Электрофизические свойства дийодида ртути, используемого для создания неохлаждаемых детекторов излучения тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. ОЧИСТКА, ВЫРАЩИВАНИЕ, СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ

ДИЙОДИДА РТУТИ.

1.1. Способы получения дийодида ртути.

1.2. Методы очистки.

1.3. Формы вхождения примесей.

1.4. Методы выращивания кристаллов a-Hgb.

1.5. Основные характеристики дийодида ртути.

Глава 2. ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ

КРИСТАЛЛОВ ДИЙОДИДА РТУТИ.

2.1. Теоретические основы термостимулированной проводимости

2.2. Обзор литературных данных по термостимулированной проводимости дийодида ртути.

2.3. Экспериментальная установка измерения термостимулирован ной проводимости.

2.4. Методы расчета параметров локальных центров.

2.5. Термостимулированная проводимость кристаллов дийодида ртути, выращенных из раствора диметилсульфо ксида и газовой фазы.

2.6. Определение параметров глубоких центров в кристаллах дийодида ртути методом нелинейной регрессии спектров термостимулированной проводимости.

2.7. Донорно-акцепторный механизм термостимулированной кристаллов дийодида ртути.

2.8. Влияние дипольного момента донорно-акцепторной пары на спектр термостимулированной проводимости кристаллов дийодида ртути.

Актуальность работы. Ядерно-физические методы анализа и контроля нашли широкое применение в различных областях науки и техники. С их дальнейшим развитием и совершенствованием подчас связывается прогресс в соответствующих научных направлениях. В основании многих из этих методов лежит регистрация подходящим детектором квантов рентгеновского или гамма-излучения [1]. Это такие методы, как нейтронно-активационный анализ и рентген-флуоресцентный анализ в материаловедении, рентгеновская томография и метод меченых атомов в медицине, рентгенрадиометрический анализ в геологии.

Детектор рентгеновского и гамма-излучения является тем основным элементом измерительного устройства, от характеристик которого в большой степени зависят характеристики устройства в целом. Широта и разнообразие экспериментальных ситуаций предъявляют столь же разнообразные требования к используемым детекторам. Среди большого набора газовых, сцинтил-ляционных и полупроводниковых детекторов (ГШД) последним отдается большее предпочтение ввиду их большей универсальности и высоких эксплуатационных характеристик [2-4]. Ставшие уже классическими германиевые и кремниевые полупроводниковые детекторы (Si- и Ge-ППД) обладают, однако, существенным недостатком - требуют своего охлаждения до температур жидкого азота как при использовании, так и при хранении.

В настоящее время ведется активный поиск и исследование новых полупроводниковых материалов и разработка на их основе детекторов, которые не уступали бы по характеристикам Ge- и Si-ППД и вместе с тем не требовали бы глубокого охлаждения (такие детекторы получили название неохлаждае-мых полупроводниковых детекторов - НГШД). Достигнуты значительные успехи при изготовлении НППД на таких материалах, как алмаз, арсенид галия (GaAs) [5-7], теллурид кадмия (CdTe) [8,9] и дийодид ртути (Hgl2) [10-20]. Однако наилучшие результаты получены на детекторах, изготовленных на основе дийодида ртути (Нд12-НППД). Лучшие же из известных неохлаждае-мых полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма-излучения создают на основе монокристаллов именно этого соединения [21,22].

Вместе с тем до сих пор отсутствует промышленная технология получения кристаллов Hgl2 и изготовления на их основе детекторов с воспроизводимыми характеристиками. Большинство результатов получено на отдельных образцах либо на малых сериях. Не решенными остаются вопросы, связанные с поляризацией данных детекторов, которая определяется накоплением объемного заряда в его чувствительной области. Это стимулирует развитие исследований электрофизических свойств данного высокоомного (р=1012-И014 Ом см) полупроводникового материала, применительно к решению проблемы получения кристаллов детекторной чистоты и совершенства, с одном стороны, и исследования детекторов, изготовленных на его основе - с другой. В этой связи, актуальным является исследование электрофизических характеристик монокристаллов дийодида ртути, выращиваемых различными методами, и детекторов, изготавливаемых на его основе.

Цель работы. Исследование электрофизических свойств монокристаллов дийодида ртути красной тетрагональной модификации, выращенных из раствора диметилсульфоксида (DMSO) и из газовой фазы методами статической сублимации и температурных осцилляций, используемых для создания на их основе неохлаждаемых полупроводниковых детекторов рентгеновского и мягкого гамма-излучения.

