Влияние гофрировки гетерограниц на оптические свойства GaAs/AlAs сверхрешёток, выращенных на поверхностях с ориентацией (311)А и (311)В тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Оптическая анизотропия, другие оптические свойства и структура гетерограниц сверхрешеток GaAs/AIAs, выращенных на подложках с индексами Миллера, отличными от (100) и (111) (обзор литературы).

§1.1. Оптическая анизотропия.

§1.2. Оптические свойства.

§1.3. Структура гетерограниц сверхрешеток GaAs/AIAs, выращенных вдоль направления [311].

Глава 2. Экспериментальные методики и образцы.

§2.1. Методика спектроскопии фотолюминесценции

§2.2. Методика высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии.

§2.3. Параметры экспериментальных образцов и методика их приготовления

Глава 3. Структура гетерограниц сверхрешеток GaAs/AIAs, выращенных на подложках GaAs с ориентацией (311)А и (311)В.

§3.1. Дифракция быстрых электронов.

§3.2. Высокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия.

§3.3. Рост на поверхностях (311)А и (311)В.

Глава 4. Фотолюминесценция латеральных сверхрешеток GaAs/AIAs, выращенных на (311)А- и (311)В-ориентированных поверхностях.

В конце 20-го века ряд новых интересных явлений в физике полупроводников был обнаружен и исследован, благодаря появлению новых объектов -сверхрешеток (CP) [1,2]. Полупроводниковыми сверхрешетками обычно называют периодические структуры, состоящие из тонких слоев двух полупроводников, повторяющиеся в одном направлении [2]. Совсем недавно, при использовании явления самоорганизации (т.е. самопроизвольного возникновения макроскопического порядка в первоначально однородной системе [3]) в процессе гетероэпитаксиального роста, была продемонстрирована возможность получения сверхрешеток, состоящих из гофрированных слоев [4], квантовых проволок [5] и квантовых точек [6]. Сверхрешетки, содержащие гофрированные слои или квантовые проволоки принято называть латеральными сверхрешетками (JICP) [6]. Квантовые проволоки и квантовые точки в таких структурах являются одномерными и нуль-мерными объектами и интересны тем, что их квантовые свойства проявляются при высоких температурах. Последнее интересно не только с позиции фундаментальной физики, но и с приборной точки зрения [7]. В настоящее время структуры пониженной размерности нашли широкое практическое применение в быстродействующих приборах для телекоммуникаций, оптоэлектронных приборах, лазерах и т. д. [1,2,6,7]. Особенно интересны оптические и электронные свойства таких структур.

Наиболее полную информацию непосредственно об оптических и электронных свойствах системы обычно получают анализируя спектры фотолюминесценции (ФЛ) [8-10] и спектры возбуждения фотолюминесценции [11]. Эти методики обладают рядом преимуществ перед другими. Прежде всего они не требуют специальных трудоемких процедур приготовления (препарирования) образцов, дорогостоящего оборудования, не разрушают образцы, позволяют проводить экспрессные (за короткое время) и сканирующие (от разных участков) измерения. В последнее время к таким обычным и общепринятым характеристикам квантоворазмерных объектов, как интенсивность излучательной рекомбинации, узкая ширина линии излучения (монохроматичность излучения) при комнатной температуре, возможность получения излучения в видимом и ИК диапазоне добавилось и такое требование, как близкая к линейной поляризация излучения.

Структура границ раздела сверхрешеток GaAs/AlAs существенно влияет, а во многих случаях и определяет работу объектов на их основе. Это делает актуальными исследования в этой области. Совсем недавно при помощи высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии (ВПЭМ) [12], было установлено, что в образцах, выращенных на поверхности (311)А, наблюдается гофрирование обоих GaAs/AlAs и AIAs/GaAs интерфейсов с латеральным периодом в 3.2 нм и высотой гофрирования 1 нм. В работе [13] методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) обнаружено фасетирование поверхности (311)В GaAs с аналогичным периодом. В тоже время, имеется существенный недостаток структурных и фотолюминесцентных научно-исследовательских данных по латеральным сверхрешеткам GaAs/AlAs на поверхности (311)А и (311 )В с узкими квантовыми ямами и туннельно прозрачными барьерами, когда происходит наиболее значительное изменение свойств СР.

Настоящая работа посвящена сравнительному исследованию фотолюминесцентных свойств и структуры" гетерограниц сверхрешеток

GaAs/AIAs, выращенных на (311)А- и (ЗП)В-ориентированных поверхностях. В работе фотолюминесцентные измерения дополнены данными поляризационно чувствительной фотолюминесценции, особенно чувствительной к структуре гетерограниц. При проведении исследований ВПЭМ с целью более детального и подробного анализа структуры гетерограниц применялась специальная методика Фурье-обработки изображений.

Цели работы:

1. Установить природу появления оптической анизотропии в (311)А- и (311)В-ориентированных сверхрешетках GaAs/AIAs с узкими квантовыми ямами и туннельно прозрачными барьерами.

2. Выяснить устройство гетерограниц, положение уровней размерного квантования, оптические свойства, механизмы фотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AIAs на поверхности (311)В.

