Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Перечень используемых сокращений

Список условных обозначений

Введение

1. Методика получения образцов и измерения их характеристик

1.1. Методика изготовления кремниевых МДП-структур с диэлектрическими плёнками из оксидов гадолиния, иттербия, лютеция и самария

1.2. Методика измерения электрических характеристик структур и экспериментальные установки для проведения измерений

1.3. Методика исследования фотоэлектрических характеристик МДП-структур и экспериментальные установки

2. Анализ вольтамперных зависимостей и особенностей электрического пробоя структур МДП с оксидами редкоземельных металлов

2.1. Вольтамперные характеристики систем А1-ОРЗЭ

2.2. Исследование характеристик и механизма электрического пробоя плёнок ОРЗЭ в кремниевых МДП-структурах. Кинетические характеристики электрического пробоя.

3. Исследование свойств границы раздела кремний - ОРЗЭ методом высокочастотных вольтфарадных характеристик и кинетических зависимостей мкости

3.1. Анализ вольтемкостных характеристик

3.2. Анализ зависимостей проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь от прикладываемого напряжения

3.3. Влияние технологии изготовления диэлектрических плёнок на электрические характеристики МДП-структур

3.4. Кинетические зависимости ёмкости при неравновесном истощении поверхности полупроводника основными носителями заряда. Свойства границы раздела кремний - ОРЗЭ

3.5. Влияние света на генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых МДП-структурах с плёнками оксида 8т и УЪ

3.6. Зависимость генерационных параметров МДП-структур от технологических условий изготовления диэлектрической плёнки.

4. Исследование внутренней фотоэмиссии носителей заряда в МДП-структурах с диэлектриком из оксидов редкоземельных элементов

4.1. Метод фотоинжекции и аналитическое выражение для фотоинжек-ционного тока

4.2. Исследование внутренней фотоэмиссии носителей заряда в МДП-структурах с диэлектриком из ОРЗЭ методом спектральных зависимостей фототока

4.3. Исследование внутренней фотоэмиссии носителей заряда в МДП-структурах с диэлектриком из ОРЗЭ методом вольтаических зависимостей фототока

5. Особенности захвата носителей заряда в кремниевых МДП-системах под действием излучения.

5.1. Закономерности накопления пространственного заряда в МДП-структурах под действием облучения

5.2. Исследование особенностей накопления заряда под влиянием ультрафиолетового излучения в кремниевых МДП-системах с ОРЗЭ

6. Исследование параметров ловушек в диэлектрических слоях ОРЗЭ

6.1. Методика определения локализации и плотности захваченного заряда в объёме диэлектрика

6.2. Изучение активных центров захвата заряда в диэлектрических плёнках оксидов 8ш, Оё, УЬ

6.3. Определение сечения захвата и плотности электронных ловушек в объеме диэлектрических пленок оксида самария и иттербия

6.4. Энергетическая глубина залегания электронных ловушек в диэлектрических плёнках оксидов самария и иттербия

6.5. Пространственное распределение захваченного заряда

ПЕРЕЧЕНЬ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ

БИС- большая интегральная схема,

ВАХ- вольт-амперная характеристика,

ВФХ- вольт-фарадная характеристика,

ДП- диэлектрик - полупроводник, дм- диэлектрик - металл, мдп- металл-диэлектрик-полупроводник,

Ме- металл,

МОП- металл-оксид-полупроводник,

ОПЗ- область пространственного заряда,

ОРЗЭ- оксид редкоземельного элемента,

ПС- поверхностные состояния,

РЗЭ- редкоземельный элемент,

РЗМ- редкоземельный металл,

СБИС- сверхбольшая интегральная схема,

УФ- ультрафиолетовый (-ое).

СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИИ

Епр Е время задержки пробоя, диэлектрическая проницаемость, круговая частота прикладываемого сигнала, удельное сопротивление диэлектрика, время жизни неосновных носителей заряда, поверхностный потенциал, сдвиг вольтаических зависимостей по оси напряжения, ёмкость МДП-структуры, ёмкость диэлектрика, толщина диэлектрика, напряжённость электрического поля, энергия активации проводимости, напряжённость поля пробоя, уровень энергии в полупроводнике, соответствующий середине запрещенной зоны,

N88 Рс проводимость, постоянная Планка, сила тока, фототок, скорость нарастания пилообразного напряжения, длина свободного пробега электрона в диэлектрике, собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике, плотность поверхностных состояний, мощность падающего излучения, заряд электрона, заряд поверхностных состояний, нагрузочное сопротивление,

В последнее время наблюдается всё возрастающий интерес к изучению физики поверхности полупроводников, к поиску новых, перспективных материалов для микро- и нано-технологии. Это связано с необходимостью микроминиатюризации электронных устройств, повышения уровня их интегрированное™ и надёжности. Благодаря внедрению в производство планарной и плёночной технологии приборов, развитие современной микроэлектроники невозможно представить без понимания физической природы процессов, происходящих в них на молекулярном и атомном уровне.

К числу устройств, наиболее широко используемых в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, относятся контакты металл-диэлектрик-полупроводник. Они применяются в полевых транзисторах с изолированным затвором, нелинейных конденсаторах (варикапах и фотоварикапах), приборах с зарядовой связью, элементах постоянной репрограммируемой памяти, логических устройствах, электрических и тепловых переключателях и др. Таким образом, сложные слоистые системы на базе структур МДП приобретают исключительную актуальность, поскольку их смело можно считать основой современной микроэлектроники и полупроводникового приборостроения.

Поэтому работы учёных и инженеров в этой области направлены как на изучение электрофизических свойств систем МДП, так и на поиск новых материалов, которые бы позволили улучшить характеристики приборов на их основе. Среди основных путей улучшения параметров МДП-приборов и элементов интегральных схем (БИС и СБИС) следует выделить получение высококачественной границы раздела полупроводника с диэлектрической пленкой, использование диэлектрических материалов с лучшими характеристиками (которые бы позволяли увеличить крутизну передаточной характеристики МОП-транзисторов), совершенствование методов нанесения диэлектрических пленок. 9

Наиболее широко используемым диэлектриком при изготовлении МДП-структур является 8Юг, поскольку это естественный окисел полупроводниковой подложки, составляющей основу бесспорного большинства полупроводниковых приборов и интегральных схем. Однако, возможности применения оксида кремния ограничены. Например, это вызвано проблемами, связанными с надёжностью устройств с уменьшенными размерами. Межповерхностные характеристики тонкого БЮг, необходимого для применения в таких устройствах, выращенного термическим окислением подложки, не позволяют получить структуру, свободную от микропор и внутренних напряжений. [1] Высокие значения электрического поля в изоляторе и плотности точечных дефектов ограничивают толщину 8Ю2 до 65-70 нм [2].

