Динамический нелинейный транспорт в низкоразмерных проводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

АКАДЕМИЯ НАУК СССР ОРДЕНА ШИНА ФИЗИКО-ШНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ имени А.Ф.ИСШЕ

На правах рукописи

БЕВДИК ШНА БОРИСОВНА УДК 539.21

ДИНАМИЧЕСКИЙ НЕЯИНЕЙШЙ ТРАНСПОРТ В НИЗКОРАЗЫЕРНЫХ ПРОВОДНИКАХ

(01.u4.07 - физика твердого уела)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Ленинград 1990

Работа вшолаена в ордена- Ланина и ордена Октябрьской революции электротехническом институте им. В.И.Ульянова (Ленин

Официальные ошоненты: доктор физико-математических наук,

член-корр. АН СССР И.Ф.Цеголов доктор физико-математических наук,

профессор ' Ю.А.Фирсоз доктор физико-математических наук,

профессор ' Л.Т.Тер-Ыартироояг Ведшая организация - институт химической физики АН СССР,

/ & » /р-^"1. т9чг) г. в ^

Защита состоится " 1 " . ■ 1990 г. в

чаооЕ на заседаний специализированного совете Д.003.23.03 при Физико-техническом института им. А.Ф.Иоффэ АН СССР по адрасу 194021, Ленинград, Политехническая ул. 26.

е диссертацией мокио ознакомиться в библиотеке Физико-технического института им. Л.Ф. Нойфв АН СССР.

Автореферат разослан 11___" . 1990

Ученый секретарь специализированного совета

Д.003.23.03 кандидат физико-математических наук

(А.А.Петров)

I .......■•;:•.

» ' ;

. ; - з -

.. ОЩЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. В-современной физике твердого тела' одним из важнейших и активно развивающихся направлений является фиеияа ниэкоразмерных проводников. Изучение.свойств проводников этого класса позволяет существенно расширить представления о фундаментальных свойствах конденсированиях средств. Достаточно сказать, что попытки разобраться в физической природе высокотемпературной сверхпроводимости, открытие которой является крупнейшим событием физики IX века, в значительной мере основаны на физике низкоразмерннх систем."

Низксразмернне проводники.представляют собой реальные трехмерные объекты, отличающиеся сильной анизотропией алектропровод-ности и оптических свойств. Так, в квазиодномерных проводниках (1Д) существует одно хорошо проводящее направление, и параметр анизотропии можно определить как отношение интегралов перекрытия для движения электронов в этом направлении и в поперечном ('Ьц/Ьь » I). В квазидвумерннх проводниках (2Д) имеются хорошо проводящие плоскостй, электронные характеристики которых отличны от характеристик в поперечном направлении. •

• Низкоразмерные проводники обладают свойствами, принципиально отличными от свойств трехмерных объекте :, что привело к их интенсивному изучения. Экспериментальное исследование 1Д-провг -ников показало, что при понижении температуры они исшгтываот фазовый переход мегалл-дпалакгрик.

Рассютривает три основных причини перехода в диэлектрическое состояние: образование щели на уровне Ферми в спектре электронов проводимости за счет кулоноеского отталкивания - переход Мотта-Хаббарца; переход за счет андерсоновской локализации при наличии в системе сколь угодно малого хаотического потенциала; возникновение щели за счет периодического искажения кристаллической решетки с волновым числом, равным удвоенному фершевскому импульсу = 2 к*) - переход Пайерлса [I, 2 \ . Наибольший интерес представляют 1Д-проводншга с пайерлсовской неустойчивостью, поскольку, периодическая деформация решетки сопровождается пространственной модуляцией плотности заряда и образованием волны зарядовой плотности (ВЗП). Коллективный транспорт , обусловленный движением ВЗП,. приводит к проявлению специфических кинетических явлений, не свойственных трехмерным проводникам. Среди них наиболее существенные:

нелинейность статической вольт-амперной характеристики (ВАХ);

нелинейный отклик на переменное электрическое поле; •частотная зависимость электропроводности; генерация узкополосного квазипериодического шума. Экспериментальные исследования кинетических процессов в 1Д-проводниках в фазе пайерлсовского диэлектрика находят объя н'енив в рамках феноменологических моделей, описывающих коллек тивный транспорт ВЭП. Большое число работ посвящено исследова нив динамических свойств ВЗП, линейных к нелинейных, и в поел ние года здесь достигнуты значительные успехи в понимании физ ческих процессов. Однако к настоящему времени нет модели, в р ках которой могли бы получить объяснение все наблюдаемые эксп риментальные.результаты. Имеется не только количественное, не а ряде случаев качественное расхождение. В постановке эксперт ментальных исследований, в свою очередь, также имеются значительные пробелы. В частности, чрезвычайно шло работ по исслс дованию нелинейной электропроводности низкоразмерных проводш ков в диапазоне СВЧ. Нелинейный отклик на электрошгнитное и; лучение является функцией параметров исследуемой системы, а также нескольких параметров внешних воздействий (амплитуда и частота излучения, напряжение постоянного смещения), что поэг ляет по результатам исследований установить функциональные С1 зи и проверить адекватность модельных представлений. Выбор д] пазона СВЧ обусловлен тем, что он занимает промежуточное пол< жение между радиочастотным,- где еще не проявляются инерционш свойства системы, ответственной-за транспортные процессы, и I тическшл, где определяющую роль играет величина кванта элект] магнитного излучения. Именно в СБЧ диапазоне, где частоты уж достаточно велики, а величина кванта ничтожно шла, может бы получена принципиально новая информация, Характерные частоты определяющие динамические свойства ВЗП в соответствии с моде ми, находятся именно в СВЧ диапазоне.

Экспериментальная СВЧ техника предоставляет уникальные в мощности. Это связано, прежде всего, с бесконтактными метода измерения электропроводности. Измерительные модули для иссле вания нелинейных транспортных процессов могут быть выполнены виде интегральных схем СВЧ, куда исследуемые элементы встраи йтся естеетввйнш образом. Использование .для' этих целей инте

альяой технология обеспечиваем высокую воспроизводимость ре-)ультатов. Существенным обстоятельством является то, что-этапа-, ишентальные результаты исследования нелинейных транспортных фопессов, полученные в СВЧ диапазоне, могут быть кепосрадствён-ш использованы в практических целях для разработки новых эле-яентов радиоэлектронных устройств с расширенными функшгокальнн-т возможностям.

Целью настоящей работы является комплексное экспериментальное исследование линейного и нелинейного динамического транспорт га в низкоразмвряых проводниках в диапазона СВЧ к интерпретация результатов эксперимента на основе феноменологических моделей.

Объектами исследования в работе являются "квазиодномерные кристаллические неорганические проводники Seb и TouSj ,

органический квазиодномерный проводник ТТТгДд, и квазсдвумэрп:.'б органические проводники (ВЕДТ-ТГР^Нс^ и (ВЕДТ-ТТР)^^.

Все исследования объединены обшостью экспериментальной методики и возможной областью' практических приложений.

Синтез кристаллов NtSe^ и выполнен в ЙРЭ АН

СССР под руководством Савицкой Я.С. к Латышева Ю.И., все органические проводники синтезированы в отделении Института химической.физики АН ССС? (Черноголовка) под руководством Любовской Р.Н. и Ягубского Э.Б.

Методы исследования. Для проведения экспериментальных исследований разработана методику измерения СЕЧ электропроводности образцов, измерения дифференциальных ВАХ'образцов и контактов я ним, исследовйй'вд динамического отклика на СВЧ излучение в режиме прямого детектирования, смзсятоля в традиционном режиме п с субгармонической накачкоЛ, модуляции коэффициента отражения от объекта, а такжэ измерения коммутационного качества-иссл&дуемого образца. Измерения проведены на монокристаллах . низкоразмеркых проводников.

Научная новизна и основные защищаемые положения. В работе впервые проведено экспериментальное исследование нелинейных дз-яамических транспортных процессов в низкоразмерных проводниках под действием электрошгнитного излучения СВЧ в присутствии постоянного электрического поля. Исследования выполнены на неорганических и органических нпзкорззмврных проводниках.

Обсуждение результатов экспериментальных исследований проведено на основе феноменологических моделей. йспользонани из-

вестные модели, усовершенствовашше с целью адекватного описани физических процессов в объекте, соответствующих условиям эксперимента, а также предложена оригинальная модель. В результате проведенных исследований получены новые научные результаты, поэ полявдие сформулировать следующие научные положения.

1. Под действием слабого электромагнитного СВЧ излучения

в присутствии СВЧ накачки и постоянного смещения в квазиодномер ных проводниках N6 и в фазе пайерлсовского ди-

электрика формируются сигнали с комбинационными частотами. Изме реяие отклика разностной частоты позволяет получить количествен ные оценки динамических параметров нелинейной феноменологическс модели ВЗП транспорта.

2. Динамические свойства ВЗП в режиме пиннинга на дефектам описываются классической моделью в предположении существования двух мод: моды пиннинга и фа зонной мода. Нелинейная мода пишш га описывает движение В8П как целого в периодическом потенциал} ном поле, определяемом периодичностью ВЗП и потенциальным поле» центров пиннинга. Фа зонная мода соответствует бесщелевым возбул дениям и описывает линейные колебания между центрами пиннинга. Граничные условия в точках закрепления центров пиннинт связивг т смещения В2П, обусловленным вкладом обеих мод.

