Диагностика внешних моноатомных слоев поверхности твердых тел ионными пучками тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

Г 8 ОД

° РОСС'Л'.СКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

институт радиотехники и электроники

На правах рукописи

" /—

ВОЛКОВ Степан Степанович " '

диагностика внешних моноат<шых слоев

поверхности твердых тед ионшш пучками

01.04.04 - физическая электроника

автореферат

диссертации на соискание ученой степени доктора флзико-математических наук

Москва - 1994

Работа выполнена в Научно-исследовательском технологическом институте

Официальные оппоненты:

доктор Зиз.-мат. наук профессор Мусатов А.Л. доктор 1}из.-мат. наук профессор Курнаев В.А. доктор физ.-мат. наук профессор Панеш A.M.

Ведущая организация - Московский физико-технический инотиту!

Защита состоится ^г. в часо1 на заседании специализированного совета Д 002.74.01 в Институте радиотехники и электроники РАН по адресу: 103907 Москв* ГСП - 3, ул. Уюховая, 11.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИРЭ РАН. Автореферат разослан "с^"/ " ¿2-'■>'-/> е'г.^ г ■ 1994 г<

Ученый секретарь специализированного совета

д.ф.-м.н. G.H. Артеменко

ОПДАЯ ХАРАКТЕРИСТ1КА РАКШ

Решение ряда научных и технологических задач связана с гаранторкстиками внешние моноатомнь» слоев поверхности твердого тела (ТТ-), наиболее важными из которых являются элементный атомный) состав, атоыная структура - взаимное расположение ато-юв, зарядовое состояние этих атомов, связи между ними, электрон-:ая структура, онергетическое состояние. Такие сведения нужны для азработки теоретической модели поверхности и прогнозирования ее войств ( в том числе эмиссионных), для выяснения физических провесов, происходяаик на поверхности при взаимодействии с потоками аряженныхи неПтрыльтлс частиц, а также при других энергетически воздействиях. Особо вахни зти вопросы для разработки техноло-чческих аспектов в материаловеденли, каталитической химии, для оздан;!я новис приборов и материалов. Определяйте влияние здесь '■Юот характер роста пленок, что обуславливаем прочностные свойст-а поликристалтачесхих и пороскоаых ыатеркалоа, эмиссионные свойсг-1 эффективных катодов, смачиваемость поверхности припоями, ско-эсть химических реакций, адсорбцию и миграцию атомов и т.д. Боль-м интерес представляет информация о внесем монос*ов для выясно-:я механизма работы высокотемпературных сверхпроводников. Изучения зоцессов столкновения ионоз с первой стенкой важно и для проблемы 1здания устройств управляемых термоядерных реакций.

*/. моменту постановки данной работы были известии десятки ые->дов анализа поверхно^ги, основанных на зондировании приповерхнос*" к слоев' ТТ электронными и ионными пучками. Широко я биективно настоящее время для анализа внешнего монослоя используются метод« юктрояной сже-спектроскопии (ЭОС), вторичной ионно-влок-гроттй юктроскспин ( ВИЭС), рентгеиоэлектронной спектроскопии (РУС), ■орично-ионной масс-спектроскопии ( ВШС), различные виды фото-:ектронноЙ спектроскопии, метод резерфордовского рассеяния и др. тцественным затруднением при отом является разработка методичос-й базы по извлечении информации о ыоноатошом слое из получао-х результатов. Принципиальным ограничением, в частное». , лнляс-г-

го, что глубина анализируемого слоя в ряде этих методов больше иоатомного слоя и поагому достоверность результатов о ьнапл»?« ноатомном слое мала. Для структурного анализа, а вернее, для ределения периодичности или трансляционной симметрии поперхнеоу-

них структур широко используются дифракционные методы. Однако можно сказать, что задачи по определению взаимного расположения атомов по нормали и горизонтали в сложных структурах такими методами остаются очень трудными, а для двухкомпононтньк кристаллов иногда и неразрешимыми.

При разработке перечисленных методов особое вниманий обращалось на сверхвысокую локальность анализа по глубине. Это да> вали ионные зонду: спектроскопия обратно рассеянных ионоа низких энергий (СОРШЭ), спектроскопия атомов отдачи (CAO), уже называвшаяся вторично-ионная масз-спектроскопия (ВИМС), а также вкзо электронная (ионная) спектроскопия ОЭЭ и ЭИЭ), Обладая большими 'потенциальными аналстическими возможностями, эти методы привлекли особое внимание при разработке экспериментальных основ применительно к анализу монослоя ТТ.

В нашей стране практически полностью отсутствовали работы по CAO. Работы по СОРШЭ были посвящены изучению механизма рассеяния. Многочисленные работы по ЭЭЭ были посвящены, в основном, также выяснения природы самого явления, выбору и доказательству механизма эмиссии из числа десяика имеющихся гипотез. Для реализации метода ВШС использовалась технически несовершенная агта-ратура, не позволяющая получать достоверные результаты. Экспериментальная аппаратура по другим обсуждаемым методам также не удовлетворяла уровню решаемых задач. В зарубежной литературе по всем упомянутым методам имелись сведения об объективности их при ыенения для анализа внешнего монослоя поверхности. Однако необходимых для практической реализации данных и соответствующей хорошо разработанной аппаратуры было недостаточно, особенно по результатам исследования новых технологий и приборов.

Наряду с этим росла необходимость решения ряда научных и практических задач, связанных с монослоем поверхности: выясняющих механизмы образования змиттируицого покрытия в пленочных катодах, процессы роста металлических пленок на начальных стадиях (при адсорбции на субмонослойном уровне), процессы адсорбции щелочных металлов на тугоплавких металлах. Были недостаточны сведения о сложных структурах на поверхности двухкоыпонентных полупроводников; необходимы были способы определения характера и источников адсорбированных загрязнений в технологии микросхем, а также ряд других вопросов.

~ 3-

Таким образом, с одной стороны, имелась острая необходимость [зучения физики внешнего монослоя поверхности, но с другой сто-юна, било большое число работ по изучения взаимодействия час-'иц с атомами внешних монослоев (рассеяния, распыления, нейтра-шеации, энергетической релаксации). Sue раз подчеркнем, что :отя по ряду вопросов были выполнены глубокие основательные исследования, достаточной научной и технической базы для создания шалитических средств ( промышленных спектрометров, методическо- • 'О и программного обеспечения) не имелось.

