Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ . ,.

ОБОЗНАЧЕНИЯ.

ГЛАВА I. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКГР0ННЫХ ЛОВУШКАХ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ» ПАРАМЕТРЫ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ.

1.1. Экситоны, связанные на изоэлектронных ловушках в полупроводниках» Эксперимент . »

1.2. Экситоны, связанные на изоэлектронных ловушках в полупроводниках» Теория

1.3. Основные^параметры фосфида галлия и твф£дих растворов на его основе

Вывод ы';" Y

ГЛАВА 2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СОСТОЯНИЯ И ВОЛНОВЫЕ

ФУНКЦИИ ЭКСИТОНОВ, СВЯЗАННЫХ НА ИЗОЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРАХ В МНОГОДОЛИННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ВЫРОЖДЕННЫМИ ЗОНАМИ.

2.1. Выбор одночастичного базиса и вывод уравнения Шредингера для связанного экситона

2.2. Волновые функции и энергетический спектр связанных экситонов

2.2.1. Волновая функция связанного экситона в случае ионизованного состояния электрона (непрерывный спектр связанного экситона)

2.2.2. Связанные состояния электрона (дискретный спектр экситона)

2.2.3. Волновая функция электрона, связанного на изоэлектронном центре в случае вырожденных зон.

Выводы.

ГЛАВА 3. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКТР0ННЫХ

ЦЕНТРАХ В ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ.

3.1. Классификация состояний экситонов, связанных на изоэлектронных центрах bGqP

3.2. Изоэлектронный акцептор-азот в Ga Р • • • *

3.2.1. Волновая функция связанного электрона и долино-орбитальное расщепление.

3.2.2. Акцептороподобные состояния экситона, связанного на азоте в GaP

3.3. Изоэлектронный донор-висмут в GaP • •

3.4. Построение гамильтониана экситона Г{2 методом инвариантов

Выводы

ГЛАВА 4. РАСЧЕТ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ НА СВЯЗАННЫХ

ЭКСИТОНАХ В МНОГОЗОННОЙ МОДЕЛИ.

4.1. Оптическое поглощение при переходах в состояния дискретного и непрерывного спектров связанных экситонов (первый порядок теории возмущений) *••*.••

4.2. Оптическое поглощение на связанных экситонах с учетом электрон-фононного взаимодействия (второй порядок теории возмущений) ».*.

4.3. Оптическое поглощение на связанных экситонах в фосфиде галлия

Выводы.

ГЛАВА 5. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКТР0НН0Й ЛОВУШКЕ АЗОТА, В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ Gqfls^P,

5,1. Экспериментальная установка и методика измерения спектров фотоответа полупроводников в области связанных экситонов

5,1.1» Экспериментальная установка

5.1.2* Методика приготовления и характеристики образцов

5.2. Спектральные зависимости фотоответа р-п-переходов на основе Ga/ls^f^ , легированных азотом •••

5.3. Двухуровневая модель для экситонов, связанных на азоте в Go/fs^f^

Выводы

В настоящее время не вызывает сомнений тот факт, что эк-ситонные эффекты играют важную роль во многих процессах, протекающих в полупроводниках. Все оптические явления при Ь(л) (поглощение света, люминесценция, фотопроводимость) связаны с образованием или аннигиляцией экситонов. Поэтому понятен научный интерес к экспериментальному и теоретическому изучению свойств экситонных состояний в полупроводниковых кристаллах, К настоящему времени наиболее полно изучены свободные экситоны, в то время как связанным экситонам уделялось существенно меньшее внимание.

Актуальность детального исследования экситонов, связанных на изоэлектронных центрах в полупроводниках с непрямой структурой энергетических зон, определяется прежде всего широким применением этих материалов для изготовления светоизлу-чающих структур. Практическое использование этих полупроводников стимулирует дальнейшее развитие теоретических представлений об экситонах как двухчастичных возбуждениях в твердых телах. Для количественного описания экситонных эффектов в полупроводниках, легированных изоэлектронными примесями, необходимо учитывать сложное строение как зоны проводимости, так и валентной зоны. Однако, в существующих в настоящее время немногочисленных работах, использующих простое двухзонное приближение, не учитывается сложная зонная структура реальных полупроводников (многодолинность, вырождение).

