Электропроводность и термо-Э.Д.С. простых и сложных жидких полупроводников в области высокотемпературного перехода "металл-неметалл" тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ



1

^ ' ЛЬВОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

имени ИВАНА ФРАНКО

На правах рукописи

СКЛЯРЧУК

Василий Михайлович

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ И ТЕРМО-Э. Д. с.

ПРОСТЫХ и сложных жидких

ПОЛУПРОВОДНИКОВ В ОБЛАСТИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПЕРЕХОДА «МЕТАЛЛ-НЕМЕТАЛЛ»

Специальность 01.04.07 — физика твердого тела

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Львов — 1992

Работа выполнена на кафедре рснтгенометаллофизики и в Институте прикладной физики Львовского государственного университета имени Ивана Франко.

Научный руководитель — доктор физико-математических наук, профессор

ДУТЧАК Я. И.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, профессор, ХАРЬКОВ Е. И., кандидат физико-математических наук, доцент, МУДРЫЙ С. И.

Ведущая организация —■ Львовский политехнический институт.

Защита состоится «__» ......... _ . 1992 г. в_часов

на заседании Специализированного Совета Д 068.26.05 при Львовском государственном университете им. Ив. Франко по адресу: 290005, г. Львов-5, ул. Ломоносова, 8а.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Львовского государственного университета.

Автореферат разослан «_ »_1992 г.

Ученый секретарь специализированного Совета Д 068.26.05 доктор физ.-мат. наук

ПОЛОВИНКО И. и.

1шл | ссэ г

-з-

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность. К настоящему времени в физике некристаллическо-и-) состояния вещества накоплен значительный объем экспериментальных и теоретических данных, которых, однако.недостаточно но только для создания общей теории, но и для формирования отдольных завершенных концепций. К- таковым следует отнести концепцию перехода "металл - неметалл". Здесь наше понимание ограничивается модельными представлениями о тривиальном энергетическом спектре электронов с псевдозазором по подвижности, которые, зачастую, недостаточно аргументированы экспериментом. Кроме того, такой уровень знаний явно одерживает практическое использование жидких полупроводников.

Успешное развитие физики перехода "металл - неметалл" во многом зависит от объективности и достаточности экспериментальных данных. Вопрос о том, как и какие свойства измерять приобретает • ■•.обую значимость ,.так как к высокотемпературным расплавам неприменимы методики, используемые при изучении свойств твердого тело, что затрудняет получение прямой информации о состоянии электронной подсистемы. Многое также зависит от правильного выбора объектов экспериментальных исследований.

- экспериментальное изучение закономерностей перехода "металл -

центрации в жидких полупроводниках с разными механизмами переноса заряда (электронным, дырочным и при наличии ионного вклада), а также определение возможности и перспектив практического применения жидких полупроводников.

Лая достижения доли: - основной упор сделан на комплексное изучение наиболее илформ» тканых параметров - электропроводности и термо-э.д.'с. сильно иг

неметалл", обусловленного измонением температуры, давления и ¡юн-

¡»¡егимных полупроводниковых расплавов, ucnöot» внимание уделяется изучению корреляции между электропро-'ЛШЛЛ'ЫО и тормо-э.д.с.

наполнений задачи обеспечивается за счет создания новой экспериментальной методики и правильного выбора объектов исследования.

определение перспектив практическою применения полученных результатов.

научная новизна. Впервые в широком интервале Д8ВЛ0НИЯ ( до 4.Olli' IIa) и температур (до 2000 К) проведены комплексные измерения электропроводности.термо-э.д.с. и плотности трехкомпонентных расплавов CuTlTe2, CuTlS»,. CuAsTe2. CuAsSej. TlAsT*,. TIAkS»,; псевдодвухкомионентноЯ системы cu.ccuAsSbP,.,,,(л»0.20,0.40,0.60,0.65, 0.70,0.72,0.74,0.76,0.78,0.80); двухкомпонентных расплавов Ti.s«,., (1*0.60,0.62,0.64,0.66,0.667,0.68).

