Электронно-дифракционный анализ структуры ближнего порядка в ионно-имплантированных слоях кремния и бора тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ НИИ ПРИКЛАДНЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОБЛЕМ ИМЕНИ А. Н. СЕВЧЕНКО

"Для служебного пользования" Экз. N

На правах рукописи

ТИ111КОВ Владимир Станиславович

ЭЛЕКТРОЩО-ДИФРАКЦИОННЫЙ АНАЛИЗ СТРУКТУРЫ БЛИЖНЕГО ПОРЯДКА В ИОННО- ИМПЛАНТ ИРОВАННЫХ СЛОЯХ КРЕМНИЯ И ВОРА

01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

МЩЖ- - 1993.

.Рабату .аьюалнена-. в. лаборатории элионики НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского ордена трудового-красного знамени государственного университету.

Научные руководители: доктор физико-математических наук, , Ä профессор Комаров Ф.Ф.,

Ксшдидат физико-математических наук старший научный сотрудник Соловьев R

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Анищик В. М., кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Мудрый А. Е

Ведущая организация: Институт электроники AHB,(г.Минск).

<

Защита состоится ъ'Ц. часов "¿V" мах 1993 года заседании специализированного Совета. Д 056.03.05 в Велорусск государственном университете (220080, г. Минск, проспе Ф. Скорины 4, главный корпус, ауд. 206).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Белорусеко государственного университета.

Автореферат разослан

1993 г.

Ученый секретарь специализированного Совета, кандидат физико-математических наук, доцент

В. Ф. Стельмах

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Широкое применение ионно-лучевых методов ификации поверхности материалов в современных технологиях полуп-одниковой микроэлектроники и машиностроения объясняет устойчи-интерес к исследованию физических процессов, протекающих в сло-подвергавдихся радиационным воздействии. -Поскольку качество создаваемых слоев и покрытий определяется, вде всего, их структурно-фазовым состоянием, знание его в значимой мере облегчает организацию производства отдельных приборных •уктур и интегральных схем с заданными параметрами, а также фор-гавание конструкционных покрытий, обладающих необходимыми физико-шческиш характеристиками. Особый интерес представляет информа-I, касавшаяся процессов синтеза защитных слоев из нитрида кремния кремнии, являющемся Сззовыы материалом современной полупроводни-юй микроэлектроники, и согдания износостойких покрытий из нитри-бора, обладающих уникальными механическими свойствами.

Одним из наиболее информативных методов контроля структурно-ювого состояния поверхности является метод электронной дифрак-I. Его уникальные возможности проявляются, в частности, при ана-ю атомной структуры ближнего порядка (СБП) аморфных и ультрадис-5сных поликристаллических веществ и связаны с использованием эье-преобразования функции углового распределения интенсивности ■ФИ) когерентно рассеянных (КР) электронов, позволяющего рассчи-рь структурный фактор и функцию радиального распределения атомной зтности (ФРРАГО. Однако,теория метода Фурье-анализа требует дальней разработки в плане повышения его точности и универсальности.

Трудности применения электроннооптических и дифракционных 1 ме-цов исследования для изучения структурно-фазового состава припо-рхностных слоев материалов связаны также с необходимостью специ-ьной подготовки образцов (препарирования) для их исследования в жиме "на прохождение", поскольку допустимая толщина образца как авило не превышает 20-30 нм, а препарирование образцов некоторых пов материалов, например, различного рода нитридов и карбидов, лировкой или посредством классических методов химического или ектрохимического травления затруднено, а зачастую и невозможно ледствие присущих им диэлектрических свойств, хрупкости и, (или) сокой химической инертности.

Целью диссертационной работы являлось изучение посредетв электронной дифракции процессов ионно-лучевого синтеза сдоев нитр да кремния, нашедших широкое применение в микроэлектронике в каче тве диэлектрических и маскирующих покрытий, и слоев нитрида бор применяемых в машиностроении для создания износостойких покрыт высокой твердости.

