Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников

Каданцев, Алексей Васильевич

Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Каданцев, Алексей Васильевич АВТОР

кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Воронеж МЕСТО ЗАЩИТЫ

2006 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.10 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников»

Автореферат диссертации на тему "Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников"

На правах рукописи

КАДАНЦЕВ Алексей Васильевич

ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Специальность 01.04.10 — «физика полупроводников»

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Воронеж - 2006

Работа выполнена в Воронежском государственном университете.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук,

профессор Левин Марк Николаевич

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Бормонтов Евгений Николаевич;

Ведущая организация: Воронежский государственный технический

университет.

Защита состоится « 27 » апреля 2006 г. в 1700 часов в ауд. №480 на засе дании диссертационного совета Д.212.038.10 при Воронежском госу дарственном университете по адресу: 394006, г. Воронеж, Университет екая пл. 1.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государ ственного университета.

Автореферат разослан « 24 » марта 2006 г.

кандидат физико-математических наук, Ровинский Александр Павлович.

Ученый секретарь диссертационного совета

МАРШАКОВ В.К

£00 б А 6438

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Исследование дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых материалах и многослойных структурах на основе полупроводников является одним из основных направлений физики полупроводников. Постоянная потребность в таких исследованиях связана с разработкой новых полупроводниковых материалов и приборных структур на их основе для элементной базы твердотельной электроники.

Основные проблемы, возникающие при анализе, интерпретации и моделировании формирования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников (структурах типа металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник), обусловлены тем, что наблюдаемые изменения электрофизических параметров исследуемых структур являются интегральным результатом дефектообразования, происходящего по разным механизмам в полупроводнике, диэлектрике и на границе их раздела. Эти проблемы могут быть разрешены только при комплексном исследовании, обеспечивающем возможность независимого контроля и разделения процессов образования дефектов в полупроводниках, диэлектриках и на границах их раздела. Комплексный подход к исследованию дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников подразумевает совместное использование набора прецизионных электрофизических методов исследования дефектообразования в полупроводниковых подложках, диэлектрических слоях и границах раздела полупроводник-диэлектрик в исследуемых структурах.

Необходимость решения указанных проблем определяет актуальность разработки комплекса прецизионных электрофизических методов исследования дефектов с глубокими уровнями в слоях и на границах раздела структур типа металл-полупроводник (МП) и металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), включая создание универсального прецизионного измерительного оборудования, которое позволило бы реализовать совместное использование существующих и разрабатываемых методов.

Цель работы: разработка комплекса электрофизических методов исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников, создание универсального прецизионного измерительного оборудования, обеспечивающего

ной спектроскопии глубоких уровней (Deep Level Transient Spectroscopy -

DLTS), емкостной, токовой и фотоэмиссионной.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи исследования:

1. Разработка прецизионного метода DLTS для исследования дефектов с глубокими уровнями в полупроводниках, создание оборудования для его реализации и проведение исследований воздействия радиации и электромагнитных импульсов на спектры глубоких уровней в кристаллах Si и GaAs.

2. Разработка комплекса емкостных и токовых методов для исследования дефектообразования в МДП-структурах, создание универсальной автоматизированной измерительной установки для его реализации и исследование радиационного дефектообразования в МДП-структурах методами вольт-фарадных характеристик, подпороговых токов и токов накачки заряда с учетом планарной неоднородности и краевых эффектов.

3. Разработка метода исследования пространственного распределения ра-диационно-индуцированного заряда в диэлектрических слоях кремниевых МДП-структур с глубокими уровнями по токам внутренней фотоэлектронной эмиссии.

Научная новизна.

1. Предложен способ определения эффективного заряда в полупроводнике, эффективной плотности поверхностных состояний и фактора гетерогенности поверхностного потенциала в МДП-транзисторных структурах из совместных измерений токов накачки заряда и подпороговых токов.

2. Разработан метод определения пространственного распределения объемной плотности радиационно-индуцированного заряда, локализованного на дефектах с глубокими уровнями в диэлектрике кремниевой МДП-структуры, по вольт-амперным характеристикам токов внутренней фотоэлектронной эмиссии.

3. Предложен метод определения проводимости внеэлектродного инверсионного слоя в МДП-структуре с локализованным зарядом в диэлектрике по активной составляющей адмиттанса структуры, являющийся более чувствительным по сравнению с известным емкостным методом.

4 Впервые методом ПЬТ$ наблюдался эффект уменьшения концентрации исходных дефектов в кристаллах кремния и арсенида галлия в результате воздействия малых доз гамма-излучения.

5. Впервые наблюдался эффект изменения ОЬТЗ-спектра поверхностных электронных состояний в кристаллах арсенида галлия в результате воздействия импульсного магнитного поля.

Практическая значимость.

1. Автогенераторный ИЬТ8 спектрометр обеспечивает возможность автоматизированных исследований дефектов с глубокими уровнями в полупроводниках с повышенной точностью.

2. Универсальный измерительный комплекс для электрофизических исследований многослойных структур на основе полупроводников емкостными и токовыми методами позволяет исследовать радиационные, электромагнитные и иные воздействия на характеристики слоев и границ раздела МДП-структур и, в частности, может использоваться для контроля радиационной стойкости МОП (КМОП) интегральных схем.

3 Предложенный метод расчёта сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя по активной составляющей адмиттанса МДП-структуры существенно расширяет диапазон определения параметра по сравнению с известным методом расчета по реактивной составляющей.

4. Предложенный метод исследования распределения заряда в диэлектрике кремниевой МДП-структуры по токам внутренней фотоэлектронной эмиссии может использоваться при оценке качества и радиационной стойкости подзатворных диэлектриков.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту:

1 Разработанный метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней, основанный на автогенераторном способе измерения высокочастотной ёмкости при малой амплитуде тестового сигнала, который обеспечивает измерение релаксации емкости с относительным разрешением А С/С < 10"5, что позволяет обнаруживать глубокие уровни с концентрацией до 10" см"3. Повышение достоверности определения параметров глубоких уровней достигается регистрацией семейства характеристик изотермической релаксации емкости в широком температурном интервале.

2. Воздействие гамма-излучения Со60 в диапазонах доз до 104 Р для кристаллов 81 и до 5-Ю6 Р для кристаллов ваАБ приводит к уменьшению амплитуды максимумов исходных спектров ОЬТБ без образования новых максимумов, что свидетельствует о снижении концентрации исходных дефектов в результате их взаимодействия с радиационными дефектами.

3. Воздействие импульсного магнитного поля с индукцией до 0,5 Тл на кристаллы ваАя приводит к изменению спектра ПЬТЭ поверхностных электронных состояний, что может быть обусловлено снятием спиновых запретов на дефектные реакции в магнитном поле.

4. Комплекс емкостных и токовых методов исследования дефектообразо-вания в МДП-структурах и универсальная измерительная установка, реализующая методы вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, включая измерение подпороговых токов и токов накачки заряда, позволяет разделить эффекты воздействия радиации на полупроводник, границу раздела полупроводник-диэлектрик и диэлектрик МДП-структуры.

5. Расчет сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя по активной составляющей адмиттанса существенно расширяет диапазон измеряемой величины по сравнению с известным методом расчета по реактивной составляющей.

6. Вольт-амперные характеристики фотоэмиссионного тока позволяют определить параметры пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике кремниевой МДП-структуры.

Практическая реализация результатов работы. Разработанные методы исследования радиационного дефектообразования в МДП-структурах и оборудование, созданное для их реализации используются в НИР ВГУ по разработке контроля радиационной стойкости КМОП БИС, выполняемых для ФГУП ЦНИИмаш

Личное участие автора в получении научных результатов. Автору принадлежит разработка новых методов емкостной, токовой и фотоэмиссионной спектроскопии исследования дефектов в полупроводниковых кристаллах, на границе раздела полупроводник-диэлектрик и в диэлектрических слоях многослойных структур, создание автоматизированного оборудования для реализации разработанных методов, проведение экспериментальных иссле-

дований радиационных и электромагнитных воздействий на дефектность многослойных структур на основе полупроводников, интерпретация полученных результатов.

Публикации. Основные результаты, представленные в диссертации, опубликованы в 13 печатных работах, в том числе 8 статьях и 5 материалах докладов на научно-технических конференциях.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на конференциях, таких как: Международная научно-техническая школаг-семинар " Молодые ученые 2002", (Москва, 2002); Международная научно-техническая конференция "Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию", (Москва, 2003); V Международная конференция "Кибернетика и технологии XXI века" (Воронеж, 2004); Международная научная конференция 'Тонкие пленки и наноструктуры", (Москва, 2004); V Международная научно-техническая конференция "Электроника и информатика - 2005", (Зеленоград, 2005)

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 152 наименования. Объём диссертации составляет 148 страниц, включая 55 рисунков.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи работы, указаны положения, выносимые на защиту, определены научная новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены данные о структуре диссертации, основных публикациях и апробации работы.