Цель» данной работы являлось решение актуальной научной задачи - разработка нозых аналитических средств для диагностики знепших моноатомных слоев поверхности теоретическим и эксперимон-;альным развитием методов СОРШЭ, CAO, ЭЭЭ, ВЖС и исследование физических процессов в плеточных системах на субмонослойном уровне.

Эта цель достигалась решением следующих задач:

- развитие теории взаимодействия ионов с поверхность» ÏT;

- разработка новых функциональных узлов (ионных пушек, энерго-îenaparopoB к анализаторов, коллекторов заряженных частиц);

- разработка спектрометров (комбайнов) для анализа внешнего монослоя поверхности методами СОРШЭ, CAO, ЭЭЭ, ВШС,

Вставала необходимость в разработке новых аналитических эозмспшостей отмеченных методов по диагностике внешнего и приповерхностных слоев атомов (зарядового я фазового состояний) при начальных стадиях роста, состава и структуры поверхности двух-¡соыпонентных монокристаллов, потенциального рельефа поверхности»

Изучались механизмы адсорбции атомов, функционирования пленочных эмиттеров, начиная с начальных стадий роста пленок, и влияние адсорбированных пленок в технологических процессах создания приборов микроэлектроники.

При выполнении поставленных задач получены следующие новые научные результаты (с конструкторскими решениями в отношении аппаратуры) :

I. Развиты физические основы, разработана методическая база и аппаратура диагностики внешних иоиоагемних слоев поверхности методами СОРШЭ, CAO, ЭЭЭ, BÎKC до уровня применения в научных исследованиях и н промышленности,

2» Раззиты принципы расчета многоэлектродатк "длинных" хшзто-оптических систем (ИОС) с. примененном ЗВЦ, заключающиеся

в расчете НОС по фрагментам и в использовании периферийных потеков для повышения светосилы. Рассчитаны КОС анергссепа-раторов, иенних пушек, коллекторов заряженных частиц направленного действия, измерителей характеристик потеков заряженных частиц.

3. Разработан новый энергетический сепаратор малсрасхо- . дяцихся пучков саряжешкх частиц дефлекторно-рефлекторного типа с обтекаемой формой электродов, не изменяющий направленно сепарированного потока от первоначального.

4. Теоретически и экспериментально показано, что энергетическое разрешение анализатора тормозящего типа кроке известных факторов зависит еще от напряженностоЯ электрического и магнитного полей в области тормозящих сдвоенных сеток, от размеров ячеек, расстояния и потенциала ыезду сдвоеннкми тормозящими се! каь:и »: может составлять до Ю~% (теоретически) при достигнуты? экспериментальных значениях О,ОЙ.

5. Развита теория динамики парных и .последователъко-гругшс вих соударений при рассеянии и распылении ионое с учетом экранированных потенциалов н одновременного взаимодействия групп атомов, позволяющая определять все параметры удара: потенциал, громя и сеченке взаимодействия, импульс, смещение, йнерггаэ иона и атомов отдачи, взаимное расположение и лабораторной система и системе центра инерции, потенциальный рельеф кристаллических поверхностей и потенциал взаимодействия "кон - поверхность ТТ" с учетом сил электрического изображения.

Рассчитан потенциальная рельеф поверхности вольфрама, вилв-лены четцре отличительные области рельефа. С использованием экрг штрованных потенциалов взаимодействия предложена критерии выборе нижнего предела интегрирования при расчете потенциала изображен»

С. На основе теоретических и экспериментальных исследовани? взаимодействия ионов с поверхностью ТТ определен вклад физических и аппаратных факторов в формирование онергетических спектров рассеянных ионов и атомов отдачи. Разработаны принципы, алгоритмы и программа- машинного моделирования спектров.

V. Экспериментально и теоретически установлено, что анергия ад,сорбции ионов инертных газов обусловлена силами электрического изображения и находится в пределах 1-1.& &В; гемосорбция ионов целочннх металлов происходит дополнительно и а большей мере оа мет электронной связи с атомами поверхности. На примере Сй-'Л-

показано, что при ионной адсорбции электроны адионов преимущественно локализуются на поверхностям атомах волы*раца. Экг ^-римен-тально установлено, что заредовое состояние адатоыов Zv\! ь суб-ионослойной пленке на поверхности твердого тола зависит от степени покригия: при малых концентрациях (Сь naW- до 0,1 ыонослоя) адсорбция происходит в виде ионов; при большит концентрациях - в вдде Диполс.Ч при времени зондирования заряцового состояния

0. Установлено, что на поверхности твердого тела в атмосфера воздуха образуется полиатоыный слой, содержаний атомы С, И, 0, N , он сохраняется в вакууме и не имеет собственной электронной подсистемы с плотностьв, значительно меньшей, чей в Т7; он прозрачен для низкоонергетических электронов, но непрозрачен для высокоэнергетических (десятки эЗ) и разрушается последними с накоплением углерода на поверхности. Нслиатомный слоА на полупроводниках и металлах является одним из источников термостимулирован-ной экзоэмиссии после электронной бомбардировки.

9. Прямыми экспериментами (воздействие!! разных газов) установлена химическая природа ЭЭЭ активированных окислов и ад-сорбированюж пленок Чу'* не тугоплавких металлах»

10. Теоретически и экспериментально по изменения« концентра-[Ш: ато.ов ао внешнем монослоо поверхности при напылении металлов Ti , Ni , Но на Si определенн фазовые переходи в пленке и механизм начальной стадии роста rio 5олмеру-Беберу с разовыми переводами для Tl , Ni - "двумерны?! газ - двух-,ту.а::ме;'.нио остров-<и - пленка"; для "о - "двумерный газ - двумерные оитровки -пирамида льние островки - пленка ",

■Установлено, что при напшении металла на QaAb происходит )зпиыоди{£узия с нарушением стехиометрии GaAs , зависящая от зеличини электроотрицательности напыляемого металла: при XjíX^ фоисходит вытягивание в пленку металла галлия, а при Хм> - натягивание мышьяка, При нагреве обогащавдая компонента диффундирует на поверхность,

TI. На основе сравнения экспериментальных и теоретических /глобых распределений атомов отдачи и рассеяниях ионов i. )едяо-:ени подели взаимного расположения атомов на поверхности $0./ls (100) - с (В состоящие из димеров катионов н анноной, фичем верхний слой атомов состоит из -25:* ыонослоя атомов аниона, 12. Экспериментально прямыми измерениями установлено, чго

- б -

б пленочных эмиттерах поверхность покрыта монослойной пленкой атомов активного металла Ва, Th , С s , iig , Pb . В термоэмиттерах происходит обратимая сегрегация Ва (двухкомпонентный омет-тер Еа, Sr, 0) от нагрева и необратимая сегрегация iig, Pb в гермо- и Еторкчних омиттерах.

