Динамические решетки объемного заряда в фоточувствительных средах и адаптивные фотоприемники на их основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

1 Фотоэлектрические явления в полупроводниках

1.1 О динамике фотоиндуцированных зарядов и полей в диэлектриках

1.2 Формирование динамических решеток объемного заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках

1.3 Волны пространственного заряда.

1.4 Самодифракция световых пучков.

1.5 Стационарные топографические токи.

1.6 ФотоЭДС, возникающая при освещении полупроводника движущимся световым пятном

1.7 Нестационарные топографические токи.

1.8 Гомодинное детектирование оптических фазомодулиро-ванных сигналов

2 Объекты исследований и методика экспериментов

2.1 Методы экспериментальных исследований.

2.2 Физические свойства исследуемых кристаллов

2.3 Приготовление образцов.

3 Динамические решетки объемного заряда в кристаллах с большими временами жизни носителей

3.1 Диффузионный механизм записи

3.2 Нестационарные голографические токи в кристаллах сил-ленитов.

3.3 Дрейфовый механизм записи

3.4 Нестационарные топографические токи в кристалле си-^ ликосилленита висмута, помещенном во внешнее электрическое поле

3.5 Большие уровни возбуждения

3.6 Эксперименты по исследованию токопротекания в кристаллах Bii2Si02o при больших интенсивностях света

4 Нестационарные голографические токи в кристаллах со сложной структурой локальных уровней

4.1 Расчет нестационарного топографического тока для двухуровневой модели полупроводника.

4.2 Диффузионный механизм записи. Слабое заполнение мелких ловушечных уровней.

4.3 Случай сильного заполнения мелких ловушечных уровней

4.4 Голографические токи в фоторефрактивных кристаллах Bii2Si02o и Bii2Ti02o, выращенных в атмосфере аргона

4.5 Динамика фотоиндуцированных полей и зарядов в ши-^ рокозонных полупроводниках, помещенных во внешнее электрическое поле

4.6 Эксперименты по исследованию температурных зависимостей топографических токов и фотопроводимости в кристалле Bii2Si02o, выращенного в атмосфере аргона

4.7 Нерезонансное усиление топографических токов в полупроводниках во внешнем знакопеременном поле.

4.8 Гигантское резонансное усиление голографических токов в полупроводниках, помещенных во внешнее знакопеременное поле

5 Динамика фотоиндуцированных полей и зарядов в некоторых фоточувствительных средах b 5.1 Пленки оксида индия.

5.2 Молекулярный кристалл дисульфида олова.

6 Адаптивные фотоприемники на динамических решет

Ъ ках объемного заряда

6.1 Детектирование оптических фазомодулированных сигналов при больших амплитудах фазовой модуляции

6.2 Двухчастотный режим возбуждения.

6.3 Эксперименты по двухчастотному возбуждению динамических решеток в Bi^SiC^o.

6.4 Адаптивные фотоприемники для измерения малых колебаний зеркальных объектов

6.5 Регистрация малых колебаний диффузно-рассеивающих объектов с помощью гомодинного лазерного виброметра на основе GaAs:Cr адаптивного фотоприемника

6.6 Адаптивные фотоприемники для детектирования высокочастотных оптических фазомодулированных сигналов

6.7 Оптическое детектирование ультразвука с помощью GaAs адаптивных фотоприемников

6.8 Прецизионное измерение частоты колебаний с помощью адаптивных фотоприемников

6.9 Лазерный "измеритель скорости" на основе адаптивных фотоприемников.

6.10 Объемные и контактные сигналы в адаптивных фотоприемниках

6.11 О некоторых особенностях возбуждения топографических токов в GaAs адаптивных фотоприемниках

6.12 Измерение пьезоэлектрических и электрооптических коэффициентов тонких пленок

Исследование взаимодействия светового излучения с веществом является одной из важнейших задач современной физики твердого тела и квантовой электроники. В связи с этим значительный научный и практический интерес вызывает изучение процессов динамической топографической записи в фоторефрактивных кристаллах (ФРК). В последние три десятилетия на стыке акустики, квантовой электроники, нелинейной, волоконной и интегральной оптики возникли новые научные направления - лазерная акустика и динамическая голография на фоторефрактивных материалах, полимерах, квантово-размерных структурах и широкозонных полупроводниках [1]-[5].

Экспериментальные исследования динамической голографической записи и нелинейно-оптических явлений в фоторефрактивных кристаллах привели к обнаружению стационарных [6], а затем и нестационарных голографических токов (эффект нестационарной фото-ЭДС) [7, 8]. Эффект нестационарной фото-ЭДС регистрируется в виде постоянного или переменного электрического тока, протекающего через фотопроводящий образец, освещаемый бегущей или колеблющейся интерференционной картиной. Первоначально нестационарные топографические токи были обнаружены и детально исследованы в кристалле Bii2Si02o, а впоследствии и в ряде других фоторефрактивных материалов (Bii2Ti02o, GaAs, 8ггВа1^Ь206, LiNb03) [9]-[13]. При проведении подобных исследований не требуется наблюдения дифракции света на записанной фазовой голограмме. Это позволяет существенно расширить класс исследуемых фоточувствительных материалов и проводить измерения в центросимметричных фотопроводящих кристаллах и средах, не обладающих линейным электрооптическим эффектом, в том числе в аморфных материалах и молекулярных кристаллах.

Возникновение топографического тока в фоточувствительном материале обусловлено совместным действием нескольких эффектов, а именно фотогенерацией свободных носителей заряда, процессами их перераспределения (диффузия, дрейф, фотогальванический эффект) и захвата на уровни локальных центров. Таким образом, существует возможность изучения этих процессов путем исследования соответствующих зависимостей эффекта нестационарной фото-ЭДС. В частности, непосредственно по знаку фото-ЭДС определяется тип доминирующих фотоиндуцированных носителей. По частотной передаточной характеристике можно определить время максвелловской релаксации тм и время жизни носителей заряда т, а из зависимости фототока от пространственной частоты К - диффузионную длину переноса Lp и дебаевскую длину экранирования заряда Id [11] - Знание параметров фотоиндуцированных носителей необходимо для создания новых и совершенствования существующих оптических и оптоэлектронных приборов и систем (пространственно-временные модуляторы света, голографические запоминающие устройства, приборы голографической интерферометрии).

К моменту начала работы над данной диссертацией наиболее общие черты и возможности эффекта нестационарной фото-ЭДС на динамических решетках объемного заряда были достаточно хорошо изучены [7, 8]. Однако детального экспериментального и теоретического исследования возбуждения таких динамических решеток в кристаллах, фотоэлектрические свойства которых определяются особенностями зонной структуры, проведено не было. Многие широкозонные полупроводники, в том числе и фоторефрактивные силлениты [Bii2Si(Ti,Ge)02o], имеют сложную структуру мелких ловушечных уровней, расположенных на различной глубине в запрещенной зоне [2, 4, 14, 15].

Экспериментальные исследования нестационарной фото-ЭДС в кристалле GaAsrCr на длине волны Л = 0.63 мкм показали весьма высокую чувствительность при его использовании в качестве адаптивного фотоприемника оптических фазомодулированных колебаний [9, 10] (с^ 10~5 рад на частоте 1 кГц в полосе 10 Гц для Pq = 3 мВт), что позволило регистрировать амплитуды колебаний зеркальных объектов ~ Ю-2 А. Постоянно растущий интерес к исследованиям адаптивных интерферометров связан прежде всего с перспективами их использования в системах лазерного ультразвукового контроля, которые в настоящее время уже составляют конкуренцию стандартным интерферометрическим схемам [16]. Актуальным направлением исследований явилось также и практическое применение динамических решеток объемного заряда в фоточувствительных средах в задачах метрологии, что потребовало разработки адаптивных систем неразрушающего контроля. К подобным системам относятся устройства для оптического детектирования ультразвука, прецизионного измерения частоты, скорости и амплитуды колебаний зеркальных и диффузно-рассеивающих объектов.

Цель работы. Целью настоящей диссертационной работы был поиск новых физических явлений, развитие теоретических моделей и изучение фундаментальных закономерностей формирования динамических решеток объемного заряда в различных фоточувствительных средах [Bii2Si(Ti,Ge)O20i SnS2, InOx, GaAs], а также разработка на основе этих закономерностей нелинейно-оптических элементов и устройств (адаптивных систем измерения амплитуд колебаний реальных объектов, лазерных виброметров и систем ультразвукового контроля).

Научная новизна. В диссертации представлены следующие основные результаты, полученные впервые:

1. Проведено детальное теоретическое и экспериментальное исследование эффекта нестационарной фото-ЭДС для расширенного диапазона частот колебаний интерференционной картины (ш ^ т"1).

2. Исследованы и объяснены в рамках модели квадратичной рекомбинации фотоиндуцированных носителей особенности эффекта нестационарной фото-ЭДС при больших интенсивностях света (в частности, нелинейная зависимость амплитуды сигнала и первой частоты среза uq от интенсивности света, сокращение эффективного времени жизни носителей, а также сдвиг пространственной частоты, при которой наблюдается максимум сигнала).

3. Впервые экспериментально и теоретически изучено влияние мелких ловушечных уровней на возбуждение эффекта нестационарной фото-ЭДС в широкозонных полупроводниках; в кристаллах со структурой силленита, обнаружена и объяснена температурная зависимость эффекта нестационарной фото-ЭДС и времени релаксации фотопроводимости, определена энергия активации мелких ловушечных уровней.

4. Впервые обнаружены и исследованы нестационарные топографические токи в молекулярном кристалле SnS2 и пленках оксида индия 1пОх. Развита теория нестационарных голографических токов в полупроводниках, характеризуемых наличием носителей заряда с разными эффективными массами и диффузионными длинами переноса.

5. Впервые теоретически и экспериментально исследовано резонансное и нерезонансное возбуждение голографических токов во внешнем знакопеременном электрическом поле.

6. Проведены приоритетные теоретические и экспериментальные исследования формы и спектрального состава выходного электрического сигнала в адаптивных интерферометрах на основе динамических решеток объемного заряда при больших амплитудах фазовой модуляции интерференционной картины для разных величин отношения lo/loq. Выполнен детальный анализ воздействия мощной низкочастотной фазовой помехи на работу адаптивных фотоприемников, осуществляющих преобразование оптического фазомодулированного сигнала в электрический; сформулирован количественный критерий эффективного подавления низкочастотной помехи.

Практическая ценность. Основная научная и практическая ценность работы заключается в фундаментальном характере исследованных явлений и установленных закономерностей. Научные выводы носят общий характер и не ограничиваются объектами исследования, используемыми в работе.

1. Показана возможность использования эффекта нестационарной фото-ЭДС на динамических решетках для измерения среднего времени жизни и подвижности фотоиндуцированных носителей в фоточувствительных средах.

2. Предложен метод измерения фотопроводимости высокоомных полупроводников на основе двухчастотного возбуждения нестационарных топографических токов.

3. Обоснована методика измерения скорости генерации с мелких ловушек, истинных (и эффективных) значений времени жизни и диффузионной длины переноса носителей, а также их дрейфовой подвижности с помощью эффекта нестационарной фото-ЭДС.

4. Разработан метод стабилизации адаптивных интерферометров, заключающийся в выборе специальных значений пространственной частоты и амплитуды дополнительной низкочастотной фазовой модуляции, позволяющий эффективным образом подавлять контактную составляющую сигнала в адаптивных фотоприемниках.

