Диэлектрические свойства монокристаллов ТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

ГЛАВА 1. Обзор литературы

1.1. Физические свойства кристаллов группы триглицинсульфата.

1.1.1. Рентгеноструктурные и нейтронографические исследования.

1.1.2. ИК-спектроскопические исследования ТГС.

1.1.3. Физические свойства кристаллов ТГС и ДТГС.

1.1.4. Диэлектрические свойства облученных и примесных кристаллов ТГС и ДТГС.

1.2. Процессы переполяризации в сегнетоэлектриках.

1.3. Облучение и радиационные дефекты.

1.3.1. Радиационные дефекты в твердых телах.

1.3.2. Явления, наблюдаемые при электронной бомбардировке твёрдых тел.

1.3.3. Электронное воздействие на сегнетоэлектрические кристаллы.

1.4. Сильноточное импульсное электронное облучение.

1.4.1. Импульсные сильноточные источники электронов.

1.4.2. Применение ИСИЭИ в экспериментах по облучению и модификации свойств твердых тел.

Постановка задачи.

ГЛАВА 2. Экспериментальные установки и методики обработки результатов.

2.1. Экспериментальная установка для получения электронных и ионных пучков.

2.2. Методика исследования петель диэлектрического гистерезиса сегнетоэлектриков по схеме Сойера-Тауэра.

2.3. Методика исследования температурных зависимостей диэлектрической проницаемости.

2.4. Установка для исследования релаксации диэлектрической проницаемости в кристаллах ТГС при коммутации внешнего электрического поля.

2.5. Методика расчета функции распределения времен релаксации.

2.6. Установка для получения рентгеновских дифрактограмм.

2.7 Описание установки для получения ИК- спектров отражения в широком оптическом диапазоне, методики их обработки и анализ.

2.7.1. Описание эксперимента на фурье- спектрометре.

2.7.2. Дисперсионные соотношения Крамерса-Кронига.

2.8. Объекты исследований.

2.9. Погрешности измерений.

ГЛАВА 3. Экспериментальные результаты исследования влияния облучения на переполяризационные, диэлектрические и релаксационные свойства кристаллов ТГС.

3.1. Диэлектрические свойства и процессы переполяризации облученных кристаллов ТГС.

3.1.1. Исследование влияния СЭП на диэлектрические свойства и процессы переполяризации кристаллов семейства ТГС.

3.1.2. Исследование влияния облучения СЭП на диэлектрические свойства и процессы переполяризации кристаллов семейства ТГС при изменении температуры.

3.1.3. Исследование влияния облучения СЭП кристаллов семейства ТГС на поведение их диэлектрической проницаемости.

3.1.4 Исследование влияния облучения кристаллов семейства

ТГС СЭП на тангенс угла диэлектрических потерь.

3.1.5. Диэлектрические и переполяризационные свойства кристаллов ДТГС, облученных СЭП.

3.2. Релаксационные процессы.

3.2.1. Релаксация диэлектрической проницаемости при коммутации внешнего электрического поля в кристаллах ТГС, облученных СЭП.

3.2.2. Результаты расчета функции распределения времен релаксации.

ГЛАВА 4. Исследование структуры и динамики кристаллической решётки ТГС до и после облучения СЭП различными дозами.

4.1. Рентгеноструктурные исследования облученного различными дозами порошка ТГС.

4.2. ИК- спектроскопические измерения облученных кристаллов ТГС.

4.3. Обсуждение экспериментальных результатов.

Выводы.

Актуальность темы. Сегнетоэлектрики находят широкое применение в различных отраслях науки: радиотехнике, электронике, гидро- и ультраакустике, лазерной технике. Они используются в качестве динамических элементов памяти и логических элементов ЭВМ, электромеханических преобразователей, диэлектрических усилителей, частотных модуляторов, диэлектрических устройств в области сверхнизких температур. Основу указанных приборов составляют сегнетоэлектрические кристаллы, содержащие в своем составе сульфатную группу. Универсальность сегнетоэлектриков связана с использованием их основных свойств: высокой диэлектрической проницаемости, большой пьезоэлектрической активности, диэлектрической и оптической нелинейности, спонтанной поляризации и пироэлектрического эффекта.

Наиболее распространенные сегнетоэлектрические кристаллы принадлежат семейству триглицинсульфата (ТГС), широко применяющегося в пироэлектрических видиконах. Хорошие технические характеристики в сочетании с отсутствием селективности по широкому диапазону детектируемых частот обеспечивают большие возможности использования пировидиконов и пироприемников. Последние нашли применение при визуализации теплопотерь в электрической аппаратуре, а также в медицинских исследованиях.

Свойства сегнетоэлектриков, в частности ТГС, в значительной степени определяются концентрацией и типом дефектов и примесей, содержащихся в кристалле, их расположением в кристаллической решетке и характером взаимодействия между собой. Спонтанная поляризация в сегнетоэлектриках может быть реориентирована приложенным внешним электрическим полем. Введение в кристаллическую структуру разного рода допирующих элементов, а также воздействие на кристаллы различными типами ионизирующего облучения существенно влияют на их переключение.

Поэтому исследование процессов переполяризации сегнетоэлектриков представляет собой одну из фундаментальных задач физики твердого тела.

В последние годы внимание ученых привлекают различные неоднородные системы, примерами которых могут служить стёкла, солитонные структуры несоразмерных фаз или доменные структуры реальных, содержащих дефекты, сегнетоэлектриков. Значительный интерес в таких объектах представляют релаксационные явления, происходящие после различных внешних воздействий (приложение электрического поля, изменение температуры или механического напряжения). Изучение процессов переключения сегнетоэлектрических кристаллов представляет интерес как с научной точки зрения, так и для решения ряда прикладных проблем. Имеющиеся на сегодня литературные данные по исследованию релаксационных явлений в различных неоднородных системах противоречивы. Поэтому целесообразно было исследовать процессы переключения сегнетоэлектриков с помощью изучения временных ; зависимостей диэлектрической проницаемости.

