Эффекты инфракрасного гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в фосфидах галлия и индия, легированных медью тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ, СОЗДАВАЕМЫЕ МЕДЬЮ И ХРОМОМ В GaP, InP и GaAs.

1.1 Энергетический спектр и фотоэлектрические свойства примеси меди в фосфиде галлия.

1.2 Примесные состояния меди в фосфиде индия и арсениде галлия.

1.3 Примесные состояния хрома в фосфиде и арсениде галлия.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1 Методика приготовления и получения образцов.

2.2 Измерение фотопроводимости исследуемых материалов при комбинированном возбуждении.

2.3 Обработка экспериментальных данных.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ ИНФРАКРАСНОГО ГАШЕНИЯ И СЕНСИБИЛИЗАЦИИ СОБСТВЕННОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ, ЛЕГИРОВАННОМ МЕДЬЮ.

3.1 Спектр собственной фотопроводимости GaP<Cu> с дополнительным возбуждением в области низких энергий квантов.

3.2 Спектры собственной фотопроводимости GaP<Cu> с дополнительным возбуждением в области низких энергий квантов при разделении носителей заряда электрическим полем.

3.3 Спектр собственной фотопроводимости GaP<Cu> с дополнительным возбуждением в области энергий квантов собственных переходов.

Актуальность темы. Явление фотопроводимости (ФП) лежит в основе создания большого спектра приемников излучения, перекрывающих диапазон от дальней ИК- до УФ - областей. Технология изготовления оптоэлек-тронных приборов непрерывно совершенствуется, расширяется ряд используемых полупроводниковых материалов. При этом оказывается, что изготовление фоторезисторов с большими значениями коэффициента усиления на основе сульфида цинка и фосфида галлия сопряжено с использованием одной и той же примеси - сенсибилизатора собственной фотопроводимости (СФП). Такой примесью оказывается медь. Большое число экспериментальных работ посвящено изучению поведения этой примеси, но до сих пор отсутствует единое мнение о физической природе причин сенсибилизации собственной фотопроводимости медью, практически не известна ее роль в процессах рекомбинации.

Имеющиеся представления о характере взаимодействия примесных атомов меди с полупроводниковой матрицей весьма приблизительны. Это определяется полным отсутствием данных измерений ЭПР или ЯМР, которые обычно дают ответ о характере локализации в решетке примесных атомов переходных металлов. Способность меди легко диффундировать в полупроводниковых материалах определила представление о междоузельном размещении атомов в решетке, однако, установленный акцепторный характер поведения примеси и величина ее предельной растворимости привели к выводу о двойственном «диссоциативном» поведении меди.

Комплекс исследований фотопроводимости, выполненный в последнее время, позволил сформулировать представления о бистабильности узельного состояния меди в фосфидах индия и галлия когда примесный атом, находящийся в одном и том же зарядовом состоянии, может изменять свою координацию. Предлагаемая модель способна объяснить ряд электрических и фотоэлектрических свойств легированных материалов, но она требует значительной детализации. Необходимы дополнительные исследования, которые должны устранить неоднозначность трактовки экспериментальных результатов. Это связано, в первую очередь со сложностью процессов сенсибилизации и гашения собственной фотопроводимости полупроводниковых соединений А3В5.

Поскольку проявление бистабильности примесных состояний связывается с устойчивостью Зё10-оболочки примеси меди, представляет интерес поиск проявления аналогичных свойств другими представителями ряда переходных металлов, в частности, примесью хрома с устойчивой конфигурацией 3d5. Известно, что хром придает образцам арсенида галлия высокую фоточувствительность и широко используется в технологии получения высоко-омных слитков.

Работа соответствует научному направлению 29.19.31 «Полупроводники», разрабатываемому в ВГТУ и выполнялась на кафедре «Полупроводниковая электроника» в соответствии с планом Госбюджетных работ 96.34 «Исследование и моделирование физических процессов в полупроводниковых материалах и приборах», государственный регистрационный номер №01960003428.

Цель и задачи исследования состоят в изучении и детализации механизмов примесной фотопроводимости, ИК-гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости, уточнении энергетического спектра примесных состояний меди в фосфидах галлия и индия.

