Дефектообразование и массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении ионизирующей радиацией тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Методология диагностики дефектности ионных кристаллов.

1.1. Электрофизический метод.

1.1.1. Подвижность катионных вакансий.

1.1.2. Коэффициент диффузии дивакансий.

1.1.3. Расчет параметров катионной проводимости ЩГК.

1.2. Машинное моделирование дефектного кристалла методами молекулярной статики (программа DEFECT).

1.2.1. Основные положения модели.

1.2.2. Проверка корректности принятой модели расчетов.

1.3. Экспериментальные методики.

1.4. Анализ структуры ЩГК по данным измерения электропроводности.

Глава 2. Изучение радиационных дефектов катионной подрешетки в ЩГК методами оптической спектроскопии и позитронной аннигиляции.

2.1. Исследование дырочных центров окраски в ЩГК.

2.1.1 Классификация и структура дырочных центров окраски.

2.1.2. Расчет на ЭВМ энергетических характеристик центров окраски в КС1.

2.1.3. Туннельная рекомбинация и сепарация центров в ЩГК.

2.1.4. Накопление F и У2-центров окраски при интенсивном облучении.

2.1.5. Температурные зависимости накопления F и У2-центров.

2.1.6. Импульсная спектрометрия дырочных центров окраски в КВг.

2.1.7. Механизмы высокотемпературного разрушения центров окраски.

2.2. Позитронная диагностика радиационных дефектов в ЩГК.

2.2.1. Постановка исследований.

2.2.2. Паспортизация дефектов по параметрам позитронной аннигиляции.

2.2.3. Объемная скорость захвата позитронов радиационными дефектами.

2.2.4. Аннигиляция позитронов в облученных кристаллах.

2.2.5. Исследование радиационной генерации дивакансий в кристаллах КВг.ЛЗО

Глава 3. Электрофизические исследования радиационных дефектов кати-онной подрешетки ЩГК.

3.1. Диэлектрическая релаксация в облученных кристаллах.

3.1.1. Радиационно-стимулированное диэлектрическое поглощение.

3.1.2. Геометрическая структураУ2-центров.

3.1.3. Механизм ориентационной поляризации У2-центров и их коагулятов.

3.1.4. Образование и моделирование В3-центров окраски.

3.1.5. Подвижность интерстициалов в ЩГК.

3.2. Влияние облучения на электропроводность ЩГК.

3.2.1. Эффекты радиационного изменения электропроводности.

3.2.2. Природа носителей заряда в облученных кристаллах.

3.2.2.1. Модель электронной проводимости облученных ЩГК.

3.2.2.2. Дивакансионная модель электропереноса в облученных кристаллах.

3.2.3. Специфика электропереноса в облученных кристаллах NaBr.

Глава 4. Механизмы радиационной генерации катионных дефектов в ЩГК

4.1. Распад экситонов с рождением анионных френкелевских пар.

4.1.1. Общее описание анионных экситонов в ЩГК.

4.1.2. Механизмы рождения F-H-nap в ЩГК при распаде экситонов.

4.2. Основные закономерности образования катионных дефектов в ЩГК.

4.2.1. Закономерности накопления дивакансий.

4.2.2. Закономерности создания и накопления У2-центров.

4.3. Анализ механизмов распада АЛЭ на катионные дефекты.

4.3.1. Механизм потенциального смещения.

4.3.2. Диссоциативно-ударные механизмы.

4.3.3. Механизмы образования У2-центров окраски.

Глава 5. Мощностные эффекты образования радиационных дефектов в ионных кристаллах.

5.1. Треки электронов и протонов в ионных кристаллах.

5.1.1. Методология расчета параметров треков.

5.1.2. Расчет параметров сердцевины треков электронов.

5.1.3. Параметры сердцевины треков протонов.

5.1.4. Параметры релаксированных треков электронов и протонов.

5.1.5. Параметры фотоэлектронов при рентгеновском облучении КВг.

5.2. Теоретическое описание мощностных эффектов радиационного дефекто -образования в ионных кристаллах.

5.3. Мощностной эффект накопления центров окраски в ЩГК.

5.3.1. Экспериментальные результаты.

5.3.2. Природа мощностного эффекта.

5.4. Подавление коагуляции центров окраски в ЩГК мощным облучением.

5.4.1. Экспериментальные результаты.

5.4.2. Природа эффекта.

5.5. Явление и природа подпорогового рождения Р+-центров в MgO при плотном радиационном воздействии.

5.5.1. Энергетика электронных состояний в MgO.

5.5.2. Треки электронов и протонов в кристаллах MgO.

5.5.3. Основные закономерности подпорогового рождения Р+-центров в MgO

5.5.4. О возможности реализации биэкситонного механизма.

5.5.5. Примесный ионизационный механизм образования Р+-центров в MgO при протонном облучении.

5.5.5.1. Общие обоснования механизма.

5.5.5.2. Основные положения механизма, результаты расчетов.

5.5.6. Подпороговый механизм создания Р+-центров в кристаллах MgO при

5.5.7. Вероятность выживания F -центров и стабилизация междоузельных ионов кислорода в кристаллической решетке MgO.

Глава 6 Высокотемпературный массоперенос в ионных структурах при интенсивном облучении.

6.1. Радиационно-ускоренная диффузия в щелочно-галоидных кристаллах.

6.1.1. Экспериментальные результаты.

6.1.2. Природа радиационно-ускоренной диффузии в ЩГК.

6.2. Физические основы высокотемпературного электронно-лучевого спекания и модифицирования гетерогенных ионных структур.

6.2.1. Радиационная гомогенизация гетерогенных ионных соединений.

6.2.2. Поверхностно-рекомбинационный механизм радиационно-стимулированного массопереноса в гетерогенных ионных структурах.

6.2.2.1. Предпосылки разработки механизма.

6.2.2.2. Физическая сущность механизма.

6.2.2.3. Поведение электронных возбуждений в керамических структурах.

6.2.2.4. Локальные температурные градиенты в керамике при импульсном электронном облучении.

6.2.3. Специфика высокотемпературного радиационного отжига.

6.2.4. Радиационная оптимизация структуры керамики.

6.3. Радиационно-термические технологии керамического производства.

6.3.1. Радиационное модифицирование керамики на основе Zr02.

6.3.2. Радиационное спекание корундо-циркониевой керамики.

6.3.3. Радиационно-термические технологии ВТСП-керамики типа (1-2-3).

6.3.4. Использование радиационных технологий.

Актуальность темы. Использование интенсивных потоков радиации позволяет решать как фундаментальные проблемы физики твердого тела, так и задачи практического материаловедения, связанные с разработкой новых поколений качественных материалов. В связи с этим, в последние десятилетия интенсивно изучается поведение твердых тел в мощных радиационных полях. В ионных соединениях, по сравнению с металлами, радиационные явления многократно усложнены, так как, наряду с ударным дефектообразованием, развивается широкий класс процессов, связанных с распадом электронных возбуждений (ЭВ). Выявление и исследование различных каналов релаксации ЭВ составляет основное содержание радиационной физики ионных кристаллов.

В семидесятых годах сформировалось новое научное направление: физика мощного радиационного воздействия на ионные структуры, в рамках которого наиболее успешно работают коллективы, возглавляемые отечественными учеными (Алукер, Вайсбурд, Кортов, Кружалов, Лисицин, Лущик Ч., Мартынович, Непомнящих, Чернов, Шульгин и др.). Наибольшие успехи достигнуты в изучении распада автолокализующихся экситонов (АЛЭ) на анионные френкелев-ские пары (АФП) в щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК). Обнаружены новые явления, к которым относятся высокоэнергетическая проводимость, внутризон-ная люминесценция, хрупкое разрушение ионных диэлектриков.

К началу исследований автора по теме диссертации практически открытыми оставались вопросы распада ЭВ с рождением катионных дефектов в ЩГК и анионных френкелевских пар в MgO. С другой стороны, работы по высокотемпературной радиационно-ускоренной диффузии в ионных структурах находились в эмбриональном состоянии. Указанные задачи перспективно решать с использованием как модельных кристаллов, так и керамики, что взаимно обогащает исследования и увеличивает достоверность результатов.

Специфической особенное чью работ автора по данной проблематике является исследование каналов распада ЭВ с образованием дефектов и стимулированием диффузии в ионных структурах различного генезиса (ЩГК, MgO, оксидная керамика) в широком интервале мощностей излучения. Практическая значимость темы состоит в создании физических основ высокотемпературных радиационных технологий получения высококачественной керамики.

Таким образом, актуальность темы определяется важностью решения научных и практических задач радиационной физики, связанных с изучением распада электронных возбуждений в ионных структурах.

Цель и задачи диссертационной работы. Экспериментальное выявление и детальное исследование каналов распада электронных возбуждений, стимулирующих образование дефектов и массоперенос в ионных структурах. Задачи работы состояли в решении следующих вопросов.

1. Изучение распада автолокализующихся экситонов с рождением катионных френкелевских пар (КФП) в ЩГК.

2. Выяснение роли электронных возбуждений в образовании анионных френкелевских пар в кристаллах MgO технической чистоты.

3. Установление специфики дефектообразования в ионных кристаллах при мощном облучении.

4. Исследование каналов распада ЭВ, стимулирующих высокотемпературный массоперенос в ионных кристаллах и оксидной керамике.

5. Разработка физических основ радиационных технологий ионных структур.

Научная новизна результатов работы.

1. Впервые установлено и изучено в широком интервале мощностей излучения явление распада автолокализующихся экситонов на катионные френкелевские пары в ЩГК методами оптической спектроскопии, позитронной диагностики, электрофизических измерений.

2. На основании энергетических расчетов методом молекулярной статики определены наиболее вероятные модели радиационного образования дефектов ка-тионной подрешетки в ЩГК.

3. Установлены новые эффекты подавления процессов накопления и коагуляции центров окраски при облучении ЩГК плотными импульсными пучками электронов. Предложено теоретическое описание могцностных эффектов радиационного дефектообразования в ионных кристаллах, основанное на концепции перекрывания треков заряженных частиц.

4. В кристаллах MgO технической чистоты обнаружена и объяснена с позиций Оже-ионизации анионов подпороговая генерация Г+-центров при низкотемпературном облучении протонами с энергией (5-9)МэВ и воздействии плотными пучками электронов подпороговых энергий при Т=300 К.

5. Обнаружено явление радиационной гомогенизации гетерогенных ионных структур (оксидная керамика) при высокотемпературном (500-2000)К облучении мощными электронными пучками, что открывает новую перспективу управления свойствами керамических материалов.

6. Разработаны физические основы высокотемпературных радиационных технологий оксидной керамики различного функционального назначения.

Научно-практическая значимость полученных результатов

Комплексное, многоплановое изучение процессов генерации и накопления дефектов катионной подрешетки щелочно-галоидных кристаллов внесло ощутимый вклад в решение принципиальных вопросов радиационной физики ионных кристаллических соединений. Предложенная автором трековая концепция описания могцностных эффектов применима для анализа широкого класса радиационных явлений в различных твердых диэлектриках.

Исследования радиационного дефектообразования в кристаллах MgO при высоких плотностях ионизации~и интенсивностях излучения позволяют разработать практические рекомендации по проектированию оксидных материалов для мощной радиационной техники. Основная практическая ценность полученных автором результатов состоит в создании научных основ радиационно-термических технологий синтеза, спекания и модифицирования корундо-циркониевой и высокотемпературной сверхпроводящей керамики (ВТСП-керамика). Предложены схемы радиационных технологий, обеспечивающих радикальное улучшение свойств керамических структур. Получена ВТСП-керамика с рекордными значениями критического тока (2.104А/см2). Изготовлена высокопрочная корундо-циркониевая (КЦ) керамика с механическими свойствами на уровне характеристик лучших сортов твердых сплавов. По износостойкости и рабочей температуре модифицированная КЦ-керамика предпочтительна по сравнению с другими типами высокопрочных материалов. Испытания, проведенные в ЗАО "Сибкабель", показали, что рабочий ресурс волок, изготовленных из радиационно-модифицированной КЦ-керамики, превышает работоспособность твердосплавных изделий в 2-3 раза.

