Энергетический спектр и электрофизические свойства переходных слоев в гетероструктурах GaAs-A23 B36 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукописи

Г 1 . 1

СТРЫГИН Владимир Дмитриевич

' УДК 537.311.33

1 з ьш! т

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЕРЕХОДНЫХ СЛОЕВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ ОаАБ-Аг'Вз6

01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Воронеж 1997

; . Работа выполнена на кафедре физики Воронежской государственной технологической академии;

НАУЧНЫЕ КОНСУЛЬТАНТЫ: доктор физико-математических наук,

профессор | СЫСОЕВ Б.И.

доктор физико-математических наук, профессор ДОМАШЕВСКАЯ Э.П.

ОФИЦИАЛЬНЫЕ ОППОНЕНТЫ: доктор физико-математических

наук, профессор ГУЛЯЕВ А.М. (МЭИ, г.Москва)

доктор физико-математических наук, профессор ХУХРЯНСКИЙ Ю.П. (ВГТУ, г.Воронеж)

доктор физико-математических наук, профессор СВИРИДОВ В.В. (ВГПУ, г.Воронеж)

ВЕДУЩАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН

(г.Санкт-Петербург)

Защита диссертации состоится 15 мая 1997 года в 15 часов на заседании диссертационного совета Д 063.48.06 при Воронежском государственном университете по адресу: 394693, Воронеж, Университетская пл.1, ВГУ, физический факультет. - ,

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского госуниверситета.

Автореферат разослан 15 апреля 1997 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

^^^ В, К. Маршаков

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Сверхбыстродействующие интегральные схемы на >сениде галлия имеют ряд преимуществ по сравнению с кремниевыми благо-фя основным свойствам этого полупроводникового соединения. Важней-им из них является высокая подвижность электронов в электрических полях окон напряженности, что потенциально позволяет создать СВЧ - приборы с учтенными характеристиками. Другое достоинство СпАб заключается в эльшой ширине его запрещенной зоны, что является необходимым условием )ботоспособности структур при повышенных температурах. Успехи по изго-)влению лазерных и светоизлучающих структур на основе арсенида галлия гкрывают перспективы создания на одном кристалле СаЛэ элементов циф-эвых, сверхвысокочастотных и оптических устройств. Кроме того, малая ве-1чина времени жизни неосновных носителей делают ОаАз более перспек-тным материалом для создания радиационностойких приборов и инте-зальных схем .

Однако имеются причины, затрудняющие практическую реализацию тех реимуществ, которые может дать применение СаАв в микроэлектронике, дна из них заключается в том, что СаАв является двухкомпонентным соеди-гнием. Поэтому его поверхность более восприимчива к воздействию раз-лчных химических веществ и процессов, используемых в технологии микро-1ектроникн, приводящих к нарушению стехиометрии состава поверхности -руктур. Кроме того, у арсенида галлия не существует и стабильного есте-вепного окисла, что является сдерживающим фактором для реализации реимуществ МОП - технологии в изготовлении интегральных схем.

Из МДП структур наиболее широко исследовались гомо- и гетероморф-ые диэлектрические слои на поверхности арсенида галлия. Целый ряд работ ыл посвящен исследованию диэлектрических слоев, полученных разнооб-1зными методами окисления поверхности арсенида галлия и различными тособами осаждения изолирующих покрытий на его поверхность. Несмотря а широкое многообразие использованных методов, попытки воспроизвести ежфазные свойства системы кремний - окисел кремния успеха не имели.

Основная проблема заключается в наличии высокой плотности поверхностных состояний, расположенных вблизи середины запрещенной зоны, которые ограничивают смещение поверхностного потенциала, снижая тем самым динамический диапазон полевых МДП - транзисторов.

В настоящее время наиболее развитой технологией создания СВЧ и цифровых интегральных схем является технология, основанная на использовании полевых транзисторов с затвором Шоттки. При изготовлении барьеров Шотпей на ваАв по стандартной технологии высота барьера практически не зависит от типа использованного материала и обычно находится в пределах 0.8 - 0.9 эВ . Существует множество моделей, которые предполагают участие дефектов в закреплении уровня Ферми на поверхности . Фиксация уровня Ферми на межфазной границе металл - арсенид галлия сдерживает развитие комплементарной логики в ИС на полевых транзисторах с затворами Шоттки, ограничивает перепад логических уровней, возможность снижения тока затвора и повышения помехоустойчивости .

Непрерывное повышение требований к параметрам ИС, и главным образом стремление к достижению высокого быстродействия при минимальном потреблении энергии, ведет к появлению новых идей, материалов, методов и технологий. Достижения в технологии создания гетероструктур на основе А3В5 с совершенной границей раздела привели к возникновению новой области науки и техники по изучению квазидвумерных электронных и дырочных систем . Новая технология привела к появлению современных приборов - селективно-легированный гетероструктурный транзистор (СЛГТ) с двумерным электронным газом, локализованным на границе раздела. Наиболее фундаментальной проблемой является наличие ловушек в донорном слое. Эги ловушки являются причиной высокого порогового напряжения и резкого^ухуд-шения вольт-амперных характеристик слоя, наблюдаемых в структурах СЛГТ, охлажденных до 77° К.

В данной работе предложено использовать тонкие пленки полупроводниковых соединений А23Вз6 в роли подзатворных слоев в полевых гетеро-структурах на арсениде галлия. Эти соединения являются полновалентными соединениями, кристаллизующимися в структуре сфалерита, при этом 1/3 уз-

нов в катионной по^решегке являются свободными. Высокая концентрация собственных вакансий узлов решетки приводит к аномально низким значениям подвижности носителей заряда и отсутствию примесной проводимости в них.

Расширение класса материалов, используемых в технологии микроэлек-гронных устройств на арсениде галлия, способствует оптимизации известных и разработке новых технологий, позволяющих полнее реализовать потенциальные возможности этого полупроводникового соединения.

Поверхностные свойства и свойства переходных слоев в полупроводниковых гетероструктурах относятся к наиболее важным факторам, определяющим н ограничивающим выбор технологических вариантов создания элементной базы интегральных схем.

Электрические Свойства - один из наиболее важных аспектов границы раздела. Электрические характеристики границы раздела определяются электронными состояниями на самой границе раздела и характером поведения этой границы при воздействии приложенных напряжений и токов.

Энергетический спектр валентных электронов межфазной границы раздела полупроводников на гетероструктуре определяет оптические и барьерные свойства гетероструктур на их основе. Ввиду сложности кристаллической структуры халькогенидов галлия отсутствуют теоретические и экспериментальные исследования их энергетического спектра и влияния на него стехио-метрическнх вакансий.

