Динамика и стохастизация высокоэнергичных волновых пучков в поперечно-неоднородных средах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

Введение

Глава 1. О модели излучения релятивистских электронов I при каналировании в толстых кристаллах

1.1. Осевое каналирование

1.2. Плоскостное каналирование

1.3. Оценка вероятности однократного расеяния

1.4. Расчет спектров излучения при плоскостном каналировании

1.5. Расчеты спектров излучения для экспериментов на микрото-роне в Институте металлургии им. А.А.Байкова

1.6. Управление спектром излучения каналированных электронов выбором материала мишени

Ф 1.7. Толстый кристалл как источник перестраиваемого рентгеновского излучения при каналировании релятивистских электронов

1.8. Генерация излучения с энергией 33 кеУ релятивистскими элек-Ф тронами в монокристаллах алмаза, кремния и бериллия.

1.9. О возможности наблюдения вынужденного излучения каналированных частиц

Глава 2. Исследование динамики релятивистского пучка методом прямого численного интегрирования

2.1 Картина каналирования релятивистских электронов вдоль оси [100] монокристалла кремния

2.2 Рассеяние электронной волны на дефекте типа сдвига кристаллических плоскостей.

2.2.1 Зависимость населенности связанных состояний электронов от глубины дефекта и от величины сдвига плоскостей.

Ъ 2.2.2 Случай наклонного падения плоской электронной волны на ф поверхность кристалла. ф 2.2.3 Случай электронной волны с расходимостью.

2.2.4 Влияние некогерентного рассеяния на населенность связанных-состояний электронов.

2.3 Плоскостное каналирование электронов в кристаллах со сверхрешеткой.

Глава 3. Особенности ориентационных зависимостей выхода вторичных излучений при прохождении релятивистских электронов через кристалл ИЗ

3.1. Ориентационная зависимость сечения возбуждения нижних электронных уровней атома пучком релятивистских электронов ИЗ

3.2. О возможности наблюдения квантовых осцилляций потока релятивистских электронов в кристалле "

3.3. Исследование приповерхностных слоев монокристаллов с помощью Оже-спектроскопии в условиях каналирования

Глава 4. Отражение волновых пучков от структурированных поверхностей кристаллов

4.1. Приповерхностное каналирование позитронов на косом срезе кристалла

4.2. Исследование дифракционной перекачки рентгеновских и 7-лучей на деформированных кристаллах с квадратичной функцией смещения атомов

Глава 5. О когерентности рентгеновских пучков

5.1. Вывод основного уравнения.

5.2. Метод моделирования шероховатой поверхности.

5.3. Численные результаты и их обсуждение.

5.4. Динамика когерентной составляющей рентгеновского пучка в узком канале: метод статистичекого усреднения

5.5. Метод комплексного потенциала

5.6. Модовый подход

5.7. Влияние эффекта периодического изгиба на волновое каналирование рентгеновских пучков '

5.8. О когерентности излучения на выходе рентгенооптических систем 188 Заключение 195 Список литературы

Интерес к изучению взаимодействия пучков заряженных частиц и рентгеновского излучения с твердыми телами связан в последние годы с созданием новых источников релятивистских пучков электронов и позитронов и синхротронных источников яркого рентгеновского излучения, открытием таких эффектов, как спонтанное электромагнитное излучение при каналировании, ориентационные эффекты при рассеянии в кристаллах. Процессы взаимодействия излучения и заряженных частиц с конденсированными средами отличаются большим многообразием, поэтому выбор модели такого взаимодействия является чрезвычайно важным для правильного описания ожидаемых результатов и прогнозирования условий, необходимых для постановки экспериментальных исследований. Технологическое применение изучаемых явлений также требует выбора адекватных моделей, учитывающих особенности процессов взаимодействия, и, в то же время, достаточно простых, чтобы быть доступными для анализа.

Предсказание, что при каналировании в кристаллах [1] релятивистских электронов и позитронов возникает жесткое электромагнитное излучение[2], и экспериментальная регистрация эффекта [3], [4], [5] дали новый импульс исследованию излучения релятивистских частиц в ориентированных кристаллах. Большое число публикаций по этой тематике нашло свое отражение в обзорах [6] - [9], [143], [144] и монографиях [10] - [12], [112], [113].

Накопленный к настоящему времени объем информации о процессах взаимодействия пучков релятивистских электронов и позитронов, а также рентгеновского излучения с ориентированными кристаллическими средами и аморфными средами, содержащими границы раздела, достаточно велик.

Экспериментальные исследования охватили диапазон энергий релятивистских частиц от 1 МеУ до 150 СеУ. В качестве кристаллических мишеней использовано до 10 простых и сложных веществ [11],[12]. В ходе проведенных экспериментальных и теоретических исследований были выявлены зависимости излучения каналированных частиц от их энергии, структуры кристаллической мишени, тепловых колебаний атомов, рассеяния на электронах мишени [17] - [39], [42], [68], [73], [63], [92], [98] - [100], [102], [105].

Основы теории спонтанного излучения релятивистскими лептона-ми и их рассеяния при каналировании в кристаллах сформулированы в работах [43], [83], [18], [44] и [36].

Среди возможных применений излучения каналированных частиц обсуждались возможности диагностики свойств кристаллов, дефектов в кристаллах [13] и структур сверхрешеток, содержащих большее число слоев. Как показывают оценки [14], для измерения спектра излучения каналированных электронов можно использовать ток, не превышающий Ю-13 А. Время экспозиции для получения одного спектра составляет 20 - 30 мин. Поскольку при таких дозах облучения кристаллов электронами один смещенный атом приходится на 1012 атомов, метод исследования с помощью излучения каналированных частиц можно считать неразрушающим. Положение линий квазихарактеристического излучения может быть определено с точностью до 1%, тогда как их ширина может быть измерена с точностью до 10%.

Большое число конкретных примеров определения по спектрам излучения каналированных электронов и позитронов тех или иных свойств кристаллов и описания связанных с этими свойствами па. раметров приведено в работах [19] - [35], [37] - [42], [45] - [50], [54] -[57] и в обзорах [116], [149].

Для исследования кристаллов с помощью спектроскопии излучения каналированных частиц могут быть использованы слаботочные электронные ускорители, дающие пучки частиц с энергиями от нескольких МеУ до десятков МеУ. Такими ускорителями могут служить ускорители Ван-де-Граафа, линейные ускорители, микротроны. Типичная схема эксперимента по исследованию спектроскопии излучения каналированных частиц[130] приведена на Рис.1. Электронный пучок от ускорителя поступает в систему формирования, состоящую из квадрупольных линз и коллиматоров поглощения (С1-С4), корректоров (МС1-4) и далее попадает на исследуемый кристалл, помещенный в трехосный гониометр (Св). В описанной экспериментальной установке[130] была использована зеркально-симметричная ахроматическая магнитная система (МЗАМБ). После прохождения кристалла пучок частиц отклоняется поворотным магнитом в могильник (II). Излучение каналированных частиц, очищенное от заряженной компоненты, попадает на рентгеновский детектор Б1(1л). По данным работы [14], при токах Ю-13 А нагрев кристалла с толщиной 20 мкм не превышает 2 • 10"4 К при учете лишь охлаждения за счет излучения, что значительно облегчает проведение экспериментов. Сопоставим рассматриваемый метод исследования кристаллов с другими, уже ставшими традиционными методами. Сравнение характерных особенностей таких методов исследования твердого тела, как электронная микроскопия, рентгеновская дифракция и обратное резерфордовское рассеяние ионов, с излучением каналированных частиц приведено в Таблице 1 [14]. Из Таблицы видно, что перечисленные в ней методы исследования кристаллов взаимно дополняют друг друга. Поэтому исследование кристаллов по излучению каналированных частиц позволяет расширить круг объектов исследования и получать более полную информацию об их свойствах.

MSAMS

Поворотный магнит

Защитная стена

TV □ i cb rLvf&m

Шяггяггшш

С1 -4 Коллиматоры МС1 - 4 Корректоры MSAMS Зеркально-симметричная ахроматическая магнитная система FC Чаша Фарадея CG Кристалл на гониометре 11,2 Ионизационные камеры

Рис.1. Схема установки для наблюдения излучения каналирован-ных релятивистских электронов [130]. i1

Таблица 1

Сравнение ряда методов исследования кристаллов

Электронная микроскопия Каналирование ионов Рентгеновская дифракция Излучение при каналировании

1. Полученные характеристики объектов Фотография с высоким разрешением Идентификация и местоположение атомов примеси Исследование объемных свойств, межатомные расстояния, амплитуда колебаний атомов Исследование объемных свойств: кристаллический потенциал, амплитуда колебаний атомов

2. Толщина образца Не более ~ 1,0 мкм Не более ~ 1,0 мкм Могут использоваться толстые образцы От 1мкм до ~ 1 мм

3. Способ получения информации Используются электроны с энергией до МэВ Положительно заряженные ионы с энергией от ~ 1 кэВ до ~ 1 МэВ Информация получается по интенсивности дифрагированной волны Информация получается по характеристикам излучения электронов и позитронов с энергиями от 1,0 МэВ до 10 ГэВ

4. Особенности методов Объект может быть поврежден Электроны и позитроны являются различными средствами исследования

Однако имеется ряд экспериментальных результатов, которые не поддаются интерпретации в рамках существующих теорий канали-рования релятивистских электронов и излучения при каналировании, где предполагалось, что состояние каналированного электрона может быть представлено в виде набора собственных состояний. При этом в рамках используемого модового описания рассматривалась лишь населенность мод, а фазовые соотношения не учитывались.

Такими эффектами являются, например, слабая ориентационная зависимость тормозного излучения и наведенной радиоактивности в монокристаллических мишенях, подвергшихся облучению узконаправленным пучком релятивистских электронов [51, 52]. Каналиро-вание должно приводить к увеличению выхода ядерных реакций и выхода тормозного излучения. Однако в экспериментах по осевому каналированию электронов с энергией 50 МеУ [51, 52] и плоскостному каналированию электронов с энергиями 28-104 МеУ [98] ориентационная зависимость этих эффектов не зарегистрирована. С другой стороны генерация излучения при каналировании регистрируется [98].