Задачи диссертационной работы. На основании изучения литерат ры по теме диссертационной работы представлялось целесообразным: базе высоковольтного электронографа и персонального компьютера сс дать полуавтоматический комплекс по изучению структурно-фазовс состояния тонких кристаллических и аморфных слоев с резкими град ентами структурно-фазового состава по глубине, в том числе - пол ченных методом ионной имплантации; с его помощью провести исслед вания процессов фазообразования в системах на основе кремния и бо под действием ионной имплантации и высокотемпературного отжига. Г этом основное внимание уделялось решению следующих задач:

- разработке комплекса устройств, позволяющих подготавливать исследованию образцы свехтвердых и химически инертных материалов;

- выяснению вопросов, связанных с ролью многократного рассе ния, нормировкой ФУРИ КР электронов и определением ее значен вблизи нулевого угла рассеяния;

- написанию пакета прикладных программ по обработке данн дифракционных экспериментов и постановке их на персональном комл клере типа ЕС-1841;

- изучению структуры ближнего порядка аморфных пленок кремн и бора, полученных различными методами;

- изучению кинетики структурно-фазовых превращений в ело кремния, подвергнутых облучению ионами азота, при последующей те мообработке;

- изучению структуры ближнего порядка нитрида бора, синтезир ванного имплантацией стехиометрических доз ионов азота в тонк аморфные пленки и в кристаллы бора.

Научная новизна работы заключается в еледуюедйм:

В результате выполнения настоящей работы созданы устройст для препарирования образцов посредством струйного химического электрблитического травления и локального ионно-лучевого распылен а также для нанесения пленок осаждением в вакууме при ионно-лучев

4

распылении составных мишеней.

В результате дальнейшего развитияия теории Фурье-анализа ФУРИ КР электронов применительно к аморфным веществам предложены способы:

- коррекции формы интерференционной функции, учитывающей угловое перераспределение интенсивности за счет многократного когерентного рассеяния электронов;

- определения поправочного коэффициента к нормирующему множителю;

- экстраполяции интерференционной функции вблизи нулевого угла рассеяния;

- пересчета интерференционной функции для случая, когда съемка дифрактограммы ведется в режиме "сходящегося пучка".

На базе имевшихся на момент написания диссертации литературных и авторских разработок теории Фурье-анализа дифракционных данных создан пакет прикладны-г программ для моделирования атомных структур и обработки экспериментальна данных электронно-дифракционных исследований, включающий в себя:

- "PARAM" - программу расчета параметров СБП для объема заданной конфигурации вещества с известным типом структуры;

- "TERFR" - программу расчета теоретической функции радиального распределения атомной плотности методом "размывания решетки" по известным параметрам СБП;

- "PLAN" - программу расчета межплоскостных расстояний в кристаллических веществах с известными параметрами элементарной ячейки, учитывающую правила погасания рефлексов для данного структурного типа;

- "AM0RF" - программу обработки экспериментальных дифракционных данных для расчета параметров структуры ближнего порядка исследуемого вещества с сервисными программами "AMIGO" и "AMFON" для подготовки файла исходных данных и. для уточнения линии фона, соот-ветствено;

- "AMTER" - программу расчета теоретической интерференционной функции по известным параметрам структуры ближнего порядка;

- "AMRDF" - программу расчета параметров структуры ближнего порядка по известной интерференционной функции.

Определены параметры структуры ближнего порядка в углеродных

5

пленках, осажденных из ионного пучка, полученного разложением паров стирола в ионном источнике "Радикал".

Проведено комплексное исследование структурных изменений в тонких слоях кремния различного происхождения при их облучении ионами азота и термической обработке.

Установлено влияние структуры мишеней на структуру пленок бора, полученных при электронно-лучевом испарении мишеней двух типов: из поликристаллического и аморфного бора.

Исследована структура пленок бора и поверхностного слоя кристаллов бора (природного и синтетического) после облучения стехио-метрическими дозами ионов азота в полиэнергетическом режиме.

Практическая ценность. Предложенные способы нормировки и коррекции экспериментальных интерференционных функций позволяют повысить точность расчета параметров структуры ближнего порядка исследуемых аморфных материалов и снизить затраты машинного времени на обработку экспериментальных результатов.

Созданный на основе авторских разработок пакет прикладных программ может найти применение в исследовательских центрах при автоматизации дифракционных экспериментов.

Показана возможность использования вакуумноосааденных облученных пленок кремния в качестве геттерирующих и защитных слоев, технология создания которых защищена авторскими свидетельствами на изобретения.

Результаты исследования структуры ионно-осазденных пленок углерода и имплантированного азотом бора могут быть использованы при отработке техпроцессов по созданию теплопроводящих, химически- и износостойких слоев.