Первая глава представляет собой аналитический обзор литературы по вопросам дефектообразования в структурах метапл-диэлектрик-полупроводник и электрофизическим методам исследования этих структур. Глава включает четыре раздела: 1.1- радиационное дефектообразова-ние в МДП-струюурах: 1 2 - стационарные методы исследования пара-

метров МДП-структур; 1.3 - нестационарные методы исследования параметров МДП-структур; 1.4 - методы исследования пространственного распределения объёмного заряда в диэлектрических слоях.

Глава завершается постановкой цели и задач исследования

Вторая глава посвящена разработке методов и аппаратуры для исследования дефектов с глубокими уровнями в полупроводниках методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней.

В разделе 2.1 приведено описание разработанного автоматизированного прецизионного ЭЬТБ спектрометра (рис. 1) для исследования параметров глубоких уровней в полупроводниках, который, позволяет измерять стационарные и динамические вольт-фарадные характеристики структур металл-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник. В спектрометре реализован частотный автогенераторный метод измерения высокочастотной (ВЧ) ёмкости при малой амплитуде сигнала (~10 мВ). Автогенератор является оригинальной разработкой и представляет собой ЬС-генератор, активным элементом которого, определяющим частоту генерации, является исследуемая структура. Измерение частоты автогенератора осуществляется частотомером путем подсчета числа импульсов за образцовый интервал времени. Использование такого метода позволяет регистрировать сигнал релаксации ёмкости с относительным разрешением ДС/С < 10"5. Температурный диапазон измерений (77 -§- 370) К с точностью удержания температуры в процессе регистрации сигнала релаксации ёмкости ±0,1 К. Проведение измерений осуществляется в автоматическом режиме. Программное обеспечение написано

Рис 1 Блок-схема ЭЬТБ спектрометра

с использованием объектно-ориентированных методов на Borland Pascal 7.0. Некоторые фрагменты, связанные с взаимодействием программы с аппаратными средствами компьютера, написаны на языке Assembler. Процесс измерений организован таким образом, что за один цикл нагрева исследуемого образца при каждой фиксированной температуре, проводится серия измерений в различных режимах, которые задаются перед началом работы.

В разделе 2.2 представлены результаты исследования воздействия гамма-излучения на электрофизические параметры глубоких уровней в кремнии и арсениде галлия методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней с использованием разработанного оборудования. Обнаружен эффект "залечивания" электрически активных дефектов в исследуемых полупроводниках в результате воздействия гамма-излучения. Эффект проявляется в изменении концентрации глубоких центров, соответствующих дефектам (рис. 2), и объясняется взаимодействием радиационно индуцированных точечных дефектов с исходными дефектами в полупроводниковом кристалле.

Рис 2 Сигнал кристалла ОаАэ 1 - исходный, 2, 3 - после воздействия

гамма-излучения дозой 104 Р и 5 106Р, соответственно Режим регистрации сигнала 1| = 0,01 с, ¡¡^ 0,2 с для всех спектров

В разделе 2.3 представлены результаты исследования воздействия импульсных магнитных полей (ИМП) на дефектную подсистему монокристаллов арсенида галлия методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Обнаружен эффект необратимого изменения спектра глубоких уровней, соответствующих поверхностным электронным состояниям (ПЭС), в результате обработки кристалла арсенида галлия импульсным магнитным полем. Эффект заключается в изменении температурного положения пика ПЭС (рис 3). Положения и амплитуды пиков, обусловлен-

пэс

сигнал DLTS

0,20

0,15

0,10

0,05

100 130 160 190 220 250 280 310 340 370 Т, К

Рис 3 Влияние обработки ИМП (Н=104 Э) на DLTS спектры кристаллов GaAs 1 - до воздействия и 3 - после воздействия ИМП, 2 - до воздействия и 4 - после воздействия ИМП с предварительной обработкой кристаллов GaAs в парах селена Режим регистрации сигнала ti = 0,01 с, t2 = 0,2 с для всех спектров

ных объемными глубокими уровнями EL6 и EL2 в результате воздействия ИМП не менялись, что свидетельствует о чувствительности к воздействию ИМП только поверхностных электронных состояний. Спектры DLTS пластин арсенида галлия, предварительно обработанных в парах селена, не менялись в результате воздействия ИМП. Обнаруженный эффект может быть объяснен с позиций концепции решеточного магнетизма, индуцированного дефектами.

Третья глава посвящена разработке комплекса ёмкостных и токовых методов и оборудования для исследования радиационных воздействий на МДП-структуры.

В разделе 3.1 представлен автоматизированный измерительный комплекс для исследования тестовых структур МДП интегральных схем (рис. 4), который позволяет реализовать следующие виды измерений тестовых структур МДП интегральных схем.

1. DLTS методики: метод релаксации емкости, метод DLTS в режиме постоянной емкости; метод DLTS в режиме постоянного подпорого-вого тока МДП-транзистора (МДПТ). Реализуемые методики позволяют определять пространственное и энергетическое распределение дефектов в полупроводнике, сечения захвата этими дефектами для электронов и дырок, спектр поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик.

Персональный Несовместимый компьютер

г»-1-

ивВ 2.0 интерфейс

Измерительный блок

Схема управления нагревателем

Схема управления

Схема частотомера

Многоканальный

АЦП

П реобраэователь ток-напряжение

Усилитель

сигнала термопары

Формирователь импульсов смещения -1-

ЬС-автогенератор

Блок коммутаторов

таг-

4-М-Т—,

Измерительная головка

■| Нагреватель Измерительная ячейка

Рис 4 Блок-схема измерительного комплекса.

2. Методы вольт-емкостных (СУ) характеристик: метод высокочастотных стационарных СУ характеристик; метод квазистатических СУ характеристик; метод нестационарных СУ характеристик. Методики позволяют определять высоту барьера в диодах Шотгки, величину эффективного заряда в диэлектрике и плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлекрик МДП-структуры, профиль легирования полупроводника, время жизни неосновных носителей в полупроводнике.

3. Методы вольт-амперных характеристик: методы стационарных ВАХ; методы динамических ВАХ; метод подпороговых ВАХ МДПТ. Эти методики позволяют определять подвижность и концентрацию подвижного заряда в диэлектрике МДП-структуры, величину фиксированного заряда в диэлектрике и плотность поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик МДПТ.

4. Метод токов накачки заряда позволяет определять концентрацию и энергетическое распределение поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик в МДПТ с использованием импульсов прямоугольной и треугольной формы, а также оптимизированных трехуровневых импульсов.

В разделе 3.2 представлены результаты исследования воздействий рентгеновского излучения на зарядовые свойства границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП-транзисторе с учетом эффектов короткого канала и планарной неоднородности. Исследования проводились на п- и р-канальных тестовых транзисторах серийных МДП ИС. Радиационное воздействие осуществлялось "мягким" рентгеновским излучением с энергией квантов Ех~ 25 кэВ на установке ИРИС-ЗМ дозой до 5-Ю5 Р.

Установлено, что рентгеновское облучение наряду с образованием радиационно-индуцированного заряда приводит и к росту неоднородности его распределения (параметр а<з). Генерация заряда сопровождается генерацией поверхностных состояний (ПС) (рис. 5). При этом расчет плотности ПС без учета планарной неоднородности поверхностных параметров дает завышенные значения. Разность эта тем больше, чем выше доза облучения. Полученные результаты свидетельствуют о необходимости учета планарной неоднородности распределения поверхностных параметров для корректного определения плотности ПС.

Методами подпороговых токов и токов накачки заряда установлено коррелированное измерение интегральной плотности ПС и эффективного заряда в окисле при рентгеновском облучении МДПТ (рис.6).

