэзовалия является основой методов диагностики поворхности ионными пучками и изучение анизотропии этих процессов представляет значительный практический интерес. Развитие теории анизотропного рзсгшлшшя и ВЮ в настоящее ззромя ограничено относительно небольшим количеством зксшримзотальних двншх, что л определят ис<^одаввния, проведенного в настоящей диссертационной работе.

Цель работы заключается в разнятая представлений о роли анизотропии в процессах рвспылелия и новообразования на основе экспериментального исследования дифферэициальинх распределений ЕИЭ и моделирования распыле кия с гомощьв ЭВМ.

В работе били поставлены следувдиа задачи:

- разработать комилвкснув кзтодаку изучения угловых и впергетяческях закономерностей ВИЗ, в также ?эделгрОЕ8Я2Я Р8СШ1Л0НИЯ с помощью ЭВМ;

выполнить систематические исследования .угловых распределений распыления л ВИЗ в зависимости от структуры а состава материала мишени;

- изучить закономерности формирования дифференциальных распределений в зависимости от анизотропнах свойств каскада столкновений;

- определить области практического применения исследова1ШХ

эакоиомораостой.

Научнаяновизна работы заключается в том, что впервые:

- обнаружена и обоснована существенная роль коротких каскадов столкновений в распылении полукристаллического и монокристаллического ниобия:

- на примере ВТСП-металлокерамикк совместно исследованы угловые и энергетические закономерности распыления атомов и вторичных ионов многокомпонентного материала;

- установлена взаимосвязь между угловыми и энергетическими характеристиками распыления и ВИЗ, как проявления анизотропии процесса передачи энергии и импульса первичного иона распыляемым атомам поверхности;

- систематически изучены закономерности прямого выбивания и ионизации атомов водорода из поверхности под воздействием бомбардировка ускоренными ионами аргона. Обнаружено отличие закономерностей прямого выбивания от рассеяния изолированных втомнлх чветиц;

- теоретически обоснована возможность накопления атомов легких примвеей в распыляемой поверхности матрицы тяжелых элементов.

0£2£^еская_цетдсть.

В процессе выполнения диссертационной работы создан комплекс оригинальных методических средств для совместного исследования процессов ВИЗ и распыления. Разработаны программы для ЭВМ, обеспечивающие моделирование распыления в коротких каскадах столкновений, интерпретации модельных угловых и энергетических распределений в соответствии с условиями экспериментов, учет влияния углового и энергетичпекого разрешения 1грибора на измеряемые зекономерности эмиссии ионизировании атомов прямой отдачи. Развиты основы применения угловых и энергетических закономерностей ВИЗ для диагностики поверхностной сегрегация водорода, экспрессного контроля кристаллической ориентации и структуры монокристаллов.

На защиту выносятся следуициа основнне_положвния:

I. Коротки© цепочки столкновения атомов отдачи е поверхности твердого тела играют существенную роль в формировании конечных угловых распределений распыляемых атомов й вторичных ионов. Это предопределяет увеличение полярного угла арйимуедестввгоого ресшшэнмя втошшх частиц при увеличении их

зпергил.

2. Прямое выбивание ионизированных атомов водорода ионами аргона из поверхности монокристаллического ниобия сопровождается неупругими потерями анергии н импульса в процессе столкновения этих частиц.

3. Распилениа водородсодержащих материалов может сопровождается накоплением водорода в поверхности, обусловленного различием механизмов распыления атомов водорода и матрицы.

Апробация_раОоти. Материалы диссертация докладывались на V Всесоюзном семинаре по вторичной ионной и ионио-фотонной ямиссии (Харьков, Харьковский гос. ушшорситег, 1388), Всесоюзной конференции "Пошр?люст1,~89" (Че рноголотса, 1989г.), хза Всосошной Конференции по эмиссионной электронике (Ленинград, 1990), международной конференции по шшгой имплантации (Болгария, Элсмшт, 1990), VIII Международной конферондии по вторично-ионной масс- спектрометрии

(Амстердам, 1991), х Всесоюзной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" (Звенигород, 1991).

Результаты работа также доложены и обсуждались на научных семинарах отделе физики металлических поверхностей ИМФ АН Украины.

По теме диссертационной работа опубликовано II работ в научных журналах и сборниках, список работ приведен в конце автореферата.