Результаты исследования структуры имплантированных пленок кремния были использованы при оптимизации существующих и разработке новых технологических процессов твердотельной электроники. По ним получено несколько авторских свидетельств на изобретения.

Развитие методов препарирования образцов позволило создать ряд новых устройств облегчающих подготовку образцов к исследованию злектроннооптическими методами. Их конструкции и способы действия защищены рядом авторских свидетельств на изобретения.

Исследования проводились в рамках плановых госбюджетных НИР, выполняем лабораторией элионики НИИ прикладных физических проблем

6

им. А. Е Севченко по темам Минвуза БССР и Минобразования РВ, отдельные разделы работы вошли в отчеты по НИР.

На защиту выносятся:

1. Обнаруженные особенности изменений структуры "ближнего порядка и характера кристаллических включений в ионно-имплантированных слоях кремния и бора.

2. Разработанные методики обработки данных дифракционного эксперимента и моделирования структуры ближнего порядка материалов.

3. Разработанные конструкции устройств: струйного химического и электро-химического травления, одно- и двустороннего ионно-лучевого распыления и для нанесения пленок конденсацией в вакууме при ионно-лучевом распылении составной мишени, предназначенных для подготовки образцов к исследованию методами электронографии и электронной микроскопии.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и представлялись на научно-техническом семинаре "Поверхностный слой, точность и эксплуатационные свойства деталей машин и приборов" (Москва, 1990 г.); на III республиканской научно-технической конференции "Применение электронной микроскопии в науке и технике" (Минск, 1991г.); на XVI Всесоюзном совещании по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1986 г.); на научно-технической конференции "Радиационная физика твердого тела" (Минск, 1989); на Международной конференции по ионной имплантации в полупроводники (Рейнхарбсбрун, 1977г.); на международной конференции "Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах" (Вильнюс, 1983г.).

Публикации. По результатам работы опубликовано 17 статей, 7 тезисов докладов, получено 7 авторских свидетельств на изобретения.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы (124 наименования), приложения 1, содержащего тексты вычислительных программ, и приложения 2, содержащего акты внедрения изобретений. Она содержит 160 страниц машинописного текста, в том числе 49 рисунков и 12 таблиц.

7

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы исследования, сформулирована цель работы, охарактеризована научная новизна и практическая значимость полученных результатов, изложены основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава содержит краткий литературный обзор современного состояния вопросов и проблем, исследуемых в диссертации. В первой части обзора рассматриваются вопросы приборного обеспечения дифракционного эксперимента. Вторая его часть посвещена описанию современного состояния теории метода Фурье-анализа ФУРИ КР электронов и некоторым результатам, полученным с его помощью другими авторами, имеющим непосредственное отношение к тематике настоящей диссертационной работы. В конце обзора сформулированы основные задачи диссертационной работы.

Вторая глава содержит обоснование методов исследования; описание оригинальных методик "препарирования образцов: приготовления образцов методом химического травления с помощью пульсирующей ламинарной струи, утонения образцов методом ионно-лучевого травления и осаждения пленок при ионно-лучевом распылении составных мишеней; описание оригинальной части метода <£урье-анализа функций углового распределения интенсивности когерентно рассеянных электронов, включающее: способ коррекции формы интерференционной функции на угловое перераспределение интенсивности за счет многократного когерентного рассеяния электронов, способ определения-поправочного коэффициента к нормирующему множителю, способ экстраполяции интерференционной функции вблизи нулевого угла рассеяния и способ коррекции формы интерференционной функции, полученной в режиме "сходящегося пучка"; описание оригинального програмного обеспечения дифракционного эксперимента и пример его использования при исследовании структуры ближнего порядка тонких пленок из алмазоподобного углерода, полученных по стандартной методике осаждения из углеродосодержаазй плазмы.

Третья глава посвещена исследованию процессов структурно-фазовых превращений в кремнии при имплантации ионов азота и постимплан-тационном вакуумном отжиге.

Четвертая глава посвещена исследованию процессов структурно-

8

)эовых превращений в боре при имплантации етехиометрических доз )нов азота.

Каждая из оригинальных глав заканчивается выводами.

