Высокочастотная фотопроводимость примесного германия в инфакрасной области спектра тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ, КИНЕТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПРИМЕСНОГО ГЕРМАНИЯ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

Введение.

§ 1.1« Экспериментальные данные по электрофизическим характеристикам и &е-2п.

§ 1*2. Влияние случайного поля на энергию активации зонной электропроводности в слаболегированном полупроводнике.

V.-.- V.»

§ 1.3. Модели захвата фотф^!Зр^енных носителей заряда притягивающими центрами^* полупроводнике.

§ 1.4. Экспериментальные данные по рекомбинационным характеристикам ионов Н^ и 1л в германии.

§ 1.5. Быстродействующие фотоприемники 10-микронного излучения на основе германия, легированного ртутью или цинком.

Выводы из обзора литературы. Постановка задачи.

ГЛАВА П. КЛАССИЧЕСКОЕ УШИРЕНИЕ ПРИМЕСНЫХ УРОВНЕЙ В 0е«-2п?

И Сгв:Н£

§ 2.1. Особенности возникновения случайного поля в полупроводнике двухзарядовой примесью.

§ 2.2. Расчет температурной зависимости концентрации свободных носителей заряда в примесном полупроводнике со слабым случайным полем.

§ 2.3. Сравнение с экспериментальными данными по Ье'-Ъъ

§ 2.4. Расчет случайного поля для образцов германия, легированного ртутью.

Основные результаты, изложенные в главе П

ГЛАВА Ш. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ КОРОТКОВРЕ

МЕННОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ.

§ 3.1. Экспериментальная методика исследования амплитудновременных характеристик фотоответа

§ 3.2. Экспериментальная методика исследования амплитудно-частотных характеристик фотоответа и генерационнорекомбинационного шума.

§ 3.3. Фазовая методика определения малых времен фотоответа

§ 3*4. Приготовление образцов.

Основные результаты, изложенные в главе Ш.

ГЛАВА 1У .КИНЕТИКА ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПРИМЕСНОГО ГЕРМАНИЯ

•.Н|) В ОБЛАСТИ МАЛЫХ ВРЕМЕН ФОТООТВЕТА.

§ 4.1. Зависимость времени жизни неравновесных дырок в германии, легированном цинком от температуры и концентрации центров захвата.

§ 4.2. Сечение захвата неравновесных дырок ионом ртути в германии.

§ 4*3. Токовая фоточувствительность и время жизни неравновесных дырок.

Основные результаты, изложенные в главе 1У

ГЛАВА У. ПРИМЕСНАЯ ФОТОПРОВОДИМОСТЬ Ьг-Ц , Се^п ВБЛИЗИ

КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ.

§ 5.1. Временные характеристики примесного фотоответа в германии, легированном ртутью,при комнатной температуре

§ 5.2* Фотоприемные характеристики германия, легированного цинком ( Сте' 2л ), при комнатной температуре

Основные результаты, изложенные в главе У.

Стремительное развитие технических применений инфракрасного излучения стимулирует проведение интенсивных научных исследований, направленных на дальнейшее усовершенствование разнообразных приемников излучения. Важное место среди таких приемников занимают примесные фоторезисторы на основе легированного германия и кремния* К достоинствам этих фоторезисторов относятся высокая чувствительность, сохранение линейности фотоответа до высоких значений мощности оптических сигналов и возможность получения при этом большой амплитуды фотосигнала, невосприимчивость к оптическим перегрузкам, а также высокое достижимое быстродействие* Такие приемники находят широкое применение в различных системах передачи информации /1-3/, оптических допплеровских локаторах /4,5/, в исследованиях по лазерной спектроскопии, в работах по диагностике плазмы /6/. Соэдание мощных лазеров на углекислом rase с излучением в иокнем прозрачности атмосферы привело к увеличению объема исследований фотоприемников 10-микронного излучения, в том числе фотоприемников, основанных на традиционных примесных полупроводниковых материалах. Решение многих практических задач с использованием лазерных систем предъявляет высокие требования к быстродействию таких фотоприемников* Так, увеличение скорости передачи информации в оптических системах связи требует увеличения частотной ширины пропускания канала связи и, соответственно, малой инерционности фотоприемного устройства. Другим примером может служить использование допплеровской системы при гетеродинном способе приема излучения. Допплеровский сдвиг частоты Л ja при отражении от объекта, двикущегося с первой космической скоростью VK находится в интервале 0*.1,6 ГГц (д|»та* = ^^к/А = 1>6 ГГц). Одинаковая передача сигнала в столь широкой полосе частот потребует от фотоприемника времени фотоответа меньшего 10"^ с!

