Диэлектрические и электрические свойства аморфного материала на основе PbTiO3 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

ГЛАВА 1. АМОРФНЫЕ МАТЕРИАЛЫ НА ОСНОВЕ

ПОЛЯРНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ (обзор).

1Л. Структура и свойства кристаллического титаната свинца (РЬТЮз).

1.2. Структура и свойства аморфных материалов на основе полярных диэлектриков.

1.2.1. Введение.

1.2.2. Аморфный титанат свинца. Структура и свойства.

1.2.3. Другие аморфные материалы на основе полярных диэлектриков.

1.2.4. Теоретические модели возникновения сегнетоэлектрического состояния в аморфных диэлектриках.

ГЛАВА 2. ПОЛУЧЕНИЕ ОБРАЗЦОВ, ИХ

АТТЕСТАЦИЯ И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ.

2.1. Получение и аттестация аморфного материала на основе титаната свинца.

2.1.1. Получение образцов.

2.1.2. Аттестация образцов.

2.2. Обоснование выбора методик исследования.

2.3. Блок- схемы измерительных установок.

2.3.1. Установки для исследований диэлектрических параметров и электропроводности.

2.3.2. Установка для исследования диэлектрической нелинейности.

2.3.3. Установка для проведения дифференциального термического анализа.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Повышенный интерес к некристаллическим твердым веществам на основе сегнетоэлектриков обусловлен, с одной стороны, новизной проблемы и возможностью получения новых материалов с необычайными свойствами, а с другой - потенциальными возможностями их практического применения в науке и технике.

Впервые аморфные сегнетоэлектрические материалы были получены Глассом в 1977 году быстрой закалкой расплавов сегнетоэлектриков LiNb03 и LiTa03. Сравнительно недавно начато изучение аморфного состояния в других системах и, в частности, в РЬТЮз. К началу данной работы в литературе имелись лишь немногочисленные разрозненные сведения, касающиеся исследований аморфного титаната свинца, и оставались до конца не изученными проблемы образования стекла, его структуры, а также взаимосвязи строения стекла с его физическими свойствами.

Поэтому получение и изучение аморфных полярных диэлектриков на примере титаната свинца является одной из интереснейших и актуальных задач физики конденсированного состояния, так как позволяет установить влияние топологических и химических особенностей неравновесной структуры вещества на его основные 5 свойства, получить информацию о возможности описания с единых позиций строения разных классов аморфных материалов и создания общей картины перехода в аморфное состояние.

Тематика данной работы соответствует "Перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований", утвержденных Президиумом РАН (раздел 1.2. - "Физика конденсированных состояний вещества", подраздел 1.2.4. - "Мезоскопические явления"). Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики твердого тела Воронежского государственного технического университета по госбюджетной теме НИР № ГБ.2001.23 "Синтез, структура и свойства перспективных материалов электронной техники", а также гранту РФФИ № 99-02-17230 "Влияние структурного разупорядочения на физические свойства активных диэлектриков".

Цель работы. Основной целью настоящей работы являлось проведение экспериментальных исследований диэлектрических свойств и электропроводности аморфного материала на основе ти-таната свинца в широком интервале температур при последовательном его переходе в кристаллическое состояние.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи:

1. Разработать установку и отработать режимы получения массивных аморфных образцов.

2. На основе диэлектрических исследований изучить процесс кристаллизации аморфного материала при циклировании температуры и при изотермической выдержке вблизи температуры кристаллизации.

3. Исследовать механизмы электропроводности на постоянном и переменном токе при разной степени кристалличности образцов.

4. Изучить особенности диэлектрической релаксации в аморфном и кристаллическом состояниях материала.

5. Провести исследования зависимости диэлектрических характеристик и поляризации материала от напряженности постоянного электрического поля.

Объект исследований. В качестве объекта исследования был выбран аморфный материал на основе титаната свинца. Основными причинами, обусловившими такой выбор, являлись: а) физические свойства аморфного материала на основе титаната свинца еще недостаточно изучены для того, чтобы провести их глубокое сравнение со свойствами кристаллического материала; б) кристаллический титанат свинца - хорошо исследованный сегнетоэлектрик со структурой перовскита, являющийся модельным кристаллом, что может облегчить интерпретацию полученных результатов; в) получение новых экспериментальных данных необходимо для обобщений и создания последовательной теории этого класса неупорядоченных материалов.