Для достижения поставленной цели предстояло решить следующие задачи:

• Провести экспериментальные исследования спектров гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в образцах GaP<Cu> для различных условий ее возбуждения.

• Установить роль электронной составляющей в величине собственного фототока, возникающего в перекомпенсированных медью образцах GaP<Cu>.

• Исследовать особенности релаксационных процессов сенсибилизации и гашения собственной фотопроводимости в образцах GaP<Cu>.

• Исследовать спектры примесной фотопроводимости в образцах фосфида индия компенсированных медью.

• Исследовать спектры гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в образцах GaP<Cr>.

Методы исследования. Для решения поставленных задач были использованы методы диффузионного легирования монокристаллов полупроводников в запаянных вакуумированных кварцевых ампулах и в квазизамкнутом объеме, а также методы изучения фотоэлектрических свойств материала, таких как:

1. двухлучевой модуляционный метод измерения фотопроводимости;

2. измерение фотопроводимости с использованием прозрачного контакта на основе соединения БпОг+ГпгОз;

3. двухлучевой модуляционный метод измерения фотопроводимости при различной температуре;

4. двухлучевой модуляционный метод измерения кинетик релаксации фотопроводимости при различных температурах.

Научная новизна работы

1. На основе экспериментальных исследований спектров гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в образцах GaP<Cu> для различных условий ее возбуждения установлено, что за эффекты сенсибилизации и гашения отвечают различные процессы, а зависимость проявляющегося эффекта от длины волны возбуждающего света связана с пространственным распределением различных зарядовых состояний примеси. Экспериментально доказано наличие примесного уровня меди с энергией Ev+ (0,144-0,2) эВ.

2. Прямыми экспериментами с использованием прозрачного контакта подтверждена доминирующая роль электронной составляющей в величине собственного фототока, возникающего в перекомпенсированных медью образцах GaP<Cu>.

3. В фосфиде галлия и фосфиде индия медь проявляет свойства биста-бильного центра, аналогичного дефектам типа DX-центров в AlGaAs . Для полупроводников GaP и InP построены координатно-конфигурационные энергетические диаграммы примеси меди в кристаллической решетке.

4. Кинетики ИК-гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости (СФП) представляют собой суперпозиции конкурирующих процессов: на оптическую генерацию носителей заряда накладывается оптически индуцируемая реконструкция бистабильных центров меди.

5. В фосфиде индия энергетический спектр уровней меди подобен фосфиду галлия. Экспериментально доказано наличие у нейтрального узель-ного центра меди уровня с энергией Ev+ 0,05 эВ.

Практическая значимость проведенных исследований

1. Показана возможность получения компенсированных и фоточувствительных образцов GaP<Cu> и InP<Cu> методом квазизамкнутого объема. Разработанный метод может рассматриваться как средство экспрессного анализа свойств полупроводниковых материалов, содержащий летучий компонент.

2. Предложена методика определения типа носителей заряда, определяющих эффекты гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в полупроводниках с помощью прозрачного электропроводящего электрода из пленки Sn02+In203.

3. Определены механизмы возникновения эффектов гашения и сенсибилизации в фосфидах галлия и индия, что позволяет рассматривать их как материалы, пригодные для создания новых изделий микроэлектроники и оптоэлектроники.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

На защиту выносятся:

1. Физические модели эффектов гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в GaP<Cu> в зависимости от условий возбуждения образца. Перезарядка и реконструкция центров меди в области поверхностного пространственного заряда изменяет условия протекания рекомбинационных процессов. В одной и той же примесной области спектра дополнительная подсветка либо обеспечивает оптическую генерацию дырок с уровня акцептора и приводит к эффекту гашения СФП для сильно поглощаемого света, либо инициирует оптическую реконструкцию в области электронейтральности образцов, приводящую к увеличению времени жизни электронов.

2. Методика исследования фотопроводимости с разделением носителей заряда электрическим полем, которая подтверждает преобладающую роль электронной составляющей в собственной фотопроводимости образцов GaP<Cu>. Методика позволяет получить дополнительную информацию о роли глубоких центров в процессах фотопроводимости.

3. Экспериментальные данные о наличии второго уровня у нейтрального центра А0 в GaP<Cu> с энергией Ev + (0,14-0,2) эВ.

