Электронная микроскопия бикристаллов и пленок на бикристаллических и ступенчатых подложках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Обзор теоретических приемов описания границ зерен.

1.2. Экспериментальные методики, используемые для получения и исследования границ зерен.

1.3. Обработка изображений и количественная электронная микроскопия.

1.4. Исследования ВТСП пленок на бикристаллических и ступенчатых подложках.

1.5. Применение пленок ZnO и исследование их роста на различных подложках методом электронной микроскопии.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Приготовление образцов для электронной микроскопии.

2.2. Просвечивающая электронная микроскопия.

2.3. Аналитическая электронная микроскопия.

2.4. Обработка и расчет изображений.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ИСКУССТВЕННЫХ ГРАНИЦ В БИКРИСТАЛЛАХ У- СТАБИЛИЗИРОВАННОГО гЮ2.

3.1. Результаты моделирования изображений структуры У-^Ю2 для различных микроскопов.

3.2. Исследование несимметричных границ в бикристаллах у-гю2.

3.3. Исследование симметричных границ в бикристаллах У

3.4. Выводы.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ БИКРИСТАЛЛОВ У-СТАБИЛИЗИРОВАННОГО гЮ2 С ПРОСЛОЙКАМИ РАЗЛИЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ.

4.1. Бикристаллы У-7Ю2 с прослойкой У3Ее5012.

4.2. Бикристаллы с внутренними пленками 8гТЮ3 и 8гТЮ3/У3Ее5012.

4.3. Бикристаллы У^Ю2 с внутренними пленками оксида железа.

4.4. Микроструктура кристаллов У-7Ю2 с внутренними пленками Се02 и БгТЮ3.

4.5. Структура внутренних пленок и 7п0/У-2г02 в бикристаллах У-ЕЮ2.

4.6. Выводы.

ГЛАВА 5. СТРУКТУРА ПЛЕНОК гпО, ВЫРАЩЕННЫХ НА БИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ у-гю2 И ПЛЕНОК Т12Ва2СаСи208, ВЫРАЩЕННЫХ НА СТУПЕНЧАТЫХ ПОДЛОЖКАХ ЬаАЮ3.

5.1. Структура пленок ZnO, выращенных на бикристаллических подложках У-ЕЮ2.

5.2. Структура Т12Ва2СаСи208 пленок, выращенных на (001) ступенчатых подложках ЬаАЮз.

5.3. Выводы.

Актуальность проблемы.

Исследование границ зерен (ГЗ) является фундаментальной задачей физики твердого тела. ГЗ определяют механические, электрические и многие другие свойства твердых тел. Именно поэтому влияние структуры ГЗ на эти свойства в последние годы стало предметом многочисленных исследований.

В твердых телах достаточно сложно обнаружить границу между двумя зернами с определенной разориентацией и изучить ее строение и физические свойства. Разработанный в Институте кристаллографии им. A.B. Шубникова метод твердофазного • сращивания кристаллов (ТФС) позволяет контролировать процесс формирования границ между двумя и более кристаллитами. Протяженность таких искусственно полученных границ может достигать нескольких сантиметров и, кроме того, метод ТФС позволяет создавать их в заданном месте. Таким образом, изучение влияния структуры границ на различные свойства материала значительно упрощается. В настоящее время бикристаллы различных материалов уже широко используются в качестве подложек для высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) пленок и изготовления на их основе сверхпроводящих квантовых интерферометров (СКВИДов). Особые надежды возлагаются на то, что в будущем на базе ВТСП пленок станет возможно создание электронно-вычислительных машин нового поколения, обладающих большим быстродействием, значительно меньшим энергопотреблением и энерговыделением и, высокочуствительных измерительных приборов. Вместе с тем, в настоящее время ведутся исследования с целью создания технологий, позволяющих использовать как высокотемпературные сверхпроводники, так и традиционно используемые материалы, например, такие как кремний и оксид цинка.