Положения, выносимые на защиту

1. В щелочно-галоидных кристаллах осуществляется распад автолокали-зующихся экситонов с рождением катионных дефектов (УР,У2-центры, дива-кансии). Процесс ускоряется с ростом температуры и мощности дозы. При оптимальных условиях облучения (Т-350К, \¥~105Гр/с) дефектообразование в анионной и катионной подрешетках имеют близкие эффективности.

В регулярной решетке генерация КФП адекватно описывается модифицированным механизмом Пули-Витола. В дефектных кристаллах с наибольшей вероятностью реализуется диссоциативно-ударный распад АЛЭ у дефектов и механизм димеризации Н-центров в области ядер дислокаций.

2. Щелочно-галоидные кристаллы, подвергнутые высокотемпературному облучению плотным электронным пучком, характеризуются гомогенным пространственным распределением стабильных радиационных дефектов. Такое состояние кристалла формируется при высокой скорости перекрывания треков, что подавляет сепарацию центров окраски.

3. В кристаллах MgO технической чистоты при облучении протонами с энергией (5-9) МэВ и воздействии плотными пучками электронов подпорого-вых энергий имеет место распад ЭВ с рождением Р+-центров. Данный канал диссипации энергии излучения связан с Оже-ионизацией ионов кислорода и определяется действием примесного ионизационного механизма.

4. Основу теоретического описания мощностных эффектов дефектообразо-вания и массопереноса в ионных кристаллах составляет концепция перекрывания треков заряженных частиц. Характер зависимостей радиационных процессов от интенсивности облучения определяется соотношением между временами релаксации дефектов и перекрывания треков.

5. Наблюдаемая высокая эффективность радиационно-термических тех но-логий производства керамических материалов количественно описывается по-верхностно-рекомбинационным механизмом, согласно которому безызлуча-тельная аннигиляция электронных возбуждений происходит преимущественно на межфазных и межзеренных границах.

Достоверность полученных результатов. Степень достоверности полученных автором результатов определяется: в экспериментальных исследованиях - использованием современных калиброванных методик, оценкой величины ошибок измерений, сопоставлением с экспериментами других авторов; в теоретических проработках - созданием моделей, опирающихся на общепринятые кван-тово-механические и классические представления в области физики твердого тела, применением апробированных вычислительных алгоритмов, сопоставлением расчетов с экспериментом. Автор защищает механизмы и природу, обнаруженных лично и в соавторстве, новых явлений радиационного дефектообра-зования и массопереноса в ионных структурах.

Апробация работы. Результаты работы докладывались на следующих конференциях, симпозиумах и семинарах: Международной конференции по радиационным дефектам в диэлектриках (Япония, 1993), Международным конференциям по радиационной физике и химии неорганических материалов (Томск, 1996,1999), Международной конференции "Дефекты в диэлектрических кристаллах" (Рига, 1981), Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электронике (Томск, 1978), Всесоюзных конференциях по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 1978,1983,1986,1989, Томск, 1993), Всесоюзном совещании по гетерогенным процессам (Кемерово, 1982), Всесоюзных конференциях по физике диэлектриков (Томск, 1967,1988), Всесоюзной конференции по радиационным эффектам в твердых телах (Ашхабад, 1977), Всесоюзных совещаниях по люминесценции (Рига, 1970, Львов, 1978, Эзерниеки, 1980, Ленинград, 1981), Intenational congress on radiation physics high current electronics and modification of materials: Conferens on modification of materials with particle beams and plasma flows. Tomsk, 2000, Всесоюзной научной конференции по физике диэлектриков (Баку, 1982), Прибалтийских семинарах по физике ионных кристаллов (1973-1986), семинарах ТПУ-ТПИ (1967-2002), семинарах УГТУ-УПИ, КГУ(2002).

Публикации и структура диссертации. По теме диссертации опубликовано около 200 работ, список основных публикаций приведен в конце автореферата. Диссертация состоит из введения, шести глав и заключения. Основной текст диссертации изложен на 330 станицах, работа проиллюстрирована 91 рисунком и 40 таблицами, список цитируемой литературы состоит из 418 наименований.

1. Результаты исследования скорости F-^-превращений (а), приведенные в таблице 5-8, свидетельствуют о том, что эффективность радиационной коагуляции F-центров в ЩГК при мощном электронном облучении почти в десять раз ниже, чем в случае рентгенизации. Эксперименты выполнены при комнатной температуре, при этом поглощенная доза составляла 105Гр.

Заключение

Проведены систематические исследования ионных кристаллов и керамических материалов в широком интервале мощностей облучения, с целью выявления и детального изучения каналов распада электронных возбуждений, стимулирующих создание дефектов и их диффузию. Изучались три группы ионных соединений (ЩГК, MgO, оксидная керамика). 1. Для щелочно-галоидных кристаллов исследование распада автолокализующихся экситонов с рождением дефектов катионной подрешетки производилось с использованием экспериментальных методов, основанных на электрофизических измерениях, электрон-позитронной аннигиляции и импульсной спектроскопии с временным разрешением. Широко применялось машинное моделирование радиационных явлений.

Установлены закономерности образования и накопления дивакансий и V2-центров в широком интервале температур, доз и интенсивностей облучения. При оптимальных условиях возбуждения концентрации радиационных нарушений в анионной и катионной подрешетках имеют близкие значения.

Теоретический анализ опытных данных и результатов, полученных при моделировании радиационных процессов методом молекулярной статики, позволил определить наиболее достоверные механизмы распада АЛЭ с рождением катионных френкелевских пар. Показана несостоятельность взаимодействий типа Н-Н, H-Vk в регулярной кристаллической решетке. Диссоциативно-ударный механизм имеет достаточную продуктивность при аннигиляции АЛЭ около анионных вакансий и примесных катионов.

Экспериментальные результаты наиболее адекватно объясняются механизмом Пули-Витола, в соответствии с которым вибронная неустойчивость экситона Пули приводит к рождению нейтральных или заряженных катионных френкелевских пар. Данный механизм реализуется в широком диапазоне мощностей излучения. При низкоинтенсивном облучении значительный вклад в генерацию катионных дефектов вносит дислокационный механизм, заключающийся в сборке Н-центров у дислокационных линий. 2. Изучено влияние мощности излучения на процессы дефектообразования и массопереноса в ионных кристаллах. Установлено подавление процессов накопления и коагуляции центров окраски при облучении ЩГК плотными импульсными пучками электронов, экспериментально доказана неударная генерация Р+-центров в кристаллах MgO при воздействии протонных и плотных электронных пучков, обнаружено явление высокотемпературной радиацион-но-стимулированной диффузии в ЩГК. Все представленные мощностные эффекты определяются плотностью ионизации в треках заряженных частиц и частотой перекрывания треков. Данное положение подтверждается следующими теоретическими результатами.

Разработана методика расчета параметров треков электронов и протонов, основанная на теории ионизационных потерь энергии быстрых частиц. На основании концепции перекрывания треков предложены наиболее вероятные механизмы мощностных явлений в ионных кристаллах: примесный ионизационный механизм генерации Р+-центров в MgO, механизм радиационного разрушения центров окраски в ЩГК при плотном возбуждении, механизм радиационно-ускоренной высокотемпературной диффузии в ЩГК, обусловленный явлением радиационной тряски.

Установлена важная особенность воздействия на ионные соединения интенсивного облучения, вызывающего нелинейные мощностные эффекты. Щелочно-галоидные кристаллы, подвергнутые высокотемпературному облучению плотными электронными пучками, характеризуются гомогенным пространственным распределением радиационных дефектов. Такое состояние кристалла формируется при высокой скорости перекрывания треков, что подавляет сепарационные явления и определяет низкую устойчивость центров окраски.

3. Созданы физические основы радиационно-термических технологий производства керамических материалов с уникальными свойствами. Основанием для этого явилось обнаружение эффектов гигантского ускорения массопереноса и гомогенизации гетерогенных структур при электронно-лучевом импульсном облучении высокой мощности (WH~106rp/c). Разработан поверх-ностно-рекомбинационный механизм, объясняющий стимулирование излучением твердофазовых реакций в керамических материалах. В основе механизма лежит безызлучательная электронно-дырочная рекомбинация на структурных неоднородностях, что приводит к возникновению локальных градиентов температуры, ускоряющих массоперенос. Получены выражения, описывающие радиационные синтез, спекание и модифицирование гетерогенных систем.

Предложены схемы радиационных технологий, обеспечивающих радикальное улучшение свойств керамических материалов. В частности, получена ВТСП-керамика с рекордными значениями критического тока, изготовлена высокопрочная корундо-циркониевая керамика с механическими параметрами на уровне характеристик лучших сортов твердых сплавов.

Главный вывод работы, имеющий практическое значение, формулируется в виде следующего положения. Различные каналы распада электронных возбуждений в ионных структурах при интенсивном электронном облучении вызывают формирование гомогенной радиационной дефектности материала. Обнаруженная в работе радиационная гомогенизация материалов обусловлена преимущественным поглощением энергии излучения на неоднородностях структуры, что вызывает их растворение. Данный эффект характерен не только для электронных пучков, но также должен наблюдаться для других видов радиации, к которым относится СВЧ-излучение. Дальнейшее развитие положений настоящей работы может быть связано с разработкой электроннолучевых и СВЧ-технологий получения нанокристаллических ионных соединений, потребность в которых диктуется практикой.

1. Beniere F. Diffusion in ionic crystals. - 1..: Defects in Insulating Crystals. Proceeding of the Internatinal Conferentce. Riga: Zinatne, 1981, p.657-674.

2. Rowell D.K. Sangster M.J. Calculation of intrinsic defect energies in alkali halides.- J.Physica C: Sol. State Phys., 1981, v. 14, p.2909-2921.

3. Fuller R. Ionic conductivity (including self-diffusion).- In: Point defects in solids (Ed.Crowford J.M., Seivkin L.M., etc.). New York, 1972, p. 103-150.

4. Лидьярд А. Ионная проводимость кристаллов M.: ИЛ, 1962. -222 с.

5. Першиц Я.Н., Вейсман В.Л. Определение параметров проводимости в гало-генидах натрия. ФТТ, 1970, т. 12, в.11, с.3175.

6. Малофиенко Г.М., Анненков Ю.М., Чернышев В.А. Изучение поляризационных эффектов в ионных кристаллах методом термодеполяризации. Изв. ву-зов.Физика, 1967, в.12, с.125-126.

7. Малофиенко Г.М., Анненков Ю.М. Влияние протонного облучения на поляризационные эффекты в щелочногалоидных кристаллах.- Труды межвузовской конференции по радиационной физике. Томск, 1970, с.263-267.

8. Завадовская Е.К., Анненков Ю.М.,.Малофиенко Г.М. Распределение объемного заряда в кристаллах. Изв.вузов.Физика, 1969, в.11, с. 130-132.

9. Завадовская Е.К., Анненков Ю.М. Диэлектрическая релаксация в щелочногалоидных кристаллах. В кн.: Релаксационные явления в твердых телах. М.: Металлургия, 1968, с. 615-620.

10. Завадовская Е.К., Анненков Ю.М. Диэлектрические потери в щелочногалоидных кристаллах, подвергнутых ионизирующему облучению. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев: Наукова думка, 1967, с.310-317.

11. Мурин И.В., Корнев Б.Ф., Гравер. Б.Е. Типы электрической релаксации в кристаллах хлорида калия с примесью.- Электронные и ионные процессы в кристаллах. Рига: Зинатне, 1975, с. 142-148.

12. Hartmanova М. Ionic Transport Parameters of Alkali Halides. Fyzces., 1972, v. 22, p. 25-59.

13. Capelleti R., Fieschi R, Gainotti A., Mora C., Romano L, Zecchi E. Interactions of dipoles in alkali halides by the metod of ionic thermocurrents. In.: Defects in Insulating Crystals. Riga: Zinatne, 1981, p. 675-705.

