Эффективность введения радиационных дефектов в кремнии и структурах на его основе в условиях применения радиационно-технологических процессов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГ6 од

ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

"7 (ляп к- ! кап

На правах рукописи

САГДШАЕВ ХУСЛН УСМАНОВШ

ЭФФЕКТИВНОСТЬ ВВЕДЕНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ - И СТРУКТУРАХ НА ЕГО ОСНОВЕ В УСЛОВИЯХ ПРИМЕНЕНИЯ РАДИАВДОННО - ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

Специальность 01.04Д0 - физика полупроводников и диэлектриков

Автореферат диссертации на' ооаскание ученой степени кандидата физико-математических наук

Ташкент - 1993

Работа выношена в лаборатории полупроводников

игучно-исоледовательского института йршсладной &йзякк 'Гаакииг-ркого рооудноотвеш-шго университета•

¿¿¡учти руководитель - доктор фнзлко-ыагемагетоеюне шук

ÀBjrypAXi.'iAIlOB К.П.

(.€«цкалыше оппоненты: Лауреат Государственной премш: шелк

А.Р.13еруш Республики Узбекистан, доктор ^яяжо-ыагешшшескшс ноу«, ирЛсссор БАл^1Р.л.л]10В I.Í.K.

доктod на ¿v..

Шг::соб O.P.

Роруцая - ;;i!0'iJ;Tvr р.чоипоо .MI Pe сплело.,л

19 _ •

РлЛр-'ЛррЭТ l;ír,j!:C,-3?! "J^" .

ЛЛЛ1Л:: лллллл.':; лП0Ч'10Л;;0;'р01к1ЩЛ;Г0 , долхор р;л■ :: j : е.—т 0:.;a u л r-t >> с

i J. A. ил'ллКЬ'-л .л»;

Актуальность теми. В настоящее время проблема взаимодействия ионизирующих излучении о материала!,« и приборами электронной техники выходит за рамки задач радиационной стойкости за счет более широкого применения радиационных дроцессов в.микроэлектронике. Поэтому весьма ванной проблемой становится изучение физических механизмов радиационного дефектообразования в материалах и приборах применительно к радиационио-технологическим вопросам современной'микроэлектроники. При этом ; зпешнсе приме-нешге радиационно-технологических процессов (РТШ в микроэлектронике прежде всего зависит от состояния изучения . представлений о физических механизмах управления спектром радиациошшх дефектов (РД) и эффективностью введения отдельных радиационных дефек-тоф, ответственных за конечные электрофизические параметры приборов электронной техники.

Управление спектром радиационных дефектов в кремниевых структурах осуществляется выбором бомбардирующих частиц, изменением их энергии потока, а также послерадиационной термообработкой. Однако ограниченность условии облучения в реакторах не позволяет эффективно управлять спектром РД в кремшш. Послерадиаци-онная термообработка позволяет отяпгать не только неконтролируемые радиационные дефекты, но и ташке частично уменьшить концентрацию радиациошшх дефектов, ответственных за конечные электрофизические свойства кремния и приборов на его основе.

'Образование радиационных дефектов в полупроводнике зависит в первую очередь от исходной дефектной структурой кристалла, состояния легирующих и технологических примесей. Поэтому реакцией захвата первичных радиационных дефектов различными дефектами в облученном кремнии целесообразней управлять выбором дефектной структуры исходного кристалла.

Формирование и развитие дефектной структуры исходного материала осуществляются предварительной термообработкой шш термо-циклироваиием, в которых изменяется состояние твердого раствсра технологических р .остаточных примесей б кремнии.

Целью настояыгл работы являлось установление некоторых основных физических механизмов управления эффективностью введения радиационных дефектов в кремнии с помощью предварительной термообработки.

В основу работы был положен анализ возможных способов управления радиационных дефектов в кремниевых диффузионных структурах, облученных электронными и У-излучением с предварительной термообработкой.