Метод твердофазного сращивания позволяет создавать также принципиально новые материалы - бикристаллы с внутренними пленками различных соединений, в том числе с пленками, состоящими из нескольких слоев. Такие бикристаллы могли бы использоваться в качестве подложек для ВТСП пленок и создания на их основе последовательностей искусственных границ с заданными свойствами. На базе таких объектов возможно создание сверхвысокочастотных генераторов.

В то же время, для успешного решения задач применения бикристаллических подложек в микроэлектронике, необходимо: детальное понимание физических процессов, происходящих при формировании границ методом ТФС, определение их структуры, структуры внутренних пленок и пленок, выращенных на бикристаллических подложках. Электронная микроскопия (ЭМ), в том числе электронная микроскопия высокого разрешения (ЭМВР) и аналитическая ЭМ являются мощными методами для изучения ГЗ, в частности искусственных ГЗ. Современный электронный микроскоп представляет собой уникальный прибор, позволяющий получать различного рода информацию о структуре и химическом составе материалов. При этом наименьшие размеры анализируемого участка образца при аналитических исследованиях могут составлять порядка нанометра, а при использовании метода ЭМВР - 0.1hm.

Цель работы заключается в исследовании методами электронной микроскопии высокого разрешения и аналитической электронной микроскопии:

1. структуры симметричных и несимметричных искусственных границ зерен, полученных методом ТФС в бикристаллах У-Zr02;

2. структуры бикристаллов У^Ю2 с внутренними пленками Y3Fe5012, Се02, 8гТЮ3, ZnO, Ге203;

3. влияния толщины внутренней пленки и параметров процесса ТФС на структуру внутренних пленок и границ раздела;

4. структуры тонких пленок ZnO, выращенных на бикристаллических подложках У-ЕЮ2;

5. структуры тонких пленок Т12Ва2СаСи2С>8, выращенных на ступенчатых подложках ЬаАЮз

Научная новизна.

1. Методом ЭМВР изучена структура симметричных и несимметричных границ в У-2т02- Предложены модели границ.

2. Впервые показана возможность получения методом ТФС бикристаллов с внутренними пленками различных материалов: БгТЮз, ZnO, Ге203, У3Ге5012 и изучена структура границ в таких бикристаллах.

3. Впервые изучена структура бикристаллов с многослойными внутренними пленками Се02/8гТЮ3 и 7п0/У^г02.

4. Изучена структура пленок ZnO, выращенных на бикристаллических (110)/90° подложках У-2Ю2. Определены эпитаксиальные соотношения пленка-подложка. Исследовано влияние границы в подложке на структуру границы в пленке.

5. Исследована структура пленок Т12Ва2СаСи208, выращенных на ступенчатых подложках ЬаАЮ3 с различными углами наклона ступенек.

Практическая ценность.

Результаты, полученные в работе, являются научной основой для создания нового класса материалов - бикристаллов с внутренними пленками, а также микроэлектронных приборов на базе бикристаллических подложек. Исследования бикристаллов У^г02 с симметричными и несимметричными границами необходимы для анализа механизмов образования границ зерен в оксидах и могут служить основой для создания нового подхода в исследовании диффузии элементов в твердых телах при высоких давлениях и температурах. Полученные данные о структуре границ в пленках могут быть использованы для объяснения электрофизических свойств ZnO пленок, выращенных на бикристаллических подложках и пленок Т12Ва2СаСи20з, выращенных на ступенчатых подложках ЬаАЮз

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Результаты исследований и модели симметричных и несимметричных границ в бикристаллах У-Ег02.

2. Результаты исследований бикристаллов с внутренними пленками различных материалов. Определение влияния толщины пленок и параметров процесса ТФС на структуру границ зерен и границ раздела в бикристаллах.

3. Результаты исследований структуры многослойных пленок Се02/8гТЮз и Еп0/У-2г02 в бикристаллах У^г02.