Особого внимания заслуживает рассмотрение каналирования и излучения при каналировании в напряженных многослойных "сверхрешетках", что связано с развитой к настоящему времени технологией изготовления различных полупроводниковых многослойных кристаллических структур методами молекулярной эпитаксии (см., например, [150]). Ранее излучение электронов при осевом каналировании в многослойных кристаллах было теоретически рассмотрено в работе [87]. В работе [30], где результаты работы [87] ставятся под сомнение, при теоретическом рассмотрении каналирования электронов использовано двухволновое приближение и показано, что в резонансном случае происходит расщепление спектра полной энергии электрона.

Исследование излучения при каналировании релятивистских частиц в кристаллах вызывает интерес также и в качестве перестраиваемого источника рентгеновского квазилинейчатого излучения [56, 132, 183]. Несмотря на то, что построенные к настоящему времени модели излучения каналированных частиц позволяют достаточно точно описывать форму спектра квазихарактеристического излучения в случае осевого [55] и рассчитывать ширину линий в случае плоскостного [57] каналирования, расчеты абсолютных значений спектров излучения в толстых мишенях не проводились. К тому же, используемые модели расчетов спектра излучения каналированных частиц с учетом некогерентного рассеяния в рамках теории возмущений [55, 57] требуют больших затрат машинного времени, что затрудняет их использование при исследовании свойств кристаллов.

С ростом энергии каналированных электронов рассеяние на нижних уровнях связанного движения становится все более сильным, при этом столкновительная ширина уровней, в особенности в осевом канале, может превышать расстояние между соседними уровнями движения в отсутствие рассеяния [44]. Однако возникающий при перекрытии уровней стохастический режим движения не следует отождествлять с ускоренным деканалированием электронов, так как максимальное значение ширины уровней существенно меньше глубины потенциалной ямы усредненного потенциала. Эти особенности каналирования наглядно видны из рассмотрения в рамках метода комплексного потенциала [124, 58, 140], учитывающего рассеяние релятивистских электронов на тепловых колебаниях атомов мишени. Использование этого метода может также существенно облегчить расчеты столкновительного уширения линий квазихарактеристического рентгеновского излучения [124, 58, 131, 140].

Прохождение быстрых электронов через тонкие пленки кристаллов представляет практический интерес для исследования свойств кристаллов по характеру дифракционной картины в прошедшем пучке [185], ориентационным зависимостям возбуждения вторичных излучении [186]. При этом продвижение в область релятивистских энергий электронов позволяет исследовать объекты большей толщины, что расширяет возможности метода. Обзор экспериментальных результатов по прохождению релятивистских электронов через различные монокристаллы приведен в [187]. Особенности прохождения пучков релятивистских электронов через ориентированные кристаллы рассматривались также в [40], [51] - [53], [71], [74], [101], [106] - [111].

Для расчетов прохождения электронного пучка через кристаллы с учетом квантовых осцилляций потока вместо населенностей мод должны быть использованы комплексные амплитуды собственных волновых функций, которые могут быть рассчитаны методом прямого численного интегрирования "параболического уравнения" [69,115]. Изменение ориентации пучка относительно кристаллических плоскостей или осей позволяет определять положение атомов в кристаллической решетке [40, 84]. Различным особенностям ориентационных зависимостей возбуждения вторичных излучений быстрыми электронами в кристаллах посвящены также работы [41, 192]. Новые возможности использования методов регистрации вторичных излучений открываются при изменении ориентации электронного пучка как по отношению к кристаллическим плоскостям, так и входной поверхности кристалла.

В случае падения частиц под малыми (скользящими) углами к поверхности полный импульс частицы также меняется незначительно, как и при проникновении релятивистских электронов в кристалл, однако его проекция на перпендикуляр к поверхности изменяет знак,

• • 13 то есть происходит отражение от поверхности [114], [82]. Поэтому движение частицы может быть также описано параболическим уравнением для амплитуды волновой функции, которое было использовано при проникновении релятивистских электронов в кристаллы под большим углом к поверхности.

Усиление интереса к позитронным методам изучения структуры поверхности [201] связано прежде всего с интенсивным развитием источников позитронных пучков [200]. В частности, дифракция на отражение позитронов энергией несколько десятков килоэлектронвольт высокой степени монохроматичности может быть использована для изучения поверхностей монокристаллов аналогично дифракции электронов высоких энергий на отражение (ДЭВЭО)[21б]. Подобно ДЭВЭО метод дифракции позитронов обладает высокой чувствительностью к поверхностному разупорядочиванию, кроме того, преимущественное движение позитронов вдали от атомных остовов снижает вероятность некогерентных процессов и в отраженном пучке отсутствуют электроны отдачи мишени. Особенности отражения позитронов от ступенчатой структуры на косом срезе кристалла кремния исследуются на примере ориентационных зависимостей скользящего отражения позитронов с энергией 50кеУ от 5г(110) со ступеньками длиной 50 — 200А. Подобная морфология атомных ступенек типична для чистых атомных поверхностей в состоянии термодинамического равновесия [202, 203].

В настоящее время ведутся широкие теоретические и экспериментальные исследования дифракции рентгеновских лучей на кристаллах с различными деформациями - периодической [96, 206], изгибной [207]. В этом направлении успешно развивается как кинематическая, так и динамическая теория дифракции (например, [207, 208, 209]). Предложен метод изучения структуры тонких пленок с линейно меняющимся межплоскостным расстоянием с помощью дифракции рентгеновского излучения [209]. Исследовался также эффект полной перекачки интенсивности из проходящего в дифрагированный пучок [95, 210]. Рентгеновская структурная диагностика при малых углах падения пучка излучения на поверхность получила развитие для исследования поверхностных слоев монокристаллов [80].

Поскольку в рентгеновской области оптическая плотность большинства материалов меньше, чем плотность вакуума (или воздуха) возникает полное внешнее отражение (ПВО) рентгеновского излучения, когда лучи под малыми скользящими углами падают на поверхность вещества извне. Поэтому возможна канализация рентгеновского излучения в полых стеклянных трубках [94, 168]. В условиях ПВО излучение проникает лишь на небольшую глубину порядка 60 А, благодаря чему и происходит эффективное отражение.

Эксперименты по канализации рентгеновского излучения в условиях полного внешнего отражения проводятся с начала 1930-ых годов [151,152,153,154,155,156,157]. Была продемонстрирована работоспособность подобных систем для транспортировки рентгеновского излучения и его фокусировки, а также фильтрации жесткой части рентгеновского излучения в наборах гнутых трубок [155]. Захват рентгеновского излучения синхротронного источника в волноводный режим распространения в узком слое нитрида бора (толщина 364А), заключенном между слоями Л/2О3, экспериментально продемонстрирован в работе [217]. Позднее интерес к такому способу управления рентгеновским излучением был связан также с предложением использовать наборы специально подобранных гнутых трубок для геометрической фокусировки и концентрации рентгеновского пучка [163]. Отражение гамма-излучения на границе двух сред наблюдалось в [78]. Следует особо отметить эксперименты по прохождению излучения рентгеновской трубки через "бесщелевой коллиматор" - микронный зазор между двумя плотно прижатыми друг к другу стеклянными пластинами [66, 67]. Угловой спектр прошедшего излучения через такую систему приведен на Рис.2 справа. Слева приведен расчет в приближении геометрической оптики, который предполагает существенно меньшую ширину зазора (1 jum), чем это следует из измеренного спектра рентгеновского пучка, дифрагировавшего на узкой щели (около 10 fim). Отмеченное несоответствие является следствием пренебрежения дифракционными эффектами.

Возрождение интереса к локализации рентгеновского излучения в тонких стеклянных капиллярах переменного'сечения в условиях полного внешнего отражения при скользящем падении на гладкую поверхность связано с попытками микрофокусировки в сужающейся трубке [164] (до 7 мкм) или в сужающейся поликапиллярной системе [165], состоящей из большого числа приплавленных друг к другу тонких стеклянных трубок, оформленных в единый шестигранный блок. В настоящее время находят применение как системы, состоящие из одного монокапилляра [156, 157, 174, 165], так и поликапиллярные системы[163, 165, 177]. В случае, когда капилляры плотно прижаты или приплавлены друг к другу, поперечное сечение их искажается и принимает форму шестигранника [165, 177].

Вопросам, связанным со структурой фокуса такой системы, посвящены работы [173, 136]. Каналирование нейтральных частиц и квантов излучения в кристаллах и кристаллических сверхрешетках рассмотрены в [61, 93]. Расчеты модового состава рентгеновского пучка в ленточном волноводе без учета рассеяния на шероховатостях проводились в [178].

В последние годы вызывает также интерес канализация жесткого рентгеновского излучения в тонкопленочных волноводах [217, 158, п. х А

ЮЛ. Я. йИШш. /Ч

ШИШ. ЛА.

Рис.2. Угловой спектр рентгеновского излучения, прошедшего через узкую щель, образованную двумя плотно прижатыми пластинками из полированного стекла ("'бесщелевой коллиматор") [66, 67]; (а - г) - расчет в геометрооптическом приближении, (д -з) - экспериментальные данные для различных углов ориентации входного пучка 0" (а, д), 13" (б), 26" (в), 39" (г), 10" (е), 20" (ж), 30" (з). Угловой масштаб для выходного пучка приведен в центре рисунка.

159, 160, 161], что может быть использовано для получения источников когерентного рентгеновского излучения с субмикронными размерами. Рассматривается также возможность канализации мягкого рентгеновского излучения при создании рентгеновских лазеров [65].

