Диэлектрические и пироэлектрические свойства униполярных кристаллов ТГС

Кушнарев, Павел Иванович

Диэлектрические и пироэлектрические свойства униполярных кристаллов ТГС тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Кушнарев, Павел Иванович АВТОР

кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Благовещенск МЕСТО ЗАЩИТЫ

2009 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.07 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Диэлектрические и пироэлектрические свойства униполярных кристаллов ТГС»

Автореферат диссертации на тему "Диэлектрические и пироэлектрические свойства униполярных кристаллов ТГС"

003464903

На правах рукописи

К У ШН АРЕ В Павел Иванович

Диэлектрические и пироэлектрические свойства униполярных

кристаллов ТГС

(01.04.07 - фи шка конденсированного состояния)

А втореферат диссертации на соискание ученой степени каплнла 1:1 физико-математических наук

, г гз ',гГ>С5

Благовещенск - 2009

003464983

Работа выполнена на кафедре теоретической и экспериментальной физики Амурского государственного университета

Научный руководитель:

доктэр физико-математических наук, профессор С.В. Барышников

Официальные оппоненты:

доктэр физико-математических наук, профессор C.B. Ланкин; кандидат физико-математических наук В.А. Демчук

Ведущая организация

Институт химии ДВО РАН г. Владивосток!

Защита состоится «14» апреля .2009г. в 15:00 часов на заседании регш нального диссертационного совета ДМ 212.006.02 при Амурском государстве!

ном университете по адресу: 675027 конференцзал АмГУ.

Благовещенск, Игнатьевское шоссе, д.2

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Амурского государс венного университета '

Автореферат разослан «13» марта 2009г.

Ученый секретарь диссертационного совета ДМ 212.006.02, |

кандидат физико-математических наук 1

А.Г. Масловская

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. Интерес к изучению закономерностей переполяризации кристаллов группы триглицинсульфата имеет давнюю предысторию [1]. Процесс выращивания кристаллов триглицинсульфата сопровождается возникновением внутреннего смещающего электрического поля, которое образуется распределением по его объему составных дипольных комплексов и заряженных примесей [2,3]. При этом кристалл, выращенный выше точки Кюри, будет иметь систему полярных дефектов, распределенных по объему кристалла с равновероятным направлением дипольных моментов по и против полярной оси. Напротив, кристалл, полученный ниже точки Кюри, будет иметь полярные примеси с преимущественной ориентацией дипольных моментов по одному направлению - вдоль вектора спонтанной поляризации. Каждый полярный дефект при Т<ТС представляет собой как бы зародыш несимметричной полярной фазы и при охлаждении кристалла ниже Тс определяет направление установления спонтанной поляризации.

Особенности свойств сегнетоэлектриков связанных с установлением поляризации были исследованы различными методами, включая измерения фото- и пироэлектрического отклика, термостимулированного тока, диэлектрической проницаемости и экзоэлектронной эмиссии. В частности, в кристаллах глицин-фосфита с примесью глицин-фосфата, было обнаружено внутреннее поле смещения и высказано предположение об определяющей роли данного поля в формировании пироэлектрического отклика выше температуры сегнетоэлектрического фазового перехода [4]. Экспериментально исследована термостимулированная электронная эмиссия с положительной и отрицательной поверхностей сколов кристалла триглицинсульфата и установлено, что характер зависимостей термостимулированного тока от температуры существенно зависит от степени естественной униполярности образца [5]. В других работах при исследовании номинально чистых кристаллов ТГС и кристаллов ТГС с дефектами было показано, что во всех исследуемых образцах температурная зависимость термостимулированного тока обнаруживает два максимума: один из которых связывается с перестройкой доменной структуры (-39 °С), другой - с фазовым превращением (~ 49 °С).

Изменение температуры поверхности и внутренних слоев сегнетоэлектрического материала порождает многочисленные электрические эффекты, анализ которых позволяет оценить степень униполярности и наличие собственного электрического поля в исследуемых образцах. В литературе представлены данные, свидетельствующие об основной роли специально вводимых в образец примесей в формировании собственного электрического поля сегнетоэлектриков [6]. Однако особенности формирования и влияния внутреннего электрического поля на электрофизические свойства номинально чистых кристаллов ТГС исследованы не в полном объеме.

Целью диссертационной работы является исследование влияния внутреннего поля ТГС на формирование полярной структуры кристалла вблизи фазового перехода. Исследование свойств естественной и наведенной с помощью постоянного электрического поля униполярности номинально чистого ТГС.

В качестве объекта исследования были выбраны номинально чистые кристаллы ТГС с естественной униполярностью и образцы ТГС, предварительно поляризованные в постоянном электрическом поле.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Исследовать распределение поляргоованности по толщине номинально чистого ТГС с наведенной в постоянном электрическом поле полярной структурой методом динамического пироэффекта в условиях импульсного нагрева.

2. Оценить влияние внутреннего поля на низкочастотную диэлектрическую проницаемость номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле.

3. Провести измерение токовых петель гистерезиса различно поляризованных образцов ТГС, используя инфра низкие частоты переполяризации.

4. Построить модель распределения пирокоэффициента по толщине кристалла с использованием экспериментальных зависимостей пироэлектрического тока. Провести анализ температурной зависимости пирокоэффициента ТГС с наведенной в постоянном электрическом поле поляризованностью.

Научная новизна:

1. Впервые исследована температурная зависимость пирокоэффициента номинально чистого ТГС поляризованного в направление, противоположном собственному электрическому полю.

2. Впервые обнаружено явление инверсии полярности пироотклика в процессе нагрева ТГС с наведенной поляризованностью. Проведен расчет толщины переходного слоя кристалла и температуры, при которой происходит инверсия поляризованности.

3. Установлено что, исследование действительной диэлектрической проницаемости на низких частотах позволяет оценить ход спонтанной поляризации, подвижность доменных стенок и дефектность кристаллов ТГС.

Основные положения, выносимые на защиту:

второй - в области отрицательных. В интервале температур АГ-39 -н 41°С происходит инверсия полярности пироотклика.

2. Форма кривых координатной зависимости пирокоэффициента подтверждает наличие слоя с инверсной поляризацией и его увеличение с ростом температуры. Предложенная модель позволяет рассчитать толщину переходного слоя кристалла и температуру, при которой происходит инверсия поляризованное™.

3. Действительная часть диэлектрической проницаемости зависит от направления спонтанной поляризации по отношению к направлению собственного электрического поля ТГС. Частоты, на которых вклад в диэлектрическую проницаемость пропорционален спонтанной поляризации, зависят от размеров кристалла, и лежат в районе 10-102 Hz.

Практическая и научная значимость. Сегнетоэлектрические материалы обладают многочисленными электрофизическими свойствами и широко применяются в современных областях электроники и приборостроения. В связи с этим становится принципиально важным выращивание и использование бездефектных кристаллов или кристаллов со специально введенными примесями для улучшения каких-либо физических характеристик. В процессе роста номинально чистого образца все же возникают неконтролируемые примеси, которые влияют на структуру и свойства кристалла.

Значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они существенно расширяют и уточняют представления о наличие в номинально чистых образцах ТГС собственного электрического поля и его влияния на пироэлектрические, диэлектрические и униполярные свойства, что является важным как в общефизическом плане, так и в плане конкретных приложений.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на V Международной научно-технической школы-конференции «Молодые ученые-2008» (Москва, 2008); VIII Российско-Китайском симпозиуме «Новые материалы и технологии» (Китай, Гуан-Чжоу, 2005); XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Пенза, 2005); XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (С-Петербург, 2008); XIII региональной научно - практической конференции «Молодёжь XXI века: шаг в будущее» (Благовещенск, 2007); региональных конференциях по физике (Владивосток 2004, 2006).

По материалам диссертации опубликовано 13 работ: 7 статей (из них две в журналах, входящих в список ВАК), свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ, 5 тезисов докладов.

Объем работы и её структура. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, списка цитируемой литературы и одного приложения. Рукопись диссертации содержит 134 машинописных страниц основного текста, 3 таблицы, 39 рисунков, библиографию из 199 наименований и 6 страниц приложения.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснованы выбор направления и актуальность проведенных исследований. Сформулированы цель и задачи работы, указаны новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены основные положения, выносимые на защиту.

В первой главе «Домены, дефекты и полярная структура сегнетоэлек-триков» приведен обзор существующих в настоящее время теоретических и экспериментальных данных, касающихся описания электрических и тепловых характеристик сегнетоэлектриков. В этой главе рассмотрено влияние неконтролируемых примесей и дефектов в сегнетоэлектрических кристаллах на формирование доменной структуры, процессы переключения поляризации. Рассмотрено свойство униполярности в водородосодержащих сегнетоэлектрических кристаллах, как результат влияния внутренних электрических полей и механических напряжений, создающихся примесными дефектами (специально вводимыми в процессе роста или полученными послеростовым облучением).

В последние годы сформировалось и быстро развивается новое направление в физике полярных диэлектриков - создание и исследование структур с изменяющимися по объему характеристиками [6]. Заметен интерес к изучению внутреннего смещающего электрического поля, которое образуется распределением по объему сегнетоэлектрика составных дипольных комплексов и заряженных примесей [2,3]. Однако особенности формирования внутреннего электрического поля и физические явления, связанные с наличием этого поля в номинально чистых сегнетоэлектриках исследованы не в полном объеме.

Во второй главе «Исследование пироэлектрических и диэлектрических свойств номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС» приведены результаты экспериментального исследования свойств естественной и наведенной с помощью постоянного электрического поля униполярности номинально чистого ТГС методом динамического пироэффекта.

Образцы для исследования подготавливались из кристаллов номинально чистого ТГС путем скалывания пластин толщиной 1 тт, площадью 100 тт2 вдоль кристаллографических осей. В качестве проводящих электродов на грани кристалла наносилось техническое серебро путем термического напыления в высоком вакууме. Образцы подключались к установке Сойера -Тауэра для устранения возможных зарядовых дефектов, а затем поляризова-

лись в постоянном электрическом поле в течение одной минуты. Об отсутствии дефектов и качестве проводящих покрытий можно было судить по практически «идеальной» петле гистерезиса.

