Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr, Co) и кремния тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

1 Формирование границ раздела в гетероструктурах на основе Зс1-металлов (Сг, Со), их силицидов и кремния (обзор)

1.1 Традиционные представления о формировании межфазной границы раздела.

1.2 Феноменологические модели низкотемпературного перемешивания на границе раздела металл- кремний.

1.3 Равновесные поверхностные фазы и формирование границы раздела металл - кремний.

1.4 Формирование границы раздела переходного 3<1-металла с кремнием

1.4.1 Формирование границы раздела в различных системах переходной металл - кремний.

1.4.2 Система Сг/81(111).

1.4.3 Система Со/Б^Ш)

1.5 Эмпирические и полуэмпирические модели формирования границы раздела металл - полупроводник.

1.5.1 Современные методы моделирования атомных процессов

1.5.2 Эмпирические модели формирования границы раздела металл - полупроводник

1.6 Осаждение аморфного кремния на монокристаллические подложки силицида Зс1-металла и кремния

1.7 Эволюция границы раздела в системе переходной Зс1-металл

- кремний в процессе отжига.

1.8 Формирование эпитаксиальных границ раздела в гетерострук-туре кремний - силицид 3d- металла — кремний

1.8.1 Формирование гетероэпитаксиальной границы раздела

1.8.2 Эпитаксия тонких пленок CrSi2 на Si(lll).

1.8.3 Рост и эпитаксия Si на силицидах.

1.9 Электрофизические и барьерно- транспортные свойства в тонких пленках и на границе раздела Сг и его силицидов с кремнием 75 1.9.1 Зонная структура и электрофизические свойства тонких пленок CrSi2 на кремнии.

1.10 Транспортные свойства сверхтонких металлических пленок на кремнии.

1.11 Барьер Шоттки на границе раздела металл-полупроводник и в тонкопленочных структурах металл (силицид) - кремний

1.12 Выводы по главе.

2 Аппаратура и методы исследования приповерхностных слоев в процессе формирования границы раздела

2.1 Сверхвысоковакуумная установка и измерительное оборудование

2.2 Методика получения и исследования образцов.

2.3 Методика исследования транспортных свойств

2.4 Анализ методами ЭОС, СХПЭЭ и ДМЭ.

2.4.1 Аналитические возможности методов ЭОС, СХПЭЭ и

2.4.2 Количественный оже-анализ поверхностных покрытий и поперечно- неоднородных структур.

2.4.3 Количественный ХПЭЭ-анализ слоисто-неоднородных структур

2.4.4 Дифракция и обратное рассеяние в зависимостях СХ-ПЭЭ Si(lll) и поверхностных фаз хрома при изменении энергии первичных электронов от 0,2 до 3 Кэв.

2.5 Выводы по главе.

3 Роль локальной термодинамики в формировании реактивной границы раздела при неравновесных условиях

3.1 Типы фаз, образующихся в процессе осаждении Сг на Si(lll) при комнатной температуре, их структура и механизм формирования

3.2 Типы фаз, образующихся в процессе осаждении Со на Si(lll) при комнатной температуре, их структура и механизм формирования

3.3 Неупорядоченные фазы, формирующиеся при комнатной температуре на границе раздела Si/CrSi2(0001)/Si(lll).

3.4 Выводы по главе.

4 Кинетика формирования реактивной границы раздела в неравновесных условиях

4.1 Формирование смеси фаз на границе раздела Cr/Si как процесс, контролируемый взаимодиффузией между пленкой и подложкой

4.2 Процесс роста и перемешивания на границе раздела Cr/Si, как процесс, контролируемый атомарным пучком

4.2.1 Формирование атомарного пучка, его взаимодействие с подложкой и активация диффузии.

4.2.2 Реактивно- активируемая диффузия из осаждаемого пучка и модель перемешивания

4.2.3 Зарождение и рост двумерных кластеров из атомарного пучка.

4.2.4 Зависимость поверхностной концентрации от количества осажденного хрома и длины поверхностной диффузии

4.2.5 Зависимость механизма роста от скорости осаждения.

4.3 Механизм формирования границы раздела Сг/81(111) при осаждении Сг из эффузионного источника с большой скоростью

4.4 Механизм формирования границы раздела Сг/81(111) при осаждении Сг из ленточного источника

4.5 Влияние скорости осаждения на формирование границы раздела 81/Сг8Ь(0001).

4.6" Выводы по главе.

5 Фазы переходного металла и его силицида на кремнии, формирующиеся в процессе отжига, и процессы роста

5.1 Образование упорядоченных поверхностных структур и объемных силицидов в системе 81(111)-Сг.

5.2 Тонкопленочная фаза /3\Дх\Д-Сг на 81(111) и ее переход в Сг81 при послойном доращивании и отжиге.

5.3 Образование упорядоченных поверхностных структур и объемных силицидов в системе 81(111)-Со.

5.4 Влияние упорядоченных поверхностных фаз на рост переходного металла на кремнии.

5.5 Выводы по главе.

6 Фазы, стабилизированные подложкой, и двойная эпитак-сия в гетероструктуре 81/Сг812/81(111)

6.1 Формирование затравочного слоя и эпитаксия Сг812 на 81(111)

6.2 Реактивная молекулярно-лучевая и твердофазная эпитаксия Сг812 А- и В-типа на 81(111) при высокоскоростном осаждении

6.3 Твердофазная эпитаксия силицидов на 81(111) в процессе импульсного лазерного отжига.

6.4 Тонкопленочные фазы и эпитаксия в! на Сгё^ А- и В-типа

6.5 Выводы по главе.

7 Электронная структура и транспортные свойства тонкопленочных структур хрома и его дисилицида на кремнии

7.1 Исследование зонной структуры тонкопленочных структур хрома на кремнии с помощью оптических и электрических измерений.

7.2 Механизм низкотемпературной проводимости в тонкопленочных фазах и эпитаксиальных пленках силицидах хрома на кремнии.

7.3 Электрофизические параметры тонкопленочных фаз и эпитаксиальных пленок дисилицида хрома на кремнии

7.4 Электрофизические свойства сверхтонких пленок хрома и его дисилицида, полученных с высокой скоростью осаждения.

7.5 Высота барьера Шоттки на границе раздела тонкопленочных фаз и эпитаксиальных силицидов хрома с кремнием.

7.6 Выводы по главе.

Выводы

Теоретическое и прикладное значение исследования. Предмет исследования данной работы - это роль поверхностных и тонкопленочных фаз с нано-и субнаноразмерными толщинами в процессе формирования границы раздела переходного металла, его силицида и кремния при молекулярно-лучевом выращивании многослойных гетероструктур на кремнии, а также структура и свойства всех фаз принимающих участие в данном процессе.

Фундаментальные предпосылки для выбора данной темы обусловлены тем, что граница раздела переходной 3(1 металл (с частично заполненной (1 оболочкой) и его силицид - кремний имеет свои особенности. Они связаны с тем, что атомы ряда 3с1 металлов СП, V, Сг, Мп, Ре, Со, N1) имеют соизмеримый радиус с радиусом кремния и имеют, в некоторой степени, ковалентный характер связей между собой и с кремнием. Это, соответственно, приводит к возможности эпитаксиального роста тех или иных стабильных в объемном состоянии фаз, а также возможности образования новых нестабильных в объемном состоянии фаз, которые стабилизированы подложкой, имеют тип структуры, характерный для структуры объемных фаз и имеют свойства отличные от свойств объемных фаз. Такие тонкопленочные фазы, стабилизированные подложкой, могут играть важную роль в гетерогенном зарождении и росте объемных фаз и определять механизм формирования границы раздела между подложкой и формирующейся объемной фазой, а также ориентацию и степень эпитаксиальности объемных фаз.

В целом предмет данной работы находится на стыке трех подразделов физики твердого тела (металлов и полупроводников): физики поверхности, физики границы раздела и физики роста тонких пленок. Два первых подраздела, особенно физика поверхности, сформировались относительно недавно. Молодость этих ответвлений физики твердого тела проявляется в том, что многие понятия еще только формируются. Так относительно недавно сформировалось понятие поверхностной фазы твердого тела [1], [2]. Хотя понятие об адсорбированных фазах на поверхности было сформировано значительно раньше [3]. Сам процесс формирования границ раздела на атомном уровне начал исследоваться практически одновременно с развитием физики поверхности, так как, по мере выяснения структуры и механизма образования поверхностных фаз, появлялась возможность более последовательно и детально изучать процесс формирования границы раздела, а именно его начальную стадию, когда формируется первый трехмерный слой объемной фазы. В процессе такого "атомноскопического" изучения границы раздела мы пришли к выводу, что процесс формирования границы раздела, включая процесс зарождения и роста первого слоя объемной фазы, определяется типом поверхностных и тонкопленочных фаз, способом их образования и способом их перехода к объемным фазам.

Что касается прикладных предпосылок, то они, в основном, связаны с развитием полупроводниковой электроники в направлении повышения быстродействия, степени миниатюризации и интеграции полупроводниковых приборов, а также, в направлении расширения их функциональных возможностей. Слоистые или тонкопленочные структуры металл - полупроводник, включая многослойные, могут быть основой элементов трехмерных интегральных схем, новых полупроводниковых материалов (обеспечивающих новые функциональные возможности) и приборов. Так структуры переходной Зс1-металл (Сг, Со) - кремний, а также гетероструктуры кремний - силицид (узкозонный полупроводник - Сг812 или металл - CoSi2), которые рассматриваются в данной работе, представляют интерес для создания матриц многослойных ИК-фотоэлементов, многослойных и однослойных магнито-чувствительных пленок, оптоэ лек тронных и электронных межсоединений ИС, быстродействующих и сверхминиатюрных гетеропереходных транзисторов и транзисторов с металлической или проницаемой базой [4], [5], [6], [7]. Кроме того, данные структуры могут представлять интерес для создания ряда новых приборов, таких как транзисторы с резонансным туннелированием [7], а также различных электронных и оптоэлектронных приборов на основе квантово-размерных эффектов в двумерном слое металла, захороненном в полупроводнике [8].

Выбор систем 81(111)-Сг и Я'|(111)-Со для данного исследования объясняется еледующим. Во-первых, в данных системах образуется ряд стехиометрических объемных соединений металла с кремнием. Некоторые из этих соединений (С 'г812, 00812) по вышеупомянутой причине близости ковалентных радиусов металла и кремния имеют малое несоответствие решетки с гранями монокристалла кремния и могут быть выращены на нем в виде псевдоморфных монокристаллических или эпитаксиальных пленок. По этой же причине в данных системах можно ожидать появление специфичных по структуре и нестабильных в объемном состоянии тонкопленочных фаз, стабилизированных подложкой, которые могут иметь уникальные свойства. Во-вторых, выбор этих систем обусловлен уникальностью С^г для эпитаксиального роста на кремнии. Он обладает, наряду с минимальным несоответствием решеток, определенным преимуществом перед другими силицидами Зс1-металлов. У С1-812 решетка -гексагональная и ее симметрия в плоскости сопряжения (0001) более высокая, чем у грани 81(111). Это устраняет возможность двойникования, в отличии от Со812 N1812 и Ре812 на 81(111). В-третьих, этот выбор обусловлен электрофизическими свойствами Сг, ОоЗЬ, Со и Сг812, как, соответственно, немагнитных и магнитных металлов с высокой прводимостью и полупроводника с малой шириной запрещенной зоны, которые находят широкое применение в микроэлектронике и представляют интерес для создания ряда полупроводниковых приборов, в том числе, упомянутых выше.

Поверхностные и тонкопленочные фазы: определение и классификация.

Для того чтобы пользоваться в дальнейшем строгими понятиями, приведем вначале некоторые определения.

Прежде всего, уточним понятие "объемная фаза". В это понятие мы вкладываем не трехмерную или протяженную по толщине структуру фазы, а ее стабильность в объемном (трехмерном или массивном) виде.

Под равновесными или просто поверхностными фазами, как и в работах [2], [9] мы понимаем равновесное состояние двумерного (или поперечно-неоднородного в пределах области толщиной порядка дебаевского радиуса экранирования - см. ниже) и макроскопически однородного в плоскости подложки слоя, граничащего с плоскостью твердотельной подложки: Данный слой находится в равновесии с подложкой, не может существовать и находиться в равновесном состоянии в отсутствии подложки и существенно отличается от слоев объемных фаз данных веществ по структуре и свойствам. Отметим, что для пленочных систем и систем газ (вакуум)-твердое тело обычно рассматривают три типа равновесия: 1) равновесие всей системы, 2) частичное равновесие, то есть равновесие между пленкой и подложкой и 3) пространственно-локальное равновесие между подложкой и отдельными частями пленки. Поэтому в вышеуказанном определении имеется ввиду частичное равновесие, примером которого можно привести эпитаксию тонкой пленки объемной фазы АВ на подложке В, которая не предсказывается объемной диаграммой системы А — В, поскольку на ней фаза АВ не соседствуют с В.