Появление в последние десятилетия оптических квантовых генераторов, а затем ускорителей сильноточных импульсных пучков электронов (СЭП) и мощных импульсных пучков ионов (МИП) создало уникальную возможность получения новых видов воздействий концентрированных потоков энергии на материалы. Они включают одновременно радиационное, тепловое и механическое воздействия. Радиационно - стимулированные процессы имеют сложную физическую природу, связанную с особенностями трансформации и аккумуляции поглощенной энергии при коллективных сверхплотных возбуждениях электронной и атомной подсистем твердых тел.

В настоящее время отсутствуют литературные данные по результатам исследования влияния сильноточных импульсных пучков электронов на сегнетоэлектрические кристаллы, и в частности на ТГС и его дейтерированный аналог ДТГС. Следует отметить, что работы, проводимые по модификации материала сильноточным импульсным пучком электронов, представляют огромный интерес как в фундаментальном, так и прикладном плане. В связи с этим исследование целого комплекса физических свойств, таких как диэлектрические, структурные и оптические, кристаллов группы ТГС, облучённых сильноточным импульсным пучком электронов с различными дозами, является актуальной задачей.

Цель и задачи исследования. Целью настоящей работы является комплексное исследование диэлектрических, релаксационных, структурных и оптических свойств кристаллов ТГС и ДТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов.

В соответствии с этой целью были поставлены следующие основные задачи:

• Исследовать влияние облучения СЭП на диэлектрические свойства кристаллов группы триглицинсульфата.

• Выявить влияние облучения СЭП на переключательные свойства кристалла ТГС и ДТГС.

• Исследовать временные зависимости диэлектрической проницаемости в необлученных и облученных кристаллах ТГС после коммутации приложенного к образцу электрического поля, а также влияние внешних воздействий на протекание процессов переполяризации этих кристаллов.

• Разработать методику получения распределения времен релаксации процесса переполяризации в кристаллах ТГС.

• Получить и обработать с помощью дисперсионных соотношений Крамерса-Кронига поляризованные ИК-спектры отражения ориентированных вдоль кристаллографических a-sinP и с- осей необлученных и облученных СЭП различными дозами пластин кристаллов ТГС в широком оптическом диапазоне; на основе известных литературных данных провести идентификацию полученных фононных частот с соответствующими типами колебаний групп глицина, глициния, а также сульфатных ионов; проследить закономерности влияния облучения на поведение отдельных, наиболее информативных колебательных полос, а также соответствующих им сил осцилляторов.

• С помощью рентгеноструктурного метода исследовать влияние воздействия сильноточного электронного облучения на структурные параметры и объем элементарной ячейки кристаллов ТГС.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования выбраны перспективные для преобразователей инфракрасного излучения сегнетоэлектрики. В работе исследовались модельный одноосный сегнетоэлектрик триглицинсульфат (NH2CH2C00H)3-H2S04 (ТГС) и его дейтерированный аналог ДТГС, необлученные и облученные сильноточным импульсным пучком электронов. Монокристаллы ТГС и ДТГС выращены в Институте кристаллографии РАН и на Ловозёрском горно-обогатительном комбинате. Облучение проводилось на импульсном сильноточном источнике электронов и ионов (ИСИЭИ) в Лаборатории физики частиц Объединенного института ядерных исследований (ЛФЧ ОИЯИ), г.Дубна. Научная новизна. В данной работе впервые:

• Исследовано влияние сильноточного импульсного электронного пучка на диэлектрические и переключательные свойства кристаллов ТГС и ДТГС.

• С помощью изучения релаксации диэлектрической проницаемости изучены процессы переключения в облученных кристаллах ТГС;

• Методом регуляризации Тихонова получены спектры распределения времен релаксации в кристаллах ТГС.

• В широком оптическом диапазоне измерены и обработаны с помощью дисперсионных соотношений Крамерса-Кронига поляризованные ИК-спектры отражения ориентированного кристалла ТГС; обнаружены смещение и изменение интенсивности отдельных полос, а также соответствующих им сил осцилляторов в зависимости от дозы облучения.

• Проведены рентгеноструктурные исследования для необлученной и облученной СЭП порошкообразной таблетки ТГС, выявлено воздействие облучения на структурные параметры элементарной ячейки.

Практическая ценность результатов работы заключается в возможности использования разработанных экспериментальных и теоретических методов для исследования релаксационных явлений в твёрдых телах. Впервые полученные результаты углубляют представления о влиянии облучения СЭП на сегнетоэлектрические кристаллы и процессы их переключения под воздействием электрического поля, а также позволяют сделать непротиворечивые предположения о природе импульсного воздействия.

Полученные в работе результаты и установленные закономерности влияния электронного воздействия на физические свойства кристаллов ТГС могут быть использованы в лабораториях и научных центрах, занимающихся оптическими, структурными исследованиями свойств кристаллической и доменной структуры облученных сегнетоэлектрических кристаллов. Они представляют интерес и для практического применения в электронике и радиотехнике и могут быть учтены при разработке пироэлектрических приёмников, ПК-детекторов, пировидиконов, запоминающих устройств, температурных датчиков.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Облучение кристаллов ТГС сильноточным импульсным пучком электронов влияет на максимальное значение их диэлектрической проницаемости. С увеличением дозы облучения кристаллов ТГС максимальное значение диэлектрической проницаемости емакс уменьшается и смещается в область более высоких температур.

2. При исследовании динамических свойств доменной структуры кристаллов ТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов с разными дозами, с помощью релаксационного метода изучения временных зависимостей диэлектрической проницаемости, в широком интервале температур и при различной амплитуде приложенного к кристаллам поля, обнаружено, что процессы переключения в облученных кристаллах ТГС, также как и в необлученных, носят релаксационный характер.

3. Увеличение степенного параметра а в законе Кольрауша при росте напряженности внешнего электрического поля сопровождается сужением спектра времен релаксации.

