Фотопроводимость фосфида галлия, сильно компенсированного медью тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 .ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1 Примесные состояния меди в фосфиде галлия

1.2 Модель примесного центра меди в арсениде галлия

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1 Приготовление образцов

2.2 Измерение фотопроводимости фосфида галлия, компенсированного медью

2.3 Обработка экспериментальных данных

ГЛАВА 3. ПРИМЕСНАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ФОСФИДА

ГАЛЛИЯ, СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОГО МЕДЬЮ

3.1 Спектр примесной фотопроводимости ОаР<Си> в области энергий квантов близкой к ширине запрещенной зоны

3.2 Спектр примесной фотопроводимости ваР<Си> в области низких энергий квантов

3.3 Спектральная зависимость эффекта инфракрасного гашения собственной фотопроводимости ОаР<Си>

3.4 Влияние неидеальности контактов на спектры ПФП ОаР<Си>

3.5 Модель поведения примеси меди в фосфиде галлия

3.6 Обсуждение причин возникновения полосы с максимумом при 1.05 эВ и порогом около 0.6 эВ

3.7 Обсуждение хода спектральной зависимости инфракрасного гашения собственной фотопроводимости ОаР<Си>

ГЛАВА 4. АНОМАЛИИ СПЕКТРА СОБСТВЕННОЙ

ФОТОПРОВОДИМОСТИ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОГО МЕДЬЮ

4.1 Влияние интенсивности освещения на вид спектра собственной фотопроводимости ОаР<Си>

4.2 Влияние дополнительной подсветки на вид спектра собственной фотопроводимости ваР<Си>

4.3 Влияние условий проведения эксперимента на вид спектра собственной фотопроводимости ОаР<Си>

4.4 Анализ формы спектров собственной фотопроводимости ОаР<Си>

4.5 Результаты аппроксимации полученных спектров и их объяснение

4.6 Особенности спектров собственной ОаР<Си>, обработанного в растворе (ИШ^

ГЛАВА 5. КИНЕТИКА СОБСТВЕННОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ И КИНЕТИКА ИНФРАКРАСНОГО ГАШЕНИЯ СОБСТВЕННОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ, СИЛЬНО КОМПЕНСИРОВАННОГО МЕДЬЮ

5.1 Кинетика собственной фотопроводимости ОаР<Си>

5.2 Кинетика инфракрасного гашения собственной фотопроводимости ваР<Си>

5.3 Обсуждение аномалий кинетики собственной фотопроводимости ваР<Си>

5.4 Обсуждение аномалий кинетики инфракрасного

Актуальность темы. Появление крупных монокристаллов фосфида галлия (ваР) привело к широкому внедрению этого материала в производство оптоэлектронных приборов, таких как полупроводниковые источники видимого света, в том числе индикаторы желтого, красного и зеленого свечения высокой яркости, фотоприемники и т.д. Для создания ряда приборов потребовалось использовать примеси, создающие глубокие уровни. Однако приходится констатировать, что в ОаР энергетический спектр этих примесей исследован недостаточно полно, что затрудняет выбор оптимального легирующего элемента для конкретных применений. Среди множества примесей, создающих глубокие уровни в ваР, особый интерес представляют атомы переходных металлов /1/. Особенность их поведения в соединениях АШВУ заключается в том, что электроны Зс1-оболочки могут участвовать в образовании химической связи. При этом в Зё-оболочке образуются дырки, которые могут переходить в валентную зону при оптическом и термическом возбуждении материалов р-типа. В материале п-типа (при определенных условиях) примесные атомы переходных элементов могут выступать в качестве очувствляю-щих центров, обеспечивая тем самым его высокую фоточувствительность.

Одной из наиболее загадочных примесей, создающей глубокие уровни в фосфиде галлия, является медь, которую характеризуют как быстро диффундирующую неконтролируемую примесь, которая приводит к ухудшению параметров и ускоренной деградации приборных структур. С другой стороны, медь весьма перспективна как легирующий элемент для получения высокоомного фосфида галлия путем сильной компенсации его исходного типа проводимости, сенсибилизации фосфида галлия и создания на его основе фоторезисторов, чувствительных в синей области спектра.

Несмотря на достаточно длительное изучение фосфида галлия, легированного медью, до сих пор не найдено удовлетворительного объяснения всех проявляемых им фотоэлектрических свойств. Нередко сходные экспериментальные результаты различные авторы объясняют совершенно по разному.

