Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Физические свойства слоев арсенида галлия, получаемых методами ионной имплантации и молекулярно-лучевой эпитаксии.

Обзор литературы)

1.1. Некоторые методы получения монокристаллов и тонких пленок арсенида галлия.

1.1.1. Получение полуизолирующих монокристаллов арсенида галлия методом Чохральского.

1.1.2. Ионная имплантация арсенида галлия.

1.1.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия при низких температурах. 18 1.2 Выводы к главе 1 и постановка задачи.

Глава 2. Методика исследований и обработки спектров оптического поглощения и фотолюминесценции.

2.1. Требования к экспериментальной установке.

2.2. Схема установки для исследования фотолюминесценции.

2.3. Схема установки для исследования оптического поглощения. 30 2.3. Лазеры, монохроматор и фотоприемники. 32 2.5. Обработка спектров люминесценции и поглощения.

Глава 3. Фотолюминесценция слоев арсенида галлия, полученных имплантацией кремния и кремния совместно с фосфором в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложки арсенида галлия.

3.1. Условия роста и описание образцов.

3.2. Фотолюминесценция слоев арсенида галлия, полученных методом ионной имплантации кремния и фосфора в нелегированную подложку.

3.2.1. Основные механизмы излучательной рекомбинации слоев арсенида галлия, полученных ионной имплантацией кремния.

3.2.2. Излучательная рекомбинация слоев арсенида галлия, полученных совместной ионной имплантацией кремния и фосфора.

3.3. Фотолюминесценция слоев арсенида галлия, полученных методом ионной имплантации кремния и фосфора в подложку легированную индием.

3.3.1. Влияние легирования индием на ширину запрещенной зоны арсенида галлия.

3.3.2. Фотолюминесценция слоев арсенида галлия, полученных одиночной ионной имплантацией кремния и совместной имплантацией кремния и 50 фосфора.

3.4. Обсуждение результатов.

3.5. Выводы к главе 3.

Глава 4. Исследование фотолюминесценции и оптического поглощения арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре (LT-GaAs) и легированного электрически активными и изовалентными примесями.

4.1. Условия роста и описание образцов.

4.2. Исследования низкотемпературной фотолюминесценции.

4.2.1. Особенности излучательной рекомбинации нелегированных слоев LT-GaAs.

4.2.2. Низкотемпературная фотолюминесценция слоев LT-GaAs, легированных индием, кремнием и бериллием.

4.3. Исследования оптического поглощения. 67 4.3.1. Расчет концентрации антиструктурных дефектов AsGa из спектров оптического пропускания на примере нелегированных эпитаксиальных слоев LT-GaAs.

С каждым годом полупроводниковые соединения А3В5 привлекают все большее внимание исследователей благодаря своим уникальным физическим свойствам. Безусловно, самым изученным и наиболее широко используемым материалом в этой группе является арсенид галлия, на основе которого уже давно создаются как дискретные полупроводниковые приборы, так и многокомпонентные интегральные микросхемы. Несмотря на очевидные успехи физики твердого тела и материаловедения в области изучения и производства арсенида галлия, растущие запросы современной электроники требуют дальнейшего исследования как свойств самого материала, так и технологии его получения.

