Электрические и теплофизические свойства термотропных жидких кристаллов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.14 ВАК РФ

■> д о 1 9т;

ЛЕНИНГРАДСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи УДК 532.783.09

САБУРОВ Баходур

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТЕРМОТРОПНЫХ жидких КРИСТАЛЛОВ

01.04.14 — теплофизика и молекулярная физика

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук -

ЛЕНИНГРАД —

Работа выполнена в Таджикском ордена «Знак Почета» сельскохозяйственном институте.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор Аэро Т. Л. (г. Ленинград), доктор физико-математических наук, профессор Сугаков В. И. {г. Киев), доктор физико-математических наук, профессор Сырников Ю. П. (г. Ленинград).

Ведущая организация — Азербайджанский государственный унизер-ситет (г. Баку).

'с защита диссертаций на соискание ученой степени доктора наук при Ленинградском государственном университете по адресу: 199034, Ленинград, Университетская наб., 7/9.

1991 г.

часов на заседании Специализированного Совета Д.063.57.32

Автореферат разослан «

1991 г.

Ученый сгкрыарь

Специализированного совета, доктор физико-математических наук

СОЛОВЬЕВ В.

0н11ая характеристика рлбош.состояние вопроса к началу исследований и актуальность проблемы.

к настоящему времени имеется'много работ по теории жидкокристаллического состояния и экспериментальному исследованию их основных физических свойств. Наиболее важные фундаментальные проблемы -достаточно подробно изучены экспериментально и теоретически и обобщены в ряде монографий, выпущенных в последние годы как в Советском Союзе, так и за рубежом.

В практическом отношении в жидких кристаллах (Ж) заложены неограниченные возможности их применений, что позволяет использовать их в качестве рабочих веществ различных датчиков, -индикаторов, модуляторов света, устройств отображения информации. Электроопткчб£кие эффекты, на которых основано применение Ж, такие как динамическое рассеяние света, твист-эффект и другие, зависят от вел .чины и знака диэлектрической анизотропии, которая в свою очередь, яв -ляется функцией температуры и частоты электрического поля. С другой стороны диэлектрическая спектроскопия позволяет получить важную информацию о подвижности .молекул в ЕК,межмолекулярном взаимодействии и молекулярных механизмах диэлектрической поляризации жидких кристаллов. В связи с этим существенное значение приобретает количественное экспериментальное определение зависимости диэлектрической анизотропии ЖК от'-температуры и частоты электрического поля.

При создании электрооптических устройств на Ж используют два существенно различных принципа работы. В одном случае для получения оптического эффекта воздействуют на практически не проводящий жидкий кристалл электрическим полем.Этот эффект моино назвать полевым, поскольку причиной срабатывания устройства в данном случае является взазшо -действие электрического поля с ЯК, обладающим большой диэлектрической анизотропией. В другом случао оптический эффект в ЖК устройства*возникает вследствие протекания по жидкокристаллическому веществу электрического тока. _'! этом

олучае необходима достаточно большая электропроводность Ж.

Таким образом, различная электропроводность приводит к разным взаимоисключающим эффектам и может либо стимулировать , либо подавлять возникновение соответствующего электрооптического эффекта. Проводимость нематических жидких кристаллов (НЕК)•заметно сказывается на их диэлектри -ческих свойствах.

Известно, что при большой проводимости на низких частотах диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери становятся аномально большими .меняя в свою очередь и все связанные с диэлектрикой параметры. Этот случай можно назвать режимом проводимости, т.е. режимом^когда влияние . оквозного тока становится определяющим.

В связи о вышеизложенным представляется актуальным исследование влияния электропроводности на переход КК веществ из диэлектрического режима к режиму проводимости и на порог возникновения электрооптических эффектов в слое НЯК с большой положительной диэлектрической анизотропией. Несмотря на большой объем исследований электрофизических свойств жидких кристаллов, до сих пор остается практически не изученной такая важная область,как изменение физических свойств КК в результате воздействия ионизирующего излучения.

Первые исследования,выполненные в последние несколько лет по влиянию^ и протонного излучения на нематичес-кие и холестерические жидкие кристаллы (ХЕКУ, были пионерскими в этом направлении. Ныло установлено, что столь жесткое ионизирующее излучение приводит к значительным необратимым изменениям физических свойств жидких кристаллов и,в первую очередь, изменяет температуры фазовых переходов и температурные интервалы существования мезофазы.

Причиной таких необратимых изменений является деструкция кидких кристаллов под действием у и протонного излучения, в результате которой в веществе появляются индуцированные излучением примеси, влшшдие на различные физические свойства анизотропных жидкостей. В то же время в литературе к моменту начала нашей работы (1980 г.) полностью

отсутствовали результаты исследований воздействия более мягкого рентгеновского излучения на ЯК, хотя эти исследования являются важными для выяснения механизмов проводимости и установления их связи с надмолекулярной упорядоченностью мезофаз. Такие исследования позволяют расширить круг практических применений жидких кристаллов, например, за счет создания индикаторов и дозиметрических устройств ионизирующего излучения. Они дают возможность прогнозировать поведение приборов на основе жидких криоталлов в условиях радиационного фона. Наконец, актуальность исследований определяется и той большой рольку которую играет Ж состояние в . строении я функционировании биологических систем.

К настоящему времени остается практически на изученной также, такая важная теплофизическая характеристика М как теплопроводность в мезоморфном состоянии, в области температур фазовых переходов и в изотропной фазе, хотя широкое применение 22К в медицине и других облаотях техники основано на использовании их тепловых овойств. В литературе не было попыток установить влияние электропроводности на теп-лофизические свойства жидких кристаллов.

Исходя из вышеизложенного,.определились задачи настоящей диссертации : экспериментально исследовать электрические и" тепловые свойства жидких криоталлов о целью изу- • чения молекулярных механизмов диэлектрической поляризации, установления роли и влияния электропроводности на диэлектрические, электрооптические и теплофизическив овойства жидких криоталлов и кроме того, детально исследовать влияние рентгеновского излучения на электрофизические овойства жидкокристаллических веществ.

Для достижения поставленной цели потребовалось решение следующих задач :

I. разработать' экспериментальные методики исследований электрофизических параметров жидких криоталлов: I)комплексных значений главных диэлектрических проницаемостей в диапазоне частот 10 Щ- 100 МП? и температур - 20 + 230°С.

2) влияния электропроводности на диэлектрические и электрооптические эффекты в жвдких кристаллах, 3) влияния рентгеновского излучения на электрофизические свойства термо-тропных ¡идких кристаллов, 4) теплопроводности ориентщю-_ ванных и неориентированных Ж ;

2. Исследовать низкочастотную и высокочастотную области дисперсии главных значений диэлектрических проницаемос-тей в мезоморфном и изотропном состояниях в жидкокристаллических веществах о различной молекулярной структурой с целью установления молекулярных механизмов их'диэлектрической поляризации.

3. Исследовать влияние электропроводности на низкочастотную диэлектрическую поляризацию КК,' на пороговые характеристики возникновении электрогидроцинамической (ЭГД) неустойчивости Н&К, с большой положительной диэлектрической анизотропией.

4. Изучить влияние рентгеновского излучения на электропроводности тематических, смектических и уолестеричес-" ких жидких кристаллов с целью установления механизмов собственной и дополнительной проводимости в них ;

' 5. Измерить теплопроводность ориентированных и неориентированных жидких кристаллов в области существования мезофазы, в области температур фазовых переходов и в изо -тройной фазе, чтобы найти корреляцию мезду теплопроводностью и электропроводностью, а также установить бсновные меха -низмы теплопроводности в Ж.