В приложении 1 приведены тексты программ расчета наборов межп->скостных расстояний для кристаллических веществ, расчета парамет-)В струкуры ближнего порядка по данным дифракционного эксперимента расчета теоретических интерференционных функций и функций ради-иьного распределения атомной плотности, написынные на языке 3RTRAN.

В приложении 2 приведены копии актов внедрения (использования) зобретений, разработанных при выполнении данной диссертационной

1бОТЫ.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

В процессе проведенных исследований было выявлено, что струк-даше изменения в аморфных и монокристаллических слоях- кремния, в ж числе и имплантированных ионами азота, при вакуумном отжиге дают следующие характерные особенности:

- в a-Sí пленках, полученных конденсацией в вакууме <10* Па со адростью 1.5-2 нм/с при термическом испарении из вольфрамовых ло-эчек, содержание примесей было ниже 1 атомного процента, а их СБП ^ответствовала тетраэдрическому. расположению атомов Si, аналогично эму, как они располагаются в монокристалле;

- a-Si* пленки, полученные конденсацией в вакууме <vlO~zIJa э скоростью 0.02 нм/с при распылении кремниевой мишени пучком ио-эв аргона, содержат до 20 атомных процентов кислорода и 11 - угле-эда, а их СБП соответствует двумерным гофрированным сеткам из ато-эв Si в (111) плоскостях монокристалла;

- изотермический отжиг в вакууме ~10 Па исходных образцов риводит к образованию слоев, состоящих из смеси 4Н и 6Н политипов 1С, при 900*0 для a-Si* пленок, и из 6Н SiC при 1000°С - для a-Si яенок и монокристаллов;

- появление поликристалличесиого SiC при отжиге ионнолегирова-ных a-Si* пленок наблюдается при температурах 600° С и выше;

- преимущественный рост Фазы происходит в интервале доз 0.5-5)xio' см2, при этом ниже граничного интервала доз имплан-ационные слои имеют СБП близкую к СБП кристаллического кремния,

9

выше - СБП кристаллического нитрида кремния, а внутри интерва. представляют собой гетерогенную смесь областей со СБП обоих типов;

- температура кристаллизации имплантационных слоев при терм! ческом отжиге возрастает с ростом дозы;

- кристаллические зародыши фазы e^-Si^, формирующиеся на н; чальных этапах отжига слоев кремния, имплантированных отехиометр1 ческими дозами ионов asoTa, имеют вид сферолитов и линейных дендр] тов;

- слои кремния,имплантированные ионами азота дозой 6x10 см* и освобожденные от кристаллической подложки, не кристаллизуются п] отжиге до 1200*0 включительно.

Найденные закономерности позволили предположить,что при ион» лучевом синтезе нитрида кремния процессы фазообразования развиваю» с» преимущественно по гетерогенному механизму. В условиях доминир* вания каскадного механизма дефектообраэования на ранних этапах пр< цесса имплантации происходит дробление кристаллической решетки : отдельные фрагменты, внутри которых преобладает тетраздрический х рактер связей. Между собой они связанны переходными областями с n> вышеной концентрацией искаженных и оборванных связей, где преим; щественно накапливаются имплантированные ионы азота. С ростом до; концентрация Si-N связей в переходных областях увеличивается, как показывают данные Фурье-анализа ФУРИ КР электронов, на соо ветствующих кривых ФРРАП наряду с пиками, отвечающими ближним св эям Si-Si в кремнии и Si-Ы в нитриде кремния, наблюдается появлен дальних пиков, характерных для структуры SUN*, что говорит о пре мужественном росте фазы Si^Ni, на границах фрагментов, сохраняющ структуру кремния. Об этом же свидетельствует гетерогенный характ зародышеобразования при термической кристаллизации имплантировали стехиометрическими дозами ионов азота монокристаллов кремния, ч подтверждает высказанное в работе *) предположение его прямой свя со стоком поступающих ионов в структурно-слабые места кристалличе кой решетки: приосевые области дислокационных петель и линейн дислокаций. Повышение температуры рекристаллизации слоев кремни имплантированных субстехиометрическими дозами ионов азота так может быть связано с блокированием поверхности указанных фрагмент

*) Pavlov P. V., et al. //Phys. stat. sol. (a). 1976. V. 36. P. 81-88.

10

гаслойками фазы Si5N.,.