Показано,что независимо от природы исследованных расплавов ширина температурного интервала, в котором происходит переход "полупроводник-металл" пропорциональна средней температуре перехода.

Изучены закономерности, впервые обнаруженного, высокотемпера- ■ турного обратного перехода "металл - неметалл". Предложена модель линейно расширнпдегося с температурой псевдозаэора ю подвижности.

Предложен механизм металлизации жидких полупроводников со сметанной проводимостью, включая ионную составляющую.

П£.ак1нчес^я ценность, разработан и реализован способ высокотемпературных измерений электропроводности агрессивных расплавов.

Создан высокотемпературный термопреобразователь, сохранялций работоспособность в потоках тепловых нейтронов.

На э а щи ту выносится

I. Способ и устройство для высокотемпературных исследований atpoccwuHbix расплавов.

-б-

2. Новые экспериментальные и расчетные данные по электропроводности,термо-э. д.о. и плотности ряда полупроводниковых расплавов.

3. Мэдель обратного перехода "металл - неметалл", обнаруженного при значительных перегревах выше температуры металлизации.

4. Мехенизы металлизации жидких полупроводников со смешанной проводимостью, ввитая данную составляющую.

Б.Радиационностойкий высокотемпературный термопреобразователь.

лпровацня работы. Основные результаты диссертациэнной работы опубликованы в 14 печатных работах и обсуждены на 5, 6, 7 Всесоюзных конференциях по строению и свойствам металлических и шлаковых расплавов (Свердловск 1983, 1986, Челябинск 1990),; На третьей Все-соизной конференции по термодинамике' и материаловедению полупроводников (Москва 1986). На научно-техническом семинаре "Ближний порядок в металлических расплавах и структурно-чувствительные свойства вблизи границ устойчивости фаз" (Львов 1968 г.).

структур» и обь«и работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, в которых приведены основные результаты работы, и приложения. Диссертация содержит 150 страниц машинописного текста, включая 35 рисунков и 7 таблиц. Список цитируемой ли' ' • л' , * '*•

тературы составляет 123 библиографических назвайия. »•

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТУ

во введении обсуждается актуальность темы, сформулирована цель работы, отмечается научная новизна и практическая ценность ■ проведенных исследований, а также приводятся основные положения - выносимые на. защиту.

Первая г<а»а - обзорная, в которой изложены основные представления о переходе "металл - неметалл- в жвдсих полупроводниках.

Теория этого перехода развивается в двух направлениях:

- созданы полуколичественные модели электронного спектра, основанные на понятии локализации Андерсона, которые связывают переход "неметалл - металл" с исчезновением псевдозазора по подвиашости.

- на базе теории перколяции создаются гетерогенные модели перехода к "металлической проводимости", объясняющие переход как следствие достижения критического объема металлической составляющей в неоднородном расйлаве. Отмечено, что эти модели менее совершенны, чем гомогенные и, к сожалению, пока не наши корректного экспериментального подтверждения.

Подчеркивается, что наряду с заметным прогрессом теории, экспериментальные исследования перехода "полупроводник - металл" базируются в основном на высокотемпературных исследованиях электропроводности и лишь ограниченное число работ посвящено исследованию других параметров, в частности термо-э.д.с.

вторая глава посвящена методам измерений. Проанализированы методические трудности, возникагщиэ при высокотемпературных исследованиях сильноагрессивных расплавов - жидких полупроводников, дано обоснование выбора конструкционных материалов и примененной методики. Описана камера высокого давления, в такие измерительный комплекс для получения данных по электропроводности (погрешность до 2.СХ) и термо-э.Д;с. (погрешность до б.Ох) жвдкнх полупроводни-' ков под давлением до 4.6*Ю7 Па и в широком интервале температуры до 2000 К, а также г - метод измерения плотности . (погрешность ОЛх). 4 " '