4. Кинетика ИК- гашения и сенсибилизации собственной фотопроводимости в GaP<Cu> определяется наличием двух конкурирующих процессов: возбуждением носителей в зоны разрешенных энергий и оптически индуцируемой реконструкцией примесных центров меди.

5. Экспериментальные данные о наличии у нейтрального центра меди А0 в InP амфотерности электрических свойств и донорного уровня Ev + 0,05 эВ.

Достоверность полученных результатов определяется построением физических моделей с учетом основных явлений, определяющих свойства процессов или объектов, многократной экспериментальной проверкой результатов измерений, большая часть которых получена с использованием управляемого компьютером спектрально-вычислительного комплекса. При измерениях использовались апробированные методики, аттестованная и поверенная аппаратура. Экспериментальные результаты дополняются данными численного моделирования. Часть полученных результатов согласуется с результатами и выводами других авторов.

Апробация работы. Основные положения и научные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международной конференции "Проблемы электротехнических материалов и кабельных изделий (ICEMEC-97)", Москва, 1997 г.; Международной конференции "Оптика полупроводников (OS-98)", Ульяновск, 1998 г.; Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах", Воронеж, 1999 г.; Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные прцессы в полупроводниковых приборах", Москва, 2000 г.; Международной конференции "Оптика полупроводников (OS-2000)", Ульяновск, 2000 г.; Международной школе-семинаре "Нелинейные процессы в дизайне материалов", Воронеж, 2002г.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 10 работ, в том числе: 3 статьи и 7 тезисов докладов.

Вклад автора в разработку проблемы. В совместных работах автору принадлежит изготовление образцов и получение результатов экспериментальных исследований, их обработка средствами вычислительной техники, подготовка научных публикаций. Предлагаемые в работе физические модели

11 и интерпретация экспериментальных результатов предложены и разработаны лично автором.

Консультирование по возникающим в ходе выполнения работы методическим и технологическим вопросам осуществлял научный консультант доктор физико-математических наук, профессор Прибылов Н.Н.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Работа содержит 123 страницы текста, включая 45 рисунков и библиографию из 90 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Установлено, что эффекты ИК-гашения и сенсибилизации СФП вызваны процессами, протекающими в разных областях исследуемых образцов: у поверхности или в объеме материала. ИК-гашение СФП при воздействии дополнительной подсветки обусловлено генерацией дырок в валентную зону с акцепторного уровня, ИК-сенсибилизация - оптической реконструкцией нейтральных центров В0 в центры А0. Зависимость проявляющихся эффектов от длины волны возбуждающего СФП света связана с наличием в разных областях образца различных зарядовых состояний примеси меди.

2. Предложена методика определения вклада носителей заряда различных знаков в собственную фотопроводимость материала, основанная на регистрации влияния дополнительной примесной подсветки на величину дрейфового фототока.

3. Экспериментальным путем показано, что нейтральное состояние меди А0 является амфотерным и характеризуется двумя уровнями в запрещенной зоне фосфида галлия: помимо акцепторного уровня А имеется донорный уровень с энергией Ev + (0,14-^0,2) эВ.

4. Исследована кинетика ИК-гашения и сенсибилизации СФП при двойной засветке образца с различными энергиями квантов. Установлено, что степень ИК-гашения СФП и длительность процесса зависят от концентрации дырок в валентной зоне. Кинетика восстановления СФП в GaP<Cu> имеет сложный вид: быстрая составляющая связана с захватом дырок на примесные уровни меди, медленная - с перераспределением заряда в поле пространственного потенциала за счет диффузии дырок, которая контролируется темпом термической генерации. При длинноволновом собственном возбуждении наблюдается немонотонность в кинетике изменения СФП, связанная с суперпозицией процессов ИК-гашения и сенсибилизации СФП. Определено, что ИК-сенсибилизация СФП

1. Grimmeiss H.G., Monemar В., Samuelson L. Properties of deep Cu levels in GaP // Solid State Electronics.-1978.-Vol.21.-P. 1505-1508.

2. Fabre E., Bhargava R.N. Thermally stimulated current measurements and their correlation with efficiency and degradation in GaP LED's // Appl. Phys. Lett.-1974,- Vol. 24.- P.322-324.