Помимо поглощения на эффективность отражения существенно влияет рассеяние на шероховатостях поверхности. Большинство результатов по влиянию шероховатостей на отражение рентгеновского излучения от поверхностей получено в приближении Андронова- Jle-онтовича [166]. Обзор результатов можно найти в работах [77], [167]. В основе этого подхода лежит предположение, что первоначальная волна, падающая на поверхность является плоской, а рассеянная волна находится в приближении малых возмущений границы раздела сред. Поэтому представляет интерес исследование рассеяния волны, падающей на поглощающую поверхность под сверхмалыми углами, когда приближение Андронова- Леонтовича, по-видимому, уже не применимо. Уменьшение скользящего угла падения, как было показано в работах [171, 172] в рамках приближения Андронова-Леонтовича, приводит к изменению характера угловой зависимости рассеяния от квадратичной по углу падения к линейной. Выход за рамки приближения Андронова-Леонтовича при сверхмалых углах скольжения для излучения, распространяющегося в рентгеновском волноводе, приводит к линейной зависимости рассеяния от высоты шероховатостей стенок узкого канала [62] для нижних волноводных мод.

С увеличением поперечных размеров канала быстро убывает скорость рассеяния пучка на неоднородностях стенок. Одновременно возрастает число волновых мод и становится применимым приближение геометрической оптики для расчетов траекторий световых лучей, которое является основным при расчетах рентгеновских оптических систем многократного отражения [163, 174, 173].

В угловом спектре прошедшего излучения отмечено появление регулярных полос, кругов[175, 174], а также более сложных структур с симметрией шестого порядка [176], которые отражают симметрию формы канала. В связи с вышесказанным представляет интерес исследовать возможность наблюдения интерференции излучения, прошедшего через различные каналы поликапиллярных систем, но учетом реальных неизбежных искажений формы капиллярных каналов [136].

В основе большинства перечисленных выше физических явлений лежат процессы динамики и стохастизации высокоэнергичных волновых пучков в средах, содержащих поперечные неоднородности. В случае каналирования релятивистстких электронов - это формирование и стохастизация волновых пучков при их захвате в каналы, образованные рядами атомов в кристаллах в направлении сильных плоскостей или осей. Для рентгеновского излучения - это захват пучков в диэлектрические каналы под малыми скользящими углами. Следствием высокоэнергичности волновых пучков является малость вероятности рассеяния на большие углы. Поэтому амплитуда волновой функции может рассматриваться как медленно меняющаяся величина. Это, в свою очередь, позволяет использовать приближение "параболического уравнения" для амплитуды волновой функции или электрического поля волны, предложенное М.А.Леонтовичем [220]. Для интегрирования параболического уравнения в данной работе широко использовались численные методы.

Основные результаты по Главе 1

1. Развита теория многократного рассеяния релятивистских электронов в осевых и плоскостных каналах монокристаллов при соударениях с ядрами, удобная для численных расчетов. Получены уравнения для динамики волновой функции < ф > и функции когерентности < фф* >, усредненных по статистике флуктуаций кристаллического потенциала [58, 124, 127, 140].

2. Показано, что соотношение между когерентной и рассеивающей составляющими усредненного потенциала в кристалле определяется лишь его свойствами и не зависит от выбора направления как осевого, так и плоскостного каналирования [140].

3. Впервые исследована зависимость ширин нижних уровней поперечного движения электронов в каналах Si < 111 > и Si(llO) от Лоренц-фактора в пределах 10 < 7 < 104 [124, 58, 140].

4. Модель кинетики каналированных электронов на основе многократного рассеяния хорошо воспроизводит основные особенности экспериментальных спектров в толстых мишенях. Рассеяние электронов вдоль плоскости не приводит к заметному сдвигу положения вершин пиков линий квазихарактеристического излучения, что важно для исследования свойств кристаллов [116, 126, 119]. Абсолютная интенсивность пиков имеет логарифмическую зависимость от толщины кристаллических мишени, как и в измеренных спектрах [70, 128, 130, 129, 131, 140].

5. С использованием асимптотической модели кинетики каналированных электронов показано, что в случае слабого поглощения рентгеновского излучения в легких кристаллах существенную долю выходного излучения составляет излучение каналированных электронов на толщинах кристалла, значительно превышающих длину декана-лирования. Исследована возможность выбора'различных кристаллов для создания источника перестраиваемого рентгеновского излучения [122, 118, 121, 91].

6. Исследованы условия, при которых возможна регистрация вынужденного излучения релятивистских электронов. Дана оценка требуемой плотности тока для регистрации эффекта в инфракрасном диапазоне излучения [33].

Основные результаты по Главе 2

1. Создан комплекс вычислительных программ для расчета эволюции волновой функции каналированного электрона в идеальном кристалле и кристалле, содержащем дефекты сдвига и периодические возмущения решетки, с учетом затухания когерентности на тепловых колебаниях атомов. Определены длины деканалирования релятивистских электронов в осевом канале [53, 125].

2. При когерентном рассеянии релятивистского электронного пучка на дефекте типа сдвига кристаллических плоскостей при плоскостном каналировании электронов с энергией 4 MeV в кристалле может происходить как существенное уменьшение (до ~ 30%), так и возрастание 120%) числа электронов в канале в зависимости от глубины залегания дефекта. Влияние дефекта типа сдвига проявляется одинаково, как на начальном этапе эволюции волновой функции у входа в кристалл, так и в глубине кристалла, где модовая структура уже сформирована [137, 89, 141].

3. Исследовано влияние продольного периодического изгиба на плоскостное каналирование электронов 4.5 MeV в кристалле Si(110). В зависимости от соотношения периода изгиба Т и характерной длины фазовых колебаний электрона в недеформированном канале zq можно условно выделить 3 характерные области а) Область больших периодов, Т zq, где спектр поперечных энергий каналированных электронов характеризуется наличием у каждого из основных уровней спектра (с энергией Е) двух более слабых сателлитов (с энергией Е3), причем разность энергий основного уровня и сателлита соответствует пространственному периоду изгиба канала: | Е - Еа |= 2тг Пс/Т. б) Резонансная область: Т ~ го

Спектр поперечных энергий имеет несколько ярко выраженных под-барьерных уровней. Разделение линий спектра на линии неискаженного канала и их сателлиты становится условным. Происходит полная перестройка модовой структуры волновой функции каналированных электронов в канале по сравнению с неискаженным кристаллом. Основной уровень распадается на два уровняла соответствующие им моды не сводятся к суперпозиции собственных подбарьерных мод не-деформированного кристалла. в) Область малых периодов: Т В спектре существует единственный подбарьерный уровень, так как колебательные движения электронов с большим периодом не формируются из-за постоянного сбоя фазы [141, 139, 137, 64, 90].

Основные результаты по Главе 3

1. В борновском приближении получено выражение для ориента-ционной зависимости сечения неупругого рассеяния релятивистских электронов в кристалле и его аппроксимация интегралом близких столкновений с атомами среды с учетом тепловых колебаний [117, 72].

2. Предложен метод измерения длины деканалирования релятивистских электронов в кристалле по ориентационным зависимостям выхода характеристического рентгеновского излучения с учетом поглощения в среде [190, 104].

3. Показана принципиальная возможность наблюдения квантовых осцилляций потока релятивистских электронов при влете в монокристалл по ориентационным зависимостям выхода характеристических оже-электронов [103].

4. Разработан метод определения положения примесных атомов, не образующих кластеров, в приповерхностных областях кристаллов (до глубин 200 А) по ориентационным зависимостям выхода характеристических оже-электронов под воздействием пучка быстрых электронов. На примере примесей атомов фосфора в кремниевом монокристалле предельная чувствительность метода определена равной 2 • 1014сш"2 по концентрации атомов примеси и 1% по положению атомов в кристаллической матрице [72, 189, 120, 123].

Основные результаты по Главе 4

1. Создан комплекс компьютерных программ для описания скользящего отражения пучка быстрых позитронов от сложной поверхности кристалла, образованной ступеньками кристаллических плоскостей, непараллельных границе среза [133, 134, 138].

2. Исследована несимметричность процесса отражения пучка позитронов от поверхности косого среза кристалла при ориентации налетающего пучка навстречу ступенькам и в противоположном направлении. Показано, что характер угловой зависимости коэффициента отражения пучка быстрых позитронов от поверхности кристалла "вниз по ступенькам" определяется структурой поверхности косого среза кристалла. Эта зависимость может быть использована для исследования релаксации поверхности [133, 134, 138].

3. Исследована эффективность дифракционной перекачки рентгеновского излучения в диапазоне длин волн 2.5 — 0.025А на деформированных кристаллах с квадратичной функцией смещения атомов для геометрий Лауэ и Брэгга. Показано, что в случае пучков с угловой расходимостью, уменьшение коэффицента отражения в деформированном кристалле по сравнению с идеальным кристаллом компенсируется значительным в 10 - 20 раз ростом интегрального коэффициента отражения. Для наблюдения эффекта в геометрии Лауэ достаточно относительного смешения атомов на величину 10~б [81].

Основные результаты по Главе 5

1. Разработана статистическая теория прохождения рентгеновского излучения через узкие диэлектрические волноводы с шероховатыми пограничными слоями [88, 142, 62, 219].

2. Создан комплекс вычислительных программ для моделирования скользящего отражения ограниченного рентгеновского пучка от шероховатой слабопоглощающей поверхности и прохождения излучения через субмикронные шероховатые диэлектрические волноводы [142, 62].

3. Показано, что для нижних волноводных мод затухание когерентной составляющей рентгеновского пучка пропорционально среднеквадратичной высоте шероховатостей и обратно пропорционально кубической степени ширины канала. Предложен метод селекции мо-дового состава рентгеновского пучка, захваченного в канал [62, 219].

4. Предложена новая интерпретация экспериментов по формированию узких рентгеновских пучков в "бесщелевом коллиматоре", учитывающая дифракционные свойства излучения [219].

5. Показано, что наличие продольных периодических возмущений субмикронного диэлектрического канала может приводить к формированию энергетических зон малого пропускания рентгеновского излучения [218].