Синтез исследованных сплавов выполнен путем прямого сплавления компонентов. Исходные компоненты чистотой не хуже 99.999 х помещались в кварцевую ампулу, которая откачивалась (до 10-* мм.рт. ст.), после чего запаянная ампула помещалась в специальный нагре-

Ъатель. Температурно временной режим синтеза выбирался в зависимости от индивидуальных свойств изучаемых систем. Для измерений электропроводности и термо-э.д.с. наш созданы, с учетом формализма Навье-Стокса, многозонные ячейки из нитрида бора с графитовыми электродами (рис.1). Применение такой ячейки Епервые дало возмож-• йость, оценить и исключить составляицую погрешности измерения о-(Т) за счет диффузии исследуемой жидкости в керамическую стенку измерительного контейнера. Дело в том, что при высокотемпературных исследованиях сильно агрессивных расплавов, какими являются исследуемые нами объекты, формируется шунтирулций слой на поверхности ячейки за счет проникновения расплава в пористую керамику. Формирование проводящего слоя на внутренней поверхности измерительной ячейки можно рассматривать как увеличение радиуса исследуемого образу на эффективную величину Дг. Стало быть, падение напряжения и0 на участке образца между I и J - электродами, пло-. щадью ^-пСг»лг>», длиной 1Ц при силе тока I принимает вид:

где >4 - радиус I— зоны. На практике к и0 добавляется наводка в измерительном тракте, которую в условиях'высоких температур и давлений не удается полностью исключить традиционными методами, что также формирует дополнительную погрешность. Поэтому суммирование вышеизложенных фактов дает выражение для электропроводности:

Проводя измерения между всевозможными парами зондов, записываем систему из пяти уравнений. Решая ее, мы аналитически исключаем - составляющую погрешности за счет эффекта шунтирования и наводок в измерительных цепях, получая при этом искгмое значение а.

При определении термо-э.д.с. свдчг.ла измеряются падения нап-

ряжения между одноименными термоэлектродами, после чего производятся известные вычисления. Разность температур вдоль образда составляла , как правило, ~ 20 К.

Измерения плотности выполнены автором на установхе институте Теплофизики СО АН СОСР.

Весь массив экспериментальной информации обрабатывался с помощью апроксимациэнных уравнений методом наименьших квадратов. Оптимальная степень епроксимационных полиномов выбиралась о помощь® критерия Фишера. •

Рио.1. Трехэонная ячейка для измерении »(Т) и £(Т).

Тратья глава ПОСВЯЩвНЭ ИССЛвДОВЭНИЮ раСПЛЭВОВ Те. Си1Т». Си.Зв, СиТ1 Те,. СиПЭв,, СиА=Твг. Си А* Ее,, Т1АяТв,, Т1 Ах5в,.

Комплексно измерены »(Т) и з(Т) двух-и трехкомпонентных расплавов хв'лысогенадов до температуры 1800 К и при давлении до 4.6» 1СР Па, а также плотности т», отт®,. сипз»,. Для всех составов <ЧТ) имеет общие закономерности. Дэ некоторой температуры присущей для каждого расплава, электропроводность описывается экспоненциальной зависимость!), после чего ¿»(Т) насыщается, что интерпретируется как переход полупроводник - металл. Металлизация нэб-лццается также на зависимостях з(Т). Совместный анализ данных по о-(Т) и з(Т) не подтверждает теоретически ожидаемого совпадения параметров энергетического спектра, определяемых отдельно по электропроводности и термо-э.д.с. В частности:

- температура металлизации определенная из эстэ,- всегда ниже

- энергия активации Е^О) не 'совпадает с Е"(0).

- характерной особенностью является наличие изломов на зависимостях 1а»-гетто, которые отображают увеличение энергии активации проводимости от Е^О), к Е^СО),, при неизменной Е*(0).

- вблизи перехода-закономерно выполняется соотношениэ:Ев,(0)>Е*(0).

