Электромагнитные линии в ориентированных кристаллах, образованные гамма-квантами высокой энергии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.16 ВАК РФ

ордена ленина и ордена октябрьской революции

физический шгспгат ми а.н.лшэдзвА

РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

lift правах рукогтоои

EACKDB Владяшр Алексеевич

УДК 539.Ш.171&48

ЭЛШШШНИТНЫЕ ЛИШИ В ОРИЕНТИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛА*, ОБРАЗОВАННЫЕ ГАША-КВАНТАМИ BUGOiCOH ЭНЕРГИИ

01.04.16 - Физика атомного ядра я алгменгарных частнц

Автореферат

диссертации на соискание учеяоЗ схепенп кандидата физикочыатематетескях паук

Москва - 1994

Диссертационная работа выполнена в отделе Физики Высоких Энергий ордена Ленина я ордаяа Октябрьской Революция Физического института им. П.Н.Лободеш. Российской Академии наук.

Научный руководитель - кандидат физико-ыатематичоских наук СЕРГИЕШФ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук ЛОШЛНЦИП А.П., ИгннеоВ Ы

кандидат физико-математических наук КОЗЛОВ В.А..

Ведущая организация: Институт ядерник*ноолодокима (С.-Петербург)

Залита диссертации состоится "

в_часов на засе. ипш Специализированного совета

16 К 002.39.04 в ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции Физическом институте им, И.Н.Лебедева Российской Академия наук по адресу: 117924 Москва, Ленинский проспект, 53

С длссертадиеГ. можно ознакомиться в библиотеке ФИАЛ

Автореферат разослан " " _ 1994 г.

Ученый секретарь ФИАН кандидат физико-математических наук

Исаков В.А.

I. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРНО ТМКА РАБОТЫ А^уууеулшость работы. Взаимодействие У - квантов и наряженных частиц с совокупности» атомов, расположенных в осях и плоскостях монокристаллов, приводит к возрастании сечошгй основных электродинамических процессов - излучению электронов и ]ю«дакию е+е~ пар % - квантами. Возрастание сечений выэнваэт развитие даже в тонких ориентированных кристаллах ¡электромагнитного ливня, отличающегося по своим характеристикам от ливня в аиорфном вещество (разориентированном кристалле). В таком ливне излучение электронов и образование е+е~ пар идёт как обычным путОм (механизм Бате - Гайглера), так ж за счет когерентных взаимодействий, В результате из кристалла выходят % - кванты в число которых слою» образом увеличивается с толщиной кристалла и о роо-«ла энергии первичной частицы. Теоретические и экспериментальные исследования, включая представленные в данной работе, позволили обнаружить ряд новых эффектов в развитии таких ливней (наличие ориентационных зависимостей параметров ливня, развитие ливня на гораздо меньшей радиационной длине, по сравнению о радиационной данной аморфного вецеотва, и так далее). Эти эффекты имеют не только научный интерес, но возможно практическое их использование. Более того, помимо уха сущестнувдих направлений использования кристаллов в физике высоких энергий (например, магнитооптика пучков, измерение спина частиц и гак далее), возникает новое направление, основанное на аффектах ливней в кристаллах. Количественные результаты, представленные в работе, кроме чиото научного значения для проверки теории ливней в кристаллах, позволяют сделать выводы о возможности создания опектрометров направленного действия, обладающих рядом необычных характеристик. Характеристики эти интересны как при энергиях ГэВ, например,

двд оэздаяия гемма-телескопа с высоким угловым разрешением, так и зкеришх в десятки и сотни ГаВ дои спектрометрии а У - квантов «з современных и создаваемых ускорителях.

Цдль работы. Делно работы явилось экспериментальное иссле-доьбкие алвдарромагниткиа лзкие», образованных У - квантами о энергией I - 2? ГаБ в ориентированных монокристаллах кремния и вочафрама, и возможности использования ливневых эффектов в экспе-рдлйяталыюй техюпса.

