Эффект Джозефсона в контактах сверхпроводник-полупроводник-сверхпроводник тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

1. Стационарный эффект Джозефсона в сверхпроводящих структурах с полупроводниковой прослойкой.

1.1. Методы теоретического анализа стационарного тока в слабосвязаннйх сверхпроводящих структурах.

1.2. Общее выражение для джозефсоновского тока структуры

1.3. Критический ток контакта $*г> в случае "чистого" полупроводника.

1.4. Критический ток контакта в случае "грязного" полупроводника (учет примесного рассеяния куперовских пар)

1.5. Обсуждение результатов.

2. Флуктуационные явления в контактах

2.1. Зшуктуационные явления в полупроводниках.

2.2. Теория критического тока с учетом флуктуаций типа "канала".

2.3. Вклад резонансно-перксшщионных траекторий в критический ток контакта .И

2.4. Обсуждение результатов.

3. Нестационарный эффект Джозефсона в сверхпроводящих структурах с полупроводниковой прослойкой.

3.1. Вывод обшей формулы для сверхпроводящего тока

3.2. Риделевские особенности тока при резонансном туннелировании . , . :.

3.3. Обсувдение результатов.

4. Сопоставление с экспериментом.

4.1. ТЗсновные экспериментальные результаты исследования эффекта Джозефсона в контактах (обзор литературы).

4.2. Сопоставление развитой теории с экспериментом . 32.