Научная новизна

1. Обнаружены и исследованы механизмы диэлектрической поляризации, связанные с вращением молекул вокруг длинной оси для отрицательно анизотропных ШК, дшольнне моменты которых составляют значительный утол с длинной осью молекул, а также механизмы диэлектрической поляризации связанные с прицэссией молекул по конусу и вращением молекул в изотропной фазе для положительно анизотропных НЕК.

2. Установлено, что обнаруженные релаксационные процессы, связанные с вращением молекул в нематичеокой и изотропной

фазе, описываются уравнением Дебая о одним временем релаксации , а в некоторых случаях релаксационные процессы, связанные о прецессией длинной оси молекул по конусу, характеризуются спектром времен релаксации. Для положительно анизотропных НЯК по измеренным значениям времен релаксации в изотропной и нематичвской фазах подсчитаны параметры замедления д, связанные о вращением молекул вокруг короткой и дллнйой ^ оси.'

Определены энергии активации соответствующих релаксационных процессов. , '

3. Предложен способ определения критической частоты £ перехода из диэлектрического в проводящий режим и установлена общая закономерность,связывающая частоту перехода с собственной электропроводностью жидких кристаллов (£ ).

4. Исследована' элвктрогвдфодикзмйческау (ЭГД) нестабильность в НКК о большой положительной по зпалу диэлектрической анизотропией и широкой вариацией удельной злектр хровод -ности. Установлена корреляция между удельной электропро -водностью образцов и пороговыми напряжением возникновения' ЭГД- нестабильности в постоянном и синусоидальных электрических полях.

Показаны возможности использования "изотропного" механизма ЭГД- нестабильности для анализа полученных экспериментальных данных. . ,

5. Впервые измерена анизотропия теплопроводности для широкого круга НЖК. .Показано,что анизотропия теплопроводности положительна и среднее значение теплопроводности Лсовла -дает с соответствующим значением Л, измеренным в неориентированных образцах.

6. Установлена корреляция между теплопроводностью к электропроводное^-^ пематшеских и холесгерических жидких кристаллов. Показано, чте^отяошение теплопроводности к электропроводности в ыезофазе с увеличением температуры уионь-' ¡лается. Обнаружено, что носители тока, свободные ионы принимают участие в переносе тепла.

7. Установлено, что под действием рентгеновского излучения, в отлотие от ^ и протонного облучения, пе происходит

деструкции жидких кристаллов. Все-изменения физических параметров, происходящие б динамике рентгеновского излучения, строго обратимы после выключения облучения. 8» Экспериментально обнаружена и количественно исследована различная по знаку дополнительная-электропроводность, возни -кащая в вдцких кристаллах под действием рентгеновского излучения. Установлено, что величина и знак дополнительной электропроводности, зависят от величины его собственной электропроводности. Показано, что дополнительная электропроводность обусловлена электронны:,! механизмом проводимости и определяется полной или частичной рекомбинацией электронов с носителями собственного гока.

Практическая значимость научных результатов, изложенных в диссертации:

Полученные экспериментальные данные о влиянии молекулярной структуры на диэлектрические свойства Н2К,■продоотавля -ют химикам возможность вести целенаправленный синтез новых Ж веществ. ■ .

Исследованные в работе температурно-частотные зависимости диэлектрической анизотропии А С жидкокристаллических образцов, широко применяемых в технике, могут быть использованы при изготовлении'кидкокристаллических»индикаторов, модуляторов и т.д..работающих в широком температурном интервале. Результаты могут быть использованы при составлении таблиц стандартных справочных данных по диэлектрическим свойствам мезоморфных веществ.

Полученные экспериментальные данные об условиях перехода НЖК из режима электропроводности в диэлектрический режим, о влиянии электропроводности Ж на частоту перехода из диэлектрического в режим проводимости, о влиянии электропроводности на пороговые напряжения ЭГД нестабильности слоя НЕК с большой положительной диэлектрической анизотропией могут быть использованы для создания устройств отображения на большом экране- и т.д.

Полученные данные по дополнительной электропроводности, возникающей под действием рентгеновского излучения,могут быть использованы при создании приборов на основе жидких

кристаллов, работающих в условиях высокой радиации и для. контроля стопени чистоты жидких криоталлов от посторонних примесей.

Полученные экспериментальные результаты по теплопроводности могут служить основанием для развития микроскопической теории явлений переноса в анизотропных лшд -костях.

Экспериментальные данные по теплопроводности используются на Душанбинском ювелирном заводе при создании ювелирных изделий на основе ЯК.

Р.ащгаиаемно положения

1. Экспериментально получены величины диэлектричес -ких проницаемоотей <?' и диэлектрических потерь ó" ряда НКК и их смесей в мезофазе и изотропной фазе в диапазоне частот 10 Гц- 100 МГц о точностью I± 0.3% для &' и

8 ¿ lU/o для £■".

2. Количественно исследована роль различных молекулярных механизмов .дшгольной поляризации в "диэлектрических свойствах НЕК о различной полярной структурой молекул. Экспериментально показана роль величины и направления моле -кулярного диполыюго момента в диэлектрических свойствах исследованных веществ.

3. По экспериментальным данным определены времена релаксации и энергии активации ориентированной поляризации, связанные с различными видали вращения молекул в мезофазе

и в изотропном состоянии. .

4. Экспериментально установлена закономерность влияния электропроводности жидкого кристалла на частоту перехода из диэлектрического на проводящий режим по резуль -татам диэлектрических измерений. Количественно исследовано влияние электропроводности, частоты электрического поля, температуры на пороговые напряжения возникновения ЭГ!Д

^неустойчивости плоского слоя НЕК о большой положительной диэлектрической анизотропией.

5, Количественные исследования теплопроводности ориентированных и неориентированных жидких кристаллов в

ыезофазе, в области температур фазовых переходов и в изотропной фазе, корреляция теплопроводности и электропроводности и влияние электропроводности на теплофизические свойства НК.

6. Экспериментально измеренные величины дополнительной электропроводности, возникающей в термотропных жидких кристаллах под действием рентгеновского излучения.

7. Экспериментальные данные, доказывающие, что величина и знак дополнительной,.эяектропроводности зависят от величины его собственной электропроводности. ■

8. Механизмы,-объясняющие возникновение дополнительней электропроводности положительного и отрицательного знака в жидких кристаллах с различной по величина собственной электропроводноееью.

В целом, представленные в настоящей диссертации ре -зультаты обосновывают и развивают новое научное направление- физику электрических и тепловых свойств жидких кристаллов.

* Личный вклад автора .

Все экспериментальные результаты, представленные в диссертации , получены в лаборатории жидких кристаллов на кафедре физики Таджикского;сельскохозяйственного института. Автор принимал участие в планировании и создании экспери -ментальных установок, в разработке методик и в экспери -ментальных исследованиях жидких кристаллов.

Из опубликованных совместно с соавторами работ использовались только те материалы, в которые автор внес равно -ценный вклад ( в постановку задачи, участие в экспериментах, обсуждение результатов). Для обобщения результатов, . представленных к защите, автор частично использовал результаты, вошедшие в кандидатские диссертации сотрудников кафедры Маллабоева У.М. (1987), Щухиева С. ( 1988) и Саидо-ва Н.С. (1990 ), которые были выполнены под руководством автора.

