Исследование факторов, влияющих на параметры радиационного дефектообразования в бездислокационном тигельном кремнии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

1 | и V п

I е поп 1ззз

АКАДЕМИЯ НАУК УКРАИШ ИНСТИТУТ ©ВИКИ

На правах рукописи

СИРАЦНИЯ ВИТАЛИЙ МИРОСЛАВОВИЧ

ИССЛЕДОВАНИЕ «АКТОРОВ, ВШЩИХ НА ПАРАМЕТРЫ РАДИАЦИОННОГО ДЕ®КГ00БРА30ВАШ В ЕЕЩСЛОКАЦИОШШ ТИГЕЛЬНОМ КРЕМНИИ

01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

КИЕВ - 1993

Работа выполнена в Инстетуте физики АН Украины

Научный руководи гель: кандидат физико - математических наук

ШАХОВЦОВ В.И.

Официальные оппоненты: доктор физико - математических наук

профессор БУГАЙ A.A.

доктор физико - математических наук ХИЖНЯК А.И.

Ведущая организация: Киевский государственный университет Защита состоится "_"_ 1993 г. в __

часов на заседании Специализироованного Совета К 016.04.01 при Институте физики АН Украины по адресу:

253650, Киев - 28, проспект Науки, 48

С диссертацией иожно ознакомиться в библиотеке Института физики АН Украины.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные печатью, просим высылать по указанному адресу на имя ученого секретаря специализированного совета.

Автореферат разослан "_^Л_ 1893 г..

Учений секретарь специализированного совета

Притонская О.В.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В связи с бурным развитием полупроводниковой микроэлектроники и расширением областей ее. применения все большее число приборов используется в системах, которые подвергаются воздействию ионизирующих излучений различных типов. Кроме этого, облучение стало неотъемлемой частьи технологического цикла производства многих приборов. Поэтому проблема взаимодействия ионизирующего излучения с полупроводниками и приборами на их основе имеет большое научное и практическое значение.

Несмотря на значительное количество проведенных исследования, наблюдаются существенные различия в параметрах, характеризующих эффективность процессов радиационного дефектообразования в полупроводниках и свойства радиационных дефектов. Это может свидетельствовать о том, что существуют некоторые факторы, которые не были учтены при проведении экспериментов, но способные значительно влиять на скорость изменения параметров полупроводника под облучением. В силу этого тема диссертации, в которой на основе анализа предыдущих экспериментальных результатов предпринята попытка исследования возможного влияния не учтенных ранее факторов на процессы радиационного дефектообразования в полупроводниках представляет безусловный научный интерес.

Т.к. основным материалом современной полупроводниковой микроэлектроники по-прежнему остается кремний, то тема диссертации имеет и практическое значение. В силу этого можно утверждать, что тема диссертации является актуальной.

Основная цель настоящей работы - исследование некоторых не учитываемых ранее факторов на изменение электрофизических параметров кремния под облучением.

В рамках поставленной задачи "необходимо било изучить следующие вопросы:

1. Исследовать влияние внутренней природа образующихся радиационных дефектов на определение электрофизических параметров кремния при использовании различных экспериментальных методов исследования. ?,. Исследовать особенности радиационного дефектообразования в кристаллах промышленного кремния, содержащих различные

- I -

типы ростовых микродефектов.

3.Изучить роль термической предистории в последующем

изменении параметров кремния под облучением.

Научная новизна проведенных иссследований и полученных

результатов состоит в следующем:

1.Впервые изучено влияние бистабильной природы дефектов с сальным электрон-колебательным взаимодействием на его проявление при использовании равновесных и неравновесных методов исследования. Получены математические выражения, позволяющие учесть вклад бистабильности в определение основных параметров таких дефектов.

2.Впервые теоретически показано, что асимметрия адиабатных потенциалов радиационного дефекта С^С^ обусловлена электростатическим взаимодействием.

3.Впервые проведено систематическое исследование влияния ростовых микродефектов различных типов на радиационное дефектообразование в кремнии, выращенном методом Чохральс-кого.

4.При исследовании термодоноров, образующихся в кремнии во время термообработки при Т=530°С, впервые наблюдалась перестройка этих дефектов. Определены их параметры в зависимости от времени термообработки.