Одной из актуальных проблем современной полупроводниковой электроники является получение слоев арсенида галлия с повышенной концентрацией носителей заряда обоих типов, необходимых, например, при изготовлении полевых транзисторов и интегральных микросхем различного назначения. Наиболее часто такие слои получают методом ионной имплантации [1, 2]. По ряду причин проблема получения слоев с максимально возможной концентрацией электронов не может быть решена простым увеличением дозы имплантируемой примеси. Так, повышение дозы имплантации сопровождается увеличением количества вводимых радиационных дефектов, для отжига которых требуется более жесткая термообработка, нежелательная, в частности, из-за ухудшения профиля распределения легирующей примеси и усложняющая технологию качественного изготовления слоев [3]. В случае приборов, создаваемых на подложках арсенида галлия (и других соединений А3В5), следует также учитывать возможность вхождения имплантированных атомов в различные подрешетки полупроводника [4]. Эта проблема тем более актуальна, что наиболее распространенной примесью, применяющейся для формирования слоев n-типа проводимости в арсенида галлия методом ионной имплантации, является элемент IV группы кремний, имеющий низкий коэффициент диффузии в арсениде галлия и сравнительно малый атомный вес [5]. При повышенных дозах имплантации кремний встраивается не только в подрешетку галлия (донор SiGa), но и в подрешетку мышьяка (акцептор Sias), тем самым снижая степень активации доноров за счет самокомпенсации [4]. Кроме того, большие дозы кремния приводят к формированию глубоких дефектов в анионной подрешетке, в которых кремний связан с собственными дефектами решетки [6]. Один из подходов к решению этой проблемы, заключается в совместной имплантации электрически активной и изовалентной примеси в подложку арсенида галлия [7, 8], приводящей к перераспределению примесей по подрешеткам за счет изменения стехиометрии кристалла. Способ дальнейшего улучшения характеристик ионно-имплантированных слоев, получаемых методом совместной имплантации различных видов ионов в арсенид галлия, изложен в первой части диссертационной работы (глава III, "Фотолюминесценция слоев арсенида галлия, полученных имплантацией кремния и кремния совместно с фосфором в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложки арсенида галлия").

Другой проблемой материаловедения, требующей своего решения, является создание интегральных микросхем большой степени интеграции на основе арсенида галлия. Здесь, в связи с уменьшением размера каждого дискретного элемента, как и расстояния между ними, все большую роль начинает играть нежелательное взаимодействие этих элементов друг с другом. В качестве изолирующего материала, разделяющего активные области микросхемы, используется арсенид галлия, обладающий повышенным удельным сопротивлением - полуизолирующий арсенид галлия. Однако, полуизолирующие слои арсенида галлия, выращиваемые традиционными способами, а именно, использующие различные примеси (железо, хром) для закрепления уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны, часто подвержены воздействию ряда нежелательных факторов, таких как диффузия примесей из полуизолирующего слоя в активные области кристалла, нестабильность материала при высокотемпературном отжиге, необходимом при производстве полупроводниковых приборов, и т. д. [5]. В настоящее время наиболее перспективным методом получения полуизолирующих слоев арсенида галлия является рост беспримесных кристаллов, в которых компенсация фоновых мелких акцепторов осуществляется собственными дефектами полупроводника -антиструктурными дефектами типа атом мышьяка в подрешетке галлия [9]. В связи с этим, в последние годы внимание исследователей ведущих научных центров мира было привлечено появлением новой методики получения полуизолирующих беспримесных слоев арсенида галлия, основанной на выращивании этого материала методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких (до 250° С) температурах и их последующем отжиге [10]. При таком методе получения в слой арсенида галлия захватывается большое количество избыточного мышьяка (до 1 - 2 ат. %), образующего после отжига кластеры размером от единиц до десятков нанометров, способствующие закреплению уровня Ферми в середине запрещенной зоны [11, 12]. Большое удельное сопротивление и высокое структурное совершенство арсенида галлия, полученного данным методом, как и отсутствие необходимости легирования материала другими элементами делают чрезвычайно привлекательным его использование в качестве буферных слоев в полевых транзисторах и интегральных микросхемах, разрабатываемых на основе арсенида галлия.

Другой важной особенностью слоев арсенида галлия, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре, является крайне малое время жизни носителей заряда, составляющее сотни фемтосекунд [10]. Это свойство в сочетании с большим удельным сопротивлением и высокой подвижностью носителей заряда в материале позволяет использовать его для создания ряда оптоэлектронных полупроводниковых приборов, например, фото детекторов, модуляторов, способных работать в диапазоне частот порядка сотен гигагерц и выше. Во второй части диссертационной работы (глава IV, "Исследование фотолюминесценции и оптического поглощения арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре и легированного электрически активными и изовалентными примесями") обсуждается влияние легирования различными примесями слоев арсенида галлия, полученного этим методом, на параметры полученного материала.