Для достижения указанной цели необходимо решить следующие основные задачи:

1) экспериментально исследовать спектры термостимулированн ой проводимости кристаллов дийодида ртути, выращенных газофазными методами (статической сублимации и температурных осцилляций) и из раствора диметилсульфоксида в ацетоне;

2) разработать методику анализа сложных спектров термостимулированной проводимости кристаллов с квазинепрерывным распределением энергетических уровней в запрещенной зоне, применить ее к расчету параметров распределения энергетических уровней в кристаллах дийодида ртути;

3) построить математическую модель и провести моделирование термо-стимулированной проводимости для условий, когда возбуждение вносится как в электронную, так и решеточную подсистемы кристалла;

4) методом амплитудного анализа экспериментально исследовать сбор заряда в полупроводниковом а-Н^-детекторе и построить модель сбора неравновесного заряда в детекторе с неоднородным электрическим полем.

Научная новизна работы

1. На основе экспериментального исследования термостимулированной проводимости получены данные о параметрах центров захвата кристаллов сс-Hgl2, выращенных из раствора DMSO-CH3COCH3 и газовой фазы. Установлено, что уровень с энергией активации Et=0.30 эВ и временем хранения заряда 0.13 с в кристаллах, выращенных из газовой фазы, ответствен за процесс накопления отрицательного объемного заряда и, как следствие, поляризацию a-Hgb детектора.

2. Предложен метод определения параметров глубоких центров в широкозонных полупроводниковых кристаллах с квазинепрерывным распределением плотности состояний в запрещенной зоне на основе нелинейной регрессии спектров термостимулированной проводимости. Метод применен к расчету плотности состояний в запрещенной зоне кристаллов дийодида ртути, выращенных из раствора DMSO+CH3COCH3.

3. Предложена модель термостимулированной проводимости по механизму донорно-акцепторных пар, которая учитывает возбуждение как электронной, так и решеточной подсистемы кристалла.

4. Численно проанализировано влияние неоднородного объемного заряда в планарном а-Н^-детекторе на процесс сбора неравновесных носителей заряда, образованных квантом излучения, в условиях большой асимметрии значений подвижности электронов и дырок. Показано, что локализованный преимущественно вблизи положительного электрода отрицательный объемный заряд приводит к появлению специфического двоения фотопика поляризующегося ос-В^Ь-детектора.

Практическое значение работы.

Полученные экспериментальные и расчетные данные о параметрах локальных центров в кристаллах дийодида ртути были использованы при разработке технологии создания первых отечественных неохлаждаемых полупроводниковых детекторов, имеющих высокие эксплуатационные характеристики при спектрометрии рентгеновского и гамма-излучения.

Предложенная в работе модель сбора заряда в широкозонном полупроводниковом детекторе с неоднородным электрическим полем может быть использована при создании неохлаждаемых детекторов излучения на основе новых широкозонных полупроводниковых материалов.

Положения, выносимые на защиту:

1. Спектр термостимулированной проводимости детекторных кристаллов дийодида ртути красной тетрагональной модификации определяется методом выращивания кристаллов и зависит от комплекса взаимосвязанных условий: степени дефектности кристалла, наличия примесей.

2. Донорно-акцепторный механизм термостимулированной проводимости a-HgI2 кристаллов, выращенных из газовой фазы методом температурных ос-цилляций; математическая модель количественного описания термостимулированной проводимости.

3. Методика определения параметров глубоких центров в кристаллах дийодида ртути с квазинепрерывном распределением локальных состояний в запрещенной зоне на основе нелинейного регрессионного анализа спектров термостимулированной проводимости.

4. Аппаратурный спектр поляризующихся детекторов на основе дийодида ртути определяется накоплением неоднородного отрицательного пространст8 венного заряда в чувствительном объеме детектора, его преимущественной локализацией вблизи положительного электрода.

5. Модель сбора заряда в полупроводниковом детекторе с неоднородным электрическим полем.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на втором Всесоюзном совещании по полупроводниковым детекторам ядерного излучения на широкозонных материалах, г. Новосибирск, июнь 1983 г.; второй Всесоюзной школе "Полупроводниковые детекторы в ядерной физике", г. Рига, май 1985 г.; конкурсе прикладных научных работ СО АН СССР, г. Новосибирск, ноябрь 1988 г.; 10-й Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов (РФХ-10), г. Томск, сентябрь 1999 г.; технологическом конгрессе "Современные технологии при создании продукции военного и гражданского назначения", г. Омск, июнь 2001 г.

Публикации. По материалам проведенных исследований опубликовано 11 печатных работ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы. Изложена на 166 страницах, содержит: 41 рисунок, 4 таблицы и список цитируемой литературы из 132 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Результаты проведенных исследований [122-132] позволяют сделать следующее заключение:

1. Термостимулированная проводимость кристаллов, выращенных из растворов димешлсульфоксида в ацетоне, определяется квазинепрерывным распределением плотности состояний в запрещенной зоне. В плотности состояний наблюдается шесть максимумов, приходящихся на энергии 0.27, 0.30, 0.32, 0.34, 0.37, 0.43 эВ. Все максимумы имеют колоколообразную гауссову форму с большей шириной колокола для максимумов меньших энергий.