Моштша таботн. Представлшшые экспериментальные данные по образовании лишей в кристаллах * - квантами с энергией 1-27 ГаБ получены впервые. К нш можно отнести следуюцие результаты:

Наследована, ориентационная от угла в и анергии Я - квантов зависимость развития аювня в кристалла (б - угол между импульсом 1 - кванта и кристаллографической осьп). Показано, что зависимость сродней амплитуда от 6 начинает проявляться уже при энергиях 1 ГэВ (Счетчик, расположенный за кристаллом, регистрирует ливень, выходящий из кристалла. Ферму и положение амплитудного спектра сигналов счетчика могло охарактеризовать средней амплитудой). Это обстоятельство позволяет использовать намеренный ори-еятациошшй с$фект в гамма - астрономии. Получены каскадные кривые ливпой, выходящих из кристалла, их изменения в аацясзмостл от в, энергии V - квантов и тоязгян кряотаклов. Измерены характеристика ливней (эяерговцделепис, шгаяестиошюсть заряаешшх час-узд и так далее). Рассмотрены характеристики спектрометра направленного действия с кристаллическим стрешнвертором, предназначенного для фаошш ваооквх енерлй.

Бпервь» создана амплитудво-координатиая сиотема маченкя фотонов, » которой эаерхия электрона определяется одновременно по вяерговидалаюзэ и во точз® входа его в многоканальный свинцово-

оцштшишиошшй спектрометр полного шглощения ца омесгитедях слэкгра, Сиотема способна работать в условиях интенсивного $оа;а мюонов, мягких е- и Y - шштон.

данные по характеристикам электромагнитных лишай в толстых кристаллах, могут быть использован« для разработка и ароверш! мораи к моделей ливня в кристалле.

Результаты работы могут быть использованы для раэработюе спектрометров направленного действия, обладайте компактными размерами, хорошим угловым и энергетическим разрешениями, способными производить адроя-алектронну» и адрои-фотонную резекцию, Такие опектрометры Moiyr использоваться в экспертвптвмышх установках на работающих и создаваемых ускорителях и в космических исследованиях длл определения направления прихода - квантов с анергией * I ГэВ.

Амплитудно-координатный метод определения энергии V - квантов, применённый в системе мзчения фотонов высокой энергии, мозкат быть использован в экспериментальных установках с широким диапазоном энергий пучков частиц (Е = 10 + 1СГ3 ГэВ).

Автор защищает. I. Экспериментально измеренные характеристика электромагнитных ливней, образованных в ориентированных монокристаллах кремния и вольфрама < - квантами высокой энергии и отличающихся от обычных ливней в аморфном веществе.

2. Амплитудно-координатную систему меченая фотонов высокой энергии, способную работать в условиях интенсивного фока квонов в позволяющую улучшить точность определения энергии 1! - квантов во всём диапазоне измеряемых энергий.

3. Методику проведения экспериментальных измерений электромагнитных ливней, выходящих из ориентированных кристаллов, осно-

шшой ка применении составных ливневых спектрометров.

Ачу/ыЯ вгздад« Автор принимая участие в создании, кгяадка и аксвдуатацаи устлловкк "Каскад", системы мечешя фотоаов шсо'.юй оиасстн, составного спектрометра» а тагае в обработке вксперя-ыавт&шшх данных.

Апробация результатов работы. Основные результаты диссертации докладывались на XII» XX и Ш конференциях ш физике взаимодействия заряжелиаа частиц с кристаллами (МГУ, г. Мос1ша, 1989, 1990 к 1991 гг.), на 1У конференции ш взаимодействии излучения о ?вердши телами (нос» Эльбрус, Кабардино-Балкария, 1990 г.), ка научном семинаре но проблемам применения аффектов кшкишрова;-гая часящ кристаллами в Физике высоких энергий (ШВЭ, г. Протвино, 1991 г.), на научной сессии Отделения Ядерной фиалки РАН (ИТЭй, г. Москш, 1992). ка рабочем совещании по программе эксперимента "P0L2X" (йгВЭ„ г. Протаиноr 1932 г.), на рабочих совещания): по проблемам взаимодействия зарякеаяых частиц и V - квантов о ош>нтш поля-як (<ШН, г. Троицк, 1988 и 1989 гг.), на научных семшарах ОФВЭ ФИН.

Дубликация. Основное содержание- диссертации отражено в 16 публикациях в виде препринтов-, статей в отечественных и зарубежных журя&лах и трудах конференций. По> материалу диссертации в соавторстве получено Ангорское свидетельство на изобретение.