Цель и задачи исследования. Целью диссертационной работы является исследование физической природы примесных уровней меди в высо-коомном сильно компенсированном фосфиде галлия, определяющих его фотоэлектрические свойства. Для достижения указанной цели необходимо решить следующие задачи: установить корреляцию электрических и фотоэлектрических свойств ОаР с режимами диффузионного легирования фосфида галлия медью; исследовать спектр примесной и собственной фотопроводимости высокоомного фосфида галлия, легированного медью; исследовать кинетику собственной фотопроводимости и кинетику инфракрасного гашения собственной фотопроводимости фосфида галлия, легированного медью; предложить модель примесных центров меди в фосфиде галлия, объясняющую совокупность фотоэлектрических свойств высокоомных образцов и природу проявляемой примесью электрической амфотерно-сти; в соответствии с предложенной моделью примесного центра меди в фосфиде галлия провести аппроксимацию формы спектров фотопроводимости для определения параметров центра меди в фосфиде галлия.

Методы исследования. Для решения поставленных задач были использованы методы легирования полупроводников в запаянных вакуумированных кварцевых ампулах и в квазизамкнутом объеме, а также методы изучения фотоэлектрических свойств материала, таких как измерение спектральной зависимости примесной и собственной фотопроводимости, температурной зависимости фотопроводимости, инфракрасного гашения фотопроводимости, кинетика релаксации собственной фотопроводимости, кинетика инфракрасного гашения собственной фотопроводимости.

Научная новизна. В работе впервые: полоса примесной фотопроводимости с максимумом при 1.05 эВ была объяснена внутрицентровым переходом примеси меди в фосфиде галлия. Путем аппроксимации этой полосы форм-функцией Пекара были получены параметры внутрицентрового перехода, которые наряду с данными температурной зависимости величины сигнала в максимуме данной полосы позволили построить .конфигурационно-координатную диаграмму центра;

Предложена модель поведения примеси меди в фосфиде галлия, объясняющая как полученные в данной работе результаты так и результаты, представленные другими авторами. Она предполагает возможность перехода атома меди из состояния с донорными свойствами в состояние с акцепторными свойствами, направленного на уменьшение концентрации преобладающих в полупроводнике носителей. Переход может стимулироваться освещением или температурой;

Обнаружен дополнительный пик в спектре собственной фотопроводимости GaP<Cu> в области сильного собственного поглощения. Происхождение этого аномального пика связано со стимулированным светом расслоением приповерхностной области образца по рекомбина-ционному параметру;

Предложено описание возникновения и развития этого расслоения на основании принятой модели поведения примеси меди и теории фотопроводимости неоднородных полупроводников;

На основании предложенной модели поведения примеси меди в GaP объяснены особенности кинетики нарастания и спада фотопроводимости и инфракрасное гашение собственной фотопроводимости.

Практическая значимость работы. Разработана технологическая оснастка для проведения отжигов в квазизамкнутом объеме, позволяющая сократить затраты на проведение легирования. Эмпирическим путем найдены оптимальные режимы для воспроизводимого получения высокоомных (сильно компенсированных) образцов GaP<Cu>, обладающих высокой фоточувствительностью в видимой области спектра. Исследования показали, что GaP<Cu> обладает уникальными фотоэлектрическими свойствами (высокой фоточувствительностью, эффектом памяти и т.д.), что позволяет рассматривать его как материал, пригодный для создания новых изделий оптоэлектроники.

Основные положения, выносимые на защиту:

Примесь меди в фосфиде галлия проявляет амфотерность электрических свойств. Донорному и акцепторному состоянию меди соответствуют атомы замещения, связанные с двумя или четырьмя связями с атомами фосфорного окружения.

Автокомпенсация фосфида галлия при его легировании медью объясняется возможностью реконструкции центров меди из донорного состояния в акцепторное состояние и наоборот. Реконструкция центров меди направлена на уменьшение концентрации присутствующих носителей тока и приводит к сильной компенсации исходного типа проводимости материала.

Полоса в длинноволновой части спектра примесной фотопроводимости сильнокомпенсированного GaP<Cu> с максимумом при 1.05 эВ и длинноволновым порогом около 0.6 эВ обусловлена внутрицентровым переходом примеси меди из донорного состояния в акцепторное, приводящим к увеличению времени жизни дырок.