В связи с этим возрастает интерес к поиску новых диэлектрических материалов с улучшенными свойствами, которые бы позволили эффективно увеличивать плотность заряда, хранимого в МДП-конденсаторе.

К числу этих свойств можно отнести, кроме высокого значения диэлектрической проницаемости: 1) достаточно высокую электрическая прочность; 2) низкие токи утечки при рабочих напряжениях; 3) низкие значения диэлектрических потерь; 4) минимальная частотная зависимость в частотном диапазоне от 0 до ГГц; и 5) технологическая совместимость с существующими процессами в производстве кремниевых полупроводниковых приборов.

К таким материалам можно отнести оксиды редкоземельных элементов, которые характеризуются большими значениями диэлектрической проницаемости (8{ = 8 - 20, для сравнения 85102 = 3,9), высокой электрической прочностью, химической и термической стойкостью, расширенными функциональными возможностями [3]. Первоначальные исследования [2, 4, 5] показали, что, например, плёнки оксида иттрия (81 = 14 - 17) могут служить хорошей альтернативой общепринятым плёнкам 8Юг. В связи с этим чрезвычайный интерес представляет более глубокое изучение свойств оксидов редкоземельных элементов, как основы структур МДП, поскольку многие ключевые характеристики таких систем до сих пор остаются невыясненными.

10

В связи с этим целью данной работы является изучение электрофизических и фотоэлектрических свойств структур - ОРЗЭ - Ме, где в качестве диэлектрика используются оксиды таких редкоземельных металлов, как самарий (8т203), иттербий (УЬ20з), гадолиний (0ё203) и лютеций (Ьи203), изучение фундаментальных параметров МДП-систем, исследование качества границы раздела диэлектрик - полупроводник при различных температурах выращивания диэлектрической плёнки, построение энергетической зонной диаграммы структур, определение параметров активных центров захвата заряда в диэлектрических слоях.

Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи:

1. Выяснение механизма электропроводности кремниевых МДП-структур с диэлектриком из оксидов самария, иттербия, лютеция и гадолиния.

2. Исследование кинетических характеристик электрического пробоя и темпе. ратурной зависимости пробивного поля для диэлектрических пленок оксидов РЗЭ в кремниевых МДП-структурах.

3. Анализ вольтфарадных характеристик исследуемых систем и влияния на них условий изготовления, освещённости и других параметров.

4. Исследование вольтаической зависимости активной составляющей проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь кремниевых МДП-структурах с диэлектрическими пленками из оксидов РЗЭ на переменном сигнале.

5. Изучение влияния технологических условий изготовления диэлектрических пленок на электрофизические характеристики структур А1-УЬ20з-81, А1-вс^Оз^, А1-8ш20з-81, А1-Ьи20з-81, в частности на качество границы раздела диэлектрик-полупроводник.

6. Изучение явления внутренней фотоэмиссии носителей заряда в пленку диэлектрика из полупроводника или металла при облучении структур А1-ОРЗЭ-81 монохроматическим светом, определение высот энергетических барьеров на межфазных границах металл-ОРЗЭ и ОРЗЭ-81 и построение энергетической зонной диаграммы структур.

11

6. Изучение особенностей накопления заряда в диэлектрической пленке из оксида редкоземельного элемента в кремниевой МДП-структуре при световом воздействии.

7. Исследование параметров активных центров захвата носителей заряда в диэлектрической пленке, определение "центроида" захваченного на ловушки заряда, энергетической глубины залегания и сечения захвата ловушек.

8. Сравнение вышеописанных характеристик для структур с тонким 20 нм) и толстым 200 нм) слоем диэлектрика.

Научная новизна работы. В представленной работе впервые проведён комплексный анализ электрофизических и фотоэлектрических свойств структур металл - ОРЗЭ - кремний с четырьмя различными оксидами в качестве диэлектрика: оксиды самария, иттербия, лютеция и гадолиния. Получены и исследованы структуры с тонким ( ~ 20 нм) слоем диэлектрика (что на порядок меньше, чем использовались ранее). Это позволило резко повысить коэффициент перекрытия вольт-фарадной характеристики (в 8-10 раз), причём электрическая прочность структуры и стабильность характеристик остались практически неизменными.

Проведено исследование закономерностей электрического пробоя в диэлектрических пленках оксидов самария, иттербия и гадолиния. Установлено два участка на кинетической характеристике пробоя. На первом участке, при малых скоростях роста пилообразного напряжения на структуре Ку=10-105 В/с величина пробивной напряженности электрического поля линейно нарастает с увеличением логарифма скорости роста приложенного напряжения и пробой имеет кинетический характер. На втором участке величина поля пробоя не зависит от изменения скорости роста приложенного напряжения и пробой носит "критический" характер. Величина напряженности электрического поля пробоя на этом участке увеличивается с уменьшением толщины диэлектрика и площади верхнего электрода. Обнаружено уменьшение электрического поля пробоя с ростом температуры окружающей среды, причем наклон температурной харак

12 теристики уменьшается с увеличением скорости роста приложенного напряжения. Установлено, что время задержки пробоя пленки оксидов самария и гадолиния экспоненциально уменьшается с возрастанием величины электрического поля и температуры. Предложена теоретическая модель электрического пробоя пленки оксида РЗЭ для области Ку=10-105 В/с. Показано, что развитие пробоя состоит из подготовительной стадии, связанной с накоплением в диэлектрике критического заряда, при превышении которого пробой переходит в быструю фазу собственного пробоя диэлектрика.