3. Реальный кристалл кваэиодношрного проводника, состоят: из большого числа слабо связанных одномерных цепей, следует ра< сматривать как статистическую систему. Параметры системы опред! ляются усреднением по следуицим случайным параметрам:

по собственной частоте моды пиннинга С0о. с норюльннм законом распределения; •

по расстоянию между центрами пиннинга и с использование экспоненциальной функции распределения;

по напряженности порогового поля ЕПОГ)- с эмпирической функ .цизй распределения вида:'

Р Се„*) г.

где ^ X ' Епо(./£*

- параметр

г

Ь (I

распределения.

-ч -

4. Транспортные процессы в квазиодномерном проводнике То-$, (орторомбическая $8 за) нижа Т= 140 К характеризуются нелинейной ВАХ с двумя пороговыми полями, связанными с пиннингом ВЗП на • дефектах и на походной кртталлтеской решетке. При напряженности поля смещения, превышающей напряженность второго порогового поля',ЕПОр 2» связанного с пиннингом на решетке, резко увеличивается дифференциальная проводимость проводника, что сопровождается значительным ростом нелинейного отклика ВЗП на СВЧ излучение в присутствии СВЧ накачки.

5. Органический проводник (ЕТ)рН<^1д, имеющий квазидвумерную структуру, характеризуется переходом в диэлектрическое состояние. Полученные экспериментально в диэлектрической фазе нелинейные БАХ, дисперсия электропроводности, сравнительно большая величина диэлектрической проницаемости в миллиметровом диапазоне и характер ее температурной зависимости позволяет предположить существование ВЗП в данном штериале.

6. Органический квазиодномерный проводник ТТГлДд характеризуется линейными электрическими свойствами. В то же время контакты к кристаллам ТТ^з из серебряной Ьастн и мелкодисперсного графита, характеризуются нелинейными злектрнческпми свойствами до частот порядка 2'Ю*1 Гц, что мсс г быть объяснено образованием совокупности мшроконтактов со структурой типа

м-д-м. . .

• .7. 7ниверсальннм параметром, позволяющим оценить изменение СВЧ проводимости под влиянием управляющего воздействия на нелинейный проводник, независимо от природа физических явлений в нем, является коммутационное качество. Величина коммутационного качества однозначно определяется экспериментально по изменению модуля и фазы коэффициента отражения от. образца, включенного в линию передачи СВЧ, при подаче управляющего воздействия. Использование этого параметра дает возможность сравнивать коммутационные свойства различных объектов (проводники с ВЗП, сверхпроводники, полупроводниковые ключи и др.) и делать вывода о возможности практического использования.

Практическая значимость работы оценивается следугацими

результатами:

I. Разработка методик исследования динамических транспортных процессов в низкоразмеркых проводниках в СВЧ диапазоне и оценка пределов применимости различных методов измерения элек-

гропроводности ниаиораомерных проводников позволяют производит] экспериментальные исследования линейных и нелинейных транспортных процессов!ниакоразмэрных проводниках.

2. Разработанная методика оценки коммутационных свойств низкоразмерных проводников путем измерения коммутационного качества, позволязт произвести сравнение различных материалов по их коммутационным свойствам и дать рекомендации по практически использованию. '

3. Разработаны рекомендации по практическому применению и лученных результатов в радиоэлектронике, в частности, яспользо вания исследованных материалов в качестве элементов приемных устройств СВЧ с увеличенным динамическим диапазоном.

Апробация работы. Результаты данной работы докладывались обсуждались на Всесоюзных совещаниях но органическим полупрово никам (1961 г., г.Рита, 1982 г., г.Пассашури, 1984 г., Авгера на международной конференции "Электроника органических штериа лоа" (196? г., г.Ташкент), на ÏI Всесоюзном симпозиуме "Неоднородные электронные состояния" (1987 г., г.Новосибирск), на Все соганых соведаниях по физике низких температур (1986 г., г.Тбг лиси, 1990 г., г.Донецк)-, на Всесоюзных конференциях по микроэлектронике (IS75 г., г.Львов, 1987 г., г.Тбилиси), на ВсесоюЕ них конференциях по интегральной электронике СВЧ {J.982 г., г.? город) I9S4 г., г Ленинград, 1938 г., г.Красноярск), на Bcecoi Них конференциях по электронике СБЧ (1976 г., г.Ростов-на-Дон; 1980 г.,-г,Киев, 1983 г., г.Минск, 1986 г., г.Орджоникедзе), I УШ националы!oii конференции с международным участием MIKOfJ-BI (1988 г., г.Гданьск, ПЗТР). на У национальном симпозиуме по те. коммуникации с международным участием (1989 г., г.Бкдгощ, ПНР ка У1 Международной игаоле по физике и технике микроволн (1989 г.Варна, НРБ), на международном симопзиумэ MA S КТЕС'90 (IS90 г.Дрезден, ГДР), на П советско-польском семинаре "Электроника органических материалов" (1990 г., г.Черноголовка, СССР), а т, ке на двух Всесоюзных семинарах по СВЧ электронике квазиодном ных проводников (1983 г., 1985 г., ЛЭТИ, г.Лвнкнград). .

Публикации. По теме диссертации опубликовано 38 работ. Список основных публикаций приведен в конце автораоерата. • л Шьем и структура работа. Диссертация состоит из вводени

■ восьми плав, включения и приложения. Список литературы вклк«

■ 297-.наименований, в том числе'!-работы автора. Диссертация сс

сит 220 страниц машинописного текста» 110 рисунков и Г? таблиц;

СОДЕРЕАВДЗ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность исследования, формулируется основная цель работа. Лается краткое изложение результатов работы, выделяются основные научные положения, которые вносятся на защиту.

Первая глава имеет обзорный характер и содержит результаты' экспериментальных исследований- транспортных процессов в органических и неорганических низкоразмерных проводниках, выполненных другими авторами. Излагаются основные положения феноменологических моделей, используемых для анализа экспериментальных результатов . Д&егся оценка состояния проблеш а формулируется содержание исследований.

Вторая глава посвящена теоретическому аналзту условий постановки эксперимента по исследованию нелинейного динамического отклика квазиодномеркой-сястекЕГ на ОВЧ излучение, обусловленного •транспортом ВЗП. Анализ проведен ка основе модели классического диссипативного осциллятора, уравнение которого описывает движение ВЗП [З] : ■

где 0 = фс - $аза ВЗП, - волновой вектор ВЗП, е0 в Е0/Ец р,

- нормированные к пороговому поли Е^р напряженности постоянного и переменного полей соответственно, ЕПОр = Ни)„1/^ , М и е - эффективная масса и заряд ВЗП, Ц>о - собственная частота осцилляторе, и>(.с,= , *С" _

постоянная затухания.

Нелинейное дифференциальное уравнение (I) решается для следущих комбинаций, внешних воздействий:

а) СВЧ излучение постоянной амплитуды и постоянное электрическое пола (детектирование):

«.= £„•«■ ¿¿и С-^оЬ

<< со >> <х)е0/ СО о у

6) СВЧ излучение со слабой синусоидальной амплитудной модуляцией и постоянное электрическое поле (детектирование):

е = е„ *• е4 (.4-* tut-***),

£< < <, m ««ы , tU»cu„(uJ. ;

e) слабое СВЧ излучение постоянной амплитуда в присутстви: СВЧ накачки и постоянное электрическое поле (режим смесителя):

£ * ео ♦ Slii CtU«t * Sen C^V*-) ,

< i , « e, t ajt-tt)4 = а , a,U)tji>fui

ej - амплитуда накачки, e2 - амплитуда слабого СВЧ излучения;

г) слабое СВЧ излучение постоянной амплитуда с субгармони ческой накачкой без постоянного электрического поля (режим сме сителя с субгармонической накачкой):

е - SuiC^-t-tfaJ ♦ Sew t,

t сог -2Ша Г а , si-" со4, cvt;

ej - амплитуда накачки, е2 - амплитуда слабого СВЧ излучения. Решение (I) мнется в в аде:

О & о - й , (2)

где ©о - решение (I) в низкочастотном пределе для £ (fc) = О, й - тлое возмущение, определяемое воздействием СВЧ излучени й с* ©„.

Плотность тока В5П определяется выражением;

е. п. /Де ч W ~ {¿с) ' <з)

где концентрация сконденсированных носителей заряда, знак < > означает усреднение периодической функции / 4Ь по периоду 2 F / сО^ причем ■ оЦ V - 4 ' > > 4 и U)^ >» П. . Ток ЗЗП склады кается из постоянной составляющей определяемой ва , и малой добавки , являющейся нелине

ным откликом на СВЧ излучение. Нелинейная добавка n ® с

¡цен случае содержит постоянную составляющую, а такне переменны с комбинационными частотами.. 3 качестве отклика ВЗП «а алектрс шгнитное излучение в эксперименте легко регистрируется переме ная составляющая, изменяющаяся с разностной частотой О. , щ чем предпочтительно измерение отклика в виде напряжения на со-про-'лБлеяии внешней нагрузки, вызванного изменением тока ВШ.

В работе решена задача распределения токов и напряжений на . образце квазиодноглерного кристалла с учетом вклада сопротивления внешней нагрузки, линейного сопротивления образца, обусловленного наличием одаочастичных возбуждений, и нелинейного сопротивления, определяемого коллективным транспортом ВЗД. Полученные выражения для напряжения отклика являются нелинейной функцией напряжения смещения V,, и правомерна только для области напряжений, превышающих пороговое значение: V,, ~> .3 « ■ точке\!„=\/ ПОр функция отклика имеет особенность, л ее производная терпит разрыв. Экспериментальные исследования кгазиодкомер-ных образцов, выполненные другими авторами на постоянном токе и в мегагерцовом диапазоне, показывают, что все характеристики, включая их производные, являются гладкпш. В связи с этим в работе высказывается предположение, что реальный образец квазиодномерного проводника представляет собой совокупность множества отдельных некоррелированных ВЗП, разлячаюдихся напряженностью порогового поля. Полагая, что имеет место статистический разброс напряженности порогового поля, введем для нахождения средних значений функцию распределения в следующим ввде:

где и-1 и {> - вещественные я положительные.