Поверхностная фаза в общем случае представляет собой одно- или многоатомный слой одного или нескольких веществ. В строении поверхностных фаз могут принимать участие как атомные слои в виде двумерных сеток и цепочек, так и иерархические структуры, состоящие из нескольких (обычно до трех) различных по структуре атомных слоев. На кристаллах кремния, особенно на неплотно упакованных гранях, двумерные поверхностные фазы большинства металлов и неметаллов не являются плотноупакованными в плоскости подложки из-за значительно меньшей величины атомного диаметра металлов и неметаллов по сравнению с расстоянием между атомами кремния [9].

Поверхностная фаза принципиально отличается тем, что ее структура диктуется структурой подложки и в значительно большей степени зависит от взаимодействия между ее атомами и атомами подложки, чем между атомами самой фазы. Это предполагает, что толщина этой фазы соизмерима с дебаевским радиусом экранирования (для металлических и плотноупакованных фаз величина этого радиуса соизмерима с размером атомов, для неметаллических и неплотноупакованных она может быть и выше), а ее свойства ближе к свойствам подложки, чем к свойствам чистых веществ адсорбатов, входящих в данную поверхностную фазу, и даже к свойствам их объемных соединений с материалом подложки.

Кроме равновесных поверхностных фаз, для области низких и средних температур целесообразно ввести понятие неравновесных или метастабильных (в частности, стабилизированных подложкой) поверхностных фаз, для которых выполняются условия только локально-энергетического равновесия (энергия системы находится в точке локального минимума). Среди этих фаз могут быть фазы, состояние которых обусловлено кинетическими ограничениями и, которые локально однородны в плоскости подложки. Они могут состоять из двумерных и трехмерных кластеров, зерен или смеси различных микроскопических фаз.

Согласно определению равновесного состояния [10], равновесное состояние тонкого слоя на твердотельной подложке - это состояние, в котором свободные энергии самого слоя и его границ раздела с подложкой и вакуумом находятся в точке минимума зависимости этой энергии от термодинамических потенциалов. На атомном уровне минимальность свободной энергии, в случае ковалентного типа слоя и подложки, характеризуется насыщенностью атомных связей на поверхности, в самом слое и между слоем и подложкой. Равновесие слоя с подложкой означает, что поверхностная энергия твердотельной подложки минимальна, при этом связи атомов подложки насыщены взаимодействием с находящимся на ней слоем.

Напомним, что под поверхностной энергией понимается остаток (Уя), получаемый при вычитании из общей энергии твердого тела (У) произведения объемной энергии, отнесенной к одной молекуле (у), на число молекул в образце (К) [3] в = У-Ыху (0.1)

В отсутствии равновесного состояния поверхностная энергия твердого тела, ограниченного поверхностью раздела, обусловлена наличием превалирующего числа так называемых "оборванных связей". Поэтому, для минимизации поверхностной энергии подложки, а также свободной энергии самой фазы (и ее границы с вакуумом), необходимо специфическое расположение атомов на поверхности подложки с присущей ему структурой и насыщенными связями. В конечном итоге это, а также принадлежность атомов к той или иной группе и периоду таблицы Менделеева определяет структурный тип поверхностной фазы [9]. В общем случае, можно говорить о различных типах поверхностных фаз, различая их по тем или иным свойствам. Так, если они различаются по степени взаимосвязи атомов с подложкой, то их можно разделить на: адсорбированные и хемосорбированные фазы. Если их различать по степени взаимосвязи собственных атомов между собой, то можно говорить о поверхностных фазах, как о поверхностных адслоях или химических соединениях.

В случае, когда осажденное вещество и его объемные соединения с веществом подложки близки или кратны по параметрам решетки (например, межатомному расстоянию) кристаллу подложки, то в этой системе, помимо хорошо известных псевдоморф-ных эпитаксиальных слоев (см., например, [11]), может сформироваться двумерная или протяженная по толщине тонкопленочная фаза с плотностью и другими физическими свойствами близкими к плотности и свойствам объемной фазы осажденного вещества и его соединений с подложкой. Такие тонкопленочные фазы стабилизированы до определенной толщины подложкой, а свыше этой толщины и в массивном состоянии - нестабильны. Эти фазы, а также поверхностные фазы мы будем называть фазами, стабилизированными или эпитаксиально- стабилизированными подложкой.

Пример тонкопленочных фаз - это нестабильные в объемном состоянии фазы, которые образуются в слоях металлов, склонных к аллотропии, на подложке другого металла (см., например, [12]). В формировании тонкопленочных фаз могут участвовать, как инородные подложке атомы, так атомы самой подложки, а также смесь этих атомов. Особенность протяженных по толщине тонкопленочных фаз состоит в том, что они могут расти по толщине, но предельная их толщина зависит от напряжений, существующих в фазе, и степени ее связи с подложкой. Толщина большая, чем длина экранирования электронов (обычно в пределах 1-2 монослоев), и объемно-подобное значение атомной плотности - признаки тонкопленочных фаз, которые отличают их от поверхностных фаз, которые имеют меньшую толщину и плотность, соответствующую плотности атомов подложки.

Здесь необходимо остановиться на принципиальном вопросе о том, чем определяется толщина протяженных по толщине тонкопленочных фаз. В отличие от поверхностных и двумерных тонкопленочных фаз, толщина которых имеет величину порядка дебаевского радиуса экранирования (в металлах - радиуса экранирования Томаса-Ферми), взаимодействие атомов в более толстой, протяженной тонкопленочной фазе экранировано от подложки граничным слоем и структура фазы в большей степени определяется собственным взаимодействием атомов фазы, чем взаимодействием с подложкой. Поэтому предельная толщина протяженной тонкопленочной фазы определяется уже собственно размерным эффектом взаимодействия в самой пленке. Таковым эффектом, прежде всего, является статический квантово-размерный эффект в пленках толщиной в несколько (3-5) длин волн электронов на уровне Ферми [13]. Этот эффект связан с периодическим и затухающим профилем электронной плотности, следствием чего является изменение поверхностной энергии пленки и ее стабильности с толщиной. В отличии от статического эффекта вызванного границей раздела (фриделевские осцилляции плотности - - [14]), размерность которого уменьшается с увеличением концентрации электронного газа в твердом теле, в статическом квантово-размерном эффекте затухающие осцилляции становятся более протяженными с возрастанием концентрации электронов [13].

Таким образом, тонкопленочные фазы могут быть:

1 - двумерными (содержащими 1-2 монослоя осажденного вещества) и

2 - протяженными по толщине (содержащими более 2-х монослоев).

В свою очередь протяженные тонкопленочные фазы можно разделить на: -многослойные (не имеющие периодичности решетки в третьем измерении) и -трехмерные (имеющие периодичность решетки в третьем измерении).

Размерность тонкопленочной фазы можно также охарактеризовать числом связей атомов (молекул) в этой фазе между собой: в одномерной фазе это число равно 2-м, а в трехмерной - порядка 12 [15]. Очевидно в двумерной фазе это число может быть от 3-х до б-ти.

Фазы, стабилизированные подложкой, и формирование границы раздела При формировании границы раздела, на стадии формирования протяженной по толщине тонкопленочной фазы, ее объем, и ее объемная свободная энергия возрастают с увеличением толщины, одновременно изменяется и поверхностная энергия из-за статического квантово-размерного эффекта. Это возможно также и для тонкого неравновесного граничного слоя с достаточно высокой концентрацией атомов подложки и пленки, который может образовываться, когда процесс контролируется кинетикой роста, а не его термодинамикой.

Когда толщина такой фазы (или неравновесного граничного слоя) достигает критической величины, вклад вышеуказанных энергий приводит к тому, что фаза становится нестабильной. При этом возможен спонтанный переход в объемную фазу. Атомная плотность слоя и энергия его границы раздела с подложкой при этом могут значительно измениться. В результате морфология пленки также может измениться (формируются неоднородности, островки или лабиринтно-подобная структура пленки).

В общем случае, переход к объемной фазе реализуется, через формирование сначала двумерной поверхностной фазы, затем двумерной тонкопленочной и далее протяженной по толщине тонкопленочной. При некоторых условиях, в этой последовательности может отсутствовать один или более чем один из этих типов поверхностных фаз. В предельном случае этот процесс протекает по классической схеме - из двумерного газа, за счет агрегации в зародыши через поверхностную диффузию (обычно это происходит при очень высокой температуре).

Для перехода от двумерной поверхностной или тонкопленочной фазы к протяженной тонкопленочной, если в ее состав входит вещество адсорбата и подложки, необходима объемная взаимодиффузия. В этом случае формирование протяженной тонкопленочной фазы или неравновесного диффузионного слоя в значительной степени зависит от степени неравновестности условий: обеспечивают ли они соответствующую скорость диффузии в объем подложки и из подложки в объем пленки.

В процессе формирования границы раздела переход от протяженной по толщине тонкопленочной поверхностной фазы к объемной может происходить различным образом, в зависимости от условий перехода. При увеличении количества осажденного вещества он происходит при достижении определенной степени пресыщения по концентрации, либо при достижении определенной толщины (если фаза является сильно неравновесной) - через разрушение (аморфизацию) исходной поверхностной фазы. А при увеличении температуры отжига, при достижении определенной степени пресыщения по температуре, - через реконструкцию поверхностной фазы. Структурный тип поверхностной фазы может определять ориентацию образующихся из нее зародышей объемной фазы, а также форму этих зародышей.

Формирование границы раздела и механизм этого процесса: определения. Необходимо уточнить, что в данной работе подразумевается под процессом формирования границы раздела и его механизмом (как классическим - без формирования поверхностных фаз, так и неклассическим - с участием поверхностных и тонкопленочных фаз, в том числе протяженных по толщине).

Под формированием границы раздела подложка - объемная фаза вещества на поверхности подложки мы подразумеваем процесс образования первого слоя объемной фазы (в данном случае - металла, кремния или силицида) толщиной в одну или несколько элементарных ячеек.

Под классическими механизмами формирования границы раздела будут пониматься три классические моды роста пленки объемной фазы [16]:

- 1) послойный рост с перемешиванием (с формированием диффузионной граничной области или промежуточных объемных соединений) или без перемешивания (рост по Франк - Ван Дер Мерве),

- 2) островковый рост (рост по Волмер - Веберу) и

- 3) смешанный между ними рост (рост по Странски - Крастанову). Условием возникновения этих мод роста являются следующие соотношения [16]:

1 уЛ I уАВ уВ > А

5 + < * > ' (0.2)

2 - У/4 + У{АВ - Ув < 0, где У3Л и У3В - поверхностные энергии пленки и, соответственно, подложки, а У. - - энергия границы раздела между ними 1.

АВ г

Тре тья мода роста возникает, когда выполняется соотношение для 1-ой моды, но в этом соотношении появляется дополнительный отрицательный член, который связан с упругими напряжениями

Под неклассическими механизмами роста с участием поверхностных и тонкопленочных фаз будут подразумеваться те же модели роста, но с ростом на начальной стадии (или промежуточных между ростом объемных фаз стадиях) поверхностных и тонкопленочных фаз того или иного типа.

Постановка задач и формулировка цели. В классической физике тонких пленок процесс формирования границы раздела традиционно рассматривался как процесс диффузии и реакции на поверхности и границе раздела с формированием зародышей, островков, тонких пленок или смеси объемных фаз [17]. Роль поверхностных и тонкопленочных фаз при этом не учитывалась. Признавалась лишь определенная роль структуры и состояния поверхности в поверхностной диффузии, зарождении, а также в процессах адсорбции и десорбции [18].

Впервые роль поверхностных фаз в процессах на поверхности была продемонстрирована в работах В.Г.Лифшица и др. [1], [2], [19]. Однако в этих работах исследовались только фазы типа двумерных поверхностных, а возможность формирования двумерных и протяженных по толщине тонкопленочных фаз не рассматривалась. Поэтому их роль в формировании границы раздела, а также в зарождении и росте объемных фаз не исследовалась. Кроме того, в литературе не рассматривалось влияние поверхностных и тонкопленочных фаз на ориентацию зародышей и самой растущей пленки, а также на смену механизма роста. Не учитывалась роль кинетических условий роста, в частности скорости осаждения, в формировании границы раздела.

Что касается математического моделирования процесса формирования реактивной границы раздела (включая и другие реактивные системы, помимо системы переходной металл- кремний), то оно носило эмпирический характер, а дискретный или квазинепрерывный процесс диффузии потока осаждаемых атомов в объем подложки, активированный реакцией самих атомов с подложкой, не учитывался [20]. Не учитывалась также конкуренция двух процессов - диффузии вещества в подложку и его роста в виде стабильной пленки. в пленке и который меняет при определенной толщине знак неравенства.

