Влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

МАКАРОВ Виталий Владимирович

Влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС

01.04.07 - физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Тверь - 2005

Работа выполнена на кафедре физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков Тверского государственного университета.

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук,

профессор Иванов В.В.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Новик В.К.

кандидат физико-математических наук, доцент Дегтева О.Б.

Ведущая организация: НИИ физики Ростовского

государственного университета

Защита состоится ЖЛ* 2005 г. в /¿Г- часов на заседании

диссертационного совета К 212.263.04 в Тверском государственном университете по адресу: 170002, г. Тверь, Садовый пер., 35.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке ТвГУ. Автореферат разослан // 2005 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

М.Б. Ляхова

ШЧ

г ит'2-

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Сегнетоэлектрики — вещества, у которых в отсутствии внешнего электрического поля в некотором диапазоне температур возникает спонтанная поляризация, — представляют обширную группу соединений и твердых растворов, обладающих огромным спектром характерных явлений и разнообразными физическими свойствами. Они используются для изготовления радиотехнических конденсаторов, электромеханических преобразователей и являются практически единственными материалами для гидроакустических устройств, пироэлектрических приемников инфракрасного излучения, устройств обработки и хранения информации, радио-, акусто- и оптоэлектроники, динамических элементов памяти и логических элементов ЭВМ [1,2], диэлектрических усилителей, частотных модуляторов, диэлектрических устройств в области сверхнизких температур. Сегнетоэлектрики особенно эффективны при работе в условиях, требующих высокой радиационной стойкости. Их универсальность связана с использованием основных свойств: высокой диэлектрической проницаемости, большой пьезоэлектрической активности, диэлектрической и оптической нелинейности, спонтанной поляризации и пироэлектрического эффекта.

Наиболее распространенные сегнетоэлектрические кристаллы принадлежат семейству триглицинсульфата (ТГС), широко применяющегося в пироэлектрических видиконах, а также высокочувствительных телевизионных передающих трубках с пироэлектрической мишенью, в которых считывание сигнала происходит видиконным способом [3]. Хорошие технические характеристики в сочетании с отсутствием селективности по широкому диапазону детектируемых частот обеспечивают большие возможности использования пироприемников, которые нашли применение при визуализации теплопотерь в электрической аппаратуре, а также в медицинских исследованиях.

Свойства сегнетоэлектриков в значительной степени определяются концентрацией и типом дефектов и примесей, содержащихся в кристалле, их расположением в кристаллической решетке и характером взаимодействия между собой. Введение в кристаллическую структуру разного рода допирующих элементов, а также воздействие на кристаллы различными типами ионизирующего излучения существенно влияют на их переключение [4-6]. Эволюция сегнетоэлектрической доменной структуры при переполяризации представляет собой сложный процесс зарождения, роста и слияния множества отдельных доменов. Особую роль в исследовании процессов переключения играет анализ скачков Баркгаузена, которые обычно связывают с образованием зародышей, сквозным прорастанием отдельных доменов и взаимодействием доменных стенок с дефектами. Под влиянием различных внешних воздействий (механических напряжений, освещения, ультразвука, у-облучения и др.) доменная структура и характер ее перестройки существенно изменяются.

Появление оптических квантовых генераторов, а затем ускорителей сильноточных импульсных пучков электронов (СЭП) и мощных импульсных

пучков ионов (МИГГ) создало уникальную возможность получения новых видов воздействий концентрированных потоков энергии на материалы. Они включают одновременно радиационное, тепловое и механическое воздействия. Радиационно-стимулированные процессы имеют сложную физическую природу, связанную с особенностями трансформации и аккумуляции поглощенной энергии.

В настоящее время существует мало литературных данных по результатам исследования влияния сильноточных импульсных пучков электронов на процессы переключения сегнетоэлектрических кристаллов ТГС и его дейтерированного аналога ДТГС. Следует отметить, что работы, проводимые по модификации материала сильноточным импульсным пучком электронов, представляют большой интерес как в фундаментальном, так и прикладном плане [7]. В связи с этим исследование процессов переполяризации кристаллов группы ТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов, является актуальной задачей.

Цель и задачи исследования. Целью настоящей работы является комплексное исследование процессов переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов.

В соответствии с этой целью были поставлены следующие основные задачи:

• Исследовать влияние облучения СЭП на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС методом эффекта Баркгаузена.

• Исследовать релаксационные зависимости диэлектрической проницаемости и числа скачков Баркгаузена в необлученных и облученных кристаллах ТГС при коммутации приложенного к образцу электрического поля, а также влияние внешних воздействий на протекание процессов переполяризации этих кристаллов.

• Разработать методику расчета функции распределения времен релаксации процесса переполяризации в кристаллах ТГС.

• С помощью теоретической модели обосновать влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования выбраны перспективные для преобразователей инфракрасного излучения сегнетоэлектрики: триглицинсульфат (NH2CH2C00H)3H2S04 и его дейтерированный аналог (ND2CD2CO0D)3-D2SO4, необлученные и облученные сильноточным импульсным пучком электронов. Монокристаллы ТГС и ДТГС выращены в Институте кристаллографии РАН и на Ловозерском горно-обогатительном комбинате. Облучение образцов проводилось на импульсном сильноточном источнике электронов и ионов (ИСИЭИ) в Лаборатории физики частиц Объединенного института ядерных исследований (ЛФЧ ОИЯИ), г. Дубна. Научная новизна. В данной работе впервые:

• С помощью высокочувствительного метода эффекта Баркгаузена исследовано влияние сильноточного импульсного электронного облучения на процессы переключения кристаллов ТГС и ДТГС.

• Методом регуляризации Тихонова получены спектры распределения времен релаксации в кристаллах ТГС. В предположении, что процесс релаксации поляризации является термоактивационным, рассчитана ширина распределения

энергии барьеров. Показано, что облучение сильноточным импульсным пучком электронов приводит к увеличению интервала распределения энергии барьеров. • Исследовано влияние сильноточного импульсного электронного облучения на временные зависимости числа скачков Баркгаузена в кристаллах ТГС. Показано,

что данные зависимости хорошо аппроксимируются законом n ~ \ - ехр

("01

V 4 ' У

где

т и 0<а<1 - константы.

• Установлено, что увеличение внешнего коммутируемого электрического поля оказывает ускоряющее действие на процессы переполяризации как необлученных, так и облученных кристаллов ТГС.

Практическая ценность результатов работы заключается в возможности использования разработанных экспериментальных и теоретических методов для исследования релаксационных явлений в твердых телах. Впервые полученные результаты углубляют представления о влиянии облучения СЭП на сегнетоэлектрические свойства кристаллов и процессы их переключения под воздействием электрического поля и могут быть применены при производстве современных электронных приборов. Установленные закономерности влияния электронного воздействия на физические свойства кристаллов ТГС могут быть использованы в лабораториях и научных центрах, занимающихся исследованиями свойств кристаллической и доменной структуры облученных сегнетоэлектрических кристаллов, ее кинетикой и моделированием процессов переполяризации. Также они представляют интерес для практического применения в электронике и радиотехнике и могут быть учтены при разработке пироэлектрических приемников, ИК-детекторов, пировидиконов, запоминающих устройств, температурных датчиков.

Тематика работы соответствует «перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН (раздел 1.2 -«физика конденсированных состояний вещества»). Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики сегнето- и пьезоэлектриков, грантов Минобразования России по научной программе 015 «Фундаментальные исследования высшей школы в области естественных и гуманитарных наук. Университеты России» (Проект №УР01.01.053 -«Фундаментальные исследования влияния реальной структуры на гистерезисные и другие физические свойства перспективных сегнетоэлектрических материалов»; №015.01.01.065 - «Теоретические и экспериментальные исследования гистерезисных и других физических свойств перспективных сегнетоэлектрических, пьезоэлектрических и пироэлектрических материалов»), при поддержке стипендии Президента Российской Федерации.

Основные положения. выносимые на защиту. 1. Облучение кристаллов ТГС и ДТГС сильноточным импульсным пучком электронов существенно влияет на процессы их переключения. С увеличением значения флюенса электронов интегральное число скачков Баркгаузена возрастает для обоих кристаллов ТГС и ДТГС. Рост температуры приводит к

уменьшению интегрального числа скачков Баркгаузена как для необлученных, так и облученных сильноточным импульсным пучком электронов исследованных сегнетоэлектриков.

2. Релаксационные процессы, наблюдаемые при переполяризации как необлученных, так и облученных сильноточным импульсным пучком электронов сегнетоэлектрических кристаллов TTC, описываются эмпирическим законом Кольрауша.

3. Увеличение внешнего коммутируемого электрического поля оказывает ускоряющее действие на процессы переполяризации как необлученных, так и облученных кристаллов TTC.

4. С помощью метода регуляризации Тихонова получены спектры распределения времен релаксации для необлученных и облученных сильноточным импульсным пучком электронов кристаллов TTC. Установлено, что увеличение внешнего электрического поля приводит к уменьшению степенного параметра а в законе Кольрауша, что в свою очередь способствует изменению спектра распределения времен релаксации.

5. Облучение сильноточным импульсным пучком электронов кристаллов TTC приводит к изменению ширины распределения энергии потенциальных барьеров.

Апробация результатов работы. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в научной печати и докладывались на следующих конференциях: XX Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах», г. Воронеж, 1999 г.; The Third International Seminar on Relaxor Ferroelectrics, Россия, г. Дубна, 2000 г.; The Sixth International Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures, Китай, 2000 г.; IX Национальной конференции по росту кристаллов, Москва, ИК РАН, 2000 г.; 9-й Международной конференции «Диэлектрики-2000», Санкт-Петербург, СГПУ, 2000 г.; VI Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых ВНКСФ-6, г. Томск, 2000 г.; Международной конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах», IIAPS-10, г.Тула, 2001 г.; V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение», г. Александров, ВНИИСИМС, 2001 г.; IX, X, XI Национальных конференциях по росту кристаллов НКРК-2000, НКРК-2002, НКРК-2004, Москва, 2000 г., 2002 г., 2004 г.; XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (BKC-XVI), г. Тверь, 2002 г.; VI Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение», г. Александров, ВНИИСИМС, 2003 г.; II Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященной памяти М.П. Шаскольской, Москва, МИСИС, 2003 г.; Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения», Москва, 2003 г.; The International Jubilee Conference "Single crystals and their application in the XXI century - 2004", г. Александров, ВНИИСИМС, 2004 г.; VI Международной конференции «Рост монокристаллов и тепломассоперенос» (ICSC-2005), г. Обнинск, 2005 г.; XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, г. Пенза, 2005 г.

Публикации. Основные результаты исследований отражены в 9 статьях, опубликованных в центральной и межвузовской печати, и 16 тезисах конференций.

Личный вклад автора. Диссертационная работа выполнена в соответствии с планом исследований, проводимых на кафедре физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков ТвГУ. Постановка задачи исследования, анализ и обобщение данных, а также формулировка выводов выполнены совместно с научным руководителем - кандидатом физико-математических наук, профессором В.В.Ивановым. Все основные экспериментальные результаты по исследованию влияния электронного облучения на процессы переполяризации кристаллов TTC и ДТГС получены соискателем. Им же выполнены соответствующие расчеты физических параметров, разработана методика расчета спектров времен релаксации с помощью метода регуляризации Тихонова, смоделирован процесс переполяризации с учетом движения плоской доменной стенки.

Структура и объем диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, двух приложений и библиографии. Работа изложена на 120 страницах машинописного текста и содержит 39 рисунков и 3 таблиц. Библиография включает 173 наименования.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи работы, основные положения, выносимые на защиту. Показаны научная новизна и практическая ценность полученных результатов.

