Электронная структура дефектов и их взаимодействие в арсениде галлия, легированном марганцем тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

1. ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ.

1.1 Идеальный кристалл арсенида галлия.

1.2 Собственные дефекты в арсениде галлия

1.3 Состояние 3 d-элементов в арсениде галлия.•

1.4 Постановка задачи

2. ХАРАКТЕРИСТИКА ИССЛЕДОВАННЫХ ОБРАЗЦОВ И ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ИССЛЕ ' " "х-""*

ДОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ.-I' j.

2.1 Выращивание монокристаллов арсенида галлия, легированных марганцем.

2.2 Характеристика исследованных образцов

2.3 Метод ЭПР.

2.4 Измерение статической магнитной восприимчивости

2.5 Расчет электронной структуры дефектов

2.6 Выводы.

ИЗУЧЕНИЕ ОДИНОЧНЫХ ЦЕНТРОВ МАРГАНЦА В АРСЕНИДЕ

ГАЛЛИЯ.

3.1 Экспериментальные данные по ЭПР кубического центра марганца

3.2 Результаты измерения статической магнитной восприимчивости и данные по ЭПР неионизованного центра марганца

3.3 Модель центра арсениде галлия.

3.4 Выводы.

4. СПИН-СПИНОВОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В АРСЕНИДЕ

ГАЛЛИЯ, ЛЕГИРОВАННОМ МАРГАНЦЕМ.

4.1 Магнитное диполь-дипольное взаимодействие

4.2 Обменное взаимодействие

4.3 Состояния типа "спинового стекла"

4.4 Выводы.

5. ИЗУЧЕНИЕ СЛОЖНЫХ ПРИМЕСНЫХ КОМПЛЕКСОВ С

УЧАСТИЕМ МАРГАНЦА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ.

5.1 Результаты исследования комплексов симметрии

5.2 Обсуждение результатов.

5.3 Выводы.ПО

Несмотря на то, что арсенид галлия в настоящее время можно отнести к числу наиболее изученных соединений, интерес к нему исследователей не ослабевает. Это вызвано прежде всего практическим применением данного материала в СВЧ и оптоэлектронике. Причем по мере совершенствования данных типов приборов все более важным становится не только изучение простых дефектов замещения, но и изучение взаимодействия этих простых дефектов, как примесных, так и собственных, с образованием сложных центров.Большую роль в изготовлении приборов на основе арсенида галлия играет как намеренное легирование переходными элементами группы железа, в частности компенсирование хромом для получения полуизолирующего материала, так и остаточные примеси этой группы. Из ряда 3 с(-элементов примесь марганца характерна тем, что она создает акцепторный уровень глубиной 0,1 эВ, это позволяет использовать ее для создания, например, датчиков температуры, работающих в широком диапазоне.Для изучения электронной структуры дефектов и их взаимодействия не случайно среди 3 d -элементов был выбран марганец. Ядерный момент изотопа Пи равен 5/2 и за счет сверхтонкого взаимодействия мы видим расщепление каждой линии тонкой структуры в спектре ЭПР на шесть характерных линий, которые легко идентифицируются, Это позволяет изучать методом ЭПР все сложные дефекты, связанные с марганцем. Причем следует отметить, что Зс/-оболочка марганца яв ляется устойчивой и достаточно сильно локализованной. Таким образом, шрганец довольно близок, имея два hs валентных электрона, к обычным акцепторам. Это придает особую ценность исследованию электронной структуры этого центра, так как позволяет изучать процесс компенсации арсенида галлия и связанный с ним процесс образования — Ц — комплексов, которые могут давать уровни в запрещенной зоне и влиять, таким образом, на электрофизические, оптические и магнитные свойства арсенида галлия.Теоретические методы расчета электронной структуры глубоких центров, образованных прежде всего 3 d-элементами, основанные на локальном разложении одноэлектронной функции Грина кристалла с дефектом, дают удовлетворительные результаты при описании большинства Зс|-элементов. Основываясь на данном методе расчета электронной структуры, представляется интересным теоретическое изучение комплексных дефектов с участием марганца, оценка их термодинамических параметров на основе изучения электронной структуры.Арсенид галлия в силу своей хорошей изученности стал модельным материалом в ряду прямозонных соединений Я 5 • На нем, в частности, интенсивно изучаются процессы обменного взаимодействия локализованных моментов. При изучении дефектов структуры в арсениде галлия, легированном марганцем, эти обменные взаимодействия неизбежно проявляются и также становятся объектом исследования.В первой главе диссертации приведены литературные данные по изучению дефектов структуры в арсениде галлия, включающие данные по собственным дефектам и по 3 о|-элементам, создающим глубокие уровни в запрещенной зоне. На основе анализа литературных данных формулируются задачи работы.Во второй главе описаны процесс выращивания исследуемых монокристаллов и их свойства, определенные в результате предварительных исследований. Кратко рассмотрены основные экспериментальные методики, использованные для изучения электронной структуры дефектов и обменного взаимодействия атомов марганца. Здесь же описан метод расчета электронной структуры дефектов и приводятся результаты по идеальному кристаллу и собственным дефектам, которые сравниваются с данными других работ. В заключение главы приводятся - 6 оригинальные результаты по сложным примесным дефектам с участием марганца.В третьей главе приведены результаты экспериментального изучения центра замещения марганца, находящегося как в ионизованном состоянии Н»^ , так и в неионизованном состоянии Мп -^п , В результате анализа всей совокупности экспериментальных данных по марганцу в арсениде галлия делается вывод об основном состоянии марганца.В четвертой главе приведены результаты изучения обменного взаимодействия атомов марганца. Для их анализа используются результаты теоретического изучения косвенного обменного взаимодействия в полупроводниках. В заключение главы описываются состояния типа "спинового стекла", дающие спектр ЭПР аналогичный измеренному в классическом спиновом стекле Сц.'Ми .В пятой главе приведены результаты экспериментального изучения примесных комплексов типа марганец - элемент шестой группы.Научная новизна и физическая сущность положений, выносимых на защиту, состоят в следующем.1 . Впервые измерен спектр ЭПР неионизованного центра марганца в арсениде галлия, создана модель центра, непротиворечиво объясняющая всю совокупность экспериментальных данных по марганцу в арсениде галлия.2. Теоретически изучены простые и сложные примесные и собственные дефекты в арсениде галлия. Показано, что энергия d -состояний в кристалле, генетически связанных с d -состояниями атома марганца, оказывается в запрещенной зоне для всех дефектов, связанных с марганцем, за исключением междоузельного атома марганца, энергия (л-электронов которого может оказаться в запрещенной зоне. Для дефектов типа пл-и впервые определено расщепление уровня симметрии ^2. "^^"^ ^Ч* - 7 3 . Всесторонне изучено обменное взаимодействие атомов марганца в арсениде галлия. Впервые в полупроводниках /I 5 получены экспериментальные данные по состояниям типа "спинового стекла".4. Впервые обнаружен и надежно идентифицирован новый примесный комплекс М^-5е в арсениде галлия.5. С помощью ряда технологических экспериментов идентифицирован комплекс MnS в арсениде галлия, который является наиболее устойчивым комплексом в исследованных образцах.Результаты работы докладывались на научных семинарах кафедры "Экспериментальная физика" ЛШ им. М.И.Калинина, на пятой Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1982 г . ) . По теме диссертации опубликовано пять печатных работ.Диссертационная работа выполнена на кафедре "Экспериментальная физика" ЛПй им. М.И.Калинина под научным руководством профессора, д. ф.-м.н. Мастерова В.Ф. Автор выражает благодарность Н.С., к.ф.-м.н. Штельмаху К.Ф, и доценту, к .т .н . Саморукову Б.Е. за помощь в проведении работы и полезное обсуждение ее результатов. - 8