4. Результаты исследований роста пленок ZnO на бикристаллических подложках Y-ZrC^. Влияние качества поверхности подложки на структуру границы в пленке. 5. Результаты исследований роста пленок Tl2Ba2CaCu208 на ступенчатых подложках LaAlOß.

Работа была выполнена в лаборатории электронной микроскопии Института кристаллографии им. A.B. Шубникова Российской Академии Наук. Основные результаты докладывались на ХШ-м Международном конгрессе по электронной микроскопии (Париж, 1994г.), XVI-й Российской конференции по электронной микроскопии (Черноголовка, 1996г.), Третьей Шведско-Российской коференции "Оксиды металлов с переменной валентностью" (Суздаль, 1996), научных конкурсах Института кристаллографии (1997, 1998гг.), Второй национальной конференции по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов (РСНЭ-99, 1999 год).

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. A.L.Vasiliev, E.A.Stepantsov, N.A.Kiselev, V.V.Roddatis, E.Olsson, Z.G.Ivanov, T.Claeson, HREM of Artificial Grain Boundaries in Bi-and Tricrystals ICEM 13-PARIS, 17-22 July 1994.

2. A.L.Vasiliev, E.A. Stepantsov, V.V. Roddatis, N.A. Kiselev, E. Olsson, Z.G. Ivanov and T. Claeson The Structure of Artificial Grain Boundaries in Yttrium Stabilased Zr02 Bicrystals with Intermediate Layers, Phys. Stat. Sol. (a) 151, pp. 151-164, (1995).

3. А.Л.Васильев, В.В.Роддатис, Е.А.Степанцов, Н.А.Киселев, Микроструктура границ раздела в бикристаллах, полученных методом твердофазного сращивания, Тезисы докладов 16й

Российской конференции по электронной микроскопии, Черноголовка, стр. 39, 1996.

4. Y.F.Chen, R.Gatt, Q.H.Hu, Z.G.Ivanov, L.-G.Johansson, P.Larsson, R.Kojouharov, E.Olsson, V.Roddatis, E.A.Stepantsov, A.Ya.Tzalenchuk, A.Litvinchuk, L.Borjesson, and T.Claeson, Electronic Devices based on Tl-Ba-Ca-Cu-O and Hg-Ba-Ca-Cu-O Thin Films, Abstracts of the Conference for NUTEK programme: "Superconductors and Other Functional Materials" and Consortium Meeting for the "Materials Consortium on Superconductivity", 1996, p.31-32, Hjortviken, Sweden.

5. R.Gatt, E.A.Stepantsov, A.Litvinchuk, L.Borjesson, J.Backstrom, V.Roddatis, Y.F.Chen, T.Claeson, Z.G.Ivanov, A.Ya.Tzalenchuk, Thallium and Mercury Cuprates: Synthesis and fundamental properties, Abstracts of the Conference for NUTEK programme: "Superconductors and Other Functional Materials" and Consortium Meeting for the "Materials Consortium on Superconductivity", 1996, p.39-40, Hjortviken, Sweden.

6. V.V.Roddatis, A.L.Vasiliev, E.Olsson, Y.F.Chen, E.A.Stepantsov, Z.G.Ivanov, L.-G.Johansson, Electron Microscopy of Tl2Ba2CaCu208 Thin Films on Stepped (001) LaA103 Substrates, Abstracts of the Conference for NUTEK programme: "Superconductors and Other Functional Materials" and Consortium Meeting for the "Materials Consortium on Superconductivity", 1996, p.79-80, Hjortviken, Sweden.

7. Chen Y.F., Ivanov Z.G., Johansson L-G, Kojouharov R.I., Angelov I.M., Olsson E., Roddatis V.V., Stepantsov E.A., Tzalenchuk A.Y., Vasiliev A.L., Claeson Т., Tl2Ba2CaCu208 films: Growth and applications in dc SQUIDs and microwave devices, IEEE Tran. on AppLSupercond., Vol.7, No.2, pt.3, June 1997, p.2498-2501.