В первой главе представлен аналитический обзор известных результатов исследований диэлектрических, оптических и структурных свойств чистых кристаллов ТГС, и ДТГС, а также допированных разного рода примесями и облученных у- и рентгеновскими лучами, стационарными, а также мощными импульсными потоками электронов. Приведен обзор литературы по исследованию процессов переключения сегнетоэлектрических кристаллов. Описаны источники СЭП и МИЛ. На основе анализа литературных данных сформулированы задачи исследований.

Вторая глава посвящена описанию экспериментальных установок и методик проводимых исследований. Рассмотрены методы анализа и интерпретации экспериментальных результатов, в том числе метод расчета спектра распределения времен релаксации. Все образцы монокристаллов ТГС и ДТГС, исследованные в данной работе, облучены на импульсном сильноточном источнике электронов и ионов (ИСИЭИ) со следующими параметрами пучка: кинетическая энергия -250 кэВ, длительность импульса- 300 не, частота импульсов - 0,2 Гц.

В третьей главе изложены результаты экспериментального исследования процессов переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС, необлученных и облученных сильноточным импульсным пучком электронов, расчета спектра распределения времен релаксации для кристаллов ТГС. Представлена интерпретация полученных результатов.

В разделе 3.1 приведены результаты исследования релаксации диэлектрической проницаемости, наблюдаемой после коммутации внешнего электрического поля.

2.0—1

Рис.2

Рнс.1-2. Временные зависимости диэлектрической проницаемости, полученные для кристалла ТГС после коммутации внешнего электрического поля при температуре Т=30° С' Рис.1. - Ее=50 В'см"1, Рис.2. - Ее=250 Всм'1; кривая 1 - EetÎE„ 2 - Eet4-E,

t,MHH

Рис.3. Временные зависимости Рис.4. Временные зависимости

диэлектрической проницаемости, полученные диэлектрической проницаемости, полученные

для кристалла ТГС после коммутации для кристалла ТГС после коммутации

внешнего электрического поля (Eet4-E,) внешнего электрического поля Ее = 100 В см"'

кривая 1 - Ее = 50 В-см"1, 2 - Ее = 150 В-см'1; при различных значениях температуры

3 - Ее = 250 В-см'1 Т=30°С кривая 1 - Т=22°С, 2 -35°С, 3 - 40°С

Установлено, что при коммутации электрического поля временная зависимость диэлектрической проницаемости для TTC носит немонотонный характер. Сначала, в течение короткого промежутка времени, е возрастает до em, а затем медленно спадает до равновесного значения ег . Такое поведение s наблюдалось при температурах ниже точки Кюри (Тс). В области температур выше Тс=49°С диэлектрическая проницаемость не изменялась при коммутации поля. Как показали экспериментальные данные (рис.1), для одного направления внешнего электрического поля Ее начальное £s) и максимальное sml значения диэлектрической проницаемости больше, чем для другого es2, Sm2, и наоборот: установившееся значение eri меньше, чем ет2. Такое различие может быть связано с действием в кристаллах внутреннего электрического поля Е,.

Для реальных кристаллов протекание процессов переполяризации зависит от температуры, величины и направления внешнего, приложенного к образцу, электрического поля по отношению к внутреннему. Наибольшее влияние внутреннее поле оказывает в малых внешних полях (рис.1). С ростом напряженности переполяризующего поля влияние внутреннего поля ослабевает, что показано на рис.2. При увеличении внешнего электрического поля время переключения сегнетоэлектрического кристалла убывает. На рис.3 представлены временные зависимости е, полученные для трех различных значений внешнего коммутируемого поля, приложенного к кристаллу TTC. Видно, что при увеличении напряженности внешнего электрического поля процесс переключения ускоряется. Аналогичные зависимости были получены для ТГС в интервале температур от 20 до 47°С. На рис.4 показано влияние температуры на временную зависимость е для кристаллов ТГС, при напряженности коммутируемого внешнего электрического поля равной 100 В см"1. При увеличении температуры возрастают значения ег, еш и скорость, с которой кристалл стремится к новому положению равновесия. Аналогичные зависимости наблюдаются и для других значений напряженности коммутируемого внешнего электрического поля.

В разделе 3.2.1 приводятся результаты исследования влияния облучения СЭП кристаллов ТГС на их релаксационные процессы методом эффекта Баркгаузена. Электрическое состояние образцов изменялось методом коммутации внешнего электрического поля. Соответствующие результаты приведены на рис.5-8. Из этих графиков видно, что увеличение напряженности коммутируемого внешнего электрического поля оказывает ускоряющее действие на процессы переполяризации как необлученных, так и облученных кристаллов TTC, а также приводит к увеличению общего числа скачков Баркгаузена (рис.5). Рост величины флюенса электронов приводит к увеличению времени релаксации процесса переполяризации, что можно связать с дроблением доменной структуры и увеличением числа доменных стенок. Взаимодействие доменных стенок с радиационными дефектами приводит к тому, что время установления нового равновесного состояния при переполяризации кристалла увеличивается.

21 18 15 129 6 3

N,10

2 3 4 5 t,MMH

0,0

0,5 t 1,0

1,5

Рис.5 Рис.6

Рис.5-6. Временные зависимости числа скачков Баркгаузена для кристаллов TTC, облученных импульсным пучком электронов при различных значениях флюенса электронов' кривая 1 - 0k, 2 -10к, 3 - 30k, 4 - 60к (к = 10 5 элекгрон-см'2), наблюдаемые после коммутации внешнего электрического поля напряженностью Рис.5 - Е=85 В-см"1, Рис.6 - Е=130 В-см'1 Т = 21°С

N.103

42

36 *

30

24

18

1 12 / г

6 1

1,0 0

t,MVIH

2 3 t,MHH

Рис.7 Рис.8

Рис.7-8. Временные зависимости числа скачков Баркгаузена во времени, полученные для кристаллов ТГС после коммутации внешнего электрического поля различной величины кривая 185 В-см"1, 2-112 В-см"1, 3 - 130 В-см"1 Рис.7 - необлученный кристалл, Рис.8 - облученный

импульсным пучком электронов флюенсом 601015 электрон см"2

Т = 21 С

Математическая обработка экспериментальных результатов показала, что временные зависимости числа скачков Баркгаузена хорошо аппроксимируются

различные значения в зависимости от исследуемого кристалла, величины и направления внешнего электрического поля и температуры. Величина параметра а характеризует размытость спектра распределения времен релаксации и может принимать значения в интервале от 0 до 1.

В разделе 3.2.2 представлены результаты исследования влияния облучения СЭП на динамику доменной структуры кристаллов TTC и ДТГС методом эффекта Баркгаузена. На рис.9 показаны интегральные кривые распределения числа скачков переполяризации от напряженности приложенного поля при изменении электрического состояния образца методом ступеней по восходящей (рис.9а) и нисходящей (рис.9б) ветвям петли гистерезиса для кристаллов ДТГС, необлученного (кривая 1) и облученного импульсным пучком электронов (кривые 2-5). Как видно из рис.9 облучение импульсным пучком электронов приводит к уменьшению поля старта скачков Баркгаузена от Ест = -150 В-см (для необлученного кристалла) до Ест = -40 В-см"' (для кристалла, облученного импульсным пучком электронов с флюенсом равным 150-Ю" электрон-см"2) при изменении электрического поля методом ступеней от "- Емакс" до "+ Емакс". Напротив при изменении электрического поля методом ступеней от "+ EMaltc" до " -Емакс" поле старта возрастает от Ест = +350 В-см"1 (для необлученного кристалла) до Ест = +500 В-см'1 (для кристалла, облученного импульсным пучком электронов с флюенсом равным 150-Ю15 электрон-см"2). Такое влияние электронного облучения на поле старта свидетельствует об увеличении степени воздействия внутреннего поля на процессы переполяризации кристалла ДТГС.

На рис.10 представлены зависимости интегрального числа скачков Баркгаузена от величины флюенса электронов. Видно, что с увеличением флюенса электронов (от 0 до 400-1015 электрон см'2) для кристаллов ДТГС интегральное число скачков Баркгаузена сначала растет до 70-1015 электрон-см"2, а при дальнейшем увеличении флюенса - уменьшается.

Увеличение интегрального числа скачков Баркгаузена, наблюдаемое для монокристаллов ДТГС, с ростом величины флюенса электронов до 70-1015 электрон см"2, по-видимому, обусловлено образованием точечных заряженных дефектов под воздействием облучения импульсным пучком электронов. Исходя из данных работы [8], можно предположить, что такими дефектами являются радикалы: CD2COOD (образующиеся на глицине 1) и ND3+CDC02" (формирующиеся на глицинах II и III). Оба указанных радикала стабилизируют направление полярности в домене. При этом, по-видимому, происходит закрепление части доменных стенок, что приводит к уменьшению интегрального числа скачков Баркгаузена при облучении образцов ДТГС импульсным пучком электронов с флюенсом от 150-Ю15 до 400-1015 электрон-см'2, когда концентрация этих радикалов становится критической.

законом

и а - константы. Константа а принимает

N,104

N.104

55 50 45 40

35 X 25 20 15 10 5

E

/

.. 3

40-

E

0х-.-1 • ■■• Г Jr* -I-1-1-.-1-.-1

-400 -200 0 200 400 600

E.B-CM-1

-200 0 200

б

Рис.9 Зависимости интегрального числа скачков Баркгаузена от напряженности электрического поля, полученные для монокристаллов ДТГС при различных значениях флюенса электронов- кривая 1 — 0к; 2 — 10к; 3 - 70к; 4 - 150к, 5 - 400к (к = 1015 электрон-см'2) а - при изменении электрического поля методом ступеней по восходящей ветви петли гистерезиса, б - по нисходящей ветви петли гистерезиса. Т = 21°С

Выполнены исследования влияния облучения кристаллов TTC на интегральное число скачков Баркгаузена (рис.11). Характер кривых распределения скачков по полю для облученных кристаллов такой же, как и для необлученных. С увеличением значения флюенса от 0 до 60-1015 электрон-см"2 интегральное число скачков Баркгаузена при переключении кристаллов TTC методом ступеней увеличивается. Подобная зависимость наблюдается во всем исследуемом интервале температур. Это происходит потому, что с увеличением значения флюенса электронов в кристаллах ТГС повышается число дефектов, которые становятся центрами зародышеобразования, вследствие этого растет число скачков Баркгаузена. Аналогичное относительное положение кривых распределения интегрального числа скачков Баркгаузена для облученных и необлученных кристаллов наблюдается в кристаллах ДТГС в интервале значений флюенса электронов от 0 до 70-Ю15 электрон-см'2.

Результаты исследования влияния сильноточного импульсного пучка электронов на температурные зависимости интегрального числа скачков Баркгаузена для монокристаллов TTC представлены на рис.12. Видно, что кривые температурной зависимости числа скачков Баркгаузена для необлученных аналогичны соответствующим зависимостям для облученных образцов ТГС. Как видно из сравнения зависимостей, представленных на рис.12, облучение импульсным пучком электронов приводит к увеличению интегрального числа скачков Баркгаузена во всем исследованном интервале температур.