Результаты работы £89], в которой данный спектр был приписан комплексу марганец~кислород, основываются только на том, что в эпитаксиальных образцах спектр триговального центра исчезает с введением в раствор-расплав алюминия при выращивании. Но этот результат надежно свидетельствует лишь о том, что данный спектр не принадлежит центру типа'марганец-вакансия мышьяка, а обусловлен примесным комплексом. При введении алюминия может эффективно связываться не только кислород, но и сера. Последняя примесь в арсениде галлия не является экзотической. Во-первых, она присутствует в марганце, которым легируется арсенид галлия, поскольку он получается электролизом сульфатных растворов. Во-вторых, в самом арсениде галлия эта примесь может быть в значительном количестве, поскольку она содержится в мышьяке, используемом для синтеза.

Таким образом, спектр, ранее приписывавшийся комплексу мы с большим основанием можем приписать комплексу • Угловая зависимость тонкой структуры данного комплекса представлена на рис. 5.2.

Комплекс марганец-селен. Наиболее надежные результаты по изучению комплексов симметрии CZtr с участием марганца получены на монокристаллах GaAs<Mn, Se> . На рис. 5.3 приведена угловая зависимость тонкой структуры тригонального комплекса, наблюдавшегося в образце А79. Тот факт, что данный комплекс наблюдается только в образцах с двойным легированием марганцем и селеном, а также довольно высокая концентрация подобных центров, большая 10^ см~3, позволяет однозначно утверждать, что данный тригональный центр состоит из атомов марганца и селена, причем марганец находится в состоянии . Последнее позволяет предположить, что данный комплекс является электрически нейтральным и имеет структуру

Рис5.2 Угловая зависимость тонкой структуры спектра комплекса при вращении в плоскости (НО) для одного неэквивалентного положения. Сплошные кривые - расчет по (5.3)-(5.7), точки - эксперимент.

Рис.5.3 Угловая зависимость тонкой структуры спектра комплекса Мп^-Зе^ при вращении в плоскости (НО) для одного неэквивалентного положения. Сплошные кривые - расчет по (5.3) - (5.7), точки - эксперимент.

- юз Конфигурация Mn^-Se; , имеющая ту же симметрию, менее вероятна.

Параметры спин-гамильтониана, описывающего центры и * приведены в табл. 5.2.

- Ill -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключение следует подвести итоги проделанной работы, определить ее возможное дальнейшее развитие и связь с другими смежными проблемами.

До проведения настоящей работы примесь марганца в различных экспериментальных исследованиях рассматривалась либо как обычный акцептор (в экспериментах по изучению эффекта Холла, фотолюминесценции и оптического поглощения), не отличающийся от классических мелких акцепторов из третьей группы периодической таблицы, либо как аналог других Зс/ «элементов, имеющих энергию с( -уровней в запрещенной зоне (в экспериментах по измерению магнитной восприимчивости). Нами сделана попытка построить единую модель центра, которая объясняет всю совокупность экспериментальных результатов и подтверждается нашими экспериментами по ЭПР. Интересным продолжением данной работы явилась бы проверка данной модели (взаимодействующих электронов (/-оболочки и дырки на уровне, имеющем симметрию валентной зоны) для других переходных элементов группы железа.

Другим новым направлением в данной работе, которое может иметь развитие, является изучение состояний типа "спинового стекла" в полупроводниках . В нашем эксперименте замороженные моменты появлялись, по-видимому, в результате микровключений второй фазы, но можно предположить, что при больших уровнях легирования будет проявляться обмен типа РККИ. Поэтому результаты четвертой главы могут быть использованы как для начала изучения кристаллов с большими концентрациями носителей, так и для изучения гетерофаз-ных кристаллов арсенида галлия.

Результаты, приведенные в последней главе, могут быть непосредственно использованы для управления процессом компенсации в арсениде галлия. Дальнейшее продолжение этой части работы необходимо вести в направлении изучения свойств нейтральных тригональных комплексов как центров рекомбинации неравновесных носителей. Как показывают результаты нашей работы, меняя вид донора при изготовлении И -области, мы может менять относительную концентрацию заряженных центров и нейтральных тригональных центров в области объемного заряда p-h перехода прибора.

Перечислим основные результаты работы.

1. Создана лабораторная установка для выращивания монокристаллов арсенида галлия методом направленной кристаллизации, на которой выращены и контролируемо легированы в широком диапазоне концентраций монокристаллы

2. Получены новые теоретические результаты по примесным дефектам в арсениде галлия, легированном марганцем. Показано, что одноэлектронные энергии d-орбиталей междоузельного атома марганца располагаются на 0,5 эВ ниже таковых для марганца в позиции замещения галлия. Определены энергии расщепления в кристаллическом поле симметрии уровня симметрии tz. для различных примесных комплексов: , Мк^-0^ , Иц^- SAs , Mn^-S^?