Выводы.ЮО

В последнее время в электронике вое большее значение приобретают различные устройства, использушие физические явления, возникашие в твердых телах при низких температурах. В их числе явление сверхпроводимости, и особенно эффекты Дкозефсона / I--8 /.Использование этих явлений в приборах электронной техники (элементы ЭВМ, приемники высокочастотных сигналов, сверхпроводящие квантовые интерферометры и т.д.) сейчас представляет уке самостоятельную область науки и техники, получивщую название криоэлектроники / I /.Ее развитию во вшогом способствовало исследование и применение слоистых структур,состоящих HS двух сверхпроводников, разделенных достаточно тонкой прослойкой из несверхпроводящего материала. В таких структурах первоначально в качестве промевуточной прослойки применялись различные диэлектрики - окислы металлов. При этом толщины окисных слоев не должны превышать нескольких нанометров / 1-3 /. Вследствие этого для р.Х-р контактов характерно явление деградации параметров, так как нарушается тонкая изолирукшая прослойка из-за диффузии атомов иг сверхпроводящих металлов. Кроме того, из-за малой толщины и большой диэлектрической постоянной ,1; -прослойки, такие контакты обычно обладают значительной емкостью, а на их вольтамперных характеристиках, как правило, проявляется гистерезис, что ограничивает область практического использования таких систем.Вместо диэлектрика Кларком было предложено / 4 / в качестве промежуточного слоя использовать нормальный (несверхпроводящий) металл. Допустимая толщина прослойки в таких конташ1ЭХ воз- ^ ^ растает до долеЁ микрона. Соответственно уменьшается емкость, устраняется гистерезис и в значительной степени снижаются делтрадационнне явления. Однако такие структуры обладают малым нормальным сопротивлением, что затрудняет их практическое использование.Оптимальными параметрами обладают контакты с полупроводниковой ( $УУ)) прослойкой / 2,5 /.Свойства таких контактов существенно зависят от концентрации свободных носителей в полупроводнике. При малой концентрации контакты p-^lm-p похожи на обычные джозефсоновские элементы ^ а щ>и большой - б ш з ш к ^ Ж - ^ воятактан. Свободнне воситвди В полупроводнике могут создаваться как путем введения примесей (легированием), так и с помощью облучения контактов светом. Шенно такой фоточувствительннй контакт жа Cci$ впервые был экспериментально осуществлен в работе / б /.Изменяя время облучения или концентрацию примесей, можно рехудлровать концентрацию свободных носителей в /^^ -прослойке и тем самым влиять на эффективную прозрачность барьера, сквозь которсй !чщнелиругот сверхпроводящие электроны.Таким образом, удается варьировать критический ток, вольтамперную характеристику и другие параметры контакта p - $ n i - ^ , что открывает новые возможности применения их в криоэлектронике.Наибольший интерес представляет область промежуточных концентраций носителей, когда барьер уже достаточно понижен, и толщина слоя полупроводника может значительно превышать межатомные расстояния (это делает такие контакты стабильными), и в то же время контакт обладает большим нормальным сопротивлением, что важно при практическом использовании.Для построения такой теории необходимо бшю решить следующие задачи: 1. Разработать метод теоретического анализа прохождения сверхпроводяшего тока через слой полупроводника в p ' p w p контактах.2. Исследовать влияние неупорядоченности р/^-прослойки на джозефсоновский ток контакта.3. Учесть примесное рассеяние когерентных электронов как в выровденном, так и невырожденном полупроводнике.4. Изучить вольт-амперные характеристики (БАХ) контактов p-pw-p.5. Сопоставить развитую теорию с име1заимися в литературе даннш. ,к<шврн„ан.альш. исоавлований U^-^ кон.»,ов.В главах 1,2 и 4 настояшей диссертации первые разделы содержат обзоры опубликованных другими авторами результатов теоретического и экспериментального исследования $-Sf^^ контактов и смежных вопросов* В остальных разделах излагаются собственные исследования автора. - 6 Автор защищает: 1. Тевшературные зависимости джозефсоновского тока контактов $$f^-^ , найденные на основе микроскопической теории.2. Определшошую роль глубоких $Еук!1*уационных каналов для прохождения когерентных электронов через компенсированную полупроводниковую прослойку в широком интервале концентраций приме* сей в полупроводнике.3. Эффект сильного увеличения критического тока контакта ^'^м-$ с прослойкой из невырожденного полупроводника за счет резонансного туннелирования когерентных электронов по траекториям с периодически расположенными примесями.4. Эффект усиления риделевской особенности в амплитуде сверхпроводящего тока в p-pw-p контактах при резонансном туннелировании и ее расшепяение в несимметричных контактах.5. Штерпретацию на основе развитой теории опытных данных, опубликованных в литературе и ранее не объясненных.Материалы диссертации докладывались на: 1. И П Всесоюзном совещании по физике низких температур (г.Кишинев, 1982 г.).2. У Республиканском семинаре по физике и технологии тонких пденок (г.Ивано-Франковск, 1983 г.).3. Всесоюзной конференции по теории твердого тела памяти И,М.Лифшица (Звенигород, 1984 г.), 4. Советско-итальянском симпозиуме по слабой сверхпроводимости (Москва, 1984 г.).5. Научных семинарах ИФТТ Ж СССР, М Ш И и МЙСиС. По материалам диссертации опубликованы следующие работы: Х.Асламазов Л.Г.,Фистуль М.В.Критический ток джозефсоновских конгтактов с полупроводниковой прослойкой.-41исьма в ЖЭтФ,1979,т.ЗО, ВЫМ.4, 0,233-236. - 72. Асламазов 1.Г., Фистуль М.В. Температурная зависимость критического тока контактов сверхпроводник - полупроводник сверхпроводник. - ЖЭТФ, I98I, т.81, внп.К?), с.382-397.3. Асламазов Л.Г., Фгстуль М.В. Резонансное туннелирование в контактах сверхпроводник - полупроводник - сверхпроводник. -1ЭТФ. 1982, Т.83, вып.3(9), C.II70-II76.4. Асламазов Л.Г., ^стуль М.В. Влияние примесных уровней в полупроводнике на критический ток контактов сверхпроводник полупроводник - сверхпроводник. - Тезисы докладов ХХП Всесоюзного совещания по физике низких температур. - Кшшнев, 1982, с.85-86.5. Асламазов Л.Г., Фистуль М.В. Особенности вольтамперных характеристик контактов сверхпроводник - ползщроводник — сверхпроводник. - ЮТФ, 1984, т.86, вып.4, с.1516-1526. - 8

выводы

1. На основе микроскопического подхода получена общая формула для критического тока структуры сверхпроводник - полупроводник - сверхпроводник ( ), позволяющая исследовать температурную зависимость критического тока.

Анализ этой формулы дал возможность* определить пределы изменения толщины -прослойки и концентрации примесей в ней, при которых появляются туннельный механизм протекания джозефсоновского тока и механизм потери когерентности электронов при слабом и сильном примесном рассеянии в упорядоченной ^-прослойке.

2. Показано, что неупорядоченность -прослойки существенно изменяет вид температурной зависимости критического тока. Это связано с возникновением в -прослойке флуктуационных каналов - глубоких провалов дна зоны проводимости. Несмотря на малую вероятность их образования, прохождение электронов именно по таким каналам в компенсированном полупроводнике дает главный вклад в критический ток в широкой области концентраций примесей.