Поэтому исследование электрофизических свойств твердотельных гетероструктур арсеннд галлия - халькогениды галлия и создание на их основе электрической совершенной границы раздела представляет научный и практический интерес.

Целью данной работы является определение условий формирования полевых гетероструктур СаАз-А23Вз6 с низкой плотностью электронных состояний на границе раздела на основе комплексных данных об энергетическом спектре локализованных состояний переходных слоев, определяющих электрические и другие свойства этих гетероструктур. Достижение поставленной цели включало следующие основные этапы:

• оптимизация технологических условий формирования гетерострук-тур СаА5-А23Взб гетеровалентным замещением мышьяка в парах халькоге-нов;

• исследование энергетического спектра валентных электронов в твердых растворах СаАБ-Аг'Вз6 методами рентгеноэмиссионой и рентгенофо-тоэлектронной спектроскопии;

• изучение энергетического спектра локализованных электронных состояний открытой поверхности арсенида галлия методами фотоотражения и фотолюминесценции и покрытой металлами поверхности методом нестационарной емкостной спектроскопии после кратковременных обработок ее в парах халькогенов;

• исследование электрических характеристик структур Шоттки Ме-ОаАБ с туннельно-прозрачными слоями А23Вз6 и полевых гетероструктур Ме-ОагБез-СаАз с резкой границей раздела;

• определение механизма пассивации поверхности арсенида галлия обработкой в парах халькогенов на основе анализа экспериментальных данных.

Выбор объектов и методов исследований. Исследовались гетерострук-туры Ме - Аг3Вз6 (ОагЭз, ОагБез, СагТез.ОагБезхТезо-х)) - СаАэ, сформированные на монокристаллических подложкахОаАв, выращенных методом Чо-хральского. Слои А23Вз® формировались термическим испарением исходных соединений или гетеровалентным замещением мышьяка халькогеном при обработке подложек арсенида галлия в парах халькогенов.

Для определения состава и структуры полученных слоев использовались методы электронографии и Оже-спектроскопии. Энергетический спектр валентных электронов халькогенидов галлия и их переходных слоев в гетеро-структурах на основе арсенида галлия определялся методом рентгеновской эмиссионной спектроскопии (ЮС) совместно с методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС).

Электрофизические свойства указанных гетероструктур исследовались методами вольт-фарадных (ВФХ) и вольт-амперных (ВАХ) характеристик, а также методами изотермической сканирующей спектроскопии глубоких

/ровней (ИССГУ), фо гоотражения (ФО) и интегральной фотолюминесценции

;ифл).

Научная новизна работы.

• Впервые предложено использовать группу полупроводниковых соединений Аг3Взб для иодзатворных слоев в полевых гетероструктурах на арсе-ниде галлия.

• Определены условия формирования гетероструктур СаАв-Аг'Вз6 ^агБез, СагБз, ОаТез, СазЗезЛЪа-х) ) термической обработкой подложек ар-:енида галлия в парах халькогенов.

• Впервые на основании комплексных исследований состава и энергетического спектра валентных электронов с послойным анализом гетероструктур □аА5(Р)-Са;>8е(3)з методами РЭС, РФЭС и Оже-спектроскопни показано, что структуру ЭСВЭ соединений Аг3Вз6 можно рассматривать как предельный случай ЭСВЭ кристаллов А3В5 с большим количеством стехиометрических вакансий.

• По результатам совместных РЭС и РФЭС исследований определен разрыв валентной зоны на границе раздела гетероструктур, который позво-пил построить качественную энергетическую диаграмму.

• Показано, что в твердотельных полевых устройствах на ваАв с под-затворным слоем ОазБез с резкой границей раздела происходит модуляция поверхностного потенциала в ваАв внешним электрическим полем в интервале 1.4 В. При этом граница раздела содержит эффективную плотность локализованных состояний менее 10" см -2эВ '.

• На основе исследований влияния стационарных токов проводимости на характеристические длины экранирования электрического поля в полупроводниковых слоях экспериментально показано, что в исследуемых полевых гетероструктурах Ме - вазБез - СаЛв при толщине слоев порядка 10"7 м распределение потенциала в слоях ОазБез отклоняется от линейного лишь в узком интервале внешних напряжений.

• Впервые показано, что при формировании структур Шотгки на поверхности арсенида галлия, предварительно обработанных в парах халькогенов, высота барьера определяется работой выхода металлов. Установлена

корреляция высоты барьера с величиной несоответствия параметров кристаллических решеток в гетеропереходах СаАБ-Аг'Вз6.

• На основе исследований энергетического распределения локализованных состояний на поверхности арсенида галлия предложена модель, объясняющая поведение локализованных состояний и снижение их плотности при термических обработках поверхности арсенида галлия в парах халькогенов.

Практическая значимость работы.

• Полученные экспериментальные данные позволяют расширить класс материалов, используемых в технологии элементной базы микроэлектроники на арсениде галлия.

• Предложенный метод формирования слоев Аг3Вз6 и пассивации поверхности ОаАэ путем термической обработки в парах халькогенов, может быть перенесен на все материалы А3В5.

• Слои полупроводниковых соединений Аг3Вз6 могут быть использованы: в роли активных элементов в полевых транзисторах на ваАз; для пассивации поверхности в местах выхода р-п переходов в биполярных приборах; для межэлементной изоляции в ИС; для создания широкозонных "окон" и межполосковой изоляции в полупроводниковых лазерах на ваАв и др.

• Разработанная методика определения разрыва зон на границе гетеро-структур А23Вз6 - ваАБ имеет общий характер и может применяться для широкого круга твердотельных структур.

• Комбинированные исследования ФО/ФЛ могут использоваться для повышения эффективности излучательной способности поверхности А3В5.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Определение оптимальных условий получения гетероструктур ваАБ-Аг3Вз6 с совершенной границей раздела на основе близости кристаллической структуры и подобия энергетических спектров валентных электронов соединений А3В5 и Аг'Вз6, установленного по совместным исследованиям ЮС и РФЭС.

2. Формирование слоев Аг3Вз6 при термической обработке в парах халькогенов поверхности А3В5 путем гетеровалентного замещения элемента В5 подложки халькогенамп В6 с восстановлением собственных окислов .

3. Модуляция поверхностного потенциала внешним электрическим полем по всей ширине запрещенной зоны. Возможность формирования квазидвумерного поверхностного электронного канала в СнАб, управляемого внешним полем, обусловленная низкой плотностью локализованных состояний ( менее 10" см 2 Эв-1) и энергетическим барьером для электронов со стороны СаАв.

4. Управление высотой барьера в структурах Шотгки Ме - ваАэ с тун-нельно-прозрачными слоями Аз3Вз6 в интервале 0,4 ч- 1,0 эВ путем подбора металлов с разной работой выхода электронов.