4. При облучении кристаллов ТГС СЭП дозами 10-Ю15 и 70-101:> электрон-см"2 происходит увеличение интенсивности в ИК-спектрах колебательных полос и смещение фононных мод в высокочастотную

15 2 область. При облучении образцов СЭП с дозой 150-10 электрон-см" происходит обратный эффект- уменьшение интенсивности колебательных полос и смещение их по сравнению с его значением для D=70-1015 электрон-см"2 в низкочастотный диапазон. Наиболее существенные изменения фононных мод происходят при направлении падающей световой волны Е 11 a-sin(3- оси, а в направлении Е 11 с- оси они менее заметны.

5. Облучение дозами 10-Ю15, 40-Ю15 и 70-10 электрон-см"2 кристаллов ТГС приводит к уменьшению объема элементарной ячейки и улучшению кристаллической структуры, тогда как при облучении 150-10lD электрон-см" наблюдается увеличение напряженных состояний. Апробация результатов работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях:

1)XVI Всероссийская конференция по сегнетоэлектричеству-ВКС-16 (г. Тверь, 16-21 сентября 2002г.);

2) Семинар, посвященный памяти В.М. Рудяка -«Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках» (г. Тверь, 17-20 сентября 2002г.);

3) Научная сессия МИФИ-2002 (г. Москва, январь 2002г.);

4) Шестая научная конференция молодых ученых и специалистов (г. Дубна, 4-9 февраля 2002 г.);

5)Х Национальная конференция по росту кристаллов-НКРК-2002 (г. Москва, 25-29 ноября 2002 г.);

6) 10th International Meeting on Ferroelectricity (г. Мадрид, Испания, 3-7 сентября 2001г.);

7) V Международная конференция «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (г. Александров, 10-14 сентября 2001г.);

8) Международная конференция «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах»-НАР8-10 (г. Тула, 13-15 ноября 2001г.);

9) Пятая научная конференция молодых ученых и специалистов (г. Дубна, 5-10 февраля 2001 г.);

10)1Х Национальная конференция по росту кристаллов-НКРК-2000 (г. Москва, 16-20 октября 2000 г.);

11) 9th International conference on dielectrics-ICD-2000 (г. Санкт-Петербург, 17-22 сентября 2000г.);

12)111 Международная научная конференция "Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, динамики, управления в конденсированных системах и других средах" (г. Тверь, июнь 1998г.);

13) Третья научная конференция молодых ученых и специалистов (г. Дубна, 15-19 февраля 1999 г.);

14). III Всероссийская научная конференция студентов-физиков (г. Екатеринбург, 2000 г);

15) IV Международная конференция "Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение" (г. Александров, сентябрь 1999 г.);

16) XX Международная конференция "Релаксационные явления в твердых телах" (г. Воронеж, октябрь 1999 г.);

17) XV Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (г. Ростов-на-Дону, сентябрь 1999 г.).

Публикации. Основные результаты исследований отражены в 11 работах, опубликованных в международной, центральной и межвузовской печати и написанных в соавторстве.

Личный вклад автора. Диссертационная работа выполнена в соответствии с планом исследований, проводимых на кафедре физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков ТвГУ, при поддержке президента РФ (стипендия аспиранта за 2000-2001 уч. г.) и при частичной поддержке научной программы министерства образования РФ «Фундаментальные исследования высшей школы в области естественных и гуманитарных наук. Университеты России» (проект №015.01.01.61).

Постановка задачи исследования, анализ и обобщение данных, а также формулировка выводов выполнены совместно с научным руководителем-кандидатом физ.-мат. наук, доцентом В.В.Ивановым. Все основные экспериментальные результаты по исследованию диэлектрических свойств и релаксационных процессов переполяризации в кристаллах ТГС и ДТГС, необлученных и облученных сильноточным импульсным пучком электронов, получены автором, а также выполнены соответствующие расчёты физических параметров, проведена интерпретация экспериментальных данных. Облучение и рентгеноструктурные исследования проводились в ЛФЧ ОИЯИ совместно с доктором технических наук С.И.Тютюнниковым, к.ф.-м.наук А.В.Калмыковым и н.с. В.В.Ефимовым. Работа по изучению и обработке ИК спектров проводилась в Институте спектроскопии, г.Троицк, под руководством профессора В.А.Яковлева и к.ф.-м. наук Н.Н.Новиковой.

Структура и объём диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и библиографии. Работа изложена на 159 страницах машинописного текста и содержит 57 рисунков и 9 таблиц. Библиография включает 145 наименований.

ВЫВОДЫ:

1. Установлено, что облучение кристаллов ТГС сильноточным импульсным пучком электронов влияет на величину диэлектрической проницаемости. С увеличением дозы облучения кристаллов ТГС максимальное значение диэлектрической проницаемости смакс уменьшается, и максимум s (Т) смещается в область более высоких температур.

2. При исследовании динамических свойств доменной структуры кристаллов ТГС, облученных импульсным пучком электронов разными дозами, с помощью релаксационного метода изучения временных зависимостей диэлектрической проницаемости, в широком интервале температур и при различной амплитуде приложенного к кристаллам поля, обнаружено, что процессы переключения в облученных кристаллах ТГС, также как и в необлученных, носят релаксационный характер.

3. Облучение кристаллов ТГС сильноточным импульсным пучком электронов приводит к уменьшению времен релаксации по сравнению с их значениями для необлученных кристаллов.

4. Обнаружено, что для необлученных и облученных кристаллов ТГС при увеличении напряженности коммутируемого поля, приложенного к образцу, величина диэлектрической проницаемости уменьшается; временная зависимость 8 имеет более резкий спад, и процесс переключения заканчивается быстрее во всем интервале исследованных температур.

5. Показано, что увеличение степенного параметра а в законе Кольрауша S (t) ~ exp (-(t/x)a), где % - среднее время релаксации по образцу, 0<а<1, при росте напряженности внешнего электрического поля, приложенного к образцу, сопровождается сужением спектра времен релаксации.