б.Исследовано влияние термообработок при Т=1050°С на образование вторичных радиационных дефектов. Показано, что при больших дозах облучения образующиеся термодефекты играют роль центров непрямой аннигиляции для компонент пар Френкеля.

Основные положения, выносимые на защиту:

1 .Бистабильная природа дефекта может существенно повлиять на Ь' личину таких экспериментально определяемых параметров как энергия ионизации, сечение захвата а также время жизни пенсионных носителей тока при условии, что данный дефект является основным каналом рекомбинации.

2.Бисгабильные свойства дефекта С1С3 в кремнии являются следствием чисто электростатического взаимодейстьия.

3.В отличие от кремния, выращенного бестигелыюй зонной плавкой, ростовые микродефекты в тигельном кремнии не иказиышт существенного влияния на образование как рокимбинационни активных, так и нейтральных радиационных

4.В процессе гчрмообрчйоток при Б?0°Г! образуется по меньшей мере четыре энергетических уровня мелких термодоноров с параметрами, существенно отличающимися от параметров известных термодоноров. Энергия ионизации этих термодоноров понижается с увеличением времени термообработки, при этом с увеличением продолжительности термообработки происходит перестройка в сторону более мелких уровней вплоть до полного исчезновения более глубоких.

5.Термодоноры, образующиеся в процессе термообработок при 530Г)С не а/шлют на процессы радиационного дефектообразования в тигельном промышленном кремнии.

в.Термические дефекты, образующиеся в кремнии, выращенном методом Чохральского, во время термообработок при 1050°С оказывают различное влияние на образование радиационных дефектов на линейном и нелинейном участках их дозовой зависимости: на линейном участке влияние термодефектов определяется лишь изменением концентрации растворенного кислорода, тогда как на нелинейном участке они играют роль центров непрямой аннигиляции для компонент пар Френкеля. 7.В промышленном кремнии отсутствуют неконтролируемые стоки, способные заметно влиять на параметры радиационного дефектообрззования.

Научная и практическая ценность.

В работе показано, что бистабильная природа радиационных дефектов действительно может являться причиной расхождений экспериментальных. результатов, ' полученных при изучении радиационного дефектообразования. Получены математические выражения, описывающие поведение бистэбильных дефектов при различных условиях эксперимента, Результаты этих исследований могут быть обобщены на большинство известных мультистабильных дефектов. <

Показано, что колебательная энтропия не вносит вклад в бистзбильную природу радиационного дефекта С^Сд.

Исследование влияния ростовых микродефектов и термодефектов на начальный этап образования радиационных дефектов в тигельном.кремнии позволило сделать вывод об отсутствии эффективных неконтролируемых стоков. Этот вывод является важным для описания процессов радиационного дефектообразования с помощью квазихимических реакций.

Показано, что существуют режимы термообработок, которые - 3 -

можно использовать для отжига термодоноров и для создания внутренние геттеров для нежелательных примесей без влияния на радиационную устойчивость кремния.

Полученные результаты могут быть использованы дли усовершенствования радиационной технологии производства полупроводниковых приборов, а также для прогнозирования изменения основных параметров кремния при термо- и радиационных воздействиях.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на Международной конференции по дефектам в полупроводниках в Будапеште (ВНР. 1888г.), Франкфурте (ФРГ, 1991г.), Международной конференции по радиационному материаловедению в Алуште (СССР, 1990г.), VI Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупровадникових материалов (Москва, 1988г.), I Национальной конференции по дефектам в полупроводниках (С.-Петербург, 1992г.), на всесоюзных семинарах по физике радиационных повреждений в твердых телах (Киев, 19801991ГТ.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 8 печатных работ, список которых приведен в конце автореферата.

Обьем и структура работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы из 142 наименований. Диссертация содержит 100 страниц текста, 38 рисунков, 7 таблиц.

СОДЕИИАНИЕ РАБОТЫ.

Во введении обоснована актуальность теш диссертации, сформулированы основная цель и задачи работы, приведены положения, выносимые на защртгу.

Первая глава представляет собой обзор литературных данных по радиационному дефектообразованмо в кремнии. Показана, что несмотря на большое количество работ, имеются значительные расхождения в экспериментально определенных значениях параметров радиационного дефектообразования в кремнии. в частности, таких, как скорость образования рсыплщшлшх дефектов и константа деградации времени жизни ночсшпшых шк:и1елей токи (НШ) под облучением, а также .ш'..'!Iлл 1г>11И1»ан.ш и количостьо образующихся уровней.