Новизна подтверждена научными публикациями и авторскими • сввдетельствами на способы и устройства, разработанные в течение выполнения исследований по теме диссертации.

Практическая значимость результатов работы:

1. Созданы носпе функциональные узлы физико-аналитического оборудования с улучшенными характеристиками.

2. Соэдаш: аналитические средства (методики и аппаратура) для получения с большой точностью принципиально новой иформаци о внешних ыэиослоях поверхности, в частности, элементном составе, структуре, разовом, энергетическом и зарядовом состояниях.

3. Разработанные средства входят в диагностический комплек технологических процессов производства изделий электронной тех« ки у. апробированы для диагностики техпроцесса производства микр cxeit.

Достоверность и обоснованность научнмх положений обусловливалась корректным использованием математического аппарата и средств вычислительной техники (персональных и больших ЭВМ) и последугаеП экспериментальной проверкой теоретических результат Пропиленное <*изи'<о-аналитическое оборудование, к которому при» мялись теоретические расчеты, причем с использованием большого числа методов анализа поверхности на больсом количестве разлаш материалов (сотен образцов), в полной меро оправдало себя. Стат! гичоская обработка результатов измерений позволила установить ! кицы ошибок, а корреляция результатов исследований поверхности технологическими характеристиками изделий (эмиттеров, интеграл; них микросхем) дополнила обоснованность предположений.

Внедрение результатов. Результаты работы нашли практичоск! применение в следующих разработках, выполненных под научным pyi водством или при непосредственном участии автора:

- в двух промыяленных спектрометрах ( СОРШО-ООС и BEÎC);

- в ряде экспериментальных установок с-комплексами различных м тодов (СОРШЭ, CAO, ОЭЭ, B'/LIC), подготовленных к промышленко; освоению и используемых для диагностики и контроля технологиче процессов и разработки новых технологий;

- в методиках исследования поверхности;

- з пакетах программ для траекторного анализа ИОС на OElj

- в технологии производства микросхем и других изделий.

Тема диссертации связана с тематически;.:;: планам! iloyrno -исследовательского технологического института и выполненными 9 госбюджетными и 7 хоздоговорными ШР (автор - научный руководитель) и 2 ОлР ( автор - зам. научного руководителя) в период с 1977 г. по 1993г. Работы проводились по комплексный целевым программам "Спектрометр-ЕС, Спектрометр-90п, предусматривающим создание спектрометров для контроля технологии изделия электронной техники.

По рекомендациям, сформулированном п диссертации, на предприя-иях били усовершенствованы технологии изготовления вторичных зоразрядных эмиттеров, ьКС и ССИС.

Положения» вшосимие на защиту,

1. Теоретическое списание динамики парного и последовательно-груплозых соударений при рассеянии и распылении ионов с учетом кранированных потенциалов, позволяющее определять время соудара-ня, смешение, импульс, число атомов в ансамбле соударения, потен-иальный рельеф поверхности ТГ, потенциал "ион - поверхность ТТ", заимное расположение иена и атомов отдачи.

2. Принцип малинного моделирования энергетических спектров ассеянных ионов низких энергий с составляющими сигналов парких эударений, фона и шума.

3. Принципы построения спектрометров для диагностики внеготих эноатошых слоев поверхности ТТ, содержащие составные части для рнмонения методов COPiH'c), CAO, ЭЭЭ, Б1Г«'С. Особое внимание уделе--j сочетания меюдов ССГ'.ИЭ и CAO.

4. Разработка функциональных узлов спектрометров:

нового энергосепаратора дафлекторно-рефлекторного типа, не изме-тщего направление сепарируемого пучка;

энергоанализатора тормозящего типа сверхвысокого разрешения;

сферического двфяекторного энвргоаналиэатора с попорот, ш ш-знизмом для угловых измерений;

îiosoro коллектора заряжешшх частиц направленного действия;

новой &лектростатич<?ской иошшй оптики для cdopa и сепарации горичных частиц;

- . :асс-фильтра Вина;

- с -

- ионных пулек для СОР/НЭ и СЛО с масс-фпльтрапией ионного пучка

и послойного травления;

- принципов расчета многоэлектродных "длинных" ионно- оптических систем с применением "Б", заключающихся в расчете ИОС по фрагментам с устраненной краевых эффектов при стыковке и использовании периферийных потоков для повышения светосилы.

5. Оизические модели и механизмы:

- парных и последовательно-групповых взаимодействий ионов низких энергий с атомами поверхности ТТ;

- нейтрализации рассеянных и выбитых в результата однократного удара ионов;

- окзоэмиссии пленочттх систем;

- полиатомного адсорбированного слоя на поверхности ТТ;

- адсорбции Ly'J на тугоплавких металлах;

- адсорбции примесей на кремнии в технологии микросхем;

- роста металлических пленок на полупроводниках;

- структуры видимых слоев поверхности .цвухкомпонентных материалов (¡делочно-галлоидних соединений и ) ;

- поверхности пленочтгх термо- и вторичных эмиттеров.

6. Результаты исследований взаимодействия ионов с поверхностью ТТ, аппаратных и методических особенностей методов СОРШЭ, CAO, ЭЭ ЫÎLK и применения их в технологии производства изделий электронной техники.

Апробация работы. Результаты работы обсуждались и докладывались на XIX - XXII Всесоюзных конференциях по эмиссионной электронике ( Ташкент, IGG'5, 1990; Киев,1907; Москва,1993); IX - XI Всесоюзных конференциях по взаимодействию ионов с поверхностью («осква, 1991, 1993); Всесоюзных совещаниях-семинарах по диагностике поверхности ионными пучками (Донецк, 1930,1988; Одесса, 1990); 1Ц-У1 Всесоюзных симпозиумах по вторичной и фотоэлектронной эмиссии (Москва, I97Û; Ленинград, 1931; Рязань, 1983, 1986) I, У, У1 Всесоюзных семинарах по вторкчноионнейи ионно-фотонной эмиссии (Харьков, 1980, I9Û6, 1938); Всесоюзных сгстоэиумах по экэ! олоктронной эмиссии и ее применению (Свердловск, 1979; Рига, 1981; Москва, 1933; Тбилиси, Ï9G5); Всесоюзной конференции "Поверхность--89ч. Чорнологовка; Всесоюзной конференции по тройньм полуповодни-кам и их применению, Кишшев 1987; Отраслевых конференциях по электронной технике и микроэлектронике.

