Устойчивые конфигурации дефектов несоответствия в наноструктурных и многослойных пленках тема автореферата и диссертации по механике, 01.02.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Дефекты несоответствия в монокристаллических, нанострук-турных и многослойных пленках (обзор) 13 1.1. Дефекты несоответствия в тонкопленочных гетеросистемах с постоянным составом.

1.2. Модели неоднородных твердых растворов.

1.3. Дислокации с полыми ядрами.

1.4. Островки на поверхностях кристаллов.

1.5. Постановка задачи.

Глава 2. Диполи дислокаций несоответствия и квантовые проволоки в наноструктурных и многослойных пленках

2.1. Диполи дислокаций несоответствия в композиционно неоднородных и нанокристаллических пленках.

2.1.1. Пленки с неоднородностями состава. Модель

2.1.2. Энергетические характеристики диполей дислокаций несоответствия в пленках с модуляцией состава

2.1.3. Критическая толщина пленок с переменным составом.

2.1.4. Зарождение диполей зернограничных дислокаций в нанокристаллических пленках.

2.1.5. Одиночный дислокационный диполь

2.1.6. Ряд дислокационных диполей.

2.2. Стабильность многослойных композиционно неоднородных пленок

2.2.1. Многослойная пленка с переменным параметром кристаллической решетки. Модель.

2.2.2. Упругая энергия многослойной пленки с неоднородным составом

2.2.3. Неоднородности состава в трехслойной пленке.

2.3. Резюме

Глава 3. Дефекты несоответствия в цилиндрических наноструктурах

3.1. Напряжения несоответствия в двухслойном цилиндре.

3.2. Дислокация несоответствия в двухслойном цилиндре.

3.3. Одиночная дисклинация несоответствия.

3.4. Диполь клиновых дисклинаций.

3.5. Ансамбль дисклинаций несоответствия.

3.6. Равновесное расстояние между дисклинациями несоответствия в бесконечном ансамбле.

3.7. Стенка дислокаций несоответствия.

3.8. Резюме

Глава 4. Дислокации в средах с цилиндрическими порами

4.1. Дислокационные диполи в полой цилиндрической пленке на поверхности поры

4.1.1. Дислокационный диполь в полой пленке на поверхности поры. Модель.

4.1.2. Энергия и критическая толщина пленки с дислокационным диполем

4.2. Упругое взаимодействие винтовых дислокаций с полыми ядрами

4.2.1. Микротрубки в кристалле. Модель.

4.2.2. Взаимодействие микротрубки с винтовой дислокацией с замкнутым ядром.

4.2.3. Взаимодействие пары микротрубок.

4.2.3.1. Микротрубки, содержащие и не содержащие дислокации

4.2.3.2. Две микротрубки с дислокациями

4.2.3.2.1. Микротрубки с векторами Бюргерса противоположного знака

4.2.3.2.2. Микротрубки с векторами Бюргерса одного знака

4.2.4. Микротрубка вблизи плоской свободной поверхности.

4.3. Критические параметры расщепления микротрубок

4.3.1. Расщепление микротрубки с дислокацией на две меньшие микротрубки

4.3.2. Расщепление микротрубки на микротрубку и винтовую дислокацию с замкнутым ядром.

4.4. Резюме

Глава 5. Дислокации несоответствия в однослойных и многослойных пленках на пластически деформированных подложках

5.1. Дисклинации в пластически деформированных подложках.

5.2. Пленка на подложке с дисклинациями. Модель.

5.3. Энергия дислокации в тонкопленочной системе с дисклинациями

5.4. Критические параметры пленок на подложках с дисклинациями

5.5. Случай многослойных пленок.

5.6. Резюме

Глава 6. Эволюция островков на свободных поверхностях двухфазных и пластически деформированных подложек

6.1. Островки на двухслойной подложке с дислокациями. Модель.

6.2. Напряжения, создаваемые островком в подложке.

6.3. Взаимодействие дислокаций с группой островков.

6.4. Островки на подложке с дисклинациями. Модель.

6.5. Деформации, создаваемые дисклинациями на поверхности подложки

6.6. Упругая энергия и положения равновесия островков.

6.7. Резюме

К числу актуальных проблем механики и физики деформируемого твердого тела относится описание поведения гетерогенных материалов и структур, важнейшими представителями которых являются тонкопленочные гетероэпитаксиальные системы. Интенсивные исследования гетероэпитаксиальных систем начались более трех десятилетий назад в связи с их использованием в элементах нано-, микро- и опто-электроники. Основное внимание тогда было направлено на однородные монокристаллические пленки на плоских подложках.

В процессе роста подобных структур в них возникают дефекты несоответствия, аккомодирующие напряжения, возникающие в пленках и подложках в результате несоответствия параметров кристаллических решеток соприкасающихся фаз. Наиболее распространенным типом дефектов являются дислокации несоответствия, образующиеся на межфазных границах или вблизи них. Один из основных механизмов формирования дислокаций несоответствия заключается в образовании дислокационных полупетель на свободной поверхности пленки, их движении (путем скольжения и переползания) к межфазной границе пленки и подложки и последующем расширении.

Проблема зарождения дефектов на межфазных границах в однородных монокристаллических пленках уже достаточно полно изучена [1-41], хотя целый ряд вопросов до сих пор остается открытым. Вместе с тем в последние несколько лет бурно развиваются исследования новых перспективных наноструктурных и гетерогенных материалов, обладающих уникальными механическими, магнитными, электронными и оптическими свойствами. Среди них можно выделить, в частности, следующие типы гетеросистем, активно используемых в современных высоких технологиях:

• Многослойные пленки на подложках, использующиеся в качестве излучателей и детекторов в оптоволоконных коммуникационных системах а также как рентгеновские зеркала и прочные износостойкие покрытиях [42-44];

• Твердотельные цилиндрические нанопроволоки — перспективные материалы для применения в композиционных материалах в качестве высокопрочных волокон и квантовых проволок — одномерных включений узкозонного материала в широкозонной матрице, обладающих уникальными оптоэлектронными свойствами [45-50];

• Пленки с периодической модуляцией состава, которые формируются в результате спинодального распада материала и также могут применяться в качестве квантовых проволок [51-55];

• Самоорганизующиеся сверхрешетки квантовых точек на подложках, возникающие при островковом росте пленок и являющиеся основой для создания нового поколения лазеров [56-92];

• Пленки на двухслойных и многослойных подложках, включающих буферные слои с заданной структурой и свойствами, применение которых открывает возможность увеличения размера бездефектных пленок. [93-104]

Дефекты могут оказывать определяющее влияние на служебные свойства всех перечисленных твердотельных структур. С одной стороны, дефекты могут играть отрицательную роль, приводя к резкому сокращению срока службы электронных приборов и деградации их функциональных характеристик [1-3]. С другой стороны, дефекты могут иметь положительное значение, например, способствуя пространственному упорядочиванию островков на подложках и тем самым помогая достичь желаемых оптоэлектронных свойств сверхрешеток островков [91, 92]. Следовательно, изменение дефектной структуры позволяет управлять служебными свойствами гетеросистем.