3. Определить влияние структуры гетерограниц на поляризационные и оптические свойства сверхрешеток GaAs/AIAs, выращенных на поверхностях (311)А и (311)В.

Для достижения указанных целей в работе решались следующие основные задачи:

1. Исследование поляризационной анизотропии фотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AIAs (311)А и (311)В. Изучение механизмов, приводящих к анизотропии, величин ожидаемых эффектов и их связи с состоянием гетерограниц сверхрешеток.

2. Исследование энергетических характеристик фотолюминесценции, температурного поведения ее интенсивности и других свойств фотолюминесценции (311)А-, (311)В- и (ЮО)-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs.

3. Сравнительное исследование структуры гетерограниц сверхрешеток GaAs/AlAs, выращенных на поверхностях (311) А и (311)В, методом высокоразрешающей электронной микроскопии на просвет с применением Фурье-обработки изображений.

Научная новизна работы

1. Методами фотолюминесценции и высокоразрешающей электронной микроскопии на просвет установлено, что гофрировка гетерограниц сверхрешеток GaAs/AlAs на поверхности (311 )В отличается от гофрировки сверхрешеток на поверхности (311)А, где она полностью соответствует модели [4]. В отличие от (311)А, сверхрешетки на поверхности (311)В содержат слабогофрированные гетерограницы, 3.2 нм латеральная периодичность в них выражена слабо, присутствует длинноволновый (>10 нм) беспорядок, вертикальная корреляция областей богатых GaAs и AlAs отсутствует.

2. Обнаружено различие оптико-электронных свойств (311)А- и (3 Неориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs. Установлено, что структура гетерограниц, выявленная в сверхрешетках (311)В, не позволяет сделать их оптические и электронные свойства похожими на (311)А. В частности, эффективность фотолюминесценции сверхрешеток на поверхности (311 )В при комнатной температуре, была в 50 раз меньше, чем у сверхрешеток, выращенных в том же ростовом цикле на поверхности (311)А. Кроме того, сверхрешетки (311)В имеют менее высокое значение энергии максимума люминесценции, чем сверхрешетки на поверхности (311)А.

3. Обнаружена оптическая анизотропия (ЗП)В-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs. Установлено, что в данном случае оптическая анизотропия обусловлена в основном анизотропией валентной зоны. Спектры фотолюминесценции сверхрешеток на поверхности (311)В слабо поляризованы относительно направления гофрирования интерфейса, в отличие от сверхрешеток (311)А. Показано, что механизмы поляризационной анизотропии фотолюминесценции определяются структурой гетерограниц.

4. При исследовании (311)А-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs второго типа (нижний энергетический уровень для электронов определяется X-минимумом зоны проводимости AlAs) была обнаружена гигантская (около 70%) поляризационная анизотропия фотолюминесценции, природа которой в основном объясняется гофрировкой гетерограниц.

5. Сравнение фотолюминесцентных и структурных данных сверхрешеток (311)А и (311)В позволило определить, что гигантское замешивание Г и X минимумов зоны проводимости имеет место только для сверхрешеток с сильно гофрированными интерфейсами и позволяет получать ярко-красную люминесценцию вблизи 650 нм вплоть до комнатной температуры.

6. Установлено, что сверхрешетки (311)В при средней толщине слоев GaAs менее 3.5 нм могут быть как первого (когда dGaAs > 2 нм), так и второго типа (КОГДа dcaAs < 2 нм).

Практическая значимость работы

1. Установление факта, что гигантское замешивание Г и X минимумов зоны проводимости имеет место только в сверхрешетках с сильно гофрированными интерфейсами является важным для оптоэлектроники. В случае толщины слоев

GaAs и AlAs по 2 нм замешивание позволяет получать ярко-красную люминесценцию вблизи 650 нм вплоть до комнатной температуры. Последнее позволяет надеяться, как на создание светоизлучающих приборов, основанных на эффекте сильного замешивания и работающих при высоких температурах, так и на то, что эти приборы составят конкуренцию приборам, базирующимся на двойных гетероструктурах AlxGai.xAs и легированных сверхрешетках.

2. Исследования являются важными не только с научной точки зрения, но и в плане приборных перспектив и могут быть применены, например, для разработки, планарных приемников ИК излучения на межподзонных переходах с поляризационно-чувствительным детектированием и нормальным падением света. Приемник с нормальным падением света технологически легче сделать.

3. Обнаруженные в латеральных сверхрешетках на поверхности (311)А: интенсивная люминесценция, высокое значение энергии максимума люминесценции, высокая степень (около 70%) оптической анизотропии может играть решающую роль при создании вертикальных лазеров со стабильной поляризацией излучения, каскадных и ярко-красных полупроводниковых лазеров.

4. Предложена неразрушающая методика исследования структуры гетерограниц латеральных сверхрешеток, основанная на поляризационно-чувствительной фотолюминесценции. По степени поляризационной анизотропии и положению максимума фотолюминесценции методика позволяет определять наличие гофрированных слоев, квантовых кластеров и точек в сверхрешетках.