Публикации. Результаты диссертации опубликованы в ВС статьях, эбзорах и тезисах; получены IV авторских свидетельств»

Структура и объем диссертации. Работа состоит из введения, четырех глав и списка литературы. Общий объем работы - г&S уграниц, вклпчая 75 рисунков на G0 страницах, ? таблиц и список 1итературы, содержащий 291 наименование.

СОдаРКАНЖ ПО ГЛАВАМ

Во введении к работе обоснована актуальность теш, сформу-гированы цель и задачи работы, приведены основные результаты, юставлягяцие научнул новизну и их практическую значимость; в включении- введения приведены положения, быносишш на защиту.

В первой главе кратко изложены сведения о новых развивающихся етодах для диагностики внешних моноатомных сдо«в поверхности СОРШО, CAO, ООО, ВЖС). Рассмотрены 06411e физические принципы олучения информации о поверхности указанны и методами, уровень ппаратно-методического развития и ряд научных и практических проб-ем, для решения которых необходимы сведения о внешних монослоях зверхности.

По методу C0PÎH0 имелись экспериментальные работы, подтверждаю-не моноелоРну*> чувствительность и возможности элементного и струк-урного анализов. Нами приведены сведения об известных спектромет-ах и их аналитических возможностях и faccMorputu методические :обенности анализа состава и структура поверхности.

Метод CAO находился в стадии изучения физики процессов образо-шия атомов отдачи. В диапазоне низких энергий эти процессыпракти-зски но изучались; не исследовалось применение атомов отдачи для юлиза сложных поверхностных сверхструктур; имелись лишь попытки с использования'для изучения начальных стадий роста пленок. Поэтому i метод CAO нами было обращено особое внимание.

') большом потоке работ'по ЭЭЭ мдвинуто много противоречивых шотйо по физическим механизмам эмиссии экэоэлектронов, что 1ериивало практическое использование ЭЭЭ для изучения оноргетичве-ге процессов на поверхности. Не 'имелось прямых доказьте <ьств Iироды ЭЭЭ (-химической, механической) для ряда материалов» очень жритичной Сила методика работ.

. :чъшэацня известного метода статической В1ШС для анализа кропримееей оо внешних ыонослоях поверхности требовал» решения 1ЛьшогО объема аппаратных и методических задач, особенно для ¡епочония достоверности результатов.

В главе рассмотрены известные работы по адсорбции атомов металлов и газов, начальным стадиям роста пленок и формирования пленочных эмиттеров. В широко изученных пленочных системах Ci-w п металл-полупроводник невыясненными оставались зарядовые и разовые превращения в пленках в процессе роста на субмоносдойном уровно. Пало изученной оставалась адсорбция газов при дозах больше ыонослоя.

Особый практический интерес представляет характер адсорбции микропримссой на поверхности кремниевых пластин в производство микросхем. Для выяснения механизмов работы термо- и вторичных пленочных эмиттеров сведения о составе получали косвенными ме-тодпт . Обзор выполненных работ показывает, что в разработке и совериенствовамии эмиттеров существенным тормозом являлось отсутствие сведений о самых внешних монослоях поверхности. Если для традиционных омтетеров таку« информацию получают разными другими методами, то по новым сложным эмиттерам данные о поверхности полностью отсутствуют. В заключении главы нами были сформулированы выводы из обзора литературы.

Вторая глава посвящена описан',та экспериментальных спектрометров, их функциональных узлов и методик исследования внешних монослоев поверхности методами С0Р1ЯЗ, CAO, ЭЭЭ, ВТ/КС.

В выполненной нами работе особое внимание уделено регистрации потоков заряженных частиц, осуществляемой во всех используемых методах в режиме счета. Установлено наличие электронно-ионного газа в металлических вакуумных устройствах, создающего неконтролируе мыа фоновые токи при регистрации спектров и других полезных сигналов. Для устранения влияния фена в камере разработаны ионно-олти-чеекке устройства» позволяющие регистрировать потоки заряженных ча< тиц в определенном направлении и с заданного участка поверхности исследуемого образца. Применение дополнительной энергосепарации позволяло полностью разделять полезный сигнал от фона камеры. Описаны коллектор заряженных частиц направленного действия для регистрации вторичных электронов, коллектор экзоэлсктронов, ионная оптика для регистрации вторичных ионов.

Дня достижения необходимых технических и потребительских характеристик спектрометров конио-оптические системы (КОС) всех рьпработанних устройств ( коллекторов, иошшх пуаск, эиергосепара-

- п -

торов) были рассчитаны с помоиью ЭЬМ. Машинное ыоделирова!. 1100 в данной работе по сравнению с другими отличалось расчете!', шюго-элементных конструкций (многолинзовой оптики) для потоков ааря-женных частиц с большим разбросом по энергии и углу. При этом высокое пропускание ИОС достигалось использованием непараксмаяьных потоков. Расчет траекторий выполнялся разбиением ЯСС на фрагменты по эквипотенциальным поверхностям, с использованием граничных электродов с распределенным потенциалом, в частности, в приближении степенных функций, а также обычным исключением краевых полей при разбиении их на перекрывающие друг друга фрагменты. Программы построены на принципе решения интегральных уравнений и на ю-тоде сеток.

Разработан новый энергосепаратор малорасходяцихся пучков, работамций на дефлекторно-рефлекторном принципе, слот энергосвпа-ратор имеет соосно расположенные ьход!!ую и выходную диафрагмы, обтекаемую форму электродов и не изменяет направление сепарированного потока от первоначального» Расчеты показали наличие угловой фокусировки. Экспериментально получено энергетическое разрешение при диаметрах отверстий диафрагм ~1 мм. Б аппаратуре ЬИлС использованы упрощенные модификации сепаратора.