Разработана экспериментальная установка, позволяющая регистрировать пироэлектрический ток пироэлектрика на модулированный световой поток. Исследуемый пироэлектрический ток являлся откликом кристалла ТГС на световой поток трапециевидной формы с частотой 78 Hz. В случае линейного пироэффекта и постоянных теплофизических характеристик образца форма пиротока повторяет зависимость от времени полной мощности источника. Поэтому в наших экспериментах мощность теплового потока выбиралась минимальной, чтобы сохранить линейность теплофизических характеристик образца и получить токовый сигнал, полностью повторяющий форму временной зависимости мощности теплового потока. Наблюдение линейного пироэффекта во многом упрощает обработку экспериментальных данных.

Усиленный пиросигнал регистрировался на цифровом осциллографе GDS1800. Пироэлектрический ток исследовался в короткозамкнутой цепи кристалла. Равномерный нагрев кристалла проводился в печи. Температура кристалла измерялась с помощью термодатчика DS18B20, прикрепленного к образцу на теплопроводящую пасту.

Для поляризации кристалла применялся источник постоянного напряжения. Для исследования использовались образцы с естественной униполяр-ностью и образцы, предварительно поляризованные в постоянном электрическом поле в направлении, противоположном внутреннему полю. Для всех экспериментов поляризация образцов проводилась в одинаковых условиях: напряженность электрического поля составляла 10J V/cm, время поляризации - 3 min.

Во всех экспериментах модулированный световой поток был направлен навстречу вектору собственного поля в ТГС.

На рис. 1 представлены температурные зависимости интенсивности пироэлектрического отклика ТГС в процессе его равномерного нагрева (кривая 1) до температуры Кюри и дальнейшего остывания до комнатной температуры (кривая 2), (а - для образца ТГС с усиленной поляризованностью, б - для кристалла с инверсной поляризованностью).

а)

б)

Рис. 1

Для образца с наведенной поляризованностью против собственного поля (рис. 16) кривая зависимости интенсивности пиротока от температуры в процессе нагрева имеет два пика. Первый пик лежит в области положительных токов, второй в области отрицательных. При температуре 39 - 41°С происходит инверсия полярности пироотклика. На основании этих данных можно говорить об инверсии наведенной поляризации кристалла ТГС в интервале температур 39 - 41°С. Полярная структура образца при дальнейшем его нагреве до температуры Кюри не меняется и соответствует структуре, где направление собственного электрического поля совпадает с направлением поляризованное™.

Интервал температур 39 - 4ГС, в котором происходит переориентация электрических диполей в направление собственного электрического поля обозначен АТ (рис. 16). На рис. 2 представлена эволюция выборочных пироэлектрических откликов кристалла ТГС в данном диапазоне температур и осциллограммы одиночных пирооткликов (/ - 39,3°С, 2 -39,9°С, 3 - 40,4°С, 4 - 40,6°С).

Рис. 2

Смена полярности пиросигнапа в интервале ДТ происходит плавно, наблюдаются пироимпульсы, которые занимают область как положительных, так и отрицательных токов. Следовательно, образуется двухслойно - поляризованная структура образца (рис. За).

В процессе исследования производился как равномерный нагрев кристалла в печке, так и слабый импульсный нагрев прямоугольно -модулированным потоком тепла, направленным навстречу вектору собственного электрического поля ТГС. Таким образом, те слои кристалла, которые находятся ближе к источнику модулированного потока тепла прогревались быстрее, следовательно, быстрее приобретали структуру естественной униполярно-сти. С каждым последующим импульсом тепла, воздействующего на кристалл, ширина естественно-поляризованного слоя увеличивалась до тех пор, пока не «заняла» весь объем образца.

Полярное состояние ТГС, предварительно поляризованного в направление противоположном собственному электрическому полю, было бы не стабильным, если бы не происходили процессы экранирования собственного электрического поля кристалла полем зарядов, осаждающихся на электроды образца из атмосферы. Нагрев кристалла способствует термоактивации носителей заряда. Вероятно, что в процессе эмиссии зарядов при температурах 37-41°С участвуют именно те носители, которыми образовано электрическое поле, экранирующее внутреннее поле ТГС. Следовательно, с ростом температуры результирующее электрическое поле внутри кристалла (собственное электрическое поле) начинает оказывать все большее влияние на ориентацию электрических диполей. В итоге вектор поляризации образца ТГС при температуре 41°С становиться сонаправленным с вектором собственного электрического поля. В процессе переориентации электрических диполей в направлении внутреннего поля в первую очередь участвуют те слои кристалла, которые прогреваются быстрее (т.е. находятся ближе к источнику модулированного потока тепла). Таким образом, можно предположить, что электрическое поле, экранирующее внутреннее поле ТГС образовано не только зарядами на электродах образца (т.к. при плавной ликвидации этого поля постепенно происходил бы процесс переполяризации во всем объеме кристалла), но и заряженными дефектами внутри объема.

Поведение кривых остывания (рис. 1) абсолютно одинаково для образцов с различной поляризованной структурой. Независимо от степени унипо-лярности и направления поляризации в кристалле, полярная структура ТГС, испытавшего однократный фазовый переход через точку Кюри, восстанавли-

сз>

сэ

<£3

СЭ

О СЭ

СЭ>

Р2 Р,

а)

СЭ

сэ

еэ

сэ

б)

Рис. 3

вается и принимает естественно - униполярное состояние. Данное состояние характеризуется тем, что электрические диполи выстраиваются в направлении внутреннего поля образца.

На рис. 3 изображена двух- и трехслойно поляризованная структура кристалла, которую можно создавать искусственно. Те слои образца, поляризованного против собственного поля, которые будут прогреты до температуры 41°С, примут естественно-поляризованное состояние. Такая структура ТГС очень схожа с полярной структурой образцов, облученных пучком электронов, но менее стабильна.

Проведены исследования формы пироотклика в зависимости от длины волны светового излучения. Установлено, что с уменьшением длины волны падающего на кристалл света уменьшается лишь амплитуда пиросигнала. Это связано с неравномерным распределением мощности излучения в видимом диапазоне электромагнитных волн.

Для исследования низкочастотной диэлектрической проницаемости номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС использовался цифровой измеритель имметанса 1X11-819, с амплитудой тестового сигнала 1 V. Исследования проводились в температурном интервале от 20 до 60°С. Для измерения температуры применялся электронный термометр СЕИТЕЯ-304 с хромель-алюмелевой термопарой. Анализ характера дисперсионных . кривых (рис. 4, 1 - образец с усилен-

1 ной поляризованностью; 2 - образец

| с инверсной поляризованностью),

1 измеренных при температуре 21°С,

1 показал, что на низких частотах по-

1 рядка 10-50 Нг диэлектрическая

1' проницаемость е' зависит от направ-

3100

620

12400 10540

8060

5580 11 ления спонтанной поляризации по

отношению к направлению собственного электрического поля ТГС. Причем, в этом диапазоне частот £ '(Т,со) образца с усиленной поляри-

—~——........————. зацией почти в 1,5 раза меньше ди-

0 0,01 он 1 ю юо ^ „

рис ^ электрической проницаемости ин-

версно - поляризованного образца.

Форма кривых температурных зависимостей диэлектрической проницаемости кристаллов ТГС в процессе нагрева (рис. 5, 1 - нагрев образца с усиленной поляризованностью; 2 - нагрев образца с инверсной поляризованностью; 3 - остывание образца с инверсной поляризованностью; 4 - остывание образца с усиленной поляризованностью.), измеренных на частоте 20 Нг, отличается от характерной температурной зависимости е'(Т,со), подчиняющейся

12740

дао

4900

закону Кюри - Вейса. В процессе нагрева образца зависимость

диэлектрической проницае-).. 2.. мости от температуры схожа

"■■ ■ с формой температурной

зависимости спонтанной по-1 ляризации 1\(Т). Прогрева-

' ■ ние образца до температур

выше фазового перехода воз-•''••• • вращает значение диэлек-

' '''••.. . " трической проницаемости

; ТГС в первоначальное со-• . ■,..'•'''•..;'! стояние. I...........им..Для понимания этого резуль-

т, °с тата следует учесть все вкла-0 27 31'5 36 42 48 54 ды в диэлектрическую про-

Рис. 5 ницаемость сегнетоэлектри-

ческого кристалла.

Вклад в диэлектрическую проницаемость на низких частотах дают поляризационные процессы обусловленные: доменной поляризацией, ионной поляризацией, поляризацией за счет дефектов и т.д.

Р = РХ\-з) + Р1+Р,+... (1)

где Р8(1-з) - доменная поляризация, 5 - доля доменов ориентированных против поля. Р/ - ионная поляризация (обуславливающая закон Кюри - Вейса), Р^-поляризация дефектов и примесей. Учитывая связь поляризации с поляризуемостью и диэлектрической проницаемостью можем записать:

8{Т) = 1 + е0а(Т). Р{Т) = £0а(Т)Е, а(Т) = (2)

^ дЕ

А дЕ дЕ дЕ дЕ

(3)

дЕ

а(Т) = а, (Т) + а2 (Т) + (Г) + аА(Т) + ... (4)

Где, а/ - вклад в поляризуемость за счет изменения величины Ра в электрическом поле, а2 - вклад в поляризуемость за счет изменение размеров доменов (за счет движения доменных стенок), а3 -ионная поляризуемость, а4 -поляризуемость дефектов. Каждая из поляризуемостей имеет свою величину и температурную зависимость.

Стоит отметить, что кристаллы семейства ТГС выделяются из других высокой податливостью доменных границ, что на низких частотах приводит к значительной величине ау.

= (5)

дЕ

При наложении на кристалл внешнего электрического поля Е те домены, в которых вектор Ps параллелен Е, расширяются (за счет движения доменных стенок), а те, в которых эти векторы антипараллельны, сжимаются. В результате при изменении электрического поля по синусоидальному закону мы получаем вклад в диэлектрическую проницаемость пропорциональный спонтанной поляризации. Частоты, на которых этот механизм дает вклад в диэлектрическую проницаемость, зависят от размеров кристалла, подвижности доменных стенок и лежат в районе 10-Ю2 Hz.

Наличие внутреннего поля, обусловленного замороженными дефектами приводит к невозможности изменения части доменов, что и сказывается на разнице е(Т) для кристаллов поляризованных по и против направления внутреннего поля. Благодаря этому измеряя е(Т,со) на низких частотах можно оценить ход спонтанной поляризации, подвижность доменных стенок и дефектность кристаллов ТГС.