8. V.V.Roddatis, A.L.Vasiliev, E.A.Stepantsov, N.A.Kiselev, E.Olsson, Z.G.Ivanov, T. Claeson Microstructure of Yttrium Stabilized ZrC>2 Crystals with Ce02 and SrTi03 Intermediate Layers, Thin Solid Films N333, p. 207-212, 1998.

9. В.В.Роддатис, Е.А.Степанцов, Н.А.Киселев, Структура внутренних слоев ZnO в бикристаллах Y-Zr02 и пленок ZnO, выращенных на бикристаллических подложках Y-ZrC>2, РСНЭ-99, тезисы докладов, стр. 283.

Ю.В.В.Роддатис, Е.А.Степанцов, О.И.Лебедев, Н.А.Киселев, Электронная микроскопия симметричных границ зерен в бикристаллах Y-стабилизированного Zr02, РСНЭ-99, тезисы докладов, стр. 316.

5.3. Выводы.

Была исследована структура пленок ZnO, выращенных на бикристаллических (110)/90° подложках Y-Zr02- Несмотря на то, что на (110) Y-Zr02 растет текстурированная пленка ZnO, граница в подложке оказывает существенное влияние на образование границы в пленке. Канавка на поверхности подложки, образовавшаяся в процессе ее приготовления, существенно влияет на возникновение границы между зернами ZnO.

Исследования роста пленок Т1-2212 на ступенчатых подложках LAO показали, что варианты роста зерен на наклонных участках ступенек зависят от многих случайных факторов: присутствия дефектов, неровностей поверхности, неоднородности "прекерсера". Многообразие вариантов образования границ зерен в пленках на ступенчатых подложках затрудняет их использование для создания микроэлектронных приборов, из-за сложностьи получения воспроизводимых характеристик.

На границах зерен в Т1-2212 пленках может присутствовать аморфный или поликристаллический слой, который существенно влияет на электрофизические свойства границ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

1. Исследована структура искусственных симметричных с углами разориентации 19°, 32.4° и 37.2° и несимметричных с углами разориентации 13.1°, 29°, 45° границ зерен в бикристаллах У-ЪтОч- Обнаружено, что симметричные границы и граница, образованная кристаллографическими плоскостями с малыми индексами (45°) ровные. На всех границах наблюдались дислокации с проекцией вектора Бюргерса Ь=а/2[110]. На 19°-й границе дислокации с каждой из частей бикристалла имеют общие ядра, расположенные на расстоянии О.бнм. На этой границе были также обнаружены ступеньки, на которых наблюдаются дислокации с Ь=а/2[100]. Обнаружено, что несимметричная граница с углом разориентации 13.1° состоит из сегментов двух типов. Сегмент первого типа представляет собой симметричную границу, образованную плоскостями (540). На таких сегментах наблюдались участки с первоначальной заданной границей. Сегменты второго типа фасетированы по плоскостям (100), (120) и (140). Разработан комплекс программ для моделирования структуры границ зерен, обнаружения повторяющихся элементов и участков границы.

2. Изучена структура внутренних пленок и границ раздела кристаллов и бикристаллов У-2г02 с внутренними пленками различных соединений: Се02, 8гТЮ3, У3Ре5012, Ре203, ЪиО, в том числе с внутренними пленками, состоящими из нескольких слоев Се02 и БгТЮз, полученных методом твердофазного сращивания. Обнаружено, что структура внутренних пленок существенным образом зависит от условий процесса ТФС и параметров пленки.

3. Показано, что внутренние пленки У3Ге5012 полностью растворяются в У-ЕЮ2, если их начальная толщина менее 20нм. При увеличении толщины пленки до ЗОнм наблюдается образование преципитатов УзГе5012 на бикристаллической границе.