В настоящей работе исследована возможность получения малых времен фотоответа в двух примесных полупроводниковых материалах: германии, легированном ртутью ( Ge : Н^1 ), и германии, легированном цинком с полностью компенсированным первым уровнем и частично г -» " компенсированным вторым уровнем цинка ( We-trî ), Оба эти материала р-типа, тепловая активация дырок (и фотоионизация при "примесной" подсветке) происходит с ионов 2п (или ), захват дырок происходит ионами Zn (или H д. ). Выбор примесного материала для исследования высокочастотной фотопроводимости обусловлен рядом причин. Германий - традиционный полупроводниковый материал, свойства которого хорошо изучены, технология получения примесного ц германия хорошо разработана. Германий, легированный цинком (Ge:2â), и германий, легированный ртутью ( &еа. Н^ ), имеют максимум спектральной чувствительности вблизи энергии кванта излучения СО2 лазера (0,117 эВ). Отметим также, что фотоприемники, изготовленные на основе этих материалов, не требуют глубокого охлаждения из-за большой энергии тепловой активации примесей (х 0,09 эВ). Возможность работы при неглубоком охлаждении (температурах жидкого азота) или вовсе бее охлаждения (при комнатных температурах) особенно важна при практических применениях. (Это обстоятельство в значительной мере предопределило температурную область наших исследований). Наименьшее время фотоответа, которое может быть реализовано в примесном фотоприемнике, определяется временем жизни основных носителей заряда Т = W^t^t , где Ct - коэффициент захвата, а

- концентрация центров захвата. При низкой температуре концентрация центров захвата равна концентрации компенсирующей примеси. Очевидно, что для получения малых времен необходимо выбирать материал с большими коэффициентами, а значит, и сечениями захвата; необходимо также такой полупроводник значительно легировать и компенсировать. Получение минимальных времен фотоответа часто ограничивается величиной предельной растворимости фотоактивных примесей. Это обстоятельство также предопределило выбор ртути и цинка для исследований, поскольку эти примеси хорошо растворяются в германии /7/.

Отметим проблемы, возникающие при исследовании коротковремен-ной фотопроводимости указанных материалов и разработке малоинерционных фотоприемников на их основе. Увеличение легирования, необходимое для достижения малых времен фотоответа, приводит к возникновению случайного поля, обусловленного хаотически расположенными ионами примесей. При выполнении условия (4/39 где *<> -радиус экранирования, N - концентрация примесей, на энергетическое положение примесного центра в запрещенной зоне влияет случайный кулоновский потенциал соседних ионов. Возникает разброс примесных состояний по энергии, т.е. классическое уширение примесных уровней. Классическое уширение зоны примесных уровней влияет на электрофизические характеристики полупроводника, значительно изменяя энергию активации £< примесной проводимости* Обычно концентрации доноров и акцепторов в примесных полупроводниках определяются по электрофизическим измерениям, т.е. по температурным зависимостям электропроводности и коэффициента Холла. Пренебрежение влиянием случайного поля на эти зависимости может привести к ошибкам. Эти ошибки особенно значительны в случае б-е'-Еп,11 , где из-за двойного отрицательного заряда центров захвата случайное поле заметно влияет на £< начиная с концентрации цинка порядка 1015 см"^. При легировании же на уровне порядка 10^ см"^ ошибки в определении концентрации центров захвата, связанные с неучетом случайного поля, могут составить 2004-300%. Соответственно на столько же изменится и рассчитанное из холловских измерений значение быстродействия фотоприемника. Это обстоятельство необходимо учитывать при выборе материала для фотоприемников, т.к. предварительный отбор материала обычно производится по электрофизическим измерениям. Изменение энергии активации ионов ^а , возникающее при увеличении концентрации примесей, резко влияет и на другой важнейший параметр фотоприемника - его обнаружительную способность /8/. Таким образом, корректный учет случайного поля необходим для определения важнейших параметров фотоприемников, по простейшим электрофизическим измерениям, широко распространенным на практике.

Исследование влияния случайного поля на свойства слаболегированных примесных полупроводников имеет, однако, не только прикладное, но и самостоятельное научное значение. Количество работ, посвященных этим исследованиям непрерывно растет. В большинстве работ исследуется случай легирования полупроводника однозарядовыми примесями, создающими "мелкие" уровни /9-14/. Ион "На и атом Н^ создают в германии относительно глубокие примесные уровни, что, в отличие от мелких уровней, позволяет производить исследования в условиях, когда тепловая энергия к.Т превышает характерную величину случайного потенциала. Выяснение влияния случайного поля в этих условиях на электрофизические характеристики полупроводника, анализ возникновения случайного поля при легировании полупроводника двухзарядовой примесью ( (ге'"2пГ ), определение кинетических характеристик фотопроводимости и анализ механизма захвата неравновесных дырок при наличии случайного поля - все те проблемы, которые необходимо было решить для реализации малоинерционной фотопроводимости в исследуемых материалах, представляют также известный интерес как для физики неупорядоченных полупроводников, так и для

- 8 физики безызлучательной рекомбинации.

