Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Точечные дефекты в кремнии

1.1. Преципитация кислорода в кремнии и сопутствующие ей 8 дефекты

1.2. Кислород в процессе внутреннего геттерирования

1.3. Точечные дефекты в имплантированном кремнии

1.4. Дивакансии в кремнии

Глава 2. Процессы переноса заряда поверхностно-барьерных диодов на основе кремния

2.1. Технология изготовления поверхностно-барьерных диодов

2.2. Анализ механизма протекания тока в контактах металл- 25 полупроводник.

2.2.1. Экспериментальная установка для метода вольт-амперных характеристик

2.2.2 Проверка механизма токопрохождения в барьерах Шоттки

2.3. Анализ вольт-фарадных характеристик барьеров Шоттки

2.3.1. Оценка толщины окисного слоя и погрешности в измерениях емкости

2.3.2. Экспериментальная установка для метода вольт-фарадных характеристик и определение параметров диодов 35 Выводы к главе

Глава 3. Преципитация кислорода в кремнии ~

3.1. Влияние технологического отжига на электрические характеристики диодов Шоттки

3.2. Исследование влияния преципитации кислорода на дефектообразовние в кремнии методом ТСЕ

3.2.1. Методика эксперимента по термостимулированной емкости.

3.2.2. Погрешности, возникающие при определении параметров ГЦ методом ТСЕ.

3.2.3. Установка для эксперимента по ТСЕ

3.2.4. Результаты измерений по ТСЕ и их обсуждение 56 Выводы к главе

Глава 4 Исследование кремния, имплантированного ионами углерода

4.1.Фотопроводимость кремния, имплантированного ионами углерода

4.1.1. Время затухания фотопроводимости

4.1.2. Влияние центров прилипания и рекомбинации на время жизни носителей

4.1.3. Затухание фотопроводимости в тонких пленках

4.1.4 Изготовление электрических контактов к образцам

4.1.5 Экспериментальная установка для измерения фотопроводимости

4.1.6 Методика определения времени затухания фотопроводимости

4.2. Исследование кремния, имплантированного ионами углерода методом ТСЕ. 82 Выводы к главе

Выводы к диссертации

Список научных трудов автора

Актуальность темы.

Общеизвестно, что точечные дефекты в полупроводниках могут создать глубокие центры (ГЦ) в запрещенной зоне, которые существенно влияют на характеристики изготовляемых полупроводниковых структур. Кремний, выращенный по методу Чохральского (Сг-кремний) и широко используемый в микроэлектронной промышленности, содержит большую концентрацию кислорода. Кислород, являясь доминирующей примесью, создает различные комплексы дефектов. Комплексообразование с участием кислорода происходит более интенсивно при различных термообработках. Однако, кремний помимо собственных несовершенств содержит и примеси различных металлов, которые оказывают негативное влияние на генерационно-рекомбинационные процессы. Кислородные преципитаты могут существенно улучшить качество микроэлектронных структур на основе кремния, являясь эффективным стоком для различных примесей. С этой точки зрения представляет интерес изучать процессы комплексообразовния с участием кислорода при различных термообработках и находить оптимальные условия режимов преципитации. В настоящее время преципитации кислорода в кремнии посвящено огромное количество работ, но несмотря на это данная область нуждается в дальнейшем изучении.

Углерод в кремнии является источником зарождения дефектов структуры, так же оказывающих существенное влияние на характеристики полупроводниковых приборов. Следовательно, необходим строгий контроль за концентрацией и распределением этой примеси в кремнии. Ионная имплантация является одним из наиболее перспективных методов контролируемого введения примесей в кремний. Путем ионного внедрения углерода в кремний можно исследовать его взаимодействие с различными дефектами структуры, что может дать весьма полезную информацию для технологии полупроводниковых структур и позволить контролировать концентрацию и распределению углерода в кремнии.

Цель и задачи исследований.

Целью работы является исследование процессов дефектообразования в кремнии с высоким содержанием кислорода до и после термообработки и в кремнии, имплантированном ионами углерода, а также поиск таких режимов преципитации, которые позволят улучшить рекомбинационные характеристики кремния. Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1. Термообработка пластинок Сг-кремния при различных температурах и временах.