4. Исследованы бикристаллы У-^Ю2 с многослойными внутренними пленками Се02 и БгТЮз. Обнаружена кислородная нестехиометрия внутренних пленок Се02. Предложена модель упорядочения кислородных вакансий.

5. Изучен рост пленок ЪпО на бикристаллических [110]/90° подложках У-7г02. Показано, что пленка растет в двух эквивалентных ориентациях относительно [110]. Пленка содержит большое количество дефектов упаковки. Предложена модель дефектов. Показано, что морфология поверхности подложки влияет на расположение и геометрию границы в пленке.

6. Изучен рост пленок Т12Ва2СаСи2Од из пленок "прекерсера" на ступенчатых подложках ЪаАЮз- Обнаружены различные варианты роста зерен на ступеньках. Показано, что ориентация зерен и их структура сильно зависят от качества подложки и пленки "прекерсера".

1. Bulluffi R.W. and Sutton A.P., Grain Boundaries in Crystalline Solids, (1993), Oxford, Oxford University Press.

2. J.M.Howe, Interfaces in materials, John Wiley & Sons, INC, New York, 1993.

3. Ч.В.Копецкий, А.Н.Орлов, Л.К.Фионова, Границы зерен в чистых материалах, Москва, "Наука", 1987.

4. В.М.Косевич, В.М.Иевлев, Л.С.Палатник, А.И.ФеДоренко, Структура межкристаллитных и межфазных границ, "Металлургия", 1980.

5. Шаскольская М.П., Кристаллография, М., "Высш. школа", 1976.

6. Бокштейн Б.С., Копецкий Ч.В., Швидлерман JI.C., Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах, М.: Металлургия, 1986, 224с.

7. Mykura Н., Grain boundary srtructure and kinetics, Ohio: Metals Park, ASM, 1980.

8. H.Grimmer, Remarks on coincidence orientations of tetragonal and orthorhombic lattices, Material Science Forum Vol.126-128 (1993), pp.269-272.

9. Balluffi R.W., (Ed.), Grain Boundary Structure and Kinetics, Metals Park, OH, American Society for Metals, (1979)

10. Sutton A.P. and Bulluffi R.W., On geometric criteria for low interfacial energy, Acta Metall., 35, 2177-2201, (1987).

11. Bollmann W., Crystal Defects and Crystalline Interfaces, (Berlin:Springer), 1970

12. Р.З.Валиев, А.Н.Вергазов, В.Ю.Герцман, Кристалло-геометрический анализ межкристаллитных границ в практике электронной микроскопии, Москва, "Наука", 1991.

13. R.A.Johnson and W.D.Wilson, in Interatomic Potenciáis and Simulation of Lattice Defects, edited by P.C.Gehlen, J.R.Beeler, and R.I.Jaffee (Plenum, New York, 1971).

14. R.A.Johnson, Empirical potentials and their use in the calculation of energies of point deffects in metals, J. Phys. F 3, 295, (1973).

15. M.I.Baskes and C.M.Melius, Pair potentials for fee metals, Phys. Rev. В., 20, 3197, (1979).

16. M.S.Daw and M.I.Baskes, Semiempirical quantum mechanical calculations of hydrogen embrittlement in metals, Phys. Rev. Lett.50, 1285, (1983).

17. M.S.Daw and M.I.Baskes, Embedded-atom method: derivation and application to impurities, surfaces and other defects in metals, Phys. Rev. В 29, 6443, (1984).

18. R.A.Johnson, Relationship between two-body interatomic potentials in a lattice model and elastic constants Phys.Rev.B 6, 2094, (1972).

19. S.M.Folies, M.I.Baskes and M.S.Daw, Embedded-atom-method functions for the fee metals Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Pt, and their alloys, Phys.Rev.B., Vol.33, No.12, 7983-7991, (1986).