N,104

40

30-

GO, 454035 30 25

N,104

0 100 200 300 400 0 100 200 300 400

. й, 10 электрон-см" 6 0 ю^лектрон-см2

Рис.Ю. Зависимости интегрального числа скачков Баркгаузена от величины флюенса электронов, полученные для монокристаллов ДТГС а - при изменении электрического поля методом ступеней по восходящей ветви петли гистерезиса, б - по нисходящей ветви петли гистерезиса Т = 21°С

а б

Рис.11. Интегральные кривые распределение числа скачков Баркгаузена по полю, полученные при изменении электрического состояния облученных СЭП монокристаллов TTC по ветвям петли гистерезиса кривая 1 — Ок, 2 — 10к, 3 - ЗОк, 4 - 60к (к=1015 электрон см"2), а - Т=25°С, б - 45°С

а б

Рис.12. Температурные зависимости интегрального числа скачков Баркгаузена, полученные для монокристаллов ТГС' а - при изменении электрического состояния образца по восходящей ветви петли гистерезиса, б - по нисходящей ветви петли гистерезиса Кривая 1 - необлученный образец; 2 - облученный СЭП с флюенсом равным ЗОк (к=10 электрон см'2)

В разделе 3.3 представлена методика расчета функции распределения времен релаксации, которая обычно получается эмпирически на основе наблюдаемых частотных зависимостей диэлектрического отклика. В случае упорядоченных систем диэлектрический отклик описывается законом Дебая с единственным временем релаксации. Для описания наблюдаемого динамического отклика было предложено несколько эмпирических функций, представляющих обобщение закона Дебая. Среди этих функций наиболее известны следующие:

(1+(1а>ту-1)" (а)

(1 + /®г)-' (Ь) (1)

¡1 + М'Г , (с)

представляющие соответственно законы Коула-Коула (0 < к <1)-(а), Дэвидсона-Коула (0 < Р < 1 )-(Ь) и Гаврильяка-Негами (0 < у < 1, 0 < 5 < 1)-(с). Все эти соотношения записаны в пространстве частоты, тогда как в пространстве времени функция затухания, описывающая поведение диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрического кристалла при наложении на него постоянного электрического поля напряженностью Е, в самом простом случае (для закона Дебая, с одним временем релаксации) имеет вид обычной экспоненты:

Ф(0 = «р(-—1 (2)

еп-е<

где

Еп -е„

Обработка экспериментальных данных показала, что

ф(1)=ехр

Для набора времен релаксации получаем:

( (I г1 -

Ф(0=ехр--= |0(т)ех1

о

в

(4)

(5)

где т - микроскопическое время, соответствующее каждому элементарному экспоненциальному процессу диэлектрической релаксации, О(т) - функция распределения, соответствующая условию нормировки:

/0(т)<1т = 1.

(6)

Для нахождения функции распределения О(т) необходимо решить интегральное уравнение (5). Задача его решения является некорректной [9] (т.е. бесконечно малые вариации функции ФВД приводят к значительным изменениям решения - функции распределения С(т)).

В разделе 3.3.1 представлены спектры времен релаксации, рассчитанные из временных зависимостей диэлектрической проницаемости и числа скачков Баркгаузена. На рис.13 представлены результаты эксперимента, для которого рассчитан и построен спектр времен диэлектрической релаксации (рис.14). Функция распределения является несимметричной по отношению к наиболее вероятному времени релаксации со средним временем, смещенным в сторону больших времен.

Энергия потенциального барьера и, который необходимо преодолеть доменной стенке во время переполяризации образца, согласно закону Аррениуса связана со временем релаксации формулой

г = т0- ехр

'и4

кТ

(7)

где т0 - кинетический коэффициент, к - постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура. Из-за отсутствия данных о кинетическом коэффициенте (т0) рассчитать конкретное значение потенциального барьера, отвечающего данному времени релаксации при определенной температуре, невозможно, однако возможно вычислить ширину распределения энергии Ди:

А1У = кТЛ п

(8)

где т2, Т[ - соответственно максимальное и минимальное значения времени релаксации, при которых функция распределения С(т) принимает одинаковые значения, составляющие 0.2-0тах (т).

1

о —i-1—i-1—,—i—1—i—i—i—i—i—i—i

О 2 4 6 8 10 12 14 t, МИН

Рис.13. Временные зависимости диэлектрической проницаемости, полученные для кристалла ТГС при Т=25°С после коммутации внешнего электрического поля различной величины-1 - 360 В см"1,2-210 Всм'1; 3-150 Всм'1

Рис.14 Вид функции распределения G(t), рассчитанной из временных зависимостей диэлектрической проницаемости, полученных для кристалла ТГС при Т=25°С после коммутации внешнего электрического поля различной величины 1-360 В см"1, 2 -210 В см"1; 3 - 150 В см"1; т„= 1 мин

Оценка ширины распределения энергии показала, что AU в пределах погрешности эксперимента остается практически постоянной для любых значений внешнего коммутируемого поля и равной 0,08 эВ, что хорошо согласуется с данными авторов [10], полученными с помощью другой методики расчета спектров времен релаксации. Можно сделать вывод, что величина AU является характеристикой степени неоднородности кристалла.

Известно, что время установления всей поляризации кристалла равно времени установления ее необратимой части, обусловленной скачками Баркгаузена [11]. Поэтому для нахождения спектра распределения времен релаксации можно воспользоваться экспериментальными кривыми временных зависимостей числа скачков Баркгаузена N(t) (рис.5-8). На рис.15 представлены спектры распределения времен релаксации, рассчитанные из экспериментальных данных по распределению числа скачков Баркгаузена во времени для кристаллов TTC.

При анализе временных зависимостей числа скачков Баркгаузена была рассчитана ширина распределения энергии потенциальных барьеров. Для кристаллов TTC, облученных импульсным пучком электронов с флюенсом 301015электрон см'2, ширина распределения энергии составила Ди=0,090 эВ, а для кристаллов ТГС, облученных флюенсом 60-1015 электронсм'2, - Ди=0,097 эВ.

Рис.15. Вид функции распределения G(t), рассчитанной из временных зависимостей числа скачков Баркгаузена, полученных для облученных кристаллов ТГС при коммутации внешнего электрического поля напряженностью Е=130 В см'1- кривая 1 - 30k, 2 - 60к (к=1015 электрон см"2) т„= 1 мин Т=21°С

В разделе 3.4 представлено теоретическое описание процессов переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС. Был выполнен расчет функциональной зависимости смещения доменной стенки со временем при коммутации внешнего электрического поля. Для получения уравнения движения доменной границы (ДГ) запишем закон сохранения энергии для единицы площади ДГ в виде:

зл = зв + (1ик+я;„ (9)

где 5А — 1 РцЕхЖ. работа внешнего электрического поля, ¿%) = ^{х)1 Л - потеря энергии на вязкое трение, с1ик = кхск - энергия квазиупругих сил, 5и$ = Рщп{к)с1х - энергия сил сухого трения. Из (9) получаем:

г/(х)2с11 + кхсЬс + р8^(х)сЬс = 2Р8ЕхЖ. (10)

Разделив (10) на хШ; получаем уравнение движения ДГ в виде:

т](х) + кх + = 2Р3Е. (11)

В дальнейшем объединим учет сил сухого и вязкого трения в одно слагаемое:

Т]{хУ Sgn(x), 0</3< 1, которое является промежуточной силой между силами сухого и вязкого трения. При р = 1 эффективная сила трения по преимуществу является силой вязкого трения, а при р = 0 - силой сухого трения. При достаточно сильных электрических полях квазиупругую силу уже нельзя считать линейной, в связи с этим возникает необходимость учитывать и нелинейные

члены:кхх2 + к2хъ +.... Учет четных по степеням "х" членов квазиупругой силы позволяет описывать характеризующиеся униполярностью петли диэлектрического гистерезиса.

Рис.16. Смоделированное изменение во времени величины смещения ДГ сегнетоэлектрического кристалла при ступенчатом изменении внешнего электрического поля

Смещаясь во внешнем поле, доменные границы осуществляют переполяризацию сегнетоэлектрического материала. Изменение во времени абсолютной величины поляризации связано со смещением Щ) доменной стенки

2A 2 P0

соотношением: AP(t) =-U(t), т.е. с точностью до постоянной , кривая

d «

изменения поляризации АР(0 совпадает с временным ходом величины смещения

С/(г)(рис.16). При ступенчатом изменении внешнего электрического поля

временные зависимости величины смещения, а, следовательно, и поляризации,

хорошо аппроксимируются эмпирическим законом Кольрауша

V

U(l) « 1 - ехр

Временные зависимости числа скачков Баркгаузена,

представленные на рис.5-8, также подчиняются эмпирическому закону Кольрауша, как и функция U(t), что подтверждает правильность выбора математической модели.

Как известно, временные зависимости поляризации следуют такому же закону, что и временные зависимости числа скачков Баркгаузена [11]. Тем самым, рассмотрев уравнение движения доменной стенки и найдя закон изменения величины смещения, мы показали качественную согласованность с нашими экспериментальными данными. Исследования, проведенные методом эффекта Баркгаузена, подтвердили справедливость представления о целом наборе времен релаксации процесса переполяризации для кристаллов ТГС.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ:

1. С помощью релаксационного метода изучения временных зависимостей диэлектрической проницаемости выполнены исследования процессов переполяризации монокристаллов ТГС в широком интервале температур и при различных значениях приложенного к кристаллам поля. Обнаружено, что процессы переключения в кристаллах ТГС носят релаксационный характер.

2. Установлено, что релаксация диэлектрической проницаемости при коммутации электрического поля в кристаллах ТГС в широком интервале значений электрических полей и температур, вплоть до температуры фазового перехода, описывается растянутой экспоненциальной функцией (эмпирический закон Кольрауша): s(t)~exp(-t/T)a, где а - функция температуры и величины напряженности внешнего электрического поля, 0<а<1, т -характерное время релаксации.

3. Показано, что уменьшение степенного параметра а в законе Кольрауша е (t) ~ ехр (-(t/x)a) при росте напряженности внешнего электрического поля, приложенного к образцу, сопровождается изменением спектра времен релаксации. Определение ширины распределения энергии потенциальных барьеров показало, что она остается практически постоянной для любых значений внешнего коммутируемого поля. В связи с этим можно предположить, что данная величина является характеристикой степени неоднородности кристалла.

4. С помощью метода эффекта Баркгаузена установлено, что характер распределения числа скачков переключения по полю для облученных

кристаллов такой же, как и для необлученных. Показано, что облучение кристаллов TTC и ДТГС сильноточным импульсным пучком электронов приводит к изменению поля старта скачков Баркгаузена, что, по-видимому, обусловлено увеличением воздействия внутреннего поля на процессы их переполяризации.

5. Впервые установлено, что с увеличением флюенса электронов от 0 до 60Т015электрон-см"2 интегральное число скачков Баркгаузена при переключении кристаллов TTC и ДТГС методом ступеней увеличивается. Обнаружено, что увеличение температуры приводит к уменьшению интегрального числа скачков Баркгаузена как для необлученных, так и для облученных сильноточным импульсным пучком электронов кристаллов ТГС.

6. Установлено, что временные зависимости числа скачков Баркгаузена хорошо

Показано, что увеличение внешнего коммутируемого электрического поля оказывает ускоряющее действие на процессы переполяризации как необлученных, так и облученных кристаллов TTC, а также приводит к увеличению общего числа скачков Баркгаузена. 7. Из временных зависимостей числа скачков Баркгаузена, полученных после коммутации внешнего электрического поля, с помощью метода регуляризации Тихонова определены спектры распределения времен релаксации для необлученных и облученных сильноточным импульсным пучком электронов кристаллов TTC. Установлено, что увеличение флюенса электронов приводит к изменению ширины распределения энергии потенциальных барьеров.

Основные результаты диссертации опубликованы в статьях:

1. Иванов В.В., Колышева М.В., Макаров В.В., КпевцоваЕ.А. Влияние дейтерирования на процессы переключения кристалла ТГС // Конденсированные среды и межфазные границы, 2001. Т.З. №3. С.59-61.

2. Иванов В.В., Макаров В.В., Колышева М.В., КлевцоваЕ.А. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Материаловедение, 2001. С.6-9.

3. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксационные процессы в кристаллах ТГС // Материалы V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров: ВНИИСИМС, 2001.

4. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксация диэлектрической проницаемости в монокристаллах триглицинсульфата, вызванная изменением температуры // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь: ТвГУ, 2002. С.61-68.