3. В случае невыровденного полупроводника установлен эффект более слабого убывания критического тока с толщиной $м-прослойки, чем при обычном туннелировании электронов. Этот эффект объясняется резонансным прохождением когерентных электронов по траекториям из периодически расположенных примесных атомов (резонансно-перколяци-онные траектории Лифшица). Найдена соответствушая зависимость критического тока от толщины полупроводниковой прослойки и определена область толщин, в которой проявляется резонансное туннелирование ( СК > Qq

4. Исследована температурная зависимость критического тока в условиях резонансного туннелирования. Показано, что в этом случае на зависимости lc (Т) должен наблюдаться характерный перегиб при температуре Т^

5. Получено общее выражение для сверхпроводящего тока при приложении к контакту внешнего постоянного напряжения. Анализ общего выражения показал, что риделевская особенность может значительно усиливаться вследствие резонансного механизма прохождения когерентных электронов. В несимметричном случае (различные сверхпроводники, разные барьеры Шоттки и т.п.) риделевская особенность "расщепляется" на две, возникающие при А4(1+$ и , где ft определяется отношением напряжений на границах и .

6. Выполнено сопоставление развитой теории с опубликованными и ранее не объясненными экспериментальными данными.

Показано, что для контактов со светочувствительной поликристаллической прослойкой зависимости Д от времени освещения и от температуры хорошо объясняются прохождением электронов по глубоким флуктуационным каналам.

Экспериментальные зависимости критического тока от толщины прослойки, полученные на контактах с аморфной -прослойкой, объясняются резонансным туннелированием электронов.

1. Волков А.Ф., Заварицкий Н.В., Надь Ф.Я. Электронные устройства на основе слабосвязанных сверхпроводников. М.: Советское радио, 1979. - 136 с.

2. Ьаъоне Л. , Paiezvo б. Physics and ctpp£ications ojthe Josephs effects. -У Y. J. Wity *»<( 4382.- 523 p.

3. Шмидт В.В. Введение в физику сверхпроводников. M.s Наука, 1982. - 240 с.

4. Сйг&е J. Suppezcuzienis in £елЛ- tofftz- £еа<4 SemJv/icAes. hoc. Roy. Sac., 43 63 , V. J508 , *tms , />. M7-t71.

5. Алфеев B.H. Сверхпроводники, полупроводники, параэлектрикив криоэлектронике. М.: Советское радио, 1979. - 407 с.

6. Gioivez I. photosensitive tunneiin^ qhJ ЪирегсоиЛис-Ыvc^.-Php. Клм. ии.,№, и. 20, У 25 , f. 4286- 4283.

7. Josephso* £.2>. PossiMe. nw effect0 iy> SupezconJuctive.- %s. Ш., SM2 , v. 4 , У г , />. ж-ггу

8. ЬагЛеен J. Tunneling jzom а маиу- f^ztiUe point of

9. Phys. Rev. Ш. ,4314, v. 6 , У4 ,/>.S7-S3.

10. Coheh MM. , F*eu*v L.M. , flt/ty* J. С $«f*zco*Juctivt- ,v.8 ,f>.346-3il.

11. V.}B>azatoUA Т«и„г&и} Шш Лс^и. Php. ite, /e«. , . * ^ < P Ш'Ю.

12. Свидзинский A.B., Слюсарев В.А. К теории туннелирования в сверхпроводниках. ЖЭТФ, 1966, т.51, вып.1(7), с.177-182.

13. Wtzihame-z N.R. J/ои JLimaz Self - Coup&hg of Josep/>son Radiation w SvpezconJudivitj,-: Tunnel Junctions. — Php. hv.} 43U , v. 4K >f. 2b5-2ly

14. Ларкин А.И., Овчинников Ю.Н. Синельный эффект между сверхпроводниками в переменном поле. ЖЭТФ, 1966, т.51, вып.5(11), с.1536-1543.

15. Асламазов Л.Г., Ларкин А.й., Овчинников Ю.Н. Эффект Джозеф-сона в сверхпроводниках, разделенных нормальным металлом. -ЖЭТФ, 1968, т.55, вып.1(7), с.323-335.