3. Dean P.J., White A.M., Hamilton В., Peaker A.R., Gibb R.M. Nickel, a persistent inadvertent contaminant in device-grade vapour epitaxially grown gallium phosphide // J. Phys. D: Appl. Phys.- 1977, V. 10, P. 2545-2554.

4. Grimmeiss H.G., Monemar B. Some optical properties of Cu in GaP // Phys. Status Solidi (a).-1973.-Vol.l9.-P.505-511.

5. Monemar В., Dean P.J. Optical properties of the Cu related characteristic lyminescence center in GaP // J. Luminescence.-1972.- Vol.5.-P.472

6. Wessels B. Determination of deep levels in Cu-doped GaP using transient-current spectroscopy // J. Appl. Phys. -1976.-Vol.47.-P. 1131-1133.

7. Fagerstom P.O., Grimmeiss H.G., Titze H. Thermal and optical processes in GaP:Cu// J. Appl. Phys. -1978.-Vol.49.-P.3341-3347

8. Наследов Д.Н., Слободчиков C.B. О фотопроводимости в GaP // ФТТ.-1963.-Т.4.-С.3161-3164.

9. Grimmeiss H.G., Scholz Н. Optical and electrical properties of GaP-Cu. Part II //Philips. Res. Rep. -1966.- Vol.21.-P.246-249

10. Grimmeiss H.G., Ologsson G. Charge-carrier capture and its effect on transition capacitance in GaP-Cu diodes // J. Appl. Phys. -1969.-Vol.40.-P.2526-2533.

11. Monemar В., Grimmeiss H.G. Optical characterization of deep energi //Prog. Crystal. Charact. 1982. -V. 5. - P. 47-48.

12. Allen J.W., Cherry R.J. Some properties of GaP-Cu // Phys. Chem. Soiids.-1962.- Vol.53.-P.509-511.

13. Olsson R. Impurity absorption in GaP doped with cooper and oxygen // Phys. Status Solidi (b).-1971.-Vol.46.-P.299-309.

14. Singh V.A, Zunger Alex. Electronic structure of transition impurities in GaP // Phys. Rev. B. -1985.-Vol.31.-P.3729-3759.

15. Оптические перходы в спектре d -электронов примесного центра V в GaP/ С.А. Абагян, Г.А. Иванов, Ю.Н. Кузнецов, Ю.А. Окунев // ФТП.-1974.-Т.8.-Вып.9-.-С.1691-1696.

16. Абагян С.А., Крупышев Р.С. Природа ослабления света в GaP<Cu> // ФТП.-1978.-Т.12.- Вып.9.-С.23 60-23 64.

17. Lucovski J. On photoionization of deep impurity in semiconductors // Sol. St. Commun.-1965.-Vol.3.-P. 299-302

18. Низкочастотные осцилляции тока в высокоомном фосфиде галлия / А.И. Иващенко, М.П. Икизли, Д.Н. Наследов, С.В. Слободчиков // ФТП.-1973,-Т.7.- Вып.З.-С.612-614

19. Grimmeiss H.G., Scholz Н. Photoconductivity of Cu-doped GaP // Philips. Res. Rep. -1965.-Vol.20.-P. 107-124.

20. Goldstein В., Perlman S.S. Electrical and optical properties of high-resistivity GaP // Phys. Rev.-1966.-Vol. 148.-P.715-721.

21. Schulze R.G., Petersen P.E. Photoconductivity in solution-grown copper-doped GaP // J. Appl. Phys. -1974.-Vol.45.-P.5307-5311

22. Буянова И.А., Остапенко С.С., Шейнкманн М.К. Симметрия и модель сложного центра поляризованной фото и термолюминесценции в монокристаллах GaP // ФТП.-1986.-Т.20.- Вып.10.-С.1791-1800.

23. Optical properties of the Cu-related characteristic-luminescence center in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean // Phys. Rev. B.-1983.-Vol.26.-P.8320-8330.

24. Photo luminescence studies of the 1.911-eV Cu-related complex in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean, D.C. Herbert, S. Depinna, B.C. Cavenett, N. Killoran. //Phys. Rev. B.-1982.-Vol.26.-№2.-P.827-845.