Впервые получены значения времени жизни неосновных носителей заряда, достигающие 90 мкс и более (для образцов с тонким, -20 нм диэлектриком). Скорость поверхностной генерации при этом достигала 0,08 см/с. Эти данные существенно превышают аналогичные характеристики для структур с толстым (-200 нм) слоем оксидов РЗЭ и на порядок превосходят имеющиеся данные о структурах с оксидом кремния в качестве диэлектрика.

Методом внутренней фотоэмиссии носителей заряда в диэлектрик на основании спектральных и вольтаических зависимостей фототока определены высоты энергетических барьеров на межфазных границах МДП-структуры. Причём наблюдалось хорошее соответствие полученных данных между собой. Величины потенциальных барьеров составили: А1-8т203 (2,89-2,91 эВ), вьвтгОз (2,70-2,72 эВ), А1-УЬ203 (2,90-2,92 эВ), 8ьУЬ203 (3,18-3,21 эВ), АЮсЬОз (3,16-3,17 эВ), 8ьШ203 (3,29-3,31 эВ), А1-1дд203 (2,77-2,9 эВ), Бь Ьи203 (3,40-3,45 эВ). Установлено, что при положительном и отрицательном напряжении на металлическом электроде наблюдается фотоэмиссия электронов из кремния и металла соответственно.

Проведён анализ вольтаических зависимостей фотоинжекционного тока после облучения. На основании этих зависимостей выявлены закономерности прохождения заряда через структуру и накопления заряда на ловушках.

Установлено, что фотоинжектированные электроны захватываются на глубокие центры диэлектрика, причем "центроид" захваченного заряда располагается вблизи центра диэлектрика. Сечение захвата и поверхностная плот

13 ность электронных ловушек в диэлектрической пленке оксида иттербия равны 3,5-10"19см2 и 1,6-1012см~2 соответственно.

Методом фотостимулированной деполяризации установлено, что электронные центры захвата заряда располагаются почти в середине запрещенной зоны диэлектриков, в пленке УЬ203 на расстоянии 2,4-2,7 эВ от дна зоны проводимости, в пленке 8т203 на расстоянии 2,25-2,6 эВ.

Получено пространственное распределение захваченного заряда в диэлектрической пленке вблизи межфазных границ раздела фаз 8ьОРЗЭ, А1-ОРЗЭ при облучении структур А1-8т203-81 и А1-УЬ203-81 монохроматическим светом. Установлено, что объемная плотность захваченного заряда в 4-10 раз больше в объеме диэлектрической пленки, чем вблизи границы раздела 8ьОРЗЭ. Данный результат свидетельствует о высоком качестве границы раздела 81- ОРЗЭ.

Практическая ценность работы состоит в том, что полученные данные о фундаментальных характеристиках структур МДП с оксидами ОРЗЭ (самария, гадолиния, лютеция иттербия), такие как значения энергетических потенциальных барьеров на межфазных границах, расположение и энергетическая глубина залегания центроида в диэлектрическом слое, особенности поведения структур в состояниях насыщения и инверсии и т.д., могут использоваться при разработке приборов с использованием плёнок оксидов редкоземельных элементов, в частности МДП-варикапов и фотоварикапов. Показано, что по некоторым параметрам полученные структуры существенно превосходят аналогичные системы с применением плёнок оксида кремния, из-за почти 4-кратного превышения значения диэлектрической проницаемости по сравнению с оксидом кремния, а также сравнительно низкого значения токов утечки.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Результаты экспериментального исследования электрического пробоя в МДП-структурах с пленочными оксидами самария, гадолиния и иттербия, а также механизм пробоя, который состоит из 2 фаз. На первой происходит накопление критического заряда в приконтактной области диэлектрика, про

14 бой носит кинетический характер, напряжённость пробивного поля прямо пропорциональна логарифму скорости нарастания прикладываемого напряжения. Во время второй фазы величина электрического поля пробоя не зависит от скорости нарастания напряжения и пробой носит "критический" характер.

2. Характеристики вольтфарадных зависимостей и кинетических зависимостей ёмкости, которые свидетельствуют о высоком качестве границы раздела диэлектрик-полупроводник, где в качестве диэлектрика используется оксид редкоземельного металла.

3. Параметры энергетических зонных диаграмм и свойства границы раздела кремний-оксид редкоземельного элемента МДП-структур с диэлектрическими пленками из оксидов самария, гадолиния, лютеция и иттербия.

4. Экспериментально установленные параметры активных центров захвата заряда в диэлектрических слоях из оксидов самария, иттербия и гадолиния.

5. Закономерности и физическая модель накопления заряда в кремниевых МДП-структурах с диэлектрическими пленками 8т203, УЬ203 и 0с1203, которая заключается в том, что пленки оксидов самария, гадолиния, лютеция и иттербия накапливают отрицательный электрический заряд при облучении структур монохроматическим видимым и УФ-излучением при одновременном воздействии внешнего поля. Величина захваченного заряда увеличивается с ростом приложенного напряжения и имеет тенденцию к насыщению при больших временах облучения. Фотоинжектированные электроны захватываются на глубокие центры диэлектрика, причем "центроид" захваченного заряда располагается вблизи середины диэлектрика, в середине запрещенной зоны УЪ2Оз и 8ш203.

В связи с появлением ряда монографий, сборников и обзоров, описывающих широкий круг вопросов физики систем диэлектрик - полупроводник, мы сочли целесообразным не приводить в работе литературный обзор. Результаты новых оригинальных исследований приводятся во введениях или обсуждаются при изложении основного материала или его анализе.

Основные результаты работы состоят в следующем: 1. Изучен механизм электропроводности кремниевых МДП-структур с диэлектрическими пленками из оксида самария и иттербия. Установлено, что энергия активации проводимости пленки оксида иттербия монотонно уменьшается от 1,1-1,3 эВ до 0,86-0,9 эВ с ростом электрического напряжения от 2 до

5 В, а электропроводность кремниевых МДП-стр-уктур с диэлектрическими пленками 8т203, 0с1203, Ьи203 и УЬ203 удовлетворительно описывается механизмом Пула-Френкеля.