- 4 -

Рассмотрены различные факторы, которые могут являться причиной этих расхождений. Сделан вывод, что наиболее вероятными факторами являются структурные кесовериенства, всегда присутствующие в бездаслокапионных монокристаллах кремния (ростовые микродефекты), термическая предистория, а также внутренняя природа самих радиационных дефектов (мультистзбильность). Основное внимание уделяется результатам, полученным в последние годы.

На основе обзора сформулированы экспериментальные и теоретические задачи, направленные на выяснение возможного влияния вышеперечисленных факторов.

Во второй главе приведено ' описание использованных экспериментальных методик.

Работа выполнена на образцах промышленного бездислокационного кремния, вырздепного методом Чохрэльского с уделыгыя сопротивлением 1 + 7Б Ом см, а также на специально выращенных на ПХМЗ кристаллах бездаслокациояяого тигельного кремния, содержащих различные типы ростовых кикродефектов. После резки, шлифовки, механической и химической полировки на части образцов путем напыления золота в вакууме были изготовлеггы барьеры Шоттки. Для измерений эффекта Холла образцы вырезались в форме двойного креста.

Облучение проводилось у-квантами ^Со интенсивностью до 3 103 Р с-1 и электронами с энергией 3 Иэв и плотностью тока 0.2 + 5 мкА см"2 при (25+70)°С.

Измерения времени жизни ННГ проводились по релаксации неравновесной фотопроводимости, концентрация свободных носителей тока - по аффекту Холла я вольтфарадам характеристикам барьеров Шоттки, сечение захвата и концентрация глубоких урсзней - методом ЕШ. Все перечисленные методики позволяли проводить эксперименты а температурном диапазоне (4.2+300Ж. Измерение спектров ИК-поглощения проводилось на спектрометрах ТО-20 и ПЗ-ИЗУ. Кикротвердость образцов определялась с помощь» микротвердометра Ш-3 по размеру отпечатка, оставляемого ияденторсм. Для измерений эффекта Холла применялась автоматизированная экспериментальная установка. . .

Третья глава посвящена анализу влияния биетабильной природы дефектов на определяемые экспериментально параметры этих дефектов и экспериментальной проверке полученных выражений. В качестве обьекта исследований был выбран рэдиэ-

- 5 -

ционный дефект "межузельный углерод - углерод в узле" (С[СЦ) в кремнии, поскольку для него точно известна конфигурационно-координатная диаграмма,

Вначале исследуется физический механизм возникновения двух конфигурация этого дефекта. Их может быть два: электростатическое взаимодействие в различных зарядовых состояниях дефекта и изменение энтропийного члена в свободной энергии Гиббса. При рассмотрении вероятностей нахождения С^С3 в разных конфигурациях и зарядовых состояниях получается, что для того, чтобы наблюдаемая асимметрия достигалась за счет изменения энтропии необходимо, чтобы соотношение упругих постоянных в различных конфигурациях превышало \Ср\ что для данного дефекта маловероятно.

Рассмотрение микроскопических моделей различных конфигураций позволило определить, какие именно модели отвечают минимуму энергии и показало, что причиной асимметрии адиабатических потенциалов С^Сд является чисто электростатическое взаимодействие.

Из рассмотрения микроскопических моделей сделан вывод о возможности существования третьей пространственной конфигурации С1С3. Так как энергия этой конфигурации выше, чем двух предыдущих, то ее экспериментальное обнаружение может быть возможно при наличии внешних факторов,, понижающих ее энергию, например, сильных полей внутренних упругих напряжений.

Далее рассматривается влияние бистабильности на статистику носителей тока в полупроводнике. Показано, что температурные зависимости концентрации носителей тока для бистабильных дефектов существенно отличаются от дефектов с одной конфигурацией. Так, при неучете влияния второй конфи-гур лши погрешность в определении энергии ионизации достигает 0.03 эВ. Окончательное выражение для концентрации свободных электронов имеет вид:

п = I /В^ 4АС - В], ( 1 )

*аЬ хаЬ

гт А , , , ; В- ] ♦ (НгМа)( Н )

Я С 1

С = Мд | 1 +■ —(На - полная концэнтра-

Ьа-

ция дефекта СуС3 ;■

аеаЬ(Ьа)= у ех1^"8аЬ(Ьа)/м^ ~ вероятность подхода из конфигурации А в конфигурацию В (соответственно из В в А).