Исследование полярных свойств поляризованных кристаллов ТГС в диапазоне инфранизких частот переполяризующим переменным электрическим полем проводились с использованием методики Мерца. Кристалл подвергался циклической переполяризации внешним электрическим полем с амплитудой ±120 V. Значение крутизны фронта нарастания сигнала являлось фиксированной величиной и составляло 29 V/s.

Для исследования использовались образцы с усиленной и инверсной поляризованностью. Для всех экспериментов поляризация образцов проводилась в одинаковых условиях: напряженность электрического поля составляла 103 V/cm, время поляризации -3 h. Большое время искусственной переполяризации не исключало возможности инверсии как поляризованности, так и собственного электрического поля кристалла Измерения проводились при температуре 25°С. С помощью двухкоординатного самописца регистрировались кривые токов переключения кристалла ТГС.

Плотность тока в кристалле определяется выражением (6). Учитывая, что ток проводимости в кристалле равен нулю, можно записать:

• 1 дР ((Л

у = — = — (6)

S dt

Из выражения (7) видно, что при переходе от дифференциальной кривой

dP__dP_ dE_ dt dE dt

переключения I(E) к интегральной P(E), необходимо обращать внимание и учитывать вид зависимости формы сигнала переполяризующего поля от времени E(t). При использовании методики, предложенной в данной работе, пе-

реключение поляризации происходит на линейных, наклонных участках переполяризующего поля, т.е. второй множитель правой части (7) является постоянной величиной. Тогда определение зависимости Р(Е) сводится к обычному интегрированию:

Р = -

сот/ ■

\1{Е)с1Е

(8)

По данным, полученным после оцифровки дифференциальных кривых 1(Е), используя численное интегрирование, а именно метод прямоугольников, были восстановлены интегральные петли диэлектрического гистерезиса. Исследование более информативной зависимости Р(Е) позволяет облегчить задачу по анализу полярных свойств кристалла.

На рис. 6 представлены интегральные петли диэлектрического гистерезиса трех циклов переключения поляризации (кривые !, 2, 3) для образца с усиленной (а) и инверсной поляризованностью (6).

•70 » -20

; <

в 8

Р, С/т2

/Й

'/г

Р. С/т2

О 30 ■

Е, V/m

.ю1

► 3

■20

« -11

■ ■

о о «

Е, \//т

_х 103

а) б)

Рис. 6

Интегральная кривая Р(Е) для инверсно - поляризованного образца значительно смещена в область положительных Е и отрицательных Р. С каждым последующим циклом переключения поляризации несимметричность петли по оси Р уменьшается и исчезает, чего нельзя сказать о симметрии коэрцитивных полей, которая незначительно уменьшается в процессе нескольких переключений. Кривая Р(Е) для образца с усиленной поляризованностью значительно смещена в область отрицательных напряжений переключения. В отличие от кристалла с инверсной поляризованностью, симметрия по осям Р и Е восстанавливается практически полностью спустя три цикла переключения поляризации.

На всех кривых диэлектрического гистерезиса максимальная и минимальная поляризованное™ соответствуют спонтанной, отсутствие участка индуцированной поляризованное™ связано с недостаточной амплитудой пе-

реполяризующего поля.

На интегральных петлях диэлектрического гистерезиса четко просматривается униполярность кристаллов, причем униполярные свойства образца с инверсной поляризованностью в несколько раз сильнее, чем для образа с усиленной поляризованностью.

Выявленная несимметричность формы петли диэлектрического гистерезиса поляризованных образцов относительно переполяризующего поля, о чем свидетельствует ЕС*Ф Её, позволяет делать вывод о наличие собственного электрического поля в образце. Дело в том, что при наличии полярной оси и двух возможных направлений спонтанной поляризованности Ps, вдоль этой оси оказывается, что оба направления уже не равноправны - поляризоваться (деполяризоваться) в одном направлении оказывается легче (или труднее), чем в другом. Дефекты роста доменных границ, приводят к возникновению внутреннего поля в кристалле, которое и является причиной того, что перестройка доменной структуры в одном направлении осуществляется легче (энергетически выгоднее), чем в другом.

В процессе третьего переключения поляризации униполярность исчезает, а внутреннее поле остается, причем по смещениям интегральной петли в различные стороны кристалла с инверсной и наведенной поляризованностью можно делать вывод о внутренних полях различного знака в этих образцах.

После исчезновения униполярных свойств (третий цикл переключения), когда образец поляризуется одинаково в двух направлениях (Ps*= Ps~) , по смещению петель гистерезиса проведен расчет собственного электрического поля кристаллов. Для кристалла с инверсной поляризованностью Есо(кв=-1Л0ъ V/m, с наведенной поляризованностью £сойга=2,75-103 V/m.

В третьей главе «Моделирование распределения пирокоэффициента по толщине кристалла» описана методика построения модели распределения температуры по толщине кристалла с течением времени при воздействии на кристалл одиночного теплового импульса. Приведена модель процесса пиро-эффекта и результаты решения задачи восстановления профиля распределения пироэлектрического коэффициента для номинально чистого ТГС, предварительно поляризованного в постоянном электрическом поле в направлении, противоположном собственному полю.

Экспериментальными методами невозможно точно определить температуру, при которой происходит инверсия полярной структуры кристалла. Для определения одномерного распределения температуры по толщине кристалла с течением времени T(x,t) проведено решение задачи теплопроводности при воздействии на образец одиночного теплового импульса с учетом линейности потока тепла на границе. Решение задачи теплопроводности можно получить в виде интеграла от функции источника:

T(x,t) = ¡g(x)G{x,t-x)dx

r 2 N

Aa't

функция источника, a2 - коэффициент тем-

где G(x,t)~— exp 2^na2t

пературопроводности кристалла, q(т) - распределение теплового потока.

Сопоставление модельных зависимостей Г(х,/) и экспериментальных кривых /(?) для нескольких пироэлектрических откликов позволяет рассчитать глубину прогрева кристалла одиночным тепловым импульсом (12,5-10"5 ш) и температуру инверсии полярной структуры (40,5 °С).

Для определения распределения пирокоэффициента у(х) по толщине кристалла воспользуемся выражением для пироэлектрического тока в одномерном случае:

mJ-W-^-dx m

d о 7 8t

где T(x,t) - тепловое поле в образце, S - площадь грани кристалла, d - толщина кристалла.

При подстановке (9) в формулу (10) окончательная формула решения обратной задачи пироэффекта примет вид:

{ 2 \

/(О = ^)'у(*)-Д=ехр {и)

d о 2л/тia2t I 4а Ч Последнее уравнение является интегральным уравнением Фредгольма I рода и относится к классу некорректных задач. Одним из распространенных и привлекательных в алгоритмическом плане методов решения некорректных задач является метод регуляризации Тихонова [7]. Хотя в литературе представлены и другие подходы к восстановлению профиля поляризованное™ кристалла [8].

Рассмотрим интегральное уравнение Фредгольма 1-ого рода с гладким ядром K(x,t), записанное в операторном виде:

Аи = b\K(x,t}i{x)dx = fit), te[c,d] (12)

где K(x,t)eCi\c,d]-x[a,b"\), f(t)eb2[c,d] (L2 - пространство квадратично

суммируемых функций).

Пусть А, АI, - линейные ограниченные операторы, где Ah - аппроксимирующий интегральный оператор, соответствующий ядру Kh(t,x), h> 0 -

погрешность аппроксимации, т.е. \\ А — ||((/, ^ < h- Предположим, что из априорных соображений известно, что у(х) - кусочно-гладкая. Построим при-

ближенное решение, принадлежащее (пространство квадратично

суммируемых функций, имеющих квадратично суммируемые производные), по заданному набору данных {Ак, /§, Г)}, Т] = (8, И), где 5 > 0 - погрешность задания правой части уравнения (12), т.е. || У — У§ ||< 5 .

В соответствии с методом регуляризации [7] введем в рассмотрение сглаживающий функционал = Ц^у +а||у||^| :

Ма=Т\Ы^х)¿Л + а|(у2(х) + (у'(х))2^ (13)

с \а ) а

где а>0 - параметр регуляризации.

Реализация экстремальной задачи о минимизации функционала

Ма[у] требует решения уравнения Эйлера:

А*Ау^+аЬу = А/ь (14)

где А - интегральный оператор, сопряженный оператору А,Ь- стабилизатор п-то порядка.

Выбор параметра регуляризации а можно осуществить в соответствии с принципом обобщенной невязки [7]:

р(а)=|М„< -У8 ||2 -(5 + /* К Н)2-Ц2(/5,Л/,) = 0 (15)

где |~1.(У§, А^) = || А^Ы — У§ || - мера несовместности уравнения с

иеО

приближенными данными.

2 2 2

При этом если выполнено условие || || > 8 (У§,у4/7), то

уравнение имеет один положительный корень, который выбирается в качестве параметра регуляризации в методе А.Н. Тихонова. Для отыскания корня

уравнения

была

использована

Рис. 7

модификация метода хорд. Построение конечномерной аппроксимации функционала Ма[у] и применение квадратурных формул Ньютона - Котеса позволяет получить приближенное решение задачи (14-15). На рис.7 представлены результаты моделирования профиля распределения пироэлектрического коэффициента для экспериментальных зависимостей пирооткликов, приведенных на рис. 2.

"С

и о

1,5

0,5 -

-0,5-1

39,3

39,9

40,4

Т.°С Рис. 8

Модель реализована в среде Ма^аЬ. Соответствующие наборы экспериментальных точек 1(0 были аппроксимированы кубическим сплайном.

При реализации модели проводился контроль невязок полученного решения и параметра эффективной погрешности, учитывающей уровни ошибки измерений и дискретизации. Вычислительный эксперимент по-

зволил определить оптимальные в каждом случае параметры моделирования: коэффициент регуляризации (с^Ю"16) и вычисленное по относительной ошибке число экспериментальных точек (N-20).

Адекватность математической модели устанавливалась по тестированию программы на ряде примеров, для которых известны аналитические решения, а также относительно решения обратной задачи пироэффекта в линейном режиме. На рис. 8 в узком интервале температур 39-41 °С в слое образца с координатой х= 12,5-10"5 ш, где происходит инверсия поляризованно-сти, представлена кривая зависимости пирокоэффициента от температуры кристалла.