5. Возможность управления энергетическим спектром поверхностных и объемных локализованных электронных состояний путем обработка поверхности ваАБ различными халькогенами. Облучение обработанной поверхности когерентным излучением (Д. = 632.8 нм) средними потоками мощностью ~ 100 Вт/см2 снижает относительную плотность безызлучательных центров рекомбинации и замедляет процессы деградации фотолюминесценции.

Выполненную работу по совокупности положений, выносимых на защиту, можно квалифицировать как крупное достижение в физике тонкопленочных гетер о структур на арсениде галлия. Комплексными исследованиями установлено, что обработка арсенида галлия халькогенидами приводит к пассивации поверхности и снижению плотности локализованных электронных состояний.

Личный вклад автора в диссертационную работу. Автором осуществлена постановка задач, решение которых позволило сформулировать положения, выносимые на защиту, разработаны технологии и экспериментальные методики, позволившие решить эти задачи.

Исследования проводились совместно с Б.И. Сысоевым и Э.П. Дома-шевской, в работе принимали участие В.Ф. Антюшин (глава вторая), Г.И. Котов (глава третья), Е.И. Неврюева (глава пятая), Р.И. Кузьменко (глава пятая).

Апробация работы. Всесоюзное сообщение по глубоким уровням в полупроводниках, Ташкент - 1980 г.; Всесоюзная научная конференция "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники", Минск - 1985 г.;

Всесоюзная конференция по росту кристаллов, Ереван - 1985 г.; Всесоюзная конференция по физике полупроводников, Минск - 1985 г.; VI Всесоюзная конференция по физике вакуумного ультрафиолетового излучения и взаимодействия излучения с веществом, Рига - 1986 г.; X Всесоюзная школа-семинар "Рентгеновские н электронные спектры и химическая связь", Одесса - 1986 г.; Техническая школа Ильменау ГДР, г.Ильменау - 1987 г.; Всесоюзная конференция "Структура и электронные свойства границ зерен в идеалах и полупроводниках", Воронеж - 1987 г.; XV Всесоюзное совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии, Ленинград - 1988 г.; Всесоюзное координационное совещание "Материаловедение п/п соединений группы А3В5", Воронеж - 1987 г.; Всесоюзная конференция по микроэлектронике, Тбилиси -

1987 г.; Всесоюзная школа по физике рыхлых и кристаллических структур, Харьков - 1988 г.; Всесоюзная конференция по росту кристаллов, Москва -

1988 г.; Всесоюзная конференция " Физические основы твердотельной электроники ", Ленинград - 1989 г.; Всесоюзная конференция по физическим процессам в п/п гетероструктурах, Калуга - 1990 г.; Всесоюзная конференция " Рост кристаллов ", Харьков - 1992 г.; Конференция по электронным материалам, Новосибирск - 1992 г.

Структура диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, 5 глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет_стр., в том числе_стр. машинописного текста,__

рис.,_табл. Список литературы содержит_наименований.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, определена цель работы, изложены научная новизна и практическая значимость работы, сформулированы основные положения, выносимые на защиту и дана краткая аннотация работы.

В первой главе на основе литературных данных рассматриваются особенности физико-химических свойств алмазоподобных соединений со сте-хиометрическими вакансиями (СВ). Аномально низкие значения подвижности носителей заряда, электрическая нейтральность СВ и примесей, расположенных в них, образование твердых растворов с СаАв, позволяют использовать эти соединения для создания полевых гетероструктур ОаАэ - Аг3Вз6 со

слоями А23Вз6 ограниченной толщины (¿/ < При этом при соответствующем выборе состава подзатворных слоев и технологии формирования возможно создание гетероструктур с низкой плотностью поверхностных состояний и эффективной модуляцией поверхностного потенциала внешним полем в арсениде галлия.

Далее кратко излагается предложенный в работе метод формирования слоев Аг3Вз6 на поверхности СаА$. Суть метода заключается в том, что при термической обработке арсенида галлия в парах халькогенов происходит ге-теровалентное замещение Ах халькогенами и на поверхности формируется слой халькогенида галлия. Описаны исследования по изучению кинетики роста слоев, их состава и структуры при различных технологических условиях (температуре, давлении и состава пара халькогенов).

В исследованном интервале технологических условий рост слоев Аг3Вз6 на ваАв ограничивается скоростью реакции замещения

4 ваАБ + 3 В26 2 СазВз6 + АБ^ - ДНреакц

или диффузией халькогена в зону реакции и мышьяка и избыточного галлия из этой зоны.

Оже-спектроскопическими исследованиями с послойным анализом установлена диффузная граница раздела в структурах ОаАв - Са^ез, состоящая из непрерывного ряда твердых растворов контактирующих соединений (рис. 1).

Исследованиями микроструктуры в просвечивающем электронном микроскопе высокого разрешения установлено, что при кратковременных обработках арсенида галлия в парах халькогенов происходит удаление естественного окисла с формированием на поверхности псевдоморфных слоев А:3Вз6 с параметрами кристаллических решеток, близких к арсениду галлия.

Для создания гетероструктур с резкой границей раздела в работе предложена двустадийная технология их формирования. На пассивированную поверхность ОэАб с предварительным удалением окисла в парах халькогенов термическим испарением наносятся слои халькогенидов галлия. Анализ

С, ат. %

I 1 II , III

I

10 * 30

50 I 70 (1, нм

20 40 60

I, мин.

Рис. 1. Оже-профили концентрации элементов

галлия, селена, мышьяка в гетероструктуре Са28еД5аА5.

влияния технологических условий на скорость роста, состав и структуру осаждаемых слоев показал, что при скорости осаждения ~ 0.02 мкм/мин и температуре подложки 650-700°К на поверхности осаждаются монокристаллические слои халькогенидаталлия.

Во второй главе анализируются электростатические модели полевых гетероструктур с тонкими слоями широкозонных материалов. При рассмотрении полупроводникового слоя толщиной, сравнимой с дебаевской длиной экранирования, распределение потенциала в нем, в отличие от полубесконечного, зависит от толщины и определяется состоянием обеих границ образца. Приводятся возможные типы распределения потенциала в полупроводниковом слое ограниченной толщины в зависимости от толщины слоя, термодинамических работ выхода контактов, знака и величины поверхностного и объемного заряда в таких слоях. Рассмотренные электростатические модели справедливы для полупроводниковых слоев с пренебрежимо низкими токами

проводимости. Они удовлетворительно описывают экспериментальные результаты, полученные на кремниевых МПП структурах, так как на кремнии всегда присутствует тонкий слой естественного окисла с хорошими изолирующими свойствами. Для структур на основе СаЛБ необходимо проведение исследований по влиянию тока проводимости на характеристические параметры экранирования внешнего электрического поля как в отдельно взятом полупроводниковом слое, так и в многослойной гетероструктуре.

