Дислокационная структура напряженных полупроводниковых гетеросистем пленка - подложка тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Винтовая составляющая дислокаций несоответствия и структурное состояние гетероэпитаксиальных пленок.

1.1. Винтовая дислокационная составляющая и проблема управления процессом снятия напряжений несоответствия (обзор литературы).

1.2. Энергия семейства одноименных дислокаций несоответствия

1.2.1. Компенсация напряжений несоответствия в случае семейства чисто краевых ДН.

1.2.2. Далънодействующие сдвиговые напряжения, создаваемые семейством одноименных смешанных ДН.

1.3. Влияние дальнодействующих сдвиговых напряжений на структуру эпитаксиальной пленки.

1.3.1. Возникновение фрагментарной структуры как вариант пластической релаксации дальнодействующих сдвиговых напряжений.

1.3.2. Образование трещин как вариант хрупкой релаксации сжимающе-растягивающих напряжений пленки.

Выводы.

Глава 2. Анализ процесса пластической релаксации эпитаксиальных гетеросистем.

2.1. Обсуждение постулатов, используемых при изучении введения дислокаций несоответствия, и постулатов предлагаемой модели (критический анализ и обзор литературы).

2.2. Изменение упругой энергии гетеросистемы при введении краевых дислокаций несоответствия.

2.2.1. Случай гетеросистемы, содержащей два бесконечно толстых слоя.

2.2.2. Протекание процесса релаксации в кристаллической системе пленка - полубесконечная подложка.

2.3. Сравнительный анализ различных стадий процесса релаксации в рамках классической теории и по предлагаемой модели.

Выводы.

Глава 3. Распространение классической модели введения ДН на процессы пластической релаксации подложек.

3.1. Пластическая релаксация полупроводниковых подложек обзор литературы).

3.2. Определение критической толщины сплошной пленки при формировании ДН дислокациями подложки.

3.3. Два основных типа дислокационной структуры подложек {Ь-дислокации и ¿-дислокации).

3.4. Определение критической толщины полосок пленки, разделенных полосками подложки.

3.5. Изменение формы Ъ- и ¿-дислокаций в результате дислокационных реакций.

Выводы.

Глава 4. Определение критических условий для образования дислокаций несоответствия из анализа формы неустойчивых и стабильных конфигураций.

4.1. Получение основных выражений.

4.2. Образование дислокационных конфигураций в гетеросистеме со сплошной пленкой.

4.2.1. Образование ДН дислокационными конфигурациями пленки.

4.2.2. Образование ДН дислокационными конфигурациями подложки.

4.3. Критические условия для образования дислокаций вблизи одиночного края пленки.

4.3.1. Критические толщины для введения дислокаций в рамках аналитической модели.

4.3.2. Сравнение результатов аналитической модели и термоупругой задачи.

4.4. Влияние формы и размера островков пленки на начало пластической деформации подложек.

4.4.1. Два типа равновесных дислокационных петель в подложке под островками пленки.

1. Критические толщины пленки в случае островков ограниченного размера.

2. Равновесные дислокационные петли в подложке под круглым островком пленки.

4.4.2. Зависимость критической толщины пленки от размера островков.

1. Зависимость величины hc от диаметра круглых островков.

2. Сравнение значений hc для круглых островков и полосок пленки.

4.4.3. Экспериментальное исследование дислокационной структуры подложек под островками пленки.

1. Дислокации под островками круглой формы.

2. Сравнение критических толщин круглых островков пленки и отдельных полосок. Дислокации под группами полосок.

4.5. Особенности формы стабильных дислокационных конфигураций под полосками пленки и определение уровня механических напряжений.

4.5.1. Особенности формы вблизи линий ц = 0 и линий ц = цмакс'.

4.5.2. Определение механических напряжений из анализа формы стабильных дислокационных конфигураций.

Выводы.

Глава 5. Протекание пластической релаксации при введении семейств 60 дислокаций несоответствия в границу раздела (001).

5.1. Образование неподвижных пронизывающих дислокаций как результат взаимодействия подвижных дислокационных участков.

5.2. Снятие напряжений несоответствия при образовании Гобразных ДН.

5.2.1. Возникновение Г-образных дислокаций несоответствия на начальной стадии процесса релаксации.

5.2.2. Протекание процесса релаксации при накапливании Гобразных дислокаций несоответствия в границе раздела.

5.3. Критическая толщина пленки при введении ДН в вицинальные границы раздела (001).

5.4. Особенности возникновения пронизывающих дислокаций при образовании дислокаций несоответствия различными механизмами.

Выводы.

Глава 6. Развитие методических возможностей дифракционной и интерференционной рентгеновской топографии для изучения эпитаксиальных слоев.

6.1. Рентгенотопографическое определение искажений объемных кристаллов и сверхрешеток.

6.1.1. Особенности поведения отражающих контуров при топографии объемных кристаллов.

6.1.2. Определение искажений сверхрешетки из анализа поведения отражающих контуров. 1. Влияние искажений сверхрешетки на поведение отражающих контуров.

2. Обработка экспериментальных данных с помощью матриц отражающих контуров.

В настоящее время развитие технологии эпитаксии в значительной мере определяется уровнем понимания процессов пластической релаксации напряжений несоответствия. Такие проблемы, как перенос компонентов к поверхности подложки, хемосорбция на данной поверхности атомов пленки, управление механизмами двумерного роста псевдоморфного слоя в настоящий момент являются существенно более разработанными по сравнению с проблемой снятия напряжений несоответствия в растущем эпитаксиальном слое. Задача управления типом дислокаций несоответствия (ДН) при гетероэпитаксии впервые была сформулирована в 1980 г. С.И. Стениным. В работах, выполненных под его руководством, были рассчитаны и экспериментально подтверждены условия управляемого перехода от частичных дислокаций несоответствия к полным. Было показано, что управление типом ДН тем проблематичней, чем выше параметр несоответствия f (относительная разность постоянных кристаллических решеток сопрягаемых слоев). Благодаря переходу от сингулярной ориентации границы раздела (111) к вицинальным была продемонстрирована возможность выращивания эпитаксиальных пленок, имеющих величину f около 1%, без дефектов упаковки. В настоящее время основными дефектами, на устранение которых направлены попытки управления процессом снятия напряжений несоответствия, являются пронизывающие дислокации (ПД). Природа их образования тщательно изучается в мировой литературе. Появление данных дефектов в значительной мере определяется количеством вводимых дислокационных семейств. Поэтому предпринимаются исследования по их отфильтровыванию.

Тем не менее, несмотря на активные теоретические и экспериментальные исследования данной проблемы, в настоящее время пленки, выращиваемые на подложках удовлетворительного структурного качества, неизбежно оказываются более дефектными, чем подложки, если величина Г составляет 1% или более. Это, в частности, тормозит развитие такой отрасли технологии, как получение высокосовершенных объемных кристаллов различных полупроводниковых соединений с применением эпитаксии. Данная технология может быть развита на основе бездефектного слиточного кремния с диаметром подложек достигающим нескольких дециметров. В ряде случаев присутствие ПД не позволяет экспериментально зарегистрировать на современных структурах полупроводниковой электроники теоретически предсказываемые электронные и оптические свойства.

Решение проблемы управления типом вводимых ДН невозможно без знания основополагающих свойств данных дефектов. Известно, что дислокации бывают лево- и правовинтовыми и тип винтовой составляющей является фундаментальным свойством дислокации. Однако его влияние на пластическую релаксацию напряжений несоответствия в литературе не изучено. До появления работ, выполненных диссертантом, (начало 80-х годов) в литературе также отсутствовали исследования пластической релаксации подложек на основе анализа равновесных дислокационных конфигураций в неоднородных полях напряжений. Перспективность такого способа снятия напряжений несоответствия связана с тем, что образование пронизывающих дислокаций происходит в подложках и структурное состояния пленок в процессе релаксации не ухудшается.

Целью диссертационной работы является раскрытие фундаментальных свойств отдельных дислокаций и их скоплений в полупроводниковых гетеросистемах при релаксации механических напряжений несоответствия. Для достижения этой цели в диссертации решались следующие основные проблемы:

• определение влияния винтовой составляющей дислокаций несоответствия на энергию гетеросистемы, на состояние кристаллической структуры эпитаксиальной пленки, а также на изменение поля механических напряжений при релаксации;

• выявление особенностей формы неустойчивых и стабильных дислокационных конфигураций в неоднородных полях механических напряжений полупроводниковой подложки.

Научная новизна работы

В диссертации впервые сформулированы и решены следующие фундаментальные и прикладные задачи.

1. Определено влияние типа винтовой составляющей ДН на образований дальнодействующих сдвиговых напряжений в растущей эпитаксиальной пленке.

2. Объяснено образование пронизывающих дислокаций в результате релаксации дальнодействующих сдвиговых напряжений.

3. В рамках моделей физики дислокаций несоответствия определены критические толщины пленки, при которых начинается пластическая релаксация подложек под сплошными и островковыми пленками.

4. Описаны формы неустойчивых и стабильных дислокационных конфигураций, которые возникают в неоднородных полях сдвиговых напряжений.

5. На основе анализа формы неустойчивых и стабильных дислокационных образований определены критических условия, при которых начинается формирование дислокационной структуры подложек.

6. Установлена зависимость критической толщины несплошной пленки от формы и размера островков.

7. Для полупроводниковых гетеросистемам, содержащим эпитаксиальную пленку, разработан и применен метод рентгеновской муаровой интерферометрии.

Научная и практическая значимость работы

Изучение влияния винтовой дислокационной составляющей на энергию гетеросистемы позволило предсказать существование новых структурных состояний пленки. Благодаря этому удалось объяснить природу ранее экспериментально зарегистрированных явлений. В диссертации показано, что тип винтовой составляющей ДН существенно влияет на протекание пластической релаксации напряжений несоответствия и является одной из причин образования пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных слоях. Для облегчения взаимной аннигиляции данных дислокаций в мировой литературе рассматривается использование модифицированных дислокационных источников Франка - Рида, поскольку они генерируют два семейства пересекающихся ДН, которые имеют один и тот же вектор Бюргерса. В диссертации установлено, что активизация данных источников способствует уменьшению плотности пронизывающих дислокаций только на начальной стадии релаксации. В дальнейшем из-за возникновения дальнодействующих сдвиговых напряжений структура растущей пленки ухудшается. Анализ неустойчивых и стабильных дислокационных конфигураций, представленный в диссертации, позволяет определить условия начала пластической релаксации подложек. Практический интерес к такому варианту процесса снятия напряжений несоответствия связан с тем, что образование пронизывающих дислокаций происходит не в пленках, а в подложках.

Диссертация представляет исследования преимущественно фундаментального характера, которые имеют непосредственное значение при решении технологических задач эпитаксии.