Положения выносимые на защиту

1. "Ориентационная" анизотропия или, по-другому, отличие кристаллографической ориентации поверхности (311) от поверхности (100), приводящее к анизотропии валентной зоны, не является единственной причиной оптической анизотропии латеральных сверхрешеток GaAs/AlAs второго типа, выращенных на поверхности (311)А GaAs. Существенный вклад вносит гофрировка (corrugation) гетерограниц согласно модели Р.Нотцеля и Н.Н.Леденцова, когда высота гофрирования составляет величину 1 нм, а латеральный период равен 3.2 нм.

2. Оптическая анизотропия сверхрешеток GaAs/AlAs на поверхности (311)В GaAs практически полностью обусловлена анизотропией валентной зоны.

3. До недавнего времени считалось, что гетерограницы сверхрешеток GaAs/AlAs, выращенных на поверхности (311 )В GaAs, являются гладкими. Однако это далеко не так. Установлено, что гетерограницы сверхрешеток на поверхности (311 )В GaAs также гофрированные. Причем, гофрировка гетерограниц сверхрешеток (311)В, отличается от модели, предложенной Р.Нотцелем и Н.Н.Леденцовым, для сверхрешеток (311)А. В отличие от последних, гофрировка в сверхрешетках (311 )В более слабая: гетерограницы более гладкие, латеральный период величиной 3.2 нм проявляется намного слабее, присутствует беспорядок с характерным латеральным размером более 10 нм, вертикальная корреляция областей богатых GaAs и AlAs отсутствует. При этом высота гофрирования составляет величину 1 нм.

4. Установлено, что при средней осаждаемой толщине слоев GaAs более 2 нм сверхрешетки (311)В относятся к первому типу и минимумом зоны проводимости у них является Г-долина GaAs. Если осаждаемая толщина слоев GaAs менее 2 нм, то сверхрешетки (311)В относятся ко второму типу и дном зоны проводимости у них является Х-долина AlAs. Это отличает сверхрешетки (311)В от сверхрешеток (311)А7~которые при толщине GaAs менее 3.5 нм всегда имеют непрямую структуру запрещенной зоны и относятся ко второму типу. Такое поведение сверхрешеток (311)В объясняется наличием в них локально толстых областей GaAs, где структура запрещенной зоны является прямой как в реальном, так и в к-пространстве.

5. Гигантское замешивание Г и X минимумов зоны проводимости имеет место для сверхрешеток с сильно гофрированными гетерограницами.

В целом, структура гетерограниц, а не анизотропия валентной зоны играет ключевую роль в основных оптических и электронных свойствах короткопериодных сверхрешеток на поверхности (311).

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключительных выводов и библиографического списка из 125 наименований, двух приложений. Содержит 133 страницы, 37 рисунков на 37 страницах, 1 таблицу на 1 странице.

Основные результаты и выводы.

1. "Ориентационная" анизотропия или, по-другому, отличие кристаллографической ориентации поверхности (311) от поверхности (100), приводящее к анизотропии валентной зоны, не является единственной причиной оптической анизотропии латеральных сверхрешеток (311)А второго типа (т.е. с тонкими слоями GaAs и AIAs). Существенный вклад вносит гофрировка (corrugation) гетерограниц согласно модели Р.Нотцеля и Н.НЛеденцова, когда высота гофрирования составляет величину 1 нм, а латеральный период равен 3.2 нм. В отличие от кристаллографической ориентации поверхности (311), гофрировка гетерограниц, играет определяющую роль во всех основных оптических свойствах сверхрешеток GaAs/AIAs второго типа на поверхности (311)А.

2. Гофрировка гетерограниц сверхрешеток GaAs/AIAs на поверхности (311)В отличается от гофрировки сверхрешеток на поверхности (311)А. В отличие от последних гофрировка в сверхрешетках (311)В более слабая: гетерограницы более гладкие, латеральный период величиной 3.2 нм проявляется намного слабее, присутствует длинноволновый (>10 нм) беспорядок, вертикальная корреляция областей богатых GaAs и AlAs отсутствует. При этом высота гофрировки равна 1 нм и совпадает с высотой гофрировки сверхрешеток на поверхности (311)А.

3. Обнаружена оптическая анизотропия (311)В-ориентированных сверхрешеток GaAs/AIAs. Оптическая анизотропия сверхрешеток на поверхности (311)В существенно (в разы) меньше, чем в случае сверхрешеток на поверхности (311)А и практически полностью определяется ориентацией подложки. Степень экспериментально обнаруженной оптической анизотропии совпадает с расчетом [27,28] для плоских гетерограниц.

4. Сверхрешетки с тонкими слоями GaAs и AlAs, выраще^ше на поверхности (311)A GaAs, имеют на порядок более интенсивную люминесценцию и приблизительно от 100 до 300 мэВ большее значение энергии максимума люминесценции, чем сверхрешетки на поверхности (311)В GaAs.

5. Установлено, что при средней осаждаемой толщине GaAs более 2 нм сверхрешетки (311)В относятся к первому типу и минимумом зоны проводимости у них является Г-долина GaAs. Если осаждаемая толщина GaAs менее 2 нм, то сверхрешетки (311)В относятся ко второму типу и дном зоны проводимости у них является Х-долина AIAs. Это отличает сверхрешетки (311)В от сверхрешеток (311)А, которые при толщине GaAs менее 3.5 нм всегда имеют непрямую структуру запрещенной зоны и относятся ко второму типу. Такое поведение сверхрешеток (311)В объясняется наличием в них локально толстых областей GaAs, где структура запрещенной зоны является прямой как в реальном, так и в к-пространстве.