2. Изготовление диодов Шоттки из пластинок такого кремния, а также кремния, имплантированного ионами углерода.

3. Выяснение механизмов токопрохождения и влияния высокотемпературного отжига при различных режимах на электрические свойства диодов Шоттки, изготовленных на пластинок Сг-кремния

4. Определение параметров дефектов в Сг-кремнии до и после термообработки и в кремнии, имплантированном ионами углерода.

Научная новизна:

1 .Высокотемпературный отжиг Сг-кремния при различных температурах в целом приводит к улучшению вольт-амперных характеристик

ВАХ) диодов Шоттки. Лучшие результаты достигаются при температуре 950°С, причиной чего является преципитация кислорода.

2. Термообработка Сг-кремния при приводит к уменьшению количества и концентрации выявленных дефектов.

3. При термообработке Сг-кремния при 950°С образуется глубокий уровень (ГУ) в середине запрещенной зоны с большим коэффициентом захвата, который по-видимому связан с преципитацией кислорода.

4. Концентрация междоузельного углерода в имплантированном кремнии пропорциональна концентрации дивакансий, образующихся в результате имплантации.

Практическая ценность работы.

1. Экспериментальным путем определен оптимальный режим термообработки кремния, при котором существенно улучшаются ВАХ диодов Шоттки.

2. Определены параметры ГУ в кремнии, вводимых имплантацией углерода и термообработкой.

3. Показано, что концентрацию имплантированного углерода можно контролировать с помощью дивакансий, вводимых имплантацией.

Положения, выносимые на защиту:

1. Высокотемпературная термообработка Сг-кремния положительно влияет на ВАХ диодов Шоттки.

2. Отжиг Сг-кремния при температуре 950°С приводит к уменьшению количества и концентрации выявленных дефектов. Данный эффект увязывается с преципитацией кислорода. 7

3. Отжиг Сг-кремния при температуре 950°С сопровождается распадом одних и появлением других ГЦ.

4. В кремнии, имплантированном ионами углерода, установлена связь между дивакансиями, вводимых имплантацией и междоузельным углеродом.

5. При термостимулировании кремния, имплантированного ионами углерода, появляется отрицательный пик термостимулированной емкости (ТСЕ).

Апробация работы.

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на международной конференции «Оптика полупроводников-2000» в г. Ульяновск и на ежегодных научных конференциях молодых ученых УлГУ.

Публикации.

Результаты исследований опубликованы в 7 научных работах. Список работ прилагается в конце Эсоссе^ гации,

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов. Материал изложен на 100 страницах, включает 29 рисунков, 5 таблиц и библиографический список из 87 наименований.

Выводы к диссертации

1. Отжиг кремния, выращенного по методу Чохральского, прч температурах 850 °С, 950 °С и 1100 °С приводит к уменьшению обратного тока насыщения. Лучшие результаты достигаются при отжиге 950°С.

2. Отжиг при темлературе 950 °С приводит к преципитации кислоро да в кремнии выращенного по методу Чохральского, вследствие чего уменьшается количество и концентрация выявленных глубоких центров.

3. При отжиге кремния, выращенного по методу Чохральского, при температуре 950 °С исчезает глубокий центр с энергией активации 0.44 эВ и образуется глубокий центр с энергией активации 0.55 эВ, который может быть связан с преципитацией кислорода, что подтверждается высоким значением коэффициента захвата.

4. В кремнии, имплантированном ионами углерода (20 кэВ, б-Ю13 см"2), каждой дивакансии, вводимой имплантацией, приходится два атома междоузельного углерода. Также установлено, что в таком кремнии концентрация глубоких центров на глубине 47 нм в три раза больше, чем на глубине 57 нм.