2. Характер наблюдаемого квазинепрерывного распределения плотности состояний укладывается в представления о возмущающем характере влияния на энергетические уровни собственных и примесных дефектов в слоистых кристаллах тетрагонального дийодида ртуги углеводородных примесей, высоким содержанием которых отличаются данные кристаллы.

3. Предложенная в работе модель термостимулированной проводимости по механизму донорно-акцеп горных пар, в основе которой лежит представление о том, что при возбуждении кристалла светом возбуждение вносится как в электронную, так и решеточную подсистемы кристалла, позволяет адекватно объяснить экспериментально наблюдающиеся спектры и рассчитать параметры донорно-акцепторной пары, провести модельные расчеты. Донор-но-акцепторный механизм термостимулированной проводимости характерен в большей степени кристаллам, выращиваемым газофазными методами, что объясняется их большим структурным совершенством.

4. Электронный центр захвата с энергией активации 0.3 эВ, сечением за

1Q "") хвата 5.010 см и временем хранения заряда на центре при комнатной температуре 0.13 с, обнаруженный в кристаллах, выращенных методом статической сублимации с добавлением паров Ь в ростовую ампулу, ответственен за накопление паразитного отрицательного объемного заряда и, как следствие, за наблюдающуюся поляризацию детекторов.

153

5. Наблюдающееся экспериментально характерное двоение фотопика при регистрации квантов мягкого гамма-излучения с энергией порядка 50 кэВ и выше может быть объяснено потерями неравновесного заряда при дрейфе электронного и дырочного пакетов в неоднородном поле паразитного отрицательного объемного заряда, локализованного вблизи положительного электрода, в условиях большой асимметрии значений подвижности электронов и дырок.

6. На основе расчета функции отклика детектора на гамма- кванты показана возможность получения на а-^Ь-детекгорах энергетического разрешения, близкого к разрешению охлаждаемых германиевых и кремниевых детекторов. Установлено, что у реальных а-ЩЬ-детекторах в области энергий квантов Еу>30 кэВ разрешение значительно ниже расчетных из-за флуктуаций сбора заряда, обусловленных неоднородностью электрофизических свойств объема кристалла, в то время как в области меньших энергий оно определяется шумами электронных устройств.

154

1. Вольдсет Р. Прикладная спектрометрия рентгеновского излучения: Г1ер. с англ. / Под ред. В.П. Варварицы - М.: Агомиздат, 1977. - 135 с.

2. Дирнли Дж., Мортроп Д. 1Ьлупроводниковые счетчики ядерных излучений: Пер. с англ. / Под ред. B.C. Вавилова М.: Мир, 1966. - 360 с.

3. Резников Р.С., Сельдяков Ф.11. 11ромышленные полупроводниковые детекторы М.: Атом in дат, 1975. - 88 с.

4. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике / Ю.К. Акимов, О.В. Иг натьев, А.И. Калинин, В.Ф. Кушнирук. М.: Энергоатом изд-ат, 1989,-344 с.

5. Залети» В.М., Протасов И.И., Голенецкий СЛ., Мальковский А.С. Поверхностно барьерный детектор на основе эпитаксиального арсенида галлия П Атомная энергия. 1978. - Т. 44. - Вып. 4. - С. 360-363.

6. Запенит В.М. Эшпаксиальный арсеннд галлия из газовой фазы для детекторов ядерного излучения, Новосибирск, - 1981. - 40 с. (СО АН СССР; Институт физики полупроводников; Препринт 62-81).

7. Залечи» В.М. Детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе арсенида галия и дийодида рту ж: технология, исследование применение: Автореф. докт. техн. наук. -М., 1987. -43 с.

8. Аркадьева Е.Н., Маслова J1.B., Матвеев О.А. и др. Спектрометрия га-ма-квантов п-р счетчиками на основе теллурида кадмия // Физика и техника полупроводников. 1968. - Т. 2. - Вып. 2. - С. 279-291.

9. Залегин В.М., Фомин В.И., Кочеванов В.А. Детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе дийодида ртути. Новосибирск, 1984. - 45с. (СО АН СССР; Институт физики полупроводников; Препринт 2-84.)

10. Дийодид ртути: получение, свойства, применение / В.А. Гайслер, В.М. Залетин, Н.В. Лях и др. Новосибирск. Изд-во "Наука" Сибирское отделе ние, 1984. - 104 с.