Диссертационная работа состоит из введения, 5 глав, выводов, списка литературы и приложения. Изложена на 137 страницах машинописного текста, включая з<5 рисунков,Г таблицу, список литературы, содержащий 7Б наименований и приложения, содержащего используемые обозначения и сокращения, а также тексты оригинальных программ для ЭВМ.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАЩЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во_пдодашт кратко обоснована актуальность работы, показана ее научная новизна и практическая ценность, сформулирована задачи исследования, дана краткая характеристика основных разделов диссертации и приведены основные положения, выносимые на защиту.

ВпорьоЯ главе сделан обзор теоретических представлений ш экспериментальных дашшх о распылении и эмиссии атомов прямой отдачи (АЛО). Изложение теории эмиссии АЛО произведено с учетом неупругих потерь анергии и анализом возникающих отклонений от упругого приближения. Кратко охарактеризована закономерности эмиссии многократно рассеянных атомов в цвпочквх из 2-3 столкновений. Долее изложена основные принципы построения каскадной теории изотропного рясшлония. Показаны условия изотропного распылошт, т.е. развитая изотропного каскада смещений атомов поверхности, и особенности угловых распределений распиленных частиц при таком распылении, как то независимости формы таких распределений от энергии вторичных частиц при оОщем следовании косинусоидальной зависимости от угла эмиссии.

Дальнейшей изложотю сведений из области распыления посвящено анализу различных случаев анизотропного распыления. Показан вклад механизмов такого распыления в угловые спектры вторичных чвстиц, а также зависимость структуры таких спектров от анергии частиц. Кратко охарактеризованы основные методы моделирования распыления с помощью ЭВМ. Вопросы ионизации распыленных частиц затрагиваются лишь в той мере, которая необходима для понимания отличия улоиых распределений рпслшло иных атомов и вторичных ионов. В целом в работе используется вывод о качественном подобии структуры угловых споктрон вторичных ионов фиксированной вноргии угловым споктрам распыления. В обзоре подчеркнуто, что в нестоящее время в литературе имеется сравнительно мало информации о процессах анизотропного распыления и ВИЗ, в частности о эмиссии АЛО, угловых распределениях компонент распыления и ВИЗ многокомпонентных материалов и монокристаллов, особенно о зависимостях этих узловых распределений от анергии вторичных частиц. Поквзвнв актуальность качественного анализа процесса формирования угловых распределений с помощью моделирования распыления и измерения ВИЗ.

На основа ензлмза литературных данных в конце главы сформулированы основные задачи исследования.

Вторая_глава посвящена описанию мьтодики совместного измерения угловых распределений вторичных ионов и ионизированных АЛО с высокая угловым и энергетическим разрешением и мэделировшвм с помощью ЭВМ процесса распыления. Показаны возможности я условия измерения угловых распределения вторичных

иолов и ионизироиашшх АЛО водорода. Окспоримояталыше исследования выполнены на спектрометрическом комплексе с высоким угл овш, зшргэгическим и масс-сдактральшм рлзршнониом, разработанным в ИМФ AJI УССР. Он обеспечивает последовательную подготовку, транспортировку образца, контроль состояния поверхности трядициошшми методами ОЮ-снектроскопии и ВИМС и возмодаюсть ое исследования о сверхвысоком впкуумэ Б«10""Па баз разгерметизации установки. Обрязоц размещается на манипуляторе образца с 6-ю степенями свобода. Нострукцип манипулятора, эпергоннялизотора и камеры в целом обеспечивает при измонешм одного из углов (JftiKonpoBSHnue знача ним остальных. Угловые и энергетические зависимости ВЮ измеряются при независимом измена шш полярного утла бомбардировки, полярного и азимутального углов эмиссии и энергии вторичных ионов в бесполевом пространстве в условиях заземленных корпуса установки, образца и внвиоЗ оболочки анергоонализатора, что обеспечивает высокую достоверность изморениня угловых и энергетических распределений ВИЗ. Разрешение в угловых распределениях вторичных иопов составляет 4»Ю"*-10"гст8рр и шжат изменятся без разгардатиза цш камера при перемещении подвижной пленки на входе энергоанэллзятора с набором диафрагм различного диаметра. Разрешение в энергетических спектрах вторичных ионон составляет 0.05-0.5 зВ в ражяко с постоянным абсолютным разрешением по знергот и 0.05н в резями с постоя1шш относительным разрешением. Энергетическое разрешение также изменяется при измонении величины дополнительного управляющего напряжения мажду пластидами эноргоанализнторя. Наряду с изморо1г,1вм интегрального по массам потока вторичных ионов возможна масс-сепарация с использованием радиочастотного монопольного масс-снвтром&трн. Дня обеспочения измерений с дополнительной масс-сепарацией в босполевом пространства ускорящий потенциал для вторичтагх ионов подается пепосрадственно на масс-спектрометр, развязанный по постоянному току относительно остальных частой анализатора. В главе показала необходимость использовшя высокого энергвтичэского (~0.I зВ) и углового разрешения для измерения эмиссии ионизированных