Требования к детекторам излучения, предъявляемые практическими задачами, распространяются в первую очередь на такие его характеристики, как спектральный диапазон, быстродействие, величина пороговой чувствительности при выбранном быстродействии, динамический диапазон. Высокая чувствительность примесных фотосопротивлений в сочетании с быстродействием может быть достигнута только при достаточно глубоком охлаждении. Решение многих практических задач, однако, не требует от фотоприемника высокой чувствительности. В этих случаях на первый план часто выступает требование высокой рабочей температуры фоторезистора, которое позволяет отказаться от его охлаждения. Неохлаждаемые фотоприемники 10-микронного излучения удобно использовать, например, для регистрации коротких и мощннх импульсов излучения С02 лазера. Такие фотоприемники требуются также практически в каждой установке с С0г> лазером, где они используются в качестве неохлаждаемых приемников-мониторов лазерного излучения. Разработка быстродействующих неохлаждаемых фотоприемников 10-микронного излучения на основе С-е -Ну , пГ потребовала исследований коротковременной фотопроводимости этих материалов не только при низкой, но и при комнатной температуре.

Настоящая диссертация посвящена решению отмеченных выше проблем* Цель диссертации состояла в следующем:

Исследовать влияние случайного поля на электрофизические характеристики германия, легированного цинком, при значительном легировании, необходимом для получения малых времен фотоответа.

Исследовать кинетику примесной фотопроводимости в германии, легированном цинком, и в германии, легированном ртутью, в области малых времен фотоответа в широком интервале температур. Исследовать влияние случайного поля на процессы рекомбинации неравновесных носителей в Се-^п , бе: Н^1 .

Провести экспериментальные исследования чувствительности и быстродействия фотоприемников на основе б-е^а , с целью определения возможностей фотопроводящего материала при его практическом применении для пшрокополосного приема 10-микронного излучения при низких температурах.

Провести исследования фотопроводимости примесного германия ( бе:2а1 , (¡-е-) при комнатной температуре с целью создания быстродействующих неохлаждаемых фотоприемников 10-микронного излучения.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения.

Основные результаты работы состоят в следующем:

1. Проанализированы особенности возникновения крупномасштабного потенциала случайного поля при слабом легировании полупроводника двухэарядовой примесью и проведены экспериментальные исследования влияния случайного поля на электро(|изические характеристики

Вычислены соотношения, описывающие статистику примесного частично компенсированного полупроводника при наличии слабого случайного поля. В предельных случаях сильной и слабой компенсации получены аналитические выражения для положения уровня Ферми и концентрации свободных дырок.

Предложен способ расчета раздельных концентраций доноров и акцепторов по результатам измерений электропроводности и коэффициента Холла в примесном полупроводнике при наличии слабого случайного поля.

2. Разработаны методы исследования кинетики высокочастотной фотопроводимости. Сконструирован и собран измерительный стенд для исследования амплитудно-временных характеристик фотоответа. Стевд позволял измерять времена фотоответа до 1*10"® с, величины электрических сигналов до 5*10~® В и исследовать образцы с относительной фоточувствительностью , равной 5*10"*® мм^/Вт и выше.

Сконструирован и собран стенд для исследования амплитудно-частотных характеристик фотоответа и генерационно-рекомбинационно-го шума в диапазоне частот 1^.2000 МГц. Стенд позволял измерять

- 155

10 времена фотоответа по 1- 10""х о, величины электрических сигналов до 10"^ В и исследовать образцы с величиной д^/бТ вплоть до 2«КГ5 мм^/Вт и выше.

Впервые разработана методика и создан измерительный стенд для определения малых времен жизни неравновесных носителей заряда в субнаносекундном диапазоне с) по фазовым характеристикам фотоответа. Чувствительность стенда позволяла определять времена жизни при минимальном сигнале фотоответа 4*10"^ В и исследовать образцы с величиной , равной ДО"3 мм^/Вт и выше.

3. Экспериментально исследована зависимость времени живни неравновесных дырок ^ от температуры, напряженности электрического поля и концентрации центров рекомбинации при захвате ионами цинка Н в германии. Измерения проведены в интервале температур 60.*300 К, величин Ъ ~ 10 "^.Ю""11 с, напряженности поля до 1500 В/см, при изменении концентрации цинка в диапазоне 5*10^. 5*1016 см"3.

Определена величина и температурная зависимость сечения захвата ( ¿р= = 4,2*10~13 см2 при Т = 77 К, т~"' , где ъ , Т = = 60.300 К).

Показано, что для правильного определения величины сечения и ее температурной зависимости необходимо учитывать наличие случайного поля.

Установлено, что величина Т изменяется обратно пропорциональ

11 но концентрации центров захвата вплоть до времен^ 1 • 10"" с.

В предположении гауссовой формы плотности состояний уровней возбуждения ионов И п. , обусловленной случайным полем, произведен расчет времени жизни ^ по методике, описанной в работе /75/.

Показано, что захват с испусканием оптического фонона, в условиях разброса по энергии вторых уровней цинка случайным полем,

- 156 представляет собой один иг основных каналов рекомбинации фотовозбужденных дырок в С-е'-?»? .

4* Проведены измерения времен жизни неравновесных дырок в германии, легированном ртутью, в интервале величин Тл6* 10"^. 4-10"^ с, температур 60.140 К, напряженности электрического поля 10.1500 В/см, в диапазоне концентраций центров захвата 1013. 1015 см'3.