Задачи данного исследования были: а) проследить весь путь перехода от поверхностной фазы к объемной в процессе формирования границы раздела переходной 3(1-металл и его силицид - кремний в зависимости от толщины; б) выявить существование различных типов поверхностных и тонкопленочных фаз и определить какую роль они играют в различных процессах формирования границы раздела; г) исследовать переход поверхностная - тонкопленочная - объемная фаза при различных термодинамических (температура, концентрация, толщина) и кинетических (скорость осаждения) условиях и д) определить, как строение и свойства поверхностных и тонкопленочных фаз связаны с условиями их формирования и как их тип влияет на механизм роста и ориентацию объемных фаз.

Конечная цель данного исследования была - выявить общие черты перехода поверхностная фаза - объемная в системе переходной Зс1- металл и его силицид - кремний и показать роль различных поверхностных и тонкопленочных фаз, включая протяженные по толщине, в этом переходе.

Для выявления роли кинетики в процессе формирования границы раздела, кроме экспериментального исследования, необходимо было провести математическое моделирование этого процесса, как в рамках традиционных представлений о диффузии между объемными фазами на границе раздела, так и с учетом диффузии из атомного пучка в приповерхностную область, активируемой реакцией самих атомов с подложкой. При этом учесть конкуренцию двух процессов: формирование граничной области перемешивания и формирование стабильной фазы осаждаемого вещества за счет ее зарождения и роста на поверхности.

Специфика данного исследования заключалась в том, что объектами исследования были не только поверхностные фазы, но и двумерные и протяженные по толщине тонкопленочные фазы. Поэтому, необходимо было также изучить возможность анализа толщины и структуры этих фаз методами количественного оже-анализа, а также энергетически зависимой спектроскопии характеристических потерь энергии электронов.

Новизна результатов. Экспериментальные доказательства формирования протяженных по толщине тонкопленочных фаз, как нового класса необъемных соединений металл-кремний, стабилизированных подложкой, были нами впервые получены в работах [21], [22], а затем подтверждены в работах [23], [24].

В ходе выполнения данной работы было также впервые показано, что формирование поверхностных и тонкопленочных фаз и их переход к объемным определяет механизм зарождения, роста и атомного перемешивания, а также электрофизические свойства структур при формировании границ раздела переходной металл (силицид) - подложка кремния [25], [26], [27], [28], [21], [22], [29], [30], [23], [31], [32], [33], [34], [35], [36], кремний - подложка силицида [37], [38], [39] и аморфный кремний - подложка кремния [40]. В частности, впервые был экспериментально установлен размерный эффект формирования тонкопленочной фазы и перехода к объемной фазе в системе тонкая пленка Сг - подложка 81(111) [27]. Впервые также было показано, что тонкопленочные фазы и сверхтонкие силициды обладают свойствами, отличающимися от свойств объемных фаз [33], [34], [35], [36]: так тонкопленочная фаза Сг на кремнии имеет аномально низкое по сравнению с объемной фазой Сг сопротивление (см. раздел 7.4). Обнаружен также эффект влияния упорядоченных поверхностных фаз Сг и Со - интерфактантов, на эпитаксиальное ориентирование островков дисилицида Сг на кремнии [25], [26] и смену механизма роста пленок Сг (см. раздел 5.4) и Со [31] на кремнии. Новый результат, полученный в данной работе - это обнаружение металлоподобного двумерного граничного слоя в гетероструктуре эпитаксиальный силицид - кремний (см. главу 7).

При выполнении данной работы нами была построена новая математическая модель и развиты новые представления о формировании реактивной границы раздела металл - подложка полупроводника при неравновесных условиях (низкие скорости взаимодиффузии, высокий барьер для зародышеобразования). При этом была учтена нестационарная диффузия осаждаемых атомов металла в приповерхностный слой подложки, активированная реакцией атомов с подложкой, и конкуренция между этим процессом и процессом зарождения и роста пленки металла [41], [42]. Анализ и сопоставление с экспериментом полученной модели показало, что параметры, определяющие кинетику приповерхностных процессов (скорость осаждения, соотношение поверхностной диффузии к объемной, скорость распространения теплоты реакции и наличие центров зарождения), могут играть важную роль в формировании неравновесной диффузионной области на границе раздела [42].

Была выведена формула и построена модель для эмиссии О же- электронов из приповерхностной диффузионной зоны на границе раздела тонкая пленка металла -подложка полупроводника в процессе ее формирования [43]. Кроме того, были получены новые формулы для количественного Оже-анализа состава и толщины приповерхностных структур типа тонкопленочных фаз с учетом неоднородности длины свободного пробега электронов и фактора обратного рассеяния по глубине [44], [45]. Впервые была продемонстрирована возможность анализа атомной структуры тонкопленочных фаз по глубине с помощью спектроскопии характеристических потерь энергии электронов с изменяющейся энергией первичных электронов [24].

Краткое содержание работы. Диссертация состоит из 7-ми глав. В 1-ой главе дается обзор литературных сведений по процессу формирования границы раздела металл - полупроводник, в частности Сг/81(111), Со/81(111) и Эг/Сг312, при равновесных и неравновесных условиях (высокие и, соответственно, низкие температуры формирования), математическому моделированию кинетики этого процесса при неравновесных условиях и транспортным свойствам фаз, формирующимся на границе раздела.

Показано, что существующие представления были основаны, главным образом, на традиционном подходе, который рассматривал процесс формирования границы раздела, как процесс зарождения и роста последовательности или смеси объемных фаз. При этом, этот процесс не учитывал формирования протяженных по толщине необъемных фаз и ограничивался только рассмотрением двумерных поверхностных фаз. Роль тонкопленочных и протяженных по толщине поверхностных фаз и кинетики их формирования в нем не рассматривалась. При интерпретации экспериментальных данных предполагалось, что при низких температурах на границе раздела реализуется тот же самый набор поверхностных фаз, что и при высоких температурах и, что их отличие состоит только в степени упорядочения. Существовали противоречивые сведения по переходу от поверхностных фаз к объемным в одной и той же системе. При этом не указывалось, как первая стадия роста зависит от скорости осаждения и других факторов. Фазы, формирующихся между поверхностными и объемными, не были идентифицированы.

Ни одна из существующих феноменологических моделей формирования границы раздела металл - полупроводник не могла быть принята за универсальную, эти модели либо были не полными, либо отражали частные случаи. Существующие математические модели использовали ряд искусственных предположений частного характера: о равных диффузионных потоках со стороны металла и полупроводника и одновременном росте объемных фаз в обеих направлениях. Кроме того, представления о кинетике процесса ограничивались обычной стационарной взаимодиффузией на границе раздела между тонким слоем и полу ограниченным твердым телом. При этом не учитывалась специфика реального процесса, как процесса нестационарной диффузии из атомарного (молекулярного) пучка в приповерхностную область и, как процесса, активированного реакцией атомов с подложкой. Кроме того, не учитывалась конкуренция диффузии и роста и ее влияние на формирование границы раздела.

Кроме того, не исследовались процессы формирования границы раздела аморфный кремний - подложка силицида и а-81/81(111)7х7. Последний не исследовался с использованием методов оже- электронной спектроскопии (ЭОС) и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (СХПЭЭ). В системе Сг-81(111) не были исследованы и идентифицированы упорядоченные фазы, формирующиеся при отжиге, в частности различные фазы со структурой 81(111)л/3хл/3 К30°. В системе Со-81(111) отсутствовали сведения об отличии фазы при 3- х М.С от других необъемных фаз, а поведение малых покрытий (1-6 М.С.) с возрастанием температуры отжига было исследовано недостаточно. Не была выяснена роль поверхностных фаз Сг в формировании затравочных слоев Сг812 на 81(111), а также не было объяснено зарождение С^г на 81(111) в ориентации В- типа. Не было исследована эпитаксия 81 на Сг812. Отсутствовали данные по электрофизическим свойствам ультратонких пленок

Сг на кремнии и данные по энергии активации высокотемпературной проводимоости в эпитаксиальных пленках С^г на 81(111). Не проводились низкотемпературные измерения проводимости в захороненной кремнием поверхностной фазе \/Зх\/3-Сг, а также измерение высоты барьера Шоттки в поверхностных и эпитаксиальных тонкопленочных фазах Сг и его силицидов на кремнии.

Во второй главе кратко рассматриваются аппаратура и методы исследования процесса формирования, структуры и транспортных свойств границы раздела в сверхвысоком вакууме, разработанные, усовершенствованные и изготовленные автором или с его участием. Более подробно рассматриваются результаты исследования возможности усовершенствования методики количественного оже- анализа поверхностных и тонкопленочных фаз, а также возможности использования энергетической зависимости СХПЭЭ для анализа структуры поверхностных и тонкопленочных фаз по глубине.

Третья глава посвящена неравновесной термодинамике формирования реактивной границы раздела. Показано, что при комнатной температуре и малых скоростях осаждения хрома и кобальта на кремний происходит последовательный переход от двумерной поверхностной фазы к двумерной тонкопленочной фазе, затем - к протяженной по толщине тонкопленочной фазе и далее - к одной из объемных фаз (силицидов). На последующей стадии происходит переход от одной объемной фазы к другой более обогащенной металлом, пока не сформируется пленка металла с сегрегированным на ее поверхности кремнием. Установлено, что низкотемпературный рост кремния на дисилициде хрома и кремнии протекает по послойному механизму. При этом перед формированием объемного аморфного кремния, формируются сначала неупорядоченная двумерная поверхностная фаза кремния и затем - тонкопленочная. Уменьшение скорости осаждения кремния приводит к частичному перемешиванию с верхним слоем дисилицида хрома и - к росту по механизму Странски - Крастанова.

В главе 4 приведены экспериментальные результаты и математическое моделирование кинетики формирования реактивной границы раздела металл - полупроводник в неравновесных условиях на примере системы ЭьСг.

Анализ экспериментальных зависимостей оже-эмиссии от атомов Сг и Б! с точки зрения зависимости поверхностной концентрации и градиента концентрации от количества осажденного металла показывает, что на первой стадии роста величины этих параметров пропорциональны толщине осажденного металла, а на второй -корню квадратному от толщины. Что в позволяет сделать вывод о двух стадиях перемешивания: на первой процесс контролируется нестационарной диффузией, сопровождающейся реакцией атомов с подложкой и формированием поверхностных и тонкопленочных фаз, а на второй - стационарной взаимодиффузией между пленкой и подложкой, сопровождающейся формированием объемных фаз.

В этой же главе приведена модель оже-эмиссии из приповерхностной области, как растущей по толщине области смеси объемных фаз с составом, контролируемым стационарной диффузией между пленкой осажденного вещества и подложкой. Показано, что такая диффузия не соответствует эксперименту на начальной стадии, в области суб- и монослойных толщин.

Предполагается, что это несоответствие связано с нестационарностью диффузии из атомарного пучка, вследствие ее самоактивированного характера. Реально процесс диффузии протекает не на границе раздела пленка-подложка, а на границе раздела вакуум - подложка при осаждении из атомарного или молекулярного пучка и может активироваться реакцией осаждаемых атомов с подложкой. При этом теплота активации может зависеть от скорости осаждения и скорости распространения тепла. Более того, при этом может происходить конкуренция процессов диффузии в приповерхностную область и роста пленки на поверхности.

Поэтому в данной работе была выведена формула для активируемой реакцией диффузии атомов из осаждаемого пучка в объем подложки, а также формулы для зарождения и роста островков объемной фазы. Кроме того, выведена формула, включающая в себя оба конкурирующих процесса: диффузию в подложку и рост объемной фазы.

На основе полученной формулы промоделировано формирование границы раздела ЗьСг. Показано хорошее совпадение модели с экспериментом при реальных величинах параметров, входящих в формулу. Показано, что, при увеличении на порядок соотношения скорости поверхностной диффузии к скорости объемной диффузии, механизм формирования границы раздела кардинально изменяется от диффузионного перемешивания к росту без перемешивания.

Представленные в данной главе результаты по осаждению Сг на 81(111) с большой скоростью осаждения и из низкоэнергетического пучка атомов Сг показывают, что при увеличении скорости осаждения Сг на 81(111) и/или уменьшении кинетической энергии атомов Сг на стадии формирования протяженной по толщине тонкопленочной фазы, происходит пресыщение пленки металлом и при некоторой скорости осаждения формируется тонкопленочная фаза чистого металла, которая после достижения некоторой критической толщины становится нестабильной и переходит в объемную фазу. В процессе этого перехода происходит, либо перемешивание и образование объемно- подобного силицида, либо образование островков металла, в зависимости от кинетической энергии атомов.

На основе этих результатов и вышеприведенной модели сделано предположение о том, что зависимость механизма роста от кинетических факторов, в том числе от скорости осаждения, наблюдаемая в эксперименте, может быть связана с изменением соотношения скоростей поверхностной и объемной диффузии, потока центров зароды-шеобразования в осаждаемом пучке, а также скорости выделения и распространения теплоты реакции.