В разделе 3 3 проведен анализ высокочастотного адмиттанса МДП-структуры с инверсионным слоем вне области затвора после ра-

Рис 5 Дозовые зависимости изменения заряда в окисле (1), плотности ПС (3) и флуктуационного параметра а<з (4) для п - канального МДПТ 2 - дозовая зависимость плотности ПС, рассчитанная из наклона сток-затворной подпороговой ВАХ без учета планарной неоднородности МДПТ

— 9

'и

2 в

Ж-

(г^-1-

0,/10"ст-

Рис 6 Параметрические зависимости плотности ПС и эффективного заряда <3« в пошатворном диэлектрике для п - канального МДПТ Дозы 1 - Ю1 Р. 2 ■ 2 10' Р 3-310'Р 4-4 10'Р, 5-5 1СГР

диационного воздействия. При малой плотности радиационно-индуцированных ПС и больших величинах положительного заряда в диэлектрике возможно образование на поверхности полупроводника р-типа инверсионного слоя. В результате наблюдается эффект бокового растекания тока по инвертированной поверхности полупроводника, который проявляется в увеличении неконтролируемых токов утечек в МДП элементах интегральных схем и увеличении высокочастотной емкости МДП-структуры в области инверсии. Выявлены ограничения известного метода определения сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя МДП-структуры. Показано, что форма кривой ВЧ дифференциальной проводимости МДП-структуры с внеэлектродным каналом в области инверсии определяется соотношением величин сопротивления инверсионного слоя и площади электрода.

Предложен метод определения сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя по максимальному значению ВЧ дифференциальной проводимости в области инверсии.

В случае линейной конфигурации электрода сопротивление внеэлектродного инверсионного канала Ип может быть определено из соотношения:

где а и b - ширина и длина электрода, соответственно; Со - емкость обедненного слоя полупроводника под электродом; С,* - емкость слоя диэлектрика; ш = 2nf; f - частота измерительного сигнала; Gmax - максимальное значение дифференциальной проводимости в области инверсии.

Четвертая глава посвящена разработке методов исследования пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике кремниевой МДП-структуры.

В разделе 4.1 представлены результаты моделирования фотоэмиссионных вольт-амперных характеристик (ФЭВАХ) кремниевой МДП-структуры. Показано, что ФЭВАХ структуры poly-Si-Si02-Si при наличии локализованного в диэлектрике заряда (JI3) имеет три характерных участка (рис. 7). Участкам плавного изменения тока соответствует положение энергетического минимума потенциала вблизи одной из границ диэлек-

2bGmax(CD + Cok)'

v,b

Рис 7 Расчетные ФЭВАХ структуры poly-Si - S1O2 - Si Ф, = Ф2 = 4 эВ, Симметричное распределение заряда

1 - Plmax=2,4 1018см'3 (Qo(=l,01012 см'2),

2 - Pto,ax=3,6 10,8см'3 (Q«=l,5 Ю12 см'2),

3 - Ртач=4,8 10|8см"3 (Qo4=2,0 1012 см'2), Несимметричное распределение заряда

4 - Р|ш»ч1=2,4 10|8см"3 (Q«=1,0 1012 см 2),

Ршич2=4>8 10|8см'3 (Qo1=2,0 1012 СМ'2) о = 1,7 нм для всех распределений

трика. Ток при этом определяется в основном фотоэмиссией из противоположного электрода. Скачок тока ФЭВАХ обусловлен изменением направления поля в электронейтральной части диэлектрика и соответствующим перемещением энергетического минимума потенциала от одной эмитирующей границы к другой.

При моделировании предполагалось, что радиационно-инду-цированный положительный заряд имеет распределение Гаусса, расположен вблизи границ диэлектрика, и максимум распределения (Ришх) отстоит на величину За от границы.

Участки плавного роста тока достаточно хорошо аппроксимируются прямой линией Наклон ВАХ на этом участке определяется только величиной эффективного заряда у соответствующей границы.

Спектральная характеристика фотоэмиссионного тока определяется величиной квантового выхода: У(Ьу) = А (Ъу - ДФ)Р • ехр(-х0/^), где А -определяется интенсивностью падающего ультрафиолетового излучения; АФ = Фо - л/2ЬЕ ; Ь =-ч/(8те0е„); Ф0- высота потенциального барьера (ПБ) в отсутствие внешнего электрического поля. Высота ПБ может быть определена экстраполяцией линейного участка характеристики, построенной в координатах I1'2 -Ьу на ось энергии квантов ультрафиолетового излучения.

Разработана методика определения профиля пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике кремниевой МДП-структуры по токам внутренней фотоэмиссии, которая включает следующие этапы. Из фотоэмиссионной ВАХ по значению характерного напряжения, получаемого экстраполяцией прямолинейного участка ВАХ до пересечения с осью напряжений, определяется величина эффективного заряда у каждой из границ диэлектрика. Из экспериментальной спектральной

характеристики определяется высота ПБ у соответствующей границы. По полученным значениям с использованием расчетных зависимостей (рис. 8) подбираются параметры распределения Гаусса, соответствующие распределению ЛЗ. В разделе 4.2 представлена измерительная установка для проведения фотоэмиссионных исследований, которая регистрирует фото' имиссионный ток (Ю'^-Ю"6) А в кремниевом МДП-конденсаторе при облучении его УФ излучением (200-400) нм.

3,96 3,9

со 3,86 «

в 3,8

- 3,75

3.7 3,66

0,8 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 0,5 1 1,5 2 2,6 3 3,5 4

Рис 8 Расчетные зависимости высоты потенциального барьера на границе эмитгирую-щий электрод - диэлектрик Ф (а) и эффективного заряда С?0, (Ь) от максимального значения положительного заряда в распределении Гаусса Р,тах и параметра среднеквадратичного отклонения а (о = 1,5,2, 3,4, 5, 6, 7 нм для кривых 1 - 7, соответственно)

В разделе 4.3 приведены результаты апробации разработанной методики для определения профиля пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике тестовой кремниевой МДП-структуры, облученной с разным смещением на затворе. С помощью предложенной методики определены параметры распределения Гаусса, которым аппроксимировано распределение радиационного заряда.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

^ 1. Разработан прецизионной метод ЭЬТБ для исследования дефектов с

глубокими уровнями в полупроводниках, основанный на частотном автогенераторном способе измерения высокочастотной ёмкости при малой амплитуде тестового сигнала, который обеспечивает измерение релаксации емкости с относительным разрешением ДС/С < Ю'\ что позволяет обнаруживать глубокие уровни с концентраций до 10" см"3. 2. Впервые методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней обнаружен эффект уменьшения концентрации электрически активных дефектов в кремнии и арсениде галлия в результате воздействия малых

I I

доз гамма-излучения. Эффект проявляется в изменении концентрации глубоких центров, соответствующих дефектам, и объясняется взаимодействием радиационно-индуцированных точечных дефектов с исходными дефектами в полупроводниковом кристалле.

3. Обнаружен эффект необратимого изменения ОЬТ8-спектра глубоких уровней, соответствующих поверхностным электронным состояниям, в результате обработки кристалла арсенида галлия импульсным магнитным полем. Эффект заключается в изменении температурного положения пика в РЬТЗ спектре и может быть объяснен с позиций концепции решеточного магнетизма, индуцированного дефектами.

4. Разработан комплекс ёмкостных и токовых методов исследования де-фектообразования в МДП-структурах. Создан универсальный автоматизированный измерительный комплекс для исследования радиационных эффектов в тестовых МДП-элементах интегральных схем, который реализует методы вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик и включает измерение подпороговых токов и токов накачки заряда.

5. Методами подпороговых токов и токов накачки заряда с учетом эффектов короткого канала установлено коррелированное измерение интегральной плотности ПС и эффективного заряда в диэлектрике кремниевой МДП-структуры при рентгеновском облучении.

6. Проведен анализ высокочастотного адмиттанса облученной МДП-структуры с инверсионным слоем вне области затвора Разработан метод определения сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя по максимальному значению ВЧ дифференциальной проводимости в области инверсии, расширяющий диапазон определения параметра по сравнению с известным методом расчета по реактивной составляющей.

7 Разработан метод определения профиля пространственного распределения радиационно-индуцированного заряда в диэлектрике кремниевой МДП-структуры по токам внутренней фотоэмиссии. Метод включает определение высоты потенциального барьера и величины эффективного заряда у соответствующей границы МДП-структуры из экспериментальной спектральной характеристики фотоэмиссионного тока и фотоэмиссионной ВАХ, и сопоставление полученных значений с расчетными характеристиками.

СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Автоматизированный комплекс контроля релаксационных процессов в полимерных материалах / М.Н. Левин, В.В. Постников, H.H. Матвеев, A.B. Каданцев, Е.Д. Колесникова // Молодые ученые - 2002. Материалы Международной научно-техн. школы - семинара. М. : МИ-РЭА. - 2002. - С. 234-237.

2. Компьютерные технологии в экспериментах по исследованию электрофизических свойств кристаллизующихся полимеров / В.В. Постников, H.H. Матвеев, A.B. Каданцев, Е.А. Колесникова // Математическое моделирование, компьютерная оптимизация технологий, параметров оборудования и систем управления : межвуз. сб. - Воронеж, 2002. - вып. 7,ч. II.-С. 195-199.