Научная новизна. Основные результаты экспериментальных исследований аморфного и частично кристаллизованного с разной степенью кристаллизации материала на основе PbTi03 получены автором впервые и заключаются в следующем:

1. Установлена зависимость диэлектрических свойств аморфного материала от изменения структуры в результате после7 довательной кристаллизации при термоциклировании, обусловленная зародышеобразованием и динамикой межфазных границ.

2. Экспериментально доказано, что процесс кристаллизации аморфного материала при изотермическом отжиге проходит в две стадии: а) рост зародышей кристаллической фазы; б) боковое движение межфазных границ в результате образования на них фрактальных зародышей.

3. Обнаружено, что в аморфном материале происходит последовательная смена механизмов электропроводности от прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка (v=0.25) при низких температурах к прыжковой проводимости по ближайшим соседям (v=0.25 - 0.5) в высокотемпературной области с последующим переходом к зонному механизму (v=l) в результате кристаллизации материала.

4. Экспериментально установлено, что диэлектрическая релаксация при температурах вблизи 200-250°С характеризуется размытым спектром и в основном описывается в рамках механизма взаимодействия межфазных границ с точечными дефектами.

5. Получено экспериментальное доказательство существования диэлектрической нелинейности в аморфном и частично кристаллизованном материале.

Практическая значимость. Полученные в работе результаты углубляют представления об общих закономерностях возникновения неупорядоченных состояний в материалах на основе полярных диэлектриков, а так же о динамике перехода из аморфного в кристаллическое состояние.

Установленные в работе зависимости и закономерности могут найти применение в лабораториях и научных центрах, занимающихся исследованиями реальной структуры и физических свойств неупорядоченных полярных диэлектриков и некристаллических материалов с особыми электрическими и диэлектрическими свойствами. Сделанные в работе оценки величин показателя степени в уравнении Аврами, характеризующего природу зарождения и роста кристаллической фазы, времени релаксации и энергии активации процесса кристаллизации могут быть полезными исследователям, занимающимся получением и изучением аморфных материалов на основе сегнетоэлектриков.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Обнаружение и объяснение природы двухстадийного процесса кристаллизации аморфного материала на основе PbTi03.

2. Экспериментальное доказательство смены механизмов электропроводности при последовательной кристаллизации аморфного материала.

3. Обнаружение и исследование релаксационных пиков диэлектрических потерь г" при температурах 200-350°С.

4. Совокупность экспериментальных данных о диэлектрической нелинейности аморфного и частично кристаллизованого материала.

Апробация работы. Основные результаты работы были доложены и обсуждены на 11 Международных, Европейских, Всероссийских и других конференциях: XX Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 1999), XV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Ростов-на-Дону, 1999), 8 Международной конференции "Сегнетоэлектрики

- полупроводники" (Ростов-на-Дону, 1998), 3 Международном семинаре по релаксорным сегнетоэлектрикам (Дубна, 2000), Всероссийской научно-практической конференции "Охрана-99" (Воронеж, 1999), 2 Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 1999), 9 Международной конференции "Диэлектрики-2000" (С.Петербург, 2000), 26 Европейской конференции по статистической физике МЕСО-26 (Прага, Чешская республика, 2001), 10 Международном симпозиуме по сегнетоэлектричеству (Мадрид, Испания, 2001), 3 Всероссийском семинаре "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (Воронеж, 2000), 2 Международном симпозиуме "Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах - OMA-II" (Сочи, 2001).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 16 работ в виде статей и тезисов докладов.

Личный вклад автора. Большая часть экспериментальных исследований, написание статей и подготовка докладов на конференции автором были выполнены самостоятельно. Определение направления исследований, формулирование задач работы и обсуждение результатов экспериментов осуществлялись совместно с научным руководителем проф. Гридневым С.А. Соавторы публикаций доцент Коротков Л.Н. принимал участие в содержательных дискуссиях по диссертации, к.ф.-м.н. Ходоров А.А. принимал участие в проведении диэлектрических исследований, а к.ф.-м.н. Бармин Ю.В., и Бабкина И.В. - в проведении рентгеноструктурных измерений.

11

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ:

1. Отработаны режимы получения массивных образцов аморфного материала в виде тонких прозрачных пластинок с максимальными размерами ~3х3х0.2 мм по методу спиннингования путем быстрой закалки расплава PbTi03, подаваемого на вращающийся медный диск при комнатной температуре.