6. Исследованы условия, необходимые для наблюдения когерентных эффектов для излучения, прошедшего через поликапиллярные рентгенооптические системы. Показано, что сложные угловые распределения в пучке, прошедшем через такие системы обусловлены эффектами многократного отражения пучка в отдельном капилляре [135, 136].

Заключение

В рамках единого подхода, основанного на использовании "параболического'' уравнения, являющегося математическим аналогом нестационарного уравнения Шредингера, рассмотрены процессы формирования пучков различной природы - от пучков релятивистских лептонов до рентгеновского излучения - при дифракции в поперечно-неоднородных средах. Общим для этих процессов является то, что при малоугловом рассеянии пучков с узким начальным угловым спектром волновые свойства отчетливо проявляются в поперечном для пучка направлении на пространственных масштабах длин, много больших, чем длина волны, соответствующая энергии частиц. Поэтому, например, щелевой диэлектрический канал шириной 1 /.ст может являться о узким для рентгеновского излучения с длиной волны 1 А.

Основным различием между прохождением пучков заряженных частиц через кристаллы и рентгеновских фотонов через узкие диэлектрические каналы является существенное поглощение пучка фотонов, тогда как релятивистские заряженные частицы после рассеяния на критический угол деканалируют, продолжая движение в среде с образованием квазиравновесного распределения по поперечному импульсу частиц. Образования же статистически равновесного распределения фотонов по угловому спектру с шириной, много превосходящей критический угол, не происходит. Вместо этого с ростом угла отклонения фотона от оси диэлектрического канала происходит резкое увеличение поглощения в его стенках и в выходящем пучке доля фотонов, претерпевших многократное малоугловое рассеяние невелика. Поэтому на выходе из коллиматора, образованного узкой шероховатой щелью, может преобладать когерентная составляющая рентгеновского излучения.

В результате выполненных исследований была создана модель многократного рассеяния релятивистских каналированных электронов на атомных ядрах в кристалле, позволяющая в удобной аналитической форме выразить зависимость уширения собственных энергетических состояний каналированных частиц от атомной структуры кристалла, амплитуды колебаний атомов, а также непрерывных потенциалов при каналировании.

Методом численного моделирования было показано, что при плоскостном каналировании релятивистских электронов в периодически деформированном кристалле малые амплитуды деформации плоскости каналирования могут приводить к сильной перестройке модовой структуры волновой функции каналированного электрона. Возникающие при этом собственные состояния поперечного движения не сводятся к суперпозиции состояний при каналировании в недеформиро-ванном кристалле и могут регистрироваться в спектре спонтанного излучения.

При анализе режимов каналирования быстрых электронов было показано, что для вычисления ориентационных зависимостей выхода оже-электронов при возбуждении нижних электронных оболочек атомов пучком быстрых электронов, захватываемых в режим плоскостного каналирования в кристалле, применимо приближения интеграла близких столкновений. Ориентационные зависимости выхода оже-электронов могут служить методом определения расположения примесных атомов в приповерхностном слое кристаллической матрицы с чувствительностью по концентрации до 2 • 1014 am/cm2 и 1% по местоположению примесного атома в узлах или междоузлиях.

Исследования характера отражения пучка быстрых позитронов от поверхности кристалла с косым срезом по отношению к сильным кристаллическим плоскостям показали, что процесс отражения качественно различен при ориентациях "навстречу ступенькам'' и "по ступенькам", образованным обрывами атомных плоскостей. При падении пучка "по ступенькам" происходит полное отражение от поверхности с образованием дифракционных пиков, сооветствующих как структуре кристалла, так и неоднородности поверхности.

Изучение взаимосвязи дифракции, рассеяния и поглощения излучения при прохождении рентгеновского пучка через субмикронный канал с сильно шероховатыми стенками позволило сделать вывод, что затухание когерентности пучка приводит к значительному ускорению ослабления его интенсивности.

Была сформулирована статистическая теория затухания когерентности рентгеновского пучка в субмикронном диэлектрическом волноводе, показывающая, что при рассеянии на шероховатостях стенок при малых длинах корреляции для нижних волноводных мод коэффициент затухания когерентности пропорционален среднеквадратичной амплитуде шероховатостей и обратно пропорционален кубической степени ширины канала.

Исследование влияния деформаций диэлектрических волноводов на пропускание рентгеновского излучения показало, что наличие малых продольных периодических возмущений в субмикронных диэлектрических волноводах приводит к образованию энергетических зон, где пропускание мало.

Полученные в данной работе результаты могут быть применены, в частности, как для совершенствования малогабаритных источников узконаправленного перестраиваемого рентгеновского излучения на пучках релятивистских каналированных частиц, так и для создания нового класса рентгенооптических систем, использующих дисперсионные свойства диэлектрических рентгеновских волноводов. Ориен-тационные эффекты при каналировании быстрых электронов и позитронов могут сужить основой для разработки новых методов исследования монокристаллов.

• • 199

1. й. Линдхард. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц, УФН, 1969, т. 99, вып.2. с. 249-246.

2. М.А. Kumakhov, On the theory of electromagneticradiation of charged particles in a crystal, phys. lett., Ser. A, 1976, V. 57, n.l, p. 17-18.

3. И.И. Мирошниченко, Дж. Мерри, P.O. Авакян, T.X. Фи-гут, Экспериментальное исследование радиации релятивистских каналированных позитронов, Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, вып.12, с.786-790.

4. J. Alguard, R.L. Swent, R.H. Pantell, B.L. Berman, S.D. Bloom, S. Datz, Observation of radiation from channeled positrons. Phys. Rev. Lett., 1979, V. 42, n.17, p. 1148-1151.

5. R.L. Swent. R.H. Pantell. M.J. Alguard, B.L. Berman, S.D.Bloom, S.Datz. Observation of channeling radiation from relativistic electrons, Phys. Rev. Letters, 1979, V. 43, No.23, pp.1723-1726.

6. R. Wedell, Electromagnetic radiation of relativistic positrons and electrons during axial and planar channeling in monocrystals (Review article), Phys. Stat. Sol., Ser. b. 1980, V.99, No.l, p.11-49.

7. V.V. Beloshitsky, F.F. Komarov, Electromagnetic radiation of relativistic channeling particles (the Kumakhov effect) Phys. Reports, 1982, V.93, No.3, P.117-197.

8. А.И. Ахиезер, Н.Ф. Шульга, Излучение релятивистских частиц в монокристаллах, УФН, 1982, т.137, вып.4. c.oGi-604.

9. В.А. Базылев, Н.К. Жеваго, Генерация интенсивного элек-тромагнитноо излучения релятивисткими частицами, УФН, 1982, т.137, вып.4, с.605-662.10. Ё.-Х. Оцуки, Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами. М.: Мир, 1985. 280с.

10. М.А. Кумахов. Излучение каналированных частиц в кристаллах. М.: Энергоатомиздат, 1986.

11. Coherent Radiation Sources/Ed. A.W.Saenz, H.Uberall. Berlin; Heidelberg; New York; Tokyo: SpringerVerlag, 1985. (Topics in Current Physics. V. 38).

12. R.K. Klein, J.O. Kephart, R.H. Pantell, H. Park, B.L. Berman, R.L. Swent, S. Datz, R.W. Fearick, Electron channeling radiation from diamond, Phys. Rev., Ser. B, 1985. V 31, p. 68-92.

13. R.H. Pantell, J.O. Kephart, Relativistic Channeling R.A. Carrigan, Jr., J.A. Ellisson /Eds. New York: Plenum Press, 1987. P. 454. Charged Particle Chanalling and Radiation. Villa-Del-Mare, Italy, 1986. p. 2.

14. G.Moliere, Theorie der Streuung schneller geladener Teilchen I. Einzelstreuung um abgeschirmten CoulombFeld, Za. Naturforschung, 1947, Bd 2a, S.133-145.

15. P.A. Doyle, P.S. Turner, Relativistic Hartree-Fock Xray and electron scattering factors, acta grYSTALLOGR.,

16. Ser. A, 1968, V.24, part 3, р.390-397.

17. J.U. Andersen, E. Bonderüp, E. Ljegagaard, B.B. Marsh, A.H. Sorensen, Axial channeling radiation from MeV electrons .Nucl. Instrum, and Meth., 1982, V.194, NN1-3. p.209-224.

18. J.U. Andersen, E. Bonderup, E. Laegsgaard, A.H. Sorensen, Incoherent scattering of electrons and linewidth of planar-channeling radiation, Phys. Scripta, 1983, V.28, N.3, p.308-330.

19. J.U. Andersen, E. Laegsgaard, A.H. Sorensen, Temperature dependence of axial-channeling radiation ,Nucl. Instrum and Meth. Phys. Res. Ser. B. 1984. V. 2, n. 1, P. 63-66.

20. B.L. Berman, B.A. Dahling, S. Datz, J.O. Kephart, R.K. Klein, R.H. Pantell, H. Park, Channeling-radiation measurements at Lawrence Livermore National Laboratory ,Nucl. Instrum and Meth. Phys. Res. Ser. B. 1985. V. 10/11, P. 611-617.

21. G.V. Dedkov, E.Kh. Shidov, Planar channeling of positrons and electrons at moderate energies in simple crystals, Phys. Stat. Sol., 1985, B.130, P.719-726.

22. G.V. Dedkov, E.Kh. Shidov, Channeling radiation of electrons and positrons in diamond and silicon at intermediate energies: theory and experiment, Radiation-Effects Lett., 1984, V. 85, P.111-116.

23. M.Kh. Khokonov, F.F. Komarov, V.l. Telegin, Classical theory of the Kumakhov radiation in axial channeling: II. General case, Radiation Effects, 1984, V.81, N.3-4, p.203-210.

24. M.Кн. Khokonov, Peculiarities of the Kumakhovradiation in ultrarelativistic electron channeling. Radiation Effects, 1984, V. 80, n. 1-2, P. 93-104

25. J.U.Andersen, S.Datz, E.Laegsgaard, J.P.E.Sellschop. A.H. Sorensen, Radiation from two-dimensional "molecular" bound states of electrons channeled in diamond, Phys. Rev. Lett., 1982, V.49, N.3, p.215-218.