3. Измеритель для нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках / A.B. Каданцев, Ю.К. Шлык, A.B. Татаринцев, М.Н. Левин // Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию : Труды Международной науч-тех. конф. - М.: 2003.

4. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках: методика, аппаратура, эксперимент / М.Н. Левин, A.B. Каданцев, A.B. Татаринцев, Ю.К. Шлык // Кибернетика и технологии XXI века : Материалы V Международной конф. - Воронеж, ВГУ, 2004. - Т. 1. - С. 401412.

5 Автоматизированный DLTS спектрометр / М.Н. Левин, A.B. Каданцев, A.B. Татаринцев, Ю.К. Шлык // Тонкие пленки и наноструктуры : Материалы Международной науч. конф. - М.: МИРЭА, 2004. - ч. 2. - С. 206209.

6. Автоматизированная установка для ёмкостной спектроскопии полупроводников / А.В Каданцев, М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, Ю.К. Шлык // ПТЭ. - 2004 - № 6. - С. 138-139.

7. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней с использованием интегрального преобразования Лапласа / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.B. Каданцев, А Э. Ахкубеков // Полупроводниковые гете-роструктуры : Воронеж, ВГТА, 2005. - С. 96-108.

8. Измерительный комплекс для исследования тестовых структур МДП интегральных схем / М Н. Левин, A.B. Татаринцев, П.А Лукьянович,

A.B. Каданцев, В.Р. Гитлин // Конденсированные среды и межфазные границы - 2005. - Т. 7, № 4. - С. 358-362.

9 Воздействие импульсных магнитных полей на спектр поверхностных электронных состояний монокристаллов арсенида галлия > М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.C. Дронов, A.B. Каданцев, Г.И. Котов // Конденсированные среды и межфазные границы - 2005. - Т. 7, № 4. - С 353357.

10. Моделирование радиационного токопереноса в структурах металл -диэлектрик - полупроводник / М Н. Левин, A.B. Татаринцев, В.А. Макаренко, A.B. Каданцев, В.Р. Гитлин // Вестн. Воронеж, гос. ун-та Сер Математика, Физика. - 2002. - № 2. - С. 30-37.

11. Определение сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя МДП - структуры / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.B. Каданцев, В Р Гитлин // Вестн. Воронеж гос. ун-та Сер Математика и физика. -2005.- №2. -С. 24-29.

12. Установка для исследования поляризационных свойств линейных полимеров при фазовых переходах типа кристалл - расплав / В.В Постников, A.B. Каданцев, Е.Д. Колесникова, М Н. Левин // Измерительная техника. 2005. -№ 12. - С. 66-67.

13. Эффект атермической аннигиляции дефектных комплексов в полупроводниках / М.Н. Левин, A.B. Татаринцев, A.B. Каданцев, В.Р Гитлин Н Электроника и информатика 2005 : V Международная научно-тех конф. - М.: Зеленоград, МИЭТ, 2005, 23 - 25 ноября. С. 31-32.

Подписано в печать 22.03.2006. Бумага офсетная 80г/м2 Гарнитура Times New Roman. Усл. п. л. 1,25. Тираж 100. Номер заказа 126.

Отпечатано в лаборатории оперативной полиграфии Издательско-полиграфического центра ВГУ

г. Воронеж, университетская площадь, 1, ком.43, тел.208-853

гоосА »-64 98

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата физико-математических наук, Каданцев, Алексей Васильевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ

I. 1. Радиационное дефектообразование в МДП-структурах на основе кремния и арсенида галлия.

1.2. Стационарные методы исследования параметров МДП-струк

I. 3. Нестационарные методы исследования параметров МДП- структур

I. 4. Методы исследования пространственного распределения объёмного заряда в диэлектрических слоях МДП-структур.

Цели и задачи.

ГЛАВА II. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СПЕКТР ГЛУБОКИХ

УРОВНЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ.

II. 1. Автоматизированный БЬТБ-спектрометр.

II. 2. Эффект радиационной аннигиляции дефектов в диодах Шоттки на кремнии и арсениде галлия.

II. 3. Воздействие импульсных магнитных полей на спектр глубоких уровней кристаллов арсенида галлия.

Выводы к главе II.

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЙ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК

III. 1. Автоматизированный комплекс для исследования радиационных дефектов в тестовых структурах МДП интегральных схем.

III. 2. Исследование радиационного дефектообразования в МДП-структурах.

III. 3. Эффект образования внеэлектродного инверсионного слоя в облученных МДП-структурах.

Выводы к главе III.

ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ РАДИАЦИОННОГО ЗАРЯДА В ДИЭЛЕКТРИКЕ МДП-СТРУКТУРЫ ПО ТОКАМ ВНУТРЕННЕЙ ФОТОЭМИССИИ.

IV. 1. Методика определения пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике МДП-структуры.

IV. 2. Автоматизированная установка для фотоэмиссионных исследований в МДП-структурах.

IV. 3. Экспериментальное определение пространственного распределения радиационного заряда в диэлектрике МДП-структуры

Выводы к главе IV.

Введение диссертация по физике, на тему "Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников"

Актуальность темы.

Исследование дефектов с глубокими уровнями в полупроводниковых материалах и многослойных структурах на основе полупроводников является одним из основных направлений физики полупроводников. Постоянная потребность в таких исследованиях связана с разработкой новых полупроводниковых материалов и приборных структур на их основе для элементной базы твердотельной электроники.

Цели и задачи исследования.

Цель работы состояла в разработке комплекса электрофизических методов исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников и создании универсального прецизионного измерительного оборудования, обеспечивающего реализацию методов нестационарной спектроскопии глубоких уровней (Deep Level Transient Spectroscopy -DLTS), емкостной, токовой и фотоэмиссионной спектроскопии.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи исследования.

2. Разработка комплекса емкостных и токовых методов исследования дефек-тообразования в МДП-структурах, создание универсальной автоматизированной измерительной установки для его реализации и исследование радиационного дефектообразования в МДП-структурах методами вольт-фарадных характеристик, подпороговых токов и токов накачки заряда с учетом пла-нарной неоднородности и краевых эффектов.

3. Разработка метода исследования пространственного распределения радиа-ционно-индуцированного заряда в диэлектрических слоях МДП-структур с глубокими уровнями по токам внутренней фотоэлектронной эмиссии.

Научная новизна.

4. Впервые методом БЬТБ наблюдался эффект уменьшения концентрации исходных дефектов в кристаллах кремния и арсенида галлия в результате воздействия малых доз гамма-излучения.

5. Впервые наблюдался эффект изменения БЬТБ-спектра поверхностных электронных состояний в кристаллах арсенида галлия в результате воздействия импульсного магнитного поля.

Положения, выносимые на защиту.

1. Разработанный метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней, основанный на автогенераторном способе регистрации высокочастотной мкости при малой амплитуде тестового сигнала, обеспечивает измерение релаксации емкости с относительным разрешением АС/С < 10"5, что по

11 1 зволяет обнаруживать глубокие уровни с концентрацией до 10 см" . Повышение достоверности определения параметров глубоких уровней достигается регистрацией семейства характеристик изотермической релаксации емкости в широком температурном интервале.

2. Воздействие гамма-излучения Со60 в диапазонах доз до 104 Р для кристаллов Б! и до 5-106 Р для кристаллов ваАз приводит к уменьшению амплитуды максимумов исходных спектров ОЬТБ без образования новых максимумов, что свидетельствует о снижении концентрации исходных дефектов в результате их взаимодействия с радиационными дефектами.

3. Воздействие импульсного магнитного поля с индукцией до 0,5 Тл на кристаллы ваАз приводит к изменению спектра ОЬТБ поверхностных электронных состояний, что может быть обусловлено снятием спиновых запретов на дефектные реакции в магнитном поле.

4. Комплекс емкостных и токовых методов исследования дефектообразова-ния в МДП-структурах и универсальная измерительная установка, реализующая методы вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик, включая измерение подпороговых токов и токов накачки заряда, позволяет разделить эффекты воздействия радиации на полупроводник, границу раздела полупроводник-диэлектрик и диэлектрик МДП-структуры.

Практическая значимость.

1. Автогенераторный ОЬТБ спектрометр обеспечивает возможность автоматизированных исследований дефектов с глубокими уровнями в полупроводниках с повышенной точностью.

3. Предложенный метод расчёта сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя по активной составляющей адмиттанса МДП-структуры существенно расширяет диапазон определения параметра по сравнению с известным методом расчета по реактивной составляющей.