Структура и объём диссертации.. Диссертация состоит из введения, четырёх глав» заключения и списка литературы. Объём диссер-тацяи - 125 страниц, включая 31 рисунок и 4 таблицы.

2. КРАТКОЕ 10даЯЛНЙЕ ДОЖРТАЦШ

Во введении обосновывается актуальность теш диссертации. Формулируется цель работы, кратко излагается основное с„дергание

работа.

В первой главе приводятся .основные положения теории развития алонгрошгнитных ливней в аморфном веществе, основанной на хорошо изученных процессах излучения заряженных частиц и рождения е+е~ пар - квантами. Разтштде электромагнитных ливней п области высоких анергий определяется системой уравнений [I):

- ¡мт^) (1 '

где Г(ч>)^ и )<(1 - число фотонов, электронов и позитронов в интервале энергий («)„*) + я {«.г + на глубине t щюеш>-иовения частиц в среде; Т(<ь,<2) л УН,") - отнесённые к единицы длины вероятности излучения: фотона с энергией »3, электроном о анергией 5 и образование фотоном лары с анергией «. Эти величины связаны о сеченияш излучения фотона ^дцдС"^) и образования э+е""'паръ!с/б'парЫ{кМ) соотношениями:

¿¿жза1*'*) »^(".^/п^^параК") = ( 2 )

где и - число атомов в единице объёма 1с = Ъ = I). В аморфном веществе происходит лишь незначительный рост дифференциальной вероятности излучения элекгронаот с энергией I * 10 ГэВ, и то в жесткой части излученных фотонов. Соответственно в области энергий ¥ - квантов 5» I ГэВ сечеаде рождения е+е~ пар постоянно.

Рассмотрены два теории развития .электромагнитных ливней в ориентированных кристаллах. Процессы развития электромагнита ливней по одной из них происходят на основе теории когерентного тормозного излучения (КГИ) в предположении справедливости уравнений (I) независимо от среды [2] . Результаты решения' зависят лишь от структуры Г и X, В рамках КГИ дифференциальное сечение излучения (и сечение образования пар) представляется -тал: Лбазл = + + где - сечение

сшэяииое о сушаркнм интерференционным вкладом совокупности ато-иои; с/З'цс" - сачок,1е Бате - Таймера на А/ независимых центрах; ¿4 ^ - сечение не зависящее от структуры решетки [3]. Сделав ряд преялалоагагай и ограничений, на толщину кристалла, энергию частная и угол ориентации авторы [2] упростили (I) и получили решения.

Другим подходом к задаче о развитии электромагнитных давней и кристаллах язидоя формализм, используюций оператортй квазинлас-оическкй метод (ОКЧ), основанный на точном учете отдачи при изду-чодал фотона электроном и рождении е+е" пар К - кзаятом [4]. Исхода пз тонких квантовых выражений метод позволяет посла серии преобразовании перейти к величинам на классической траектории частицы. При б том появляются ряд параметров Ц>, Д<> с 110_ мощъю которых просто шснБается характер процессов, особенности развития алектроиагяитных ливней и т. д.. Метод даёт возможность описать развитие ливней при любых углах и энергиях частиц. При 6^6^= (V 0 - потенциал оси, т - масса электрона) диф-

фарандаальшге вероятности излучеуяя и рокдонпя е+е'~ пар имеют вид

* <п'' б/V0)2 «/м^1*, где - даёт предел пос-то;ушого поля, а второй член поправку к нему. При вдводе кинетических уравнений развития ливней, авторы такае опирались на (I).

Несмотря ва разлитая в подходе и области применения, обе теории приходят к одним тем же выводам о характере ливней в ориентированных кристаллах: I) Характерные длины, на которых происходит развитие ливня, в кристалле меньше, чем в аморфном веществе; 2) Вероятность роадения пары и характерная длина потерь

энергии ¿оИС£) зависят от знергаа частиц; 3) Существует граничная частота фотона и30, ниже которой вероятность фотороядеяия е+е™ пары в поле оси кристалла падает экспоненциально, в тох-е время электрон о энергией £ интенсивно излучает; 4) При £ £ и)с испуе-

кается большое число относительно мягких фотонов, опоообных рождать парр за счет бете-гайтлеровского механизма.