В данной работе проводится анализ поведения областей пространственного заряда (ОПЗ) в полупроводниковом слое п-тнпа при наличии монополярного тока проводимости. Из совместного решения уравнений Пуассона и полного тока получено выражение для характеристических обратных длин экранирования 1К1! в случае слабого отклонения от электронейтральности:

где: у - плотность тока; е > О, Э - заряд и коэффициент диффузии электрона, соответственно; - концентрация доноров; е - диэлектрическая проницаемость; — - диффузионный потенциал.

Показано, что при любой полярности тока величина ¡К1] для одной гра-

мости наиболее значительны для высокоомных слоев. Для случаев обогащения и обеднения получены такие же ассимптотические выражения для характеристических обратных длин экранирования |К*|.

При критической плотности тока характеристическая длина экранирования ОПЗ границы слоя, от которой идет ток, расширяется на всю толщину слоя (с1), а другая ОПЗ - сжимается. При дальнейшем росте тока распределе-

(1)

е

ничной ОПЗ линейно увеличивается |АГ* I=—-—, а для другой - гиперболиче-

1 1 еОп„

, и егОп] _

ски уменьшается в зависимости от плотности тока 1л I«—:—. -Эти зависи-

ние потенциала в слое можно считать линейным.

В работе приводятся экспериментальные вольт-фарадные и вольт амперные характеристики полевых гетероструктур А1 - Оа^Без - ваАв с резко1 границеГ! раздела (рис. 2). Из сравнения реальных токов в гетероструктур! ОаА5-Оа:Зез-А1 в области напряжений, обедняющих подложку основным1 носителями заряда, и оценок критического тока для подложки СэАб и ело: СагБез получено, что ОПЗ в ОаАБ практически остается равновесной, а уро вень экспериментально наблюдаемого тока значительно ' .евышает критиче ское значение его в слое СагБез. Получено аналитическое выражение дл: вольт-амперной характеристики гетеросгруктуры СаАБ - Са23ез-А1 в обласп обедняющих напряжений:

У = (2)

где: ц - подвижность свободных носителей заряда; п\х=а - концентрация элек тронов на границе СагЗез; & - напряженность электрического поля в сло< ОагБез.

Дифференцируя выражение (2), и учитывая, что е— есть полная ем

аУ

кость структуры, получим связь между вольт-амперной и вольт-фарадной ха рактеристиками нолевой гетеросгруктуры в области обедняющих внешни) напряжений V:.

4 = (3)

аУ £

Экспериментально показано, что вольт-амперные и вольт-фарадные ха рактеристики исследуемых гетероструктур СаАБ-СагБез-Ме хорошо описы ваются выражениями (2) и (3).

С учетом слабой температурной зависимости подвижности ц и экспо ненциальной зависимости концентрации п\х=а, из температурной зависимости выражения (3) была определена высота барьера для электронов на границе

Рис. 2. а) Вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики твердотельных полевых структур ОаА5-Оа28е3-А1:

1) экспериментальная С-У;

2) теоретическая С-У идеальной структуры ОаАз-Оа28е3-А1;

3) расчетная С-У с учетом КРП;

4) асимптотическое поведение С-У структуры СаАз-Са28е3-А1 с учетом гиперболически уменьшающегося с напряжением заряда (};

5) экспериментальная ВАХ структуры ОаАз-Оа38е3-А1;

6) расчетная ВАХ, -

б) Качественная потенциальная диаграмма данной гетсроструктуры.

GazStt-Al. '

В области обогащающих напряжений экспериментальные вольт-амперные характеристики полевых гстероструктур GaAs-Ga2Se3-Al хорошо спрямлялись в координатах Inj - V213, С учетом линейного распределения потенциала в слое Ga2Se3 было получено выражение для вольт-амперной характеристики структуры.

Из температурной зависимости тока при различных обогащающих напряжениях была установлена зависимость величины барьера для электронов на границе GaAs- Ga:Se3 от внешнего напряжения. Путем экстраполяции этой зависимости в область нулевого поля в Ga:Sei определена невозмущенная высота барьера К12 = 0,65 эВ. Построена энергетическая диаграмма для гетеро-структуры GaAs- Ga:Se3-Al.

Совокупность экспериментально определенных параметров с учетом линейного распределения потенциала в слое СагБез позволила получить эмпирическую формулу для вольт-амперной характеристики исследуемых структур при обогащающих внешних напряжениях:

j и (0,25+К) ехр

'-0,55+[0,07(0,25+Г)]

2/j\

(4)

Получено хорошее согласие в линейном масштабе экспериментальной и расчетной вольт-амперной характеристик в интервале трех порядков изменения величины тока.,Это позволяет считать, что линейное распределение потенциала в слое СагЗез справедливо и для области обогащающих напряжений.

Из анализа вольт-фарадных характеристик, приведенных в работе, следует, что изменение поверхностного потенциала происходит в интервале внешних напряжений ~1.4 В. На основе анализа объясняются характерные особенности вольт-фарадных характеристик исследуемых структур. Вычислена плотность граничных состояний ~ 10" эВ 'см-2.

Наличие энергетического барьера для электронов со стороны СаАв (0.65 эВ) позволяет использовать эти структуры для гетеротранзисторов с по-

верхностным каналом проводимости. Теоретические оценки поверхностной подвижности, проведенные в данной работе для гетеротранзисторных структур со слоями А23Вз6 показали, что различие в эффективных массах электронов в соединениях А23Вз6 и СаАв приводит к существенному росту поверхностной подвижности, обусловленному более слабым проникновением волновых функций под потенциальный барьер.

Более подробный анализ полевой зависимости энергии активации для вольт-амперных характеристик в области обогащающих напряжений структур АЬСагБез-СаАз показал, что количественное согласие экспериментальных и расчетных характеристик достигается с учетом аддитивного эффекта туннельной прозрачности вершины треугольного барьера и квантования энергии электронов в обогащающем слое СаА5 (рис. 2 б). Характер энергетической диаграммы обеспечивает возможность формирования электронного поверхностного канала проводимости в СаАв, модулируемого внешним электрическим полем.

Третья глава посвящена исследованиям структур Шотгки на основе ар-сенида галлия с тонкими промежуточными слоями А23Вз6. В работе приводится анализ литературных данных по исследованию природы фиксации уровня Ферми на поверхности ваАБ покрытого слоями различных металлов. Из-за многообразия явлений, ответственных за этот факт, в литературе нет единой модели, объясняющей все экспериментальные данные, посвященные исследованию природы ПЭС в структуре Шоттки. Большинство исследователей используют дефектную модель для объяснения своих результатов. Эти дефекты обуславливают нарушение стехиометрии бинарного соединения СаАв и приводят к появлению ПЭС.