26. S. Datz, R.W. Fearick, H. Park, R.H. Pantell, R.L. Swent, J.O. Kephart, B.L. Berman, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., Ser. B. 1984, V. 2, p. 74.

27. K. Chouffani, H. Überall, H. Genz,

28. P. Hoffmann Stascheck, U. Nething, A. Richter,1.w energy channeling radiation experiments in agermanium crystal, Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research (B), 1999, V. 152, n. 4, P. 479-493.

29. A.P. Pathak, P.K.J. Balagari, The effect of defects on channeling radiation, Phys. Stat. Solidi, Ser. b, 1986, v.134, No.l, p.115-118.

30. A.P. Pathak, The effects of superlattice structures on channeling radiation from positrons, Radiation Effects, 1986, V.100, NN1-2, p.105-110.

31. B.H. Рудько. Резонансное расщепление полос квазихарактеристического излучения при каналировании электронов в кристаллах со сверхрешетках, ЖЭТФ, 1985, t.89, вып.5, с.1676-1684.

32. В.Н. Рудько, Асимметрия угловой зависимости излучения при резонансном деканалировании в сверхрешетках, ЖТФ. 1991, Т.61, No.l, с.63-67.

33. А.С. Боровик, B.C. Малышевский, Э.И. Шипатов, Вынужденное излучение при рассеянии каналированных электронов и п03итр0нв на точечных дефектах, ЖЭТФ, 1984, Т.87, вып.6, с.1997-2007.

34. V.I. Glebov, L.I.Ognev, Planar channeling of MeVelectrons in semiconductor crystals A3B5, radiation Effects,1986, V.91,NN 3-4, p. 297-302.

35. R.L. Swent, R.H. Pantell, H. Park, J.O. Kephart. R.K. Klein, S. Datz, R.W. Fearick, B.L. Berman, Planar and axial channeling radiation from relativistic electrons in LiF, Phys. Review, Ser. B, 1984, V.29, N.l, p.52-60.

36. Л.И. Огнев, О спектре излучения гиперканалированных позитронов, Письма ЖТФ, 1986, Т.12, вып.2, с.67-71.

37. В.А. Базылев, В.В. Головизнин, Квантовая теория неупругого рассеяния каналированных электронов, препринт ИАЭ -3808/1, Москва. 1983. 23 с.

38. Н. Park, J.O. Kephart, R.K. Klein, R.H. Pantell, M.V. Hynes, B.L. Berman, B.A. Dahling, S. Datz, R.L. Swent, M.J. Alguard, Temperature dependence of planar channeling radiation. Phys. Review B, 1987, V.35, n.l, p. 13 17.

39. M. Strauss, P. Amendt, H.U. Rahman, N. Rostoker, Line shifts in electron channeling radiation from lattice vibrations, Phys. Rev. Letters, 1985, V.55, N.4, p.406-409.

40. P. Amendt, M. Strauss, H.U. Rahman, N. Rostoker, Valence-band plasmon effects on line shifts and widthsin positron planar-channeling radiation, phys. review. Ser. A, 1986, Y.33. X.2, p.839-845.

41. J. Tafto, Channeling effects in electron X-ray emission from diatomic crystals, Zs. Naturforschung, 1979, Bd 34a, N.4, S.452-458.

42. B.B. Кораблев, В.В. Румянцев, В.В. Дубов, Б.З. Блехер. И.А. Брытов, Ориентационные эффекты взаимодействия электронов с монокристаллами в спектроскопии потенциалов возбуждения мягкого рентгеновского излучения, ФТТ. 1986. Т.28, вып.7, с.2196-2198.

43. Yu.N. Adischev, B.N. Kalinin, A.A. Kurkov, A.P. Potylitsin, V.K. Tomchakov, V.N. Zabaev, I.E. Vnukov, S.A. Vorobiev, Experimental investigation of electron channeling radiation in diamond crystal, Rad. Effects, 1986. V.91, NN3-4, p.225-232.

44. B.B. Белошицкий, M.А. Кумахов, Квантовая теория спонтанного и вынужденного излучений каналированных электронов и позитронов , ЖЭТФ, 1978, т. 74, вып. 4, с. 12451256.

45. В.А. Базылев, В.В. Головизнин, Квантовая теория рассеяния электронов и позитронов в кристалле при каналирова-нии , ЖЭТФ, 1982, т. 82, вып. 4, с. 1204-1220.

46. С.А. Михеев, А.В. Тулупов, Спектроскопия излучения при каналировании и метод рентгеновской дифракции , Кристаллография, 1991, т. 36, вып. 3, с. 555-561.

47. С.А. Михеев, О столкновительных ширинах линий излучения при каналировании электронов , Физика твердого тела. 1991, т. 33, вып. 2, с. 536-541.

48. С.А. Михеев. А.В. Тулупов, Кинетика населенностей зон

49. ПОПЕРЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ И СПЕКТРЫ ИЗЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В КРИСТАЛЛАХ ПРИ ОСЕВОМ КАНАЛИРОВАНИИ , ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 1988. т. 30, вып. 2, с. 490-498.

50. В.А. Базылев. С.А. Михеев, А.В. Тулупов, Влияние дислокаций на линейчатое излучение каналированных электронов в естественных монокристаллах алмаза , Физика твердого тела, 1988, т. 30, вып. 8, с. 2445-2453.

51. С.А. Михеев. Влияние изоморфных точечных дефектов на характеристики излучения релятивистских электронов приканалировании , физика твердого тела, 1991, т. 33, вып. 3, с. 685-690.

52. С.А. Михеев. А.В. Тулупов, Влияние корреляций тепловыхсмещений атомов кристалла на движение каналированныхэлектронов . Физика твердого тела, 1987, т. 29, вып. 2, с. 449-454.

53. Б.Р. Мещеров, В.И. Туманов, Эффект стохастизации движения релятивистских электронов вдоль оси кристалла , ЖТФ, 1991, т. 61, в. 5, с. 65-71.

54. Б.Р. Мещеров, В.И. Туманов, Влияние колебаний атомов на рассеяние релятивистских электронов в в кристалле , Письма в ЖЭТФ, 1990, т. 51, вып. 10, с. 506-508.

55. T.A. Bobrova, L.I. Ognev, Channeling pattern ofrelativistic electrons along the 100. axis of silicon single crystals , radiation effects and defects in solids, 1993, v. 25. P. 97-101.

56. V.V. Beloshitsky, A.A. Bobrov, Circulary polarizedradiation from low energy electrons during axialchanneling in twinned crystals , nucl. instr. meth. in Phys. Res., 1992, v. B72, p. 395-400.

57. L.V. Hau. E. L.egsgaard, J.U. Andersen,

58. Thermal vibrations in Si studied by channeling-radiation spectroscopy ,Nuclear Instrum. Meth. Phys. Res., 1990. V. £48, P.244-247.

59. A. Richter, Electron channeling radiation: first stepstowards a bright and tunable x-ray source , materials

60. Science and Engineering, 1992, V. £11, P. 139 147.

61. А.Ф. Буренков, Ю.И. Дудчик, Ф.Ф. Комаров, Уширение линий спонтанного излучения при плоскостном каналирова-нии электронов, ЖТФ, 1985, Т.55, в. 11, С. 2184 2190.

62. L.I. Ognev, Bethe-Salpeter equation for the description of electron channeling. Radiation Effects and Defects in Solids. 1993, V. 25, P.81-87.

63. J. Freudenberger, H. Genz, L. Groenig, P. Hoffman-Stascheck. W. Knüpfer, V.L. Morokhovskii,

64. V.V. Morokhovskii, U. Nething, A. Richter, J.P.F. Sellschop, Channeling radiation and parametric x-radiation at electron energies below 10 MeV, NIM(B), 1996, V.119, NN1-2, P.123-130.

65. H. Park, J.O. Kephart, R.K. Klein, R.H. Pantel, B.L. Berman, S. Datz, Channeling radiation from GaAs, Phys. Review, ser.B, 1987, v.36, n.2, pp.1259-1261.

66. В.И. Высоцкий, P.H. Кузьмин, Каналирование нейтральных частиц и квантов в кристаллах, УФН, 1992, т.162, No.9, с.1-48.

67. T.A. Bobrova, L.I. Ognev, On the "supercollimation" ofx-ray beams in rough interfacial channels, письма в

68. ЖЭТФ, 1999, T.69, вып.10, с.686-690.

69. L.I. Ognev, Hyperchanneling positron radiationspectrum structure, radiation effects and defects in

70. Solids, 1987, v.105, NNo.1-2, pp.1-8.

71. T.A. Боброва, JI.И. Огнев, Полная перестройка модовойструктуры волновой функции каналированного электрона в кристалле со сверхрешеткой, ЖТФ, 1999, Т.69, вып.2, с.32-37.

72. S.V. Kukhlevsky, L. Kozma, Guiding of light by short-length multimode waveguides I, Il Nuovo Cimento ser. D, 1998, v.20, N.6. P.783-789.

73. T.A. Мингазин, В.И. Зеленов, В.H. Лейкин, Бесщелевойколлиматор рентгеновских лучей, приборы и техника эксперимента, 1981, No.l, с.229-232.

74. В.Н. Лейкин. Т.А. Мингазин. В.И. Зеленов, Формирование ренгеновских пучков бесщелевым коллиматором, Приборы и техника эксперимента, 1984, No.6, с.33-47.

75. W. Lotz, H. Genz, P. Hoffman, U. Nething, A. Richter, A. Weickenmeier, H. Kohl, W. Knùpfer, J.P.F. Sellschop, Axial-channeling radiation from MeV electrons in diamond and silicon, NIM(B), 1990, v.48, p.256-259.