Основными задачами являлись исследования: энергетического спектра, электрофизических параметров и эффективности введения радиационных дефектов в креынии и приборах на его основе, облученных электронами и У -квантами;

влияния высокотемпературных обработок пленарной технологии на эффективность введения РД в 1фешшевшс структурах;

ьдиянпя дарадкационжй термообработки в широком интервале температур на эффективность введения РД в монокрисчаллическсхл крешш и диффузионных структурах на его основе. Основше положения, виноси.ше на ааишту: 1.СнзичеишИ ыеханизи управления эффективностью впадения ког плексов вакансия-шюларод с помощыа дорадиаццоиной терцообработю заключающийся в повышении эффективности взаимодействия первичноп радиацконнгго дефекта {вакансии), создающегося при облучении электронами и # -квантами со свободными, ыездоузельшми атома-ш кислорода, концентрации которых увеличивается при отжиге кислородных комплексов.

а.Способ управления виеыеием восстановления обратного сопро тиалешш крешшевых даздзиошшх диодных структур с номоцью до-радиадаоннойтермообработкиа области температур 500 * 600°С применяемой в раднадаошс-технологаческих процессах, входящх в технологический марцрут .изготовления полупроводниковых приборов.

Научная новизна исследований, представленных в диссертации определяется -мм, что аксаериыекталыю;

установлено влияние термических дефектов в крешша при различных сочетаниях высокотемпературных обработок в области температур изготовления дафйузииишх диодных структур на невоспроиз-водиыость -времена восстановления обратного сопротивления указанных структур;

определены области тецператур (500 * 600°С и 300 * 10Ш°0) предваригельной жермоабрабоиш, способствующей уиоличошш эффективности образования .комплексов вакансия-кислород в кремнии и диф^зиошшх йиоднцх структурах на его основе;

показана возможность управления временем восстановления обратного сопротивления диффузионных диодных структур с помощью до-радиационной термообработки.

Практическая ценность диссертационной работы заключается в том, что предлояен способ управления спектром радиационных дефектов в креьшевых диффузионных структурах путем различных циклов дорадиационных термических обработок. Физический механизм управления спектром и эффективностью введения радиационных дефектов в кремнии, предложенный нами, промоделирован в условиях серийного производства полупроводниковых структур.

Апробация работы. Основные результаты работа докладывались и обсундалнсь во Второй Всесоюзной конференции "Физические основы надекности я деградации полупроводниковых приборов" (Кишинев, 1986 г.), на Республиканской конференции молодых ученых физиков Вузов (Ташкент, 1988 г.), на Всесоюзном научно-техническом семинаре "Радиационная технология в производстве интегральных схем" (Воронеж, 1968 г.), на Всесоюзном семинаре "¡¡¡ногослонные структуры на основа узкозошшх полупроводников" (Нукус, I9SQ г.), на конференциях молодых физиков ТаиГУ, на семинарах 1Ш прикладной физики и кафедры флэши! полупроводников и диэлектриков ТашГУ.

Публикации. По материалам диссертации опубликованы а работ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения-и списка литературы из 106 наиленоза шш. Диссертация изложена на 113 страницах, включая 26 рисунка и 6 таблиц.

ССЕКШИЕ Д)ШаЭД№Г

Во введении отмечена актуальность те:,ш исследования, сформулированы основные задачи, положения, выносимые ш заищту, научная новизна и указана практическая значимость полученных pè-зультатов, а такге приведены сведения об апробации работы, публикациях, структуре и объеме диссертации.

В первой главе описаны термодинамические п энергекхческие• параметры радиационных дефектов в кремнии. Проанализированы оо-новше предпоошш и физические ыехшшзш уцравлепия скорости введешя радиационных дефектов в кремнии при облучения электронами и Ï -юзантами.

Из анализа следует, что теоретическая и экспериментальная оценка термодинамических параметров собственных дефектов решетки кремния наиболее пЪлно сделана для случая равновесных условий воздействия на кристаллы.