В конце главы приводятся результаты по зависимости механизма роста от скорости осаждения на Сг81г(0001), которые показывают, что с увеличением скорости осаждения механизм роста в данной системе меняется с островкового на послойный. Отличие поведения данной системы от системы С.'г~Я1 объяснятся меньшей степенью реактивности по отношению к Сг81г, чем реактивность Сг по отношению к Як

В 5-ой главе исследуется формирование равновесных фаз в процессе отжига слоев переходного металла на кремнии. В этой же главе рассматривается роль равновесных поверхностных фаз в формировании атомно-резкой границы раздела металл-кремний, а также роль тонкопленочных фаз в образовании и росте силицидов. Представлены структурно-фазовые диаграммы упорядоченной реконструкции и температурной стабильности поверхностных и тонкопленочных фаз фаз в системах 81(111)-Сг и 81(111)-Со, а также образования и кристаллизации объемных силицидов в системе 31(111)-Ст в координатах температура - степень покрытия. Представлены доказательства формирования метастабильной протяженной тонкопленочной фазы 81(111) (З^ДхлД- Сг и метастабильной протяженной тонкопленочной фазы со структурой 81(111)1 х1-Со. Показано, что в противоположность неравновесным неупорядоченным поверхностным фазам, которые способствуют взаимодиффузии на границе раздела металл-кремний, равновесные упорядоченные фазы 7х7-Сг и 1х1-Со играют роль интерфактантов и изменяют механизм роста Сг на 81(111) и, соответственно, Со на 81(111) на послойный. Продемонстрирована роль тонкопленочной фазы хрома как затравочного слоя в эпитаксиальном росте моносилицида хрома на кремнии.

В 6-ой главе рассмотрена влияние фаз, стабилизированных подложкой, на двойную эпитаксия в гетероструктуре 81/Сг312/Э! (111).

Показано, что формирование границы раздела эпитаксиального дисилицида хрома с подложкой кремния связано с двумя различными способами перехода от них к объемной фазе:

1) высокотемпературным зарождением дисилицида хрома непосредственно на поверхности кремния и из двумерной поверхностной фазы и

2) его низкотемпературным зарождением в тонкопленочной фазе путем ее перестройки и изменения плотности.

Установлено, что этим двум типам фаз и способам переходов соответствуют две различные ориентации эпитаксиальной пленки дисилицида хрома по отношению к подложке (111) кремния. Полученная таким образом эпитаксиальная пленка силицида минимальной толщины служит затравочным слоем для последующего наращивания более толстой пленки.

Исследована реактивная молекулярно-лучевая и твердофазная эпитаксия Сг812 А-и 5-типа на 81(111), в том числе твердофазная эпитаксия в процессе импульсного лазерного отжига. Показано, что затравочный слой силицида определяет его преимущественную ориентацию независимо от способа его дальнейшего наращивания и является ключевым этапом для эпитаксии Сг81г А- и В-типа на 81(111). Продемонстрировано влияние скорости осаждения Сг на эпитаксиальное качество пленки силицида. Получены монокристаллические пленки СгЯ12 А- и £?-типа на 81(111).

В этой же главе показано, что при эпитаксии кремния на эпитаксиальной пленке дисилицида хрома на кремнии перед зарождением и ростом объемного кремния происходит формированием двумерной тонкопленочной фазы кремния с двумя типами структур в зависимости от одной или другой ориентации эпитаксиальной пленки дисилицида хрома. Тип двумерной тонкопленочной фазы кардинально влияет на механизм роста и ориентацию пленки: в одном случае пленка растет островками и неэпитаксально (преимущественная ориентация не обнаруживается), а в другом - в виде сплошной эпитаксиальной пленки.

В главе 7 представлены результаты исследования транспортных электрофизических свойств приповерхностных структур, переходного металла и его силицида на кремнии при переходе от поверхностной фазы к объемной. Определено, что эпитакси-альные пленки дисилицида хрома на кремнии характеризуются шириной запрещенной зоной около 0.34 эВ и с увеличением размера и степени моноориентированности в них доменов имеют более высокую подвижность носителей заряда, которая достигает 1680 с.м2/В-сек. Обнаружено, что гетероструктура Сг8Ь(0001)/81(111) имеет дополнительно поглощающий двумерный слой с шириной запрешенной зоны около 0,1 эВ, обладающий металлической проводимостью. Этот слой относится к границе раздела между пленкой Сх^г и подложкой 81(111) и обусловлен некомпенсированными связями атомов пленки и подложки.

Показано, что в тонкопленочной фазе хрома проводимость имеет тип температурной зависимости, соответствующий квантово- размерной пленке металла, а в сверхтонкой пленке СгЭ1 - классически размерной пленке металла. Установлено, что при переходе от тонкопленочной фазы хрома к объемной фазе - эпитаксиальному силициду контакт к инверсному р слою п-типа кремния изменяется от выпрямляющего к более омическому. При этом эффективная высота барьера всей структуры фаза - рппереход - подложка возрастает и, в случае эпитаксиальной пленки дисилицида хрома, зависит от ориентации пленки относительно подложки. Обнаружено, что тонкопленочная фаза хрома на кремнии имеет проводимость сравнимую с проводимостью массивного монокристалла хрома.

Диссертация завершается Общими выводами по работе, которые включают основные результаты работы и из которых следуют перспективы ее дальнейшего развития в рамках зарождающегося нового направления физики полупроводников - физики нано- и субнаноразмерных фаз, стабилизированных монокристаллической подложкой.

Научная и практическая ценность полученных результатов. Сформулированные в данной работе положения, определения, классификация и полученные результаты составляют основу для развития нового направления физики твердого тела - физики фаз наноразмерной и субнаноразмерной толщины, стабилизированных монокристаллической подложкой.

В работе показана роль поверхностных и тонкопленочных фаз, кинетики их формирования и ключевое значение перехода от этих фаз к объемным для формирования границы раздела между двумя твердыми телами, путем послойного наращивания в вакууме одного на другом.

Полученные в работе результаты имеют прикладное значение для эпитаксиаль-ного выращивания однослойных и многослойных гетероструктур на основе переходных металлов, их силицидов и кремния, которые могут быть применены для создания различных полупроводниковых приборов.

Защищаемые положения. Основные защищаемые положения диссертации состоят в следующем:

1. Механизм формирования, структура и свойства границы раздела при вакуумном осаждении одного вещества на твердотельную подложку другого зависят от протяженности, состава и структурного типа поверхностной или тонкопленочной фазы и определяются способом (увеличение толщины, концентрации или температуры) перехода от одной из этих фаз к другой и к объемной фазе.

2. При неравновесных условиях тип поверхностных или тонкопленочных фаз, определяющий тип формирующихся из них объемных фаз, существенным образом зависит от кинетики приповерхностных процессов. Последняя может задаваться, в общем случае, скоростью осаждения, величиной кинетической энергии атомов, скоростью выделения, а также скоростью и направлением распространения теплоты реакции, соотношением поверхностной диффузии к объемной, теплопроводностью фаз и подложки и присутствием на поверхности центров зародышеобразования.

3. При низкотемпературном формировании границ раздела, в случае переходного 3(1 металла (Сг, Со) на подложке кремния, объемным фазам предшествует протяженная по толщине тонкопленочная фаза, которая при низкой скорости осаждения и высокой кинетической энергии атомов задает механизм роста объемных фаз, близкий к послойному росту с перемешиванием, а при большой скорости осаждения и малой кинетической энергии атомов - механизм роста по Странски-Крастанову. В случае аморфного кремния на подложке С^г и определенной скорости осаждения, объемной фазе аморфного кремния предшествуют двумерные тонкопленочные фазы кремния, которые задают послойный механизм роста объемной фазы кремния. Уменьшение скорости осаждения ведет к перемешиванию на стадии формирования двумерной тонкопленочной фазы и к механизму роста по Странски-Крастанову.

4. В системах 81(111)-Сг и 81(111)-Со, наряду с поверхностными и двумерными тонкопленочными фазами 81(111)1х1-Сг, 81(111) 7х7-Сг, 81(111) а х/Зх^/З-Сг, 81(111) л/7 х л/7-Со, 81(111) 1х1-Со, обнаружено формирование протяженных по толщине тонкопленочных фаз со структурой 81(111) /?л/Зхл/З- Сг и, 81(111) 1х1-Со, которые служат фазой-прекурсором и при отжиге переходят в объемный СгЭ12 и, соответственно, Со812- Сформированные, предварительно, поверхностные фазы 81(111) 7х7-Сг и 81(111) 1 х 1-Со служат интерфактантами и изменяют механизм роста Сг и, соответственно, Со на 81(111).

5. Формирование эпитаксиальной границы раздела дисилицида хрома с подложкой кремния происходит путем зарождения дисилицида хрома: 1) при высокой температуре - непосредственно на поверхности кремния или из поверхностной фазы и 2) при низкой температуре - из тонкопленочной фазы. Этим двум способам зарождения соответствуют две различные ориентации эпитаксиальной пленки дисилицида хрома по отношению к подложке (111) кремния (А- или В-типа).

6. В случае формирования эпитаксиальной границы раздела кремний - CrSi2(0001)/ подложка Si(lll) объемной фазе кремния, в зависимости от ориентации эпитаксиальной пленки силицида (А- или В-типа), могут предшествовать две различные двумерные тонкопленочные фазы кремния. При этом пленка кремния имеет низкую или высокую степень монокристалличности и островковый или послойный механизм роста в зависимости от типа предшествующей ей тонкопленочной фазы.

7. Поверхностные и тонкопленочные фазы Cr-Si и Сг на Si (111) отличаются по электронной структуре и транспортным свойствам от объемных фаз системы Cr-Si. В двумерной тонкопленочной фазе хрома проводимость соответствует двумерному металлу с квантованной зоной проводимости, а в сверхтонкой пленке CrSi- металлическому слою с выраженным классическим размерным эффектом. Энергия активации высокотемпературной проводимости в эпитаксиальных пленках CrSi2 на Si(111) соответствует ширине запрещенной зоны около 0,34 эВ. Между пленкой CrSi2 и подложкой присутствует двумерный металлоподобный слой, дающий край оптического поглощения с энергией около 0,1 эВ и двумерную металлическую проводимость при гелиевых температурах. Тонкопленочная фаза Сг и сверхтонкая пленка CrSi2 имеют при высоких значениях подвижности высокую проводимость. Эпитаксиальные границы раздела тонкопленочных фаз Сг и псевдоморфных слоев CrSi2 отличаются от неэпитаксиальных более высоким по величине барьером Шоттки с инверсным р-слоем подложки Si(lll). При этом высота барьера Шоттки псевдоморфной пленки CrSi2 А

-30 типа с этим слоем больше, чем у Сг812 -В-типа и в процессе перехода от объемного силицида к тонкопленочной фазе - растет.

Диссертация выполнена при работе по теме "Изыскание физических принципов создания трехмерных ИС", программа исследований по важнейшим фундаментальным проблемам 1981-1995 гг. ("Основные физические проблемы твердотельной электроники, изыскание новых принципов создания твердотельных электронных приборов"), распоряжение Президиума АН СССР N 10103-1246 от 8 августа 1976 г., а также в рамках Межотраслевой научно-технической программы России "Физика твердотельных наноструктур" (грант N 98-2031). Кроме того работа имела частичную поддержку со стороны Российского Фонда Фундаментальных Исследований (грант N 96-02-16038- а) и губернатора Приморского края (персональный грант 1999 года).

выводы

1. Показана роль поверхностных и тонкопленочных фаз, а также роль неравновесных условий, кинетики и энергетики осаждения, в зарождении объемных фаз и в процессе формирования границы раздела: зарождение и рост первого слоя объемной фазы определяются типом поверхностных и тонкопленочных фаз, способом их образования и способом их перехода к объемным фазам. Выявлена роль скорости осаждения, интерфактантов и затравочного слоя в процессе зарождения и гетероэпитаксии. Показано, что тонкопленочные фазы и двумерные слои, формирующиеся на границе раздела, обладают не только своей атомной и электронной структурой, но и имеют уникальные электрофизические свойства.

2. Создана установка и разработаны методики эксперимента, позволяющие исследовать и управлять процессами формирования границ раздела в системе переходной металл - кремний. Для количественной диагностики поверхностных и тонкопленочных фаз предложены методики расчета: изменения длины свободного пробега по глубине; интенсивности оже-эмиссии с учитом изменения длины свободного пробега и фактора обратного рассеяния по глубине; состава многокомпонентной системы по данным оже-анализа при двух глубинах зондирования; интенсивности упруго-отраженных и с потерей на возбуждение плазменных колебаний электронов в зависимости от энергии первичных электронов.