АЛО. Кратко рэссдатрояа мэтодиха подготовки и условия изучения образцов исследуемых материалов.

Далее описаян использование в работе метода моделирования

-e-

угловых распределений распыления с подащьи ЭВМ.

Для оценки вклада в угловые распределения коротких цепочек столкновений атомов, т.е. многократных атомов отдачи, использована оригинальная программа моделирования угловых и энергетических распределений распыления в рамках приближения твердых сфер и пренебрежения влиянием поверхностного потенциального барьера. Приведены условия расчетов и способы интерпретации полученных данных.

Для моделирования каскадного расшлэния в работе использовалась программа модел)грования распыления trim.sp. в соответствии с задачами исследования и использоваными моделями ЭВМ исходный текст программы был адаптирован для шм pc/at. Раслылеппыо частицы собирались в файл данных с указанием направления вылета, анергии, сорта для многокомпонентной мишени, глубины выхода и количества столкновений, которое испытала частица до распыления. Поверхностный потенциальный барьер при этом не учитывался. Наряду с файлом распыленных частиц создавались файлы данных для рассеянных первичных ионов и имплантированных атомов. Формирование из такого файла данных конечных угловых и энергетических распределений распыленных частиц с учетом высоты и формы поворхностного потенциального барьера производили с использованием оригинальной программы обработки данных trim.sp - overtrim, текст которой вместе с программой преобразования выходных файлов trim.sp в вид, удобный для overtrim, помещен в приложении.

В третьей главе приведены результаты экспериментальных исследований дифференциальных характеристик эмиссии ионизированных АПО с поверхности монокристаллов ниобия.

Изложены результаты кз<»врсняя разнообразных угловых зависимостей выхода ионизированных АПО водорода в зависимости от полярного и азимутального углов бомбардировки, направления эмиссии, анергии АЛО. Анализ таких угловых «шисимостой произволен с точки зрения поиска влияния блокировки эмиссии АПО п затенения первичных ионов «томами матрицы. Показано отсутствие влияния таких- аффектов нв угловые зависимости эмиссии АПО. Особое внимание уделялось измерению энергии АПО в зависимости от угла рассеяния. Данные таких измерений анализировали в соответствии с различными механизмами эмиссии АПО с поверхности. Показано, что процесс эмиссии положительно заряженных АПО

водорода сопровождается не только неупругими потерями анергии, но и обменом импульсом мозду системой сталкивинцихсн частиц и поверхностью ниобия.

Сравнение угловых зависимостей ВЮ матричных ионов и АПО водорода позволило сделать вывод об относительном накоплении водорода на поверхности в процессе динамического растшшкя. Так, при изучении • озимуталышх зависимостей ВИЗ матричных ионов ниобия и ионизированных АПО водорода отмечается относительный рост эмиссии MIO при значениях угла бомбардировки, соотвитствущвго плотным направлениям кристалла, т.о. относительному пошшегого эмиссии АПО при увиличении скорости распыления. Анализ условий распилен» водорода как примеси из поверхности показывает, что 1гри достаточно низкой средней энергии частиц в каскаде на поверхности преобладающим механизмом распыления водорода становится змиссия АПО, выбитых первичными ионами. При атом должно наблюдвтоя накопление водорода т поверхности в силу малой величины сечения прямого выбивания водорода по сравнению с общим ковфициентом распыления. В ряде случаев такое накопление может носить аномальный характер, т.е. концентрация водорода на поверхности может значительно превышать обЪешую и увеличиватся при увеличении скорости распыления поверхности.