Положения, выносимые на защиту:

1. При наличии семейства дислокаций несоответствия, имеющих винтовую составляющую вектора Бюргерса, в эпитаксиальной пленке возникает поле сдвиговых (или сжимающе - растягивающих) дальнодействующих напряжений. Данное поле не компенсирует напряжения несоответствия и его энергия является избыточной.

2. Релаксация поля дальнодействующих сдвиговых напряжений в эпитаксиальной пленке осуществляется следующими механизмами: образование пронизывающих дислокаций, возникновение фрагментарной структуры и образование непрямолинейных трещин.

3. При снятии напряжений несоответствия за счет пластического течения подложки возможны два типа дислокационных конфигураций, соответствующие двум критическим толщинам сплошной пленки ЬС1 и ЪС2, значения которых отличаются в несколько раз.

4. При толщине прямолинейных полос пленки Ь, которая меньше критической Ис, стабильные конфигурации дислокаций подложки являются криволинейными, а при Ь > 11с - прямолинейными. При Ь = Ьс неустойчивые и стабильные дислокационные конфигурации имеют общую предельную форму.

5. Если плоскость скольжения дислокаций параллельна границе раздела, то при снятии напряжений несоответствия в подложке под круглым островком пленки возникают неустойчивая и стабильная дислокационные петли, имеющие одинаковый вектор Бюргерса. При уменьшении толщины пленки формы данных петель сближаются, сливаясь при Ь = Ьсм, которая является критической толщиной для образования метастабильных дислокаций.

6. Методической основой рентгенотопографического определения искажений кристаллической решетки в высокосовершенных эпитаксиальных слоях является применение пленочного рентгеновского интерферометра для однородных слоев и матриц отражающих контуров для сверхрешеток.

Краткое содержание работы

Во введении к данной работе дана общая характеристика диссертации, обоснована актуальность ее темы, определены цель и научная новизна, сформулированы основные научные положения, выносимые на защиту.

В первой главе рассмотрено влияние винтовой составляющей дислокаций несоответствия на энергию и структуру полупроводниковой гетеросистемы. В рамках известных в мировой литературе представлений энергия гетеросистемы, с границей раздела (001), содержащей предельную плотность 60° дислокаций несоответствия не более, чем в 2 раза превышает энергию гетеросистемы с чисто краевыми ДН. В диссертации показано, что возможны такие сочетания винтовых составляющих семейств 60° ДН, когда отношение данных величин станет теоретически как угодно большим. Как показано в диссертации, это обусловлено возникновением дальнодействующих сдвиговых напряжений в эпитаксиальной пленке. У гетеросистем с кристаллической решеткой типа алмаза или сфалерита возможны такие сочетания взаимно перпендикулярных семейств 60° ДН, когда накопленная упругая энергия выходит на насыщение, а возможны и такие, когда она линейно возрастает с увеличением толщины пленки h. В последнем случае включаются механизмы релаксации дальнодействующих сдвиговых напряжений. Это может быть хрупкая релаксация - возникновение трещин, которые снимают растягивающую компоненту поля напряжений. При более высоких температурах возможна замена уже введенных ДН на дислокации с противоположным типом винтовой составляющей, что приводит к образованию фрагментарной структуры. Такая структура экспериментально наблюдалась для эпитаксиальных систем Ge/Si, PbS/PbSe, InP/GalnAs и др. Наиболее распространенным вариантом пластической релаксации дальнодействующих сдвиговых напряжений является слабо выраженный аналог фрагментарной структуры, когда границы фрагментов значительно размыты. В результате этого плотность неподвижных пронизывающих дислокаций оказывается неоднородно распределенной по площади гетеросистемы. Выполненный в главе анализ позволяет объяснить природу ранее известных в литературе экспериментальных данных.

Во второй главе выполнен анализ постулатов используемых для ряда моделей физики дислокаций несоответствия. В энергетическом варианте классической модели (модели Мэтьюза) энергия гетеросистемы определяется как сумма энергий отдельных дислокаций и энергия упругих остаточных деформаций эпитаксиальной пленки. В диссертации показано, что это не соответствует требованиям теории упругости, в результате чего такой важный эффект, как влияние винтовой составляющей дислокаций несоответствия на энергию гетеросистемы не оказался учтенным. В диссертации также показано, что в рамках силового варианта классической модели можно корректно определять критическую толщину пленки hc, когда становится энергетически выгодным введение первых ДН. Однако при описании всего процесса релаксации в рамках силовой модели возникают неточности. Их причина состоит в представлении деформационного состояния пленки в виде поля однородных остаточных деформаций в0Ст. Показано, что такое представление приемлемо лишь в случаях, когда 80СХ = f (введение первых ДН) и когда вост —» О (завершающая стадия процесса). В диссертации выполнен расчет релаксационного процесса, который протекает при образовании краевых ДН. Для определения величины Егс тензор упругих напряжений, вызванных присутствием ДН, суммируется с тензором напряжений исходной псевдоморфной пленки. Сопрягаемые компоненты гетеросистемы принимаются изотропными и имеющими близкие значения упругих постоянных. Для определения предельной накопленной упругой энергии гетеросистемы в случае полностью завершенного процесса релаксации (когда плотность ДН максимальна), толщины сопрягаемых слоев гетеросистемы принимаются равными со. Для определения энергии гетеросистемы Егс в процессе релаксации (т.е. по мере увеличения плотности ДН) в качестве дополнительного допущения на гетеросистему накладывается поле напряжений дислокаций изображения. Корректность этого дополнительного допущения в диссертации специально обсуждается. Процедура вычисления Егс основана на сравнении энергий, рассчитанных для семейств ДН различной плотности. Для заданной толщины пленки вычисляется набор энергий гетеросистемы, соответствующих различным расстояниям d между соседними дислокациями. Оптимальной принимается плотность дислокаций, соответствующая минимальной энергии. Использование условия минимума энергии означает, что протекание процесса пластической релаксации предполагается квазиравновесным. В современных теоретических моделях такой подход нашел применение.

Продемонстрированная в диссертации возможность корректного определения hc в рамках силового варианта классической модели послужила основанием для исследования критических условий пластической релаксации подложек с привлечением данной модели. Это выполнено в главе 3 диссертации. Экспериментальные результаты получены при использовании гетеросистем, содержащих подложки Si или Ge и аморфные пленки Si02 или Si3N4. Такие системы являются модельными для изучения процессов пластической релаксации подложек, поскольку в пленках в принципе не возникают дислокации. Дислокационная структура подложек расклассифицирована на два основных вида в соответствии с природой их образования. Это так называемые ¿-дислокации, появление которых связано с изгибом гетеросистемы в целом, и е-дислокации, возникающие вблизи краев пленки. "Ь" соответствует слову "bend", а "е" — слову "edge". Показано, что в подложках, покрытых сплошными пленками, возникают 2 типа ¿-дислокаций, один из которых содержит, а второй не содержит прямолинейные участки в нейтральной (ненапряженной) поверхности подложки. Им соответствуют 2 критические толщины пленки. С помощью рентгеновской топографии обнаружены оба типа данных дислокаций. В рамках силовой модели определена критическая толщина пленки для образования е-дислокаций в плоскостях скольжения, параллельных границе раздела. Установлено, что в случае прямолинейных полос пленки, разделенных полосами открытой подложки, при h = hc происходит формирование прямолинейных дислокационных участков вблизи осевых линий полос.

Экспериментально исследована эволюция дислокационной структуры подложек в результате реакций. Реакции между е-дислокациями протекают с участием поперечного скольжения и переползания. Реакции между Ъ- и е-дислокациями способствуют переброске е-дислокаций на соседние островки пленки. Если е-дислокации возникают в гетеросистеме со сплошной пленкой вблизи края образца, то в результате реакции между Ъ- и е-дислокациями возможно образование Ломеровских ДН. Это означает возможность превращения 60° ДН в краевые по механизму скольжения. Зарегистрировано образование Г-образных дислокаций как результат реакции между Ъ-дислокациями, имеющими одинаковый вектор Бюргерса, но скользящими в пересекающихся плоскостях.

В главе 4 изучена форма неустойчивых и стабильных дислокационных конфигураций, возникающих в неоднородных полях механических напряжений подложки. Для распространенных в технологических структурах случаев, когда распределение поля сдвиговых напряжений в плоскости скольжения является функцией одной переменной, получено выражение, описывающее форму данных конфигураций. Основными допущениями, использованными при его выводе является пренебрежение барьерами Пайерлса и принятие энергии дислокации единичной длины не зависящей от кривизны дислокации и глубины ее залегания. На основе данного выражения определены критические условия формирования дислокационной структуры подложек со сплошными и островковыми пленками.

В случае гетеросистемы с однородной сплошной пленкой преимущественным местом образования дислокаций является край образца. Показано, что это связано с уменьшением величины энергетических барьеров для образования неустойчивых конфигураций. Значение энергии в точке максимума соответствует критической (или неустойчивой) петле. В неоднородных полях напряжений зависимость ЕГс от размера дислокационной петли может иметь также минимум, положение которого соответствует форме стабильной или метастабильной петли. Для островков пленки круглой и прямоугольной формы рассмотрена зависимость Ьс от формы и размера островков. Показано, что с уменьшением их размера Ьс увеличивается. Для случая одиночного прямолинейного края пленки рассмотрена зависимость Ьс((3), где (3 - угол между плоскостью скольжения и границей раздела. Данная зависимость определена в рамках двух моделей. Первой является активно используемая в литературе приближенная аналитическая модель, в которой действие края пленки приравнивается линейно распределенной вдоль края силе. Вторая модель - использование результатов численного решения термоупругой задачи. Для плоскостей скольжения, пересекающих поверхность подложки вблизи края пленки, полученные зависимости удовлетворительно согласуются.

В главе 5 рассмотрено влияние винтовой составляющей ДН на протекание релаксационного процесса. Процедура вычисления сре аналогична рассмотренной в главе 3, но использовались 2 семейства взаимно перпендикулярных 60° ДН. Показано, что в гетероструктурах с кристаллической решеткой типа алмаза или сфалерита, которые имеют границу раздела (001) и величину параметра несоответствия порядка 1% и более, полное снятие напряжений несоответствия за счет введения двух взаимно перпендикулярных семейств возможно лишь в случае одинаковых типов их винтовых составляющих. Оба семейства должны быть правовинтовыми или левовинтовыми. В противном случае процесс релаксации существенно замедляется, а величина энергии возрастает. Установлено, что взаимно перпендикулярные участки Г-образных ДН имеют противоположные типы винтовых составляющих. Поэтому данные дислокации не могут эффективно снимать напряжения несоответствия на протяжении всего процесса релаксации. Тем не менее на начальной стадии их введение способствует взаимной аннигиляции пронизывающих дислокаций. Показано, что в гетеросистемах с вицинальными границами раздела (001) влияние типа винтовой составляющей ДН на квазиравновесное протекание процесса релаксации проявляется в том, что ориентациям, полученным поворотами вокруг направлений типа <110>, соответствует максимальная вероятность образования неподвижных ПД, а для ориентациям, полученных поворотами вокруг направлений типа <100>, -минимальная.