Сказанное выше определило цель настоящей работы, которая состояла в теоретическом и экспериментальном исследовании энергетического спектра и оптических свойств экситонов, связанных на изоэлектронных центрах в полупроводниках со сложной структурой энергетических зон.

Настоящая диссертационная работа является составной частью научно-исследовательской работы, выполняемой по постановлению СМ СССР и координационному плану АН СССР в Проблемной лаборатории электрофизических процессов в диэлектриках и полупроводниках ЛЭТИ им. В.И.Ульянова (Ленина).

Научная новизна работы состоит в проведенном впервые для случая изоэлектронного акцептора расчете энергий основного и возбужденных состояний связанного экситона с учетом пространственного распределения плотности электронного заряда.

Методом инвариантов проведен анализ оптического поглощения на связанных экситонах в фосфиде галлия. Рассчитаны коэффициенты поглощения для переходов на и Е -уровни связанных экситонов, а также интенсивности переходов для бесфонон-ной компоненты и в состояния *Х- и *Х свободных эксито

6 7

HOB.

На основе предложенной двухуровневой модели, учитывающей влияние зоны Г^ на энергетические состояния связанного экситона в твердых растворах , объяснены экспериментально наблюдаемые зависимости положения А -линии и интегрального сечения поглощения в (\ -линии от состава твердого раствора.

Практическая ценность работы заключается в углублении представлений об энергетических состояниях экситонов, связанных на изоэлектронных примесях, которые в ряде случаев являются основной легирующей компонентой в светоизлучагощих структурах на основе широкозонных полупроводников с непрямой структурой энергетических зон. В частности, полученная в работе зависимость сечения оптического поглощения на (\ -линии от состава твердого раствора Ga fls, „Р может быть исполь

1-Х х зована для разработки неразрушающего (оптического) метода определения концентрации азота в этом важном для практических целей материале.

Совокупность представленных в диссертации данных и их теоретический анализ позволяют сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

1. Модель Костера-Слэтера является хорошим приближением для экситонов, связанных на азоте и висмуте в фосфиде галлия.

2. Отличие наблюдаемых экспериментально значений энергий основного и возбужденных состояний экситонов, связанных на

N N -парах атомов азота в Ga Р , от акцептороподобных связано с пространственным распределением плотности заряда электрона.

3. Оптическое поглощение на NIKI^ -линии сопровождается сильным электрон-фононным взаимодействием с участием фононных состояний всей зоны Бриллюэна.

4. В формировании А -уровня связанного на азоте экси-тона в Ga flS^P^ основной вклад дают и Г^ -минимумы зоны проводимости.

Апробация работы. Материалы работы докладывались на Второй республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (г.Одесса, 1982 г.), на 30-м Всесоюзном совещании по люминесценции (г.Ровно, 1984 г.), а также на научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава ЛЭТИ им.В.И.Ульянова (Ленина) 1982-1984 гг.

Материалы диссертации опубликованы в пяти печатных работах.

По своей структуре диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и приложения. В первой главе анализируются литературные данные по теории и экспериментальным исследова

Основные результаты работы сводятся к следующему:

1. На основе решения многочастичной задачи получено уравнение для связанного на изоэлектронном центре экситона в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами»

2. Проведен теоретико-групповой анализ энергетических состояний связанных экситонов в GaP . Показано, что основное состояние экситона, сформированного долинами Xj, расщепляется на А и Е уровни.

3. Впервые для случая изоэлектронного акцептора рассчитаны энергии основного и возбужденных состояний экситона с учетом пространственного распределения плотности электронного заряда. Применение развитой теории для экситона, связанного на изоэлектронной примеси - азоте в фосфиде галлия, позволило впервые объяснить зависимость энергии основного и возбужденных состояний экситонов от номера WW^ -пары, т.е. фактически от энергии связи электрона.

4. Для случая изоэлектронного донора рассчитаны энергетические состояния экситонов с учетом вырожденного характера зоны Г8. Установлена зависимость энергий основного и возбужденных состояний экситонов от соотношения масс легких и тяжелых дырок.