Оценка энергетических параметров РД возможна с помощью комбинации равновесных и неравновесных измерений параметров точечных дефектов. Равновесные измерения могут быть полезны в выявление тех.особенностей, которые при неравновесных измерениях следовало бы приписать к собственным дефектам решетки кристалла или их комплексам с другими атомами примеси. • .

В облученном кремнии точно установлены энергетические параметры и конфигурации РД, особенно вакансионно-приыесных.

Установлена физические мехашшмы управления скорости введения РД в кремнии,от дозы и энергии облучения, содержания примесей и послерадаацпонного облучения.

Роли предыстории кристалла к дорадиационной термообработки в управления эффективностью образования РД в кремнии окончательно не установлены. Огсутстцумт экспериментальные работы по изучению влияния предварительной термообработки в широком интервале температур на эффективность введения РД в кремнии, которые необходимы для установления физических механизмов управления скорости введения РД и вакш в щшснешп радпаццонно-технодогических процессов в производстве изделий электронной техники. . ..

Ро второй главе приведены методики эксперимента и технология изготовления исследуемых структур.'

В исследуемых, образцах кремния содержание .кислорода «-углерода измеряюсь по интенсивности ИК-поглощеняя на спектрофотометре Зрссо^с! 1Е-75. С помощью метода нейтронно-активациошю-го анализа определялись состав и содержание металлических примесей в кремнии. "

Время ;:шзии неосновных носителей заряда в исходных и термо-обработаннш: кристаллах до и после* облучения определялось по спаду стационарной фотопроводимости или по методике, основанной на измерении постоянной составляющей выпрямленного тока через образец с последовательно подключенным нагрузочным сопротивлением при подаче синусоидального напряжения. Доя измерения времени восстановления диффузионных" диодных структур использовался метод, спада послеинкекционной э.д.с.

Исследование параметров термически индуцируемых и радиационных дефектов в термообработанном и облучехшом кремшя и структурах на ш: "основе осуществлялось при использовании емкостных летодик - изотермической релаксации емкости (ИРЕ) и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (ИЕС17).

Почти во всех измеренных дафшузпошшх диодах характер распределения примесей в области р-п перехода была ли зйной. Дня зцешсл эффективной концентрации ионизованных центров в диффузионных диодах были определены.поправочные хоэффицис. си, т.е. от-юшение эффективной ковдентращш ионизовашшх центров в диодах ¡отпей к эффективной концентрации ионизованных центров в даффу-щонннх диодах в широком 'диапазоне удельного сопротивлешш нс-:одцых образцов. '

В качестве неходких образцов использовался монокристаллп-:еский кремний п-типа, выращенный методом Чохральского и методам ..бестпгельной зонной плавай с -удельным сопротивлением 0,3 * О Ом.см. Диоды Шотткп создавались напылением золота в вакууме, 0"^мм.рт.ст., в качестве омического контакта напылялась сурьма, качестве дифйузиошшх диодов былп ■ использованы промьшлешше +-р-п-п+ структуры, создашшо диффузией А&, В и Р.

В третьей главе приведены результаты исследования влияния редварительной термообработки на скорость введения РД в кремни-аос. пластинах при облучешш электронами, нейтронами и У -кван-

зми. . .

Впервые в монокристаллах кремния, с идентичными исходными ?фект!шми структурами и термической предысторией кристалла при ^пользовании емкостной' спектроскопии глубоких уровней исследо-шы скорости введения РД в кремшш при облучении X -квантами, ¡«стропами,. нейтронами п ее -частицами.

Скорости введения А-центров в кремшш при облучении электро-ш, У-квантами и нейтронами составляют: г 2x10""* , 5х10"3 и 30""*см""*, соответственно. При облучешш кремния У -квантами ¡еобладающим РД4 является А-цоигр и его концентрация составляет - МО ач"3 при дозе ~ Ю16 "¿"/си2. Концентрация А-центра в емшш, облученном электронами, составляет 3x10 см"4* прл дозе Ю15 зл/см2.