3. Изучена температурная зависимость времени релаксации ионизованного центра марганца в диапазоне температур (4 - 10) К и определены параметры прямого процесса = 1,5 10^ с"** К"* и рама-нов ского процесса = 3,7 К"""*.

4. Показано, что линия с (j = 6,1 в спектре ЭПР принадлежит нейтральному центру марганца fad*) +А . Построена модель центра марганца в арсениде галлия.

5. Изучено обменное взаимодействие атомов марганца в арсениде галлия. На основе анализа экспериментальных данных показано, что линия с д = 4,2 в спектре ЭПР принадлежит антиферромагнитно упорядоченной паре . Определено значение об

- 113 менного интеграла для этого центра У = 10 см""*.

6. В образцах -типа с двойным легированием марганцем и мелким донором шестой группы обнаружен спектр ЭПР, полностью аналогичный спектру ЭПР классического спинового стекла Сц:Ми .

7. Впервые обнаружен и идентифицирован тригональный комплекс Мпь^^Аь в арсениде галлия.

8. Показано, что спектр тригонального комплекса с параметром спин-гамильтониана X = -II7 10"*^ см~*, ранее прлписывавшийся комплексу 0jj , с большей вероятностью принадлежит комплек

СУ

1. BLAKEMORE J.С. SEM1.ONDUCTING AND OTHER MAJOR PROPERTIES OF

2. GALLIUM ARSENIDE. J.APPL.PHYS., 1982, У. 53, N 10, R123-R181.

3. CHELIKOWSKy J.R. AND COHEN M.L. NONLOCAL PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS FOR THE ELECTRONIC STRUCTURE OF ELEYEN DIMOND AND ZINC BLENDE SEMICONDUCTORS. PHyS.REY. В, 1976, Y.14, N 2, P. 556-582.

4. STURGE M.D. OPTICAL ABSORPTION OF GALLIUM ARSENIDE BETY/EEN 0,6 AND 2,75 EY. PHyS.REY., 1962, Y.127, N 3, P.768-773.

5. ЛЕВИН А.А. ВВЕДЕНИЕ В КВАНТОВУЮ ХИМИЮ ТВЕРДОГО ТЕЛА. М.: ХИМИЯ, 1974. 240 С.

6. БУБЛИК В.Т., МИЛЬВИДСКИЙ М.Г., ОСВЕНСКИЙ В.Б. ПРИРОДА И ОСОБЕННОСТИ ПОВЕДЕНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ А3В5. ИЗВ. ВУЗОВ, 1980, N 1, С.7-22.

7. ИЛЬИН Н.П., МАСТЕРОВ В.Ф. ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ НЕЙТРАЛЬНЫХ ВАКАНСИЙ В АРСЕНИДЕ И ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ. ФТП, 1976, Т.10, В.5, С.836-840.

8. ТЕЛЕЖКИН В.А., ТОЛПЫГО К.Б. ТЕОРИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ФТП, 1982, Т.16, В.8, С.1337-1364.

9. TALYAR D.N., TING C.S. TIGHT BINDING CALCULATIONS FOR THE ELECTRONIC STRUCTURE OF ISOLATED YACANCES AND IMPURITIES IN3 -5 COMPOUND SEMICONDUCTORS, PHyS.REY. B, 1982, Y.25, N 4, P. 2660-2680.

10. LIN-CHANG P.J., REINEKE T.L. THEORETICAL STUDy OF NATIYE DEFECTS IN 3 5 SEMICONDUCTORS. - PHyS.REY. B, 1983, Y.27, N 2, P.1101-1114.

11. SARMA S.D. AND MADHUCAR A. STUDy OF THE IDEAL-YACANCy-INDUCED NEUTRAL DEEP LEYELS IN 3 5 COMPOUND SEMICONDUCTORS AND THEIR

12. TERNARY ALLOyS. PHYS.REY. B, 1981, У.24, N 4, P.2051-2068.

13. BACHELET G.B., BARAFF G.A., SCHLUTER M. SELF CONSISTENT CALCULATIONS OF THE ELECTRONIC STRUCTURE FOR IDEAL GA AND AS VACANCIES IN GAAS. - PHYS.REY. B, 1981, Y.24, N 2, P.915-925.

14. BERNHOLC J. AND PANTELIDES S.T. SCATTERING THEORETIC METHOD FOR DEFECTS IN SEMICONDUCTORS. 1. TIGHT - BINDING DESCRIPTION OF VACANCIES IN SI, GE, AND GAAS. - PHYS.REY. B, 1978, Y.18, N4 P.1780-1789.

15. LOUIS E., VERGES J.A. LATTICE DEFECTS IN 3 5 SEMICONDUCTORS.- PHYS.REY. B, 1981, Y.24, N 10, P.6020-6028.

16. BACHELET G.B., SCHLUTER M., BARAFF G.A. As^ ANTISITE IN GAAS.- PHYS.REY. B, 1983, Y.27, N 4, P.2545-2547.

17. POTZ W. AND FERRY D.K. ANTISITE DEFECTS IN 3 5 SEMICONDUCTORS. - PHYS.REY. B, 1984, Y.29, N 10, P.5687-5693.

18. JAROS M. ELECTRONIC PROPERTIES OF PARAMAGNETIC P(GA) IN GAP. -J.PHYS. C: SOLID ST.PHYS., 1978, Y.ll, P.L213-L217.

19. JAROS M., BRAND S. LOCALIZED DEFECTS IN 3 5 SEMICONDUCTORS. -PHYS.REY. B, 1976, Y.14, N 10, P.4494-4505.

20. GOLTZENE A., SCHWAB C., MARTIN G.M., JACOB G., POIBLAUD G. DEFECTS AND COMPENSATION IN PURPOSELY О AND/OR CR DOPED SEMI-INSULATING GAAS. INST. PHYS. CONF.SER. N 50: CHAPT.8, 1981, P.557-562.

21. WAGNER P.J., KREBS J.J., STAUSS G.H. SUBMILLIMETER EPR EVIDENCE FOR THE AS ANTISITE DEFECTS IN GAAS. SOLID STATE COMMUN., 1980, Y.36, N 1, P.15-17.

22. WORNER R., KAUFMAN U., SCHNEIDER J. ELECTRON SPIN RESONANCE OF AS(GA) ANTISITE DEFECTS IN FAST NEUTRON-IRRADIATED GAAS. -APPL.PHYS.LETTERS, 1981, Y.40, N 2, P.141-143.