В работе предложено перед нанесением металлов на поверхность СаАв проводить предварительную,обработку ее в парах халькогенов с целью удаления естественного окисла и формирования тонкого слоя халькогенидов Аг3Вз6. Проведены систематизированные исследования вольтфарадных и вольтамперных характеристик этих структур. Установлено, что туннельно-прозрачные слои А23Вз6 снижают плотность ПЭС в структурах Шоттки и высота барьеров в них становится функцией работы выхода металлов. Нан-

большее снижение плотности ПЭС достигается при использовании слоев вагЗехТез-х, у которых постоянная решетки наиболее полно согласуется с решеткой подложки арсенида галлия (рис. 3). Следовательно, основной причиной открепления уровня Ферми в структурах Ме-ваАз можно считать образование СЛОЯ А23Вз6.

1,00,8-

2Q

<я

¿0,60,4-

0,2

■I

2

•i

2

з

-J а

4

$ б

4

•4'

з

5,2

5,4

—i—

5,6

5,8

6,0 а'Л

Рис. 3. Зависимость значений высоты барьера Шоттки в

структурах Аи-А"1 В" -GaAs (a); Al-A"' Bv3' -GaAs (б) от величины постоянной кристаллической решетки промежуточного слоя А1" Bv3. Точкам соответствуют различные фазы промежуточного слоя (в скобках значения a, Á ): 1 — Ga2S3 (5,18); 2 — Ga2Se3(5, 42); 3 — Ga2Se3 /^,,,(-5,65); 4 — Ga2Te3 (5,89).

Снижение ПЭС с использованием слоев Аг3Вз6 другого состава и отсутствие полного согласования постоянных кристаллических решеток объясняется формированием псевдоморфных слоев, которые "подстраиваются" под структуру подложки с максимальной степенью согласования плотностей связей на элементарную ячейку. Электронограммы приповерхностных областей GaAs (100) и (111) после кратковременных обработок в различных халькогенах свидетельствуют об образовании слоя соединения Аг3Вз6 в непо-

5

лярной кристаллографической ориентации (110). С точностью, характерной для метода электронографии, параметры кристаллических решеток соединений Аг3Вз6 когерентно соответствуют решетке арсенида галлия.

Высота барьера Шотгки в таких структурах варьируется в интервале 0.4-ИЭВ в зависимости от работы выхода металлов, что заметно приближается к расчетной зависимости Шоттки-Мотта, полученной для идеальных контактов металл-полупроводник (рис. 4).

Рис. 4. Зависимость высоты барьера Шоттки от работы выхода металла в структурах Ме-ОаАэ, сформированных до (1) и после (2) обработки поверхности СаАБ в парах селена.

Четвертая глава посвящена изучению энергетического спектра валентных электронов полупроводниковых соединений Аг3Взб и твердых растворов А2яВз6 - А3В5. Из сравнительного анализа свойств границ раздела в гетеро-ртруктурах ОаАз-Се и СаАк-СахАЬ.хЛз следует, что для получения совершенных границ раздела недостаточно одного геометрического совпадения кристаллических структур контактирующих материалов. Для изучения ЭСВЭ соединений Аг3Вз6 в сравнении со спектрами А3В5 в работе использован ком-

плексный метод совместного рассмотрения рентгеноэмиссионных (РЭС) и рентгеновских фотоэлектронных спектров (РФЭС). Преимущество этого метода заключается в том, что один метод, рентгеноспектральный - дает возможность получить сведения о парциальном вкладе тех или иных состояний каждого элемента в общую картину энергетического спектра валентных электронов соединения, а второй - метод РФЭС - интегральную картину ЭСВЭ. Кроме того, точное совмещение рентгеновских спектров разных компонент возможно только с использованием данных РФЭС по энергии связи остовных уровней.

Этими исследованиями установлена близость структуры валентных зон соединений А:3Вз6 и А3В5. Валентная зона Аз3Вз6 также, как у соединений А3В5, состоит из трех подзон: л-подобной, образованной ¿-состояниями аниона, подзоны со смешанными /»-подобными состояниями анионов и ¿■-подобными состояниями металлов и подзоны, образованной главным образом /^-подобными состояниями аниона. Отличительные особенности проявляются в распределении плотности состояний у потолка валентной зоны, которые выражаются в сглаживании структуры ЮС, увеличении его полуширины. Аналогичное поведение ЮС наблюдаются для сильнолегированных полупроводников А3В5. Таким образом, структуру валентной зоны соединений А23Вз6 можно рассматривать как предельный случай кристаллов А3В5, с большим количеством вакансионных стех'иометрических дефектов. Исследования твердых растворов А3В5 - Аг'Вз6 показали монотонный характер изменения плотности состояний в пределах валентной зоны при изменении состава во всей области неограниченной растворимости этих соединений. Наличие энергетического разрыва потолка валентной зоны в соединениях СегБз и ваАБ, позволяет построить качественную энергетическую диаграмму гетеро-структур на их основе, совпадающую с аналогичной, полученной из электрических измерений.

Эти исследования подтверждают обоснованность выбора соединений Аг3Вз6 для создания полевых гетероструктур на СаАв с низкой плотностью локализованных состояний на границе раздела.

В пятой главе методами нестационарной емкостной спектроскопии, фотоотражения и фотолюминесценции исследуются энергетический спектр и рекомбинационные свойства электронных состояний в приповерхностной области арсенида галлия, обработанного в парах различных халькогенов. Из анализа экспериментальных данных рассматриваются возможные механизмы пассивации арсенида галлия.

В энергетическом спектре исходного арсенида галлия (без предварительной обработки в парах халькогенов) присутствуют четыре пика с энергиями активации: Е(П\) = Ес - 0,20 эВ; Е(Пг) = Ее - 0,32 эВ; Е(Пг) = Ес - 0,40 эВ; Е(Па) = Ес - 0,68 эВ, положение которых хорошо согласуется с результатами других авторов. Исследования и анализ поведения амплитуды пиков П\ - 77* от величины напряжения инжектирующего импульса и обратного смещения позволили в энергетическом спектре исходного ваАв выделить два типа электронных уровней:

• распределенные однородно по объему полупроводника (П\\ Пг\ /7-0;

• локализованные вблизи поверхности (77з).

