Быстрая собственная люминесценция галогенидов цезия при возбуждении рентгеновским синхротронным излучением тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.05 ВАК РФ

"12 1 и Н 2

МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА, ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕВОЛЮЦИИ И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ИМ. М.В. ЛОМОНОСОВА

ФИЗИЧЕСКИЕ ФАКУЛЬТЕТ

На правах рукописи УДК 535.37

А.Л. РОГАЛЕВ

БЫСТРАЯ СОБСТВЕННАЯ ЛШИНЕСЦЕНЦИЯ ГАЛОГЕЭДДОВ ЦЕЗИЯ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ РЕНТГЕНОВСКИМ СИНХРОТРОННЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

01.04.05 - Оптика

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва - 1992 г.

Работа выполнена на кафедре теоретической физики физического факультета МГУ им.М.В.Ломоносова.

Научные руководители:

Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

доктор физико-математических наук,

доцент В.В.М1ШШЛИН

кандидат физико-математических наук,

Н. с. А.Н.ВЕЛЬСКИМ

доктор физико-математических

наук, В.А.Смирнов кандидат физико-математических наук, Б.Д.Рыжиков Физический институт РАН

Защита диссертации состоится " 1992 года

в " /^"""^часов на заседании Специализированной Совета Л I (К.053.05.17) Отделения Экспериментальной и Теоретической физики физического факультета МГУ им.М.В.Ломоносова.

Адрес: 119899 ГСП, г.Москва, Ленинские горы, МГУ, физический факультет, аудитория $.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке физического факультета МГУ. —

Автореферат разослан " руд " СеМУЖСА&- 1992 года.

Ученый секретарь Специализированного

Совета № I (K053.05.I7) ОЭТФ, кандидат физико-математических наук

л л

•о -

•'М^ - ■■ ■ Л• С.Штеменко

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В настоящее время синхротронное излучение (СИ), благодаря своим уникальным свойствам, стало закннм инструментом исследований в физике твердого тела, в атомной и молекулярной физике, в биологии.

Развитие экспериментальных методик, использунцих высокоинтенсивные потоки рентгеновского СИ, требует разработки и создания новых высокоэффективных сцинтилляционнкх детекторов с наносекундным временным разрешением. Такие детекторы также представляют большой интерес в ядерной физике, физике высоких энергий и медицинской диагностике. Для большинства применений наибольший интерес представляет радиационзо-стойкне материалы с большим эффективным этапным номером. Наиболее перспективными являются широкозонные ионные кристаллы, обладащие собственной наносекундной лтивесценпней при зысокоэнергетическсм возбуждении, к которым относятся галогениды цезия.

Дальнейший прогресс в развитиии неорганических сцинтиллятороз должен базироваться на основе детального знания процессов создания и редЕксации электронных возбуждений, механизмов передачи энергии центрам свечения.

Использование сннхротрэнного излучения, именцзго стабильную наносекундную временную структуру, открывает принципиально новые зозмовэости изучения быстрых радиащюнно-стимулированвых процессов в кристаллах с субнаносекундкнм временным разрешением.

Основной целью настоящей работы было исследование спектрзльнэ-кинеткческих характеристик собственной люминесценции кристаллов галэгеиидоз цезия с субнаносекунднкм временным разрешением с использованием рентгеновского синхротронного излучения. 3 связи с этим было необходимо рззработать методику и создать экспериментальна устанозку для измерения кривых затухания и спектров лксснесценции кристаллоз с субнаносекундным временным разрешением на канале вывода СИ из "змейки" накопителя электронов ВЭПП-З 1'ЛФ СО АН СССР.

Научная новизна диссертационной работы отражена в основных

положениях, выносимых на защиту, и заключается в следущем:

I.Создана экспериментальная установка для исследована люминесценции твердых тел при возбуждении импульсам; рентгеновского СИ с временным разрешением не хуке 150 пс.

2.Обнаружена температурная зависимость формы спектра з кинетики затухания кросслюминесценции кристаллов Cs? и CsCl, Показано, что закон затухания одинаков в рззличЕых полоса: сзечения и носит неэкспоненциалъный характер.

3.Предложена интерпретация механизма кросслюмивесценцЕИ, учитызащая релаксацию кристаллической решетки, при это» излучательнне переходы происходят между электронными состояниям валентной зоны и состояниями локализованной остовной дырки.