Интерпретация высокотемпературного'перехода "полупроводник -• металл" проведена в рамках известной модели. Модель основана на выводах теории протекания и базируется на том, что в трехмерном пространстве существуют два порога: верхний и нижний. Шэтому, в реальных системах, в которых флуктуации потенциала являются следствием возраставших с температурой микронеодвородностей, край подвижности формально рассщепляется й образует энергетический интервал. Электропроводность формируется состояниями с энергией а

-ю- ■

термо-э.д.с.- Е*Е£.При этом Е^-Е^Ек-е; и эволюция их описывается

выражениями, которые является функциями температуры:

Е*. - Б? = е"(0) - Г°т; ЕР - Е; Е'СОЗ -

где Е°"(0) и Е"(0) - экстраполированные к О К значения расстояний

и от Ер. г" и г* - температурные коэффициенты, определяющие

скорость смещения Е? и к Е,г.

В рамках положений о многоэлектронном экранировании свободными носитолями локализованных, показано, что соотношение между г° и г" определяется местонахождением Е? и по отношению к области перекрытия зон. Вблизи перехода Ё^ и К находятся в области перекрытия, поэтому г">у'. При нагревании от области низких температур и находятся вне области перекрытия зон и пересекают ее низкоэнергетическую границу последовательно: сначала ЕЗ, а потом Е?. На эксперименте это отражается как кажущееся возрастание Е"(0), а потом Е"(0). Для подтверждения модельных представлений нами выполнены расчеты числа Лоренца и электронной составляющей теплопроводности.

Показано, что модель не может описывать электронные процессы в жидких полупроводниках, в которых структура энергетического спектра электронов нетривиальна, не укладывается в рамки моделей Мот-та - Андерсона. Это имеет место в расплавах си,т», си^», в которых энергетический спектр деформирован за счет влияния За - электронов меди.

Четвертая глава ПОСВЯЩвНЗ ИЗУЧвНИЮ КОНЦвНТраЦИЭННОГО Перехода

"полупроводник - металл " и исследованиям закономерностей высокотемпературного обратного перехода "металл - неметалл".

Объектами исследований выбраны оплавы си,,ссил*Е»р4_я (х-0.2, 0.4, 0.6, 0.65, 0.70, 0.72, 0.74, 0.76, 0.78, 0.80). Электропроводность и термо-э.д.с. измерены.в широком интервале температуры

-II-

до 2000 К и давлений 4 - 4.5'Ш7 Па.

Показано, что в области концентраций Х50.70 наблюдается плавный переход "полупроводник - металл" характерный для жидких полупроводников с тривиальным энергетическим спектром <см.гл.З). В расплаве с х=0.70 наблвдается экспоненциальная ьависимость электропроводности при "металлическом" поведении термо-э.д.с. В интервале концентраций 0.72<х<0.80 поведете о-(Т) и 5(Т) не укладываются в

рамки известных-моделей, что объяснено сильным влиянием 3=1 - зоны

«

' меди на формирование энергетического спектра электронов.

. Эти результаты проинтерпретированы исходя из кинетических уравнений Болыцлака с использованием элементов теории протекания. Показано, что термо-э.д.с. в этом случае задается выражением:

Приближение к порогу протекания, с металлической стороны дает одинаковые изменения (кхэ и «<>о . Поэтому:

S= ^^— -const при X > Хс

Основываясь на вышеприведенной формуле, можно сделать вывод, что на пороге протекания sc>о уже металлизирована, тогда как зависимость <=<>о еще сильна.

Заслуживает внимания поведение электропроводности и термо-э.д.с. при дальнейшем нагревании выше температуры полной металлизации полупроводникового расплава Cu.CCuAkSep,.*' в этой области с ростом температуры а уменьшается a s возрастает до типично полу-• проводниковых значений.-.Таким образом, эксперимент показывает, что повышение температуры сопровождается обратным переходом "металл -- полупроводник". Энергия активации проводимости в этом температурном интервале приобретает отрицательные згачения. Качественно это

явление можно проинтерпретировать следующим образом:электропроводность и термо-э.д.с. соответствует выражениям:

. , , ЕСОЭ +2гт, • 21с, Т

где Е{0) - экстраполированное в отрицательную область значение формальной ширины псевдощели по подвижности при Т-о, г - температурный коэффициент. Отсюда следует, что дальнейшее нагревание расплава,после его металлизации, приводит к восстановлению псевдозазора и расширению его по закону:

Ег - Е^-есоэ + гТ

Показано, что обратный переход -металл - полупроводник" происходит сначала по электропроводности, а затем по термо-э.д.с. Интересно, что параметры прямого и обратного перехода "полупроводник - металл - полупроводник" укладываются в рамки концепции о минимальной металлической проводимости с учетом некоторых новых положений.

Вторая часть главы посвящена изучению перехода я металлической проводимости полупроводниковых расплавов с наличием одновременно двух типов носителей заряда - электронов, дырок и также в присутствии шиного вклада в проводимость. Для изучения указанной проблемы выбрана система Т1 -а». Экспериментальные результаты показаны на рис.2. Неожиданным является поведение расрлава стехиомет-рической концентраций Т1Ж&». Во всем изученной интервале электропроводность сохраняет свойственную для собственных полупроводников экспоненциальную зависимость с энергией активации гв^СО-О.Эв эВ. Термо-э.д.с. при этом монотонно уменьшается и почти достигает ме-

'--<f.x>)*b—:—

Рис.2. Элоктро1фозодаюс^Ь,И'терюга.я-расплавов 'n-Se, '

таллических значений. Ка отрицательный знак свидетельствует о преобладанием электронной вкладе в механизм переноса заряда. Здесь следует отметить, что при исследовании термо-э.д.с. стехшметри-ческого состава, в отличие от электропроводности, наблвдается силм'ак неповторяемость результатов. Скорее всего это связано с незначительными отклонениями от стехиэметрического состава, область гомогенности которого очень узкая.

Дня состава с избытком таллия относительно тх,3в наблвдается хорошо повторяемые зависк зти о(Т) и з(Т): на экспоненциальной зависимости с(Т) наблвдается скачкообразное увеличение энергии активации (от 2Е"(0)«0.90 эВ.к 2Е^(0)-1.12 эВ), а затем насыщение кривой ч-(Т) на уровне 600-650 Ом-'см-*, что можно рассматривать как доказательство металлизации расплава по проводимости. В пользу металлизации свидетельствует также абсолютная величина тормо-з.д.с. в диапазоне ТгЮОО К.' Наряду с этим обнаруженная "V- подобная зависимость термо-э.д.с. никаким образом не вписывается ни в одну из известных концепций металлизации: при экспоненциальном росте ^(Т), термо-э.д.с., сохраняя отрицательный знак, сначала возрастает, а затем плавно уменьшается да металлических значений. Сравнение £(Т) для Т1л,а»>1 с таковой для стехиэметрического состава показывает, что в интервале ТзЭОО К по видимому имеет место наложение трех факторов: увеличение с температурой концентрации собственных носителей; уменьшение концентрации примосных носителей; частичной электрон-дырочной компенсации.

В расплавах с избытком селена (относительно Т1хз*) наряду с типичным для жидких полупроводников поведением 'о-(Т), ваблвдавгея весьма сложные зависимости з(Т). В работе это объясняется эффектом электрон-дырочной компенсации, причем соотношение между парциаль-

ными вкладами может изменяться как вслодствии изменения температуры, так и в результате изменения концентрации.

На основе проведенных исследований создан высокотемпературный термопреобразователь, отличающийся от известных тем, что сохраняет работоспособность в потоках тепловых нейтронов, обеспечивает возможность исключить погрешность вызванную за счет проникновения расплава в керамический корпус, имеет более шрокий диапазон рабо-чзгс температур. Термопреобразователь состоит из керамического корпуса с вертикальной рабочей полостью, которая выполнена в виде дну' соосных цилиндров разного диаметра, системы подводящих электродов, термочувствительного элемента из си,т». Последний характеризуется линейной зависимость 1до»гст-15. В этом и заключается принцип работы преобразователя. При температуре, которую необходимо измерить, по термочувствительному элементу пропускает стабильный ток I, измеряя при этом падения напряжений. Находим значение электропроводности, и по градуировочной кривой получаем искомое значение температуры. Проведенные испытания указанного устройства показали хорошую воспроизводимость результатов в диапазоне 1400 -1980 К. ~~