Во второй главе рассмотрена методика эксперимента. Представлена упрощенная схема установки "Каскад", описяяа работа тсох узлов установки {рис.1).

Для получения пучков * - ксантов и определения их энергии на установке "Каскад" бита создана амшштудно-коордшттная система мечения. Основным элементом оистекн иечения являлся многоканальный свшщово-сдащтклляционный спектрометр полного поглоще-кия на сместителлх спектра (МСППС), предназначенный дам определения энергии электрона Ее, отклонённого магнитом иечения. При работе системы мечения энергия электрона определялась одновременно двумя способами: по полному энерговыделению в МСППС; по координате точки входа электрона в ИСШЗС, .которая вычислялась из анализа амплитуд сигналов с его счетчиков. Такая система мечения способна работать в условиях интенсивного шзояяого фона и фона низкоэнергетических фотонов и ет. Точность определения энергии У - квантов обоими методами показана на рис.2.

Изучение электромагнитных ливней в кристаллах осуществлялось составным ливневым спектрометром полного поглощения (СДС). Использовались два типа спектрометра: составной сзкнцово-сцинстши-ционныЗ ливневой спектрометр полного поглощения (ССДС); составной ливневой черепковский спектрометр полного поглощения (СЧЛС). ССДС и СЧЛС содержали по 10 одинаковых независимых счетчиков, о каждого из которых мохно было снимать амплитудный сигнал. Для сбора оставшейся части ливня я калибровки СЛС использовался черенковс-кий спектрометр полного поглощения (б).

Для восстановления калибровок КСНПС, системы мечения, составных спектрометров, определения энергии отклонённогов магнит мече-

кал электрона я энергии У - кванта, определению основных характеристик Блвктромагнигчшх ливней, выходивших из шшеня, были подго-тоилояы подпрограммы. Подпрограммы использовались при обработке вксперидантальяых данных в режиме off - Cine.

В тротьей главе представлены экспериментальные результаты по развита» электромагнитных ливней в ориентированных кристаллах.

В кристаллах ливневые процессы имеют ориеитацдонную зависимость, не наблюдающуюся в аморфном веществе. IIa рис.3 предстаате-НИ орконтациояннэ зависимости ашлитудных сигналов с первого счетчика Ü'UIC, расположенного за кристаллом кремния толщиной 20 мм, от t - квантов с энергией 0,5 - 23 ГэВ. Рисунок показывает пороговую от анергий картину развития лишей в кристалле. При К„ I ГэВ образование ливня идёт в основной за счет процессов Бете -Гайтлера, не зависящих от ориентации, а с ростом окергиа возрастает вклад когерентного образования ливня, приводящего к ориен-тационным Сектам.

Получена ориентационная зависимость средней энергии фотонной компоненты ливня, выходящего ил ориентированного вдоль оси <IIJ> кристалла ьольфрама толщиной 1,0 мм. Средняя энергия аалученных Фотонов при 6=0 мрад увели-ыгаоь в -2 раза по сравнению с 9 >12 мрад. Исследовано поведение ширин ориеитациоипых зависимостей среднего энерговыделен*-^ и средней множественности заряжншых частиц от энергии V - квантов для кристаллов кремния и вольфрама. Ширины ориентационных зависимостей среднего знерговыделеиия в первом счетчике СЧЛС, расположенного за кристаллами, по отношению к анергии Ч - квантов ведут сЫ>я какДб ~ Gc " ¡Г1/2, где - угол Лнндхарда.

Измерены каскадаые кривые развития электромагнитною ливня в СЧЛС, перед которым находился кристалл вольфрама толщиной 1,0

км (ось ориентации <111>) (рис.4). Смещение каскадной кривой к началу развития ливня означает уменьшение радиационной длины ориентированного кристалла. В работе представлен метод определения радиационной длины ориентированного кристалла и её зависимость от энергии.