14. Воробьев А.А. Ионные и электронные свойства щелочно-галоидных кристаллов. Томск.: 1968, 304 с.

15. Breckenridge R.G. Low frequency despersion in ionic crystals containing foreging ions.- Chem. Physics, 1950, v. 18, № 7, p. 913-926.

16. Анненков. Ю.М., Галанов Ю.И., Франгульян Т.С. Подвижность катионных вакансий в кристаллах. -Томск, 1976, 15 с. Рукопись представлена Томским политехническим инс-том. Деп в ВИНИТИ, № 2596-76.

17. Хауффе К. Реакции в твердых телах и на поверхности. М:ИЛ, 1962, 412 с.

18. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. М: ИЛ, 1962, 584 с.

19. Першиц Я.Н, Каленникова Т.Л. Энергии образования дефектов по Шоттки. -ФТТ, 1976, т. 18, в.З, с.844-846.

20. Бенье Ф. Диффузия в ионных кристаллах. В кн.: Физика электролитов. М: Мир, 1978, с.218-309.

21. Faux I.D., Libiard А.В. The Volumes of Formation of Schottky Defects in ionic Crystals.- Z.Naturforsch, 1971, 26a, p.62-68.

22. Анненков Ю.М., Биллер В.К, Оловянишникова A.M. Исследование вакансионных комплексов в щелочногалоидных кристаллах. Изв.вузов. Физика, 1985, сЛ02-104.

23. Вараксин А.Н., Колмогоров Ю.Н. Алгоритм программы для расчетов на ЭВМ энергий дефектов в кристаллах.- Свердловск, 1985,34с. Рукопись представлена Уральским политехническ. инс-том. Деп в ВИНИТИ, № 2596-76.

24. Галанов Ю.И. Сравнительный анализ моделей проводимости облученных кристаллов NaBr, КВг. Томск, 1982, 46с. - Рукопись представлена Томским политехническ. инс-том. Деп в ВИНИТИ, № 2959-82.

25. Bucci С., Fieschi R., Gnidi G. Ionic Thermocurrents in Dielectrics. Phys.Rev., 1966, v.148, №2, p.816-823.

26. Анненков Ю.М. Исследование электрических свойств щелочно-галоидных кристаллов и их радиационного изменения. Автореферат диссертация на соискание уч.степени канд.физ.-мат.наук. Киев, 1969, 25 с.

27. Мурин А.Н., Лурье Б.Г. Диффузия меченых атомов и проводимость в ионных кристаллах. Л.: Изд-во Ленингр. универ-та, 1967, 99 с.

28. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M. Расчет энергий образования и связи антишоттковского диполя в КС1. Изв.вузов.Физика.1984, №6, с. 107-108.

29. Ботаки А.А., Воробьев А.А, Ульянов В.Л. Радиационная физика ионных кристаллов. М.: Атомиздат, 1980, 208 с.

30. Физика электролитов. Под ред. Хладик Дж. М.: Мир, 1978, 555 с.

31. Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.: Мир, 1969, 648 с.

32. Марадудин А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. М.: Мир, 1968,432 с.

33. Кристофель Н.Н. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах. М.: Наука, 1974, 336 с.

34. Воробьев А.А., Завадовская Е.К., Анненков Ю.М. Электрофизические исследования радиационных дефектов в ЩГК Изв.ТПИ, 1969, т. 170, с. 90-102.

35. Малофиенко Г.М. Закономерности формирования объемного заряда в ЩГК и влияние на него радиационного облучения. Диссертация на соискание уч.степени канд.физ.-мат.наук. Томск, 1973, 205 с.

36. Турчинович Г.Е. Исследование закономерностей движения заряженных дислокаций в ионных кристаллах. Автореферат диссертации на соискание уч.степени канд.физ.-мат.наук. Томск, 1972, 15 с.

37. Пратт П.Л. Точечные дефекты и механические свойства ионных кристаллов.- В сборнике: Вакансии и другие точечные дефекты в металлах и сплавах. М.: Мир, 1961, с. 123-159.

38. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M. Термостимулированные радиаци-онно-химические реакции взаимодействия дефектов в КС1. Химическая физика, 1990, т.9, № 1, с. 140-144.

39. Лугцик Ч.Б., Гиндина Р.И., Маароос А.А. и др. Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах КС1. ФТТ, 1977, т. 19, в. 12, с. 3625 -3630.

40. Фесун А.В., Мелик-Гайказян И.Я., Белова Н.С. Дефектообразование в катионной подрешетке нитевидных кристаллов КВг при эффективной температуре.- Изв. вузов.Физика, 1978, № 7, с. 148-150.

41. Дохнер Р.Д. Расчет энергии образования точечных дефектов в ЩГК В кн: Моделирование на ЭВМ кинетики дефектов в кристаллах. Л., ФТИ АН СССР, 1985, с. 79-98.

42. Catlow C.R.A., Diller К.М., Hobbs L.W. Irradiation-induced defects in alkali halide crystals. Phil.Mag.A., 1980, 42, № 2, p. 123-150.

43. Rowell D.K., Sangster M.J.L. Calculations of intrinsic defect energies in the alkali halides. In.: J.Physics C: Solid State Physics, 1981, v.14, № 21, p.2909-2921.

44. Catlow C.R.A., Diller K.M., Norgett M.J. Interionic potentials for alkali halides.- In.: J. of Physics C: Solid State Physics, 1977, v.10, № 9, p.1395-1411.

45. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. М.: Мир, 1978, 569 с.

46. Corish J., Brenda М.С. Parker, Jacobs P.W.M. Interionic potentials for alkali metal chlorides. Can.J.Chem., 1976, v.54, p.3839.

47. Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы. М.Мир. 1969, 438 с.

48. Оловянишникова A.M. Короткодействующие потенциалы для щелочно-галоидных кристаллов, полученные на основе оболочечной модели иона. -Томск, 1982, 27 с. Рукопись представлена Томским политехническим инс-том. Деп в ВИНИТИ, № 1186-82

49. Berg G., Frohlich F., Sciebenhuner N. The association Energy of aggregates of divalent Impurities and Vacancies in NaCl-type Crystals (Point Charge Approximation). Kristall and Technic, 1975, 10, p. 1091-1096.

50. Билер Д.Р. В сб.: Машинное моделирование при исследовании материалов. -М: Мир, 1974, 31 с.

51. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M. Расчет энергий образования пары диполей: дивакансии и антишоттковского диполя в щелочно-галоидных кристаллах. Изв.вузов.Физика, 1984, в.6, с. 112-114.

52. Murti Y.V.G.S., Usha V. Theoretical study of intrinsic point defects in alkali halide crystals. Physica, 1976, 83B, p.275-282.

53. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M. Энергетика ЩГК, разупорядочен-ных по принципу замещения ионов.- ФТТ,1985, т.27, в. 10, с.3099-3101.

54. Schulze P., Hardy I. Frenhel defects in alkali halides. Phys.Rev., В., 1972, v.6, №4, p. 1580-1584.

55. Catlow C.R.A. Impurity-vacancy interactions in the alkali halids. Chem. Physics Letters, 1976, 39, 3, p. 497-500.

56. Анненков Ю.М., Биллер В.К., Оловянишникова A.M. Исследование вакан-сионных комплексов в ШГК. Изв.вузов.Физика, 1985, в.9, с. 102-104.

57. Чернов И.П., Мамонотов А.П., Коротченко В.А., Тимошников Ю.А., Боярко Е.Ю., Крючков Ю.Ю., Копылов В.В. Радиационное упорядочение структуры несовершенных полупроводниковых кристаллов. Физика и техника полупроводников, 1980, 14, в.11, с. 2271-2273.

58. Галусташвили М.В., Дрияев Д.Г., Саралидзе З.К. Влияние малых доз на механические свойства ШГК,- ФТТ, 1986, т.28, в.8, с.2525-2526.

59. Топчан И.И. Характеристические энергии вакансионных комплексов в ЩГК в нулевом приближении. -ФТТ, 1979, т.21, в.6, с. 1873-1874.

60. Гегузин Я.Е. Физика спекания. М.: Наука, 1967, 360 с.

61. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.- УФН, 1977, т. 122, в.2, с.223-251.

62. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.Н., Иыги Х.В., Плоом Л.А., Пунг Л.А., Тийслер Э.С., Эланго А.А., Яансон Н.А. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочногалоидных кристаллах. Труды ИФ АН ЭССР, Тарту, 1975, т.43, с.7-62.

63. Lushchik Ch.B., Elango A., Gindina R., Pung L., Lushchik A., Maaroos A., Nurakhmetov P., Ploom L. Mechanisms of Cation defects creation in alkali halides. Semicond. and Insulators, 1980, v.5, p.133-158.

64. Исмаилов Ш. Комплексное исследование механизмов термического отжига дефектов в кристаллах КС1 с катионными примесями. Автореферат диссертации на соискание уч.степени кандидата физ.-мат. наук. Рига, 1979, 16 с.

65. Воробьев А.А., Анненков Ю.М., Пичугин В.Ф., Франгульян Т.С., Нестерен-ко А.П. Радиационная генерация катионных вакансий в щелочно-галоидных кристаллах. Изв.вузов.Физика, 19, в.З, с.135-136.

66. Stott J.P., Crawford J.H. Dipolar Complexes in KC1 Resulting from 1,5 Mev Electron Bombardment. Phys.Rev.B., 1972, v.6, № 12, p.4660-4667.

67. Анненков Ю.М., Арефьев В.П., Биллер В.К. Радиационные центры захвата позитронов в КВг при мощном облучении ФТТ, 1979, т.21, в,7, с.2155.

68. Ито Н., Танимура К. Электронные возбуждения и дефекты в кристаллах.-Наука и человечество, международный ежегодник, 1986, с. 175-186.

69. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M. Расчет энергии активации миграции антишоттковского диполя в кристаллах NaCl и КВг вариационным методом машинного моделирования. Изв.вузов.Физика, 1982, в.2, с. 138.

70. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M., Исаева Т.В. Моделирование на ЭВМ антишоттковского диполя в КС1. Томск, 1985, 10 с. - Рукопись представлена Томским политехническим инс-том. Деп в ВИНИТИ, № 6306-85.

71. Колк Ю.В., Лущик А.Ч. Структура и кроудионный механизм движения Н-интерстициалов в ЩГК. ФТТ, 1986, т.28, в.5, с.1432-1438.

72. Лущик Ч.Б. Собственные электронные возбуждения и дефекты ионных кристаллов. Труды ИФ АН ЭССР, Тарту, 1978, 48, с.24-63.

73. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов.- Рига: Зинатне, 1979, 251 с.

74. Эланго М.А. Об энергетических аспектах нестабильности экситонов относительно распада на дефекты в ЩГК. ФТТ, 1975, т.17, в.8, с.2356.

75. Пунг Л.А., Халдре Ю.Ю. Температурная стабильность автолокализованных дырок в некоторых ЩГК. Изв. АН ССР, сер.физ. 1966, 30, с. 1446-1447.

76. Kanzig W. Electrone structure of the "antimorph" of the F-center. -Phys.Rev.Letters, 1960, 4, № 3, p. 117-118.

77. Колк Ю.В. Радиационное создание, перезарядка и отжиг Н и Ук-центров в КС1 и KCl-Rb при20-100К.-Труды ИФ АН ЭССР, 1984, 55, с. 106-142.

78. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В., Холодарь Г.А., Шейнкман М.К., Эланго М.А. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений. УФН, 1985, 147, в.З, с.523-558.

79. Williams R.T., Bradford J.N., Faust W.L. Short-pulse optical studies of exciton relaxation und F-center formation in NaCl, KC1, NaBr. Phys.Rev.B., 1978, vol.18, № 12.-p.7038-7057.

80. Лущик Ч.Б., Васильченко E.A., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Тайиров М.М. Эк-ситонные и примесно-экситонные механизмы создания F-, Н-пар в щелочно-галоидных кристаллах. -Труды ИФ АН ЭССР, 1983, т.54, с.5-37.