Появление в спектре собственной фотопроводимости сильноком-пенсированного ОаР<Си> дополнительного максимума в области сильного собственного поглощения является следствием возникновения стимулированного светом и связанного со способностью центра меди перестраиваться "расслоения" приповерхностной области однородного образца по рекомбинационному параметру.

Особенности кинетики собственной фотопроводимости и инфракрасного гашения собственной фотопроводимости фотопроводимости сильнокомпенсированного ваР<Си> обусловлены процессами перестройки центров меди из состояния с уровнем в запрещенной зоне Еа=Еу+0.5-т-0.55 эВ -ловушкой для дырок в состояние, уровень которого Ев=Еу+0.68ч-0.82 эВ является эффективным центром рекомбинации.

Апробация работы. Основные положения и научные результаты диссертационной работы докладывалйсь и обсуждались на Международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах (ОС-97)" (Ульяновск, 1997); Международной конференции по физико-техническим проблемам электротехнических материалов и кабельных изделий (1СЕМЕС-97)" (Москва, 1997); Международной конференции "Оптика полупроводников (08-98)" (Ульяновск, 1998); Международном научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых структурах" (Москва, МЭИ, 1996); Международном научно-техническом семинаре "Шумовые' и деградационные процессы в полупроводниковых структурах" (Москва, МЭИ, 1998); XX Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах", (Воронеж, 1999).

10

Публикации. По теме диссертации опубликовано шесть печатных работ.

Личный вклад автора. Получение образцов и результатов экспериментальных исследований, их обработка средствами вычислительной техники, участие в обсуждении результатов экспериментов и подготовка научных публикаций. Консультирование по возникающим в ходе выполнения методическим и технологическим вопросам осуществлял научный консультант канд. физ.-мат. наук, доц. H.H. Прибылов.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Определены оптимальные режимы получения диффузионного легирования для получения диффузионного легирования высокомных (силь-нокомпенсированных) образцов фосфида галлия. Наиболее высоко-омные образцы были получены при температурах 900-930 °С, t=12 часов.

2. Исследована примесная фотопроводимость и спектр инфракрасного гашения собственной фотопроводимости фосфида галлия, легированного медью. Анализ показал, что ПФП определяется внутрицентро-вым переходом примеси меди и фотоионизацией электрона с d-состояния А-центра меди. Путем аппроксимации полученных спектров с использованием математического пакета MATHCAD 7.0 PLUS определены параметры внутрицентрового перехода и построена его коор-динатно-конфигурационная диаграмма с параметрами: разность энергий двух конечных состояний перехода Ео=0.566 эВ, фактор Пекара-Хуан-Куна, характеризующий сильное электрон-фононное взаимодействие S= 10.4, средняя энергия участвующих в переходе фононов Ш=0.045 эВ, которая близка к известной из справочной литературы энергии ТО фонона для фосфида галлия.

3. Предложена модель поведения примеси меди в фосфиде галлия непротиворечиво объясняющая полученные в данной работе результаты, а так же результаты, полученные другими авторами. Она предполагает возможность обратимого перехода атома меди, занимающего вакансию галлиевой подрешетки, из состояния с донорными свойствами и уровнем в запрещенной зоне Eb«Ev+0.7-^0.8 эВ в состояние с акцепторными свойствами и уровнем в запрещенной зоне Еа=Еу+0.5-Ю.55 эВ, находящегося в междоузлии и связанного только с двумя атомами фосфорного окружения. Этот переход всегда направлен на уменьше

117 ние концентрации преобладающих в полупроводнике носителей (эффект автокомпенсации). Переход может стимулироваться освещением или температурой.

4. Исследованы спектры собственной фотопроводимости фосфида галлия, легированного медью. Обнаружен аномальный дополнительный максимум в области сильного собственного поглощения, происхождение которого связывается с возникновением при освещении расслоения образца по рекомбинационному параметру в направлении распространения света. Причиной возникновения этого расслоения служит скопление дырок у границ приповерхностной ОПЗ и способность примеси меди перестраиваться. Путем аппроксимации формы спектра с использованием математического пакета MATHCAD 7.0 PLUS сделаны выводы о тенденциях изменений параметров слоев при различных воздействиях.