Арсенид галлия, выращиваемый методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре является не только материалом, привлекательным с точки зрения создания новых полупроводниковых приборов, но и материалом, позволяющим глубже понять физические процессы, происходящие при эпитаксии и последующем отжиге арсенида галлия. В третьей части диссертации (глава Y, "Влияние легирования индием на формирование комплексов кремний - вакансия галлия в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре") с помощью измерений низкотемпературной фотолюминесценции образцов арсенида галлия, отожженных при различных температурах, исследован процесс формирования комплексов кремний - вакансия галлия в этом материале и влияние легирования изовалентной примесью индием на энергию активации образования комплексов Sioa - Vc;a.

Целью настоящей работы являлось исследование точечных дефектов, образующихся в слоях арсенида галлия, полученных ионной имплантацией и молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой (менее 250° С) температуре и легированных электрически активными и изовалентными примесями, методами низкотемпературной (4.2 К) фотолюминесценции и оптического поглощения в ближней инфракрасной области спектра.

Научная новизна полученных в работе результатов состоит в следующем:

1. Проведено систематическое исследование роли легирования полуизолирующих подложек арсенида галлия индием на природу и концентрацию точечных дефектов, образующихся при имплантации в подложки ионов кремния и кремния совместно с фосфором.

2. Обнаружено, что изовалентное легирование индием арсенида галлия в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (150 - 250° С) температуре приводит к увеличению концентрации избыточного мышьяка, захватываемого в растущий слой.

3. Показана возможность определения энергии активации формирования комплексов кремний - вакансия галлия в легированных кремнием слоях арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре, на основе анализа эволюции спектров низкотемпературной (4.2 К) фотолюминесценции при изменении температуры отжига слоев.

4. Обнаружено, что легирование индием приводит к увеличению энергии активации формирования комплексов кремний - вакансия галлия в легированных кремнием слоях арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре.

Результаты проведенных исследований позволили сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

1. Совместная имплантация кремния и фосфора в полуизолирующие подложки арсенида галлия приводит по сравнению с одиночной имплантацией ионов кремния к уменьшению концентрации глубоких дефектов, создаваемых в подрешетке мышьяка, и к увеличению концентрации глубоких дефектов в подрешетке галлия. Имплантация ионов кремния и кремния совместно с фосфором в подложки, легированные индием, приводит к уменьшению концентрации глубоких дефектов по сравнению с имплантацией в нелегированные подложки.

2. Изовалентное легирование индием приводит к увеличению концентрации избыточного мышьяка, а легирование донорами кремния или акцепторами бериллия уменьшает количество мышьяка, захватываемого в арсенид галлия, выращиваемый методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре.

3. Формирование комплексов кремний - вакансия галлия в слоях арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре и легированных кремнием, происходит при отжиге материала, а не в процессе роста. Энергия активации образования комплексов кремний - вакансия галлия составляет 1.9 ± 0.3 эВ, что соответствует энергии активации диффузии вакансий галлия. Совместное легирование кремнием и индием приводит к увеличению энергии активации образования комплексов кремний - вакансия галлия до 2.5 ±0.3 эВ.

Практическая значимость результатов работы заключается в том, что: 1. На основе анализа результатов оптических исследований разработаны практические рекомендации по уменьшению концентрации точечных дефектов в сильнолегированных слоях арсенида галлия n-тита проводимости, полученных методом ионной имплантации.

2. Разработана методика определения содержания избыточного мышьяка в слоях арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (150 - 250° С) температуре, основанная на измерении спектра оптического поглощения материала в ближней инфракрасной области длин волн при комнатной температуре.