Таким образом, определение условий зарождения дефектов в новых материалах и исследование эволюции дефектных структур представляет несомненный фундаментальный и практический интерес. Для решения этой проблемы в настоящей работе используются методы классической континуальной механики. С их помощью решаются граничные задачи для линейных дефектов — дислокаций и дисклинаций, рассчитываются поля их упругих напряжений, и из возможных состояний системы и дефектных структур выбираются те, которые соответствуют минимуму свободной энергии тела. Таким способом находятся условия зарождения дефектов, определяются их устойчивые конфигурации, возможности их слияния или расщепления, а также анализируется влияние дефектов в подложках на структуру осаждаемых на них пленок.

Цель работы состоит в построении моделей, достоверно описывающих устойчивые конфигурации дефектов несоответствия в наноструктурных и многослойных пленках.

Краткое содержание работы

Работа состоит из введения, шести глав основного текста, заключения и списка литературы.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулирована основная цель работы, кратко представлены содержание диссертации, сведения о ее апробации и основных публикациях по ее теме, приведены положения, выносимые на защиту.

В первой главе дан обзор литературы по дефектам несоответствия в тонкопленочных гетеросистемах. В п. 1.1 рассмотрены дефекты несоответствия в однослойных монокристаллических пленках с постоянным составом. Изложены механизмы образования полных и частичных дислокаций несоответствия, дисклинаций несоответствия, дислокационных стенок и дислокационных диполей. Рассмотрены различные подходы (полумикроскопический, микроскопический и макроскопический) к теоретическому изучению дислокаций несоответствия, дано определения деформации (параметра) несоответствия и критической толщины пленки. Обсуждаются возможности увеличения критической толщины пленок. Рассмотрены особенности образования дислокаций несоответствия в многослойных пленках. В п. 1.2 приведены основные понятия теоретического описания спинодального распада. Изложена классическая теория Кана распада твердого раствора. Дано определение критической температуры этого процесса. Кратко рассмотрены его особенности в тонких пленках. Обсуждаются причины зарождения дефектов в композиционно неоднородных пленках. В п. 1.3 рассмотрены причины образования микротрубок в кристаллах. Изложена модель Франка формирования дислокаций с полыми ядрами и ее модификация на случай контакта кристалла с газовой фазой. Дано определение равновесного радиуса ядра дислокации. Рассмотрены возможные механизмы образования микротрубок в кристаллах, приведены экспериментальные данные по их слиянию и расщеплению. В п. 1.4 рассмотрены структуры островков на поверхностях кристаллов. Дана классификация режимов роста пленок на подложках (Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова). Дано определение квантовых точек, указаны способы их получения и возможного применения. Приведены требования, предъявляемые к квантовым точкам. Рассмотрены экспериментально наблюдаемые формы островков. Отмечена необходимость упорядочивания островков по форме, размерам и пространственному расположению. Рассмотрены два пути эволюции распределения островков по размерам. Дано понятие многослойных ансамблей островков, отмечена возможность их вертикальной корреляции и создания электронно спаренных квантовых точек. Изложены методы пространственного упорядочивания островков, основанные на создании подложек с периодически деформированной поверхностью. В п. 1.5 на основе анализа литературных данных определены основные задачи настоящей работы.

Вторая глава посвящена теоретическому анализу устойчивых конфигураций дислокационных диполей и квантовых проволок в композиционно неоднородных и наноструктурных пленках. В п. 2.1 исследованы условия зарождения и эволюция дислокационных диполей в композиционно неоднородных и нанокристаллических пленках. Показано, в частности, что в пленках с неоднородным составом критическая толщина формирования диполя дислокаций может быть меньше критической толщины зарождения одиночной дислокации несоответствия. В п. 2.2 проведен анализ условий формирования упорядоченных многослойных структур квантовых проволок. Получено выражение для упругой энергии многослойной пленки с переменным составом. Показано, в частности, что частоты модуляции состава композиционно неоднородных слоев трехслойной пленки совпадают, если толщины этих слоев равны. В п. 2.3 приведено резюме к главе 2.

В третьей главе рассмотрены дефекты несоответствия (дислокации, дисклина-ции, дисклинационные ряды и дислокационные стенки) в двухслойном цилиндрическом композите, предельными случаями которого являются плоская пленка на полубесконечной подложке и цилиндрическое включение в бесконечной матрице. В п. 3.1 рассчитано поле напряжений несоответствия в двухслойном цилиндре. В п. 3.2 рассчитаны критические параметры зарождения одиночной дислокации на межфазной границе двухслойного цилиндра. Показано, в частности, что зарождение межфазной дислокации несоответствия энергетически выгодно, если толщины слоев цилиндра достаточно близки. Показано также, что критическая толщина пленки в цилиндрическом композите (если она существует) уменьшается с увеличением радиуса подложки. В п.п. 3.3-3.5 определены условия зарождения одиночной дисклинации несоответствия, равновесного диполя клиновых дисклинации и ансамбля таких дисклинации. Показано, в частности, что одиночные дисклинации и дисклинационные ряды могут зарождаться, если мощность дисклинаций достаточно мала, в то время как формирование дисклинационных диполей возможно лишь при достаточно большой мощности составляющих их дисклинаций. В п. 3.6 определено равновесное расстояние между дисклинациями в бесконечном ансамбле. В п. 3.7 определены условия зарождения дислокационной стенки и произведено сравнение этих условий с условиями образования межфазной дисклинации. В п. 3.8 приведено резюме к главе 3.

Четвертая глава посвящена теоретическому исследованию дислокаций в пористых средах. В п. 4.1 определены критические параметры зарождения дислокационных диполей в пленках на поверхностях цилиндрических пор. Показано, что формирование дислокационных диполей возможно при достаточно больших значений радиуса поры и несоответствия и происходит в определенном интервале толщин пленки. Показано, что критическая толщина пленки (при превышении которой становится возможным образование дислокационных диполей) уменьшается с увеличением радиуса поры, и рассчитан минимальный радиус поры, при котором в пленке возможно зарождение дислокации несоответствия. В п. 4.2 рассмотрено упругое взаимодействие дислокаций с полыми ядрами (микротрубок). Рассчитана энергия и сила взаимодействия микротрубки с винтовой дислокацией, определены области их притяжения и отталкивания и предложена модель обедненной зоны около микротрубки. Исследовано взаимодействие пары параллельных микротрубок, содержащих винтовые дислокации, рассчитаны поля их напряжений, упругая энергия и сила взаимодействия. Для микротрубок, содержащих винтовые дислокации одного знака, определены условия наличия области притяжения. Для случая, когда область притяжения микротрубок существует, определены положения их неустойчивого равновесия. В качестве предельного случая взаимодействия пары микротрубок проанализировано взаимодействие микротрубки со свободной поверхностью. В п. 4.3 теоретически исследованы условия расщепления микротрубок. В п. 4.4 приведено резюме к главе 4.