20. M.S.Daw and R.L.Hatcher, Application of the embedded atom method to phonons in transition metals, Solid State Commun. 56, 687, (1985).

21. S.M.Foiles, Applicationof the embedded-atom method to liquid transition metals, Phys.Rev. В 32, 3409, (1985).

22. M.S.Daw, M.I.Baskes and W.G.Wolfer, in Proceedings of the Special Symposium on Modelling Environmental Effects on Crack Initiation and Propagation, Toronto, 1985, (AIME, New York).

23. Mercle K.L., Atomic structure of grain boundaries, J.Phys.Chem. Solids 55, 991-1005, (1994).

24. Merkle K.L. and Smith D.J., Atomic resolution electron microscopy of NiO grain boundaries, Ultramicroscopy 22, 57-70, (1987).

25. N.I.Bochkareva, S.S.Ruvimov, R.Scholz, K.Scheerschmidt and L.M.Sorokin, Inst. Phys. Conf. Ser, No.134, Microsc. Semicond. Mater. Conf., Oxford, 5-8 April, 83-86, 1993.

26. H.Emori, T.Takasugi and K.Hiraga, High-resolution electron microscopy of grain boundaries in Ni3( Al0 8Ti0 2) bicrystals. I. 001] Small-angle tilt boundaries, Philosophical Magazine. A, Vol.75, No.5, 1403-1416, 1997.

27. T.Takasugi, H.Emori and K.Hiraga, High-resolution electron microscopy of grain boundaries in Ni3(Al0 8Ti0.2) bicrystals. II. Coincidence site lattice boundaries, Philosophical Magazine. A, Vol.75, No.5, 1417-1434, 1997.

28. Е.А.Степанцов, СССР Патент No.111161 00 cl. C30B33/00, 1982; Бюлл.Изобретений, 36, 77 (1986).

29. A.L.Vasiliev, E.A.Stepantsov, and N.A.Kiselev, HREM of grain boundaries in bi- and tri-crystals, obtained by solid phase intergrowth process, Phys.Stat sol. (a) 144, 383 (1994).

30. A.L.Vasiliev, E.A.Stepantsov, Z.G.Ivanov, E.Olsson, K.Verbist, G.Van.Tendeloo, Structure of Artificial Grain Boundaries in Sapphire Bicrystals with Intermediate Layers, Interface Science, 5, 223-230, (1997).

31. A.L.Vasiliev, E.A.Stepantsov, Z.G.Ivanov, E.Olsson, K.Verbist, G.Van.Tendeloo, The microstructure and interfaces of intermediate layers in sapphire bicrystals, Applied Surface Science, 119, 215-218, (1997).

32. Z.Ivanov, E.A.Stepantsov, T.Claeson, E.Wikborg, Substrates for High Tc circuits, Swedish patent No9401530-2

33. Z.G.Ivanov, P.A.Nilsson, D.Winkler, J.A.Alarco, and T.Claeson, Weak links and dc SQUIDS on artificial nonsymmetric grain boundaries in YBa2Cu307?, Appl.Phys.Lett., 59(23), 1991.

34. Дж.Спенс, Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения, Москва, "Наука", 1986.

35. Transmission electron microscope СМ200 FEG, Philips Electron Optics.

36. M.T.Otten and W.M.J.Coene, High-resolution imaging on a field emission ТЕМ, Ultramicrocopy 48, 77-91, (1993).

37. Z.L.Wang, Elastic and inelastic scattering in electron diffraction and imaging, Plenum press, New York and London, 1995.

38. J.C.H.Spence, J.M.Zuo, Electron microdiffraction, Plenum press, New York and London, 1994.

39. J.P.Benedict, R.Anderson, S.J.Klepeis, "A procedure for cross sectioning materials for ТЕМ Analysis without ion milling", Proc. of the XHth Intern. Congr. for Electr. Micr., San Francisco, 1990, p.742-743.