11. Фомин В.И. Детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе дийодида ртути: Автореф. канд. техн. наук. Ленинград, 1986, 20 с.

12. Залетин В.М., Кривозубов О.В., Торлин М.А., Фомин В.И. Энергетическое разрешение Hgl2 детекторов рентгеновских и гамма-квантов // Атомная энергия. - 1987. - Т. 63. - Вып. 2. - С. 140-142.

13. Swierkowski S.P., Armantrout G.A., Wichiier R. High-resolution Hgl2 x-ray spectrometers // Applied physics letters. 1973. - v. 23. - №3. - P. 281-282.

14. Beinglass I., Diclion G., Holzer A. e.a. High-energy gamma spectra detected with improvid Hgl2 spectrometers at room temperature // Applied physics letters. 1977. -V. 30. -№ 11. - P. 611-616.

15. Singh M., Dabrowski A.J., Huth G.C. e.a. X-ray fluorescence analysis at room temperature with a energy dispersive mercuric iodide spectrometer // Advance in X-ray analysis. 1980. - V. 23. - P. 249-256.

16. Dabrowski A.J., Iwanczyk J.S., Barton J.B. e.a. Performance of room temperature mercuric iodide (Hgl2) detectors in the ultralow-energy X-ray region // IEEE Transactions on Nuclear Sci. -1981. V. NS-28. - № 1. - P. 526-540.

17. Levi A., Roth M., Schieber M. e.a. The development of mercuric iodide gamma-radiation detectors for application in nuclear medicine // IEEE Transactions on Nuclear Sci. 1982. - V. NS-29. - № 1. - P. 457-460.

18. Beyerle A., Hull K., Markakis J. e.a. Gamma-ray spectrometry with thickmercuric iodide detectors // Nuclear instrument and methods. 1983. - V. 213. -P. 107-113.

19. Warren J.L. Large volumes of Hgl2 usid as portable gamma-ray counters H Nuclear instrument and methods. 1983. - V. 213. - P. 103-105.

20. Dabrowski A.J., Szymczyk W.M., Iwanczyk J.S. e.a. Progress in energy resolution of mercuric iodide (Hgl2) x-ray spectrometers // Nuclear instrument and methods. 1983. - V. 213. - P. 89-94.

21. Рольстен Р.Ф. Йодидные металлы и йодиды металлов. М.: Металлургия, 1968/-524 с.

22. Scliieber М.М., Carlson R., Lamonds Н А. e.a. Purification, growth and characterization of alpha mercuric iodide crystals for gammaray detection // J. Crystal Growth. 1974. - V. 24/25. - P. 205-211.

23. Schieber M., Schneple W.F., Van den Berg L. Vapor growth of Hgl2 by periodic source or crystal temperature oscillation // Journal of crystal growth. -1975.-V. 33.-P. 125-135.

24. Moon Kyn Chung, Song Won Sho. Preliminary studies on mercuric iodide soft-gamma-ray detectors // IEEE Transactions on Nuclear Sci. 1976. - V. NS-23. - № l.-P. 112-113.

25. Gospodinov M.M., Sveshtarov P.K. Growth of Mercury Iodide Crystals // Bu-Igar J. Phys. 1979. - V. 3. - № 6. - P. 316-323.

26. Hyder S. Trapping effects in silver-doped mercuric iodide crystals // J. of Applied Phys. 1977. - V. 48. - № 1. - P. 313-319.

27. Piechotka M., Kaldis E. Some source of defects in oc-Hgb the room temperature X-ray detector // Monatshefte fur cliemie. 1987. - V. 118. - P. 137-153.

28. Piechotka M., Kaldis E. Recent progress in material characterization of Hgl2 crystals for X-and y-ray detectors // Nuclear instrument and methods in Phys. Res. - 1987. - A 253. - № 3. - P. 423-526.

29. Nicolau Y.E. Technology of high-purity Hgl2 // Nuclear instrument and methods. 1983. - V. 213. - P. 13-18.

30. Залетин В.М., Кочеванов В.А., Ножкина И.Н., Танская Н.А., Фомин В.И. Детекторы рентгеновского излучения на основе дийодида ртути // Атом ная энергия. 1982. - Т. 52. - Вып. 3. - С. 193-195.

31. Залетин В.М., Ножкина И.Н., Фомин В.И. Методы очистки и контроль нримесного состава в дийодиде ртути. Новосибирск, 1995. - 58 с. (СО РАН; Институт сенсорной микроэлектроники; Препринт)

32. Nicolau 1., Rolland G. Diviation from stoichiometry in a- Hgl21 I Meter. Res. Bull. 1980. - V. 16. - P. 759-770.

33. Kobayashi Т., Mulieim J.T., Waegly P., Kaldis E. Mass spectrograph^ analysis and SEM investigation of ot-HgI2 crystals growth by static sublimation //

34. J. electrochem. soc. Soled state science and technology. 1983. - V. 130. -№ 5. -P. 1183-1191.

35. Пат. Purification of Hgl2 for nuclear detector fabrication / Schieber M.M. (США), № 4091084. - 423/491. - 1978.