25. Cten W.M., Gislason H.P., Monemar B. PGa- antisite-related neitral complex defect in GaP studied with optically detected magnetic resonance // Phys. Rev. В.-1987.-Vol.36.-№9.-P.5058-5062.

26. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Под. ред. Шейнкмана М.К.- М.: Мир, 1977.- 562с.

27. Рябоконь В.Н., Свидзинский К.К. Теория акцепторов с глубокими уровнями в полупроводниках // ФТТ.-1969.- Вып.11.-С.585.

28. Рябоконь В.Н., Свидзинский К.К. Акцепторные примеси замещения в полупроводниках.// ФТП.-1971.-Т.5,- Вып.10.-С.1865-1870.

29. Буслов В.А. Фотопроводимость фосфида галлия, сильно компенсированного медью. Автореф. канд. дисс. Воронеж, 1999.

30. Прибылов Н.Н. Примесные состояния и диффузия переходных металлов в фосфидах галлия и индия. Автореф. доктор, дисс. Воронеж, 2000.

31. Махмудов A.M., Оксенгендлер Б.Л., Юнусов М.С. Влияние зарядового состояния на конфигурацию межузельных примесей в кремнии // ФТП. -1976. -Т.10. Вып.2, -С.271 - 274.

32. Климкова О.А., Ниязова О.Р. Радиационно-ускоренная диффузия золота в кремнии // ФТТ. -1970. Вып.12, -С.2199-2200.

33. P.M. Mooney, T.N. Theis. The DX center: a new picture of substitutional donors in compound semiconductors // Comm. Cond. Matt. Phys. -Vol.16 №3. -P.167-190.

34. Белогорохов А.И., Иванчик И.И., Попович 3., Ромчевич Н., Хохлов Д.Р. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBVI, легированных элементами III группы // ФТП. -1998. -Т.32. Вып.6, -С.679 -683.

35. Рыскин А.И., Федоров П.П. Донорные примеси и DX-центры в ионном полупроводнике CdF2 // ФТТ. -1997. Вып.39, -С.1050-1055.

36. Борисов В.И., Сабликов В.А., Борисова И.В., Чмиль А.И. Перезарядка центров с глубокими уровнями и отрицательная остаточная фотопроводимость в селективно легированных гетероструктурах AlGaAs/GaAs // ФТП. -1999. -Т.31 Вып.6, -С.68-74.

37. Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Спирин А.И., Буслов В.А., Сушков С.А. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП.-1998.-Т.32.- Вып. 10.-С.1165-1169.

38. Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Сустретов А.А. Амфотерное поведение меди в фосфиде индия. // ФТП. 1994. - Т.28. - Вып. 3. - с.467-471.

39. КовалевскаяГ.Г, Клотынып Э.Э, Наследов Д.Н., Слободчиков С.В. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства InP, легированного медью. // ФТТ 1966. - Т.8 - Вып.8 - с. 2415-2419.

40. Ковалевская Г.Г., Наследов Д.Н., Сиукаев Н.В., Слободчиков С.В. Спектральная фоточувствительность InP п-типа. // ФТТ 1966. - Т.8 -Вып.2 - с. 475-477.

41. Кирсон Я.Э., Клотынып Э.Э., Круминя Р.К. Компенсация доноров в фосфиде индия медью // ФТП. 1988. - Т.22. - Вып.З. - с.565. - Деп. в ВИНИТИ, №Р-4319/87.

42. Дрейманис Э.А., Кирсон Я.Э., Клотынып Э.Э., Круминя Р.К. Изучение влияния меди на электрофизические свойства фосфида индия. // Изв. АН Латв.ССР: Сер. физ. и техн. н. 1986. - № 2 - с. 19-25.

43. Негрескул В.В., Руссу Е.В., Радауцан С.И., Чебан А.Г. Излучательная рекомбинация в легированных кристаллах фосфида индия // ФТП 1975 -Т.9 - Вып.5 - с. 893-900.

44. Дахно А.Н., Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Метревели С.Г. Влияние компенсации на проводимость по примесям в n-InP при промежуточном легировании. // ФТП. 1976. - Т.10. - Вып.4. - с. 677 - 682.