Протекание процесса снятия напряжений несоответствия в значительной мере определяется особенностями структуры пленки, находящейся в псевдоморфном состоянии, когда происходит накапливание энергии данных напряжений. В главе 6 представлены разработки новых рентгеновских методик регистрации и измерения искажений кристаллической решетки псевдоморфной пленки. Предложена методика определения дилатационных и ориентационных искажений полупроводниковой структуры на основе анализа поведения отражающих контуров, наблюдаемых на рентгеновских топограммах. На основе рентгеновских топограмм, полученных в рефлексе подложки и в различных сателлитах, предложена методика построения матриц отражающих контуров, позволяющая получать количественные данные об искажениях полупроводниковых сверхрешеток. Впервые получен эпитаксиальный пленочный рентгеновский интерферометр, который позволяет с чувствительностью до одного ангстрема измерять прогиб атомных плоскостей пленки, параллельных границе раздела. Наблюдаемая картина представляет собой хорошо известную рентгеновскую топограмму, дополненную системой интерференционных полос. Размер исследуемой области в плоскости границы раздела составляет десятки микрометров - сантиметры. В результате регистрируется изменение угла наклона отражающих атомных плоскостей в пределах от 0.002 до 2 угл. сек. Предлагается вариант использования гетероструктуры 81/ пористый Б! / эпитаксиальный 81 со свойствами рентгеновского интерферометра в качестве космической мишени для изучения взаимодействия микрочастиц и наночастиц с хрупким материалом с целью анализа физических моделей строения и состава метеоритов естественного происхождения.

В заключение сформулированы основные результаты диссертационной работы. Обсуждаются основные задачи дальнейших возможных исследований в рамках разработанного в диссертации научного направления.

Основные результаты работы

1. Установлено влияние винтовой составляющей дислокаций несоответствия на энергию гетеросистемы и образование дефектов ее кристаллической решетки. Получены следующие результаты.

- Семейство идентичных дислокаций несоответствия, содержащих винтовую компоненту, формирует в пленке дальнодействующие сдвиговые напряжения, которые не компенсируют поля напряжений псевдоморфной пленки. В случае двух взаимно перпендикулярных семейств ДН, имеющих одинаковую по модулю величину винтовой составляющей вектора Бюргерса, дальнодействующие сдвиговые напряжения либо удваиваются, либо обращаются в нуль в зависимости от знаков винтовых составляющих.

- Релаксация дальнодействующих сдвиговых напряжений, обусловленных винтовой составляющей ДН, сопровождается образованием в гетероэпитаксиальной пленке пронизывающих дислокаций, фрагментарной структуры, а также трещин, которым свойственно изменение направление их распространения. Основными механизмами образования пронизывающих дислокаций при пластической релаксации ДСН являются следующие: (1) замена уже введенных ДН на дислокации с противоположным типом винтовой составляющей и (2) увеличение числа вводимых дислокационных семейств непосредственно при релаксации напряжений несоответствия.

- Установлено, что учет типа винтовой дислокационной составляющей является важным условием, обеспечивающим возможность получения ненапряженных эпитаксиальных слоев с пониженной плотностью пронизывающих дислокаций. При введении в границу раздела (001) двух взаимно перпендикулярных семейств 60° ДН необходимо, чтобы данные семейства имели одинаковые типы винтовых составляющих.

- Показано, что при работе дислокационных источников Хейгена-Шранка и обобщенных источников Франка-Рида в границу раздела (001) вводятся взаимно перпендикулярные семейсва Г-образных дислокаций несоответствия, которые имеют одинаковый вектор Бюргерса, но противоположные типы винтовых составляющих. Поэтому работа данных источников способствует получению высокосовершенной эпитаксиальной пленки только для начальной стадии процесса релаксации (в случае гетеросистемы Sio.75Geo.25 при 80СТ ^ 0-8/).

2. Классическая силовая модель образования дислокаций несоответствия распространена на процессы пластической релаксации подложек полупроводниковых гетеросистем. Определены критические толщины пленок 11с, при которых начинается формирование дислокационной структуры подложек. Получены следующие результаты.

- Для гетеросистем со сплошной пленкой объяснены два типа дислокационных конфигураций, которым соответствуют две критические толщины пленки Ьс(1) и Ьс(2), отличающиеся в несколько раз. Установлена зависимость Ьс от параметров гетеросистемы. С помощью рентгеновской топографии экспериментально обнаружены оба типа дислокационных конфигураций.

- Для гетеросистем, содержащих полосы пленки, которые разделены полосами открытой подложки, проанализировано формирование дислокационных петель, содержащих прямолинейные участки вдоль осевых линий полос. Критическая толщина их образования находится в согласии с экспериментальными данными.

3. Изучены условия образования неустойчивых и стабильных дислокационных конфигураций, что позволило получить следующие результаты.

- Определена форма петель, которые возникают в подложке под круглыми островками пленки в плоскостях скольжения, параллельных границе раздела. Показано, что с увеличением диаметра островка О критическая толщина пленки для возникновения метастабильных и стабильных петель уменьшается. Теоретически и экспериментально показано, что данный размерный эффект имеет место при Э < 100 мкм. При уменьшении Б до 3 мкм значения Ьс возрастают в 5 раз.

Установлена функциональная взаимосвязь между распределением сдвиговых напряжений в плоскости скольжения ть(х) и формой неустойчивых и стабильных дислокационных конфигураций у(х), расположенных в подложке. Показано, что криволинейные неустойчивые конфигурации трансформируются в прямолинейные дислокации вдоль линий нулевых сдвиговых напряжений ть = 0, а стабильные дислокационные участки пересекают данные линии под углом, величина которого функционально связана с критической толщиной пленки. Для гетеросистем, содержащих одиночный прямолинейный край пленки, в рамках аналитической модели и на основе данных численного решения термоупругой задачи получена зависимость критической толщины пленки Ьс от угла залегания плоскости скольжения а. Показано, что среди гетеросистем, имеющих сингулярную границу раздела, системе (001), имеющей а = 54.7°, соответствует максимальная величина Ьс. Получено согласие экспериментальных и расчетных данных.

4. Для исследования псевдоморфного состояния эпитаксиальной пленки с использованием рентгеновского и синхротронного излучения выполнены следующие методические разработки.

- На основании анализа поведения отражающих контуров, регистрируемых на рентгеновских топограммах, разработан метод наблюдения и измерения искажений кристаллической решетки. Данный метод применим для изучения структуры объемных кристаллов и сверхрешеток.

- Изготовлен эпитаксиальный пленочный рентгеновский интерферометр, который позволяет с чувствительностью до одного ангстрема измерять прогиб кристаллографических плоскостей пленки, параллельных границе раздела. С его использованием регистрируется изменение угла наклона атомных плоскостей в пределах от 0.002 до 2 угл. сек для участков гетероструктуры с размером в плоскости границы раздела десятки микрометров - сантиметры.

Выполненная работа вносит вклад в развитие научного направления "Дислокационная структура полупроводниковых гетеросистем". Основные задачи дальнейших исследований в рамках развитых в диссертации подходов можно сформировать так. Это разработка технологических схем управления процессом пластической релаксации эпитаксиальной пленки с целью устранения пронизывающих дислокаций. Как показано в диссертации, значительная доля данных дислокаций возникает при неконтролируемой компенсации дальнодействующих сдвиговых напряжений дислокационных семейств, имеющих винтовую составляющую. При использовании наиболее распространенных в технологической практике полупроводниковых гетеросистем с границами раздела (001) возможным вариантом управляемой компенсации является введение двух взаимно перпендикулярных семейств 60° дислокаций несоответствия с одинаковыми типами винтовых составляющих. В случае генерации данных дислокаций на боковой поверхности растущей пленки (края образца или края мез) технологически целесообразна разработка такого профиля края, при котором два перпендикулярные семейства либо с левовинтовой либо с правовинтовой дислокационной составляющей имеют минимальные энергетические барьеры. При генерации данных дислокаций на свободной поверхности растущей пленки или на границе раздела целесообразна разработка такого атомного рельефа данных поверхностей в условиях сверхвысокого вакуума, когда будут сформированы дислокационные источники в виде линейных неоднородностей данных поверхностей (атомные ступени, границы доменов поверхностных фаз, края фасеток), которым будут соответствовать минимальные энергетические барьеры при генерации требуемых дислокационных семейств.

Личный вклад автора и благодарности

Личный вклад автора в диссертационную работу определяется общей формулировкой и обоснованием цели и задач исследований, выбором методов их решения. Совместно с научным консультантом проф. О.П. Пчеляковым были уточнены цели работы, установлены взаимосвязи различных задач, а также выполнен анализ корректности методических возможностей. Совокупность научных результатов, представленных в главах 1, 2 и 4 - 6 выполнены при непосредственном участии автора и под его руководством.

Материалы, представленные в гл. 3 получены под руководством [Стенина С.И.

Лично автором получены следующее основные результаты. 1) Показано возникновение дальнодействующих сдвиговых напряжений в эпитаксиальной пленке и их отсутствие в подложке [201], [202]. Данные результаты были положены в основу первой и пятой глав. 2) Выполнен критический анализ постулатов классической модели введения дислокаций несоответствия [205], что явилось фундаментом второй главы. 3) Установлена функциональная взаимосвязь между распределением сдвиговых напряжений в плоскости скольжения хъ(х) и формой неустойчивых и стабильных дислокационных конфигураций у(х), расположенных в подложке [214, 221], что явилось основой главы 4. Подавляющее большинство публикаций по теме диссертации были написаны лично автором с последующим уточнением текста в результате дискуссий с соавторами.

Анализ явления пластической релаксации при введении двух перпендикулярных семейств 60° дислокаций несоответствия и влияние винтовой составляющей ДН на структурное состояние эпитаксиальной пленки исследованы в рамках работы соискателя A.B. Колесникова. Развитие интерференционной рентгеновской топографии для изучения эпитаксиальных слоев выполнены в рамках работы соискателей A.A. Федорова и А.П. Василенко.

Модернизация отечественного гониометрического устройства УРДТ для получения двухкристальных рентгеновских топограмм на отражение выполнена Ивановым И.С. В дальнейшем с помощью данной приставки были получены интерференционные топограммы. Их интерпретация как картины трансляционного муара выполнена A.A. Федоровым. Электронно-микроскопические снимки получены Гутаковским А.К. (на прохождение) и А.

Плотниковым (в растровом режиме на отражение). Анализ геометрической структуры микрократеров выполнен Сильвестровым В.В.

Постановка и проведение исследований, результатом которых стала данная работа, стали возможными благодаря неоценимой поддержке со стороны |Стенина С.И.| Значительна роль дискуссий с [Зилингом К.К.