81. Лисицын В.М., Лисицына Л.А., Сигимов В.Н. Пространственное разделение компонентов первичных пар радиационных дефектов в ионных кристаллах. -ФТТ, 1977, т. 19, в.5, с.1495-1497.

82. Чернов С.А., Гаврилов В.В. Влияние температуры на эффективность радиационного накопления F-центров в ЩГК. ФТТ, 1979, т.21, с.2529-2531.

83. Витол И.К., Зирап В.Э., Круминьш В.Я., Миллер Д.К. Механизмы генерации радиационных дефектов в ЩГК. Труды Межвузовской конференции по радиационной физике, Томск: Изд-во Томского университета, 1970, с.46-54.

84. Завадовская Е.К., Анненков Ю.М., Франгульян Т.С. Температурные зависимости накопления F-центров в КС1-КВг. Оптика и спектроскопия, 1970, т.29, в.4, с.721-726.

85. Weibenga Е.Н., Havinga Е.Е., Boswijk К.Н. Structures of Interhalogen Compound and polyhalides. Advan.Inorg.Chem.Radiochem, 1961, v.3, p. 133-169.

86. Andrews L. Optical Spectra of the Difluoride, Dichloride, and Thrichloride Ions in the Matrix-Isolated M+F2", M+C12" and M+C13" Species. J.American Chem.Soc., 1976, №4, p.2147-2152.

87. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Иыги X.B., Плоом Л.А., Пунг Л.А., Тийслер Э.С., Эланго А.А., Яансон Н.А. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в ЩГК. Труды ИФ АН ЭССР, Тарту, 1975, 43, с.7-62.

88. Лущик А.Ч. Фотодиссоциация и механизм создания С13-центров в КС1 и KC1-N02.-Труды ИФ АН ЭССР, Тарту, 1979, т.49. с.25-44.

89. Winter Е.М., Wolfe D.R., Christy R.W. Dichroism of V-bands in potassium and rubidium halides.- Phys.Rev., 1969, v. 186, № 3, p.949-952.

90. Яансон H.A., Гиндина P.И., Лущик Ч.Б. Создание анионных и катионных дефектов в нитевидных кристаллах КВг. ФТТ, 1974, т. 16, в.4, с.379-383.

91. Elango A.A., Nurakhmetov T.N. Structure and generation mechanism of Br3" -centers in X-rayed KBr. Phys.Stat.Sol., 1976, v.78, № 2, p.529-536.

92. Круминыи В.Я., Бауманис Э.А. Рекомбинационные механизмы генерации и терморазрушения У4-центров в кристаллах КВг. Уч.записки Латв. Гос. Университета, Рига, 1976, т.254, с. 101-128.

93. Mitsuchima Y., Morita К., Matsnami N., Itoh N. Determination of the V4- center structure in KBr crystals by Means of Double Alignment Channeling Technique. -J.Physicque, Colloque C7, 1976, v.37, p.C7-(95-100).

94. НурахметовТ.Н., ЭлангоА.А. Агрегатизация галогена в КВг, облу- ченным рентгеновскими лучами. -Труды ИФ АН ЭССР, Тарту, 1979, т.49,с.7-23.

95. Hobbs L., Hughes A., Pooley d. Study of Interstitial clusters in Irradiated Alkali Halides using Direct Electron Microscopy. Proc.Roy.Soc.London A., 1973, v.332, p.167-185.

96. Catlow C.R.A., Diller R.M., Norgett M.J. Interstitial defects in Irradiated Alkali Halides. J. of Physics C. Solid State Physics, 1975, v.88, p.L34-L36.

97. Лущик А.Ч., Пунг Л.А., Эланго A.A. Создание френкелевских дефектов при взаимодействии дырки и междоузельного галогена. Труды IV Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1978, с.75-76.

98. Пунг Л.А. Динамика нерелаксированных и автолокализованных дырок в ЩГК. Труды ИФ АН ЭССР, Тарту, 1979, т.50, с.7-34.

99. Баймаханов А., Иыги Х.Р.В., Лущик А.Ч. Гомогенное и гетерогенное распределение радиационных дефектов в КС1.- ФТТ, 1987, т.29, в.5, с.1356.

100. Заитов Ф.Н., Арапов Б.А.,Исмаилов Ш.И. Об особенностях термического распада радиационных центров окраски в KCl-Ag. Химия твердого тела, вып.2, межвузоский сборник. Свердловск, 1978, с.114-117.

101. Varley H.O. A new interpretation of radiation effects in alkali halides. -J.Nucl.Energ., 1954, 1, № 2, p.130.

102. Лущик А.Ч., Лущик Ч.Б. Вибронные механизмы распада экситонов с рождением дефектов в КС1. ФТТ, 1986, т.28, в.5, с. 1360-1367.

103. Henderson В., Wertz J.E. Defects in alkaline earth oxides. Adv. Physics, 1968, v.17,№70, p.749-855.

104. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M., Притулов A.M. Перекрестная стабилизация френкелевских дефектов в кристаллах окиси магния. ФТТ, 1986, т.28, в.5, с.1511-1514.

105. Catlow C.R.A., Faux I.D., Norgett M.J. Shell and Breathing shell model calculations for defect formation energies and volumes in magnesium oxide. J. Physics C.: Solid State Physics, 1976, V.9, № 3, p.419-429.

106. Mackrodt W.C., Stewart R.F. Defect Properties of Ionic Solids I, Point Defects at the Surfaces of Face Centered Cubic Crystals. J. Physics C.: Solid State Physics, 1977, v. 10, №9, p.431.

107. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M. Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в ЩГК. Изв. ТПУ, 2000, т.303, в.2, с.117-136.

108. Хорсов Н.Н., Анненков Ю.М. Автоматическая установка для исследования электрических свойств диэлектриков. Труды межвузовской конференции по радиационной физике, Томск: Изд-во Томского унив-та, 1970, с.379-382.

109. Анненков Ю.М. Исследования электрических свойств щелочно-галоидных кристаллов и их радиационного изменения. Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук, Томск, 1969, 310 с.

110. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроны в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983, 88 с.

111. Гольданский В.И. Физическая химия позитрона и позитрония. М.: Наука, 1968, 174с.

112. Чормонов А.Б. Центры аннигиляции позитронов и позитронная диагностика радиационных дефектов в облученных ЩГК. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук, Томск, 1987, 214 с.

113. Лугцик Ч.Б. Собственные электронные возбуждения и дефекты ионных кристаллов. Труды ИФАН ЭССР, Тарту, 1978, 48, с.24-63.

114. Hersh H.N. Proposed excitonic mechanism of color-center formation in alkali halides. Spectra of halogen solutions and V-bands in alkali halides. Phys. Rev., 1966.-vol. 148, №2, p.928-932.

115. Лугцик Ч.Б., Лугцик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989, 264 с.

116. Воробьев А.А. Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах. -Томск: Изд-во Томского университета, 1968, 386 с.

117. Itoh N. Primary process of defect formation in alkali halides. In.: Defects in Insulating Cristals. Riga: Zinatne, 1981, p.343-362.

118. Akilbekov A., Elango A. Low Temperature Pair Associates of H Centers in KBr. Phys. Stat. Sol (b), 1984, v.22, № 2, p.715 - 723.

119. Акилбеков А. Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов КВг при (4,2-400)К. -Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук. Тарту, 1985, 189 с.

120. Catlow C.R.A., Diller К.М., Hobbs L.W. Irradiation-induced defects in alkali halide crystals. Phil.Mag., A, 1980, v.42, № 2, p.123-150.

121. Mitsushima Y., Morita K., Matsunami N., Iton N. Determination of the V4-center Structure in KBr. Crystals by Means of Double Alignment Channeling Technique. J.Physique, Colloque, c.7, t.37, 1976, p. 7-100.

122. Dorendorf H. Ultraviolette Absorptionsbanden und photochemisch Veranderten KC1 und KBr kristallen. Z.Phys. 1951, B. 129, p.317-326.

123. Круминьш В.Я., Бауманис Э.А. Рекомбинационные механизмы генерации и терморазрушения У4-центров в кристаллах КВг. Уч.зап. Латв. Гос.Университета, 1976, т.254, с.101-128.

124. Лущик А.Ч. Фотодиссоциация, оптическая анизотропия и механизмы создания ОУцентров в кристаллах КС1 и KC1-N02. Труды ИФ АН ЭССР, т.49, 1979, с.25-44.

125. Нурахметов Т.Н. Структура и механизмы образования центров окраски, возникающих в КВг в результате ассоциации Н-центров. Диссертация на соискание ученой степени канд.физ.-мат. наук. Тарту, 1977, 186 с.

126. Itoh N. Photochemiestry of V-centers in Alkali Halides X-Rayed Near 200K. -J.Chem. Phys. Solids, 1966,v.27, №1, p. 197-203.

127. Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом В.Л. Современная кристаллография. Т.2.: Структура кристаллов. М.: Наука, 1979, 365 с.

128. Лебедев В.И. Ионно-атомные радиусы и их значение для геохимии и химии. -Л.: Изд. Ленингр. Универс., 1969, 180 с.

129. Биллер В.К. Накопление катионных френкелевских дефектов в ЩГК под действием облучения заряженными частицами. Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук. Томск, 1979, 173 с.

130. Andrew L. Optical spectra of the Dibromide and Diiodide Ions in Matrix -Isolated M +Br"2 and M+I"2 Species. - J. American Chem. Soc./98:8/, 1976, № 4, p.2153-2156.

131. Белова H.C., Мелик-Гайказян И.Я. Различия в накоплении дырочных центров окраски в нитевидных кристаллах КС1 и КВг. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1976, в. 5, с. 129 -141.

132. Шункеев К. Ш. Радиационное создание С13"-центров и катионных дефектов в КС1, легированных катионами-гомологами. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.- мат. наук, Тарту, 1984, 252 с.

133. Калабухов Н.П., Юрачковский П.А. Об ультрафиолетовом поглощении рентгенизованных КС1. Оптика и спектроскопия, 1963, т. 12, с.523.

134. Даулетбекова А. Т., Гиндина Р.И., Эланго А.А. Агрегатные центры в облученных КВг с примесями. Оптика и спектроскопия, 1982, т.53, в.З, с.548.

135. Лущик А.Ч. Вг3"-центры в облученных рентгеновской и ВУФ-радиацией кристаллах CsBr.-Труды ИФ АН ЭССР, 51, 1980. Тарту, с.7-38.

136. Озерский В.Я. Накопление V и Х-центров в ЩГК при больших дозах облучения. Изв. АН Латв. ЭССР. Сер.Физ. и техн.наук, 1979, № 6, с.29-37.

137. Яансон Н.А. Термостимулированная люминесценция и катионные радиационные дефекты в нитевидных кристаллах КВг. Автореферат диссертации на соискание ученой степени к.х.н., Тарту, 1975, 23 с.

138. Герш Г. Спектры растворов галоидов и V-полосы щелочногалоидных кристаллов. В кн.: Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах. Сборник статей. М.: ИЛ, 1958, с. 184-187.

139. Пиментел Г., Спрали Р. Как квантовая механика объясняет химическую связь. М.: Мир, 1973, 233 с,

140. Винецкий В.Л., Калнинь Ю.Х., Котомин Е.А., Овчинников А.А. Радиаци-онно-стимулированная агрегатизация дефектов Френкеля в твердых телах. -УФН, 1992, т. 160, в. 10, с. 1-23.

141. Kotomin Е., Fabrikant I., Tale I. Temperature dependence of F-center accumulation efficiency in doped halides. J.Phys., 1977, v. 10, p.2903-2915.

142. Замараев К.И., Хайрутдинов Р.Ф., Жданов В.П. Туннелирование электронов в химии. Новосибирск: Наука, 1985, 313 с.

143. Туннельные явления в твердых телах. Под ред. Э. Бурштейна и С. Дундк-виста. М.: Мир, 1973, 421с.

144. Muller J.R. Scavenging kinetic of electrons produced by irradiation of organic glasses.-J. Chem.Phys., 1972, v.56, p.5173-5183.