Для измерения характеристик ионных пучков разработан 4-х --сеточный энергоанализатор тормозящего типа с разрешением по энергии до 0,Ш/в. Проведен теоретический расчет влияния электрических полей на разрешение. Установлено, что основными ограничивавшими факторами являются провисание поля в ячейках тормозящих сеток и неконтролируемые магнитные поля в области двух тормозящих сеток. Определены способы повышения разрешения, ааключаючиесн в «од^че разности потенциалов между тормозящими сетками, уменьшении напряженности и неравномерности поля в плоскости тормозящих сеток, устранении неконтролируемых магнитных и электрических полей.

О использованием элементно-конструктивной базы НИТИ были ря:ч-работаш кроме описанных все другие необходимые функциональные /злы для реализации выбранных методов анализа: ионные пупки, ласо-гиерго-фильтры, сферический дефлекторный анализатор на поворотной платформе, устройства диафрагмирования для пилиндричес-<ого анализатора, источники напылении различных мнтпллов и другие устройства. Изготовлены макета разных ипиивптов импульечт-"о измерительного тракта регистрации.

Подробно рассмотренъ принципы построения спектрометров обратно рассеянных ионов, атомов тд&чп, экзоэмиссии. Разработано несколько вариантов экспериментальных спектрометров СОРИНЭ, отличающихся дру*"4 от друга ионными пуыкаии (с мае с -фил ьт рацией и без нее, с раздельной откачкой и разовым напуском газа, с разными ионизаторами и оптикой), энергоанализаторами, измерительными системами. Спектрометры позволяют регистрировать энергораспределения рассеянных ионов, их угловые зависимости и концентрационные пробили элементов при послойном травлении. Нейтрализация заряда на поверхности позволяла проводить анализ непроводящих материалов, в частности, керамик , стекла, органических сублимированных объектов.

По результатам эксплуатации ¡экспериментальных макетов были разработаны принципы построения промышленных спектрометров. Один из вариантов - спектрометр с аппаратурой для методов СОРИНЭ -ЗОС (рис. I) был реализован коллективом сотрудников НИТИ в промышленном варианте, ¿'с^ановка содержит ионную пушку с дифференциальной откачкой при энергии ионов (Нв,№,Аг) кэВ, диаметре пучка до "0,2 мм, током до I мкА. Цилиндрический энергоанализатор имеет соосную электронную пушку для ЭОС, держатель образца с нагревом до 1X00 К (при загрузке образца через шлш) и регистрируют» систему с диапазоном 1-гЮ^ имп/с. Угол рассеяния составляет = 132°, Отличительными особенностями установки яв- ' ляютел подвижна;; диафрагма в анализаторе для работы в максимально светосильном режиме обоими методами (СОРИНЭ, ЭОС), ыасс-фильт-рация первичного пучка, сверхнизкое парциальное давление остаточных газов (до Ю-9 т Ю ^ТоррЬ и нагрев образца в процессе измерений. Энергоразрешение спектрометра в режиме СОРИНЭ составляет к,Ь~7Х при разрешении анализатора чувствительность - 10г иып/ (снА). Подготовлен к освоению спектрометр для исследования структуры внешних ыонослоев с изменениями углов падения - 0г&0° азимутального - ОчЗёО0, рассеяния - 10-170°, . отдачи - 04-90°. В процессе анализа возможно напыление атомов различных металлов (5п, (¡-а. Ад , Аи, Со, N1 , С г, Си, Мо, V/ и др.). Спектрометр работает в рвкиыах анализа состава, структуры и концентрационных профилей. По изменениям амплитуд пиков возможно определение хы/,состояния атомов, например, А1,51 , Си в окислах. Структура внешних ь.онослоев (взаимное расположение атомов) определялась по угловым зависимостям аюшгезд пиков изучаемых^ато-

25

и

>у •

ю

(&

О!

(й 17 15

НП-1

Рис.1. Функциональная схема одной кз установок: 1 - образец; 2 - зондирушая ионная пушка; 3 - фильтр Вина; 4 - энергоана-лизагор; 5 - электронная пушка; 6 - подвижная диафрагма; 7 -ионная пупка; 8 - пуша нейтрализации заряда; 9 - регулировка разрешения ана-газатора; 10 - перемещение диафрагмы; И - ВЗУ; 12 - шлюз; 13 - переключатель режимов СОРИНЭ - ЭОС; 14 - усилитель-формирователь; 15 - блок регистрации СОРИНЭ; 16 - блохе регистрации ЭОС; 17 - блок развергкл; 18 - система управления а обработки; 19 - блок питания ионной пушки; блоки питания: фильтра Вша - 21 , ионно-оптической системы - 22 , пупки нейтрализации -23 , электронной пупки -26 ; 24 - телемонитор; 25 - блок нагрева и контроля температуры образца

мои с последующим моделированием структуры с помощью программ, в которых учитывалось затенение, блокировка, сечение отдачи, тепловые колебания, тип структуры, масса атомов и т.д.

Комплексный спектрометр для измерения ЭЭЭ содержал также аппаратуру для методов СОРИЬЭ, CAO, ЭОС, Состав остаточной атмосферы и электронно- и термостш»о/лированиая десорбция ионов контролировались масс-спектрометром.

Дано краткое описание установки БШС, разработанной коллективом сотрудников НИТИ (с участием автора) и работающей в режимах масс-спектра, послойного анализа и изображения на экране в ионах и электронах.

Приведены экспериментальные результаты, подтверждающие некоторые аналитические возможности методов.

В третьей главе рассмотрено взаимодействие ионов с поверхностью ТГ с целью машинного моделирования процессов образования атомов отдачи и рассеяния ионов на вычислительных средствах спектрометров. В расчетах учитывалось влияние поверхности при использовании сложных экранированных потенциалов Томаса-Ферчи-Фир-сова в приближениях Мольера, Бирзака-Циглера и др. Такая постановка задачи диктовалась необходимостью экспрессной обработки экспериментальных результатов на компьютерах спектрометров,обладающих ограниченной оперативной памятью, - таких, как ДВК-З, Электроника-85, IBM (286, 386). Моделирование взаимодействия ионов проводилось также для расшифровки спектров, определения взаимного расположения атомов на поверхности, подбора оптимальных режимов эксперимента и изучения физических характеристик поверхности. Алгоритмы и программы были построэны по трехуровневой системе для расчета параметров соударения, динамики и кинематики парного соударения, коллективных взаимодействий.