В четвертой главе на примере ВТСП-керамини изучены закономерности ВИЗ и распыления многокомпоиентной мшена при достаточно большем различии атомных масс компонент и наклонной бомбардировке ионами вргона с анергией 6 кзВ. Меньшее, нежели для пары водород-ниобий, различие атомных масс компонент керамики приводит к менее сильной анизотропии эмиссии и меныюму различию структуры угловых распределений. Тем не менее, вклад первично выбитых атомов и атомов, выбитых в 2-3 столкновениях в угловых спектрах ВИЗ и распыления оказывается значительным. Так положение максимумов эмиссии относительно нормали к поверхности для различных ионов отличаются. Например, s>raCDa't»®m<y*>. Изменяется значение е^ и при изменении энергии вторичных ионов, а именно: с ростом ьнергии В величина вт растет, т.е. полный угол рассеяния ч< между направлением бомбардировки и эмиссии, соответствующий значении ®т. уменьшается. Такая зависимость от Е соответствует зависимости максимума змисии АПО и атомов, выбитых в 2-3 столкновениях, когда ещо не разрушена исходная

корроляция между направлением бомбардировки и эмиссии, а также соотношение масс сталкивающихся частиц. Как первая, так и последняя особенность эмиссии многократно выбитых атомов отдачи при развитии каскада столновэний нивелируется. Для подтворадения такого механизма ВИЗ керамики произведено моделирование угловых распределений распыления для различных анергий вторичных нейтральных атомов.

Вклад рассеяны* в 1-2 столкновениях атомов отдачи бария моделировали для коротких цепочек аргон-кислород-барий, а полные угловые распределения атомов - с помощью программы trim.sp. Такое моделирование позволило объяснить структуру угловых распрелешй ВИЗ и зависимость положения от анергии Е не только для исследованого в данной работе поликристалла керамики, но и для монокристаляического образца по данным литературы. В целом анизотропия распыления для спеченного поликристалле оказывается выше. Такое отличие связано с рельефом поверхности поликристалла, отсутствующим для монокристалла. В глава приведены угловые! зависимости интенсивности ВИЗ от полярного угла бомбардировки а, форма которых такта частично обусловлена рельефом.

В пятой главе представлены результаты ачспвримен- таяъного исследования угловых распределений ВИЗ монокристаллов ниобия с различной ориентацией поверхности при наклонной бомбардировке ионами аргона с анергией 5 кэВ и результаты численного моделирования распыления поликристаллов ниобия.

Структура угловых распределений ВИЗ также зависит от энрзгии вторичных ионов и в целом обычно содержит более одного максимума эмиссии. Tait, направление максимума вт даже для низких энрегий Е<15 зВ в целом не совпадает с направлением нормали к поверхности, отклоняясь от нормали по мере увеличения энрегии Е. В атом отношении угловые распределения ВИЗ различных граней оказываются подобны друг другу- Хотя конкретные значения ©т для различных граней оказываются разными, в угловых распределениях отсутствуют четко выраженью максимумы вдоль направлений плотной упаковка кристалла. Так наряду со смещением @гг в угловых расцреелвниях, соответствующему в общем выводам теории анизотропного каскадного распыления Розенталя-Сандерса, присутствуют максимумы в направлениях эмиссии АЛО и многократно рассеяньк атомов, эмиссия в направлении которых с увеличением

анврпш Е относительно возрастает.

Моделироввниа распыления поликристалла м> обнаруживает аналогичную структуру угловых распределений распыленны* атомов. Анализ такой структуры в зависимости от энрегии Е и количества столкновений N. которое испытал атом до распыления, показывает, что анизотропия угловых распределений атомов обусловлена в основном вкладом сильно анизотропных рапроделений с м-1.,3.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Основные..результата, иолученнне в диссертационной работе сводятся к следующему:

1. Разработана комплексная методика зкспершентадьного исследования ВИЗ и моделирования распыления с помощыэ ЭВМ, включающая:

а) приготовление и аттестацию скУЬектов исследования, контроля состава и атомной структуры поверхности;

б) измерения дифференциальных закономерностей • юга в зависимости от направления и анергии бомбардировки нонами инертных газов, направления, анергии и сорта вторичных йогов, углового и энергетического разрешения экспериментальных спектров;

в) калибровку пропускания электронно-оптической систенн для измерения угловых и энергетических зависимостей эмиссия ионизированных атомов ирнмоД отдачи;

г) моделирование процесса растления поликристаялическях я аморфных материалов с помощью ЭВМ с использованием как общедоступной программы трпм^г , так и оригинальной программы моделирования распыления п коротких каскадах столкновений;

д) соответствие формы вывода данных программ моделирования распыления экспериментальным условиям сбора вторичных ионов, достигаемое при использовании оригинальной программы о\тжтмм для обработки результатов моделирования и сопоставления с данными экспериментов;

е) возможность анализа влияния внутренних статистически* свойств каскада столкновений в поверхности ¡м конечные угловые и энергетические закономерности распыления атомных частиц.