5. Иванов В.В., КлевцоваЕ.А., Макаров В.В. Распределение времен релаксации в монокристаллах ТГС // Изв. РАН. Сер. Физ. 2003. Т.67. №8. С.1127-1128.

аппроксимируются законом

и 0<а<1 - константы.

С.260-270.

6. Ефимов В.В., Иванов В.В., Иванова Т.И., Клевцова Е.А., Макаров В.В., Маркова Т.А., Самсонова О.В., Тютюнников С.И. Исследование процессов переключения монокристаллов ТГС и ДТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов, методом эффекта Баркгаузена // Материалы международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения». Москва, 2003. С.40-44.

7. Иванов В.В., Макаров В.В., Клевцова Е.А. Спектр времен релаксации в монокристаллах ТГС. Вестник Тверского государственного университета. Серия Физика. Тверь: ТвГУ, 2004. Вып 4(6). С.115-117.

8. Ефимов В.В., Иванов В.В., Иванова Т.И., Клевцова Е.А., Макаров В.В., Маркова Т.А., Самсонова О.В., Тютюнников С.И. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переключения кристаллов ДТГС // Материалы электронной техники. 2005. №1. С.62-64.

9. Иванов В.В., Иванова Т.И., Макаров В.В. Влияние электронного облучения на динамику доменной структуры в монокристаллах ТГС и ДТГС // Труды VI международной конференции «Рост монокристаллов и тепломассоперенос». Обнинск, 2005. Т.2. С.458-475.

и тезисах:

1. Иванов В.В., КолышеваМ.В., Макаров В.В. Диэлектрическая релаксация кристаллов ТГС и ДТГС при коммутации внешнего электрического поля // Тезисы XX Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах». Воронеж, 1999. С.260-261.

2. Макаров В.В., КолышеваМ.В. Диэлектрическкая релаксация в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Тезисы 7 Российской научной студенческой конференции «Физика твердого тела». Томск, 2000. С. 111-112.

3. Ivanov V.V., Kolysheva M.V., MakarovV.V. The dynamics of domain structure in TGS and DTGS crystals after change of the temperature // Abstracts The Sixth International Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures. Китай. 2000. P.47.

4. Ivanov V.V., Kolysheva M.V., Makarov V.V. Relaxational procceses in TGS and DTGS crystals after change of the temperature // The Third International Seminar on Relaxor Ferroelectrics. Dubna, Russia, 2000. P.82.

5. Иванов B.B., Макаров B.B., КолышеваМ.В., Клевцова Е.А. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах триглицинсульфата // Тезисы IX Национальной конференции по росту кристаллов. ИК РАН. Москва, 2000. С.429.

6. Макаров В.В., КолышеваМ.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Тезисы 6 Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых. ВНКСФ-6. Томск, 2000. С.168-170.

7. Ivanov V.V., Klevtsova Е.А., Makarov V.V. Dielectric Relaxation in TGS and DTGS crystals under the temperature changing // Abstract 10th International Meeting on Ferroelectricity. Spain, Madrid, 2001. P.209.

8. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Процессы переключения в кристаллах ТГС и ДТГС // Тезисы V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2001. С. 127-128.

9. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксационные процессы в кристаллах ТГС // Тезисы докладов V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2001. С. 126-127.

10. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Распределение времен релаксации в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении температуры // Тезисы докладов Международной конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах». Тула, 2001. С.70.

11. Клевцова Е.А., Иванов В.В., Макаров В.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении температуры // Тезисы докладов Пятой научной конференции молодых ученых и специалистов. Дубна, 2001. С.46-48.

12. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Маркова Т.А., Макаров В.В., Тютюнников С.И., Ефимов В.В. Исследование процессов переключения кристаллов ДТГС, облученных импульсным пучком электронов // Тезисы VI Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2003. С.192-193.

13. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Маркова Т.А., Макаров В.В., Тютюнников С.И., Ефимов В.В. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переключения кристаллов ДТГС // Тезисы докладов II Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященной памяти М.П. Шаскольской. Москва, МИСиС, 2003. С.394.

14. IvanovV.V., Makarov V.V., Klevtsova Е.А., Markova T.A., Samsonova O.V., Tutunnikov S.I., Efimov V.V. Switching processes in TGS and DTGS crystals irradiated by high-current pulsed electron beam // Abstracts of International Jubilee Conference "Single crystals and their application in the XXI centure - 2004". June 8-11, Alexandrov, VNIISIMS, 2004. P.61-63.

15. Ivanov V.V., Makarov V.V., Klevtsova E.A., Markova T.A., Samsonova O.V., Tutunnikov S.I., Efimov V.V. Switching processes in TGS and DTGS crystals irradiated by high-current pulsed electron beam // Abstracts of the International Jubilee Conference "Single crystals and their application in the XXI centure - 2004". June 8-11, Alexandrov, VNIISIMS, 2004. P.193.

16. Иванов B.B., Иванова Т.И., Клевцова E.A., Макаров В.В., Тютюнников С.И., Ефимов В.В. Влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС // Тезисы XI Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2004, Москва, 2004. С.274.

Список цитированной литературы

1. Гольцман Б.М., ЯрмаркинВ.К. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти // ЖТФ, 1999. Т.69. № 5. С.89-92.

2. Мясников Э.Н., Толстоусов C.B., Фроленков К.Ю. Эффект памяти в сегнетоэлектрических пленках Ba085Sr0 |5Ti03 на кремниевой основе // ФТТ, 2004. Т.46. 12. С.2193-2199.

3. Березкин H.A., ДунА.З., МеркинС.Ю. Новая высокочувствительная телевизионная передающая трубка с пироэлектрической мишенью, использующая эффект модуляции тока электронного луча, РЕМЕТ (Pyroelectric Modulation Effect Tube) // Прикладная физика, 1999. №3. С.68-77.

4. Большакова H.H., Рудяк В.М. Процессы перестройки доменной структуры и эффект Баркгаузена в чистых и примесных кристаллах триглицинсульфата // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1991. Т.55. №3. С.606-611.

5. StrukovB.A., Taraskin S.A., Suvkhanov A.B. Defects and ferroelectric phase transitions // Ferroelectrics, 1991. V.124. P.189-194.

6. Corp A.A., Копылова И.Б. Униполярность диэлектрического гистерезиса в монокристаллах TTC, индуцированная электронным облучением в РЭМ // Изв. РАН. Сер. физ. 1996. Т.60. №10. С.150-152.

7. Бакалейников JI.A., Заморянская М.В., Колесникова Е.В., Соколов В.И., Флегонтова Е.Ю. Модификация диоксида кремния электронным пучком // ФТТ, 2004. Т.46.6. С.989-994.

8. Голицина О.М., Камышева JT.H., Дрождин С.Н. Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате //ФТТ, 1998. Т.40. №1. С.116-117.

9. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1986. 214 С.

10. Гладкий В.В., КириковВ.А., Иванова Е.С. Медленная релаксация полидоменного сегнетоэлектрика в слабых электрических полях //ФТТ, 1997. Т.39. №2. С.353-357.

11. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Наука, 1986.248 С.

»23 939

РНБ Русский фонд

2006-4 27314

Подписано в печать 16.11.2005. Формат 60 х 84 1 / 16. Бумага типографская №1. Печать офсетная. Усл.печл. 1,5. Уч.-изд.л. 1,3. Тираж 100 экз. Заказ №475. Тверской государственный университет, Отпечатано на физико-техническом факультете. 170002, г.Тверь, Садовый пер., 35.

Введение.

Глава I. Обзор литературы.

1.1. Физические свойства кристалла триглицинсульфата.

1.2. Влияние дейтерирования на свойства сегнетоэлектрических кристаллов. Деитерированный аналог кристалла ТГС.

1.3. Диэлектрические свойства облученных и примесных кристаллов ТГС и ДТГС.

1.4.Процессы переполяризации в сегнетоэлектриках.

1.5. Радиационные дефекты.

1.5.1. Явления, наблюдаемые при электронной бомбардировке твердых тел

1.5.2. Электронное воздействие на сегнетоэлектрические кристаллы.

1.6.Сильноточное импульсное электронное облучение.

1.6.1. Применение импульсного сильноточного источника электронов и ионов в экспериментах по облучению и модификации свойств твердых тел

Постановка задачи.

Глава II. Экспериментальные установки. Методики обработки результатов.

2.1. Метод эффекта Баркгаузена.

2.2. Экспериментальная установка для получения электронных и ионных пучков.

2.3. Установка для исследования релаксации диэлектрической проницаемости в кристаллах ТГС при коммутации внешнего электрического поля.

2.6. Погрешности измерений.

ГЛАВА III. Экспериментальные результаты исследования влияния облучения сильноточным импульсным пучком электронов на переполяризацию кристаллов ТГС и ДТГС, их обсуждение и выводы.

3.1. Релаксация диэлектрической проницаемости при коммутации внешнего электрического поля.

3.2. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС.

3.2.1. Исследование влияния облучения СЭП на релаксационные процессы в кристаллах ТГС методом эффекта Баркгаузена.

3.2.2. Исследование влияния облучения СЭП на динамику доменной структуры кристаллов ТГС и ДТГС методом эффекта Баркгаузена.

3.3. Расчет функции распределения времен релаксации.

3.3.1. Результаты расчета функции распределения времен релаксации.

3.4. Теоретическое описание процессов переполяризации.

Актуальность темы. Сегнетоэлектрики — вещества, у которых в отсутствии внешнего электрического поля в некотором диапазоне температур возникает спонтанная поляризация, — представляют обширную группу соединений и твердых растворов, обладающих огромным спектром характерных явлений и разнообразными физическими свойствами. Они используются для изготовления радиотехнических конденсаторов, электромеханических преобразователей и являются практически единственными материалами для гидроакустических устройств, пироэлектрических приемников инфракрасного излучения, устройств обработки и хранения информации, радио-, акусто- и оптоэлектроники, динамических элементов памяти и логических элементов ЭВМ [1,2], диэлектрических усилителей, частотных модуляторов, диэлектрических устройств в области сверхнизких температур. Сегнетоэлектрики особенно эффективны при работе в условиях, требующих высокой радиационной стойкости. Их универсальность связана с использованием основных свойств: высокой диэлектрической проницаемости, большой пьезоэлектрической активности, диэлектрической и оптической нелинейности, спонтанной поляризации и пироэлектрического эффекта.

Наиболее распространенные сегнетоэлектрические кристаллы принадлежат семейству триглицинсульфата (ТГС), широко применяющегося в пироэлектрических видиконах, а также высокочувствительных телевизионных передающих трубках с пироэлектрической мишенью, в которых считывание сигнала происходит видиконным способом [3]. Хорошие технические характеристики в сочетании с отсутствием селективности по широкому диапазону детектируемых частот обеспечивают большие возможности использования пироприемников, которые нашли применение при визуализации теплопотерь в электрической аппаратуре, а также в медицинских исследованиях.

Свойства сегнетоэлектриков в значительной степени определяются концентрацией и типом дефектов и примесей, содержащихся в кристалле, их расположением в кристаллической решетке и характером взаимодействия между собой. Введение в кристаллическую структуру разного рода допирующих элементов, а также воздействие на кристаллы различными типами ионизирующего излучения существенно влияют на их переключение [4-6]. Эволюция сегнетоэлектрической доменной структуры при переполяризации представляет собой сложный процесс зарождения, роста и слияния множества отдельных доменов. Особую роль в исследовании процессов переключения играет анализ скачков Баркгаузена, которые обычно связывают с образованием зародышей, сквозным прорастанием отдельных доменов и взаимодействием доменных стенок с дефектами. Под влиянием различных внешних воздействий (механических напряжений, освещения, ультразвука, у-облучения и др.) доменная структура и характер ее перестройки существенно изменяются.