В поцессе исследований, связанных с формированием износостой-IX покрытий на основе нитрида бора методом ионно-лучевого синтеза, ¡тановлено, что структурные изменения в аморфных и кристаллических юях бора, инициированные имплантацией стехиометрических доз ионов юта, имеют следующие характерные особенности:

- облучение слоев вакуумных конденсатов бора стехиометрически-I дозами ионов азота в полиэнергетическом режиме, приводит к фор-фованию аморфной фазы со структурой ближнего порядка как в куби-;ском нитриде бора, содержащей мелкодисперсные кристаллические шзчения (до 50 нм) кубического нитрида бора, занимающие до Z0Z 5ъема слоя;

- облучение кристаллов бора етехиометрическими дозами ионов юта в полиэнергетическом режиме, приводит к формированию на их )верхноети поликристаллического слоя кубического нитрида бора со зедами гексагонального нитрида бора;

- текстура исходных кристаллов бора (при ее наличии) наследу-?ея синтезируемым слоем нитрида бора.

Полученные результаты позволяют предположить, что в данном зучае, как и в случае имплантации азота в кремний, работает гете->генный механизм фазообразования, что подтверждается также фактом >рреляции интенсивности линий JV-BN с количеством графитоподобной 1зы бора в исходных образцах и хорошо согласуется с данными работы .Основные же различия в процессах синтеза нитридов кремния и бора шидимому связаны с различной степенью ионности этих соединений, Феделяадей согласно принципу Келли **) способность соединений ¡гко аморфизоваться под действием облучения, либо наоборот - сох-шять кристалличность даже при значительных дозах облучения.

ВЫВОДЫ

1. Разработан ряд новых способов препарирования образцов, на :нове которых создан препарационный комплекс устройств (устройства 'руйного химического и электрохимического травления, ионно-лучево-

Курдюмов A. R //Кристаллография. 1975. Т. 20. N5. С. 969-973.

*) Kelly R. //Rad. Eff. 1982. 7.64. N1-4. P. 205-220.

11

го распыления и для нанесения пленок ионно-лучевым распылением ми шеней), позволяющих резко расширить круг материалов, доступных исследованию методами электронографии и электронной микроскопии.

2. В развитие метода Фурье-анализа предложены способы учет вклада многократно рассеянных электронов, нахождения поправочног коэффициента нормирующего множителя и экстраполяции интерференцион ной функции вблизи нуля, позволяющие повысить точность наховдени параметров структуры ближнего порядка в дифракционном эксперименте

3. Создан пакет программ, позволяющих расчитать параметр структуры ближнего порядка, вид интерференционных функций и функци радиального распределения атомной плотности для различных структур ных моделей, а также по данным электронографии решить задачу вычис ления параметров структуры ближнего порядка исследуемого вещества

. 4. Установлено, что углерод, захваченный из вакуумного объем пленками кремния при напылении, активируется при их облучении иона ми азота и вступает в реакцию с образованием карбида кремния, крис таллизующегося в процессе отжига. ^

5. Установлено, что в интервале доз (0.5-5)х10* см"2" происхо дит пропорциональный рост количества аморфной фазы со структуро ближнего порядка как в Б!^ и снижение количества фазы со структу рой ближнего порядка как в

6. Показано, что возможный механизм накопления связей Заносит гетерогенный характер: имплантированные ионы азота накаплива шея в местах с наибольшим числом оборванных 31-31 связей.

7. Найденные закономерности структурно-фазовых превращали слоев кремния, имплантированных ионами азота, позволили предложит новые способы создания геттерирующих и защитных слоев.

8. Установлено, что основными элементами СБП вакуумных конден сатов бора, полученных при электронно-лучевом испарении, являютс нецентрированные икосаэдры из атомов бора, взаимное расподожени которых наследуется согласно СБП испаряемых мишеней.

9. Расчитан полиэнергетический режим имплантации бора ионам азота, позволяющий получать стехиометрическое соотношение примесны атомов и атомов матрицы вплоть до глубины 150 нм.

10. Показано, что как аморфные, так и кристаллические слои бо ра, после облучения стехиометричеекими дозами ионов азота, имею высокие механические характеристики (износостойкость и твердость)

12

Эсновные результаты диссертации изложены в следующих публикациях:

1. Комаров Ф. Ф., Соловьев Е С. , Тишков В. С. Устройство для нанесения пленок из газовой фазы. //АС СССР N988115 от 10. 03.81 г. (ДСП).