В пятой главе теоретически исследованы возможности увеличения критической толщины однослойных и многослойных пленок путем предварительной пластической деформации подложек. В п.п. 5.1 и 5.2 предложена модель пленки на пластически деформированной подложке и приведен критерий энергетической выгодности образования межфазной дислокации несоответствия. В п. 5.3 рассчитана энергия дислокации в тонкопленочной системе с дисклинадиями. В п. 5.4 рассчитана критическая толщина пленок на подложках с дисклинадиями. Показано, что при определенных значениях несоответствия критическая толщина пленки на подложке с дисклинаци-ями значительно превышает критическую толщину пленки на недеформированной бездефектной подложке. В п. 5.5 обсуждаются отличительные особенности зарождения дислокаций в многослойных пленках на пластически деформированных подложках. В п. 5.6 приводится резюме к главе 5.

В шестой главе построены модели эволюции островков на пластически деформированных подложках и двухфазных подложках с дислокациями. В п. 6.1 изложена модель островков на подложке с дислокациями несоответствия. В п. 6.2 рассчитано поле напряжений, создаваемое одиночным островком в подложке. В п. 6.3 рассмотрено взаимодействие четырех островков с парой ортогональных дислокаций и определена максимальная толщина тонкого слоя подложки, при которой может произойти коагуляция островков. В п. 6.4 предложена модель островков на подложках с дисклинадиями. В п. 6.5 рассчитаны деформации, создаваемые дисклинадиями на свободной поверхности подложки. В п. 6.6 рассчитана упругая энергия островков на подложке с дисклинациями и определены равновесные положения островков. Показано, что пространственное упорядочивание островков может реализовываться, если мощность дисклинаций в подложке достаточно мала или достаточно велика. В п. 6.7 дано резюме к главе 6.

В заключении приведен перечень основных результатов и сформулированы основные выводы диссертации.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на международных конференциях "Прикладные аспекты физики межфазных границ" (Санкт-Петербург, 1999), "Новые концепции по материалам высоких технологий: неразрушающий контроль и компьютерное моделирование в материаловедении и машиностроении" (ЫВТЗС-2000, 2001)"(Санкт-Петербург, 2000, 2001), "Гетерогенные материалы: исследования и дизайн Петербург, 2000), а также на семинарах в Институте проблем машиноведения РАН (СПб) и Санкт-Петербургском государственном техническом университете.

Основные публикации по теме работы

По теме работы опубликовано 11 научных статей в отечественных и зарубежных журналах, а также тезисы одного доклада на конференции. Список публикаций приведен в конце диссертации (п. Л. 2).

Положения, выносимые на защиту

• Модели дислокационных диполей в композиционно неоднородных и нанострук-турных пленках, расчет критических параметров формирования таких диполей, анализ условий стабильности многослойных пленок с модуляцией состава.

• Модели равновесных конфигураций дефектов несоответствия в цилиндрических наноструктурах, исследование условий зарождения этих дефектов.

• Модели устойчивых конфигураций дислокаций в пористых средах, определение критических параметров образования дислокационных диполей в пленках на поверхностях цилиндрических пор, расчет полей напряжений и энергий взаимодействия микротрубок, анализ условий возможного расщепления микротрубок.

• Модели дислокаций несоответствия в однослойных и многослойных пленках на пластически деформированных подложках, определение критических параметров формирования дислокаций в тонких пленках на пластически деформированных подложках.

• Модели островков на двухслойных подложках с межфазными дислокациями и пластически деформированных подложках с дисклинациями, анализ условий слияния островков и их пространственного упорядочивания.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации получены следующие основные результаты и выводы.

1. Построены модели дислокаций несоответствия (ДН) и их диполей на границе подложек и пленок с периодической модуляцией состава. Показано, что критические толщины зарождения диполей ДН меньше соответствующих критических толщин формирования одиночных ДН. Показано, что формирование и эволюция дислокационных диполей в нанокристаллических пленках могут осуществляться посредством перераспределения и аннигиляции неравновесных зернограничных дислокаций. Определены условия наличия положений неустойчивого равновесия для одиночных диполей зернограничных дислокаций и их рядов. Показано, что совпадение профилей модуляции состава композиционно неоднородных слоев многослойных пленок возможно в определенном интервале толщин этих слоев. В частном случая трехслойной пленки совпадение профилей таких слоев достигается, если толщины этих слоев равны.

2. Определены условия зарождения дефектов несоответствия (одиночной клиновой дисклинации несоответствия, диполя клиновых дисклинаций, ряда дисклинаций несоответствия и стенки дислокаций несоответствия) в двухфазном цилиндрическом композите. Указано, что в случае, если толщина одного из слоев много больше толщины другого слоя, зарождение ДН в двухслойном цилиндре невыгодно даже при больших толщинах пленки и подложки. Показано, что появление изолированных дисклинаций несоответствия и их устойчивых ансамблей на межфазной границе пленка-подложка двухфазного составного цилиндра возможно, если абсолютная мощность дисклинаций меньше критической мощности

3. Построены модели дислокаций в средах с цилиндрическими порами. Рассмотрены диполи краевых дислокаций, аккомодирующие несоответствие в пленках на поверхности пор, и винтовые дислокации внутри таких пор. Показано, что формирование дислокационных диполей в пленках на внутренних поверхностях цилиндрических пор возможно при достаточно больших значений радиуса поры и несоответствия и происходит в определенном интервале толщин пленки. Продемонстрировано, что критическая толщина пленки (при превышении которой становится возможным образование дислокационных диполей) уменьшается с увеличением радиуса поры, и определен минимальный радиус поры, при котором в пленке возможно зарождение дислокационных диполей.

Теоретически исследовано упругое взаимодействие микротрубок между собой и с винтовыми дислокациями, а также условия расщепления микротрубок. Показано, что расщепление микротрубки на две меньшие микротрубки возможно, если радиус исходной микротрубки превышает равновесный радиус, суммарная площадь поверхности микротрубок уменьшается при расщеплении, а отношение радиусов расщепившихся микротрубок близко к отношению величин векторов Бюргерса этих микротрубок. Продемонстрировано, что расщепление микротрубки на микротрубку и винтовую дислокацию возможно, если радиус исходной микротрубки значительно отличается от ее равновесного радиуса, а винтовая дислокация способна выйти за пределы области притяжения вблизи микротрубки.

4. Определены условия зарождения дислокаций несоответствия в однослойных и многослойных пленках на пластически деформированных подложках, содержащих ансамбли дисклинаций. Показано, что при определенных значениях (эффективного) несоответствия критическая толщина пленки на подложке с дисклинациями значительно превышает критическую толщину пленки на недеформированной бездефектной подложке.

5. Построены модели островков на двухслойных подложках с межфазными дислокациями и пластически деформированных подложках с дисклинациями. Показано, что коагуляция островков на двухслойных подложках с сетками дислокаций несоответствия возможна, если толщина верхнего слоя подложки меньше критической толщины. Показано, что пространственное упорядочивание островков на пластически деформированной подложке с дисклинациями возможно, если мощность дисклинаций в подложке достаточно мала или достаточно велика.