Сравнение параметров РД в случае электронного и нейтронного дучёний показывает наряду с А-цвш-ром резкое возрастание доли •

других РД при ноетрошю;.; облучении.

Обнаружено,' что при л-облучении кремния распределение РД по глубине образцов из однородно и в конце пробега ы. -частиц профиль концентраци; РД имеет максимум.

Низкотемпературный отасиг "бескислородного" кремния при различных дозах .электронного облучения показал сильное уменьшение р в области температур 100 * 140°С. Так как в "бескислородном" кремнии наиболее эффективно образуются E-центры и РД мездоузель-ного типа, то Д-ценгра а дивакансия вводятся в существенно меньших концентрациях. Поэтому при низкотемпературном отаиге, в основном, происходит откиг Е-цецтра.

Результаты изохронного отаига РД в кремнии, гчращенном методом Чохральского, показали, что комплекс вакансия-кислород .(Е -0,17 оВ) отжигается в'температурном диапазоне 300 + 350°С. Радиационное дефекты с уровняли Ес-0,40 эВ иЕо-0,23 оВ имеют одинаковые значения концентрации *- ЗхЮ13см~3 и ртавгамсся в одном и том ке интервале температур 230 * 300°С.

Результат изохронного отглга РД в кремшш, облученном нейтронами , показали, что в кремнии Чохральского от;.1ИГ центра Ес-0,17 иВ наблюдается в области'температур > 300°С, а в области температур 100' * 300°С наблюдается .почти линейное уменьшение концентраций' дефектов с уровнями - Е„-0,-23 эВ и Е-0,40 оВ,-

■ В. "бватсдородцш" spaiauii, в- отличие от "кислородного", откпг всех РД происходит в насколько-стадий: первая стадия (100 f 200°С), на которойоткигается большая часть дцвакаисий; вторая стадия (300 ;•t 350°С) соответствует интервалу температур откига дивакансий- при: электронном облучении.

GoBoicymiocTb Бкспершленталыщх результатов показывает, что послерадиациошшй отшп? -является не;.'эффективным для управления концентрацией РД, так как при отгшге некойтролируемнх радиацаоц-iiiíic дефектов одновременно: происходит /'откат радиационного дефекта, ответственного для управления -параметрами' облученного Sí .

Далее приводится результат изучения воэмо;шости управления спектром, и оффдекшостьэ. образования РД -с помощью дорадиа-ццмпюй- термообработки в интервале температур 450 1250°С. В качества образцов использовался кремнлй п-типа проводи,юсти с удельнш сопротиьлеииаи 10 Ом.с;.,. TepYiootípаботка кремниевых об-• рззцов в гжсрЁале темхоратур -450 * 1250°С приводит к образова-

шго термических дефектов с энергией иошзации Ес-0,20 эВ и Ес~0,47 эВ с концентрациями ^ Ю^см-3. Исходные и термообрабо-танные образцы были подвергнуты облучению й -квантами ^Со с. дозами ßxIO14 * &с1016 * /см2.

Полученные результаты показали, что дорадиапдошшя термообработка кремниевых пластин в области температур 550 6С0°С и 1000°С приводит к увеличению концентрация А-центра с ростом дозы'облучешш. На рис.1 показано изменение концентрация А-центра а дефекта с уровнем Ес-0,32 эВ от температуры дорадиационной термообработки. По сравнению с исходным образцам в кремния, подвергнутом дорадиационной термообработке, при дозе облучения 10*® : Vcm^ концентрация комплекса вакансия-кислород увеличивается более чем.в 3 раза.