36. Nicolau I.F., Joly J.P. Solution growth of sparingly soluble single crystals from soluble complexes // J. Crystal Growth. 1980. - V. 48. - P. 61-73.

37. Rama Rao M., Venna L K. D., Patro A.P. Solution growth of mercuric iodide crystals as low-energy gamma-ray conduction type detectors // J. Phys. D: Appl. Phys. 1980. - V. 13. - P. 1545-1550.

38. Nicolau I.F. Solution growth of sparingly soluble single crystals from soluble complexes // J. Crystal Growth. 1980. - V. 48. - P. 51-60.

39. Carlston R.C., Schieber M.M., Schnepple W.F. Solution growth of mercuric iodide crystals from dimethylsulfoxide-based solvent sytstems // Materials Research Bulletin. 1976. - V. 11. - P. 956-966.

40. Nicolau I.F. Solution growth of sparingly soluble single crysatals from soluble complexes // J. Crystal Growth. 1980. - V. 48. - P. 61-73.

41. Залетин B.M., Ножкина И.Н., Шустов H.B. Очистка и выращивание монокристаллов Hgl2 // Труды Всесоюз. совещания по полупроводниковым детекторам. Киев, 1981. - С. 38-40.

42. Armantrout G.A.,Wichner R. Recent Advences with Hgl2 X-ray Detectors I I IEEE Transactions on Nuclear Sci. 1974. - У. NS-21. - № 1. - P. 302-304.

43. Scholz H. On crystallization by temperature gradient reversal // Acta Electr-onica. - 1974. - V. 17. - № 1. - P. 69-73.

44. Beinglass I., Dishon G., Holzer A., Schieber M. Improved crystals of mercuric iodide growth in horizontal furnace from the vapor phase using the temperature oscillation method // J. of Crystal Growth. 1977. - V. 42. - P. 166-170.

45. James T.M., Milstein F. Plastic deformation and dislocation structure of single crystal mercuric iodide // Journal of materials science. 1983. - V. 18. - P. 3249-3256.

46. Бокий Г.Б. Рентгеноструктурный анализ. M.: Изд-во МГУ, - 1964.

47. Гайслер В.А. Комбинационное рассеяние света в дийодиде ртути. Но-восбирск, 1984. - 43 с. (Препринт, ИФП СО АН СССР, 8-84).

48. Kelley К.К. Contributions to the Data oil Theoretical Matallurgy Washing ton, 1935.

49. Magee D.W. Thesis Submitted to the Ohio State University, 1955.

50. Piechotka M., Kaldis E. Vaporization study of mercury iodides Hgl2 and Hg2I2 // Journal of the Less-Common Metals. 1986. - V. 115. - P. 315-324.

51. Yee J.H., Sheroliman J.M., Armantrout G.A. Theoretical band structure analysis on possible high Z detector materials // IEEE Transactions on Nuclear Sci. - 1976. - V. NS-23. - № 1 - P. 117-123.

52. Goto Т., Nishina Y. Phonon Assisted Recombination of free electronhole pan-in Hgl2 // Solid State Commun. - 1978. - V. 25. - P. 123-125.

53. Bube R.H. Opto-Electronic Properties of Mercuric Iodide // Phys. Rev. 1957. -V. 106.-№ 4.-P. 703-717.

54. Ottaviani G., Canali C., Quaranta A., Alberigi Charge carrier transport properties of semiconductor materials for suitable for nuclear detectors // IEEE Transactions on Nuclear Sci. 1975. - V. NS-22. - № 1. - P. 192-204.

55. Рывкин C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М:1. ФИЗМАТГИЗ, 1963. 494 с.

56. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962. - 558 с.

57. Вертопрахов В.Н., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск.: Изд-во "Наука" Сибирское отделение, 1979.-334 с.

58. Shockey W., Read W.T. Statistics of the recombinations of holes and electrons. //Phys. Rev. 1952. - V. 87. - № 5. - P. 835-839.

59. Hearing R.R., Adams E.N. Theory and application of thermally stimulated currents in photoconductors // Pliys. Rev. I960/ - V. 117. - № 2. - P.451-454.

60. Saunders I.J. The relationship between thermally stimulated luminescence and thermally stimulated conductivity // Brit. J. Appl. Phys. 1967. - V. 18. - № 8. -P. 1219-1220.