5. Исследована кинетика собственной фотопроводимости и кинетика инфракрасного гашения собственной фотопроводимости высокоомно-го фоточувствительного фосфида галлия, легированного медью. Их ход и аномалии можно также объяснить при помощи предложенной модели реконструкции центров меди. При инфракрасном гашении фотопроводимости в области сильного собственного поглощения возникающие аномалии кинетики можно объяснить с использованием представлений о генерируемом собственным светом расслоении образца по рекомбинационному параметру.

118

1. Оптические перходы в спектре с13-электронов примесного центра V в GaP / С.А. Абагян, Г.А. Иванов, Ю.Н. Кузнецов, Ю.А. Окунев // ФТП.-1974.-Т.8.-Вып.9.-С. 1691-1696.

2. Абагян С.А., Амосов В.И., Крупышев Р.С. О природе примесного поглощения в GaP<Cu> // ФТП.-1976.-Т.10.- Вып.9.-С.1719-1722.

3. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра / И.Д. Анисимова, И.М. Викулин, Ф.А. Зантов, Ш.Д. Курмашев.- М.: Радио и связь, 1984,- 216 с.

4. Grimmeiss H.G., Monemar В., Samuelson L. Properties of deep Cu levels in GaP// Solid State Electronics.-1978.-Yol.21.-P. 1505-1508.

5. Fabre E., Bhargava R.N. Thermally stimulated current measurements and their correlation with efficiency and degradation in GaP LED's // Appl. Phys. Lett.- 1974.- Vol. 24.- P.322-324.

6. Pean P.J."// J. Luminescence.-1973.- Vol.7.-P.51.

7. Grimmeiss H.G., Monemar B. Some optical properties of Cu in GaP // Phys. Status Solidi (a).-1973.-Vol,19.-P.505-511.

8. Monemar В. //J. Luminescence.-1972.- Vol.5.-P.472

9. Wessels B. Determination of deep levels in Cu-doped GaP using transient-current spectroscopy // J. Appl. Phys. -1976.-Vol.47.-P.l 131-1133.

10. Fagerstom P.O., Grimmeiss H.G., Titze H. Thermal and optical processes in GaP:Cu//J. Appl. Phys. -1978.-Vol.49.-P.3341-3347

11. Наследов Д.Н., Слободчиков С.В. О фотопроводимости в GaP // ФТТ.- 1963.-T.4.-C.3161-3164.

12. Grimmeiss H.G., Scholz Н. Optical and electrical properties of GaP-Cu. Part II // Philips. Res. Rep. -1966,- Vol.21.-P.246-249

13. Grimmeiss H.G., Ologsson G. Charge-carrier capture and its effect on transition capacitance in GaP-Cu diodes // J. Appl. Phys. -1969.-Vol.40.-P.2526-2533.

14. Grimmeiss H.G., Ottosson M.O. // Phys. Status Solidi (a).-1971.-Vol.5.-P.481

15. Allen J.W., Cherry R.J. Some properties of GaP-Cu // Phys. Chem. Sol-ids.-1962.- Vol.53.-P.509-511.

16. Olsson R. Impurity absorption in GaP doped with cooper and oxygen // Phys. Status Solidi (b).-1971.-Vol.46.-P.299-309.

17. Singh V.A, Zunger Alex. Electronic structure of transition impurities in GaP //Phys. Rev. B. -1985.-Vol.31.-P.3729-3759.

18. Абагян C.A., Крупышев P.С. Природа ослабления света в GaP<Cu> // ФТП.-1978.-Т.12.- Вып.9.-С.2360-2364

19. Lucovski J. On photoionization of deep impurity in semiconductors // Sol. St. Commun.-1965.-Vol.3.-P. 299-302

20. Фистуль В.И. Распад полупроводниковых твердых растворов. -М.: Металлургия, 1977.

21. Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. -Кишинев.: Штиинца, 1978.- 229 с.

22. Шифрин К.С. Рассеяние света в мутной среде. M.-JI.: ГИТТЛ, 1951.

23. Низкочастотные осцилляции тока в высокоомном фосфиде галлия / А.И. Иващенко, М.П. Икизли, Д.Н. Наследов, С.В. Слободчиков // ФТП.-1973.-Т.7.- Вып.З.-С.612-614

24. Grimmeiss H.G., Scholz Н. Photoconductivity of Cu-doped GaP // Philips. Res. Rep. -1965.-Vol.20.-P.107-124.

25. Goldstein В., Perlman S.S. Electrical and optical properties of high-resistivity GaP // Phys. Rev.-1966.-Vol. 148.-P.715-721.