3. Показано, что изовалентное легирование индием слоев арсенида галлия, выращиваемых низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией, позволяет получать слои с заданным содержанием избыточного мышьяка при более высокой температуре роста по сравнению с нелегированными слоями, что приводит к улучшению кристаллического качества выращиваемых пленок.

4. Исследования зависимости интенсивности линий низкотемпературной (4.2 К) фотолюминесценции от температуры отжига легированных кремнием слоев арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре, позволяет определить энергию активации диффузии вакансий галлия и влияние на ее величину легирования слоев индием.

5. Разработано программное обеспечение, необходимое для эффективной обработки результатов экспериментов. Автоматизированы основные процедуры анализа спектров оптического поглощения и фотолюминесценции.

Диссертация состоит из введения, 5 глав, заключения, приложения и списка цитируемой литературы. Общий объем работы составляет 117 страниц, включая 29 рисунков и 5 таблиц. Список цитируемой литературы включает 88 наименований.

Основные результаты работы опубликованы в следующих статьях:

1. V. V. Chaldyshev, N. N. Dymova, А. Е. Runitsyn, А. V. Markov. "Formation of n+-layers in undoped and indium doped GaAs wafers by Si and Si+P ion implantation", Phys. Stat. Sol. (a), 1997, v. 163, p. 81 - 86.

2. H. H. Дымова, A. E. Куницын, А. В. Марков, В. В. Чалдышев. "Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием подложки GaAs", ФТП, 1997, т. 31, вып. 12, с. 1409- 1413.

3. Н. А. Берт, А. И. Вейнгер, М. Д. Вилисова, С. И. Голощапов, И. В. Ивонин, С.В.Козырев, А. Е. Куницын, Л.Г.Лаврентьева, Д. И. Лубышев, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, В. В. Третьяков, В. В. Чалдышев, М. П. Лкубеня. "Арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре: кристаллическая структура, свойства, сверхпроводимость", ФТТ, 1993, т. 35, в. 10, с. 2609 -2625.

4. N. A. Bert, V. V. Chaldyshev, А. Е. Kunitsyn, Yu. G. Musikhin, N. N. Faleev, V. V. Tretyakov, V. Y. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, B. R. Semyagin. "Enhanced arsenic excess in low-temperature grown GaAs due to indium delta-doping", Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, N 23, p. 3146 - 3148.

5. В. В. Чалдышев, A E. Куницын, В В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Третьяков, Н. Н. Фалеев. "Влияние изовалентного легирования индием на избыток мышьяка в арсениде галлия,

103 выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре", ФТП, 1998, т. 32, вып. 7., с. 778 - 781,

6. В. В. Чалдышев, АЕ. Куницын, С.П.Вуль, В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин. "Влияние легирования индием на формирование комплексов кремний - вакансия галлия в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре", ФТП, 1999, т. 33, вып. 10, с. 1187- 1191.

В заключение выражаю глубокую благодарность своему научному руководителю В. Г. Голубеву за постоянное внимание и поддержку и В. В. Чалдышеву, под непосредственным руководством которого выполнялись все проведенные исследования. Кроме того, хочу поблагодарить сотрудников ФТИ им.

A. Ф. Иоффе РАН, Н. А. Берта, А. И. Вейнгера, С. П. Вуль, Ю. Г. Мусихина,

B. В. Третьякова, Н. Н. Фалеева за проведение электронно-микроскопических и рентгеновских исследований и подготовку образцов, сотрудников ИФП СО РАН Д. И. Лубышева, В. В. Преображенского, М. А. Путято, Б. Р. Семягина, осуществлявших рост и отжиг образцов арсенида галлия, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре, А. В. Маркова (Гиредмет) и Н. Н. Дымову (ФИАН) за предоставление образцов арсенида галлия, имплантированного кремнием и фосфором и проведение электрических измерений. Также выражаю благодарность всему коллективу лаборатории физики аморфных полупроводников ФТИ им. А. Ф. Иоффе за помощь и поддержку, оказанную на разных этапах проведения работы.