2. Бозаджиев Е Л., Комаров Ф. Ф., Соловьев В. С., Тишков а С. Устройство для напуска газов в вакуумные системы. //АС СССР N1433313 ОТ 22.06.88 Г. (ДСП).

3. Тишков В. С., Ширяев С. Ю. Способ препарирования образцов. //АС СССР N1666941А1 от 25.08.89 г. - опубл. в БИ N28 от 30.07.91г.

4. Бойко Е. Б. , Кулыпа А. М. , Курьязов В. Д. Тишков Е С., Способ ионного нанесения покрытий в вакууме. //АС СССР N1658658 от 22.02.91г. (ДСП).

5. Комаров Ф. Ф., Курьязов Е Д., Малявко R К. , Соловьев Е С. , Тишков Е С. , Ширяев С. Ю. Способ создания геттерирующих слоев на кремниевых пластинах. //АС СССР N10185448 от 23. 01.81г. (ДСП).

6. Зутис В. А., Квелде 1й А. , Комаров Ф. Ф., Курьязов R Д., Липские Я А. , Рушко Я А. , Соловьев Е С. , Тишков В. С., Ширяев С. КХ Способ создания геттерирующего слоя. //АС СССР N1378712 от 01.11. 87г. (ДСП).

7. Комаров Ф. Ф., Соловьев Е С., Тикавый И. Е , Тишков Е С. Способ создания защитных покрытий для отжига InP и GaAs. //АС СССР N1616423 от 22.08.90г. (ДСП).

8. Комаров Ф. Ф. , Соловьев В. С. , Тишков Е С. Электронографичоское изучение структурного состояния толстых защитных покрытий по их глубине в режиме работы "на просвет". //В кн. : Труды и. -т. семинара "Поверхностный слой, точность и эксплуатационные свойства деталей машин и приборов". М. 1990. С. 76.

9. Комаров Ф. Ф., Соловьев В. С., Тишков В. С. К вопросу о нормировке интерференционной функции в методе радиального распределения. //В кн. : Тезисы докладов 111 республиканской научно-технической конференции "Применение электронной микроскопии в науке и технике" (Минск, 29-30 октября 1991г.) - Минск. 1991. С. 13.

10. Комаров Ф. Ф., Лобоцкий Д. Г., Соловьев ЕС., Тишков ЕС. Исследование тонкопленочной системы титан-аямазаподобный углерод, полученный конденсацией с ионной бомбардировкой. //В кн. : Тезисы докладов XVI Всесоюзного совещания по физике взаимодейст-

вия заряженных частиц с кристаллами, (Москва, 26-28 мая 1986 Г.). Изд. МГУ. 1986. 0.144.

11. Комаров Ф. Ф. , Пилько В. В. , Соловьев а С., Тишков В. С. Ион-но-стимулированное формирование твердых покрытий на основе углерода и бора //В кн.: Тезисы докладов научно-технической конференции "Радиационная физика твердого тела", Минск. 1989. С.67. (ДСП).

12. Гуманский Г. А., Комаров Ф. Ф., Ташлыков И. С., Тишков В. С. , Гетц Г,, Швабе Ф. Исследование процессов высокотемпературного внедрения ионов углерода в кремний. // В кн.: Международная конференция по ионной имплантации в полупроводники. Часть 1. (Рейн-харбсбрун, 23-29 октября 1977г.) 1978. С. 16-24.

13. Комаров Ф. Ф. , Лаппо М. Т. , Рогалевич И. А. , Тишков В. С. Изучение . свойств слоек Я1гМчи ГЦсинтезированных ионным внедрением.

//В кн.: Международная конференция по ионной имплантации в полупроводники. Часть 2. (Рейхарбсбрун, 23-29 октября 1977г.). 1978. С. 372-386.

14. Комаров Ф. Ф., Соловьев Е С., Тишков Е С., Ширяев С. Ю. Влияние химической природы имплантированной примеси на термическую кристаллизацию аморфизованного кремния. //В кн.: Тезисы докладов международной конференции "Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах" (Вильнюс, 27-29 сентября 1983г.). -Каунас: Изд. КПИ. 1983. С. 134-135.

15. Соловьев В. С., Тишков Е С. Определение направления дислокаций в кремнии по форме и структуре ямок травления. //Вестник БГУ. 1974. Сер. 1. N2. С. 71-73.