5. Созданы макеты лазерных систем на основе адаптивных фотоприемников GaAs и SnS2: для измерения малых акустических колебаний реальных диффузно-рассеивающих объектов, позволяющие регистрировать амплитуды колебаний ~ Ю-4 мкм в полосе частот 1 Гц при мощности сигнального спекл-поля на фотоприемнике 3 мкВт; для измерения ультразвуковых колебаний (с чувствительностью w 5 х 10 А в полосе частот 1 Гц и при мощности сигнального луча 20 мВт); для измерения частоты и направления колебаний исследуемого объекта с высокой точностью ~ 10~3 Гц.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Развитие теоретических моделей и оптических методик возбуждения динамических решеток объемного заряда в широкозонных полупроводниках.

2. Теоретическое обоснование и экспериментальное обнаружение эффекта уменьшения контраста распределения фотоиндуцированных носителей заряда, связанного с конечной величиной среднего времени жизни фотоиндуцированных носителей в зоне проводимости т, и наблюдаемого на характерной частоте среза ш'0 = (1 + K2L2d)Jt.

3. Экспериментальное обнаружение и теоретический расчет эффекта резонансного возбуждения решетки фотопроводимости, наблюдаемого во внешнем электрическом поле на частотной передаточной характеристике нестационарного голографического тока при частоте фазовой модуляции ш'г ~ KfiEo, соответствующей времени дрейфа фотоэлектрона между двумя максимумами интерференционной картины.

4. Экспериментальное обнаружение зависимости от интенсивности света основных характеристик нестационарной фото-ЭДС: ее амплитуды, величины первой и второй частот среза, связанных с изменением среднего времени жизни фотоиндуцированных носителей г и их диффузионной длины переноса Lp при высоком уровне возбуждения, когда концентрация ионизованных донорных центров и электронов в зоне проводимости существенно выше исходной концентрации акцепторных центров.

5. Теоретическое предсказание возможности наблюдения на частотной зависимости нестационарной фото-ЭДС второго частотно-независимого участка, ограниченного третьей и четвертой частотами среза, определяемыми скоростью тепловой генерации носителей с мелких ловушек и обратной величиной истинного времени жизни носителей заряда; а во внешнем электрическом поле - от одного до трех резонансных максимумов, при этом положение третьего высокочастотного резонанса определяется величиной истинной подвижности носителей заряда.

6. Выполнены приоритетные теоретические и экспериментальные исследования адаптивных интерферометров дифракционного типа и на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС. Показано, что для частот модуляции и ниже первой частоты среза а;о, амплитуда сигнала нестационарной фото-ЭДС достигает максимального значения при амплитудах фазовой модуляции равных отношению характерных частот среза и модуляции щ/ш. При двухчастотном возбуждении эффекта нестационарной фото-ЭДС на зависимости амплитуды помехи Aq 7(Q) наблюдается характерная точка перегиба при частоте помехи, равной частоте среза loq.

7. Разработана система стабилизации адаптивных интерферометров на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС. Экспериментально реализованы макеты лазерных интерферометрических систем на основе адаптивных фотоприемников для измерения амплитуды и частоты колебаний зеркальных и диффузно-рассеивающих объектов. Проведены приоритетные эксперименты по детектированию высокочастотных оптических фазомодулированных сигналов с помощью GaAs адаптивных фотоприемников.

Научное направление, которое сформировалось в процессе выполнения комплекса исследований фоточувствительных сред - пространственно-временная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на XVIII Всесоюзной школе-симпозиуме по физическим основам голографии и когерентной оптики (Черноголовка, апрель 1987 г.), IV Всесоюзном совещании "Координатно-чувствительные фотоприемники и оптико-электронные устройства на их основе" (Барнаул, сентябрь 1987 г.), XI Всесоюзной научно-технической конференции "Неразрушающие физические методы и средства контроля" (Москва, октябрь 1987 г.), III Всесоюзной конференции "Применение лазеров в технологии и системах передачи и обработки информации" (Таллинн, ноябрь 1987 г.), I Всесоюзной школе молодых ученых "Современные проблемы акустики" (Звенигород, март-апрель 1988 г.), II Международной конференции по топографическим системам, устройствам и их применениям (Великобритания, Бат, 1989 г.) - приглашенный доклад, Международных конференциях по фоторефрактивным материалам, эффектам и приборам (Франция, Аусье, 1990 г; США, Бостон, 1991 г.; Киев, 1993 г.; США, Аспен, 1995 г., Япония, 1997; Дания, Эльсинор, 1999; США, Чикаго, 2001; Ницца, Франция, 2003), Международных оптических конгрессах ICO-15, ICO-19 (Гармиш-Партенкирхен, Германия, 1990 г.; Флоренция, Италия, 2002 г.), Международной конференции по лазерам и электрооптике CLEO-91 (США, Балтимор, 1991 г.) - приглашенный доклад, Международной конференции материаловед-ческого общества (MRS) (США, 1993 г.), Международной весенней конференции европейского материаловедческого общества (EMRS) (Франция, Страсбург, 1994 г.), Всемирном симпозиуме по лазерам и электрооптике "CLEO/QELS 95" (США, Балтимор, 1995 г.); Международной конференции по оптике лазеров "LO'98" (Санкт-Петербург, 1998 г.), Международной конференции Optics within Life Sciences, OWLS'98 (Греция, Ираклион, 1998 г.), Международной конференции "Интерферометрия в спекл- свете: теория и применения" (Швейцария, Лозанна, 2000 г.), Всемирных симпозиумах по лазерам и электрооптике "CLEO/Europe-EQEC'98, 2003" (Шотландия, Глазго, 1998; Германия, Мюнхен, 2003 г.), а также на научных семинарах в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Институте Проблем Машиноведения РАН, Институте Промышленных Материалов (Канада, Боушервиль), Институте Оптики (Франция, Орсе), Городском Университете (Великобритания, Лондон) и Королевском колледже (Великобритания, Лондон), Корейском Институте Науки и Технологии, KAIST (Корея, Тэджон), Институте Электронных Структур и Лазеров, IESL (Греция, Ираклион), Институте технической физики университета Эрлангена (Германия), Институте физической химии университета Гейдельберга (Германия).

Работа проводилась при поддержке Российских (РФФИ, конкурсного Центра Фундаментального Естествознания (Санкт-Петербург)) и международных грантов от Международного Оптического Общества, ICO (Rank Prize Fund), Министерства Высшего Образования Франции, Министерства Науки и Технологии Кореи, Европейской Академии, фонда Гумбольдта.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитируемой литературы из 363 наименований, включая работы автора/Краткий литературный обзор по обсуждаемым проблемам изложен в первой главе. Работа содержит 107 рисунков, 3 таблицы; полный объем работы - 317 страниц.

Основные результаты диссертационной работы сформулированы ниже в соответствии с поставленными целями:

1. Развиты теоретические модели и оптические методики возбуждения динамических решеток объемного заряда в широкозонных полупроводниках.

2. Проведен подробный теоретический анализ эффекта нестационарной фото-ЭДС (во внешнем электрическом поле и без поля) с учетом конечной величины среднего времени жизни фотоиндуцированных носителей т. Основные выводы анализа подтверждены экспериментами с фотопроводящими кристаллами Bii2Si02o и В^ТЮго

Из экспериментов в отсутствие внешнего поля по положению второй частоты среза для разных длин волн лазерного излучения были определены значения среднего времени жизни фотоэлектронов в кристаллах Bii2Si02o и Bii2Ti02o при освещении светом разного спектрального состава (г = 3 мкс при Л = 0.63 мкм, Iq = 150 мВт/мм2; т = 100 мкс при Л = 0.44 мкм, Iq = 0.3 мВт/мм2; г = 85 мкс при Л = 0.46 мкм, Iq = 0.5 мВт/мм2 - для Bii2Si02o)- Величина дрейфовой подвижности фотоэлектронов в Bii2Si02o, определяемая по положению второго резонансного максимума на частотной передаточной характеристике эффекта нестационарной фото-ЭДС во внешнем постоянном поле составила /л = 0.016 см2В-1с-1 (Л = 0.46 мкм, Iq = 0.5 мВт/мм2).

3. Проведен подробный теоретический анализ эффекта нестационарной фото-ЭДС для случая нелинейной рекомбинации фотоиндуцированных носителей при высоком уровне освещенности, приводящем к существенному изменению заселенности донорных уровней. Экспериментально на кристалле Bii2Si02o исследованы особенности зависимости сигнала нестационарной фото-ЭДС от интенсивности света, в частности, смещение положения максимума сигнала по пространственной частоте, нелинейная зависимость амплитуды выходного сигнала, а также зависимость второй частоты среза от средней интенсивности света, что вызвано изменением среднего времени жизни фотоэлектронов т ~ 9 -г- 50 мкс при /о = 10 мкВт/мм2 -г 3 мВт/мм2 (Л = 0.488 мкм).

4. Выполнен теоретический анализ возбуждения нестационарного голографического тока в полупроводнике с мелким ловушечным уровнем для случая диффузионного и дрейфового механизмов записи.

5. Экспериментально исследован эффект нестационарной фото-ЭДС в фоторефрактивных кристаллах Bii2Si02o и В^ТЮго, выращенных в атмосфере аргона. Определены важнейшие фотоэлектрические параметры кристаллов Bii2SiO20* произведение сечения генерации электронов с глубоких уровней на концентрацию глубоких центров SdNq, эффективный коэффициент захвата электронов на глубокий уровень 7', квантовый выход фотопроводимости /Зде, эффективная подвижность носителей заряда ц': SDND = 2.1 X Ю20 Дж-1м-1, i - 4.2 х 10~17 м3с-1, /3qe = 0.78, // = 0.025 см2В-1с-1 (А = 633 нм). Показано, что положение второго резонансного максимума на частотной зависимости голографического тока в кристалле Bi^SK^o» помещенном во внешнее постоянное электрическое поле, определяется величиной эффективной дрейфовой подвижности электронов: у! = 0.043 см2В-1с-1.

Исследовано влияние температуры на поведение сигнала голографического тока в фоторефрактивном Bii2Si02o, выращенном в бескислородной атмосфере. Определена энергия активации мелких ловушечных уровней Ет — 0.45 эВ. Независимые измерения времени релаксации фотопроводимости от температуры дали аналогичную величину для энергии активации Ет = 0.56 эВ.

6. Впервые теоретически и экспериментально изучено резонансное и нерезонансное возбуждение нестационарной фото-ЭДС во внешнем знакопеременном электрическом поле (т^1 < Q < т). Показано, что при частотах модуляции ш Q, зависимость сигнала нестационарной ЭДС от частоты модуляции имеет стандартный вид, характерный для диффузионного механизма записи. Резонансное усиление сигнала во внешнем знакопеременном поле наблюдается при частотах модуляции ш Q. Величина дрейфовой подвижности фотоэлектронов в Bii2Si02o, определяемая по положению резонансного максимума на частотной зависимости сигнала составила /2 = 0.42 см2/В с (Т ~ 313 К, Л = 532 нм, IQ = 2.2 Вт/см2).

7. Впервые исследованы особенности возбуждения нестационарной фото-ЭДС в пленках оксида индия 1пОх и молекулярных кристаллах SnS2. Развита теория эффекта нестационарной фото-ЭДС для модели полупроводника, в котором перенос заряда осуществляется двумя типами носителей одного знака с разными транспортными параметрами.