6. Выполнены ИК- спектроскопические исследования ориентированных срезов облученных кристаллов ТГС. Установлено, что при облучении образцов СЭП с дозами 10-101э и 70-1015 электрон-см"2 происходит увеличение интенсивности колебательных полос и смещение фононных мод в высокочастотную область. Облучение D=T50-1015 электрон-см" приводит к обратному эффекту- уменьшению интенсивности колебательных полос и смещению их по сравнению с значениями для дозы 70-1013 электрон-см"2 в низкочастотный диапазон. Наиболее существенные изменения положения фононных мод происходят при направлении падающей световой волны Е 11 a-sin(3- оси, в случае Е 11 с- оси этого не наблюдается.

7. Рентгеноструктурные исследования показали, что облучение образца ТГС СЭП с дозами 10-Ю15, 40-1015 и 70-Ю15 электрон-см"2 приводит к уменьшению объема его элементарной ячейки и улучшению кристаллической структуры, тогда как при облучении СЭП с дозой

15 2

D=150-10 электрон-см" наблюдается увеличение напряженных состояний.

8. Облучение кристаллов ТГС сильноточным импульсным пучком электронов с разными дозами не изменяет тип их фазового перехода порядок - беспорядок.

1. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир, 1981.-736 с.

2. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. -М.: Наука, 1986.- 248с.

3. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. М.: Мир, 1981.-528 с.

4. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы.-М.: Мир, 1965.-556с.

5. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г.А.Смоленский, В.А.Боков, В.А.Исупов и др.; под ред. Г.А.Смоленского.- Л.: Наука, 1971.-476 с.

6. Физика сегнетоэлектрических явлений/ Г.А.Смоленский, В.А.Боков, В.А.Исупов и др.; под ред. Г.А.Смоленского.- Л.: Наука, 1985.-396 с.

7. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах.-М.: Наука, 1995.-304 с.

8. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества. -М.: Атомиздат,1973.-472 с.

9. Желудев И.С. Электрические кристаллы.-М.: Наука,-1969.-216 с.

10. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата.-Мн.: Наука и техника, 1986.-216 с.

11. Mattias В.Т., Miller С.Е., Remeika J.P. Ferroelectricity of glycine sulphate // Phys.Rev.- 1956.-Vol.104,- P.849-853.

12. Hoshino S., Oraya Y., Pepinsky R. Crystal structure of the ferroelectric phase of (glycine)3-H2S04// Phys. Rev.-1959.-Vol.l 15.-P.323-327.

13. Kay M.I., Kleinberg R. The crystal structure of triglycine sulfate// Ferroelectrics.- 1973.-Vol.5.-P.45-52.

14. Itoh Kazuyuki, Mitsui Toshio. Studies of the crystal structure of triglycine sulphate in connection with its ferroelectric phase transition // Ferroelectrics.-1973.-Vol.5.-P.235-251.

15. Fujii Y., Yamada Y. X-ray critical scattering in ferroelectric tri-glycine sulphate//Journ. Phys. Soc. Jap.-1959.-Vol.30.-P.1676-1685.

16. Рига В., Przedmojski J. Anisotropy in the reciprocal lattice space of critical x-ray scattering in TGS // Phys. Lett. 43A.-1959.-P.217-218.

17. Mostad A., Natarajan S. Crystal and molecular structure of the pyroelectric phase of TGS at 150 K// Zeitschrift fur Kristallographie.-1991.-197.-P.209-215.

18. Study of the crystal structure of switching fatigued triglycine sulphate/ X. Solans, M. Font-Altava, F.Franco, J.Fernandez-Ferrer// Ferroelectrics.-1984.-Vol.59.-P.241-255.

19. Solans X., Franco F., Miravitlles C. The pyroelectric phase of TGS. X-ray analyses on triglycine sulphate crystals// Ferroelectrics.-1985.-Vol.62.-P.59-70.

20. Кристаллическая структура облученных и нагретых монокристаллов триглицинсульфата/ Е.В. Колонцова, С.В. Редько, Ю.Т. Стручков, А.И. Яновский // Кристаллография,-1990.-Т.З5.-1 .-С.209-212.

21. Study on the growth and properties of guanidine doped triglycine sulfate crystal/ X. Sun, M.Wang, Q.-W. Pan, W.Shi, C.-S.Fang// Cryst. Res.Technol.-1999.-V.34,10.-P. 1251-1254.

22. Бродский И. А., Галанов E.K. Длинноволновые ИК-спектры сегнетоэлектрических кристаллов группы триглицинсульфата в различных фазовых состояниях // ФТТ.-1969. T.l 1 .-9.-С.2485-2488.

23. Кисловский Л.Д., Галанов Е.К., Шувалов JI.A. Исследование инфракрасных спектров сегнетоэлектриков, изоморфных кристаллам триглицинсульфата// Оптика и спектроскопия.-1968.-Т.24.-1.-С. 100-105.

24. Галанов Е.К. К отождествлению спектров сегнетоэлектрических кристаллов группы триглицинсульфата// Оптика и спектроскопия.-1968.Т.24.-1.-С.137-140.

25. О природе молекулярного механизма сегнетоэлектрического перехода в кристаллах группы триглицинсульфата / Е.К. Галанов, Л.Д. Кисловский, Л.А.Шувалов, Н.Р.Иванов// Изв. АН СССР. Сер. физ.-1969.-Т.ЗЗ.-2,-С.246-250.

26. Данильчук Г.С., Ицковский М.А., Кременчугский Л.С. Исследование инфракрасных спектров поглощения кристалла триглицинсульфата в поляризованном свете при сегнетоэлектрическом фазовом переходе // Кристаллография.-1969.-Т. 14.-6.-С.998-1001.

27. Winterfeldt V., Schaack G., Klopperpieper A. Temperature behaviour of optical phonons near Tc in triglycine sulphate and triglycine selenate // Ferroelectrics.-1977.-Vol.l5.-P.21-35.

28. Kaneko N., Takahashi H., Higasi K. Temperature dependence of the lattice vibrations of triglycine selenate// J. Phys. Chem. Sol.- 1977.-Vol.38.-P.849-853.