45. Витовский Н.А., Лагунова Т.С., Рахимов О. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфидах индия n-типа со скоплениями акцепторов. If ФТП. 1984. - Т. 18 - Вып.9 - с. 1624-1628.

46. Ковалевская Г.Г., Алюшина В.И., Слободчиков С.В. О низкочастотных колебаниях тока в InP. // ФТП 1975 - Т.9 - Вып.11 - с. 2125-2128.

47. Kullendorff N., Jansson L., Ledebo L-A. Copper-related depp level defects in III-V semiconductors // J.Appl.Phys. 1983 - Vol.56 - N.6 - p.3203-3212.

48. Skolnick M.S., Dean P.J., Pitt A.D., Uihlein Ch., Krath H, Deveaud В., Foulkes E.J. Optical properties of copper-related centers in InP. // J. Phys.C: Sol.St.Phys. 1983. - Vol.16. - p.1967-1985.

49. Jyh-Chwen Lee, Milnes A.G., Schlesinger Т.Е. Quenching of band-edge photoluminescence in InP by Cu. // Phys.Rev.B 1986 - Vol.34 - N.10 - p.7385-7387.

50. Сушков C.A. Примесные состояния меди в фосфиде индия. Автореф. канд. дисс. Воронеж, 1999.

51. Пека Г.П, Бродовой В.А., Горшков Л.И. Эффекты полевого управления интенсивностью излучательной рекомбинации при нагреве носителей в GaAs(Cu) // ФТП 1971 - Т.5 - Вып.9 - с. 1830-1833.

52. Климка Л.А., Глинчук К.Д. // ФТП 1970 - Т.4 - Вып.7 - с. 673.

53. Глинчук К.Д. В сб.: Актуальные вопросы физики полупроводников и полупроводниковых приборов, 106. Вильнюс, 1969.

54. Бродовой В.А., Пека Г.П. // ФТТ 1971 - Т.13 - Вып.11 - с. 2406.

55. Алферов Ж.И. Гарбузов Д.З., Морозов Е.П. // ФТТ 1966 - Т.9 - Вып.8 - с. 3236.

56. Нейтральное состояние глубокого акцептора CuGa в арсениде галлия / Н.С. Аверкиев, В.А. Ветров, А.А. Гуткин, И.А. Меркулов, Л.П. Никитин, И.И. Ремина, Н.Г. Романов // ФТП.-1986.-Т.20.- Вып.9.-С.1617.

57. Аверкиев Н.С., Аширов Т.К., Гуткин А.А. К вопросу о роли глубокого центра, дающего полосу люминесценции около 1.36 эВ в образованиесвязанных экситонов в GaAs, легированном Си // ФТП.-1982.-Т.16-Вып.12.-С.2046 2150.

58. Пека Г.П., Бродовой В.А. Полевая деформация спектра примесного излучения GaAs(Cu) // ФТП- 1973 Т.9 - Вып.5 - с. 1645-1648.

59. Гуткин А.А., Лебедев А.А., Талалакин Г.Н., Шапошникова Т.А. Фотопроводимость полуизолирующего GaAs, легированного Сг, в сильных электрических полях // ФТП.-1972.-Т.6.- Вып.6.-С.Ю67 1071.

60. Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Спирин А.И. ЭПР в диффузионных слоях марганца в GaP и InP. // Материаловедение (Физика и химия конденсированных сред). Воронеж, ВПИ, 1978.- с. 69-71.

61. Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Спирин А.И. Зарядовые состояния и диффузия марганца в фосфиде галлия.// ФТТ, 1980, том 22, вып. 11, с. 3322-3326.

62. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях А3В5 (обзор)//ФТП, 1978, т. 12, с. 625-652.

63. Манохин Ю.П. Оптические и электрические свойства фосфидов галлия и индия, легированных переходными элементами и МДП структур на InP.-Канд. дисс. Воронеж, 1977, с.ЗЗ - 37.

64. Балтенков А.С., Гринберг А.А. Учет кулоновского взаимодействия в модели Луковского при фотоионизации положительно и отрицательно заряженных центров. // ФТП, 1976, Том 10, № 6, с. 1159 1163.

65. Allen J.W. Photoionization of deep impurities in semiconductors.// J.Phys.C. -Solid State Phys.,1969, s.2, vol.2 , p. 1077-1084.