2. В условиях высокого углового и энергетического разрешения

йзучона эмиссия ионизированных атомов прямой отдачи водорода ггра бомбардировка ускоренными ионами аргона с энергией 2-7 кзВ поверхности шдородсодержащего монокристалла ниобия с различной ориентации граней. Совместно со вторичнни ионами ниобия исследованы основные угловые и энергетические закономерности такой эмиссии. Показана роль неупругих потерь анергии и импульса в процессе формирования АЛО на конечные энергию и направленна эмиссии.

3. Совместно исследованы распыленна и ВИЭ многокомпонентной ВТСП-мэталяокервмдаи ува^сио^ с разрешением по направлении и энергии эмиттаровзшшх частиц для различных атомных компонент распыления и ВИЭ. Обнарузкена взаимосвязь угловых и энергетических закономерностей ВГО и распыления, а также закономерностей эмиссия отдельных компонент между собой. Показано соответствие закономерностей ВИЗ и рясньшшия, проявляющееся в ко до зависимости положения максимума в угловых распределениях сепарированных по массам частиц от их анергии, соответствующей закономерности амиссид АПО.

4. Исследованы угловые и энергетически® закономерности ВИЭ граней (100), (110), (III) монокристалла ниобия при бомбардировке иошми аргона с энергией 5 каВ. Обнаружено изменение формы и структуры угловых спектров с увеличением энергии вторичных ионов от 5 до 250 аВ, но связанное с эмиссией в направлениях плотной упаковки кристалла. Проведено сравнение измеренных закономерностей ВИЭ монокристалла и результатов выполноного моделирования распыления поликристалла. Показана существенная роль анизотропного распыления в формировании конечных угловых распределений распыляемых атомных частиц.

5. Изученные закономерности ■ распыления и ВИЭ ВТСП-металлокерамики и ниобия, а также эмиссии шлизированных атомов примой отдачи водорода связаны с внутренними статистическими характеристиками каскада столкношший, н именно: распределением числа распыленных атомов в зависимости от длины цепочки столкновений, приводящей к распылению. Проподэн анализ вклада атомов отдачи различных поколений в каскаде столкновений в конечные углшовоа распределения рвспнлвтшя в зависимости от анергии атомов. Показана тождественность таких статистических свойств для распыления компонент ВТСП-металлокнрамики, приводящая к подобию угловых и энергетических закономерностей

амиссии каждой компоненты.

6. На основе подхода, учитывающего внутренние характеристики каскада столкновений и условия передачи энергии в каскаде обнаружена возможность сегрегации водорода в распыляемой поверхности водородсодержащей матрицы, обусловленная различием механизмов эмиссии атомов матрицы и водорода.

На основе лолученых результатов сформулированы следующие вывода:

1. Распыление и ВИЗ ВТСП-металлокерамики "4ГВаа,Сив°,_к и ниобия при наклонной бомбардировке ионами аргона кзВ-ннх энергий характеризуется анизотропным развитием каскада столкновений в поверхности. Основной вклад в вшсст атомных частиц вносят короткие цепочки каскада столкновений, состоящие из 1-4 атомов.

2. Развитие анизотропного каскада смещений в поверхности в отличие от изотропного распыления приводит к появлешш взаимосвязи угловых и энергетических закономерностей распыления и ВИЗ. Основным следствием является отклонение максимума эмиссии в угловых распределениях от нормали, увеличившееся с увеличением энергии вторичных частиц. При этом для многокомпонентных материалов подобие статистических характеристик каскада столкновений для каждой компоненты влечет подобие конечных угловых распределений распыленных аг^мов. Соответственно отличив таких характеристик каскада приводят к отличиям структуры угловых распределений.