Появление оптических квантовых генераторов, а затем ускорителей сильноточных импульсных пучков электронов (СЭП) и мощных импульсных пучков ионов (МИП) создало уникальную возможность получения новых видов воздействий концентрированных потоков энергии на материалы. Они включают одновременно радиационное, тепловое и механическое воздействия. Радиационно- стимулированные процессы имеют сложную физическую природу, связанную с особенностями трансформации и аккумуляции поглощенной энергии.

В настоящее время существует мало литературных данных по результатам исследования влияния сильноточных импульсных пучков электронов на процессы переключения сегнетоэлектрических кристаллов ТГС и его дейтерированного аналога ДТГС. Следует отметить, что работы, проводимые по модификации материала сильноточным импульсным пучком электронов, представляют большой интерес как в фундаментальном, так и прикладном плане [7]. В связи с этим исследование процессов

I переполяризации кристаллов группы ТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов, является актуальной задачей.

Цель и задачи исследования. Целью настоящей работы является комплексное исследование процессов переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов.

В соответствии с этой целью были поставлены следующие основные задачи:

• Исследовать влияние облучения СЭП на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС методом эффекта Баркгаузена.

V • Исследовать релаксационные зависимости диэлектрической проницаемости и числа скачков Баркгаузена в необлученных и облученных кристаллах ТГС при коммутации приложенного к образцу электрического поля, а также влияние внешних воздействий на протекание процессов переполяризации этих кристаллов.

• Разработать методику расчета функции распределения времен релаксации процесса переполяризации в кристаллах ТГС.

• С помощью теоретической модели обосновать влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования выбраны перспективные для преобразователей инфракрасного излучения сегнетоэлектрики: триглицинсульфат (NI^CI-^COOHVFbSC^ и его дейтерированный аналог (ND2CD2C00D)3-D2S04, необлученные и облученные сильноточным импульсным пучком электронов. Монокристаллы ТГС и ДТГС выращены в Институте кристаллографии РАН и на Ловозерском горно-обогатительном комбинате. Облучение образцов проводилось на импульсном сильноточном источнике электронов и ионов (ИСИЭИ) в Лаборатории физики частиц Объединенного института ядерных исследований (ЛФЧ ОИЯИ), г. Дубна.

Научная новизна. В данной работе впервые:

• С помощью высокочувствительного метода эффекта Баркгаузена исследовано влияние сильноточного импульсного электронного облучения на процессы переключения кристаллов ТГС и ДТГС.

• Методом регуляризации Тихонова получены спектры распределения времен релаксации в кристаллах ТГС. В предположении, что процесс релаксации поляризации является термоактивационным, рассчитана ширина распределения энергии барьеров. Показано, что облучение сильноточным импульсным пучком электронов приводит к увеличению интервала распределения энергии барьеров.

• Исследовано влияние сильноточного импульсного электронного облучения на временные зависимости числа скачков Баркгаузена в кристаллах ТГС. Показано, что данные зависимости хорошо аппроксимируются законом N ~ 1 - ехр f'Yl ч где т и 0<а<1 - константы.

• Установлено, что увеличение внешнего коммутируемого электрического поля оказывает ускоряющее действие на процессы переполяризации как необлученных, так и облученных кристаллов ТГС.

Практическая ценность результатов работы заключается в возможности использования разработанных экспериментальных и теоретических методов для исследования релаксационных явлений в твердых телах. Впервые полученные результаты углубляют представления о влиянии облучения СЭП на сегнетоэлектрические свойства кристаллов и процессы их переключения под воздействием электрического поля и могут быть применены при производстве современных электронных приборов. Установленные закономерности влияния электронного воздействия на физические свойства кристаллов ТГС могут быть использованы в лабораториях и научных центрах, занимающихся исследованиями свойств кристаллической и доменной структуры облученных сегнетоэлектрических кристаллов, ее кинетикой и моделированием процессов переполяризации. Также они представляют интерес для практического применения в электронике и радиотехнике и могут быть учтены при разработке пироэлектрических приемников, ИК-детекторов, пировидиконов, запоминающих устройств, температурных датчиков.

Тематика работы соответствует «перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН (раздел 1.2 - «физика конденсированных состояний вещества»). Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики сегнето-и пьезоэлектриков, грантов Минобразования России по научной программе 015 «Фундаментальные исследования высшей школы в области естественных и гуманитарных наук. Университеты России» (Проект № УРО 1.01.053 - «Фундаментальные исследования влияния реальной структуры на гистерезисные и другие физические свойства перспективных сегнетоэлектрических материалов»; №015.01.01.065 — «Теоретические и экспериментальные исследования гистерезисных и других физических свойств перспективных сегнетоэлектрических, пьезоэлектрических и пироэлектрических материалов»), при поддержке стипендии Президента Российской Федерации.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Облучение кристаллов ТГС и ДТГС сильноточным импульсным пучком электронов существенно влияет на процессы их переключения. С увеличением значения флюенса электронов интегральное число скачков Баркгаузена возрастает для обоих кристаллов ТГС и ДТГС. Рост температуры приводит к уменьшению интегрального числа скачков Баркгаузена как для необлученных, так и облученных сильноточным импульсным пучком электронов исследованных сегнетоэлектриков.

2. Релаксационные процессы, наблюдаемые при переполяризации как необлученных, так и облученных сильноточным импульсным пучком электронов сегнетоэлектрических кристаллов ТГС, описываются эмпирическим законом Кольрауша.

3. Увеличение внешнего коммутируемого электрического поля оказывает ускоряющее действие на процессы переполяризации как необлученных, так и облученных кристаллов ТГС.

4. С помощью метода регуляризации Тихонова получены спектры распределения времен релаксации для необлученных и облученных сильноточным импульсным пучком электронов кристаллов ТГС. Установлено, что увеличение внешнего электрического поля приводит к уменьшению степенного параметра а в законе Кольрауша, что в свою очередь способствует изменению спектра распределения времен релаксации.

5. Облучение сильноточным импульсным пучком электронов кристаллов ТГС приводит к изменению ширины распределения энергии потенциальных барьеров.

Публикации. Основные результаты исследований отражены в 9 статьях, опубликованных в центральной и межвузовской печати, и 16 тезисах конференций.

Личный вклад автора. Диссертационная работа выполнена в соответствии с планом исследований, проводимых на кафедре физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков ТвГУ. Постановка задачи исследования, анализ и обобщение данных, а также формулировка выводов выполнены совместно с научным руководителем - кандидатом физико-математических наук, профессором В.В. Ивановым. Все основные экспериментальные результаты по исследованию влияния электронного облучения на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС получены соискателем. Им же выполнены соответствующие расчеты физических параметров, разработана методика расчета спектров времен релаксации с помощью метода регуляризации Тихонова, смоделирован процесс переполяризации с учетом движения плоской доменной стенки.

Апробация результатов работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях:

1) IX, X, XI Национальных конференциях по росту кристаллов г. Москва, НКРК-2000, НКРК-2002, НКРК-2004;

2) The International Jubilee Conference " Single crystals and their application in the XXI century - 2004 " VNIISIMS, Alexandrov, Russia. June, 2004;

3) YI Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение», ВНИИСИМС, Александров. Сентябрь, 2003;

4) II Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященная памяти М.П.Шаскольской, МИСИС, Москва. Октябрь, 2003;

5) Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения», Москва. Ноябрь, 2003;

6) XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, ВКС-XVI, Тверь. Сентябрь, 2002;

7) V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение», ВНИИСИМС, Александров. Сентябрь, 2001;

8) The Third International Seminar on Relaxor Ferroelectrics. Dubna, Russia. 2000;

9) The Sixth International Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures, China. 2000;

10) 9-й Международной конференции «Диэлектрики-2000», ICD-2000, СГПУ, Санкт-Петербург. 2000;

11) VI Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых, ВНКСФ-6, Томск. Апрель, 2000;

12) XX Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах", Воронеж. 1999;

13) Международной конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах»-ИАР8-10, Тула. Ноябрь, 2001.

14) XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, Пенза.

Июнь, 2005.

15) VI Международной конференции "Рост монокристаллов и тепломассоперенос", ICSC-2005, Обнинск. Сентябрь, 2005.

Публикации

Основные результаты исследований отражены в 9 статьях, опубликованных в центральной и межвузовской печати, и 16 тезисах.

Личный вклад автора

Постановка задачи исследования, анализ и обобщение данных, а также формулировка выводов выполнены совместно с научным руководителем-кандидатом физико-математических наук, профессором В.В.Ивановым. Все основные экспериментальные результаты по исследованию влияния электронного облучения на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС получены автором. Им также выполнены соответствующие расчеты физических параметров, разработана методика расчета спектров времен релаксации с помощью метода регуляризации Тихонова, смоделирован процесс переполяризации с учетом движения плоской доменной стенки.

Структура и объем диссертационной работы.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, двух приложений и библиографии. Работа изложена на 120 страницах машинописного текста и содержит 39 рисунков и 3 таблицы. Библиография включает 173 наименования.

Основные результаты диссертации опубликованы в статьях:

1. Иванов В.В., Колышева М.В., Макаров В.В., КлевцоваЕ.А. Влияние дейтерирования на процессы переключения кристалла ТГС // Конденсированные среды и межфазные границы, 2001. Т.З. №3. С.59-61.

2. Иванов В.В., МакаровВ.В., КолышеваМ.В., КлевцоваЕ.А. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Материаловедение, 2001. С.6-9.

3. ИвановВ.В., КлевцоваЕ.А., МакаровВ.В. Релаксационные процессы в кристаллах ТГС // Материалы V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров: ВНИИСИМС, 2001. С.260-270.

4. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксация диэлектрической проницаемости в монокристаллах триглицинсульфата, вызванная изменением температуры // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь: ТвГУ, 2002. С.61-68.

5. Иванов В.В., КлевцоваЕ.А., Макаров В.В. Распределение времен релаксации в монокристаллах ТГС // Изв. РАН. Сер. Физ. 2003. Т.67. №8. С.1127-1128.

6. Ефимов В.В., Иванов В.В., Иванова Т.И., Клевцова Е.А., Макаров В.В., Маркова Т.А., Самсонова О.В., Тютюнников С.И. Исследование процессов переключения монокристаллов ТГС и ДТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов, методом эффекта Баркгаузена // Материалы международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения». Москва, 2003. С.40-44.

7. Иванов В.В., Макаров В.В., КлевцоваЕ.А. Спектр времен релаксации в монокристаллах ТГС. Вестник Тверского государственного университета. Серия Физика. Тверь: ТвГУ, 2004. Вып 4(6). С.115-117.

8. Ефимов В.В., Иванов В.В., Иванова Т.И., КлевцоваЕ.А., Макаров В.В., Маркова Т.А., Самсонова О.В., Тютюнников С.И. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переключения кристаллов ДТГС // Материалы электронной техники. 2005. №1. С.62-64. 9. Иванов В.В., Иванова Т.И., Макаров В.В. Влияние электронного облучения на динамику доменной структуры в монокристаллах ТГС и ДТГС // Труды VI международной конференции «Рост монокристаллов и тепломассоперенос». Обнинск, 2005. Т.2. С.458-475. и тезисах:

1. Иванов В.В., Колышева М.В., Макаров В.В. Диэлектрическая релаксация кристаллов ТГС и ДТГС при коммутации внешнего электрического поля // Тезисы XX Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах». Воронеж, 1999. С.260-261.

2. Макаров В.В., Колышева М.В. Диэлектрическкая релаксация в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Тезисы 7 Российской научной студенческой конференции «Физика твердого тела». Томск, 2000. С. 111-112.

3. IvanovV.V., Kolysheva M.V., Makarov V.V. The dynamics of domain structure in TGS and DTGS crystals after change of the temperature // Abstracts The Sixth International Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures. Китай. 2000. P.47.