8. Проведено теоретическое и экспериментальное исследование формы и спектрального состава сигнала нестационарной фото-ЭДС при больших амплитудах фазовой модуляции интерференционной картины для разных величин отношения u)q/u). На примере фотопроводящих кристаллов Bii2Si02o и GaAs:Cr исследовано влияние мощного сигнала низкочастотной фазовой помехи амплитуды и частоты Q на эффективность детектирования полезного высокочастотного сигнала адаптивными фотоприемниками на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС, а также адаптивными интерферометрами дифракционного типа. В результате проведенного теоретического анализа сформулирован количественный критерий подавления низкочастотной фазовой помехи в подобных системах адаптивного детектирования: Дд 7 х Q,/ujq < 1

9. Создан макет лазерного гомодинного виброметра на основе адаптивного фотоприемника GaAs:Cr для измерения малых колебаний диф-фузно-рассеивающих объектов, работающий без специальной виброизоляции. С его помощью проведено измерение амплитуд изгибных колебаний пьезокерамических пластин в диапазоне частот возбуждения / = 10 -г 50 кГц; при мощности сигнального спекл-поля 3 мкВт на фотоприемнике и несущей пространственной частоте интерференционной картины 15 лин/мм, минимальный уровень амплитуды регистрируемых колебаний составлял примерно 10~4 мкм/Гц1/2. Обоснован метод разделения объемного и контактного сигналов в адаптивных фотоприемниках на основе эффекта нестационарной фото-ЭДС. На основе адаптивных фотоприемников GaAs и SnS2 созданы макеты лазерных систем для измерения ультразвуковых колебаний (с чувствительностью 5 X Ю-5 А/Гц1/2 при мощности сигнального луча 20 мВт), а также для измерения частоты колебаний исследуемого объекта с высокой точностью ~ 10~3 Гц.

Заканчивая эту работу, я хочу поблагодарить тех, благодаря кому эта работа осуществилась и стала такой, какая она есть.

Я признателен Сергею Ивановичу Степанову, предложившему мне в 1986 году заняться динамической голографией и позволившему работать над исследованиями фоторефрактивных силленитов с группой аспирантов и сотрудников. Я благодарен заведующему отделом Квантовой электроники ФТИ РАН, доктору физ.-мат. наук, профессору Михаилу Петровичу Петрову за неизменную поддержку и интерес к данным исследованиям. Творческая обстановка в отделении физики диэлектриков и полупроводников ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, возможность обсуждения всех аспектов работы с коллегами мне очень помогала. Исключительно важным для успешного выполнения данной работы были активные консультации с теоретиками, докторами физико-математических наук В.В. Брыксиным и Л.И. Коровиным.

Важным фактором, способствующим формированию моих представлений о физике полупроводников, динамической голографии, фоторефракции и лазерной акустики, стали научные контакты с профессорами В.М. Аграновичем, Ю.А. Гороховатским, Г.Б. Дубровским, А.А. Камшилиным, Н.М. Кожевниковым, Ю.А. Кумзеровым, В.В. Лемано-вым, Л.М. Лямшевым, С.Г. Одуловым, Р.В. Парфеньевым, В.Ю. Пет-рунькиным, В.В. Слезовым, И.А. Смирновым, Б.И. Стурманом, С.М.

Шандаровым, а также с зарубежными коллегами, докторами Г. Оу-рисоном (университет Страсбурга), Ж. Розеном (Институт Оптики, Орсе), Ж.-П. Мончалином (Институт промышленных материалов, Бо-ушервиль, Канада), К. Граттаном (Городской университет Лондона), Д. Мидвинтером (Университетский колледж Лондона), Н. Вайносом и К. Фотакисом (Институт электронных структур и лазеров Ираклиона), К. Но (Корейский передовой институт науки и технологии Тайджона), Л. Леем (университет Эрлангена), К. Бузе (университет Бонна), И. Ямагучи (РИКЕН, Япония), Ж. Ригини (институт прикладной физики, Италия), П. Хессом (университет Гейдельберга).

Сердечно благодарен единомышленникам, кто разделял со мной радость и тяготы экспериментальных исследований - М.А. Брюшинину, В.В. Куликову, Е.В. Мокрушиной, А.А. Петрову, С.Л. Сочаве, А.И. Грачеву, В.В. Спирину, Г.С. Трофимову.

Я очень благодарен своим коллегам и друзьям С.А. Кукушкину. А.В. Осипову и В.Н. Бессолову за постоянную поддержку и участие в моих начинаниях.

Я искренне признателен всем сотрудникам лаборатории Когерентной оптики и электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН за доброжелательное отношение и помощь в работе.

Заключение

1. Gunter P., Huignard J.-P. Photorefractive effects and materials. — Topics in applied physics: Photorefractive materials and their applications Volume 61 (Eds. P. Gunter and J.-P. Huignard) Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 1988. - p. 7-73.

2. Петров М.П., Степанов С И., Хоменко А.В. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. С.-Петербург: Наука, 1992. -320 с.

3. Solymar L., Webb D.J., Grunnet-Jepsen A. The physics and #} applications of photorefractive materials. Oxford: Clarendon Press,1996.- 493 p.

4. Agullo-Lopez F., Cabrera J.M., Agullo-Rueda F. Electrooptics: phenomena, materials and applications London, San Diego, New York, Boston, Sydney, Tokyo, Toronto: Academic Press, 1994. - 345 P

5. Krumins A., Gunter P. Holographic currents in reduced К№>Оз crystals // Phys. St. Sol. (a). 1981. - V. 63. - P. K111-K114.

6. Трофимов Г.С., Степанов С.И. Нестационарные топографические токи в фоторефрактивных кристаллах // ФТТ. 1986. - Т. 28, В. 9. - С. 2785-2789.

7. Петров М.П., Степанов С.И., Трофимов Г.С. Нестационарная ЭДС в неоднородно освещаемом фотопроводнике // Письма в ЖТФ. 1986. - Т. 12, В. 15. - С. 916-921.

8. Трофимов Г.С. Нестационарная фотоЭДС на динамических решетках в фоторефрактивных кристаллах: Дисс. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР, 1989. - 169с.

9. Соколов И. А. Нестационарная фотоЭДС на динамических решетках в кристаллах с большими временами жизни носителей: Дисс. канд. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1992. - 134 с.

10. Petrov М.Р., Sokolov I.A., Stepanov S.I., Trofimov G.S. Non-steady-state photo-electro-motive force induced by dynamic gratings in partially compensated photoconductors //J. Appl. Phys. 1990.- V. 68, № 5. P. 2216-2225.

11. Sokolov I.A., Stepanov S.I. Non-steady-state photoelectromotive force in crystals with long photocarrier lifetimes //J. Opt. Soc. Am. B. 1993. - V. 10, № 8. - P. 1483-1488.

12. Stepanov S. Photo-ElectroMotiveForce Effect in Semiconductors -Handbook of Advanced Electronic and Photonic Materials. Vol.II (ed. H.S.Nalwa) Academic Press 2000. - P. 205-272.

13. Малиновский В.К., Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И. Фо-тоиндуцированные явления в силленитах. Новосибирск: Наука, 1990. - 160 с.

14. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников.- М.: Наука, 1990. 688 с.

15. Dewhurst R.J., Shan Q. Optical remote measurement of ultrasound // Meas. Sci. Technol. 1999. - V. 10. - P. R139-R168.

16. Астратов В.Н., Ильинский А.В. Динамика фотоиндуцирован-ных зарядов и полей в диэлектриках Препринт ФТИ 1091 -Л.: РТП ЛИЯФ, 1986. - 57 с.

17. Мяздриков О.А., Манойлов В.Е. Электреты.- М.; Л.: Госкомэнер-гоиздат, 1962.- 99 с.

18. Губкин А.Н. Электреты.- М.: Наука, 1978. 192 с.

19. Фридкин В.М. Физические основы электрофотографического процесса М.-Л.: Энергия, 1966. - 286 с.

20. Электреты / Пер. с англ. под ред. Г. Сесслера.- М.: Мир, 1983.-487 с.

21. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1991. 248с.

22. Стурман Б.И., Фридкин В.М. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления. М.: Наука, 1992.- 208 с.

23. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники - М.: Наука, 1976. - 408 с.

24. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики М.: Наука, 1979. - 264 с.

25. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: Физматгиз, 1963. 496 с.

26. Брюшинин М.А. Нестационарная фотоЭДС в фоторефрактивных кристаллах со сложной структурой примесных уровней: Дисс. канд. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 2001.- 148 с.

27. Tayebati P., Mahgerefteh D. Theory of the photorefractive effect for Bii2Si02o and ВаТЮз with shallow traps // J. Opt. Soc. Am. B. -1991. V. 8, № 5. - P. 1053-1064.

28. Pauliat G., Roosen G. Photorefractive effect generated in sillenite crystals by picosecond pulses and comparison with the quasi-continuous regime // J. Opt. Soc. Am. B. 1990. - V. 7, № 12. -P. 2259-2267.

29. Ashkin A., Boyd G.D., Driedzic J.M. et al. Optically-induced refractive index inhomogeneities in LiNb03 and 1лТаОз // Appl. Phys. Lett. 1966. - V. 9, № 1. - P. 72-74.

30. Chen F.S., LaMacchia J.T., Fraser D.B. Holographic storage in lithium niobate // Appl. Phys. Lett. 1968. - V. 13, № 7. - P. 223-225.

31. Kukhtarev N.V., Markov V.B., Odulov S.G. et al Holographic storage in electrooptic crystals. 1.Steady state // Ferroelectrics. -1979. V. 22, № 3-4. - P. 949-960.

32. Степанов С.И. Особенности фоторефрактивного эффекта в кристаллах с биполярной фотопроводимостью // ЖТФ. 1982. - Т. 52, В. 10. - С. 2114-2116.

33. Strohkendl F.P., Jonathan J.M.С., Hellwarth R.W. Hole-electron competition in photorefractive gratings // Opt. Lett. 1986. - V. 11, № 5. - P. 312-314.

34. Valley G.C. Simultaneous electron-hole transport in photorefractive materials // J. Appl. Phys. 1986. - V. 59, № 10. - P. 3363-3366.

35. Delboulbe A., Fromont C., Herriau J.P., Mallick S., Huignard J.P. Quasi-nondestructive readout of holographically stored information in photorefractive Bi^SiCbo crystals // Appl. Phys. Lett. 1989. -V. 55, № 8. - P. 713-715.

36. Ландау JI.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. -М.: Наука, 1992. 664 с.

37. Strohkendl F.P. Light-induced dark decays of photorefractive gratings and their observation in Bii2Si02o //J- Appl. Phys. 1989. - V. 65, № 10. - P. 3773-3780.

38. Nouchi P., Partanen J.P., Hellwarth R.W. Temperature dependence of electron mobility in photorefractive Bi^SiCbo //J- Opt. Soc. Am. B. 1992. - V. 9, № 8. - P. 1428-1431.

39. Mahgerefteh D., Feinberg J. Explanation of the apparent sublinear photoconductivity of photorefractive barium titanate // Phys. Rev. Lett. 1990. - V. 64, № 18. - P. 2195-2198.

40. Schachter L., Nation J.A. Propagation of electromagnetic and space-charge waves in quasi-periodic structures. // Physics of Plasmas -1995.-V. 2. P. 889-901.

41. Wang J.G., Reiser M. Localized space-charge waves in space-charge dominated beams. // Int. J. Modern. Phys. В. -V. 9. P. 1409-1427.

42. Cantalapiedra I.R., Bonilla L.L., Bergmann M.J., Teitsworth S.W. Solitary-wave dynamics in extrinsic semiconductors under DC voltage bias. // Phys.Rev. В 1993 - V. 48 - P. 12278-12281.

43. Sturman B.I., Shamonina E., Mann M., Ringhofer K.H. Space-charge waves in photorefractive ferroelectrics. //J. Opt. Soc. Am. В 1995. - V. 12. - P. 1642-1650.

44. Sturman В J., McClelland Т.Е.; Webb D.J., Shamonina E., Ringhofer K.H. Investigation of photorefractive subharmonics in the absence of wave mixing //J. Opt. Soc. Am. В 1995. - V. 12. - P. 1621-1627.