Таким образом, результаты данной работы свидетельствуют о потенциальных возможностях увеличения критической толщины пленок (путем использования цилиндрических подложек вместо их пластинчатых аналогов или предварительной пластической деформации подложек) и предсказывают пространственное упорядочивание островков на пластически деформированных подложках.

1. Ю.А. Тхорик, JI.C. Хазан. Дислокации несоответствия и пластическая деформация в гетероэпитаксиальных системах. Киев, Наукова думка, 1983. 304 с.

2. A. Sutton, R.W. Baluffi. Interfaces in crystalline materials, Oxford, Clarendon, 1995.

3. S.C. Jain, A.H. Harker, R.A. Cowley. Misfit strain and misfit dislocations in lattice mismatched epitaxial layers and other systems // Phil. Mag. A 75, 6, 1461-515 (1997).

4. В.И. Владимиров, М.Ю. Гуткин, А.Е. Романов. Влияние свободной поверхности на равновесное напряженное состояние в гетероэпитаксиальных системах // Поверхность, No. 6, 46-51 (1988).

5. S.C Jain, T.J. Gosling, J.R. Willis, D.H.J. Totterdell, R. Bullough. A new studyof critical layer thickness, stability and strain relaxation in pseudomorphic Ge^Sii-a strained epilayers // Phil. Mag. A 65, 5, 1151-67 (1992).

6. T.J. Gosling, J.R. Willis. The energy of arrays of dislocations in anisotropic halfspace // Phil. Mag. A 69, 1, 65-90 (1994).

7. T.J. Gosling, S.C. Jain, J.R. Willis, A. Atkinson, R. Bullough. Stable configurations in strained epitaxial layers // Phil. Mag. A 66, 1, 119-32 (1992).

8. T.J. Gosling, R. Bullough, S.C. Jain, J.R. Willis. Misfit dislocation distributions in capped (buried) strained semiconductor layers //J. Appl. Phys. 73, 12, 826778 (1993).

9. Z. Jin, S. Yang, C. Mo, S. Liu, Strain relaxation in buried strained layers by mixtureof single and dipolar dislocation arrays // Eur. Phys. J. AP 6, 3, 251-5 (1999).

10. S.C. Jain, T.J. Gosling, J.R. Willis, R. Bullough, P. Bulk. Theoretical comparison of the stability characteristics of capped and uncapped GeaSiiK strained epilayers // Solid State Electronics 35, 8, 1073-9 (1992).

11. J.W. Mattews. Defects associated with the misfit between crystals //J. Vac. Sci. Technol. 12, 1, 126-33 (1975).

12. M.Yu. Gutkin, A.E. Romanov, E.C. Aifantis. Stand-off positions and non-uniform distribution of misfit dislocations in heteroepitaxial systems // Phys. Stat. Sol. (a) 151, 2, 281-90 (1995).

13. N. Birle, B. Pichaud, N. Guelton, R.G. Saint-Jacques. X-ray topographic inden-tification of dislocation nucleation mechanisms in the heteroepitaxial system GaAs/Ge // Phys. Stat. Sol. (a) 149, 1, 123-9 (1995).

14. B.C. de Cooman, C.D. Carter. The accommodation of misfit at 100 heterojunctions at III-V compound semiconductors by gliding dissociated dislocations // Acta Metal. 37, 10, 2765-77 (1989).

15. B.C. de Cooman, C.D. Carter, K.T. Chan, J.R. Shealy. The characterization of misfit dislocations at 100 heterojunctions in III-V compound semiconductors // Acta Metal. 37, 10, 2779-93 (1989).

16. F. Bailly, M. Barbé, G. Cohen-Solal. Setting up of misfit dislocations in heteroepitaxial growth and critical thicknesses, J. Cryst. Growth 153, 115-22 (1995).

17. J.R. Willis, S.C. Jain, R. Bullough. The energy of an array of dislocations: the implications for strain relaxation in semiconductor heterostructures // Phil. Mag. A 62, 1, 115-29 (1990).

18. N.H.J. Fletcher. Crystal interfaces //J. Appl. Phys. 35, 1, 234-40 (1964).

19. N.H.J. Fletcher, K.W. Lodge. Energy of interfaces between crystals: ab initio approach // Epitaxial Growth, New York, Academic Press, 1975, pp. 529-57.

20. B.W. Dodson. Atomistic study of structural instability in coherently strained Si-likelayers, Phys. Rev. В 35, 11, 5558-62 (1987).

21. F.C. Frank, J.H. van der Merwe. One-dimensional dislocations // Proc. Roy. Soc. Edinburg A 198, 1052, 202-5 (1949).

22. М.Ю. Гуткин, K.H. Микаелян, И.А. Овидько. Равновесные конфигурации дислокаций несоответствия в тонко пленочных гетеросистемах / / ФТТ 40, 11, 2059-64 (1998).

23. М.Ю. Гуткин, К.Н. Микаелян, И.А. Овидько. Зарождение и развитие частичных дислокаций несоответствия и дефектов упаковки в тонкопленочных гетероструктурах // ФТТ 43, 1, 42-6 (2001).

24. A. Fischer, Н. Kühne, G. Lippert, Н. Richter, В. Tillack. State of stress and critical thickness of strained small-area SiGe layers // Phys. Stat. Sol. (a) 171, 2, 475-85 (1999).

25. V.l. Vdovin. Misfit dislocations in epitaxial heterostructures: mechanisms of generation and multiplication // Phys. Stat. Sol. (a) 171, 1, 239-50 (1999).

26. R. Bonnet. A two-layer epitaxial composite strained by an array of misfit dislocations accommodating the lattice mismatch // Phys. Stat. Sol. (a) 177, 1, 219-29 (2000).

27. M.Yu. Gutkin, A.E. Romanov. Stand-off positions of misfit dislocations, Phys. Stat. Sol. (a) 144, 1, 39-57 (1994).

28. I.A. Ovid'ko. Misfit dislocation walls in solid films //J. Phys.: Cond. Mat. 11, 34, 6521-7 (1999).

29. И.А. Овидько. Дисклинации несоответствия на межфазных границах кристалл/кристалл и кристалл/стекло // ФТТ 41, 9, 1637-43 (1999).

30. Р. Müllner, Н. Gao, C.S. Ozkan. A twinned wedge in a Si-Ge epitaxial film: twofold E = 9 twinning // Phil. Mag. A 75, 4, 925-38 (1997).

31. H. Gao, C.S. Ozkan, W.D. Nix, J.A. Zimmerman, L.B. Freund. Atomistic models of dislocation formation at crystal surface ledges in Sii^Ge^/Si (100) heteroepitaxial thin films // Phil. Mag. A 79, 2, 349-70 (1999).

32. F.K. Le Goues, M. Copel, R. Tromp. Novel strain-induced defect in thin molecular-beam-epitaxy layers // Phys. Rev. Lett. 63, 17, 1826-9 (1989).

33. C.S. Ozkan, W.D. Nix, H. Gao. Strain relaxation and defect formation inheteroepitaxial Siia;Ge3; films via surface roughening induced by controlled annealing experiments // Appl. Phys. Lett. 70, 17, 2047-9 (1997).