4. Ivanov V.V., Kolysheva M.V., Makarov V.V. Relaxational procceses in TGS and DTGS crystals after change of the temperature // The Third International Seminar on Relaxor Ferroelectrics. Dubna, Russia, 2000. P.82.

5. Иванов B.B., Макаров B.B., Колышева M.B., КлевцоваЕ.А. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах триглицинсульфата // Тезисы IX Национальной конференции по росту кристаллов. ИК РАН. Москва, 2000. С.429.

6. Макаров В.В., Колышева М.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Тезисы 6 Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых. ВНКСФ-6. Томск, 2000. С. 168-170.

7. Ivanov V.V., Klevtsova E.A., Makarov V.V. Dielectric Relaxation in TGS and DTGS crystals under the temperature changing // Abstract 10th International Meeting on Ferroelectricity. Spain, Madrid, 2001. P.209.

8. Иванов B.B., Клевцова E.A., Макаров B.B. Процессы переключения в кристаллах ТГС и ДТГС // Тезисы V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2001. С.127-128.

9. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксационные процессы в кристаллах ТГС // Тезисы докладов V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2001. С.126-127.

10. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Распределение времен релаксации в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении температуры // Тезисы докладов Международной конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах». Тула, 2001. С.70.

11. Клевцова Е.А., Иванов В.В., Макаров В.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении температуры // Тезисы докладов Пятой научной конференции молодых ученых и специалистов. Дубна, 2001. С.46-48.

12. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Маркова Т.А., Макаров В.В., Тютюнников С.И., Ефимов В.В. Исследование процессов переключения кристаллов ДТГС, облученных импульсным пучком электронов // Тезисы VI Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2003. С. 192-193.

13. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Маркова Т.А., Макаров В.В., Тютюнников С.И., Ефимов В.В. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переключения кристаллов ДТГС // Тезисы докладов II Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященной памяти М.П. Шаскольской. Москва, МИСиС, 2003. С.394.

14. Ivanov V.V., Makarov V.V., Klevtsova E.A., Markova T.A., Samsonova O.V., Tutunnikov S.I., Efimov V.V. Switching processes in TGS and DTGS crystals irradiated by high-current pulsed electron beam // Abstracts of International Jubilee Conference "Single crystals and their application in the XXI centure - 2004". June 8-11, Alexandrov, VNIISIMS, 2004. P.61-63.

15. Ivanov V.V., Makarov V.V., Klevtsova E.A., Markova T.A., Samsonova O.V., Tutunnikov S.I., Efimov V.V. Switching processes in TGS and DTGS crystals irradiated by high-current pulsed electron beam // Abstracts of the International Jubilee Conference "Single crystals and their application in the XXI centure -2004". June 8-11, Alexandrov, VNIISIMS, 2004. P. 193.

16. Иванов B.B., Иванова Т.И., Клевцова E.A., Макаров B.B., Тютюнннков С.И., Ефимов В.В. Влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС // Тезисы XI Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2004, Москва, 2004. С.274.

1. Гольцман Б.М., Ярмаркин В.К. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти // ЖТФ, 1999. Т.69. № 5. С. 89-92.

2. Мясников Э.Н., Толстоусов С.В., Фроленков К.Ю. Эффект памяти в сегнетоэлектрических пленках Bao.ssSro.isTiOs на кремниевой основе // ФТТ, 2004. Т.46. №12. С.2193-2199.

3. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир, 1981. 736 С.

4. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. -М.: Наука, 1986. 248 С.

5. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. М.: Мир, 1981. 528 С.

6. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы.-М.: Мир, 1965. 56 С.

7. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики под ред. Смоленского Г.А.- Л.: Наука, 1971. 476 С.

8. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Физика сегнетоэлектрических явлений под ред. Г.А.Смоленского.- JL: Наука, 1985. 396 С.

9. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах.-М.: Наука, 1995. 304 С.

10. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества. -М.: Атомиздат,1973. 472 С.

11. Желудев И.С. Электрические кристаллы.-М.: Наука, 1969. 216 С.

12. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата.-Мн.: Наука и техника, 1986. 216 С.

13. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах.-М.: Физматлит, 2000. 239 С.

14. Mattias В.Т., Miller С.Е., Remeika J.P. Ferroelectricity of glycine sulphate// Phys.Rev., 1956. V.104. P. 849-853.

15. Гаврилова Н.Д., Новик B.K., Павлов C.B. Динамика протонов и диэлектрические свойства сегнетоэлектриков // Изв РАН, Сер.физ., 1993. Т.57. №6. С. 128-131.

16. Галанов Е.К., Кисловский Л.Д., Шувалов Л.А., Иванов Н.Р. О природе молекулярного механизма сегнетоэлектрического перехода в кристаллах группы триглицинсульфата// Изв. АН СССР. Сер. физ., 1969. Т.ЗЗ. №2. С.246-250.

17. Winterfeldt V., Schaack G., Klopperpieper A. Temperature behaviour of optical phonons near Tc in triglycine sulphate and triglycine selenate // Ferroelectrics, 1977. Vol.15. P.21-35.

18. Kaneko N., Takahashi H., Higasi K. Temperature dependence of the lattice vibrations of triglycine selenate//J. Phys. Chem. Sol., 1977. Vol.38. P.849-853.

19. Schmidt V.A. Ferroelectric hydrogen bonded systems // The hydrogen bond. Recent development in theory and experiment-Amsterdam: 1976. P. 1109-1168.

20. Kettle S.F., Lugwisha E., Eckert J., McGuire N.K. Intermolecular vibrational coupling in glycine // Spectrochimica Acta, 1989. Vol.45A. №5. P.533-539.

21. Sundius Т., Bandekar J., Krimm S. Vibrational analysis of crystalline triglycine // Journal of Molecular Structure, 1989. Vol.214 .P.l 19-142.

22. Комяк А.И., Маляревич A.M., Шашков C.H. Расчет низкочастотного колебательного спектра кристалла триглицинсульфата полуэмпирическими методами // Хим. физ., 1993. Т. 12. №9. С. 1177-1183.

23. Malyarevich A.M., Posledovich M.R. The assignment of lattice vibrations in triglycine sulphate-type crystals// Journal of Molecular Structure, 1996. Vol.375. P.43-51.

24. Hoshino S., Mitsui Т., Jona F., Pepinsky R. Dielectric and thermal study of triglycine sulfate and tri-glycine fluoberyllate// Phys.Rev., 1957. Vol.107. P.1255-1258.

25. Gaffar M.A., Al-Houty L.I., Muraikhi M.A1., Mohamed A.A. Investigations on the existence of a low-temperature phase transiton in triglycine sulphate single crystals//J. Phys.C: Solid State Phys., 1988.Vol.21. P.l831-1838.

26. Suzuki E., Kobayashi Y., Endo S., Deguchi K., Kikegawa T. Pressure-induced structural transition in TGS // Symposium on Ferroelectricity RCBJSF-7. St.Petersburg, 2002. P.97.

27. Афонская И. А., Большакова Н.Н., Комлякова Н.С., Корина Р. В., Соколова И.Д. Процессы перестройки доменной структуры монокристаллов ТГС с двойной примесью кобальта и хрома // Изв. Вузов, 1991. №4. С.63-66.

28. Комлякова Н.С. Воздействие у и рентгеновского облучения на процессы поляризации и переполяризации монокристаллов триглицинсульфата и сегнетовой соли. Автореф. дисс. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук.-Калинин, КГУ. 1973. 16 С.

29. Bolshakova N.N., Maltseva T.V., Rudyak V.M., Fomina V.I., Chereshneva N.N. Characteristics of pyroelectric materials for pyrovidicon targets // Integrated Ferroelectrics, 1998. Vol.19. P. 179-192.

30. Hoshino S., Oraya Y., Pepinsky R. Crystal structure of the ferroelectric phase of(glycine)3-H2S04//Phys. Rev., 1959. Vol.115. P.323-327.

31. Itoh Kazuyuki, Mitsui Toshio. Studies of the crystal structure of triglycine sulphate in connection with its ferroelectric phase transition // Ferroelectrics, 1973. Vol.5. P.235-251.

32. Kay M.I., Kleinberg R. The crystal structure of triglycine sulfate// Ferroelectrics, 1973. Vol.5. P.45-52.

33. Рига В., Przedmojski J. Anisotropy in the reciprocal lattice space of critical x-ray scattering in TGS // Phys. Lett. 43 A., 1959. P.217-218.

34. Solans X., Franco F., Miravitlles С. The pyroelectric phase of TGS. X-ray analyses on triglycine sulphate crystals // Ferroelectrics, 1985. Vol.62. P.59-70.

35. Донцова JI.И., Тихомирова Н.А., Шувалов Л.А. Дефекты и их роль в процессах переполяризации формирования внутренних смещающих полей в сегнетоэлектриках // Кристаллография, 1994. Т.39. №1. С.158-175.

36. Афонская И.А., Большакова Н.Н., Иванова Т.И., Иодковская К.В., Корина Р.В., Рудяк В.М. Влияние у облучения на некоторые физические свойства таллийсодержащих кристаллов триглицинсульфата.// Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат., 1986. №1. С.74-78.

37. Колонцова Е.В., Редько С.В., Стручков Ю.Т., Яновский А.И. Кристаллическая структура облученных и нагретых монокристаллов триглицинсульфата//Кристаллография, 1990. Т.35. №1. С.209-212.

38. Баранов А.И., Якушкин Е.Д. Смешанные фазы и не эргодичность в кристаллах (NH4)1.xRbx.3H3(S04)2 и [(ND4),.xRbx]3D3(S04)2 // Всеросс. конф. по физ. сегнетоэл.: Тез. докл. г. Ростов-на-Дону. 1999. С.78.

39. Сидоркин А.С., Бурданина Н.А., Камышева JI.H., Федосов В.Н. Влияние доменной структуры на процессы переполяризации кристалла KH2XD2(I. Х)Р04 (DKDP) // ФТТ, 1979. Т.21. №3. С.861 865.

40. Камышева JI.H., Подгорная Т.Н. Подвижность доменных стенок в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата // Кристаллография, 1999. Т.44. №2. С.304-307.

41. Наземец О.В., Дабижа Т.А. Доменная структура дейтерированного триглицинсульфата при различных температурных воздействиях // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, 1988. С.116 122.

42. Дрождина С.Н., Голицина О.М., Никишина А.И., Тума Ф.А., Тарасов Д.П. Релаксация доменной структуры кристаллов ТГС и ДТГС в процессе статической переполяризации // ФТТ, 2006. Т. 48. №3. С.497-500.

43. Богомолов А.А., Малышкина О.В. Поверхностный слой в кристаллах ДТГС // Изв РАН, Сер.физ., 1993. Т.57. №3. С.199-203.

44. Богомолов А.А., Дабижа Т.А., Малышкина О.В., Солнышкин А.В. Пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС при наличии температурного градиента // Изв РАН, Сер.физ., 1996. Т.60. №10. С. 186189.

45. Наземец О.В., Дабижа Т.А. Доменная структура дейтерированного триглицинсульфата при различных температурных воздействиях // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, 1988. С.116 122.

46. Галиярова Н.М., Федорихин В.А., Донцова Л.И., Шильников А.В. Критическое замедление низкочастотной релаксации в дейтерированном триглицинсульфате // Изв РАН. Сер.физ., 1996. Т.60. №10. С. 142-149.

47. Александрова М.А., Комлякова Н.С., Соколова Н.Д. Исследование процессов переполяризации монокристаллов ДТГС и ДТГС: Си2+ различной толщины // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, 1988. С. 157159.

48. Иванов Н.Р., Чумакова С.П., Гинзберг А.В. Новая мода переключения сегнетоэлектрических доменов в кристаллах группы триглицинсульфата // Тез.ХУ Всеросс. конф. по физ сегнетоэл. г. Ростов-на-Дону, 1999. С. 125.