45. Kalinin V.A., Solymar L. Energy relations for space-charge waves in photorefractive materials. //Appl.Phys.Lett. 1996. - V.68. - P. 3826-3828.

46. Kalinin V.A., Solymar L. Space charge fields in photorefractive crystals in the presence of direct current and alternating current fields: A new resonance. // Appl.Phys.Lett. 1996. - V.68. - P. 167-169.

47. Buchhave P., Lyuksyutov S., Vasnetsov M., Heyde C. Dynamic spatial structure of spontaneous beams in photorefractive bismuth silicon oxide // J. Opt. Soc. Am. B. 1996. - V. 13. - P. 2595-2601.

48. Sturman B.I., Aguilar M., Agullo-Lopez F. Analysis of space-charge wave effects in GaAs:EL2. // Phys. Rev. B. 1996. - V. 54. - P. 13737-13743.

49. Kalinin V.A., Solymar L. Electronic excitation of space charge waves in photorefractive materials . // Appl.Phys.Lett. 1996. - V.69. - P. 4265-4267.

50. Vasnetsov M., Buchhave P., Lyuksyutov S. Phase modulation spectroscopy of space-charge wave resonances in Bii2Si020 // Opt. Commun. 1997. - V. 137. - P. 181-191.

51. Sturman B.I., Aguilar M.t Agullo-Lopez F., Ringhofer K. Fundamentals of the nonlinear theory of photorefractive subharmonics. // Phys. Rev. B. 1997. - V. 55. - P. 6072-6083.

52. Lyuksyutov S., Buchhave P., Vasnetsov M. Self-excitation of space charge waves. // Phys. Rev. Lett. 1997. - V. 79. - P. 67-70.

53. Kalinin V.A., Solymar L. Excitation of space charge waves in piezoelectric photorefractive crystals by two counter-propagating acoustic waves. // Solid State Electronics 1997. - V.41. - P. 13741376.

54. Pedersen H.C., Webb D.J., Johansen P.M. Fundamental characteristics of space-charge waves in photorefractive sillenite crystals. // J. Opt. Soc. Am. B. 1998. - V. 15. - P. 2573-2580.

55. Sturman B.I., Podivilov E.V., Chernykh A.I., Ringhofer K.H., Kamenov V.P., Pedersen H.C., Johansen P.M. Instability of the resonance excitation of space-charge waves in sillenite crystals. // J. Opt. Soc. Am. B. 1999. - V. 16. - P. 556-564.

56. Johansen P.M., Pedersen H. C., Podivilov E. V. Influence of quadratic recombination on grating recording in photorefractive crystals. //J. Opt. Soc. Am. B. 1999. - V. 16. - P. 1120-1126.

57. Sturman B.I., Chernykh A.I., Shamonina E., Kamenov V.P., Ringhofer K.H. Rigorous three-dimensional theory of subharmonic instability in sillenites. // J. Opt. Soc. Am. B. 1999. - V. 16. - P. 1099-1103.

58. Sturman B.I., Podivilov E.V., Pedersen H.C., Johansen P.M. Critical slowing down of space-charge field relaxation in photorefractive sillenites. // Opt. Lett. 1999. - V. 24. - P. 1163-1165.

59. Брыксин В.В., Петров М.П. Теория фоторефрактивного резонанса // ФТТ. 1998. - Т. 40, В. 8. - С. 1450-1459.

60. Petrov М.Р., Bryksin V.V., Petrov V.M., Wevering S., Kratzig E. Dispersion law of photorefractive waves in sillenites. // Phys.Rev. A 1999. - V. 60. - P. 2413-2419.

61. Petrov M.P., Paugurt A.P., Bryksin V.V., Wevering S., Andreas В., Kratzig E. Dynamic light beam deflection caused by space charge waves in photorefractive crystals. // Appl.Phys.B 1999. - V. 69. -P. 341-344.

62. Kalinin V.A., Solymar L. Optical grating recording in lossy photorefractive thin films: space charge waves in 2D geometry. // Optics Commun. 2000. - V. 174. - P. 249-255.

63. Sturman B.I., Chemykh A.I., Kamenov V.P., Shamonina E., Ringhofer K.H. Resonant vectorial wave coupling in cubic photorefractive crystals. // J. Opt. Soc. Am. B. 2000. - V. 17. -P. 985-996.

64. Petrov M.P., Paugurt A.P., Bryksin V.V., Wevering S., Kratzig Е. Spatial rectification of the electric field of space charge waves. // Phys.Rev.Lett. 2000. - V. 84. - P. 5114-5117.

65. Petrov M.P., Paugurt A.P., Bryksin V.V., Wevering S., Kratzig E. Dynamic electrooptic effect induced by space charge waves in sillenites. // Optical Materials 2001. - V. 18. - P. 99-102.

66. Petrov M.P., Bryksin V.V., Wevering S., Kratzig E. Nonlinear interactions and scattering of space charge waves in sillenites. // Appl.Phys. В 2001. - V. 73. - P. 699-703.

67. Podivilov E.V., Sturman B.I., Kamenov V.P., Ringhofer К.П. Theory of critical enhancement of photorefractive beam coupling. // Phys. Rev. E. 2002. - V. 65. - art. no.-046623-l-ll.

68. Petrov M.P., Bryksin V.V., Vogt H., Rahe F., Kratzig E. Overall rectification and second harmonic generation of space charge waves. // Phys. Rev. В 2002. - V. 66. - P. 085107-1-10.

69. Казаринов Р.Ф., Сурис P.А., Фукс Б.И. Волны пространственной перезарядки и "термотоковая" неустойчивость в компенсированных полупроводниках // ФТП. 1973. - Т. 7, В. 1. - С. 149-158.

70. Staebler D.L. Ferroelectric crystals // in: Holographic recording materials / Ed.by H.M.Smith (Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, N.Y.).- 1977- P. 101-132.

71. Винецкий В. JI., Kyxmapee H.B., Одулов С.Г. и др. Динамическая самодифракция когерентных световых пучков // УФН. 1979. -Т.129. - С.113-137.

72. Стурман Б. И. Взаимодействие двух световых волн в кристаллах,обусловленное диффузией и дрейфом фотоэлектронов // ЖТФ. -1978. Т.48- С.1010-1020

73. Kogelnik Я. Coupled wave theory for thick hologram gratings // Bell.Syst.Tech.J. 1969. - V. 48. - P. 2909-2947.

74. Kukhtarev N. V., Markov V.B., Odulov S. G. Transient energy transfer during hologram formation in LiNb03 in external electric field // Opt.Comm. 1977. - V.23.- P. 338-343.

75. Винецкий В.JI., Kyxmapee H.B., Марков В.Б. и др. Механизмы записи голограмм в кристаллах и усиление когерентных световых пучков // Препринт ИФ АН Укр. ССР. Киев. - 1976. - 42 с.

76. Hall Т. J., Fiddy М.А. Detector for an optical-fiber acoustic sensor using dynamic holographic interferometry // Opt. Lett. 1980. - V. 5. - P. 601-605.

77. Fisher B, Sternklar S. Image transmission and interferometry with multimode fibers using self-pumped phase conjugation // Appl. Phys. Lett.- 1985 V.46 - P. 113-114.

78. Ewbank M.D., Yeh P., Kroshnevisan M. Time by an interferometry with coupled phase-conjugate reflectors // Opt.Lett. 1985 - V.10 - P.282-284.

79. Степанов С.И. Фоторефрактивные кристаллы для адаптивной интерферометрии. //В кн.: Оптическая голография с записью в трехмерных средах,- JL: Наука, 1989, 230 с.

80. Ritter D., Zeldov Е., Weiser К. Steady-state photocarrier grating technique for diffusion length measurement in photoconductive insulators 11 Appl.Phys.Lett. 1986.- V.49. - P. 791-793.

81. Nicholson J.P. Variable frequency photoconductive grating method Ц Appl.Phys.Lett. 2000.- V.77. - P. 2563-2565.

82. Хомутова М.Д. Электродвижущая сила, возникающая при освещении полупроводника движущимся световым пятном // ФТП. -1972.- Т.6. С. 1836-1837.

83. Винецкий В.Л., Kyxmapee Н.В. Аномальное фотонапряжение и перекачка энергии при записи голографических решеток в полупроводниках // Письма в ЖТФ. 1975.- Т.1. - С. 176-181.

84. Sochava S.L., Buse КKratzig Е. Characterization of photorefractive KNbC>3 :Fe by non-steady-state photocurrent techniques // Opt. Commun. 1993. - V. 105. - P. 315-319.

85. Sochava S.L., Buse K., Kratzig E. Non-steady-state photocurrent technique for the characterization of photorefractive ВаТЮз // Opt. Commun. 1993. - V. 98. - P. 265-268.

86. Gerwens A., Buse K., Kratzig E., et al: Hall measurements with photorefractive strontium barium niobate by application of a non-steady-state photocurrent method // J. Opt. Soc. Am. B. 1998. -V. 15, № 7. - P. 2143-2146.

87. Korneev N., Mayorga D., Stepanov S., Gerwens A., Buse K., Kratzig E. Characterization of photorefractive strontium-barium niobate with non-steady-state holographic photocurrents // Opt. Commun.- 1998 V. 146. - P. 215-219.

88. Bittner R., Meerholz K., and Stepanov S. Non-steady-state photo-EMF effect in photorefractive polymers // Appl. Phys. Lett. 1999.- V. 74. P. 3723-3725.

89. Korneev N., Mayorga D., Stepanov S., Veenhuis H., Buse K., Kuper C., Hesse H., and Kraetzig E. Holographic and non-steady-state photocurrent characterization of photorefractive barium-calcium titanate // Opt. Commun. 1999. - V. 160. - P. 98-102.

90. Noginov M.A., Kukhtarev N., Noginova N., Caulfield H.J., Venkateswarlu P., Mahdi M., Williams A. Study of photoconductivity and holographic current in rare-earth-doped Y3Sc2Ga3012 laser crystals // J. Opt. Soc. Am. В 1997. - V. 14, № 8. - P. 2137-2146.

91. Noginov M.A., Noginova N., Curley M., Kukhtarev N., Caulfield H.J., Venkateswarlu P., Loutts G.B. Optical characterization of Мп:УА10з material for holographic recording and data storage // J. Opt. Soc. Am. В 1998. - V. 15, № 5. - P. 1463-1468.

92. Seres I., Stepanov S., and Mansurova S. Non-steady-state photoelectromotive force effect in photorefractive ЭпгРгЭб crystals //J. Opt. Soc. Am. В 2000. - V. 17. - P. 1986 -1991.

93. Haken U., Hundhausen M., Ley L. Analysis of the moving-photocarrier-grating technique for the determination of mobility and lifetime of photocarriers in semiconductors // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51, № 16. - P. 10579-10590.

94. Hundhausen M., Ley L., Witt C. Influence of space charges on the resonant photoconductor employing a moving laser induced grating. // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 69, № 12. - P. 1746-1748.

95. Witt C., Haken U., Hundhausen M. Determination of the photocarrier lifetime in amorphous silicon with the moving photocarrier grating technique. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. - V. 33, № 10A. - P. L1386-L1388.

96. Hundhausen M. The moving-photocarrier-grating technique for the determination of transport parameters in thin film semiconductors // J. Non-Cryst. Solids 1996. - V. 200, Part 1. - P. 146-152.

97. Strauss JHundhausen M., Ley L. An optical heterodyne experiment for sensitive detection of laser induced photocarrier gratings insemiconductors. // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 69, № 7. - P. 875-877.

98. Strauss J., Hundhausen M., Ley L. Contactless measurements of the photocarrier lifetime in amorphous silicon by a heterodyne experiment. // J. Non-Cryst. Solids 1998. - V. 230, Part A - P. 216-219.