В работе представлены ориёнтациокные зависимости средней множественности заряженных частиц <л/0>, выходящих из кристалла вол*ф-рама для нескольких энергий У - квантов и исследована зависимость <Ые> от энергии * - квантов для 0 > 23 мрад (разориентирокшный кристалл) и & = 0,9 мрад. Зависимости <Ув> от энергии V - квантов имеют вид функции л/0 = где ? = Еу,£), - энергия

первичного * - кванта, 6 - энергия заряженных частиц на соответствующей глубине X развития ливня.

При изучении амплитудных спектров сигналов оо счетчиков СЧЛС введён коэффициент трансформации спектра } , который более чувствителен к изменении формы спектра по сравнении со средней амплитудой спектра. Показано поведение ? от энергии % - кваптоз, угла ориентации кристалла и типа кристалла.

Введён коэффициент рехекции по направлению АI» служащий для определения вероятности измерения в общем потоке * - квантов, направленных вдоль оси, доли * - квантов, направленных под углом 9 к оси. Исследовано поведение К от энергии частиц, толщины кристалла и величины порогового канала, относительно которого определялись эффективности регистрации частиц.

В четвёртой главе показана возможность практического использования ливневых эффектов в ориентированных кристаллах.

Разработан метод определения положения в пространстве источника V - квантов с энергией >I ГэВ. Метод основан на ориентацион-ных зависимостях развития ливня (рис.3). Кристалл, закреплённый в

- хг ~

го ийсму гркче с кои уотройсмда, направляется выделенной кристаллографической осы) на предполагаема со точнее Ч - кшюв. V - квая-

идущие от источника, образуют ети в кристалле. Ливни ре~ «»гтрируютоя амплитудным черепковским счегкшом за кристаллом. В юодои полояэдап кристаллографической оси в направлении под углом 0 к ъагочниху гшЗиряоток амплитудный ензктр оюкадов счет* чикл. Я результате из орвднах амплитуд сигналов получается оря-вншционная но 6 зависимость. Зависимость имеет ник, когда ось шшрамено точно на источник. Зная направление оси относительно гониометрического устройства, можно определить положение в пространстве источника У - кзантоь. Точность метода зависит от ширина оряентацйоияоК зависимости дб. Среднео положение пика может быть определено в зависимости от статистики с точностью ->I ымллз-радиаяа. Ор1Мнтационный яффект проявляется уже при енергйи Х'эВ в таком о разительно недорогом, совершенном м вмещен Оолите размеры кристалле как кремний. Эти факторы позволяют приманить метод в V - астоономяи дая поиска дискретных роточшшо» V ~ имуч^нш! при помощи * - те лее ко [Ш с кристаллическим конвертором. Дано ооа®« описание конструкции такого телескопа,

Ка основа результатов взаммодеЗеуияя заряженных частиц к % - квантов о ориентированными кристаллами показана возможность создашя компактных етектромогнитйш спектрометров направленно!-» доЗствая, способных производить адоон-электрониую и адрон-фотсн-ную режекцив, иметь лучшее энергетическое разрешение по сравнению о обычными электромагнитными спектрометрами.

В зшигочоняи сформударованн основные результаты работы.

3. ОСНОВНЫЙ РЕЗ/ЛЬТАШ РАБОТЫ I. Создай шогоканалышй свянцово-сцинтилляционный спектро-

метр полного поглощены на сшститэлях опеитра (ИСПШ), способны! с харошЯ точность» одновременно определять анергта я горизонтальную координату входа i - кпачта адя электрона в опоктро-метр.

2. На основе Ж ЯСС ооздаиа бАшлйсгуяяо-коордияатная о к теки шчения фотонов высокой эноргик, способная работать з условиях больших загрузок п высокого мюонього 4она. Ириыбнеянэ аьоиштуд-по-коордю:атного метода пог.полнло улучшить элоргетпчесяпэ разрешение система мочения по сравнен*® о широко пршзняенш амплитудным изтодом.

3. Для исследования развитая электромагнитных лвЕяей в кристаллах создан составной свлнцово-сцкчтилляциогншй ливневой спектрометр полного поглощения (ССЛС) с толщаной кахдого очетчнка по нучку ¿соло = 1,18 рздаш(иошгоа ддшш. Использование ССЛС совместно о составлю чоренкопсюм лишевым спектрометром полного поглощения (СЧЛС), имевшим толщину каждом счетчика по пучку 1,0 радиационную длину, дало возможность подробно восстанавливать каскадную кривую развит®! аяектромагнитного ливня в аморфном вэ-щестш спектрометров и вослед вать её яоведенио при изменении энергии % - квантов, ориантацконного угла в, толщани кристалла.