66. Абагян C.A., Иванов Г.А., Кузнецов Ю.Н., Окунев Ю.А., Шанурин Ю.Е. Возбужденные уровни локального центра в резонансе с зоной проводимости: Сг в GaP и GaAs // ФТП.-1973.-Т.7.- Вып.8.-С. 1474-1478.

67. Kaufmann U., Schneider J. Optical and ESR Cpectroscopy of deep Defects in III V Semiconductors. - Festkorperproblem XX (1980), p. 87 - 116.

68. Гореленок А.Т., Царенков Б.В., Чиабришвили Н.Г. Температурная зависимость примесной фотолюминесценции GaAs, легированного Сг // ФТП.-1971 .-Т.5.- Вып. 1 .-С. 115-121.

69. Ипполитова Г.К., Омельяновский Э.М., Первова Л.Я. Внутрицентровые оптические электронные переходы в GaAs:Cr при наличии резонанса с континуумом//ФТП.-1975.-Т.9.- Вып.7.-С. 1308-1313.

70. Вакуленко О.В., Скрышевский В.А., Тесленко В.В. Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия // ФТП.-1983.-Т.17.- Вып.8.-С.1446-1449.

71. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. -184 с.п с

72. Стрельченко С.С., Лебедев В.В. Соединения А В : Справ. Изд. М.: Металлургия, 1984. 144 С.

73. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник. М.: Радио и связь, 1991.-528 с.

74. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: Физматгиз, 1963. 494 с.

75. Сквайре Дж. Практическая физика: Пер. с англ. М.: Мир ,1971. -246 с.

76. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью / Н.Н. Прибылов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, В.А. Буслов, С.А. Сушков // ФТП, -1998, -Т. 32,-Вып. 10, -С. 1165-1169.

77. Собственная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью / Н.Н. Прибылов, В.А. Буслов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, С.А. Сушков // ФТП, -1999. -Т. 33, -Вып.8, -С.916-920.

78. Москвичев А.В. Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Кожевников А.А. Изучение эффектов инфракрасного гашения собственной фотопроводимости в GaP:Cu // В сб. научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж. - 2001. - С.49-52.

79. Буслов В.А., Прибылов Н.Н., Сушков С.А., Москвичев А.В., Прибылова Е.И. Природа полосы примесной фотопроводимости при 1,05 эВ в GaP:Cu // В сб. Труды междунар. конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск, 2000. с.64.

80. Прибылов Н.Н., Буслов В.А., Рембеза С.И., Сушков С.А., Москвичев А.В. Примесная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью /7 Перспективные материалы, -2002, -№3, С.28-31.

81. Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Спирин А.И., Буслов В.А., Сушков С.А., Москвичев А.В. // Междунар. конф. по физико-техн. проблемам электротехн. материалов и кабельных изделий (ICEMEC-97) Тез. докл. -М. 1997. С.170-171.

82. Полупроводниковая электроника Свойства материалов. Справочник // Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В.- Киев: Изд-во «Наукова думка». 1975.- 703с.

83. Москвичев А.В., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И. Проявление амфотерности меди в спектрах примесной фотопроводимости InP // Междунар. Школа-семинар «Нелинейные процессы в дизайне материалов» Тез. докл. -Воронеж. 2002. - С.80-82123

84. Сушков С.А., Прибылов Н.Н, Рембеза С.И., Москвичев А.В. Фотопроводимость InP, компенсированного Си // В сб. Труды междунар. конф. "Оптика полупроводников". Ульяновск, 2000. с.63.

85. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах.-М.: Изд-во Моск.ун-та, 1995.-399с.

86. Кольцов А.А., Москвичев А.В., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И. Эффекты очувствления и гашения фотопроводимости в высокоомном GaP:Cr // В сб. научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». -Воронеж. 2001.-С.67-70.

87. Кольцов А.А., Москвичев А.В., Прибылов Н.Н. Спектры фотопроводимости GaP:Cr при комбинированном возбуждении // Труды межвуз. студенческой науч.-техн. конф. «Прикладные задачи электромеханики, энергетики, электроники». Воронеж. - 2001. -С.36-39.