Из рисунка I видно, что с уменьшением концентрации А-центра с температурой обработки наблюдается увеличите концентрации де-' фокта с уровнем Ес-0,32 эВ. Изменение концентрации А-центра коррелирует с развитием термически индуцируемых мшсродефектов связанных с кислородом в кремнии при термообработке. В области температур 500 + 600°С происходит отеиг термодонороз и скрытых зародышей кислородной преципитацгш, а в области Ю00°С - растворе-ime центров зарождения. В указанных температурное областях часть, глслорода переходит из второй фазы в оптически активное состояние. Вследствие этого при дорадиационной термообработке в указавшем интервале температур увеличивается эффективность образования комплекса вакансия-кислород. Моано предположить, что дефект с уровнем Ес-0,32 эВ возникает вследствие взаимодействия кислородного комплекса с вакансией, поэтому в области температур 550 -г- 600°С наблюдается уменьшение концентрации указанного дефекта. -

На рисунке 2 показаны зависимости эффективности введения А-центра в исходном и. термообработанном. кремнпл..дш облучения . <) -квантами 60Со в интервале доз10'^5хЮ^6Усм^.Пз рисунка видно, что эффективность введения А-центра в образцах, прошедших дорадиационную ТО при фиксированной температуре, в указан-" ном диапазоне доз облучения меняется, в то время, как в исходном образце она остается постоянной. Максимальное изменение скорости введения А-центров происходит в образцах, термообрабо-таншх при 600°С.

. 600 800 1000 1200 Т,°С Рис.1. Зависимости концентрации РД от температуры дораднаццозшой обработки. Кривая I: Л-целтр. Кривая 2: дефект с уровнем Е - 0,32 оВ.

Ю"3сг.Г1

I 2 3 4 5 ф, Ю16 см"2.

Рис.2. Зависшлости скорости введения А-центров в Зс

от дозы облучения ^ -квантами 60Со, в образ-

цах прошедших дцраднационную обработку цри Т,°С

I - 0; 2 - 600; 3 - 700; 4 - 800; 5 - 900;

6 - 1000; 7 - 1100 и 8 - 1200.

Четвертая глава посвящена описанию результатов исследования влияния цикла высокотемпературных обработок, используемых в технологии нзгото&ченпя готовых структур, длительности импульсного облучения и предварительной термообработки на скорость введения РД в крешиевых диффузионных диодгшх структурах.

Диодные структур:! были изготовлена на основе п- Si, впращен-пого методом Чохральского, с уделышм сопротивлением 0,3 * 10 Chu см'.

Для изучения термически индуцируемых дефектов, возникающих пли изготовлении диодных структур с технологического маршрута снимались несколько пластин каждого этапа термообработки. После соответствующих химических обработок на этих образцах были получеки диоды Шоттки. С помощью емкостной спектроскопии глубоких уровней исследован энергетический спектр термически индуцируемых дефектов.

В пластинах, прошедших первый этан термообработки (1250°С, 2 час) в процессе изготовления диодной структуры, в верхней половине запрещенной зоны кремния образуются, в основном, два термического центра с энергиями ионизация Ес-(0,17*0,21) эЗ и Ес-(0,42*0,52) эВ. Ковдентрация первого термического дефекта находится в пределах (2,3*4,3)xI0I*W"^, а второго - (1,4*2,6)х 1013см"3. Термодефект с уровнем Ес-(0,42*0,52) зВ связан с технологическими примесями - кислородом и углеродом. Сильный разброс значений энергии ионизации определяется изменениями статических размеров микродефектов технологических примесей, играющих роль стоков для подлинных дефектов.

На втором этапе термообработки (1250°С, 2 час + 900°С, 4 час) при изготовлении диодной структуры наблюдаются те не энергетические уровни, что и в образцах, прошедшее первый _этап тер-обрабогки. Но концентрация дефекта с уровнем Ес-(0,42*0,52) эВ уменьшалась значительно (~бхЮ^см-^), а концентрация дефекта с уровнем Е -(0,17*0,21) эВ остается почти постоянной.

После третьего этапа термообработки (1250°С, 2 час + SOQ°C, 4 час + 1250°С,.84 час) концентрация дефекта с уровнем Б -(0,17+ 0,21) эВ увеличивается примерно на порядок, а дефект с уровнем . Ес-(0,42*0,52) эВ не наблюдается.