Свою искреннюю признательность автор выражает О.П. Пчелякову и Л.Г. Лаврентьевой, без поддержки которых диссертация вряд ли была бы доведена до завершенного варианта.

Особую благодарность за плодотворные дискуссии по теме работы автор выражает Л.В. Соколову. По-видимому, наиболее приятным долгом является выражение признательности моим многочисленным соавторам, без взаимодействия с которыми отсутствовало бы большинство результатов. Автор выражает признательность Колесникову A.B., Василенко А.П., Федорову A.A., Ревенко М.А., Носкову А.Г., Горохову Е.Б., Фрицлер К.Б., Болховитянову Ю.Б, Амиржанову P.M., Сидорову Ю.Г., Василеву И., Ботеву П., Гутаковскому А.К., П.А., Кириенко В.В., Романову С.И., Номероцкому Н.В., Пинтусу С.М.,., Торопову А.И., Никитенко С.Г., Кочанову С.А., Бабенковой С.Л., Тришункину В.Ф., А.И. Никифорову, Грачеву К.В., Любасу Г.А., Атучину В.В.

За редакционную и техническую помощь в подготовке рукописи автор благодарит О.П. Пчелякова, А.П. Василенко, A.B. Колесникова и O.A. Мыльникову.

291

1. Frank F.C., Van der Merwe J.H. One-dimensional dislocations. 1. Misfitting Monolayers and Oriented Overgrowth. Proc. Roy. Soc., Ser. A, 1949, v. 98, № 1053, p. 216-225

2. Ван-дер-Мерве Дж. X. Несоответствие кристаллических решеток и связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложками. В кн.: Монокристаллические пленки. М.: Мир, 1966, с. 172-201

3. Ball С.А.В., Van der Merwe J.H. On bonding and structure of epitaxial bicrystals. Phys. Stat. Sol., 1970, v.38, № 1, p. 335-344

4. Ball C.A.B. On bonding and structure of epitaxial bicrystals. Phys. Stat. Sol., 1970, v. 42, № i,p. 357-368

5. Van der Merwe J. H., Ball C.A.B. Energy of interfaces between crystals. In: Epitaial growth. N.Y., Acad, press, 1975, p. 493-528

6. Delavignette P., Tourier J., Amelinkz S. Direct observation of dislocations due to epitaxy. Phil. Mag., 1961, v.6, № 71, p.1419-1424

7. Matthews J. W. The observation of dislocations to accommodate the misfit between crystals with different lattice parameters. Phil. Mag., 1961, v.6, № 71, p. 1347-1349

8. Jesser W.A., Matthews J. W. Evidence for Pseudomorphic growth of iron on copper. Phil. Mag., 1967, v,15,№ 138, p. 1097-1106

9. Matthews J.W., Blakeslee A.E.J., Mader S. Use of misfit strain to remove dislocations from epitaxial thin film. Thin Solid Films, 1976, v. 33, p. 253-266

10. Устинов В. M., Горелик С. С., Захаров Б. Г., Лебедев В.В., Игумнов В.Т. Напряжения в гетероэпитаксиальных слоях соединений А3В5. Электронная техника. Сер. Материалы, 1973, № 7, с. 56-63

11. Datsenko L.I., Klimenko А.Р., Matveyeva L.A., Prokopenko, Thorik Yu.A. Mechanical stresses in the heterosystem Ge-GaAS. Thin Solid Films, 1976, v. 33, № 3, p.275-280

12. Whillis J.R., Suresh C. Bulough J. The energy of array of dislocations: implications for strain relaxation in semiconductor heterostructures. Philosophical Magasine A, 1990, v. 62, № \i p. 115-129

13. Bailly F., Barbe M., Cohen-Solal G. Setting up of misfit dislocations in heteroepitaxial growth and critical thicknesses. J. Crysal Growth, 1995, v. 153, p. 115-122

14. Uma J., Jain S.C., Nijs J., Willis J.R., Bullough R., Mertens R.P., Van Overstraeten R. Calculationof critical-layer-thickness in GeSi strained layers with interacting 60 and 90° dislocations. Solid-State Electr., 1993, v. 36, № 3, p. 331337

15. Atkinson A., Jain S.C. The energy of finite systems of misfit dislocations in epitaxial strained. J. Appl. Phys, 1992, v. 72, № 6, p. 2242-2248

16. Rockett A., Kiely C.J. Energetics of misfit- and threading- dislocation arrays in heteroepitaxial films. Physical Review B, 1991, v. 44, № 3, p. 1154-1162

17. Dries J.C., Gokhale M.R., Thomson K.J., Forrest S.R., Hull R. Strain compensated Inl-Xgaxas(X-less-than-0.47) quantum-well photodiodes forextended wavelength operation. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 16, p. 22632265

18. Pan D., Xu J., Towe E., Xu Q., Hsu J.W. Self-organization of In,GaAs/GaAs quantum dots on relaxed In,GaAs films. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 15, p. 2164-2166

19. Chu J., Li S.S., Singh A., Ho P. A normal incidence p-type strain layer quantumwell infrared photodetector with 19.2-mu-m peak detection wavelength. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 12, p. 1664-1666

20. Mooney P.M., Ott J.A., Chu J.O., Jordansweet J.L. X-ray-diffraction analysis of SiGe/Si heterostructures on sapphire substrates. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 7, p. 924-926

21. Chauvet C., Vennegues P., Brunei P., Tournie E., Faurie J.P. Heteroepitaxial growth of bese on vicinal Si(001) surfaces. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 7, p. 957-959

22. Maroudas D., Zepedaruiz L.A., Weinberg W.H. Kinetics of strain relaxation through misfit dislocation formation in the growth of epitaxial-films on compliant substrates. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 6, p. 753-755

23. Kijima S., Okuyama H., Sanaka Y., Kobayashi T., Tomiya S., Ishibashi A. Optimized ZnSe-N/ZnTe-N contact structure of ZnSe-based ii-vi laser-diodes. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 2, p. 235-237

24. Goodman S.A., Auret F.D., Mamor M., Greiner A. Electronic-properties of defects introduced in P-type Sil-xGex during ion etching. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, №2, p. 256-258

25. Han P.D., Zou J. A new-type of dissociated misfit dislocation in (001)ZnTe/GaAs strained-layer heterostructures. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 19, p. 24242426

26. Xin H.P., Tu C.W. Gainnas/GaAs multiple-quantum wells grown by gas-source molecular-beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 19, p. 2442-2444

27. Nam S., Rhee J., Yu Y.M., Lee C.K., Lee K.S., Choi Y.D. Lattice-relaxation in ZnS epilayers grown on gap. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 18, p. 2304-2306

28. Gonzalez D., Araujo D., Aragon G., Garcia R. Critical thickness for the saturation state of strain relaxation in the InGaAs/GaAs systems. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 15, p. 1875-1877

29. Yashar P., Chu X., Barnett S.A., Rechner J., Wang Y.Y., Wong M.S., Sproul W.D. Stabilization of cubic Crn0.6 in Crn0.6/ Tin superlattices. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, №8, p. 987-989

30. Pizani P.S., Boschi T.M., Lanciotti F., Groenen J., Carles R., Maigne P., Gendry M. Alloying effects on the critical layer thickness in InxGal-xAs/InPheterostructures analyzed by raman-scattering. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, № 4, p. 436-438

31. Tournie E., Ongaretto C., Laugt M., Faurie J.P. Critical thickness of ZnCdSe/ZnSe heterostructures grown on relaxed ZnSe buffer layers on bare GaAs substrates. Appl. Phys. Lett, 1998, v. 72, № 2, p. 217-219

32. Matthews J. W. Accommodation of the misfit across the interface between single crystal films of various face-centered cubic metals. Phil. Mag., 1966, v. 13, № 126, p.1207-1221

33. Ройтбурд A.JI. О равновесной структуре эпитаксиального слоя. В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1977,ч.2. с. 219-223

34. Roitburd A.L. Equilibrium structure of epitaxial layers. Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v. 34, № 1, p.329-339

35. Гутаковский А. К., Пчеляков О. П., Стенин С. И. О возможностях управления доминирующим типом дислокаций несоответствия при гетероэпитаксии. Кристаллография, 1980, т. 25, № 4, с. 806-814

36. Gutakovskii A.K., Stenin S.I., Zakharov B.G. The formation of partial misfit dislocations during heteroepitaxy. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v. 67, p. 299-304

37. E.A. Fitzgerald. Dislocations in strained-layer epitaxy: theory, experiment and applications. Materials Sci. Reports, 1991, v. 7, № 3, p. 87-143

38. Тхорик Ю.А., Хазан JI.С. В кн.: Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наукова Думка, 1983, 135с.

39. Speck J.S., Brewer М.А., Beltz G., Romanov A.E., Pompe W. Scaling laws for the reduction of threading dislocation densities in homogeneous buffer layers. J. Appl. Phys., 1996, v. 80, № 7, p. 3808-3816

40. Yugova T.G., Vdovin V.I., Mil'vidskii M.G., Orkov L.K., Tolomasov V.A., Potapov A.V., Abrosimov N.V. Dislocation pattern formation in epitaxial structures based on SiGe alloys. Thin Solid Films, 1998, v. 336, p. 112-115

41. Williams G. M, Cullis A.G., Mcconville C.F., Whitehouse C.R., Smith P.W. ТЕМ studies of the structure of MBE InSb on GaAs. Institute of Physics Conference Series, 1989, № 100, p. 205-210

42. Bridger P.M., Bandic Z.Z., Piquette E.C., Mcgill T.C. Correlation between the surface defect distribution and minority-carrier transport-properties in GaN. Appl. Phys. Lett, 1998, v. 73, № 23, p. 3438-3440

43. Takano Y, Hisaka M, Fujii N, Suzuki K, Kuwahara K, Fuke S. Reduction of threading dislocations by InGaAs interlayer in GaAs-layers grown on Si substrates. Appl. Phys. Lett, 1998, v. 173, № 20, p. 2917-2919

44. Mesli A., Larsen A.N. Point-defects in relaxed Sil-xGex alloy layers. Defect and Impurity Engineered Semiconductors II, 1998, v. 510, p. 89-99

45. Senz S., Plossl A., Gosele U., Zerlauth S., Stangl J., Bauer G. Growth of partially strain-relaxed Si-l-C-Y(Y) epilayers on (100)Si. Applied Physics A (Materials Science & Processing), 1998, v. 67, № 2, p. 147-150

46. Фридель Ж. Дислокации. M. Мир, 1967, 222 с.

47. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М. Атомиздат, 1972, 600 с.