6. Обнаружена гигантская (около 70%) поляризационная анизотропия фотолюминесценции сверхрешеток GaAs/AIAs второго типа на поверхности (311)А. Величина анизотропии в случае сверхрешеток, содержащих массив квантовых проволок или гофрированных слоев GaAs, была выше, чем в случае сверхрешеток, содержащих массив квантовых кластеров или точек GaAs.

7. Показано, что гигантское замешивание Г и X минимумов зоны проводимости имеет место для сверхрешеток с сильно гофрированными гетерограницами и позволяет получить ярко-красную люминесценцию вблизи б 50 нм вплоть до комнатной температуры. $

8. Предложена неразрушающая методика исследования структуры гетерограниц латеральных сверхрешеток GaAs/AlAs, основанная на поляризационно-чувствительной фотолюминесценции. Степень поляризационной анизотропии и положение максимума фотолюминесценции позволяет определять наличие гофрированных слоев, квантовых кластеров и точек в сверхрешетках (311)А.

Заключение.

Таким образом, методами фотолюминесценции и высокоразрешающей электронной микроскопии на просвет в работе были исследованы новые квантовые эффекты, имеющие место в сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенных на поверхностях (311)А, (311 )В и (100). Установлено, что в латеральных сверхрешетках (311)А с тонкими слоями GaAs и AlAs именно гофрировка гетерограниц, а не отличие кристаллографической ориентации поверхности (311) от поверхности (100) играет ключевую роль в их оптических свойствах.

Автор благодарит профессора Н.НЛеденцова за помощь в научной работе, родителей за поддержку, В.В.Преображенского, Б.Р.Семягина за изготовление структур, а также К.С.Журавлева.

1. А.П.Силин. Полупроводниковые сверхрешетки. УФН, 1985, том 147, выпуск 3, с.485-521.

2. М.Херман. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989, с. 240.

3. H.Haken. Synergetics (Springer, Berlin-Heidelberg, 1997).

4. R.Notzel, N.N.Ledentsov, L.A.Daweritz, M.Hohenstein, K.PIoog. Direct synthesis of corrugated superlattices on non-(100)-oriented surfaces. Phys. Rev. Lett., 1991, v.67, N27, pp. 3812-3815.

5. R.Notzel, N.N.Ledentsov, L.A.Daweritz, K.PIoog, M.Hohenstein. Semiconductor quantum-wire structures directly grown on high-index surfaces. Phys. Rev В, 1992, v. 45, N7, pp. 3507-3515.

6. Н.НЛеденцов, В.М.Устинов, В.А.Щукин, П.С.Копьев, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор. ФТП, 1998, том 32, N4, с. 385 - 410.

7. В.И.Гавриленко, А.М.Грехов, Д.В.Корбутяк, В.ГЛитовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наукова Думка, 1987, 608с.

8. L.Pavesi, M.Guzzi. Photoluminescence of AlxGa|.xAs alloys. J. Appl. Phys., 1994, v. 75, N10, pp. 4779-4842.

9. Z.M.Wang, L.Daweritz, K.H.Ploog. Molecular-beam epitaxial growth and surface characterization of GaAs(311)B. Appl. Phys. Lett., 2001, v. 78, N6, pp. 712 - 714.

10. H.D.Gershoni, I.Brener, G.A.Baraff, S.N.G.Chu, L.N.Pfeiffer, K.West. Anisotropic optical properties of (110)-oriented quantum wells. Phys. Rev. B, 1991, v. 44, N4, pp. 1930-1933.

11. Y.Kajikawa, M.Hata, T.Isu, Y. Katayama. Anisotropy of spectra of photocurrent in GaAs/AlAs (110) superlattices. Surf. Sci., 1992, N267, pp. 501-509.

12. U.Schmid, N.E.Christensen, M.Cardona, F.Lukes, K.PIoog. Optical anisotropy in GaAs/AlAs (110) superlattices. Phys. Rev. B, 1992, v. 45, N7, pp. 3546-3551.

13. S.Nojima. Anisotropy of optical transitions in (110)-oriented quantum wells. Phys. Rev. B, 1993, v. 47, N20, pp. 13535-13539.

14. R.N6tzel, L.A.Daweritz, N.N.Ledentsov, K.Ploog. Size quantization by faceting in (llO)-oriented GaAs/AlAs heterostructures. Appl. Phys. Lett., 1992, v. 67, N13, pp. 1615 -1617.

15. T.Kato, T.Takeuchi, Y.Inoue, S.Hasegawa, K.Inoue, H.Nakashima. Stacked GaAs multi-quantum wires grown on vicinal GaAs(llO) surfaces by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, N4, pp. 465 - 467.

16. Z.Yang, Y.Sheng, Y.Q.Wang. In plane optical Anisotropy of (N11) GaAs/GaAIAs Superlattices.- 9th International Conference on Superlattices Microstructures and Microdevices "ICSMM-9", 1996, Liege, Belgium, ThPPT-6.