Многоступенчатая высокотемпературная обработка приводит не только к существенному изменению дефектной структуры кристатаа

и спектра термических дефектов, но и также приводит к уменьшению эффективности образования РД в кремниевых структурах яри больших интеисивностях электронного облучения за счет перераспределения разделившихся пар Френкеля термически индуцируемыми стоками.

При определенных сочетаниях тешератур ТО ыояпо достичь такого состояния дефектной структуры кристалла которое может . щувести к ■ оптимизации соотношения параметров диодных структур при иг. радиационном регулировании.

3 этой целью готовые структуры подвергались последиффузион-ной термообработке при температурах 500°С и Х000°С в течение 5 часов с последующи:,! охлаждением в реяиме выключенной печи. После оташга образид были подвергнуты Й - или электронному облучению.

Били измерены спектры НЕС1У кремниевых диффузионных структур, облученных электронами. На спектрах НЕС1У наблюдаются радиационные дефекты с энергиями ионизации Б-]~Ес-0,17 эВ (А-центр), Е2=Бс-0,23 эВ (дивакансия) и Е3=Ес-0,40 эВ (Е-центр). Концентрация наблюдаемых РД, особенно уровней Ет и Ео сильно зависит от дорадиационной термообработки. Эффективность введения РД увеличивается в диодных структурах, прошедших-термообработок при 550°С и Ю00°С в 2,5 3 раза по сравнению с диодными структурами без дорадиационной термообработки.-Эффективность введения радиационного дефекта Е^ уменьшается в 1,5 + 2 раза.

Результаты исследования дозовой зависимости скорости вве-дешя А-центра в диффузионных диодных структурах с дорадиацион-'-ной термообработкой показали, что значения эффективности введения радиационного дефекта А-центра в структурах составляет (3+ 5)хЮ см . .

Наблюдается аналогичное увеличение значения скорости введе-шш А-центра в диодных структурах, облученных & -квантами с предварительной термообработкой 'при тешературах 550°С и Ю00°С и оно составляло 1,2хЮ~2см .

Следуеть указать, что в диодных структурах, облученных & -квантами или электронами с предварительной термообработкой не только наблюдается увеличение эффективности введения А-центра, основного рэкомбинационного центра, ответственного за уменьшение времени восстановления обратных сопротивлений» но и также

второй эффект - уменьшение разброса значения времени восстановления обратного сопротивления (¿¡з0ССт ) облученных структур. Это объясняется тем, что в структурах, прошедших последиффузи-онную термообработку, происходят два параллельных процесса: генерирование побочных рекомбинацдонно-активних термических и радиационных дефектов кислородными мнкродефектами, способствующих увеличению разброса значений ¿восст и' процесс генерации рекомбинациошю-активного центра - комплекса вакг !сия--.ислород за счет отжига кислородных комплексов.

Следовательно, результирующее время казня не ;сновных носителей г ока С в откиенных структурах определяется уменьшением концентрации термоцентров и увеличением концентрации-радиационного дефекта А-центра. В результате этих процессов в диффузионных диодных структурах дорадиацпонная термообработка у1леньшает разброс значений•времеш-1 восстановления .обратных сопротивлений.

' ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Впервые, с использованием емкостной спектроскопии глубоких уровней, исследованы значения скоростей введения РД в монокристаллах кремния с идентичными исходными дефектными центрами и термической предысторией, обработанных дорадиационной термообработкой и без нее", а также в диффузионных 'диодных' структурах на их основе с целыо управления скоростью введения РД в условиях применения облучения как радиационно - технологический процесс.

1.Исследовано влияние предварительной термообработки з интервале (500 + 1200) .«°С на спектр радиационных дефектов в кремнии облученном & -квантами ^^Со и электронами (Е= 3,5 МэВ). . Обнаружено увеличение концентрации А-центров при ;, мньшетт концентрация центров с энергиями ионизации Ес~ 0,32 эВ в термо-обработанном крег.шии. Установлено, что скорости введения А-центров в термообработашшх образцах 3-4 раз больше чем в нетермо-обраб'оташод.! кремшш,

2.Показано, что для максимального введения А-центров в кремнии с удельным сопротивлением ~ 10 +.40 Ом.см. необходима проводит дорадиационную термообработку в интервале•(500+600) л (950+1000)°С.