4.Впервые измерены спектрально-кинетические характеристик; быстрой ультрафиолетовой люминесценции кристаллов Csl в широко; диапазоне температур и условий возбуждения. Показано, чтс энергетическая зависимость кзантозого выхода и температурны; зависимости кинетики и спектрального состава свечения не могу: быть объяснены з рамках традиционных моделей. Предположено, чтс взаимодействие близкорасположенных электронных возбуждена приводит к образованию центров свечения, ответственных з; быструю ультрафиолетовую люминесценцию иодида цезия.

Практическая значимость работы. Галогениды цезия, язляютс; наиболее перспективными материалами для саинтклляционнш детекторов, разрабатываемых в настоящее время для эксперименте: по физике выеоких энергий на новых строящихся супер-коллайдера] (Серпухов, ЦЕ?Н, Врукхевон). Полученные в работе результат; могут быть использованы для улучшения зременныз характеристик и повышения чувствительности этих детекторов.

Созданная экспериментальная установка уже нашла применена« для исследования люминесцентных характеристик как широкозонгл ионных кристаллов, так и полупроводниковых структур.

Апробация работы. Оснонные результаты диссертационно; работа опубликозэны в 8 научных работах, список которых призе де: в конце автореферата, и докладывались на Всесоюзных конференциям "Физика вакуумного ультрафиолетового излучения и еп взаимодействие с веществом" (Иркутск,1939, Томск,1991), VI]

Всесоюзной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (Рига,1989), Международных конференциях по использованию синхротронного излучения (Новосибирск, 1933, Москва,1993), Второй Европейской конференции "Progress in Х-гау Synchrotron Radiation Research" (Roms,1989), Четвертой Международной конференции "Synchrotron Radiation Instrumentation" (ehester, 1991 ) и Десятой Международной конференции VUV-10 (Paris, 1992).

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пята глаз к заключения. Работа изложена на 118 страницах, включающих 26 рисунков и 3 таблицы. Список датируемой литературы содеркит 111 наименований.

СОДЕРКАЖЕ РАБОТЫ

5о ззедении обосновывается актуальность темы, сформулирована цель работы и кратко изложено содэрхзние диссертации.

В перзой глазе приведены основные литературные данные теоретических й экспериментальных исследований электронной зонной структуры галогенидэз цезия. Особенности строения энергетических зон обсухдэвтся на примере иодида цезия, как наиболее изученного из ззего тзяда.

Излоеэны слокизлшеся к настоящему времени педстазления о процессах релаксации внзокоэнэргэтичэскнх электронных возбуждений в ионных кристаллах, созданных з результате поглощения иозкзируидэго излучения. Далее анализируются работы, посвященные исслэдоззнию собственной л>з.«икесцешдии галогенидоз цезия. Особое внимание уделено темлературностэбильиому свечения, порог возбуждения которого соответствует началу переходов из остовной Cs 5р-зоны з зону проводимости и имеющему наносекундные времена затухания (называемая Auger-free luminescence или кросслюминесценция). Предстззлены основные результаты экспериментальных исследований и рассмотрены сущестзувдие модели механизма быстрой ультрафиолетовой лвминэсценцш иодида цезия.

Показаны преимущества СИ как источника возбукдаюшдх фотонов аля люминесцентной спектроскопии с субнаносекундным временным

разрешением. Проведен анализ основных методов спектрально-кинетических исследований люминесцении твердых тел при возбуждении импульсами СИ. Рассмотрены методы анализа кривых затухания люминесценции.

Во второй главе описана экспериментальная установка для исследования спектрально-кинетических характеристик

люминесценции твердых тел при возбуждении рентгеновским синхротронным излучением, созданная на канале вывода СИ из "змейки" (магнитное поле Н=20 кГс) накопителя ВЭПП-3 ИЯФ СО РАН (энергия электронов Е=2.0 ГэВ, средний ток 1=100 мА).

Синхротронное излучение накопителя ВЭПП-3 представляет собой следующие с периодом Т=248 не импульсы почти гауссовой формы с о=430 пс, которая зависит от режима работы накопителя. Плотность потока фотонов в месте установки образца составляет около 109 фот/(см2 ш). Конструкция азотного криостата (рабочий диапазон температур 80 К - 600 К) предусматривает возможность установки непосредственно перед образцом по ходу пучка СИ рентгеновских фильтров.