4. Ддя калибровки системы мепения, состаачнх спектрометров я обработки аксиериментальных результатов в pesiase о j-j-- tine разработан пакет но.цирограмм.

5. Измерена зависимость формы каскадной кривой электромагнитного ливня от эгергям * - квантов ж ориентационного угла 6, толпннн я типа кристалла. Получены энергетическая п ориентацион-ная зависимости средней множественности заряженных частиц, ори-ентаиионная зависимость средней энергии фотонов, выходящих as кристалла. Получена зависимость изменения единицы радиационной

длины ориентированного кристалла от энергии V - квантов и толщины щжсталла.

6. Разработан метод определения положения в пространстве источника V - квантов с энергией Щ > I ГэВ. Метод даёт угловое разрешение &q = I - 5 мрад и может быть использован, например, для создания îçocjoreeoKoro % - телескопа с высоким угловым разрешением, предназначенного для поиска дискретных источников космического V - излучения.

7. Изучена возможность использования ориентированных кристаллов в спектрометрии ï - квантов (электронов) высокой энергии. Показано, что спектрометр направленного действия мохет иметь меньшую длину в обладает дучпаш разрешением по сравнении с обычным спектрометром полного поглощения, а такие способен разделять ад-ронц от электронов и Î - кваптов.

ГОЪШАЦШ Ш ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Басков В.А,, Ким В.Б., Коноров il,B„ Нугушнов А.Ы., Оби-дин К.Г., Сергианко В.И., Тарасов A.B„f Хабло В.Л. Многоканальный овинцово-свднтЕШиционный спектрометр полного поглощения на скес-титедях спектра - Препринт ФИАН, J6 293, Москва, 1887.

2. BasJsov V.A., Khablo V.A., Kim 7.V., Sergierdco V,I. A tagging alatem for blgh-enerey photons b&aed on a raultlohnnnal lead-elntillator total absorption apeotroueter end ueing of epectrun ehiftt.e - Sud. Inetrua. Mot h,; la Pbye. Beeear., 1990, A297.

3 3- 334» Басков B.Aitr Кии B.B.* Сергиенко В.И., Хабло B.A. Система мечош1я фотонов высотой анергии на установке "Каскад" - Препринт ФЛАН, « 28, Москва, 1988.

3. Басков B.JU-» Кйм В.В., Конорав И.В., Сергиенко В.И. Установка для исследования взаимодействия электромагнитных ливней с

- J 5 -

ориентированными кристаллами «* ПТЭ, 1990, Ь, 58 - 60J Басков В.А., Ким В.В,, Сэрх'ионко В.И., Хайло В.А. Установка ддя исследования процессов в сильных полях ориентировать кристаллов - Препрднт ФИАН, » 50, Мооква, 1988.

4. Байер В.Н., Басков В. д., Ганеако В.Б., Говорков Б.Б., Занолъокий В.П., Кяц В.В., Колосников Л.Я., Лучков Б.И., Мажао-ев В.А., Никольский СЛ., Руботкни A.I., Соргиоико В.И., Сорокин П.В., Стрихаяов М.Н., Тугаеико В.Ю., Хэбяо В.А., Черэяно» П.А, Квантовая электродинамика в сильных полях ориентированных кристаллов - Преярият ФйАН, 2L4, Москва, 1988.

5. Вавкот V.A., Овлепко V.B. , Oovorko"' В.В., ЕароЭЛвку V.U., JCiB V.V., Koleenilcor l.Yu., ЬисЬког 3.1., iiaishaer V.A,, Rubawh-kin A.I., Serslenfco V.I., Sorokln P.V., Sujsaeafco V.Yu,, Khablo V.A., Yuraatov v.I. Bleotron-poeitron pair production by g«sm&-qiuutta with energies from 13 to 25 CeV In oriented tungntcn oyyetale -Preprint У1АЯ, К» H3, Moscow, 190S.