5. При термостимулировании кремния, имплантированного ионами

15 2 углерода (20 кэВ, 6-10 см") появляется отрицательный пик в спектрах ТСЕ, которому соответствует глубокий центр с энергией активации 0.55 эВ. Таким образом, при термостимулировании, кроме процессов высвобождения носителей с глубоких центров происходят и процессы захвата носителей на глубокий центр.

Список научных трудов автора:

1. Джабраилов Т.А., Мекеров А.Н., Моливер С.С., Фотопроводимость и термостимулированная емкость кремния, имплантированного ионами углерода // Уч. Зап. УлГУ 1999, сер. физ., вып. 2(7), с 103-104.

2. Джабраилов Т.А., Моливер С.С., Амброзевич A.C., Скаргин Е.М. Установка для измерения спектров фотопроводимости, фотоемкости в среднем ИК диапазоне и времени жизни носителей // Труды международной конференции «Оптика полупроводников». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000, с.128.

3. Булярский C.B., Светухин В.В., Джабраилов Т.А., Амброзевич A.C. Влияние преципитации кислорода в кремнии на электрические характеристики диодов Шоттки // Труды международной конференции «Оптика полупроводников» Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000, с. 159.

4. Амброзевич A.C., Светухин В.В., Джабраилов Т.А Исследование рекомбинационных характеристик кремния с кислородными преципитатами // Уч. зап. УлГУ, сер. физ., 2000, вып. 2(9), Ульяновск: УлГУ, с.37-39.

5. Амброзевич A.C., Моливер С.С., Джабраилов Т.А., Баязитов P.M., Баталов Р.И. Исследование глубоких центров в кремнии, имплантированном ионами углерода// Уч. зап. УлГУ, сер. физ., 2000, вып. 2(9), Ульяновск: УлГУ, с.98-100.

6. Булярский C.B., Амброзевич A.C., Светухин В.В., Т.А. ДжабраиловВлияние кислородных преципитатов на рекомбинационные характеристикикремния // Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, в. 5, с. 77-81.

7. Булярский C.B., Амброзевич A.C., Моливер С.С., Джабраилсз Т.А., Баязитов P.M., Баталов Р.И. Исследование кремния, имплантированного ионами углерода // Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, в. 6, с. 57-60.

1. Borghesi A., Pivas В., Sasseila A. and Stella A. Oxygen precipitation in silicon. // J. Appl. Phys., 77, 1995, p. 4169-4310.

2. Батавин В.В. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода в бездиклокационном кремнии. // Кристаллография, 15 (1), 1970, с. 125135.

3. Ни S.M. Oxygen precipitation in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 59, 1986, p. 249-266.

4. Зайнабидинов С. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии. -УзССР: Фан, 1984. -165 с.

5. Гринштейн П.М., Орлова Е.В., Фистуль В.И., Ильин М.А., Моргулис JT.M. Кинетика распада раствора в бездислокационном кремнии. // Электронная техника, сер. Матер., 1978, с. 70-74.

6. Wilkes J.S. The precipitation of oxygen in silicon. // Jour, of Crystal Growth, 65, 1983, p. 214-230.

7. Сальник З.А. Термодоноры в кремнии, содержащем кислород. // Неорган. Материалы, 31, 1393 (1995).

8. Borenstein J.T., Peak D., James W. Formation kinetics of thermal donors in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 59, 1986, p. 173-179.

9. Kimerling L.C. Structure and properties of oxygen donor. // Materials Research Society Symp. Proc. 59, 1986, p. 83-89.

10. Bourett A. Oxygen Aggregation in Silicon // In: Proceeding of 13-th International Conference on Defects in Semiconductors? edited by L. C. imering and J. M. Parsey, Jr. (The Metallurgical Society of AIME, Warr^ndale, PA, 1985), p. 129-146.

11. Reiche M.,Reiche J., Nitzche W. Correlation Between Thermal Donor Formation, Rod-Like Defect Formation and Oxygen Reduction During Low-Temperature Annealing of Cz-Grown Si // Phys. Stat Sol. (a), -1998.-v.107, N2, p. 851-865.

12. Bender H. Vanhellemont J. Rod-Like Defects in Silicon: Coesite or Hexagonal Silicon? // Phys. Stat Sol. (a).-1988.-v. 107, N2, p. 455-467.