Система регистрации люминесценции включает в себя

монохроматор МДР-23 с рабочей спектральной областью 200 - 800 нм

о

и обратной линейной дисперсией 13 А/мм и диссектор ЛИ-602, работающий в стробоскопическом режиме с аппаратным временным разрешением не хуже 20 пс. В данной экспериментальной установке реальное временное разрешение ограничивается размерами изображения люминесцирующей части образца на фотокатоде диссектора и отсутствием возможности проведения параллельного измерения формы возбуждающего импульса и составляет приблизительно 150 пс.

Использование стробоскопического метода электронно-оптической хронографии на основе диссектора, разработанного Э.И.Зининым для определения азимутального размера электронного сгустка в накопителе, в сочетании с временной структурой СИ накопителя ВЭПП-3 позволяет проводить измерения: -спектров стационарной люминесценции; -кривых затухания люминесценции;

-разрешенных во времени или "мгновенных" спектров люминесценции.

"Мгновенные" спектры измеряются одновременно в шести временных каналах шириной Лг=50 пс, разделенных интервалом 41.3 не, причем их положение может быть изменено относительно возбуждающего импульса.

Третья глава посвящена исследованию быстрой собственной люминесценции галогенидов цезия, в которых энергетически запрещен Оже-распад остовной Сэ 5р-остовной дырки. При возбуждении импульсами рентгеновского СИ измерены спектрально-кинетические характеристики люминесценции кристаллов СбР и СбС1 при температурах образца 100 К, 300 К и 400 К.

Спектр быстрой люминесценции фторида цгзил состоит из четырех перекрывающихся полос с максимумами 3.1эВ, 3.7эВ, и 4.1эВ. Обнаружено, что при увеличении температуры от 100К до 400К происходит значительное уширение наиболее интенсивной полосы свечения (3.1 эВ), тогда как остальные полосы практически не изменяются с температурой. Показано, что кривые затухания люминесценции, измеренные при комнатной температуре, в различных участках спектра совпадают в пределах точности эксперимента и наилучшим образом аппроксимируются суммой двух экспонент с г., =3.1 не и 1г=0.9 не и соотношением их амплитуд А1/Аг=2.5. Изменения кинетики затухания люминесценции с температурой одинаковы для различных полос, причем с повышением температуры вклад быстрой компоненты увеличивается.

Сопоставление спектров быстрой люмик°сценции хлорида цезия, измеренных при различных температурах обр^ца (рис.1), позволяет выделить , по крайней мере, четырех перекрывающихся полосы с максимумами 4.1эВ, 4.5эВ, 5.1эВ и 5.4эВ. Температурная зависимость формы спектра свечения имеет сложный характер. Полоса 4.1эВ проявляется только при низких температурах, тогда как полосу 5.4эВ можно наблюдать лишь при температуре образца выше 300К. Отмечается значительное увеличение полуширины полосы 5.1эВ с увеличением температуры, а полоса с максимумом при 4.5эВ в диапазоне температур от 100К до 400К практически не изменяется. Установлено, что закон затухания одинаков для различных полос и значительно изменяется с температурой (см. рис.2). При комнатной температуре кинетику затухания наилучшим

О

—г~ 4

6

300К ••..

••-..400К

8

10

12

-г~

14 не

Рис.1. Кривые затухания кросслюминесценции СйС] при различных температурах

Рис.2. Нормированные спектры кросслюминесценции СбС1 при различных температурах

бразом удается описать с помощью суммы двух экспонент с арактерными временами .22нс и т2=0.78нс и отношением их мплитуд А1/А2=1.37, причем с понижением температуры тносительная доля быстрой компоненты увеличивается. При емпературе образца Т=400К с достаточно высокой точностью можно читать, что кинетика имеет одноэкспоненциальный вид с временем атухания т=1.43нс.

С учетом полученных экспериментальных данных обсуждается еханизм кросслюминесценции. Дырка, созданная в остовной зоне, а времена порядка 1СГ11 сек "всплывает" к потолку зоны, оскольку вероятность непрямых излучательных переходов много зньше вероятности прямых переходов и электрон и дырка, чествующие в переходе, находятся в нелокализованном состоянии, э спектр свечения должен состоять из узких линий даже при эмнатной температуре. В случае кристалла СбСЛ по данным зоретических расчетов потолок остовной Се 5р-зоны находитсе ь -точке зоны Бриллюэна, тогда форма спек.гс. свечения будет сражать структуру плотности электронных состояний валентной эны в Х-точке, представляющую собой набор дельта-функций. Таким 5разом, представления о механизме кросслюминесценции, как злучательном переходе валентных электронов на нелокализованную ;товную дырку, противоречат экспериментальным данным. Исходя из ?ой модели не удается объяснить ни форму спектра, ни 5наруженные изменения с температурой спектрального состава и шетики кросслюминесценции.