2. Из ВАХ на постоянном токе определены величины высокочастотной диэлектрической проницаемости пленок оксида самария, гадолиния и иттербия, которые соответственно равнялись 8,9 и 7,4. Для 0ё203 она составила 8,2-10.

3. Изучены основные закономерности электрического пробоя пленок оксидов самария и гадолиния. Установлено два участка на кинетической характеристике пробоя. На первом участке, при малых скоростях нарастания напряжения Ку-Ю-Ю5 В/с, электрическое поле пробоя линейно увеличивается с ростом логарифма Ку и пробой имеет кинетический характер, который связан с накоплением критического заряда в приконтактной области диэлектрика. На втором участке, при Ку >106 В/с величина электрического поля пробоя не зависит от Ку и пробой носит "критический" характер. Показано, что величина пробивного поля линейно уменьшается с ростом температуры окружающей среды, причем наклон температурной характеристики снижается с увеличением скорости роста приложенного напряжения.

4. Методом вольтфарадных характеристик МДП-структур определены величины фиксированного заряда в диэлектрике и эффективной плотности поверхностных состояний. Плотность поверхностных состояний в МДП-структурах с толщиной диэлектрика порядка 300 нм с оксидом самария не превосходит (3-3,6)-Ю10 эВ^-см"2, с оксидом иттербия - (2,5-4) -10й эВ~'-см~2, с оксидом гадолиния - (0,03-7)-Ю10 эВ1-см"2. Для структур с тонким диэлектриком эти значения были на порядок выше.

5. Показано, что удельная емкость диэлектрика и коэффициент перекрытия емкости для исследованных образцов с толстым диэлектриком более чем в 3 раза превосходят такие же параметры широко распространенных аналогичных кремниевых МДП-систем с диэлектриком из двуокиси кремния. Для структур с тонким диэлектриком это преимущество составляет 8-10.раз..

6. Установлено, что исследованные образцы перспективны для изготовления фотоваракторов с коэффициентом перекрытия емкости по свету для МДП-структур с диэлектрической пленкой из оксида самария равным 2,5 и 4 при уровнях освещенности, составляющих 4,3-103 и 3-Ю4 лк соответственно. Для

148 структур с оксидом иттербия эти величины равнялись 1,5 и 3. Показано, что значения tg 8 и активной составляющей проводимости МДП-структур слабо зависят от освещения.

7. Методом кинетических зависимостей МДП-емкости определены значения скорости поверхностной генерации носителей заряда для различных образцов на границе раздела кремний - оксид РЗЭ, которые составили 20-50 см/с для структур с оксидом самария, для структур с оксидом гадолиния - 40-45 см/с, для структур с оксидом лютеция - 5,6 см/с, а для структур с оксидом иттербия - 11-60 см/с. Значения скорости поверхностной генерации в исследуемых структурах более чем на порядок меньше аналогичного параметра в таких же кремниевых МДП-структурах с термическим оксидом кремния в качестве диэлектрика. Установлено, что наилучшими электрическими характеристиками обладают МДП-структуры, диэлектрические пленки в которых, изготовлены термическим окислением металлических слоев РЗЭ при температуре 500° С. Для образцов с тонким, -20 нм диэлектриком впервые получены значения времени жизни неосновных носителей заряда, достигающие 90 мкс и более. Скорость поверхностной генерации при этом достигала 0,08 см/с. Эти данные существенно превышают аналогичные характеристики для структур с толстым (-200 нм) слоем оксида РЗЭ.

8. Показано, что процесс установления равновесия в ОПЗ при нестационарном обеднении поверхности полупроводника происходит путем термической генерации электронно-дырочных пар на поверхности и в ОПЗ полупроводника. Величина энергии активации генерационных центров лежит в пределах 0,4-0,43 эВ.

9. Методом внутренней фотоэмиссии носителей заряда в диэлектрик впервые определены высоты энергетических барьеров на межфазных границах А1-8т203 (2,89-2,91 эВ), 81-8т203 (2,70-2,72 эВ), №-8т203 (3,29-3,33 эВ), А1-УЬ203 (2,9-2,92 эВ), 81-^203 (3,18-3,21 эВ), М-УЬ203 (3,3-3,32 эВ), АИЗсЬОз (3,16-3,17 эВ), ЗьвёгОз (3,29-3,31 эВ), А1-Ьи203 (2,9-3,0 эВ), 81-Ьи203 (3,403,45 эВ).

149

10. Установлено, что диэлектрические пленки из оксидов самария, гадолиния, лютеция и иттербия в кремниевых МДП-структурах накапливают отрицательный электрический заряд при облучении структур монохроматическим видимым и УФ-излучением при одновременном воздействии внешнего поля. Показано, что величина захваченного заряда увеличивается с ростом приложенного напряжения и имеет тенденцию к насыщению при больших временах облучения. Установлено, что величина эффективного заряда, захваченного в диэлектрике, на порядок меньше заряда, прошедшего через структуру.

11. Из сдвига вольтаических зависимостей фотоинжекционного тока после облучения впервые определены параметры электронных ловушек в диэлектрической пленке. Установлено, что фотоинжектированные электроны захватываются на глубокие центры диэлектрика, причем "центроид" захваченного заряда располагается вблизи середины диэлектрика. Сечение захвата и плотность электронных ловушек в диэлектрической пленке оксида иттербия равны 3,5-Ю"19см2 и 1,6-Ю12см"2 соответственно.

12. Методом фотостимулированной деполяризации установлено, что электронные центры захвата располагаются почти в середине запрещенной зоны диэлектрика УЬ203 и 8т203, на расстоянии 2,4-2,7 эВ 2,25-2,6 эВ соответственно от дна зоны проводимости диэлектрика.

13. На основе проведенных исследований указаны возможности использования пленок оксидов РЗЭ и МДП-структур на их основе в качестве МДП-варикапов и фотоварикапов с высоким коэффициентом перекрытия емкости. Показана перспективность использования исследованных систем для создания на их основе приборов с репрограммируемой оптической записью информации и визуализации УФ-изображений, использования их в качестве высокочувствительных фотоприемников, а также слоев ис.сттр.докянньтх ОРЯ1 в качестве изолирующих и пассивирующих покрытий.