49. Дрождин С.Н., Куянцев М.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата // ФТТ, 1998. Т.40. №8. С.1542-1545.

50. Mihailova Е., Stoyanov St. Ferroelectric behaviour of Doped TGS// Solid State Phys., 1996. Vol.154. P.797-802.

51. Strukov B.A., Taraskin S.A., Suvkhanov A.B. Defects and ferroelectric phase transitions // Ferroelectrics, 1991. Vol.124. P. 189-194.

52. Кудзин А.Ю., Волнянский М.Д., Трубицин М.П., Бусоул И.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах слабого сегнетоэлектрика Li2Ge7015 // ФТТ, 1998. Т.40. №12. С.2198-2201.

53. Желудев И.С., Проскурин М.А., Юрин В.А., Баберкин А.С. // Докл.АН СССР, 1955. Т. 103. С. 107.

54. Chynoweth A.G. Radiation damage effects in ferroelectric triglycine sulfate // Phys. Rev., 1959. Vol.113. P.159.

55. Jaskiewicz A., Mroz J. The internal field in an X-ray irradiated TGS crystal having a regular domain structure// Akta Physika Polonika, 1981. Vol. A59. 5. P.561-569.

56. Alemany C., Mendiola J., Jimenez В., Maurer E. X-ray damage on TGS: a thermodynamic theory // Ferroelectrics, 1973. Vol.5. P. 11-15.

57. El-Fadl Abu A. Temperature dependence of the absorption spectra and optical parameters in TGS and Cu -doped TGS crystals // Cryst. Res. Technol., 1999. Vol.34. 8. P. 1047-1054.

58. Buotin W., Frazer B.G., Iona E.J. // Phys. Chem. Solids, 1963. Vol.24. P.1341-1345.

59. Okada K., Gonzalo J.A., Rivera M. // J. Phys. Chem. Solids, 1967. Vol.28. P.689-695.

60. Stankowska J. Ageing process in triglycine sulphate single crystals // Akta Physika Polonika, 1967. Vol.31. P.527-550.

61. Большакова Н.Н., Рудяк В.М. Процессы перестройки доменной структуры и эффект Баркгаузена в чистых и примесных кристаллах триглицинсульфата // Изв. АН СССР, Сер.Физ., 1991. Т.55. №3. С.606-611.

62. Gaffar М.А., Al-Houty L.I., Al-Muraikhi М., Mohamed А.А. The effect on the polarization and piezoelectricity of triglycine sulphate crystals of doping with some divalent and trivalent ions //J. Phys. C: Solid State Phys., 1988. Vol.21. P.1821-1829.

63. Suzuki E., Kobayashi Y., Endo S., Deguchi K., KikegawaT. Pressure-induced structural transition in TGS // Symposium on Ferroelectricity RCBJSF-7. St.Petersburg, 2002. P.97.

64. Ferroelectric TGS (NHiC^COOH^-HsSC^ under high pressure/ Y.Kobayashi, S.Sawada, H.Furuta, S.Endo, K.Deguchi // Journal of Physics: Condensed Matter, 2002. Vol.14. 44. P. 11139-11143.

65. Пешиков E.B. Влияние внешних воздействий и дейтерирования на релаксацию доменных границ в кристаллах триглицинсульфата // Кристаллография, 1975. Т.20. №6. С.1230-1234.

66. Gaffar М.А., El-Fadl A.Abu. Effect of doping and irradiation on optical parameters of triglycine sulphate single crystals // Cryst.Res.Technol., 1999. Vol.34. 7. P.915-923.

67. Corp A.A., Копылова И.Б. Исследование кинетики накопления и релаксации инжектированных зарядов в кристаллах ТГС // Изв. РАН. Сер. физ., 2000. Т.64. №6. С.1199-1202.

68. Согр А. А., Копылова И.Б. Униполярность диэлектрического гистерезиса в монокристаллах ТГС, индуцированная электронным облучением в РЭМ//Изв. РАН. Сер. физ., 1996. Т.60. №10. С. 150-152.

69. Corp А.А., Бородин В.З. Наблюдение динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе // Изв. АН СССР. Сер. физ., 1984. Т.48. №6. С.1086-1089.

70. Stankowski J. Molecular dynamics of ferroelectric crystals of the triglycine sulphate family// Physics Reports (A Review Section of Physics Letter), 1981. Vol.77. 1. P. 1-46.

71. Bolshakova N.N., Maltseva T.V., Rudyak V.M., Fomina V.I., Chereshneva N.N. Characteristics of pyroelectric materials for pyrovidicon targets // Integrated Ferroelectrics, 1998. Vol.19. P.179-192.

72. Магатаев B.K., Глушков В.Ф., Гладкий B.B., Козин В.В., Яковлева JI.M. Аномальный гистерезис перестройки доменной структуры кристалла Rb2ZnCl4 при изменении температуры // ФТТ, 1989. Т.31. №5. С.317-319.

73. Магатаев В.К., Глушков В.Ф., Гладкий В.В. Электрический отклик полидоменного сегнетоэлектрика на циклическое изменение температуры // ФТТ, 1997. Т.39. №2. С.358-362.

74. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Куминов В.П., Субботин А.Л., Кожевников В.Л. Эффект Баркгаузена при скачкообразном движении доменной стенки в молибдате гадолиния // ФТТ, 1999. Т.41. №2. С.301-305.

75. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов А.С., Собянин А.А. Изменения структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов // ЖЭТФ, 1979. Т.76. №1. С.343-368.

76. Сидоркин А.С., Сигов А.С. Униполярное состояние сегнетоэлектрической пластины с ориентированными полярными дефектами // Кристаллография, 1999. Т.44. №1. С. 115-117.

77. Гриднев С.А., Дрождин К.С., Шмыков В.В. Влияние постоянного магнитного поля на диэлектрическую релаксацию в кристалле молибдате гадолиния // Кристаллография, 1997. Т.42. №6. С.1135-1136.

78. Камышева Л.Н. Диэлектрическая релаксация кристаллов KDP и CDP // Сб.: Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин. КГУ, 1982. С.48-52.

79. Гриднев С.А., Попов В.М., Шувалов Л.А. Процессы медленной релаксации в монокристаллах триглицинсульфата// Изв. АН СССР. Сер. физ., 1984. Т.48. №6. С. 1226-1229.

80. Сердюк О.М., Камышева JI.H., Дрождин С.Н., Барабашина А.Б. Роль внутреннего поля в процессах релаксации макроскопической поляризации кристаллов ТГС // ФТТ, 1988. Т.ЗО. №2. С.540-544.

81. Прасолов Б.Н. Релаксационные явления в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках, обусловленные динамикой доменных границ // Изв. РАН. Сер.физ., 1993. Т.57. №6. С. 57-60.

82. Гриднев С.А., Даринский Б.М., Кудряш В.И., Прасолов Б.Н., Шувалов J1.A. Внутреннее трение в KH3(Se03)2 в процессе переключения // ФТТ, 1982. Т.24. С.217-221.

83. Камышева Л.Н., Дрождин С.Н., Панкова Т.Н. Температурная зависимость времени релаксации поляризации ТГС // Вопросы физ. формообраз. и фаз. превращений. Калинин, 1985. С. 151-156.

84. Камышева Л.Н., Сидоркин А.С., Зиновьева И.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы КН2РО4// Изв. АН СССР. Сер. физ., 1984. Т.48. №6. С. 1057-1060.

85. Прасолов Б.Н., Сафонова И.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, обусловленная динамикой доменных границ // Изв. РАН. Сер. физ., 1993. Т.57. №3. С.126-128.

86. Misarova A. On the increase in permittivity of ferroelectrics during switching// Czech. J.Phys., 1961. B11. P.668-673.

87. Нигматулин P.P., Рябов Я.Е. Диэлектрическая релаксация типа Коула-Девидсона и самоподобный процесс релаксации // ФТТ, 1997. Т.39. №1. С.101-105.

88. Демьянишин Н.М., Мыцык Б.Г. Релаксация пьезооптического двулучепреломления в кристаллах триглицинсульфата // ФТТ, 2002. Т.44. №1. С.144-146.

89. Гриднев С.А., Горбатенко В.В., Прасолов Б.Н. Диэлектрическая релаксация в несоразмерной фазе Rb2ZnCl4 // Изв.РАН., 1993. Т.57. №3. С.97-100.

90. Иванова Т.И., Иванов В.В., Караваева Е.Н. Вязкостные явления и релаксационные процессы проводимости в кристаллах ТГС // Изв.АН СССР. Сер.Физ., 1984. Т.48. №6. С. 1207-1209.

91. Иванова Т.И., Руднев Н.Е. Влияние температуры на релаксационные процессы переполяризации и коэффициент диэлектрической вязкости кристаллов ТГС // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин, КГУ, 1982. С.100-105.

92. Щербаков Ю.В., Некрасова Г.М., Рудяк В.М. Эффект Баркгаузена и вязкостные явления в монокристаллах молибдата гадолиния // Изв.АН СССР. Сер.Физ., 1983. Т.47. №.3. С.518-524

93. Кукушкин С.А., Захаров М.А. Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках // ФТТ, 2002. Т.44. №2. С.332-339.

94. Каллаев С.Н., Камилов И.К. Релаксационные процессы в несоразмерной фазе кристалла с дефектами // ФТТ, 1999. Т.41. №3. С.513-515.

95. Колесников В.В., Козаков А.Т., Никольский А.В. Особенности динамики 180°-х доменов в сегнетоэлектрике в процесах переключения поляризации и эмиссии электронов// ФТТ, 2000. Т.42. №1. С.141-146.

96. Schafer Н., Sternin Е. Novel approach to the analysis of broadband dielectric spectra // Phys. Rev., 1996. V 76. № 12. P.2177-2180.

97. Кравченя Э.М. Реальная структура и некоторые физические свойства монокристаллов триглицинсульфата и триглицинселената в зависимости от условий выращивания: Дисс.к. физ.-мат. наук. Минск, 1979. 144 С.

98. Лагутина Ж.П. Исследование воздействия интенсивного электромагнитного излучения на диэлектрические и электромеханическиесвойства сегнетоэлектрических кристаллов: Дисс.к.физ.-мат.наук. Минск, БГУ, 1979. 203 С.

99. Гриднев С.А., Попов С.В. Релаксация метастабильных состояний в области размытого фазового перехода в Ko.sBio.sTiCVPbZrOs// Изв РАН. Сер. физ., 1997. Т.61. №2. С.232-237.

100. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р. Процессы медленной поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках // ФТТ, 2002. Т.44. №2. С.351-358.

101. Гладкий В.В., Кириков В.А., Пронина Е.В., Волк Т.Р., Панкрат Р., Велеке М. Аномалии медленной кинетики поляризации релаксорного сегнетоэлектрика в температурной области размытого фазового перехода// ФТТ, 2001. Т.43. №11. С.2052-2057.

102. Гладкий В.В., Кириков В.А. Признаки структурного беспорядка сегнетоэлектрика KD2PO4 в кинетике поляризации// ФТТ, 2001. Т.43. №1. С.111-114.

103. Леманов В.В., Шульман С.Г., Ярмаркин В.К., Попов С.Н., Панкова Г.А. Пироэлектрический, пьезоэлектрический и поляризационный отклики кристаллов глицин-фосфита с примесью глицин-фосфата // ФТТ, 2004. Т.46. №7. С. 1246-1251.

104. Сардарлы P.M., Самедов О.А., Садыхов И.Ш., Наджафов А.И., Салманов Ф.Т. Релаксорные свойства и механизм проводимости у-облученных кристаллов TlInS2 // ФТТ, 2005. Т.47. №9. С.1665-1669.