После обработки поверхности в парах халькогенов в оптимальных режимах из спектра исчезает уровень Яз и вдвое снижается амплитуда сигнала изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней (ИССГУ) объемных центров. Кроме того, появляется слабый сигнал, соответствующий уровню £(/75) - Ес - (0,025 + 0,100) эВ и свойствами, характерными для электронных уровней, локализованных вблизи поверхности. Вероятно, уровень 77г обусловлен мелкими донорными состояниями - халькоген на месте мышьяка, возникающими в процессе гетеровалентного замещения. Использование контактов из алюминия, никеля и золота не оказывают какого-либо влияния на энергетический спектр электронных уровней и их концентрации.

Из сравнительного анализа данных ИССГУ следует, что в спектрах структур Ме-ваЛв с высокой интегральной плотностью поверхностных электронных состояний присутствует уровень 77з. В спектрах структур \ie-GaAs, сформированных после кратковременной обработки в парах любого из халькогенов (сера, селен, теллур) уровень 77з отсутствует, что коррелирует с уменьшением интегральной плотности ПЭС в таких структурах. С увеличени-

ем толщины образовавшегося слоя А:3Вз6 механизм роста меняется с кинетического на диффузионный и нарушается стехиометрический состав границы раздела. Энергетические спектры восстанавливаются до исходных.

Известно, что в условиях сверхвысокого вакуума полярные поверхности GaAs (100) и (111) реконструируются таким образом, что поверхностные слои имеют симметрию, отличную от объемной, чаще всего близкую к неполярной плоскости (110). Подобная релаксация поверхности GaAs приводит к уменьшению плотности ПЭС. Как уже отмечалось, при кратковременных обработках в парах халькогенов поверхностей GaAs (100) и (111) формируются псев-доморфные слои Аг'Вз6 ориентации (110). Подобные обработки восстанавливают естественный окисел на поверхности GaAs, отлегчают релаксацию поверхности GaAs, на которой формируется слой А:3Вз6 и выполняют функции стабилизирующего слоя, удерживающего соответствующую реконструкцию приповерхностной области арсенида галлия.

Для анализа спектров фотоотражения использовалась обобщенная ыно-гослоевая модель с частичной модуляцией поля. С помощью ФО-спектров доказано снижение плотности заряженных дефектов на поверхности GaAs при обработках ее парами халькогенов.

Комбинированными исследованиями при одновременной регистрации спектров ФО и фотолюминесценции установлено, на арсениде галлия с пассивированной поверхностью халькогенами наблюдается повышение эффективности фотолюминесценции с одновременным снижением величины электрического поля на поверхности (рис. 5). Причем, как видно из рисунка, снижение относительной плотности безызлучательных центров рекомбинации наблюдается при сравнительно низких плотностях потока мощности (~ 100 Вт/см2) фотовозбуждения лазерным излучением (X = 632.8 нм). Кроме того, в этих случаях замедляются процессы, ответственные за деградацию фотолюминесценции.

Таким образом, на основе анализа комплексных исследований можно утверждать о наличии нескольких механизмов снижения интегральной плотности электронных состояний на поверхности арсенида галлия, пассивированной халькогенами: 1) близость химических связей GaAs и А23Вз6 при сов-

Рис. 5. Комбинированные исследования

фотолюминесценции (кривые 1, 2, 3) и величины напряженности электрического поля поверхности ОаЛз (кривые Г, 2'), обработанной в парах селена.

1 — плотность фотовозбуждения 100 Вт/см

2 — плотность фотовозбуждения 200 Вт/см

падении параметров кристаллических решеток позволяют формировать резкие совершенные границы раздела в гетероструктурах на их основе; 2) при незначительном несовпадении постоянных решеток (~ 3 %) особенность соединений Аг3Взб (высокая концентрация стехиометрических вакансий) позволяет формировать на поверхности ОаАв тонкие псевдоморфные слои Аг3Вз6, в которых совмещение кристаллических решеток происходит так, что совпадают кристаллографические направления (100) подложки и (110) пленки. При этом достигается максимальное совпадение плотностей валентных связей; 3) в процессе обработки поверхности ОаАэ происходит сегрегация объемных дефектов, что влечет за собой снижение интегральной ПЭС.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Впервые было предложено формировать гетероструктуры А3В5-Аг3Вз6 гетеровалентным замещением элемента В5 подложки халькогенами В6. Проведены комплексные экспериментальные исследования по изучению состава, структуры, кинетики роста, энергетического спектра валентных н локализованных электронных состояний и электрофизических свойств гетероструктур ва Ав - А:3Вз\ которые позволили сделать следующие выводы:

1. Обнаружено подобие основных особенностей энергетического спектра валентных состояний СэАб и халькогенидов галлия типа Аг3Вз6 методами РЭС и РФЭС.

2. При замещении в А3В5 атомов В5 халькогенами происходят небольшие изменения в распределении плотности р-состояний вблизи потолка валентной зоны, в то время как средняя часть валентной зоны остается без существенных изменений.

3. Рост слоев халькогенидов галлия ограничен диффузионными процессами. При этом 2/3 толщины слоев Аз'Вз6 формируется в глубине подложки СаАБ, а 1/3 - эпитаксиально наращивается на ее поверхности.

4. При согласовании постоянных кристаллических решеток в гетеро-структурах ОаАз-А23Вз6 наблюдается наименьшая плотность состояний. При рассогласовании параметров решеток пижение плотности ПЭС обусловлено образованием псевдоморфного слоя Аг3Вз6 ориентации (110) с плоскостями (100) монокристаллической подложки ОаАв, в которых наблюдается максимальное совпадение плотности валентных связей.

5. В полевых гетероструктурах А1 - ОагЗез - СаАэ с резкой границей раздела наблюдается модуляция поверхностного потенциала по всей —чрине запрещенной зоны арсенида галлия. Эффективная плотность локш1..оован-ных состояний на границах раздела этих структур менее 10" см-2эВ '.

, 6. Монополярные токи проводимости в высокоомных полупроводниковых слоях сохраняют линейное распределение потенциала в широком интервале внешних напряжений.

7. В структурах GaAs - GajSe3 существует энергетический барьер -

0.6.эВ для электронов со стороны GaAs, который позволяет создавать в п-GaAs квазидвумерный поверхностный канал электронной проводимости, управляемый внешним электрическим полем.

8. В структурах Шоттки Me-GaAs с туннелыто прозрачными промежуточными слоями А23В:6 высота барьера определяется работой выхода электронов из металла и варьируется в интервале 0.4 - 1.0 эВ.

9. Концентрация и энергетическое положение поверхностного уровня (Пъ — 0.4 эВ на исходной поверхности) определяется продолжительностью обработок GaAs и составом пара халькогенов.

10. Облучение арсенида галлия со слоями Аз3 В/ когерентным излучением плотностью 100 Вт/см2 дополнительно снижает концентрацию заряженных центров на поверхности и повышает эффективность интегральной фотолю-минисценции.