2. Методом дифференциального термического анализа при скорости нагрева 5°С/мин. установлено, что температура кристаллизации аморфного материала на основе РЬТЮз составляет Тсг«600°С.

3. Изучено влияние процесса кристаллизации аморфного материала на его диэлектрические свойства при последовательном циклическом изменении температуры от комнатной до температур, лежащих в окрестности Тсг, и выдержке при этих температурах в течение 20 мин. Обнаружено, что формирование кристаллической структуры в результате термоциклирования приводит к последовательному возрастанию диэлектрической проницаемости и возникновению пика на кривой s(T) с параметрами, близкими к значениям, известным для поликристаллического РЬТЮз.

4. Методом диэлектрической релаксации в процессе изотермического отжига изучена кинетика кристаллизации аморфного материала на основе PbTi03 при температурах вблизи Тсг. Установлено, что в рамках механизма Колмогорова-Аврами процесс кристаллизации проходит в две стадии: фрактальный рост существующих зародышей пластинчатой морфологии на начальной стадии процесса и боковое движение межфазных границ посредством фрактального зародышеобразования на фазовой границе на второй стадии.

В результате исследования температурных зависимостей электропроводности на постоянном и переменном токе обнаружено, что в аморфном материале проводимость в низкотемпературной области обусловлена прыжками носителей заряда по локализованым состояниям с переменной длиной прыжка (механизм Мотта), а в высокотемпературной области по мере увеличения в образцах количества кристаллической фазы в результате термоциклирования до высоких температур (выше Тсг) происходит постепенный переход от прыжковой проводимости по ближайшим соседям к зонному механизму электропроводности.

В аморфном и нанокристаллическом состояниях материала обнаружены два релаксационных максимума г", расположенные в интервале температур от 200 до 350°С.

Природа первого из них связана с динамикой межфазных границ. Методом диаграмм Коул-Коула показано, что процесс диэлектрической релаксации, ответственный за этот пик, характеризуется размытым спектром времен релаксации, существенно сужающимся с ростом степени кристаллизации. Определены характеристики релаксационного процесса.

106

Наличие второго максимума связывается с перезарядкой ловушек носителей заряда и экранированием спонтанной поляризации в локальных полярных областях.

7. Сравнительный анализ полевых зависимостей поляризаци, амплитуды второй гармоники тока и диэлектрической проницаемости в аморфных и частично кристаллизованных образцах РЬТЮз при значениях постоянного электрического поля от 0 до 20 кВ/см позволил заключить, что обнаруженная диэлектрическая нелинейность в изученном материале свидетельствует о наличии в нем локальных полярных областей наномет-рического масштаба.

В заключение автор выражает искреннюю благодарность своему научному руководителю Заслуженному деятелю науки Российской Федерации доктору физико-математических наук профессору Станиславу Александровичу Гридневу за предложенную тему диссертации, выбор направления исследований, плодотворное обсуждение получаемых результатов и непрестанное внимание к работе, кандидату физико-математических наук Короткову Леониду Николаевичу за содержательные дискуссии по диссертации, Ходоро-ву Анатолию Анатольевичу за участие в проведении диэлектрических исследований, а также всем сотрудникам лаборатории сегнетоэлек-триков ВГТУ за содействие в выполнении настоящей работы, а так же к.ф.-м.н. Бармину Ю.В., и Бабкиной И.В. - за помощь в проведении рентгеноструктурных измерений.

В заключение по совокупности экспериментальных результатов, обсуждаемых в данной главе, можно сделать следующие выводы:

1. Наблюдаемая в аморфном титанате свинца в окрестностях Тс аномалия е7 может быть обусловлена сегнетоэлектрическим фазовым переходом в отдельных достаточно крупных кристаллических включениях.

2. Низкотемпературный отжиг (Тап < Тсг) обусловливает появление нанокристаллической структуры, и при малых временах отжига не приводит к появлению характерного для кристаллического РЬТЮ3 пика s7 в окрестностях Тс

3. Некоторое возрастание действительной и мнимой компонент комплексной диэлектрической проницаемости на начальных стадиях термообработки в значительной степени обусловлено повышением концентрации свободных носителей заряда.

4. Обнаруженные ниже Тс аномалии на зависимостях е7(Т) и s/7(T) связаны с наличием полярных областей и перераспределением в них подвижных носителей заряда при изменении температуры из-за опустошения ловушек.

1. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл: титанат бария. М.: Наука. 1974. 296 с.

2. Титанат бария / Прокопало О.И., Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г. и др. Ростов-на-Дону.: Изд. РГУ. 1970. 214 с.

3. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. Пер. с англ./Под ред. Л. А. Шувалова. М.: Мир. 1965. 555 с.

4. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир. 1981. 736 с.

5. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.П., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектри-ки. Л.: Наука, 1971.- 476 с.

6. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Соколов А.И., Юшин Н.К. Физика сегнетоэлектри-ческих явлений. Ленинград: Наука, 1985.

7. Гуревич В.М. Электропроводность сегнетоэлектриков. М.: Изд. Комитета стандартов. 1969. 384 с.

8. Веневцев Ю.Н., Политова Е.Д., Иванов С.А. Сегнето- и анти-сегнетоэлектрики семейства титаната бария. М.: Химия. 1985. 256 с.

9. Физика твердого тела. Энциклопедический словарь. Киев: Наукова думка, 1996.Т.1.651 с.

10. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. акад. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат. 1976. 1008 с.

11. Баранова Л. А. и др. Аномалии диэлектрических свойств титаната свинца, обусловленные точечными дефектами// Изв. АН СССР, сер. неорг. матер. 1979. Т. 15. № 9. С. 1612-1614.

12. Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М. : Атомиздат. 1972. 248 с.108

13. Фесенко Е.Г., Гавриляченко В.Г., Зароченцев Е.В. Сегнето-электрические свойства монокристаллов титаната свинца.// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1976. Т. XXXIV. №12. С. 2541-2549.

14. Фесенко Е.Г., Мартыненко М.А., Гавриляченко В.Г., Семенцев А.Ф. Фазовый переход и образование доменной структуры в кристаллах титаната свинца.// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1975. Т. 39. №4. С. 760-765.

15. Прокопало О.И. Электропроводность сегнетоэлектриков со структурой перовскита.// Изв. АН СССР. Сер. физ. 1975. Т. 39. №5. С. 995-999.

16. Прокопало О.И. Точечная дефектность, электропроводность и энергетические спектры электронных уровней оксидов семейства перовскита.// ФТТ. 1979. Т. 21. №10. С. 3073-3076.

17. Титов С.В., Резниченко JI.A., Разумовская О.Н., Шилкина JI.A., Дудкина С.И. Особенности структуры и сегнетоэлектрических свойств титаната свинца с редкоземельными элементами.//Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 17. С. 99-104.

18. Сидоркин А.С., Сигов А.С., Ховив A.M., Яценко С.О., Яценко О.Б. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца.// ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 4. С. 727-732.

19. Kumar М.М. Effect of A and В site cations on the dielectric and electrical properties of PbTi03. // Phys. Stat. Sol. (a). 2000. V. 177. P. 583-591.

20. Turik A.V., Khasabov A.G. On the origin of ferroelectricity in РЬТЮз. // Ferroelectrics. 2000.V.237. №1-4. P. 65-71.

21. Busik J., Vanek P., Studnicka V., Ostapchuk Т., Buixaderas E., Petzelt J., Krupkova R., Brezina В., Perina V. PbTi03-SrTi03 and PbTi03-Al203 composite and multilayer films prepared by sol-gel technique. // Ferroelectrics. 2000.V.241. №1-4. P. 191-198.

22. Heidler R., Windsch W., Bottcher R., Klimm C. EPR-Untersuchungen an Cr dotierter PbTi03 keramik. // Ferroelectrizitat. Leipzig. 1989. V. 17. №21.04. P. 142-145.

23. Gergs M.K., Klimm C., Klotzsche G., Roth S., Schlemmbach H., Windsch W. Dielectric and EPR investigations on lanthanum modified PbTi03 ceramics. // Ferroelectrizitat. 1989. V. 17. №21.04. P. 146-150.

24. Braeter H., Windsch W. On the ferroelectric phase transition in the solid solution (La,Pb)Ti03. // Ferroelectrizitat. 1990. V. 19.3. №23.03. P. 33-36.

25. Gergs M.K., Michel D., Salzer R., Schlemmbach H., Windsch W. Fir-investigations on lanthanum modified PbTi03 ceramics. // Ferroelectrizitat. 1990. V. 19.3. №23.03. P. 29-32.