Вид функции распределения (4) выбран ка основе априорной инфорщции о зависимости1 отклика на высокочастотное излучение от напряжения смещения в проводнике 5]. Параметры

распределения УК , |э и Е* являются эмпирическими

С учетом сделанного предположения выражения для тока и напряжения отклика на предсташгенгшо выше комбинации внешних воздействий имеют вид:

а) приращения постоянной составляющей тока

б) переменной составляющей тока, изменяющейся с частотой тлодуляции СВЧ сигнала: ^

1 „---------- 1 (о))- ;

л 2. К-« V* 3 '

в) переменной составляющей тока, изменяющейся с разноотно частотой :

I = ^Ж-.+сиз). Г< ,

где V«' и V» - амплитуды напряжений СВЧ сигналов, V * = Е С- - длина образца, - сопротивление образца, определяемо вкладом ВЗД при ч/„ ;

Ао

Миф- 1 Р-.р С>) ^ { 0 - _а

1 {ч^СЛ+^УРаГ*)'4 а-н,

Напряжение отклика Ч^ = Я. £ «¿.^ , -

о^Убе.;;4 чг;) /а.

где К-А - линейное сопротивление образца, определяемое вкладом одночаотичных возбуждений, - сопротивление на-

грузки.

' Приведенные соотношения устанавливают функциональную связь амплитуды отклика.о амплитудой и частотой СВЧ изучения напряжением постоянного смещения а параметрами образца,. ■Эта. соотношения требуют акапаричонтальной проверки.,. ■

В случив г), когда постоянное напряжение орешения стоутству-

отклик на СБЧ излучение в виде тока или напряжения разностной ютотл Sl~c-üz- г u¡А ( u)¿ - частота слабого сигнала, -¡стота накачки) имеет амплитуду, линейно связанную с напряжением 1гняла и нелинейно (близко к квадратичному закону) с напряжением тачки. Для области частот ш <-<сйео возможно получение дреоб-¡зования о усилением при выполнении условия:

? С iOCVea /П.)*-,

>торо9 монет быть реализовано, в частности для срторомбичэсного при Т * 60 К и Л /2Í" ^ I 1Гц.

. Последний параграф данной главы досвящан теоретической одан-з экспериментального исследования коммутационных свойств квазп-1н0мерных проводников в диапазоне СВЧ. Предполагается, что обра-зц с Boíl находится под деиста ком слабого СВЧ излучения, а посто-'-woe смещение соответствует двум дискретным уровням: 6В = 0 и .„ > » I. Откликом на изменение напряжения смещения может служить зтвгралъный дарамет_ - коммутационное качество К, который одно-1ачно определяется полным сопротивлением обоазца б двух состояни-

К* k'4r ^L „ JLb. л .

Ti Тл »4

Коммутационное качество мо.тат быть определено через модуль фазу коэффициента отражения от образца в двух состояниях Гад -- I r<.j e.i<f',a ;

.. a* if,«a)c< -1г,1г)

а?»

Модуль и фаза кос-одпцивнтэ отражения легко измеряются экосе-иментально, и, таким образом, коммутационное качество является змвримой величиной. Величина этого параметра зависят от степени азличия динамической электропроводности системы в линейном

= 0)'и. нелинейном I) режимах и существ еннш образом

прэделяется частотной дисперсией. Для области частот СО истр'.:а с Ш1 коммутационными свойствами не обладает и К = I. Вы-. окое значение К ~>>1 мояет быть получено только для частот си<и)е(

Результаты данной главы служат основой для анализа экспериментальных результатов исследования нелинейного отклика Boll на электромагнитное излучение СМ.

Третья глава посвящвве описанию экспериментальных методик исследования транспортных процессов в ниахоразмерных проводниках Ochobiius направления исследований: измерение статической электрО' аров одно ст и в слабого и сильном полях; измерение диначическок электропроводности з линейной релшма; исследование нелинейных динам; ческих транспортных: процессов; измерение коммутационного качеств, Сбвдм для всех экспериментов является применение криогенной техн: Исследуемые образцы представляют собой тонкие нитевидные кр талли длин02 l-ю ш с линейными размерами поперечного сечения о единиц до сотен микрометров, а также тонкие пластинки толщиной

100 мич и плэцадыо порядка 1-5 т,?. Расстояние между электро дали в разных образцах выполнялось от 10-20 мкм до нескольких ми. лиматром. Омические контакты к кристаллам из золота, серебра или индия создавались напылением через теневой трафарет, либо выполн лиоь в виде прядашных проволочных золотых контактов.

Образец устанавливается а кристаллодэржатель и монтируется : гелиэзда криостат КГ-ЮО. Температура устанавливается о помоцью двух нагревателей, ¡контроль .тешмратурк с точностью + о.'ГК вшо . няется с помощью гравированного термодатчнка на германиевом р-п переходе. Используется специальная схема регулировки и стабилиза ции температуры: в интервале 77-ЗЬО К, обеспечивающая неизменную температуру с точностью * 0,1 К.

Измерение статическом электропроводности производится четы-рехзондовш методой. Измерение сопротивления образца производите методом сравнения с -эталонны;л резистором (магазин сопротивлений P483I) аутел) измерения падения напряжения, на.образца и эталонном резисторе. Ошибка измерения сопротивления в диапазоне 1—10*^ Ом в более 1%. Вольт-амперная характеристика '(ЗЛХ}элэктрачвских ьонта тов к образцу снимается с ноиоцыо трехзондовой схемы включения, которой средний контакт является обидам для пары токовых и потони ельнпх контактов.

■ ДдьгХ исслэдования нелинейной ВлХ'используется схема номере ни . дифференциальной проводимости, в которой на образец и эталонный ■ резио'-jp одновременно подается пилообразное напряжение с периоде Т = 100.с к синусоидальное наяпяжение с частотой Щ Гц и амп-

геудой 50 мкВ. Переменное напряжение с эталона, пропорциональное |фференцяальной проводимости образца, подается через узкополосный ¡илитвль на У-вход двухкоординатного самописца ЩЩ-4. Напряжение образца через фильтр, отсекгкщпй синусоидальный сигнал, асотупа-• нр Х-вход самописца. Напряжение на образце может изменяться в »едэлах ± 12 В, продели измеряемой проводимости 104+0,5 Ом"1.

Дяя измерения сопротивления образцов прп больших напряжениях (ещэния применяются импульсная методика снятия характеристик,, ио.-. шчающая джоулев нагрев. Измерительная схема представляет собой ¡зистивный.мост. Погрешность измерения нелинейной части сопротив-шия, определяемой напряжением разбаланса моста, не арввышазт 4%.

Комплексная СЕЧ электропроводность низкоразмераых проводников мерялась методом возмущений на частортв 36,5 1Тц в объемное цплин-адческом резонаторе с волной типа Образец устанавливался в

жкую кварцевую трубку о внутренним диаметром 0,1 мы и при введеняи ?убки в резонатор с помощью штифта Фиксировался в пучности элакт-¡чзского поля. Добротность резонатора 3000, переходное ослабление .'верстий связи 40 дБ. Точное измэренне частоты.производится путем «образования частоты на смесительном диода с барьером Шоттгщ. Дня гета изменения параметров, резонатора яри изменений температуры про->дятся калибровочные измерения. Ошибки измерения рэзонансной часто-' i менее 10 МГц, ошибка измерения частоты после преобразования 10 МГц, относительная погрешность измерения ухода резонансной час-зтн 5,5-Ю"5, и изменения полуширины рэзоианзнсй кривой 4-Ю-5.

На частота 2 используется балансная схема измерения полного ^противления и ком?лутациончого качества образца. Схома использует К мост в виде гибридного кольца на лолсоковых линиях. Образец лш-зется в рэзрш полсскоеого проводника. Все измерения проводятся'в зловв-;« балансировки моста. Затухании, вносимое соадинитэдьинш ли-ля?<!и передачи, че белеЕ.- I дБ, паразитное рассогласование характеризуя КСМ£1,3 . Погрешность измерения качества но более 10%.

Исследование нелинейного отклика низкоразмврннх проводников на 34 излучение производилось в следующих-ренинах: детектирование им-ульсно-нодулированяого СБЧ излучения; регистрация изменения напря- , ЭЙНОСТЕ порогового ПОЛЯ ПОД ДЗЙСТБ'.59!,:- СБЧ излучения; изменение соп-отиэл9ная образца под действием имяульсного СЗЧ излучение; счэщениэ эух. СПЧ сигналов разной'частоты. Различные варианты измерительных .'

модулей представлани на рис. I: а) и б) - волноводеые модули,

Лгуг в) - волноводно-щелевой

J-—еЧУегк х-

EäSSI._Ei

S)

ОГК

модуль, г) - диэлектрическая вставка между фланцами, выполненная на фольгированном фторопласте. На рис. приняты обозначения: I - образец

2 - фильтр развязки СВЧ и низкочастотных цепей,

3 - полноводное окно, V« и Vor«-- напряжения смещения и отнлика соответственно..