48. Legoues F. К., Powell A., Iyer S.S. Relaxation of SiGe thin-films grown on Si/Si02 substrates. J. Appl. Phys., 1994, v. 75, № 11, p. 7240-7246

49. Shih H.D., Kim В., Bradshaw K., Tserng H.Q., Anthony J.M., Farrington D.L., Kim T.S., Moore T.M. High-performance InGaAs power MESFETs on GaAs (100) substrates. Institute of Physics Conference Series, 1989, № 96, p. 503-508

50. Hsu J.W.P., Fitzgerald E.A., Xie Y.H., Silverman P.J. Near-field scanning optical microscopy imaging of individual threading dislocations on relaxed gexsil-X films. Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № 3, p. 344-346

51. Chatterjee В., Ringel S.A., Sieg R., Hoffman R., Weinberg I. Hydrogen passivation of dislocations in InP on GaAs heterostructures. Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № l,p. 58-60

52. Raisanen A., Brillson L.J., Goldman R.S., Kavanagh K.L., Wieder H. Dislocation-induced deep-level states in In0.08Ga0.92As/GaAs heterostructures. J. Electronic Materials, 1994, v. 23, № 9, p. 929-933

53. Alberts V., Neethling J.H., Leitch A.W. Correlation between structural, optical, and electrical-properties of GaAs grown on (001) Si. J. Appl. Phys., 1994, v. 75, № 11, p. 7258-7265

54. Tarento R.J., Marfaing Y. Analysis of the recombination velocity and of the electron-beam induced current and cathodoluminescence contrasts at a dislocation. J. Appl. Phys., 1992, v. 71, № 10, p. 4997-5003

55. Takano Y., Hisaka M., Fujii N., Suzuki K., Kuwahara K., Fuke S. Reduction of threading dislocations by InGaAs interlayer in GaAs-layers grown on Si substrates. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 73, № 20, p. 2917-2919

56. Potin V., Vermaut P., Ruterana P. Nouet-G extended defects in wurtzite nitride semiconductors. J. Electronic Materials, 1998, v. 27, № 4, p. 266-275

57. Watson G.P., Ast D.G., Anderson T.J., Pathangey B. The barrier to misfit dislocation glide in continuous, strained, epitaxial layers on patterned substrates. J. Appl. Phys., 1993, v.75, № 5, p. 3103-3110

58. Халл. Введение в дислокации. М. Атомиздат, 1968, 280 с.

59. Вайнштейн Б.К. и др. Современная кристаллография. М.: Наука, 1979, т. 2. 306 с.

60. Ball С.А.В., Van der Merwe J.H. The growth of dislocation-free layers in dislocations in solids, ed. by Nabarro F.R.N., (North-Hoi- land, Amsterdam), 1983, Chap. 27

61. Matthews J.W. Defects associated with the accommodation of misfit between crystals. J. Vac. Sci.Technol., 1975, v. 12, p. 126-133

62. Barnett D.M., Lothe J. Mutual attraction of a dislocation to a bimetallic interface and a theorem on proportional anisotropic bimetals, international. J. Solids and Structures, 1995, v. 32, № 3-4, p. 291-301

63. Pond R.C., Hirth J.P. Defects at Surfaces and Interfaces. Solid State Physics -Advances in Research and Applications, 1994, v. 47, p. 287-365

64. Feng X.X., Hirth J.P. Critical layer thicknesses for inclined dislocation stability in multilayer structures. J. Appl. Phys., 1992, v. 72, № 4, p. 1386-1394

65. Hirth J.P. On the energy and configuration of orthogonal misfit dislocations. Scripta Metallurgica et Materialia, 1992, v. 27, № 6, p. 681-686

66. Pieraggi В., Rapp R.A., Hirth J.P. Role of interface structure and interfacial defects in oxide scale growth. Oxidation of Metals, 1995, v. 44, № 1-2, p. 63-79

67. Hirth J.P., Pieraggi B, Rapp R.A. The role of interface dislocations and ledges as sources sinks for point-defects in scaling reactions. Acta Metallurgica et Materialia, 1995, v. 43, № 3, p. 1065-1073

68. Pond R.C, Hirth J.P. Defects at surfaces and interfaces. Solid State Physics -Advances in Research and Applications, 1994, v. 47, p. 287-365

69. Пинтус C.M., Латышев A.B., Асеев А.Л., Карасев В.Ю. Дислокационная структура границы раздела Ge — Si (111). Поверхность, 1984, № 8, с. 60 63

70. Bolkhovityanov Yu.B, Vaulin Yu.D., Gutakovsky A.K., Stenin S.I., Yudaev V.l. Effects of buffer lauers on dislocation structure of heteroepitaxial systems. Kristall und Technik, 1981, № 8, p. 921-927

71. Hagen W., Queisser H. J. In siln X-ray topography of epitaxial Ge layers during growth. Appi. Phys. Lett., 1978, v. 32, № 5, p. 269 270

72. Hagen W., Strunk H. A new type of source generating misfit dislocations. Appl. Phys., 1978, v.17, p. 85-87

73. Legoues F.K., Meyerson B.S, Morar J.F. Kirchner P.D. Mechanism and conditions for anomalous strain relaxation in graded thin-films and superlattices. J. App. Phys., 1992, v. 71, № 9, p. 4230-4243

74. Schwarz K.W. Simulation of dislocations on the mesoscopic scale. Methods and examples. J. Appl. Phys., 1999, v. 85, p. 108-119

75. Datsenko L.I., Gureev A.N., Korotkevich N.F., Soldatenko N.N., Tkhorik Yu. A. Investigation of the perfection of Ge heteroepitaxial films on Si by X-ray diffraction methods. Thin Solid Films, 1971, v. 7, № 2, p. 117-125

76. Vasilevskaya V.N., Soldatenko N.N., Tkhorik Yu. A. Metallgraphical studies of Ge on Si heteroepitaxial film structure. Thin Solid Films, 1971, v. 7, № 2, p. 127134

77. Солдатенко H.H. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н. Исследование механических напряжений и дефектов структуры в гетероэпитаксиальных системах Ge-Si и GeAs (п/р Тхорика Ю.А.). Ин-т полупроводников АН Украины. Киев, 1978, с. 89

78. Matthews J.W. Fracture and the formation of misfit dislocations between PbS and PbSe. Phil. Mag., 1971, v.23, № 186, p. 1405-1416

79. Nagai H., Noguchi Y. Crack formation in InP-GalnAs-InP double heterostructure fabrication. Appl. Phys. Lett., 1976, v. 29, № 11, p. 740 741

80. Miller D.C., Caruso R. Stress relief in magnetic garnet films grown by liquid phase epitaxy. J. Cryst.Growth, 1974, v. 27, № 1, p. 274 281

81. Ismail K. Effect of dislocations in strained Si/SiGe on electron-mobility. Journal of Vacuum Science & Technology B, 1996, v. 14, № 4, p. 2776-2779

82. Thibado P.M., Bennett B.R, Twigg M.E, Shanabrook B.V, Whitman L.J. Evolution of GaSb epitaxy on GaAs(001)-C(4x4).J ournal of Vacuum Science & Technology A-Vacuum Surfaces and Films, 1996, v. 14, № 3, Part 1, p. 885-889

83. Yang Y, Chen H, Zhou Y.Q, Mei X.B, Huang Q, Zhou J.M, Li F.H. ТЕМ study of the structure of GaAs on vicinal Si(001) surface grown by MBE. Journal of Materials Science, 1996, v. 31, № 3, p. 829-833

84. Ning X.J, Chien F.R, Pirouz P. Yang J.W, Khan M.A. Growth defects in GaN films on sapphire the probable origin of threading dislocations. J. Materials Research, 1996, v. 11, № 3, p. 580-592

85. Bagchi S, Lee J.D, Krause S.J, Roitman P. Mechanism of defect formation in low-dose oxygen-implanted silicon-on-insulator material. J. Electronic Materials, 1996, v. 25, № 1, p. 7-12

86. Мильвидский М.Г, Освенский Б.В. В кн.: Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М. Металлургия, 1985, с. 51

87. Xu Y.H, Cheng С.Н, Mackenzie J.D. Microstructure in heteroepitaxial potassium niobate thin-films. J. Korean Physical Society, 1998, v. 32, p. SI 724-S1726

88. Holyst R. Edge profiles at lamellar phase melt interfaces. Macromolecular Theory and Simulations, 1994, v. 3, № 5, p. 817-824

89. Mock P, Tanner B.K, Whitehouse C.R, Cullis A.G, Lacey G, Clark G.F, Lunn B, Hogg J.C.H, Keir A.M., Johnson A.D, Smith G.W, Martin T. Relaxation of low misfit (InGa)As/GaAS from in-situ synchrotron double-crystal

90. X-ray topography and diffractometry. Proceedings of 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, 1996, v. 2, p. 927-930

91. Volkert C.A., Fitzgerald E.A., Hull R., Xie Y.H., Mii Y.J. Strain relaxation in GeSi epitaxial thin-films measured by wafer curvature. J. Electronic Materials, 1991, v. 20, № 10, p. 833-837

92. People R., Bean J.C. Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GeSi/Si strained-layer heterostructures. Appl. Phys. Lett., 1985, v. 47, p. 322-324

93. People R., Bean J.C. ERRATUM: Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GeSi/Si strained-layer heterostructures. Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, p. 229

94. Huang J.Y., Ye Z.Z., Lu H.M., Que D.L. Calculation of critical layer thickness considering thermal strain in Sil-xGex/Si strained-layer heterostructures. J. Appl. Phys., 1998, v. 83, № i, p. 171-173

95. Meieran S. Reflection X-ray topography of GaAs deposited on Ge. J. Electrochem. Soc., 1967, v. 114, № 3, p. 292-295

96. Vasilevskaya V.N., Datsenko L.I., Osadchaya N.V., Prokopenko, Soldatenko N.N., Thorik Yu.A. Structural perfection of the Ge-Si and Si-Ge heteroepitaxial systems. Thin Solid Films, 1974, v. 22, № 3, p. 221-229

97. Aseev A.L., Golobokov Yu.N., Stenin S.I. Dislocation processes during plastic deformation of Si and Ge in the range 0.50 to 0.95 of the melting temperature. Phys. Stat. Sol. (a), 1975, v. 28, p. 355-364

98. Альтшуллер В.М., Фокин A.C., Павленко Ю.С., Юдина Н.И. Рентгенотодифракционное изучение дислокаций поверхности раздела автоэпитаксиальных слоев кремния. ФТТ, 1971, т. 13, с. 2827-2829

99. Isomae S., Nanba N., Tamaki Y., Maki M. Creep curve of Si wafers. Appl. Phys. Lett., 1977, v. 30, № 11, p. 564-566

100. Устинов В.М., Захаров Б.Г. Микронапряжения в эпитаксиальных структурах на основе соединений А3В5. Обзоры по электронной технике, М., ЦНИИ Электроника, 1977, вып. 4, (492), с. 34

101. Устинов В. М., Захаров Б. Г. и др. Возникновение и трансформация напряжений и дефектов структуры в эпитаксиальных слоях GaAs и GaAsP. Электронная техника, 1976, сер.6. № 7, с. 63-69