29. Schmidt V.A. Ferroelectric hydrogen bonded systems // The hydrogen bond. Recent development in theory and experiment-Amsterdam: 1976.-P. 11091168.

30. Intermolecular vibrational coupling in glycine/ S.F. Kettle, E. Lugwisha, J. Eckert, N.K. McGuire // Spectrochimica Acta.-1989.-Vol.45A, 5.-P.533-539.

31. Sundius Т., Bandekar J., Krimm S. Vibrational analysis of crystalline triglycine II Journal of Molecular Structure.-1989.'-Vol.214.P. 119-142.

32. Комяк А.И., Маляревич A.M., Шашков С.Н. Расчет низкочастотного колебательного спектра кристалла триглицинсульфата полуэмпирическими методами // Хим. физ.-1993.-Т.12.-9.-С. 1177-1183.

33. Malyarevich A.M., Posledovich M.R. The assignment of lattice vibrations in triglycine sulphate-type crystals// Journal of Molecular Structure.-1996.-Vol.375.-P.43-51.

34. ИК-спектроскопия молекулярных кристаллов (с водородными связями) / Л.М. Бабков, Г.А. Пучковская, С.П. Макаренко, Т.А. Гаврилко,- Киев: Наукова Думка, 1989.-159 с.

35. Barker A.S., Tinkham М. Far-infrared dielectric measurements on potassium dihydrogen phosphate, triglycine sulphate, and rutile // The Journal of Chemical Physics.-1963.- Vol. 38,9.-P.2257-2263.

36. Sakai A., Araya A. Raman scaterring spectra of internal modes in triglycine sulphate // Physica В.- 1996,- Vol.219-220.-P.529-531.

37. Silberman E., Morgan S.H., Springer J.M. Temperature dependence of the lowest frequency raman phonons of triglycine sulfate // Journal of raman spectroscopy.-1981 .-Vol. 10.-P.248-250.

38. Raman spectroscopic study of alaine doped triglycine sulphate ferroelectric single crystals / L. Santra, A.L. Verma, P.K. Bajpai, B. Hilczer, P.V. Huong // J. Phys. Chem. Solids.-1994.-Vol.55,5.-P. 405-411.

39. Mihailova E.M., Byrne H.J. Raman studies of TGS doped with Nd // Journal of Physics and Chemistry of Solids.-2000.-Vol.61.-P.1919-1925.

40. Dielectric and thermal study of tri-glycine sulfate and tri-glycine fluoberyllate / S. Hoshino, T. Mitsui, F. Jona, R. Pepinsky // Phys.Rev.-1957.-Vol.107.-P. 1255-125 8.

41. Кравченя Э.М. Реальная структура и некоторые физические свойства монокристаллов триглицинсульфата и триглицинселената в зависимости от условий выращивания: Дисс.к.физ.-мат.наук.- Минск, 1979.- 144 с.

42. Mihailova Е., Stoyanov St. Ferroelectric behaviour of Doped TGS// Solid State Phys. (a).- 1996.-Vol.154,- P.797-802.

43. Strukov B.A., Taraskin S.A., Suvkhanov A.B. Defects and ferroelectric phase transitions // Ferroelectrics.-1991 .-Vol. 124.-P. 189-194.

44. Investigations on the existence of a low-temperature phase transiton in triglycine sulphate single crystals / M.A. Gaffar, L.I. Al-Houty, M.A1. Muraikhi, A.A. Mohamed// J. Phys.C: Solid State Phys.-1988.-Vol.21,-P.1831-1838.

45. Stankowska J. Ageing process in triglycine sulphate single crystals // Akta Physika Polonika.- 1967.-Vol.31.-P.527-550.

46. Jaskiewicz A., Mroz J. The internal field in an X-ray irradiated TGS crystal having a regular domain structure// Akta Physika Polonika.-1981.-Vol.A59,5.P.561-569.

47. El-Fadl A.Abu. Temperature dependence of the absorption spectra and optical parameters in TGS and Cu -doped TGS crystals // Cryst. Res. Technol.- 1999.-Vol.34,8.P. 1047-1054.

48. Большакова H.H., Рудяк B.M. Процессы перестройки доменной структуры и эффект Баркгаузена в чистых и примесных кристаллах триглицинсульфата//Изв. АН СССР, Сер.Физ.-1991.Т.55.-3.-С.606-611.

49. The effect on the polarization and piezoelectricity of triglycine sulphate crystals of doping with some divalent and trivalent ions / M.A. Gaffar, L.I. Al-Houty, M. A1-Muraikhi, A.A. Mohamed // J. Phys. C: Solid State Phys.-1988.-Vol.21.P.1821-1829.

50. Pressure-induced structural transition in TGS / E.Suzuki, Y.Kobayashi, S.Endo, K.Deguchi, T.Kikegawa // Symposium on Ferroelectricity RCBJSF-7.-St.Petersburg, 2002.-P.97.

51. Ferroelectric TGS (NH2CH2C00H)3H2S04) under high pressure/ Y.Kobayashi, S.Sawada, H.Furuta, S.Endo, K.Deguchi// Journal of Physics: Condensed Matter.-2002.-Vol. 14,44.-P.l 1139-1 1143.

52. ЖелудевИ.С., Проскурин M.A., Юрин B.A., Баберкин А.С. // Докл.АН СССР,- 1955.-Т.103.-С. 107.

53. Chynoweth A.G. Radiation damage effects in ferroelectric triglycine sulfate // Phys. Rev.-1959.-Vol.l 13.-P.159.

54. Пешиков E.B. Влияние внешних воздействий и дейтерирования на релаксацию доменных границ в кристаллах триглицинсульфата // Кристаллография. 1975.-Т.20.-6.-С.1230-1234.

55. X-ray damage on TGS: a thermodynamic theory/ С. Alemany, J.Mendiola, B.Jimenez, E.Maurer//Ferroelectrics.- 1973.-Vol.5.-P. 11-15.

