Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

Глава 1. Электронные свойства и структура поверхности ваАв и границ раздела в гетероструктурах на основе ваЛв

1.1. Реконструкция и релаксация поверхности полупроводников И

1.2. Пассивация поверхности арсенида галлия

1.3. Процессы, происходящие на поверхности арсенида галлия при ее обработке халькогенами

Глава 2. Формирование гетероструктур на основе ваАв обработкой в парах селена..

2.1 Обработка поверхности ваАБ в парах селена и формирование гетероструктур Оа28е3-ОаА8

2.2. Электронографическйй анализ поверхности ваАБ, обработанной в парах селена и гетерограницы

ОагБез/ваАБ

Глава 3. Электрические свойства гетероструктур на основе арсенида галлия, полуенных обработкой в парах селена

3.1. Вольт-амперные характеристики

3.2. Вольт-фарадные характеристики

3.3. Энергетический спектр электронных состояний в системах на основе ваАБ, обработанного в парах селена.

Глава 4. Пассивация поверхности арсенида галлия слоем селенида галлия

4.1. Реконструирование поверхности арсенида галлия после обработки ее в парах селена

4.2. Пассивирующее воздействие обработок

Несмотря на достижения в развитии кремниевых интегральных схем, в современной микроэлектронике устойчивые позиции приобретают интегральные элементы на основе арсенида галлия. Это обусловлено определенными преимуществами арсенида галлия: высокая подвижность электронов, большая ширина запрещенной зоны и др. Для эффективной работы полевых приборов на основе арсенида галлия необходимы высокое качество изолирующего покрытия и низкая плотность поверхностных электронных состояний (ПЭС) [1,2]. Однако, практическая реализация приборов на основе арсенида галлия сдерживается проблемой формирования совершенной границы раздела в гетероструктурах металл - ваЛв и диэлектрик - ваАБ, т.е. границы раздела с низкой плотностью ПЭС. Одним из путей решения этой проблемы является целенаправленное изменение свойств поверхности арсенида галлия обработкой в парах халькогенов (методом гетеровалентного замещения (ГВЗ)) с целью уменьшения плотности ПЭС. Поскольку ковалентный радиус мышьяка ближе к радиусу Бе, чем к любым другим халькогенам, то можно ожидать, что селен наиболее способен к обмену с Аб в процессе гетеровалентного замещения. Кроме того, образующийся халькогенид (Оа28е3) наиболее близок по постоянной решетки к ОаАв, что обеспечивает наименьшее рассогласование решеток в системе ОагЭез-ОаАБ. По этим причинам в методе ГВЗ применялся в качестве халькогена селен. Известно, что при такой обработке происходит реконструкция поверхности арсенида галлия с образованием на ней слоя халькогенида галлия (вагБез) при длительных временах обработки. Поэтому изучение структурных превращений и электрических параметров гетерограницы Оа28е3/ОаА8 представляется актуальным. 5

Цель работы заключалась в установлении закономерностей, связывающих электрические и структурные характеристики поверхности арсенида галлия, обработанной в парах селена.

Достижение поставленной цели включало следующие основные этапы:

1. Получение структур типа диодов Шоттки А1-ОаАз, сформированных на подложках арсенида галлия, обработанных в течение короткого промежутка времени (~5 мин) в парах селена и структур Оа28е3-ОаА8, полученных длительной (-30 мин) обработкой подложек в парах селена.

2. Исследование структуры поверхности арсенида галлия, после кратковременной обработки ее в парах селена, и гетерограницы Оа28е3/ОаА8, сформированной длительной обработкой поверхности арсенида галлия в парах селена.

3. Исследование электрофизических свойств диодов Шоттки АЮаАв на подложках ваАв, прошедших кратковременную обработку в парах селена, а также гетероструктур АЮагЗез-ваАз.

4. Изучение структурных и электрических параметров гетерограницы ОагБезАЗаАз, сформированной обработкой арсенида галлия в парах селена и мышьяка.

Объекты и методы исследования. Исследовались структуры, сформированные кратковременной (~5мин) обработкой подложек из монокристаллического арсенида галлия п-типа (с п~1022м"3 и п~1024м"3) в парах селена, а также структуры Оа28ез-ОаА8, сформированные длительной (~30мин) обработкой тех же подложек в парах селена. Слои ва28ез на подложках из ваАБ формировались методом гетеровалентного замещения в анионной подрешетке в процессе термического отжига в парах селена. Исследование состава 6 полученных слоев проводилось методом рентгеноспектрального микроанализа (РСМА).