В работе сделано предположение, что излучательному переходу юдшествует изменение структуры ближайшего окружения остовной [рки. Время жизни дырки в остовной зоне составляет порядка Ю-9 к. За это время должна произойти достаточно сильная 'ляризация решетки, приводящая вместе с короткодействующим аимодействием к образованию локализованного состояния. При ом быстрая люминесценция есть следствие излучательного рехода электрона из валентной зоны на локализованную остовную рку. В рамках этой модели, наличие нескольких широких полос в ектре свечения и их различную температурную зависимость можно ъяснить образованием остовного полярона малого радиуса, а

также возможностью локализации дырок как в регулярном уз кристаллической решетки, так и около структурного дефекта.

В четвертой главе приведены результаты исследовани механизма быстрой ультрафиолетовой люминесценции иодида цезия.

При возбуждении импульсами рентгеновского СМ измерен "мгновенные" спектры люминесценции номинально чисты монокристаллов Сб1 в диапазоне температур 90К - 540К. Пр: комнатной температуре спектр свечения состоит из широко: неэлементарной полосы с максимумом 4.06эВ, имеюще: неэкспоненциальную кинетику с характерным временем затухани т«25нс. Обнаружено, что при понижении температуры происходи значительное сужение полосы свечения и смещение ее максимума высокоэнергетическую сторону. При температурах Т<160К наряду быстрой ультрафиолетовой люминесценцией наблюдается свечени триплетного экситона (полоса с максимумом при 3.65эВ). Пр температуре образца Т=90К полоса быстрой ультрафиолетово люминесценции имеет максимум при 4.21эВ, а в кинетике затухани можно выделить две компоненты: сверхбыструю (г<1нс) относительно медленную (т>50нс). С повышением температуры выш 300К положение максимума полосы (4.06эВ) смещается длинноволновую сторону так, что начиная с Т=400К ультрафиолетовой области проявляется вторая полоса с максимумо 3.5эВ. Кинетика затухания одинакова в обоих полосах и имее ярко выраженный неэкспоненциальный характер с характерны временем т«4нс.

При увеличении плотности возбуждения спектральный соста люминесценции при комнатной температуре изменяется таким ж образом, как при увеличении температуры выше 300К при низки плотностях возбуждения.

С использованием СМ накопителя "Сибирь-1" измерены спектр отражения и возбуждения быстрой ультрафиолетовой люминесценци монокристалла Сб1 при 300К в области энергий фотонов до ЗОэВ Обнаружено, что фотовозбуждение этого свечения отсутствует п крайней мере до 20эВ (приблизительно ЗEg).

Закон затухания быстрой ультрафиолетовой люминесценци имеет сложную температурную зависимость. По мере повышени

температуры от 90К наблюдается достаточно сильное тушение сверхбыстрой компоненты и постепенное увеличение вклада быстрой компоненты с 1нс<т<10нс, которая разгорается при Т«120К. Относительная интенсивность более длительной компоненты с дальнейшим ростом температуры уменьшается, что проявляется в уменьшении характерного времени затухания. Начиная с температуры Т>350К вклад компоненты с т>50нс практически отсутствует, а кинетика затухания определяется быстрой компонентой, оставаясь при этом неэкспоненциальной.

Отсутствие эффективного фотовозбуждения полосы быстрой ультрафиолетовой люминесценции (4.06эВ) в области фундаментального поглощения не может быть объяснено только с помощью традиционных механизмов свечения ионных кристаллов.

В результате распада высокоэнергетического возбуждения, созданного рентгеновским фотоном, в кристалле образуются области высокой локальной плотности электронных возбуждений с размерами порядка 1-5нм. Предположено, что взаимодействие близкорасположенных электронных возбуждений и дефектов в таких областях кристалла может приводить к образоь. специфических центров свечения. Созданные центры свечен...., по-видимому, представляют собой электронно-дырочные пары, локализованные вблизи нестабильного структурного дефекта. Исходя из этой гипотезы, обнаруженные свойства быстрой собственной люминесценции иодида цезия определяются как структурой и временем жизни дефекта, так и процессом релаксации электрона и дырки.