145. Котомин E.A. Роль туннелирования в накоплении радиационных дефектов и в теории диффузионно-контролируемых реакций. Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат наук. Рига, 1975, 19 с.

146. Dexter D.l. X-ray coloration of alkali holides.-Phys.Rev.,1954,v.93, p.985-992.

147. Tashiro I., Takeuchi S., Saidon M., Itoh M. Luminescence induced by tunneling recombination between neutral silver atoms and Vk-centers in alkali halides. Phys.Stat.Sol.Ser.b., 1979, v.92, p.611-618.

148. Delbecq C.J., Toyazawa Y., Yuster P.H. Tunneling recombination of trapped electrons and holes in KCkAgCl and KC1:T1C1. Phys. Rev., 1974, v.9, p.4497-4505.

149. Кожушнер M.A. Туннельные эффекты. M.: Знание, 1983, 63 с.

150. Витол И.К., Гайлитис А.А., Грабовскис В.Я. Закон Бенкереля и оценка распределения изолированных пар электронно-дырочных центров по расстояниям между их компонентами. В сб. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1974, в.2, с. 16-30.

151. Витол И.К., Рогулис У.Т. Влияние температуры на туннельную люминесценцию KCl-Ag. Сб. научных трудов. Термоактивированная спектроскопия дефектов в ионных кристаллах, Рига, 1983, с.83-86.

152. Грабовский В.Я., Витол И.К. Туннельная люминесценция в KBr-KJ. В сб. Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах, Рига,1974, в.2, с.31-35.

153. Тале И.А., Миллере Д.К., Котомин Е.А. Роль туннельной рекомбинации в накоплении F-центров. Учен. зап. Латв. Ун-та, 1976, 234, с. 24-72.

154. Миллере Д.К., Аболиньш Я.Я., Бауманис Э.А. Образование Г2-центров в КС1 при низких температурах. Ученые записки Латвийского университета, 1974, т. 208, с.76-81.

155. Аболтынь Д.Э., Карие Я.Э., Плеханов В.Г. Экспериментальное проявление роли фононов в образовании и движении точечных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. ФТТ, 1980, т.22, в.З, с.875-877.

156. Завадовская Е.К., Анненков Ю.М., Франгульян Т.С. Образование F-центров в твердых растворах. Сборник статей. Радиационная физика неметаллических кристаллов, Киев: Наукова думка, 1971, т. 3, ч. 3, с 44-49.

157. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С. Температурная зависимость образования F-центров в ЩГК.- Сборник статей. Радиационная физика неметаллических кристаллов, Киев: Наукова думка, 1971, т. 3, ч. 3, с. 50-54.

158. Анненков Ю.М., Столяренко В.Ф., Франгульян Т.С. Накопление дырочных центров окраски в КВг под действием импульсных пучков электронов высокой плотности. Изв.Вузов. Физика, 1981, в.6, с. 103-105.

159. Анненков Ю.М., Столяренко В.Ф., Франгульян Т.С. Дырочные центры окраски и их свойства в облученных импульсным электронным пучком в кристаллах KCL- Изв.Вузов. Физика, 1985, в.2, с.47-50.

160. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Столяренко В.Ф., Галанов Ю.И., Яковлев В.Ю. Влияние плотности импульсного электронного пучка на накопление радиационных дефектов в ЩГК. ФТТ, 1987, т.29, в.З. с.925-928

161. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Столяренко В.Ф., Горностаев A.M. Накопление радиационных дефектов в ЩГК при комбинированном действии плотного электронного пучка и рентгеновских лучей.- Изв.Вузов. Физика, 1988, в.8, с. 100-102.

162. Анненков Ю.М., Завадовская Е.К., Франгульян Т.С. Стабильность центров окраски в смешанных кристаллах КС1-КВг. Оптика и спектроскопия, 1968, т.24, в.6, с.948-951.

163. Анненков Ю.М., Столяренко В.Ф., Франгульян Т.С., Галанов Ю.И. Исследование создания и накопления Х"3-центров при облучении плотными пучками электронов. Вопросы атомной науки и техники, 1982, т.4, в.23, с. 77.

164. Завадовская Е.К., Анненков Ю.М., Франгульян Т.С. Образование F-центров в твердых растворах КС1-КВг.- Изв.Вузов.Физика, 1969, в.11, с.44-48.

165. Франгульян Т.С. Исследование радиационного накопления центров окраски в твердых растворах КС1-КВг. Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат наук, Томск, 1971, 184 с.

166. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M. Расчет комплексов атомов галоида с вакансиями в ЩГК. Томск, 1985, 7 с. - Рукопись представлена Томским политехническим институтом. Деп. в ВИНИТИ 1985 № 4813-85.

167. Кузнецов В.П. Определение времен релаксации дефектов в треке протона по зависимости их выхода от интенсивности пучка. Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат наук. Томск, 1974, 26 с.

168. Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах.-Рига: Зинатне, 1987, 186 с.

169. Оловянишникова A.M., Анненков Ю.М. Расчет эффективностей ловушек дырочных центров окраски в кристаллах КС1. Изв.Вузов.Физика, 1990, в.З, с.100- 102.

170. Лисицын В.М., Сигимов В.Н. Вероятность аннигиляции компонентов первичной F-H-пары при термоактивированном движении. Изв.Вузов.Физика, 1977, в. 10, с.41-44.

171. Круминыл В.Я., Бауманис В.А. Генерация и термическое разрушение V2-центров в КВг. В кн: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1975, в.4, с.99-110.

172. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Столяренко В.Ф. Импульсная абсорбционная спектроскопия облученных кристаллов КВг. ФТТ, 1983, т.25, в.5, с.1348-1351.

173. Анненков Ю.М., Притулов A.M. Образование Г+-центров в кристаллах MgO при облучении протонами. ФТТ, 1981, т.23, 3, с. 1065 - 1068

174. Ueta M.Color Center Studies in Alkali Halides by Pulsed Electron Beams Irradiation . J. Phys. Soc. Japan, 1967, v.23, p. 1263.

175. Hoshi. J., Saidoh M., Itoh N. Stabilisation of the Interstitial Center by Divalent impurities in alkali halides. Cryst. Latt., 1975, Defects, 6, p.15.

176. Анненков Ю.М., Галанов Ю.И. Исследование создания и накопления Х3" -центров в кристаллах КВг в условиях облучения плотными импульсными пучками электронов. Вопросы атомной науки и техники, 1982, 4, 23, с.77.

177. Анненков Ю.М.,. Столяренко В.Ф., Франгульян Т.С. Исследование образования Х3* -центов в кристаллах КВг методом импульсной оптической спектроскопии. Изв.ВУЗов.Физика, 1982, в.8, с. 17-21.

178. Биллер В.К., Яковлев В.Ю. Радиационное создание дефектов в кристаллах KJ при облучении мощным потоком электронов наносекундной длительности. ФТТ, 1980, т.22, в.8, с.2250-2252.

179. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M. Расчет комплексов атомов галоида с вакасиями в ЩГК. -Томск, 1985, 7 с. Рукопись представлена Томским политехническим институтом. Деп. в ВИНИТИ, 1985, №4813-85.

180. Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах. Сборник статей. М.: И.Л., 1958, 341 с.

181. Витол И.К., Зирап В.Э., Круминын В.Я., Миллер Д.К. Механизмы генерации радиационных дефектов в ЩГК.-Труды межвузовской конфекенции по радиационной физике, Томск: Изд-во Томского университета, 1970, с.46-54.

182. Яковлев В.Ю. Закономерности создания короткоживущих радиационных дефектов в ЩГК. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. Екатеринбург, 1996, 35 с.

183. Озерский В.Я. Термические и фототермические превращения центров окраски в КС1 после высокодозного электронного облучения. Изв.АН Латв.ССР, сер.физ. и тех. наук, 1979, №4, с.31-38.

184. Бауманис Э.А., Пладиус А.Э., Аболиньш Я.Я., Миллере Д.К. Накопленеие и разрушение F-центров в КС1 и КВг. В кн: Электронные и ионные процессы в ионных кристаллах. Рига, 1977, в.6, с.90-100.

185. Григорьева JI.Г., Миллере Д.К. Термически стимулированная рекомбинация радиационных дефектов в ЩГК. Сборник научных трудов. Рига: Изд-во Латв. университета, 1983, с.67-82.

186. Була В.Г., Тале И.А. Определение спектров фракционного термовысвечивания в кристаллах КВг и КВг-Т1. Ученые записки Латвийского университета, 1974, т.208, с.52-65.

187. Анненков Ю.М., Титова Л.В., Кишеня С.М. Исследование электронных центров захвата аддитивно окрашенных ЩГК, легированных двухвалентными примесями. Изв.ВУЗов.Физика, 1969, в. 10, с.26-29.

188. Анненков Ю.М. Диэлектрические потери в кристаллах NaCl до и после воздействия ионизирующим излучением. Изв.ТПИ, т. 140, 1965, с.63 -70.

189. Джейкобе Г. Диэлектрические потери в окрашенных кристаллах с примесями. J.Chem.Phys., 1957, 25, №1, р. 217.

190. Краснопевцев В.В. Диэлектрическая релаксация в окрашенных кристаллах КВг. ФТТ, 1962, т.4,в.7, с. 1807-1812.

191. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. Электронные центры окраски в кристаллах. -Иркутск: Восточно-Сибирское книжное изд-во, 1977, 208 с.

192. Розман Г.А. Расчет характеристик Н"-центра в щелочно-галоидных кристаллах. Оптика и спектроскопия, 1975, т.39, в.5, с.892.

193. Краснопевцев В.В. Диэлектрические потери в кристаллах КВг облученных нейтронами. ФТТ, т.З, в.1, 1961, с.214-218.

194. Краснопевцев В.В. Диэлектрические потери в кристаллах КВг облученных электронами. ФТТ, т.5, 1963, с.2261-2269.

195. Справочник химика, том1, М: Изд-во хим. литер. -1953.-1071с.

196. Van Puymbroeck W., Schoemaker d. Electron-spin-resonance study of complex interstitial halogen Hd-type defects in KC1 doped with divalent cations. -Phys.Rev.B., 1981, v.23, № 4, p.1670-1684.

197. Будылин Б.В., Воробьев А.А. Действие излучений на ионные структуры.-М.: Гос.изд-во литературы в области атомн. науки и техники, 1962, 167 с.

198. Игнатьева М.И., Рощнна Л.И. Влияние примесей на радиационное изменение электропроводности ЩГК. Изв.ТПИ, т. 140, 1965, с. 109-117.

199. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Галанов Ю.И. Радиационная генерация катионных вакансий в NaBr. Изв.вузов.Физика, в. 10, 1975, с. 131-132.

200. Анненков Ю.М., Биллер В.К., Валяев А.Н., Франгульян Т.С. Модель накопления дивакансий в ЩГК. Изв.вузов.Физика, 1980, в.7, с.121-123.

201. Шункеев К.Ш., Гиндина Р.И. О структуре (СГз^-центров в облученных кристаллах KCl-Sr. Труды ИФАН ЭССР, 1983, т.54, с. 122-135.

202. Smoluchowski R. Report of bristle conference on defects in crystalline solids.-Tondon, 1955, p.252.

203. Мелик-Гайказян И.Я., Дерябин П.Е. Кинетика радиационного накопления катионных вакансий и дивакансий в нитевидных кристаллах КС1 и КВг. Изв.вузов.Физика, 1974, № 4? с.137-139.

204. Галанов Ю.И. Механизмы электрической проводимости кристаллов NaBr и КВг, облученных рентгеновскими лучами. Диссертация на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Томск, 1986, 196 с.

205. Георгиев Г.П., Зирап В.Э. Перенос заряда и излучательная рекомбинация в кристаллах NaCl. Электронные процессы и дефекты в ионных кристаллах. Рига, 1985, с. 3-22.

206. Weit T.R. General theory of Bimolecular reaction rates in solids and liquids.-J.Chem.Phys., 1958,v.28,№ l,p,103-106.

207. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристалло-фосфоров. М.: Наука, 1966, 324 с.

208. Адирович Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. -М., Л.: Гостехиздат, 1951, 350 с.

209. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: И.Л., 1962, 558 с.

210. Бичевин В.В. О погрешности квазистационнарного приближения при определении концентрации электронов проводимости в диэлектриках. -Труды ИФАН ЭССР, 1979, т.49, с.185-191.

211. Chen R. Metoda for kinetic analysis of thermal stimulated processes. -J.Mater.Sc., 1976, v.ll, p.1521-1541.

212. Гурдзиелс П.Я. Определение энергетического спектра центров захвата носителей заряда путем измерения тока в режиме фракционного нагрева. В кн.: Термостимулированная спектроскопия дефектов в ионных кристаллах. Рига, 1983, с.39-53.

213. Пурга А.Н., Ребане Н.П. О связи между рекомбинационным свечением и проводимостью. -Труды АН ЭССР, № 15, 1961, с. 149-160.

214. Галанов Ю.И. Электрическая проводимость и стимулированная люминесценция кристаллов КВг. Томск, 1984, 7 с. Рукопись представлена Томским политехническим институтом. Деп. в ВИНИТИ 1984, № 817-84.

215. Weit T.R. Theoretical treatment of the kinetics of diffusion-limited reaction. -Phys.Rev., 1957, v. 107, p.464-470.

216. Анненков Ю.М., Галанов Ю.И., Франгульян Т.С. Центры окраски в примесных кристаллах NaBr. Томск, 1977, 10 с. Рукопись представлена Томским политехническим институтом. Деп. в ВИНИТИ № 3762-77.

217. Мурин А.Н., Лурье Б.Г. Диффузия меченых атомов и проводимость в ионных кристаллах. Л.: Изд-во ленинградского университета, 1967, 99 с.

218. Нагорный А.А. Преципитация примеси в кристаллах NaCl-Pb. Электронные процессы и дефекты в ионных кристаллах. Сборник научных трудов. Рига, 1985, с.34-45.

219. Бартенев Г.М., Цыганов А.Д., Прокопьев Е.П., Варисов А.З. Аннигиляция позитронов в ионных кристаллах. -УФН, 1971, т.ЮЗ, 2, с.339-354.

220. Brandt W., Dupasquier A., Durr G. Positron annihilation in Ca2+ doped KC1. -Phys.Rev.B, 1972, v.6, № 8, p.3156-3158.

221. Воробьев A.A., Арефьев Н.П., Воробьев С.А. Аннигиляция позитронов в дефектных ЩГК. ЖЭТФ, 1978, т.68, с. 1486.

222. Анненков Ю.М., Чормонов А.Б., Этин Г.И. Позитронная аннигиляция в кристаллах КВг. Томск, 1984, 13 с. Рукопись представлена Томским политехническим институтом. Деп. в ВИНИТИ 1984, № 2167 - 84.

223. Annenkov Yu.M., Nurmagambetov S.B., Chormonov A.B. Nature of the Centres of Positron Annihilation in Intensively Irradiation Alkali Halides. -Phys.stat.sol (b)., 1986, 133, p.505-509.

224. Абакумов B.H., Перель B.H., Яссиевич И.К. Теория захвата электронов на притягивающие центры в полупроводниках при фотовозбуждении. ЖЭТФ, 1977, т.72, № 2, с.674-686.

225. Lax М. Cascade capture of electrons in solids. Phys.Rev., 1960, v.l 19, № 5, p.1502-1523.

226. Vorobev A.A., Annenkov Yu.M., Arefiev K.P., Vorobev S.A. On positron Annihilation Anomalies in Ionic Crystals. Shys.stat.sol. (6), 1973, 57, k.27.

227. Анненков Ю.М., Чоромонов А.Б. Низкотемпературная позитронная аннигиляция в кристаллах КВг. Изв.вузов.Физика, 1981, в.5, с.115-116.

228. Annenkov Yu.M., Arefiev К.Р., Frangulian Т.С., Starodubov V.A., Vorobev S.A. Positron as a Probe of Cation Vacancies in X-Trradiated NaBr Crystals. -Appl.Phys., 7, 83, 1975.

229. Воробьев А.А., Арефьев К.П., Воробьев С.А. Аннигиляция позитронов в дефектных ионных кристаллах. ЖЭТФ, 1975., 68, с. 1486.

230. Bisi A., Dupasqier A. Properties of the magnetically quenchable positron states in alkali halides. J.Phys.C., 1973, v.6, № 7, p. 1125-1133.

231. Анненков Ю.М., Арефьев К.П., Кузнецов В.П., Франгульян Т.С. Аннигиляция позитронов в KBr-Li. ФТТ, 1982, т.24, в.5, с.1460-1462.

232. Анненков Ю.М., Чормонов А.Б. Влияние температуры облучения на эффективность накопления центров аннигиляции позитронов в КВг. ФТТ, 1983, т.25, в.11, с.3500-3502.

233. Анненков Ю.М., Чормонов А.Б., Франгульян Т.С. Влияние оптического и термического обесцвечивания на позитронную аннигиляцию в облученных кристаллах KBr-Li. ФТТ, 1984, т.26, в. 10.

234. Томсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М.: Мир, 1971, 367 с.

235. Сегре Э. Экспериментальная ядерная физика. Т.1. -М.: ИЛ, 1956.

236. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. -М.: Наука, 1981, 368 с.

237. Клингер М.И. Образование дефектов в неметаллах при распаде элек-тронныз возбуждений. - УФН, 1985, т. 146, № 1, с. 105-142.

238. Нагакура С., Накадзима Т., Енедзава Т. и др. Введение в квантовую химию. М.: Мир, 1982, 262 с.

239. Kabler M.N., Patterson D.A. Evidence for a triplet state of the self-trapped exciton in alkali halides crystals. Phys. Rev. Letters, 1967, v. 19, № 11. p.652-654.

240. Левич В.Г., Вдовин Ю.А., Мямлин В.А. Курс теоретической физики. Т.2. -М.: Наука, 1971, 936 с.

241. Fuller R.G., Williams R.T., Kabler M.N. Transient optical absorbtion by self-trapped excitons in alkali halides crystals. Phys. Rev. Letters, 1970, v.25, № 7, p.446-449.

242. Leung С. H., Song K.S. Model of excitonic mechanisms for defect formation in alkali halides. Phys. Rev. В, 1978, v. 18, № 12, p.922-929.

243. Kabler M.N., Williams R.T. Vacansy-interstitial pair production via electron-hole recombination in halide crystals. Phys.Rev. B, 1978, v. 18, № 4, p.l 948-1960.

244. Song K.S. et.al. Calculation of activation energy of Vk-centre migration in alkali halides. -Journal of Luminescence, 1976, v.12-13, p.303-308.

245. Blaer V., Pooley D., Smeth D. Recombination luminescence in alkali halides. -J. Physics. C, 1972, v.5, № 12, p.1537-1552.

246. Saidoh M., Tawnsend P.D. Temperature dependence of the radiation-induced dynamic motion of interstitial halogen in alkali halides. Radiation Effects, 1975, v.27, p.1-12.

247. Кристофель H.H. Теория примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах. -М.: Наука, 1974, 336 с.

248. Toyozawa Y.A. Proposed model of excitonic mechanism for defect formation in alkali halides. J. Phys. Soc. Jap, 1978, v.44, № 2, p.482-488.

249. Toyozawa Y. Self-trapping and defect reactions. Semiconductors and Insulators, 1983, v.5, № 3-4. p.175-200.

250. Smoluchowski R, Lazareth O.W., Hatcher R.D., Dienes G.J. Mechanism of point-defect formation in ionic crystals. Phys. Rev. Letters, 1971, v.27, № 19, p.1288-1290.

251. Annenkov Y.V., Stoljarenko V.F., Frangulian T.S. The effekt of temperature on formation and accumulation of X3~centers in KBr cristals unted powerful electron irradiation. Phys. Status Solidi, 1989, № 1, p. 156.

252. Мелик-Гайказян И.Я., Дерябин П.Е. Кинетика накопления радиационных катионных вакансий и дивакансий в нитевидных кристаллах КС1 и КВг. -Изв.вузов.Физика, 1974, в.4, с. 137-139.

253. Pooley D. F-Centre Production in Alkali Halides by Electron-Hole Recombination and Subsequent <110> replacement sequences: a discussion of the electron-hole recombination. Proc. Phys. Soc, 1966, v. 87, p.245-256.

254. Лущик Ч.Б. Механизмы создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. Тр.ИФАН ЭССР, 1966, т.31, с. 19-81.

255. Вахидов Ш.А., Джуманов С. Диссоциативный механизм распада экситонов на дефекты в ЩГК. Оптика и спектроскопия, 1979, 47, 5, с. 1018.

256. Itoh N., Saidoh М. Radiation-induced dynamic motion of interstitial halogen in akali halides. J. Physique, 1973, v. 34, № 9, p.lOl.

257. Itoh N., Stoneham A.M., Harker A.H. The initiated production of defects in alkali halides: F and H centre production by non-radiative decay of self-trapped excitons. J. Phys. C: Solid State Phys, 1977, v. 10, p.4197-4209.

258. Williams R.T. Photochemistry of F-center formation in halide crystals. Phys. Rev. Letters, 1976, v. 36, p.529.

259. Витол И.К., Грабовскис В.Я. Диссоциация экситона на дефекты катионной подрешетки ЩГК. Изв. АН СССР, сер.физ., 1974, т.38, № 6, с. 1225-1226.

260. Лущик А.Ч., Лущик Ч.Б. Вибронные механизмы распада экситонов с рождением дефектов в КС1. ФТТ, 1986, т.28, в.5, с. 1360-1367.

261. Vakhidov Sh.A., Dzhumanov S. Механизм образования дефектов в катионной подрешетке ЩГК. Physics Status Solidi (6), 1980, v. 100, № 1, p. 17-22.

262. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллов. ФТТ, 1968, т. 10, в.9, с.2753-2759.

263. Вахидов Ш.А. Экситонный механизм рождения F-центров в щелочно- галоидных кристаллах. ДАН УЗ ССР, 1978, т. 1, № 27, с. 130-135.

264. Brunet G., Leung С.Н., Song K.S. Solid State Communs, 1985, v.53, № 7, p.607 - 609.

265. Вайсбурд Д.И., Матлис С.Б. Рекомбинационно-ударный механизм генерации френкелевских дефектов в катионной подрешетке. Изв. вузов.Физика, 1977, в. 1, с.135-136.

266. Чернов С.А., Гаврнлов В.В., Эцин С.С. Эффективность накопления и кинетика аннигиляции F-Y-nap в чистых и активированных йодом кристаллах КС1 в интервале температур 15 80 К. - ФТТ, 1983, т.25, в.6, с.1712-1716.

267. Даулетбекова А.К. Радиационное создание и рекомбинация дефектов Френкеля в кристаллах КВг и KJ с различным содержанием примесей Li+ и Na+. Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Тарту, 1983, 15 с.

268. Tanimura К. Energy transfer by the precursor of Frenkel pairs in alkali halides. In.: Intern.conf. on defects in insulating crystals. Gattinburg, 1977, p.422.

269. Франгульян T.C., Галанов Ю.И., Столяренко В.Ф., Лабыкина Т.Р. Влияние ионов Fi на образование радиационных дефектов в КВг. Радиационно-стимулированные эффекты в твердых телах. Межвузовский сборник. Свердловск, Изд-во УПИ, 1983, с.52-55.

270. Тайиров М.М., Васильченко Е.А., Жумабеков З.А. Создание катионных френкелевских дефектов в KBr-Li. ФТТ, 1995, т.37, № 8, с.2319-2326.

271. Вайсбурд Д.И. Закон распределения поглощенной энергии в твердом теле.-Известия ТПИ, 1965, с. 1385.

272. Вайсбурд Д.И., Воробьев А.А., Меликян.А. Эффективные поперечные сечения треков протонов и а-частиц в ионном кристалле. Атомная энергия, 1971, т.30, в.6, с.538.