Апробация работа

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждалась на 1-ом Всесоюзном симпозиуме по электрическим свойствам жидких кристаллов,Душанбе,1979 г.(тезисы, стр.6-7); 17- Международной конференции социалистических стран по жидким кристаллам, Тбилиси; 1981 г. (тезисы отр.96- ., 97); на выездной сессии секции "Жидкие кристаллы" научного оовета по проблеме "Образование и структура кристаллов" АН СССР и секции "Жидкие кристаллы" научного совета по проблеме "Малотоннажная химия" ГКНТ СССР,Душанбе, Т985;: Всесоюзной конференции по жидким кристаллам и их практическому использованию, Иваново, 1985 г.(тезисы,стр.232);Совещании "Надмолекулярная структура и электрооптика жидких кристаллов" Львов-Славен,1986 г.(тезисы ,отр. 48); 1У Всесоюзной конференции "Жидкие кристаллы и та»практическое использование Чернигов, 1989 г. (тезисы, стр.141, 23^2 , 233); УШ-Меадуна-родной конференции социалистических стран по яг-ким нрис -галлам, Краков (Польша), 1989 г. (тезисы, стр. Д11.Д35); на П-Всесоюзном семинаре "Оптика жидких кристаллов",Красноярск 1990 г. (тезисы, стр.259-260).

Публикации Основные результаты по теме диссертации опубликованы в Ш статьях и в перечисленных выше тезисах докладов.

Объем работы Дисаертацт состоит из введения,пяти глав, выводов, списка используемой литературы.

Содержание работы

Во введении обсувдена ак!уальносгь теш, ее практическая значимость, новизна, сформулирована цель.работы.

В первой главе диссертации приведена классификация жидких кристаллов, литературный обзор по диэлектрическим свойствам немагичесодх жидких кристаллов, электропровод -ности, влиянию легирующих добавок на электропроводность Ш, влияние электропроводности на диэлектрическую проницаемость изотропной шщкости и Н2К, экспериментальная установка и методика измерения частотной зависимости главных значений

Диэлектрической проницаемости , НЕК,выбор объектов исследования и их характеристики. '

Обзор экспериментальных исследований диэлектрических свойств ЖК посвящен влиянию различных функциональных групп на величину и знак диэлектрической анизотропии однородно-ориентированного жидкокристаллического вещества.Пока-зано, что величина и знак диэлектрической анизотропии всех исследованных KSK находятся в непосредственной зависимости от дипольного момента ju молекулы и угла уз который составляет jj с длинной осью молекулы в соответствии с результатами теории диэлектрической анизотропии. Приведены характерные чаетоггне зависимости диэлектрической проницаемости в направлениях параллельном и перпендикулярном сп-' тической оси для НЕК, о различным значением угла уз • '

В настоящее время только низкочастотная дисперсия &'„ достаточно хорошо и полно изучена экспериментально. Высокочастотная область дисперсии Б', , дисперсия и дис -перскя диэлектрической проницаемости в изотропной фазе в настоящее время мало изучены из-за экспериментальных трудноегейо

В связи с этим, одной из задач настоящей работы является экспериментальное исследование высокочастотной области дисперсии параллельной составляющей диэлектрической проницаемости (€.'ц)в , дьсперсин перпендикулярной составляющей^ дисперсии в изотропной фазе &'из в IK с различной молекулярной структурой и установление молекулярных механизмов их диэлектрической поляризации, а также исследование дшгольяой струкнуры молекул и диэлектрической релаксации ряда новых жидкокристаллических веществ.

При переходе в область низких частот (-р< 10^ Гц) на диэлектрическую поляризацию начинает оказывать сильное влияние электропроводность ( Ö" )ЕК. Электропроводность также оказывает влияние на пороговые напряжения возникновения электрогвдродинамических (ЭГД) нестабильностей и на тепло-физические свойства термотропных жидких кристаллов. В свою очередь электропроводность Ж является чувствительным параметром 2К к влиянию рентгеновского излучения и величины (Г мокно изменить на порядки добавлением легирующих добавок.

С этой цзлью в § 1.4 и § 1.5 анализируются существующие экспериментальные и теоретические работы по электропроводности Ж и влиянию легирующей добавки на величину 6" .

В настоящее время.получен большой объем экспериментальных данных по электропроводности термотрошых жидких кристаллов. При этом установлено,'что носителями тока являются примесные ионы и электропроводность в функции температуры подчиняется активационному закону. При переходе из нематической и холестерической фазы в смектическую обнаруживается скачок электропроводности.

При измерении электропроводности в широком частотном диапазоне изменения электрического поля на величину С влияет процесс релаксации орненгационной поляризации.

Поскольку ток в массе жидкокристаллического вещества может переноситься примесными ионами, легирующие добавки служат для придания жидкокристаллической среде необходимого уровня электропроводности и ео анизотропии. Электропроводность НК в присутствии растворенных органических добавок определяется согласно уравнению Онзагера :

в: = Ы<о0[Т-С^-*- ], (I)

где С, - мольная концентрация в моль*л-1, оС - степень ее ионизации, А и В - константа межионного взаимодействия в растворах.

Приводится анализ существующих экспериментальных работ по влиянию электропроводности на диэлектрическую поляризацию ЕК. Показано, что с понижением частоты наблюдается рост составляющих диэлектрической проницаемости <5' и диэлектрических потерь6,'пров .обусловленный проявлением механизма проводимости . В §1.7 приведено описание использованной экспериментальной установки и разработанной методики измерения комплексных значений диэлектрических про-сницаемостей однородно макроскопически ориентированных НЕК в широком диапазоне радиочастот-101^-1 ОО.Тц и температур -20° + 200°С.

Приведены блок-схемы экспериментальной установки, системы термостатирования, измерения температуры объектов

исследования, а также калибровки и градуировки прибора одновременно по емкости и проводимооти с использованием эталонных конденсаторов и сопротивлений, л Измерение комплексных диэлектрических проницаемостей Ш проводились методом сравнения емкостей пустого и запол-1 ненного веществом измерительного конденсатора с помощью низкочастотного измерителя полных сопротивлений (Ш-507) и измерителя импеданса и передач Ш (В.1-538). С целью увеличения точности измеряемых параметров к аналоговым выходам подключались цифровые вольтметры и частотомер.

Относительная погрешность при определении дейотви -дельной €' и мнимой частей диэлектрической проницаемооти составляет соответственно I д 0.3$ и £"- 84-10$ .В § 1.8 приводятся характеристики исследованных веществ.

Для изучения молекулярных - дипольно ориентационных механизмов диэлектрической диспероии в широком диапазоне радиочастот , нами были исследованы 13 НКК, молекулы ко -торых отличаются геометрическими характеристиками,диполь-ным моментом и его направлением по отношению к продольной оси молекулы.

Жидкие кристаллы 4-метокои-4-н-бутилазоксибензол (МЕА.Б), 4-н-бутил-4 -гексаноилазоксибензол (ЕГАБ), смесь МБА.Б (67$) + БГАБ (33$) (ЕК-440), ди-(4-н-гексилокои)бен-зоат- 2-гидрохинона (ГЕГ), ди-(4-н-гексилокси) бензоат-2-нитрогидрохинона (1БН)-, 4-н-амил-4-гексокситоб-цианостидь-бен (ЦС) имеют отрицательную, а 4- цианофениловый эфир 4--н-октилоксикоричной кислоты (ЦОКК) .цианфениловый эфир 4--н-гексююксибензойной кислоты (ЦИК), амил-циано-бифенил (АЦБ), амил-4-(4 - цианофенил) циклогексан (ЦФЦГ) ,5-амил-2-(4-цианофенил) пиридин (ЦФП), 4, с£-днциано-41 -(н-геп-тилбензоилокси) стильбен СдЕБС), 4-н- нитротиофенил-4 -_ гексилоксибензоат (НТГБ) положительную диэлектрическую анизотропию,.'