56. Buotin W., Frazer B.G., lona E.J. // Phys. Chem. Solids.-1963.-Vol.24,-P.1341-1345.

57. Okada K., Gonzalo J.A., Rivera M. // J. Phys. Chem. Solids.-1967.-Vol.28.-P.-689-695.

58. Gaffar M.A., El-Fadl A.Abu. Effect of doping and irradiation on optical parameters of triglycine sulphate single crystals // Cryst.Res.Technol.-1999.-Vol.34,7.-P.915-923.

59. Corp А.А., Копылова Й.Б. Униполярность диэлектрического гистерезиса в монокристаллах ТГС, индуцированная электронным облучением в РЭМ//Изв. РАН. Сер. физ.-1996.-Т.60.-10.-С.150-152.

60. Corp А.А., Бородин В.З. Наблюдение динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе // Изв. АН СССР. Сер. физ.-1984.-Т.48.-6.-С.1086-1089.

61. Corp А.А., Бородин В.З. Переполяризация сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе// Изв. АН СССР. Сер. физ.-1977.~ Т.41.-7.-С. 1498-1501.

62. Corp A.A., Копылова И.Б. Исследование кинетики накопления и релаксации инжектированных зарядов в кристаллах ТГС // Изв. РАН. Сер. физ.-2000.-Т.64.-6.-С.1199-1202.

63. Stankowski J. Molecular dynamics of ferroelectric crystals of the triglycine sulphate family // Physics Reports (A Review Section of Physics Letter).-1981.-Vol.77,1.-P. 1-46.

64. Лагутина Ж.П. Исследование воздействия интенсивного электромагнитного излучения на диэлектрические и электромеханические свойства сегнетоэлектрических кристаллов: Дисс.к.физ.-мат.наук.-Минск, БГУ, 1979.-203 с.

65. Процессы перестройки доменной структуры монокристаллов ТГС с двойной примесью кобальта и хрома / И.А. Афонская, Н.Н. Большакова, Н.С. Комлякова, Р.В.Корина, И.Д.Соколова // Изв. Вузов,- 1991.-4.-С.63-66.

66. Комлякова Н.С. Воздействие у и рентгеновского облучения на процессыполяризации и переполяризации монокристаллов триглицинсульфата и сегнетовой соли. Автореф. дисс. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук,- Калинин, КГУ, 1973,16 с.

67. Characteristics of pyroelectric materials for pyrovidicon targets / N.N. Bolshakova, T.V. Maltseva, V.M. Rudyak, V.I. Fomina, N.N. Chereshneva// Integrated Ferroelectrics.-1998.-Vol.19.-P. 179-192.

68. Камышева JI.H. Диэлектрическая релаксация кристаллов KDP и CDP // Сб.: Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин КГУ, 1982.-С.48-52.

69. Гриднев С.А., Попов В.М., Шувалов JI.A. Процессы медленной релаксации в монокристаллах триглицинсульфата // Изв. АН СССР. Сер. физ.-1984. Т. 48.-6.-С.1226-1229.

70. Роль внутреннего поля в процессах релаксации макроскопической поляризации кристаллов ТГС/ О.М. Сердюк, Л.Н.Камышева, С.Н. Дрождин, А.Б. Барабашина // ФТТ.-1988.-Т.30.-2.-С. 540-544.

71. Прасолов Б.Н. Релаксационные явления в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках, обусловленные динамикой доменных границ// Изв. РАН. Сер.физ.-1993.-Т.57.-6.-С. 57-60.

72. Внутреннее трение в КН3(8еОз)2 в процессе переключения / С.А. Гриднев, Б.М. Даринский, В.И. Кудряш, Б.Н.Прасолов, JI.A. Шувалов // ФТТ,- 1982.-Т.24.-С.217-221.

73. Камышева Л.Н., Дрождин С.Н., Панкова Т.Н. Температурная зависимость времени релаксации поляризации ТГС // Вопросы физ. формообраз. и фаз. превращений. Калинин. 1985.-С.151-156.

74. Камышева Л.Н., Сидоркин А.С., Зиновьева И.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы КН2РО4 // Изв. АН СССР. Сер. физ.-1984.-Т.48.-6.-С. 1057-1060.

75. Дрождин С.Н., Куянцев М.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата // ФТТ.-1998.-Т.40.-8.-С.1542-1545.

76. Прасолов Б.Н., Сафонова И.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, обусловленная динамикой доменных границ // Изв. РАН. Сер. физ. 1993.-Т.57.-3.-С.126-128.

77. Misarova A. On the increase in permittivity of ferroelectrics during switching // Czech. J. Phys.-1961. В11.-P.668-673.

78. Гладкий B.B., Кириков B.A., Иванова E.C. Медленная релаксация полидоменного сегнетоэлектрика в слабых электрических полях // ФТТ.-1997.-Т.39.-2.-С.353-3 57.

79. Релаксация поляризации в сегнетоэлектрическом кристалле с различными состояния доменной структуры и поверхности /

80. B.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Е.С. Иванова // ФТТ.-1997,-Т.39.-11.-С.2046-2052.

81. О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле/ В.В. Гладкий, В. А. Кириков, Е.С.Иванова,

82. C.В. Нехлюдов // ФТТ.-1999.-Т.41 .-3.-С.499-504.

83. Kamysheva L.N., Sidorkin A.S., Milovidova S.D.// Phys. Stat. Solid, (a).-1984.-Vol.84,2.-P.l 15-120.

84. Gridnev S.A., Popov S.V. Relaxation effect in perovscite ferroelectrics ceramics with smeared phase transition// Ferroelectrics.-1997.-Vol.199.-P.271-279.

85. Гриднев С.А., Попов С.В. Релаксация метастабильных состояний в области размытого фазового перехода в Ko.sBio.sTiOs-PbZrC^// Изв РАН. Сер. физ.-1997.-Т.61.-2.-С.232-237.