16. Pzcmye /?.£. Тиме&ц }гоп о many-раъИс£е. foMoj

17. VUW. Rev. t 1363, v. 131 tN3 , p. Ю83-Ю86.

18. Шевченко С.И. К теории неупругого туннельного эффекта в нормальных металлах. ЖЭТФ, 1973, т.64, вып.5, с.1776-1785.

19. SchzieMet J.K., Scaiqj>iho 5U. , Wilkin* JV. Cffectin. ТимнгИ*}oj ^Mes in supezcoHJucb>is-top.Rev.LeU./S&**tt j Р'Ъ36'35Э

20. Абрикосов А.А., Горьков Л.П., Дзялошинский И.Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. М.: Физматгиз, 1962. - 444 с.

21. Свидзинский А.В., Анцигина Т.Н., Братусь Е.Н. Сверхпроводящий ток в широких контактах. ЖЭТФ, 1971, т.61, вып.5 (11)^0.1612-1619.

22. Макеев А.И., Мицай Ю.Н., Свидзинский А.В. К теории токовых состояний в контактах типа . Препринт ИТФ Ж УССР, 81-57 Р.

23. Jostj>hson 6. Й. SuptzCKziwH ihiouflb fazzUzs.—

24. Mv. rhf. s. , ms, V. 19 ,f>. 113-M.

25. Кулик И.О., Янсон И.К. Эффект Джозефсона вгсверхпроводящих структурах. М.: Наука, 1970. - 272 с.

26. Заикин А.Д., Жарков Г.Ф. К теории слабой сверхироводимовти в -системах. ЖЭТФ, 1980, т.78, вып.2, с.721-732.

27. Асламазов Л.Г., Фистуль М.В. Критический ток джозефсоновских контактов с полупроводниковой прослойкой. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30, вып.4, с.233-236.

28. Асламазов Л.Г., Фистуль М.В. Температурная зависимость критического тока контактов сверхпроводник полупроводник - сверхпроводник. -ЖЭТФ, 1981, т.81, вып.1(7), с.382-397.

29. Асламазов Л.Г., Фистуль М.В. Особенности вольт-амперных характеристик контактов сверхпроводник полупроводник - сверхпроводник. - ЖЭТФ, 1984, т.86, вып.4, с.1516-1526.

30. Ицикович И.Ф., Шехтер Р.В. Стационарный эффект Джозефсона в контактах сверхпроводник полупроводник - сверхпроводник. -ФНТ, 1981, т.7, Ш 7 , с.863-873.

31. Ицикович И.Ф., Шехтер Р.В. Влияние экситонного спаривания на стационарный эффект ДЕозефсона в контактах сверхпроводник -полуметалл сверхпроводник. - ®Т, 1983, т.9, в.1, с.5-14.

32. Алфеев В.Н., Гриценко Н.И. Критический ток сверхпроводящих слабосвязанных структур на поверхности полупроводника. ФТТ, 1982, т.24, в.7, с.2209-2211.

33. Алфеев В.Н., Гриценко Н.И. Критический ток слабо связанных сверхпроводящих структур на поверхности вырожденного полупроводника в грязном пределе. ШНТ, 1983, т.9, в.6, с.574-580.

34. Кулик И.О., Горбоносов Л.Е. Препринт ВИНИТИ, 1968, В 239.34. л-а|>кйн А.И. , Овчинников Ю.Н., Федоров М.А. ЖЭТФ, 1966, т.56 , вып.4, с.835-844.

35. Бонч-Бруевич В.Д., Калашников С.Г. Физика полупроводников. -М.: Наука, 1977. 672 с.

36. Дюк К.Б. Теория туннельного перехода в системе металл- барьер- металл. В кн.: Туннельные явления в твердых телах. Под ред. Э.Бурштейна, СЛундквиста. - М.: Мир, 1973, с.36-50.

37. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. M.s Наука, 1979. - 416 с.

38. Алфеев В.Н., Гриценко Н.И. Влияние полупроводникового слоя на критический ток структуры . сверхпроводник полупроводник- сверхпроводник. ФТТ, 1980, т.22, Ш II, с.3332-3334.

39. Абрикосов А.А., Горьков Л.П. К теории сверхпроводящих сплавов. I. Электродинамика сплавов при абсолютном нуле. ЖЭТФ,1958, т.35, вып.6(12), с.1558-1571.