23. GOSWAMI N.K., NEWMAN R.C., WHITEHOUSE J.E. THE OBSERVATION OF

24. HIGH CONCENTRATIONS OF ARSENIC ANTI-SITE DEFECTS IN ELECTRON IRRADIATED N-ТУРЕ GAAS ВУ X-BAND EPR. SOLID STATE COMMUN., 1981, Y.40, N 3, P.473-477.

25. WEBER E.R., ENNEN H., KAUFMAN U., WINDSHEIF J., SCHNEIDER J., WOSINSKI T. IDENTIFICATION OF AS(GA) ANTISITES IN PLASTICALLY DEFORMED GAAS. J.APPL.PHyS., 1982, Y.53, N 9, P.6140-6143.

26. WOSINSKI T. EFFECT OF PLASTIC DEFORMATION ON THE EPR SPECTRUM OF SEMI-INSULATING GAAS:CR. PHYS. STATUS SOLIDI (A), 1980, Y.60, P.K149-K152.

27. LANG D.Y., LOGAN R.A., KIMERLING L.C. IDENTIFICATION OF THE DEFECT STATE ASSOSIATED WITH GALLIUM YACANCY IN GAAS AND6caf.xAs . PHYS.REY. в, 1977, Y.15, N 10, P.4874-4882.

28. SUBRAMANIAN S., ARORA B.M., GUHA S. AN INYESTIGATION OF THE ORIGIN OF THE MAIN ELECTRON TRAP IN GAAS. SOLID STATE ELECTRONICS, 1981, Y.24, P.271-291.

29. LAGOWSKI J., GATOS H.C., PARSEY J.M. ORIGIN OF THE 0,82 EY ELECTRON TRAP IN GAAS AND ITS ANNIHILATION BY SHALLOW DONORS. -APPL.PHYS.LETTERS, 1982, Y.40, N 4, P.342-344.

30. PONS D., BOURGOIN J. ANISOTROPIC DEFECT INTRODUCTION IN GAAS BY ELECTRON IRRADIATION. PHYS.REY. LETTERS, 1981, Y.47, N 18,1. P.1293-1296•

31. LONALICHE D., GUILLOT G., NOWAILHAT A., BOURGOIN J. DEFECT IDENTIFICATION IN ELECTRON-IRRADIATED GAAS. PHYS.REY. B, 1982 Y.26, N 12, P.7090-7092.

32. MIRCEA-ROUSSEL A., MAKRAM-EBEID S. A LUMINESCENCE BAND ASSOSI-ATED WITH THE MAIN ELECTRON TRAP IN BULK GALLIUM ARSENIDE. -APPL.PHyS. LETTERS, 1981, Y.38, N 12, P.1007-1009.

33. PHIL WON Уи, REyNOLDS D.C. PHOTOLUMINESCENCE IDENTIFICATION OF 77 MEY DEEP ACCEPTOR IN GAAS. J.APPL.PHyS., 1982, Y.53, N 2, P.1263-1265.

34. PHIL WON Уи. PHOTOLUMINESCENCE EXITATION OF THE 1,441-EY CATION ANTISITE EMISSION IN Р-ТУРЕ GAAS. PHyS.REY. B, 1983, Y.27, N 12, P.7779-7781.

35. KUNZEL H., PLOOG H. SHARP-LINE LUMINESCENCE TRANSITIONS DUE TO GROWTH INDUCED POINT DEFECTS IN MBE GAAS. INST.PHyS. CONF. SER. N 56, CHAPT. 8, 1981, P.519-528.

36. PHYL WON Уи. DEEP-CENTER PHOTOLUMINESCENCE IN UNDOPED SEMI-INSULATING GAAS: 0,68 EY BAND DUE TO THE MAIN DEEP DONOR. SOLID STATE COMMUN., 1982, Y.43, N 12, P.953-956.

37. CHIANG S.y., PEARSON G.L., PROPERTIES OF YACANCy DEFECTS IN GAAS SINGLE CRYSTALS. J.APPL.PHyS., 1975, Y.46, N 7,1. P.2986-2991.

38. LUM W.y., WIEDER H.H. THERMALLy CONYERTED SURFACE LAYERS IN SEMI-INSULATING GAAS. APPL.PHYS. LETTERS, 1977, Y.31, N 3,1. P.213-215.

39. YODER M.N. COMPLEXES AND THEIR EFFECTS ON 3 5 COMPOUNDS.

40. SMI-INS. 3-5 MAT.CONF.,NOTTINGHAM, 14, 1980, P.281-287.

41. KLEIN P.В., NOKDQUIST P.E.R., SIEBEUMANN P.G. THERMAL CONYERTI-ON OF GAAS. J.APPL.PHYS., 1980, y.51, N 9, P.4861-4869.

42. NORDQUIST P.E.R., KLEIN P.B., BISHOP S.G., SIEBEUMANN P.G. THERMAL REDISTRIBUTION OF MN AND FE IN HEATED GAAS. INST. PHyS. CONF.SER.N 56, CHAPT.8, 1981, P.569-578.

43. MURAWALA P.A., SINGH y.A., SUBRAMANIAN S., CHANDRAHKAR S.S., ARORA B.M. ORIGIN OF AN E3-LIKE DEFECT IN GAAS AND Gtf ALLOYS. PHyS.REY. B, 1984, У.29, N 8, P.4807-4810.

44. MIRCEA A., BOIS D. A REYIEW OF DEEP LEVEL DEFECTS IN 3 5 SEMICONDUCTORS. - INST.PHyS. CONF. SER.N 46, CHAPT.l, 1979,1. P.82-99.

45. OSBOURN G.C. HyDROSTAT1С-PRESSURE DEPENDENCE OF THE IDEAL-NEUT-RAL-YACANCy LEYELS IN GAAS. PHyS.REY. B, 1980, y.22, N 6, P.2898-2902.

46. SHANG y.R., DOW J.D. PRESSURE DEPENDENCE OF DEEP LEVELS IN

47. ИЛЬИН Н.П., МАСТЕРОВ В.Ф. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ, ЛЕГИРОВАННОМ ПЕРЕХОДНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА. ФТП, 1977 , Т.11, В.8, С.1470-1477.