61. Saunders I.J. The thermally stimulated luminescence and conductivity of insulators // J. Phys. (Proc. Phys. Soc.) 1969. - V. C2. - № 12 . - P. 2181-2198.

62. Гороховатский Ю.А. Основы термодеполяризационного анализа. М.: "Наука", 1981. - 173 с.

63. Gelbart U., Yacoby Y., Beinglass L., Holzer A. Study of imperfections in mercuric iodide by the thennally stimulated currents methods // IEEE Transactions on Nuclear Sci. 1977. - V. NS-24. - №1.- P. 135-141.

64. Bube R.H. Opto-electronic properties of mercuric iodide // Physical reviev.- 1957. V. 105. - № 4. - P. 703-717.

65. Золотарев В.Ф., Семак Д.Г., Чепур Д.В. Термостимулированный ток в режиме устойчивой внутренней поляризации // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1967. - Т. 52. - Вып. 4. - С. 849-853.

66. Saura J. Theses. University of Cuyo, Argentine, 1972.

67. Stuck R., Muller J.C., Ponpon J.P. e.a. Study of trapping in mercuric iodide by thermally stimulated current meassurement // Journal appled phusics. 1976.- V. 47.-P. 1545-1548.

68. Wliited R.C., Van den Berg L. Native defect compensation in Hgl2 crystals

69. IEEE Transactions on Nuclear Sci. 1977. - V. NS-24. - № l. - p. 165-167.

70. De Blasi C., Galassini S., Manfredotti C. e.a. Pliotoelectronic properties of Hgl2 // Nuclear instruments end methods. 1978. - V. 150. - № 1. - p. 103-111.

71. Friant A., Mellet J., Salion C., Braliim M.T. Hgl2 detectors from solution grown crystals // IEEE Transactions on Nuclear Sci. 1980. - V. NS-27. - № 1. - P. 281-285. .

72. Александров A.Jl., Брылов B.M., Ждан А.Г., Мессерер М.А. Установка для исследования термостимулированной проводимости. // Приборы и техника эксперимента. 1974. - № 1. - С. 228-230.

73. Randall J.T., Wilkins M.T. Phosphorescence and electron traps // Proc. Roy. Soc. (London). 1945. - V. A184. - № 6. - P. 2569-2578.

74. Bube R.H. Photoconductivity and ciystal imperfactions in cadmium sulfide crystals // J. Chem. Phys. 1955. - V. 23. - № 1. - P. 18-25.

75. Simmons J. G., Taylor G.W. High field isothermal currents and thermally stimulated in insulators having discrete trapping levels // Phys. Rev. B: Sol. Stat. 1972. - V. 5. - № 4. - P. 1619-1629.

76. Grossweiner L.I. A note on the analysis of first order glow curwes // Journal applied phusics. 1953. - V. 24. - № 10. - P. 1306-1307.

77. Garlik G.F., Gibson A.F. The electron trap mechanism of luminescence in sulphide and silicate phosphors // Pros. phys. soc 1948. - V. A 60, pt 6. -№342. -P. 574-590.

78. Muller J.C., Friant A., Siffert P. TSC in Hgl2 crystals growth by solution end vapour phaseteclmicque // Nuclear instruments end methods. 1978. - У. 150. - № 1. - P. 97-101.

79. Тихонов A.H., Арсенин Б.JI. Методы решения некорректных задач. М.: "Наука", 1974. - 286 с.

80. Суриков В.И., Федорук В.А. Применение метода нелинейной регрессии к расчету релаксационных спектров в материалах. Омск, 1995. - 17с. -Деп. в ВИНИТИ 09.02.95, № 375-В96.

81. Ракитский Ю.В., Устинов С.М., Черноруцкий И.Г. Численные методы решения жестких систем. М: Наука, 1979. - 231 с.

82. Орлов А Н., Самсонидзе Г.Г., Трушин Ю.В. Решение некоторых сис тем уравнений кинетики точечных дефектов. Ленинград, 1986. - 30 е., (Препринт, ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР, 1080).

83. Ортега Дж., Пул У. Введение в численные методы решения дифференциальных уравнений. М, "Наука", - 1986. - 220 с.

84. Rosenbrock Н.Н. Som general implicit processes for the numerical solution of differential equations // Comput. J. 1963. - № 5. P. 150-163.

85. Фомин В.И. Детекторы рентгеновского и гамма излучения на основе дииодида ртути: Дисс. канд. техн. наук. - Ленинград, 1986. - 175 с.

86. Cavalleri G., Gatti Е., Fabri G., Svelto V. Extension of Ramo s theorem as applied to induced charge in semiconductor detectors // Nuclear instrument and methods. 1971 - У. 92. - P. 137-140.