3. Установлено, что при неравновесных условиях формирование границы раздела переходных металлов и кремния с подложками, соответственно, кремния и силицида происходит через последовательность локально-устойчивых состояний: неупорядоченных поверхностных, двумерных тонкопленочных, протяженных по толщине тонкопленочных и аморфных объемных фаз. Перечисленные фазы подобны по ближайшему окружению соответствующим типам равновесных фаз, но по структуре могут отличаться. Степень протяженности тонкопленочных фаз зависит, как от степени влияния на них подложки, так и от степени неравновесности условий роста. Сформированные тонкопленочные фазы влияют на рост объемных фаз.

4. Показано, что механизм формирования границы раздела зависит от степени химического взаимодействия атомов с подложкой, скорости осаждения атомов и кинетической энергии осаждаемых атомов, при этом на начальной стадии формируются те или иные тонкопленочные фазы, которые на последующих стадиях определяют состав объемных фаз и механизм их роста. Построена модель взаимодиффузии и роста на границе раздела Cr/Si(lll). Установлено, что имеется кинетический барьер для зарождения металла и, что величина поверхностной диффузии существенно влияет на переход от перемешивания к росту.

5. Выявлено, что при равновесных условиях формирование границы раздела происходит через последовательное формирование упорядоченных поверхностных, тонкопленочных (сначала двумерных и, затем, протяженных по толщине) и кристаллических объемных фаз. С отжигом упорядоченные тонкопленочные фазы переходят к упорядоченным поверхностным и кристаллическим объемным фазам. Протяженные по толщине тонкопленочные фазы Si-Cr и Si-Co имеют толщину в несколько двойных слоев, характеризуются своей электронной структурой и атомной плотностью, имеют свойства, характерные для слоистой решетки и растут до некоторых пределов по толщине, показывая при этом тенденцию к агломерации. Упорядоченные поверхностные или тонкопленочные фазы Сг и Со могут играть роль интерфактантов и влияют на механизм роста Сг и Со на Si(lll). Протяженная по толщине тонкопленочная фаза Si-Cr может играть роль фазы-прекурсора и влияет на эпитаксиальное зарождение и рост CrSi и CrSi2 на Si(lll).

6. Показано, что тип и протяженность упорядоченных поверхностных и тонкопленочных фаз металл-кремний и условия их перехода к силициду определяют ориентацию формирующихся из них зардышей силицида: зарождение СгБ12 в ориентации £?-типа происходит из протяженной по толщине тонкопленочной /3-фазы при отжиге, а с ориентацией А-типа - из поверхностной фазы в процессе отжига или осаждения на горячую подложку. В свою очередь, тип упорядоченных тонкопленочных фаз 81 на Сг812(0001) влияет на эпитаксиальное зарождение и механизм роста Б1 на Сг812(0001). Обнаружено, что скорость осаждения играет существенную роль при формировании границы раздела эпитаксиаль-ный силицид (Сг812) - кремний и, что с увеличением скорости осаждения степень монокристалличности пленки возрастает, а ее сплошность увеличивается. С помощью наращивания на сформированных с использованием этих эффектов затравочных слоях получены толстые (в, >1000 А) безпримесные монокристаллические эпитаксиальные пленки СгБ12 А и В-типа и выращена двойная гетероструктура Э1/ Сг812(0001) /81(111).

7. Установлено, что тонкопленочные фазы Сг-81 на 81(111) подобны квантово- или классически-размерному металлу. Найдено, что энергия активации высокотемпературной проводимости в эпитаксиальных пленках СгБЬ на 81(111) соответствует ширине запрещенной зоны 0,34 эВ. Обнаружено наличие в эпитаксиальных пленках Сг812 на 81(111) перехода с энергией около 0,1 эВ, который отсутствует в массивных кристаллах Сг812, а также наличие двумерной проводимости в этих пленках при гелиевых температурах, что показывает присутствие двумерного металлоподобного слоя между пленкой Сг812 и подложкой. Получены тонкопленочная фаза Сг и сверхтонкая пленка Сг812, которые имеют, соответственно, более низкое значение удельного сопротивления, чем для объемного Сг, и достаточно высокую подвижность при высокой концентрации носителей. Показано, что эпитаксиальные границы раздела тонкопленочных фаз Сг и псевдоморфных слоев СгБЬ отличаются от неэпитаксиальных более вы

1. Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и процессы на поверхности кремния. Москва: Наука, 1985.- 200 с.

2. Лифшиц В.Г. Поверхностные фазы и процессы на поверхности кремния. // Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука, 1989.- С. 5.

3. Раннелъс Л.Н. Статистическая физика поверхности. // Новое в исследовании поверхности твердого тела. / Под. ред. Т.Джайядевайя и Р.Ванселова. -Москва: Мир, 1997 С. 44.

4. McGill Т.С. and Collins D.A. // Semiconductor Science and Technology. 1993.8,- P. SI.

5. Kroemer H. // Jornal Vacuum Science and Technology. 1983.- В1,- P. 126.

6. Reader A.H., van Оттеп A.H., Weijs P.J.W., Wolters R.A.M. and. Oostra D.J. // Reports on Progress in Physics. 1992.- 56,- P. 1397.

7. Capasso F. // Applied Surface Science. 1992.- 56-58,- P. 723.

8. Huberman M.L., Maserjian J. // Physical Rewiew B. 1988.- 37,- N 15. - P. 9065.

9. Lifshits V.G., Saranin A.A., and Zotov A. V. Surface Phases on Silicon: Preparation, Structures and Properties. Chichester-New York-Brisbane-Toronto- Singapore: John Wiley & Sons, 1994. 448 p.

10. Леонтович M.А. Введение в термодинамику/ 2 изд. Москва-Ленинград: , 1952. - 300с.

11. Bauer Е., Van Der Merwe J.H. // Physical Review В. -1986- 33, N 6. - P. 3657.

12. Робертсон Д., Паунд P.M. Гетерогенное образование зародышей и рост пленок // Новое в исследовании поверхности твердого тела. Вып.1 / Под. ред. Т.Джайядевайя и Р.Ванселова. Москва: Мир, 1977 - С. 54.

13. Feibelman P.J. // Physical Rewiew В. 1983.- 27, N 4,- P. 1991.

14. Лэнг H. I ! Теория неоднородного электронного газа./ Под. ред. Лундквиста С. и Марча Н. Москва: Мир, 1987 - С. 318.

15. Bauer Е. // Topics on Current Physics. -1987- 43, P. 115.

16. Bauer E. // Z. Kristallogr. -1958- 110, P. 372.

17. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. / Под. ред. Поута Дж., Ту К. и Мейера Дж. Москва: Мир, 1982 - 576 с.

18. Новое в исследовании поверхности твердого тела. Вып. 1 / Под. ред. Джайяде-вайя Т. и Ванселова Р. Москва: Мир, 1977. - 315 с.

19. Lifshits V.G., Akilov V.B., Churusov В.К., Gavriljuk Yu.L. // Surface Science. -1989.- 222,- N 1,- P. 21.

20. Butera R.A. and Hollingsworth С.A. // Physical Review B. 1988.- 37,- N 18-P. 10487.

21. Галкин H.Г., Лифшиц В.Г. и Плюснин Н.И. // Поверхность. Физика, химия и механика. 1987.- N 12. - С. 50.

22. Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Каменев А.Н., Лифшиц В.Г. и Лобачев С.А. // Поверхность. Физика, химия и механика. 1989.- N 9.- С. 55.

23. Plusnin N.I., Galkin N.G., Lifshits V.G., and Lobachev S.A. // Surface Review and Letters. 1995.- 2,- N 4,- P. 439.

24. Plusnin N.I., Soldatov V.Y., and Milenin A.P. // Surface Science. 1999 - 426,-P. 38.

25. Лифшиц В.Г., Заводинский В.Г. и Плюснин Н.И. // Поверхность. Физика, химия и механика. 1983.- N 3.- Р. 82.

26. Lifshits V.G., Plusnin N.I. and Galkin N.G. // Proceedings of IX International Vacuum Congress & V International Conference on Solid Surfaces, Madrid, 1983: Extend Abstracts. Madrid, 1983. - SS.P.39B. - C. 54.

27. Лифшиц В.Г. и Плюснин Н.И. // Поверхность. Физика, химия и механика. -1984,- N 9,- Р. 78.

28. Лифшиц В.Г. и Плюснин Н.И. Электронная структура и силицидообразование в тонких пленках переходных металлов на кремнии. // Препринт ИАПУ ДВО РАН. 1984 - N 18(127) - 35 с.

29. Лобачев С.А. и Плюснин Н.И. // Поверхность. Физика, химия и механика. -1992,- N 5,- Р. 59.

30. Plusnin N.I. // Proceedings of the First Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces, Vladivostok, Russia, 5-12 September 1993. Vladivostok: IACP RAS, 1993 - P. 199.

31. Plusnin N.I., Milenin A.P., and Prihod'ko D.P. // Physics of Low-Dimensional Structures. 1999,- 9/10,- P. 107.

32. Plusnin N.I., Milenin A.P. and Prihod'ko D.P. // Applied Surface Science. -2000.- ,- P.

33. Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M., Lifshits V.G., Churusov B.K., Galkin N.G. and Plusnin N.I. // Vacuum. 1990.- 41,- N 4-6-P. 1207.

34. Gasparov V.A., Grazhulis V.A., Bondarev V.V., Bychkova T.M., Lifshits V.G., Galkin N.G. and Plusnin N.I. // Surface Science. 1993.- 292,- P. 298.

35. Plusnin N.I., Milenin A.P., Velichko T.V., Soldalov V.U. // Physics of Low-Dimensional Structures. 1997.- 5/6,- P. 1.

36. Плюснин Н.И., Милеиин А.П., Величко Т.В., Солдатов В.Ю. // Микроэлектроника. 1998.- N 4,- С. 385.

37. Plusnin N.I. , Milenin A.P., Soldatov V.J. and Lifshits V.G. // Physics of Low-Dimensional Structures. 1997.- 5/6,- P. 63.

38. Plusnin N.I., Galkin N.G. Lifshits V.G., and Milenin A.P. // Physics of Low-Dimensional Structures. 1999.- 1/2,- P. 55.

39. Плюснин Н.И., Милеиин А.П., Солдатов В.Ю., Лифшиц В.Г. // Поверхность. Ренгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998.- N 12.- С. 60.

40. Plusnin N.I. // Physics of Low-Dimensional Structures. 1997.- 8/9,- P. 51.

41. Плюснин П.И. и Милеиин А.П. // Дальневосточный математический сборник. 1996.- N 2,- С. 153.

42. Плюснин П.И. и Милеиин А.П. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1997.- N 3.- С. 36.

43. Плюснин П.И. и Милеиин А.П. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1996.- N 2.- С. 64.

44. Plusnin N.I. // Second Japan -Russia Seminar on Semiconductor Surfaces, Osaka, Japan, 13-16 November 1995. Osaka: Osaka Institute of Technology, 1995 - P. 131.

45. Плюснин Н.И. // Письма в Журнал Технической Физики. 1997.- 22,-Вып. 19.- С. 79.

46. Kaischew R. // Jornal of Crystal Growth, -1981- 51, P. 643.

47. Grabow M.H. and Gilmer G.H. // Thin Solid Films. -1988- 194, N 3. - P. 333.

48. Mutaftschiev B. // Jornal of Crystal Growth. -1983- 65, P. 50.

49. Brillson L.J. /1 Surface Science Report. -1982- 2, N 2. - P. 123.

50. Ту К., Meuep Дж. // Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. / Под. ред. Поута Дж., Ту К. и Мейера Дж. Москва: Мир, 1982 - С. 361.

51. Nicolet М.-А. and Lau S.S. // VLSI Electronics: Microstructure Science. /Edited by N.Einspruch. Vol. 6 New York: Academic Press, 1983 - 300p.

52. Ottaviani G. // Journal of Vacuum Science and Technology. -1979- 16, N 5. -P. 1112.

53. Gas P. and d'Heurle F.M. // Applied Surface Science. -1993- 73, P. 153.

54. Walser R.M. and Bene R.W. // Applied Physics Letters. -1976- 28, N 10. -P. 624.

55. Roney M // Applied Physics Letters. -1983- 42, N 7. - P. 577.

56. Tsaur B.Y., Lau S.S., Mayer J.W. and Nicolet M.-A. 11 Applied Physics Letters. -1981- 38, -N 11. P. 922.

57. Pretorius R. // Materials Reserch Society Symposia Proceedings. Vol. 25: Thin films and Interfaces II./ Ed. Baglin J.E.E., Campbell D.R., and Chu W.K. New York- Amsterdam Oxford: Elsiever Science, 1984. - P. 15.