Рис. I

В качестве источников СВЧ излучения используются стандартные генераторы. Для калифовни уровня мощности применяются диокретвыв и плавные аттенюаторы. Эксперименты проведаны на частотах 2-4 ГГц, 10 ГГц, 25-40 ГГц, 75 ГЕц и 220 ГГц, .

Индикатором сигнала отклика в экспериментах по детектирования является измерительный усилитель " Унипан Для регистрации "чэщенйя порогового напряжения под действием СВЧ излучения используется схема для снятия дифференциальной ВАГ, описанная выше. Для измерения сопротивления использовалась мостовая резиотивная схема, .также описанная выше.-

Смеситель выполнен в виде интегральной схемы СВЧ. В качестве индикатора используется анализатор спектра ¡04-59 о полосой обзора частот 0,5-100 МГц и чувствительностью 0,4 мкВ.

Экспериментальное исследование нелинейного отклика в 'образцам кристаллов Nвыполнилось в. транспортном сосуде Дьыара СТГ-40, для чего разработ-ан специальный держатель малого поперечного сечения.-

■ Измерение размеров кристаллов и расстояний между контактами дроизводчлось о помощью микроскопов: ¿ЕС-5 с разрешением ^ 7 мкм и МЕЙ-6 с разреше чем 1 мкм.'-

Четвертая главд содержит результаты экспериментального ис-.. гедавания нелинейного динамического транспорта в тряхалькогени-эх переходных металлов и Та.2^ . Выбор этих ма-

5риалов обусловлен тем, что многочисленными' экспериментальными ¡следованиями достоверно установлено, что в N 6 и фазэлайерлсовского диэлектрика имэет место коллективный трано-зрт ВЗП. В Ы€5ег при = 145 К и = 59 К образуются

зе несоизмеримые ВЗП,.з при Тр = 215 К возникает не- .

^измеримая ВЗИ, которая становится соизмеримой при Т < 130 К.' иектрофизичеокие параметры этих материалов известны, исследована астотная дисперсия электропроводности и установлены характерные эстоты моделей. На этих жэ материалах проведены исследования нэ-анайной электропроводности в СВЧ диапазоне [.8,23 • Авторы £8\ золедовали отклик образцов N 6 на воздействие двух СВЧ агяалов о частотами со и 2 со без достоянного смещения, эличина отклика в вида достоянного напряжения на образце находит-я в хорошем соответствия о туннельной моделью [101 • В работе [9] ссладовалооь влияние СВЧ" накачкй на дифференциальную вольт-ампер-ую 'характеристику ооразца. М6$е4, результаты удовлетворительно пйснваютоя классической моделью [3] . В данной работа анализзру-гся разультаты, в которых проявляется колле :ивньсй транспорт ВЗП: элинейная ВАХ на постоянном тока; частотная зависимость электро-роводвости (Г (и> ) (линейный ражим); нелинейный отклию'на СВЧ злучение.

В принятой в данной работе модели классического маятника ищется количественное несоответствие мэвду измеряемой напряженностью орогового поля из статической ВАХ и характерной частотой

иннинга СО«, , определяемой цз динамической зависимости б"(а>). единенный. отклик на СВЧ излучение в присутствии СЗЧ накачки заявит и от . £п«>(. ,и ст характерных частот (л)а и . в связи, этим в данной работе исследовался отклик системы с ВЗП на слабое ВЧ излучэние в присутствии СВЧ поля накачки близкой частоты, а акта постоянного смещения. Целью эксперимента является получение авясимоотей амплитуды напряжения отклика от напряжения смещения, (мшгатуды накачки я амплитуда сигнала, и их анализ на о§яове модель-нх представлений гл. П.

Экспериментальные образцы прэдотавляли собой кристалл:

и о лвЕбйныы дояерачнш размером I+-20 мкм. Кристаллу

устанавливались ва подложку в зазор между золотыми проводникам! полосковой линии. Контакты выполнялись напылением индия. Ресстс яние кеаду контактами для разных образцов 20+200 мкм, Исследования проведены на 16 образцах NtSc4 и нескольких десятю

• образцов Та- Sa . Имеется хорошая воспроизводимость результат

Проведано исследование нелинейного динамического отклика i 'СВЧ излучение образцов NfcStj, ниже температуры второго перехода ( Tfi. = 59 Ю и Tau S-j при температуре С115 •tT-tT(k= =215 К)„в присутствии СВЧ накачки и постоянного смещения (режим оыаситела). Для образцов N€ Ъе.л проведено также йсследоваш отклика в режиме смэситэля о субгармонической накачкой без постоянного смещения. Предварительно для каждого образца, сниыалао; дифференциальная БАХ для определения статического порогового н; пряжения . Voe(> и значений сопротивлений R-«. и R.^ , Затем на образец подавалось излучение СВЧ иа частоте накачки, мощное ' которого поотеценно увеличивалась до тех пор, пока не происходи до смещение порогового напряжения, ' Таким образом определялся hi обходимый уровень накачки. Далее подавался слабый сигнал СВЧ и измерялось напряжение отклика разностной частоты Va , Замет что в присутствии СВЧ накачки о частотой 2-4 ГГц, на дифферент», льных ВАХ для j наблюдались ступени Шапиро', еввдетельет

.вущяе о синхронизации собственных колебаний ВЗП СВЧ излучение) Мя Ta-Ss оанхронизащя'СВЧ. излучением нэ проявляется.

'Типичные зависимости амплитуды напряжения отклика ..разност ной частоты V^ от напряжения смещения для этих двух иатери'а лоз представлена на рис. 2 и 3.

Анализ условий, эксперимента показал, что приближения гл. выполняются для во всем диапазоне изманения ашиит

• внешних воздействий. Дяя S>£j линейная связь амплитуды о -клкка с амплитудой накачки в соответствии с моделью имеет мает

• дня напряжений смещения ' V0 30 мЗ..

. Расчет отклика по формуле (5) показал, что наилучшее оовп даниа с результатами эксперимента может быть получено длч'функ ций распределения (4) в вида: Р(х) = Cv*J"' x4e*> с им -и f> - I. Пунктирные лииии на рис. 2 и 3'соответствуют.расче по • одели (5) с параметрами, цряведенныгдй в табл. .1,

а«

икв

\

г

I

л

Т=2*К

> шьй

Рг--<0V &о

Л ч*,

I*

___

т

"Пер

«О

АО

го

во \/в,г»в

Та-^з, ТНЗЧК '

0,9* оЛЗ

Рио. 2

Рис. 3

• Таблица I.

} Образец ( ■ • к*. | е> '..Ом ' Ом «и V" ;зВ Уп.П Епи^ мВ В/о« • ГГц ГГц , ГШ

\ 5 -Л 16 ' ^Расчет* • 56 | '26 ! £ П | 7 | 0,35 ' ¡0,14 0,33. 0,75 4.8 | 70 8 85

№ "19 Расчет* 1 2 Ю3 | 200 ; ; - | • _ ■■ 0,25 ¡250 '18 ¡ 4,3 \ 0,41 | 7,2 ¡125 ИЗ | 1 ' 1 ' 1 ' 1 | 1 0,51 { 0,39 | 5е? ¡105

к) Расчет по деухмодовой модели.

Сопротивление) нагрузки во всех экспериментах 50 Ом.

На рио, 2,3 наблюдается удовлетворительное совпадение расчетных и экспериментальных результатов. Слодузт отметить, что в расчете использовано два подгоночных параметра: V* и СОс.а . причем величина V* определяется положением максимума отклика Ул на зависимостях рис. 2 и 3 при выбранных параметрах т и £> . 'Таким образом, только параметр СО4о свободно выбирается для получения необходимого количественного соответствия. Значения, привеченные в табл. I, отличаются ох- полученных другими авторами ' III]из экспэримвятальных частотных загиспмостой в прадлолокзчии,

что система о ВШ описывается уравнением (I) в линейном цриближ ниа ( slu & не & ). Имеетол еще одно количественное неооо эетотвиа: экспериментальное значение напряженности порогового п да оказывается значительно меньше расчетного ( -•NuiiV^i полученного с использованием значений М и в, из [II], и с^. соответствующей измеренной величине нелинейного отклика (табл.

Экспериментальное исследование нелинейного отклика образцо: N(>Ses на СВЧ излучение в режима спасителя с оубгармоничаск накачкой показало удовлетворительное количественное соответстви принятой модели. Имеется квадратичная связь амплитуды отклика амплитудой некачки. Связь амплитуды отклика с амплитудой сигнал близка к линейной и описйваетоя отепенным законом q показателем отепени 1,1. На рис. 3 представлены сглаженные характерней для образца Ta-Sj . Реальные характеристики цредотавлены на рас. 4 и отличаются наличием провалов, показанных стрелками. Эт провалы можно объяснить синхронизацией собственных колебаний ВЗ переменным напряжением отклика в присутствии СВЧ накачки. Глуби провалов растет с ростом амплитуды СВЧ сигнала. В образцах NCS это явление на наблюдается, гак как амплитуда отклика на порядо меньше, чэм в образцах Ta.5s t и недостаточна для синхронвзац собственных колебаний ВШ.'- . ' • •

Исследование нелинейной электропроводности квазиодномерног проводника le-Sj в снльном постоянном электрическом поле пок

Рис. 4 Рис. 5

зало, что с понижением температуры ниже 145 К дифференциальная ВАХ начинает видоизменяться: на неЯ появляется второе пороговое поле, при котором резко растет дифференциальная проводимость б^» = dt/av . При дальнейшем понижении температуры оба пороговых поля растут, но цри Т ^ 115 К первое пороговое поле иочезает, а второе продолжает расти (рис. 5). В отсутствие смещения (V„~0) дифференциальная проводимость при . Т П5 К имеет конечную величину и увеличивается о понижением температуры. С увеличением напряжения смещения уменьшается и при некотором напря-

жении смещения достигает нулевого значения, посла чего снова растет (рио. 6). Такое аномальное поведение может быть , otn-ц.