При исследовании теплопроводности и влияния рентгеновского излучения на электрофизические свойств;! термо-тропных жидких кристаллов в качестве объектов исследования были выбраны ряд термотропных жидких кристаллов, немати-ческого Н£К, смектического СЕК, холестерического ХЕК типа.

Во второй глава обобщаются молекулярные механизмы, ответственные за диэлектрическую поляризацию и релаксацию главных значений диэлектрических прошщаемостей вдоль б', и поперек оптической оси Ж, а также в изотропной фазе

В качестве примера на рис. I приведены зависимости действительной и мншсй частей комплексной диэлектрической проницаемости от частоты электрического поля в нематичес-кой и в изотропной фазе для отрицательно анизотропного нема-тпческого жидкого кристалла ди-(4-н-гексилокси)бензоат-2-нитрогндрохинона (ГШ).

Из приведенных графиков видно, что пошмо низкочастотной дисперсии параллельной составляющей диэлектрической проницаемости (£„ )н связанной с вращением молекул вокруг короткой оси, наблюдается вторая высокочастотная область дисперсии ( £„ )а , а такие дпспсрсгл перЫздикуляр составляющей диэлектрической лрошщаекосги £А,связашшо о вращением молекул вокруг продольной оси. В использованном интервале частот начинает проявляться дисперсия диэлектрической-проницаемости в изотропной фазе - £аз.

При построении диаграммы Коул-Коула центр полуокру)-- • ности высокочастотной области дисперсии {£„ )б , дисперсия £± также как и низкочастотной области дисперсш( б,, )нлежат на оси абсцисс (рис. 2). Это свидетельствует о том, что соответствующие релаксационные процессы, связанные с вращением молекул вокруг продольной оси также как и релаксационные процессы связанные с вращением молекул вокруг короткой 'оси подчиняются уравнению Дебая с однш временем релакса -

ЦШ1.

Установлено, что обнаруженные релаксационные явления обусловлены особенностями дипольного строения молекул Ж. С использованием полученных эксперимснгальшлс результатов и теории диэлектриче<Р-ой поляризации ярких кристаллов определены величина и направление дипольного момента г молекулах исследованных образцов.

Для всех исследованных отрицательно з: лолошгедъчо анизотропных ЕЖ били определены врег-ша раг-тксадпа днэ -

£l

Рис Л.

Рис.2.

4 5 6 7 8

лектрических проницаемоегей. Для положительно анизотропных НЖ по измеренным значениям времен релаксации в изотропной и нематической фазе были гутоделены параметры замедления с?, связанные с вращенп-- молекул вокруг короткой д и длинной дх молекулярн~'-. зси.Полученные результаты по су > 1 исц<1 подтверждав? предположение,сделанное Цветковым,о заторможенности вращения молекул вокруг ко -роткой и длинной оси относительно соответствующих видов вращений в изотропной фазе.

Температурные зависимости времен диэлектрической релаксации позволяю^ найти энергии активации вращения

лолекул вокруг поперечной ¿/„ , продольной ¿Л. осей и в изотропной фазе С1из (табл.). Полученные релаксационные явления существенно влияют как на величину так и на знак макроскопической диэлектричеокой анизотропии ЖК л£. Поэтому их <оличественное исследование имеет важное практическое зна-

1ениэ' ' Таблица.

30С ! и , ОЦ/моль)

! Шл-lSt iC^JeJS3. ! J

~ ЛШЗ 74,8 13,0 13,0 -

ЕГАБ 63,0 - - -

НК-440 54,6 . 18,0 .18,0 -

ГБН 71,1 25,1 25,1 -

ЦОКК 73,5 - 31,5 67,2

ЦГЕК 94,5 - 31,3 42,0

АДЕ 64,0 - 17,0 39,5

ЦФЦГ . 63,0 - 14,0 - 32,0

ЦФП 80,0 - 29,0 42,0

ДГБС 76,5 - - -

ЦС — 38 38 38

НТГБ 78,6 - 38 ' 46,2

В области низких частот (/< I04 Гц) на даэлектричес-ую поляризацию НЕК оказывают влияние их электропроводность.

Надо отметить,что жидкие кристаллы, в том числе, не-атические, относятся к жидким диэлектрикам. Удельная элект-опроводность выбранных для исследований Н2К нами была из-ерека и изменяется от 1СГ® См/м до Ю-^ См/м.

Для всех HZK,характеризующихся различной величиной С, ами были измерены составляющие диэлектрической проницае-ости в области низких частот {■£< I04 .С понижением чао-'<5ты, начиная с некоторого значения -fK составляющие диэлект-ической проницаемости начинают резко возрастать. По точке ересечения отрезка прямых и ¿grf определялась частота ерехода ЙС из диэлектрического режима в режим проводимости, увеличением температуры частота перехода возрастает,что вязано с увеличением роли проводимости.

При построении графика зависимости ¿gf от фв" установлено, что экспериментальные точки группируются вокруг теоретической прямой, определяемой^уравнением

<?о С^эрФ ~ £) = ^г к ^ '

(где <5в - электрическая постоянная, к - постоянная ) (Рис.3).

Обсуждаемая зависимость имеет общий характер для всех исследованных веществ, независимо от их молекулярной структуры, величины и знака диэлектрической анизотропииД£.

Найденная универсальная ' зависимость позволяет решить задачу нахождения критической области частот перехода по известному значению проводимооти.

Полученные закономерности подтвердились при легировании индивидуального НЗЖ различными добавками, приводящими к увеличению их электропроводности более чем на порядок.

Приведен анализ существующих экспериментальных и теоретических работ^пороговыхШгряженшх возникновения электрооптических эффектов и;полученных результатоь по исследованию влияния электропроводности на пороговые напряжения Э1Я-нестабильности для Н£К. с различным знаком диэлектрической' анизотропии.

Влияние электропроводности на электрооптичеокие эффекты в КК впервые обнаружено Цветковым еще в 30-е годы. Однако долгие годы это явление не исследовалось. Б последние годы стали успешно заниматься исследованием влияния электропроводности на различные виды ЭГД- неустойчивости для олучая КК с небольшой положительной и отрицательной по знаку диэлектрической анизотропией. Однако к настоящему времени мало исследовано влияние электропроводности на ЭГД нестабильности , возникающие в НЕК с большой,положительной диэлектрической анизотропией,хотя такие жидкие кристаллы имеют большие практические применения. .

В электрооптической ячейке с IHK, характеризующимся большой положительной дгалектротеской анизотропно? и планар-ной ориентацией молекул, при приложении напряжения меньше одного вольта происходит переход Фредерикса-Цветкова и образец вследствие этого приобретает однородную квазигомео-

тройную ориентацию . Повышение напряжения до значений

I * 5 В на постоянном токе и до несколько десятков вольт переменного вызывает в квазигомеотропно ориентированном образце, появление редких светлых точек на темном фоне, которые становятся все более подвижными при достаточно высоких напряжениях.