Основные результаты диссертации изложены в следующих работах:

1. Котелянский И., Кузнецов Г.Ф., Стрыгин В.Д. Изучение монокристалличе-.ских слоев полупроводниковых соединений А3В5 рентгеновскими методами // "Наука", Сибирское отделение, 1975, ч. 2, с. 337 - 341.

2. Дикарев Ю.И., Гольдфарб В.А., Сыноров В.Ф., Стрыгин В.Д. Плазмохи-

мнческое травление в ВЧ тлеющем разряде фторосодержащих газов // "Электронная техника", сер.7, вып. 5 (69), 1975, с. 4-7.

3. Суровцев И.С., Гольдфарб В.А., Сыноров В.Ф., Стрыгин В.Д. Способ изготовления сплавной диодной структуры большой площади // Межвуз. сб. "Физика полупроводников и микроэлектроника", РРТИ.

4. Литманович В., Сахаров Б.Н., Гольдфарб В.А., Сыноров В.Ф., Левин М.Н., Стрыгин В.Д. Особенности термического окисления кремния в присутствии окислов свинца // Изв.АН СССР, сер. "Неорганич. матер." N 9, 1979 г., с.

5. Постников B.C., Сысоев Б.И., Антгошнн В.Ф., Стрыгин В.Д. Термостиму-

лированный разряд идеального МДП конденсатора, ФТП, 1982, в.9, с. 1719, депонирована Р-3383/82 (Электроника).

6. Линник В.Д., Моргунов В.Н., Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д. Особенности термостимулированной релаксации заряда с пограничных центров локализации в полупроводнике // II Всес. сов. по глубоким уровням в полупроводниках, Ташкент, 1980 г., тез. докл., с. 43.

7. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д., Свойства гетерофазисных структур тонкий полуизолирующий слой дефектного материала - арсе-нид галлия. В кн.: "Новые материалы электронной техники", Воронеж,

' ВПИ, 1983г.,с. 44-47.

8. Капустин Ю.А., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Термостимулирован-ный разряд квазиравновесной области пространственного заряда МДП конденсатора. В кн.: "Новые материалы электронной техники", Воронеж, ВПИ, 1983 г., с. 71-75.

9. Антюшин В.Ф., Моргунов В.Н., Шевелева Г.М., Стрыгин В.Д. Электрофизические свойства гетероструктурБ ОагБез-СаАв. Межведомственный сб. научн. тр. "Полупроводниковая электроника.", ВГПИ, 1983 г., с. 52 - 57.

10. Антюшин В.Ф., Моргунов В.Н., Стрыгин В.Д., Шевелева Г.М. Модуляция областей пространственного заряда в гетероструктурах ваАз-ОагБез-А!. Полупроводниковая электроника.- Межведомственный сб. научн. тр. "Изв. ВГПИ", 1983, с.67-72.

11. Сысоев Б.Й., Асессоров В.В., Булгаков С., Стрыгин В.Д. Способ получения изолирующих пленок на пластинах арсенида галлия II АС N 1200782 4 июня 1984 г.

12. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Модуляция областей пространственного заряда в изотопных полевых структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника. ФТП, N 10, 1984, с. 1739-1743.

13. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Энергетическая диаграмма тонкопленочных гетеросгруктур. "Поверхность. Физика, химия, механика", 1986, N 2, с. 148-150.

14. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Стрыгин В.Д. Изолирующее покрытие для арсенида галлия. ЖТФ, 1986, т. 56, N 5, с. 913-915.

15. Сысоев Б.И., Анташнн В.Ф., Стрыгин В.Д. Об определении поверхностной подвижности в МДП структурах с переносом заряда. - ФТП, 1986, т. 30, N.1, с. 48-52.

16. Антюшин В.Ф., Лихолет А.Н., Стрыгин В.Д. Энергия ионизации глубоких уровней в полупроводниковых слоях с переменной энергией сродства к

электрону. II Сб. и. тр. "Свойства нитевидных кристаллов и тонких пленок", Воронеж, ВПИ, 1986, с. 112-114.

17. Антюшин В.Ф., Кузьменко Т.А., Стрыгин В.Д. Химическое травление полярных плоскостей арсенида галлия в сернокислом травителе // Межвуз. сб. н. тр. "Полупроводниковая электроника", ВГПИ, Воронеж, 1985, с.IIIS.

18. Антюшин В.Ф., Чурсина Е.И., Стрыгин В.Д. Новое изолирующее покрытие для арсенида галлия. Тез.докл. Всес. научн. конф. "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники", Минск, 1985, с. 237.

19. Антюшин В.Ф., Дронов A.C., Моргунов В.Н., Стрыгин В.Д. Выращивание гетероэпитаксиальных слоев GajSea на арсениде галлия // VI Всес. конф. по росту кристаллов, Ереван, 1985, тез. докл., с. 148.

20. Антюшин В.Ф., Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д. Модуляция областей пространственного заряда с изолирующими слоями GasSes, Са:5з на GaAs. Тез. докл. X Всес. конф. по физике полупроводников, Минск, ч.1, с. 167168.

21. Домашевская Э.П., Неврюева E.H., Стрыгин В.Д. Влияние гегеровалент-ного замещения на электронное строение гетероэпитаксиальных структур Ga2As3/GaAs по данным рентгеновской эмиссионной спектроскопии // Физико-химические основы надежности микроэлектронных структур. Межвузовский сб. Воронеж: ВПИ - 1987 - с. 43-46.

22. Сысоев Б.И., Буданов A.B., Стрыгин В.Д. Формирование гетероперехода Ga2S3-GaAs методом гегеровалентного замещения мышьяка на серу. / Полупроводники и гетеропереходы (сб. статей под ред. А.И.Ро- зенталя), АН СССР, Таллинн: Валгус, 1987, с.32-34.

23. Антюшин В.Ф., Ефимова М.А., Стрыгин В.Д., Чурсина Е.И. Определение оптических постоянных полупроводниковых пленок по спектрам отраже-

ния // Тез.докл.УП Всес. коорд. совещ. "Материаловедение п/п соединений группы AB", Воронеж, 1987 г., с. 50.

24. Сысоев Б.И., Антюшин В.Ф., Руднев Е.В., Стрыгин В.Д. Оценка поверхностной подвижности электронов в гетероструктуре арсенид галлия - полупроводник со сгехиометрическими вакансиями. ФТП, т.21, вып. 7, 1987, с. 1310-1312.

25. Неврюева Е.И., Терехов В.А., Стрыгин В.Д. Электрофизические свойства гетероэпитаксиальных структур GazSej-GaAs и ее электронное строение //

: Тез.докл. XII Всес.конф.по микроэлектронике, ч. III, Тбилиси, 26-28 окт.

\ 1987 г., с. 59-69.