58. Bennett P.A., Johnson A.P., and Halawith B.N. // Physical Reveiw B. -1988- 37,- N 8. P. 4268.

59. Braicovich L., Garner C.M., Skeath P.R., Su C. Y., Chye P. W. Lindau L, Spicer W.E. // Physical Review B. 1979.- 20,- P. 5131.

60. Brillson L.J., Katnani A.D., Kelly M.} and Margaritondo G. // Journal of Vacuum Science and Technology A. -1984- 2, N 2. - P. 551.

61. Le Lay G. // Journal of Crystal Growth. 1981.- 54,- P. 551.

62. Meinel K., Katzer D. // Applied Surface Science. 1992.- 56-58,- P. 514.

63. Okuno КIto Т., Iwami M., Hiraki A. // Solid State Communications. 1980.34,- P. 493.

64. Narusawa Т., Kinoshita K., Gibson W.M., and Hiraki A. // Journal of Vacuum Science and Technology. 1981. - 18, - N 3. - P. 872.

65. Tu K.N. // Applied Physics Letters. -1975- 27, P. 221.

66. Zeng-ju Т., Satoko C\, Ohnishi S. // Physical Review B. -1987- 36, N 12. -P. 6390.

67. Satoko C., Ohnishi S. and Zeng-ju T. // Applied Surface Science. -1988- 33/34, P. 277.

68. Hiraki A. I/ Jornal of Electrochemical Society. -1980- 127, N 12. - P. 2662.

69. Hiraki A. 11 Surface Science. -1986- 168, P. 74.

70. Hiraki A. // Applied Surface Science. -1992- 56-58, P. 370.

71. Demuth J.E. and Persson B.N.J. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1984- 2, N 3. - P. 384.

72. Iwami M., Terada Т., Tochihara H., Kubota M. and Murata Y. // Surface Science. -1988- 194, P. 115.

73. Уивер Дж.Е. /I Физика за рубежом. 1987: Серия А (исследования): Сборник статей. / Пер. с англ. Москва: Мир, 1987 - С. 174.

74. Zunger A. // Physical Review B -1981- 24, P. 4372.

75. Lander J.J. // Progress in Solid State Chemistry. Vol. 2. -New York: Pergamon Press, 1965. P. 26.

76. Germer L.H. // Surface Science. -1966- 5, P. 147.

77. Bauer E. // Surf. Sei. -1967- 7, P. 351.

78. Gibson J.M. // Surface and Interface Characterization by Electron Optical Methods. / Edited by Howie A. and Valdre U. New-York: Plenum Publishing Corporation, 1988 - P. 55.79. // Jornal Vacuum Science and Technology A. -1987- 5, P. 2121.

79. Weber E.R. // Applied Physics A. -1983- 30, P. 1.

80. Vähäkangas J., Idzerda Y.U., Williams E.D., and Park R.L. // Physical Review B. -1986- 33, N 12. - P. 8716.

81. Butz R., Rubioff G.W., Tan T.Y., and Ho P.S. // Physical Review B. -1984- 30, N 10. - P. 5421.

82. Saleh A.A. and Peterson L.D. // Jornal Vacuum Science and Technology A. -199614, N 1 - P. 30.84. del Giudice M., Joyce J. J., Ruckman M. W., and Weaver J.H. // Physical Review B. -1987- 35, N 12. - P. 6213.

83. Van Loenen E.J., Fischer A.E.M.J, and Van Der Veen J.F. // Surface Science. -1985- 155, P. 65.

84. Franciosi A. and Weaver J.H. // Physica. -1983- 117B/118B, P. 846.

85. Iwami M., Hashimoto S., and Hiraki A. // Solid State Communications. -198449, P. 459.

86. Wallart X., Nys J.P., Zeng H.S., Dalmai G., Lefebre I., and, Lannoo M. // Physical Review B. -1990- 41, P. 3087.

87. Del Giudice M. Joyce J.J., Boscherini F., Capasso C., and Weaver J.H. // Materials Reserch Society Symposia Proceedings. Vol. 77. New York - Amsterdam -Oxford: Elsiever Science, 1987. - P. 277.

88. Calandra C., Bisi 0. and Ottaviani G. j/ Surface Science Reports. -1984- 4, -N 5/6. P. 271.

89. Franciosi A., Peterman D.J., and Weaver J.H. // Jornal Vacuum Science and Technology A. -1981- 19, P. 657.

90. Ufuktepe Y. and Onellion M. // Solid State Communications. -1990- 76, P. 191.93. de Crescenzi M., Gaggiotti G., Motta N., Patella F., Balzarotti A., and Derrien J. // Physical Review B. -1990- 42, P. 5871.

91. Zeng H.S., Wallart X., Nys J.P., Dalmai G., Friedel P. // Physical Review B. -1991- 44, P. 13811.

92. Butera R.A., Giudice M.Del, Weaver J.H. // Physical Review B. 1986.- 33,-P. 5435.

93. Rossi G. // Surface Science Reports, -1987- 7, P. 1.

94. Netzer F.P. // Jornal of Physics: Condensed Matter. -1995- 7, P. 991.

95. Shivaprasad S.M., Anandan C., Azatiyan S.G., Gavriljuk Y.L., Lifshits V. G. // Surface Science. 1997.- 382,- P. 258.

96. Nagao T., Ohuchi S., Matsuoka Y., and Hasegawa S. // Surface Science. —1999— 419, P. 134.

97. Evans M.M.R., Glueckstein J.C., and Nogami J. // Physical Review B. 199653,- P. 4000.

98. Clabes J.G., R-ubloff G.W., and Tan T.Y. // Physical Review B. -1984- 29, -P. 1540.

99. Shiraki Y., Kobayashi K.L.I., Daimon H., Ishizuka A., Sugaki S., and Murata Y. // Phisica. -1983- 117&118B, P. 843.

100. Wetzel P., Pirri C., Peruchetti J.C., Bolmond D., and Gewinner G. // Jornal Vacuum Science and Technology A. -1987- 5, N 6. - P. 3359.

101. Franciosi A., Peterman D.J., Weaver J.H., and Moruzzi V.L. // Physical Review B. -1982- 25, N 8. - P. 4981.

102. Franciosi A., Weaver J.H., O'Neill D.G., Shmidt F.A., Bisi 0., and Calandra C. II Physical Review B. -1983- 28, N 12 . - P. 7000.

103. Lozzi L., Passacantando M., Picozzi P., Santucci S., and De Grescenzi M. // Surface Science. -1991- 251/252, P. 579.

104. Chainet E., De Crescenzi M., Derrien J., Nguyen T.T.A., and Cinti R.C. // Surface Science. -1986- 168, P. 801.

105. De Crescenzi M., Derrien J., Chainet E., and Orumchian K. // Physical Review B. -1989- 39, N 8. - P. 5520.

106. Rossi GSantaniello A., De Padova P., Jin X., and Chandesris D. // Europhysics Letters. -1990- 11, N 3. - P. 235.

107. Rossi G., Santaniello A., and De Padova P. // Solid State Communications. -199073, N 12. - P. 807.

108. Pirri C., Perruchetti J.C., Gewinner G., and Drrien J. // Surface Science. -1985152/153, P. 1106.

109. Derrien J. // Surface Science. -1986- 168, P. 171.

110. Pirri C., Perruchetti J.C., Gewinner G., and Bolmont D. // Solid State Communications. -1986- 57, N 5. - P. 361.

111. Veuillen J.Y., Nguyen Tan T.A., Cinti R., De Crescenzi M., and Derrien J. // Physical Review B. -1989- 39, N 11. - P. 8016.

112. Derrien J., Chainet E., De Crescenzi M., d'Anterroches C., Pirri C., Gewinner G., and Peruchetti J.C. // Physical Review B. -1987- 36, N 12. - P. 6681.

113. Veuillen J.Y., Derrien J., Badoz P.A., Rosencher E., and dAnterroches C. // Applied Physics Letters. -1987- 51, N 18. - P. 1448.

114. Veuillen J.Y., Bensaoula A., De Crescenzi M., and Derrien J. // Physical Review B. -1989- 39, N 14. - P. 10398.

115. Bensaoula A., Veuillen J. Y.,Nguyen Tan T.A., Derrien J., and De Crescenzi M. ! I Surface Science. -1991- 241, P. 425.

116. Chambers S.A., Boscherini f., Anderson S.B., Joyce J.J., and Chen H.W. // Jornal Vacuum Science and Technology A. -1987- 5, N 4. - P. 2142.

117. Boscherini F., Joyce J. J., Ruckman M.W., and Weaver J.H. // Physical Review B. -1987- 35, N 9. - P. 4216.

118. Chambliss D.D., Rhodin T.H., Rowe J.E., and Shigekawa H. // Jornal Vacuum Science and Technology A. -1989- 7, P. 2449.

119. Rangelov G., Augustin P., Stober J., and Fauster T. // Surface Science. -1994307-309, P. 264.

120. Dolbak A.E., Olshanetsky B.Z., and Teys S.A. // Physics of Low-Dimensional Structures. -1997- 3/4, P. 113.

121. Bennett P.A., Cahili D.G., and Copel M. // Physical Review Letters. -1994- 73, N 3. - P. 452.

122. Copel M. and Tromp R.M. // Applied Physics Letters. -1994- 65, N 24. - P. 3102.

123. Sitter H. // Thin Solid Films. -1995- 267, P. 37.

124. Александров Л.Н. Кинетика образования и структуры твердых слоев. -Новосибирск: Наука, 1972. 225 с.

125. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. ч.П.

126. Новосибирск: Наука, 1975. 270 с.

127. Александров Л.Н. // Известия Сибирского Отделения АН СССР, Сер. Химических наук. -1975- N 4. -Вып.2- Р. 3.

128. Tersoff J., Denier van der Gon A.W., and Tromp R.M. // Physical Review Letters. -1994- 72, N 2. - P. 266.

129. Li В., Zhany C.-S., Zhdanov V.P., and Norton P.R. // Surface Science. -1995322, P. 373.

130. Erukhimovitch V. and Baram J. // Physical Review B. -1995- 51, N 10. -P. 6221.

131. Колмогоров // Известия АН СССР: Отделение математических и естественных наук. Серия математическая. -1937- N 3 - Р. 355.

132. Giudice M.Del, Butera R.A., Ruckman M.W., Joyce J.J., Weawer J.H. // Jornal of Vacuum Science and Technology A. 1986.- 4, - N 3. - P. 879.

133. Butera R.A., Giudice M.Del, Weawer J.H. // Physical Review B. 1987.- 36, -N 9 - P. 4754.

134. Sakai A., Tatsumi T., Hirosaxva I., Ono ff., and Ishida K. // Surface Science.1991- 249, P. L300.

135. Gibson J.M., Gossmann H.-J., Bean J.C., Tung R. T. and Feldman L.C. // Physical Review Letters. -1986- 56, P. 355.

136. Robinson I.K., Waskiewicz W.K., and Tung R.T. // Physical Review Letters. -1986- 57, P. 2714.

137. Robinson I.K. // Physical Review B. -1987- 35, P. 3910.

138. Gossmann H.-J. and Feldman L.C. // Physical Review B. -1985- 32, P. 6.

139. Zotov A.V., Ryzhkov S.V. and Lifshits V.G. // Surface Science. -1995- 328, -P. 95.

140. Jiang C.-S., Hasegawa S., and Ino S. // Physical Review B. -1996- 54, N 15. -P. 10389.

141. Tong X., Hasegawa S., and Ino S. // Physical Review B. -1997- 55, N 3. -P. 1310.

142. Nakajima Y., Takeda S., Nagao T., Hasegawa S. // Physical Review B. -1997- 56,- N 11. P. 6782.

143. Demuth J.E. // Physical Review Letters. -1985- 54, N 6. - P. 584.

144. Nakahara H. and Ichimiya A. // Jornal of Crystal Growth. -1990- 99, P. 514.

145. Tanaka H., Yokoyama T. and Sumita I. // Japan Jornal of Applied Physics. -199433, P. 3696.

146. Tu K.N., Ottaviani G., Gösele U., Foil H. // Applied Physics Letters. -1983- 54,- P. 758.

147. Tsaur B. Y., Lau S.S., Mayer J. W., and Nickolet M.-A. // Applied Physics Letters. -1981- 38, P. 922.

148. Bennett P.А., Tong X., and Butler J.R. // Jornal Vacuum Science and Technology B. -1988- 6, P. 1336.

149. Bennett P.A., Halawith B.N. and Johnson A.P. // Jornal Vacuum Science and Technology A. -1987- 5, P. 2121.

150. Wetzel P., Pirri C., Peruchetti J.C., Bolmont D., and Gewinner G. // Physical Review B. -1987- 35, P. 5880.

151. Wetzel P., Pirri C., Peruchetti J.C., Bolmont D., and Gewinner G. // Solid State Communications. -1988- 65, P. 1217.