Наблюдаемая Э1Д нестабильность является "изотропной" так как её существование показано, на изотропных жидкостях и реализуется при начальной гомеотропной ориентации молекул ЕК и^а-О . •

Пороговое напряжение (U„) возникновения "изотропного" механизма 31Д- неустойчивости дум случая постоянного

-по-

тока определяется по формуле,

(и„)пост.ток - А '^г" (3)

где А- коэффициент, 4 - вязкость. ■

При низких частотах приложенного переменного поля ип имеет такой же вид как для случая постоянного тока. При достаточно высоких частотах приложенного поля пороговое напряжение С1п "изотропного" механизма неустойчивости определяется соотношением:

Си2) - (4)

V ыгг.Упер. ток - ^ . 4 '

Для исследования ¿/п "изотропного" механизма ЭГД-ноутабильности ш использовали обычные плоские стеклянные ячейки с напыленными электродами и рабочим зазором 50 мкм. Исходная ориентация нема тика- шанарная. Наблвдение проводилось при помощи поляризационного микроскопа МИН-8. В качестве объектов исследования наш были выбраны ШК о большой положительной /3£ . Исследования доказали, что пороговые напряжения для исследованных НЖ в случае постоянного .. тока, от.температуры практически не зависят и от объекта к объекту изменяются от 2 до 4 В,хотя.собственная электропроводность исследованных НЕК отличается ~15олёе чем на два порядка. Объяснение этому можно найти,если обратиться к правилу Вальдена. ^Согласно этому правилу произведение вязкости на электропроводность для диэлектрических жидкостей о ионной проводимостью (к которым относятся и не-матические жидкие кристаллы) остается постоянным (©•'2.

Для случая' переманного тока С1„ с увеличением температуры уменьшается, что связано о уменьшением вязкости. Это подтверждается независимостью ип/ч от температуры для исследованных образцов.

Для разделения вклада вязкости и электропроводности ■ в пороговые напряжения можно воспользоваться отношением (3) к (4) и получить следующее выражение для в :

д. и" (Уа)лост.ток

Здесь А как и ранее, . численная константа. По экспериментальным значениям пороговых напряжений для каждого из исследованных веществ на постоянном и переменном токе при

<о -ТО7(Ом-мГ7 100

ю

0,1

кГц

100

10

0,001

о,от Рис .4.

0,1

0,1

(ип)/юст.то?^п)перем. тог

температуре на 3° ниже температуры фазовых переходов НТК в изотропную фазу, были определены величины 6" . Независимым методом также определяли (3 исследованных НИК.Найденные таким образом отношения ( ¿//)пост>1,ок /(^)церем.т. изменяются в соответствии с удельной электропроводностью образцов, измеренной прямым методом. Это иллюстрируют экспериментальные данные, представленные кривой I на рис.4, которые могут быть аппроксимированы линейной зависимость». Поскольку удельная электропроводность играет решающую роль в двух совершенно различных по своей прпроде явлениях- диэлектрической поляризации и ЗГД-несгабильности ЕК, представляется целесообразным сопоставить их непосредственно через экспериментально найденные, по уравнение (0) значения (Уп)лосг.ток ^ и 1 у? .рис. 4 кривая 2 псдт -(¿¿л )аер. ток

вервдает корреляцию между обсуждаемыми параметрами,что указывает на определяющую роль электропроводности п двух различных физических явлениях.

1

Четвертая глава посвящена исследованиям теплопроводности (Л.) гермогропннх жидких кристаллов. Приведен литературный обзор экспериментальных и теоретических работ по тедлофизичбскЕМ свойствам жидких кристаллов. Показано, что теплопроводность Ж практически не изучалась, отсутствуют экспериментальные данные по теплопроводности в области фазовых переходов (изотропная жидкость -кемагическая фаза, изотропная жидкость -холестерстеская фаза, неыатическая-смекгическая и холестерическая - сыекткческая фаза), не исследована анизотропия теплопроводности.Это определило задачу настоящего исследования.

Приведено описание экспериментальной установки- для измерения теплопроводности ориентированных и неориентированных ЖК в зависимости от температуры. Измерение производилось относительным вариантом стационарного метода.Теплопроводность неориентированных ШС в различных фазовых состоящих измерялась относительным методом цилиндрического слоя.

С целью измерения анизотропии теплопроводности НЖК з мезофазе нами была сконструирована измерительная камера, которая вшолнена из меди, состоящей из двух параллелепипедов, один из которых помещен внутри другого.

Погрешность измерения теилопровЬдности при доверительной вероятности оС =0.95 составляет

В диссертации обсуждаются полученные экспериментальные результаты теплопроводности неглатических и холестери-ческих жидких кристаллов в области температур существования мезофазьг, в области температур фазовых переходов и в изотропной фазе, анизотропия теплопроводности неглатических ЖК, корреляция медцу электропроводностью и теплопроводностью.

Показано, что теплопроводность для неыатическюс.хо-лестерических и смектических ЖК с ростом температуры плавно увеличивается.В области температуры фазового перехода изотропная фаза- нематик, изотропная фаза-холестерик и хслестерих- смектик наблюдается острый пик теплопроводности. В изотропных фазах исследованных Ж с увеличением тег.'лературы теплопроводность уненьшается. Проводилось из-

мерение анизотропии теплопроводности в направлении параллельном (Л„) и перпендикулярном оптической оси для НЖ и их смесей в области температуры оущеогвования мезофа-зы. Измерения показали, что анизотропия теплопроводности, определяемая как разность ¿Ц и для НЖК положительная. Среднее значение теплопроводности &,= ^."уЛл. совпадало со значением теплопроводности измеренной в неориентированном оостоянии. С ростом молярной массы значение теплопроводности ориентированных и неориентированных НИК, уменьшается.

Анализ экспериментальных данных по теплопроводности и электропроводности привел к выводу, что зависимость Я и д от температуры в интервале существования мезофазы, исключая область температур фазового перехода, можно представить в виде экспоненциальных функций.

А= &.0ехр(--ф-) (6) О" = <3£ехр(- (7)

где Л0,&0 - начальные значения теплопроводности и электропроводности соответственно, Л и В постоянные величины.Из соотношений (6) и (7) получим выражение связывающее теплопроводность и электропроводность с температурой Т :

Л/& =('&01&<>)е*рС-ЫТ) (8)

где оС -А - В .

Если для металлов отношение А /& растет прямо пропорционально' температуре, то для Ж в области существования мезофазы отношение Л/О" о температурой уменьшается. Это указывает на то, что о ростом .Т значительно'сильнее возрастает <3" , нежели Д, . Сильнее, уменьшение Л/ в" с повышением температуры наблюдается для холестерических Ж.

Анализ полученных экспериментальных результатов по теплопроводности и электропроводности показал,что жидкие кристаллы обладающие большей собственной электропроводностью Йфактеризугатся более высокой теплопроводностью - й-наоборот. Эти результаты свидетельствуют о" том, что носители собствен-' ного тока-свободные ионы,могут участвовать в переносе тепла.

В пятой главе приведен обзор экспериментальных и теоретических работ по собственной электропроводности орга- •• нических яидкоатей, влиянию ионизирующего излучения (ИИ)

на электропроводность органических жидкостей и жидких кристаллов, а также представлены результаты исследования влияния рентгеновского' излучения на электропроводность термотропных Ж.

Блок-схема установки состоит из сконструированной измерительной камеры, источника, рентгеновского излучения и термостатиругацей части. Измерение собственной и дополнительной удельной электропроводности осуществлялось методом измерения падения напряжения на высокоошом сопротивлении обратной связи электрометра ИТН-6.