16. Комаров Ф. Ф., Соловьев К С., Тишков Е С. Устройство ионного травления для злектронографа. //ПТЭ. 1990. N2. с. 246.

17. Гайдук П. И., Соловьев К С. , Тишков Е С. Исследование структуры межфазных границ методом микроскопии поперечных сечений. //Вакуумная техника и технология. 1992. Т. 2. N1. С. 24-26.

18. ЕС.Соловьев, ЕС.Тишков. Распылительная вакуумная камера для получения многокомпонентных пленок переменного состава. //Вакуумная техника и технология. 1991. Т. 1. N4. С. 50-51.

19. Бойко Е. Б., Комаров Ф.Ф., Соловьев В.С.,Тишков ЕС. Устройство для нанесения многокомпонентных тонких пленок переменного состава //Приборы и техника эксперимента 1992. т. 5. С. 227-228.

14

20. Соловьев В. С. , Тишков В. С. Учет многократного когерентного рассеяния электронов в электронографии аморфных веществ. //В кн. : Тезисы докладов 111 республиканской научно-технической конференции "Применение электронной микроскопии в науке и технике" (Минск, 29-30 октября 1991г. ) -Минск. 1991. С. 14.

21. Комаров Ф. Ф., Соловьев В. С., Тишков Е С. Учет многократного когерентного рассеяния и нормировка интерференционной функции в электроногафии тонких аморфных елоеБ. //Веет AHR Сер. ф13. -мат. навук. 1993. N1-2. С. 58-61.

22. Ф. Ф. Комаров, В. С. Соловьев, В. С. Тишков. Учет многократного когерентного рассеяния электронов в электронографии аморфных веществ. //Вакуумная техника и технология. 1991. Т. 1. N3..<-С. 16-17.

23. Соловьев В. С., Тишков R С. К вопросу об экстраполяции интерфе-ренционой функции вблизи нуля. //Вакуумная техника и технология. 1992. Т. 2. N2. С. 31-32.

24. Комаров Ф. Ф., Корнейчик В. К , Тивков Е С. использование метода дифракции в сходящемся пучке для анализа структуры ближнего порядка тонких слоев аморфного вещества. //Вестник БГУ. 1986. Сер. 1. N1. С. 66-67.

25. Тишков В. С. Применение ЭВМ при расчете параметров ближнего порядка. //Деп. в БелНИИНТИ 25.04. 83 г. N602 Бе-ДВЗ.

26. Тишков Е С. Применение ЭВМ при расчете радиальных функций распределения атомной плотности. //Деп. в БелНИИНТИ 04.07.83г. N696 Бе-Д83.

27. Белый И. М., Комаров Ф. Ф. , Купреев В. а , Слепнев Г. Е. , Тишков B.C. Особенности кристаллизации тонких аморфных пленок кремния, облученных ионами азота //Известия АН БССР. 1984. Сер. физ, -мат. наук. N1. С. 61-66.

28. Komarov F.F., Rogalevich I.A. and Tishkov V. S. Properties investigation of thin silicon nitride layers synthesized by ion implantation. //Radiation Effects. 1978. V.39. PP. 163-167.

29. Komarov F.F., Solovev V. S. , Tishkov V. S. and Shiryaev S. Yu. Thermal recrystallization of silicon amorphous layers after argon, oxygen and nitrogen ion inplantation. //Radiation Effects. 1983. V. 69. PP. 179-189. '

30. Глазова A. M. , Комаров Ф. Ф. , Пилыот В. R , Соловьев E С. , Титков

15

ñi

Е С. Структура ближнего порядка вакуумно-осажденных и облученных ионами азота пленок бора, //Известия АН БССР. 1989. Сер. физ. -энерг. наук. N4. С. 42-46. 31. Комаров Ф.Ф. , Пилько Е., Тишков ЕС. Синтез кубического нитрида бора методом ионной имплантации. //Доклады АН БССР. 1987. Т. 31. N3. С. 219-222.

Бумагу N Ъ Объем К п. л.

Пачать офсетная. Тираж 100 зко. Заказ N 2.

Бесплатно.

Напечатано на ротапринте Белгосуниверситета 220080, Минск, Бобруйская., 7.

Подписано к печати

Формат 60 х 84 1/16