48. HEMSTREET L.A.,TRENDS IN THE ELECTRONIC PROPERTIES OF SUBSTITUTIONAL 3D TRANSITION-METAL IMPURITIES IN GAAS. PHyS.REY. B, 1980, Y.22, N 10, P.4590-4599.

49. FAZZIO A., LEIT J. ELECTRONIC STRUCTURE OF CU, N1, CO, AND FE

50. SUBSTITUTIONAL IMPURITIES IN GALLIUM ARSENIDE. PHYS,REY. B, 1980, Y.21, N 10,P.4710-4720.

51. HEMSTREET L.A., DIMMOCK J.O. ELECTRONIC STATES OF A SUBSTITUTIONAL CHROMIUM IMPURITY IN GAAS. PHyS.REY. B, 1979, Y.20, N 4, P.1527-1537.

52. DE YICCARO A.M.H., SUNDARAM S., SHARMA R.R. ELECTRON PARAMAGNETIC RESONANCE PARAMETERS OF SUBSTITUTIONAL CR2+ IMPURITY IN GAAS ВУ A CLASTER APPROACH.- PHYS.REY. B, 1982, У.25, N 12, P.7731-7740.

53. ALLEN J.W. PROCEDURES FOR COMPARING THE THEORETICAL AND EXPERIMENTAL POSITION OF THE ENERGY LEVELS OF MULT I- ELECTRON IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS. SEMI-INS. 3-5 MAT. CONF. NOTTINGHAM, 1980, 14, P.261-266.

54. КИРИЛЛОВ В.И., ТЕСЛЕНКО В.В. ПРИРОДА ПАРАМАГНИТНЫХ ЦЕНТРОВ В GAAS И GAP, ЛЕГИРОВАННЫХ ЖЕЛЕЗОМ. ФТТ, 1979, Т.21, В.11, С.3209-3213.

55. TEUERL W., HAUSSMANN A. ENDOR-INVESTIGATIONS OF IRON DOPED GAAS AND GAP. Z.PHYS. B, 1976, Y.23, N 1, P.11-14.

56. ТЕСЛЕНКО В.В. ОПРЕДЕЛЕНИЕ МЕСТПОЛОЖЕНИЯ ПРИМЕСИ ЖЕЛЕЗА В АРСЕНИДЕ И ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ С ПОМОЩЬЮ ДЭЯР. ФТП, 1983, Т.17, В.З, С.526-528.

57. YAYILOY Y.S., USHAKOY У.У., GIPPIUS A.A. GENERAL TRENDS IN THE LUMINESCENCE-PROPERTIES OF TRANSITION ELEMENTS CENTERS IN 3-5 SEMICONDUCTING COMPOUNDS. PHYSICA, 1983, Y.117, PART 1,1. P.191-193.

58. ВАСИЛЬЕВА A.B., ИППОЛИТОВА Г.К., ОМЕЛЬЯНОВСКИЙ Э.М., РЫСКИН А.И ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ПРИМЕСИ У В GAAS. ФТП, 1976, Т.10, В.З, С.571-573.

59. УШАКОВ В.В., ГИППИУС А.А. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, СОДЕРЖАЩЕГО ШПЛАНТИРОВАННЫЙ ВАНАДИЙ. ФТП, 1980, Т. 14, В.2,1. С.336-340.

60. MIRCEA-ROUSSEL A., MARTIN G.M., LOWTHER J.E. OPTICAL ABSORPTION AND PHOTOLUMINESCENCE OP VANADIUM IN N-ТУРЕ GAAS. SOLID STATE COMMON., 1980, Y.36, N 2, P.171-173.

61. KAUFMAN U., ENNEN H., SHNEIDER J., WORNER R., WEBER J., KOHL F. SPECTROSCOPIC STUDY OF VANADIUM IN GAP AND GAAS. -PHYS.REY. B, 1982, У.25, N 9, P.5598-5606.

62. GOLTZENE A., POIBLAUD G., SCHWAB C. EPR INVESTIGATIONS OF THE DEFECT CHEMISTRY OF SEMI-INSULATING GAAS:CR. J.APPL.PHYS., Y.50, N 8, P.5425-5430.

63. KREBS J.J., STAUSS G.H. EPR OF CR2+(3D4) IN GALLIUM ARSENIDE: JAHN-TELLER DISTORTION AND PHOTOINDUCED CHARGE CONYERTION. -PHYS.REY. B, 1977, Y.16, N 6, P.971-973.

64. KREBS J.J., STAUSS G.H. EPR OF CR(3D3) IN GAAS EVIDENCE FOR STRONG JAHN-TELLER EFFECT. - PHYS.REY. B, 1977, Y.15, N 1,1. P.17-22.

65. KAUFMAN U. , SCHNEIDER J. CHROMIUM AS A HOLE TRAP IN GAP AND GAAS. APPL.PHYS. LETTERS, 1980, Y.36, N 9, P.747-748.

66. GOSWAMI N.K., NEWMAN R.C., WHITEHOUSE J.E. EPR MEASUREMENTS ON CHROMIUM DOPED GAAS, GAP, AND INP. SOLID STATE COMMUN., 1980, Y.36, N 10, P.897-900.

67. МАСТЕРОВ В.Ф. ГЛУБОКИЕ ЦЕНТРЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ (ОБЗОР). -ФТП, 1984, Т.18, В.1, С.3-23.

68. HENNEL A.M., SZUSZKIEWICZ W., BALKANSKI М., MARTINEZ G. , CLERJAUD В. INVESTIGATION OF THE ABSORPTION OF CR2+(3D4) IN GAAS. PHYS.REY. B, 1981, Y.23, N 8, P.3933-3942.

69. KREBS J.J., STAUSS G.H. EFFECTS OF UNAXIAL STRESS AND TEMPERATURE VARIATION ON THE CR2+ CENTER IN GAAS. PHYS.REY. B, 1979, Y.20, N 2, P.795-800.

70. ГАНАПОЛЬСКИЙ Е.М. О СОСТОЯНИИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ ХРОМ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ. ФТТ, 1974, Т.16, N 10, С.2886-2893.

71. TOKUMOTO Н., ISHIGUHO Т. ULTRASONIC STUDY OF DYNAMIC BEHAVIOR OF JAHN-TELLER DISTORTED CR2+ CENTERS IN GAAS. J.PHYS.SOC. JAP., 1979, Y.46, N 1, P.84-89.