Практическая реализация результатов работы.

Разработанные методы исследования радиационного дефектообразова-ния в МДП-структурах и оборудование, созданное для их реализации используются в НИР ВГУ по разработке контроля радиационной стойкости КМОП БИС, выполняемых для ФГУП ЦНИИмаш.

Конкретное личное участие автора в получении научных результатов.

Лично автору принадлежит разработка новых методов ёмкостной, токовой и фотоэмиссионной спектроскопии исследования дефектов в полупроводниковых кристаллах, на границе раздела полупроводник-диэлектрик и в диэлектрических слоях многослойных структур, создание автоматизированного оборудования для реализации разработанных методов, проведение экспериментальных исследований радиационных и электромагнитных воздействий на дефектность многослойных структур на основе полупроводников, интерпретация полученных результатов.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на ниже перечисленных конференциях и семинарах: Международная научно-техническая школа-семинар " Молодые ученые 2002", (Москва, 2002); Международная научно-техническая конференция "Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию", (Москва, 2003); V Международная конференция "Кибернетика и технологии XXI века" (Воронеж, 2004); Международная научная конференция "Тонкие пленки и наноструктуры", (Москва, 2004); V Международная научно-техническая конференция "Электроника и информатика - 2005", (Зеленоград, 2005).

Публикации.

По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 13 печатных работ, в том числе 8 статьях и 5 материалах докладов на научно-технических конференциях.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 152 наименования. Объём диссертации составляет 148 страниц, включая 55 рисунков.

Заключение диссертации по теме "Физика полупроводников"

Основные результаты диссертации состоят в следующем:

1. Разработан прецизионной метод БЬТБ для исследования дефектов с глубокими уровнями в полупроводниках, основанный на частотном автогенераторном способе измерения высокочастотной ёмкости при малой амплитуде тестового сигнала, который обеспечивает измерение релаксации мкости с относительным разрешением АС/С < 10"5, что позволяет обна

11 1 руживать глубокие уровни с концентрацией до 10 см"

2. Впервые методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней обнаружен эффект уменьшения концентрации электрически активных дефектов в кремнии и арсениде галлия в результате воздействия малых доз гамма-излучения. Эффект проявляется в изменении концентрации глубоких центров, соответствующих дефектам, и объясняется взаимодействием радиационно-индуцированных точечных дефектов с исходными дефектами в полупроводниковом кристалле.

3. Обнаружен эффект необратимого изменения БЬТБ-спектра глубоких уровней, соответствующих поверхностным электронным состояниям, в результате обработки кристалла арсенида галлия импульсным магнитным полем. Эффект заключается в изменении температурного положения пика в БЬТ8 спектре и может быть объяснен с позиций концепции решеточного магнетизма, индуцированного дефектами.

4. Разработан комплекс ёмкостных и токовых методов исследования дефек-тообразования в МДП-структурах. Создан универсальный автоматизированный измерительный комплекс для исследования радиационных эффектов в тестовых МДП-элементах интегральных схем, который реали-зуюет методы вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик и включает измерение подпороговых токов и токов накачки заряда.

6. Проведен анализ высокочастотного адмиттанса облученной МДП-структуры с инверсионным слоем вне области затвора. Разработан метод определения сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя по максимальному значению ВЧ дифференциальной проводимости в области инверсии, расширяющий диапазон определения параметра по сравнению с известным методом расчета по реактивной составляющей.

7. Разработан метод определения профиля пространственного распределения радиационно-индуцированного заряда в диэлектрике кремниевой МДП-структуры по токам внутренней фотоэмиссии. Метод включает определение высоты потенциального барьера и величины эффективного заряда у соответствующей границы МДП-структуры из экспериментальной спектральной характеристики фотоэмиссионного тока и фотоэмиссионной ВАХ, и сопоставление полученных значений с расчетными характеристиками.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список источников диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Каданцев, Алексей Васильевич, Воронеж

1. Nichols D.K. A review of dose rate dependent affects of total ionizing dose irradiations / D.K. Nichols // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1980. - V. NS - 27, № 2. - P. 1016-1024.

2. Winokur P.S. Interface state generation in radiation - hard oxides / P.S Wi-nokur, H.E. Boesch // IEEE Trans. Nucl. Sei. - 1980. - V. NS - 27, № 6. - P. 1647-1650.

3. Barnes C.E. Gamma induced trapping levels in Si with and without gold doping / C.E. Barnes // Jörn. Electronic Mat. - 1979. - V. 8, № 4. - P. 437457.

4. Scoggan G.A. Effect of electron beam radiation on MAS structures as influenced by silicon dopant / G.A. Scoggan, T.P. Ma // J. Appl. Phys. - 1977. -V. 48, № 1.- P. 294-300.

5. Емцев B.B. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках / В.В. Ем-цев, Т.В. Машовец // М.: Радио и связь. 1981. - 320 с.

6. Lang D.V. Radiation Effects in Semiconductors / D.V. Lang // Inst. Phys. Conf. Ser. / London Bristol. - 1977. - № 31. - 70 p.

7. Pons D. Irradiation induced defects in GaAs / D. Pons, J.C. Bourgoin // J. Phys. C: Sol. St. Phys. - 1985. - V. 18. - P. 3839-3844.

8. Bourgoin J.C. Native defects in gallium arsrnide / J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D.J. Stivenard // J. Appl. Phys. 1988. - V. 64, - R65 - P. 2567-2573.

9. Bourgoin J.C. Study of defects in GaAs by differential thermal analysis / J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D. Stivenard // Phys. St. Sol. 1987. - V. 62. -P. 499-504.

10. Пешев B.B. Высокотемпературное облучение GaAs / B.B. Пешев, C.B. Смородинов // ФТП. 1997. - Т. 31, № 10. - С. 1234-1235.

11. Пагава Т.А. Зависимость кинетики отжига А-центров и дивакансий от температуры, энергии и дозы облучения в кристаллах п-кремния / Т.А. Пагава // ФТП. 2002. - Т. 36, вып. 10. - С. 1159-1162.

12. Palmetshofer L. Defect levels in silicon bombarded with light ions / L. Palmet-shofer, J. Reisinger // J. Appl. Phys. 1992. - V. 72. - P. 2167-2176.

13. Hallen A. Deep level transient spectroscopy analysis of fast ion tracks in silicon / A. Hallen, и др. // J. Appl. Phys. 1990. - V. 67. - P. 1266-1272.

14. Hazdra P. Divacancy profiles in MeV helium irradiated silicon from reverse I-V measurement / P. Hazdra, J. Vobecky // Sol. St. Phenomena. 1999. -V. 69-70. - P. 545-552.

15. Hallen A. Lifetime in proton irradiated silicon / A. Hallen и др. // J. Appl. Phys. 1996. - V. 79. - P. 3906-3910.

16. Kuchinskii P.V. The effect of thermal and radiation defects on the recombination properties of the base region of diffused silicon p-n structures / P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako // Sol. St. Electron. 1986. - V. 29. - P. 1041-1051.

17. Kauppinen H. Divacancy and Resistivity profiles in n type Si implanted with l,15Mev protons / H. Kauppinen и др. // Phys. Rev. - 1997. - B. 55 -P. 9598 - 9604.

18. Eremin V. Analysis of divacancy related traps induced by proton, neutron and gamma radiation in high resistivity silicon detectors / V. Eremin и др. // Nucl. Instr. Meth. 1999. - V. 426. - P. 120-125.

19. Тахмазиди Г.И. Исследование глубоких центров в приповерхностных слоях п — кремния, облученного электронами / Г.И. Тахмазиди // ФТП. -1985. Т. 19, вып. 4. - С. 608-610.

20. Вавилов B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах / B.C. Вавилов. М.: Атомиздат, 1969. - 468 с.

21. Lutz J. Impatt Oscillations In Fast Recovery Diodes Due To Temporarily Changed Radiation induced Deep Levels / J. Lutz // Sol. St. Electron. -1998.-V. 42.- P. 931-936.

22. Пагава T.A. Влияние концентрации основных носителей тока и интенсивности облучения на эффективность введении радиационных дефектов в кристаллах кремния / Т.А. Пагава, З.В. Башелейшвили // ФТП. 2002. - Т. 36, вып. 10. - С. 1157-1158.

23. Болисов В.А. Кинетика накопления заряда в SiC>2 МОП структуры / В.А. Болисов, В.Д. Попов, А.В. Сизов // Кинетические явления в полупроводниках и диэлектриках : сб. науч. тр. МИФИ под ред. А.И. Руденко. - М.: Энергоатомиздат, 1985. - С. 29 - 34.