Структура поверхности и сформировавшихся на ней слоев исследовалась с помощью сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) и электронного микроскопа.

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки АЮаАБ и типа МДП А1-Оа28ез-ОаАз исследовались методами вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик, методом температурной и частотной зависимости дифференциальной проводимости, а также методом изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней (ИССГУ) в диапазоне температур 77-К370К.

Научная новизна полученных в работе результатов определяется тем, что в ней:

• из исследования электрических свойств изучаемых структур установлено что: лл о

1) Токопрохождение в структурах А1-ОаАз(п~10 м* ) описывается в рамках термоэимссионно-диффузионной теории и теории эффекта Шоттки, а в структурах А1-ОаАз(п~1024м"3) - в рамках теории туннелирования Фаулера-Нордгейма. В структурах А1-Оа28е3-ОаА8 токопрохождение описывается в рамках теории эффекта Пула-Френкеля и токов ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ).

2) В запрещенной зоне ваАв исходных структур ( не прошедших обработку в парах селена) присутствует четыре типа центров локализации заряда (ЦЛЗ) со следующими параметрами: Ец~0.2эВ с Ки~9-1020м"3, Ей~0.3эВ, Ей~0.36эВ с Ый~Ы014м"2 и Е14~0.65эВ с М14~84021М-3„ 7

3) Пассивирующий эффект кратковременных обработок поверхности ваАБ в парах селена связан с исчезновением из запрещенной зоны ваАБ поверхностного центра с энергией -О.ЗбэВ. Восстановление спектра ПЭС после длительной обработки поверхности ваАв в парах селена связано с разупорядочением на границе раздела Оа28е3/ОаА8.

• Установлено образование на поверхностях ОаАз(100) и ОаАБ(111), в результате их обработок в парах селена, псевдоморфных слоев селенида галлия двух кристаллографических ориентаций: (310) и (110) - на подложках ОаАз(ЮО) и (211) и (110) - на подложках ОаАБ(111).

• Присутствие наряду с селеном мышьяка в камере КЗО оказывает превалирующее воздействие на концентрацию центров в приповерхностной области ваАв, а не на плотность ПЭС. Это сопровождается снижением количества макроскопических дефектов у поверхности ваАБ, что вызывает формирование более качественной границы раздела ОагЗез/ОаАБ, по сравнению с обработками в одном селене.

Таким образом на защиту выносятся следующие основные положения: уу л

1. Токопрохождение в структурах А1-ОаА8(п~Ю м*) описывается в рамках термоэимссионно-диффузионной теории и теории эффекта Шоттки, а в структурах А1-ОаАз(п~1024м"3) - в рамках теории туннелирования Фаулера-Нордгейма. В структурах АЮагБез-ОаАз токопрохождение описывается в рамках теории эффекта Пула-Френкеля и ТОПЗ.

2. В процессе обработки поверхностей ОаАз(ЮО) и ОаАз(Ш) в парах селена на них формируются псевдоморфные слои селенида галлия в неполярной ориентации (110), проходя через промежуточные плоскости (310) и (2Й) соответственно для поверхностей ОаАз(ЮО) и (111). 8

3. Факт открепления уровня Ферми вблизи поверхности в арсениде галлия после кратковременной обработки подложек из него в парах селена коррелирует с отсутствием в запрещенной зоне электронного уровня с энергией 0.36±0.05эВ ниже дна зоны проводимости. Восстановление спектра ПЭС (появление вновь вышеназванного центра) после длительных обработок в парах селена, связано с возникновением разупорядочения в слое Ga2Se3 и его разориентацией относительно подложки.

4. Присутствие мышьяка, наряду с селеном, в камере КЗО оказывает превалирующее воздействие на концентрацию центров в приповерхностной области GaAs, а не на плотность ПЭС. Это сопровождается снижением количества макроскопических дефектов у поверхности GaAs, что вызывает формирование более качественной границы раздела Ga2Se3/GaAs, по сравнению с обработками в одном селене.