Разработанная дополнительная схема компенсации электрометра позволяла компенсировать напряжение до 10003 и дала возмокность измерить дополнительную электропроводность при включении рентгеновского излучения.

В качестве источника рентгеновского излучения использовалась рентгено-устаповка УРС-60 с молибденовым антикатодом, дающая тормозное излучение непрерывного спектра с максимумом на дашне волны Л, =0.75-10~*Ч.1. Ток в трубке из- ■ менялся от 0.15' до 15 А, что соответствует дозам рентге -новского излучения от 0.012 до 1.20 Гр/с.

Относительная погрешность измерения собственной и дополнительной электропроводности составляла (2,5- 3%).

Измерения показали, что дополнительная электропроводность Л<з -&р- в0 (где (Зр и электропроводности под действием рентгеновского облучения и без него)для органи -ческих жидкостей положительная по знаку ( Л<э>0) и наши результаты находятся в согласии с литературными данными.

В качестве объектов исследования были выбраны немати-ческие жидкие кристаллы : 4-метоксибензшшден-4-бутиланилин-(МБЕА), п-этоксибензилвдш-п-толуидкн, 4-нитрофеншь-4-п-октилоксибензоат (ИЮОБ), 4-п-гексшюксифенил ; 4-п-децилок-слбензоат (ГОФДОБ) и холэстерические ЕК ряда эфиров холестерина.

Измерения показали, что собственная электроповодность исследованных кематических и холестерических веществ изменяется в широком интервале от 1СГ® до 1СГ** Си/и. Собственную электропроводность индивидуального жидкого кристалла изменяли также более чем на два порядка путем многократ-

ной очистки и легированием. Исследования показали, что при многократных нагреваниях и охлаждениях жидких кристал- . лов в динамике рентгеновского излучения температура фазовых переходов и температурный интервал существования мезофа-зи не изменялись.

Все физические характеристики изменения которых происходили в динамике рентгеновского излучения, бита строго воспроизводимы после прекращения облучения. Таким образом, можно утверждать, что под действием рентгеновского излучения мощностью до 1,2 Гр/с в отличие от jjn и прогонного не происходит, деструкции жидких кристаллов, в результате которой в веществе могли бн появиться радяационпо-индуцирЬванные примеси, влияющие на их физические свойства.

Исследования показали, что дополнительная электропроводность, возникающая под действием рентгеновского излучения в жидких кристаллах , составляет насколько процентов от соответствующих величин собственно? электропроводности л может быть как положительной так и отрицательной по знагсу. Поэтому для измерения дополнительного тока компенсировали собственный ток,а затем измеряли дополнительный ток, возникающий под действием рентгеновского излучения.

При измерении зависимости дополнительной электропроводности от температуры установлено, что величина и знак Л 6" зависят от значения собственной электропроводности разлет -ных ЕК. IIa рис.5 приведена в полулогарифмическом масштабе зависимость A<3=f(fy^c,)ДО51 различных исследованных нами НЕК и ХЕК.

В случае достаточно высокого значения (э0 =1СГ®-«-1(Г"^ См/м (ХВ) дополнительная электропроводность отрицательна по знаку. При &0 — 1СГП + Ю-1*3 См/м (ХА), Д<э положительна. Для ХП в холестерической и изотропной фазе <Э& =IÖ9+ 1СГ** См/м А*о отрицательна, а при переходе в смектическую фазу собственная эл^стропроводность резко уменьшается до величины ~ М-13 См/ м и дополнительная электропровод -ность становится положительной по знаку.

Таким образом, в работе экспериментально найдена область значений собственной электропроводности , в которой дополнительная электропроводность может изменять знак с

Полученные экспериментальные затономернооти подтверждаются также данными .которые найдены для А<3 при очистке и легировании ХБ (п-децилоксипиридинхлористый). В этом случае уменьшение при многократных очистках приводит к изменению знака с отрицательного на положительный, а легирование - к увеличению отрицательного по знаку А & . Следовательно, регулируя величину ег0 легированием и очисткой можно изменить как величину, так и знак дополнительной электропроводности.

Как положительная так и отрицательная ¿5<з"с увеличением мощности поглощенной дозы (£> ) рентгеновского излучения до 0.20- 0.40 Гр/с резко возрастает по абсолютной величине.

- -¿ъ -

ной величине.'

Наш также измерена подвижноетб () носителей заряда собственной электропроводности и зарядов создаваемых под действием рентгеновского излучения для нескольких Ж. Величина^и рассчитывалась по времени пролета заряда (1г) от одного электрода к другому ( с! ), определяемому методом

изменения полярности приложенного н образцу напряжения (М).

<8> -

Измерения показали, что подвижность носителей до облучения и в динамике облучения: в пределах погрешности эксперимента одинаковы: (/¿=5*10~^0 + 5'КГ^1-) М^/В'С.

Следовательно, могло предположить, что под дейотвием рентгена в Ж не возникают раДиационно индуцированннв примеси, влияющие на величину собственной электропроводности.

Всю совокупность полученных результатов можно объяс -нить, если предположить, что под действием рентгеновского излучения в веществе появляются заряды,имеющие противо -положний знак с носителями собственной электропроводности. 13 случае большой собственной электропроводности эти заряды полностью входят в рекомбинацию с носителями собственной электропроводности. В результате чего величина собственной электропроводности уменьшается и появляется отрицательная по знаку дополнительная электропроводность. Для случая малых значений собственной электропроводности заряды,создаваемые рентгеном,могут частично входить в рекомбинацию с носителями собственной электропроводности, а остальные двигаясь к аноду обеспечивают увеличение собственного тока и появление положительной по знаку дополнительной электропроводности. Подтверждением этого являются измерения вольта»,I-перных характеристик (ВО).

Вольтамгерная характеристика положительной плотности Огока является линейной вплоть до напряженности электрического поля Е = 3*10® ВД1, что свидетельствует об увеличе- ' нии вероятности достижения анода зарядами, создавав?,шми рентгеном. Нелинейность ВАХ отрицательного дополнительного тока, свидетельствует о возрастании вероятности рекомбина- ■

дни указанных зарядов с увеличением напряженности поля.

Обсуждаемые выше результаты подтверждаются при построении зависимостей положительного и отрицательного Л®

расстояния между электродами с1 . Положительный дополнительный Л <5 также как и собственный с увеличением . Ы остается постоянным, а отрицательная Л О" с увеличе -нием расстояния возрастает. По-видимому под действием рентгеновского излучения происходит ионизация молекул жидкого кристалла. Б результате чего в веществе появляются положительные ионы и свободные электроны. Однако представляется маловероятным участие положительных ионов в создании дополнительного тока, так как большие размеры,асси-мвтрия форш молекул и высокие вязкости мезофазы обеспечивают их малую подвижность.

Для подтверждения этого мы провели следующий опыт. Катод исследуемой ячейки располагали под разными углами к направлению падения рентгеновского излучения.

Известно, что под действием рентгеновского излучения из катода вырываются электроны.

Оказалось,что о увеличенная угла наклона катода величина положительной л отрицательной дополнительной электропроводности возрастают.'

Таким образом нами уртановлено, что действие рентгеновского излучения в отличие'от гамма- и протонного излучения ко приводит к деструкции жидких кристаллов, что проявляется в сохранении температуры фазовых переходов температурных интервалов существования мезофазы и обратимости всех его физических рвойств после выключения рентгеновского излучения.