Затем рассматривается влияние бистабилыюй природа дефекта на процессы рекомбинации в полупроводниках. Наличие второй конфигурации заметно усложняет динамику этих процессов. Например, захват электрона в конфигурации В -переход в конфигурацию А с преодолением активационного барьера - захват дырки - переход в конфигурацию В и т.д. Получены математические выражения, описывающие поведение времени жизни ШГТ в случае, когда бистабилышй дефект является основным рекомбинационным центром. Так, в случае полупроводника п-типа:

1 1 1 Г - Г 1 Г »1 п

V - ТГ [-ь (1 ♦ ) +*аъ('+-пМ] <2, 80

где С-дЬ = <Сра> г.^ +- <СрЬ> п0 - равновесная концентрация электронов , <Сра(Ь)> - Усродаонные ш состояниям коэффициенты захвата электронов и дарок на СуСд в соответствующей конфигурации.

па^= Нс ехр ^ ] ; Кс - плотность состояний в зоне

проводимости.

В случае проводимости р-типа : ^

^---¡Г^Г- ["Ьа 0 + т!" ) ^аЬ О <3 >

ао

При этом достигнуто хорошее совпадение теории с экспериментом. Неучет бистабильной природы может приводить к большой ошибке в определении концентрации рекомбинационных центров. Так, определяемое значение концентрации при определенных условиях может в 2.6 раза отличаться от истинного.

В конце третьей гл? м рассмотрен * физический смысл сечения захвата, определяемого с помощью Ш.Г5 в случае бистабильных дефектов. Получено выражение. описывающее зави-

'синость линлигудн пикч DT.TS А от длительности импульса заполнения t^:

П Г 1

ЛС(1р> = -5РГ I а П exp( l V1 " Т е1ф<""а " VJ ( 4 }

где а = в.4 1013 ехр(-0.15/КТ); у = 7.2 1013 ехр(-0.19/кТ), п - концентрация электронов в зоне проводимости.

Показано, что применяя различные методы возможно определить как сечения захвата для обоих конфигураций, так и высоту барьера для перестройки между различными конфигурациями.

В ходе экспериментов впервые была обнаружена низкотемпературная перестройка В- А-, заполняющая пробел между существующими даными m ЭПР и DLTS.

Четвертая глава посвящена исследованию влияния ростовых микродефектов (РМД) в бездислокационном тигельном кремнии на процессы радиационного дефектообразовзния. В данной работе использован кремний, выращенный с переменной скорость» вытягивания, что позволило получить в одном и том же слитке золы, содержаще РМД различил: типов.

Измерение распределения оптически активного кислорода по пластинам показало отсутствие корреляции между типом РМД и содержанием кислорода. Зафиксированное уменьшение концентрации кислорода от центра слитка к периферии связано с выходом кислорода наружу через поверхность слитка.

Поскольку данные слитки после выращивания не подвергались технологическому термодонорному отжигу, была исследована зависимость образования первых термодоноров (ТД-450) от типа РВД. Сделан вывод, что концентрация ТД-450 не зависит от типа РМД. Этот вывод был также подтвержден экспериментом по отжигу при Т=450°С.

Далее исследована зависимость константы деградации времени жизни ННТ под оОлуяетет к^ от типа РМД. Оказалось, что исходное время жизни не зависит от типа РИД и в пределах погрешности одинаково то всей пластине, существенно отличаясь для разных слитков. Это является свидетельством того, что РМД не являются основным каналом рекомбинации в тигельном кремнии. Показано, что РМД не оказывают заметного влияния на что может свидетельствовать об отсутствии влияния РИД на начальный этап образования радиационных

- В -

дефектов.

При больших .дозах облучения содержание радиационных дефектов конт1юли(юва.лос1, по спектрам DIJS и температурным зависимостям концентрации носителей тона. Основным радиационным дефектом в данном материале является А центр, что объясняется высокой концентрацией кислорода. Полученные результаты свидетельствуют, что существуют различия в скоростях введения А-центров в образцах с различными типами РМД. При этом наибольшая скорость введения наблюдалась в образцах с а-дефектами, а наименьшая - в образцах с В-микро-дефектзми. Хотя разница и невелика по абсолютной величине (24$), но она вдвое превышает погрешность измерения.