Материалы диссертационной работы были представлены на Российской научно-технической конференции "Новые материалы и технологии" (Москва, 1994), Международной конференции "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1997г.), Международной научно-технической конференции по физике твердых диэлектриfh ков (Санкт-Петербург, 1997г.), The Dielectrics Society 28 Annual Conference Charges in Solid Dielectrics (Darwin College, University of Kent at Canterbury, England, 1997г.), IX Международной школе-семинаре Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ (Самара, 1997г.), Dielectrics and Related Phenomena Conference (DRP'98 Szczyrk, Poland, 24-27 September 1998г.), шестой Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (пос. Дивноморское, Россия, 1999г.) и опубликованы в следующих работах [16-19, 21, 38, 39, 41-46, 49, 58, 72, 73, 77, 111113,121-126].

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность научному руководителю профессору кафедры электроники твердого тела, доктору физ.-мат. наук В.А. Рожкову за постоянную помощь и внимание, оказанные при выполнении работы.

Отдельная благодарность сотруднику Самарского аэрокосмического университета Волкову Алексею Васильевичу за проведение измерений толщины исследуемых в работе плёнок при помощи сканирующего микроскопа.

Автор искренне признателен коллективу кафедры электроники твердого тела и лаборатории полупроводниковой электроники Самарского государственного университета, товарищеская критика и поддержка которых оказали неоценимую помощь в проведении настоящей работы.

151

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

В настоящей работе проведено изучение электрофизических характеристик, определяющих основные электронные свойства кремниевых МДП-структур на основе диэлектрических пленок из оксида самария, лютеция, гадолиния и иттербия. Исследования носили комплексный характер и включали измерение нескольких эффектов: вольт-амперных характеристик, температурных зависимостей тока, кинетических характеристик электрического пробоя, зависимости времени задержки пробоя от амплитуды прикладываемого ступенчатого электрического напряжения и температуры, зависимостей величины пробивного поля от толщины диэлектрической пленки, площади электрода и температуры окружающей среды, вольтфарадных характеристик, активной составляющей проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь на переменном сигнале, кинетических зависимостей емкости при нестационарном истощении поверхности полупроводника основными носителями заряда, фото электрических явлений, спектральных и вольтаических зависимостей фототока, явлений накопления заряда в диэлектрической пленке при облучении структуры монохроматическим видимым и УФ излучением и др. Это в итоге позволило получить надежные сведения о свойствах и параметрах изучаемых систем и установить ряд новых закономерностей.

1. Oehrlein G.S. Oxidation temperature dependence of the electrical conduction characteristics and dielectric strength of thin Ta205 films on silicon// J. Appl. Phys.-V.59.- №5.- 1986.- P. 1587.

2. Manchanda L., Gurvitch M. Yttrium oxide/Silicon dioxide: a new dielectric structure for VLSI/ULSI// IEEE Electron device letters, April 1988.- V. 9, No.4.-P.180-182.

3. Вдовин O.C., Кирьяшкина З.И., Котелков B.H. и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах. Саратов: Сарат. гос. Ун-т, 1983. 160 с.

4. Gurvitch М., Manchanda L. and Gibbson G. The study of thermally oxidised films of yttrium on silicon// Appl. Phys. Lett. 51(12), 21 September 1987.- P. 919-921.

5. Kalkur T.S., Kwor R.I., Paz D' Araujo C.A. Silicon structures metal-dielectric-semiconductor on the basis of yttrium oxide// Thin Solid films.- 170.- 1989.- P.-185-189.

6. Dharmadhikari V.S., Goswami A. Dielectric properties of electron-beam-evaporated Nd203 thin films// Thin Solid Films, 1982.- V. 87.- P. 119-126.

7. Кутолин C.A., Чернобровкин Д.И. Пленочное материаловедение редкоземельных соединений. М.: Металлургия, 1981.- 180 с.

8. Козик В.В. Получение и свойства пленок на основе оксидов редкоземельных элементов: Автореф. канд. хим. наук: защищена 25.06.76. Томск, 1976.- 25 с.

9. Ильин А.Г. Структура пленок окислов редкоземельных элементов и явления переноса заряда в металл-диэлектрик-металл системах на их основе: Дис. утв. 28.10.81 канд. физ.-мат. наук: 01.04.07. Защищена 1981, Иркутск, 1979.- 161 с.

10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973.- 656 с.

11. Корнфельд М.И. Погрешность и надежность простейших экспериментов. УФН, 1965.- Т. 85.- Вып. 3.- С. 533-542.

12. Goetzberger A. Ideal MOS-curves for silicon// Belt System technical Journal, 1966.- V. 45, № 7.- P. 1097-1121.152

13. Zerbst M. Relaxations effekte an halbeiter-isolater-grenzflachen// Z. Angew. Phys., 1966,- B. 22, № 1,- P. 3039-3046.

14. Powell R. J., Berglund C.N. Photo injection studies of charge distribution in oxide of MOS structures// J. Appl. Phys., 1971.- V. 42, №11.- P. 4390-4397.

15. Дороднев B.H. Исследование электрофизических процессов в системе кремний двуокись кремния методом фотоинжекции: Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07., Л., 1979.-201 с.

16. Rozhkov V.A., Trusova A.Yu., Berezhnoy I.G. MIS-structures with Ytterbium Oxide films// Phys. Low-Dim. Struct. (1998), 7/8.- C. 7-16.

17. Рожков В.А., Трусова А.Ю., Бережной И.Г. Фотоэлектрические свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрической плёнкой из оксида редкоземельного элемента// Труды Междунар. Конференции "Оптика полупроводников",- Ульяновск. УлГУ, 1998г.- С.98-99.

18. Рожков В.А., Трусова А.Ю. Энергетические барьеры на межфазных границах в МДП системе Me-Yb203-Si// ЖТФ, 1999.- Т. 69, вып.4.- С.60-64.

19. Бережной -И.Г., Гончаров В.П. Рожков В.А., Трусова А.Ю. Кремниевы,е МДП-варикапы с диэлектриком из оксида самария, иттрия и лютеция// В меж-вуз. научно-техн. Сб. Электродинамика слоисто-неоднородных структур СВЧ. Самара: СамГУ, 1995,- С.82-88.

20. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник./ Под ред. Ржанова153

21. А.В. М.: Наука, 1976. - 280 с.

22. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем МДП. Киев: Наук. Думка, 1978.- 313 с.

23. Basak D., Sen S. К. Electrical, dielectric and optical properties of M/Y203/M devices//Thin Solid Films, 1995.- V. 254. P. 181- 186.

24. Петров А.И. Электрический пробой и переключение проводимости с памятью в структурах с оксидами редкоземельных элементов: Дисс. канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 Защищена 1992 ; Самара, 1992.- 149 с.

25. Рожков B.A., Трусова А.Ю. Электрический пробой пленок оксида самария в кремниевых МДП-структурах. : Тез докл. Международной научно-технической конференции по физике твердых диэлектриков. 24-27 июня 1997 г. Санкт-Петербург, 1997.- С. 58-59.

26. Рожков В.А., Гончаров В.П. Электрический пробой пленок оксида иттрия в кремниевых структурах металл-диэлектрик-полупроводник// Радиотехника и электроника, 1994.- Т. 39, № 11,- С. 1845-1851.

27. Рожков В.А., Трусова А.Ю. Электрический пробой пленок оксида самария в кремниевых МДП-структурах. Вестник СамГУ, 1997, № 2(4).- С. 174-181.

28. Рожков В.А., Гончаров В.П., Петров А.И. Электрический пробой пленок оксида лютеция// Физика твердого тела, 1995,- Т. 37, № 2.- С. 491-498.

29. Harari Е. Dielectric breakdown in electrically stressed thin films of Si02// J. Appl. Phys., 1978,- V. 49, № 4,- P.2478-2489.ка и электроника, 1993.- Вып. 2.- С. 296-301.

30. Жуков C.B., Закревский В.А., Кабин С.П., Сударь Н.Т. Электрическая проч^ ность полимеров в условиях линейного подъема напряжения// Изв. ВУЗов. Фи зика, 1988.-Т. 316, №4,-С. 86-90.154

31. Ершова Н.Ю., Ивашенков О.Н., Ильин А.Е. Транспорт заряда и пробой МНОЙ структур с нитридом кремния, полученным при пониженной температуре// ЖТФ, 1996,- Т. 66.- Вып. 8,- С. 92-98.

32. Петров А.И., Рожков В.А. Электрический пробой пленок оксида диспрозия// Известия ВУЗов. Физика, 1995.- № 8.- С. 95-101.

33. Шмидт Т.В., Гуртов В.А., Лалэко В.А. Временные характеристики пробоя пленок двуокиси и нитрида кремния// Микроэлектроника, 1988.- Т. 17.- Вып. 3.-С. 244-248.

34. Рожков В.А., Гончаров В.П., Трусова А.Ю. МДП варикапы и фотоварикапы на основе структуры Al-Lu203-Si// Письма в ЖТФ, 1995. Т. 21, вып. 2. - С. 610.

35. Бережной И.Г., Петров А.И., Рожков В.А., Трусова А.Ю. Функциональные свойства кремниевых МДП-систем с диэлектриком из оксидов редкоземельных металлов // Электродинамика и техника СВЧ и КВЧ.- М. 1997.- Т.5, вып. 3(19), С. 77-78.

36. Рожков В.А., Трусова А.Ю., Бережной И.Г. Электрофизические свойства МДП-структуры Al-Sm203-Si при нестационарном истощении поверхности полупроводника основными носителями заряда// Вестник СамГУ, 1996.- №2.-С.113-121.

37. Рожков В.А., Трусова А.Ю., Гончаров В.П., Бережной И.Г. МДП-варикапы и фотоварикапы на основе структуры Al-Sn^CVSi// ЖТФ.- 1995.- Т. 65, вып.8.-С.183-186.

38. Рожков В.А., Гончаров В.П., Трусова А.Ю., Бережной И.Г., Македошин Е.Ю. Кремниевые варикапы и фотоварикапы с диэлектриком из ОРЗЭ// Тез. Докл. Российской научно-технической конф. "Новые материалы и технологии".- М.- 1994.- С.53.

39. Rozhkov V.A., Trusova A.Yu., Berezhnoy I.G. Silicon MIS-structures using Samarium oxide films // This Solid Films.- 325 (1998).- P. 151-155.

40. Rozhkov V.A., Trusova A.Yu., Berezhnoy I.G. Silicon MIS-structures with Rare-Earth Oxide Films as Insulator. Dielectric and Related Phenomena DRP'98. Abstracts. Szczyrk, Poland, 24-27 September.- 1998.- P. 206-207.

41. Рожков В.А., Трусова А.Ю. Кремниевые металл-диэлектрик-полупроводник-варикапы с диэлектриком из оксида иттербия// Письма в ЖТФ, 1997. Т. 23, № 12.- С. 50-55.

42. Вдовин О.С. Исследование структуры и электрических свойств пленок редкоземельных металлов и их окислов.: Автореф. канд. дисс., Саратов, 1974,- 22 с.

43. Кропман Д.И., Патрикеев А.К., Попов В.Д. Влияние температуры нанесения диэлектрика на плотность поверхностных состояний МДП-структур при воздействии радиации// Микроэлектроника, 1976.- Т. 5, вып. 6.- С. 552-554.

44. Рожков В.А., Петров А.И. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур на основе окиси гадолиния// Электронная техника, 1982. Сер. 6, Материалы.- Т. 170.- Вып. 9.- С. 27-29.

45. Гавриленко В.И., Зуев В.А., Сукач А.Г., Рожков В.А. Исследование границы раздела Si-Y203 оптическими методами// Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1976. Вып. 23.- С. 53-58.

46. Гольдман Е.И. , Ждан А.Г. Генерация неосновных носителей заряда у ре156альных границ раздела полупроводник-диэлектри// Микроэлектроника.- 1994.Т. 23, №2,-С. 3-20.

47. Ржанов А. В. Физика поверхности и тонких плёнок полупроводников . Новосибирск." 1970.- 100 с.

48. Heiman F.P. On the determination of minority carrier lifetime from the transient response of an MOS capacitor// IEEE Trans. Electron. Devices., 1967.- V.14, № 11.-P. 781-784.