В определении параметров соударения основной особенностью алгоритма является использование вместо метода Монте-Карло ориентированного поиска прицельного параметра для заданного угла рассеяния О с нукной точностью при аналитически норешаемом интеграле рассеяния. Это позволило ршать на персональных компьютерах задачи, доступные только для больших ЭВМ о использованием ^■»будированных функций интеграла рассеяния для дискретных иа-челькых условии. Определение продольного параметра проводилось с учетом характера зависимостей йдаб и О { В №н )•

Заданная точность достигалась переменным шагом интегрирования, разбиением подынтегральной функции на участки с небольшими изменениями производных при использовании преобразований Фирсо-ва, а также введением коэффициента К в подкоренную функцию интеграла рассеяния ,, , „,

✓ , и ( п > о . „ , _ v к • ( i--я---) - >- ( я )

для обеспечения dF/dP.- I при поиске R

Расчет полного сечения рассеяния ( d6/dS¿ )<з42. для известкой конфигурации приемкой щели анализатора проводолея без промежуточных вычислений дифференциального сечения рассеяния

d.6/d.Q. , что такай сокращало время расчетов. Исследования изменений d6/dQ для разных пар "ион-атом" показали, что соотношения dG/dQ для //e.Afe., Дг изменяются немонотонно, что позволяет выбирать нужный тип ионов дль обеспечения наибольшей чувствительности в эксперименте.

Показано, что по формуле

1= V ( dS/dQ. )-&Q при известных соотношениях сечений рассеяния можно экспериментально определять отношения вероятностей сохранения заряда Р+ (или нейтрализации Р = I - Р+) и их энергетические зависимости. Так, например, при возрастании EQ от Í до 3 кой величина Р возрастает для Не в 2 раза, для /Уе - в II раз, для Аг - б 100 раз.

Исследована динамика парного упругого соударения "ион-атом". Показано, что за время удара атомы поверхности могут смещаться на расстояния, сравнимые с постоянной решетки. Основной сдвиг происходит при разлете. Величина смещения увеличивается о уменьшением энергии иона и отношения масс атома и иона. При больших смешениях нарушается парность соударения и, соответственно, уменьшается величина пика в энергетическом спектре. Определены критерии начала и окончания соударения, связанные с энергетическим зпектром, по которым вычислены времена coyпарения, состапляюаив [0 - 10 с, при Ё= I кэВ. Исследованы зависимости сдвига [ля различных условий взаимодействия..

На примере монокристалла W выполнен расчет потенциального ельефа поверхности для блока атомов из 36 элементарных ячеек. ¡ программу были заложены разные потенциалы взаимодействия, ¿"ро-ень обрезания потенциалов обеспечивает перекрытие для соседних томов. При этом была учтена энраниров :«г ¿томов друг другое, бесг.очиьаю>цая анизотропии распространения потенциала.

Оперативно может изменяться межплоскостное расстояние в решетке, а также другие виды нарушения трансляционной симметрии решетки атомов, В результате расчетов определены 4 характерные области потенциального поля у поверхности. Над центрами ячеек имеются потенциальные ямы с объемно-замкнутыми эквипотенциальными поверхностями. Точки с наименьшим значением потенциала 1,2-1,3 эВ являются вероятными центрами адсорбции.

Для проверки теоретической модели была измерена энергия связи адионов Ые на поверхности V/ . Суть эксперимента заключалась в определении влияния потенциальной ямы поверхности на энергию рассеянных ионов по формуле:

¿г; = (Е0+и)к'-и, где Е0 - начальная энергия ионов; к - параметр рассеяния.

Использование ионов Ме. исключало наличие химсвязи их с атомами поверхности и позволило выделить энергии связи, обусловленную потенциалами изображения и отталкивания, т.е. чистую ионную физадсорбцию. Измерения при ¿¡0 = 10 * 1000 эВ показали, что Ц = 1,2 эВ и совпадает, с теоретическим значением с точностью до 8 - 10$. Это подтверждает правильность выбранной нами теоретической модели, для Сь на V/ значение энергии связи по данной модели близко к значениям Ла и существенно отличается от известных экспериментальных, что объясняется наличием дополнительной электронной связи с атомами ' поверхности.

Для подбора оптимальных режимов эксперимента разработана программа моделирования энергетических спектров с учетом фона, ¡пума, аппаратных и физических факторов, влияющих на форму пиков, а также с учетом объема эмпирических сведений о форме спектров розных материалов. Для моделирования ожидаемого спектра достаточно задать режим эксперимента, п. ¡одгюлатаемый состав;образца и степень загрязненности ого поверхности (рис, 2).

четвертой главе приведены результаты экспериментальных исследований внешних монослоев поверхности различных процессов: адсорбции Ш и газов, получения чистой поверхности '51 , начальных стадий роста планок, формирования границ раздела^"металл-полупроводник", образования поверхностных структур на Целью экспериментов являлось получение ноееИ информации для развития физитаскик основ приведенных проблем и оироделонип эффективных областей применения созданных аппаратда-иетодичаских средств.

При адсорбции Сл на по нзйтрелизации рассеиваемых конов.

ЭВМ - моделирование

Рис.2. Энергетические спектры рассеянных ионов гелия поверхностью алюминия с разный! примесями

Ог 1

СО

у

1

б)

1'

О /00 о 50 Ь,С

Рис.3. Хе!тоэгтссия, возникающая после напыления Ба 10,2 монослоя} на окислы ЩЗМ и воздействия на него различных газов: а - 02; б - С02; тапуск - 2,5.10" Па» с

Рис.4. Элементный состав поверхности (метод СОРКНЭ) -пластин после плазмохимической обработки (1) и последующего травления пучком ионов гелия(2; - 2 кэВ; доза - 104 мкКл/см2

-1« -

по ЭЭЭ при воздействии кислородом и по образованию ионов отдачи установлены изменения зарядового состояния Сз в процессе заполнения монослоя и локализация электрона адатома на атомах V/ . Это подтверждает наличие дополнительной электронной связи с поверхностью (кроме сил изображения).

При изучении ЭЭЭ показано» что она имеет химическую природу: при воздействии кислорода на пленки адатомов ц»1 на различных подложках возникает вследствие окисления адатомов (рис. 3).

Изучены зависимости ЭЭЭ от Т. На поверхности эмиттеров различаются два энергетических состояния адатомов Ва на V/ ,&а0,3г0 . Показано, что ЭЭЭ после элекгронкой бомбардировки может возникать вполиатошых газовых адслоях на £(, и/ , //л без участия подложки.