24. Зимин В.Н. Образование заряда в диэлектрике МДП структуры при воздействии различных видов радиации / В.Н. Зимин и др. // Электронная техника. -1972. - Сер. Микроэлектроника, вып. 2. - С. 21-23.

25. Hughes H.L. Surface effects of space radiation on silicon devices / H.L. Hughes // IEEE Trans. Nuclear Science. 1965. - V.12. - P. 53-63.

26. Grove A.S. A model for radiation damage in metal-oxide-semiconductor structures / A.S. Grove, E.H. Snow // Proc. IEEE. 1966. - V.54. - P. 894895.

27. Stanley A.G. A model for shifts in the gate turn-on voltage of insulated-gate field-effect devices induced by ionizing radiation / A.G. Stanley // IEEE Trans. Electron Devices. -1967. V.14. - P. 134-138.

28. Mitchell J.P. Radiation-induced space-charge buildup in MOS structures / J.P. Mitchell // IEEE Trans. Electron Devices. 1967. - V.14, №11. - P. 764-774.

29. Shaneyfelt M.R. Charge yield for cobalt-60 and 10-keV X-ray irradiations of MOS devices / M.R. Shaneyfelt и др. // IEEE Trans. Nuclear Physics. -1991. V.38, №6. - P. 1187-1194.

30. Fleetwood D.M. Using laboratory X-ray and cobalt-60 irradiations to predict CMOS device response in strategic and space environments / D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, J.R. Schwank // IEEE Trans. Nuclear Physics. 1988. -V.35, №6. - P. 1497-1505.

31. Dressendorfer P.V. Electron and hole transport and tunneling in Si02. -In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids / P.V. Dressendorfer // New York: Plenum Press. 1986. - P. 485-507.

32. Lay S.K. Interface trap generation in silicon dioxide when electrons are captured by trapped holes / S.K. Lay // J. Appl. Phys. 1983. - V.54, №5. - P. 2540-2546.

33. Zekeriya V. Dependence of X-ray generation of interface traps on gate metal induced interfacial stress in MOS structures / V. Zekeriya, T.P. Ma // IEEE Trans. Nuclear Science. 1984. - V.31, №6. - P. 1261-1266.

34. Zekeriya V. Spatial distribution of radiation-induced interface traps under the gate of an Al-Si02-Si capacitor / V. Zekeriya, A. Wong, T.P. Ma // Appl. Phys.Lett. 1987. - V.46, №1. - P. 80-82.

35. Watanabe K. Radiation effects of double layer dielectric films / K. Watanabc // IEEE Trans. Nuclear Science. 1986. - V.33, №6. - P. 1216-1223.

36. Kasama K. Correlation between mechanical stress and hydrogen-related effects on radiation-induced damage in MOS structures / K. Kasama, M. Tsu-kiji, K. Kobayashi // IEEE Trans. Nuclear Science. 1987. - V.34, №6. - P. 1202-1207.

37. McLean F.B. A framework for understanding radiation-induced interface states in Si02 MOS structures / F.B. McLean // IEEE Trans. Nuclear Science. 1980. - V.27, №6. - P. 1651-1657.

38. Kato M. Radiation effects on ion-implanted silicon-dioxide films / M. Kato, K. Watanabe, T. Okabe // IEEE Trans. Nucl. Sei. 1989. - V.36, №6. - P. 2199-2204.

39. Wei L. A novel silicon oxidation method HF enchanced oxidation / L. Wei, Y.S. Xu, Y.S. Zheng // In: Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York: Plenum Press. - ed. Walrafen G.E., Revesz A.G. - 1986. - P. 103110.

40. Silva E.F. Radiation response of MOS capacitors containing fluorinated oxides / E.F. Silva, Y. Nishioka, T.P. Ma // IEEE Trans. Nuclear Science. -1987. V.34, №6. - P. 1190-1195.

41. Nishioka Y. Radiation effects on fluorinated field oxides and associated devices / Y. Nishioka // IEEE Trans. Nuclear Science. 1990. - V.37, №6. - P. 2026-2032.

42. Зи С. Физика полупроводниковых приборов : в 2-х т. / С. Зи. М. ; Мир, 1984. - Т. 1.-456 с.

43. Berglund L.M. An investigation of surface states at a silicon/silicon dioxide interface emploing metal-oxide-silicon diodes / L.M. Berglund // Sol. St. Electron. 1962. - V. 5. - P. 285-291.

44. Kuhn M.A. Qwasi static technique for MOS C-V and surface states measurements / M.A. Kuhn // Sol. St. Electron. - 1970. - V. 118. - P. 2002-2011.

45. Overstraeten R. Qwasi static technique for MOS C-V / R. Overstraeten // J. Electrochem. Society. - 1973. - V. 120, № 12. - P. 1185-1191.

46. Nicollian E.H. MOS conductance technique for measuring of surface state parameters / E.H. Nicollian, A. Goetzberger // Appl. Phys. Lett. 1965. - V. 7, № 8. - P. 216-218.

47. Nicollian E.H.The Si-Si02 interface electrical properties as determined by the metal insulator silicon conductance technique / E.H. Nicollian, A. Goetzberger // J. Bell. Syst. Techn. 1967. - V. 46, № 5. - P. 1055-1072.

48. Зи С. Физика полупроводниковых приборов : в 2-х т. / С. Зи. М. : Мир, 1984. - Т. 2. - 456 с.

49. Overstraeten R.J. Theory of the MOS transistor in weak inversion new method to determine the number of surface states / R.J. Overstraeten, G.J. De-clerck, P.A. Muls // IEEE Trans. Electron Devices. - 1975. - V. ED - 22, № 5. - P. 282-288.

50. Gallowey K.F. A simple model of separating interface and oxide charge effects of MOS device characteristics / K.F. Gallowey, M. Gaitan, T.I. Russel // IEEE Trans. Nuclear Science. 1984. - V. NS - 31, № 6. P. 1497-1502.

51. McWhorter P.J. Simple technique for separating the effects of interface traps and trapped-oxide charge in metal-oxide-semiconductor transistors / P.J.

52. McWhorter, P.S. Winokur // Appl. Phys. Lett. 1986. - V. 48, № 2, - P. 133135.

53. Левин M.H. Радиационные эффекты в короткоканальных МДП приборах / М.Н. Левин и др. // Микроэлектроника. - 1992. - Т. 21, Вып. 2. - С. 34-41.

54. Бормонтов Е.Н. Теория планарно неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров / Е.Н. Бормонтов и др. // ЖТФ. - 2001. - Т. 71, Вып. 2. С. 61-66.

55. Simmons J.G. Theory of transient emission current in MOS devices and the direct determination of interface trap parameters / J.G. Simmons, L.S. Wei // Sol. St. Electron. 1974. - V. 17. - P. 117-124.

56. Simmons J.G. Theory of non-steady-state interfacial thermal current in MOS devices and the direct determination of interface trap parameters / J.G. Simmons, G.W. Taylor // Sol. St. Electron. 1974. - V. 17. - P. 125-130.

57. Mar H.A. Determination of the energy distribution of interface traps in MIS systems using non steady - state technique / H.A. Mar, J.G. Simmons // Sol. St. Electron. -1974. - V. 17. - P. 131-135.

58. Wang L.W. MOS interface state density measurements using transient capacitance spectroscopy / L.W. Wang // IEEE Trans. Electron Devices. 1980. V. ED - 27, № 12. - P. 2231-2239.

59. Johnson M.N. Measurement of semiconductor-insulator interface states by constant-capacitance, deep-level transient spectroscopy / M.N. Johnson // J. Vac. Sci. Technol. -1982. V. 21, № 2. - P. 303-315.

60. Johnson N.M. Energy resolved DLTS measurement of interface states in MIS structures / N.M. Johnson // Appl. Phys. Lett. 1979. - V. 34, № 11. - P. 802804.

61. Левин M.H. Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП транзистора / М.Н. Левин и др. // ЖТФ. 1999. - Т. 69, №. 8. - С. 60-64.

62. Saks N.S. Determination of interface trap capture cross section using three-level charge pumping / N.S. Saks, M.G. Ancona // IEEE Electron Device Letters. 1990. - V. 11, № 8. - P. 339-341.

63. Herremans P. Analysis of the charge pumping technique and its application for the evaluation of MOSFET degradation / P. Herremans и др. // IEEE Trans. Electron Devices. -1989. V. 36, № 7. - P. 1318-1335.

64. Russel T.J. Correlation between CMOS transistor and capacitor measurements of interface trap spectra / T.J. Russel, H.S. Bennet, M. Gaitan // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. - V. NS - 33, № 6. - P. 1228-1234.