72. BURY P., CHALLIS L.J., KING P.J., MONK D.J., RAMDANE A., RAMPTON V.W., WISKOMBE P. INVESTIGATION OF CR IN GAAS USING PHONONS. SEMI-INS. 3-5 MAT. CONF. NOTTINGHAM, 1980, 14, P.214-220.

73. CHALLIS L.J., LOCATELLI M., RAMDANE A., SALCE B. PHONON SCATTERING BY CR IONS IN GAAS. J.PHYS. C: SOLID ST.PHYS., 1982, Y.15, N 6, P.1419-1432.

74. ABHYANI A.S., AUSTIN S.P., BATES C.A., PARCER L.W., POOLER D.R. DYNAMIC JAHN-TELLER THEORY FOR SUBSTITUTIONAL CR2* IN GAAS. -J.PHYS. C: SOLID ST.PHYS.,1982, Y.15,N 9, P.2217-2231.

75. ИППОЛИТОВА Г.К., ОМЕЛЬЯНОВСКИЙ Э.М., ПЕРВОВА Л.Я. БНУТРИЦЕНТРО-ВЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ В GAAS-.CR ПРИ НАЛИЧИИ РЕЗОНАНСА С КОНТИНУУМОМ. ФТП, 1975 , Т.9, В.7, С.1308-1313.

76. CLERJAUD В., HENNEL A.M., MARTINEZ G. CR2+(3D4) ABSORPTION IN GAAS. SOLID STATE COMMUN., 1980, V.23, P.983-985.

77. WILLIAMS P.J., EAVES L., SIMMONDS P.E., HENRY M.O. LIGHTOWLERS E.C., UIHLEIN С. Н1Ш-RESOLUTION OPTICAL ABSORPTION SPECTROSCOPY ON CR-RELATED DEFECTS IN GAAS AND GAP. J.PHYS. C: SOLID ST.PHYS., 1982, Y.15, N 6, P.1337-1343.

78. DEYEAUD В., PICOLI G., LAMBERT В., MARTINEZ G. LUMINESCENCE PROCESSES AT CROMIUM IN GAAS. PHYS.REY. B, 1984, Y.29, N 10, P.5749-5763.

79. KOSHEL W.H., BISHOR S.G., MCCOMBE B.D. PHOTOLUMINESCENCE FROM DEEP CENTERS IN GAAS. SOLID STATE COMMUN., 19-76, Y.19, N 6,1. P.521-524.

80. PIC0LI G., DEYEAUD В., GALLAND D. INTERPRETATION OF LUMINESCENCE IN GAAS:CR:0,839 EY AND 0,574 EY LINES. J.PHYSIQUE, 1981, Y.42, P.133-145.

81. YOILLOT F., BARRAU J., BROUSSEAU M., BRABANT J.C. THE FINE STRUCTURE AND THE ORIGIN OF THE 0,84 EY NO-PHONON LUMINESCENCE IN GAAS:CR. J.PHYSIQUE - LETTERS, 1980, Y.41, P.L415-L418.

82. SKOLNIK M.S., BROZEL M.R., TUCK B. PHOTOLUMINESCENCE OF CROMIUM DOPED AND CHROMIUM DIFFUSED GAAS. SOLID STATE COMMUN., 1982, Y.43, N 5, P.379-384.

83. UIHLEIN C., EAYES L. HIGH-MAGNETIC-FIELD ZEEMAN SPECTROSCOPY OF THE 0,84 EY CR-RELATED EMISSION AND ABSORPTION LINE IN GAAS-СR: EXPERIMENT AND THEORY. PHYS.REY. B, 1982, Y.26, N 8, P.4473-4484.

84. BAHEM P.A., КИКОИН К.A., ЛЫУК П.А., ПЕРВОВА Л.Я. ТУННЕЛЬНЫЕ СОСТОЯНИЯ В GAAS-.CR. ПИСЬМА В ЖЭТФ, 1984, Т.39, В.9, С.416-419.

85. ALMELEH N., GOLDSTEIN В. ELECTRON PARAMAGNETIC RESONANCE OF MANGANESE IN GALLIUM ARSENIDE. PHYS,REY., 1962, Y.128, N4, P.1568-1570.

86. TITLE R.S. EPR STUDY OF LITHIUM-DIFFUSED, MN-DOPED GAAS. -J.APPL.PHYS., 1969, Y.40, N 12, P.4902-4910.

87. SEGSA K.H., SPENKE S. EPR ON MANGANESE-DOPED GAAS EPITAXIAL LAYERS. PHYS.STAT.SOLIDI (A), 1975, Y.27, N 1, P.129-134.

88. KUHN G., HEIN M., WARTEWIG S. MANGANESE-OXYGEN IMPURITIES IN GAAS. PHYS.STAT.SOLIDI (A), 1977, Y.41, P.K13-K15.

89. LASSMAN K., SCHAD H. ULTRASONIC ATTENUATION DUE TO THE NEUTRAL ACCEPTOR MN IN GAAS. SOLID STATE COMMUN., 1976, Y.18, N 4, P.449-452.

90. DE COMBARIEN A., LASSMAN K. PROC.INT.CONF. ON PHONON SCATTERING IN SOLIDS. NOTTINGHAM, 1976, P.340-342.

91. CHAPMEN R.A., HUTCHINSON V/.G. PHOTOEXITATION AND PHOTOIONISATI-ON OF NEUTRAL MANGANESE ACCEPTORS IN GALLIUM ARSENIDE. PHYS. REY. LETTERS, 1967, Y.18, N 12, P.443-445.

92. LEE T.C., ANDERSON W.W. EDGE EMISSION INYOLYING MANGANESE IMPURITIES IN GAAS AT 4,2K. SOLID STATE СОММДО., 1964, Y.2,1. N 9, P.265-268.

93. LIN M.-S., GAMO K., MASUDA K., NAMBA S. PHOTOLUMINESCENCE AND ELECTRICAL MEASUREMENTS ON MANGANESE ION-IMPLANTED GAAS. -JAP.J.APPL.PHyS., 1976, Y.15, N 1, P.53-56.

94. BILAC S,, ARGUELLO L.P., LEITE R.C. PHOTOLUMINESCENCE OF MN DOPED EPITAXIAL GAAS. SOLID STATE COMMUN., 1978, Y.25, N 10, P.755-758.