3. Указанные закономерности играет существэннуи роль в процессе сегрегации компонент на распыляемой поверхности, в частности могут приводить к сегрегации, обусловленной отличием механизмов распыления. Эти закономерности должны учитываться при анализе состава материалов методами вторично-иошой масс-спектрометрии (ВИМС).

4. Эмиссия атомов прямой отдачи водорода при бомбардировке ускоренными ионами водородсодерясащих поверхностей является результатом сложного процесса взаимодействия первичного иона а атома водорода с поверхностью, приводящего к неупругим потерям энергии и импульса системой сталкивающихся частиц.

5. Изученные в работе закономерности могут исдальзоватся для интерпретации данных послойного анализа, диагностики водорода в

йоверхноста и дальнейшего развитая теории распыления и ВИЭ.

Основные результаты диссертация опубликованы в сладуыдюс работах:

1. Косячков A.A., Чврепин В.Т., Чичкань С.Ы. О применимости дифференциальных характеристик ВЖЭ для анализа распыления // Поверхность. -1989. -N 5. -С. 142-146.

2. Косячков A.A., Черепия В.Т., Чичкань С.М., Вичев Р.Г., Закономерности вторично-ионной эмиссии Мо (100) //Теш .докл.- y

Всесоюзный семинар по вторичной ионной и ионяо-фэтонной

эмиссии.— Харьков.- Харьковский госуниверситет.- 1988.- с.62.

3. Косячков A.A., Чврепин В.Т., Чичкань С.М., Вичев Р.Г. Два пика.в угловых и энергетических распределениях ВИЭ аргона, имплантированного в поверхность мо«оо> //Поверхность.-i989.~ и 2.-С.143-144.

4. Косячков A.A., Трилецкий B.C., Чорепин В.Т., Чичкань С.М. Наблюдение гелия-3 и трития, образующихся при ионпо-плазмеином насыщении титана дейтерием //Письма в ЖЭТФ.-1989.-Т.49.- n i2.~ С.548-651.

5. Cherepin V.T.,Chichkan S.M.,Kosyachkov A.A. Direct, recoils of hydrogen under Л г ior» bombardmerit of hydrogen containing s.-urfiCes/.'-'Int.Corif.on ion Implantation and Ion beam equipment.-Elenlt.e.-Bulsax-ia.-lS'SÜ: Abstr.-So«a:IE BAN.-19S0.-P.i65.

6. Oherepin V.T., Chichkan S.M., (Cosyachkov A.A. Direct recoils of hydrogen and secondary ion emission from niobium surfaces .''✓'Abstract.-XIII International Conference on Secondary Ion М,льь; Spectrometry, Sept.l5-20.-1991.- Amsterdam, Netherland.

7. Косячков A.A., Черепия В.Т., Чичкань С.Ы., Клименко А.Г. Угловые и энергетические закономерности вторично- ионной эмиссии УВа2Сиэ07_х //Сверхпроводимость.- 1990.- Т.З.- N 8. -С. 1664-1670.

8. Косячков A.A., Черепиц A.B., Чичкань C..U. Влияше кислорода и микрорельефа поверхности YBaaClW-x 118 угловые закономерности вторично-ионной эмиссии //Всеоош. КОНф. но эмиссионной злоктронико, • Ленинград.- 19Э0 : Тез.докл. -Ленинград: НТО АН CCCP.-i990.-C.i97.

9. Косячков A.A., Черегош В.Т., Чичкань С.М., Штяяие микрорельефа поверхности на конечные угловые и энергетические

распределения распыления.х^Тезисы 'доклада Всесоюзной

конференция "Повэрхность-вЭ", Черноголовка.- 1589.-СЛ33. Ю- A.A.Косячков. В.Т. Черепин, О.М. Чичкань.- Аномальное накопление водорода в распыляемой поверхности твердого тела /✓Письма в журнал технической физики.- 1991.- т.17.-в.5.-св1-б4. II. A.A. Косячков, В.Т. Черэгош, С.И. Чичкань Машинное моделирование распыления кремния при бомбардировке ионами аргона //Тез. х Всесоюзной конференции Взаимодействие ионов о поверхностью."-Звенигород.- 1991.- М:ШФИ.-сВ5.

Подписано в печать 17.0I.92r формат 60x6^/16 Бумага- писчая.Усл.печ.л. 1.0. Зиоаж 100 »иа. Заказ М 7±

Отпечатано НУОП КФ "Плодмашпроект" г.Кяев.Саксаганвкого,!