В кинце главы приведены результаты измерений микротвердости, поскольку она является интегральной величиной, позволяющей оценить эффективность образования как электрически активных, так и пассивных дефектов. Исходное значение микротвердости было одинаково практически во Bcei образцах с различными типами РМД. После облучения микротвердость возрастает, что свидетельствует о влиянии радиационных дефектов на торможение движения дислокаций, образующихся под индентором. Независимо от типа РМД микротвердость увеличивается с одинаковой скоростью и достигает насыщения при одном и том же значении вблизи Н=1400 кг/мм2.

В пятой главе представлены результаты по влиянию . термообработок при 530 и 1050°С на образование радиационных дефектов в кремнии.

Диапазон термообработок (ТО) при Б30°С характерен тем, что в нем отсутствуют хорошо исвесгные термодоноры, образующиеся в процессе отжига при 450 и 850°С. Исследования температурных зависимостей эффекта Холла показали, что в процессе ТО при Б30°С длительностью (5+300) часов образуются уровни донорного типа (ТД-530). Они характеризуются на порядок меньшей скоростью введения, чем ТД-450 и образуют несколько близких уровней в запрещенной зоне. Глубина залегания этих уровней уменьшается с увеличением длительности ТО. Эксперименты по DLTS показали, что образуется по меньшей мере 4 уровня, принадлежащих ТД-530. Эти уровни характеризуются очень малой энергий ионизации (О.ОШ+О.ОБ8)эВ и

аномально низкими значениями сечения захвата носителей -17 -14 -?

(10 -г 10 '°)см , что заставляет предположить наличие близкодействующего отталкивающего барьера. Эти значения

Энергий иопипчиии полгнержцакггся результатами намерения эффекта Хо.лта. Глубина залегания всех уровней уменьшается с длительностью ТО. Обнаружена перестройка уровней ТД-530, ггриводящзя к появлению балее мелких уровней при одновременном исчезновении более глубоких.

Результаты измерения спектров DITS после облучения свидетельствуют об отсутствии взаимодействия ТД-530 с радиационными дефектами.

R результате исследования алияния высокотемпературной ТО при КЮ°С. на радиационное дефекто(>браг>овяние в кремнии показано, что такая ТО приводит к интенсивному образованию 5102-фази. При этом концентрация растворенного кислорода снижается почти вдвое. Кроме того, подобная ТО приводит к образованию термоакцепторов с энергетическими уровнями, расположенными в нижней части запрещенной зоны. Концентрация этих термоакцепторов не превышает 10г4с.м-3, Такая ТО на начальном этапе облучения приводит к увеличению скорости введения Е-центров при неизменной скорости введения А-центров. Как следует из проведенного анализа, подобное поведение объясняется перераспределением потоков первичных вакансий, захватывающихся на агомы кислорода и фосфора, вследствие изменения концентрации кислорода.

Анализ полученных результатов позволил сделать вывод о том, что в промышленном тигельном кремнии отсутствуют мощные неконтролируемые стоки для компонент пары Френкеля, способные повлиять на кинетику накопления радиационных дефектов на начальных этапах облучения.

При больших дозах облучения, соответствующих нелинейному участку дозовой зависимости, когда значительную роль могут играть процессы непрямой аннигиляции, скорости введения А-центров и давакансий значительно снижаются. При этом замедление образования радиационных дефектов с временем ТО коррелирует с содержанием SlOg-фазы. На основании экспериментальных данных сделан вывод, что 3102-фаза выступает в качестве центров непрямой аннигиляции радиационных вакансий и межузлий.

В заключении сформулированы основные результаты и вывода диссертационной работы:

1.Показано, что наличие двух пространственных конфигураций у бистабильного дефекта существенно изменяет его проявление при исследовании как равновесными, так и неравновесными

методами.

2.Показано, что источником бистабильноа природы дефекта

в кремнии является чисто электростатическое взаимодействие. Вклад колебательной энтропии в данном случае пренебрежимо мал.