В приложении представлен листинг программы по моделированию распределения пирокоэффициента по толщине кристалла.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ

Экспериментально исследованы диэлектрические и пироэлектрические свойства номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле. Разработана модель распределения пирокоэффициента по толщине кристалла.

1. Исследовано распределение поляризованное™ по толщине номинально чистого ТГС с наведенной в постоянном электрическом поле полярной структурой методом динамического пироэффекта в условиях импульсного нагрева. Установлено, что для образца с наведенной поляргоованностью против собственного поля кривая зависимости амплитуды пиротока от температуры в процессе нагрева имеет два пика. Первый пик лежит в области положительных значений, второй - в области отрицательных.

2. В интервале температур АГ-39 - 41 °С обнаружено явление инверсии полярности пироотклика в процессе нагрева ТГС с наведенной поляризован-ностью.

3. Построена модель распределения пирокоэффициента по толщине кристалла с использованием экспериментальных зависимостей пироэлектрического тока.

4. Установлено, что форма кривых координатной зависимости пирокоэффи-циента подтверждает наличие слоя с инверсной поляризацией в кристалле и увеличение его толщины с ростом температуры. Проведен расчет толщины переходного слоя и температуры, при которой происходит инверсия поляризованное™.

5. Исследовано влияние внутреннего поля на низкочастотную диэлектрическую проницаемость номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле. Установлено, что действительная часть диэлектрической проницаемости зависит от направления спонтанной поляризации по отношению к направлению собственного электрического поля ТГС. Частоты, на которых вклад в диэлектрическую проницаемость пропорционален спонтанной поляризации, зависят от размеров кристалла, и лежат в районе 10-102 Hz.

6. Проведено исследование петель гистерезиса различно поляризованных сегнетоэлектрических кристаллов ТГС в диапазоне инфранизких частот переполяризующим переменным электрическим полем. Выявлена несимметричность формы петли диэлектрического гистерезиса поляризованных образцов, что позволяет делать вывод о наличие собственного электрического поля в кристалле.

7. Используя экспериментальные токовые петли гистерезиса, проведено вычисление интегральных поляризационных кривых. Рассчитана величина собственного электрического поля кристаллов. Установлено, что собственные электрические поля образцов с инверсной и наведенной поляризацией различны по величине и знаку.

Список основных публикаций

1. Кушнарев П.И., Масловская А.Г., Согр A.A. Моделирование пироотклика в окрестности фазового перехода. // Информатика и системы управления. -Благовещенск, 2004.№7.С.57-64.

2. Кушнарев П.И., Барышников C.B. Униполярные свойства поляризованных кристаллов триглицинсульфата. Н Материалы VI региональной научной конференции. - Благовещенск, 2006. С.43-45.

3. Кушнарев П.И. Термостимулированная инверсия поляризованное™ поверхностного слоя ТГС. // Материалы VIII Региональной межвузовской научно-практической конференции Молодежь XXI века: шаг в будущее. -Благовещенск, 2007. С.254-255.

4. Kushnarev P.I., Baryshnikov S.V. Studies of ferroelectric crystals TGS surface layers inverse polarization. // "Перспективные материалы" специальный выпуск (сентябрь 2007). - M, 2007.С.381- 384.

5. Масловская А.Г., Копылова И.Б., Кушнарев П.И. Процесс переполяризации сегнетоэлектрического кристалла ТГС в инжекционном режиме. //

Материалы XI Международной конференции по физике диэлектриков. Диэлектрики-2008. - С-Петербург, 2008. С.75-78.

6. Кушнарев П.И. Температурная зависимость низкочастотной диэлектрической проницаемости поляризованных кристаллов ТГС, // Материалы V Международной научно-технической конференции Молодые ученые-2008,-М, 2008. С.137-140.

7. Кушнарев П.И., Барышников C.B., Маслов В.В. Диэлектрическая проницаемость поляризованных кристаллов ТГС. // Известия Российского государственного педагогического университета имени А.И.Герцена. - С-Петербург, 2009. №11: Естественные и точные науки. Физика. - С.140-144.

8. Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2009610969 (Российская Федерация). Программа моделирования координатных зависимостей пирокоэффициента сегнетоэлектрических кристаллов методом регуляризации по Тихонову. // Масловская А. Г., Кушнарев П. И. !

Цитируемая литература

1. Струков Б. А., Леванюк А. П., Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. - М.: Наука, 1995. - 304с.

2. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин A.C., Сидоркин A.A. Термо-стимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла тригли-цинсульфата. // ФТТ. 2001. Т. 43. Выпуск 7. С. 1272-1273. ;

3. Сидоркин A.C., Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в сегнетоэлектриче-ском кристалле триглицинсульфата с дефектами. //ФТТ. 1991. Т.33. Выпуск 8. С. 2458-2460.

4. Леманов В.В., Шульман С.Г., Ярмаркин В.К., Попов С.Н., Панкова Г.А. Пироэлектрический, пьезоэлектрический и поляризационный отклики кристаллов глицин - фосфита с примесью глицин - фосфата. //¡ФТТ. 2004. Т. 46. Выпуск 7. С. 1246-1251. [

5. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин A.C., Сидоркин A.A. Термо-стимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла триглицинсульфата. // ФТТ. 2001. Г. 43. Выпуск 7. С. 1272-1274. [

6. Шут В.Н., Кашевич И.Ф., Сырцов С.Р. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примеси хрома.//ФТТ. 2008. Т. 50. Выпуск 1.С. 115-118.

7. Тихонов А.Н., Арсенин В .Я. Методы решения некорректных задач. - М.: Наука, 1979.-285с.

8. Малышкина О.В., Мовчикова A.A. Расчет координатных зависимостей эффективного значения пирокоэффициента в условиях прямоугольной модуляции теплового потока. // ФТТ. 2007. Т.49. Выпуск 6. С. 965-966.

клпшарен Ihmc.i Иианонпч

Ди иекфическме и ([itpo i. ic к i pti'iccKiic cwnífc i на мшполярпых Kpiíci ; i Lion IM Папашино на pu ян рафс (H'Y'3 \( >. iK :> <!'. p\i... 6()xS-t 16. Гнрлж ! Kl iviKu i 002.

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата физико-математических наук, Кушнарев, Павел Иванович

Введение.

Глава 1. Домены, дефекты и полярная структура сегнетоэлектриков.

1.1. Доменная структура и переключение поляризации.

1.2. Тепловые свойства сегнетоэлектриков.

1.3. Пироэлектрический эффект и методы его измерения.

1.4. Температурно-частотная зависимость диэлектрической проницаемости.

1.5. Влияние дефектов и примесей на электрофизические свойства сегнетоэлектрических кристаллов.

1.6. Структура и свойства триглицинсульфата.

Выводы по главе.

Глава 2. Исследование пироэлектрических и диэлектрических свойств номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС.

2.1. Исследование полярных свойств ТГС методом динамического пироэффекта.

2.2. Исследование диэлектрических свойств, предварительно поляризованных кристаллов ТГС.

2.3. Исследование полярных свойств ТГС в диапазоне инфранизких частот переполяризующего электрического поля.

Выводы по главе.

Глава 3. Моделирование распределения пирокоэффициента по толщине кристалла.

3.1. Постановка задачи математического моделирования.

3.2. Метод регуляризации для решения интегральных уравнений Фредгольма I рода.

Введение диссертация по физике, на тему "Диэлектрические и пироэлектрические свойства униполярных кристаллов ТГС"

Интерес к изучению закономерностей переполяризации кристаллов группы триглицинсульфата имеет давнюю предысторию [1,2]. Процесс выращивания кристаллов триглицинсульфата сопровождается возникновением внутреннего смещающего электрического поля, которое образуется распределением по его объему составных дипольных комплексов и заряженных примесей [43,44]. При этом кристалл, выращенный выше точки Кюри, будет иметь систему полярных дефектов, распределенных по объему кристалла с равновероятным направлением дипольных моментов по и против полярной оси [31]. Напротив, кристалл, полученный ниже точки Кюри, будет иметь полярные примеси с преимущественной ориентацией дипольных моментов по одному направлению - вдоль вектора спонтанной поляризации. Каждый полярный дефект при Т<ТС представляет собой как бы зародыш несимметричной полярной фазы и при охлаждении кристалла ниже Тс определяет направление установления спонтанной поляризации.

Изменение температуры поверхности и внутренних слоев сегнетоэлектрического материала порождает многочисленные электрические эффекты, анализ которых позволяет оценить степень униполярности и наличие собственного электрического поля в исследуемых образцах. Тепловая волна, проникая в глубь кристалла, является аналитическим тепловым зондом, который может выявить неоднородности кристалла и особенности его теплофизических характеристик, что важно с точки зрения построения методик исследования свойств пироэлектриков. В литературе представлены данные, свидетельствующие об основной роли специально вводимых в образец примесей в формировании собственного электрического поля сегнетоэлектриков [147-149]. Однако особенности формирования внутреннего электрического поля в номинально чистых ТГС исследованы не в полном объеме.

Поэтому исследование униполярных и электрофизических свойств номинально чистых кристаллов группы ТГС, понимание особенностей формирования собственного электрического поля - актуальные направления в области сегнетоэлектрических явлений.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать экспериментальную установку для исследования поляризационных процессов образцов методом динамического пироэффекта.

2. Исследовать распределение поляризованности по толщине номинально чистого ТГС с наведенной в постоянном электрическом поле полярной структурой методом динамического пироэффекта в условиях импульсного нагрева.

3. Исследовать влияние внутреннего поля на низкочастотную диэлектрическую проницаемость номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле.

4. Провести исследование токовых петель гистерезиса различно поляризованных образцов ТГС, используя инфра низкие частоты переполяризации.

5. Построить модель распределения пирокоэффициента по толщине кристалла с использованием экспериментальных зависимостей пироэлектрического тока. Провести анализ температурной зависимости пирокоэффициента ТГС с наведенной в постоянном электрическом поле по ляризованностью.