Личный вклад автора. Постановка задач, определение направлений исследований выполнены научными руководителями д.ф.м.н., с.н.с. Безрядиным H.H. и д.т.н., с.н.с. Арсентьевым И.Н. Проведение экспериментов, а также получение основных результатов и выводов диссертации осуществлено автором лично. В работе принимали участие к.ф.м.н. Г.И. Котов, к.ф.м.н. Б.Л. Агапов, к.х.н. Л.А. Битюцкая (Глава 2), к.ф.м.н. Ю.К. Шлык, C.B. Постников (Глава 3). Обсуждение результатов на протяжении всей работы над диссертацией проводилось вместе с д.ф.м.н., с.н.с. Безрядиным H.H., д.т.н., с.н.с. Арсентьевым и к.ф.м.н. Котовым Г.И.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Второй всероссийской конференции с международным 9 участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог 1995г.); Международном семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж 1995г.); Научно-практической конференции аспирантов ВГТА на иностранных языках «Актуальные проблемы научно-практических исследований и методологий (Воронеж 1996г.); Межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 98» (Москва 1998г.); XXXV и XXXVI отчетных научных конференциях сотрудников ВГТА (Воронеж 1997г. и 1998г.); XVII Российской конференции по электронной микроскопии (Черноголовка 1998г).

Публикации. Результаты, полученные в ходе работы над диссертацией опубликованы в 12 работах, цитируемых по ходу ее изложения.

Структура и объем диссертации. Диссертация содержит из 181 страницы машинописного текста и содержит 65 рисунков, 14 таблиц, и по структуре состоит из введения, четырех глав, основных выводов и списка цитируемой литературы, включающего 97 наименований литературных источников.

Основные результаты и выводы:

1.Из исследования электрофизических характеристик гетероструктур А1-GaAs, сформированных после кратковременных обработок поверхности GaAs в парах селена и Al-Ga2Se3-GaAs в результате длительных обработок установлено: токопрохождение в структурах Al-GaAs, сформированных кратковременной обработкой подложек в парах селена, описывается в рамках термоэмиссионно-диффузионной теории и теории эффекта Шоттки

- высота барьера Шоттки в структурах Al-GaAs соответствует теоретически рассчитанной по закону Шоттки-Мотта

- в слоях Ga2Se3 токопрохождение описывается в рамках теории ТОПЗ и эффекта Пула-Френкеля

- оценены параметры центров в запрещенной зоне GaAs структур, полученных без предварительной обработки подложек в парах селена: Etl~0.2 эВ, Ntl~9-102V3, Ей~0.3эВ, Et3~0.36 эВ, Nt3~l-1014M'2 и Et4~0.65 эВ, Nt4~8-1021m"3.

2. В процессе отжига в парах селена на полярных поверхностях GaAs(lOO) и (111) образуется слой Ga2Se3 в неполярной кристаллографической ориентации (110), причем его образование происходит последовательно через промежуточные кристаллографические фазы: (310) - на подложке GaAs(lOO) и (ill)- на подложке GaAs(l 11).

3. Пассивирующий эффект кратковременных обработок поверхностей GaAs в парах селена объясняется стабилизацией реконструкции поверхности GaAs тонким псевдоморфным слоем Ga2Se3(110)-(3x2). При этом исчезает поверхностный центр с энергией Е13~0.36эВ.

4. Длительные обработки в парах селена приводят к возникновению разориентации слоя Ga2Se3 относительно подложки GaAs, разрушая

171 необходимую для пассивации реконструкцию, в результате чего в запрещенной зоне ОаАБ появляется поверхностный центр с энергией -0.36 эВ.

5. Добавление мышьяка в камеру КЗО в процессе обработки поверхности ваАв в парах селена оказывает превалирующее воздействие на концентрацию центров в приповерхностной области ОаАэ, а не на плотность ПЭС.

172

1. Арсенид галлия в микроэлектронике: Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988. - 555с.

2. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д., Моргунов В.Н. Изолирующее покрытие для арсенида галлия // ЖТФ, 1986. Т.56,№5. С.913-915.

3. Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел: М.: Мир, 1978.

4. Пайнс Д., Нозьер Ф. Теория квантовых жидкостей. Нормальные ферми-жидкости: М.: Мир, 1976.

5. Chadi D.J. Theoretical study of the atomic structure of silicon (211), (311) and (331) surfaces. //Phys.Rev.,B. 1984. V.B29,№2. P.789-792.