5. Впервые методом инвариантов проведен анализ оптического поглощения на связанных экситонах* Рассчитаны коэффициенты поглощения для переходов на А и Е уровни связанных экситонов, а также интенсивности переходов для бесфононной компоненты и в состояния *Xg и свободных экситонов.

6. Экспериментально и теоретически исследовано электрон-фононное взаимодействие в области А/М^ -линии. Показано, что оптическое поглощение на -линии сопровождается сильным электрон-фононным взаимодействием с участием фононных состояний всей зоны Бриллюэна,

7. Для случая твердых растворов Ga/is р проведен ""А А учет влияния зоны Гд на энергетические состояния связанного экситона, что позволило объяснить экспериментально наблюдаемые зависимости положения А-линии и интегрального сечения поглощения в А-линии от состава твердого раствора.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Hopfield J.J., Thomas D.G., Lynch R.T. 1.oelectronic donors and acceptors.- Phys. Rev. Lett., 1966, v.17, К 6, p. 312-315.

2. Dietz R.E., Thomas D.G., Hopfield J.J. "Mirror" absorption and fluorescence in ZnTe.- Phys. Rev. Lett., 1962, v.8,1. N 10, p. 391-393.

3. Гросс Е.Ф., Недзвецкий Д.С. Резонансное ж нерезонансное излучение в кристалле GaP ж их взаимодействие с фононами решетки.- ДАН, 1962, т. 146, J§ 5, с. 1047-1050.

4. Thomas D.G., Gershenzon М., Hopfield J.J. Bound excitons in GaP.- Phys. Rev., 1963, v.13t, К 6, p. 2397-2404.

5. Thomas D.G., Hopfield J.J., Prousch C.J. Isoelectronic due to nitrogen in gallium phosphide.- Phys. Rev. Lett., 1965, v.15, К 5, p. 857-858.

6. Trumbore P.A., Gerchenson M.,Thomas D.G. Luminescence due to the isoelectronic substitution of bismuth for phosphorus in gallium phosphide.- Appl. Phys. Lett., 1966, v.9, N 1, p. 4-7.

7. Aten A.C., Haanstra J.H. Electroluminescence in tellurium-dbped cadmium sulphide.- Phys. Lett., 1964, v.11, IT 2,p. 97-98.

8. Dean P.J., White A.M., Williams E.W., Astles M.G. The isoelectronic trap bismuth in indium phosphide.- Solid St.Comm., 1971, v.9, N 18, p. 1555-1558.

9. Morgan T.N., Welber В., Bhargava R.N. Optical properties of Cd 0 and Zn - 0 complexes in GaP.- Phys. Rev., 1968, v.166, N 3, p. 751-753.

10. Henry C.H. , Dean P.J., Cuther J.D. Hew red pair luminescence from GaP.- Phys. Rev., 1968, v.166, H 3,p. 754-756.

11. Dean P.J. Isoelectronic trap Li Li - 0 in GaP.-Phys. Rev., 1971, v. B4, N 8, p. 2596-2612.

12. Thomas D.G., Hopfield J.J. Isoelectonic traps due to nitrogen in gallium phosphide.- Phys. Rev., 1966, v.150, К 2,p. 680-689.

13. Mathieu H., Bayo L., Camassel J., Merle P. Stress dependence of the nitrogen bound excitons in GaP:N.- Phys. Rev., 1980, v. B22, К 10, p. 4834-4848.

14. Onton A., Morgan Т.К. Effect of uniaxial stress on excitons bound to bismuth in GaP.- Phys. Rev., 1970, v. B1, N 6, p. 2592-2604.

15. Cuthbert J.D., Thomas D.G. Fluorescent decay times of excitons bound to isoelectronic traps in GaP and ZnTe.-Phys. Rev., 1967, v.154, H 3, p. 763-771.

16. Dean P.J., Faulkner R.A. Zeeman effect and crystal field splitting of exciton bound to isoelectronic bismuth in gallium phosphide.- Phys. Rev., 1969, v.185, N 3, p.1064-1068.

17. Wiesner P.J., Street R.A., Wolf H.D. Exciton energy transfer in GaPsK.- Phys. Rev. Lett., 1975, v.35, К 20, p. 1366-1369.