6. Басков B.A., Ганенко В.Б., Жебровский Ю.В., Заполъс-кнй В.Н., нт В.В., Колесников Л.Я., Коноров И.В., Лучков Б.И., Маишеев В.А., Обидин К.Г., Ру .шсия АЛ,, Сергаенко В.И., Туга-енко &.Ю., Хабло В.А., Платов Б.И. Излучение о+е~ пар о энергией 0+26 ГэВ в толстом кристалле вольфрама; Образованно е+е~ пар > - квантами высокой энергии в кристалле вольфрама; Излучение электронов с импульсом 28 ГэВ/с в кристаллах вояьфра л - Теэион докладоп XIX Всесоюзного совещания го физике взаимодействия заря-женннх частиц с кристаллами. Издательство МГУ, Москва, 1383,

84 - Вв.

7. Басков В.А,., Ганенко В.Б., Гущин В.А., Жебровский Ю.В., Ким H.IL, Колесников Л.П., Конороп И.В., Лучков Б.И., Мавтеев D.A., Рубасюш А.Л., Сергиеико В.П., Тугаеико В.Ю., Хабло ВД,, Чути-

и\ -

юв O.B. Оряентациошшя з&виормоотъ каскадных процессов в кристалле кредакя - Письма в ЖЭТО, 1989 , 50, 395 - 397.

8. Баоков В.А., Гааенко в.Б., Гущин В.А., Жебровский Ю.В., Ким В.В., Колесников Л.Я., ¡Сопоров И.В., Лучков Б.И., Рубаш-кия А.Л., Сергиенко В.И., Tyi-аанко В.Ю», Хабло В,А. Ориентирование твокрасталхов по выходу влектрошгяитного ливяис - ПТЭ, 1990, 6, 73 - 75,

9. Баоков В.А., Ким В.В., Лучков Б.И., Сергиенко В.И., Тугаенко В.Ю., Хабло В.А, Способ определения направления пучка квантов - Заявка на изобретение Л 4692604/31-25 от 19 мал 1989 г

10. Баоков B.A.i Говорков Б.Б., ким В.В., Лучков Б.И., Сергиенко В.И., Тугаенко B.C., Хабло В.А., Шагов В.И. Разделение адроноЕ и электронов высокой вкергкн с помовдю ориен1йроваинцх щшоталлов вольфрама - Письма в ЖЭ1Ф, 1992, 5в, 233 - 236.

11. Басков В.А.. Ганенко В.Б., Гущин В.А., Жебровский Q.B., Ким В.В., Колесников л.Я., Кокоров И.В., Лучков Б.И., Иаишеев В. Рубашкия АЛ., Сергиенко В.И., Тутаешсо В.Ю., Хабло В.А. Электро магнитные ливни от X - квантов о энергией 9-27 ГэВ в ориентированных кристаллах вольфрама - Тезкой докладов Ш Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц о кристаллами, Издательство ШУ, Москва, £991, стр. €1.

12. Вмкот V.A., Ohupikov O.V., Hablo V.A., Kim VjV», Luoh-Icov В.I., S»rgienko V.l., Sugaeoko V.Yu.,Kigh resolution gensaa-t leeoope with BonoorjretAl ooavex-ter - Preprint МРИ, ДО 045-91, 1

13. Басков БД., Ганенко В.Б., Гущкн В.А., Жебровский С.В., Кии В.В., Колесников Л.Я., Коноров И.В., Лучков Б.И., Ыаишеер В. Рубашкия АД., Сергиенко В.И., Тугаенко B.C., Хабло В .А. Развитие электромагнитных ливней в ориентированных кристаллах вольфрама; Басков В.А., Ким В.В., Лучков Б.И., Сергиенко В.И., Туга-

еико В. 10., Хайло В.А., Чугшкоэ 0.3. Гишда.-тидвокоя о кристаллическим аэнизртором - Материала Всесоюзного совещания по проб ломай применения эффектов каязлировивяя чаагиц кристаллами в физике высоких энергии, Иэдаеельствс ИФШ, ПротЕино, 1991, стр. 103 >-IÜ5, 106 - 107.