99. Schmidt J.A., Hundhausen M., Ley L. Transport properties of a-Sil-xCx : H films investigated by the moving photocarrier grating technique. // Phys. Rev. В 2000. - V. 62, № 19. - P. 13010-13015.

100. Schmidt J.A., Hundhausen M., Ley L. Analysis of the moving photocarrier grating technique for semiconductors of high defect density. // Phys. Rev. В 2001. - V. 6410, № 10. - P. 4201-4207.

101. Trofimov G.S., Kosarev A.I., Kovrov A.G., LeComber P.G. Non-steady-state photo-emf induced by the dynamic grating technique in a-Si:H films // J. Non-Cryst. Solids 1991. - V. 137,138. - P. 483-486.

102. Kosarev A.I., Trofimov G.S. Dynamic interference grating new technique for the study of non-crystalline films // Int. J. Electronics - 1994. - V. 56, № 6. - P. 1023-1028.

103. Davidson F., Field С. Т., Wang C.C., and Trivedi S. Photocurrents in photoconductive semiconductors generated by a moving space charge field // Opt. Lett. 1994. - V. 19. - P. 478-480.

104. Davidson F., Wang C.C., and Trivedi S. Electron-hole competition effects in photocurrents generated by moving space charge fields in photoconductive semiconductors with deep level traps // Opt. Commun. 1994. - V. 111.- P. 470-477.

105. Davidson F., Wang C.C., and Trivedi S. Optical phase-lock loopswith photoconductive semiconductor phase detectors // Opt. Lett. -1994. V. 19, № 11. - P. 774-776.

106. Wang C.C., Davidson F.t and Trivedi S. Simple laser velocimeter that uses photoconductive semiconductors to measure optical frequency differences // Appl. Opt. 1995. - V. 34, № 28. - P. 6496 - 6499.

107. Davidson F., Wang C.C., and Trivedi S. Transient photocurrents in photoconductive semiconductors generated by step-phase modulations // Opt. Lett. 1995. - V. 20. - P. 175-177.

108. Davidson F., Wang C.C. Optical spectrum analyzer of a new design // Opt. Lett. 1995. - V. 20. - P. 1035-1037.

109. Bryksin V.V., Dorogovtsev S.N., Korovin L.I. Initialization of the holographic current constant component by recording pattern oscillation in photorefractive crystals // Opt. Lett. 1993. - V. 18, № 20. - P. 1760-1762.

110. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. -М.: Мир, 1973. 416 с.

111. Винецкий В. JI.t Kyxmapee Н.В. Теория проводимости, наводимой при записи голографических решеток в неметаллических кристаллах // Препринт ИФ АН Укр. ССР. Киев. - 1975. - 20 с.

112. Sokolov I.A., Stepanov S.I. Intensity-dependent non-steady-state photo-EMF in the crystals with long photoelectron lifetimes // Optik. 1993. - V. 93, № 4. - P. 175-182.

113. Степанов С.И., Трофимов Г.С. Нестационарная ЭДС в кристаллах с биполярной фотопроводимостью // ФТТ. 1989. - Т. 31, В. 1. - С. 89-92.

114. Sokolov I.A., Stepanov S.I., Trofimov G.S. Holographic currents and the non-steady-state photo electromotive force in cubicphotorefractive crystals // J.Opt.Soc.Am. B. 1992. - V.9. - P. 173176.

115. Sochava S.L., Stepanov S.I. Optical excitation of Hall current in a GaAs crystal // J.Appl.Phys. 1994 - V. 75, № 6. - P. 2941-2944.

116. Sochava S.L., Buse K., Kratzig E. Photoinduced Hall-current measurements in photorefractive sillenites // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51, № 7. - P. 4684-4686.

117. Sochava S.L., Kulikov V.V., Sokolov I.A., Petrov M.P. Optical detection of non-steady-state photo-electromotive force in В^ТЮго // Opt. Commun. 1996. - V. 125, № 4-6. - P. 262-266.

118. Korneev N.A., Stepanov S.I. Non-steady-state photoelectromotive force in semiconductor crystals with high light absorption //J. Appl. Phys. 1993. - V. 74, № 4. - P. 2736-2741.

119. Korneev N., Mansurova S., Stepanov S. Nonstationary current in bipolar photoconductor with slow photoconductivity relaxation // J. Appl. Phys. 1995. - V. 78, № 5. - P. 2925-2931.

120. Korneev N., Mansurova S., Stepanov S. Non-steady-state Photo-EMF in bipolar photoconductors with arbitrary level structure // J. Opt. Soc. Am. В 1995. - V. 12.- P. 615-620.

121. Гудмен Дж. Введение в Фурье-оптику. Москва: Мир, 1970. -364с.

122. Сороко JI.M. Основы голографии и когерентной оптики. Москва: Наука, 1971. - 616 с.

123. Островский Ю.И., Бутусов М.М., Островская Г.В. Топографическая интерферометрия. Москва: Наука, 1977. - 339 с.

124. Денисюк Ю.Н. Об отображении оптических свойств объекта в волновом поле рассянного им излучения // ДАН СССР. 1963. -Т. 49, № 1. - С. 97-100.

125. Денисюк Ю.Н. Отображающие свойства бегущих волн интенсивности и их возможные применения // ЖТФ. 1979. -Т. 144, № 6. - С. 1275-1278.

126. Денисюк Ю.Н. Оптическая топографическая с записью в трехмерных средах. Ленинград: Наука, 1986. - С. 4-17.

127. Deferrari Н.А., Darby R.A., Andrews F.A. Vibration displacement and mode-shape measurement by a laser interferometer //J. Acost. Soc. Am. 1967. - V. 42. - P. 982-990.

128. Forward R.L. Wideband laser-interferometer gravitational-radiation experiment // Phys. Rev. D. 1978. - V. 17, № 2. - P. 379-390.

129. Gorecki C. Sub-micrometric displacement measurements by an all-fiber laser heterodyne interferometer using digital phase modulation // J. Optics (Paris) 1995. - V. 26, № 1. - P.29-34.

130. Chebbour A., Gorecki C., and Tribillon G. Range finding and velocimetry with directional discrimination using a modulated laser diode Michelson interferometer // Opt. Commun. 1994. - V. 111. -P. 1-5.

131. Fritschel P., Gonzales G., Lantz В., et al. High power interferometric phase measurement limited by quantum noise and application to detection of gravitational waves // Phys. Rev. Lett. 1998. - V. 80, № 15.-P. 3181-3184.

132. Pouet В., Krishnaswamy S. Dynamic holographic interferometry by photorefractive crystals for quantitative deformation measurements // Appl. Opt. 1996. - V. 35, № 5. - P. 787 - 793.

133. Paul M., Betz B. and Arnold W. Interferometric detection of ultrasound at rough surfaces using optical-phase conjugation // Appl. Phys. Lett. 1987. - V. 50. - P. 1569-1571.

134. Dragsten P.R., Webb W.W. Light scattering heterodyne interferometer for vibration measurement in auditory organs // J. Acoust. Soc. Am.- 1976.- V.60. P. 665-671.

135. Eberhardt F.J., Andrews F.A. Laser heterodyne system for measurement and analysis of vibration //J. Acoust. Soc. Am. -1970.- V.48- P. 603-609.

136. Kersey A.D. Lewin A.C., Jackson D.A. Pseudoheterodyne detection scheme for the fibre gyroscope // Electron. Lett 1984.- V.20.- P. 368-370.

137. Lewin A.C., Kersey A.D., Jackson D.A. Non-contact surface vibration analysis using a monomode fibre optic interferometer incorporating an open air path //J. Phys. E 1985.- V.18 - P. 604608.

138. Pernick B.J. Self-consistent and direct reading laser homodyne measurement technique // Appl. Opt. 1973. - V. 12. - P. 607-610.

139. Nokes M.A., Hill B.C., Barelli A.E. Fibre optic heterodyne interferometer for vibration measurements in biological systems J j Rev. Sci. Instrum. 1978. - V. 49. - P. 722-728.

140. Воронцов M.A., Шмалъгаузен В.И. Принципы адаптивной оптики.- М.: Наука.- 1985.- 336 с.

141. Hamel de Monchenault G., Huignard J.P. Two-wave mixing with time-modulated signal in Bii2Si02o theory and application to homodyne wave-front detection // J. Appl. Phys. 1988. - V. 63, № 3. - P. 624-627.

142. Davidson F.M., Boutsikaris L. Homodyne detection using photorefractive materials as beamsplitters J j Opt. Eng. 1990. - V. 29, № 4. - P. 369-377.

143. Кожевников H.M. Динамическая топографическая микрофазо-метрия // Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Санкт-Петербург: РТП ЛГТУ. - 1992. - 32 с.

144. Андронова И.А., Берштейн И.Л., Зайцев Ю.И. Предельные возможности лазерной микрофазометрии // Изв. АН СССР, сер.физ. 1982. - Т. 46, № 8. - С. 1590-1593.

145. Барменков Ю.О., Зосимов В.В., Кожевников Н.М., Лямшев JI.M., Сергущенко С.А. Применение бактериородопсина для регистрации малых ультразвуковых колебаний методами оптической динамической голографии // Письма в ЖТФ. 1985. - Т.12, № 5. - С. 281-284.

146. Шмалъгаузен В.И. Интерферометры для изучения малых колебаний // УФН 1980. - Т. 132, В. 4. - С. 679-683.

147. Шмалъгаузен В.И. Методы адаптивной оптики в лазерной интерферометрии // Изв. АН СССР, сер.физ. 1982. - Т. 46, № 8. - С. 1521-1527.

148. Базыленко В.А., Прокопенко В.Е., Старков Г.С. Автоматическая компенсация вибраций интерферометра // ПТЭ 1970. - № 6-С. 181-182.

149. Барменков Ю.О., Зосимов В.В., Кожевников Н.М. и др. Исследование малых ультразвуковых колебаний методами оптической динамической голографии // ДАН СССР. 1986. - Т. 290, № 5. - С. 1095-1098.

150. Барменков Ю.О., Зосимов В.В., Кожевников Н.М. и др. Голо-графическая фильтрация низкочастотных помех в выходном сигнале измерительного интерферометра. // Оптика и спектроскопия. 1988. - Т. 64, В. 6. - С. 1339-1343.

151. Stepanov S.I. Adaptive interferometry: a new area of applications of photorefractive crystals //in International Trends in Optics, ed. by J.Goodman, Academic. 1991. - p. 124-140.

152. Барменков Ю.О., Кожевников Н.М. Влияние сильной низкочастотной фазовой помехи на чувствительность адаптивного голо-графического интерферометра // Письма в ЖТФ. 1991. - Т. 17, В. 14. - С. 22-26.

153. Sokolov I.A., Stepanov S.I. Detection of optical signals with high-amplitude phase modulation by adaptive photodetectors // Appl. Opt. V. 32. - P. 1958-1964.

154. Кравцов Ю.А., Минченко А.И., Летчиков В.Г. Акустооптичес-кие преобразователи на основе волоконных световодов // Радиотехника. 1982. - Т. 37, № 10. - С. 3-15.

155. Jackson D.A., Priest R., Dandridge A. Elimination of drift in a single-mode optical fiber interferometer using a piezoelectrically stretched coiled fiber // Appl. Opt. 1980. - V. 19, № 17. - P. 2926-2929.

156. Stepanov S. Applications of photorefractive crystals // Reports on Progress in Physics. 1994. - V. 57 № 1. - P. 39-116.

157. Kamshilin A.A., Paivasaari K., Khomenko A.V., et al. Polarization self-modulation of the nonstationary speckle field in a photorefractive crystal // Opt. Lett. 1999. - V.24, № 12. - P. 832-834.