18. Gil В., Camassel J., Merle P., Mathieu H. J-J couplingand local field effects on NN pair spectra in GaP.-Phys. Rev., 1982, v. B25, N 6,p. 3987-4001.

19. Cohen E., Sturge M.D. Excited states of excitons boundto nitrogen pairs in GaP.- Phys. Rev., 1977, v. B15, К 2, p. 1039-1051.

20. Wagner J., Sauer R. Acceptorlike excited states А, В, С excitons bound to an isoelectronic trap in Si.- Phys. Rev. 1982, v.26, N 6, p. 3502-3505.

21. Kressel H., Ladany I. Photocurrent measurements of GaP:N green light - emitting diodes.- Appl. Phys. Lett., 1973, v.22, N 5, p. 224-226.

22. Gollnast H., Richter G., Herrmann H. Nitrogen concentration in GaP diodes determined by photovoltage measurements. Phys. Status Solidi ( a 7, 1976, v.38, К 1, p. K89-91.

23. Пихтин A.H., Попов В.А. Аномальный фотоэффект ва связанных экситонах в фосфиде галлия,- Письма в ЖЭТФ, 1980,т. 31, * 3, с. 723-726.

24. Пихтин А.Н. Оптические переходы в полупроводниковых твердых раствсрах.- ФТП, 1977, т. II, № 3, с. 425-455.

25. Лупал М.В., Пихтин А.Н. Тонкая структура бесфононнои компоненты края поглощения фосфида галлия.- ФТП, 1981, т. 15, Л 4, с. 822-824.

26. Craford M.G., Shaw R.W., Herzog A.H., Groves W.O. Radiative recombination mechanisms in GaAsP diodes with nitrogen doping.- J. Appl. Phys., 1972, v.43, N 10, p.4075-4083.

27. Holonyak N., Jr, Dupuis R.D., Macksey H.M., Craford M.G., Groves W.O. Spontaneous and stimulated photoluminescence on nitrogen A-line and UN-pair line transition in

28. GaAs £ :N.- J. Appl. Phys., 1972, v.43, N 10, p. 4148-53.1.—X X

29. Mariette H., Chevallier J., Leroux-Hugon P. Local environment effect on the nitrogen bound states in GaP^s-j^ alloys: Experiments and coherent potential approximation theory.- Phys. Rev., 1980, v. B21, N 12, p. 5706-5716.

30. Faulkner R.A. Toward a theory of isoelectronic impurities in semiconductors.- Phys. Rev., 1968, v.175, И 3,p. 991-1009.

31. Allen J.W. Energy levels of nitrogen-nitrogen pairs in gallium phosphide.- J. Phys. C, 1968, v.1, II 4, p. 11361138.

32. Bir G.L., Butikov E.I., Pikus G.E. Spin and combined resonance on acceptor^ centres in Ge and Si type crystals.

33. Paramagnetic resonance in strained and unstrained crystals.- J Phys. Chem. Solids, 1963, v.24, p. 1467-1474.

34. Phillips J.C. Cancelation theorem for isoelectronic impurity binding energies.- Phys. Rev. Lett., 1969, v.22, К 7, p. 285-287.

35. Allen J.W. Isoelectronic impurities in semiconductors: a survey of binding mechanisms.- J. Phys. C, 1971, v.4, N 14, p. 1936-1944.

36. Baldereschi A.,Hopfield J.J. Binding to isoelectronic impurities in semiconductors.- Phys. Rev. Lett., 1972, v.28, U 3, p. 171-174.

37. Baldereschi A. Theory of isoelectronic traps.- J. Luminescence, 1973, v.7, N 1, p. 51-91.

38. Benior С. Shallow isoelectronic excitons revised.-Proeeed. of XV Int. Conf. on the physics of semicond. Kyoto, 1980, p. 105.

39. Thuselt P., Kreher K. Energies of electrons bound to nitrogen pairs in GaP.- Solid St. Commun., 1980, v.36,bT 6, p. 563-566.

40. Brand S., Jaros M. The binding of electrons by nitrogenpairs in GaP.- J. Phys. C, 1979, v.12, p. 2789-2796.

41. Харченко В.А. Локализация экситонов на дефектах, создающих резонансные уровни энергии,- ЮТ, 1983, т. 84, вып. 2, с. 679-685.

42. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Квантовая механика. М.: Физматгяз, 1963, 702 с.

43. Banks P.W.,Jaros М. A study of the electronic wavefunctionassociated with isolated nitrogen impurities in GaP.-J. Phys. C, 1981, v.14, N 17, p. 2333-2339.

44. Koster G.P., Slater J.C. Wave functions for impurity levels.- Phys. Rev., 1954, v.95, N 5, p. 1167-1176.

45. Jaros M., Brand S. Electronic states associated with substitutinal nitrogen impurity in GaAs1 P .— J. Phys. Сi —a a1979, v.12, N 3, p. 525-539.

46. Kleiman G.G. , Kelson R.J., Holonyak N. , Jr., Coleman J.J. Direct study of the nature of nitrogen bound states in GaAs^P^jN.- Phys. Rev. Lett., 1976, v.37, К 6, p.375-378

47. Kleinman G.G. Theory of bound states indueed by disoder and isoelectronic potentials: Ga(As,P):N.- Phys. Rev., 1977, v. B15, N 2, p. 802-811.

48. Hsu W.Y., Dow J.D., Wolford D.J., Streetman B.G. Nitrogen isoelectronic trap in GaAsix?x: 11 Model calculation of the electronic states Up and N-^ at low temperature.

49. Phys. Rev., 1977, v. B16, N 4, p. 1597-1615.

50. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш ж 7 групп.- М.: Мир, 1967, 477 с.

51. Справочник по электротехническим материалам, т. 3, под ред. Ю.В. Корищого, В.В. Пасынкова, В.Н. Тареева.-М.: Энергия, 1976, с. 609-650.

52. Берг А., Дин П. Светодиоды. Перевод с англ. под ред. А.Э. Юновича.- М.: Мир, 1979, 686 с.

53. Оптические свойства полуцроводников (полупроводниковые1. Я Sсоединения А В ) под ред. Уиллардсона и А. Вира.-М.: Мжр, 1970, 488 с.

54. Мосс Т., Баррел Г., Эллнс Б. Полуцроводниковая оптоэлект-роника.- М.: Мир, 1976, 431 с.

55. Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия.- В сб.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: Наука, 1972, с. 224-304.

56. Aspnes D.E., Olson C.G., Lynch D.W. Electroreflectance of GaAs and GaP to 27 ev using synchrotron radiation.-Phys. Rev., 1975, v. B12, N 6, p. 2527-2538.

57. Auvergne D., Merle P., Mathieu H. Phonon-assisted transition in gallium phosphide modulation spectra.- Phys. Rev., 1975, v. B12, H 4, p. 1371-1376.

58. Onton A. Donor-electron transitions between states associated with the and conduction band minima in GaP. Phys. Rev., 1971, v. B4, N 12, p. 4449-4452.

59. Сейсян P.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов.- М.: Наука, 1984, 272 с.

60. Копылов А.А., Шхтин A.H. Непараболичность зоны проводимости и структура донорных центров в фосфиде галлия.

61. ФТП, 1977, т. II, В 5, с. 867-877.

62. Glinskii G.P., Kopylov А.А., Pikhtin A.H. Indirect exciton dispersion in III-V semiconductors: Camel's back in GaP.- Solid St. Commun., 1979, v.30, N 4, p. 631-634.

63. Dean P.J., Herbert D.C. The location of the lowest conduction band minima in gallium phosphide from bound exciton luminescence.- J. Luminescence, 1976, v.14, N 1, p. 55-79.

64. Sell D.D., Lawaetz P. New analysis of direct exciton transitions: Application to GaP.- Phys. Rev. Lett., 1971, v.26, К 6, p. 311-314.

65. Yarnell J.L., Warren J.L., Wenzel R.G., Dean P.J. Lattice dynamics of gallium phosphide.- Proc. Symp. Neutron Inelastic Scattering. Copenhagen, 1968, v.1, p.301-313.

66. Banerjee R., Varshni Y.P. Lattice dynamics and thermodynamic/ properties of B-ZnS, GaP and В-SiC,- J. Phys.

67. Soc. Japan, 1971, v.30, N4, p. 1015-1021.

68. Пихтин A.H. Оптические переходы с участием и без участия фононов в твердых растворах с непрямой структурой зон.-Proc. Int. Conf. "Mixed Crystals 75". Reinhardsbrumm, 1975, p. 30-'*0.