13. Bergholz W., Pirouz P., Hutchison J. L. Diffusion and Precipitation of Oxygen in Silicon // In: Proceedings of 7-th International School "Defects in Crystals", edited by E. Mizera (World Scientific, Szczyrk, Poland, 1985), p. 196-207.

14. Bourett A., Thibault-Desseauxs J., Seidman D. N. Early Stages of Oxygen Segregation and Precipitation in Silicon // J. Appl. Phys. -1984. -v.55, N4, p. 825-835.

15. Reiche M., Breitenstein O. The Roll of Silicon Self-interstitials in the Formation of Thermally Induced Rod-Like Defects in Cz-Silicon // Phys. Stat. Sol (a). -1987. -v.101, N2, p. K97-K99.

16. Bender H. Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques // Phys. Stat. Sol. (a), -1984. -v.86, N1, p. 245-261.

17. Yasutake К., Umeno М., Kawabe H. Oxygen Precipitation and Microdefects in Czochralski-Grown Silicon Crystals // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. -v.83, N1. -p. 207-217

18. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984. - 472 с.

19. Vanhellemont J., Claeys C.A. Therotical Study of the Critical Radius of Precipitates and its Application to Silicon Oxide in Silicon // J. Appl. Phys. -1987. -v.62, N9. -p.3960-3967.

20. Светухин B.B., Приходько O.B. Центры зарождения кислородных преципитатов в кремнии. // Уч. зап. УлГУ. Сер. физ., 1998, №2, с. 56-57.

21. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии. // Уч. зап. УлГУ, сер. физ., 1998, N2, с. 57-61.

22. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика распада раствора кислорода в кремнии. // Труды международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах", Ульяновск, 1997, с. 6-7.

23. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Исследование неоднородной по объему преципитации кислорода. // Труды международной конференции "Оптика полупроводников", Ульяновск, 1998, с. 170-171.

24. Светухин В.В., Приходько О.В. Булярский C.B. Кинетика преципитации кислорода в кремнии. // Уч. зап. УлГУ, сер. физ., 1997, с. 45-48.

25. Комаров Ф. Ф., Новиков А. П., Соловьев В. С., Ширяев С. Ю. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. Минск: Университетское, 1990. 320 с.

26. Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория/Пер. с англ. М.: Мир, 1984. -264 с.

27. Бургуэн Ж. Ланно М., Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты/Пер. с англ. М.: Мир, 1985. -304 с.

28. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные эффекты в кремнии. Киев: Наук, думка, 1974. -200 с.V

29. Корбетт Дж., Бргуэн Ж. Дефектообразование в полупроводников // Точечные дефекты в твердых телах. Пер. с англ. / Под ред. Б.И. Болтакса, Т.В. Машовец, А.Н. Орлова. М.: Мир, 1979, с. 9-162.

30. Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск; Наука, 1977. -256 с.

31. Радиационные эффекты в полупроводниках / Под ред. JI.C. Смирнова. Новосибирск; Наука, 1979. -j36 с.

32. Герасименко Н. Н. О свойствах радиационных дефектов междоузельного типа в кремнии. // Тр. 2-го советско-американского семинара по ионной имплантации. Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1979, с. 351-370.

33. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. JI.C. Смирнова. Новосибирск; Наука, 1980. -296 с.

34. Вавилов В. С., Кив А. Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1980. -368 с.

35. Braun М., Khosroupour Н., Johansson Е. and Hogmark Formation and characterization of carbon layers deposited duiring ion bombardment of silicon.-// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B37/38, 1989, p. 434437.

36. Bachilo I.A., Komarov F.F., Novikov A.P. and Petrov S.A. Structual Analysis of Silicon Doped with High Doses of C+ Ions. // Phys. Stat. Sol. A, v. 109, №1, 1988, p. 231-238.

37. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Петров С.А. Изменение структуры поверхности кремния при облучении высокими дозами ионов Ст и А^ // Вести Белорусского ун-та, сер.1, в. 7, 1990, с. 27-29.