26. Tkacz-Smiech K., Kolezynski A., Ptak W.S. Chemical bond in ferroelectric perovskites. // Ferroelectrics. 2000.V.237. №1-4. P. 5764.

27. Bokov A.A., Ye Z-G. Freezing of dipole dynamics in relaxor ferroelectric Pb(Mgi/3Nb2/3)03-PbTi03 as evidenced by dielectric spectroscopy. // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V. 12. P. L541-L548.

28. Freire J.D., Katiyar R.S. Dynamical study of phonons in PbTi03. // Sol. State Com. 1981. V. 40. P. 903-906.

29. Turik A . V., Shevchenko N . V .Gavriyachenko V . G ., Fesenko E . G . On the nature of dielectric permittivity of PbTi03 single crystals// Phys. Stat. Sol .(b). 1979. V. 94. № 2. P. 525 528.

30. Burns G., Scott B. A. Lattice modes in ferroelectric perovskites: PbTi03//Phys. Rev. 1973. V. B7. №7. P.3088-3 101.

31. Kobayashi J., Uesu Y., Sakemi Y., Hosokowa T. Optical birefringence of PbTi03 in the low temperature region//Phys. Stat. Solidi (a).1980. V. 59. №2. P. K143 K146.110

32. Якубовский М.А. Рабкин JI. М., Коневская Д.С., Фесенко Е.Г. Оптические свойства монокристаллического РЬТЮз в области края собственного поглощения.//Кристаллография 1974. Т. 19. № 4. С. 873-875.

33. Wemple S.H. Polarization fluctuations and the optical-absorption edge in BaTi03.//Phys. Rev. 1970. V.B2. №7. p. 2679-2689.

34. Добриков А. А., Преснякова О.В. Плоские дефекты в монокристаллах PbZr03 и РЬТЮ3.//Изв. АН СССР. Сер. неорг. матер. 1981. Т. 17. № 12. С. 2239-2242.

35. Лихачев В.А., Шудегов В.Е. Принципы организации аморфных структур. Изд. С.- Петербургского университета. 1999. 288 с.

36. Lee S.W., Shim К.В., Auh К.Н. and Knott P. Activation energy of crystal growth in PbTi03 glass using differential thermal analysis. // J. of Non-Cryst. Solids. 1999. V. 248. P. 127-136.

37. Chattopadhyay S., Ayyub P., Palkar V.R., Multani M. Size-induced diffuse phase transition in the nanocrystalline ferroelectric PbTi03. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. №18. P. 13 177-13183.

38. Pramanik P., Das R.N. Structure property relations of chemically synthesized nanocrystalline PZT powders. // Materials Science and Engineering. 2001. P. 775-779.

39. Kim J.E., Yang Y.S. Dielectric and conduction behavior of xBa-Ti03'(l-x)Si02 glasses. // Materials Science and Engineering. 2001. P. 487-490.

40. Ziebert C., Schmitt H., Kruger J.K., Britz Т., Bruch C. Diffuse phase transition and relaxor properties of nanocrystalline lead calcium titanate. // Ferroelectrics. 2000.V.240. №1-4. P. 371-378.

41. Martinez A.L., Sonoda M.T., Lebullenger R., Custodio M.C.C., Hernandes A.C. Oxyfluoride glasses containing LiNb03. // J. of Non-Cryst. Solids. 1999. V. 247. P. 35-38.1.l

42. Ayton G., Gingras M.J.P., Patey G.N. Ferroelectric and dipolar glass phases of noncrystalline systems. // Phys. Rev. E. 1997. V. 56. №1. P. 562-570.

43. Ayton G., Gingras M.J.P., Patey G.N. Orientational ordering in spatially disordered dipolar systems. // Phys. Rev. Letters. 1995. V. 75. №12. P. 2360-2363.

44. Takashige M. and Nakamura T. Dielectric properties of amorphous PbTi03 // J. Phys. Soc . Jap. 1980. V.49.Suppl. B. P.143.

45. Nakamura T. and Takashige M. Raman scattering studies of crystallization process from amorphous PbTi03 // J. Phys. Soc. Jap. 1980. V.49. Suppl. B. P.38.

46. Bahgat A.A and Kamel T.M. Possible observation of a glassy ferroelectric : Bio.5Pbo.5Sr2Ca2Cu2.8Ko.20z // Phys. Rev.B. 2000. V.63. P.12101-12104.