Научная новизна

3. Обнаружено что, исследуя действительную диэлектрическую проницаемость на низких частотах, можно оценить ход спонтанной поляризации, подвижность доменных стенок и дефектность кристаллов ТГС.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Для ТГС с наведенной поляризованностью против собственного поля кривая зависимости амплитуды пиротока от температуры в процессе нагрева имеет два пика. Первый пик лежит в области положительных значений, второй - в области отрицательных. В интервале температур ДТ -39 н- 41 °С происходит инверсия полярности пироотклика.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на V Международной научно-технической школы-конференции

Молодые ученые-2008» (Москва, 2008); VIII Российско-Китайском симпозиуме «Новые материалы и технологии» (Китай, Гуан-Чжоу, 2005); XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Пенза, 2005); XVIII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (С-Петербург, 2008); XIII региональной научно - практической конференции «Молодёжь XXI века: шаг в будущее» (Благовещенск, 2007); региональных конференциях по физике (Владивосток 2004, 2006).

Публикации и личный вклад автора. По материалам диссертации опубликовано 13 работ: 7 статей (из них две в журналах, входящих в список ВАК), свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ, 5 тезисов докладов. Все основные результаты работы, отраженные в соавторских публикациях, получены непосредственно диссертантом. Выбор направлений исследования, постановка задач, анализ и обобщение результатов, а также формулировка выводов по работе осуществлены совместно с научным руководителем. Соавторы совместных публикаций принимали участие в создании некоторых физических моделей и проведении вычислительных экспериментов.

Структура диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения, списка цитируемой литературы и одного приложения. Рукопись диссертации содержит 134 машинописных страниц основного текста, 3 таблицы, 39 рисунков, библиографию из 199 наименований и 6 страниц приложения.

Заключение диссертации по теме "Физика конденсированного состояния"

Выводы по главе

Установлена некорректность задачи по восстановлению профиля распределения пироэлектрического коэффициента. Рассмотрены способы решения интегральных уравнений Фредгольма I рода.

Используя экспериментальные зависимости пироэлектрического тока от времени нагрева образца, построена модель, реализующая решение обратной задачи пироэффекта методом регуляризации по Тихонову. Восстановлен профиль распределения пироэлектрического коэффициента по толщине кристалла. Построена зависимость пирокоэффициента от температуры поляризованного образца, что позволило точно определить температуру инверсии поляризованности и толщину переходного слоя.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные научные результаты, полученные автором:

1. Разработана экспериментальная установка для исследования поляризационных процессов сегнетоэлектрических образцов методом динамического пироэффекта.

2. Исследовано распределение поляризованности по толщине номинально чистого ТГС с наведенной в постоянном электрическом поле полярной структурой методом динамического пироэффекта в условиях импульсного нагрева. Установлено, что для образца с наведенной поляризованностью против собственного поля кривая зависимости амплитуды пиротока от температуры в процессе нагрева имеет два пика. Первый пик лежит в области положительных значений, второй - в области отрицательных.

3. В интервале температур АТ -39 - 41°С обнаружено явление инверсии полярности пироотклика в процессе нагрева ТГС с наведенной поляризованностью.

4. Построена модель распределения пирокоэффициента по толщине кристалла с использованием экспериментальных зависимостей пироэлектрического тока.

5. Установлено, что форма кривых координатной зависимости пирокоэффициента подтверждает наличие слоя с инверсной поляризацией в кристалле и его увеличение с ростом температуры. Проведен расчет толщины переходного слоя и температуры, при которой происходит инверсия поляризованности.

6. Исследовано влияние внутреннего поля на низкочастотную диэлектрическую проницаемость номинально чистых кристаллов ТГС, предварительно поляризованных в постоянном электрическом поле. Обнаружено что, исследуя действительную диэлектрическую проницаемость на низких частотах, можно оценить ход спонтанной поляризации, подвижность доменных стенок и дефектность кристаллов ТГС.

7. Установлено, что действительная часть диэлектрической проницаемости зависит от направления спонтанной поляризации по отношению к направлению собственного электрического поля ТГС. Частоты, на которых вклад в диэлектрическую проницаемость пропорционален спонтанной поляризации, зависят от размеров кристалла, и лежат в районе 10-102 Гц.

8. Проведено исследование полярных свойств различно поляризованных сегнетоэлектрических кристаллов ТГС в диапазоне инфранизких частот переполяризующим переменным электрическим полем. Выявлена несимметричность формы петли диэлектрического гистерезиса поляризованных образцов, что позволяет делать вывод о наличие собственного электрического поля в кристалле.

9. Используя экспериментальные токовые петли гистерезиса, проведено вычисление интегральных поляризационных кривых. Рассчитана величина собственного электрического поля кристаллов. Установлено, что собственные электрические поля образцов с инверсной и наведенной поляризацией различны по величине и знаку.

Список источников диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Кушнарев, Павел Иванович, Благовещенск

1. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник H.H., Пасынков P.E., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. -М.: Наука, 1971.-465 с.

2. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1995. - 304 с.

3. Л айне М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981.- 725 с.

4. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Наука, 1986.-248 с.

5. Барфут Д., Тейлор Д. Полярные диэлектрики и их применения. М.: Мир,1981.-526 с.

6. Гаврилова Н.Д., Данилычева М.Н., Новик В.К. Пироэлектричество. М.: Знание, 1989.-64 с.

7. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества. М.: Атомиздат, 1973. -463 с.

8. Шувалов Л.А. Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград: Изд. «Волгоградская правда», 1978. - 198с.

9. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965. -555 с.

10. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. - М.: Наука, 1976. -408 с.

11. Пешиков Е.В. Действие радиации на сегнетоэлектрики. Ташкент: «ФАН», 1972.- 150 с.

12. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты на сегнетоэлектриках. Ташкент: «ФАН», 1986. - 139с.

13. Малышкина О.В. Определение коэффициента униполярности почастотным зависимостям пиротока.//Конденсированные среды и межфазные границы. -2000. Т.2. - № 4. - С.299-300.

14. Струков Б. А. Сегнетоэлектричество в кристаллах и жидких кристаллах: природа явлений, фазовые переходы, нетрадиционные состояния вещества//Соросовский Образовательный Журнал. 1996. - № 4. - С.81-89.

15. Попов Э.С., Рапопорт C.JI. К вопросу о переполяризации сегнетоэлектриков в слабых переменных полях//Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград, 1970. С. 45-54.

16. Шильников А.В. К вопросу о переполяризации кристаллов триглицинсульфата в переменных полях низкой частоты//Физика диэлектриков и полупроводников: Сб. Волгоград, 1970. Вып. 29. - С. 95106.

17. Донцова Л.И., Тихомирова Н.А., Шувалов JI.A. Исследование динамики доменной структуры ТГС в синусоидальных электрических полях//Физика диэлектриков и полупроводников: Сб. Волгоград, 1978. С. 92-106.

18. Шильников А.В., Галиярова Н.М., Поздняков А.П. О закономерностях переполяризации кристаллов ДТГС в синусоидальных электрических полях//Изв. РАН. Сер. физ. 2003. Т. 67. - № 8. - С. 1113-1116.

19. Merz W.J. Domain formation and domain wall motion in ferroelectric BaTi03 single crystals.//Phys. Rev. 1954. - V. 95. - P. 690 - 698.

20. Копылова И.Б. Инжекция электронного зонда растрового электронного микроскопа в монокристаллы ТГС. Дис. канд. физ.-мат. наук., Благовещенск: АмурКНИИ, 1996. 113с.

21. Шувалов JI.А. Кристаллография. М.: Наука, 1963. - 617с.

22. Шувалов JI.A., Урусовская А.А, Желудев И.С., Залесский A.B., Семилетов С.А., Гречушников Б.Н., Чистяков И.Г., Пикин С.А. Современная кристаллография. М.: Наука, 1981. - Т.4. - 472 с.

23. Струков Б.А. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с дефектами//Соросовский Образовательный Журнал. 1997. - № 12. - С. 95-101.

24. Косоротов В.Ф., Кременчугский JI.C., Самойлов Б.Ф., Щедрина JI.B. Пироэлектрический эффект и его практическое применение. Киев: Наука, 1989. -224с.

25. Пельц С.Д., Карпельсон А.Е. Третичный пироэффект и распределение потенциала в пьезоэлектриках//ФТТ. 1971. - Т. 13. - Вып. 10. - С. 31043106.

26. Масловская А.Г., Согр A.A. Влияние нелинейных пироэлектрических свойств на форму пироэлектрического отклика//Тез докл. регион, школы -симпозиума Физика и химия твердого тела. Благовещенск, 2003. - С 5758.

27. Смоленский Г.А. Физика сегнетоэлектрических явлений. М.: Наука, 1985.- 396 с.

28. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Минск: Наука и техника, 1986. - 185 с.

29. Струков Б.А. Пироэлектрические материалы: свойства и применение//Соросовский Образовательный Журнал. 1998. № 5. - С. 96101.

30. Chynoweth A.G., Journ. Appl. Phys, 27, 78 (1956).

31. Bhalla A.S., Fang С.S., Xi Y., Cross L.E. Pyroelectric properties of the alanineand arsenic doped TGS single crystals//Appl. Phys. Left. 1983. Vol. 43 - № 10,- P. 932-934.

32. Rez J.S., Tsedrik M.S., Vasilevsry S.A. Growth and properties of new ferroelectric crystal L a - ADTGSP//6-th Intern. Meet, on Ferroelectricity, Abstr. Kobe, 1985. - P 11 - 403.

33. Стукова Е.В., Барышников C.B. Диэлектрическая проницаемость пористых матриц, заполненных триглицинсульфатом//Современные наукоемкие технологии. 2006. - № 1. - С.63-64.

34. Рез И.С., Поплавко Ю.М. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. М.: Радио и связь. - 1989 - 288 с.

35. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев. 1980. - С. 347.

36. Богомолов A.A., Сергеева О.Н., Киселев Д.А., Пронин И.П., Афанасьев В.П. Фото пироэлектрический эффект в плёнках ЦТС// Материалы международной научной конф. «Тонкие пленки и наноструктуры». МИРЭА.: Москва, 2004. - 4.1. - С.31-33.

37. Богомолов A.A., Сергеева О.Н., Киселев Д.А., Каптелов Е.Ю., Пронин И.П. Пироэлектрический эффект в плёнках ЦТС с избыточным содержанием свинца//Материалы Межд. научной конф. «Тонкие пленки и наноструктуры». Москва, 2004. 4.1. - С. 159-161.

38. Шут В.Н., Кашевич И.Ф., Сырцов С.Р. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примеси хрома//ФТТ. 2008. - Т. 50. - Выпуск 1. - С. 115-118.

39. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин A.C., Сидоркин A.A. Термостимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла триглицинсульфата//ФТТ. 2001. - Т. 43. - Вып. 7. - С. 1272 - 1274.

40. Сидоркин А.С., Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в сегиетоэлектрическом кристалле триглицинсульфата с дефектами. //ФТТ. 1991. Т.ЗЗ. Выпуск 8. С. 2458-2460.

41. Бородин В.З., Гах С.Г. Изв. АН СССР. Сер. физ.,46, 6, 1081 (1984).

42. Darinskii В.М., Sidorkin A.S., Milovodova S.D. Ferroelectrics 142, 45 (1993).

43. Миловидова С.Д., Сидоркин A.C., Рогазинская О.В. Кристаллография 47, 5, 876 (2002).

44. Miller R.C., Savage A. Further experiments on the sidewise motion of 180° domain walls in BaTi03//Phys. Rev. 1959. - V. 115. - P. 1176 - 1180.о

45. Miller R.C., Savage A. Motion of 180 domain walls in metal electroded barium titanat crystals as a function on electron field and sample thikness//J. Appl. Phys. 1960. - V. 31. - P. 662 - 669.

46. Merz W.J. Domain formation and domain wall motion in ferroelectric BaTi03 single crystals//Phys. Rev. 1954. - V. 95. - P. 690 - 698.

47. Подольский B.A., Дуда B.M., Дудник Е.Ф., Синяков Е.В. Динамика доменных границ в монокристаллах титаната висмута//ФТТ. 1974. -Т. 16. - Вып. 9.-С. 2787-2789.

48. Донцова Л.И., Попов Э.С. Плотность поверхностной энергии и спонтанное движение доменных стенок в кристаллах ТГС//Изв. АН СССР, Сер физич. -1975. Т. 39. - № 4. - С. 854-856.

49. Белугина Н.В. Доменная структура, неоднородность поляризации и некоторые физические свойства кристаллов ТГС с различной степенью дефектности//Автореф.канд. физ.-мат. наук. Москва, 1997.о

50. Донцова Л.И. Доменная структура и процессы 180 переполяризации модельных сегнетоэлектриков//Автореф.д-ра физ.-мат. наук. Воронеж, 1991.

51. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Бачко Р.Г., Миллер Г.Д., Фейер М. М., Байер Р.Л. Кинетика доменов при создании периодической доменной структуры в ниобате лития//ФТТ. 1999. - Т. 41. - Вып. 10. - С. 1831-1837.

52. Lupascu D.C., Utschig N., Shur V.Ya and ShurA.G. The dynamics of domain walls determinet from acoustic emission measurements//Ferroelectrics. -2003. -V. 290. P. 207-215.

53. Shur V.Ya., Rumyantsev E.L., Nikolaeva E.V. and Shihkin E.I. Formation and evolution of charged domain walls in congruent lithium niobate//J. Appl.Phis. -2000,-V. 77,-P. 3636-3638.

54. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Куминов В.П., Субботин А.Л., Николаева Е.В. Движение плоской доменной стенки в сегнетоэлектрике сегнетоэластике молибдате гадолиния//ФТТ. - 1999. - Т. 41. - Вып. 1. - С. 126-129.

55. Шур В.Я., Николаева Е.В., Шишкин Е.И., Кожевников В.Л., Черных А.П. Кинетика доменной структуры и токи переключения в монокристаллах конгруэнтного и стехиометрического танталата лития//ФТТ. 2002. - Т. 44. - Вып. 11. - С. 2055-2060.

56. Шур В.Я., Кожевников В.Л., Пелегов Д.В., Николаева Е.В., Шишкин Е.И. Скачки Баркгаузена при движении одиночной сегнетоэлектрической доменной стенки//ФТТ. 2001. - Т. 43. - Вып.6. - С. 1089-1092.

57. Shur V.Ya. And Rumyantsev E.L. Kinetics of ferroelectric domain structure: retardation effects//Ferroelectrics. 1997. - V. 191. - P. 527 - 541.

58. Шур В.Я., Ломакин Г.Г., Куминов В.П., Пелегов Д.В., Белоглазов С.С., Словиковский С.В., Соркин И.Л. Кинетика фрактальных кластеров прифазовых приращениях в релаксорной PLZT керамике//ФТТ. 1999. - Т. 41. -Вып.З. - С. 505-509.

59. Шур В.Я., Негашев С.А., Субботин А.Л., Пелегов Д.В., Борисова Е.А., Бланкова Е.Б., Тролиер Маккинстри С. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата - титаната свинца при кристаллизации//ФТТ. - 1999. - Т. 41. - Вып.2. - С. 306-309.

60. Шур В.Я., Кожевников B.JX, Пелегов Д.В., Николаева Е.В., Шишкин Е.И. Фрактальная природа скачков Баркгаузена в сегнетоэлектриках. Тезисы XI Всер.конф. по физике сегнетоэектриков, Ростов на Дону, г. Азов, -1999. -с.70.

61. Shilnikov A.V., Nesterov V.N., Burkhanov A.I. Simulation motion of domain and interphase boundaries and their contribution to the dielectric propities of ferroelectrics//Ferroelectrics. 1996. - V. 175. - P. 145-151.

62. Алешин В.И., Лучанинов А.Г. Моделирование переполяризации кристалла и керамики типа BaTi03// Изв АН. Сер. Физич. 2001. - Т 65. -№8. - С.1114.

63. Бурханов А.И., Нестеров В.Н., Шильников A.B., Димза В.И. Процессы поляризации и переключение в неупорядоченных материалах типа керамики PLZT в присутствии примеси металлов//Изв. РАН Сер физич. -1995 -Т 59. №9.-С. 93 -96.

64. Нестеров В.Н, Шильников A.B. Моделирование на ЭВМ лапласового давления и его роль в некоторых процессах перестройки доменной структуры сегнетоэлектриков//Х1У Веер. конф. по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Иваново, 1995. С. 340.

65. Нестеров В.Н., Шильников A.B., Бурханов А.И. Процессы переключения в сегнетоэлектриках и их моделирование//Сб. трудов Междунар. Научно-практической конф. «Пьезотехника-95». МП Книга. Ростов, 1995. Т1. -С. 126-137.

66. Parlunsi К. Domain pattern formation near phase translation challenge for computer simulations//Ferroelectrics. - 1997. - V. 191. - P. 245 - 253.

67. Ломаев Г.В., Ходырев А.В. Моделирование движения доменной границы в конденсированных средах//Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках. Тез. докл. семинара, поев, памяти В. М. Рудяка. Тверь, 2002. С. 15.

68. Донцова Л.И., Булатова Л.Г., Попов Э.С., Шильников А.В., Чеботарев А.А., Тихомирова Н.А., Баранов А.И., Шувалов Л.А. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС//Кристаллография. 1982. - Т.27. - Вып. 2. - С. 305-312.

69. Донцова Л.П., Тихомирова Н.А., Гинзберг А.В. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата//ФТТ. 1988. - Т. 30. - Вып. 9. - С. 2692-2697.

70. Коханчик Л.С. Методические особенности исследования сегнетоэлектрических материалов в РЭМ//Заводская лаборатория. -1994.-№7.- С. 21-25

71. Олейник А.С. Взаимодействие поверхности кристалла РЬ2п13М)2зОз с электронным лучом в РЭМ//Тез. докл. XI Веер. конф. по электронной микроскопии. М.: Наука, 1979. - 78 с.

72. Коханчик Л.С. Развитие метода растровой электронной микроскопии для исследования сегнетоэлектрических доменов разного типа//В кн.: Тез. докл. XIII Всес. Конф. По электронной микроскопии. -1987. С. 481- 482.

73. Uchicawa Y., Ikeda S. Application of scanning electron microscopy (SEM) to analisis of surface domain structure of ferroelectrics//Scanning electron microscopy. 1981. - № 1. - P. 209-220.

74. Le Bihan R. and Beudon D. Study of ferroelectrics domain structure on BaTi03 crystals by pulling methods//Ferroelectrics. 1984. - V. 77. - P. 185-188.

75. Le Bihan R. Study of Ferroelectric Domain Structure by Scanning Electron Microscopy//Ferroelectrics. 1989. - V. 97. - P. 19.

76. Aristov V.V., Kazmiruk V.V., Ushakov N.G., Yakimov E.B. and Zaitsev S.I. Scanning electron microscopy in submicron structure diagnostics//Vakuum. -1988. -V. 38. P. 1045-1050.

77. Corp А.А., Бородин В.З. Наблюдение динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе//Изв. АН СССР. Сер. физич. 1984. - Т. 4. - № 6. - С. 1086-1089.

78. Согр А.А. Исследование сегнетоэлектриков при помощи РЭМ//Автореф. канд. физ.-мат. наук. Ростов-на Дону, 1981.

79. Sogr A.A. Domain Structure of Ferroelectrics Observed in the Scanning Electron Microscopy/VFerroelectrics. 1989. - V 97. - P. 47-57.

80. Corp A.A. Использование режима электронно-стимулированной поляризации в сегнетоэлектриках для формирования изображения доменной структуры в РЭМ//Изв. РАН. Сер. физич. 1996. - Т. 60. -№2. - С. 174-179.

81. Sogr A.A. and Kopylova I.B. Observation of the Domain Structure of Ferroelectrics with the Scanning Electron Microscope. 1997. - V. 191. - P. 193-198.

82. Corp А.А., Копылова И.Б. Исследование кинетики накопления и релаксации инжектированных зарядов в кристаллах ТГС//Изв. РАН. Сер. физич. 2000. - Т. 64. - № 6. - С. 1199-1202.

83. Копылова И.Б. Инжекция электронного зонда растрового электронного микроскопа в монокристаллы триглицинсульфата//Автореф.канд. физ.-мат. наук. Благовещенск, 1996.

84. Eng L.M., Fousek J. and Gunter P. Ferroelectric domains and domain boundaries observed by scanning force microscopy//Ferroelectrics. 1997. - V. 191.-P.211-218.

85. Большакова H.H., Зазнобин Т.О., Иванов В.В., Муравьева Е.Б., Педько Б.Б. Исследование процессов переключения кристаллов ниобата бария-стронция методов теплового эффекта Баркгаузена//ФТТ. 2006. - Т. 48. -Вып. 6. - С. 967-968.