Основные результаты диссертации и выводы кратко сводятся к следующему :

I. Разработаны экспериментальные методики исследования электрофизических параметров жидких криоталлов (комплексных значений главных диэлектрических проишаемостей в диапазоне частот 10ГЪ- 100 МГц и'температур - 20° +230°С, установления влияния электропроводности на электроопти -ческие эффекты в жидких кристаллах, изучения влияния рентгеновского излучения на электрофизические'свойства термо-

тройных жидких кристаллов,измерения теплопроводности ориентированных и неориентированных КК.

2. Обнаружены и исследоганы механизмы диэлектрической поляризации,связанные с вращением молекул вокруг длинной оси, прецессией длинной оси молекул по конусу к вращением молекул в изотропной й\азе для положительно п отрицательно диэлектрически анизотропных НдК.

3. Установлено, что релаксационные процессы, связанные с вращением полярных молекул в кекатичоской и изотропной фазе описываются уравнением Дебая с одним временем релаксации, а в некоторых случаях описываются спектром времен релаксации. Определены времена релаксационных процессов и соответствупщпэ энергии активации. Показано,что диэлектрические исследования могут служить методом детального анализа дипол^/дей структуры молекул жидкокристаллических вестэстз.,

4.Показано, что при переходе в область низких гастот (/"<10^ Гц) на диэлектрическую поляризацию иачиш т оказывать влияние электропроводность ЕК.

Предложен способ определения критической частоты перехода из диэлектрического в проводящей режим и установлена общ-ал закономерность^связывающая частоту перехода о собственной электропроводностью жидких кристаллов (^6*).

5. Исследована элвктрогидродкнаиичеекая (ЭГД) нестабильность в НИК с больной по^огдтелыюй по знаку диэлектрической анизотропией и широкой вариацией удельной электропроводности.

Установлена связь между удельной электропроводностью образцов и пороговыми напряжениями возникновения ЭГД-неста -бильяоети в постоянном и'синусоидальных, электрических полях. Показаны возможности использования "изотропного" механизма ЗГД- нестабильности для анализа полученных экспериментальных данных.

6. Обнаружена и экспериментально исследована анизотропия теплопроводности для Широкого круга НТК. Показано,что анизотропия теплопроводности положительна и среднее значение теплопроводности «Л, совпадает с соответствующим значением Л. измеренным в неориентированных образцах.

7. Установлена корреляция мезвду теплопроводностью и электропроводностью нематических и хэлоотеричееких ящдстх

'кристаллов. Показано, что отношение теплопроводности к электропроводности в мезофазе о увеличением температуры уменьшается. Обнаружено,что носители тока свободные ионы принимают участие в переносе тепла наряду с другими.известными механизмами теплопроводности.

8. Показано, что под действием рентгеновского излучения в отличие от и прогонного облучения не происходит деструкции адцких кристаллов. Вое изменения физических параметров, происходящие в динамике рентгеновского излучения,строго обратимы после выключения облучении.

9. Экспериментально обнаружена и количественно исследована различная по --"аку дополнительная электропроводность, возникающая в гадких кристаллах под действие!,! рентгеновского излучения. Установлено, что величина и знак дополнительной • электропроводности зависят от величины его собственной электропроводности!

Показано, что дополнительная электропроводность обусловлена электронная механизмом проводимости и определяется полной или частичной рекомбинацией электронов с носителями собственного тока.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих статьях :

1. Бабаев A.C., Сабуров B.C. Здектроярово&гость и вязкость холестерических жидких кристаллов//Электрохимия.-1979-T.I5, МО,- С.224-228. '

2. "Бабаев A.C., Сабуров B.C. .Стафеев В.И..Анизотропия электропроводности растворов -«холестерилкаприната/ДйХ- 1980.-T.I7, JE2.- C.I8I6-I8I9.

3. Бабаев A.C., Сабуров Е.С., Стафеев В.И..Егибеков П.Е.,Щу-хиев С., Тешаев Б.Т. Некоторые электрофизические свойства вдцсокристаллЕческих веществ// Б кн: Электрические свойства жидких кристаллов.-Душанбе :"Ирфон" 1982.-С.25-40.

4. Сабуров Б.С..Бабаев A.C., Тешаев Б.Т.,Маллабоев У.Н.Дил-лоов Х.Т. Электрические свойства растворов МКЕА// Кн: Электрические свойства жидких кристаллов.- Душанбе "Ирфон"-С.57-61.

5. Бабаев A.C., Сабуров Б.С.,Тешаев Б.Т., Абдуллаев С'.Ф.,Ста-cj'oer ПЛ. Электрофизические свойства растворог холестё-

рилвалериата/Дн: Электрические свойства жидких кристаллов.- Душанбе: "Ир$он",1Э82. С.46-5Г.

6. Бабаев Л.С.,Сабуров B.C., Маллабоев У.М,.Тешаев Б.Т. Электрические свойства, сгабшшзированнсгго ЗББА /Дн: Электрические свойотва жидких кристаллов,- Душанбе: "Ирфон",

1982.- С.68-71.

7. Бабаев A.C., Тешаев1 Б.Т.,Сабуров B.C. Анизотропия элект-. рических параметров нематических жидких кристаллов//Кн:

Электрические свойства жидких кристаллов.-Душанбе:"Ир- .. фон", 1982.- С.89-94.

8. Сабуров Б.С., Бабаев A.C., Тиллэев X.Т..Маллабоев 7.И., Тешаев Б.Т. Электрические свойства растворов ЭББА//В кн: "Электрические свойства жидких кристаллов".-Душанбе¡"Ирфон", 1982.- С.102-107.

9. Бабаев A.C., Тешаев Б.Т..Сабуров Б.С. Температурная зависимость вязкости нематических жидких кристаллов// В кн: Электрические свойотва жидких кристаллов.-Душанбе, "Ирфон", 1982.- С.135-139.

Ю.Бабаев A.C., Тешаев Б.Т., Сабуров Б.С. Диэлектрическая проницаемость нематических жидких кристаллов// В кн.: Электрические свойства жидких кристаллов.- Душанбе: "Ирфон", 1982.- C.I5I-I55.

П.Бабаев A.C., Тешаев Б.Т., Стафеев В.И..Болотин Б.М..Сабуров Б С. Дополнительная электропроводность нематических жидких кристаллов в области фазовых переходов // В кн.: Электрические овойотва жидких кристаллов. Душанбе:"Ирфон", 1982.- С.160-165.

12.Бабаев A.C., Сабуров Б,С., Стафеев В.И. Влияние стабилизаторов на электрические свойства жидких крксталлов/fcDX.-

1983. - Т.7.- С.2084-2086.

13.Бабаев A.C., Сабуров Б.С., Стафеев В.И. Анизотропия электропроводности растворов холестерилстеарата// ЖФХ,-

Q 1983.- Т.7.- С.2086-2088.

14.Бабаев A.C., Сабуров Б.С., Стафеев В.И. Электрические свойства лиотропного Э1ЕА.// ЕМ.-1983.- Т. 7.- С. 23302331.'

15.Бабаев A.C., Шухиев С.Ш., Сабуров Б.С., Стафеев В.И.Влот-ние рентгеновского излучения на электропроводность .жид-

ких кристаллов // ЖФХ - I983.-T.7. - С.1797.