87. Строкан Н.Б. Исследование характеристик, определяющих разрешение по энергии в кремневых п-р-счетчиках ядерных частиц // Приборы и техника эксперимента. 1964. - № 1. - С. 91-96.

88. Маковский Л.Л., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. О флуктуациях собираемого заряда в полупроводниковых счетчиках излучений // Физика и техника полупроводников. 1967. - Т. 1. - Вып. 8. - С. 1229-1234.

89. Маковский Л.Л., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. Влияние захвата носителей на разрешающую способности полупроводниковых счетчиков излучения // Физика и техника полупроводников. 1968. - Т. 2. - Вып. 7. - С. 972977.

90. Trammell R., Walter F.J. The effect of carrier trapping in semiconductor gamma-ray spectrometers // Nuclear instrument and methods. 1969. - V. 76. - P. 317-321.

91. McMath T.A., Martini M. The effect of chapge trapping on the spectrometer performance of p-i-n semiconductor detectors // Nuclear instruments endmethods. 1970. - V. 86. - P. 245- 252.

92. Ломашевич С.А., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. О функции отклика процесса собирания заряда полупроводниковым детектором // Физика и техника полупроводников. 1971. - Т. 5. - Вып.,5. - С. 1010-1012.

93. Ломашевич С.А., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. Природа амплитудного спектра детектора ядерных частиц // Физика и техника полупроводников. 1972. - Т. 6. - Вып. 7. - С. 1278-1282.

94. Ломашевич С.А., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. Об универсальном описании собирании заряда в полупроводниковых детекторах // Физика и техника полупроводников. 1972. - Т. 6. - Вып. 11. - С. 2247-2250.

95. Strocan N.B., Yeryomin V.K., Lomashevich S.A., Tisnek N.I. Final results on the nature of pulse-height spectrum from semiconductor detectors // IEEE Transactions on Nuclear Sci. 1972. - V. NS-19. - P. 365-379.

96. Slier A.H. Carriers trapping in Ge(Li)-detectors II IEEE Transactions on Nuclear Sci. 1971. - У. NS-18. -№ 1. - P. 175-188.

97. Катков В.П., Крупман А.И., Таксар И.М. Расчет амплитудного спектра -полупроводниковых детекторов у излучения // Физика и техника полупроводников. - 1973. - Т. 7. - Вып. 12. - С. 2283-2286.

98. Маковский Л.Л., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И., Ломашевич С.А. Формирование амплитудного спектра в полупроводниковых счетчиках ядерного излучения // Физика и техника полупроводников. 1970. - Т. 4. - Вып. 11. -С. 2157-2164.

99. Маковский Л.Л., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. К вопросу об энергетическом разрешении полупроводниковых счетчиков // Физика и техника полупроводников. 1969. - Т. 3. - Вып. 7. - С. 1097-1100.

100. Еремин В.К., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И. Влияние глубоких уровней на формирование сигнала в полупроводниковых детекторах // Физика и техника полупроводников. 1974. - Т. 8. - Вып. 6. - С. 1157-1161.

101. Еремин В.К., Строкан Н.Б., Тиснек Н.И., Шамагриев А.Ш. Исследованиекрупномасштабных флуктуаций потенциала в полупроводниковых детекторах ядерных излучений // Физика и техника полупроводников.- 1978. Т. 12. - Вып. 4. - С. 718-724.

102. Dabrowski A.J., Iwanczyk J.S., Barton J.B. e.a. Performance of room temperature mercuric iodide (Hgl2) detectors in the ultralow-energy X-ray region // IEEE Transactions on nuclear sci. 1981. - V. NS-28. - № 1. - P. 536-540.

103. Булатецкий К.Г., Залетин В.М., Фомин В.И. Блок детектирования гамма- и рентгеновского излучения на основе дийодида ртути, работающий при комнатной температуре // Приборы и техника эксперимента. -1984.- № 3. С. 90-93.

104. Cesareo R., Gigante G.E., Iwanczyk J.S., Dabrowski A. The use of a mercuric iodide detector for X-ray fluorescence analysis in archaeometry // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1992. - A 322 - P. 583-590.

105. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: "Мир", 1973.-416 с.

106. Электреты: Пер.с англ. / Под ред. Г.Сеслера. М.: Мир, 1983. - 487 с.

107. GospodinovM.M., Svesttarov P. Growth of a-mercury iodide crystals and study of space charge relacsation in an applied electric field // Journal of crystal growth. 1983. - V. 65. - P. 365-369.

108. Еремин B.K., Дененгирш С.Г., Строкан Н.Б., Тиснек Н.Б. О влиянии объёмного заряда на характеристики полупроводниковых детекторов // Физика и техника полупроводников. 1974. - Т. 8. - Вып. 3. - С. 556560.