65. Brugler J.S. Charge pumping in MOS devices / J.S. Brugler, P.G. Jespers // IEEE Trans. Electron Devices. -1969. V. ED - 16, № 3. - P. 297-302.

66. Wachnik R.A. A model for the charge-pumping current based on small rectangular voltage pulses / R.A. Wachnik, J.R. Lowney // Sol. St. Electron. -1986. V. 29, № 4. - P. 447-460.

67. Tseng W.L. A new charge pumping method of measuring Si-S02 interface states / W.L. Tseng //J. Appl. Physics. 1987. - V. 62, № 2. - P. 591-599.

68. Chung J.E. The development and application of a Si-Si02 interface trap measurement system based on the staircase charge-pumping technique / J.E. Chung, R.S. Muller // Solid State Electronics.- 1989. V. 32. - P. 867-872.

69. Maes H.E. A relaiable approach to charge-pumping measurements in MOS transistors. IEEE Trans / H.E. Maes и др. // Electron. Devices. 1984. - V. ED-31,№ l.-P. 42-53.

70. Левин М.Н. Прямой метод определения плотности поверхностных состояний по токам накачки заряда / Левин М.Н. и др. // ФТП. 1993. - Т. 27, № 1. - с. 3-11.

71. Helman J.S. Internal photoemission theory / J.S. Helman, F. Sanchez Sinen-cio // Phys. Rev. B. - 1973. - V. 7, № 8. - P. 3702-3708.

72. Kadlec J. Results and problems of photoemission in sandwich structures / J. Kadlec, K.H. Gundlach // Sol. St. Phys. 1976. - V. 37. - P. 9-28.

73. Berglund C.N. Photoinjection into Si02: electron scattering in the image force potential well / C.N. Berglund, R.J. Powell // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42. - P. 573-579.

74. Brews J.R. Limitations upon photoinjection studies of charge distributions close to interfaces in MOS capacitors / J.R. Brews // J.Appl.Phys. 1973. - V .44, № i.p. 379-384.

75. Powell R.J. Photo injection studies of charge distributions in oxides of MOS structures / R.J. Powell, C.N. Berglund // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42, № 11.-P. 4390-4397.

76. Goodman A.M. Photoemission of holes from silicon into silicon dioxide / A.M. Goodman // Phys. Rev. 1966. - V. 152. - P. 780-784.

77. DiMaria D.J. Capture and emission of electrons of 2.4 eV deep trap level in Si02 films / D.J. DiMaria, F.J. Feigl, S.R. Butler // Phys. Rev. B. 1975. -V. 11.-P. 5023-5030.

78. DeKeersmaecker R.F. Hole trapping in the bulk of Si02 layers at room temperature / R.F. DeKeersmaecker, D.J. DiMaria // J. Appl. Phys. 1980. - V. 51.-P. 532-539.

79. Powell R.J. Photoinjection into Si02: use of optical interference to determine electron and hole contributions / R.J. Powell // J. Appl. Phys. 1969. - V. 40.-P. 5093-5101.

80. Vodenicharov C.M. A new method for the determination of the metal-insulator (semiconductor) work function by photo-emission measurements /

81. C.M. Vodenicharov, А.А. Stanchev, S.G. Ckristov // Sol. St. Phys. 1982. -V. 69, №2.-P. 541-546.

82. Lisovskii I.P. Effect of UV illumination on electrical properties of MOS layer structures / I.P. Lisovskii, V.G. Litovchenko, R.O. Litvinov // Sol. St. Phys. -1979. V. 53, № 2. - P. 253-262.

83. Добрецов JI.H. Эмиссионная электроника / Л.Н. Добрецов, М.В. Гомою-нова //- М.: Наука, 1966. - 564 с.

84. Lewerenz H.J. Low energy investigation of photoemission from inderect optical excitations / H.J. Lewerenz, J.K. Sass, E. Piltz // Surface science. 1979. -V. 80.-P. 141-150.

85. DiStefano Т.Н. Structure of the Si02 Si interface by internal photoemission. Proc.Int.Conf. on physics of Si02 and its interfaces / Т.Н. DiStefano // New York. - 1978. - P. 362-365.

86. Kadlec J. Theory of internal photoemission in sandwich structures / J. Kadlec // Physica Reports, Phys. Lett.: Sec. C. 1976. - V. 26, № 2. - P. 69-98.

87. Бродский A.M. Теория электронной эмиссии из металлов / A.M. Бродский, Ю.Я. Гуревич // М.: Наука, 1973. 55 с.

88. Гриценко В.А. К вопросу о фотоэмиссии в МДП структурах / В.А. Гриценко, К.П. Могильников // В кн. : «Физические процессы в структурах металл - диэлектрик - полупроводник». Новосибирск, 1978. - С. 6774.

89. Левин М.Н. Влияние внутреннего поля в диэлектрике на фотоэмиссионный ток в МДП структуре / М.Н. Левин, В.А. Гольдфарб, Б.Н. Сахаров // Микроэлектроника. - 1984. - Т. 13, № 1. - С. 47-50.

90. Левин М.Н. Анализ распределения заряда в диэлектрике МДП структуры по спектральным зависимостям фотоэмиссионного тока / М.Н. Левин // ЖТФ. 2001. - Т. 71, Вып. 3. - С. 46-51.

91. Способ определения высоты потенциального барьера на границе раздела в МДП структуре : Авторское свидетельство СССР / Гольдфарб В.А. / 15.06.1984, № 1119543 (ДСП).

92. Каданцев А.В. Автоматизированная установка для емкостной спектроскопии полупроводников / А.В. Каданцев и др. // ПТЭ. 2004. - № 6. - С. 138-139.

93. Каданцев А.В. Измеритель для нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках / А.В. Каданцев и др. // Молодые ученые -науке, технологиям и профессиональному образованию : Труды Международной науч-тех. конф. -М.: 2003.

94. Левин М.Н. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках: методика, аппаратура, эксперимент / М.Н. Левин и др. // Кибернетика и технологии XXI века : Материалы У Международной конф. -Воронеж, ВГУ, 2004. Т. 1. - С. 401-412.

95. Левин М.Н. Автоматизированный DLTS спектрометр / М.Н. Левин и др. // Тонкие пленки и наноструктуры : Материалы Международной науч. конф. М.: МИРЭА, 2004. - ч. 2. - С. 206-209.

96. Левин М.Н. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней с использованием интегрального преобразования Лапласа / М.Н. Левин и др. // Полупроводниковые гетероструктуры : Воронеж, ВГТА,-2005. -С. 96-108.

97. Берман Л.С. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Л.С. Берман, А.А. Лебедев // Л.: Наука, 1981. 176 с.

98. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D.y. Lang // J. Appl. Physics. 1974. - У. 45, № 7. - P. 3023-3033.

99. Johnson N.M. Constant-capacitance DLTS measurement of defect-density profiles in semiconductors / N.M. Johnson, D.J. Baterlink // J. Appl. Phys. -1979. V. 50, № 7. p. 4828-4833.

100. Karwath A. Deep level transient spectroscopy on single, isolated interface traps in field effect transistors / A. Karwath, M. Schulz // Appl. Phys. Lett. -1988. V. 52, № 8. - P. 634-636.

101. Borsuk J.A. Current transient spectroscopy: a high sensitivity DLTS system / J.A. Borsuk, R.M. Swanson // IEEE Trans. Electron Devices. - 1980. - V. ED - 27, № 12. - P. 2217-2225.

102. Brotherton S.D. Photocurrent deep level transient spectroscopy in silicon / S.D. Brotherton // J. Appl. Phys. 1984. - V. 55, № 10. - P. 3636-3643.

103. ЮЗ.Сергиенко А.Б. Цифровая обработка сигналов / А.Б. Сергиенко. СПб. : Питер, 2005. - 604 с.

104. Сысоев Б.И. Автоматизированный измеритель вольт фарадных характеристик на базе ЭВМ "Электроника-60" / Б.И. Сысоев и др. // ПТЭ. -1988,-№ 1.-С. 67-71.

105. Атабеков Г.И. Основы теории цепей / Г.И. Атабеков. М. : Энергия, 1969.-345 с.

106. Юб.Батавин В.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. М. : Радио и связь, 1985.- 190 с.

107. Певзнер В.В. Прецизионные регуляторы температуры / В.В. Певзнер. -М. : "Энергия", 1973.-192 с.

108. Хоровиц П. Искусство схемотехники : в 2-х т. / П. Хоровиц, У. Хилл. -М. : Мир, 1986.-Т. 1.-598 с.