86. Влияние механических напряжений на диэлектрическую проницаемость Rb2ZnCl4 сегнетоэлектрика с несоразмерной фазой/ В.В. Гладкий,

87. B.А. Кириков, И.С. Желудев, И.В. Гаврилова // ФТТ.-1987.-Т.29.-6,1. C.1690-1697.

88. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Релаксация неравновесной солитонной структуры в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика // ЖЭТФ.-1996.-Т. 110.-1,7.-С.298-310.

89. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. О релаксации диэлектрической проницаемости кристалла Rb2ZnCl4 в области структурного перехода из несоразмерной фазы в соразмерную полярную фазу // Кристаллография.-1998.-Т.43 .-4.-С.710-715.

90. Ngai K.L. Universality of low-frequency fluctuation, dissipation and relaxation properties of condensed matter // Comments Solid State Phys.-1979.Vol.9.-P. 127-140 and I980.-Vol.9.-P.141-155.

91. Chamberlin R.V., Mozurcewich G., Orbach R. The decay of the magnetisation in spin-glasses // Phys.Rev.Lett.-1984.-Vol.52.-P.867.

92. Proton glass CssH^So^xK^O: relaxation dynamics / A.I. Baranov, L.A. Shuvalov, E.D. Yakushkin, V.V. Synitsyn// Ferroelectrics.-1997.-Yol.199.-P.307-316.

93. Rachna Mishra, Rao K.J. Electrical conductivity studies of poly(ethileneoxide) poly(vinylalcohol) blends // Solid State Ionic.-1998.-Vol. 106.-P. 113-127.

94. Каллаев C.H., Глушков В.Ф. Медленная стадия эволюции несоразмерной сверхструктуры сегнетоэлектрика// ФТТ.-1998.-Т.40.-11.-С. 2101-2102.

95. Models of hierarchically constrained dynamics for glassy relaxation/ R.G. Palmer, D.L. Stain, E.Abrahams, P.W.Anderson// Phys. Rev. Lett.-1984.-Vol.53,10.-P.958-961.

96. Ageing and reactivation of domain wall oscillations in the ferroelectrics lock-in phase of purified Rb2ZnCl4/ V. Novotna, J. Fousek, J. Kroupa, K. Hamano // Solid State Commun.-1991.-Vol.77,11.-P.821-824.

97. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Макаров С.Д. Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках конечных размеров // ФТТ.-1995.-Т.37.-6.-С.1687-1692.

98. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата титаната свинца / В.Я. Шур, С.Д. Макаров, Н.Ю. Пономарев, В.В. Волегов, Н.А. Тонкачева, JI.A. Суслов, Н.Н. Салащенко, Е.Б. Клюенков// ФТТ.-1996.-Т.38.-6.-С. 1889-1895.

99. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках.-Ташкент: Изд. ФАН УССР, 1986.-140 с.

100. Поляризация и деполяризация релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева // ФТТ.-2000.-Т.42.-7.-С.1296-1302.

101. Усманов С.М. Релаксационная поляризация диэлектриков. Расчет спектров времен диэлектрической релаксации.-М. Наука. Физматлит., 1996.-144 с.

102. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р. Процессы медленной поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках // ФТТ.-2002.-Т.44.-2.-С.351-358.

103. Аномалии медленной кинетики поляризации релаксорного сегнетоэлектрика в температурной области размытого фазового перехода/ В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Е.В.Пронина, Т.Р. Волк, Р. Панкрат, М. Велеке // ФТТ.-2001.-Т.43.-11 .-С.2052-2057.

104. Гладкий В.В., Кириков В.А. Признаки структурного беспорядка сегнетоэлектрика KD2PO4 в кинетике поляризации // ФТТ.-2001 .-Т.43.-1 .С. 111-114.

105. Ю5.Слуцкер А.И., Поликарпов Ю.И., Васильева К.В. Определение энергии активации сложных релаксационных процессов// ФТТ.-2002.-Т.44.-8.-С. 1529-1535.

106. Физические механизмы, приводящие к распределению времени релаксации в разупорядоченных диэлектриках / В.А. Стефанович, М.Д. Глинчук, Б. Хилчер, Е.В.Кириченко// ФТТ.-2002.-Т.44.-5.-С.906-911.

107. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твёрдого тела. -М.: Наука, 1977,- 552 с.

108. Шелег А.У., Ячковский А.Я., Курилович Н.Ф. Ультразвуковые исследования кристаллов (CH3)2NH2A1(S04)2-6H20, облученных у-квантами и электронами // ФТТ.-2001,- Т.43.-11.-С.2048-2051.

109. Давидюк Г.Е., Оксюта В.А., Манжара B.C. Электрические, оптические и фотоэлектрические свойства легированных индием монокристаллов сульфида кадмия, облученных электронами// ФТТ.-2002.-Т.44.-2.-С.246-250.

110. Короткоживущие центры окраски и люминесценция в облученных импульсными электронными пучками кристаллах LiNb03 / В.Ю. Яковлев, Е.В. Кабанова, Т. Вебер, П. Пауфлер // ФТТ.-2001.- Т.43.-8.-С. 1520-1524.

111. Ш.Декола Т.И., Шелег А.У., Теханович Н.П. Влияние электронного облучения на теплоемкость кристаллов (МН2(СНз)2)2-СиС14 в области фазовых переходов // ФТТ.-2002.-Т.44.-5.-С.942-944.

112. Шелег А.У., Декола Т.И Теханович Т.И. Влияние у-облучения на теплоемкость кристалла (МН2(СН3)2)2-СиС14 в области температур 80 -300 К // ФТТ,- 2001.-Т.43.-6.-С. 1086.

113. Виноградов Е.А., Ефимов В.В., Калмыков А.В. Оптические и структурные исследования PLZT х/65/35 (х=4,8%) сегнетокерамики, облученной сильноточным импульсным пучком электронов // Письма в ЭЧАЯ.-2002.-1,110.-С.39-40.

114. Автоматизированная система управления и контроля импульсного сильноточного источника электронов и ионов/ А.В.Калмыков, С.А.Коренев, Н.А.Малахов, Н.В. Пиляр, С.А.Попов. -Дубна, 1998.-7 с. (Препринт: Сообщения ОИЯИ: Р9-98-158).