40. В.Ю.Карасев. Приготовление тонких фольг для просвечивающей электронной микроскопии. "Заводская лаборатория", N5, 1987, с.41-43.

41. J.Ayache, P.H.Albarede, Application of the ionless tripod polisher to the preparation of YBCO superconducting multilayer and bulk ceramics thin films, Ultramicroscopy 60, 196-206, (1995).

42. C.W.T. Bulle-Lieuwma, P.C.Zalm. Avoiding Surface Topography Development in Ion Milling of Semicondactors. J.Mat.Sci.,1982.v.7, 587.

43. K.L.Merkle, Quantification of atomic-scale grain boundary parameters by high-resolution electron microscopy, Ultramicroscopy, 40, 281-290, (1992).

44. M.I.Buckett, K.L.Merkle, Determination of grain boundary volume expansion by HREM, Ultramicroscopy, 56, 71-78, (1994).

45. P.A.Stadelmann, EMS- a software packege for electron diffraction analysis and HREM image simulation in material science., Ultramicroscopy, 21, 131-146, (1987).

46. U.Dahmen, S.Paciornik and I.G.Solorzano, J.B.Vandersande, HREM Analisys of Structure and Defects in a £5 (210) Grain Boundary in Rytile, Interface Science, 2, 125-136, (1994).

47. S.Paciornik, R.Kilaas, J.Turner, U.Dahmen, A pattern recognition technique for the analisys of grain boundary structure by HREM, Ultramicroscopy, 62, 15-27, (1996).

48. K.Nadarzinski, F.Ernst, The atomistic structure of a 1=3, (111) grain boundary in NiAl, studied by quantitative high-resolutuin transmission electron microscopy., Philosophical Magazine. A, Vol.74, No.3, 641-664, 1996

49. D.Hofmann, F.Ernst, Quantitative high-resolution transmission electron microscopy of the incoherent £3 (211) boundary in Cu, Ultramicroscopy 53, 205-221, (1994).

50. D.Dimos, P.Chaudhari, J.Mannhart, Superconducting transport properties of grain boundaries in YBa2Cu307 bicrystals, Physical Review B, Volume 41, Number 7, 4038, 1990.

51. C.Traeholt, J.G.Wen, H.W.Zandbergen, Y.Shen, J.W.M.Hilgenkamp, TEM investigation of YBa2Cu307 thin films on SrTi03 bicrystals, Physica C, 230, 425-434, 1994.

52. N.D.Browning, J.P.Buban, P.D.Nellist, D.P.Norton, M.F.Chisholm, S.J.Pennycook, The atomic origins of reduced critical currents at 001] tilt grain boundaries in YBaCuO thin films, Physica C, 294, (1998), pp.183-193.

53. Y.F.Chen, Z.G.Ivanov, E.A.Stepantsov, A.Ya.Tzalenchuk, S.Zarembinski, T.Claeson, Transport properties of Tl2Ba2CaCu2Og weak links on LaA103 bicrystal substrates, Journal of Appl.Phys., 1996

54. C.L.Jia, B.Kabius, K.Urban, K.Herrman, G.J.Cui, J.Schubert, W.Zanger, A.I.Braginski C.Heiden, Microstructure of epitaxial

55. YBa2Cu307 films on step-edge SrTi03 substrates, Physica C 175, (1991), 545.

56. C.L.Jia, B.Kabius, K.Urban, K.Herrman, J.Schubert, W.Zanger, A.I.Braginski, The microstructure of epitaxial YBa2Cu307 films on steep stepsin LaA103 substrates,Physica C 196, (1992), 211.

57. Ohya Y., Ueda M., Takahashi Y., Oxide thin film diode fabricated by liquid-phase method, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers, Short Notes & Review Papers).vol.35, no.9A; Sept. 1996; p.4738-4742.