26. Schulze R.G., Petersen P.E. Photoconductivity in solution-grown copper-doped GaP//J. Appl. Phys. -1974.-Vol.45.-P.5307-5311

27. Буянова И.А., Остапенко С.С., Шейнкманн М.К. Симметрия и модель сложного центра поляризованной фото и термолюминесценции в монокристаллах GaP//ФТП.-1986.-Т.20.-Вып.10.-С.1791-1800.

28. Optical properties of the Cu-related characteristic-luminescence center in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean, D.C. Herbert // Phys. Rev. B.-1982.-Vol.25.-P.7719-7730.

29. Photoluminescence studies of the 1.911-eV Cu-related complex in GaP / H.P. Gislason, B. Monemar, P.J. Dean, D.C. Herbert, S. Depinna, B.C. Cavenett, N. Killoran. // Phys. Rev. B.-1982.-Vol.26.-№2.-P.827-845.

30. Cten W.M., Gislason H.P., Monemar В. Рва antisite-related neitral complex defect in GaP studied with optically detected magnetic resonance // Phys. Rev. B.-1987.-Vol.36.-№9.-P.5058-5062.

31. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. Под. ред. Шейнкмана М.К.- М.: Мир, 1977,- 562с.

32. Рябоконь В.Н., Свидзинский К.К. Теория акцепторов с глубокими уровнями в полупроводниках // ФТТ.-1969.- Вып. 11.-С.585.

33. Рябоконь В.Н., Свидзинский К.К. Акцепторные примеси замещения в полупроводниках.// ФТП.-1971.-Т.5,- Вып. 10.-С. 1865-1870.

34. Нейтральное состояние глубокого акцептора CuGa в арсениде галлия / Н.С. Аверкиев, В.А. Ветров, А.А. Гуткин, И.А. Меркулов, Л.П. Никитин, И.И. Ремина, Н.Г. Романов // ФТП.-1986.-Т.20.- Вып.9.-С.1617.

35. Аверкиев Н.С., Аширов Т.К., Гуткин А.А. К вопросу о роли глубокого центра, дающего полосу люминесценции около 1.36 эВ в образование связанных экситонов в GaAs, легированном Си // ФТП.-1982.-Т.16.- Вып.12.-С.2046 2150.

36. Аширов Т.К., Гуткин А.А. Влияние одноосного давления на полосу примесной фотолюминесценции с максимумом около 1.02 эВ (4.2 К) в GaAs<Cu> // ФТП.-1983.-Т.17.- Вып.3.-С.418 422.

37. Аверкиев Н.С., Аширов Т.К., Гуткин A.A. Примесная фотолюминесценция GaAs<Cu> около 1.36 эВ в условиях одноосного сжатия по направлению 111. // ФТП.-1983.-Т.17.- Вып.1.-С.97.

38. Адиабатические потенциалы и примесная фотолюминесценция связывающего две дырки глубокого Ян-Телеровского центра при одноосном давления / Н.С. Аверкиев, A.A. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов // ФТП.-1987.-Т.21.- Вып.3.-С.415.

39. Коган. Ш.М. О предельной чувствительности метода фотоэлектрической спектроскопии примесей // ФТП.-1973.-Т.7.- Вып.6.-С.1231-1233.

40. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: Физматгиз, 1963. 494с.

41. Сквайре Дж. Практическая физика. Пер. с англ. под. ред. Е.М. Лей-кина. М.: Мир 1971,-246 с.

42. Амфотерное поведение меди в фосфиде галлия / Ю.В. Захаров, H.H. Прибылов, С.И. Рембеза, A.A. Сустретов //Электронная техника. Сер. 6, Материалы. 1989, Вып. 4 (241), С. 8-11.

43. Кирилов В.И., Материкин Д.И., Рембеза С.И. Фотоионизация глубоких примесных центров в полупроводниках, легированных элементами переходной группы // ФТП.-1982.- Т. 16.- Вып. 12,- С. 2190-2192.

44. Конфигурационно-координатная диаграмма центра меди в фосфиде галлия. / В.А. Буслов, H.H. Прибылов, С.А. Сушков, A.B. Москвичев // Релаксационные явления в твердых телах: Тез. докл. XX Международной конф., Воронеж, 1999, С.85-86.