95. КАРЛИК И.Я., МЕРКУЛОВ И.А., МИРЛИН Д.Н., НИКИТИН Л.П., ПЕРЕЛЬ В.И., САПЕГА В.Ф. НАМАГНИЧИВАНИЕ ДЫРОК НА АКЦЕПТОРАХ И ПОЛЯРИЗАЦИЯ ГОРЯЧЕЙ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В КРИСТАЛЛАХ GAAS:MN. ФТТ, 1982, Т.24, В.12, С.3550-3557.

96. PAGET D. OPTICAL PUMPING STUDY OF SPIN-DEPENDENT RECOMBINATION IN GAAS. PHYS.REY. B, 1984, Y.30, N 2, P.931-946.

97. АНДРИАНОВ Д.Г., БОЛЫИЕВА Ю.Н., ЛАЗАРЕВА Г.В., САВЕЛЬЕВ А.С., ЯКУБЕНЯ С.М. ОСОБЕННОСТИ ПОВЕДЕНИЯ ПРИМЕСИ МАРГАНЦА В GAAS-MN. ФТП, 1983, Т.17, в.5, С.810-813.

98. BLEEKRODE R., DIELMAN J., YEGTER H.J. ELECTRON-SPIN RESONANCE OF FE IN GAAS. PHILIPS RES.REPTS., 1962, Y.17, P.513-517.

99. DE WITT M., ESTLE T.L. ELECTRON PARAMAGNETIC RESONANCE OF IRON IN GALLIUM ARSENIDE. PHYS.REY., 1963, Y.132, N 1, P.195-201.

100. ГАНАПОЛЬСКИЙ E.M. АКУСТИЧЕСКИЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС FE3+ И FE2+ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ. ФТТ, 1973, Т.15,В.2, С.368-375 .

101. МАСТЕРОВ В.Ф., ПОПОВ Б.П. ЭПР ОБМЕННО-СВЯЗАННЫХ ПАР В КРИСТАЛЛАХ GAAS(FE). ФТП, 1978, Т.12, В.2, С.404-405.

102. АНДРИАНОВ Д.Г., САВЕЛЬЕВ А.С., СУЧКОВА Н.И., РАШЕВСКАЯ Е.П., ФИЛИППОВ М.А. ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЙТРАЛЬНОГО СОСТОЯНИЯ ПРИМЕСИ КОБАЛЬТА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ. ФТП, 1977, Т.11, В.8, С.1460-1464.

103. АНДРИАНОВ Д.Г., СУЧКОВА Н.И., САВЕЛЬЕВ А.С., РАШЕВСКАЯ Е.П., ФИЛИППОВ М.А. МАГНИТНЫЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОНОВ NI3+ И С02+ КОНФИГУРАЦИИ 3D7 В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ. ФТП, 1977, Т.11, В.4, С.730-735.

104. GODLEWSKI М., HENNEL A.M., EPR MEASUREMENTS ON GAAS:CO. -PHyS.STATUS SOLIDI (B), 1978, Y.88, P.K11-K13.

105. KAUFMAN U,, SCHNEIDER J. ESR ASSESSMENT OF 3D7 TRANSITION METAL IMPURITY STATES IN GAP, GAAS, AND INP. SOLID STATE COMMON., 1978, Y.25, N 12, P.1113-1116.

106. ENNEN H., KAUFMAN U., SCHEIDER J. INTRA D-SHELL EXITATION OF COBALT AND NICEL ACCEPTORS IN GALLIUM ARSENIDE. SOLID STATE COMMUN., 1980, Y.34, N 5, P.603-605.

107. СУЧКОВА Н.И., АНДРИАНОВ Д.Г., ОМЕЛЬЯНОВСКИЙ Э.М. , РАШЕВСКАЯ Е.П., СОЛОВЬЕВ Н.Н. СВОЙСТВА АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ. ФТП, 1975 , Т.9, В.4, С.718-721.

108. СУЧКОВА Н.И., АНДРИАНОВ Д.Г., ОМЕЛЬЯНОВСКИЙ Э.М., РАШЕВСКАЯ Е.И., САВЕЛЬЕВ А.С., ФИСТУЛЬ В.И., ФИЛИППОВ М.А. О ПОВЕДЕНИИ ПРИМЕСИ НИКЕЛЯ В СОСТОЯНИИ 3D8 В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ. ФТП, 1977,1. Т.11, В.9, С.1742-1746.

109. ENNEN Н., KAUFMAN U., SCHNEIDER J. DONOR-ACСЕРTOR PAIRS IN GAP AND GAAS INVOLVING THE DEEP NICKEL ACCEPTOR. APPL.PHYS. LETTERS, 1981, Y.38, N 5, P.355-357.

110. DROZDZEWICZ W., HENNEL A.M., WASILEWSKI Z., CLERJAUD В., GENDON F., PORTE C., GERMER R. IDENTIFICATION OF THE DOUBLE ACCEPTOR STATE OF ISOLATED NICKEL IN GALLIUM ARSENIDE. PHYS. REV. B, 1984, V.29, N5, P.2538-2442.

111. БАЖЕНОВ B.K., ПРЕСНОВ B.A., ФЕДОТОВ С.П. ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС В ЛЕГИРОВАННОМ ЖЕЛЕЗОМ АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ. ФТТ, 1968, Т.10 В.2, С.268-270.

112. BASHENOY V.K.ELECTRON PARAMAGNETIC RESONANCE IN A3B5 COMPOUNDS- PHYS.STATUS SOLIDI (A), 1972, Y.10, N 9, P.9-42.

113. МИХРИН С.Б., САМОРУКОВ Б.Е. УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ НАПРАВЛЕННОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ РУК. ДЕП. В ВИНИТИ 1.06.83, N 2943-ДЕП.

114. PARSEy J.M., NANISHI У., LAGOWSKI J., GATOS Н.С. BRIDGMAN-ТУРЕ APPARATUS FOR THE STUDY OF GROWTH-PROPERTy RELATIONSHIP. ARSENIC-VAPOR PRESSURE-GAAS PROPERTY RELATIONSHIP. J.ELECT-ROCHEM.SOC., 1982, Y.129, N 2, P.388-393.