38. Wong Н., Cheung N.W., Wong S.S. Electronic defects in silicon indused by MeV carbon and oxygen implantations. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B37/38, 1989, p. 970-974.

39. Reeson K.J, Stoemenos J., Hemmet P.L.F Mechanizm of buried /?-SiC formation by implanted carbon in silicon. // Yhin Solid Films, V. 191, № 5, 1990, p. 147-164.

40. Srikanth K., Chu M., Ashok S., Nguyen N, and Vedam K. High-dose carbon ion implantation studies in silicon. // Thin Solid Films, v. 163, № 5, 1989, p. 323-329.

41. Tadamasa Kimura, Shigemi Yugo, Shigeru Kagiyama, Yoshio Machi Auger electron spectroscopy analysis of SiC layers formed by carbon ion implantation in silicon. // Thin Solid Films, v. 122, 1984, p. 165-172.

42. Chou C.T., Cockayne D.J.H., Zou J., Kringhoj P., Jagadish C. {Ill }defects in 1-MeV-silicon-ion-implanted silicon. // Phys. Rev. B, V.52, № 24, 1995, p. 17223-17230.

43. Wohg H., Cheug N.W., Chu P.K.,. Liu J., Mayer J.W.Proximity gettering with mega-electron-volt carbon and oxygen implantations. // Appl. Phys. Lett., v. 57, №9, 1988, p. 1023-1025.

44. Кузнецов H.B., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздать, 1989.46. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на егоповерхности. М.: Наука, 1990.-216

45. Карпов В.Г., Колесников Н.В., Мальханов С.Е. Сечение захвата носителя дивакансией в кремнии р-типа. ФТП, 1982, т. 16, в. 9, с. 1657-1659.

46. Шемаев Б.В. Положение акцепторных уровней дивакансии в запрещенной зоне n-кремния, облученного протонами с энергией 6.3 МэВ. ФТП, 1983, т. 17, в. 11, с. 1963-1965.

47. Васильев А.В., Смагулова C.JL, Шаймеев С.С. Исследование дефектов в кремнии n-типа, введенных облучением нейтронами, методом емкостной спектроскопии. ФТП, 1976, т. 10, в. 11, с. 1983-1986.

48. Моливер С.С. Метод открытой оболочки для электронной структуры дивакансии кремния. ФТТ, 1999, т. 41, в. 3, с. 404-410.

49. Humphers R.G., Brand S., Jaros M. Electronic structure of divacancy in silicon. Phys. C: Sol. Stat. Phys.// v. 16, № 12, L 337, 1983.

50. Avalos V.and .Dannefaer S.Impurity-vacancy complexes in elecctron irradiated silicon. // Phys. Rev. B, 1998, v. 58, N 3.

51. Малышева И.А. Технология изготовления интегральнных микросхем. M.: Радио и связь, 1991. -344 с.

52. Технологическая карта завода "Искра" (г. Ульяновск) . Химическая обработка перед напылением.

53. Тихонов Ю.Н. Технология изготовления германиевых и кремниевых диодов, триодов. М: Энергия, 1964,- X Т L/С ■56. Описание к ВУП-5.

54. Ямпольский А.М. электрохимическое осаждение благородных редких металлов. Л.: 1997,- 1<Ь9с.

55. Кафедра микроэлектроники, лабораторная работа N5 по дисциплине "Микроэлектроника", г. Ульяновск, фМГУ, 1993г.

56. Кафедра экспериментальной физики, лабораторная работа N8 по дисциплине "Электронная микроскопия", г.Ульяновск , УлГУ, 1997.

57. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. - М.: Мир, 1984. - 456с.

58. Родерик Э. X. Контакты мегалл-полупроводник: Пер. с анг./ Под ред. Г.В. Степанова. М.: Радио и связь, 1982,- 208 с.

59. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г.Физика полупроводников М.: Наука, 1990.-668.

60. Вольтметр универсальный В7-46 (В7-46/1) Техническое описание. 4.1.