Определена величина и температурная зависимость сечения захвата дырок ионами ртути Нд, ( ¿р = 4,4» 10~*3 см2, Т =» 65 К, Показано, что полевая зависимость подвижности дырок, а также полевая и температурная зависимости времени жизни Т указывают на участие оптических фононов в процессе релаксации энергии и рекомбинации фотовозбужденных дырок.

5. Найдена связь фотоприемных ^свойств быстродействующих фотоI резисторов на основе От*.- , С-е: Нд с параметрами исходного полупроводникового материала. При азотных температурах проведены экспериментальные исследования токовой чувствительности и быстродействия указанных фоторезисторов с целью определения возможностей фотопроводящего материала при его применении для широкополосного приема 10-микронного излучения.

6. Проведены исследования временных и амплитудных характеристик примесного фотоответа в германии, легированном ртутью, и германии, легированном цинком, при комнатных температурах. Определено сечение захвата неравновесных дырок ионами Нд. , ¿р = 2*10"^ см2, при Т = 290 К.

Определено сечение фотоионизации отрицательных ионов ртути

10-микронным излучением, ¿о = 6«Ю-1® см2, при Т = 290 К.

Показано, что минимальные времена фотоответа неохлаждаемых т фотоприемников на основе (ге^ находятся в наносекундном диапазоне«

- 157

Определены требования к концентрациям легирующих примесей, необходимые для повышения чувствительности неохлаздаемых фотоприемников на основе бе:Нп. .

Показано, что используя германий, легированный цинком, можно экспериментально реализовать неохлаждаемые фотоприемники с быстродействием 10"** с, чувствительностью 0,5 мВ.мм^/Вт, с линейной зависимостью фотоответа от интенсивности излучения вплоть до 5-Ю5 Вт/см2.

Сделан вывод о применимости указанных фотоприемников для исследования коротких и мощных импульсов 00% лазеров.

В заключение автор выражает глубокую признательность своим научным руководителям Н.А«Ленину и В.А .Курбатову за постоянное внимание и помощь в работе. Автор благодарен Г .А .Асланову, М.Г.Галкину, Ю.В.Настаушеву, Н.Н.Соловьеву, В.Б.Сигачеву за помощь в экспериментальной работе и С.Н.Максимовскому за предоставление кристаллов германия, легированного цинком.

Автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность заведующему лабораторией Б.М.Вулу за внимание к работе, благожелательное отношение и поддержку.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Пратт В.К. Лазерные системы связи. Изд. "Связь», М., 1972,232 с.

2. Mosker W.W. А 10,6-ju Optical Heterodyne Communication System. fíppl Opt, 1969, v/.8, л/3, p. 677-684.3. ftratt P.R. Impurity Germanium a.r\¿ Silicon Infrared Detectors. Semiconductors a.r\d Sernimetals, 1977, Infrared Detectors cb2, р.39-*Й2.

3. Росс M. Лазерные приемники. Изд. «Мир», М., 1969, 520 с.5. &oodwín RE, Nussmeier Т. A. OpticaJ Heterodyne Communications. Experiments at 10,6^. IEEE, Journ. of Quant. Elj968^.QE-^ л/10, p.612-617.

4. Грибков В.А., Коржавин В.M., Курбатов В.A. Методика исследования инфракрасного излучения плазменного фокуса. Препринт ФИАН СССР № 125, Оптика и спектроскопия, Москва, 1978, с.28.

5. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. Изд. «Наука«, М., 1967, 371 с»

6. Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин Н.А. Обнаружительная способность фотоприемника из германия, легированного цинком и сурьмой при температурах жидкого азота. Ш1, 1975, т.9, № 2, с.292-296.

7. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. Изд. "Наука", М., 1979, 416 с.

8. Ю.Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Структура примесной зоны слаболегированных полупроводников. Ш1, 1980, т.14, в.5, с.825-858.

9. Гершензон E.M., Ивлева B.C., Куриленко И.Н., Литвак-Горская Л .Б. Влияние компенсации на электропроводность p-JnSb , фЩ, 1972, т.б, в.10, с.1982-1987.

10. Куриленко И.Н., Литвак-Горская Л.Б., Луговая Г .Я., Хлыстовская М.Д. Влияние компенсации на энергию ионизации многоэаря-дных примесей в p-JhSb. Ш, 1977,т.11,в .6,с Л125-1130.

11. Годик Э.Э., Кузнецов A.M., Лазарев В .В., Синие В «П. Аномальная фотопроводимость германия, легированного ртутью, при комнатной температуре. Письма в ЖТФ, 1977, т.З, № 7, с.302-304.

12. Годик Э.Э., Кузнецов А.И*, Лазарев В.В., Синие В.П. Аномальная примесная фотопроводимость германия, легированного ртутью, при комнатной температуре. ФТЛ, 1977, т.11, №8, с.1465-1469.

13. Годик Э.Э., Кузнецов А.И., Синие В.П. Примесная фотопроводимость германия при энергиях квантов, меньших энергии ионизации примесей. Изв.АН СССР, сер. физ., 1978, т.42, №6, с. 12081212.