109. Кашерининов П.Г. Особенности распределения электрического поля в детекторах на основе МПМ(МДПДМ) структур при регистрации излучения // Физика и техника полупроводников. -1981. Т. 15. - Вып. 10. - С. 1888-1892.

110. Рывкин С М., Строкан Н.Б., Субашева В.П. и др. О роли неоднородности электрического поля в полупроводниковых счетчиках ядерных излучений // Физика и техника полупроводников. 1970. - Т. 4. - Вып. 7. - С. 1303-1310.

111. Malm H.L., Martini М. Polarization phenomena in CdTe nuclear radiation detectors // IEEE Transactions on nuclear sci. 1974. - V. NS-21. - № 1. - P. 322-330.

112. Карпенко В.П., Кашерининов П.Г., Маковский JI.JL, Матвеев О.А. Поляризация слоя объёмного заряда n-p (n-i-p) детекторов при облучении // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Вып. 1. - С. 109-115.

113. Мухачев Ю.С., Татаринов B.C., Борзенко С.Ю. и др. Вклад различных видов захвата в поляризацию алмазных детектороа ионизирующих излучений // Физика и техника полупроводников. 1984. - Т. 18. - Вып. 3.- С. 460-464.

114. Мухачев Ю.С., Татаринов B.C., Борзенко С.Ю., Липовченко А.Л., Хру-нов B.C., Мартынов С.С., Кукушкин В.М. О поляризации алмазного детектора ионизирующих излучений // Физика и техника полупроводников.- 1983.-Т. 17.-Вып. 7.-С. 1308-1311.

115. Braliim Т.М., Friant A., Mellet J. Structure MIS effects on polarization of Hgl2-crystals used for 7-ray detection // IEEE Transactions on nuclear sci. -1985. NS-32. - № 1. - P. 581-584.

116. Ricker G., Vallerga J., Dabrowski A. New measurement of the Fano factor ofmercuric iodide // Review of Sci. Instrum.- 1982. V. 53. - № 5. - P. 700-701.

117. Залетин B.M., Ножкина И.Н., Фомин В.И., Шустов Н.В., Протасов И.Н. Кристаллы дииодила ртути для детекторов гамма-излучения // Атомная энергия. 1980. - Т. 48. - Вып. 3. - С. 169-172.

118. Залетин В.М., Кочеванов В.А., Ножкина И.Н., и др. Детекторы рентгеновского и гамма-излучения на основе кристаллов дийодида ртути // Атомная энергия. 1982. - Т. 52. - Вып. 3. - С. 193-195.

119. Iwanczyk J., Dabrowski A., Huth. e.a. A study of lownoise preampliefier system for use with room temperature mercuric iodide (Hgb) X-ray detectors. // IEEE Transactions on nuclear sci. -1981. У. NS-28. - № 1. - P. 579-582.

120. Разработка и исследование параметров томографических матриц на основе широкозонных полупроводниковых соединений: Отчет о НИР / НГУ; рук. В.М. Залетин. № ГР 01830037202; Инв. № 02850061760. -Новосибирск, 1985. 114 с.

121. Залетин В.М., Кривозубов О.В., Торлин М.А., Фомин В.И. Энергетическое разрешение Щ12-детекторов рентгеновских и гамма-квантов // Атомная энергия. 1987. -Т. 63. - С. 140-142.

122. Залетин В.М., Кривозубов О.В., Торлин М.А., Фомин В.И. Радиометрические и дозиметрические характеристики Щ12-детекторов // Атомная энергия. 1987. - Т. 63. - С. 274-277.

123. Исследование возможности создания полупроводникового блока детектирования для анализа содержания основных веществ в твелах энергети ческих реакторов: Отчет о НИР / НГУ; рук. В.М. Залетин. Э-68-85;

124. ГР 01880001049; Инв. № 02880030344. Новосибирск, 1987. - 89 с.

125. Разработка, изготовление и исследование детекторных структур на основе кристаллов Hgl2: Отчет о НИР / НГУ; рук. В.М. Залетин. № ГР 01890044184; Инв. № 02900049253. Новосибирск, 1990. - 110 с.

126. Залетин В.М., Кривозубов О.В., Фомин В.И. Термостимулированная проводимость кристаллов дийодида ртути, выращенных из раствора игазовой фазы // Омский научный вестник. 1997. - Вып.1. - С. 26-28.

127. Залетин В.М., Кривозубов О.В., Фомин В.И. Сбор заряда в широкозонном полупроводниковом детекторе гамма-квантов с неоднородным электрическим полем // Автометрия. 1998. -№ 1. С. 18-23.