102. Тимошенко С.П., Гудьер Дж. Теория упругости. М., Наука, 1975, с. 575 Ш.Семенова О.И, Горохов Е.Б., Носков А.Г., Судниченко М.Г., Рабинович

103. Л.И. Свойства и механические напряжения пленок SiNx:H, полученных в плазме ВЧ-разряда. Поверхность, 1992, № 10-11, с. 102-110

104. Носков А.Г., Горохов Е.Б., Цейтлин Г.М., Гаврилова Т.А., Дроздов В.Н., Зайковский В.И., Соколова Г.А., Стенин С.И. Структурные исследования пленок диоксида кремния, осажденных из газовой фазы. Поверхность, 1989, №3,с.71-78

105. Mason W., Ed. Physical Acustics, Academic Press, NY, 1968, v. 3, Part В

106. Рид В.Т. Дислокации в кристаллах. М., Метадлургиздат, 1957, с. 114

107. Strunk Н., Hagen W., Bauser Е. Low-density dislocation arrays at heteroepitaxial ge/gaas-interfaces investigated by high voltage electron microscopy. J. Appl. Phys., 1979, v. 18, p. 67-75

108. Beanland R. Multiplication of misfit dislocations in epitaxial layers. J. Appl. Phys., 1992, v. 72, p. 4031-4035

109. Lefebvre A., Herbeaux C., Bouillet C., Dipersio J. A new type of misfit dislocation multiplication process in InxGal-xAs/GaAs strained-layer superlattices. Phil. Mag. Lett., 1991, v. 63, № 1, p. 23-29

110. Wang L.T., Lothe J. Dislocation instability in anisotropic elastic cubic media. Phil. Mag. A, 1995, v. 71, № 2, p. 359-387

111. Jain S. C., Willis J. R., Bullough R. A review of theoretical and experimental work on the structure of GeSi strained layers and superlattices, with extensive bibliography. Advances in Physics, 1990, v. 39, № 2, p. 127-190

112. Blech I. A., Meieran E. S. Enhanced. X-ray diffraction from substrate crystals containing discontinuous surface films. J. Appl. Phys., 1967, v. 38. p. 29132919

113. Blech I.A., Meieran E.S., Sello H. X-ray surface topography of diffusionGenerated dislocations in silicon. Appl. Phys. Lett., 1965, v. 1, № 6, p. 176-178

114. Hu S.M. Film-edge-induced stresses in silicon substrates. Appl. Phys. Lett., 1978, № l,p. 5-7

115. Isomae S. Stress distributions of Si crystal substrates with thin films. J. Appl. Phys., 1981, v. 52. p. 2782-2791

116. Filscher G. On the theoretical calculation of the intensity distribution in X-ray section topograhs of crystals with superposed films. Phys. Stat. Sol, (a). 1976, v. 33. p. K81-K82

117. Fischer A.A. and Richter H. Elastic stress relaxation in SiGe epilayers on patterned Si substrates. J. Appl.Phys., 1994, v. 75 (1), p. 657-659

118. Белейчева Т.Г. Термоупругие напряжения в кусочнооднородной среде: Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук. Новосибирск, 1980, 198 с.

119. Белейчева Т.Г. Термоупругие напряжения в кусочно-однородных структурах. Журн. приклад, механики и техн. Физики, 1979, № 5, с. 136 -143

120. Cerutti A., Ghezzi С. Observations of induced dislocations at sample planar structures in silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1973, v. 17. p. 237-245

121. Лэнг А. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М. Мир, 1965, с. 259

122. Dash W. С. Copper precipitation on dislocations in Si. J. Appl. Phys., 1956, v. 27, p. 1193-1195

123. Белейчева Т.Г., Зилинг K.K. Внутренние напряжения в двухслойных системах. Автометрия, 1976, № 4, с. 63-67

124. Hohnisch М., Herzog H.J, Schaffler F. Relaxation of compositionally graded SiGe Buffers. А ТЕМ Study. J. Cryst. Growth, 1995, v. 157, № 1-4, p. 126-131

125. Beanland R.Dislocation multiplication mechanisms in low-misfit strained epitaxial layers. J. Appl. Phys, 1995, v. 77, № 12, p. 6217-6222

126. Washburn J, Kvam E.P, Lilientalweber Z. Defect formation in epitaxial crystal-growth. J. Electronic Materials, 1991, v. 20, № 2, p. 155-161

127. Capano M.A. Hart L., Bowen D.K., Gordonsmith D., Thomas C. R., Gibbings C. J., Halliwell M. A. G., Hobbs L. W. Strain relaxation in SiGe layers on Si(001). J. Cryst. Growth, 1992, v. 116, № 3-4, p. 260-270

128. A. Trampert, K.H. Ploog. Novel plastic strain-relaxation mode in highly mismatched III-IV layers induced by two dimensional epitaxial growth. Appl. Phys. Lett., 1995, v. 66(17), p. 2265-2267

129. Tamura M., Saitoh T., Palmer J.E., Yodo T. Threading dislocations in GaAs on Si grown with similar-to-1 nm thick Si interlayers. Appl. Phys., A-Solids and Surfaces, 1994, v. 58, № 2, p. 145-155

130. Gosling T.J., Willis J.R. A line-integral representation for the stresses due to an arbitrary dislocation in an isotropic half-space. J. Mech. Phys. Sol., 1994, v. 42, p. 1199- 1221

131. Beltz G.E., Freund L.B. On the nucleation of dislocations at crystal surface. Phys. Stat. Sol., 1993, v. 180, p. 303-313

132. Bai G., Nicolet M.A., Chern C.H., Wang K.L. Strain relief of metastable gesi layers on Si(100). J. Appl. Phys., 1994, v. 75, № 9, p. 4475-4481

133. Constantino M.E., Vidal M.A., Salazarhernandez B., Navarrocontreras H., Lopezlopez M., Melendez M., Hernandezcalderon I. Dislocation densities in MBE grown ZnSe epitaxial layers on GaAs. J. Cryst. Growth, 1998, v. 194, № 3-4, p. 301-308

134. Williams G.M, Cullis A G, Mcconville C.F, Whitehouse C.R, Smith P.W. TEM studies of the structure of MBE InSb on GaAs. Institute of Physics Conference Series, 1989, № 100, p. 205-210

135. Tachikawa M, Yamaguchi M. Film thickness dependence of dislocation density reduction in GaAs on Si substrates. Appl. Phys. Lett, 1990, v.56, p. 484-486

136. W. Hagen, H. Strunk. Glide activation of grown-in dislocations in epitaxial films having almost critical thickness. Electron Microscopy, 1980, v. 4, p. 372375

137. Hammond R, Phillips P.J, Whall T.E, Parker E.H.C, Graf T, Vonkanel H, Shields A.J. The elimination of surface cross-hatch from relaxed, limited-area Sil-xGex buffer layers. Appl. Phys. Lett, 1997, v. 71, № 17, p. 2517-2519

138. Vdovin V.I. Misfit dislocations in epitaxial heterostructures: Mechanisms of generation and multiplication. Phys. Stat. Sol. (a), 1998, v. 171, p. 239-250

139. Jordansweet J.L, Mooney P.M., Lutz M.A, Feenstra R.M, Chu J.O, Legoues F.K. Unique X-ray-diffraction pattern at grazing-incidence from misfit dislocations in SiGe thin-films. J. Appl. Phys, 1996, v. 80, № 1, p. 89-96

140. Mooney P.M., Legoues F.K, Tersoff J, Chu J.O. Nucleation of dislocations in SiGe layers grown on (001)Si. J. Appl. Phys, 1994, v. 75, № 8, p. 3968-3977

141. Legoues F.K, Eberl K, Iyer S.S. Relaxation by the modified frank-read mechanism in compositionally uniform thin-films. Appl. Phys. Lett, 1992, v. 60, № 23, p. 2862-2864

142. Lefebvre A., Herbeaux C., Dipersio J. Interactions of misfit dislocations in InxGal-xAs/GaAs interfaces. Phil. Mag. A-Physics of Condensed Matter Defects and Mechanical Properties, 1991, v. 63, № 3, p. 471-485

143. Beanland R., Dunstan D.J., Goodhew P.J. Plastic relaxation and relaxed buffer layers for semiconductor epitaxy. Advances in Physics, 1996, v. 45, № 2, p. 871461

144. Li J.H., Holy V., Bauer G., Hohnisch M., Herzog H.J., Schaffler F. Strain relaxation and misfit dislocations in compositionally graded Sil-xGex layers on Si(001). J. Cryst. Growth, 1995,v. 157, № 1-4, p. 137-141

145. Jasinski J., Lilientalweber Z., Washburn J., Tan H.H., Jagadish C., Krotkus A., Marcinkevicius S., Kaminska M. Structural, electrical, and optical studies of GaAs implanted with MeV as or Ga ions. J. Electronic Materials, 1997, v. 26, № 5, p. 449-458

146. Obayashi Y., Shintani K. Is the hagen-strunk multiplication mechanism of misfit dislocations in heteroepitaxial layers probable. Philosophical Magazine Letters, 1997, v. 76, № l,p. 1-7

147. Lefebvre A., Herbeaux C., Dipersio J. Interactions of misfit dislocations in InxGal-xAs/GaAs interfaces. Philosophical Magazine A-Physics of Condensed Matter Defects and Mechanical Properties, 1991, v. 63, № 3, p. 471-485

148. Zhang T.Y. Criteria for formation of interface dislocations in finite thickness epilayer deposited on a substrate. J. Appl. Phys., 1999, v.85, № 11, p. 75797586

149. Eisner J., Jones R., Sitch P.K., Frauenheim T., Heggie M.I., Oberg S., Briddon P.R. Structural and electrical-properties of threading dislocations in GaN. Defects in Semiconductors ICDS-19. Pts 1-3, 1997, v. 258, № Pl-3, p. 12031210

150. Si W., Dudley M., Glass R., Tsvetkov V., Carter C.H. Experimental studies of hollow-core screw dislocations in 6H-SiC and 4H-SiC single-crystals. Silicon Carbide, Iii-Nitrides and Related Materials. Pts 1 and 2, 1998, v. 264, № PI-2, p. 429-432

151. Bullelieuwma C.W.T., Vandenhoudt D.E.W, Henz J, Onda N, Vonkanel H. Investigation of the defect structure of thin single-crystalline CoSi2 (B) films on Si(l 11) by transmission electron-microscopy. J. Appl. Phys, 1993, v. 73, № 7, p. 3220-3236

152. Smith D.J, Tsen S.C.Y, Chen Y.P, Sivananthan S, Posthill J.B. Growth and characterization of heteroepitaxial CdTe and ZnTe on Ge(001) buffer layers. Appl. Phys. Lett, 1996, v. 69, № 14, p. 2086-2088