152. Pirri C. // Physical Review B. -1984- 30, N 10. - P. 6227.

153. Chambers S.A., Anderson S.B., Chen H.W., and Weaver J.H. // Physical Review B. -1986- 34, P. 913.

154. De Fresart E., Kao Y.C., and Wang K.L. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1986- 4, P. 645.

155. Arnaud D'Avitaya F., Delaco S., Rosencher E., and Derrien J. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1985- 3, P. 770.

156. Dolbak A.E., Olshanetsky B.Z., Teys S.A. // Surface Science. -1997- 373, P. 43.

157. Woltersdorf J. U Thin Solid Films. -1981- 85, P. 241.

158. Gotoh Y. and Arai I. // Japanese Jornal of Applied Physics. -1986- 25, N 7. -P. L583.

159. Kato M., Wada M., Sato A., and Mori T. // Acta Met all. -1989- 37, N 3. -P. 749.

160. Андреева А.В. // Силициды и их применение в технике: Сборник научных трудов. Киев: Институт проблем материаловедения им. И.Н.Францевича АН УССР, 1990 - С. 119.

161. Palmstr0m C.J. // Annual Reviews of Material Society. -1995- 25, R 389.

162. Copel M, Renter M.C., Kaxitas'E., and Tromp R.M. // Physical Review Letters. -1989- 63, N 6 - P. 632.

163. Zhang Z. and Lagally M. Ц Physical Review Letters. -1994- 72, N 5.- P. 693.

164. Brune H., Bromann K., Roder H., and Kern K. // Physical Review B. -1995- 52,- N 20. P. R14380.

165. Jalochowski M., Hoffmann M., and Bauer E. // Physical Review B. -1995- 51, -N 11. P. 7231.

166. Herman M.A. and Sitter H. // Microelectronic Journal. -1996- 27, P. 257.

167. Чернов A.A. // Успехи физических наук. -1961- LXXIII, N 2. - P. 278.

168. Александров Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. -Новосибирск: Наука, 1978. 272 с.

169. Палатник Л.С., Федоренко А.И. // Рост кристаллов. Том.XIV. -Москва: Наука, 1983. С. 23.

170. Палатник Л.С., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. -Москва: Наука, 1971.- 480 с.

171. Кан И.Х. // Технология тонких пленок./ Под редакцией Майселла Л. и Глэнга Р. -Москва: Советское радио, 1977. Р. 97.

172. Ishiwara П., Saitoh S., and Hikosaka К. // Japan Jornal of Applies Physics. -198120, P. 843.

173. Shiau F.Y., Cheng H.C., and Chen L.J. // Applied Physics Letters. -1984- 45, -N 5. P. 524.

174. Shiau F.Y., Cheng H.C., and Chen L.J. // Jornal of Applied Physics. -1986- 59,- N 8. P. 2784.

175. Haderbache L., Wetzel P., Pirri C., Peruchetti J.C., Bolmont D., and Gewinner G. // Surface Science. -1989- 209, P. L139.

176. Mahan J.E., Geib K.M., Robinson G.Y., Bai G., and Nicolet M.-A. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1991- 9, N 1. - P. 64.

177. Vantomme A., Nicolet M.-A., Long R.G., Mahan J.E., and Pool F.S. // Applied Surface Science. -1993- 73, P. 146.

178. Fathauer R.W., Grunthaner P.J., Lin L.T., Chang K.T., Mazur J.H., and Jamieson D.N. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1988- 6, N 2.- P. 708.

179. Tung R.T., Gibson G.M. and Poate J.M. // Physical Review Letters. -1983- 50,- P. 429.

180. Лифшиц В.Г. и Плюснин Н.И. Тезисы докладов VII-ой конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Т. 2. -Новосибирск: ИФП СО АН, 1986. С. 109.

181. Rocher A., Oustry A., David M.J., and Caumont М. // Jornal of Vacuum Science and Technology A. -1994- 12, N 6. - P. 3018.

182. Lang R.G., Becker J.P., and Mahan J.E. // Jornal of Applied Physics -1995- 77,- N 7. P. 3088.

183. Wife A.E., Short K.T., and Eaglesham D.J. // Applied Physics Letters. -199056, N 13. - P. 1260.

184. Ishizaka A. and Shiraki Y. // Japan Jornal of Applies Physics. -1984- 23, N 7.- P. L499.

185. Henz J., Ospelt M., Von Kdnel H. // Surface Science. -1989- 211/212, P. 716.

186. Ditchek B.M., Salerno J.P. and Gormley J.V. // Applied Physics Letters. -198547, P. 1200.

187. Arnaud d'Avitaya F., Choboczek J.A., Glastre G., Campidelli Y., and Rosencher E. // Jornal of Crystal Growth. -1987- 81, P. 463.

188. Wu S.C., Li Y.S., Jona F., and Marcus P.M. jj Physical Review B. -1985- 32, -N 10. P. 6956.

189. Itoh M., Kinoshita M., Ajioka Т., Itoh M, and Inada T. // Applied Surface Science. -1989- 41/42, P. 262.

190. Xiao Q.F., Jimenez J.R., Schowalter L.J., Luo L., Mitchell Т.Е., and Gibson W.M. // Materials Reserch Society Symposia Proceedings. Vol. 220. New York - Amsterdam - Oxford: Elsiever Science, 1991. - P. 519.

191. Tung R. Т., Batstone J.L., and Yalisove S.M. // Jornal of Electrochemical Society. -1989- 136, N 3 - P. 815.

192. Самсонов Г.В., Винницкий И.М. Тугоплавкие соединения. -Москва: Металлургия, 1976 560 с.

193. Салгсонов Г.В., Дворина Л.А., Рудь Б.М. Силициды. -Москва: Металлургия, 1979 272 с.

194. Фролов А.А. // Труды ИОФАН: Силициды. -1991- 32, Р. 3.

195. Федоров М.И., Зайцев В.К. // Материалы для термоэлектрических преобразователей: Тезизы докладов IV Межгосударственного семинара, Ноябрь 1994. -Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 1995, С. 123.

196. Bost М.С., Mahan J.E. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1986- 4, N 6. - P. 1336.

197. Henrion W., Lange H., Jahne E., and Giehler M. // Applied Surface Science. -1993- 70/71, P. 569.

198. Kuzmin L.S., Pashkin Yu.A., Tavkhelidze A.N., Ahlers F.-J., Weimann Т., Quenter D., and Neimeyer J. // Applied Physics Letters. -1996- 68, P. 2902.

199. Heimann P.A., Murarka S.P., and Rosario J. // Materials Letters. -1983- 2, -N 1. P. 31.

200. Bost M.C. and Mohan J.E. // Jornal of Applied Physics. -1988- 63, N 3. -P. 839.

201. Лифшиц В.Г., Галкин Н.Г., Каменев А.Н., Лобачев С.А. // Тезисы докладов VII-ой конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Т. 2. -Новосибирск: ИФП АН СССР, С. 111.

202. Galkin N.G, Velichko T.V., Skripka S.V., Khrustalev A.V. // Thin Solid Films. -1996- 280, P. 211.

203. Mattheiss L.F. // Physical Rewiew B. -1991- 43, N 2. - P. 1863.

204. Krijn M.P.C. and Eppenga R. // Physical Rewiew B. -1991- 44, N 16. - P. 9042.

205. Борисенко B.E., Иваненко Л.И., Никитин С.Ю. // Микроэлектроника. -199221, Вып.2 - Р. 69.

206. Бонч-Бруевич В.Л. и Калашников С.Г. Физика полупроводников. Москва: Наука, 1977. - 672 с.

207. Banwell Т.С., Zhao Х.-А., and Nicolet М.-А. // Jornal of Applied Physics. -198659, N 9. - P. 3077.

208. Nava F., Tien Т., and Tu K.N. // Jornal of Applied Physics. -1985- 57, N 6. -P. 2018.

209. White A.E., Short K.T., and Eaglesham D.J. // Applied Physics Letters. -199056, N .13. - P. 1260.

210. Mattheiss // Physical Rewiew B. -1992- 45, N 7. - P. 3252.

211. Hirano T. and Kaise M. // Jornal of Applied Physics. -1990- 68, N 2. - P. 627.

212. Zhang X.-G. and Butler W.H. // Physical review B. -1995- 51, N 15. - P. 10085.

213. Hensel J.С., Tung R.T., Poate J.M., and Unterwald F.С. // Physical Review В. -1985- 54, P. 1840.

214. Phillips J.M., Batstone J.L., Hensel J.C., and Cerullo M. // Applied Physics Letters. -1987- 51, N 23. - P. 1895.

215. Ларсон Д.К. // Физика тонких пленок. Т.6 / Пер. с англ. Москва: Мир, 1973.- С. 97.

216. Tezanovic Z., Jaric M.V., and Maekawa S. // Physical Review Letters. -1986- 57,- P. 2760.

217. Luo E.Z., Heun S., Kennedy M. Wollschläger J., and Henzler M. // Physical Review B. -1994- 49, N 7. - P. 4858.

218. Badoz P.A., Briggs A. Rosencher E., Arnaud dAvitaya F., and d'Anterroches C. // Applied Physics Letters. -1987- 51, N 3. - P. 169.

219. La Via F., Spinella С., Reader A.H., Duchateau J.P.W.B., Hakvoort R.A., and Van Veen A. 11 Applied Surface Science. -1993- 73, P. 108.

220. Mott N.F. and Jones H. The Theory and Properties of Metal and Alloys. New York: Dover, 1936. - P. 286.

221. Henz J., Hugi J., Opselt M., and Von Känel H. // Surface Science. -1990- 228, -P. 9.

222. Nava F., Mazzega E., and Michelini M. // Jornal of Applied Physics. -1989- 65,- N 4. P. 1584.

223. Ando Т., Fowler A., and Stern F. Ц Review of Modern Physics. -1982- 54, -P. 527.

224. Zotov A.V., Wittmann F., Lechner J., Eisele I., Ryzhkov S.V., and Lifshits V.G. 11 Applied Physics Letters. -1995- 67, N 5. - P. 611.

225. Braun F. // Annals of Physik Chemistry. -1874- 153, P. 566.

226. Schottky W. // Natarwissenschaften. B. -1938- 26, P. 843.

227. Schottky W. // Z. Phys. -1939- 113, P. 367.

228. Bethe H.A. // M.I.T. Radiation Laboratory Report. -1942- 43-12, P. 1.

229. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. / Пер. с англ. Москва: Радио и связь, 1982. - 209 с.

230. Mott N.F. // Proceedings of Cambridge Philosophical Society. -1938- 34, P. 568.

231. Kurtin S., McGill T.C., and Mead C.A. // Physical Review Letters. -1969 22, - No 26. - P. 1433.

232. Bardeen J. // Physical Review. -1947- 71, N 10. - P. 717.

233. Heine, V. // Physical Review A. -1965- 138, N 6.- P. 1689.

234. Inkson J.C. // Jornal of Vacuum Science and Technology. -1974- 11, P. 943.

235. Meie E.J. and Joannopoulos J.D. // Physical Review B. -1978- 17, N 4. -P. 1528-1539.

236. Sankey O.F., Allen R.E., Shang-Fen R., and Dow J.D. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1985- 3, N 4. - P. 1162-1166.

237. Freeouf J.L. // Solid State Communications. -1980- 33, N 10. - P. 1059-1061.

238. Hiraki A., Shuto K., Kim S., Kammura W., and Iwami M. // Applied Physics Letters. -1977- 31, P. 611.

239. Margaritondo G., Rowe J.E., Christman S.B. // Physical Review B. -1976- 14, -P. 5396.

240. Wlliams R.T. // Jornal of Vacuum Science and Technology. -1981- 18, P. 929.

241. Spicer W.E., Lindau I., Sheath P.R., Su C.Y., and Chye P.W. // Physical Review Letters. -1980- 44, P. 420.

242. Ho P.S., Yang E.S., Evans H.L., and Wu X. // Physical Review Letters. -198656, N 2. - P. 177.

243. Schmid P.E. // Helvetica Physica Acta. -1985- 58, P. 371.

244. Kelly M.K., Colavita E., Margaritondo G., Anderson J., Papagno L., Frankel D.J., Lapeyre G.J. // Physical Review B. -1985- 32, P. 2693.

245. First P.N., Stroscio J.A., Dragoset R.A., Pierce D.T., Celotta R.J. // Physical Review Letters. -1989- 63, N 13. - P. 1416.

246. Louie S.G., Chelikowsky J.R., Cohen M.L. // Physical Review B. -1977- 15, -N 4. P. 2154.

247. Tersoff J. // Physical Review Letters. -1984- 52, N 6. - P. 465.

248. Harrison W.A. and Tersoff J. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1986- 4, P. 1068.

249. Tersoff J. // Physical Review B. -1986- 32, P. 6968.

250. Keller R.C. and Helms C.R. // Jornal of Vacuum Science and Technology A. -199210, N 4. - P. 775.

251. Васильев Б.Н., Каганов М.И. u Любошиц В.Л. // Успехи физических наук. -1994- 164, № 4. - С. 375.