вызвано существованием, двух видов шнвинга: на дефектах и на исходной решетке. Орторомби-чаский Та, характеризуется образованием соизмеримой ВЗП при Т <. 130 К, дня которой возможен пиннинг на решетке. Кроме того, в образцах, имеюидах.'малую длину и -малое поперечное сечение, транспорт происходя? в'условиях проявления разшрного эффекта, когда существенным оказывается пиннинг на поверхности и на контактах. Имеет место конкуренция различных механизмов пинниига. Область слабых полей до первого порогового поля соответствует пиннингу несоизмеримой ВЗП на дефектах. В сильном электрическом поле ЗЗП деформируется, и возникает пиннинг соизмеримой ЗЫ1 на решетке, при этом б^и-р = ПРЙ £ = fc.ni>*., г происходит депиннинг ВОП, и проводимооть резко возрастает. Нелинейный динамический отклик .образца T<a.Ss на СВЧ излучение в режима смесителя в зтих условиях нелинейно растет о увеличением напряжения смещения и резко возрастает, когда напряженность постоянного поля достигнет второго порогового значения (ряс. 7). На дифференциальной ВАХ при £ » наблюдается хтстерезиа. Простая модель динамячзокого транспорта,, принятая во П главе, непригодна для описания сложных транспортных процессов в'Та-Sj цри наличии нескольких механизмов пиннинга, Таким образом, принятые модельные представления удовлетворительно

о Oii од 0,ъ V«, В

описывают транспорт несоизмеримой ВЗП в условиях пиннинга на дефектах и примесях. Заметим, что в Ы^г^ В5П всегда несоизмерима, поэтому здеоь не наблюдаются характеристики, вида ' рис. 5-7,

В этой ке главе приведены результаты измерения коммутационного качества образцов Тл-Бз при Т = 7Б К на частоте 2 ГГц. Исследования доказали, что коммутационное качество на СВ1 при V. превышает единицу С К' > I), только начиная с некоторого уровня СБЧ мощности, и при этом существенно зависит от размеров образца. В условиях проявления размерного эффекта коммутационное качество постепенно растет при увеличения напряжения смещения для. \/, -у УПо{>. Для образцов о больщм поперечным сечением, в которых пиннинг на поверхности на язляэтся определяющим, коммутационное качество" резко возрастает при Ч/„>ч/„.|> и достигает.нескольких десятков. Зависимость К от напряжения смещения хорошо коррелирует со статической ВАХ образцов.

Экспериментальный материал данйой главы' показал удовлетворительное количественное соответствие с результатами расчета по надели гл. П для нелинейного динамического транспорта несоизмеримой •ВйП. при наличии пиннинга на примесях и дефектах. Имеется количественное несоответствие с результатами эксдеримэнта по измерению нелинейного динамического отклика В2П - частотной зависимости электропроводности. В связи с этим в работе предлагается другая.интер-пратацт результатов по «ьшрощга (Г*^), которая представлена в ''следующей главе.

В пятой глава предложен подход к динамике ВЗП, который позволяет опасать экспериментальные результаты по исследовании линейно-ххг и нелинейного динамического транспорта ВЗП и получить количественное соответствие. Используются основные идеи, классической моде-

4 V •

¿V

1

<ч*

од ол о

о.ч о,«, А.г ^ 6

Рг-о,г«квт ^О.ог

-—-г——, „

0,4 ОД 4,1 Ч,, в

Рис. 7

ли Фукуяма-Ли-Райса (ФЛР) для случая несоизмеримой ВБП в режиме сильного пиннинга на прпмаоях [12,13] . Основным в дальнейшем рассмотрении является предположение о существовании двух независимых мод, определяющих движение В!ЗП. Одно из них - нелинейная мода диннинга, опиоываодая движение ВБП как целсх'О в периодическом потенциальном поле, определяемом периодичностью БЗП с учетом, потенциала линнинга на дефектах. Другая - линейная мода, определяемая волнами сжатия и растяжения ЕЗП (фазонами), которая возбуждается мевду соседними центрами пиннинга.

Для решения задачи.рассматривается одномерная цепь, состоящая иа одинаковцх частиц с массой М , упруго связанных манду собой,содержащая центры пиннига на расстоянии 1_ друг от друга.

Уравнение движения нелинейной моды пиннинга:

где X -смещение относительно положения равновесия в направлении цепи, V - константа вязкости, - упругая константа, -внешняя сила, - волновой вектор ЮН.

Линейные возбуждения олисываютоя независимыми переменными

4.2*-' й

Dt • " . ПИ '

где Э£. - конотаита жесткости-, для которых можно записать систему уравнений:

иг (7)

■■. ж = м —- - р, ; о г 11 2 '

где Рг. - внешня сила, 2 - координата в направлении цепи, '

Предполагается, что сила Рг-е£ 'определяется внешним электрическим, полем, а сила находится из граничного условия,; связывающего смешение от обеих мод в центрах'пиннинга о коордпна-. таьга Ъ * 1/2 :

Т>Ъ\ъ~- и/2'

Реиая систему уравнений (6)-(8) в линейном приближении, получим выражение для смещения К у. переменных V и V/ . Далее находя поляризацию и усредняя ее по длине цепи, найдем комплексную диэлектрическую проницаемость § к комплексную электропроводность

fr ? j LÜ Ь

* \ 1 - м / сие

(з;

М - ______..........г__- (Ю)

где - е'йе'С'/ M ,

_ _

i'Ju)/"С

■>• ч^г/Ч- ■ ;

a>ez=ji/i4, t-»s r/м , £ = kC'i-i^cujj),

k. = cun/M эе. = uJ/ü""^

где ( cl> > - параметр затухания фазонов, ИГр ~

- скорость фазонов £l3l , tTF - фермиевская скорость.

Введенное функции Р и N описывают вклад фазонной моды п моды пиннинга в электропроводность, обусловленную ВЗП. транспортом, Анализ показывает, что з низкочастотном и высокочастотном пределах .выражение (9) соответствует результатам эксперимента.

Решение нелинейной задачи в статическом продоле (— 0) позволяет получить выражение для напряженности порогового поля в виае

Eno^CO-o) = . J- ,

(12)

■ .которое определяется собственной частотой моды пиннинга ^о и расстоянием между центрами пиннинга L , определяющими частоту резонанса фазонной моды 1 .

Реальный образец квазиодномерного проводника состоит из большого чиола.слабо связанных друг с другом одномерных нитей, в каждой 'из которых дефекты распределены случайным образом, и расстояние между соседними дефектами L. является случайной величиной, функция распределения для расотояний между дефектами в одномерной нити-является экспоненциальной. Частота пиннинга для разных

нитей с ВЗП также явлйэтся случайной величиной с предположительно

нормальным законом распределения. Таким образом, динамическая электропроводность является средней сгатисгиче а;ой с учетом вклада обеих мод с соответствующими функциями распределения:

-о у

с!Да W'Sl (М

где

4>- У/L О t te ■ L/Lo, La- среднее раостояниз мевду центрами .пиннинги, &tv - дисперсия в нормальном законе распределения, iOo - средняя частота гашнинга, б" ( <*> , иJ„ , * ) описывается выражением (S).

Ответственная за нелинейный транспорт является мода пиннин-га. Поскольку, в соответствии с (12) &«<>> зависит от случайных величин Сйа и L , то пороговое доле также является случайной-величиной. Лредставляэтся правомерной предложенная в гл. Л модель в виде (I) и процедура усреднения нелинейного отклика по пороговому долю с.эмпирической функцией распределения. Однако характерные частоты Ш1о и toD должны быть определены с учетом вклада фазонноа модц.

С этой целью были использованы экспериментальные частотные зависимости электропроводности' N^ S>« 4 ¡j■ Ta-S^ [II], представляющие собой линейный отклик на электромагнитное.излучение, из которых определены параметры двухгодовой модели ш» , Дш , L и "£* по наилучшему совпадению расчета по формуле (13)' с результатами эксперимента. Расчетные параметры , t , toe.a и Еоор приведены в табл. I. Их сопоставление с параметрами СОео и и)0 , полученными в данной работе из эксперимента по измерению нелинейного отклика, показывают удовлетворительное совпадение для То-^ и расхождение примерно в два раза для NSSei . Последнее может объясниться различием температур, при которых проводился эксперимент: Т = 20 К для нелинейного отклика i Т -= 42 К для частотной зависимости электропроводности til] • Раа-четные значения напряженности порогового доля с (учетом вклада фазоаной йоды, нике измеренных, что может объясняться большей дефектностью наших образцов по сравнению с [II] . . s

Дополнительно был пронзводен расчет частотной ЗЭЕ0СИМОСТИ

электропроводности квазиодномэрных проводников СГо. Бе,,),. I и на базо двухмодовой модели. Получено весь-

ма хорошее количественное соответствие о экспериментальными результатами ^14,15] во всем частотном диапазоне: 10^-10^ Гц.

Таким образом, применение двухмодовой модели позволило привести в количественное соответствие результаты измерения линейного и нелинейного отклика системы с БЗП на электромагнитное излучение, а также статического порогового поля.