273. Вайсбурд Д.И., Кузнецов В.П. Зависимость выхода дефектов в треке протона от интенсивности пучка.- Изв.вузов.Физика, 1974, в.5, с.438.

274. Блохин М.А. Физика рентгеновских лучей. М.: Изд-во технико-теоретической литературы, 1957, 518 с.

275. Воробьев А.А., Кононов Б.А., Прохождение электронов через вещество. -Томск: Издательство ТПИ, 1966, 171 с.

276. Бугаенко Л.Т., Кузьмин М.Г., Полак Л.С. Химия высоких энергий. М.: Химия, 1988, 365 с.

277. Стародубцев С.В. Полное собрание сочинений, т.2, книга 2. -Ташкент: ФАН, 1970,378 с.

278. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М:Физматгиз, 1963,293 с.

279. Радиационная стойкость органических материалов. Справочник под ред. В.К.Милинчука, В.П.Тупикова. -М.: Энергоатомиздат, 1986, 268 с.

280. Веденеев В.И. и др. Энергия разрыва химических связей. Справочник. -М.: Изд-во АН СССР, 1962, 189 с.

281. Кярнер Т.Н., Малышева А.Ф., Тажигулов В.Т. Поиск автолокализации дырок и электронов в MgO. Запоминающие среды на основе широкощелевых диэлектриков. Тарту, 1984, с.45-49.

282. Вайсбурд Д.И., Мелик-Гайказян И.Я., Тургумбаев К.Т. Трековые эффекты при накоплении F-центров в нитевидных кристаллах КВг и КС1 под действием рентгеновских фотонов. Изв. вузов.Физика, 1979, в.З, с.54-58.

283. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Под ред. Вайсбурда Д.И. Новосибирск: Наука, 1982, 226 с.

284. Кузнецов В.П. Определение времени релаксации дефектов в треке протона по зависимостям их выхода от интенсивности пучка. Автореферат диссертации на соискание ученой степени к.ф.м.н. Томск. 1974, -26 с.

285. Вайсбурд Д.И., Алексеев П.Д. Зависимость накопления F-центров в NaCl от интенсивности пучка протонов. Изв.вузов.Физика, 1971, в. 11, с27-31.

286. Алексеев П.Д. Зависимость эффективности накопления F-центров в KJ от интенсивности протонного пучка. Изв. вузов. Физика, 1969, в. 12, с. 134.

287. Mitchell PV. Formation of F-centeres in KC1 by X-rays. Phys.Rev, 1961, v.121, № 2, p.484-496.

288. Abrahamson E., Caspari M.E. Intensity Dependence of X-ray Induced Strain and Coloration in KC1. Phys.Rev, 1963, v.129, № 5, p.536-550.

289. Ritz V.N. Vacancy Production Efficiency in KBr at Low Temperature. -Phys.Rev, 1966, v. 142, № 2, pp.505-513.

290. Анненков Ю.М., Пичугин В.Ф., Франгульян Т.С. О природе разрушения F-центров в ЩГК. Изв. вузов.Физика, 1975, в.4, с.114-115.

291. Вайсбурд Д.И. Закон распределения погдощенной энергии в твердых телах по кратностям локализации. ДАН СССР, 1966, т.166, №2, с.391-394.

292. Анненков Ю.М., Притулов A.M. Проводимость кристаллов MgO, облученных протонами. Изв. Вузов.Физика, 1981, т. 9, с. 132-134.

293. Воробьев А.А., Анненков Ю.М., Притулов A.M. и др. Образование радиационных дефеков в кристаллах MgO и ALO3. Томск, 1979, 8 с. Рукопись представлена Томским политех, инст-том. Деп. в ВНТИЦ 1979, № Б7337495-79.

294. Анненков Ю.М., Суржиков А.П., Погребняк А.Д., Суржиков В.П. Образование радиационных дефектов в кристаллах MgO при высоких плотностях возбуждения. ЖТФ, 1980, т.50, в.1, с.222-224.

295. Annenkov Yu.M., Surzchikov А.Р., Pogrebnyak A.D. F+-center Generation in MgO Crystals at High Density of Accelerated Electron of Sub-Threshold Energy. -Phys.Lett.A, 1981, v. 84, № 3, p.143-146.

296. Анненков Ю.М., Суржиков А.П. Обнаружение мощностного порога элек-троного пучка для неударной генерации радиационных нарушений в MgO. -ЖТФ, 1985, т.55, в.4, с.735-736.

297. Анненков Ю.М., Притулов A.M., Франгульян Т.С., Кузьмин А.Н. Фотолюминесценция облученных кристаллов MgO. Изв.Вузов.Физика, 1981, в.9, с.130-132.

298. Pantelides S.T., Mickich D.I., Kunz A.B. Electronic Structure and Properties of MgO. Phys.Rev.B, 1974, v,10,№ 12, p.5203-5212.

299. Эварестов P.А., Котомин E.A., Ермошкин А.Н. Молекулярные модели точечных дефеков в широкощелевых твердых телах. Рига: Зинатне, 1983, 287 с.

300. Келдыш JI.В. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках. В сборнике: Экситоны в полупроводниках. М.: Наука, 1971, 139 с.

301. Roessler D.M., Walker W.C. Electronic Spectrum and Ultraviolet Optical Properties of Crystalline MgO. Phys.Rev, v.159, № 3, p.733-738.

302. Райе Т., Хенсел Дж., Филлипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М.: Мир, 1980, 349 с.

303. Куусман И.Л., Фельдбах Э.Х. Краевая катодолюминесценция кристаллов MgO в ВУФ-области спектра. ФТТ, 1981, т.23, в.2, с.461-466.

304. Henderson В., Wertz I.E. Defects in the alkaline earth oxides. Advances in Physica, 1968, v. 17. № 70, p.749-855.

305. Dodd G., Glenn G. Chemical bonding studies of silicates and oxides by X-ray K-emission Spectroscopy. I.Appl.Phys, 1968, v.39, p.5377-5381.

306. Бартенев Г.М., Варисов A.3., Гольданский В.И. и др. Определение эффективных зарядов в средах ионного типа позитронным методом. Успехи химии, 1972, т.41, № 2, с.585-589.

307. Бацанов С.С. Система электроотрицательностей и эффективные заряды атомов для кристаллов. -ЖНХ, 1975, т.20, в. 10, с.2595-2600.

308. Vidal-Valet G., Vidal I.P., Kurki-Sionio К. X-ray study of the atomic charge densities in MgO, CaO and BaO. Univ.Helsinki Rep. Sep.Phys, 1975, № 107, p.20.

309. Зареченцев E.B., Файн Е.Я. Распределение электронной плотности в MgO. ФТТ, 1975, т. 17, в.7, с.2058-2064.

310. Raux A., Elston I. Enerqie des fefants cress dans MgO par irradiation neutronique. C.R.Acad.Sci, 1970, 270, p.505-508.

311. Анненков Ю.М., Оловянишникова A.M., Притулов A.M. Перекрестная стабилизация френкелевских дефектов в кристаллах MgO. ФТТ, 1986, т.28, в.5, с.1511-1514.

312. Balzarotti A., Bianconi A., Burattini Е. et al. Core transition from the A1 2p Level in amorphous and crystalline A1203 Phys.Stat. Sol. В., 1974,v.63,№1 .p.77-85.

313. Reily M.H. Temperature dependence of short wavelength transmittance limit of vacuum ultraviolet window materials. J.Phys.Chem.Solids, 1971, v. 1. 3 1, № 5, p.1041-1047.

314. Суржиков А.П., Притулов A.M. Создание и накопление радиационных дефектов в монокристаллах оксида магния. М.: Энергоиздат, 1999, 168 с.

315. Whited R.C., Walker W.C. Exiton Spectrum of CaO and MgO. -Phys.Rev.Lett, 1969, v. 22, № 26, p.1428-1430.

316. Эланго M.A., Кив A.E. Радиационно-индуцированная неустойчивость в неметаллических твердых телах. Труды ФИ АН ЭССР, 1985, т.57, с. 113-128.

317. Стародубцев С.В., Кив А.Е. Об ионизационном механизме возникновения структурных нарушений в кристаллах. ДАН СССР, 1963, 151, с.3.

318. Зайковская М.А., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Стародубцев С.В. Радиационные изменения в кремнии под действием электронов подпороговых энергий. ФТП, 1967, т.1, в.4., с.8.

319. Кив А.Е., Малкин А.А., Янчук В.А. Подпороговый механизм дефектообразования при сверхплотном возбуждении электронной подсистемы кристалла. -ФТП, 1974, в.8, с.6-13.

320. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981, 246 с.

321. Паралис Э.С. Эффект Оже. Ташкент:ФАН, 1969, 248 с.

322. Карпов В.Г., Клингер М.Н. Механизм радиационного дефектообразования при электронных переходах в примесных полупроводниках. ФТП, 1978, т.12, в.10, с.1887-1897.

323. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В. и др. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений. УФН, 1985, т.147, в.З, с.523-554.

324. Радиационно-активированные процессы в кремнии. Сб.статей. Ташкент:ФАН, 1977, с. 164.

325. Суржиков А.П. Накопление радиационных дефектов в анионной подрешетке монокристаллов окиси магния при высоких плотностях возбуждения ускоренными электронами. Диссертация на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Свердловск, 1982, 183 с.

326. Притулов A.M. Радиационное дефектообразования в кристаллах окиси магния в условиях протонного облучения. Диссертация на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук. Свердловск, 1984, 196 с.

327. Кярнер Т.Н., Малышева А.Ф., Тяжигулов В.Т. Поиск автолокализации дырок и электронов в MgO. Запоминающие среды на основе широкощелевых диэлектриков. Тарту. 1984, с. 49.

328. Evans B.D. Spectral Study of Ne+ Bombarded Cristalline MgO. Phys.Rev.B, 1974, v.9, № 12, p.5222-5235.

329. Sibley W.A., Chen Y. Radiation Damage in MgO. Phys.Rev, 1967, v. 160, № 3, p.712-716.

330. Chen Y., Trueblood D.L., Schow O.E., Tohver H.I. Color Center in Electron Irradiated MgO. J.Phys.C.Sol.St.Phys., 1979, v.3, № 12, p.2501-2508.

331. Rius C., Cox R. Mise on Evidence D'un Lon Molecular (OF)" Dans La Magnesia Irradiee aux Neutrons. Phys.Lett, 1968, v.27A, № 2. p.76-77.

332. Ховстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М.: Мир, 1975, 395 с.

333. Захряпин С.Б., Гладышев Т.Е., Громов JI.A. Диффузия таллия в ЩГК в поле у- излучения. ФТТ, 1983, т. 25, № 4, с. 1152-1154.

334. Гольдберг С.У., Минаев С.М. Установка для измерения спектров оптического поглощения нитевидных кристаллов при действии рентгеновского излучения. Изв. Вузов. Приборостроение, 1968, т. 11, № 1. с. 95-99.

335. Притулов A.M., Суржиков А.П., Шумилов Н.Ю., Анненков Ю.М., Ко-синцев Л.Г. Явление высокотемпературной радиационно-стимулированной диффузии иноваленной примеси в ионных кристаллах. Письма в ЖТФ, 1989, т. 15, в. 12. с. 82-84.

336. Винецкий B.JI., Чайка Г.Е. Диффузия атомов в неметаллах, стимулированная рекомбинацией носителей тока. ФТТ, 1982, т. 24, в 7, с. 2170-2176.

337. Винецкий В.Л., Чайка Т.Е. Теория рекомбинационно-стимулированных атомных скачков в кристаллах. ФТТ, 1986, т. 28, в 11, с. 3489-3495.

338. Карпов В.Г., Клингер М.И. Ионизационный механизм усиления диффузии в полупроводниках. Письма в ЖТФ, 1980, т. 6, в 23, с. 1436.

339. Ленченко В.М. Об активации смещений при релаксации электронных возбуждений в твердых телах. ФТТ, 1969, т. 11, в 3. с. 799.

340. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. -Киев: Наукова думка, 1979, 331 с.

341. Оксенгендлер Б.Л. Инверсон-дефектон нового типа. Письма в ЖЭТФ, 1976, т. 24, в 1, с. 1215.

342. Атомная диффузия в полупроводниках. Сборник статей. М.: Мир, 1975, 975 с.

343. Бакий А.С., Лазарев В.А. О влиянии звука на диффузию в твердых телах. ФТТ, 1984, т. 26, в 8, с. 2504.

344. Инденбом В. Л. Новая гипотеза о механизме радиационно-стимулированных процессов. Письма в ЖЭТФ, т. 5, в 6, с. 489.

345. Вопросы радиационной технологии полупроводников.- Под ред. Смирнова Л.С. Новосибирск: Наука, 1980, 292 с.

346. Готлиб В.И., Трифонов В.Н., Шварц К.К. Радиационно-стимулированная диффузия в КС1. Изв. Ан Латв.ССР, сер. физ. и тех, 1960, в 6, с. 121.

347. Дине Дж., Виньярд Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. -М.: ИЛ, 1960, 243 с.

348. Болтакс Б.Н. Диффузия точечных дефектов в полупроводниках. -М.: Наука, 1972, 373 с.

349. Метод радиационных воздействий в исследовании структуры и свойств твердых тел. Сборник статей. -Ташкент:ФАН, 1971, 140 с.

350. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Возняк А.В. Радиационно-ускоренное спекание порошков-Порошковая металлургия, 1991, №8, с. 15-17.

351. Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. М: Металлургия, 1978, 247 с.

352. Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах. М: Мир, 1966, 391с.

353. Анненков Ю.М. Физические основы высокотемпературного электроннолучевого модифицирования керамических структур. Изв. Вузов.Физика, 1996, в.11, с.176-192.

354. Кимерлинг JT Точечные дефекты в твердых телах.- М.: Мир, 1979, 238с.

355. Анненков Ю.М., Притулов A.M. Влияние трехвалентных примесей на стабилизацию анионных френкелевских дефектов в MgO. ФТТ, 1984, т.26, в.З, с.1391-1393.

356. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Столяренко В.Ф. Разрушение радиационных дефектов при импульсном электронном облучении. ЖТФ, 1986, Т.56, в.6, с.1206.

357. Анненков Ю.М., Суржиков А.П., Притулов A.M. и др. Радиационная технология иттрий-бариевых купратов. Высокотемпературная сверхпроводимость, Томск, 1990, с.73-85.

358. Физические свойства высокотемпературных сверхпроводников. Под редакцией Д.М.Гинзберга. М.: Мир, 1990, 540 с.

359. Грабой И.Э., Кауль А.Р., Метлин Ю.Г. Химия и технология высокотемпературных сверхпроводников. Химия твердого тела (итоги науки и техники ВИНИТИ АН СССР), 1989, т.6, с.3-142.

360. Захарченко С.И., Митюшин В.Б., Полевских Н.А. и др. Сверхпроводимость. ФХТ, 1989, т.2, № 10, с.136-141.

361. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Апаров Н.Н., Притулов A.M. Эффективность радиационнй технологии получения высокопрочной керамики. Огнеупоры, 1995, № 5, с. 12-16.

362. Гришаев В.В., Лебедь Б.М. О механизме электронно-термического спекания ферритов. Электронная техника, 1985, с. 6, в.1, с. 18-24.

363. McKinly W.A.,Fischbuch. The Coulomb Scattering of Relativistic Elektrons by Nuclei. Phys. Rev, 1948,т.74,№ 12, p.1759-1763.

364. Фазовые превращения при облучении. Под редакцией Ф.В.Нолфи. Челябинск: Металлургия, 1989, 311 с.

365. Атомная диффузия в полупроводниках. М.: Мир, 1975, 684 с.

366. Алукер В.Э., Гринберг М.Г., Нестерова С.М., Нечаев А.Ф. Влияние размера зерен на выход ренгено-люминесценции КС1-Т1. Изв.АН Латв.ССР, сер.физических и технических наук, 1986, №5, с.23-25.

367. Эланго М.А., Жураковский А.П., Кадченко В.Н., Йыги Х.Р.-В. Проявление передачи энергии из объема диэлектрика на поверхность при облучении. -ФТТ, 1977, т.19, с.3693-3695.

368. Тютнев А. П., Пономарев А. А., Зайцев В. П. Радиационная проводимость диэлектриков,- В сборнике "Спектроскопия диэлектриков и процессы переноса". Ленинград, 1973, с. 189-190.

369. Боев С. Г., Ушаков В. Я. Радиационное накопление заряда в твердых диэлектриках и методы его диагностики. М.: Энергоатомиздат, 1991, 240 с.

370. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977, 672 с.

371. Галкин Г. Н. Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения. М., Наука, 1981, с.3-64.

372. Роуз А. Основы теории фотопроводимости.- М.: Мир, 1966, 192 с.

373. Лыков А. В. Теория теплопроводности.- М. Высш. Школа, 1967, 599 с.

374. Гегузин Я. Е. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979, 343 с.

375. Драбл Дж., Голдсмидт Г. Теплопроводность полупроводников. М: ИЛ, 1963, 266 с.

376. Анненков Ю.М., Апаров Н.Н., Франгульян Т.С., Возняк А.В. Радиацион-но-термическое модифицирование циркониевой керамики. Физика и химия обработки материалов, 1998, № 2, с. 18-23.

377. Анненков Ю.М. Специфика радиационного дефектообрахования в ще-дочно-галоидных кристаллах при интенсивном облучении. Материалы 10-й международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ-10), Томск, 1999, с. 66-68.

378. А. с. 1246483 (СССР), // Анненков Ю.М., Арефьев К.П., Ауслендер В.М. и др. -Опубл. в Б.И., 1986.

379. Анненков Ю. М., Франгульян Т. С., Притулов А. М. Апаров Н. Н. Эффективность радиационной технологии получения высокопрочной керамики. Огнеупоры, 1995, № 5, с. 12-16.

380. Анненков Ю. М., Апаров Н.Н., Рябчиков А.И. и др. Ионно-лучевое упрочнение корундо-циркониевой керамики Физ. и хим. обработка матер, 1995, № 5, с.63-77.

381. Annenkov Yu.M., Aparov N.N., Frangulian T.S. Radiation sintering and modification of ceramics. Abstracts of International conf. Radiation effects in insulators. Nagoya, Japan, 1993, v. 1, p. 145.

382. Анненков Ю.М., Апаров H.H., Франгульян T.C. и др. Влияние стабилизирующей добавки Y203 на прочностные свойства циркониевой керамики. -Стекло и керамика, 1997, № 12, с.21-23.

383. Анненков Ю.М., Апаров Н.Н., Рябчиков А.И., ФрангульянТ.С., Оке Е.М. Ионно-радиационные эффекты упрочнения керамики на основе диоксида циркония. Физика и химия обработки материалов, 1995, № 4, с.75-79.

384. Анненков Ю.М., Апаров Н.Н., Соколов В.М. и др Упрочнение корундо-циркониевой керамики при ультразвуковом компактировании ультрадисперсных порошков. Стекло и керамика, 1994, № 11-12, с.25.

385. Рутман Д.С., Торопов Ю.С., Плинер С.Ю. Высокоогнеупорные материалы из Zr02. М.: Металлургия, 1985, 270 с.

386. Плинер С.Ю., Дабижа А.А. Упрочнение керамики из Zr02 за счет тетрагонально-моноклинного превращения. Огнеупоры, 1986, №3, с.58-62.

387. Чеботин В.Н. Физическая химия твердого тела. М.: Химия, 1982, 320 с.

388. А.с. 1752154 Способ синтеза иттрий бариевых купратов/ Анненков Ю.М., Суржиков А.П., Сигов А.С. и др. Опубл. в Б.И., 1992.

389. А.с. 1752153. Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника/ Анненков Ю.М., Суржиков А.П., Сигов А.С. и др. Опубл. в Б.И., 1992.

390. Давыдов С.А., Карькин А.Е. и др. Радиационная деградация ВТСП. -Письма в ЖЭТФ, 1988, т.47, в.4, с.193-195.

391. Антоненко С.В., Безотосный И.Ю. и др. Влияние ионного облучения на свойства ВТСП. Письма в ЖЭТФ, 1987, т.46, в.9, с.362-366.

392. Оськина В.П. Диффузия кислорода в YBa2Cu307x. Сверхпроводимость. -ФХТ, 1989, в. 2, №3, с.24-27.

393. Анненков Ю.М., Пичугин В.Ф., Франгульян Т.С., Столяренко В.Ф. Формирование проводящего состояния и его свойства в кристаллах оксида магния при облучении ускоренными ионами металлов. Физика и химия обработки материалов, 1999, № 5, с.5-12.

394. Анненков Ю.М., Пичугин В.Ф., Рябчиков А.И.,Франгульян Т.С. Ионно-радиационное упрочнение кристаллов оксида магния. Письма в ЖЭТФ, 1992, т.18, в. 6, с.29-32.

395. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С.,Пичугин В.Ф., Тишкина В.А. Модифицирование проводимости кристаллов оксида магния ионным пучком. Физика и химия обработки материалов, 1994, № 6, с.9-13.

396. Анненков Ю.М., Пичугин В.Ф., Франгульян Т.С. У365-центры окраски в NaBr. Оптика и спектроскопия, 1975, т.39, в.1. с.98-100.

397. Анненков Ю.М. Перспективы радиационных технологий получения высококачественной керамики. Труды конф. по радиационной физико-химии твердого тела. Томск, 1993, с.39.

398. Annenkov Yu.M., Frangulian T.S., Stolyarenko W.V. Influence of Ion Li on Accumulation Centres Coloration in KBr under pulsed Irradiation. Phys, Stat. Sol., 1988, 147, №2, K109.

399. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Столяренко В.Ф. Накопление радиационных дефектов при комбинированном действии плотного электронного пучка и рентгеновских лучей. Изв. Вузов. Физика, 1988, №8, с. 100.

400. Анненков Ю.М., Франгульян Т.С., Столяренко В.Ф. Специфика формирования центров окраски в треках тяжелых частиц. Изв. Вузов. Физика, 1986, №5, с.105-108.

401. Анненков Ю.М., Апаров Н.Н., Рябчиков А.И., Франгульян Т.С., Оке Е.М. Ионно-радиационные эффекты упрочнения керамики на основе диоксида циркония. Физика и химия обработки материалов, 1995, № 4, с.75-79.

402. Annenkov Yu.M., Aparov N.N., Frangulian T.S. Radiation sintering and modification of ceramics. Abstracts of International conf. Radiation effects in insulators.-Nagoya, Japan, 1993, v.l, p.145.

403. Анненков Ю.М. Диэлектрические потери в облученных кристаллах КВг и KJ. Изв. ТПИ, 1965, т. 140, с.71-75.

404. Sugiyama Т., Fujimara Н., Suzuki Т., Tanimura К. Femtosekond spektroscopy of self-trapping processes of holes and electron-hole pairs in alkali bromide crystals. -Phys. Rev.B, 1996, v.54, № 21, p. 15109-15119.

405. Fujimara H., Suzuki Т., Tanimura K. Femtosekond time-resolved spektroscopy of the Frenkel-pair generation and self-trapped-exiton formation in KC1 and RbCl. -Phys. Rev, Condens. Mater, 1997, № 9, p.923-936.

406. Thoma E.D, Yochum H.M, Williams R.T. Subpicosecond spektroscopy of hole and exiton self-trapping in alkali halides crystals. Phys. Rev.B, 1997, v.56. № 13, p.8001-8011.

407. Suzuki T, Kitamura F, Hirai M. Time-resoived spectroscopy in nano and picosecond ranges on the F-center formation process in KJ crystals. J. Luminescence, 1987, v.38, p.178-180.

408. Лисицын B.M. Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах. Изв. ТПУ, 2000, т.303, в.2.-с.7-26.