3.Предложен механизм повышения скорости введения А-центров

в кремнии, обусловленный отмигом в процессе дорадиациониой термообработки кислородных комплексов не сформировавшихся в виде соков длй' вакансий.;Охаиг способствует к росту концентраций свободных ыеждоузелышх атомов хшслорода.

¿.Методом нейтроыно-активационного анализа обнаружено увеличение' концентрации-атомов золота в некоторых образцах в процессе термообработке. Этим объясняется большой разброс времена восстановления обратного сопротивления дауйузиошшх диодных структур. '

5.Показана возг,ю:шость использования дорадиациониой термообработки в качестве способа управления выходними электрофизическими параметрами кремниевых диффузионных диод.шх структур, в частности, обеслзчивавцуш минимальный разброс значений времшш восстановления обратного сопротивяошш (200 -t- 240 не) при облучении электронами (Е ~ 3,5 МэЗ) и -квантами 6®Со.

6.Разработаны рекомендации по использовали» дорэдиацлшшол термообработки в области температур 500 + 600 °С для оптимизации времени восстановления обратного сопротншшнця. даздузиошшх диодов па основе кремния с р~Ю См.см, в конце технологического маршрута изготовления готовых приборов - взигашя никеля.

Публикации.

Основные: результаты диссертации излохеш в следущих рабо-

' тах:

Х.Абдурахмаиоз К.П., Добровипкшй K.J.!., Сагдуллаев Х.У., Шеримбетос Т. Радиацдошюе дефсктообрЕзосашхе в диодных структурах/ ири облучешт/электронами с различной интенсивностью. В кн.: Физические основы надежности и дегрздаши полупроводниковых приборов. Киаанев, 1968 г., стр.120.

2.дояграшенов К.П., Дсброваиский D.U., Сагдуллаев Х.У., Мктин В.И.Шерш-^бетрв Т. Исследовагшо радиационных дефектов в

; термообрабоганном кре.-тнии лрл й -об/угошии' В кн.: Радиацаон-■как технология в производстве икгегралышх схем. иороне», 1980, . стр.Зо-37. ■■

3.Абдурахманса К.П., Добровянский ü.M., Сагдуллаев Х.У., Щершбеизв Та Радиацконное дефмктообглзоошше в диодных структу-

рах при облучении электронами с различной интенсивностью. УШ, 1908, т.22, в.З, стр.510-511.

4.Сагдуллаев Х.У., Шеримбетов Т., I.îiîtjîh В.И. Влияние предЁа-рлтельной термообработки на эффективность образовашя радиационных дефектов в кремнии при X -облучешш. Тезисы докладов Республиканской конференции молодых учених-физиков Вузов. Ташкент, 1988, стр.87.

б.Сггдуллаев Х.У., Шеримбетов Т., Добровлнскнй JQ.M. Термические центры, возникающие при изготовления диодных структур и их влияние на спектр радиационных дефектов. Тезисы докладов Республиканской конференции' молодых учешхх-фязнков Вузов. Ташкент, 1988, стр.88-89.

6.Шеримбетов Т., Добровпнский Ю.М., Сагдуллаев Х.У., Штин В.И. О влиянии предварительной термообработки на дефектообразо-ваняе в кремнии при радиационном облучении. Исследования по физике твердого тела и материаловедению. Сб.научных трудов ШШИФ Таш1У. Ташкент, 1Э88,-стр.5-7.

7.Абдурахманов К.П., Пазыров Д.З., Сагдуллаев Х.У., Шеримбетов Т. Исследование радиационных дефектов в кремниевых р+-р-п-п+ структурах. В кн.: Многослойные структуры на основе узкозоиных . полупроводников. Тезисы докладов Всесоюзного семинара. Нукус,' 1990, стр.83. .