115. YIELAND L.J. BEHAVIOR OF MANGANESE IN GAAS. J.APPL.PHYS., 1962, V.33, N 6, P.2007-2008.

116. WOODBURY D.A., BLAKEMORE J.S. IMPURITY CONDUCTION AND THE ME-TAL-NONMETAL TRANSITION IN MANGANESE-DOPED GALLIUM ARSENIDE.- PHYS.REV. B, 1973, У.8, N 8, P.3803-3810.

117. GOUSKOY L., BILAC S., PIMENTEL J., GOUSKOV A. FABRICATION AND ELECTRICAL PROPERTIES OF EPITAXIAL LAYERS OF GAAS DOPED WITH MANGANESE. SOLID STATE ELECTRON., 1977, Y.20, P.653-656.

118. KORDOS P., JANSAK L., BENE V- PREPARATION AND PROPERTIES OF

119. MN-DOPED EPITAXIAL GALLIUM ARSENIDE. SOLID STATE ELECTRON., 1975, У.18, P.223-226.

120. БЛЕКМОР ДК. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. М.: МИР, 1964. -392С.

121. МАДЕЛУНГ В. ФИЗИКА СОЕДИНЕНИЙ А3В5. М.: МИР, 1967. -477С.

122. ABRAGAM A., PRyCE M.H.L. THEORy OF THE NUCLEAR HyPERFINE STRUCTURE OF PARAMAGNETIC RESONANCE SPECTRA IN CRySTALS. PROC. ROy.SOC. A, 1951, ¥.205, P.135-153.

123. HUDGENS S., KASTNER M., FRITZSCHE D. DIAMAGNETIC SUSCEPTIBILI-ТУ OF TETRAHEDRAL SEMICONDUCTORS. PHyS.REY. LETTERS, 1974, Y.33, N 26, 1555-1557.

124. JAROS M. DEEP LEYELS IN SEMICONDUCTORS. ADY. IN PHySICS, 1980, Y.29, N 3, P.409-525.

125. LAMBIN P., GASPARD J.-P. CONTINUED-FRACTION TECHNIQUE FOR TIGHT-BINDING SySTEMS. A GENERALIZED-MOMENTS METHOD. PHyS.REY. B, 1982, У.26, N 8, P.4356-4368.

126. ГРЕЙ Г. ЭЛЕКТРОНЫ И ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ. М. :МИР, 1967 , -234С.

127. АНДРИАНОВ Д.Г., ГРИГОРЬЕВ Ю.А, КЛИМОНСКИЙ С.Д., САВЕЛЬЕВ А.С., ЯКУБЕНЯ С.М. К ВОПРОСУ О ЗАРЯДОВОМ СОСТОЯНИИ ПРИМЕСИ MPГАНЦА В GAAS(MN). ФТП, 1984, Т.18, В.2, С.262-265.

128. BLEEKRODE R., DIELMAN J., YEGTER H.J. ELECTRON SPIN RESONANCE OF MN IN GAAS. PHySICS LETTERS, 1962,Y.2,N7, P.355-356.133.пул Ч.ТЕХНИКА ЭПР-СПЕКТРОСКОПИИ. -M.: МИР, 1970. -557С.

129. КАЛИННИКОВ В.Т., РАКИТИН Ю.В. ВВЕДЕНИЕ В МАГНЕТОХИМИЮ. МЕТОД

130. СТАТИЧЕСКОЙ МАГНИТНОЙ ВОСПРИИМЧИВОСТИ В ХИМИИ. М.:НАУКА, 1980.-3G3C.

131. JESPER Т., HAMILTON В., PEAKER A.R. OPTICAL AND THERMAL PROPERTIES CR IN GAAS. SEMI-INS. 3-5 MAT.CONF., NOTTINGHAM, 1980, 14, P.362.

132. LANDOLT-BORNSTEIN. ZAHLENWERTE UND FUNCTIONEN AUS NATURWISSEN-SCHAFTEN UND TECHNIK. BAND 17, 1982, SPRINGER, P.226.

133. ВИР Г.Л., ПИКУС Г.Е. СИММЕТРИЯ И ДЕФОРМАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. М.:НАУКА, 1972. -51ЗС.

134. АВЕРКИЕВ Н.С., ГУТКИН А.А., КОЛЧАНОВА Н.М., РИЦИКОВ М.А. ВЛИЯНИЕ ОДНООСНОЙ ДЕФОРМАЦИИ НА СВЯЗАННУЮ С MN ПОЛОСУ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В GAAS. ФТП, 1984, Т.18, В.9, С.1629-1633.

135. OWEN J. PARAMAGNETIC RESONANCE MEASUREMENTS OF EXCHANGE INTERACTIONS. J.APPL.PHyS., SUPPL. TO Y.32, 1961, N 3, P.213S-217S.

136. АЛЬТШУЛЕР C.A., КОЗЫРЕВ B.M. ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС СОЕДИНЕНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ ПРОМЕЖУТОЧНЫХ ГРУПП. М.: НАУКА,1972. -672С.

137. АВРАГАМ А., БЛИНИ Б. ЭЛЕКТРОННЫЙ ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС ПЕРЕХОДНЫХ ИОНОВ, Т.1. М.: МИР, 1972. -651С. Т.2. - М.: МИР,1973. 350С.

138. LIN L. EXCHANGE-POLARISATION EFFECTS IN INSULATORS AND SEMICONDUCTORS. PHyS.REY. B, 1982, Y.26, N 2, P.975-983.

139. ИЛЬИН Н.П., КОРЕНБЛИТ И.Я. СЛУЧАЙНАЯ АНИЗОТРОПИЯ КОСВЕННОГО ОБМЕНА И ХАРАКТЕР УПОРЯДОЧЕНИЯ ПРИМЕСНЫХ СПИНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ЖЭТФ, 1981, Т.81, В.6(12), С.2070-2079.144 .HOCKSTRA F.R., BABERSCHKE К., LOMACK М., MYDOSH J. LOW

140. FREQUENCY ESR IN THE SPIN-GLASS CU:MN. LINE SHAPE AND TEMPERATURE DEPENDENCES. SOLID STATE COMMON.,1982,Y.43,N2,P.109-112.

141. WATSON R.E., FREEMAN A.J. ORIGIN OF EFFECTIVE FIELDS IN MAGNETIC MATERIALS. PHYS.REV., 1961, Y.123, N 6, P.2027-2047.