Заключение

Таким образом, проведенные в соответствии с поставленными в настоящей работе задачами исследования низкотемпературной фотолюминесценции и оптического поглощения в ближнем инфракрасном диапазоне слоев арсенида галлия, полученных одиночной имплантацией кремния и совместной имплантацией кремния и фосфора в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложки арсенида галлия, а также нелегированных и легированных индием, кремнием и бериллием слоев арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (150- 250 °С) температуре, позволили сформулировать следующие основные выводы:

1. Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложки арсенида галлия увеличивает степень активации доноров при больших дозах имплантации по сравнению с имплантацией только ионов кремния.

2. Совместная имплантация ионов кремния и фосфора в арсенид галлия по сравнению с имплантацией только ионов кремния уменьшает количество глубоких дефектов в подрешетке мышьяка, но приводит к формированию глубоких дефектов в подрешетке галлия.

3. Использование подложек арсенида галлия, легированных индием, не оказывает влияния на концентрацию электронов, но способствует подавлению радиационных дефектов, создающихся в процессе ионной имплантации.

4. Малая величина интегральной интенсивности фотолюминесценции слоев арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре, свидетельствует о весьма малом времени жизни носителей заряда в этом материале.

5. Легирование слоев арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре, кремнием и бериллием приводит к формированию в материале донорных и акцепторных состояний, соответственно, т.е. данные примеси действительно захватываются в эпитаксиальный слой в процессе роста и проявляют себя также как и в арсениде галлия, получаемом другими способами.

6. Исследования оптического поглощения слоев арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре, могут быть использованы для определения концентрации избыточного мышьяка, входящего в слой в виде антиструктурных дефектов мышьяк на месте галлия. Отжиг материала приводит к снижению концентрации дефектов AsGa, трансформирующихся в кластеры мышьяка.

7. Легирование слоев арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре, кремнием и бериллием приводит к снижению концентрации избыточного мышьяка в выращенном слое. Легирование изовалентной примесью индия, напротив, увеличивает концентрацию захватываемого в эпитаксиальный слой мышьяка по сравнению с нелегированным материалом.

8. В неотожженных образцах арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре и легированных кремнием, а также кремнием и индием, концентрация комплексов кремний - вакансия галлия весьма мала (не более 1015 см"3 - 1016 см'3), и, несмотря на высокую концентрацию кремния и вакансий галлия, эти дефекты практически не взаимодействуют друг с другом в процессе эпитаксии. Формирование комплексов кремний - вакансия галлия происходит только при отжиге материала.

9. Энергия активации образования комплексов кремний - вакансия галлия в слоях арсенида галлия, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре и легированных кремнием, составляет 1.9 + 0.3 эВ, что согласуется с величиной энергии активации диффузии вакансий галлия в арсениде галлия. Совместное легирование LT GaAs кремнием и индием приводит к увеличению энергии активации образования комплексов SiGa-VGa до 2.5 ±0.3 эВ. Возможной причиной этого является взаимодействие вакансий галлия, определяющих скорость диффузии примесей замещения, с индием за счет упругих локальных деформаций кристаллической решетки арсенида галлия, вызываемых этими дефектами.

1. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники. - М., Советское радио, 1980, 384 с.

2. Электроника. /Гл. ред. Колесников В. Г. М., Сов. энциклопедия, 1991, 688 с.

3. Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. М., Мир, 1983, 256 с.

4. Булярский С. В., Фистуль В. И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М., Наука, Физматлит, 1997, 352 с.

5. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986, 144 с.