Результаты исследования особенностей быстрой ультрафиолетовой люминесценции сильно легированных кристаллов иодида цезия приведены в пятой главе. Наличие примесей может существенно влиять как на механизм радиационного цефектообразования, так и на характер релаксации электронных возбуждений вблизи дефекта. Для легирования были выбраны гомологические анионные (01, Вг) и катионные (К, ИР) примеси, которые позволяют получать твердые растворы с достаточно зысокой их концентрацией.

Анализ спектрального состава и кинетики затухания быстрой

лгминесцеызи Сз1, легирозанного всеми перечисленными примесями, доказал, что основные ее особенности такие же, как и в чистом иодиде цезия, что подтверждает собственный характер этого свечения. Обнаружено, что уширение полосы лшинесценции, длшноволнсзое смещение ее максимума и ускорение кинетики затухания наблюдаются при белее низких температурах, чем в случае нэ активированного кристалла, причем эта тенденция усиливается в ряду С1-ЙЪ-К-Вг.

Каибо.:эе подробно были исследованы свойства быстрой лгминэсцеЕНй твердого раствора Сз1-СэВг. Выявлено, что по мере увеличения концентрации бромида цезия время затухания непрерывно уменьшается, тогда как при низких концентрациях (до 0.5 мэл.%) кинетика такая же, как в чистом Сз1. Обнаружено, что взедение 5 мол.% СзВг приводит к уменьшению характерного времени затухания быстрой ультрафиолетовой лшинесценции до 10нс при то2 ке эффективности свечения.

В заклглении сфорлулированы оснознне результаты и выводы диссертационной работы, которые сводятся к следушему:

1 .Разработана методика и создана экспериментальная установка для исследования спектрально-кинетических характеристик люминесценции твердых тел с субнаносекундннм временным разрешением при возбуждении импульсами рентгеновского синхротроннэго излучения в диагазоне температур от 80К до 600К.

2.При возбуждении рентгеновским СИ измерены спектрально-кинзтическиэ характеристики бы строй собственной ЛЕггинесценцки галогенидов цезия с запрещенным Оже-распадом остовной Сз 5р-дырки при температурах 100 К, 300 К и 400 К.

2.1. Обнаружено, что в кристалле СзР полоса лишнесценции с максимумом 3.1 эВ сужается с понижением температуры, тогда как полуширина и относительная интенсивность внсокоэнергетических генов с максимумами при 3.7 эЗ, 3.95 эВ и 4.1 эВ практически не зависят от температуры.

2.2.Кинетика затухания имеет одинаковый вид во всех полосах и носит негкепоненциальный характер. При 300 К кривая затухания наилучшим образом аппроксимируется суммой двух экспонент с

^=3.1 нс и 1^=0.9 не и отношением их амплитуд А1/А2=2.5. С. понижением температуры вклад быстрой компоненты увеличивается.

2.3.Спектр быстрой люминесценции хлорида цезия состоит из, по крайней мерз, четырех перекрывающихся полос с максимумами 4.1эВ, 4.5эВ, 5.1эВ и 5.4эВ, которые имеют различные температурные зависимости.

2.4.Кинетика затухания люминесценции СзС1 одинакова в различных участках спектра и изменяется с температурой. Обнаружено, что при температуре 400 К закон затухания описывается одной экспонентой с т=1.43 нс. С понижением температуры кинетика становится неэкспоненциальной.

3.Установлено, что для объяснения полученных результатов необходимо расширение существующих представлений о механизма кросслвминесиэнцин. Предложена модель быстрой собственной люминесценции кристаллов с запрещенным Сже-распадсм остовной дырки, которая учитывает релаксацию ближайшего окружения везбунденного зтема. Исходя из этой модели, свечение обусловлено излучательными перехода1,«и электронов валентной зоны ка локализованную остовную дырку.

4.Исследованы спектргльнс-хинзтнческие свойства быстрой ультрафиолетовой лгг/пн-зеценцз кристзллоз иодгдэ цезия з диапазоне температур от 90К до 540К и при различных типах возбужден!.1;.

4.1.Установлено, что быстрая ультрафиолетовая лгс.'ннесцевция нэ возбуждается в области фундаментального поглощения кристалла, по крайней мере, до ЗЕ„.