153. Lalande G, Guelton N, Cossement D, Saintjacques R.G, Dodelet J.P. Optimum growth-conditions for the epitaxy of GaAs on Ge by close-spaced vapor transport. Canadian J. Physics, 1994, v. 72, № 5-6, p. 225-232

154. Miki K, Tokumoto H, Sakamoto T. Scanning tunneling microscopy of anisotropic monoatomic steps on a vicinal Si(001)-2xl surface. Jap. J. Appl. Phys, 1989, v. 28, № 9, p. 1483-1485

155. Olshanetsky B.Z., Repinsky S.M., Shklyaev A.A. LEED studies of vicinal surfaces of germanium surface science, 1977, v.69, p. 205-217

156. Nakajama T., Tanishiro Y., Takayanagi K. Monolayer and bilayer high steps on Si(001)2x1 vicinal surface. Jap. J. Appl. Phys., 1987, v. 26, №7, p. 1186-1188

157. Sidorov Yu.G., Varavin V.S., Dvoretskii S.A., Liberman I.V., Mikhailov N.N., Sabinina I.V., Yakushev M.V. Growth and defect formation in CdHgTe films during molecular-beam epitaxy. In: Growth of Crystals, New York, 1996, v.20, p.35-46

158. Bean J.C., Feldman L.C., Fiory A.T., Nakahara S., Robinson I.K. GeSi/Si strained layer superlattice grown by MBE. J. Vac. Sci.Technol. (A), 1986, v. 2, N 2, p. 436-440

159. Steinman E.A., Vdovin V.l., Yugova T.G., Avrutin V.S., Izyumskaya N.F. Dislocation structure and photoluminescence of partially relaxed SiGe layers on Si(001). Semicond. Sei. Technol., 1999, v.14, N 6, p. 582-588

160. Mamor M., Nur O., Karlsteen M., Willander M., Auret F.D. Fermi-level pinning and Schottky barrier heights on epitaxially grown fully strained and partially relaxed n-type SiGe layers. J. Appl. Phys., 1994, v. 76, N 11, p. 7280-7287

161. Gillard V.T., Nix W.D., Freund L.B. Role of dislocation bloacking in limiting strain relaxation in heteroepitaxial films. J. Appl. Phys., 1999, v. 86, N 12, p. 6890-6894

162. Kasper E., Hersog H.J. Elastic strain and misfit dislocation density in SiGe films on Si substrates. Thin Solid Films, 1975, v. 44, N 3, p. 357-370

163. Kasper E. Group-IV strained-layer systems. Semiconductor Interfaces at the Sub-Nanometer Scale. Advanced Science Institutes Series, Series E, Applied Sciences, Series NATO, 1993, v. 243, p. 161-171

164. Zhang X.G., Li P., Zhao G., Parent D.W., Jain F.C., Ayers J.E. Removal of threading dislocations from patterned heteroepitaxial semiconductors by glide to sidewalls. J. Electronic Materials, 1998, v. 27, № 11, p. 1248-1253

165. Аврутин B.C., Изюмская Н.Ф., Вяткин А.Ф., Юнкин В.A. Саморганизующийся МЛЭ рост кремния на подложках с меза-структурами. Микроэлектроника, 1998, т.21, № 2103-106

166. Лифшиц В.Г., Азатьян С.Г., Гаврилюк Ю.Л., Луняков Ю.В., Саранин А.А., Зотов А.В., Цуканов Д.А. Двумерные структуры на поверхности кремния. Нанофотоника. Материалы совещания. Нижний Новгород. 20 23 марта 2000 г, 2000, с. 11-14

167. Chu X., Bauer C.L., Mullins W.W., Klinger L.M. The spreading of a void on a facet during electromigration. Polycrystalline Thin Films Structure, Texture, Properties and Applications III, 1997, v. 472, p. 3-13

168. Heydemann V.D., Sanchez E.K., Rohrer G.S., Skowronski M. The structural evolution of lely seeds during the initial-stages of sic sublimation growth. Power Semiconductor Materials and Devices, 1998, v. 483, p. 295-300

169. Свечников В., Высоцкий В., Пан В. Образование винтовых дислокаций в тонких пленках. Металлофизика и новейшие технологии, 1997, т. 2, № 11, с. 5-8

170. Елистратов A.M. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. Москва: Мир, 1965, 352 с.

171. Kikuta S., Kohra К., Sugita Y. Measurements on local variations in spacing and orientation of the lattice plane of Si single crystals by X-ray double-crystal topography. Jap. J. Appl. Phys., 1966, v. 5, p. 1047-1055

172. Kitano Т., Matsui J., Ishikawa T. X-ray topography examination of lattice distortions in LEC-grown GaAs single crystals. Jap. J. Appl. Phys. Part 2, Letters, 1985, v. 24, p. L 948-L950

173. Fatemi M, Stahlbush R. E. X-ray rocking curve measurement of composition and strain in SiGe buffer layers grown on Si substrates. Appl. Phys. Lett, 1991, v. 58, N8, p. 825-827

174. Bonse U, Hart M, Schwuttke G.H. X-ray investigation of lattice deformation in silicon induced through high-energy ion implantation. Phys. stat. sol, 1969, v. 33, p. 361-374

175. Yoshimura J. Observation of Nonprojective Moire Fringe Patterns produced with an X-Ray Interferometer. Acta Crystallographica, section A-Foundations of Crystallography, 1991, v. 47, p. 139-142

176. Wieteska K, Wierzchowski W. K. The bragg-case diffraction patterns of silicon implanted with high energy a-particles. Phys. stat. sol. (a), 1995, v. 147, p. 5566

177. Wieteska K, Wierzchowski W, Graeff W, Dluzewsk K. D. X-Ray-Diffraction Patterns in High-Energy Proton-Implanted Silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1998, v. 168, N 1, p 11-25

178. Jiang B.L, Shimura F, Rozgonyi G. A. X-ray moire pattern in dislocation-free silicon-on-insulator wafers prepa by oxygen ion implantation. Appl. Phys. Lett, 1990, v. 56, p. 352-354

179. Bonse U, Hart M. X-ray diffraction by a crystal containing a translation fault.

180. Phys. stat. sol., 1969, v. 33, p. 351-359

181. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. M.: Наука, 1982, 392 с.

182. Kim К. Н., Bai G., Nicolet М. A., Venezia A. Strain in Porous Si with and Without Capping Layers. J. Appl. Phys., 1991, v. 69, N 4, p. 2201-2205

183. Горохов Е.Б., Покровская C.B. Влияние сульфидной очистки поверхности Ge на свойства границы раздела германий диэлектрик. Электронная техника. Сер. Материалы. № 4 (1982) с. 20-22

184. Pchelyakov О.Р., Sokolov L. V., Nikiforov A.I. et al. Epitaxy of compound semiconductor from molecular beams in space vacuum behind molecular shield. Proc. of X Symp. on Physical Sciences in Microgravity, 1997, v. II, p. 144-149

185. Пчеляков О.П., Бержатый В.И., Зворыкин Jl.JI., Иванов А.И., Соколов Л.В. Перспективы реализации вакуумных технологий в условиях орбитального полета. Автоматическая сварка, 1999, № 10, с. 108-116

186. Труханов Е.М. Влияние типа дислокаций несоответствия на энергию и структуру эпитаксиальных пленок. Поверхность, 1995, №2, с. 13-21

187. Труханов Е.М. Анализ природы возникновения фрагментарной структуры в гетероэпитаксиальных пленках. Поверхность, 1995, №2, с. 22-28

188. Trukhanov Е.М. Effect of misfit dislocation type on the energy and structure of thick epitaxial films. Physics. Chemistry and Mechanics of Surfaces. Gordon & Breach Publishers, 1995, v.l 1, № 2, p. 123-132

189. Trukhanov E.M. Analysis of fragmentation in heteroepitaxial films. Physics. Chemistry and Mechanics of Surfaces. Gordon & Breach Publishers, 1995, v.l 1, № 7, p.933-943

190. Trukhanov E.M. Long-range stresses and their effects on growth of epitaxial films. In the book: Growth of Crystals, 1996, v. 20, p. 29-34

191. Trukhanov E.M, Gorokhov E.B, Stenin S.I. Specific Features of the Dislocation Structure of Germanium in the System Ge-Si02. Phys. Stat. Sol. (a), 1976, v.33, p. 435-442

192. Trukhanov E.M. and Kolesnikov A.V. Film quality effects associated with formation of misfit dislocations at semiconductor interfaces. Applied Surface Science, 1998, v. 123/124, p. 669-673

193. Trukhanov E.M, Fritzler K.B, Lyubas G.A. and Kolesnikov A.V. Evolution of film stress with accumulation of visfit dislocations at semiconductor interfaces. Applied Surface Science, 1998, v. 123/124, p. 664-668

194. Стенин С.И., Труханов Е.М. Дислокации и напряжения в структурах полупроводник-диэлектрик. В сб.: III Всесоюзное совещание. Дефекты структуры в полупроводниках. Тезисы докладов. Новосибирск, 1978, с. 21

195. Труханов Е.М., Стенин С.И. Обобщение теории дислокаций несоответствия на процессы релаксации в монокристаллических подложках. Физика и химия обработки материалов, 1979, N 5, с. 148

196. E.M.Trukhanov, S.I.Stenin. Initial stage of plastic deformation of substrates in heterostructures. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v.66, p. 125-132

197. Trukhanov E.M. Accomodation of misfit in heterostructures with continous and island films. Phys. Stat. Sol.(a), 1983, v.76, p. 437- 445

198. Горохов Е.Б., Носков А.Г., Стенин С.И., Труханов Е.М. Напряженное состояние и дефекты кристаллического строения в системах полупроводник-аморфная диэлектрическая пленка. Микроэлектроника, 1983, т. 12, №3, с. 200-209

199. Trukhanov Е.М., Stenin S.I. Equilibrium dislocation configurations in heterostructures. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v.66, p. 591-596

200. Е.М. Труханов. Дислокации и напряжения в структурах германий-аморфные пленки двуокиси и нитрида кремния. Автореферат диссертации на соискание уч. степ, к.ф.-м.н. - Новосибирск, 1979, 17 с.

201. Труханов Е.М. Дислокации и напряжения в структурах германий-аморфные пленки двуокиси и нитрида кремния. Диссертация на соискание уч. степ, к.ф.-м.н. - Новосибирск, 1979, 167 с.