86. Самедов О.А. Сегнетоэлектрические свойства TIInS2<Ge>. Институт Радиационных проблем НАН Азербайджана, 2003. №2. - С.60-64

87. Handi A., Thomas R., Laser stydy of reversible nucleation sites in triglicine sulphate and applications to pyroelectric detectors//Ferroelectrics. 1972. -V.4. -P. 39-49.

88. Богомолов A.A., Дабижа Т.А., Жаров С.Ю. Процессы локальной переполяризации термического происхождения в монокристаллах ТГС различной толщины/УСегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин: Калининский государственный университет. 1983. - С. 70-74.

89. Гриднев С.А., Попов В.М., Шувалов JI.A. Процессы медленной релаксации в монокристаллах триглицинсульфата//Известия РАН. Сер. физич. 1984. - Т. 48. - № 6. - С. 1226-1229.

90. Эпштейн Э.М. Влияние модуляции температуры на спонтанную поляризацию сегнетоэлектрика//ФТТ. 1986. - Т. 28. - С. 1268-1270.

91. Малышкина О.В. Исследование пироэлектрических свойств поверхностного слоя кристаллов германата свинца//Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь: Изд-во ТвГУ. - 1995. - С.79-84.

92. Дрождин С.Н., Куянцев М. А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата//ФТТ. 1998. - Т.40. - Вып. 8. -С. 1542-1545.

93. Grechishkin R.M., Malyshkina O.V., Prokofieva N.B. Effect of domain structure realignment on the pyroelectric current temperature dependence in gadolinium molybdate crystals//Ferroelectrics. 2001. - V. 251. - P. 207-212.

94. Новик В.К., Гаврилова Н.Д. Низкотемпературное пироэлектричество (Обзор)//ФТТ. 2000. - Т. 42. - Вып. 6. - С. 961-978.

95. Богомолов А.А., Сергеева О.Н., Киселев Д.А., Пронин И.П., Афанасьев В.П. Пиро- и фотоотклик в конденсаторных структурах на основе тонких пленок ЦТС//ФТТ. 2006. - Т. 48. - Вып. 6. - С. 1123-1126.

96. Handi A., Thomas R., Ungar S. and Grbaux X. Drastic modifications of electrical properties of ferroelectric crystal plates with thickness. The cast of triglicine sulphate//Ferroelectrics. V. 47. - 1983. - P. 201-220.

97. Handi A., Thomas R. Laser study and applications to pyroelectric detectors//Ferroelectrics. V. 49. - 1972. - P. 39-49.

98. Ярмаркин В.К., Шульман С.Г., Панкова Г.А., Леманов В.В. Пироэлектрические свойства кристаллов некоторых соединений на основе белковых аминокислот//ФТТ. 2005. - Т. 47. - Вып. 11. - С. 20472049.

99. Юрин В.А., Сильвестрова И.М., Желудев И.С. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата, облученных у-квантами//Кристаллография. 1962. - Т. 7. - Вып. 3. - С. 394-402.

100. Пешиков Е.В. Действие радиации на сегнетоэлектрики. Ташкент: Фан. -1972. 137 с.

101. Hilczer В. Influence of lattice defects on the properties of ferroelectrics//Mater. Sci. (PRL). 1976. - V. 2. - № 1-2. - P. 3-12.

102. Tsedrik M.S., Zaborovski G.A. Critical behavior and internal bias of TGS and isomorphous crystals depending on growth conditions//Krist. und Techn. -1976.-V. 11,-№4,-C. 373-381.

103. Brezina В., Havrankova M. L-alanine distribution in the growth pyramids of TGS crystals and its influence on the growth, switching and domain structure//Crystal Res. Technol. 1985. - V. 20. - № 6. - C. 787-794.

104. Цедрик M.C., Кравченя Э.М. Влияние примесей и условий выращивания на скорость роста и форму кристаллов триглицинсульфата//Свойства и структура газов, жидкостей и твердых тел. Минск.: Пед. Ин-т. Мн.,1974. С 83-89.

105. ПЗ.Белюстин А.В., Степанова Н.С., Горюнова А.В. Влияние примесей на регенерацию пластинок z-среза кристаллов дигидрофосфата калия//Изв. АН СССР. Неорг. Мат. 1978. - Т. 14. - № 2. - С. 280-283.

106. Желудев И.С., Лудупов Ц.Ж. Динамические диэлектрические свойства ТГС с примесями СгЗ+ и Си2+//Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1967. - Т. 31. -№7.-С. 1184-1187.

107. Камышева Л.Н., Годованная О.А., Миловидова С.Д., Константинова В.П. Исследование свойств триглицинсульфата, легированного хромом и а-аланином//Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1975. - Т. 39. - № 4. - С. 857-860.

108. Корина Р.В. О формах роста монокристаллов триглицинсульфата, легированных ионами железа и меди//Структура и свойства сегнетоэлектриков / Минск пед. Ин-т. Мн. 1975. - С. 14-17.

109. Корина Р.В., Афонская И.А., Иодковская К.В. Особенности роста и некоторые физические свойства монокристаллов триглицинсульфата с таллием // Свойства и структура сегнетоэлектриков. Минск.: Пед. Ин-т. Мн., 1977. - С. 15-26.

110. Цедрик М.С., Кравченя Э.М. Распределение примесей ионов меди в монокристаллах триглицинсульфата и триглицинселената//Структура и свойства сегнетоэлектриков. Минск.: Пед. Ин-т. Мн., 1975. - С. 71-78.

111. Tsedrik M.S., Kravchenya Е.М. Triglycine sulphate single crystals growing doped with copper and cobalt ions and study of their dielectric properties//Krist. and Techn. 1976. - V. 11. - № 1. - С 49-58.

112. Цедрик M.C., Кравченя Э.М. Выращивание монокристаллов группы триглицинсульфата из растворов, содержащих примеси//Свойства и структура сегнетоэлектриков. Минск.: пед. Ин-т. Мн., 1978. - С. 94-109.

113. Близнаков Г.М. Адсорбция посторонних примесей и механизм роста кристаллов//Кристаллография. 1959. - Т. 4. - Вып. 2. - С 150-156.

114. Huong P.V., Cornut J.C. The interconversion of the zwitterions and uncharged form of y-aminobutyric acid (GABA) at low temperatures//J.

115. Chem. Phys. 1976.-Y. 61.-P. 1087-1103.

116. Albrecht G., Corey R.B. The crystal structure of glycine//J. Amer. Chem. Soc. 1939.-V. 61.-P. 1087-1103.

117. Brezina В., Havrankova M. Orientation of structure and crystals of TGS and TGS doped with D, al or L, al.//Cryst. Res. Technol. 1985. - V. 20. - № 6. -P. 781-786.

118. Бакли Г. Рост кристаллов: Пер. с англ. М: Изд-во иностр. лит., 1954. -407 с.

119. Вайнштейн Б.К., Фридкин В.М., Инденбом B.JI. Структура кристаллов. -М.: Наука, 1979. Т 2. - 360 с.

120. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов A.C., Собянин A.A. Изменения структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов//Журн. Эксперим. и теор. физики. -1979. Т. 76. - Вып. 1. - С. 345-386.

121. Леванюк А.П., Сигов A.C., Собянин A.A. Сегнетоэлектрический фазовый переход в реальном кристалле//Сегнетоэлектрики. Ростов на Дону: Изд-во Рост. Ун-та. 1983. - С. 54-64.

122. Ван Бюрен Х.Г. Дефекты в кристаллах. Пер. с англ. М.: Изд-во иностр. лит., 1962. 584 с.

123. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. Пер.с англ. М.: Мир, 1969.- 64 с.

124. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах: Электрон, структура дефектов в диэлектриках и полупроводниках: Пер.с англ. М.: Мир, 1978.-Т. 1.- 569 с;-Т. 2.- 357 с.

125. Цедрик М.С., Заборовский Г.А., Кравченя Э.М., Марголин Л.Н. Диэлектрические свойства монокристаллов ТГС, легированных ионами Си, Cu-Ni и Na-K/УСегнетоэлектрики. Минск. Пед ин-т. Мн. 1985. - С.З-15.

126. Новик В.К., Гаврилова Н.Д. Низкотемпературное пироэлектричество (обзор)//ФТТ. 2000. - Т. 42. - С. 961 - 978.

127. Богомолов А.А, Сергеева О.Н., Киселев И.П., Пронин И.П., Афанасьев В.П. Пиро- и фотоотклик в конденсаторных структурах на основе тонких пленок ЦТС//ФТТ. 2006. - Т. 48. - Вып. 6. - С. 1123 -1126.

128. Леманов В.В., Шульман С.Г., Ярмаркин В.К., Попов С.Н., Панкова Г.А. Пироэлектрический, пьезоэлектрический и поляризационный отклики кристаллов глицин-фосфита с примесью глицин-фосфата//ФТТ. 2004. -Т. 46.-Вып. 7.-С. 1256- 1251.

129. Сидоркин A.C., Косцов А.М, Зальцберг B.C. ФТТ. 27, 2200 (1985).

130. Косцов А.М, Сидоркин A.C., Зальцберг B.C., Грибков С.П. ФТТ. 24, 3436 (1982).

131. Жуков O.K., Солодуха A.M. Влияние ионов хрома и железа на дисперсию диэлектрической проницаемости в триглицинсульфате. Воронеж, гос. ун-т. Воронеж, 1979. - 5 с. - Деп. ВИНИТИ № 4152-79 от 06.12.79

132. Жуков O.K., Солодуха A.M. Влияние процесса старения и примеси ионов хрома на диэлектрическую дисперсию в триглицинсульфате/ Воронеж, гос. ун-т. Воронеж, 1979. - 6 с. - Деп. ВИНИТИ № 4143-79 от 05.12.79

133. Солодуха A.M., Жуков O.K. Релаксация доменных стенок кристалла триглицинсульфата в слабых переменных полях// Фазовые превращения в твердых телах: Межвуз. сб. научных трудов. ВНИ. Воронеж, 1982. -С. 24 28.

134. Жуков O.K., Солодуха A.M., Косцов A.M. О кристаллической форме и диэлектрических свойствах триглицинсульфата, легированного ионамипереходных элементов//Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Межвуз. сборник научн. трудов. Калинин, 1985. - С. 73 - 77.