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДУ

I. Разработаны и реализованы:

- новый способ высокотемпературных измерений электропроводности агрессивных расплавов, впервые позволивший исключить погрешности за счет диффузии расплава в керамическую стенку измерительной ' ячейки;

- методика высокотемпературных .измерений плотности агрессивных

расплавов г - методом.

У. Впорвые в широком интервале температур (до 2000 К) и давлений (до 4.6«107Ла) выполнены комплексные измерения электро- . проводности и термо-э.д.с.:

- т, .хкомлонэнтных расплавов с преобладающим "классическим" механизмов ЭЛвКТрОННОЙ ПРОВОДИМОСТИ: СиПТ.,, CuTlS... Си As Г.,, СиАжЭ»!. TlAeT»,. TlAeS»,.

- слогных расплавов с предполагаемый вкладом 3d - зовы меди в формирование электронного спектра: си,т» и cugs® и поевдодвухкомпо-ВОЗТНОЙ системы CuxCCuAeS*pi.x.

- двухкомшнентных расплавов ti-s» с одновременно существующими электронным, дырочным и данными вкладами.в процессы переноса.

3.Проведены измерения температурной зависимости плотности в расплавах cutit»,, cutis»,.

4. На основе установленных корреляций между электропроводностью и термо-э.д.с. показано, что независимо от объекта ширина температурного интервала, в котором происходит переход ••полупроводник - металл", пропорциональна средней температуре перехода .

Б. Впервые обнаружены и изучены закономерности корреляции электропроводности и термо-э.д.о. при обратном переходе ••металл-неметалл" „ который наблюдается вследствие значительных перегревов выше температуры металлизации. Предложена модель этого перехода, соглаоно которой вследствие сильного теплового расширения и расплаве происходит локализация электронов. Таким образом вновь формируется линейно расширяющаяся с температурой псевдощель по подвижности с размытыми краями, предопредвляюцвя корреляцию между электропроводностью и термо-э.д.с., аналогичную той, которая имеет мебто в прямом переходе.

-176. Изучена корреляция электропроводности я тармо-в.д.с. при иэотормичеоком концентрационном переходе -пек галл - металл". Эхо-' перименталыю показано, что переход на изотермах тврмо-э.д.с., по сравнении о изотермами электропроводности проявляется при меньших концентрациях металла.

7. Впервые изучены закономерности металлизации жидких полупроводников со смешанной проводимостью. Предложена модель, согласно которой:

- в результате эффекта электронно-дырочной компенсации поведение термо-э.д.с. в широком интервале температуры рущественио отклоняется от "классической зависимости".

- юнцый вклад заметно увеличивает электропроводность, вследствие чего в определенном температурном интервале заметно искажается экспоненциальная зависимость проводтости.

- с повышением температуры иэнный вклад уменьшается и практически исчезает в металлическом состоянии.

8.Создан высокотемпературвый термопреобраэователь,термочувствительный элемент которого выполнен из расплава сиат*. Новизна разработки защищена авторским свидетельством N1503467.

Основные результаты опубликованы в следующих работах:

1.Соколовский Б.И..Склярчуя В.М.,Манукян А.Л.,Дидух В.П.Электронные свойства соединений cutis»,. Cutis,, cutir»t в жидк и и аморфном состояния. Тезисы v Всесоюзной конференции по отроению и свойствам металдичеокях и шлаковых расплавов.- ; Свердловск,19вз,ч.2,гво-вва. л ■ /

2. Алексеев В. А».BecKq. A.C..ОкимювсюЛ B,H.,ttolDcyo

Склярчук В.Ц.,Дидух В.П. Перколяционный переход металл-неме-тадл в расплавах Те и in^T®,,. Тезисы v Всесоюзной конферен ции по строению и свойствам металлических и шлаковых расплавов.-Свердловск ,Т98з,ч.2, гвЗ-габ.