14. Кузнецов А.И. Фотопроводимость германия и кремния, легированных глубокими примесями, при энергии квантов, меньших энергии ионизации. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Москва, 1979.

15. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках. ФТП, 1978,т.12, вЛ, с.3-32.

16. Абакумов В.Н. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках. Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Ленинград, 1980.- 160

17. Иглицын М.И., Юрова E.G. Время жизни неосновных носителей в германии, легированном ртутью. ФТТ, 1966, т.8, № 11, р.3414-3416.

18. Darviot Y., Sorrentino A., JolyB., Pajot В. Metallurgy and Physical Properties of Mercury- Doped Germanium Related to -the Performances of the Infrared Detector. InfraredfV, myv.7,b/Lp.l-10.

19. Патли E. Фотопроводимость в далекой инфракрасной области. У®, 1966, т.90, Ш 1, с.85-128.

20. Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Изд. «Наука», М., 1977, 672 с.

21. Штивельман К.Я., Усейнов Р.Г. Кратность вырождения состояний двухзарядных акцепторов в полупроводниках. Изв. вузов СССР, физика, 1974, т.10, с.123-125.

22. Штивельман К.Я., Романычев Д.А., Ларин П.А. Факторы вырождения многозарядных акцепторов в германии. В кн.: Свойства легированных полупроводников. Изд. "Наука»», М., 1977, с.5-8.

23. Blakemore J.5. Improved Characterization of Impurities in Semiconductors -from Thermal Carrier Measurements.

24. J. Appl Phys. Ш0, v. 51(2), p.lOW-1059.

25. Blakemore J.S. Compensator Tnhomogeneity {nan Extrinsic Semiconductor. J.Appl. Phys., 1981,^52(2), p.M0-M7.

26. XWlap Ia/.C., Jr. ZinCASctn Acceptor in Germanium. Ph\/s.

27. Rev.,J952, v. 35, M5, p.gJtf-gi/6.

28. Dunlap W.C.,Jr. Properties of Zinc,-Copper- and Platinum-Poped (rermamm. РЬуй.Ре^Ш^Яб,a/1, рЛ0—Ч5

29. Алейников А.Б., Баскин Э.М., Зарубин Л.И. Электрофизические свойства германия, легированного цинком, вблизи перехода полупроводник-металл. Ш1, 1983, т.17, Ш 4, с.708-713.

30. Tyler W.W., Woodbury HR Scattering of Carriers -Prom

31. Doubly Charged Impurity Sites in Germanium. Phys. Re*,/356102, л/3, p.64V-£55. 35 Thurmond CP., Trumbore RA., Kowalchik M. Bermanium

32. So\i<k Curves. J. Cbem. Phvjs.,1556,v. 25", n/4, p. 1QQ-800.

33. Сидоров В.И. Электропроводность и эффект Холла в германии, легированном цинком, при низких температурах. ФТТ, 1963, т.5,10, с.3006-3010.

34. Земсков В .С*, Белокурова И.Н., Добычина Л.Д. Энергетический спектр цинка в твердых растворах германия с кремнием. В кн.: Свойства легированных полупроводников. Изд. «Наука«, М.,1977, с.16-21.

35. Мотт Н*Ф. Переходы металл-изолятор. Изд. «Наука«, М., 1979, 344 с.

36. Гельмонт Б.Л., Дьяконов М.И. Акцепторные уровни в полупроводнике со структурой алмаза. ФТП, 1971, т.5, № 11, с:2191-2193.

37. Pearson 6.L., Bardeen J. Electrical Properties of Pure Sik-con and «Silicon /IItoys, Containing Boronand Phosphorus.1. РЦ. v.15, a/5", р.865-Ш- 162

38. Debye P.P.^ConweH Б. M. Electrical Properties of N-Tjpe Germanium. Phys.Rev.jg54, v.93, p.695-706.

39. Pincherle L Change of Activation Energy with Impurity Concent rati on in Semiconductors. Proc. Phys.Soc., 1Q5L,v.64, pt 7, is/ЗЭД А э р.б63-бй.

40. Neumirк G.R Concentration and Temperature Dependence of Impurity-Ъ 6and Activation Energies. Plnys. Rev. 1572, v. rf2,p.J/o8-i/!7.

41. Falicov L.M., Cuevas M. Mobility of Electrons in Compensated Semiconductors. IT. Theory. Phys.Rev., 4967, v.1. Ы*, p. ¿025"-1032.

42. Узаков А.А., Эфрос A.JI. Высокотемпературное разложение термодинамических функций электронов в примесной зоне. 1ЭТФ, 1981, т.81, Ш 5 (11), с.1940-1946.

43. Шкловский Б.И., Эфрос АД. Примесная зона и, проводимость компенсированных полупроводников, ЖЭТФ, 1971, т.60, № 2, с.867-878.

44. Efros A.L., -ShkWski'i B.I, Y&nchev I.Y. Impurity Conductivity in Low Compensated Semiconductors. Plujs. Stat. Sol (Ь),1372, p.W-52.