Исследования 5£ пластин для производства микросхем показали, что адсорбция микропримесей (1И}4, ¿¿ш, Р С) происходит из

технологических сред (химреактивов, деиониэованной воды, плазмы) в виде атомов, микрочастиц," преципитатов. Отмывкой элективно удаляются только кислотные радикалы и некоторые микрочастицы. Определены условия получения чистых 5с пластин при химобработке и плаз-мохимическом травлении (рис. 4).

На поверхности термоэыиттеров при активиро1?ке образуется ш~ послойная пленка активного металла ( Ьа.Ти ) с обратимой сегрегацией в зависимости от Т для оксидных и скандатных катодов и необратимой - для Т^-М ,Ва-Карбидные катоды ( ТаС , 27-с ) также работают по пленочному механизму. Вторичная эмиссия холодных катодов ий А1 и ею сплавов обусловлена строением поверхности -"монссдой Мд - МдО - А1£05- м" . Толщина пленок МдО, сос-

тавляют сотни Ангстрем и определяют долговечность катода, с процессе работы пленка Мд непрерывно восстанавливается в результате сегрегации из объема на поверхность. При Т > 700 К происходит интенсивное испарение Ид . Показано, что композиционные эмиччерь, кНс &,РЬО~ стекло) являются также пленочными - "монослой РЬ -РЬО- М1В" „ Определены роасимы формирования эмиттеров.

Но начальным стадиям роста пленок металлов на полупроводниках теоретически определены для метода СОРИНЭ изменения сигналов от плиьки и подложки для трех механизмов роста. При остронковом рос:1е но скорости изменения экспонента сигнала оценивалась морфология пленки - форма и концентрация центрам кристаллизации. Фазо-вне переходы и пленке "двумерный газ - остроьки" определялись по г мохообразному увеличению сигнала от подложки на спадающей около-

- ь -

центе, происходящей из-за уменьшения млоыади, занимаемой пленкой. Переход "островки-пленка" определялся по уменьшению до нуля сигнала от подложки. Скачкообразное уменьшение сигнала от пленки на растущей экспоненте указывает на образование трехмерных островков. Сплошная пленка металла {Тс , м,, \] ) на образуется при долах 4-10 монослоев. Нагрев приводит к сегрегации¿1 на поверхность (до монослоп) и образованию силицидов (рис. 5).

Па границе раздела "металл ( , 71 , у , Сг, Мо, Ад, А и) -образуется слой с повышенной концентрацией одного из компонентов , сегуе! ирущега при нагреве на поверхность пленки. Ь частности, так ведет себя ¿?а в системах М П V Сг ~{}аАь и Да в А/с - ОаАь . Гранина Мо -Оа<?$ термстабильна до Т = ЬОО К. Эти процессы объясняются химическими реакциями с использованием электроотрииательностей атомов пленки и<,

Взаимное расположение атомов на поверхности исследовалась с использованием ориентационных эффектов для сигналов ионизованных атомов отдачи ва и рассеянных ионов по ¿р -ил- зависимостям. Для предполагаемой структуры (100) - с (8x2) по об - зави-

симостям рассеяния ионов Мв получено, что внешний слой состоит из атомов Ла в концентрациях 0,25 монослоя. По локальным минимумам на - зависимостям атомов отдачи &а в направлениях азимутов, отклоненных на 20° от направлений [ОН] 15 определено, что

атомы во внешнем понослое сдвинуты из положений для нереконструированной поверхности и образуют димеры. Машинное моделирование при подборе координат атомов в 1-гЗ слоях по совпадению теоретических <к - зависимостей с экспериментальными позволило установить, что во втором слое образуются - димеры; в третьем слое атомы располагаются в узлах, соответствующих объемным (рис.6)» Аналогичными исследованиями 1пР {100) показано, что на поверхности образуется структура 7лР(100)-(4х2) с симметричными Р-димора-ки на поверхности и наклонными 1п -димерами во втором слое.

0.5

5 1*5 в * и| 5« <5«=

О)

51 51

о я а в п. монослои

Рис.5. Фазы начальной стадии роста пленки М на 51 (л - доза напыления в монослоях, I - величина сигнала СОРИНЭДа) и послойный анализ после отжига при Т=750 К(<5)

о.з

1.0 0.1

г

[о»7

5)

Юн] Ш)

О 30 но

Азимут. |/гол <р,гоаЭ

Оф Оф

о®6 о®б '[0"]

о о • о • о о

оо оо

о о в о в о о

оо

в о « о в о в

О Оф о

о о « о о

о о@о о

О. О в О в О о

оо

и о « о • о о

оо оо

ф о • о 9 О •

о@о о@о

о в о о «

0©0 о@0

!я?|]

(100] <5>

@ л4 - /слой О Ов - ¿слой в /Ц -Зслой

о бц-4«еи

Рис.6. Азимутальные зависимости интенсивности сигналов: а.) СЛО. - Са+ при 6-60°; «С =30°; I - расчет; II - эксперимент; 6) 00РШЭ - л/б+-3а(1); : дтри ©=130; «С =85°. Сопоставление данных эксперимента и моделирования на ЭВМ позволило расшифровать поверхностную структуру 6аАь(1СС)-с(8х2) с определением элементов и расположения ытомов по трем координатам (6)

- 21 ~

По принятой традиции автореферат завершает обычно глава "Общие результаты работы". Мы отступим от этой традиции: во введения нами изложены в специальном разделе положения, выносимые на защиту. Кроме того, в "Содержании по главам" подробно изложены все полученные нами результаты и нам кажется, что излагать еще раз результаты работы являлось бы простой тавтологией, тем более, что автореферат вь'И'ел за принятыэ обычно объема.

Материалы диссертации опубликовав в следующих основных работах-!

1. Волков С.С,, Толстогузов Л.Б. Исследование состава поверхности прессованного катода методом ионного рассеяния //Электронная техника. Сер.Электрон.СВЧ.-1981.-В.9(333).-С.25-27.

2. Спектроскопия обратно рассеянных ионов низких энергий / С.С.Волков, А.Б.Толстогузов. - М., 1У6Г-,-79с.-(Обзоры по ЭТ. Сер. 7. Технология и организация пр-ва и оборудование /ЦНИИ "Электроника"; Выл.15 (620 ).