47. Kitabatake M., Mitsuyu T. and Wasa K. Structure and dielectric properties of amorphous LiNbC>3 thin films prepared by a sputtering deposition // J. Appl. Phys. 1984. V.56. P.1780-1784.

48. Nakamura Т., Takashige M., Terauchi H., Miura Yu., Lawless W.N. The structural, dielectric, Raman-spectral and low temperature properties of amorphous РЬТЮз // Jap. J Appl. Phys. 1984. V.23. №10. P. 1265-1273.

49. Srinivasan M.R., Ayyub P., Multani M.S., Palkar V.R. and Yijayaraghavan R. Ferroelectric phase transition in amorphous Pb(Zr0.5iTi0.49)O3 // Phys. Letters. 1984. V.101A. №8. P. 435 438.

50. Varma K.B.R., Harshavardhan K.S., Rao K.J. and Rao C.N.R. Ferroelectric-like dielectric anomaly in RF-sputtered amorphous LiNb03 films // Mat. Res. Bui. 1985. V. 20. P. 315-320.

51. Lee S.W., Shim K.B., Auh K.H. and Knott P. Ferroelectric anomaly in the different thermal analysis of РЬТЮз glass. // Material Letters. 1999. V.38. P. 356-359.112

52. Xu Yu. and Mackenzie J.D. Ferroelectric thin films prepared by sol-gel processig.// Integrated Ferroelectrics. 1992. V.l. P.17-42.

53. Xu Yu. Cheng C.H. and Mackenzie J.D. Electrical characterizations of polycrystalline and amorphous thin films of Pb(ZrxTiix)03 and ВаТЮз prepared by sol-gel technique. // J. of Non Cryst. Solids. 1994. V. 176. P. 1-17.

54. Kratochvilova I., Kamba S., Gregora I., Petzelt J., Sigaev V.N., Smelyanskaya E.N. and Molev V.I. Vibration properties of Pb5Ge30n and LaBGe05 glasses and crystallised glasses. // Ferroelectrics. 2000. V.239. P.39-46.

55. Ziebert C., Schmitt H., Kruger Ja., Britz Th. and Bruch Ch. Diffuse phase transition and relaxor properties of nanocrystalline lead calcium titanate. // Ferroelectrics. 2000. V.240. P.371-378.

56. Obara H., Yamamuro O. and Matsuro T. Thermal and dielectric studies of protonated potassium phosphate glass. // J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P. S821 S823.

57. Kobayashi Yu., Endo Sh., Koto K., Kikegawa Т., and Shimomura O. Phase transitions and amorphization of KH2P04 at high phessure. // Phys. Rev.B. 1995. V.51. P.9302-9305.

58. Orcowa H., Uno R. The structural analysis of amorphous PbTi03 by the energy dispersive X-ray diffraction // J. Phys. Soc . Jap. 1980. V.49. Suppl. B. P.144.

59. Lines M.E. Microscopic model for a ferroelectric glass. // Phys. Rev. B. 1977. V. 15. №1. P.388-395.113

60. Lines M.E. Theoretical derivation of possible dielectric anomalies in high-permittivity glasses // Phys. Rev. B. 1978. V. 17. P. 19841990.

61. Xu Yu. and Mackenzie J.D. A theoretical explanation for ferroelectric-like properties of amorphous Pb(ZrxTiix)03 and BaTi03 // J. of non Cryst. Solids 1999. V. 246. P. 136-149.

62. Auton G., Gingras M.J.P., Patey G.N. Ferroelectric and dipolar glass phases of nanocrystalline systems // Phys. Rev. E. 1997. V. 56. №1. P. 562-570.

63. Kim S.H., Jang M.S., Chae B.G., Yang Y.S. A study of dielectric properties of amorphous ferroelectric LiNb03 // J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P. S807 S810.

64. Kim S.H., Lee S.J., Kim J.P., Chae B.G., Yang Y.S. Jang M.S. Low-frequency dielectric dispersion and Raman spectroscopy of amorphous LiNb03 // J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P. S830 -S833.

65. Obara H., Yamamuro O., Matsuo T. Thermal and dielectric studies of protonated potassium phosphate glass. // J. of Korean Phys. Soc. 1998. V.32. P. S821 S823.

66. Золотухин И.В., Калинин Ю.Е., Стогней О.В. Новые направления физического материаловедения: Учебное пособие. Воронеж: Издательство Воронежского государственного университета. 2000. 360 с.

67. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезокерамическая керамика. М.: Мир. 1974. С. 108.

68. Уеда И., Нишида М., Оучи X., Хаякава Щ. Пьезокерамика для высокочастотных применений. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1977. Т. 41. №4. С. 708-711.

69. Золотухин И.В., Бармин Ю.В. Стабильность и процессы релаксации в металлических стеклах.М.:Металлургия. 1991. 158с.

70. Greer A.L. Rapidly solidified alloys. New York: Marcel Dek Ket.1993. 269c.

71. Muraleedharan R.V. Variation of slope in Avrami plots// Scr. Mater. 1999. V. 40. №12. P. 1367.

72. Алексеечкин H.B. К теории фазовых превращений с неоднородной скоростью зарождения //ФТТ. 2000 Т.42. №12. С. 2205.

73. Колмогоров А.Н. К статистической теории кристаллизации металлов. // Изв. РАН. сер.мат. 1937. № 3. С. 355-360.

74. Avrami М. Theory of crystallization. // J. Chem. Phys. 1939. V. 7. P.1103.

75. Isibashi Y., Takagi Y., Note on ferroelectric domain switching. // J. Phys. Soc. Jap. 1971. V. 31. № 2. P. 506-510.

76. Dimmler K., Parris M., Butler D., Eaton S., Pouligny В., Scott J.F., Isibashi Y. Switching kinetics in KN03 ferroelectric thin-film memories. // J. Appl. Phys. 1995. V. 61. № 12. P. 5467-5470.

77. Scott J.F., Kammerdiner L., Parris M., Traynor S., Ottenbacher V., Shawabkeh A., Oliver W.F. Switching kinetics of lead zirconate titanate submicron thin-film memories. // J. Appl. Phys. 1998. V. 64. № 2. P. 787-792.

78. Шур В.Я. и др. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок ЦТС при кристаллизации // ФТТ. 1999. Т.41 № 2. С. 306.

79. Корженевский A.JL, Камзина JI.C., Коршунов О.Ю. Фрактальный характер крупномасштабных неоднородных состояний в сег-нетоэлектриках с размытым фазовым переходом. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 61. № 3. С. 214-216.

80. Исупов В.А. Природа фрактальных образований на поверхности сегнетоэлектрических кристаллов с размытым фазовым переходом. // ФТТ. 1998. Т. 40. № 7. С. 1305-1306.

81. Шур В.Я. Ломакин Г.Г., Куминов В.П., Пелегов Д.В., Белогла-зов С.С., Словиковский С.В., Сорокин И.Л. Кинетика фракталь115ных кластеров при фазовых превращениях в релаксорной керамике. // ФТТ. 1999. Т.41 № 3. С. 505-509.

82. Олемской А. И. Флат А. Я. Использование концепции фрактала в физике конденсированной среды // УФН. 1993. Т.163. № 12. С.1-50.

83. Чукбар К.В. Стохастический перенос и дробные производные. //ЖЭТФ. 1995. Т. 108. № 5. С. 1875-1884.

84. Кубарев Ю.Г. Фрактальные свойства сегнетоэлектрических кристаллов// Изв. РАН. сер.физ. 1993. Т. 57. № 3. С.129-131.

85. Мейланов Р.П., Садыков С.А. Фрактальная модель кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках. //ЖТФ. 1999. Т. 69. № 5. С. 128.

86. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (Пер. с немецкого). М.: Мир, 1986. 556 с.

87. Коротков J1.H., Гриднев С.А., Константинов С.А., Бармин Ю.В., Бабкина И.В. Релаксация диэлектрической проницаемости в аморфном РЬТЮз //Тез. докл. меж. конф. по релакс. явл. в твердых телах. Воронеж. 1999. С. 267-268.

88. Korotkov L.N., Khodorov A.A., Kashirski S.V., Konstantinov S.A. Relaxation dynamics in amorphous and nanocrystalline ferroelec-trics//Abstr. of the 10th Intern. Meet, on Ferroelectrics. Madrid. 2001. P. 193.

89. Коротков JI.H., Гриднев С.А., Константинов С.А., Бабкина И.В., Бармин. Ю.В. Электрические и диэлектрические свойства116аморфного титаната свинца// Изв. РАН. сер. физ. 2001. Т. 65. С. 1138.