40. H^an^C.J. (Pftlcat си h-t^z

41. J. ЛррС. Р^s. , 4363 tv. to, У 7 , />. 373Y- то.

42. Мессерер М.А., Омельяновский Э.М., Первова Л.Я., Ткач Ю.Я., Фистуль В.И. Фотопроводимость монокристаллического GaJs с крупномасштабными флуктуациями электростатического потенциала примесей. ФТП, 1976, т.10, вып.5, с.851-859.

43. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников. ЖЭТФ, 1971, т.60, вып.2,.с.867-878.

44. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах (т.1). М.: Мир, 1982. - 368 с.

45. Шик А.Я. Электронные свойства неоднородных полупроводников. -Афтореф. дисс. . докт.физ.-мат.наук. Л., 1980. - 22 с.

46. Лифшиц И.М., Гредескул С.А., Пастур Л.А. Фиуктуационные уровни в неупорядоченных системах. ФНТ, 1976, т.2, В 7, с.1093-1100.46. /W B.o. Thomas- Fezw а^гоасЬ to i^ze

47. Se^ico^ducioz 4cmct siu<ci«ze.- Pfys. Rtv. , 4343,1. V. 4Ы, N1 , p. 73-89.

48. Кедцыш Л .В., Дрошко Г.П. Инфракрасное поглощение в сильнолегированном германии. ФТТ, 1963, т. 5, Л 12, с.3378-3389.

49. Лифшиц И.М., Кирпиченков В.Я. О туннельной прозрачности неупорядоченных систем. -ЖЭТФ, 1979, т.77, вып.3(9), с.989-1016.

50. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М.: Наука, 1974. - 752 с.

51. Келдыш Л.В. Диаграммная техника для неравновесных процессов. -ЖЭТФ, 1964, т.47, вып.4(10), с.1515-1526.

52. Ларкин А.И., Овчинников'Ю.Н. Нелинейная проводимость сверхпроводников в смешанном состоянии. ЖЭТФ, 1975, т.68, вып.5, с.1915-1927.

53. Зорин А.Б., Лихарев К.К. Вольт-амперные характеристики джозе-фсоновских переходов с малой емкостью. ШТ, 1977, т.З, В 2, с.148-150.

54. HQMi€ion С. Я. Тг&^цеису. dependence of ^е Joseph son cuzze^. %s. Rev. b, 43П, * , f>. 312-вгЪ.

55. Ниаи^ С. L>. , Van Ъиыг Т. }o$tj>h%on Ьлине&и} thzo^b lос* Uy Мши eel Silicon vJa.jtzS. /tys. lett,

56. Huan^C.L. }У«иЪигегТ. Sinjie-czisUt siMc**fazriez Josephs fund ions.-IEEE Тглм. ои My».,iS75'J v. M»yH , Л/* , p. Ш-US.

57. Ниаи} С. L. } V*h 2WT. Sho-tbky. diodes oUezdevices ои ihin Silicon Mew ^zqh es. IfE£ Tzms. on devices , 4m , v. lt-гь tj/6,

58. Алфеев B.H., Вврбило А.В., Колесников Д.П., Рыжков В.А. Эффект Джозефсона в пленочных структурах с перемычкой из вырожденного полупроводника. ФТП, 1979, т.13, вып.1, с.164-166.

59. Гудков А.Л., Журавлев Ю.Е., Махов В.И., Тябликов А.В. Джозеф-соновские мостики с перемычкой из монокристаллического & .- Письма в Ш,ТФ, 1983, т.9, вып.17, с.1061-1066.

60. Я-С., Van Ъияег Т. §UUon- coupg&J Joscj>hsoH junctions «иЛ SUj>ei- Sbottkfr Motles и/i&> cofanaz Z&cizoes. IEEE Tz«hs.°y> ЕгсЛъои tehees, </3S11. МИ >P• лм-ш.60. SchtfUz M. , J.

61. T. SiMcoH-hizUz Josef h%on jundiohS lh copiat»4l and SanJwichiwtyvtbm. IEEE 7W W* , К JM ,/>• Ш-Ш.

62. Ke^ez W.H. > MoiJnnh J.E. Sf>nHezeJ Thih-FU»?

63. Supe-zconofuciot- itvhLconJucioz Junciiobg . —

64. J. fifft Php., <f9H, №9Mit p. W.

65. Задков A.JI., Махов В.И., Самусь A.H., Тябликов А.В. Высоко-омные джозефсоновские структуры на основе поликристаллического . Письма в Е;ТФ, 1981, т.7, вып.8, с.502-506.