115. Korenev S.A., Perry A.J., Kalmykov A.Y. A pulsed high-current electron-ion-cluster source for the deposition of films and coatings // Surface and coatings technology. USA, 1998.-108-109.-P.265-270.

116. Коренев С.А., Рубин Н.Б. Формирование в вакуумных протяженных каналах пристеночной плазмы.-Дубна, 1982.-7 с. (Препринт: Сообщение ОИЯИ. Р9-82-13).

117. Сиколенко В.В. Исследование импульсного источника ионов взрывоэмиссионного типа для его использования в физических экспериментах: Дисс. канд. техн. наук.-Дубна, ОИЯИ, 1995.-99 с.

118. Бойко В.И., Валяев А.Н., Погребняк А.Д. Модификация металлических материалов импульсными мощными пучками частиц // УФН.-1999,-Т.169.-11.-С. 1243-1271.

119. Коренев С.А. Разработка и исследование импульсных сильноточных электронных и ионных источников для прикладных задач. Автореф. дисс. на соискание ученой степени д-ра техн. наук,- Дубна, ОИЯИ, 1994. -39 с.

120. Латам Р.В. Вакуумная изоляция установок высокого напряжения. -М.: Энергоатомиздат, 1985.-192 с.

121. Свиньин М.П. Расчет и проектирование высоковольтных ускорителей электронов для радиационных технологий. М.: Энергоатомиздат, 1989.144 с.

122. Бассани Ф., Парравичини Дж.П. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. -М.: Наука, 1982,- 390 с.

123. Pulsed electron-beam modification of the structure and properties of metallic materials/ V.P. Rotshtein, Yu.F. Ivanov, S.V. Lykov, A.B. Marcov// 1st International Symposium Beam Technologies (BT-95).-Dubna, 1995.-P.51.

124. Калмыков A.B. Комплексная система для использования в экспериментах в области пучковых технологий на базе импульсного сильноточного источника электронов и ионов: Дисс. канд. техн. наук.-Дубна, ОИЯИ,2002.-84 с.

125. Численное моделирование фазовых переходов в металлах, облучаемых импульсными пучками ионов / И.В. Амирханов, Е.В. Земляная, И.В. Пузынин, Т.П. Пузынина, И. Сархадов.-Дубна, 2001.-14 с. (Препринт: Сообщение ОИЯИ: Р11-2001-164).

126. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. -М.: Наука, 1986.-214 с.

127. Верлань А.Ф., Сизиков B.C. Методы решения интегральных уравнений с программами для ЭВМ: Справ, пособие. -Киев: Наукова думка, 1978.291 с.

128. Чечулин А.А. Волновые процессы Оптика. Элементы атомной и ядерной физики. -М.: ФМ, 1959.- 408 с.

129. Рентгеноструктурный анализ некоторых новых материалов/ Н.И. Балалыкин, В.Ф. Минашкин, А.В. Скрыпник, С.И. Тютюнников, В.Н. Шаляпин, С.Н. Шашков,- Дубна, 1998,- 7 с. (Препринт ОИЯИ: Р14-98-104).

130. Просандеев С.А. Электронное строение и физические свойства ионно-ковалентных кристаллов.-Ростов-на-Дону: РГУ, 1990.- 192 с.

131. Белогорохов А.Н., Пусеп Ю.А. Определение концентрации свободных носителей заряда в материале CdxHg.xTe.-Новосибирск, 1987.-27 с. (Препринт АН СССР, Сибирское отд-е, Ин-т физики полупроводников: 13 ).

132. Оптические постоянные высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3075 в широком спектральном интервале/ С.И. Тютюнников,

133. B.Н.Шаляпин, С.Н. Шашков, Н. Скынтее.- Дубна,1997, с.7. (Препринт ОИЯИ: Р14-97-299).

134. Влияние ионной бомбардировки на структуру металлических пленок/ И.Б. Енчевич, Ф.А. Тагирова, М.В. Маринов, Н.И. Балалыкин, А.В. Скрыпник.- Дубна,-1979,- 20 с. (Препринт ОИЯИ: Р14-12649).

135. Паранин С.Н. Высокотемпературные сверхпроводники и мощные импульсные токи: Автореф. дисс. на соискание уч. ст. канд. физ-мат. наук.-Томск, 1993.- 18 с.

136. Сидоркин А.С., Даринский Б.М., Панкова Т.Н. Происхождение и спектральный состав люминесценции при перестройке доменной структуры сегнетоэлектриков// Изв. АН СССР. Сер.физ.-1984.-Т.48.-6.1. C.1135-1142.

137. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике.-М.: Наука,1974.-944с.

138. Шиллер Э., Гайзиг У., Панцер 3. Электролучевая технология.-М.: Энергия, 1980,- 150 с.

139. Эберт Г. Краткий справочник по физике: Пер. с нем.-2-ое изд./ Под ред. Яковлева К.П.-М.: Гос. изд. физ.-мат. литературы, 1963.-552 с.

140. Электреты: Пер. с англ./ Под ред. Сесслера Г. -М.: Мир, 1983.-487 с.

141. Zajosz H.I. Pyroelectric response coming from cylindrical shaped domains// Ferroelectric.-1983,- Vol.48.-P.267-280.

142. Zajosz H.I. The temperature dependence of the first second and third harmonics of the non-linear pyroelectric current in monoaxial ferroelectrics having a second-order phase transition // Infrared Phys.-1986.-Vol.26, 2. P. 115-118.

143. Lee M.H., Guo R., Bhalla A.S. Pyroelectric sensors // Journal of electroceramics.-1998.-Vol.2,4.-P.229-242.

144. Бойко В.И., Евстигнеев В.В. Введение в физику взаимодействия сильноточных пучков заряженных частиц с веществом.-М. :Энергоатомиздат, 1991.- 137 с.

145. Сущинский М.М. Комбинационное рассеяние света и строение вещества. -М.: Наука,-1981.- 183 с.