6. Chadi D.J. (110) surface atomic structures of covalent and ionic semiconductor // Phys.Rev.,B. 1979. V.19,№4. P.2074-2082.

7. Mailhiot C., Ducke C.B., Chadi D.J. Calculation of the atomic geometry's of the (110) surfaces of III-V compound semiconductors // Surf.Sci. 1985. V.145. P.366-380.

8. Chadi D.J., Ihm J., Tanner C. Theoretical study of the As(100) surface reconstruction of GaAs // Physica. 1983. B117/B118 P.798-800.

9. Ihm J., Chadi D.J., Joannopoulos J.D. Study of reconstructed GaAs(lOO) surface // Phys.Rev.,B. 1983. V.27,№8. P.5119-5121

10. Ihm J. Theoretical study of atomic and electronic structure of the C(4x4) reconstructed GaAs(lOO) surface // Surf.Sci. 1982. V.120,№1. L425-L430.

11. Thornton J.M.C., Weightman P., Woolf D.A., Dunscombe C.J. Comparison of the (2x2) reconstructions of GaAs(lll) // Phys.Rev.,B. 1995. V.51,№20. P. 14459-14469.

12. Ф.Бехштедт, Р.Эндерлайн Поверхности и границы раздела полупроводников: М.: Мир, 1990. 488с.173

13. Eugene J. Mele, Joannopoulos Electronic states at unrelaxed and relaxed GaAs(lOO) surfaces // Phys.Rev.,B. 1978 V.17,№4. P.1816-1827.

14. Larsen P.K. Surface electronic structure of GaAs(OOl) (2x4): Angle - resolved photoemission and tight - binding calculation // Phys. Rev.,B. 1982. V.26,№6. P.3222.

15. P.Victorovich Passivation des semiconducteurs III-V // Revue Phys. Appl. 1990. V.25,№9. P.895-914.

16. Broekman L.D., Leckey R.C.G., Riley J.D. Scanning tunneling - microscope study of the aandp phase of the GaAs(001)-(2x4) reconstruction // Phys. Rev.,B. 1995. V.51,№24. P. 17795-17799.

17. Hashizume T., Xue Q.-K., Ichimiya A., Sakurai T. Determination of the Surface structures of the GaAs(001)-(2x4) As-rich phase // Phys. Rev.,B. 1995. V.51,№7. P.4200-4212.

18. Yamagudi Hirochi, Horikoohi Yoshiji Surface structure transitions of InAs and GaAs(OOl) surfaces // Phys. Rev.,B. 1995. V.51,№15. P.9836-9854.

19. Creighton J.R. Accounting for stochiometry changes on compound semiconductor surfaces //J. Cryst. Growth. 1995. V.147,№l-2. P.64-73.

20. Xu C., Barnham J.S., Braun R.M., Goss S.M. Tilting in the arsenic-induced C(4x4) reconstruction of the GaAs{001} surface // Phys. Rev., B. 1995. V.52,№7. P.5172-5172.

21. Zhang S.B., Zunger Alex Structure of the As vacancies on GaAs(l 10) surfaces // Phys. Rev. Lett. 1996. V.77,№1. P. 119-122.

22. Snyder C.W., Sudijono J., Lam Chi-Hang, Johnson M.D, and Orr B.G. Surface transformations on annealed GaAs(OOl) // Phys. Rev., B. V.50,№24. P.18194-18199.

23. Sugiyama Hiroki, Shinohara Masanori, Tanimoto Masafumi Fabrication of rectangular holes along 2x4 unit celles on GaAs(OOl) reconstructed surface with174a scanning tunneling microscope // Jap. J. Phys. Pt.2. 1995. V.34,№6B. P727-729.

24. Hirota Y., Fukuda T. Scanning tunneling microscopy study of GaAs(OOl) surface prepared by deoxygenated and de-ionized water treatment // Appl. Phys. Lett. 1995. V.66,№21. P.2837-2839.

25. Шарма Б.JT., Пурхоит Р.К Полупроводниковые гетеропереходы. Пер. с англ. Под ред. Ю.В. Гуляева М.: Сов. радио, 1979. - 232с.

26. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл полупроводник. Пер. с англ. Под ред. B.C. Вавилова - М.: Мир, 1979. - 432с.

27. Hasegawa H., Ohno H. Unified disorder induced gap state model for insulator -semiconductor and metal semiconductor interfaces // J. Vac. Sci. Technol. B. 1986. V.4,№4. P.l 130-1136.