45. Лашкарев В.И., Любченко A.B., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. -Киев. «Наукова думка». 1981. - 264с.

46. Захаров Ю.В. Фотоэлектрические свойства широкозонных соединений А3В5, диффузионно легированных примесями меди и никеля: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Воронеж, 1988.- 125 с.

47. Многофононное поглощение света глубокими заряженными примесными центрами / Л.П. Бордюжа, Д.И. Материкин, B.C. Постников, С.И. Рембеза // ФТТ, 1983,- Т.25. -Вып.9.- С.2787-2789.

48. Булярский C.B., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах.-М.: Изд-во Моск.ун-та, 1995.-399с.

49. MATHCAD 7.0 PLUS. Финансовые, инженерные и научные расчеты в среде WINDOWS 95. Пер. с англ.- М.: Информационно-издательский дом "Филинъ", 1996,-712 с.

50. Полупроводниковая электроника Свойства материалов. Справочник // Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В.- Киев: Изд-во «Наукова думка». 1975.- 703с.

51. Физические величины: Справочник // Бабичев А.П., Бабушкина H.A. и др.; Под ред. Григорьева И.С., Мелихова Е.З.- М.: Энергоатомиз-дат.- 1991.- 1232с.

52. Махмудов A.M., Оксенгендлер Б.Л., Юнусов М.С. Влияние зарядового состояния на конфигурацию межузельных примесей в кремнии // ФТП. -1976. -Т. 10. Вып.2, -С.271 - 274.

53. Климкова O.A., Ниязова O.P. Радиацонно-ускоренная диффузия золота в кремнии // ФТТ. -1970. Вып.12, -С.2199-2200.

54. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. -Киев, "Наукова думка", 1969.

55. Аномалии собственной фотопроводимости GaP:Cu. / H.H. Прибылов,

56. B.А. Буслов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, С.А. Сушков // Оптика полупроводников: Тр. Междунар. конф. Ульяновск, 1998 г. с. 147-148.

57. Собственная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью / H.H. Прибылов, В.А. Буслов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин,

58. C.А. Сушков // ФТП, -1999. -Т. 33, -Вып.8, -С.916-920.

59. Аут, Д.Генцов, К. Герман Фотоэлектрические явления. -М.: Мир, 1980. -208 с.

60. Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа AmBv / Под. ред. У. Уилардсона и А. Бира. -М.: Мир.-1970.-486с.

61. Фотоэлектрические явления в приповерхностной области арсенида галлия / Н.Л. Дмитрук, В.А. Зуев, В.И. Ляшенко, А.К. Терещенко // ФТП.- 1970.-Т. 4.- Вып. 4. С. 654-662.

62. О фотоэлектрических явлениях в приповерхностных слоях кремния / О.Ю. Борковская, В.А. Зуев, В.И. Ляшенко, В.Л. Шиндич // ФТП,-1970.-Т.4,- Вып.7. С. 1244-1249.

63. Саченко A.B. Расчет фотопроводимости полупроводников при наличии слоев пространственного заряда // УФЖ.- 1968.- Т. 13.- Вып.З.- С. 450-459.

64. Сальков G.A. Ексгтони i внутршнш фотоефект. Bích. АН УРСР. -1978.- №7.- С.25-33.

65. Парицкий Л.Г., Рыбкин С.М. О возможной интерпретации отрицательной фотопроводимости.//ФТП.- 1970.-Т. 4.- Вып.7. С. 1244-1249.

66. Свиридов Д.Т., Свиридова Р.К., Смирнов Ю.Ф. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. -М.: Наука. 1976. -с. 119-125.

67. Спектральная фоточувствительность неоднородных полупроводников / В.Г. Кустов, В.П. Орлов, В.А. Преснов, Б.С. Азиков // ФТП.-1970.-Т.4.- Вып.4. С. 669-672.

68. Балландович B.C., Виолина Г.Н. Фотопроводимость карбида кремния в коротковолновой области спектра // ФТП.- 1977.-Т. 11.- Вып. 7. -С. 1229-1232.

69. Карева Г.Г, Коноров П.П. Фотопроводимость германия и кремния в условиях сильных приповерхностных изгибов зон // ФТП.- 1972,- Т. 4,-Вып.2, С. 271-275.

70. Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Zahn D.R Исследование приповерхностной области n-InP (100), пассивированного в сульфидных растворах // ФТП.-Т.ЗЗ- Вып.4.- С.429

71. Sandoroff C.J., Nottrnburg R.N., Bischoff J.C., Bhat R.// Appl. Phys. Lett.-1987.-Vol.51-№1.-P. 33-35.

72. Carpenter M.S., Melloch M.R., Duggan Т.Е.// Appl. Phys. Lett.-1988.-Vol.53-№l.-P. 33-35.

73. Iyer R., Chang R.R., Lile D.L.// Appl. Phys. Lett.-1988.-Vol.53-№2.-P. 134-136.

74. Yablonovith E., Sandoroff C.J., Bhat R., Gmitter T.G.II Appl. Phys. Lett.-1987.-Vol.51-№6.-P. 439-441.

75. Slcromme B.J., Sandoroff C.J., Yablonovith E., Gmitter T.G.// Appl. Phys. Lett.-1987.-Vol.51-№24.-P. 2022-2024.

76. Besser R.S., Helms C.R.// Appl. Phys. Lett.-1988.-Vol.52-№20.-P. 17071709.

77. Исследования в сканирующем тунельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе Na2S / В.Л. Бер-ковиц, Л.Ф. Иванцов, И.В. Макаренко, Т.В. Львова, Р.В. Хасиева, В.И. Сафаров // ФТП.-1991.-Т.25- Вып.З,- С.379-384.

78. Hiragayama Н., Matsumoto Y., Oigava Н., Nannichi Y. // Appl. Phys. Lett.-1989.-Vol.54-№25.-P. 2565-2567.

79. Sandoroff C.J., Hedge M.S., Farrow L.A., Chang C.C., Harbison J.P. .// Appl. Phys. Lett.-1989.-Vol.54-№4.-P. 362-364.

80. Cowans B.A., Dardas Z., Deldass W.N., Carpenter M.S., Melloch M.R. // Appl. Phys. Lett.-1989.- Vol.54-№4.-P. 365-367.

81. Wilmsen C.W., Geib K.M., Shin J., Lyer R., Lile D.L., Pouch J.J. // J. Vac. Sei. Techn. B.-1989.-Vol.7.-№4.-P.851-853.

82. Besser R.S., Helms C.R. // J. Appl. Phys.- 1989.-Vol.65-№l 1.-P.4306-4310.

83. Spricer W.E., Newmen N., Spindt C.J., Liliental-Weber Z., Weber E.R. // J. Vac. Sei. Techn. A.-1990.-Vol.8.-№3- P.2084-2089.

84. Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP / H.A. Карпович, Б.И. Бедный, Н.Б. Байдусь, С.М. Планкина, М.В. Степихова, М.В. Шилова // ФТП.-1989.-Т.23- Вып.12- С.2164-2170.

85. Бедный Б.И., Карпович И.А., Байдусь Н.Б. Влияние адсорбционных состояний на приповерхностный изгиб зон в n-InP.// Поверхность. -1991.-№1.- С.94-97.

86. Влияние сульфидирования на состояние поверхности и фотоэлектрические свойства InP и GaAs / Б.И. Бедный, Н.Б. Байдусь, Н.В. Белич, И.А. Карпович // ФТП.- 1992. -Т.26 Вып.8 - С.1383-1389.

87. Синха А., Поут Дж. // Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. -М.: 1982.-408 с.

88. Влияние анодного окисления на фотопроводимость и состояние поверхности эпитаксиального GaAs / Б.И. Бедный, М.В. Шилова, C.B. Тихов, И.А. Карпович // ФТП.-1980,- Т.12- Вып.12- С.2164-2170.126

89. Эффекты нестационарной фотолюминесценции в арсениде галлия / О.Д. Кнаб, А.И. Петров, В.Д. Фролов, В.И. Швейкин, И.А. Шмеркин // ФТП.-1971.- Т.5- Вып.8- С. 1634-1635.

90. Кинетика собственной фотопроводимости в GaP:Cu / H.H. Прибы-лов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, В.А. Буслов, С.А. Сушков // Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах; В сб. тр. Междунар. конф. Ульяновск, 1997. -с.86-87.

91. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью / H.H. Прибылов, С.И. Рембеза, А.И. Спирин, В.А. Буслов, С.А. Сушков//ФТП,-1998,-Т. 32,-Вып. 10, -С.1165-1169.