Шестая глава посвящена результатам исследования нелинейного динамического транспорта в низкоразыерннх органических проводниках. Выбор проводников обусловлен, в первую очередь, наличием фазового перехода металл (полупроводник) - диэлектрик. Было ист-следовано большое число различных соединений, для большинства из которых к моменту постановки исследований отсутствовала информация о наличии свархотруктуры нижа температуры фазового перехода. В связи с этим основная цель исследований заключалась в получени дополнительной экспериментальной информации о транспортных'процессах, позволякщих сделать вывод о характере процессов перчросэ и установить, является ли переход палерлсовским.

Приведена результаты исследований следующих органических проводников: иодид тотратиототрацэна СТТГХ , фтор-фоофат бис (этилендитио) тетратиофульвалана (^ЕМ-ТТР^РРй), иод-мер^у-рат бис (этилендйтио) тетратиофульэалена ((6Е1>Г- ГГР)^ Н^^) Исследование включает получение. и анализ следующих эксперимент тальиих зависимостей; температурная зависимость электропроводное ти .в злэбом постоянном .поле ("V ) ив слабо;.; С£Ч поле бХо(Т) зависимость электропроводности, при фиксированно»! температуре от лваа± данности постоянного электрического поля; .зависимость неднт ^нэйногэ отклика на СВЧ излучение от постоянного сиэ^ания, температуры, амплитуды СБЧ поля и частоты модуляции СВЧ излучения. При исследовании квазиодномерного проводника ТП\Г^ имощего широкая максимум на- зависимости б"0 (Т) в окрестности 100 К,'не обнаружено нелкнейних свойств и частотной дисперсии в >' интервала температур 77*300 К. Измерение проводимости производилось разонаторнш методом в С-ш диапазоне и измерением полного сопротивления на частотах 10 и 75 ГГц. Исследование нелинейного отклика проводилось на частотах 10, 38-40, 60-75 и 200 ГГц с

использованием модулей рис. I.

Исследовалась |& - фаза (орторомбнческая) хгроводника (6ё1)Т-ТТР}1 РР^ , имеющего двуыэрнуи структуру, характеризующегося переходом в диэлектрическое состояние прд Гс - 207 К и сильной анизотропией проводимости.

Измерение Со (Т ) и на частоте 36 ГГц показало,

что на СВЧ пароход в диэлектрическое состояние при Те сохраняется, однако ниже Те. СВЧ проводимость лревпиаот тояодимость на постоянном токо. Проводимость при Т 10*20 Ом^см""-1'. Диэлектрическая проницаемость £ при Т = Тй испытывает скачок, затем медленно уменьшается цри понижении температуры. Величина 2. невелика и не превосходит 30.

Нелинейный отклик на.СВЧ излучение имеет болометрическую природу и определяется только нагревом проводника поглощенным излучением и изменением сопротивлеЕ1ая образца влсэдстЕие зависимости (Т ), Зависимость отклика на СВЧ излучэвие о? температуры хорошо коррелирует с зависимостью (Г4-«¿Й.- сопротивление образца). •

Подученные результаты к сочетании с известными экспериментальными данными по измврению'термо-э.д.о. лодтверадают предварительное преддолокенив о том, что в данном проводника не проявляются аффекты( связанные с коллективные.транспортов, и переход в диэлектрическое соотоянио обусловлен сильным кулоноэским взаимодействием и образованием щели хаббардовского типа.

Аналогичные исследования проводника (вбЭТ-показали, что он проявляет нетривиальные свойства. Исследование температурных зависимостей электропроводности на постоянном токе, термо-э.д.с. и парамагнитной восхфииичивости показали, что имеет место переход полупроводник-диэлектрик при Тс = 250 К, причем наблюдается гистерезис с шириной петли — 8 К. Полученные результаты позволили авторам 116] предположить, что данный материал проявляет свойства-систему о сильным кулоновскиы отталкиванием, я может быть описан моделью лаббарда. Особенностью данного материала является потенциальная возможность анионного упорядочения в связи с наличием двух равновероятных позиций атомов ртути в кристаллической решетке, что такжо может бить причиной фазового перехода.

Проведены исследования кристаллов СЬБСГ-ТГР^ 4 Х^ на поотолвнол; токе я на СВЧ. Образцы имели типичные размеры поперач-

нога сечений 0,1x0,2 мы и длину 2-3 мм. Контакты выполнялись напылением золота. Продольная ось образца совпадает с кристаллографической осью I, соответствующей максимально;! проводимости.-

Зависимость (Т) характеризуется 4 участками. При высокой температуре имеет мэст'о^проводимосгь полупроводникового характера о

6"0 = 1+2 Ом^см-1 с энергией-активации 0,04 эЗ. При

Tf = .260*270 К (для разных образцов) проводимость скачком умань-шалась на 1-2 порядка (здесь имеет место гистерезис). При Т<Тр наблюдается участок с энергией активации Е*,-» 0,47 эВ, далее при Т = 240*250 К происходит изменение наклона характеристики с соответствующей = 0,065+0,080 эВ для разных образцов,

В диапазоне СВЧ на частоте 36 ТГц сохраняются три первых участка, но .уже. при Т< 250 К наклон отличается от соответствующего на зависимости <у-0 СО , в экоргяя активации имеет меньшее значение. На частоте 75 ГГц переход выражен очень слабо , хотя участки с различной энергией активации сохраняются.

Диалектрическая проницаемость испытывает скачок вблизи температуры перехода и вмеот величину порядка 100. При понижении температуры измонязтся слабо..

Исследование статической нелинейной электропроводности показало, что при Т*ТР В АХ длинных образцов с расстоянием меяду ' контактами мм имают S -образную форму (рис.- 8).

1 м А

т^нчк J

IT» V «

А>/

"Т

о,»

0,08 0,оч

tttV-TTF^Ii ./

— *"унн«льно.1 mojui, Ъ

Классичечссм ,, модел4 с усреднс- / Kutw по.Е.^ &

л,о

V..6

Vo,ß

3

Рис. 8 Рис. 9

Характеристики получены в ракиш заданного тока. При поникании

температуры образца ток переключения меняется очень сла-

бо. Мощнооть переключения при этом насколько возрастает, затем переходит в насыщение и слабо уменьшается. Это позволяет предположить, что в объеме протяженных образцов (ЙЕЫ*-ТТр^Нд^воз-никают неустойчивые области, приводящие к переключению в низко-омное состояние, которое ииэаг натэшювую природу.

ВАХ коротких образцов кристаллов СбСЙТ-ТТР^н^Т-г ( С. = = 20+40 мкм) также нелинейны. На рис. 9 представлена зависимость относительного изменения сопротивления образца от напряжения смещения. Характеристики получены в импульсном режиме, исключающем нагрев образца (длительность импульса Г мкс). Характерцам является, наличие порогового поля, являющегося функцией температуры. Анализ характеристик рис. 9 показал, что они хорошо описываются туннельной моделью движения ВЗП 110] о параметрами: £ „„(. = = 0,675-Ю3 В/см I = 4,5 -Ю3 В/см для Т = 260 К и £„„,,= = 675-Ю3 В/см и 6. = 3,15-Ю3 В/см для Г = К7 К, <Г* Хсалошнне линии), а гакжэ принятой а данной работе моделью клас-сйчозкого осциллятора с усреднением по пороговому полю (пунктирные линии) с параметрами: = 0,735-Ю3 В/т и Е* -= 7,35-Ю3 В/см для Т = 260 К и Елв|.'= 0,463-103 В/см и £* = 4,86 Ю3 В/см для Т' = 167 К, ($£ / б4"«. = .25.

Нелинейны»! отклик на электромагнитное излучение исследовал-, ся в режима прямого детектирования на частоте 36 ГГц. Для измерений использовался модуль рис. I г. На образец подавалось импульсное напряжение смещения и сдаротшарованные со смещением' импульсы СВЧ излучения, Реакций на СВЧ излучения мощностью Ю^МО-3 Вт не. наблюдалось. Бели исходить из предположения, что' нелинейный отклик обусловлен транспортом ВЗП, то количествен-, ные оценки показывают, что для всего интервала -значении мощности амплитуда' напряженности электрического поля СВЧ -была значительно ниже пороговой величины.Зтим можно объяснить отсутствие отклика.

■ При подаче на образец постоянного излучения СВЧ наблюдался значительный 'по величине отклик, твщт болометрическую природу. Расчетная величина отклика в зависимости от температуры, полученная из экспериментальной ЗАХ на постоянном годэ, веоъ-ма хорошо совпадает с экспериментальной зависимостью.

Таким образом, проводник СбЕ'ЬТ'-ТТР)^ Н^!^ характеризу-

ется совокупностью кинетических свойств, которые на поддаются однозначной трактовке. Имеются проявления, характерные для мотт-хаббардовскнх и пайерлсовских диэлектриков. Возможно, что в данных кристаллах термодинамические условия для (Газовых переходов различной природы близки, и возникающие при охлаждении или пропускании тока большой плотности механические напряжения.приводят к локальным неоднородности^ и возникновению физичэони .неоднородного кристалла.проявляющего в разных условиях свойства, присущие разным фазам. .