58. Walter T., Rud' V.Yu., Rud' Yu.V., Schock H.W., Photosensitivity of thin-film ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 solar cells, Semiconductors.vol.31, no.7; July 1997; p.681-5 Translated from: Fizika I Tekhnika Poluprovodnikov. Vol.31, no.7; July 1997; p.806-810.

59. Hickernell F.S., Measurement techniques for evaluating piezoelectric thin films, 1996 IEEE Ultrasonics Symposium Proceedings (Cat.No.96CH35993). IEEE, New York, NY, USA; 1996; 2 vol. 1622 pp. p.235-242 vol.1

60. Mang L., Hickernell E., Pennell R., Hickernell T., Thin-film resonator ladder filter, 1995 IEEE MTT-S International

61. Microwave Symposium Digest (Cat. No.95CH3577-4). IEEE, New York, NY, USA; 1995; 3 vol. (lxxi+xli+1714) pp. p.887-890 vol.2.

62. Ito Y., Kushida K, Sugawara K., Takeuchi H., A 100-MHz ultrasonic transducer array using ZnO thin films, IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control.vol.42, no.2; March 1995; p.316-324.

63. Vellekoop M.J., Lubking G.W., Sarro P.M., Venema A., Integrated-circuit-compatible design and technology of acoustic-wave-based microsensors, Sensors and Actuators A (Physical).vol.A44, no.3; Sept. 1994; p.249-263.

64. Chubachi-N, Ultrasonic microscope and its application to dielectric materials research, Ferroelectrics.vol.91; 1989; p.143-153.

65. Ichinose N., Yamaji K., Nonlinear properties in ZnO film based varistors, Electroceramics IV.Verlag der Augustinus Buchhandlung, Aachen, Germany; 1994; 2 vol. (xix+xx+1364) pp. p.611-614 vol.1.

66. Itoh T., Suga T., Piezoelectric sensor for detecting force gradients in atomic force microscopy, Japanese Journal of Applied Physics, Part 1 (Regular Papers & Short Notes).vol.33, no.lA; Jan. 1994; p.334-340.

67. Itoh T., Suga T., Force sensing microcantilever using sputtered zinc oxide thin film, Applied Physics Letters, vol.64, no.l; 3 Jan. 1994; p.37-39.

68. Yoshino Y., Iwasa S., Aoki H., Deguchi Y., Yamamoto Y., Ohwada K., Transmission electron microscopy study of interface microstructure in ZnO thin films grown on various substrates (glass, Au, Al, alpha -AI2O3), Thin Films Structure and

69. Morphology. Symposium. Mater. Res. Soc, Pittsburgh, PA, USA; 1997; xvii+793 pp. P.241-6.

70. J.Narayan, K.Dovidenko, A.K.Sharma, and S.Oktyabrsky, Defects and interfaces in epitaxial Zn0/a-Al203 and AlN/Zn0/a-Al203 heterostuctures, Journal of Appl.Phys., Vol.84, N.5, (1998), 2597-2601.

71. Г.И.Косоуров, И.Е.Лифшиц, Н.А.Киселев, Оптический дифрактометр, Кристаллография, т.16, вып.4, 1971, с.872-82.

72. Comprehensive Inorganic Chemistry, Pergamon, 1973.

73. A.L.Vasiliev, E.A.Stepantsov, V.V.Roddatis, N.A.Kiselev, E.01sson,Z.G.Ivanov and T.Claeson, The Structure of Artificial Grain Boundaries in Yttrium Stabilased Zr02 Bicrystals with Intermediate Layers. Phys. Stat. Sol. (a) 151, 151-164 (1995)

74. M.Ye, J.Schroeder, M.Mehbod, R.Deltour, G.Naessens, P.H.Duvigneaud, K.Verbist and G.Van.Tendeloo, Structural properties of Zn-substituted epitaxial УВа2Сиз07х thin-films, Supercond.Sci.Technol., 9, 543-548, 1996.