69. Пихтин A.H., Разбегаев B.H., Яськов Д.А. Влияние изменений параметров зонной структуры на спектр собственного поглощения полупроводников (край собственного поглощения GaASlxPx).-ФТП, 1973, т.7, №3, с. 471-479.

70. Глинский Г.Ф. К расчету дисперсии диэлектрической проницаемости полупроводников,- Изв. ЛЭТИ, 1983, вып. 322, с. 90-94.

71. Вир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках.- М.: Наука, 1972, 584 с.

72. Киржниц Д. А. Полевые методы теории многих частиц. -М.: Госатомиздат, 1963, 344 с.

73. Абрикосов А.А., Горьков Л.П., Дзялошинский И.Е. Методы квантовой теории поля в статистической физике. М.: Физ-матгиз, 1962, 443 с.

74. Бирман Дж. Пространственная симметрия и оптические свойства твердых тел.- М.: Мир, т.2, 352 с.

75. Глинский Г.Ф., Логинова Т.Н. Теория акцептороподобных состояний экситонов, связанных на азоте в GaP.-ФТТ, 1984, т. 26, № 10, с. 3194-3196.

76. Глинский Г.Ф., Логинова Т.Н. Теория изоэлектронных ловушек в полупроводниках. Тез. докл. 30-го Всесоюзного Совещания по люминесценции (неорганические кристаллы) , Ровно, 1984, с. 77.

77. Глинский Г.Ф., Копылов А.А. Дисперсия нецрямых экситонов в кубических кристаллах: полупроводниковые соединения А3В5.- ФТТ, 1981, т. 23, № II, с. 3238-3245.

78. Хейне В. Теория групп в квантовой механике.- М.: ИЛ, 1963, 522 с.

79. Humphrey R.G., Rossler U., Cardona M. Indirect exciton fine structure in GaP and effect of uniaxial stress.-Phys. Rev., 1978, v. Б18, N 10, p. 5590-5605.

80. Chang Y.G., Mc. Gill T.C. Theory of donor states in GaP: ThB role of camel's hack.- Solid St. Comm., 1980, v.33,1. К 10, p. 1035-1039.

81. Хакен X. Квантовая теория твердого тела. М.:Наука,1980, 341 с.

82. Koster G.F., Dimmock J.O., Wheeler R.G. Properties of the thirty-two point groups.- Cambridge/Mass.; MIT Press, 1963, 104 p.

83. Копылов'А.А., Логинова Т.Н., Смирнов В.И. Фотоэффект на мелких донорах в твердых растворах GaAs ^ ~ в кн*: тез. докл. П респбл. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках, К.: Наукова думка, 1982, с. 47.

84. Логинова Т.Н. Установка для исследования фотопроводимости полупроводников в длинноволновой области спектра,-Изв. ЛЭТИ, 1983, вып. 322, с. 94-97.

85. Пихтин А.Н., Попов В.А., Яськов Д.А. Омические контакты к полупроводникам, полученные с помощью лазерах- ФТП, 1969, т. 3, М> II, с. 1646-1648.

86. Пихтин А.Н., Попов В.А., Яськов Д.А. Получение омических контактов к полупроводникам. ПТЭ, 1970, Ар2, с. 238-239.

87. Логинова Т.Н. Фотоэлектрические свойства твердых растворов GaAs 1 р , легированных азотом. Изв. ЛЭТИ, 1984,i —л лвып. 338, с. 53-57.

88. Hopfield J.J, Dean P.J., Thomas D.G. Interference between intermediate states in the optical properties of nitrogen doped gallium phosphide.- Phys.Rev., 1967, v. 158,1. N 3, p. 748-755.

89. Берцдт В., Копылов А.А., Пихтин А.Н. Оптические свойства и энергетический спектр доноров в Ga in., p. ФТП, 1976,1. X I ™Хт. II, М 12, с. 2206-2209.

90. Лупал м.В. Край собственного поглощения фосфида галлия и твердых растворов на его основе,- Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Л., 1981, 165 с.