14. Еасюов В.А., Говорим Б,Б., Хи?» В.В., Лучков В.Й., Сор" гианко Б.Л., Тугаенко BJ0.r Xaduo В.А. Применение ориентированных христаллов в спектрометрии гамма-кванг'ов и алоктронов шоо-кой энергии - Краткие сообщения по физика, Издательство ФИЛИ,

Jfi ö.IÜ, Москва, 1992, 41 - «6.

15. Басков В.А., Ганеш© В.Б., Гувдш В.Л., Жебровский 19.0., Ким В.В., Колесников Л.Я., ]Соноров И.В., Лучков Б.И., Мамшоер В.А., Руоешжя А.1., Сергяенко B.H„, Тугаенко B.JÖ., patino В.А. Опредо-ление положения источники гамма-квантов по электромагнитному лихк ню из ориентированного кристалла - 11ТЭ, J99Ü, 52 - 55.

IS. Баскав В.А., Гаиеако В.Б., Ьеб&овский Ю.В., Ким В.В., Колесников Л.Я., Лучков Б.И., Маишеэв д.А., Рустжин AJI., Огр-гиенко В.Я., Тугаенко В.Ю., Хабло В.А, Злэктромагяитные ливни в ориентированном кристалле волъфраш от V - квантов с энергией 8 - 27 ГэВ - Шкъма в НЭТ5>, IS93, 57, 232 - 235.

Цитированная литература, I. Ландау Л.Д., Румер Ю.Б. Каскадная теория аиектроышх ливней - Собрание трудов Д.Д.Ландау, Москва, Издательство "Наука", 1969, том I, 302 - 316.

2. Ахиозер А.И., Ыульга Н.Ф. К теории электромагнитных лишей в кристаллических средах - ЗЭТФ, 19« 3, 85, 04 - 108.

3. Тер-Микаелян й.Л. Влияние среды на алектромагнитные процессы при высоких энергиях - йрорал, Издательство АН АрмССР, 1969.

4. Байер В.Ii., Катков В.М., Страховенко ü.M. Электромагнитные процессы при высокой энергии в ориентированных монокристаллах -Новосибирск, Издател1лтпо "Наука", 1989.

Рр.- = I Схема установки "Каскад". С01-{СЗ, А1 * М, Р1, Р2, М сцатйлляциошШе ечеТчики» ПК1 - ПКЗ - пропорциональные камеры; ШПШ - многоканальный спектрометр полного поглощения на сместителях спектра; М1 - поворотный магнит СП-129; МГЛ - магнит... системы меченая; Г - гониометр; Т - кристаллическая мшень; Й1 * НЗ - гелийпроводы; К - свинцовый коллиматор; СЛС - составной ливневой спекЯрометр полного поглощения; б - черепковский спектрометр полного поглощения; СМ - сйекТрометрйческий магнит; ч»1 - С7 - линейка черенковских спектрометров полйЗз?а поглощения.

ü

20

30

Ey, l'y В '

Pilo. 2 Зависимость энергетического разреаеняк сксхепн меч екая от энергия Ï - гсвяятсв: I - амхтатудн.ый. метод; 2 - kooj>« дпнаишй метод.

Рис. 3 Ориентацжошше зависимости средозй амплитуды свтяалои о первого счетчигеса СЧЛС при развитии лизан от квантов s кристалле кремния (í* = 20 ш, ось <110% Т - 293°10, стоящего перед ним: « - Е^ = 0,5 * 3 ГуВ, * - Ev = 3 * 5 Гэ£, А - Еу -- 5 + IU 1'эВ, 9 - Е = 10 * 15 ГзВ, Л - Б = Ï5 ♦ 20 ГзВ, ¡з-Е --- 20 «• 25 ГзВ.

26 г- »

6

-i-1-1-ч—i—

0 2 4 2QQ 0» «РЗД

- ßo

*счло» P®4' ед*

Рио.4 Каскадные кривые развития электромагнитных ливней, исходящих. из кристалла вольфрама и развивапдихся в СЧЛС. • - кристалл разориентировая; о - кристалл ориентирован вдоль оси *Ш>(Т s 77°К). I - <Е,> = 9 ГеВ, 2 - <Е> = 20,5 ГзВ, 3 - <Et> в 2в ГэВ.