В этой же главе-приведены результаты исследования нелинейных свойств контактов из мелкодисперсного материала (графит или серебро на органической связке) к квазиодномерному проводнику ТТТа , ( которые проявляют нелинейные свойства вплоть до чаотот 2-Ю^ Щ. Экспериментальное исследование формы ВАХ контактов при различных температурах показало, что они соответствуют ВАХ структуры металл-диэлектрик-моталл (ЭДЦЫ) с преобладающим туннельные механизмом протекания тока при низких'температурам . ( Т = 77 К) и надбарьерным переносом носителей заряда при более высоких Т . Исследование динамического отклика контактов к "TTTlIi на СВЧ излучение показало, что их свойства могут быть описаны совокупностью микроконтактов с МДМ-структурой с-малой эффективном площадью. *

Экспериментально исследовались.нелинейные свойства пленок иодида тетратиотетрацена, полученных напылением в вакууме TIT на диэлектрическую подложку с последующим насыщением иодом в его парах. Сопротивление образцов порядка I кОм,-Использовались золотые пленочные электроды. Температурная зависимость сопротивления пленок имеет полупроводниковой характер. Свойства пленок изотрол-''йы,, фазовый переход не наблюдается. Частотная зависимость сопротивления в диапазоне 10-10^ Гц имеет падающи: участок при 4 > Ю^Гц и хорошо аппроксимируется степенным законам с показатолзм степени 0,73-0,76. ВАХ симметрична и слабо нелинейна.

Исследовался отклик на импульсн.о модулированное электромаг-' нитн.ое излучение оптического диапазона ( X =-0,63 нкм) при локальном облучении различных участков.поверхности пленки.

В эксперимента использовалось световое плтко от He-Ne лазера диаметром 50 мкм при ширине пленки 1,2 мм и длино .для разных

образцов 0,5, 2 и 5 ш. Экспериментально обнаружено, что отклик в виде импульсного тока с частотой модуляции излучения регистрируется только с тех участков планки, где имеется неоднородное распределение плотности.тока: вблизи контактов, а также в области изменения поперечного сечания пленки. Отклик имел тепловую природу. Было.высказано предположение, что световое пятно создаэт нагрев в небольшой области пленки, который вызывает появление градиента температуры, и отклик в виде тока во внешней цели образца возникает в тех участках, где имеется и градиент температуры, и градиент плотности тока. Такой отклик является одной из кинетических характеристик данного органического проводника наупорядо-ченного тила и обусловлен определенным сочетанием его галловых и электрических свойств. ■ ■

Седьмая глава посвящена краткому анализу возможных практических яриложений исследованных проводников в качества активных элементов электронных СВЧ устройств. Использование новых материалов в электронике возможно только в случае, если они позволяют создавать приборы, превосходящие по параметрам существующие, или, не уступая им в параметрах, позволяют упростить технологию и уменьшить стоимость. В связи с этим проведана оценка параметров наиболее вероятных приборов на основа исследованных материалов: болометры, смесители и переключатели.

Болометрический приемник СВЧ на органических проводниках С&£ВТ-ТТРЗг РР*. и (.6£0Т-ТТ£обладает следующими параметрами: сопротивление образца о.л, вольт-ваттная чувствительность М3 В/Вт, 5'КГ-1 Вт-ПГ^, динамический диапазон . 65 дБ, инерционность 0,06 с, рабочая температура 262 К и 292 К соответственно, Трибор уступает существующим только по инерционности, превосходит по динамическому диапазону и прост в изготовлении.

Смеситель СВЧ на ивазиодномерних проводниках Ы6Бе1 и уступает но параметрам существующим смесителям иа диодах с барьером Шоттки и с $1.5 - структурой. Однако имеется принципиальная возможность создания смаоителя с усилением в режиме субгармоническое накачки, который может быть осуществлен на других квазиодномерных проводниках.

Количественная оценка параметров СБЧ переключателей на квазиодномерных проводниках показала, что по овоим параметрам они усту-

пают переключателям на полупроводниковых диодах и

на планках ВТСТТ па частотах более 3 ГГц. На более низких частотах возможно получение высокого качества. При использовании оптического управления могут использоваться органические проводники с двумерной структурой, характеризующиеся резким перепадом проводимости в области перехода.

3 заключении нормируются наиболее важные конкретны^-,результаты работы.

■ ОСНОВНОЙ РЕЗУЛЬТАТА РЛБОШ

1. Проведано экспериментальное исследование нелинейного динамического транспорта в квазиодномарннх проводниках и

в диапазоне СВЧ. Исследован отклик.на воздействие СВЧ излучения в присутствии СВЧ накачки близкой частоты и постоянного смещения, а также отклик на два СВЧ сигнала с соотношением частот ^-ги^е а. , соь , без постоянного смещени^.

2. Экспериментально установлено, что нелинейный динамический отклик на СВЧ излучение в вида напряжения разностной частоты нелинейно зэеисит от напряжения смещения и не имеет особенностей в области порогового напряжения; с. амплитудой .слабого СВЧ сигнала связан линейно. • • ' . . •

3. Экспериментальное исследование транспортных процессов г квазиодномерном проводника Та. показало:

зависимость нелинейного отклика проводника Та-Бз на СВЧ излучение от напряжения.смэцения содержит .провалы при определенном сочетания вмллитуды нанршеэния отклика и напряжения смещения, которые являются следствием синхронизации собственных ке-лаоаниЗ ВЗП низкочастотным откликом, проявлтацийся-в присутствии СВЧ накачки;

дяфферэнциаяьные ВА1 квазиодноморного проводника Та.в ' нэкоторой области температур нижа характеризуются наличием двух пороговых полай, а также аномалией в области слабых нолей: уменьшением дифференциальной проводимости до нут при увеличении напряжения смещения и затем еэ возрастанием; эти свойства объясняются наличном разных механизмов пиннинга ВЗП, на дефектах и на исходной решетке, а также еэ деформацией в электрическом поле;

в присутствии СВЧ накачки щи V < 115 К изменяется характер зависимости дифференциальной ВАХ образцов То-Sj, от напряжения омещания, который свидетельствует о преимущественном щннингэ на дефектах; нелинейный отклик ВЗП на СВЧ излучение не содержит особенностей в области аномальной) поведения 6^uv(vD) Я резко.увеличивается при достижении второго порогового поля.

4. Для описания отклика предложена двухмодовая феноменологическая модель движения ВЗП, использующая идеи классической модели ¿укуяма-Ли-Раиса. Несоизмеримая Boll в режима пиннинга на дефектах описывается в предположении существования двух мод: моды пиннинга и фаэозной моды. Нелинейная иода пиннинга описывает движение ВЗП как целого в периодическом потенциальном поле, определяемом периодичностью ВЗП с учетом потенциала пиннинга. Линейная фазонная иода описывает линейные колебания между центрами пиннинга. Граничные условия связывает смещения ВЗП в центрах пиннинга, обусловленные вкладом обеих мод.

Принципиальным для модели является еэ -статистический характер. Случайными параметрами являются собственная частота моды пиннинга и расстояние между центрами пиннинга.

5. Применениедвухмодовой модели к анализу динамических экспериментальных характеристик квазиодномерных систем-позволяет установить следующее: -• '

- модель объясняет полученные экспериментальные частотные зависимости электропроводности ВЗП для различных материалов и дает количественное совпадение в широком частотном интервале ■ (Ю7+ ТО11 Гц);

- модель позволяет установить количественное соответствие между, феноменологическими параметрами, полученными из экспериментов по измерению динамического отклика в линейном и нелинейном режимах, а также по измерению статического нелинейного отклика.

6. Предложено оценивать реакцию системы с ВЗП на внешнеа воздействие в виде слабого электромагнитного излучения и двух дискретных уровней постоянного смещения: VB = 0 и V.»4/,,^ интегральным параметром "коммутационное качество". Предложена методика эксперимента по измерению коммутационного качества.

7. Проведено'экспериментальное исследование травопортных процессов в нязкоразкарных органических проводниках: ТТТг Х3 ,

(6Е1>Т-ТТ^Р^И (ЬЕЪТ-ТТР)^ ,нз которхк следует:

- в квязиодномерном проводнике ТТТ» Гг в инторвале температур 77-}о00 К в постоянное электрическом поле напряженностью

до 50 В/см и в частотном диапазоне до 37 ГГц коллективный транспорт 3311 не проявляется; '

- органический проводник. (6ЕЬГ- в диэлектрической фазе проявляет свойства диэлектрика мотт-хаббардовского т/.па;

- кинетические свойства проводника (вбЬТ-ТТР^н^!^ не поддаются однозначной трактовке; имеются проявления, характерные для могт-хаббардовских диэлектриков, а такие пайерлсовских диэлектриков. В частности, нелинейная ВАХ. укладывается в модельные представления коллективного транопортв ВЗП, имеет место сильная частотная зависимость электропроводности.

8. Контакты к квазиодномерному проводнику ТТТ113 на основе мелкодисперсных веществ проявляют нелинейные электрические свойства вплоть до 2- Ю1-5- Гц. Их свойства могут быть описаны совокупностью микроконтактов с ЩМ-огруктл>ой.

5. В пленках иодида твтрагиотзтрацена экспериментальнопосле дован болометрический отклик на электромагнитное излучевдв;, отклик возникает в участках планки, характеризующихся неоднородным распрэделэнием тока. ... .

10. Разработаны многочисленные экспериментальные методики, позволяющие проводить исследования статических к динамических . транспортных процессов в низкоразмерних проводниках в линейном и нелинейном релимах.

11. Выполнен анализ еоз;.!о;кностзН практического использования исследованиях проводников в электронике СВЧ, пз которого слодупт деле .ообразность разработки СВЧ болометра на проводниках

< СВЕЗ)Г-ТТРи СбЕФТ-ТТРЗ^ Н^ , не уступающих сущсстзуач11м по совокупности параметров.