б.Лбдурахканов К.З., Шеримбетов Т., Сагдуллаев Х.У. Исследование дефектообразования в кремнии при электронном'облучении. Сб.докладов III школы молодых ученых ТашГУ, 1992, стр.56.

^эдиацион-технологик процесслар кулланилиши жараенидэ кремний ва унинг асосидаги тузилишларга радиацион нуксонлар киритиш самарадорлиги.

Авторефератда издании мавзуеининг мухимлиги,ишнинг мацсади ва асосий аазифалари,олинган натикалпрнинг амалий цулланиш киммати, диссертагчянинг мазмуни,тузилиши ва хажми.матбуотда чинкан илмий ишлар руйхати келтирилган.хамда ^имояга тарсия этилган асосий фикр-лар найд этилган.

Электрон ва X -квантлар билаН нурлатилган кремний ва унинг .асосидаги тузилишларга радиацион иуксонлар киритиш самарадорлигига, температуранинг кенг оралигида,радиациядан олдинги термик ишловнинг таъсири амалий усулда изланган.

Авторефератда радиациядан олдинги термик ишлов ёрдалотда нрем-нийга вакансия-кислород комплексини киритиш самарадорлигини бошка-ришнинг физик механкзми куриб утилган.У эса кислород бирикмалари-ни куйдириш жараёнида кислороднинг эркин атомлари мицдорини ошиши сабабли.уларнлнг электрон ва X -квантлари билан кремнийяи нурла-тищда з{осил буладиган бирламчи радиацион нуцсонлар'вакансиялар) билаи узаро таъсирлашиш самарадорлигини ошишидан иборатдир.

Диффузион диод тузилишларини тайёрлашдаги бир-биридан фарцли темлературалардан иборат булган ючори хароратли ишловлар жвраёни таъсирида кремнийда >;осил буладиган термик. нуцсонларнинг кремний тузилгаплари тескари йуналиши каршилигининг тикланиш вактини бокща-ришга таъсири характера анш; курсатилган..

Кремний ва унинг асосцда тайёрланган диф^узион диод тузилиш- . ларида вакансия-кислород бирикмаларини хосил булиш са-\лрадорлкгини оширишни белгиловчи радиациядан олдин буладиган термик ишловларнинг температура оралиги (500+600 ва 900+Ю00°С)аникланган.

Авторефератда диффузион диод тузилишлари тескари йуналишининг каршилигини тикланиш ва^тини радиациядан олдин буладиган термик ишловлар орцали бош^ариш цумкинлиги курсатилган.

Олинган натижалар.радиацион-технологик жараенлар кулланиш шаро-лтларида,кремнийдаги нуцсонлар^осил булишва'нуксскларнинг узаро таъсирлвшши туррисида илгари сурилган физикавий механизмлар асо-сида тузунтирилган.

The fcfflclenöy of radiation defeots introducing into silicon and its structures at tho application of radiation-technological process.

The abstract points out the actuality of the problem under•research, itB aim and main objecto, practical applications of the results and major stand-points. Information of the author's publications, the structure, the volume and the annotation of the thesis is given too.

Preradiation thermoprocess influence on the efficiency of radiation defeots introducing into silicon and its structures irradiated -by electron and tf-quantum was Investigated.

. Physical mechanism control over introducing efficiency

.of vaosncy-oxygen into silicon by irradiation thermoprocess

is considered. It is characteriaed'by increasing efficiency

interaction of primary radiation defeots with interestitial

oxygen atoms, concentration of which is increased by oxygen

complexes decay.

The possibility of reconstruction period control of the » * *. diffusion diod reverse resistance by preradiation therooprocesB

is described.

Подписано к печати & Заказ Лг <2

Тираж /ОО экз. Объем / п. л. Формат бумаги ,'60X84 1/16,-

Отпсчатино ¡¡а ротапринте в типографии ТашГУ им, В. И. Леника.

Адрес; 700005, г. Ташкент, ГСП, Вузгородок, ТашГУ.