45. Eiroi> A.L., SKklovskii B.l, Nguyen Van Lien. Tmpurity Band Structure in Lightly Doped Semiconductors. J.Phys. C: ¿ol.St. Pky*., 1979, v. 12, tfiO, p.18694881.

46. Devis E.A., Compton W.D. Compensation Dependence of Impurity Conduction in Antimony Doped в-егшпшт. Phys.Rev., 4965, v. ^0 A, p. Д 2183-A2№.

47. Мотт H., Туз У. Теория проводимости по примесям. УШ, 1963, т.79, № 4, с.691-740.- 163

48. Шик А.Я. Эффект Холла и электропроводность в неоднородных полупроводниках. Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, № 1, с.14-16.

49. Clefand J.W., LArk-Horovttz К, Pigg J. С. Transmutation-Produced Germanium Semiconductors. Phys. Rev/., IQ50}v. 78, H6, p.8W-8i5.

50. Frftzsche H., Cuevas M. Impurity Conduction in Hmns -mutation Doped p-Type Germanium. Phys. QeV.,1%0,1. UQtMt p. 1238-1215".

51. Kuri yama K., Yahagi M., Iwamura. K.? Kim Y.t Kim C. /Innea^'ng Effects, on Electrical Properties of Thermal Neutron Transmutation Doped &e. lf\ppl. Phys /983,p.673-676.

52. Гершензон E.M., Кулевич Э.И., Рабинович Р.И., Серебрякова Н.А. Циклотронный резонанс горячих электронов в p-lnSb при низких температурах. ФТП, 1972, т.6,N12,с.2358-2363.

53. Lax М. Cascade Capture of Electrons in Solids. Phys.

54. Абакумов B.H., Яесиевич И.Н. Сечение рекомбинации электрона на положительно заряженном центре в полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т.71, № 2(8), с.657-664.

55. Абакумов В.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Теория захвата электронов на протягивающие центры в полупроводниках при фото-возбуздении. ЖЭТФ, 1977, т.72, №2, с.674-686.- 164

56. Norton P., Braggius T., Levinstein H. Recombination of Electrons at Ionized Donors in Silicon at Low Temperatures. Pbys.

57. Ы Lett.jg75, v.30,Nlly р.Ш-439.

58. Годик Э.Э., Синие В.П. Фотоэлектрические свойства кремния, легированного индием. ФТП, 1977, т. 11, №3, с.598-600.

59. Годик Э.Э., Покровский Я.Е. Фотоэлектрические свойства кремния, легированного галлием. ФЕП, 1967, т.1, № 3, с.405-410.

60. Годик Э.Э., Курицын Ю.А., Синие В.П. О фиэическрй природе ограничения скорости захвата дырок в Si , легированном бором. Ш, 1972, т.6, №9, с.1662-1665.

61. Годик Э.Э. Влияние электрического поля на захват и рассеяние дырок в кремнии, легированном бором. ФТГ, 1966, т.8, if? 5,с. 1545-1549.

62. Годик Э.Э., Курицын Ю.А., Синие В.П. Захват дырок на атомы бора в кремнии при низких температурах. ФТП, 1978, т.12, № 1, с.91-95.

63. Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Гурвич Ю.А., Ладыжинский Ю.П., Фукс Т.Г. Время жизни фотоносителей, разогретых светом, в вр-fe. ФТП, 1973, т.7, № 8, 1507-1511.

64. Банная В.Ф., Гершензон Е.М%, Фукс Т.Г. Особенности рассеянияи рекомбинации горячих носителей в фГП, 1979, т.13,№3с 264-270.

65. Банная В.Ф., Ладыжинский Ю.П., Фукс Т.Г. Разогрев носителей светом в р-б-е . ФТП, 1973, т.7, в .10, 1978-1981.

66. Годик Э.Э., Курицын Ю.А., Синие В.П. Влияние электрического поля на захват носителей заряда притягивающими центрами. ШГП, 1978, т. 12, № 2, с.351-357.

67. Гершенэон Е.М., Гольцман Г.Н., Мултановекий В.В., Птицина Н.Г. Захват фотовозбужденных носителей заряда на мелкие примесные центры в германии. ЖЭТФ, 1979, т.77, №4 (10), с.1450-1462.

68. Карпус В., Перель В.И. Каскадный захват носителей в полупроводниках в динамическом режиме. ФГП, 1982, т.16, № 12, с .21292135.

69. Мултановекий В.В. Кинетика примесной и экситонной субмиллиметровой фотопроводимости германия. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук»Москва, 1981.

70. Абакумов В.Н., Соколова З.Н. Захват носителей на притягивающие центры при участии оптических фононов. ШТП, 1978, т.12, №8, с. 1625-1628.

71. Абакумов В.Н. Расчет вероятности захвата электрона на кулоново-кий центр при спонтанном излучении оптического фонона. ФГД, 1979, т.13, № 1, с.59-64.

72. Бесфамильная В.А., Остробородова В.В. 0 рекомбинационных свойствах примесных центров в р-типа. Ш1, 1969, т.З, № 1,

73. Ярив А., Бучек К., Пайкус Г.С. Исследование рекомбинации горячих дырок в германии, легированном ртутью. Труды IX Международной конференции по физике полупроводников, Москва, 1968, т.1, с.530-534.