105. Мамин Р.Ф., Блинц Р. Время задержки в низкотемпературной фазе релаксоров // ФТТ, 2003. Т.45. №5. С.896-899.

106. Грабовский С.В., Шнайдштейн И.В., Струков Б.А. Влияние примесей органических красителей на диэлектрические свойства кристаллов КН2РО4 // ФТТ, 2003. Т.45. №3. С.518-522.

107. Садыков С.А., Турик А.В. Электролюминесценция и внутреннее экранирование доменов при переполяризации сегнетокерамики в импульсном самосогласованном поле // ФТТ, 2003. Т.45. №11. С.2074-2078.

108. Леманов В.В., Смирнова Е.П., Сотников А.В., Weihnacht М. Диэлектрическая релаксация в SrTi03:Mn // ФТТ, 2004. Т.46. №8. С. 14021408.

109. Gridnev S.A., Popov S.V. Relaxation effect in perovscite ferroelectrics ceramics with smeared phase transition// Ferroelectrics, 1997. Vol.199. P.271-279.

110. Гладкий B.B., Кириков B.A., Иванова E.C. О релаксации диэлектрической проницаемости кристалла Rb2ZnCl4 в области структурного перехода из несоразмерной фазы в соразмерную полярную фазу//Кристаллография, 1998. Т.43. №4. С.710-715.

111. Гладкий В.В., Кириков В.А., Пронина Е.В. О кинетике медленной поляризации сегнетоэлектрического релаксора магнониобата свинца // ФТТ, 2003. Т.45. №7. С.1238-1244.

112. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Исаков Д.В., Иванова Е.С. Особенности сегнетоэлектрических свойств кристаллов Sr0.75Ba0.25Nb2O6 // ФТТ, 2003. Т.45. №11. С.2067-2073.

113. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Иванова Е.С., Ивлева Л.И. Особенности кинетики поляризации фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика// ФТТ, 2005. Т.47. №2. С.286-292.

114. Ngai K.L. Universality of low-frequency fluctuation, dissipation and relaxation properties of condensed matter// Comments Solid State Phys., 1979. Vol.9. P. 127140 and 1980. Vol.9. P.141-155.

115. Chamberlin R.V., Mozurcewich G., Orbach R. The decay of the magnetisation in spin-glasses // Phys.Rev.Lett., 1984. Vol.52. P.867.

116. Baranov A.I., Shuvalov L.A., Yakushkin E.D., Synitsyn V.V. Proton glass cs5h3(so4)4*xh20: relaxation dynamics// Ferroelectrics, 1997. Vol.199. P.307-316.

117. Rachna Mishra, Rao K.J. Electrical conductivity studies of poly(ethileneoxide) poly(vinylalcohol) blends // Solid State Ionic, 1998. Vol.106. P.l 13-127.

118. Каллаев C.H., Глушков В.Ф. Медленная стадия эволюции несоразмерной сверхструктуры сегнетоэлектрика// ФТТ, 1998. Т.40. №11. С. 2101-2102.

119. Palmer R.G., Stain D.L., Abrahams Е., Anderson P.W. Models of hierarchically constrained dynamics for glassy relaxation // Phys. Rev. Lett., 1984. Vol.53. 10. P.958-961.

120. Гладкий B.B., Кириков B.A., Иванова E.C. Медленная релаксация полидоменного сегнетоэлектрика в слабых электрических полях// ФТТ, 1997. Т.39. №2. С.353-357.

121. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Иванова Е.С. Релаксация поляризации в сегнетоэлектрическом кристалле с различными состояния доменной структуры и поверхности // ФТТ, 1997. Т.39. №11. С.2046-2052.

122. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Нехлюдов С.В. О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле // ФТТ, 1999. Т.41. №3. С.499-504.

123. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов A.M. Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллы триглицинсульфата // ФТТ, 2003. Т.45. №3. С.513-517.

124. Novotna V., Fousek J., Kroupa J., Hamano K. Ageing and reactivation of domain wall oscillations in the ferroelectrics lock-in phase of purified Rb2ZnCb // Solid State Commun, 1991. Vol.77. №11. P.821-824.

125. Гладкий B.B., Кириков В.А., Желудев И.С., Гаврилова И.В. Влияние механических напряжений на диэлектрическую проницаемость Rb2ZnCU -сегнетоэлектрика с несоразмерной фазой // ФТТ, 1987. Т.29. №6. С. 16901697.

126. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Релаксация неравновесной солитонной структуры в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика // ЖЭТФ, 1996. Т.110. 1,7. С.298-310.

127. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Макаров С.Д. Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках конечных размеров // ФТТ, 1995. Т.37. №6. С. 1687-1692.

128. Шур В.Я., Макаров С.Д., Пономарев Н.Ю., Волегов В.В., Тонкачева Н.А., Суслов Л.А., Салащенко Н.Н., Клюенков Е.Б. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата титаната свинца//ФТТ, 1996. Т.38. №6. С. 1889-1895.

129. Стефанович В.А., Глинчук М.Д., Хилчер Б., Кириченко Е.В. Физические механизмы, приводящие к распределению времени релаксации в разупорядоченных диэлектриках // ФТТ, 2002. Т.44. №5. С.906-911.

130. Усманов С.М. Релаксационная поляризация диэлектриков. Расчет спектров времен диэлектрической релаксации. -М.: Наука, Физматлит., 1996. 144 С.

131. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках.-Ташкент: Изд. ФАН УССР, 1986. 140 С.

132. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Волк Т.Р., Ивлева Л.И. Поляризация и деполяризация релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция // ФТТ, 2000. Т.42. №7. С. 1296-1302.

133. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твёрдого тела. -М.: Наука, 1977. 552 С.

134. Шелег А.У., Ячковский А.Я., Курилович Н.Ф. Ультразвуковые исследования кристаллов (CH3)2NH2A1(S04)2-6H20, облученных у- квантами и электронами // ФТТ, 2001. Т.43.№11. С.2048-2051.

135. Давидюк Г.Е., Оксюта В.А., Манжара B.C. Электрические, оптические и фотоэлектрические свойства легированных индием монокристаллов сульфида кадмия, облученных электронами// ФТТ, 2002. Т.44. №2. С.246-250.

136. Яковлев В.Ю., Кабанова Е.В., Вебер Т., Пауфлер П. Короткоживущие центры окраски и люминесценция в облученных импульсными электронными пучками кристаллах 1Л№>Оз // ФТТ, 2001. Т.43. №8. С. 15201524.

137. Декола Т.И., Шелег А.У., Теханович Н.П. Влияние электронного облучения на теплоемкость кристаллов (NH2(CH3)2)2-CuC14 в области фазовых переходов // ФТТ, 2002. Т.44. №5. С.942-944.

138. Шелег А.У., Декола Т.И Теханович Т.И. Влияние у-облучения на теплоемкость кристалла (NH2(CH3)2)2-CuC14 в области температур 80 300 К // ФТТ, 2001. Т.43. №6. С. 1086.

139. Виноградов Е.А., Ефимов В.В., Калмыков А.В. Оптические и структурные исследования PLZT х/65/35 (х=4,8%) сегнетокерамики, облученной сильноточным импульсным пучком электронов// Письма в ЭЧАЯ, 2002. 1,110. С.39-40.

140. Сиколенко В.В. Исследование импульсного источника ионов взрывоэмиссионного типа для его использования в физических экспериментах: Дисс. канд. техн. наук.-Дубна, ОИЯИ, 1995. 99 С.

141. Бойко В.И., Валяев А.Н., Погребняк А.Д. Модификация металлических материалов импульсными мощными пучками частиц // УФН, 1999. Т.169.-11. С.1243-1271.

142. Коренев С.А. Разработка и исследование импульсных сильноточных электронных и ионных источников для прикладных задач: Автореф. дисс. на соискание ученой степени д-ра техн. наук. Дубна, ОИЯИ, 1994. 39 С.

143. Латам Р.В. Вакуумная изоляция установок высокого напряжения. -М.: Энергоатомиздат, 1985. 192 С.

144. Свиньин М.П. Расчет и проектирование высоковольтных ускорителей электронов для радиационных технологий. М.: Энергоатомиздат, 1989. 144 С.

145. Rotshtein V.P., Ivanov Yu.F., Lykov S.V., Marcov А.В. Pulsed electron-beam modification of the structure and properties of metallic materials // 1 st International Symposium Beam Technologies (BT-95). Dubna, 1995. P.51.

146. Енчевич И.Б., Тагирова Ф.А., Маринов M.B., Балалыкин Н.И., Скрыпник

147. A.В. Влияние ионной бомбардировки на структуру металлических пленок. Дубна, 1979. 20 С. (Препринт ОИЯИ: Р14-12649).

148. Калмыков А.В., Коренев С.А., Малахов Н.А., Пиляр Н.В., Попов С.А. Автоматизированная система управления и контроля импульсного сильноточного источника электронов и ионов. Дубна, 1998. 7 С. (Препринт: Сообщения ОИЯИ: Р9-98-158).

149. Korenev S.A., Perry A.J., Kalmykov A.V. A pulsed high-current electron-ion-cluster source for the deposition of films and coatings// Surface and coatings technology. USA, 1998. 108-109. P.265-270.

150. Коренев С.А., Рубин Н.Б. Формирование в вакуумных протяженных каналах пристеночной плазмы. Дубна, 1982. 7 С. (Препринт: Сообщение ОИЯИ. Р9-82-13).

151. Карькин А.Е., Щенников В.В., Гощицкий Б.Н., Данилов С.Е., Арбузов

152. B.JL, Кульбачинский В. А. Влияние электронного облучения на гальваномагнитные свойства монокристаллов полупроводников InxBi2.xTe3 // ФТТ, 2003. Т.45. №12. С.2147-2152.

153. Бакалейников JI.A., Заморянская М.В., Колесникова Е.В., Соколов В.И., Флегонтова Е.Ю. Модификация диоксида кремния электронным пучком // ФТТ, 2004. Т.46. №6. С.989-994.

154. Амирханов И.В., Земляная Е.В., Пузынин И.В., Пузынина Т.П., Сархадов И. Численное моделирование фазовых переходов в металлах, облучаемых импульсными пучками ионов. Дубна, 2001. 14 С. (Препринт: Сообщение ОИЯИ: Р11-2001-164).

155. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. -М.: Наука, 1977. 552 С.

156. Бассани Ф., Парравичини Дж.П. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. -М.: Наука, 1982. 390 С.

157. Бойко В.И., Евстигнеев В.В. Введение в физику взаимодействия сильноточных пучков заряженных частиц с веществом.- М.: Энергоатомиздат, 1991. 137 С.

158. Калмыков А.В. Комплексная система для использования в экспериментах в области пучковых технологий на базе импульсного сильноточного источника электронов и ионов: Дисс. канд. техн. наук.-Дубна, ОИЯИ, 2002. 84 С.

159. Голицина О.М., Камышева JI.H., Дрождин С.Н. Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате // ФТТ, 1998. Т.40. №1. С.116-117.

160. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. -М.: Наука, 1986. 214 С.

161. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике.-М.: Наука, 1974. 944 С.

162. Шиллер Э., Гайзиг У., Панцер 3. Электролучевая технология.-М.: Энергия, 1980. 150 С.

163. Zajosz H.I. Pyroelectric response coming from cylindrical shaped domains // Ferroelectric, 1983. Vol.48. P.267-280.

164. Zajosz H.I. The temperature dependence of the first second and third harmonics of the non-linear pyroelectric current in monoaxial ferroelectrics having a second-order phase transition // Infrared Phys., 1986. Vol.26. №2. P. 115-118.

165. Lee M.H., Guo R., Bhalla A.S. Pyroelectric sensors // Journal of electroceramics, 1998. Vol.2. №4. P.229-242.