76. A.B. Андреев, С.A. Axmahob, B.A. Выслоух, В.Л. Кузнецов. Вынужденные и спонтанные переходы между дискретными уровнями электронов, каналированных в кристаллах, ЖЭТФ. 1983, т.84. в.5. с.1743-1755.

77. В.М. Искандарян, Л.И. Огнев, С.В. Потураев, А.И. Сти-рин, Т.А. Хатков, Излучение электронов с энергией 21 МэВпри плоскостном каналировании монокристаллах кремния.

78. Письма в ЖТФ, 1991, т.17, вып.21, с.83-87.

79. В.В Белошицкий, Л.И. Огнев. Аномальная зависимость некогерентного рассеяния каналированных электронов от их энергии и ориентации кристалла. ЖТФ, 1986, т.56, в.9, с.1786-1790.

80. П.А. Александров, гТ.И. Огнев, Исследование приповерхностных слоев монокристаллов с помощью оже-спектроскопии в условиях каналирования, Поверхность, 1990, вып.4. с.111-116.

81. Ф.П. Коршунов, А.С. Камышан, А.П. Лазарь. Е.В. Котов, Г.А. Ракитская, Рентгеновское излучение, генерируемое каналированными электронами в кремнии, Доклады АН БССР, 1986, т.ЗО, No.8, с.700-703.

82. А.П. Лазарь, Ориентационная зависимость малоуглового рассеяния электронов с энергией 4,5 МэВ при плоскостном каналировании в кремнии, ЖТФ, 1996, t.66, вып.10, с.102-108.

83. Рн. Lervig, J. Lindhard, V. Nielsen, Quantal treatmentof directional effects for energetic charged particles in crystal lattices, nuclear physics, ser. A, 1967, V.96, No.3, pp.481-504.

84. G. Radi, Complex lattice potentials in electrondiffraction calculated for a number of crystals, acta

85. Crystallogr. 1970. sec.A. Y.26. part 1. p.41-56.

86. A.B. Андреев. Рентгеновская оптика поверхности (отражение и дифракция при скользящих углах падения), УФН, 1985, Т.145, No.l, с.113-136.

87. В.И. Глебов. Э.И. Денисов, Н.К. Жеваго, Ю.Н. Пшонкин, В.Г. Циноев. Отражение гамма-излучения от границы раздела двух сред, ЖТФ, 1985, Т.55, вып.9, с.1785-1792.

88. J.F. mikat, L.J. Martin, Z. Barnea, X-ray attenation of silicon in the energy range 25-50 kev, J. physics, ser.c: Solid State Physics, 1985, V.18, No.26, pp.5215-5223.

89. A.M. Афанасьев, П.А. Александров, P.M. Имамов, Рентгеновская структурная диагностика в исследовании приповерхностных слоев монокристаллов М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986.-(Проблемы науки и технического прогресса) - 96с.

90. Т.А. Давыдова, Л.И. Огнев, Исследование дифракционной перекачки рентгеновских и 7-лучей на деформированных кристаллах с. квадратичной функцией смещения атомов, ЖТФ, 1988, Т.58, вып.1, с.204-207.

91. Е.Е. Городничев, С.Л. Дударев, Д.Б. Рогозкин, М.И. Рязанов, Зеркальное отражение квантов и частиц от поверхности твердого тела, ЖТФ, 1991, Т.61, вып.6, с.210-212.

92. A.B. Андреев, Когерентное тормозное, маятниковое и комбинационное излучение электронов при плоскостном кана-лировании, ЖЭТФ, 1984, Т.86, вып.4, с.1348-1356.

93. S.J. Pennycook, J. Narayan, Atom location by axial-electron-channelling analysis, Phys. Rev. Lett., 1985. Y.54, No.14, p.1543.

94. С. Хофман, Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир, 1987. С.187.

95. А.Р. Шульман, С.А. Фридрихов, Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977, 552с.

96. Н. ikezi, Y.R. Lin-Liu, Т. Ohkawa, Channeling radiation in a periodically distorted crystal. Phys. Review, ser.B, 1984, V.30, No.3, p.1567-1569.

97. М. Gouanere, D. Sillou, М. Spieghel, N. Cue, M.J. Gaillard, R.G. Kirsch, J.-C. Poizat, J. Remillieux, B.L. Berman, P. Catillon, L. Roussel, G.M. Temmer, Sharp-line and broad-continuum radiationfrom electrons channeled in diamond. nucl. instr.

98. Meth., 1982, V.194, nn 1-3,.p.225-228.

99. H.K. Жеваго, А.И. Рязанов, Дифракция и каналирование фотонов и нейтронов в сверхрешетках, ФТТ, 1986, Т.28, No.l, с.130-137.

100. М.А.Блохин, Физика рентгеновских лучей. Гос. изд-во техн.-теор. литературы, М., 1957.

101. И.Р. Энтин, И.А. Пучкова, Осциллирующая зависимость интенсивности рентгеновского рефлекса от амплитуды возбужденного в кристалле ультразвука, ФТТ, 1984, Т.26, No.11, с.3320-3324.

102. International Tables for X-ray crystallography, 1974, V.4. Birmingham, England. The Kynoch Press, 366p.

103. J.U. Andersen, K.R. Eriksen, E. L.egsgaard, Planar-channeling radiation and coherent bremsstrahlung for MeV electrons, Physica Scripta, 1981, V.24, No.3, p.588-600.

104. G. Buschhorn, E. Diedrich, W. Kufner, D. Pollmann, Measurment of channeling radiation using a 45 MeV betatron, Nucl. Instr. Meth. in Phys. Res. 1988, ser.B, v.30, No.l, pp.29-33.

105. С.А.Воробьев, В.В.Каплин, С.Б.Нурмагамбетов, В.И. Грид-нев, Е.И. Розум, С. Пак, С.Р. Углов, Наблюдение квантовых состояний молекулярного типа при каналировании 5,6 МэВ электронов в (111) монокристалле кремния, ФТТ, 1984, Т.26, вып.7, с.2148-2154.

106. Н.П. Калашников, М.Н. Мамаев. А.С. Ольчак, М.Н. Стри-ханов, Заселенности зон и параметры излучения плоскока-налированных электронов, ФТТ, 1983, Т.25, вып.1, с.190-197.

107. Л.И. Огнев, О возможности наблюдения квантовых осцил-ляций потока релятивистских электронов в кристалле, Поверхность, 1989, No.2, с.37-38.

108. Л.И. Огнев, Об определении длины деканалирования релятивистских электронов по ориентационным зависимостямхарактеристического рентгеновского излучения, письма в

109. ЖТФ, 1988, Т.14, вып.7, с.577-580.

110. Е.Г. Вяткин, Ю.Л. Пивоваров, Моделирование траекторий и спектров излучения релятивистских частиц в кристаллах при движении вблизи кристаллографической плоскости, Известия ВУЗов. Физика, 1985. No.8. с.83-90.

111. Э.А. Бабаханян, С.А. Воробьев, Ю.В. Кононец, Д.Е. Попов, Энергетическая зависимость структуры угловых распределений электронов при плоскостном каналировании, Письма в ЖЭТФ, 1982, Т.35, вып.5, с.184-187.

112. Ю.А. Кашлев. Квантовая теория каналирования, кинетические коэффициенты и параметры равновесного распределения каналированных частиц в квазиклассическом случае, Теоретическая и математическая физика, 1981, Т.47, No.l, с.125-139.

113. Yu.A. Kashlev, Nonequilibrium statistical theory ofchanneling. klnetic coefficients and parameters of quasiequilibrium distribution of channeled particles,

114. Phys. Letters, 1983, ser.A. Y.99. No.5, p.211- .

115. Ю.М. Каган, Ю.В. Кононец, Теория эффекта каналирования, ЖЭТФ, 1970, Т.58, No.l, с.226-254.

116. Ю.М. Каган, Ю.В. Кононец. Теория эффекта каналирования. Влияние неупругих столкновений. ЖЭТФ, 1973, Т.64, No.3, с.1042-1064.

117. Ю.М. Каган, Ю.В. Кононец. Теория эффекта каналирования. Энергетические потери быстрых частиц, ЖЭТФ, 1974, Т.66, No.5, с.1693-1711.

118. Н.П. Калашников, Когерентные взаимодействия заряженных частиц в монокристаллах.- М.: Атомиздат, 1981, с.224.

119. В.А. Базылев, Н.К. Жеваго, Излучение быстрых частиц в веществе и во внешних полях.- М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987, с.272.

120. В.А. Аркадьев, М.А. Кумахов, Л.И. Огнев, О полном внешнем отражении гамма-квантов от поверхности, Письма в ЖТФ, 1986. т. 12, в.21, с.1307-1311.

121. С.Б. Дабагов, Л.И. Огнев, Прямой метод расчета эволюции волновой функции каналированных МэВ-ных электронов, ЖТФ, 1988, т. 58, в.2, с.256-264.

122. Л.И. Огнев, Спектроскопия излучения каналированных частиц новый метод исследования кристаллов, УФН, 1988, т.154, вып. 4, с.691-702.

123. Л.И. Огнев, Ориентационые зависимости выхода вторичных излучений при прохождении релятивистских электронов через монокристалл, Тезисы докладов 3-ей Всес. конф. по излучению релятивистских частиц в кристаллах, Нальчик, 1988, с. 55-56.

124. Т.А. Боброва, Л.И. Огнев, Излучение при каналировании электронов в толстых кристаллах. Тезисы докладов 3-ей Всес. конф. по излучению релятивистских частиц в кристаллах, Нальчик, 1988, с.100-101.

125. Л.И. Огнев, Диагностические возможности спектроскопии излучения каналированных частиц. Тезисы докладов 3-ей Всес. конф. по излучению релятивистских частиц в кристаллах, Нальчик, 1988, с.152.

126. П.А. Александров, Л.И. Огнев,

127. Электронный оже-микроанализ поверхности монокристалла. Тезисы докладов 3-ей Всес. конф. по излучению релятивистских частиц в кристаллах, Нальчик, 1988, с.171-172.