16. Бабаев A.C., Сабуров A.C., Савдов Н.С., Стафеев В.И.,

. Тураев УЛ. Теплопроводность нематического жидкого крис' талла МББА и его эвтектитескойсмеси // ЕМ.-1986.-Т.60, й 9.- C.23I6-23I8. ;

17. Адхаыоэ A.A., Бабаев A.C., Сабуров Б.С., Маллабоев У.М. Низкочастотная дисперсия диэлектр ческой проницаемооти нематических жидких кристаллов //ДАН Тадж.ССР.-1986,-Т.29, № 8.- С. 157-161. ,• -

18. Сабуров B.C., Маллабоев Ковшик А.П.,Ршцев Е.И. Молекулярные механизмы дшюльной поляризации термотроп. них жидких кристаллов в радиочастотном диапазоне //ДАН

Тадж. ССР -1987.-T.30, №. -С. 99-102.

19. Сабуров B.C., Маллабоев У.М.,Ковшик А .П., Ршцев Е.И.Ре-лаксационные явления и механизмы дшюльной поляризации в жидкокристаллических ди(4-н-гекскпокси)бензоат-2-гидрохи-нона и нитрогидрохинона //ДАН Тадж.ССР.-1987.-Т.30,йЗ, . C.I57-I6I.

20. Сабуров Б.С.,Тиллоев X.Т..Маллабоев У.М. Влияние различных органических добавок на низкочастотные влектричеокие параметры нематических жидких крисгаллов//ДАН Тадж.ССР,-1987.- Т.30,№8.-С.500-503,

Бабаев A.C., Сабуров Б.С.', Маллабоев У.М..Ковшик А.П,, Ршцев Е.И. Диэлектрическая релаксация в нематической и изотропной фазах сильно полярных жидких кристалла*// №.-1988.- Т.62,№4.-1046-1049.

22. Бабаев А.С.,Сабуров Б.С..Маллабоев У.М.,Тиллоев Х.Т.Определение частоты перехода нематического жидкого криотал-ла от режима электропроводности к диэлектрическому режиму// m.-I988.-T.62,J64.- С.1011-1045.

23. Шухиев С., Сабуров Б.С., Рпмцез Е.И. Влияние рентгеновского излучения на электропроводность термотропных жидких кристаллов// ДАН 1Ъдж.ССР.-1э87.-Т.30, Я6.-С.502-505.

24. Сабуров B.C.,Шухиев С., Ршцев Е.И. О механизм^ дополнительной электропроводности в термотропных жидких кристаллах под действием рентгеновского излучения//ДАН Таде. ССР.- I988.~T.3I, £ 6- С.381-384.

25. Сабуров Б.С., Маллабоев У.М..Бабаев A.C. ¿¡лляние ионных

примесей на электрические'свойства жидких кристаллов// Изв. АН Тадж.ССР,- I987.-M.- С.95-97.

26. Рюмцев ЕЛИ. .Ковшик А.П., Сабуров Б.С.,Маллабоев V.U., Гребенкин М.Ф. Диэлектрические свойства и дипольпая структура молекул жидкокристаллического 5-амкл-2-(4-циа-нофенил)пиридина /кристаллография. 1988.- Т.ЗЗ, вып.5-С. I3I7-I3I9.

27. Саидов Н.С., Сабуров Б.С.,Богданов А.И.Дусаинов П.Р. Геплопроводнооть жидких кристаллов и ее корреляция с электропроводностью // ДАН Тадж.ССР.-1988.-Г.31,.№7,-С.153-155.

28. Савдов Н.С., Маджидов X.,Сабуров Б.С.,Сафаров М. Тепло- . проводность и электропроводность некоторых термотройных жидких кристаллов // ДАН Тадж.ССР.-1989.- Т.32,Л 6.-С. 38СР384. ч

29. Саидов Н.С. .Маджидов Х.М., Сабуров E.G. .Сафаров м.М. Применение закона соответственных состояний л г расчета теплопроводности некоторых смесей нематических жидких . кристаллов // ДАН Тадж.ССР.- 1989.- Т.32.Ш.- С.748-753.

30. Саидов Н.С., Маджидов X.,Сабуров Б.С., Сафаров М.М. Тап-. лопроводность и электропроводность некоторых смесей нематических жидких кристаллов// ДАН Гада.ССР.-1989.- Т. 32. ,№2.- С.810-823.

31. Саидов Н.С.,Маджидов X. .Сафаров М.М.,Сабуров Б.С. Прше-нение закона соответственного состояния для расчета теплопроводное щ жидких кристаллов //Инженерно-физический журнал.Минск.-1990.-Т.58 ,К2.-С.323-324.

32. Адхамов A.A., Рюмцев Е.И.,Сабуров Б.С.,Маллабоев У.М., Раджаб И.У, .Адоменас П.Б. Дипольная структура молекул

и диэлектрическая релаксация в жидкокристаллическом 4-п-нитрогио;Т»?:гил- 4-гексгалокоибензоате// ДАЛ . СССР.-1989.-Т.396, J? 6.-СЛ393-1393.

33. Сабуров Б.С. .ПолушагС.Т.,Тиллоев Х.Т.,Маллабоев У.М., Рга.щев' Е.И. Влияние электропроводности на частоту перехода из диэлектрического в проводящий режим//ДАН Тадж.ССР - 1989.-Т.32, й G.-С.316-322.

34. Сабуров Б.С., Цухиев С., Рюмцев Е.И. Электропроводность жидких кристаллов в динашке рент: эновского излучения//

ДАН Тада.ССР,- 1990.- Г.ЗЗ,JM.-С. 239-313.

35. Ддхамов A.A., Рюмцев Е.И.,Сабуров Б.С., Щухиев С. Влияние рентгеновского излучения на электрофизические свойства термотропннх жидких кристаллов // ДАН СССР,-T.3I3./S.- С. II42-II45.

36. Рюмцев E.H., Ковшик А.Е., Сабуров Б.С.,Раджаб И.7., Безбородов B.C.,Цветков В.Н. Диэлектрическая дисперсия в монотропных жидких кристаллах// ДАН CCCP.-r.3I3.Ji5,-С. II68-II73.

37. Сабуров Б.С., Маллабоев У.Н. .Раджаб И.У.. Ковшик Л.П., Рюмцев Е.И. Полярность молекул и релаксационные явления в жидкокристаллическом оС - цианостильбенов' // ДАН Тада.ССР.- 1990 - Т.ЗЗ.й 8.- С.512-515.

38. Саидов Я.С., Мадаидов X., Сабуров Б.С., Сафаров М.М. Теплопроводность и электропроводность некоторых нематических жидких кристаллов в зависимости от температуры// Теплофизика высоких энергий .-1990.- .Т.28, Ü4-C.828.

39. Полунин С.Гоs Рюмцев Е.И., Сабуров Б_С., Тиллоев Х.Т. Влияние электропроводности на ЭГД- нестабильности в не?латяках с большой положительной диэлектрической анизотропией.// Вестник ЛГУ. Сер. физ,- 1991, вып.1.-С.94-98.

40. Сабуров Б.С., Полушин С .Т., Тиллоев Lt., Ргамцев Е.И.-Изотропный механизм элактрогщцродинамической нестабильности в жидких кристаллах с большой положительной диэлектрической анизотропией.// ДАК Тадж.ССР -1991.^.34., Й5.- е..

Сдано в набор 26.03.91г. Подписано в печатк.28.03.91г. Форяат 60x84/16„ Бумага писчая. Офсетная печать. Усл.печ.д.1,8.' Уч-и.зд.л.1„3. Тираж 100. Закав 174.

Типография ТСХй, 734017,г. Душанбе, пр. Ленина, 146.