Основние публикации по теме диссертации

- ."I.1 Вендик II.Б., Ермоленко А.Н., 5оипов З.В., Родионов Л.Г., Серебрякова Е.А. Нелинейные свойства квазиодноыэрнкх'кристаллов Т.ТГа.1д на СВЧ. - Письма в ЖЖ>, 1982, т.35,

2. Вендик И.Б. Нелинейные высокочастотные свойства квазиодномерных структур в присутствии волны зарядовой плотности. Письма в ЖТФ, 1984, T.IO, Л 13, 784-788.

3. Вендик И.Б., Ермоленко А.Н., Еоипов В.В., Серебрякова Е.А. Измерение СВЧ параметров квазиодвошрных кристаллов с фазовым переходом металл-диэлектрик. - Электронная техника; Серия "Электроника СВЧ", 1984, S 3 , 62-63.

4. Хика Г.С., Вендик И,Б., Серебрякова Е.А. СВЧ фазовращатели и переключатели. М.: Радио и связь, Г984, 184 с.

5. Вендик И.Б., Ермоленко А.Н., Есипов В.В., Родионов А.Г., Серебрякова Е.А., Ситнинова М.Ф. Нелинейные свойства органических металлов в диапазона СВЧ. В кн.: Электроника органических материалов. - М.: Наука, 1985, 377-379. ■

6. Вендик И.Б., Ермоленко А.Н., Есипов В.В., Каплунов М.Г., Плоткин Л.С., Свыкин В.Н., Серебрякова Е.А. Отклик на градиент температуры при наличии градиента шготнооти тока в пленках иодида тетратиотетрацена. - ЖТФ, 1985, т.55, ¡i I, 22-226.

.7. Вендик И.Б. Нелинейные свойства квазиодномерных метал -лов на постоянном токе и в радиочастотном диапазоне. - Изв.вузов. Физика, 1986, № 2, 6-20.

8. Вендик И.Б., Есипов В.В., Ермоленко А.Н. Исследование нелинейных свойств контактов к квазиодномэрному органическому про- t воднику TTT¿I5 . - Изв. ЛЭТИ, 1986, вып. 375, 13-15.

9.Vondik I.B. Microwave non-linear propñrtiee of lor-diinen-sional conuuctors. - Int. Conf. "KLectronic of organic uaterials". Tashkent, 1987, 6t-67.

10. Vendik I¿B., ISsipov V.V., Pcholkin V.M. "Mlcrovave applications of Ion-dimensional conOuctore*' Труды УШ национальной конференции о международным участием по микроволновой технике щкш -88, ПНР, Ецан.ьск, 1988,-

11. Вендик Д.В., Ермоленко А.II., Пчэлкин В.М. Отклик на слабое СВЧ излучение квазаодномерного проводника Néв присутствии СВЧ накачки. - Письма в ЕЭТФ, 1988, т.47, № 12, 622-624.

12. Вендик И.В. .Ехзмоленко А.Н., Есипов В.В., Пчелкин В.М., Ситникова М.Ф., Гольденберг Л.М., Любовская Р.Н. Электрические свойства органического проводника (вrdt-ттр)^Hgs1в чоотоянном поле и на СВЧ. - ФТТ, 1980, т.30, J6 5, I3I9-I325.

13. Вэндик И.Б..Ермоленко А.Н., Есепов В.В., Пчелкин В.М. Нелинейные свойства иод-моркуратных солей ззбт-ttf в СВЧ диапазона. - Изв. ЛЭХИ, ISÖ8, вкл. 353, 62-65.

И. Вендик И.Б., Ермоленко А.Н., Зсипов В.В , Пчелкин З.М., Ситникова Ы.у. Вольт-аштерная характеристика М-Д-.'Л-Д-М - структуры, содержащей квазиодномерный проводник иодид тетратиотетра-цена ТТГ213 - ЯТФ, 1988, т.58, IS 12 , 2323-2329.

15. Вендик И.Ь, Движение волны зарядовой плотности в постоянном электрическом поле в присутствии СВЧ поля большой амплитуды. - ITi, IS8S, т.59, Л 5, 28-31.

16. Vendik I.B. bow-dimensional conductors./Microwave electronics applications.- Int. School on nicrowave physice and technique, Abstracts, Varna, Bulgaria, 198?. Ed.: a.y.Sparov, M.A. Tsei !cov, ''rorld Scientific, 1990, 322-341.

17. Вендик И.Б..Пчелкин В.Л..Шапак A.B. Динамика волны зарядовой плотности в квазиодномэрном проводнике при статистичес-комрразбросе порогового поля. - Письма в КЭТФ, 1989, т.49, № 7, 388-391.

18. Вендик Я.Б., Ооипян Г.Л., Пчелкин ЗЛЛ. Балансный метод измерония коэффициента отражения СВЧ двухполюсников. - 1руды У национального симпозиума по телекоммуникации KSт - 89, ПНР,. Быдгощ, I9BS, т.Д, 124-129.

19. Вендик И.Б., Любовская Р.Н., Осипян Г.А., Пчелкин В,Г.!. Электропроводность каазидвумзрннх проводников (вёят-ттг)2:Ре6

и (BEor-'Xa-F^i's^lp . Тезисы докладов П Советско-Польского семинара "Высокопроводшцие органические материалы для молекулярной электроники". - Чарнологоака, 1990, 15-16.

20. Вендик И.Б., Гальченко С.А. Двухмодовая модель динамического транспорта несоизмеримой волны зарядовой плотности в квазиодномернык проводниках. - Тезисы докладов Всесоюзного совещания ФНГ-26, Донецк, IS90, 55-56.

21. Вендик И.Б., Пчелкин В.И., Щепак A.B. Исследование нелинейного транспорта в квазиодномерном проводнике TaS3 , ibid ,

: 57-58..'

22. Вендик И.Б., Гажиенко З.В,, Ермоленко А.Н., Есипов В.В., Кошевая C.B., Соколов Г.Е. "Смеситель СВЧ", авторское свидитель-ство Д 1478954, 00.01.89.

Цитированная литература

1. Горьков Л.П. Физические явления в новых органических проводниках. - УФН, 1884, т.Г44, вып.З, с. 331-4X4.

2. Grüner G. The dynamics af charge-density waves.- Rev. of Mod, Phys., 1988, v.60, N6, p.1129-1181.

3. Grüner Ci., Zawadowski A., Chaikin P.M. Non-linear coduc-tivity and noise due to ch'arge-density-wave depinning in tibSe^. Phys. Bev. lett., 1981, v, 46, K7, p. 511-515.

4. Thorne R.lí., Xyons IV.G. , Lyding J.VT., Tucker Bar-, deen J. Charge-density-wave transport in quasi-one-dimensional conductora'.- Phya. Rev. B, 193?, v.55, N12, p,6?48-6372.

5. Miller J.H., Richard Jf. J,, Tucker J.R., Bardeen J. Evidence for tunneling of charge-density waves in TaSj. - Fhys. Hev. Lett., 1983, v.51, П7, p. 1592-1593.

6. Буравов -1.И., Оголев И.Ф. ¡Летод измерения щюводимости малых кристаллов на частоте Ю10Гц. - ПТЭ, 1971, »2, с. I7X-I73.

.7- Sridhar ñ.,. Reagor D,, Grüner П. Complex conductivity measurements between 26 and 110 GHz using complex impedance bridges'. - Rev. Sci. Insrum., 1985, v. 5ъ, ПО, p.1946-1952.

8. Seegsr K., f.iayr í., Philipp A. Microwave harmonic mixing in. NbSej. - Solid State Coma., 1982, v.A3, 1Г2, p.113-116.

9. Латышев Ю.И., Минакова B.E., Ржанов Ю.Д. Осцилляционная зависимость величины порогового поля срыва волны зарядовой плотности в Nbse, ■ " от амплитуда,высокочастотного поля накачки. -Пиоьма в ЖЭТО, 1987, т.46, Д.I, о. 31-35. .

10. Bardeen. J. Tunneling .theory of charge-densit.y-wave depinning. - Fhys. Rev, Lett., 1980, v.4-5,.N24, p. 1498-1^00.

11. Sridhar S., Keagor В., Grüner G, In^rtial dynauics of pinned .charge-density-wave condensates. 31. Orthorhombic TaSj. _ Phya. Rev.B, 1986, J», p.2212-2222.

12. Fukujama H.,Lée P.A. Dynamics of CPW. Impurity pinning ia a single chain. -Phys. Rev.'B, 1978, v.1?, N2, p.535-541.

■13. Lee P.A., Rice T.U. Tilectric field depinning of charce-densiitjr raves. - Phys. Rev. B, 1978, v.19, N8, p.3970-3980.

' 1Ч-. /Vldoshina M.Z., Goldenberg L.M., Lyubowskaya H.N,, Ta-khirov T.Q,, Dyachenko O.A., Atovmyan L.O,', Merzhanov V.A.fl Lyu-

bowskl' R.B. A »aw organic bis (ethylenditia) tetrathiafulva-lene-based conductor with octaiodinemercurate anion (BEDT-TTF)4HgjIei - Materiel Science, 1988,- v.ЛИ, №, p.53-58.

Подо, к печ.. II.OS.90. Формах 60x84 I/I6. Офсетная печать, 1,9 уч. изд. л. Тираж 120 экз. '.< Зак. Л 280. Бесплатно.

Ротапринт ШГЛ 197022, Ленинград, уд. Проф. Попова, 5