49. Schroder D. K. and Guldberg J. Interpretation of surface and bulk effects using the pulsed MIS capacitor// Solid State Electronics.- Pergamon Press, 1971.- V.14.- P. 1285-1297.

50. Thomas W. Collins and John N. Churchill. Exact modelling of the Transient Response of an MOS Capacitor // IEEE Transactions.

51. DiMaria D.J., Stasiak J.W. Trap creation in silicon dioxide produced by hot electrons// J. Appl. Phys, 1983.- V. 55, № 6.- P. 2342-2355.

52. Ржанов А. В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. Наука, 1971,-480 с.

53. Vitkavage S.C., Irene Е.А., Massoud H.Z. An investigation of Si-Si02 interface charges in thermally oxidized (100), (110), (111), and (511) silicon// J. Appl. Phys., 1990.- V. 68, №10.- P. 5262-5272.

54. Булярский C.B., Грушко H.C. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Моск. ун-т, 1995.- 399 с.

55. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. Ч.1. М.: Мир, 1984,352 с.

56. Рожков В.А. Фотоэлектрические свойства кремниевых МДП-структур при нестационарном истощении поверхности полупроводника// Электронная техника, 1982. Сер. 2, Полупров. приб,- Вып. 5(156).- С. 28-33.157

57. Гриценко В.А., Кольдяев В.И. Влияние пространственного заряда на проводимость МНОП-структур// Микроэлектроника, 1984,- Т. 13,- Вып. 5.- С. 46,6468.

58. Поспелов Б.С. и др. Новые перспективы использования МДП-структур// Известия ВУЗов СССР. Радиоэлектроника, 1973. Т. 16, № 4.

59. Дороднев В.Н. Исследование электрофизических процессов в системе кремний двуокись кремния методом фотоинжекции: Дисс. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07,- Л., 1979.- 201 с.

60. Powell R. J. Interface barrier energy determination from voltage dependence of photo injected current// J. Appl. Phys., 1970.- v. 41, № в.- P. 2424-2432.

61. Powell R. J. Photoinjection into SiC>2 : use of optical interference to determine electron and hole contribution// J. Appl. Phys., 1969.- V. 40, № 13,- P. 1093-1101.

62. Deal B.E., Snow E.H., Mead C.A. Barrier energies in metal-silicon dioxidesilicon structures//J. Phys. Chem. Sol., 1966.-V. 27, № 11/12.- P. 1873-1879.

63. Goodman A.M. Photoemission of holes from silicon into silicon dioxide// Phys. Rev., 1966. V.152. P. 780-784.

64. Berglund C.N., Powell R. J. Photoinjection into Si-Si02 : electron scattering in the image force potential well// J. Appl. Phys., 1971,- V. 42, № 2.- P. 573-581.

65. Рожков B.A., Трусова А.Ю., Бережной И.Г. Энергетические барьеры и центры захвата в кремниевых МДП-структурах с диэлектриком из оксида самария и иттербия// Письма в ЖТФ,- 1998.- Т. 24,- Вып. 6,- С.24-29.

66. Brews J.R. Limitation upon photoinjection studies of charge distribution close to interface in MOS capacitors// J. Appl. Phys., 1973.- V. 44, № l.-P. 379-384.

67. Емельянов A.M. Ловушки для электронов в термических пленках SiCb на кремнии//Микроэлектроника, 1986.- Т. 15.- Вып. 5,- С. 434-441.

68. Di Maria D. J. Determination of insulator bulk trapped charge densities and158centroid from photocurrent voltage characteristics of MOS structures// J. Appl. Phys., 1976.- V. 47, № 9.- P. 4073-4077.

69. Rozhkov V.A., Trusova A.Yu., Berezhnoy I.G. Energy barriers and trapping centers in MIS-structures with УЬ20з. 3d International Conference on Electric Charge in Solid Insulators. Tours (France), 29 June 3 July 1998.- P.684-687.

70. Zaininger К. H. Electron bombardment of MOS capacitors// Appl. Phys. Lett. , 1966 .-V. 8 , March .- P. 140-142 .

71. Snow E. H., Grove A. S. and Fitzgerald D. J. Effects of ionising radiation on oxidized silicon surfaces and planar devices// Proc. IEEE.- 1967,- V. 55.- P. 11681184.

72. J. Peter Mitchell. Radiation-induced space charge buildup in MOS structures// IEEE Transactions on Electron Devices.- 1967, November.

73. Der Sun Lee, Chung-Yu Chan. Oxide charge accumulation in metal-oxide-semiconductor devices during irradiation// J. Appl. Phys.- 1991.- V. 69, № 10.- P. 7134-7141.

74. Патрикеев JI.H., Подлецкий Б.И., Попов В.Д. Изменение заряда в диэлектрике и проводимости МДП-структур под действием радиации// Физика диэлектриков и перспективы ее развития: Тез докл. Всесоюзной конф. JL, 1973.-С. 226-227.

75. Гуртов В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов// Обзоры по электронной технике. Сер. 2, 1978.- Вып. 14(595).- 31 с.

76. Рожков В.А. Накопление заряда в кремниевых МДП-структурах с диэлек159триком из оксида диспрозия при воздействии УФ-излучения// Изв. ВУЗов. Физика, 1994,- № 7.- С. 99-135.

77. Барабан А.П., Булавинов В.В., Сергиенко М.В., Аскинази А.Ю. Влияние изменений зарядного состояния структуры Si-Si02 на кинетику сквозного тока. Вестник СПбГУ, Сер. 4, 1996,- Вып. 3, № 18.- С. 94-96.

78. Горбань А.П., Литовченко В.Г., Серба A.A. Об эффектах фотопамяти в МДП-структурах. : Сб. научн. тр. по пробл. Микроэлектроники Моск. ин-т электронной техн., 1977, № 34.- С. 3-9.

79. Рожков В.А., Гончаров В.П. Накопление заряда в пленочных оксидах редкоземельных элементов при УФ облучении МДП-структур. : Тез. докл. Российской научно-техн. конф. по физике диэлектриков с Международным участием. -Л., 1993.-Ч. 2.-С. 130-131.