202. Носков А.Г, Стенин С.И, Труханов Е.М. Измерение кривизны монокристаллов на двухкристальном спектрометре с использованием К-альфа и К-бэта пучков. ПТЭ, 1982, №2, с. 181-183

203. Носков А.Г, Труханов Е.М. Повышение чувствительности метода измерения кривизны монокристаллов на рентгеновском спектрометре монокристаллов на двухкристальном спектрометре. ПТЭ, 1985, № 5, с. 173-175

204. Труханов Е.М. Дислокаци в неоднородных полях напряжений полупроводниковых гетеросистем. Сборник докладов V Международной конференции: Свойства и структура дислокаций в полупроводниках. Москва, 17-22 марта. Черноголовка, 1989, с. 193-199

205. Бабенкова C.JI, Труханов Е.М. Возникновение дислокаций в полупроводниковой подложке вблизи прямолинейного края пленки. Поверхность. Физика, химия, механика, 1989, №8, с. 59-65

206. Trukhanov Е.М, Stenin S.I, Noskov A.G. Dislocations and stresses in a crystal with an island film. Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v.53, p. 433-440

207. Труханов Е.М, Тришункин В.Ф, Грачев К.В, Стенин С.И. Влияние формы и размера островков пленки на начало пластической деформации подложек. Поверхность. Физика, химия, механика, 1991, №5, с. 50

208. Горохов Е.Б, Носков А.Г, Соколова Г.А, Стенин С.И, Труханов Е.М. Механическая стабильность пиролитических пленок двуокиси кремния. Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 12, с. 25-35

209. Trukhanov E.M., Stenin S.I., Noskov A.G. Dislocation interactions in germanium covered with dielectric films. Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v.56, p. 443450

210. Труханов E.M., Стенин С.И., Носков А.Г. Взаимодействие дислокаций в Ge под пленками Si02 и Si3N4. В сб.: III Всесоюзное совещание. Дефекты структуры в полупроводниках. Тезисы докладов. Новосибирск, 1978, с. 269

211. Noskov A.G., Gorokhov Е.В., Sokolova G.A., Trukhanov E.M., Stenin S.I. Correlation between stress and structure in chemically vapour deposited selicon nitride films. Thin Solid. Films, 1988, v. 162, p. 129 143

212. Kolesnikov A.V., Vasilenko А.P., Trukhanov Е.М., Gutakovsky A.K. Investigation of misfit stresses releasing in semiconductor heterostructures. Applied surface science., 2000, v. 166, p. 57-60

213. Trukhanov Е.М. and Kolesnikov A.V. Film quality effects associated with formation of misfit dislocations at semiconductor interfaces.BOOK of 6th intern. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces. Cardiff. UK, 1997, p. Th P156

214. Trukhanov E.M., Kolesnicov A.V., Lubas G.A. Long-range stress field of misfit dislocations and possibility of perfect epitaxy for semiconductor films. Inst. Phys. Conf. Ser. IOP Publishing Ltd. № 155, Chapter 3, 1997, p. 299-302

215. Trukhanov E.M., Zsoldos L. Some features of generation of misfit dislocationsin Si during В diffusion from doped oxide. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v.66, p. 157-164

216. Василенко А.П., Колесников А.В., Никитенко С.Г., Ревенко М.А., Соколов JI.B., Федоров А.А., Труханов Е.М. Исследование искажений кристаллической решетки в эпитаксиальных наноструктурах. Поверхность, 2000, № 9, с. 72-77

217. Кочанов С.А., Ревенко M.А., Труханов Е.М. Методика расчета деформаций эпитаксиальных пленок (111) по данным рентгеновской дифрактометрии. В кн.: Полупроводники. Сборник научных трудов. Новосибирск: ВО Наука, 1995, с. 230-236

218. Bolkhovityanov Yu.B, Gilinsky A.M., Nomerotsky N.V, Trukhanov E.M, Jaroshevich A.S. Liquid phase epitaxial growth of elastically strained InGaAsP solid solutions on GaAs substrates. J. Cryst. Growth, 1995, v. 149, p. 17-22

219. Bolkhovityanov Yu.B, Jaroshevich A.S, Nomerotsky N.V, Revenko M.A, Trukhanov E.M. Liquid phase epitaxy growth of highlyly strained InGaAsP/GaAs in the 1.4-1.8 eV interval of band gaps. J. Cryst. Growth, 1996, v. 158, p. 217-223

220. Пинтус C.M., Стенин С.И., Торопов А.И., Труханов E.M. Морфологическая стабильность и механизмы роста гетероэпитаксиальных пленок. (Препринт 5-86 / Институт Физики Полупроводников СО АН) Новосибирск, 1986, 32 с.

221. Pintus S.M., Stenin S.I., Toropov A.I., Trukhanov E.M., Karasyov Y.Yu. Morphological transformations of thin heteroepitaxial films. Thin Solid Films. (1987) v. 151, p. 275-288

222. Сидоров Ю.Г., Труханов E.M. О возможности образования аморфной фазы при формировании гетероструктур с большим несоответствием параметров решеток. Поверхность. Физика, химия, механика, 1992, № 6, с. 106-111

223. Sidorov Yu.G., Trukhanov E.M. On possibility of disorded phase formation at development of the heterostructures with high misfit. В кн.: Полупроводники. Сборник научных трудов. Новосибирск: ВО Наука, 1993, с. 176-180

224. Bolkhovityanov Yu.B., Bolkhovityanova R.I., Trukhanov E.M. Dislocation etch-pits revialed in submicron (100) GaAs epilayers by selective dissolution in the saturated GaSb melt. Crys. Res. Technol., 1985, v.20, p. 467-471

225. Isaenko L.I, Merkulov A.A, Tjurikov V.I, Atuchin V.V, Sokolov L.V, Trukhanov E.M. Growth and real structure of KTiOAsO crystals from self-fluxes. J. Cryst. Growth, 1997, v.171, №1/2, p. 146-153

226. Trukhanov E.M, Vassilev I.S, Botev P.A, Lyakh N.V, Sidorov Yu.G, Stenin S.I. X-ray double crystal topographic measureents of distorted crystals. Crys. Res. Technol, 1989, v.24,№.12,p. 1253-1258

227. Trukhanov E.M, Stenin S.I, Vassilev I.S. X-ray double crystal topographic measurements of distorted craystals. 15-th Intern. Conference on Defects in Semiconductors, Budapest, 22-26 Aug, 1988, p. 313

228. Василев PLC, Ботев П.А, Труханов E.M. Приложение на рентгеновата двукристална топограия за изследване на блочната структура на монокристали. сборник IV национален симпозиум: Рентгенови Дифракционни Методи гр. Несебер. Болгария. 28-31 май, 1989, с. 1-5

229. Номероцкий Н.В, Труханов Е.М, Амиржанов P.M. СИ топографический анализ однородности полупроводниковых сверхрешеток. Отчет Сибирского Международного Центра Синхротронного Излучения. Институт Ядерной Физики СОР АН. Новосибирск, 1993, с. 107-108

230. Номероцкий Н.В, Пчеляков О.П, Труханов Е.М. Рентгенодифракционные исследования взаимной диффузии в сверхрешетке Si/Si0.3 Geo.7

231. Поверхность. Физика, химия, механика, 1993, № 2, с. 57-62

232. Амиржанов P.M., Номероцкий Н.В, Труханов Е.М. Наблюдение и количественный анализ однородности в AlAs/ AlGaAs сверхрешетке спомощью спнхротронной дпфракцпоной топографии. В кн.: Полупроводники. Сборник научных трудов. Новосибирск: ВО Наука, с. 99100

233. Номероцкий Н.В., Труханов Е.М., Амиржанов P.M. Наблюдение и количественный анализ неоднородностей сверхрешеток методом рентгеновской топографии. Поверхность, 1994, №7, с. 65-73

234. Труханов Е.М. Новые возможности рентгеновской топографии при исследовании полупроводниковых сверхрешеток и объемных кристаллов. В кн.: Полупроводники. Сборник научных трудов. Новосибирск: ВО Наука, 1994, с. 101-102

235. Номероцкий Н.В., Пчеляков О.П., Труханов Е.М. Изучение процесса взаимной диффузии в сверхрешетке Si/SiGe. В кн.: Полупроводники, Сборник научных трудов. Новосибирск: ВО Наука, 1994, с. 104-106

236. Trukhanov Е.М., Amirzhanov R.M., Nomerotsky N.V. Synchrotron diffraction topography analyses of AlAs/AlGaAs superlattice. Abstracts of 2nd European Symposium X-ray Topography and High Resolution Diffraction, Berlin. 1994, p. 193

237. Trukhanov E.M. Topography metod of quantitativ structure investigation of s superlattices and distorted crystals. Abstracts of 2nd European Symposium X-ray Topography and High Resolution Diffraction, Berlin, 1994, p. 92

238. Nomerotsky N.V., Pchelyakov O.P., Trukhanov E.M. X-ray diffraction investigation of interdiffusion in the Si/SiGe superlattice. Physics. Chemistryand Mechanics of Surfaces. Gordon & Breach Publishers, v. 9, № 2, 1995, p.217.223

239. Nomerotsky N.V., Trukhanov E.M, Amirzhanov R.M. Quantitative X-ray topography of inhomogeneous superlattices. Physics. Chemistry and Mechanics of Surfaces. Gordon & Breach Publishers, v. 10, № 2, 1995, p. 217-223

240. Amirzhanov R.M., Trukhanov E.M. Investigetion of superlattice period inhomogenety using quantitative synchrotron diffraction topography. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 1995, v.359 p. 178-180

241. Trukhanov Е.М., Amirzhanov R.M., Fyodorov A.A. Determination of the gradient of the field of superlattice period distortions using synchrotron diffraction topography. Surface Investigation. Gordon & Breach Publishers, 1997, v.12,№ 5, p. 1065-1070

242. Abstracts of 3nd European Symposium. X-ray Topography and High Resolution Diffraction, Palerma, Italy, April 22-24, 1996, p. 81

243. Труханов E.M., Амиржанов P.M., Федоров A.A. Определение градиента поля искажений периода сверхрешеток с помощью синхротронной дифракционной топографии. Поверхность, 1996, № 9, с. 64-68

244. Федоров А.А., Ревенко М.А., Труханов Е.М., Романов С.И., Каранович А.А., Кириенко В.В., Ламин М.А., Пчеляков О.П., Соколов Л.В.

245. Исследование внешних воздействий на структуру пористого слоя в кремниевой эпитаксиальной системе. Тезисы докладов 3-й Международной школы-семинар: Эволюция дефектных структур в конденсированных средах. Барнаул, 1996, с. 4-5

246. Fedorov A.A, Gutakovsky A.K, Kirienko V.V, Pchelyakov O.P, Revenko

247. M.A, Romanov S.I, Sokolov A.L, Trukhanov E.M. Growth and structurethpeculiarities of a system Epitaxial Si/Porous Si/Si. Abstract Book of 14 International Vacuum Congress / International Convention Centre, Birmingham, UK, 1998, p.68

248. Kolesnikov A.V, Vasilenko A.P, Trukhanov E.M, Sokolov L.V, Fedorov A.A, Pchelyakov O.P., Romanov S.I. Investigation of the atomic crystal plane relief by x-ray epitaxial film interferometer. Applied Surface Science, 2000, v. 166, p. 82-86