128. Т.А. Боброва, Л.И. Огнев, Излучение релятивистских электронов при каналировании в толстых кристаллах бериллия. Препринт ИАЭ 4810/11, М., 1989. 8с,

129. Т.А. Боброва, Л.И. Огнев, Излучение при плоскостном каналировании релятивистских электронов в толстых кристаллах. Письма в ЖТФ, 1989, т.15, в.З, с.5-9.

130. P.A. Aleksandrov, L.I. Ognev, Investigation of thedependance of the secondary processes in channeling on the location of impurity atoms in the near surface layers of single crystals, nucl. instr. meth., 1990, v.B51, P.273-277.

131. L.I. Ognev, Bethe-Salpeter equation for description of channeling electrons. preprint of I. V.kurchatov1.stitute of Atomic Energy, IAE-5257/11, 1990, p.11

132. T.A. Bobrova, L.I. Ognev Channeling pattern of relativistic electron along 100] axis of silicon single crystal, The IV-th All-Union conference on interaction of radiation with solids, May 15-19, 1990, Elbrus settl., Moscow 1990, p.158.

133. L.I. Ognev Relativistic electron channeling as a method for crystal study, The IV-th All-Union conference on interaction of radiation with solids, May 15-19, 1990, Elbrus settl., Moscow 1990, p.159.

134. L.I. Ognev Bethe-Salpeter equation for description ofchanneling electrons. the iv-th all-union conference on interaction of radiation with solids, may 15-19, 1990, Elbrus settl., Moscow 1990, p.160.

135. V.M. Iskandarjan. L.I. Ognev, S.V. Poturaev, A.I. Stirin, T.A. Khatkov, Measurement of planar channeling radiation from 21 MeV electrons in silicon using a microtron. Preprint of I.V.Kurchatov Institute of Atomic Energy, IAE-5360/11, 1991. p.15.

136. L.I. Ognev, Channeling in thick crystals: asymptotic approach. Preprint IAE-5594/11, M.', 1992. p.8.

137. S.V .Poturaev, M.A. Kumakhov, L.I. Ognev, V.M. Iskanderian, T.A. Khatkov, A.I. Stirin, Measurement of planar channeling radiation from 19.2 MeV Electrons in silicon using a microtron, phys. stat. sol.(b), 1993, v.176, p.31-39.

138. L.I. Ognev, Asymptotic behavior of channeled electrons: Channeling radiation spectra in thick crystals, NIM B, 1994, v.84, p.319-322.

139. S.P. Kapitza, Yu.M. Tsipenyuk,

140. Trends in electron accelerator applications, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 1998, V.139, n. 1-4, P. 1-11.

141. T.A. Bobrova, L.I. Ognev, Gliding reflection of positrons from slanting cut crystal. Preprint IAE-5756/11, M., 1994. p.10.

142. Т.А. Боброва. Л.И. Огнев, Скользящее отражение позитронов от косого среза кристалла. Письма в ЖТФ, 1994, т.20. в.19, с.18-22.

143. L.I. Ognev, Is coherent interference of X-rays in glass capillary assembly possible? Preprint IAE-5955/11, M., 1996. р.4.

144. L.I. Ognev. On the structure of X-ray glass capillary lens focal spots. XIM (B) 1997. v.124, p.624-626.

145. T.A. Боброва, Л.И. Огнев, Влияние расположения дефекта типа сдвига кристаллических плоскостей и сверхрешетки на плоскостное каналирование релятивистских электро-неов. Поверхность, 1998, в.5. с.22-30.

146. Т.A. Bobrova, L.I. Ognev, Gliding reflection of positrons from slanting cut crystal. NIM (B) 1996, v.119, p.523-526.

147. T.A. Bobrova, L.I. Ogxev. The strong transformationof the wave function of channeling electrons in a periodically distorted crystals. phys. stat. sol. (в), 1997, v.203, p.R11-R12.

148. Л.И. Огнев, О модели излучения релятивистских электронов при каналировании в толстых кристаллах, ЖТФ, 1994, т.64, в.5, с.78-90.

149. Т.А. Боброва, Л.И. Огнев, Плоскостное каналирование релятивистских электронов в кристаллах со сверхрешеткой. Динамика и спектр поперечных энергий. Рукопись деп. в ВИНИТИ. N. 1361 В-97 от 21.04.97, 30с.

150. Т.А. Боброва. Л.И. Огнев, Численное моделирование скользящего отражения рентгеновского пучка от шероховатой поверхности. Препринт ИАЭ-6051/11, М., 1997. 20 с.

151. В.Н. Байер, В.М. Катков, В.М. Страховенко, Взаимодействие электронов и фотонов высокой энергии с кристаллами, УФН, 1989, Т.159, вып.З, с.455-431.

152. В.А. Базылев, Н.К. Жеваго, Каналирование быстрых частиц и связанные с ним явления, УФН, 1990, Т.160, вып.12. с.47-90.

153. J.U. Andersen, S.К. Andersen, W.M. Augustyniak, Channeling of electrons and positrons. Mat. Fys. Medd. Dan. Vid. Selsk., 1977, V.39, No. 10.

154. V. Holy', K.T. Gabrielyan, Dyson and Bethe-Salpeter equations for dinamical лг-ray diffraction in crystalswith randomly placed defects, phys. status solidi, 1987, V.140, No. 1, P.39-50.

155. В.И. Татарский, Распространение света в среде со случайными неоднородностями, ЖЭТФ, 1969, Т.56, в.6, с.2106-2117.

156. L.V. Hau. J.U. Andersen, Channeling radiation beyond the continuum model: The photon "Lamb shift" andhigher-order corrections, phys. rev., 1993, v.A47, no.5, p.4007-4032.

157. M. Kriechbaum, K.E. Ambrosch. E.J. Fanter, H. Clemens. G. Bauer, Electronic structure of PbTe/Pbi^xSn£Te superlattices, Phys. Rev., 1984, B30, No.6, p.3394-3405.

158. F. Jentzsch, E. Nähring, Die Fortleitung von Licht- und Röntgen durch Röhren, Z. Techn. Phys. 1931, v.12, pp. 185-189.

159. J.A. Leiy, T.W. Van Rijssel, X-ray collimator producing a beam of very small divergence and large intensity, Acta Crist., 1949, v.2, pp. 337-338.

160. P.B. Hirsch, J.N. Kellar, An X-ray micro-beam technique: I-Collimation, Proc. Phys. Soc., 1951, v.64, pp. 369-374.

161. P. Mallozzi, H.M. Epstein, R.G. Jung, D.C. Applebaum, B.P. Fairand, W.T. Gallagher, R.L. Uecker, M.C. Muckerheide, Laser-generated plasmas as a source of x-rays for medical applications, J. Appl. Phys., 1974, v.45, pp. 1891-1895.

162. D. Mosher, S.J. Stephanakis. X-ray light pipes. Appl. Phys. Lett., 1976. v.29, pp. 105-107.

163. A. Rindby, Application of fiber technique in the x-ray region, Nucl. Instr. and Meth. In Phys. Res., 1986, v.A249, pp. 536-540.

164. E.A. Stern, Z. Kaiman, A. Lewis, K. Lieberman, Simplemethod for focusing x rays using tapered capillaries,

165. Appl. Opt., 1988, v.27, pp. 5135-5139.

166. Y.P. Feng, S.K. Sinha, E.E. Fullerton, G. Gnibel,

167. D. Abemathy, D.P. Siddons. .J.B. Hastings, Fraunhofer diffraction patterns from a thin-film waveguide, Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, n.24, 3647-3649.

168. S. Lagomarsino, W. Jark, S.Di Fonzo, A. Cedola. B.R. Mueller, C. Riekel, P. Engström, Submicrometerx-ray beam production by thin film waveguide, J.appl. Phys., 1996, v.79, pp.4471-4473.

169. W. Jark, S.Di Fonzo, S. Lagomarsino, A. Cedola.

170. E.Di Fabrizio, A. Brahm, C. Riekel, Properties of a submicrometer x-ray beam at the exit of a waveguide, J. Appl. Phys., 1996, v.80, n.9, pp.4831-4836.

171. W. Jark, S.Di Fonzo, G. Soullie, A. Cedola,

172. S. Lagomarsino, Thin film x-ray waveguides: "condenser systems" for experimentswith x-ray beams of 0.1 ¡im dimensions, J. Alloys and Compounds, 1999, v.286, p.9-13.

173. W.T. Vetterling, R.V. Pound, Measurements on an X-ray light pipe at 5.9 and 14.4 keV, J.Opt.Soc.Amer., 1976, v.66, n.10, 1048-1049.

174. B.A. Аркадьев, А.И. Коломийцев, M.A. Кумахов, И.Ю. Пономарев, И.А. Ходеев, Ю.П. Чертов, И.М. Шахпаронов, Широкополосная рентгеновская оптика с большой угловой апертурой, УФН, 1989, т.157, n.3, с.529-537.

175. С. Riekel, Р. Engstrom, Diffraction and diffusescattering from materials with microfocused x-rays,

176. Nucl.Instr.Meth., 1995, v.B97, N.l-4, p.224-230.

177. S.A. Hoffman, D.J.Thiel, D.H.Bilderback, Developments in tapered monocapillary and policapillary glass xray concentrators. Nucl.Instr.Meth., 1994, v.A347, n. 13, 384-389.

178. A.A. Andronov, M.A. Leontovich, Zur Theorie der molekularen Lichtzerstreuung an Flüssigkeitsoberflächen. Z.Phys., 1926, B.38, N6/7, S.485-501.

179. J.C. Kimbell, D. Bittel, Surface roughness and thescattering of glancing-angle x-rays: application to xray lanses. J.Applied Physics. 1993. v.74. p.877.

180. М.Б. Виноградова, O.B. Руденко, А.П. Сухоруков, Теория волн, М.,"Наука", 1990.