17. R.N6tzel, N.N.Ledentsov, L.A.Daweritz, K.Ploog. Method of fabricating a compositional semiconductor device. US patent US5714765, issued 3.02.1998, priority 29.01.1991.

18. R.N6tzel, N.N.Ledentsov, K.Ploog. Confined excitons in corrugated GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. B, 1993, v. 47, N3, pp. 1299 - 1304.

19. M.Wassermeier, J.Sudijono, M.D.Johnson, K.T.Leung, B.G.Orr, L.A.Daweritz, K.Ploog. Reconstruction of the GaAs (311)A surface. Journal of Crystal Growth, 1995, v. 150, pp. 425-429.

20. M.Wassermeier, J.Sudijono, M.D.Johnson, K.T.Leung, B.G.Orr, L.A.Daweritz, K.Ploog. Reconstruction of the GaAs (311)A surface. Phys. Rev. B, 1995, v. 51, N20, pp. 14721-14724.

21. C.Jouanin, A.Hallaoui, D.Bertho. Optical anisotropy of (311) superlatticcs. Phys. Rev. B, 1994, v. 50, N3, pp. 1645 - 1648.

22. G.Armelles, P.Castrillo, P.S.Dominguez, L.Gonzalez, A.Ruiz, D.A.Contreras-Solorio, V.R.Vi-lasco, and F.Garsia-Moliner. Optical anisotropy of (113)-oriented GaAs/AIAs superlattices. Phys. Rev. B, 1994, v. 49, N19, pp. 14020-14023.

23. F.Briones, L.Gonzalez, A.Ruiz. Atomic layer molecular beam epitaxy (Almbe) of III-V compounds: growth modes and applications. Appl. Phys. A, 1989, v. 49, pp. 729 - 737.

24. P.Vogl, H.P.Hjalmarson, and J.D.Dow. A semi-empirical tight-binding theory of the electronic structure of semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, 1983, v. 44, N5, pp. 365-378.

25. D.J.Chadi. Spin-orbit splitting in crystalline and compositionally disordered semiconductors. Phys. Rev. B, 1977, v. 16, N2, p. 790.

26. F.Garsia-Moliner and V.R.Velasco. Theory of Single and Multiple Interfaces (World Scientific, Singapore, 1992).

27. M.C.Munoz, V.R.Velasco, and F.Garsia-Moliner. Electronic structure of AlAs-GaAs superlattices. Phys. Rev. B, 1989, v. 39, N3, p. 1786.

28. G.Armelles, M.C.Munoz, V.R.Velasco, and F.Garsia-Moliner. Spcctral Phenomenology of (001) AlAs-GaAs superlattices. Superlatt. Microstruct., 1990, v.7, N1, pp. 23-27.

29. D.A.Contreras-SoIorio, V.R.Velasco, and F.Garsia-Moliner. Electronic structure of (311) AlAs-GaAs superlattices. Phys. Rev. B, 1993, v. 47, N 8, pp. 4651 -4654.

30. D.A.Contreras-Solorio, V.R.Velasco, and F.Garsia-Moliner. Electronic states of (001) and (311) AlAs/GaAs quantum wells. Phys. Rev. B, 1993, v. 48, N 16, pp. 12319- 12322.

31. М.В.Белоусов, В.Л.Берковиц, А.О.Гусев, Е.Л.Ивченко, П.С.Копьев, Н.НЛеденцов, А.И.Несвижский. Оптическая анизотропия сверхрешеток GaAs/AIAs, выращенных вдоль направления 113. Физика твердого тела, 1994, том 36, N4, стр. 1098- 1105.

32. Г.А.Бир, Г.Е.Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М. Наука, 1972.

33. A.Chiari, M.Colocci, F.Fermi, Yuzhang Li. Temperature Dependence of the Photoluminescence in GaAs-GaAIAs Multiple Quantum Well Structures. Phys. Stat. Sol. (b), 1988, v. 147, pp. 421 -429.

34. I.L.Spain, M.S.Skolnik. Photoluminescence spectroscopy in GaAs/AIAs superlattices as a function of temperature and pressure The influence of sample quality. - Phys. Rev. B, 1991, v. 43, N 17, pp. 14091-14098.

35. M.Nakayama, I.Tanaka, I.Kimura, H.Nishimura. Photoluminescence Properties of GaAs/AlAs Short-Period Superlattices. Japan. Journal of Appl. Physics, 1990, v.29, N1, pp.41 -47.

36. A.A.Kiselev, U.Rossler. Quantum wells with corrugated interfaces. Theory of electron states. - Phys. Rev. B, 1994, v. 50, N 19, pp. 14283 - 14286.

37. C.Jouanin, D.Bertho. Electronic and optical properties of corrugated GaAs/AlAs superlattices. Superlattices and Microstructures, 1994, Vol. 16, N 3, pp. 299 — 233.

38. M.A.Herman, D.Bimberg, and J.Christen. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: Evaluation by luminescence techniques. J. Appl. Phys., 1991, v. 70, N2,R1 -R52.

39. M.Tanaka and H.Sakaki. Atomistic models of interface structures of GaAs-AlxGai. xAs (x = 0.2 1) quantum wells grown by interrupted and uninterrupted MBE. J. Cryst. Growth, 1987, v. 81, pp. 153 - 158.