158. Nippolainen E., Raita Е., Prokofiev V.V., et al. Photorefractive fibers for adaptive correlation filtering of a speckle-pattern displacement // Opt. Mater. 2000. - V.14, № 1 - P.l-4.

159. Nazhestkina N., Nippolainen E., Kamshilin A.A., et al. Polarization self-modulation of speckle patterns in a bundle of photorefractive crystals // J. Appl. Phys. 2000. - V. 88, № 5. - P. 2194-2199.

160. Kamshilin A.A., Paivasaari K., Klein M., et al. Adaptive interferometer using self-induced electro-optic modulation // Appl. Phys. Lett. 2000. - V. 77, № 25. - P. 4098-4100.

161. Nazhestkina N.I., Kamshilin A.A., Kobozev O.V., et ^. Detection of small phase modulation using two-wave mixing in photorefractive crystals // Appl. Phys. В 2001. - V. 72, № 6. - P. 767-773.

162. Kobozev 0., Kamshilin A.A., Raita E., et al. Fast adaptive interferometer in a GaP crystal using a near-infrared laser diode // J. Opt. A-Pure Appl. Op. 2001. - V. 3, № 3 - P. L9-L11.

163. Paivasaari К., Кamshilin A.A., Prokofiev V.V., et al. Linear phase demodulation in photorefractive crystals with nonlocal response // J. Appl. Phys. 2001. - V. 90, № 7. - P. 3135-3141.

164. Raita E., Kobozev 0., Kamshilin A.A., et al. Optical characterization of sillenite crystals using polarization self-modulation effect // Opt. Mater. 2001. - V. 18, № 1. - P. 107-109.

165. Kamshilin A.A., Paivasaari K. Polarization self-modulation in photorefractive crystals a new approach for adaptive detection of ultrasonic surface displacement // Opt. Mater. - 2001 - V. 18, № 1.-P. 41-44.

166. Nolte D.D. and Melloch M.R. Photorefractive quantum wells and thin films // Photorefractive Effects and Materials, (D. D. Nolte, ed.) Kluwer Academic Publishers, Dordrecht: 1995 P. 373 -451.

167. Wang Q. N., Brubaker R. M., Nolte D. D., and Melloch M. R. Photorefractive Quantum Wells: Transverse Franz-Keldysh Geometry. // J. Opt. Soc. Am. В 1992. - V.9. - P. 1626-1641.

168. Partovi A., Glass A. M., Olson D. H., Zydzik G. J., O'Bryan H. M., Chiu Т. H., and Knox W. H. Cr-doped GaAs/AlGaAs semi-insualting multiple quantum well photorefractive devices. // Appl. Phys. Lett. 1993. - V. 62. - P. 464-466.

169. Kyono C. S.} Ikossi-Anastasiou K., Rabinovich W. S., Bowman S. R., and Katzer D. S. GaAs/AlGaAs multiquantum well resonant photorefractive devices fabricated using epitaxial lift-off. // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 64. - P. 2244-2246.

170. Rabinovich W. S., Bowman S. R., Katzer D. S., and Kyono C. S. Intrinsic multiple quantum well spatial light modulators // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 66. - P. 1044-1046.

171. Lahiri I., Kwolek К. M., Nolte D. D., and Melloch M. R. Photorefractive p-i-n diode quantum well spatial light modulators. Ц Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 67. - P. 1408-1410.

172. Lahiri I., Aguilar M., Nolte D. D., and Melloch M. R. High-efficiency stark-geometry photorefractive quantum wells with intrinsic cladding layers. 11 Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 68. - P. 517-519.

173. Lahiri I., Nolte D. D., Harmon E. S., Melloch M. R., and Woodall J. M. Ultrafast-lifetime quantum wells with sharp exciton spectra // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 66. - P. 2519-2521.

174. Wang Q. N., Nolte D. D., and Melloch M. R. Two-wave mixing in photorefractive AlGaAs/GaAs quantum wells // Appl. Phys. Lett. -1991. V. 59. - P. 256-258.

175. Lahiri I., Brubaker R. M., Nolte D. D., and Melloch M. R. Two-wave mixing in Stark-geometry photorefractive quantum wells using moving gratings // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 69. - P. 3414-3416.

176. Wang CC, Linke RA, Nolte DD, et al. Enhanced detection bandwidth for optical doppler frequency measurements using moving space charge field effects in GaAs multiple queantum wells // Appl. Phys. Lett. 1997. - V. 70, № 15. - P. 2034-2036.

177. Wang CC, Linke RA, Nolte DD, et al. Signal strength enhancement and bandwidth tuning in moving space charge field photodetectors using alternating bias field // Appl. Phys. Lett. 1998. - V. 72, № 1. - P. 100-102.

178. Lahiri I, Pyrak-Nolte LJ, Nolte DD, et al. Laser-based ultrasound detection using photorefractive quantum wells. // Appl. Phys. Lett. 1998. - V.73, № 8. - P. 1041-1043.

179. Lahiri I, Pyrak-Nolte LJ, Nolte DD, et al. Laser-based ultrasounddetection using photorefractive quantum wells. // Appl. Phys. Lett. 1998. - V.73, № 8. - P. 1041-1043.

180. Nolte D.D. Semi-insulating semiconductor heterostructures: Optoelectronic properties and applications // J. Appl. Phys. -1999. V. 85, № 9. - P. 6259-6289.

181. Balasubramanian S., Lahiri I., Ding Y., et al. Two-wave-mixing dynamics and nonlinear hot-electron transport in transverse-geometry photorefractive quantum wells studied by moving gratings Ц Appl. Phys. В 1999. - V. 68, №5. - P. 863-869.

182. Tziraki M., Jones R., French P.M.W., et al. Short-coherence photorefractive holography in multiple-quantum-well devices using light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. 1999. - V. 75, № 10. -P. 1363-1365.

183. Tziraki M., Jones R., French P.M.W., et al. Photorefractive holography for imaging through turbid media using low coherence light 11 Appl. Phys. В 2000. - V. 70, № 1. - P. 151-154.

184. Jones R., Nolte D.D., Melloch M.R. Adaptive femtosecond optical pulse combining // Appl. Phys. Lett. 2000. - V. 77, № 23. - P. 3692-3694.

185. Nolte D.D., Cubel Т., Pyrak-Nolte L.J., et al. Adaptive beam combining and interferometry with photorefractive quantum wells // J. Opt. Soc. Am. В 2001 - V. 18, № 2. - P. 195-205.

186. Ansari Z., Gu Y., Tziraki M., et al. Elimination of beam walk-off in low-coherence off-axis photorefractive holography // Opt. Lett. -2001 V. 26, № 6. - P. 334-336.

187. Nolte D.D., Balasubramanian S., Melloch M.R. Nonlinear charge transport in photorefractive semiconductor quantum wells // Opt. Mater. 2001. - V. 18, № 1. - P. 199-203.

188. Stepanov S., Seres /., Mansurova S., Nolte D. Characterization of photorefractive GaAlAs multiple quantum well structures by ac photoelectromotive force and modulated photocarrier grating techniques // J. Appl. Phys. 2002. - V.92, № 4. - P. 1825-1832.

189. Nolte D.D., Coy J.A., Dunning G.J. et al. Enhanced responsivity of non-steady-state photoinduced electromotive force sensors using asymmetric interdigitated contacts // Opt. Lett. 1999. - V. 24, № 5. - P. 342-344.

190. Coy J.A., Nolte D.D., Dunning G.J. et al. Asymmetric interdigitated metal-semiconductor-metal contacts for improved adaptive photoinduced-electromotive-force detectors //J. Opt. Soc. Am. B. 2000. - V. 17, № 5. - P. 697-704.

191. Arroyo Carrasco M.L., Rodriguez Montero P., Stepanov S. Measurement of the coherence length of diffusely scattered laser beams with adaptive photodetectors // Opt. Commun. 1998. -V. 157. - P. 105-110.

192. Ding Y., Lahiri I., Nolte D.D. et al. Electric field correlation of femtosecond pulses by use of a photo electromotive-force detector / / J. Opt. Soc. Am. B. 1998. - V. 15, № 7. - P. 2013-2017.

193. Pepper D. Commercial laser-based ultrasound systems may benefit automotive producers // Laser Focus World. 1996. - V.6. - P. 77-80.

194. Pepper D. The emergence of nonlinear optics in the factory // Opt. Photonics News 1997. - V. 8, N°. 5. - P. 33-40.

195. Dunning G. J., Pepper D. M., Chiao M. P., Mitchell P. V. and О 'Meara T. R. Optimizing the photo-induced emf response for high speed compensation and broadband ultrasonic remote sensing //

196. Nondestructive Characterisation of Material (ed R E Green Jr.), New York: Plenum 1998. - V. 8. - P. 21-26.

197. Klein M. B. and Backer G. D. Robust laser-based detection of Lamb waves by photo-EMF sensors // Proc. SPIE 1998. - V. 3399. - P. 12-17.

198. Matsuda Y., Nakano H. and Nagai S. Optical-detection of transient lamb waves on rough surfaces by a phase-conjugate method // Japan. J. Appl. Phys. 1992. - V. 31. - L987-L989.

199. Nakano H. and Nagai S. Crack measurements by laser ultrasonic at high-temperatures // Japan. J. Appl. Phys. 1993. - V.32. - P. 2540-2542.

200. Honda Т., Yamashita T. and Matsumoto H. Optical measurement of ultrasonic nanometer motion of rough-surface by two-wave mixing in Bii2Si020 // Japan. J. Appl. Phys. 1995. - V. 34. - P. 3737-3740.

201. Nakano H., Matsuda Y., Shin S. and Nagai S. Optical-detection of ultrasound on rough surfaces by a phase-conjugate method // Ultrasonics. 1995. - V. 33. - P. 261-264.

202. McKie A.D.W., Wagner J.W., Spicer J.B., and Penny C.M. Laser generation of narrowband and directed ultrasound // Ultrasonics. -1989. V. 27. - P. 323-330.

203. Harata A. Nishimura H, Sawada T. Laser-induced surface acoustic waves and photothermal surface gratings generated by crossing two pulsed laser beams // Appl. Phys. Lett. 1990. - V. 57. - P. 132-134.

204. Huang J., Krishnaswamy S., Achenbach J.D. Laser generation of narrow-band surface waves // J. Acoust. Soc. Am. 1992. - V. 92.- P. 2527-2531.

205. Noroy M.H., Royer D., Fink M. The laser-generated phased array: analysis and experiments // J. Acoust. Soc. Am. 1993. - V. 94. -P. 1934-1943.

206. Yang Y., DeRidder N., Ume C., Jarzynski J. Noncontact optical fibre phased array generation of ultrasound for non-destructive evaluation of materials and processes // Ultrasonics. 1993. - V. 31. - P. 387394.

207. Pouet B.F., Ing R.K., Krishnaswamy S., Royer D. Heterodyne interferometer with two-wave mixing in photorefractive crystals for ultrasound detection on rough surfaces // Appl. Phys. Lett. 1996.- V. 69. P. 3782-3784.

208. Delaye P., Blouin A., Drolet D., de Montmorillon L. A., Roosen G. and Monchalin J.-P. Detection of ultrasonic motion of a scattering surface by photorefractive InP:Fe under an applied dc field // J. Opt. Soc. Am. В 1997 - V. 14. - P. 1723-1734.

209. Delaye P., Blouin A., Drolet D., and Monchalin J.-P. Heterodyne detection of ultrasound from rough surfaces using a double-phase conjugate mirror // Appl. Phys. Lett. 1995 - V. 67. - P. 32513253.