34. A. Sakai, H. Sunakawa, A. Usui. Transmission electron microscopy of defects in GaN films formed by epitaxial overgrowth // Appl. Phys. Lett. 73, 4, 481-3 (1998).

35. I.-H. Kim, C. Sone, O.-H. Nam, Y.-J. Park, T. Kim. Crystal tilting in GaN growth by pendoepitaxy method on sapphire substrate // Appl. Phys. Lett. 75, 26, 410911 (1999).

36. A. Sakai, H. Sunakawa, A. Kimura, A. Usui. Self-organized propagation of dislocations in GaN films during epitaxial lateral overgrowth // Appl. Phys. Lett. 76, 4, 442-4 (2000).

37. E. Gartstein, D. Moglyanski, N. Frumm. Interfacial microstructure in Si-on-saphire heterostructures //J. Cryst. Growth 205, 1/2, 64-71 (1999).

38. P. Moeck, K. Mizuno, B.K. Tanner, C. Lacey, C.R. Whitehouse, G.W. Smith, A. Keir. Strain relaxation in InGaAs epilayers by means of twin formation // Jpn. J. Appl. Phys. 38, part A, 6A, 3628-31 (1999).

39. F.K. Le Goues, M. Copel, R.M. Tromp. Microstructure and strain relief of Ge films grown layer by layer on Si(001) // Phys. Rev. B 42, 18, 10690-700 (1990).

40. N. Sridhar, J.M. Rickman, D.J. Srolovitz. Multilayer film stability // J. Appl. Phys. 82, 10, 4852-9 (1997).

41. M. Hentschel, M. Bobeth, G. Diener, W. Pompe. On the short-time compositional stability of periodic multilayers // Thin Solid Films 354, 2, 267-75 (1999).

42. T. Matilla, L.-W. Wang, A. Zunger. Electronic consequences of lateral composition modulation in semiconductor alloys // Phys. Rev. B 59, 23, 15270-84 (1999).

43. T.M. Whitney, J.S. Jiang, P.S. Searson, C.L. Chien. Fabrication and magnetic properties of arrays of metallic nanowires // Science 261, 5126, 1316-9 (1993).

44. A.M. Morales, C.M. Lieber. A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires // Science 279, 5348, 208-11 (1998).

45. Y.F. Zhang, Y.H. Tang, N. Wang, D.P. Yu, C.S. Lee, I. Bello, S.T. Lee. Silicon nanowires prepared by laser ablation at high temperature // Appl. Phys. Lett. 72, 15, 1835-7 (1998).

46. Y. Wu, P. Yang. Germanium/carbon-sheath nanostructures // Appl. Phys. Lett.77, 1, 43-45 (2000).

47. Z.L. Wang, Z.R. Dai, R.P. Gao, Z.G. Bai, J.L. Gole. Side-by-side carbide silica biaxial nanowires: synthesis, structure and mechanical properties // Appl. Phys. Lett. 77, 21, 3949-51 (2000).

48. B. Wang, S. Yin, G. Wang, A. Buldun, J. Zhao. Novel structure and properties of gold nanowires // Phys. Rev. Lett. 86, 10, 2046-9 (2001).

49. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. On spinodal decomposition in elasti-cally anisotropic epitaxial films of III-V semiconductor alloys //J. Appl. Phys. 74, 12, 7198-210 (1993).

50. В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. Развитие неоднородностей состава при послойном росте эпитаксиальной пленки твердого раствора полупроводников kUIBv // ФТП 27, 11/12, 1931-43 (1993).

51. F. Léonard, С. Desai. Elastic effects and phase separation during the growth of thin alloy layers by molecular-beam epitaxy // Phys. Rev. В 56, 8, 4955-65 (1997).

52. F. Léonard, R.C. Desai. Spinodal decompositions and dislocation lines in thin films and bulk materials // Phys. Rev. В 58, 13, 8277-88 (1998).

53. I. P. Ipatova, Y. G. Malyshkin, A.A. Maradulin, V.A. Shchukin, R.F. Wallis. Kinetic instabilities of semiconductor alloy growth // Phys. Rev. В 57, 20, 12968-93 (1998).

54. H.H. Леденцов, В.M. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Гегероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры // ФТП 32, 4, 385-410 (1998).

55. V.A. Shchukin, D. Bimberg. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces // Rev. Mod. Phys. 71, 4, 1125-71 (1999).

56. C. Ratsch, A. Zangwill. Equilibrium theory of the Stranski- Krastanov epitaxial growth // Surf. Sci. 293, 1/2, 123-31 (1993).

57. J. Drucker. Coherent islands and microstructural evolution // Phys. Rev. В 48, 24, 18203-6 (1993).

58. К.M. Chen, D.E. Jesson, S.J. Pennycook. Critical nuclei shapes in stress-driven 2D-to-3D transition // Phys. Rev. В 56, 4, R1700-3 (1997).

59. J. Tersoff, F.K. Le Goues. Competing relaxation mechanisms in strained layers // Phys. Rev. Lett. 72, 22, 3570-3 (1994).

60. J. Tersoff, R.M. Tromp. Shape transition in growth of strained islands: spontaneous formation of quantum wires // Phys. Rev. Lett. 70, 18, 2782-5 (1993).

61. R.V. Kukta, L.B. Freund. Minimum energy configuration of epitaxial material clusters on a lattice-mismatched substrate // J. Mech. Phys. Solids 45, 11/12, 1835-60 (1997).

62. S.A. Chaparro, Y. Zhang, J. Drucker, D.J. Smith. Evolution of Ge/Si (100) islands: island size and temperature dependence //J. Appl. Phys. 87, 5, 2247-54 (2000).

63. T.I. Kamins, E.C. Karr, R.S. Williams, S.J. Rosner. Deposition of three-dimensional Ge islands on Si(001) by chemical vapor deposition at atmospheric and reduced pressures // J. Appl. Phys. 81, 1, 211-9 (1997).

64. S.A. Chaparro, J. Drucker, Y. Zhang, D. Chandrasekhar, M.R. McCartney, D.J. Smith. Strain-driven alloying in Ge/Si (100) coherent islands // Phys. Rev. Lett. 83, 6, 1199-1202 (1999).

65. M. Krishnamurthy, J.S. Drucker, J.A. Venables. Microstructure evolution during the heteroepitaxy of Ge on vicinal Si (100) // J. Appl. Phys. 69, 9, 6461-71 (1991).

66. J.Y. Yao, T.J. Andersson, G.L. Dunlap. The interfacial morphology of strained epitaxial In^Gai^As/GaAs // J. Appl. Phys. 69, 4, 2224-30 (19991).

67. Q. Xie, P Chen, A. Madhukar. InAs island-induced-strain driven adatom migration during GaAs overlayer growth // Appl. Phys. Lett. 65, 16, 2051-3 (1994).