28. Сысоев Б.И., Сыноров В.Ф. К вопросу об управлении приповерхностным зарядом в полупроводниках с помощью тонких слоев широкозонных полупроводников // ФТП. 1972. Т.6,№10. С. 1856-1859.

29. Сыноров В.Ф., Сысоев Б.И. Вопросы использования широкозонных полупроводников с низкой концентрацией примесных центров в приборах диэлектрической электроники // Сб. статей под ред. С.А. Азимова -Ташкент: Изд-во ФАН. 1974. С.292-302.

30. Бонч-Бруевич B.JL, Калашников С.Г. Физика полупроводников М.: Наука, 1977. 672с.

31. Сысоев Б.И. Электронные процессы в области пространственного заряда слоев широкозонных материалов // Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 1982. 34с.

32. Стрыгин В.Д. Модуляция пространственного заряда в твердотельных гетероструктурах GaAs-Ga2Se3-Me // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. ВТИ, Воронеж. 1983. -128 с.175

33. Spicer W.E., Lindau I., Pianetta P. Et al. Fundamental studies of III-V surfaces and III-V oxide interface // Thin Solid Films. 1979. V.56,№l/2. P.l-19.

34. Biegelsen D.K., Bringans R.D., Northrup J.E. and Swartz L.-E. Selenium- and tellurium terminated GaAs(lOO) surfaces observed by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev.,B. 1994. V.49,№8. P5424-5428.

35. Eriko T. Sano and Yoshiji Horikoshi Se Adsorbtion on (OOl)GaAs under various As4 pressure // Jpn. J. Appl. Phys., Pt2. 1993. V.32,№5A. P.L641-L644.

36. Hidemi Shigekawa, Haruhiro Oigawa, Koji Miyake, Yoshiaki Aiso and Yasuo Nannichi Selenium treated GaAs(OOl) - 2x3 surface studied by scanning tunneling microscopy // Appl. Phys. Lett. 1994. V.65,№5. P.607-609.

37. Moriarty P., Murphy B., Roberts L. and Cafolla A.A. Potoelectron core level spectroscopy and scanning - tunneling - microscopy study of the sulfur - treated GaAs(lOO) surface // Phys. Rev.,B. 1994. V.50,№19. P. 14237-14245.

38. Bringans R.D., Biegelsen D.K., Northrup J.E. and Swartz L.-E. Scanning Tunneling Microscopy Studies of Semiconductor Surface Passivation // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V.32,№3B. P.1484-1492.

39. Schmidt W.G., Bechstedt F. Se/GaAs(110): Atomic and electronic structure // Phys. Rev., B. 1994. V.50,№23. P. 17280-17291.

40. Seo J.M., Kim Y.-K., Lee H.G., Chung Y.-S., Kim S. Reduction of gap states of ternary III-V semiconductor surfaces by sulfur passivation: Comparative studies of AlGaAs and InGaP // J. Vac. Sci and Technol.,A. 1996. V.14,№3, Pt.l. P.941-945.

41. Okamoto Tamotsu, Takegami Tsuyoshi, Yamada Akira Konagai Macoto Control of the arrangement of the native gallium vacansies in Ga2Se3 on (100) GaAs by molecular beam epitaxy // Jap. J. Appl. Phys., Pt.l. 1995. V„34,№1 L P.5984-5988.176

42. Wada Yoshinori, Wada Kazumi Reduced motion of a GaAs surface Fermi level caused by excess As // J. Vac. Sci. and Technol.,B. 1995. V.13,№5. P.2069-2074.

43. Tsukamoto Shiro, Koguchi Nobuyuki Surface reconstruction of sulfur-terminated GaAs(OOl) observed during annealing process by scanning tunneling microscopy // J. Cryst. Growth. 1995. V.150,№l-4, Pt.l. P.33-37.

44. Ferrari L., Fodonipi M., Righini M. Optical and spectroscopic characterization of GaAs passivated surfaces // Surface Sci. 1995. V.331-333,Pt.A. P.447-452.

45. Shinichiro Takatani, Takeshi Kikawa, Masatoshi Nakazawa Reflection high-energy electron-diffraction and photoemission spectroscopy study of GaAs(OOl) surface modifed by Se adsorption // Phys. Rev., B. 1992. V.45,№15. P.8498-8505.

46. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников: под ред. Б.Д. Луфта М.: Радио и связь, 1982. - 136с.

47. Barycka I., Zubel I. Chemical etching of (100)GaAs in a sulfuric acid-hydrogen peroxide-water system // J. Of Mater. Sci. 1987. V.22,№4. P. 1299-1304.

48. Saletes A., Turco F., Massies J., Contour J.P. Morphology of GaAs and InP(OOl) substrates after different preparation procedures prior to epitaxial growth//J. Electrochem. Soc. 1988. V.135,№2. P.504-509.

49. Waldrop J.R. Electrical proprieties of ideal metal contacts to GaAs: Schottky-barrier height // J. Vac. Sci. Technol., B. 1984. V.2,№3. P.445-448.

50. Булах Б.М., Горбик П.П., Колющенко B.H., Федорус Г.А., Шейнкман М.К. Гетероструктуры твердофазного замещения на основе монокристаллов соединений АпВУ1//ФТП. 1981. Т.15,№2. С.357-360.

51. Бубнов Ю.З., Лурье М.С., Старое Ф.Г., Филаретов Г.А. Вакуумное нанесение в квазизамкнутом объеме М.: Сов. Радио, 1975. 160с.

52. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Чурсина Е.И., Котов Г.И. Кинетика формирования гетероструктур Ga2Se3/GaAs при термической обработке подложек GaAs в парах селена // Неорг. материалы. 1991. Т.27,№8. С. 15831585.

53. Сысоев Б.И., Безрядин H.H., Котов Г.И., Агапов Б.Л., Стрыгин В.Д. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия A2mB3VI(l10) // ФТП. 1995. Т.29,№1. С.24-32.

54. Барре П. Кинетика гетерогенных процессов М.: Мир, 1976. 372с.

55. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники М.: Сов. Радио, 1968. 165с.

56. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников М.: Высш. школа, 1973. 553с.

57. Сысоев Б.И., Безрядин H.H., Котов Г.И., Стрыгин В.Д. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах Me-GaAs // ФТП. 1993. Т.27,№1. С. 131-135.

58. Файнштейн С.М. Обработка и защита поверхности полупроводниковых приборов М.: Энергия, 1970. 296с.

59. ASTM Difraction Date Card File 1957. Card №14-450,20-437.

60. Долгих Д.С., Сумец М.П. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности GaAs(100), обработанной в селене // Известия вузов. "Электроника", 1998. №6. С.95-96.

61. С. Зи Физика полупроводниковых приборов в 2-х томах. Т.1. Пер. с англ. -М.: Мир, 1984 456 с.178

62. Гольдберг Ю.А. Барьеры Шоттки и их использование для исследования свойств полупроводников // Микроэлектроника. 1982. Т.11,№1. С.3-19.

63. Берман JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников JL: Наука, 1972. - 99с.

64. Берман JI.C., Лебедев A.JI. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. - 170с.

65. Frantisek Dubecky and Bozena Olejnfova C-V analysis of the Schottky barrier in semi-insulating semiconductors // J. Appl. Phys. 1991. V.69,№3. P. 17691771.

66. Singh Jasprit, Cohen Morrel H. Capacitance-voltage measurements in amorphous Schottky barriers // J. Appl. Phys. 1980. V.51,№1. P.413-418.

67. Shibli E., Milnes A.G. Effects of deep impurities on n+p junction reverse-biased small-signal capacitance // Solid-State Electron. Perg. Press. 1968. V.ll. P323-334.

68. Anderson W.W. Comment on «Dielectric Relaxation Contribution to Dispersion of Junction Admittance» // Solid-State Electron. 1984. V.27,№1. P.109-111.

69. Перель В.И., Эфрос А.Л. Емкость р-n перехода с глубокими примесями // ФТП. 1967. Т.1,№11. С.1693-1701.

70. Технология тонких пленок Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга Пер. с англ. Под ред. М.И. Елинсона. Т.2 М.: Сов радио, 1977. - 768 с.

71. Стриха В.И., Бузанева Е.В. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике М.: Радио и связь, 1987.-256 с.

72. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник Киев: Наукова думка, 1974. - 246с.

73. Бузанева Е.В. Микроструктуры интегральной электроники М.: Радио и связь, 1990. - 304с.179

74. Нахмансон Р. Теория поверхностной емкости //ФТТ. 1964. Т.6,№4. С.1115-1124.