74. КигФп рсив &Э., Ьисгек С.Х МЛеЬам! Opt¿Ыс.21-24.- 166

75. Абакумов В.Н. Каскадный захват, сопровоздаемый излучением оптического фонона. Ш, 1980, т.14, №5, с.865-873.

76. Абакумов В.Н., Крещук Л.Н., Яссиевич И.Н. Захват носителей на притягивающие центры в сильных электрических полях. ФТП, 1978, т.12, № 2, с.264-272.

77. Абакумов В.Н. Рекомбинация горячих электронов на примесные центры в полупроводниках. ФГП, 1979, т.13, № 5, с.969-974.

78. Pajot В.? Ъarviot Y Influence of Mercury Concentrator\ on "the Intensify of the Excitation Spectrum of Mercury-Doped Germanium. Physics Letters, p.Я2-51Ц.

79. Chapman RA, Hutchinson V/.G. Excitation Spectra and Photo-Ionization of Neutral Mercury Centers in Germanium. Phys. Rev., ¿967, v. 157, a/3, p. 6/5"- 622.

80. Fisher P., Fan H. Y. /Ibsorption Spectra and Zeeman Effect of Copper and Zinc Impurities in Germanium. Phys. Rev. Letters, 1060, v.5} p. 195-197.

81. Сидоров В.И., Сушко Т.Е., Шульман А.Я. Исследование оптического поглощения в германии, легированном цинком и компенсированном сурьмой. ФТТ, 1966, т.8, № 7, с.2022-2024.

82. Moore W.J. Exceed States of Neutral Zincj Copper, and Mercury in Photoconducting Germanium. Solid

83. State Com., Ю65, v.3 tl /2, p. 385-388.- 167

84. Астафьев Н.И., Барник М.И., Беглов Б.И., Тарасова И.М., Шалина В.Н. О механизме фотоударной ионизации и осцилляциях в спектре примесной фотопроводимости германия. Радиотехника и электроника, 1960, т.25, № 7, с.1489-1494.

85. Галкин М.Г., Пенин H.A., Соловьев H.H. Спектр возбужденных состояний однократно заряженного иона цинка в германии. ФТП, 1983, т.17, № 4, с.740-741.

86. Ramdas Л. Rodriguez £. Spectroscopy of Solid-Staie Analogues of the Hydrogen Atom: Donors and Acceptors in ¿Semiconductors. Rep. Progr. P^ys., Ш,

87. Блинов Л.M. Сечения захвата дырок атомами ртути в германии. ФГТ, 1965, т.7, №3, с.925-926.

88. Кауфман С.А., Куликов K.M. Сечение захвата дырок ионами ртути и цинка в германии. ФГТ, 1965, т.7, № до, с.3132-3133.

89. Первова JI.H., Макаров В.Н. Генерационно-рекомбинационный шум в германии р-типа, содержащем цинк. Радиотехника и электроника, 1962, т.7, № 8, с.1434-1439.

90. Курбатов В.А. Исследование фотоприемных свойств германия, легированного цинком, в области 10-микронного излучения. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Москва, 1976.- 168

91. Барник М.И., Тарасова И.М., Юдин С.Г., Астафьев Н.И.,

92. Беглов Б.И. Сечение захвата фотона атомами цинка и ртути в германии. ФТТ, 1966, т.8, № 12, с. 3725-3727.

93. Сидоров В.И., Лифшиц Т.М. Фотоэлектрические свойства германия, легированного золотом и цинком. Радиотехника и электроника, 1962, т.7, № 12, с.2076-2085.

94. Bode D.E., бгаЬ&т НА A Comparison of ihe Performance of Copper-Doped Germanium and Mercury £ oped &er-manium Letectors.Infr. Ph\/sj965^.3,p.12Q-)37.

95. Levinstein H. Extrinsic Detectors. /)рр/. Optics,1. H6y p. 63Q-6W.

96. Levinstein И. Impurity Photoconductivity in Germanium. Proceedings of the IRE, 1959,v.hQ^ р.Ш78-Й81.

97. Агафонов В.Г., Валов П.М., Рывкин Б.С.,Ярошецкий И.Д. Фотоприемники на основе эффекта увлечения светом носителей токав полупроводниках. ФГП, 1973, т.7, № 12, е.2316-2325.

98. BisWop P.J, fobson A.F., ^immi-li M.F. The Performance of Photon-Drag Detectors at High User Intensities. IEEE J. Quant Electron., №y.QE-9,N [0, p.iool-ioil.

99. Пиотровски Ю. Предельные характеристики ( tHg)Te фотодиодов. Ш1, 1977, т.11, №6, с.1088-1093.

100. Igras Е., Piotrowski J. On Performance Limit -for Longwave -length поп-cooled PhotoconductiVe (Cd Hj)Te betec--fcors. Optica /lpplicatdJ977, v. 7, ы1г p. 942.

101. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. Изд. «Мир»», М., 1970, 384 с.

102. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Изд. "Физматгиз", М., 1963, 496 с.- 169

103. Ленин Н.А. 0 длине экранирования в примесном полупроводнике. ФГП, 1983, т.17, № 3, с.431-436•

104. Morgan TN. Broading of Impurity bands in Heavily Doped Semiconductors. Php. Rev., р.АМЗ-ЛЗЧ9.

105. Бонч-Бруевич В.Л. Квазиклассическая теория движения частицв случайном поле. В сб.: Статистическая физика и квантоваятеория поля. изд. «Наука», М., 1973, с.337-391.

106. Dyakonov M.J., E-fros Д.L., Mitchell D.L. Magnetic Fr<?eze-Out of Electrons in Extrinsic Semiconductors. Phys. R^., 1969, v. WO, л/3, p. 815-£/8.

107. Жуматий П.Г. Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников с плавно меняющимся случайным полем. Диссертация на соискание степени кандидата физико-математических наук, Москва, 1975.

108. Гергель В.А., Сурис Р.А. Расчет подвижности и коэффициента Холла в среде со сферическими неоднородностями. ФГП, 1978, т.12, № 10, с.2055-2056.

109. Курбатов В.А., Пенин Н.А., Соловьев Н.Н. Спектры поглощения германия с примесью цинка. Тезисы докладов П Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980,с.35.

110. Болтаев А.П., Курбатов В.А., Соловьев Н.Н., Пенин Н.А. Высокочастотная модуляция 10-микронного излучения с помощью эффекта нагревания носителей электрическим полем в германии р-типа. Ш, 1973, т.7, в.10, с, 1896-1900.

111. Курова И.А., Калашников С.Г., Тяпкина Н.Д. Кинетика примесной фотопроводимости в германии Л-типа с золотом. ФТТ, 1962, т.4, № 6, с.1503-1509.- 170

112. Бяекмор Дк. Статистика электронов в полупроводниках. Изд. «Мир«, М., 1964, 392 с.

113. Лифшиц И.М. Оптическое поведение неидеальных кристаллических решеток в инфракрасной области Ш. ЖЭТФ, 1942, т.12, № 3-4, с.156-180.

114. Марадудин А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. Изд. "Мир", М., 1968, 432 с.

115. Воробьёв Л.Ё., Пожела Ю.К., Реклайтис A.C., Смерницкая Е.С., Стафеев В«И., Федорцев А.Б. Влияние примесного и междырочного рассеяния на функцию распределения горячих дырок в германии. ФТП, 1978, т.12, № 4, с.754-757.

116. Панков I. Оптические процессы в полупроводниках. Изд. "Мир«, М., 1973, 456 с.124* Жданова Н.Г., Калашников С.Г., Морозов А.И. Влияние температуры на скорость рекомбинации электронов и дырок на атомах меди в германии. ФТТ, 1959, т.1, № 4, с.535-544.

117. Burbaev TM., Kurbatov V./)., Penin N.A. Response-Time Limiiätion •for Ge-.Zn" Photoconductivity. 8th International Symposium of the Technical Commiiiee on Photon-Detectors. Prague, Czechoslovakia, №7Я,р.ЗЛЧЙМ.

118. Бурбаев T.M., Курбатов В.А., Пенин H.A. Токовая фоточувствительность и время жизни неравновесных дырок в германии с примесью цинка. ФТП, 1979, т.13, № 9, с.1771-1774.

119. Бурбаев Т.Н., Курбатов В.А., Настаушев Ю.В., Пенин H.A. Фотопроводимость примесного германия ( : ?п : Sb , &е' Hg :Sb ) вблизи комнатной температуры. ФТП, 1979, т*13, № 10, сЛ918-1922.- 171

120. Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин H.A. Фазовый метод определения времени жизни неравновесных носителей заряда в фотопроводниках. Квантовая электроника, 1979, т.6, № 10, с.2209-2214.

121. Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин H.A. Токовая чувствительность быстродействующих фоторезисторов из %n'$h при азотных температурах. Тезисы докладов на Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ужгород, 1979, с.59.

122. Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Настаушев Ю.В., Пенин H.A. Примесная фотопроводимость в германии при комнатной температуре. Тезисы докладов на Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ужгород, 1979, с.

123. Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин H.A. Влияние случайного поля на энергию активации второго уровня цинка в германии. ОТ, 1981, т.15, №8, с.1486-1492.

124. Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин H.A., Сигачёв В.Б. Захват неравновесных дырок на второй уровень цинка в германии. Тезисы докладов на П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса, 1982, с.67-68.

125. Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин H.A., Сигачёв В.Б. Классическое уширение второго уровня цинка в германии. Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 1982,с.100-101.- 172

126. Асланов Г.А., Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин H.A. Зависимость времени жизни неравновесных дырок в р-германии от концентрации центров рекомбинации ионов и температуры. ФТП, 1983, т.17, №4, с.674-678.

127. Асланов Г.А., Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Пенин H.A. Сечение захвата дырок ионами Н^ в германии. Ш1, 1984, т.18, Ш 2,с.319-323.