80. Riemann Е., Young L. Conduction, permittivity, internal photo-emission, and structure of electron-beam-evaporated yttrium oxide films// J. Appl. Phys.- 1973.- V. 44, №3,-P. 1044-1049 .

81. Верлан А.И., Малков С.А. Особенности накопления заряда в слое As2S3 при объемном фотовозбуждении// Стеклообразные полупроводники для оптоэлек-троники. Кишенев: Штиинца, 1991. С. 172-181.

82. Гурский Л.И., Румак Н.В., Куксо В.В. Зарядовые свойства МОП-структур. Минск: Наука и техника, 1980.- 200 с.

83. Далиев Х.С., Лебедев A.A., Экке В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур, облученных у квантами при наличии электрического поля в диэлектрике.- ФТПД987.- Т.21.- Вып. 1.- С. 23-29.

84. Акулов А.Ф., Гуртов В.А., Назаров А.И. Пространственная локализация радиационного заряда в нитриде кремния// Микроэлектроника, 1985.- Т. 14.-Выгт 5,- Г. 447-451 ::

85. Гуртов В.А., Евдокимов В.Д., Назаров А.И., Хрусталев В.А. Накопление ра-диационно-индуцированного заряда в МНОП-структурах с различной толщиной. Микроэлектроника, 1985.- Т. 14.- Вып. 5.- С. 431-434.160

86. Ширшов Ю.М., Набок А.В., Голтсвянский Ю.В., Дубчак А.П. Пространственное распределение захваченного заряда в пленках нитрида кремния, в ЭНОП-структурах// Микроэлектроника, 1982.- Т. 11.- Вып. 3,- С. 441-445.

87. Аганин А.П., Масловский В.М., Нагин А.П. Определение параметров центров захвата в нитриде кремния МНОП-структуры при инжекции электронов из полевого электрода// Микроэлектроника, 1988.- Т. 17.- Вып. 4.- С. 348-352.

88. Михайловский И.П., Овсюк В.Н., Эпов А.Е. Неоднородное накопление положительного заряда в кремниевых МДП-структурах в сильных полях// Письма в ЖТФ, 1996,-Т.9.-Вып. 17,-С. 1051-1054.

89. Солдатов B.C., Воеводин А.Г., Варлашов И.Б., Коляда В.А., Соболев Н.В. Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры// ФТП, 1990.- Т. 24.- Вып. 9,- С. 1611-1615.

90. Solomon P. High-field electron trapping in Si02// J. Appl. Phys., 1977.- V. 48.-№ 9,- P. 2822-2826.

91. Thompson S.E., Nishida T. A new measurement method for trap properties in insulators and semiconductors: using electric field stimulated trap-to-band tunneling transitions in Si02// J. Appl. Phys, 1991.- V. 70,- P.6864-6876.

92. Buchanan D.A., Abram R.A., Morant M. J. Charge trapping in silicon-rich Si3N4 thin films// Solid State Electronics, 1987.- V. 30, № 12,- P. 1295-1301.

93. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High-field and current-induced positive charge in thermal Si02 layers// J. Appl. Phys, 1985.- V. 57, №8.- P. 2830-2839.

94. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High field current induced-positive charge transients in Si02// J. Appl. Phys, 1983.- Y. 54, № 10.1. JP. 5793-5800.

95. DiMaria D.J., Theis T.N., Kirtley J.R., Pesavento F.L., Dong D.W. Electron heating in silicon dioxide and off-stoichiometric silicon dioxide films// J. Appl. Phys, 1985,- V. 57, № 4.- P. 1214-1237.

96. Барабан А.П., Булавинов B.B., Коноров П.П. Электроника слоев Si02 на161кремнии. Д.: Ленингр. ун-т, 1988.- 304 с.

97. Ning Т.Н., Yu H.N. Optically injection of hot electrons into Si02// J. Appl. Phys., 1974,- V. 45,- № 12.- P. 5034-5040.

98. Гильман Б.И., Громовой Л.И., Закс М.Б. Оптическое стимулирование накопления заряда в МНОП-структурах// Микроэлектроника, 1973.- Т. 2.- Вып. 5.-С. 421-425.

99. Fazan P., Dutoit М., Martin С., Ilegems М. Charge generation in thin Si02 polysilicon-gate MOS capacitors// Solid State Electronics, 1987.- Y. 30, № 8.- P. 928-834.

100. Киблик В.Я., Лисовский И.П., Литвинов P.O., Литовченко В.Г. Влияние ионизирующего излучения на быстрые состояния системы Si-Si02. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 1976.- Т. 23.- С. 84-91.

101. Рожков В.А., Трусова А.Ю., Бережной И.Г. Фотоэлектрические методы исследования параметров МДП-структур// Труды Междунар. Конференции "Оптика полупроводников", 1998 Ульяновск, УлГУ.- С.100-101.

102. Трусова А.Ю., Рожков В.А., Бережной И.Г. Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидом иттербия в качестве диэлектрика// Известия ВУЗов. Электроника.- 1998. №4.- С.25-30.

103. Di Maria D.J., Aitken J.M., Young D.R. Capture of electron into Na-related trapping sites in Si02 layer of MOS structures at 77 K// J. Appl. Phys., 1976.- V. 47,1626.

104. Young D.R., Irene E.A., Di Maria D.J., Dekeersmaecker R.F. Electron trapping in Si02 at 295 and 77 К// J. Appl. Phys., 1979.- V. 50, № 10.

105. Гороховатский Ю.А., Бордовский Г.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1991.248 с.

106. Chang S.T., Lyon S.A. Location of positive charge trapped near the Si-Si02 interface at low temperature// Appl. Phys. Lett., 1986.- V. 48, № 2,- P. 136-138.

107. Buchanan D.A., Di Maria D. J. Interface and bulk trap generation in metal-oxide-semiconductor capacitors// J. Appl. Phys., 1990.- V. 67, № 12,- P. 7439-7451.

108. Рожков В.А., Петров А.И., Бережной И.Г. Генерационные и рекомбинаци163онные свойства границ раздела кремний оксид РЗЭ// Труды Международной конф. "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах".-Ульяновск, 1999.-С.37.