75. Сумец М.П. Вольт-амперные характеристики гетероструктур Ga2Se3-GaAs / ВГТА, Воронеж, 1998, Деп. в ВИНИТИ 06.11.98, №3244 В98.

76. Simmons Y.G. Conduction in the dielectric films // J. Phys. D. Appl. Phys. 1974. V.4.P.613-654.

77. Osvald J., Dobrocka E. Generalized approach to the parameter extraction from I-V characteristics of Schottky diodes // Semicond. Sci. and Technol. 1996. V.ll,№8.P.l 198-1202.

78. Zainger K.H. Automatic Display of MIS Capacitance Versus Bias Characteristics//RCA Rev. 1966.V.27. P.341-359.

79. Сумец М.П. Вольт-фарадные характеристики гетероструктур Ga2Se3-GaAs / ВГТА, Воронеж, 1998, Деп. в ВИНИТИ 06.11.98, №3243 В98.

80. Бормонтов Е.Н. Физика и метрология МДП-структур: Учеб. пособие. Воронеж: ВГУ, 1997. 184с.

81. Сыноров В.Ф., Чистов Ю.С. Физика МДП-структур: Учеб. пособие. Воронеж: ВГУ, 1987.- 224с.

82. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда Новосибирск: Наука, 1984. - 253с.

83. Капустин Ю.А., Колокольников Б.М. В сб. научн. тр. «Электрическая релаксация и кинетические явления в твердых телах» РГПУ, С-Петербург. 1992. С.74-78.

84. Casey Н.С., Cho А.У., Lang D.V., Nicollian Е.Н. and Foy P.W. Investigation of heterojunctions for MIS devices with oxygen-doped AlxGaixAs on n-type GaAs // J. Appl. Phys., 1979. V.50. P.3484-4391.

85. Nicollian E.H., Goetzberger A. The Si-Si02 Interface Electrical Proprieties as Determined by the Metal Insulator - Silicon Conductance Technique // The bell system Technical Journal, 1967. V.XLVI, №6. P.1055-1133.180

86. Безрядин H.H., Котов Г.И., Сумец М.П. Реконструкция поверхности полупроводников AinBv, обработанной в халькогене // Вестник ВГТУ, Сер. «Материаловедение» 1997. Вып. 1,2. С.88-89.

87. Сумец М.П., Котов Г.И., Постников C.B. Реконструирование межфазной границы раздела в гетеросистеме GaAs-Ga2Se3 // Материалы XXXVI отчетной научной конференции за 1997 год. ВГТА. Воронеж. 1998. 4.2. С.ЗЗ.

88. Агапов Б.Л., Безрядин H.H., Сумец М.П., Котов Г.И. Реконструирование межфазной границы раздела в гетеросистеме GaAs-Ga2Se3 // Тез. докл. XVII Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка. 1998. С.135.

89. Сумец М.П., Котов Г.И., Постников С.В Вольт-амперные характеристики гетероструктур Ga2Se3-GaAs // Материалы XXXV отчетной научной конференции за 1996г. Воронеж. 1997.4.2. С.2.

90. Безрядин H.H., Сумец М.П., Котов Г.И. Реконструирование межфазной границы раздела в гетеросистеме арсенид галлия селенид галлия // Вестник ВГТА, 1997,№2. С.90-95.181

91. Mazur A. And Pollmann J. Electronic properties of (211) surfaces of group IV and III-V semiconductors // Phys. Rev., B. 1984. V.30,№4. P.2084-2089.

92. Spicer W.E., Lindau I., Sheath P.R., Su C.Y. Unified defect model and beyong // J.Vac. Sci. Technol. 1980. V.17,№5. P.1019-1027.

93. Spicer W.E., Lilental-Weber Z. Weber E., Newman N., Kendelewicz T., Cao R., McCants C., Mahowald P The advanced unified defect model for Shottky barrier formation // J. Vac. Sci. Technol. B, 1988. V.6,№4. P. 1245-1251.

94. Chang S., Brillson L.J., Kime Y.J., Rioux D.S., Kirchner P.D., Pettit G.D., Woodal J.M. Orientation Dependent Chemistry and Shottky-Barrier Formation at Metal-GaAs interfaces // Phys. Rev. Lett. 1990. V.64,№21. P2551-2554.