3. A.c. № II22II6 СССР, 22.09.84, Способ количественной спектроскопии обратно- рассеянных ионов низких энергий и устройство для его реализации /А.А.Аристархова, С.С.Волков, В.Т.Рутенко, А.Б.Толстогузов»

4. A.c. № II90220 СССР, 8.07.85. Способ измерения парциального давления кислорода в вакуумных системах и устройство для его реализации /А.А.Аристархова, С.С.Волков,

5. A.c. » I22C555 СССР, 22.12.85. Энергоанализотор /С.С.Бол-ков, Т.М.Машковай

6. A.c. № I24I924 СССР, 1.03.86. Способ измерения эффективности счета ВЭУ /А.А.Аристархова, С.С.Волков и др.

7. A.C. № 1411850 СССР, 15.01.87. Энерго-масс-анализатор >аряженных частиц /С.С.Волков, В.Т.Гутенко.

8. Волков С.С., Дорошина Н.В., Китаева Т.И., Толстогузов A.B. (онный ьонддля масс-спектроскопии вторичных ионов //Электронная [ромышленность. - I987.-Вып.5(163)-С.44-47.

9. Аристархова A.A..Волков С.С., Машкова Т.М., Исазва Т.Н., иыашев М.Ю. Установка для исследования поверхности и эмиссионных войств пленочных эмиттеров //Там жо. - С.47-49.

10. Зол ко в С.С., Гутекко Ö.T., Дмитриевский D.iä», Толстогу-э» А.Б„, Трухин В.В, Спектрометр рассеянных ионов и атомов отдачи 'Тем кв. -С.50-52.

11. Аристархова A.A., Волков С.С., Тимашев М.Ю. Исследование

- 22 -

сегрегации атомов при термообработке многокомпонентных соединений //Электрон.техника. Сер.3.-1587.-Вып.3 (263К-С.95.

12. Аристархова A.A., Волков С.С., Гугенко В.Т., Дмитр-ввс-кпй ¡O.E., Ко ржавый А.П.: Лоренц Г.Ф., Мирзоева С.Д. Измерение эмиссионных свойств и состава композиционных пленочных эмиттеров Си/МдО на Си в процессе активирования // Электронная техника. Сер. 6. Материалы.-1987.-Вып.4 225 .-С.19-22.

13. Волков С.С., Гутенко В.Т., Коблев H.H., Толстогузов A.B. fÄacc-cenapaTop ионньгх гучков на основе фильтра Вина// Электронная лромыалениозть. - 190У.-Вып.4 С172.) .-С.46-49.

14. Аристархова A.A., Волков С.С.,Трухин В.В.,купле Г.Н. Анализ структур*! поверхности ГпР(100) методами спектроскопии ниэ-кознергетического ионного рассеяния и игомов отдачи //Письма в КЮ. -19дУ.-Т.1Ь.-Еып.19.-С.в1-84. .

15. Аристархова A.A., Волков С.С., Трухин В.В., Шуппе Г.Н. Анализ начальных стадий формирования границы раздела переходный металл - Са.4* методом спектроскопии ионного рассеяния// Поверхность.-^.-* II. - C.I07-II3.

16. Волков С.С., Денисов А.Г., Кратенко В.И., Протоповов О.Д Толстогузов A.B. Ионный микроанализатор для решения проблем материаловедения в атомной науке и технике //ВАНТ. Сер.Цатериалы

и материаловед.-19^0.-шп. 6 (40).-С. 19-26. (Там же реклама на установки. -С.30-40).

17. Аристархова A.A., Волков С.С.,Тимашев M.Ü. Встраиваемый спектрометр обратно рассеянтдс ионов ннэгих энергий// Электронная промышленность.-1990.- № 10. -C.45-5I.

18. Аристархова A.A., Волков С.С,, Тимашев М.Ю., ilfynne Г.Н. Адсорбция цезия на поверхности вольфрама. //Поверхность - 1990. -# 7. - С.tü-69«

19. Аристархова A.A., Волков С.С., 1>тенко ЕЛ'., Дмитриевский ¡O.E., Коржавый А.П. Влияние яемлературы на состав поверхности холодных катодов на основе алюминия // Электронная техника. Сер. 6. Материалы.-1Я91.-Ъып.8 262 .-С.11-16.

20. Аристархова A.A., Волков С.С., Трухин В.В., Шуппе Г.Н. Структурный анализ поверхности C-«As (IIC) методом ионного рассеяний и агОАЮв отдачи //Поверхность.-1991. - МО. - С.90-95.

21. Аристархова A.A., Волков С.С., 1>тенко В.Т., Дорошина Н Уииурова £.А. Влияние изотопного состава на элементный я количес ге-нь;-й анализ методом ионного рассеяния //Поверхность. - 1991. • -- Ко.-е.ш-iciü.

22. Волхоз С.С., Г^тенко В.Т., Дмитр-евский Ü.Ü. ^с^ойство диафрагмирования ЦЗА для СОРИНЭ //1TT3.-Iy91.-W.-C.159-1GI.

23. Аристархова A.A., Волков С.С., Тимашев М.Ю., iüynno Г.Н. Рассеянно ионов гипертермальных энергий поверхность«) TT //Письма в Ш. -1991.-т.17, Вып.4.-С.69-74.

24. Волков С.С., Исаева Т.Н. Динамика парного упругого соударения ион-атом в приближении кулоновского экранированного потенциала взаимодействия //Поверхность. - 19Я2.- 6. - C.83-ÖI.

25. Аристархова A.A., Волков С.С., Кмтаева Т.Н., Климкович Б.В., Красницкий В.Я., МальченкоаА.П., Торгаамн Ю.И., Толстогуэов A.B., Нумаков Э.Н. Исследование интегралышх микросхем методом вторичной ионной эмиссии //РЭ.-1993.-Р I. -C.I60-IÜ?.

26. Аристархова A.A., Волков С.С», Тимашев И.О., Купле Г.Н» Нейтрализация ионов неона гнпертермалышх кэнергай, рассеянны?, поверхностью IT //РЭ.-1993.- > I.- C.I6Ö-J72.

27. Аристархова A.A., Волков G.C., фтенио В.Т., Дмитревский D.c!., Карманов О.Н., Кратенко В.И., кяпии B.U,, Протопопов О.Д., Сергеев H.H. Промышленная установка для исследования поверхности методом спектроскопии обратно рассеянных ионов низких энергий и оже-спектроскопии //m.-I993.-i> I. - C.2I7-226.

23. Аристархова A.A., Волков С.С., Исаева Т.Н., Титшав Ц.Ю., Шуппо Г.Н. Расчет потенциального рельефа поверхности вольфрама //Поверхность. - 1994. - & I. С.