68. P. Shittenheim, M. Gail, J. Brunner, J.F. Niitzel, G. Abstreiter. Photoluminescence study of the crossover from the two-dimensional to three-dimensional growth for Ge on Si(100) // Appl. Phys. Lett. 67, 9, 1292-4 (1995).

69. N.N. Ledentsov, J. Bohrer, I.Y. Kochnev, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele. Formation of coherent superdots using metal-organic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 69,8, 1095-7 (1996).

70. L. Golstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices // Appl. Phys. Lett. 47, 10, 1099-101 (1985).

71. Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Kinetic pathways in Stranski Krastanov growth of Ge on Si (001) // Phys. Rev. Lett. 65, 8, 11020-31990).

72. D.L. Eaglesham, M. Cerullo. Dislocation-free Stranski Krastanov growth of Ge on Si (100) // Phys. Rev Lett. 64, 16, 1943-6 (1990).

73. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, N.P. Kobyashi. Vertically self-organized InAs quantum box islands on GaAs (100) // Phys. Rev. Lett. 75, 13, 2542-5 (1995).

74. J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Self-organization in growth of quantum dot superlattices // Phys. Rev. Lett. 76, 10, 1675-8 (1996).

75. W.J. Shaffer. Nucleation and strain relaxation at the InAs/GaAs (100) heterojunction //J. Vac. Sci Technol. B 1, 3, 688-95 (1983).

76. G. Medeiros-Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Shape transition of germanium nanocrystals on a silicon (001) surface from pyramids to domes // Science 279, 5349, 353-5 (1998).

77. V.A. Shchukin, D. Bimberg. Strain-driven self-organization of nanostructures on semiconductor surfaces // Appl. Phys. A 67, 6, 613-30 (1998).

78. T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Dome-to-pyramid transition induced by alloying of Ge islands on Si (001) // Appl. Phys. A 67, 6, 727-30 (1998).

79. F. Heinrichsdorf, A. Krost, M. Grundmann, D. Bimberg, F. Bertram, J. Christen, A. Kosogov, P. Werner. Self-organization phenomena of InGaAs/GaAs quantum dots grown by metalloorganic chemical vapor deposition //J. Cryst. Growth 170, 1-4, 568-73 (1997).

80. A. Carlsson, L.R. Wallenberg, C. Persson, W. Seifert. Strain state in semiconductor quantum dots on surfaces: a comparison of electron microscopy and finite element calculations // Surf. Sci. 406, 1-3, 48-57 (1998).

81. T.A. Winnigham, H.P. Gillis, D.A. Choufav, K.P. Martin, J.T. Moore, K. Douglas. Formation of ordered nanocluster arrays by self-assembly of nanopatterned Si (100) surfaces // Surf. Sci. 406, 1-3, 221-8 (1998).

82. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledensov, D. Bimberg. Tuning and breakdown of faceting under externally applied stress // Phys. Rev. B 51, 15, 10104-18.

83. Q. Xie, J.L. Brown, R.L. Jones, J.E. van Nostrand. Growth of vertically self-organized InAsGa quantum dots with, narrow inhomogeneous broadening // Appl. Phys. Lett. 76, 21, 3082-4 (2000).

84. G.S. Pearson, D.A. Faux. Analytical solutions for strain in pyramidal quantum dots //J. Appl. Phys. 88, 2, 730-6 (2000).

85. E. Pehlke, N. Moll, A. Kley, M. Scheffler. Shape and stability of quantum dots // Appl. Phys. A 65, 525-34 (1997).

86. K. Tillmann, A. Förster. Critical dimensions for the formation of interfacial misfit dislocations of Ino.6Gao.4As islands on GaAs (001) // Thin Solid Films 368, 1, 93104 (2000).

87. X.H. Liu, F.M. Ross, K.W. Schwarz. Dislocated epitaxial islands // Phys. Rev. Lett. 85, 19, 4088-91 (2000).

88. A.E. Romanov, P.M. Petroff, J.S. Speck. Lateral ordering of quantum dots by periodic subsurface stressors // Appl. Phys. Lett. 74, 16, 2280-2 (1999).

89. A. Bourret. How to control the self-organization of nanoparticles by bonded thin layers // Surf. Sei. 432, 37-53 (1999).

90. D. Maroudas, L.A. Zepeda-Ruiz, W.H. Weinberg. Kinetics of strain relaxation through misfit dislocation formation in the growth of epitaxial films on compliant substrates // Appl. Phys. Lett. 73, 6, 753-5 (1998).

91. G. Kästner, U. Gösele, T.Y. Tan. A model of strain relaxation in hetero-epitaxial films on compliant substrates // Appl. Phys. A 66, 1, 13-22 (1998).

92. F.Y. Huang. Effect of strain transfer on critical thickness for epitaxial layers grown on compliant substrates // Appl. Phys. Lett. 76, 21, 3046-8 (2000).

93. Y. Obyashi, K. Shintani. Critical thickness of a heteroepitaxial film on a twist-bonded compliant substrate // J. Appl. Phys. 88, 1, 105-14 (2000).

94. Y.H. Lo. New approach to grow pseudomorphic structures over the critical thickness // Appl. Phys, Lett. 59, 18, 2311-3 (1991).

95. W.A. Jesser, J.H. van der Merwe, P.M. Stoop. Misfit accommodation by compliant substrate //J. Appl. Phys. 85, 4, 2129-39 (1999).

96. L.B. Freund, W.D. Nix. A critical thickness condition for a strained compliant substrate/epitaxial system // Appl. Phys, Lett. 69, 2, 172-5 (1996).

97. L.A. Zepeda-Ruiz, D. Maroudas, W.H. Weinberg. Theoretical study of the energetics, strain fields and semicoherent interface structures in layer-by-layer semiconductor heteroepitaxy //J. Appl. Phys. 85, 7, 3677-85 (1999).

98. Y. Obyashi, K. Shintani. Elastic energy approach to the strain relaxation mechanism by dislocation splitting and slip in twist-bonded substrates //J. Appl. Phys. 88, 10, 5623-9 (2000).

99. L.B. Freund. A lower bound of implant density to induce wafer splitting in forming compliant substrates // Appl. Phys. Lett. 70, 25, 3519-21 (1997).

100. S.D. Wang. Energy of an array of dislocations in a strained epitaxial layer deposited on a finite substrate // J. Appl. Phys. 88, 12, 7089-94 (2000).

101. M.Yu. Gutkin, A.E. Romanov. Misfit dislocations in a thin two-phase heteroepitaxial plate // Phys. Stat. Sol. (a) 129, 117-25 (1992).

102. D. Yu. Baskov, M.Yu. Gutkin, I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Misfit dislocation walls in multilayered films. // Mater. Phys. Mech. 1, 2, 10-4 (2000).

103. В.И. Владимиров, A.E. Романов. Дисклинации в кристаллах. Л., Наука1986). 224 с.

104. J.W. Cahn. On spinodal decomposition // Acta Metall. 9, 795-801 (1962).

105. G.B. Stringfellow. Immiscibility and spinodal decomposition in III/V alloys //J. Cryst. Growth 65, 3, 454-62 (1983).