210. Tuivonen #., Krishnaswamy S. Derectionally sensitive photorefractive interferometric line receiver for ultrasound detection on rough surfaces // Appl. Phys. Lett. 1998. - V. 73. - P. 2236-2238.

211. Murray Т. W., Tuivonen H., Krishnaswamy S. Adaptive optical array receivers for detection of surface acoustic waves // Appl. Opt. 2000.- V. 39. P. 3276-3284.

212. Knuittila J.V., Tikka P.Т., Salomaa M.M. Scanning Michelson interferometer for imaging surface acoustic waves // Opt. Lett. -1999. V. 25. - P. 613-615.

213. Nakano H., Matsuda ¥., Shin S. and Nagai S. Optical-detection of ultrasound with a phase-modulated Michelson interferometer // Rev. Sci. Instrum. 1999. - V. 70, № 11. - P. 4275-4279.

214. Murfin A.S., Soden R.A.J., Hatrick D., Dewhurst R.J. Laser-ultrasound detection systems: a comparative study with Rayleigh waves // Meas. Sci. Technol. 2000. - V. 11, № 8. - P. 1208-1219.

215. Jong J.H., Brodeur P.H., Lafond E.F., Gerhardstein J.P., Pufahl B.M. Laser ultrasonics for noncontact measurement of lamb waves in static and moving paper // J. Pulp. Pap. Sci. 2000. - V. 26, № 10.- P. 358-366.

216. Klein M., Pouet ВMitchell P. Photo-emf detector enables laser ultrasonic receiver // Laser Focus World 2000 - V.36, № 8. - P. S25-S27.

217. Castillo J., Rodriguez P., Aguirre A., Stepanov S., Mansurova S. Effective laser ultrasonic detection with biased GaAs photoelectromotive force detectors // Appl. Phys. Lett. 2002. - V. 80, № 20, - P. 3697-3699.

218. Murfin A.S., Dewhurst R.J. Estimation of wall thinning in mild steel using laser ultrasound Lamb waves and a non-steady-state photo-emf detector // Ultrasonics 2002. - V. 40, № 1-8. - P. 777-781.

219. Stepanov S.} Montero P.R., Flores M.A.C., Mixcoatl J.C., Lopez A.A., Carrasco L.A., Sanchez M.S. Interferometric applications of GaAs adaptive photo-EMF detectors// J. Opt. Technol-Eng. Tr. -2002. V. 69, № 6. - P. 428-431.

220. Акустические кристаллы. / Справочник, под ред. М.П. Шасколь-ской. М.: Наука, 1982. - 632 с.

221. Abrahams S.C., Bernstein J.L., Svensson С. Crystal structure and absolute piezoelectric du coefficient in laevorotatory Bii2SiO20 // J-Chem. Phys. 1979. - V. 71, № 2. - P. 788-792.

222. Шасколъская М.П. Кристаллография. M.: Высшая школа, 1976.- 392 с.

223. Efendiev Sh.M., Bagiev V.E., Zeinally A.Ch. et al. Optical properties of Bi12TiO20 single crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. - V. 63.- P. K19-K22.

224. Ballman A.A., Brown П., Tien P.K., Martin R.J. The growth of single crystalline waveguiding thin films of piezoelectric sillenites // J. Cryst. Growth. 1973. - V. 20, № 3. - P. 251-255.

225. Ballman A.A. The growth and properties of piezoelectric bismuth germanium oxide Bii2Ge02o // J. Cryst. Growth. 1967. - V. 1, № 1. - P. 37-40.

226. Aldrich R.E., Нои S.L., Harwill M.L. Electrical and optical properties of Bii2SiO20 // J.'Appl. Phys. 1971. - V. 42, № 1. -P. 493-494.

227. Fox A. J., Bruton T.M. Electro-optic effects in the optically active compounds Bii2Ti02o and Bi40Ga2O63 // Appl. Phys. Lett. 1975. - V. 27, № 6. - P. 360-362.

228. Abrahams S.C., Svensson C., Tanguay A.R. Crystal chirality and optical rotation sense in isomorhous Bii2Si02o and Bii2Ge02o // J-Sol. St. Commun. 1979. - V. 30, № 5. - P. 293-295.

229. Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. Transport processes of photoinduced carriers in Bii2Si02o //J- Appl. Phys. 1973. - V. 44, № 6. - P. 2652-2658.

230. Lauer R.B. Electron effective mass and conduction-band effective density of states in Bii2Si02o // J- Appl. Phys. 1974. - V. 45, № 4. - P. 1794-1797.

231. Гудаев О.А., Детиненко В.А., Малиновский В.К. Энергетический спектр и природа глубоких уровней в кристаллах германата висмута // ФТТ. 1981. - Т. 23, В. 1. - С. 195-201.

232. Гудаев О.А., Гусев В.А., Детиненко В.А. и др. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bii2Ge02o, Bii2Si02o // Автометрия. 1981. - № 5. - С. 38-47.

233. Верезкин В.И. Оптические и термические переходы в силикате висмута // ФТТ. 1983. - Т. 25, В. 2. - С. 490-494.

234. Пенчева Т.Г., Степанов С.И. О знаке подвижных носителей тока в кубических фоторефрактивных кристаллах Bii2(Si,Ge,Ti)02o // ФТТ. 1982. - Т. 24, В. 4. - С. 1214-1216.

235. Грачев А.И. О монополярности примесной фотопроводимости кристаллов типа силленита // ФТТ. 1998. - Т. 40, В. 12. - С. 2178-2179.

236. Huignard J.P., Micheron F. High-sensitivity read-write volume holographic storage in Bii2Si02o and Bii2Ge02o crystals // Appl. Phys. Lett. 1976. - V. 29, № 9. - P. 591-593.

237. Дубровский Г.Б. Кристаллическая структура и электронный спектр SnS2 // ФТТ. 1998. - Т. 40, В. 9. - С. 1712-1718.

238. Acharya S., Srivastava O.N. Electronic behaviour of SnS2 crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. - V. 65, № 2. - P. 717-723.

239. Domingo G., Itoga R.S., Kannewurf C.R. Fundamental optical absorption in SnS2 and SnSe2 // Phys. Rev. 1966. - V. 143, № 2. - P. 536-541.

240. Физические величины. / Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

241. Patil S.G., Tredgold R.H. Electrical and photoconductive properties of SnS2 crystals //J. Phys. D. 1971. - V. 4, № 5. - P. 718-722.

242. Nakata R., Yamaguchi M., Zembutsu S., Sumita M. Crystal growth and photoconductive effects of stannic chalcogenides //J. Phys. Soc. Jap. 1972. - V. 32, № 4. - P. 1153.

243. Shibata Т., Muranushi Y., Miura Т., Kishi T. Photoconductive properties of single-crystal 2H-SnS2 //J. Phys. Chem. Solids. 1990. - V. 51, № 11. - P. 1297-1300.

244. Дубровский Г.Б., Шелых А.И. Фотоэлектрические свойства дисульфида олова // ФТТ. 1998. - Т. 40, В. 8. - С. 1426-1427.

245. Хи S., Miller С.С., Cao J. et al. Femtosecond photoemission study of electron relaxation in two-dimensional layered electron systems // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. - V. 15, № 3. - P. 1510-1514.

246. Xu S., Miller С.С., Diol S.J. et al Ultrafast electron dynamics in two dimensional layered systems: two photon photoemission studies of SnS2 // Chem. Phys. Lett. 1997. - V. 272, № 3-4. - P. 209-218.

247. Sokolov I.A., Stepanov S.I. Non-steady photovoltage in crystals with long relaxation time of photoconductivity // Electron. Lett. 1990.- V. 26, № 16. P. 1275-1277.

248. Bian S., Frejlich J. Phase modulated two-wave mixing in crystals with long photocarrier lifetimes // J. Mod. Phys. 1996 - V. 43, № 6. - P. 1185-1198.

249. Le Saux G., Brun A. Photorefractive material response to short pulse illuminations // IEEE J. Quant. Electr. -1987. V.27. - P.1680-1688.

250. Partanen J.P., Jonathan J.M.C., Hellwarth R.W. Direct determination of electron mobility in photorefractive Bii2Si02o by a holographic time-of-flight technique // Appl. Phys. Lett. -1990. V. 57, № 23. - P. 2404-2406.

251. Mansurova S., Stepanov S., Korneev N., Dibon G. Giant enhancement of low frequency non-steady-state photo-EMF signal in Bii2Si02o crystal under external DC bias // Opt. Commun. 1998.- V. 152, № 3. P. 207-214.

252. Dolfi D., Merlet Th., Mestreau A., Huignard J.P. Photodetector for microwave signals based on the synchronous drift of photogenerated carriers with a moving interference pattern // Appl. Phys. Lett. -1994. V. 65, № 23. - P. 2931-2933.

253. Merlet Th., Dolfi D., Huignard J.P. Phase and time delays for microwave signals using photocarrier drift in a semiconductor // IEEE J. Photon. Technol. Lett. 1997. - V. 9. - P. 478-481.

254. Merlet Th., Dolfi D., Collot P., Nagle J., Huignard J.P. A high-speed free-space travelling wave photodetector // Appl. Phys. Lett. 1998.- V. 72, N° 10. P. 1134-1136.

255. Segev M., Collings В., and Abraham D. Photorefractive Gunn Effect 11 Phys. Rev. Lett. 1996. - V. 76. - P. 3798-3801.

256. Grunnet-Jepsen A., Aubrecht A., Solymar L. High frequency resonances in photorefractive materials // Opt. Lett. 1995. - V. 20. - P. 819-821.

257. Valley G. C. Short-pulse grating formation in photorefractive materials // IEEE J. Quant. Electr. 1983. - V.19. - P. 1637-1645.

258. Rupp R.A., Maillard A., Walter J. Impact of the sublinear photoconductivity law on the interpretation of holographic results in BaTi03 // Appl.Phys.A. 1989. - V.49. - P. 259-268.

259. Uhrich C., Hesselink L. Temperature, intensity and field de pendence of the absorption coefficient of Bij2Si02o // Opt.Lett. 1990. - V.15.- P.455-457.

260. Valley G.C, Klein M.B. Optimal properties of photorefractive materials for optical data processing // Opt.Eng. 1983. - V.22.- P.704-711.

261. Афанасьев Ю.Б., Куликов В.В., Мокрушина Е.В., Петров А.А., Соколов И.А. Фотопроводящие свойства силленитов, выращенных в бескислородной атмосфере // Письма в ЖТФ. — 1997. Т. 23, В. 17. - С. 28-33.

262. Mokrushina E.V., Bryushinin M.A., Kulikov V.V., Petrov A.A., Sokolov I.A. Photoconductive properties of photorefractive sillenites grown in an oxygen-free atmosphere // J. Opt. Soc. Am. B. 1999. - V. 16, № 1. - P. 57-62.

263. Брюшинин M.A., Соколов И.А. Нестационарный фототок в кристалле Bii2Si02o, выращенном в атмосфере аргона // Письма в ЖТФ. 1999. - Т. 25, В. 9. - С. 63-69.

264. Bryushinin М.А., Sokolov I.A. Theory of the non-steady-state photoelectromotive force for a two level model of a photoconductor // Phys. Rev. B. 2000. - V. 62, № 11. - P. 7186-7194.

265. Bryushinin M.A., Sokolov I.A. Resonant excitation of space-charge and photoconductivity waves in semiconductors with shallow energy levels // Phys. Rev. B. 2001. - V. 63, № 15. - P. 153203-1-4.

266. Bryushinin M.A., Petrov A.A., Sokolov I.A. Temperature dependence of the non-steady-state photocurrents in Bii2Si02o grown in an oxygen-free atmosphere // Advances in photorefractive materials, effects, and devices. TOPS. 1999. - V. 27. - P. 67-71.