6. Yu P. W., Reynolds D. С. Photoluminescence identification of- 77-meV deep acceptor in GaAs. J. Appl. Phys, 1982, v.53, p. 1263

7. Hyuga F., Yamazaki H, Watanabe K., Osaka J. Activation efficiency improvement in Si-implanted GaAs by P co-implantation. J. Appl. Phys., 1987, v.50, p. 1592

8. Абрамов B.C., Акимченко И.П., Дравин В.А., Дымова Н.Н., Краснопевцев В.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей. ФТП, т.25, в.8, с.1355-1360

9. Lagowski J., Bugajski М., Matsui М., Gatos Н.С. Optical characterization of semi-insulating GaAs: Determination of the Fermi energy, the concentration of the midgap EL2 level and its occupancy. Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, N7, p.511-513

10. Smith F., Calawa A., Chen C.-L., Manfra M., Mahoney L. New MBE buffer used to eliminate backgating in GaAs MESFETs. Electron. Device Lett., 1988, v.9, p.77

11. Liu X., Prasad A., Nishio J., Weber E.R., Liliental-Weber Z., Walukiewicz W. Native point defects in low-temperature-grown GaAs. Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, N2, p.279-281

12. Смит Р. Полупроводники. -М., Мир, 1982, 560 с.

13. Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Наука, 1979, 686 с.

14. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984, 256 с.

15. Фундаментальные проблемы российской металлургии на пороге XXI века, т.4 У Под ред. М.Г. Мильвидского, В.Б. Уфимцева М., 1998, 265 с.

16. Соловьева Е.В., Мильвидский М.Г. Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании. ФТП, 1983, т. 17, в. 11, с.2022-2025

17. Laurenti J.P., Roentgen P., Wolter К., Seibert К., Kurz H., Camassel J. Indium-doped GaAs: Avery dilute alloy system. Phys. Rev. B, 1988, v.37, N8, p.4155-4163

18. Yonenaga I., Sumino K. Impurity effects on the mechanical behaviour of GaAs crystals. J. Appl. Phys., 1992, v.71, N9, p.4249-4257

19. Соловьева E.B., РытоваН.С., Мильвидский М.Г., ГанинаН.В. Электрические свойства арсенида галлия, легированного изовалентными примесями (GaAs:Sb, GaAs.In). ФТП, 1981, т. 15, в.11, с.2141-2146

20. Huber А. М., Morillot G., Linh N.T., Favennec P. N., Deveaud В., Toulouse B. Chromium profiles in semi-insulating GaAs after annealing with a SisN4 encapsulant. Appl. Phys. Lett., 1979, v. 34, N12, p. 858-860

21. Ky N.H., Reinhart F.K. Amphoteric native defect reactions in Si-doped GaAs. J. Appl. Phys., 1998, v.83, N2, p.718-724

22. Bindal A., Wang K.L., Chang S.J., Kallel M.A., Stafsudd O.M. On the nature of the silicon activation efficiency in liquid-encapsulated Czochralski-grown GaAs by photoluminiscence. -J. Appl. Phys, 1989, v.65, N3, p. 1246-1252

23. Van de Ven J, Hartmann W.J.A.M., Giling L.J. Photoluminescence studies of defects and impurities in annealed GaAs. J. Appl. Phys., 1986, v.60, N10, p.3735-3745

24. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. / Под ред. JI. Ченга, К. Плога М: Мир, 1989, 584 с.

25. Landman J.I, Morgan C.G., Schick J.T. Antisite-Related Defects in GaAs Grown at Low Temperatures. Phys. Rev. Lett, 1995, v.74, N20, p.4007-4010

26. Warren A.C, Woodall J.M., KirchnerP.D, Yin.X, PollakF, MellochM.R, OtsukaN, Mahalingam K. Role of excess As in low-temperature-grown GaAs. Phys. Rev. B, 1991, v.46, N8, 4617-4620

27. Meyer B.K, Hofmann D.M, Spaeth J.-M. Energy levels and photo-quenching properties of the arsenic anti-site in GaAs. J. Phys. C: Solid State Phys, 1987, v.20, 2445-2451

28. Rouviere J.-L, Kim Y, Cunningham J, Rentschler J.A, Bourret A, Ourmazd A. Measuring Properties of Point Defects by Electron Microscopy: The Ga Vacancy in GaAs. -Phys. Rev. Lett, 1992, v. 68, N18, 2798-280131