61. Е7-12, Е7-12/1 Измерители L, С, R цифровые. Техническое описание и инструкция по эксплуатации 2.724.011 ТО.

62. Graven R. A., Materials Research Society Symp. Proc., 1985, v.36, p.159-172.

63. Булярский C.B., В.В. Светухин, Т.А. Джабраилов, А.С.' Амброзевич Влияние преципитации кислорода в кремнии на электрические характеристики диодов Шоттки // Труды международной конференции «Оптика полупроводников» Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000, с. 159.

64. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно рекомбинационные процессы в активных элементах. М: Изд-во Мое. Ун-та, 1995 - 399 с.

65. Buehler N.G. Impuring centers in p-n-junction denermined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance respons with heating rate // 1972. v. 20. p. 193 195.

66. Sah S.T., Chan W.W., Fu H.S. Thermally stimmulated capacitance (TSCAP) in p-n-junction // Appl. Phys. Let. 1972. v. 20. p. 193 195.

67. Колчанов H.M., Мамедов Р.Ф., Мироджалилова M.A. Термостимулированные токи в р-п-переходах фосфида галлия // Физикаэлектронно-дырочных переходов в полупроводниковых приборах. Л.: Наука, 1967, с. 267-270.

68. Воеводин В.Г., Грибенков А.Н. и др. Теория термостиулированных токов в р-п-переходе с глубокими ловушками в области пространственного заряда // ФТП. 1973. т. 7. с. 741 745.

69. Lax M. Cascade capture of electrons in solids // Phys. Rev. 1960. v. 119. p. 1502 1523.

70. Булярский C.B., Радауцан С.И. Определение параметров глубоких рекомбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости//ФТП. 1981. т. 15. с. 1443 1446.

71. Булярский C.B., Грушко Н.С., Кортченко Г.С., Молдодян И.П. Об определении некоторых параметров глубоких центров в фосфиде индия, легированном хромом и железом // Деп. в ВИНИТИ. N6668 73, 1973.

72. Вертопрахов Е.В., Сальман Г.С. Термостимулированные процессы в полупроводниках. М.: Наука, 1972.

73. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников М.: Наука, 1972. -ЮЦ

74. Амброзевич A.C. Дефектообразование в фосфидогалиевых светодиодных структурах зеленого свечения при воздействии внешних факторов / Дисс. на соиск. уч. степени к. ф-м. н., Ульяновск, 1995 .

75. Науманн Г., Майлинг В., Щербина А. Стандартные интерфейсы для измерительной техники. М.: Мир, 1982.

76. IEEE-488 and VXLbus Control, Data Asquisition, and Analysis, National Instruments, 1994.

77. Амброзевич А. С., Светухин В.В., Джабраилов Т.А. Исследование рекомбинационных характеристик кремния с кислородными преципитатами // Уч. Зап. УлГУ, сер. физ., вып. 2(9), Ульяновск: УлГУ, 2000, с.37-39.

78. Булярский C.B., A.C. Амброзевич В.В. Светухин, Т.А. Джабраилов Влияние кислородных преципитатов на рекомбинационные характеристики кремния // Письма в ЖТФ, 2001, т. 27, в. 5, с. 77-81.

79. Вавилов В.С.,Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. Учеб. Руководство. М.: Наука. Гл. ред. физ-мат лит., с. 1988.- 192.

80. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. Пер. с англ. М.: Иностр. Лит. 1962. 558 с.

81. Джабраилов Т.А., Мекеров А.Н., Моливер С.С. Фотопроводимость и термостимулированная емкость кремния, имплантированного ионами углерода // Уч. Зап. УлГУ, сер. физ., вып. 2(7), Ульяновск: УлГУ, 1999, с 103-104.

82. Амброзевич A.C., Моливер С.С., Джабраилов Т.А., Баязитов P.M., Баталов Р.И. Исследование глубоких центров в кремнии, имплантированном ионами углерода// Уч. Зап. УлГУ, сер. физ., вып. 2(9), Ульяновск: УлГУ, 2000, с.98-100.