40. A.Regreny, P.Auvray, A.Chomette, B.Deveaud, G.Dupas, J.Y.Emery and A.Poudoulec. Growth and interface characterization of GaAs/GaAIAs superlattices. Revue Phys. Appl., 1987, Tome 22, N5, pp. 273 278.

41. R.F.Kopf, E.F.Schubert, T.D.Harris, and R.S.Becker. Photoluminescence of GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy with growth interruptions. Appl. Phys. Lett., 1991, v. 58, N6, pp. 631 -633.

42. M.V.Klein, M.D.Struge, E.Cohen. Exponential distribution of the radiative decay rates induced by alloy scattering in an indirect-gap semiconductor. Phys. Rev. B, 1982, v. 25, N6, p. 4331.

43. F.Minami, K.Hirata, and K.Era, T.Yao, Y. Masumoto. Localized indirect excitons in a short-period GaAs/AlAs superlattice. Phys. Rev. B, 1987, v. 36, N5, p. 2875.

44. L.Braginsky, E.Baskin, A.Kovchavtsev, G.Kutyshev, K.Postnikov, I.Subbotin. Emission of short-wavelength phonons in tunneling through Schottky barriers. Phys. Rev. B, 1995, v. 51, pp. 17718 17727.

45. E.Baskin, L.Braginsky. Short-wavelength phonon emission from a metal -semiconductor interface. Phys. Rev. B, 1994, v. 50, pp. 12191 12198.

46. В.Я.Принц, И.А.Панаев, В.В.Преображенский, Б.Р.Ссмягин. Высокотемпературная анизотропия проводимости сверхрешеток GaAs квантовых проволок, выращенных на фасетированных поверхностях 311 А. -Письма в ЖЭТФ, 1994, том 60, вып. 3, стр. 209-212.

47. Paulo V.Santos, A.Cantarero, M.Cardona, R.Notzel, K.PIoog. Optical properties of (31 l)-oriented GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. B, 1995, v. 52, N 3, pp. 19701977.

48. G. Armelles, P. Castrillo, P.D. Wang, C.M. Sotomayor Torres, N.N. Ledentsov and N.A. Bert. Interface structure of GaAs/AIAs superlattices grown on (113) surfaces: Raman scattering studies. Solid State Commun., 1995, v. 94, pp. 613-617.

49. P.Castrillo, G.Armelles, J.BarboIla. Consequence of interface corrugation on the lattice dynamics and Raman spectra in high-index AlAs/GaAs superlattices. Solid State Electronics, 1996, v. 40, ns. 1-8, pp. 175 - 180.

50. Z.V.Popovic, M.V.Vukomirovic, Y.P.Raptis, E.Anastassakis, R.Notzcl, K.Ploog. Folded phonons from lateral periodity in (311) GaAs/AlAs corrugated superlattices. -Phys. Rev. B, 1995, v. 52, N 8, pp. 5789 5794.

51. D.LuerBen, A.Dinger, II.Kalt, W.Braun, R.Notzel, K.Ploog, J.Tummler, J.Geurts. Interface structure of (001) and (113)A GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. B, 1998, v. 57, N3, pp. 1631 - 1636.

52. V.A.Shchukin, A.I.Borovkov, N.N.Ledentsov, P.S.Kop'ev. Theory of quantum-wire on corrugated surface. Phys. Rev. B, 1995, v. 51, N24, pp. 17767-17779.

53. P.Castrillo, G.Armelles, L.Gonzalez, P.S.Dominguez, L.Colombo. Phonon properties and Raman response of (113) GaAs/AlAs corrugated superlattices. Phys. Rev. B, 1995, v. 51, N3, pp. 1647 - 1652.

54. Brandt, K.Kanamoto, Y.Tokuda, N.Tsukada, O.Wada, J.Tanimura. Optical properties of a high-quality (311 )-oriented GaAs/Alo.33Gao 67As single quantum well. Phys. Rev. B, 1993, v. 48, pp. 17599-17602.

55. P.Moriarty, Y.-R. Ma, A.W. Dunn, P.H. Beton, M. Henini, C. McGinlcy, E. McLoughlin, A.A. Cafolla, G. Hughes, S. Dowes, D. Teehan, and B. Murphy.

56. Absence of long-range ordered reconstruction on the GaAs(311 )A surface. Phys. Rev. B, 1997, v. 55, N 23, pp. 15397-15400.

57. Y.Hsu, W.I.Wang, T.S.Kuan. Molecular-beam epitaxial GaAs/AlAs superlattices inithe (311) orientation. Phys. Rev. B, 1994, v. 50, N7, pp. 4973 - 4975.

58. L.Geelhaar, J.Marquez, KJacobi. Step structure on GaAs(l 13)A studied by scanning tunneling microscopy. Phys. Rev. B, 1999, v. 60, pp. 15890 - 15895.

59. A.B.Vorob'ev, A.K.Gutakovsky, V.Ya. Printz, and M.A. Putyato. Interface corrugation in GaAs/AlAs (311)A superlattices. Appl. Phys. Lett., 2000, v. 77, pp. 2976-2978.