267. Bryushinin M.A., Kulikov V.V., Sokolov I.A. Nonresonant enhancement of the nonstationary holographic currents in photoconductive crystals // Phys. Rev. В 2002. - V.65, № 24. - 245204-1-6.

268. Bryushinin M.A., Kulikov V.V., Sokolov I.A. Giant resonant enhancement of the nonstationary holographic currents in an alternating electric field // Phys. Rev. В 2003. - V.67. - 075202-1-7.

269. Брыксин В.В., Петров М.П. Пространственное выпрямление полей фоторефрактивных волн // ФТТ. 2000. - Т. 42, В. 10. - С. 1808-1813.

270. Biaggio /., Hellwarth R.W., Partanen J.P. Band mobility of photoexcited electrons in Bii2Si02o // Phys. Rev. Lett. 1997. -V. 78, № 5. - P. 891-894.

271. Refregier Ph., Solymar L., Rajbenbach П., Huignard. J.P. Two-beam coupling in photorefractive Bii2Si02o crystals with moving grating: Theory and experiments // J. Appl. Phys. 1985. - V. 58, № 1. - P. 45-57.

272. Komeev N., Mayorga-Cruz D., Sanchez-Mondragon J.J. Influence of shallow traps on holographic recording in Bii2Si02o in the temperature range 200 350 К // Appl. Phys. B. - 1999. - V. 68, № 5. - P. 859-862.

273. Костюк B.X., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. Фотоперенос в монокристаллах Bi12Si02o и Bii2GeO20 // ФТТ. 1980. - Т. 22, В. 8. - С. 2454-2459.

274. Chopra K.L., Major S., Pandya D.K. Transparent conductors: a status review // Thin Solid Films 1983. - V. 102. - P. 1-46.

275. Mailis S., Boutsikaris L., Vainos N.A. et al. Holographic recording in indium-oxide (1П2О3) and indium-tin oxide (In203:Sn) thin films // Appl. Phys. Lett. 1996. - V. 69, № 17. - P. 2459-2461.

276. Sokolov I.A., Kulikov V.V., Mailis S., et al. Non-steady-state photocurrents and holographic recording in Indium-oxyde (1П2О3) thin films // Technical Digest CLEO/EUROPE-EQEC'98 1998. -Paper CTh63.

277. Vainos N. // private communication

278. Bryushinin M.A., Dubrovsky G.B., Sokolov I.A. Non-steady-state photocurrents in SnS2 crystals // Appl. Phys. B. 1999. - V. 68, № 5. - P. 871-875.

279. M.A. Брюшииии, Г.Б. Дубровский, А.А. Петров, И.А. Соколов, N.A. Vainos, С. Kalpouzos Нестационарная фотоэдс в кристаллах дисульфида олова в условиях сильного приповерхностного возбуждения // ФТТ 2002. - Т. 44, № 7. - С. 1203-1205.

280. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. / пер. с англ. под ред. Г.П. Мотулевич. М.: Наука, 1970. - 856 с.

281. Korneev N.A., Stepanov S.I. Nonsteady-state photo-EMF in thin photoconductive layers // IEEE J. Quantum Electron. 1994. - V. 30, № 11. - P. 2721-2725.

282. Соколов И.А., Степанов С.И., Трофимов Г.С. Нестационарная фотоэдс в нелинейном режиме возбуждения // ЖТФ. 1988. - Т. 58, В. 2. - С. 445-447.

283. Соколов И.А., Степанов С.И., Трофимов Г.С. Нестационарная фотоэдс при двухчастотном нелинейном режиме возбуждения // ЖТФ. 1989. - Т. 59, В. 10. - С. 126-129.

284. Петров М.П., Степанов С.И., Трофимов Г.С., Соколов И. А. Способ измерения фотопроводимости высокоомных полупроводников.- Патент РФ № 1493022 (заявка № 4314068 от 6 октября 1987) зарегистрировано в Гос. реестре изобретений 30 августа 1993 г.

285. Stepanov S.I., Sokolov I.A., Trofimov G.S. et al. Measuring vibrarion amplitudes in the picometer range using moving light gratings in photoconductive GaAs:Cr // Opt.Lett. 1990. - V.15.- P.1239-1241.

286. Stepanov S.I., Sokolov I.A., Trofimov G.S. (invited) Adaptive photodetectors using photorefractive crystals and the effect of the non-steady-state photo-EMF. // Technical Digest CLEO'91 ( Baltimore, Maryland) 1991. - V. 10. - P. 326-328.

287. Korneev N.A., Stepanov S.I., Sokolov I.A. Adaptive photodetectors novel semiconductor photodetectors based on non-steady-state photo-EMF // Abstract of Spring MRS Meeting. - 1993. - paper F7.13.

288. Соколов И.А., Степанов С.И., Трофимов Г.С. Нестационарная ЭДС на динамических решетках объемного заряда в фотопро-водящих кристаллах // Сборник Основные результаты научной деятельности ФТИ 1989/1990 Ленинград - 1991. - С. 141-143.

289. Соколов И.А., Степанов С.И., Трофимов Г.С. Регистрация малых колебаний диффузно-рассеивающих объектов с помощью адаптивных фотоприемников на основе GaAs:Cr // Акустический журнал 1991- Т.37, В.5.- С. 998-1005.

290. Sokolov I.A., Stepanov S.I., Khorenko V.V. Monitoring bending motion of piezoceramic plates with homodyne interferometers based on adaptive photodetectors // Ferroelectrics 1994.- V.160. - P. 317-322.

291. Кикучи E. Ультразвуковые преобразователи. M.: Мир. 1972. -424 С.

292. Sakurai Т., Shirahase R., Anzai T. Measurement of the displacement distribution of an ultrasonic vibrator by means of multibeam interferometry // J. Acoust. Soc. Am. 1960. - V. 32. - P. 839-841.

293. Zhang Q.M., Pan W. Y., and Cross L.E. Laser interferometer for the study of piezoelectric and electrostrictive strains // J. Appl. Phys. -1988. V.63, № 8. - P. 2492-2496.

294. Korneev N.A., Stepanov S.I. Measurement of small lateral vibrations of speckle patterns using a non-steady-state photo-EMF in GaAs:Cr 11 J. Mod. Opt. 1991. - V.38. - P. 2153-2158.

295. Korneev N.A., Stepanov S.I. Measurement of different components of vibrations in speckle referenceless configuration using aadaptive photodetectors // Optics Commun. 1995. - V.115. - P. 35-39.

296. Соколов И.А., Куликов В.В., Петров М.П. Широкополосная регистрация ультразвуковых фазомодулированных сигналов с помощью адаптивных фотоприемников на основе эффекта нестационарной фотоЭДС // Письма в ЖТФ 1995. - Т. 21. - С. 21-25.

297. Scruby С. В. and Drain L. Е. Laser Ultrasonics, Techniques and Applications. Bristol: Adam Hilger 1990.

298. Monchalin J.-P. Progress towards application of laser ultrasonics in industry // Review of Progress in Quantitative Nondestructive Evaluation ed D. O. Thompson and D. E. Chimenti (New York: Plenum) 1993. - V. 12A. - P. 495-506.

299. Monchalin J.-P. Optical detection of ultrasound // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectrics and Freq. Cont. UFFC 1986 - V. 33 -P. 485-499.

300. Monchalin J.-P. Optical detection of ultrasound at a distance using a confocal Fabry-Perot interferometer // Appl. Phys. Lett. 1985. -V. 47. - P. 14-16.

301. Monchalin J.-P., Heon R, Bouchard P., Padioleau C. Broadband optical detection of ultrasound by optical sideband stripping with a confocal Fabry-Perot interferometer // Appl. Phys. Lett. 1989. -V. 55. - P. 1612-1614.

302. Ing R. K. and Monchalin J. P. Broad-band optical-detection of ultrasound by two-wave mixing in a photorefractive crystal // Appl. Phys. Lett. 1991. - V. 59. - P. 3233-3235.

303. Blouin A. and Monchalin J.-P. Detection of ultrasonic motion of a scattering surface by two-wave mixing in a photorefractive GaAs crystal // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 65. - P. 932-934.

304. Sokolov I.A., Kulikov V.V., Kalpouzos C., Vainos N.A. Laser vibrometer using GaAs adaptive photodetectors based on the effect ofthe non-steady-state photoelectromotive force // Proc. SPIE 1998. -V. 3411.-P. 68-75.

305. Sokolov LA. (invited) Adaptive photodetectors: novel approach for vibration measurements // Measurement. 2000. - V. 27, № 1. - P. 13-19.

306. Sokolov I.A. Adaptive photodetectors for vibration monitoring // Nuclear Inst, and Methods in Physics Research, A 2003. - V. 504, № 1-3. - P. 196-198.

307. Marshall R.H., Sokolov I.A., Ning Y.N., Palmer A.W., Grattan K.T.V. Photoelectromotive force crystals for interferometric measurement of vibrational response // Meas. Sci. Technol. 1996.- V. 7. P. 1683-1686.

308. Dybbs A., Ghorashi B. Laser Anemomtry: Advances and Applications- American Society of Mechanical Engineers New York, 1991.

309. Chebbour A., Gorecki C., Tribillon G. Range finding and velocimetry with directional discrimination using a modulated laser diode Michelson interferometer // Opt. Commun. 1994. - V. 111. - P. 1-5.

310. Sokolov I.A., Delaye Ph., Roosen G. // unpublished (paper and/or patent pending)

311. Рытое C.M. Дифракция света на ультразвуковых волнах // Изв. Ан СССР, сер. физ., 1937. № 2. - 222.

312. Мустелъ Е.Р., Парыгин В.Н. // Методы модуляции и сканирования света (Главы 7, 8). Москва: Наука, 1970. - 295 с.

313. Croning-Golomb М., Anderson D. // unpublished

314. Riza N. Scanning heterodyne optical interferometers // Rev. Sci. Instrum. 1996. - V. 67. - P. 2466.

315. Трофимов Г.С., Степанов С.И., Петров М.П., Красинъкова М.В. Нестационарная фотоэде при пространственно неоднородном поверхностном возбуждении GaAs:Cr // Письма в ЖТФ. -1987. Т. 13, В. 5. - С. 265-269.

316. Брюшинин М.А., Куликов В.В., Соколов И.А. Объемная и контактная фотоэде в адаптивных фотоприемниках на основе арсе-нида галлия // ЖТФ. 2002. - Т. 72, В. 10. - С. 79-86.

317. Spirin V.V., Lee С., No Kwangsoo, Sokolov I.A. Adaptive interferometer measurement of the piezoelectric and electro-optic coefficients of the spin coated PZT thin films // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998. V. 37, Part 2, N 5A. - P. L519-L521.

318. Spirin V.V., Lee C., No Kwangsoo, Sokolov I.A. Adaptive interferometer measurement of the piezoelectric and electro-optic coefficients of the spin coated PZT thin films // Proc. SPIE 1998.- V. 3330. P. 59-66.

319. Spirin V. V., Lee C., No Kwangsoo Measurement of the Pockels coefficient of lead zirconate titanate thin films by two-beam polarization interferometer with a reflection configuration //J. Opt. Soc. Am. В 1998. - V. 15, № 7. - P. 1940-1946.

320. Zhang Q.M., Jang S.J., and Cross L.E. High-frequency strain response in ferroelectrics and its measurement using a modified Mach-Zehnder interferometer //J. Appl. Phys. 1989. - V.65. - P. 28072813.

321. Kholkin A. L., Wutchrich Ch., Taylor D. V., and Setter N. Interferometric measurements of electric field-induced displacements in piezoelectric thin films // Rev. Sci. Instrum 1996. - V.67. - P. 1935-1941.