90. Коротков Л.Н., Гриднев С.А., Ходоров А.А., Константинов С.А., Каширский С.В. Аномалии диэлектрических свойств аморфного титаната свинца// Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 21. С. 13-18.

91. Korotkov L.N., Gridnev S.A., Konstantinov S.A., Barmin Yu.V., Babkina I.V. Dielectric permittivity and conductivity of the amorphous PbTi03// Abstracs of the 3rd Intern. Sem. on Relaxor Ferro-electrics. Dubna. 2000. P.44.

92. Коротков Л.Н., Гриднев С.А., Константинов С.А. Электрические и диэлектрические свойства аморфного титаната свинца. // Тез. докл. Девятой Международной конференции "Диэлектрики-2000". Т. 1. С.-Петербург. 2000. С. 49.

93. Korotkov L.N., Gridnev S.A., Konstantinov S.A., Barmin Yu.V., Babkina I.V. Relaxation effects in glasses on the base of amorphous lead titanate// Abstr. book of the MECO-26. Prague. 2001. P. 36.

94. Mott N.F. and Davis E.A. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. Clarendon press. Oxford. 1971

95. Мотт Н.Ф., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Пер. с англ. Т. 1-2. М. 1982.

96. Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. М.: Наука. 1984.

97. Иоффе В.А. Процессы переноса в неорганических диэлектриках. // Изв. Вузов. 1979. №1. С. 40-55.

98. Lamba S., Kumar D. Variable-range hopping: role of coulomb interactions.// Phys. Rev. B. 1999. V.59. №7. P.4752-4765.

99. Немов С.А., Гасумянц В.Э., Прошин В.И., Равич Ю.И., Потапова Д.А. Проводимость с переменной длиной прыжка по при117месным состояниям In в твердом растворе Pbo.7sSno.22Te. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 8. С. 926-928.

100. Каган В.Д. Влияние кулоновской корреляции на прыжковую проводимость. // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 5. С. 805-808.

101. Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука. 1979.

102. Шкловский Б.И. Прыжковая проводимость полупроводников в сильном электрическом поле.//ФТП. 1972. Т. 6. Вып. 12.

103. Прокопало О.И., Раевский И.П. Электрофизические свойства оксидов семейства перовскита. Ростов-на-Дону: Изд. РГУ. 1985. 104 с.

104. Короткое J1.H., Гриднев С.А., Константинов С.А., Ходоров А.А., Каширский С.В. Влияние термической предыстории на диэлектрические свойства аморфного титаната свинца. // Тез. докл. Международной конференции "OMA-II". Сочи. 2001. С. 174.

105. Гриднев С.А., Константинов С.А., Попов С.В. Диэлектрические потери в твердом растворе PbZr03-K0.5Bio.5Ti03 в сильных электрических полях. //Abstr. Book of the 8th Intern. Meet, on Ferroelectrics-Semiconductors. Rostov-on-Don. 1998. P. 73-74.

106. Белоусов М.А., Константинов С.А., Рогова С.П., Цоцорин А.Н. Диэлектрические свойства многокомпонентных сегнетоэлектри-ческих материалов в сильных электрических полях // Материалы РМНТП "ВУЗ-Черноземье". Воронеж: ВГТУ. 1999. С. 34-38.

107. Константинов С.А., Гриднев С.А. Динамика доменных границ в сегнетокерамике (1-х) PbZr03-x Ko.sBio.sTiCb в сильных электрических полях// Тез. докл. XV Всероссийск. конф. по физ. сег-нетоэлектриков. Ростов-на-Дону. С. 267-268.

108. Коротков Л.Н., Гриднев С.А., Константинов С.А., Бабкина И.В. Аморфный сегнетоэлектрический материал для датчиков температуры // Тез. докл.III Всероссийской научно-практической конференции "Охрана-99". Воронеж. 1999. С. 90.

109. Гриднев С.А., Константинов С.А. Диэлектрическая нелинейность сегнетокерамики PbZrC^-Ko.sBio.sTiOj в переменном электрическое поле. // Вестник ВГТУ. сер. Материаловедение. 1999. Вып. 1.5. С. 105-108.

110. Коротков Л.Н., Гриднев С.А., Константинов С.А., Ходоров А.А., Каширский С.В. Влияние термической предыстории на диэлектрические свойства аморфного титаната свинца. // Тез. докл. Межд. конференции "ОМА-Н". Сочи, 2001. С.412.