181. С.А. Ахманов, Ю.Е. Дьяков, A.C. Чиркин, Введение в статистическую радиофизику и оптику. М.," Наука", 1981.

182. В.В. Быков, Цифровое моделирование в статистической радиотехнике.- М.:Сов. радио, 1971, 327с.

183. A.B. Виноградов, H.H. Зорев, И.В. Кожевников, И.Г. Якуш-кин, Об эффекте полного внешнего отражения рентгеновских лучей, ЖЭТФ, 1985, т.89, вып.6. с.2124-2132.

184. A.B. Виноградов, H.H. Зорев, И.В. Кожевников, С.И. Са-гитов, А.Г. Турьяновский, О рассеянии рентгеновского излучения слабошероховатыми поверхностями, ЖЭТФ, 1988, т.94, вып.8, с.203-216.

185. V.A. Arkadiev, A.A. Bzhaumikhov, X-ray focusing in capillary structures, Proc.SPIE, vol.2859, pp.131-139 (1996).

186. L. Vincze. K. Janssens. F. Adams. A. Rindby, Detailed ray-tracing code for capillary optics, X-ray Spectroscopy, 1995, v.24, p.27-37.

187. E.I. Denisov, V.I. Glebov, N.K. Zhevago, Focusing of X-rays using taped waveguides, NIM(A). 1991, v.308, NN1-2, P.400-404.

188. S.B. Dabagov, S.V. Nikitina, M.A. Kumakhov, N.S. Ibraimov, G.A. Vartaniants, A.N. Nikitin,

189. Spielberger, Focusing of x-rays by capillary system, NIM(B), 1995, v.103, N.l, p.99-105.

190. Q.E. Xiao, I.Yu. Ponomarev, A.I. Kolomitsev, D.M. Gibson, I.A. Dilmanian, Guiding hard X-rays with glass policapillary fiber, NIM(A), 1994, v.A347, p.397-400.

191. В.А. Бушуев, M.H. Оруджалиев, Тонкая структура рентгеновских пучков на выходе лентообразного волновода, Вестник МГУ, Сер.З. физика и астрономия, 1993, т.34, N3, с.46-52.

192. M.A. Piestrup, M.J. Moran, D.G. Boyers, C.I. Pincus, J.O. Kephart, R.A.Gearhart, X.K.Maruyama, Generationof hard x rays from transition radiation using high-density foils and moderate-energy electrons.- physical

193. Review A, 1991, V. 43, No.5, P.2387-2396.

194. M.A. Piestrup, M.J. Moran, Measurment of the .г-ray power from transition radiators.- Appl. Phys. Lett., 1990, V. 56, No. 15, P.1421-1423.

195. M.A. Piestrup, D.G. Boyers, C.I. Pincus, J.L. Harris, X.K. Maruyama, J.C. Bergstrom, H.S. Caplan, R.M. Silzer, D.M. Skorik, Quasimonochromatic .г-ray source using photoabsorption-edge transition radiation.- Physical Review A, 1991, V.43, No. 7.• . 223

196. R. Carr, Exotic sources of X-rays for iodine K-edge angiography, NIM(A), 1994, v.A347, NN1-3, p.510-514.

197. A.B. Тулупов, Теория спонтанного излучения релятивистских каналированных частиц в рентгеновском диапазоне, ЖЭТФ, 1981, т.81, в.5, с.1639-1648.

198. З.Г. Пинскер, Дифракция электронов, М.-Л., Издательство АН СССР, 1949, 404 с.

199. J.C.H. Spence. М. Kuwabara, Y. Kim, Localizationeffects on quantification in axial and planar alchemi,

200. Ultramicriscopy, 1988, v.26, pp.103-112.

201. F. Fujimoto, Investigation of electron channeling using high voltage electron microscopes. Nuclear Science Aplications, 1989, v.3, pp.207-243.

202. J.A. Fleck, Jr., J.R. Morris, M.D. Feit, Time-dependent propagation of high energy laser beams through the atmosphere. Applied Physics. 1976. v.10, n.2, pp.129-160.

203. П.А. Александров. Л.И. Огнев, Способ исследования приповерхностного слоя образца. Авторское свидетельство No.1589763, Заявка No.4630517, приоритет изобретения 2 января 1989 г.

204. Л.И. Огнев, Ориентационная зависимость выхода характеристического рентгеновского излучения при прохождении релятивистских электронов через кристалл, Препринт ИАЭ-4612/11, М. 1988. 9 с.

205. D. Cherns, A. Howie, М.Н. Jacobs, Characteristic X-ray production in thin crystals, Z. naturforschung, 1973, B.28A, n.5, ss.565-571.

206. C.JI. Дударев, M.И. Рязанов. Интерференционная ионизация атомов при дифракции электронов и фотонов в кристаллах, ФТТ. 1987, т.29, в.2, сс.612-614.

207. Л.Д. Ландау, И.М. Лифшиц, Квантовая механика, M.,"Физматгиз" , 1963, с.657.

208. G. Gergely, M. Menyhârd, A. Sulok, A. Jablonsky,

209. P. Mrozek, Determination of the meanfree path of electrons in solids from the elastic peak.ii.Experimental results, Acta Physica Hungarica, 1985, 57, n.1-2. pp.139-147.

210. Л. Фельдман, Д. Майер, Основы анализа поверхности и тонких пленок, Москва, "Мир"', 1989, 344.

211. W.F. Egelhoff, Jr., Role of multiple scattering inx-ray photoelectron spectroscopy and auger-electron diffraction in crystals. Phys. Rev. Lett., 1987, v.59, n.5, P.559.

212. B.B. Кораблев, В.В. Румянцев. В.И. Дубов, Ориентацион-ный эффект при эмиссии оже-электронов различных энергий из монокристаллов. ФТТ, 1983, т.25, N 12, с.3527.

213. В.К. Егоров, А.П. Зуев, Б.А. Малюков, Диагностика загрязнений поверхности кремниевых пластин методом РФА-ПВО, Изв. ВУЗов. Цветная металлургия, 1997, N 5, С.54-63.

214. P.J. Schi'ltz, L.R. Logan, Т.Е. Jackman, J.A. Davies, Channeling effects on positron transmission through thin crystals, Phys. Rev. В, 1988, v. 38, n. 10, p. 63696379.

215. P.J. Schultz, K.G. Lynn, Interaction of positron beams with surfaces, thin films and interfaces, Rev. Mod. Phys., 1988, v.60, n.3, p.701-779.

216. A. Weiss, R. Mayer, M. Jibaly, C. Lei, D. Mehl, K.G. Lynn, Auger-electron.emission resulting from the annihilation of core electrons with low-energy positrons, Phys. Rev. Lett;, 1988,-v,6r, n.19., p.2245-2248.

217. N.C. Bartelt, T.L. Einstein, E.D. Williams, Diffraction from stepped surfaces in thermal equilibrium, Surface Science, 1991, v.224, p.149-159.

218. E.D. Williams, Surface steps and surface morphology understanding microscopic phenomena from atomic observation, Surf. Sci., 1994, v.299/300, p.502-524.

219. M. Mourino, H. Lobl, R. Paulin, Profiles and absorption coefficients of positrons implanted in solids from radioactive sources, Phys. Lett., 1979, v.A71, n.I, p.106-108.

220. Ю.В. Мартыненко, научный ред., Пучки заряженных частиц и твердое тело (Итоги науки и техники), Т.З, 1990, ВИНИТИ, Москва, с.159.

221. А.Р. Мкртчан, M. А. Навасардян, Р. Г. Габриелян, JI.A. Ко-чарян, К.Г. Галоян, А.А. Асланян, Полное зеркальное отражение излучения ангстремных длин волн на ультразву• . 226ковой сверхрешетке в случае лауэ геометрии, письма в

222. ЖТФ, 1983, т. 9. в.10, C.1181-il84.

223. Ф.Н. Чуховский. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в упруго изогнутых кристаллах. II. Брэгг-дифракция (обзор), Металлофизика, 1981, т. 3, в. 5, с. 3 30.

224. Stat. Comm., 1985, v. 54, N 7. p. 573 579.

225. E.A. Tikhonova, Non-linear effects of the dinamicalscattering theory in slightly distorted crystals, phys.

226. Stat. Sol. (a), 1984, v. 81, N 1, p. 69 75.

227. S. takagi, a dinamical theory of diffraction for a distorted crystal, J. Phys. Soc. Japan, 1969, v. 26, N 5, p. 1239 1253.

228. H.P. Hanson, F. Herman, .J.D. Lea, S. Skillman, HFS atomic scattering factors, acta cryst., 1964, v. 17, n 8, p. 1040 1044.

229. International tables for X-ray crystallography. Birmingham. England. Kynoch press, 1969, v. 1. 558 p.

230. Э. Стром, X. Исраэль, Сечения взаимодействия гамма-излучения (для энергий 0.001 100 МэВ и элементов с 1 по 100). Справочник. М.: Атомиздат, 1973. 256 с.

231. T.A. Bobrova, L.I. Ognev, Efficiency of generation of 33kev channeling radiation photons with silicon, diamond and beryllium single crystals. preprint IAE-5595/11, m., 1992. P.13.

232. A. Kawasuso, S. Okada, A. Ichimiya, Developmentand application of reflection high-energy positron diffraction, NIM, 2000, v.B171, p.219-230.

233. E. Spiller, A. Segmüller, Propagation of x-rays in waveguides, Appl. Phys. Letters, 1974, v.24, n.2, p.60-61.

234. T.A. Боброва, Л.И. Огнев, Влияние эффекта периодического изгиба на волновое каналированйе рентгеновских пучков, Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып.23, с.1-4.

235. Л.И. Огнев, Об эффекте "сверхколлимации" рентгеновского излучения в узкой шероховатой щели, Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып.2, с.47-52.

236. М.А.Леонтович, Об одном методе решения задач о распространении электромагнитных волн вдоль поверхности земли, Изв. АН СССР, Сер. физ., 1944, т.8, N.1, с.16-22.