109. Постников В.В. Установка для исследования поляризационных свойств линейных полимеров при фазовых переходах типа кристалл расплав / В.В. Постников и др. // Измерительная техника. - 2005. - № 12. - С. 6667.

110. Ш.Епанешников А. Программирование в среде Turbo Pascal 7.0 / А. Епа-нешников, В. Епанешников. 3-е изд. - М. : ДИАЛОГ МИФИ, 1996. -288 с.

111. Юров В. Assembler : Учебный курс / В. Юров, С. Хорошенко. СПб. : Изд-во Питер, 1999. - 672 с.

112. ИЗ. Левин М.Н. Эффект атермической аннигиляции дефектных комплексов в полупроводниках / М.Н. Левин и др. // Электроника и информатика 2005 : V Международная научно-тех. конф. М. : Зеленоград, МИЭТ, 2005, 23 - 25 ноября. С. 31-32.

113. Технология СБИС : в 2-х кн. / под ред. С. Зи. М. : Мир, 1986. - кн. 1. -404 с.

114. Першенков B.C. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС / B.C. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. М. : Энергоатомиздат, 1988. -256 с.

115. Милне А. Примеси с глубокими примесями в полупроводниках / А. Милне. М.: Мир, 1981.-480 с.

116. Eizcnberg M. Space charge - limited current measurements in semi-insulating GaAs / M. Eizenberg, H.J. Hovel // J. Appl. Phys. - 1991. - V. 69. -P. 2256-2263.

117. Marrakchi G. Stoichiometry dependent native acceptor and donor levels in Ga - rich n - type gallium arsenide / G. Marrakchi и др. // J. Appl. Phys. -1992. - V. 71, № 7. - P. 3325-3329.

118. Meyer B.K. Energy levels and photo quenching properties of the arsenic antisite in GaAs / B.K. Meyer, D.P. Hofman, J.M. Speath. // J. Phys. C: Sol. St. Phys. - 1987. - V. 20. - P. 2445-2451.

119. Figielski T. Non Stoichiometric Defects in GaAs Crystals / T. Figielski // Phys. Stat. Sol. (a). - 1987. - V. 102. - P. 493-498.

120. Болотов B.B. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами / В.В. Болотов и др. // ФТП. 1980. - Т. 14, № 11. - С. 2257-2259.

121. Чернов И.П. Радиационное упорядочение структуры несовершенных полупроводниковых кристаллов / И.П. Чернов и др. // ФТП. 1980. - Т. 14, № 11.-С. 2271-2273.

122. Черданцев П.А. Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых дох излучения / П.А. Черданцев и др. // ФТП. 1984. - Т. 18, № 11. с. 2061-2065.

123. Левин М.Н. Эффект магнитно индуцированной диффузионной неустойчивости в полупроводниковых соединениях АШВУ / М.Н. Левин, Г.В. Семенова, Т.П. Сушкова // ДАН. - 2003.- Т. 388, № 5. - С. 608-610.

124. Левин М.Н. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля / М.Н. Левин и др. // ЖТФ. 2003. - Т. 73, № 10.-С. 85-87.

125. Левин М.Н. Влияние предварительной импульсной магнитной обработки кристаллов фосфида индия на кинетику их окисления / М.Н. Левин и др. // ПЖТФ. 2005. - Т. 31, № 17. - С. 89-94.

126. Belyavsky V.l. Spin effects in defect reactions / V.l. Belyavsky, M.N. Levin // Phys. Rev. B. 2004. - V. 70. P. 104101 (8).

127. Левин М.Н. Воздействие импульсных магнитных полей на спектр поверхностных электронных состояний монокристаллов арсенида галлия / М.Н. Левин и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. -2005.-Т.7, № 4.-С. 358-362.

128. Сысоев Б.И. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2"%vl (110)/ Б.И. Сысоев и др. // ФТП. 1995. - Т. 29. № 1. - С. 24-32.

129. Hughes G.J. An investigation of the passivating effects of hydrogen sulphide on the GaAs (100) surface / G.J. Hughes, L. Roberts, O.M. Henry // Mater. Sci., Eng. B. 1991. V. 9. P.37-41.

130. Безрядин H.H. Электронное состояние в приповерхностной области GaAs, обработанной в парах селена с мышьяком / Н.Н. Безрядин и др. // ФТП. -1999. Т. 33. №6. С. 712-715.

131. Левин М.Н. Измерительный комплекс для исследования тестовых структур МДП интегральных схем / М.Н. Левин и др. // Конденсированные схемы и межфазные границы. 2005. - Т.7, № 4. - С. 353-357.

132. Heremans P. Analysis of the charge pumping technique and its application for the evaluation of MOSFET degradation / P. Heremans и др. // IEEE Trans, on Electron Devices. 1989. - V. ED - 36, № 7. - P. 1318-1335.

133. Левин М.Н. Автоматизированный комплекс контроля релаксационных процессов в полимерных материалах / М.Н. Левин и др. // Молодые ученые 2002 : Материалы Международной научно - техн. Школы - семинара. М.: МИРЭА. - 2002. - С. 234-237.

134. Хоровиц П. Искусство схемотехники : в 2-х т. / П. Хоровиц, У. Хилл. -М. : Мир, 1986. Т. 2. - 569 с.

135. Справочник по нелинейным схемам / пер. с анг. В.В. Малинина; под ред. Д. Шейнголда. М. : Мир. - 1977. - 524 с.

136. Ульрих. В.А. Микроконтроллеры PIC16X7XX / В.А. Ульрих. изд. 2-е, перераб. и доп. - СПб.: Наука и Техника, 2002. - 320 с.

137. Рейсдорф Кент. Delphi 4.0 : освой самостоятельно / Кент Рейсдорф. -пер. с англ. М. : ЗАО "Издательство БИНОМ", Лаборатория Базовых Знаний, 1999.-752 с.

138. Ma Т.Р. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits / T.P. Ma, P.V. Dressendorfer. Ed. New York: Wiley Interscience, 1989. - 760 p.

139. Кадменский А.Г. Релаксационные процессы в МДП элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсныммагнитным полем / А.Г. Кадменский и др. // ПЖТФ. 1993. - Т. 19 № 3. - С. 41-45.

140. Levin M.N. Relaxation processes induced in Si Si02 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Sol. St. Comm. - 1994. - V. 90, № 12. - P. 813-816.

141. Левин M.H. Определение сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя МДП структуры / М.Н. Левин и др. // Вест. вор. гос. ун-та. Сер. Математика и физика. - 2005. - № 2. - С. 24-29.

142. Nicollian Е.Н. Latéral АС Current Flow Model for Métal Insulator - Semiconductor Capacitors / E.H. Nicollian, A. Goetzberger // IEEE Journal Trans. Electron Devices. - 1965. - V. 12, № 7. - P. 108-117.

143. Власенко E.B. Распределение потенциала и плотности заряда инверсионного слоя близ края электрода в МДП структурах / Е.В. Власенко, В.А. Гергель // Микроэлектроника. - 1979. - Т. 8, Вып. 5, С. 445-448.

144. Левин М.Н. Моделирование радиационного токопереноса в структурах металл диэлектрик - полупроводник / М.Н. Левин и др. // Вест. вор. гос. ун-та. Сер. Математика, Физика. - 2002. - № 2. - С. 30-37.

145. Левин М.Н. Моделирование воздействий ионизирующих излучений на структуру металл диэлектрик - полупроводник / М.Н. Левин, А.В. Та-таринцев, Ю.В. Иванков // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2002. - Т. 4, № 3. - С. 195-202.

146. Левин М.Н. Моделирование процессов релаксации радиационного заряда в МОП структурах / M. Н. Левин и др. // Вест. вор. гос. ун-та. Сер. Физика, Математика. - 2003. - № 1. - С. 71-77.

147. Манаев. Е.Н. Основы радиоэлектроники. 3-е изд., перераб. и доп. / Е.И. Манаев. - М. : Радио и связь, 1990. - 512 с.

148. Гитлин В.Р. Использование ультрафиолетового излучения в радиацион-но-термических процессах корректировки параметров МДП БИС / В.Р. Гитлин и др. // Электронная техника. 1990. - № 6. - Сер. 7. - С. 23-26.

149. Левин М.Н. Рентгеновская корректировка пороговых напряжений в производстве МДП интегральных схем / М.Н. Левин и др. // Микроэлектроника. 2002. - Т. 31, № 6. - С. 408 - 413.

150. Способ определения высоты потенциального барьера на границе раздела полупроводник диэлектрик / В.А. Гольдфарб и др. (СССР); авторское свидетельство 22.10.1985, № 1200769.