3. Prokhor.nko V. Ya. • Sokolovskii 8.1. . Al»le«se»v V. A. .Basin A. S. . Stsnkus S. V. and SklyarchukV. M. The Semiconductor-Ma-tall Transition in Liquid Tellurium.- Phye. «tat. eol. СЬЭ .1082.:

II3.453-45&

4.Соколовский Б.И.,Сх' очук В.Ц.,Дидух В.П. Электронные и тепловые свойства сплавов в жидком и твердом состояниях. Особен ности измерений. Тезисы III Всесоюзной конференции ш заново мерностям формирования структуры сплавов эвтектического типа - ¿лепропетровск,1986,4.2,с.162-163.

5.Соколовский Б.И.,Склярчук В.Ц.Евстигнеев А.И..Захарьяш А.С. Термодинамические и электронные свойства особо чистого теллура в жидком и твердом состояниях.- В книге: Доклады III Всесоюзной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников", Т.П.Москва , 1986,с.48-49.

6.Соколовский В.И..Склярчук В.И.,Дидух В.П., Станкус С.В. Электронные и теплофизические свойства двойных и тройных халысо-гонидов в широком интервале температуры и при высоких давлениях.- В книге: Доклады III Всесоюзной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников", т.Н.Мэсква , 1986,с.66-66.

V.Склярчук B.U. Зависимость ширины псевдозазора по подвижности от плотности тока в жвдком полупроводнике: В книге: Научные сообщения VI Всесоюзной конференции по строению и свойствам металлических и шлаковых расплавов.- Свердловск,1986,4.2

6;Соколовский Б.И. .Склярчук В.М. .Дидух В.П. Переход полупроводник - металл в расплавах ссиАвЗв,) - си.В 1и1иге:Научные сообщения VI Всесоюзной конференции по строению и свойствам металлических и шлаковых расплавов.-Свердловск,1966 ,4.2,410-411.

9.Соколовский Б.И., Двдух В.П., Склярчук В.М., Ракус И.С., Омельченко В.О. О неоднородности составе несмешираипихся фаз аидких двойных сплавов с ограниченной растворимостью компонен тов. В книге: Доклады научно-технического семинара "Ближний порядок в металлических расплавах и структурно-чувствительные свойства вблизи границ устойчивасти фаз.-Львов,1988,с.82.

Ю.Соколовский Б.И., Склярчук В.П., Дидух В.П., Ракус И.С., Плевачук Ю.О. Закономерности переходов "полупроводник-металл -неметалл" в простых и сложных жидких полупроводниках. Особенности измерений. В книге: Доклады научно-технического семинара "Ближний порядок в металлических расплавах и структурно- Чувствительные свойства вблизи границ устойчивости фаз -Львов,1988,с.83.

11.Склярчук В.И. Переход к металлическому типу проводимости в расплавах Т1-б».в книге: Тезисы научных сообщений по строению и свойствам металлических и шлаковых расплавов.-Челябинск, 1990,т.2,Ч.3,с.325-328.

12.Соколовский Б.И., Склярчук В.М., Дидуу В.П., Ракус И.С.,Гринь Ю.Н.Авторскоэ свидетельство СССР на изобретение N ггггаоа от 01.07.198а.

13-Соколовский Б.И., Склярчук В.К., Двдух В.П., Гриль Ю.Н.Тер-юпреобразователь.Авторское свидетельство СССР ва изобретенйе N 1303407 ОТ 32.04.1989, ШСИ.

14.Соколовский Б.И., Скл*фчук В.Ц., Двдух В.П., Ракус И.О. Пре-

обраэователь удельной электропроводности расплавов.Авторское свидетельство СССР .на изобретение н 1538148. от 15.09.1989. * МКИ во!» ат^эа.