3. Обнаружена низко температурная перестройка между конфиг урациями дефекта С^-Сд, что заполняет существующий пробел между экспериментальными данными по ЭПР и ШЖЗ.

4.Впервые исследовано влияние ростовых микродефектов в тигельном кремнии на образование радиационных дефектов. Показано, что в отличие от зонного кремния, эти дефекты не влияют на образование как рекомбинационно активных, так и нейтральных радиационных дефектов.

5.Обнаружено, что отжиг при 530°С приводит к появлению 4 новых уровней, принадлежащих термодонорам с параметрами, отличными от известных в литературе. Энергия ионизации этих термодоноров лежит в пределах (0.019 + 0.058)эВ и зависит от времени отжига: с увеличением длительности отжига энергия ионизации уменьшается. Впервые по ВИЗ зафиксирована перестройка этих термодоноров со временем термообработки, приводящая к исчезновению более глубоких уровней одновременно с появлением более мелких.

6.Экспериментально показано, что термообработка при 1050°С приводит к интенсивному образованию БК^-фазы, которая выступает в качестве центра непрямой аннигиляции первичных радиационных дефектов на нелинейном участке дозовой зависимости.

7.Обнаружено, что на линейном участке дозовой зависимости отжиг при 1050°С увеличивает скорость введения Е-центров при неизменной скорости введения А-центров. Это, однако, объясняется не влиянием непосредственно Б^-фазы, а перераспределением потоков радиационных вакансий вследствие изменения концентрации кислорода. Отсюда также следует вывод, что в промышленном кремнии отсутствуют неконтролируемые стоки, существенно влияющие на образование радиационных дефектов.

8.Показано, что существуют режимы термообработок, которые можно использовать для отжига термодоноров или создания внутренних геттеров для нежелательных примесей без изменения радиационной устойчивости кремния.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих

работах:

КПомозов Ю'.В., Сирацкий В.М., Иаховцов В.И., Пиндич В.Л., Эйдензон A.M. Влияние ростовых микродефектов на накопление радиационных дефектов в кремнии. Тезисы Шестой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Москва, 1988. - с.171.

2.А.Н.Крайчинский. В.Б.Неймаш, Т.Р.Саган, В.М.Сирзцкий, В.М.Цмоць, В.И.Шэховцов. В.Л.Шиндич. Радиационное дефекто-образование в Si, термообработанном при 1050°С. - УФЖ. 1989. - Т.34, Ш. - с. 1074-1074.

3.V.B.Nelmash, V.M.Slratsky, M.G.Sosnln, V.M.Tsmots, V.I.Shakhovtsov. V.L.Shlndlch, M.C.Milvldsky. Peculiarities of behaviour of Irradiated heat-treated Si. Materials Sci. Forum. 1989. - v.38-41, pt.1. - p.165-170.

4.V.B.Neimash, V.M.Slratsky, V.I.Shakhovtsov, V.L.Shindich. Influence of thermal defects on the radiation defects creation In SI. Радиационное материаловедение (Труда Международной конференции по радиационному материаловедению. Алушта, 1990г.), т.9. - с.104-108.

5.Сирацкий В.М., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л., Шпинар Л.И., Ясковец И.И. Электронные свойства бистабильных дефектов. ФТП. 1990. - т.24, N10. - С.1795-1799.

e.V.B.Nelmash, T.R.Sagan, V.M.Tsmots, V.M.Slratsky, V.I.Shakhovtsov, V.L.Shindich. Intrinsic gettering of radiation defects in silicon caused by high-temperature oxygen-containing defects. Solid State Phenomena. 1991. -v.19-20, p.87-94.

7.V.B.Neinash, T.R.Sagan, V.M.Tsmots, V.M.Slratsky, M.G.Sosnln, V.I.Shakhovtsov, V.I.Shindich. on the role of the uncontrolled sinks in silicon under irradiation. Phys.Stat.Sol(a). 1991. - v.123, p.K95-K100.

в.В.М.Сирацкий, М.Г.Соснин, В.И.Шаховцов, В.Л.Шиндич, Л.И.Шпинар, И.И.Ясковец. Особенности проявления мульти-стабияьных дефектов в релаксационной спектроскопии. Тезисы Первой национальной конференции "Дефекты в полупроводниках", С.-Петербург, 1992. - с.121.