135. Саввинов A.M., Солодуха A.M. Диэлектрические свойства приповерхностных слоев кристалла триглицинсульфата//Х1У Всеросс. конф. по физике сегнетоэлектриков, Иваново, 19-23 сент.1995 г.: Тез. докл.- Иваново, 1995. С. 148.

136. Solodukha A.M. Influence of surface on the dielectric relaxation in TGS crystal / A.M. Solodukha//10 Int. Meet. Ferroel., Madrid, Sept.3-7,2001: Abstr. Spain, 2001. - P.54.

137. Солодуха A.M. Перенос и релаксация заряда в неоднородных сегнетоэлектриках и родственных материалах: Дис. .д-ра физ.-мат. наук: Воронеж: РГБ, 2006.

138. Струков Б.А., Якушин Е.Д. Влияние крупномасштабных неоднородностей на фазовый переход в сегнетоэлектрических монокристаллах триглицинсульфата//Письма в ЖЭТФ. Т. 28. - Вып. 1. -С. 16-19.

139. Дистлер Г.И., Константинова В.П., Герасимов Ю.М., Толмачева Г.А. Дефектная структура кристаллов триглицинсульфата в сегнетоэлектрическом параэлектрическом состоянии//Письма в ЖЭТФ. -Т. 6.-Вып. 9.-С. 868-870.

140. Шут В.Н., Кашевич И.Ф., Сырцов С.Р. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов триглицинсульфата с неоднородным распределением примеси хрома//ФТТ. 2008. - Т. 50. - Вып. 1. - С. 115-118.

141. Голицина О.М., Камышева JI.H., Дрождин С.Н. Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате//ФТТ. 1998. - Т. 40.-Вып. 1,-С. 116-117.

142. Камышева JI.H., Дрождин С.Н., Голицына О.М. Влияние малых доз рентгеновского излучения на свойства триглицинсульфата, легированного хромом//ФТТ. 2002. - Т. 44. - Вып. 2. - С. 347-350.

143. Никишина А.И., Дрождин С.Н., Голицина О.М. Релаксация доменной структуры примесных кристаллов триглицинсульфата под действием внутреннего ПОЛЯ//ФТТ. 2006. - Т. 48. - Вып. 6. - С. 1073-1074.

144. Дрождин С.Н., Хоник C.B., Денисова В.Е. Пороговое поведение диэлектрической нелинейности сегнетоэлектрических кристаллов семейства триглицинсульфата//ФТТ. 2006. - Т. 48. - Вып. 6. - С. 10751076.

145. Леманов В.В., Шульман С.Г., Ярмаркин В.К., Попов С.Н., Панкова Г.А. Пироэлектрический, пьезоэлектрический и поляризационный отклики кристаллов глицин-фосфита с примесью глицин-фосфата//ФТТ. 2004. -Т. 46.-Вып. 7. - С. 1246-1251.

146. Глинчук М.Д., Зауличный В.Я., Стефанович В.А. Поле деполяризации и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок с учетом влияния электродов. //ФТТ. 2005. - Т. 47. - Вып. 7. - С. 1285-1292.

147. Sekido Т., Mitsui Т. Dielectric constant of Curie point//J.Phys. Chem. Sol. -1967. V. 28. - № 6. - C. 967-970.

148. Chincholkar V.S., Unruh H. G. Surface layers of triglycine sulfate single crystals//Phus. Stat. Sol. 1968. - V. 29. - № 2. - C. 669-673.

149. Toshev S.D.,Amov I.G., Kirov K.I. Effect of cample treatment and electrode nature on some triglycine sulfate parametersZ/Докл. Болг. AH. 1972. - T. 25. - № п. - p. 1479-1481.

150. Шувалов Л.А., Мнацаканян A.B. Изучение аномалий внутреннего трения сегнетоэлектрических фосфатов в окрестностях их точек Кюри//Изв. АН СССР. Сер.физ. 1965. - Т. 29. -№ 11. - С. 1974-1981.

151. Рез И.С. Кристаллы с нелинейной поляризуемостью/УУспехи физ. Наук. -1967. Т. 93. - № 4. - С. 633-674.

152. Юрьев А.Н. Электрические свойства кристаллов триглицинсульфата,выращенных при температуре ниже 0°С. Автореф. канд. физ.-мат. наук. Воронеж, 2007.

153. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964. -490 с.

154. Пронина A.A., Богомолов A.A., Чернышева H.H. Коэффициент тепловой диффузии кристаллов ТГС с различными примесями//В кн.:Тэз. докл. XVI Веер. конф. по физике сегнетоэлектриков. 2003. - С. 50.

155. Струков Б.А., Рагула Е.П., Архангельская C.B., Шнайдштейн И.В. О логарифмической сингулярности теплоемкости вблизи фазовых переходов в одноосных сегнетоэлектриках//ФТТ. 1998. - Т. 40. - № 1. -С. 106-108.

156. Струков Б.А., Спиридонов Т.П., Минаева К.А., Федорихин В.А., Давтян A.B. О характере аномалий тепловых и упругих свойств кристаллов триглицинсульфата с примесями//Кристаллография. 1982. - Т. 27. - №2. - С.313-319

157. Богомолов A.A., Дабижа Т.А., Малышкина О.В., Солнышкин A.B. Пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС при наличии температурного градиента//Известия РАН. Сер. физич. 1996. - Т. 60. -№10.-С. 186

158. Сидоркин A.A., Сидоркин A.C., Рогазинская О.В., Миловидова С.Д. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе кристалла триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью//ФТТ. 2002. - Т. 44. - Вып. 2. - С. 344-346.

159. Сидоркин A.C., Пономарева Н.Ю., Миловидова С.Д., Сигов A.C. Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из сегнетоэлектрического кристалла ТГС//ФТТ. 2000. - Т. 42. - Вып. 4. -С. 721-724.

160. Сидоркин A.A., Миловидова С.Д., Рогазинская О.В., Сидоркин A.C. Кинетика электронной эмиссии из сегнетоэлектрического кристалла ТГС//ФТТ. 2000. - Т. 42. - Вып. 4. - С. 725-726.

161. Рогазинская О.В., Миловидова С.Д., Сидоркин А.С., Сидоркин А.А. Термостимулированная электронная эмиссия полярного скола кристалла триглицинсульфата//ФТТ. 2001. - Т. 43. - Вып. 7. - С. 1272-1274.

162. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. - М.: Наука, 1976. -264 с.

163. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979. - 408 с.

164. Brody P.S., Crowne F. Journal of Electronic Materials 4. 955 (1975).

165. Kholkin A., Boarkine O., Setter N. Appl. Phys. Lett. 72, 1, 130 (1998).

166. Ярмаркин B.K., Гольцман Б.М., Казанин M.M., Леманов В.В. ФТТ 42, 3, 511 (2000).

167. Kocinski J., Wojtczak L. The dependence of critical scattering on crystallattice structure//Phys. Lett. A. 1973. - V.43 - P.215-216.

168. Hill R.M., Ichiki S.K. High-Frequency Behavior of Hydrogen-Bonded Ferroelectrics: Triglycine Sulphate and KD2P04//Phys. Rev. 1963. -V.132. -P.1603-1608.

169. Mansingh A., Lim K.O. Dielectric Dispersion in Order-Disorder Ferroelectrics//Jorn. Phys. Soc. Jap. 1972. - V.33. -P.747-749.

170. Турик A.B., Хасабова Г.И., Сидоренко Е.Н. О релаксационном вкладе в диэлектрические и пьезоэлектрические константы кристаллов ВаТіОЗ//ФТТ. 1985. - Т.ЗО. - Вып. 4. - С. 1079 - 1081

171. Овчинникова Г.И., Коростелева Ю.Ф., Сандалов А.Н. Микроволновые диэлектрические спектры триглицинсульфата//ФТТ. 1993. - Т.35. -Вып. 4.-С. 2542-2547

172. Садыков С. А., Бородин В.З., Агаларов А.Ш. Реверсивные характеристики поляризации сегнетокерамики в быстронарастающем электрическом поле//ФТТ. 2000. - Т.70. - №6. - С. 108 - 112

173. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1979.-285 с.

174. Крылов В.И., Бобков В.В., Монастырный П.И. Интегральные уравнения, некорректные задачи и улучшение сходимости. Минск: Наука и техника, 1984. - 263 с.

175. Краснов M.JI. Интегральные уравнения / M.JL Краснов. М.: Главная редакция физико-математической литературы изд-ва «Наука», 1975. -305 с.

176. Васильева А.Б., Тихонов H.A. Интегральные уравнения. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. - 160 с.

177. Морозов В.А. Регулярные методы решения некорректно поставленных задач. М.: Наука, 1987. - 240 с.

178. Цлаф Л .Я. Вариационное исчисление и интегральные уравнения. М.: Наука, 1993.-201 с.

179. Масловская А.Г., Согр A.A. Влияние нелинейных пироэлектрических свойств на форму пироэлектрического отклика//Тез докл. регион, школы- симпозиума Физика и химия твердого тела. Благовещенск. - 2003. - С 57-58.

180. Кушнарев П.А., Масловская А.Г., Согр A.A. Моделирование пироотклика в окрестности фазового перехода//Информатика и системы управления. Благовещенск, 2004. №7. С. 57-64.

181. Кушнарев П.И., Барышников C.B. Униполярные свойства поляризованных кристаллов триглицинсульфата. // Материалы VI региональной научной конференции. Благовещенск, 2006. С.43-45.

182. Кушнарев П.И. Термостимулированная инверсия поляризованности поверхностного слоя ТГС. // Материалы VIII Региональной межвузовской научно-практической конференции Молодежь XXI века: шаг в будущее. Благовещенск, 2007. С.254-255.

183. Kushnarev P.I., Baryshnikov S.V. Studies of ferroelectric crystals TGS surface layers inverse polarization. // "Перспективные материалы" специальный выпуск (сентябрь 2007). M, 2007.С.381- 384.

184. Масловская А.Г., Копылова И.Б., Кушнарев П.И. Процесс переполяризации сегнетоэлектрического кристалла ТГС в инжекционном режиме. // Материалы XI Международной конференции по физике диэлектриков. Диэлектрики-2008. С-Петербург, 2008. С.75-78.

185. Кушнарев П.И. Температурная зависимость низкочастотной диэлектрической проницаемости поляризованных кристаллов ТГС. // Материалы V Международной научно-технической конференции Молодые ученые-2008.- М, 2008. С.137-140.