26. Моргунов В.Н., Чурсина Е.И., Стрыгин В.Д. Полуизолирующие покрытия на арсениде галлия, сформированные замещением мышьяка селеном // Тез. докл. XII Всес. конф. по микроэлектронике, ч. III, Тбилиси, 26-28 октября 1987 г., с. 59-69

27. Сысоев Б.И., Агапов Б.Л., Чурсина Е.И., Асессоров В.В., Стрыгин В.Д. Способ получения изолирующих пленок на пластинах арсенида галлия // АС N 1398701,22.01.88

28. Сысоев Б.И., Чурсина Е.И., Агапов Б.Л., Стрыгин В.Д. Формирование переходных слоев переменного состава в гетероструктурах GaAs-GazSeä. // Структура и свойства внутренних границ раздела в металлах и полупроводниках. Сб. н. тр., Воронеж, ВПИ, 1988, с. 38-41.

29. Домашевская Э.П., Терехов В.А., Неврюева Е.И., Стрыгин В.Д. Энергетический спектр валентных электронов в гетероструктурах Ga2Se3-GaAs // "Поверхность. Физика, химия, механика", 1988, N 8, с. 127-131.

30. Сысоев Б.И., Чурсина Е.И., Стрыгин В.Д. Фотоинжекционные токи в гетероструктурах GaAs-Ga2Se3 // II Всес. школа по физике рыхлых и кристаллических структур. Тез. докл. 19-26 сент. 1988 г., Харьков, с. 51 - 52.

31. Сысоев Б.И., Чурсина Е.И., Стрыгин В.Д. Рост эпитаксиальных слоев Ga2Se3 на поверхности GaAs при гетеровалентном замещении мышьяка селеном // 7 Всес. конф. по росту кристаллов, тез. докл., 14-19 ноября 1988, Москва, с. 45-46.

32. Селезнев А.Е., Кртов Г.И., Миттов О.Ы., Сгрыгин В.Д- Плазмохимиче-ское осаждение пленок // Минск, тез. докл. Всес.копф. "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники", ч. II, с. 244.

33. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д.. Котов Г.И. Подзатворные слон Ga:Sej для гетеропереходных транзисторов на GaAs // Тез. докл. 1 Всес. конф. "Физические основы твердотельной электроники", том 1. с. 236-237.

34. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Котов Г.И. Барьеры Шоттки на GaAs предварительно обработанном в парах селена // Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, N 9, с. 22-26.

35. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Котов Г.И. Механизм формирования и свойства гетероконтакта Me-GaAs с промежуточными слоями селенидов. // Тез.докл. V Всесоюзн. конф. по физич. процессам в п/п гетероструктурах. Калуга, окт. 1990 г., т. П, с. 7-8.

36. Сысоев Б.И., Домашевская Э.П., Терехов В.А., Неврюева Е.И., Стрыгин В.Д. Электронная структура и электрофизические свойства гетероструктур на основе п/п со стехиометрическнми вакансиями. // Докл. междунар. конф. по микроэлектронике, Югославия, Любляна, март 1990, с. 13 - 14.

37. Сысоев Б.И., Домашевская Э.П., Терехов В.А., Неврюева Е.И., Стрыгин В.Д. Энергетическая диаграмма гетероструктур GaAs-GazSeä // Между-нар.конф. по микроэлектронике, Минск, сент. 1990, с. 51 - 53.

38. Сысоев Б.И., Агапов Б.Л., Котов Г.И., Асессоров В.В., Стрыгин В.Д. Способ получения изолирующих покрытий на арсениде галлия // АС N 1545858 опубл. 22.10.89.

39. Антюшин В.Ф., Моргунов В.Н., Стрыгин В.Д. Релаксация электрического поля в изолирующем слое гетероструктур Al/Ga, Se3/GaAs // Межвуз. сб.научн.трудов "Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов", Воронеж, ВПИ, 1989, с.31-35

40. Домашевская Э.П., Сысоев Б.И., Терехов В.А., Неврюева Е.И., Стрыгин В.Д. Электронное строение границы раздела гетероструктур А2шВзУ1-AniBv // II Всес. конф." Материаловедение халькогенидных и кислородсодержащих п/п", тез. докл., Черновцы, 1986, т. 2, с. 203.

41. Сысоев Б.И., Красавин В.И., Стрыгин В.Д. Способ пассивации поверхности арсенид-галлиевых р-переходов//АС N4609175/25 от 28,02.88.

42. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Котов Г.И., Чурсина Е.И. Механизм формирования и свойства гетероконтакта Me-GaAs с промежуточными слоями селенидов. // Физнч. процессы в п/п гетероструктурах. Тез. докл. V Всесо-юзн. конф.. Калуга, окт. 1990 г., т. ÍI, с. 7-8.

43. Домашевская Э.П., Терехов В.А., Неврюева Е.И., Стрыгин В.Д. Влияние анионного замещения в рентгеновских спектрах гетероэпитаксиальных структур A2W - А3В5 . XII Всес. совещание по рентгеновской и электронной спектроскопии. 1988 г., тез. докл., с. 172 - 178.

44. Сысоев Б.И., Стрыгин В.Д., Чурсина Е.И., Котов Г.И. Кинетика формирования Ga2Se3/GaAs при термической обработке подложек GaAs в парах селена //Неорг. материалы (Изв.АН СССР), 1991, т. 27, N 8, с.1583-1585.

45. Сысоев Б.И., Котов Г.И., Неврюева E.H., Домашевская Э.П., Стрыгин В.Д. Электронные процессы на границе раздела в гетероструктурах Ga2Se3-GaAs// "Рост кристаллов", тез. докл. 8 Всес. конф. 2-8 февраля 1992, Харьков, т. 1, с. 120-121.

46. Sysoev B.I., Strygin V.D., Kotov G.I., Nevrueva E.N., Domashevskaya A.P. Formatoin of a Me/GaAS heterocontact with an Intermediate Layer of Gallium Selenide// Phys: Stat. Sol. (a), 1992, V. 129, p. 207-212.

47. Sysoev B.I., Strygin Y.D., Kotov G.I. Schottky barrier in Me-Ga2Se3-GaAs heterostructures // Abstr. Conf. on Electronic materials, Novo- sibirsk, 1992, p. 177-178.

48. Сысоев Б.И., Безрядин H.H., Котов Г.И., Стрыгин В.Д. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шотгки в структурах Me-GaAs //ФТП, 1993, т. 27, N 1, с. 131-135.

49. Сысоев Б.И., Безрядин H.H., Котов Г.И., Агапов Б.Л., Стрыгин В.Д. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидами галлия А2шВзУ1 (110) //ФТП, 1995,т.29, Ñ 1, с.*24-32.