4.2.Кинетика задания ультрафиолетовой лгзсзесценцпя иодида цезия при возбуждении импульсами рентгенозского СИ имеет не элементарный характер, проязлякцийся в наличии трех компонент: сверхбыстрой (т<1нс), быстрой (т<1Снс) и относительно медленной (тсЮОнс). При низких температурах основной вклад вносят сверхбыстрая и медленная компоненты, тогда как при температурах выше 200К преобладает быстрая компонента.

4.3.0бзарукзно, что повышение темперзтурн приводит к ршнноволнозому смещению максимума спектра быстрой люмзшесценцки

(от 4.21эВ при ЭОК до 4.0бэЗ при комнатной температуре). Дальнейшее газытение температуры приводит к появлению второй полосы свечения с максимумом 3.5эВ с той же кинетикой затухания. При увеличении плотности возбуждения полоса 3.5эВ возникает и Ери более низких температурах.

5.Показано, что быстрая ультрафиолетовая лшинесценция Csl не может быть объяснена с помощью традиционных механизмов свечения ионных кристаллов. Установлено, что данная люминесценция наблюдается только при высокой локальной плотности электронных возбуждений. В такой области кристалла коррелированная релаксация близкорасположенных электронных возбуждений может приводить к обрззозанию специфических центров свечения, которые ответственны за быструю ультрафиолетовую лшинесценшс иодида цезия.

б.Обнерувено, что введение гомологических примесей в кристаллы Gsl приводит к длинноволновому смзщенпо максимума полосы быстрой ультрафиолетовой люминесценции и уменьшению характерного времени затухания. В кристалле, содержащем 5% бромида цезия, характерное время затухания люминесценции уменьшается от 25нс до 10нс, при этом энергетический выход остается практически постоянным.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Зинин Э.И., Рогалев А.Л., Пустоваров В.А. Станция оптической спектроскопии с субнавосекундным временным разрешением на канале СИ накопителя ВЭПП-3. - Тезисы докладов VIII Всесоюзной конференции "Физика вакуумного ультрафиолетового излучения и его взаимодействие с веществом" (ВУФ-89), Иркутск,193Э,с.282.

2. 4 Вельский А.Н., Васильев А.Н., Зинин Э.И., Улхайлкн В.В., Рогалев 1.Л. Кросслвминесц-знция -ионных кристаллов при возбуждении рентгеновским СИ. - Тезисы докладов VII Всесоюзной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов, Рига, 1939, с Л03-104.

3. Вельский А.Н., Васильев А.Н., Зинин Э.И., Уихайлин В.В., Рогалев А.Л., Ширан Н.В. Быстрая рентгенолкминесценция кристаллов на основе Csl при возбуждении СИ. - Там ке,

с.105-106.

4. Вельский А.Н., Васильев А.Н., Гектин А.В., Зинин Э.И., Махов В.Н., Михайлин В.В., Рогалев А.Л., Ширан Н.В. Оптические свойства соединений на основе Csl. - Тезисы докладов IX Всесоюзной конференции "Физика вакуумного ультрафиолетового излучения и его взаимодействие с веществом" (ВУФ-91), Томск, 1991, с.51-52.

5. Вельский А.Н., Васильев А.Н., Гектин А.В., Зинин Э.И., Михайлин В.В., Рогалев А.Л., Ширан Н.В. О природе быстрой ультрафиолетовой люминесценции кристаллов Csl. - Препринт ИМК-90-26, ВНИИ Монокристаллов, Харьков, 1990, 16 с.

6. Вельский А.Н., Васильев А.Н., Гектин А.В., Зинин Э.И., Михайлин В.В., Рогалев А.Л., Ширан Н.В. Спектрально-кинетические характеристики УФ-люминесценции легированных гомологическими примесями кристаллов Csl. Препринт ИМК-91-3, ВНИИ Монокристаллов, Харьков, 1991, 20 с.

7. A.N.Belskly, V.V.Mikhailln, A.l.Rogalev, S.Stizza, A.N.VasIl'ev, E.I.Zinin. Fast Intrinsic luminescence of some Ionic crystals excited by X-ray synchrotron radiation. -Proceedings of the 2nd European Conference on Progress In X-Ray Synchrotron Radiation Research, Rome, 1989 (SIF, Bologna, 1990), p.793-796.

8. A.N.Belskly, A.N.VasIl'ev, V.V.MiMiailln, A.V.Gektin, N.V.Shiran, A.L.Rogalev, E.I.Zinin. Time-resolved XEOL spectroscopy of new scintillators based on Csl. - Review of scientific instruments, 1992, v.63, N 1, p.806-809.