106. F. Glas. Elastic state and thermodynamical properties of inhomogeneous epitaxial layers: application to immiscible III-V alloys //J. Appl. Phys. 62, 8, 3201-81987).

107. Y.Q. Wang, Z.L. Wang, T. Brown, A. Brown, G. May. Configurations of misfit dislocations at interfaces of lattice-matched Gao.5I1io.5P/GaAs heterostructures // Appl. Phys. Lett. 77, 2, 223-5 (2000).

108. H. Takasu, S. Shimanuki. Funnel-like defects of flux grown magnetic garnets //J. Cryst. Growth 24/25, 641-5 (1974).

109. I. Sunagawa, P. Bennema. Observations of the influence of stress field on the shape of growth of dissolution spirals //J. Cryst. Growth 53, 3, 490-504 (1981).

110. H. Tanaka, Y. Uemura, Y. Inomata. Observations of holes around dislocation core in SiC crystals // J. Cryst. Growth 53, 3, 630-2 (1981).

111. H.M. Hobgood, D.L. Barrett, J.P. McHugh, R.C. Klarke, S. Sriram, A.A. Burk, J. Greggi, C.D. Brandt, R.H. Hopkins, W.J. Choyke. Large diameter 6H- SiC for microwave device applications //J. Cryst. Growth 137, 1/2, 181-6 (1994).

112. J.A. Powell, D.J. Larkin. Process-induced morphological defects in epitaxial CDV silicon carbide // Phys. Stat. Sol. (b) 202, 1, 529-48 (1997).

113. J. Heindl, W. Dorsch, H.P. Strunk, St.G. Muller, R. Eckstein, D. Hofmann, A. Winnacker. Dislocation content of micropipes in SiC // Phys. Rev. Lett. 80, 4, 740-1 (1998).

114. X.R. Huang, M. Dudley, W.M. Vetter, W. Huang, S. Wang, C.H. Carter. Direct evidence of micropipe-related superscrew dislocations in SiC // Appl. Phys. Lett. 74, 3, 353-5 (1999).

115. B. Pecz, R. Yakimova, M. Syvajary, C. Lockowandt, H. Radamson, G. Radnoczi, E. Janzen. Structural investigations of SiC epitaxial layers grown under microgravity and on-ground conditions // Thin Solid Films 357, 2, 137-43 (1999).

116. Quizhen Xie, Q.K. Xie, Y. Hasegawa, I.S.T. Tsong, T. Sakurai. Two-step preparation of 6H-SiC (0001) surface for epitaxial growth of GaN thin films // Appl. Phys. Lett. 74, 17, 2468-70 (1999).

117. Q. Wahab, A. Ellison, A. Henry, E. Janzen, C. Hallin, J. Di Persio, R. Martinez. Influence of epitaxial growth and substrate-induced defects on the breakdown of 4H-SiC Schottky diodes, Appl. Phys. Lett. 76, 19, 2725-7 (2000).

118. B.M. Epelbaum, D. Hofmann, U. Hecht and A. Winnacker. Micropipe and macrodefect healing in SiC crystals during liquid phase processing // 3-rd European Conf. on SiC and related mater. (ECSRM) 3-7 September 2000, KlosterBanz, Germany, Abstr. P. 49-52.

119. I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto, K. Izumi. Structural transformations of screw dislocations via thick 4H-SiC epitaxial growth // Jpn. J. Appl. Phys. 39, pt. 1, 12A, 6496-500 (2000).

120. C.F. Frank. Capillary equilibrium of dislocated crystals // Acta Cryst. 4, 497-501 (1951).

121. D. Cherns. The structure and optoelectronic properties of dislocations in GaN // J. Phys.: Cond. Mat. 12, 49, 10205-12 (2000).

122. J. Heindl, W. Dorsch, R. Ecustein, D. Hofmann, T. Marek, St.G. Müller, H.P. Strunk, A. Winnacker. Formation of micropipes in SiC under kinetic aspects //J. Cryst. Growth 179, 3/4, 510-4 (1997).

123. Van der Hoek, van der Eerden, P. Bennema. Thermodynamical stability conditions for the occurrence of hollow cores caused by stress of line and planar defects // J. Cryst. Growth 56, 3, 621-32 (1982).

124. D.J. Srolovitz, N. Sridhar, J.P. Hirth, J.W. Cahn. Shape of hollow dislocations cores: anisotropic surface energy and elastic stresses // Scripta Mater. 39, 4/5, 379-87 (1998).

125. R.C. Glass, D. Henshall, V.F. Tstvetkov, C.H. Carter. SiC seeded crystals growth // Phys. Stat. Sol. (b) 202, 1, 149-62 (1997).

126. N. Schulze, D.L. Barrett, G. Pensl. Near-equilibrium growth of micropipe-free 6H-SiC crystal by physical vapor transport // Appl. Phys. Lett. 72, 13, 1632-4 (1999).

127. M. Dudley, C.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, R. Neudeck, M. Skowrenski. The mechanism of micropipe nucleation at inclusions in silicon carbide // Appl. Phys. Lett. 75, 6, 784-6 (1999).

128. J. Heindl, H.P. Strunk, V.D. Heydemann, G. Pensl. Micropipes: hollow tubes in silicon carbide // Phys. Stat. Sol. (a) 162, 1, 251-62 (1997).

129. G. Augustine, H. McD Hobgood, V. Balakrishna, G. Dunne, R.H. Hopkins. Physical vapor transport growth and properties of SiC monocrystals of 4H polytype // Phys. Stat. Sol. (b) 202, 1, 137-48 (1997).

130. Yu.A. Vodakov, A.D. Roenkov, M.G. Ramm, E.N. Mokhov, Yu.N. Makarov. Use of Ta-container for sublimation growth and doping of SiC bulk crystals and epitaxial layers // Phys. Stat. Sol. (b) 202, 1, 177-200 (1997).

131. W. Qian, M. Skowronski, K. Doverspike, L.B. Rowland, D.K. Gaskill. Observation of nanopipes in a-GaN crystals // J. Cryst. Growth 151, 3/4, 396-400 (1995).

132. J. Eisner. R. Jones, P.K. Sitch, V.D. Porezlag, M. Eisner, Th. Frauenheim, S. Oberg, P.R. Briddon. Theory of threading edge and screw dislocations in GaN// Phys. Rev. Lett. 79, 19, 3672-5 (1997).

133. R. Jones, J. Eisner, M. Haugk, R. Gutierrez, Th. Frauenheim, M.I. Heggie, S. Oberg, P.R. Bridden. Interaction of oxygen with threading dislocations in GaN // Phys. Stat. Sol. (a) 171, 1, 167-73 (1999).

134. A.T. Blumenau, J. Eisner, R. Jones, M.I. Heggie, S. Oberg, T. Frauenheim, P.R. Briddon. Dislocations in hexagonal and cubic GaN //J. Phys.: Cond. Mat. 12, 49, 10223-33 (2000).

135. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Dislocation dipoles in films with compositional inhomogeneities // submitted to Phil. Mag. A.

136. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Dislocation dipoles in nanocrystalline films //J. Nanosci. Nanotechnol. 1, 2, 215-20 (2001).

137. J. Dundurs. Elastic interaction of dislocation with inhomogeneities // Recent Advances in Engineering Science, ed. by A.C. Eringen, vol. 2, Gordon & Breach, New York, 1967, pp. 223-33.

138. T. Mura. The continuum theory of disclinations , in: Advances in materials science, ed. by H. Herman, vol. 3, New-York, Interscience Publ., 1968, pp. 1-108.

139. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. М., Атомиздат, 1974. 600 с.

140. A.A. Nazarov, R.Z. Valiev, А.Е. Romanov. Disorded planar arrays of dislocations // Solid State Phenomena 35-36, 391-6 (1994).

141. A.A. Nazarov, R.Z. Valiev, A.E. Romanov. On the structure, stress fields and energy of non-equilibrium grain boundaries. // Acta Metal. Mater. 41, 4, 1033-40 (1993).

142. J.P. Hirth. Some current topics in dislocation theory // Acta Mater. 48, 1, 93-1042000).

143. A. Atkinson, S.C. Jain. The energy of finite system of misfit dislocations in epitaxial strained layers // J. Appl. Phys. 72, 6, 2242-8 (1992).

144. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Nano-wires associated with compositional inhomo-geneities// J. Phys.: Cond. Mat. 13, 42, 9645-53 (2001).

145. D.H. Rich, Y. Tang, H.T. Lin. Linearly polarized and time-resolved cathodolumi-nescence study of strain-induced laterally ordered (InP)2(GaP)2 quantum wires // J. Appl. Phys. 81, 10, 6837-52 (1997).

146. K.B. Brunner, J. Zhu, G. Abstreiter, O. Kienzle, F. Ernst. Step bunching and correlated site nanostructures on Si (113) // Thin Solid Films 369, 1, 39-42 (2000).

147. G. Jin, Y.S. Tang, J.L. Liu, K.L. Wang. Growth and study of self-organized Ge quantum wires on Si (111) substrates // Appl. Phys. Lett. 74, 17, 2471-3 (1999).

148. L. Kabacoff // Nanostructured films and coatings, NATO ARW Series, ed. by G.-M. Chow, I.A. Ovid'ko, and T. Tsakalakos, Kluwer, Dordrecht, 2000. P. 273.

149. M.Yu. Gutkin, I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Misfit dislocations in wire composite solids //J. Phys.: Cond. Matter 12, 25, 5391-401 (2000).

150. A.G. Sheinerman, M.Yu. Gutkin. Misfit disclinations and dislocation walls in a two-phase cylindrical composite // Phys. Stat. Sol. (a) 184, 2, 485-505 (2001).

151. С.П. Тимошенко, Дж. Гудьер. Теория упругости. М., Наука, 1979. 560 с.

152. A. Rocket, C.J. Kiely. Energetics of misfit- and threading-dislocation arrays in heteroepitaxial films // Phys. Rev. В 44, 3, 1154-62 (1991).

153. A.E. Романов, неопубликованные данные.

154. A.G. Sheinerman, M.Yu. Gutkin. Misfit dislocations in a hollow cylindrical film grown on a hole surface // Scripta Mater. 45, 1, 81-7 (2001).

155. A.G. Sheinerman, M.Yu. Gutkin. Elastic interaction of micropipes in crystals // Phys. Stat. Sol. (a) 2002 (in press).

156. J.D. Eshelby. Boundary problems // Dislocations in solids, ed. by F.R.N. Nabarro, vol. 1, North Holland, Amsterdam/New York/Oxford, 1980, pp. 167-222.

157. J.P. Hirth. Dislocations within elliptical holes // Acta Mater. 47, 1, 1-4 (1999).

158. G.P. Sendeckyj. Screw dislocations in inhomogeneous solids // Fundamental aspects of dislocation theory, Nat. Bur. Stand (US), spec. publ. 317, vol. 11970). P. 57-69.

159. G.P. Sendeckyj. Screw dislocations near circular inclusions // Phys. Stat. Sol. (a) 3, 2, 529-36 (1970).

160. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Misfit dislocations in multilayered films on disclinated substrates // J. Phys.: Cond. Matter 13, 35, 7937-51 (2001).

161. И.А. Овидько, А.Г. Шейнерман. Влияние пластической деформации на зарождение дислокаций несоответствия в тонкопленочных гетерострукту-рах // ФТТ 2002 (в печати).

162. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Nano-islands on composite substrates with misfit dislocations // Appl. Phys. A 74, 2, 273-7 (2002).

163. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Nano-islands on plastically deformed substrates with disclinations // Mater. Phys. Mech. 2, 1, 31-6 (2000).

164. А.И. Лурье. Теория упругости. M., Наука, 1970. С. 230.

165. JI.2. Список публикаций по теме диссертации

166. А.Е. Романов, А.Г. Шейнерман. Энергия деформируемых и дефектных углеродных кластеров // ФТТ 42, 8, 1525-30 (2000).

167. И.А. Овидько, А.Г. Шейнерман. Влияние пластической деформации подложек на зарождение дислокаций несоответствия в тонкопленочных гетероструктурах // ФТТ 44, 7 (2002) (в печати).

168. И.А. Овидько, А.Г. Шейнерман. Диполи дислокаций несоответствия в нано-пленках с периодической модуляцией состава // Письма в ЖТФ 28, 5, 58-63 (2002).

169. M.Yu. Gutkin, I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Misfit dislocations in wire composite solids // J. Phys.: Cond. Matter 12, 25, 5391-401 (2000).

170. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Nano-islands on plastically deformed substrates with disclinations // Mater. Phys. Mech. 2, 1, 31-6 (2000).

171. A.G. Sheinerman, M.Yu. Gutkin. Misfit disclinations and dislocation walls in a two-phase cylindrical composite // Phys. Stat. Sol. (a) 184, 2, 485-505 (2001).

172. A.G. Sheinerman, M.Yu. Gutkin. Misfit dislocations in a hollow cylindrical film grown on a hole surface // Scripta Mater. 45, 1, 81-7 (2001).

173. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Dislocation dipoles in nanocrystalline films //J. Nanosci. Nanotechnol. 1, 2, 215-20 (2001).

174. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Misfit dislocations in multilayered films on discli-nated substrates // J. Phys.: Cond. Matter 13, 35, 7937-51 (2001).

175. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Nano-wires associated with compositional inhomo-geneities // J. Phys.: Cond. Matter 13, 42, 9645-53 (2001).

176. S. V. Bobylev, I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Effects of misfit stresses on structure and transport properties of grain boundaries in high-Tc superconducting films. // Phys. Rev. В 64, 21, 224507 (2001).

177. I.A. Ovid'ko, A.G. Sheinerman. Nano-islands on composite substrates with misfit dislocations // Appl. Phys. A 74, 2, 273-7 (2002).

178. M. Yu. Gutkin, A.G. Sheinerman. Elastic interaction of micropipes in crystals // Phys. Stat. Sol. (a) 2002 (in press).