60. M.IIg, R.Notzel, and K.Ploog. Morphology transformations of GaAs high-index surfaces during the initial stages of strained-layer overgrowth. Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62, pp. 1472-1474.

61. M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.V.Bolotov, V.A.Sachkov, G.A.Lyubas, V.V.Preobrazhenski, B.R.Semyagin. Reconstruction of GaAs/AlAs (311) and (100) interfaces: Raman study. Solid State Phenomena, 1999, Vols. 69-70, pp. 507-512.

62. D. Bimberg, M. Grundmann and N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures. -1999, John Wiley & Sons, Chichester, 328 p.

63. В.А.Кульбачинский. Двумерные, одномерные, нульмерные структуры и сверхрешетки. 1998, изд-во Физического факультета МГУ, 164 стр.

64. N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.E.Zhukov, M.V.Maximov, I.G.Tabatadze, P.S.Kop'ev. Optical properties of heterostructures with InGaAs-GaAs quantum clusters. ФТП, 1994, том 28, с. 1484 - 1488 Semiconductors, 1994, v. 28, pp. 832-834.

65. E. Tournie, R. Notzel, and К. H. Ploog. Tunable generation of nanometer-scale corrugations on high-index III-V semiconductor surfaces. Phys. Rev. В, 1994, v. 49, pp. 11053-11059.

66. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov and D. Bimberg. Tuning and breakdown of faceting under externally applied stress. Phys.Rev. B, 1995, v. 51, pp. 10104-10118.

67. R. Notzel, D. Essler, M. Hohenstein, and K. Ploog. Periodic mesoscopic step arrays by step bunching on high-index GaAs surface. J. Appl. Phys., 1993, 74, pp.431 -435.

68. C.Lobo, R.Leon. InGaAs islands shapes and adatom migration behavior on (100), (110), (111), and (311) GaAs surfaces. Journal of Applied Physics, 1998, v. 83, N8, pp. 4168-4172.

69. В.С.Бурмасов, Б.А.Князев, Г.А.Любас, М.Г.Федотов. Статический Фурье-спектрометр на базе персонального компьютера с регистрацией фотодиодной линейкой. Препринт, НГУ, 1992, 10 стр.

70. В.С.Бурмасов, Б.А.Князев, Г.АЛюбас, М.Г.Федотов. Статический Фурье-спектрометр на базе персонального компьютера с регистрацией фотодиодной линейкой. Приборы и техника эксперимента, 1994, выпуск 6, стр. 178.

71. A.Y.Cho, J.R.Arthur. Molecular Beam Epitaxy. Progr. Sol. State Chem., 1975, v.10, part 3, pp. 157-191.

72. L.L.Chang, L.Esaki, W.E.Howard, R.Ludeke, and G.Schul. Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy. J. Vac. Sci. Technol., 1973, v. 10, N5, p. 655.

73. K.PIoog, G.H. Dohler. Compositional and doping superlattices in III-V semiconductors. Adv. Phys., 1983, v. 32, N 3, pp. 285 359.

74. С.В.Гапонов, Б.МЛускин, Н.Н.Салащенко. О возможности получения структур со сверхрешеткой методом лазерного напыления. Письма в ЖТФ, 1979, т. 5, вып. 9, с. 516-521.

75. Л.Ченг, К.Плог. Молекулярно-лучевая эпитаксия. М„ Мир, 1989.

76. V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, D.Bimberg. Epitaxy of Nanostructures. ISBN 3.54067817-4, Springer Series on Nanoscience and Thechnology, Springer, Berlin 2002, 320 pp.

77. F.Clerot, B.Deveaud, A.Chomette, A.Regreny, and B.Sermage. Hot-exciton cascades in coupled quantum wells. Phys. Rev. B, 1990, v.41, N9, pp. 5756-5762.

78. C.Weisbuch. Photocarrier thermalization by laser excitation spectroscopy. Solid. State Electronics, 1978, 21, pp. 179-183.

79. P.P.Ruden, D.C.Englehart and J.K.Abrokwah. Electronic subbands for AlxGa|. xAs/GaAs multilayer and superlattice structures. J. Appl. Phys., 1987, v.61, N1, p.294.

80. D.F.Nelson, R.C.Miller, C.W.Tu, and S.K.Sputz. Exciton binding energies from an envelope-function analysis of data on narrow quantum wells of integral monolayer widths in Alo.4Gao.6As/GaAs. Phys. Rev. B, 1987, v. 36, N 15, p. 8063.

81. E.M.WilIiams and H.B.Bebb. Semiconductors and Semimetals, edited by R.K.Willardson and A.C.Beer (Academic, New York, 1972), vol. 8, p.321.

82. K.Fujiwara, N.Tsukada, T.Nakayama, T.Nishido. Linear polarization effects in anisotropic photoemission from GaAs/AIAs short-period superlattice. Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, N21, p.1717-1719.

83. Yia-Chung Chang, J.N.Shulman. Interband optical transitions in GaAs-Gai.xAlxAs and InAs-GaSb superlattices. Phys. Rev. B, 1985, v. 31, N4, p. 2069.

84. Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Ichimura, N. Yamada, D.E.Mars and Г. Takeuchi. Blue vertical-cavity surface-emitting lasers based on second-harmonic generationgrown on (311)B and (411)A GaAs substrates. J. Appl. Phys., 2000, v.87, pp. 15971603.

85. K. Tateno, Y. Ohiso, C. Amano, A. Wakatsuki, and T. Kurokawa. Growth of vertical-cavity surface-emitting laser structures on GaAs (311 )B substrates by metalorganic chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, pp. 33953397.

86. P.O.Vaccaro, H.Ohnishi, and K.Fujita. Lateral-junction vertical-cavity surface-emitting laser grown by molecular-beam epitaxy on a GaAs (31 l)A-oriented substrate. Appl. Phys. Lett., 1999,74, pp. 3854 3856.

87. D.S.Jiang, X.Q.Zhou, M.Oestreich, W.W.RUhle, R.Notzel, and K.PIoog. Relaxation of excitons in corrugated GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. B, 1994, v.49, pp. 10786-10789.

88. R. Heitz, M. Veit, N.N. Ledentsov, A.Hoffmann, D. Bimberg, V.M.Ustinov, P.S. Kop'ev and Zh.I. Alferov. Energy relaxation by multiphonon processes in InAs/GaAs quantum dots. Phys. Rev. B, 1997, v. 56, pp. 10435 -10445.

89. A.J. Shields, R. Notzel, M. Cardona, L. Daweritz and K. Ploog. Confined phonons in GaAs/AIAs superlattices with periodically corrugated interface. Appl. Phys. Lett., 1992, 60, pp. 2537-2539.

90. Z.V. Popovic, E. Richter, J. Spitzer, M. Cardona, A.J. Shields, R. Notzel, and K. Ploog. Phonon properties of (311) GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. B, v. 49, pp. 7577-7583.

91. Н.З.Вагидов, З.С.Грибников, В.М.Ива1ценко. Моделирование переноса электронов в реальном пространстве гетероструктуры GaAs/AlxGai-xAs (для малых и больших значений х). Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, вып. 6, стр. 1087.

92. W. Langbein, D. LUerBen, and Н. Kalt, J. M. Hvam, W. Braun and K. Ploog. Influence of the interface corrugation on the subband dispersions and the optical properties of (113)-oriented GaAs/AlAs superlattices. Phys. Rev. B, 1996, 54, pp. 10784-10799.

93. K.B.Шалимова. Физика полупроводников. M. Энергоатомиздат, 1975,392с.

94. В.Я.Алешкин, А.А.Андронов. Гигантская инверсная населенность горячих электронов в гетероструктурах типа GaAs/AlAs с квантовыми ямами. Письма в ЖЭТФ, 1998, том 68, выпуск 1, стр. 73 77.

95. В.Я.Алешкин, А.А.Андронов. Бесфононные и дипольные Г-Х переходы электронов в гетероструктурах типа GaAs/AIAs с квантовыми ямами в продольном электрическом поле. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, выпуск 5, стр. 595 601.

96. Список публикаций по теме диссертации.

97. Г.АЛюбас, Н.НЛеденцов, ДЛитвинов, Д.Герцен, И.П.Сошников,

98. Г.АЛюбас, Н.НЛеденцов, ДЛитвинов, Д.Герцен, И.П.Сошников, В.М.Устинов. Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)А- и

99. В-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs. Письма в ЖЭТФ, 2002, том 75, выпуск 4, стр. 211-216. JETP Letters, 2002, Vol. 75, No. 4, pp. 179-183.

100. G.A.Lyubas, N.N.Ledentsov, D.Litvinov, D.Gerthsen, I.P.Soshnikov, V.M.Ustino^!

101. Г.АЛюбас, Н.НЛеденцов, ДЛитвинов, Д.Герцен, И.П.Сошников,

102. M.D.Efremov, V.A.Volodin, V.V.Bolotov, V.A.Sachkov, G.A.Lyubas, V.V.Preobrazhenski, B.R.Semyagin. Reconstruction of GaAs/AIAs (311) and (100) interfaces: Raman study. Solid State Phenomena, 1999, Vols. 69-70, pp. 507-512.

103. E.M.Trukhanov, K.B.Frizler, G.A.Lyubas, A.V.Kolesnikov. Evolution of film stress with accumulation of misfit dislocations at semiconductor interfaces. Applied Surface Science, 1998, 123/124, pp. 664-668.

104. E.M.Trukhanov, A.V.Kolesnicov, G.A.Lyubas. Long-range stress field of misfit dislocations and possibility of perfect epitaxy for semiconductor films. Inst. Phys. Conf., Ser. No 155: Chapter 3, 1997, pp. 299-302; IOP Publishing Ltd.9

105. В.С.Бурмасов, Б.А.Князев, Г.АЛюбас, М.Г.Федотов. Статический Фурье-спектрометр на базе персонального компьютера с регистрацией фотодиодной линейкой. Препринт. Новосибирский университет. Новосибирск, 1992, 10 стр.

106. В.С.Бурмасов, Б.А.Князев, Г.АЛюбас, М.Г.Федотов. Статический Фурье-спектрометр на базе персонального компьютера с регистрацией фотодиодной линейкой. Приборы и техника эксперимента, 1994, выпуск 6, с. 178.