66. Seto J. , Ънъе,г Т. Supezcuzzent Tunneiih^ hnciri-ОИ5 With TtMiiziuhi fictzzUzs.- JppC . Phy.s. IM .} JSli

67. Seio J. } V<*n Ъццаг Т. Theo-Ly and fflebsuzetbents о и

68. U*J-Tel£uU«»-JU«l S^ConJudoz Junctions.- Ш lob/ TfUvif*-zatvze Hpics , i/. J , Ti^ezUs К.Ъ. fdS. M Г. Пашт^М+Ж

69. Ba-Lont J)., Faiciho &. } RuSSo M. , Vaylto R. Li^kt- LmJhced izthsiiioh fzom „Small" to Jose^Asohjmdio» s. fl^s. LM. ,497Г t К SSA

70. Ba zone Л. } Ressner) P. J Russo M. , ?<\Ье.гио (?. K.

71. WeciS«zehieMi£ of dc Sostpbson сиг-геиt Ы ti^ht

72. Se^si-bivi junctions. %s. V.tf ms-ШО.

73. Л. , Rlssw* P } Russo M. £ fleet ргерогШо» pazametezs ои SeMSivrfy. Sufezconductiye junctions.- R&v. Hp. Jjj>f>£.} J379, J// ,/>.

74. Jhelieozg.} F } Ваыие Я. , Czistiwo К. , &<s$oM. Tuhw&hj ckQiacbLzis-bics <?f Ptf~ColS-p£ Sens, Hive Jose^ Sow junctions .-IEEE Tzms. ои Wxp., №3, к УЗ, 3&-3M.

75. Бароне А., Патерно Дк., Руссо M., Ваглио Р. Экспериментальные результаты и анализ структурных флуктуаций в фоточувствительных ДЕоеефсоновских контактах. ЖЭТФ, 1978, т.74, вып.4, с.1483-1488.

76. Shoji Я., Shi-no^i F. , KoSaiq S. ^ //aya4.awci Н. Тоние&у Chb

77. Zacizzistici of УИ^/У/У Jo$eft>Sov Junctions v/iih (fow^icAazje fZoLcJL JnoyUse Siiicen BaVLtlSrJof.l Afft.Pty. /1321, V.20,l>5S7-530

78. Jli-ofi П., Tohi4»u>io Т., К.} Hb^&auJd H. PhotoSensiii^ Josey>/>Son junctions и/cih h^dzo^^qied A-mozphovts si£ccoy>iazztii. flfc^stca , АШ ,V.№b , M > f • П 732l .

79. Hzotez H.} Potiez С УК, УМи Я. И/. Mo&w Josef/>so* yjtions v/M iofti «могрЬои* Silccon &zzc<lzs.

80. EE Tz^s. on trtyetccs, <{373,*.^,^ ,/>■ m-m.75. ^oyiH.^iiUXjiUu SOttkft

81. PZOCCSS job S^LCtiiOH Jo$efh$on ^ndcons. J/f€.

82. ЧЗИ , V.33; NZ >f>.Zi0-'Z8Z.76. /(гуг H. , Snii А , , Thbxiei J.B. InfioveJ

83. Jiff- 4 Si-J// Snip frtvicas. IEEE Tb«*,sact*'*s ntUfbUicb , 4383 t 43, J/3 t f>. 7*3-7*.

84. SmtH LJV- Jo season turwzl JMctiohH i^hicaiConty deposits of J/4- a Si-J/4 . IEEE ^ M*^1. Шг , V. it , >f>.

85. Mtseive,} R. j Tdzo>s P.M. , Bzooh j. S. cAa**4•Uzisties oj- QMozpbwS $L- UzzLtzs.-i.JIffl.Pkp./38Z, v. 5Ъ ) M Ъ ,f>- Jfto'45-70.79. Ни ktkU Jp^ith ^itzLA.oh &zbitz Sose^son functions .-IEEE

86. Tians. tfhpti. ,4373 , i/. 'My-45585-582.80. flu E.L. , Jaciei 2). , Si<W ye. , Efviozih R. W. ,k.F. , Zoft C.A > QrozniAE. Ge-Sn /azzUz

87. Josepbson tunnel junctionsJfj>£ ,v. 32 , f>. Ш 5И.