252. Tung R.T. // Physical Review Letters. -1984- 52, N 6. - P. 461.

253. Yeh J.J. // Applied Physic Letters. -1989- 55, N 12. - P. 1241.

254. Das G.P., Blöchl P., Christensen N.E., and Gunnarsson O. // Physical Review Letters. -1989- 63, P. 1168.

255. Ossicini S., Bisi 0. and Betrioni C.M. // Physical Review B. -1990- 42, N 9. -P. 5735.

256. Matthai C.C., Rees N.V. and Shen T.H. // Applied Surface Science. -1992- 56-58, P. 525.

257. Fujitani H. and Asano S. // Applied Surface Science. -1992- 56-58, P. 408.

258. Brillson L.J. // Surface Science. -1994- 299/300, P. 909.

259. Matthai C.C. // Philosophical Magazine B. -1994- 69, N 5. - P. 941.

260. Fujitani H. and Asano S. // Physical Review B. -1994- 50, N 12. - P. 8681.

261. Rubioff C.W. // Surface Science. -1983- 132, P. 268.

262. Ho P.S // Jornal of Vacuum Science and Technology A. -1983- 1, N 2. - P. 745.

263. Nesterenko B.A. // Appllied Surface Science. -1988- 33-34, P. 21.

264. Azizan M., Nguyen Tan T.A., and Cinti R.C. // Surface Science. -1986- 178, -P. 17.

265. Heslinga D.R., Weitering H.H., Van Der Werf D.P., Klapwijk T.M., and Hibma T. // Physical Review Letters. -1990- 64, N 13. - P. 1589.

266. Weitering H.H., Hibma T., Heslinga D.R., and Klapwijk T.M. // Surface Science. -1991- 251-252, P. 616.

267. Griffits C.L., Anyele H.T., Mathai G.G., Cafolla A.A., and Williams R.H. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1993- 11, P. 1559.

268. Howes P.B., Edwards K.A., Hughes D.J., Macdonald J.E., Hibma T., Bootsma T., and James M.A. // Physical Review B. -1995- 51, N 24. - P. 17740.

269. Hwang C., Hwang C.-S., Lee C., Lee S. W., Jeong I.-S., Park H.H., Tanaka S.-I., and Kamada M. // Physical Review B. -1995- 52, N 23. - P. 16325.

270. Le Lay G., Aristov V.Yu., Seehofer L., Buslaps Т., Johnson R.L., Gothelid M., Hammar M., Karlsson U.O., Flodstrom S.A., Feidenhans'l R., Neilsen M. Findeisen E., and Uhrberg R.I.G. // Surface Science. -1994- 307-309, P. 280.

271. Chang Y., Colovita E., Tache N., and Margaritondo G. // Jornal of Vacuum Science and Technology A. -1988- 6, N 3. - P. 1971.

272. Wen H.J., Dahne-Prietsch M., Bauer A., Cuberes M.T., Manke I., and Kaindl G. // Jornal of Vacuum Science and Technology A. -1995- 13, N 5. - P. 2399.

273. Miura Y., Fujieda S., and Hirose K. // Physical Review B. -1994- 50, N 7. -P. 4893.

274. Плюснин Н.И., Лобачев С.А. и Галкин П.Г. // Приборы и техника эксперимента. -1984- N 5. Р. 138.

275. Сих М.П. // Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии/ Под редакцией Бриггса Д. и Сиха М.П. Москва: Мир, 1987,- С. 203.

276. Van Der Pauw L.J. // Phillips Research Reports. -1958- 13, N 3. - P. 1.

277. Кучис E.В. Методика исследования эффекта Холла. -Москва: Советское радио, 1974. 328 с.

278. Ayrby V. and Meyer F. // Jornal of Applied Physics. -1994- 76, N 12. - P. 7973.

279. Harrison T.R., Johnson A.M., Tien P.K., and Dayem A.H. // Applied Physics Letters. -1982- 41, N 8. - P. 734.

280. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -Москва: Мир, 1989.- 564 с.

281. Методы анализа поверхностей. / Под редакцией Зандерны А. Москва: Мир, 1979.- 582 с.

282. Галлон T. // Электронная и ионная спектроскопия твердых тел./ Под редакцией Фирмэнса Л., Вэнника Дж. и Декейсера В. Москва: Мир, 1981.- С. 237.

283. Запорожченко В.И., Кухаренко Ю.А., Раховский В.И. // Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. Москва: Наука, 1985.- С. 70.

284. Иоши А., Дэвис П., Палмберг П. // Методы анализа поверхностей. / Под редакцией Зандерны А. Москва: Мир, 1979.- С. 200.

285. Bauer Е. // Vacuum. 1972.- 22,- N 11.- Р. 539.

286. Linsmeier Ch. // Vacuum. 1994,- 45,- N 6/7.- P. 673.

287. Трейси Д.К., Баркстренд ДМ. ]/ Новое в исследовании поверхности твердого тела. Москва: Мир, 1977 - С. 83.

288. Наумовец А.Г. // Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. Москва: Наука, 1985.- С. 162.

289. Хенцлер М. // Применение электронной спектроскопии для анализа поверхности. Рига: Зинатне, 1980 - С. 153.

290. Pendry J.B. // Surface Science. 1994,- 19,- N 3/6.- P. 87.

291. Van Hove M.A. // Proceedings of Royal Society of London. A. 1993.- 442,-P. 61.

292. Tong S.Y. // Surface Science. 1994,- 299/300,- N 1/2.- P. 358.

293. Pendry J.B. // Surface Science. 1994,- 299/300,- N 1/2,- P. 375.

294. Davis L.E., MacDonald N.C., Palmberg P.W., Piach G.E., Weber R.E. Handbook of Auger electron spectroscopy. Eden Prairie, Minnesota: Physical Electronic Industries Inc., 1976.- 252 p.

295. Шулъман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. Москва: Наука, 1977.- 551 с.

296. Хейденрайх Р. Основы просвечивающей электронной микроскопии. Москва: Мир, 1966.- 239 с.

297. Topic in Current Physics, Vol. 4, Electron Spectroscopy for Surface Analysis / Edited by H.Ibach. -Berlin- Heidelberg- New York: Springer-Verlag, 1977. -250p.

298. Lander J.J. // Physical Review. -1953- 91, P. 1382.

299. Scheibner E.J. and Tharp L.N. // Surface Science. -1967- 8, P. 247.

300. Palmberg P.W. // Analytical Chemistry. -1973- 45, N 6. - P. 549A.

301. Hall P.M. and Morabito J.M. // Surface Science. -1979- 83, P. 391.

302. Tanuma S., Powell C.J., Penn D.R. // Surface and Interface Analysis. 1991.17,- N 13.- P. 911.

303. Нефедов В.И., Черепин В. Т. Физические методы исследования поверхности твердых тел. -Москва: Наука, 1983. 275с.

304. Jablonski А. // Surface and Interface Analysis. -1989- 14, P. 659.

305. Wang Q., Zhang Q.J., and Hua Z.Y. // Applied Surface Science. -1985- 22/23, -P. 160.

306. Gergely G. // Surface and Interface Analysis. -1981- 3, N'5. - P. 201.

307. Seah M.P. and Smith G.C. // Surface and Interface Analalysis. -1991- 17, P. 855.

308. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. Москва: Мир, 1965. - 383 с.

309. Richie R.H. // Physical Reveiw. -1957- 106, N 5. - P. 874.

310. Powell J.С. // Physical Reveiw. -1968- 175, P. 972.

311. Yubero F. and Tougaard F. // Physical Reveiw B. -1992- 46, N 4. - P. 2486.

312. Tung С J., Chen Y.F., Kwei C.M., Chou T.L. // Physical Reveiw B. -1994- 49, N 23. - P. 16684.

313. Sakakibara N., Nisada Y., Yamada Y., Hattori T. // Applied Surface Science. -1993- 72, P. 195.

314. Каули Дж. Физика дифракции. Москва: Мир, 1979. - 400 с.

315. Das S., Gersten J.I., Weisz Z., Resto O., Many A., and Goldstein Y. // Physical Reveiw Letters. -1989- 39, P. 11251.

316. Deitzel W., Meister G., and Bauer E. // // Z. Phys. B. Condensed Matter. -1982- 47, - P. 189.

317. Ferron J. and Goldberg E.C. // Surface Science -1992- 275, P. 114.

318. Bart F., Gauter M., Jollet F., Duraud J.P. // Surface Science. -1994- 306, -P. 342.

319. Poveda P., Glachant A. // Surface Science. -1995- 323, P. 258.

320. Плюснин Н.И. // Дисс. . канд. физ.-матем. наук. -Ленинград: ЛГУ, 1986. -199 с.

321. Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И. // Всесоюзная конференция по диагностике поверхности. Тезисы докладов. -Каунас, 1986. С.87.

322. Bedrossian P., Meade R.D., Mortensen К., Chen D.M., Golovchenko J.A., and Vanderbild D. // Physical Reveiw Letters. -1989- 63, N 12. - P. 1257.

323. Kanel H. Von, Schwarz C., Goncales-Conto S., Miiller E., Milgio L., Tavazza F., and Malegori G. // Physical Reveiw Letters. -1995- 74, N 7. - P. 1163.

324. Von Kanel H. , Mader K.A., Miiller E. , Onda N. and Sirringhaus H. // Physical Reveiw B. -1992- 45, P. 13807.

325. Manke I., Wen H.J., Hohr A., Bauer A., Dahne-Prietsch M., and Kaindl G. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1995- 13, N 4. - P. 1657.

326. Вайиштейн Б. К. Структурная электронография. Москва: Издательство АН СССР, 1956. - 350 с.

327. Gergely G. // Vacuum. -1983- 33, N 1/2. - P. 89.

328. Эидрюс К., Дайсон Д., Киоун С. Электронограммы и их интерпретация. -Москва: Мир, 1971. 250 с.

329. Kobayashi К., Itoh F., Fukunaga Т., Fujimori Н., Suzuki К. // Proceedings of 4th International Conference on Rapidly Quenched Metals. Sendai, August 24-25, 1981. Vol.1. -1981- P. 367.

330. Pirri C., Hong S., Tuilier M.H., Wetzel P., and Gewinner G. // Physical Review B. -1996- 53, N 3. - P. 1368.

331. Новиков В.В. Теоретические основы микроэлектроники. -Москва: Высшая школа, 1972. 352 с.

332. Bensaoula A., Vuillen J.Y., Nguyen Tan Т.А. // Surface Science. -1991- 241, -P. 425-430.

333. Bennett P.A., Copel M., Cahill D. Falta Jand Tromp R.M. // Physical Review Letters. -1992- 69, P. 1224.

334. Gallego J.M., Miranda R., Molodtsov S., Laubschat C., and Kaindl G. // Surface Science. -1990- 239, P. 203-212.

335. Mis ell D.L. and Atkins A.J. // Philos. Mag. -1973- 25, P. 95.

336. Kolodziej H.B. and Rosenfeld B. // Acta Phys. Pol. A. -1975- 48, P. 765.

337. Knowles M.P. and Leon S.R. // Chem. Phys. Lett. -1996- 258, P. 217.

338. Arnaud D'Avitaya F., Delago S., Rosencher E., and Derrien ./. // Jornal of Vacuum Science and Technology B. -1985- 3, N 2. - P. 770.

339. Ibach H., Mills D.L. Electron energy loss spectroscopy and surface vibrations. -New York: Academic press, 1982. 365 p.

340. Rowe J.E. and Ibach H. // Physical Reveiw Letters. -1973- 31, P. 102.

341. Ichinokawa Т., Yamagami N., Ampo H., and Tamura A. // Physical Reveiw B. -1983- 28, P. 6151.

342. Roth J.A., Crowell C.R. // Jornal of Vacuum Science and Technology. -1978- 15,- N 4. P. 1317.

343. Calandra C., Bisi 0., and Ottaviani G. // Surface Science Reports. -1984- 4, -P. 271.

344. Rowe J.H. and Ibach H. // Physical Reveiw Letters. -1974- 32, N 8. - P. 421.

345. Ofner H., Ulrych I., Chab V., Netzer F.P.,and Matthew J.A.D. // Surface Science. -1995- 327, P. 233.

346. Karlsson C.J., Landemark E., Chao Y.-C., and Uhrberg R.I.G. // Physical Reveiw B. -1994- 50, P. 5767.

347. Herman M.A. // Vacuum. -1982- 32, N 9. - P. 555.

348. Russell T.W.F., Baron B.N., Jackson S.C., Rocheleau R.E. // Microelectronics processing: Chemical engineering aspects / Edited by Hess D.W., Jensen K.F. (Advance Chemistry Seria, Vol. 221). Washington: American Chemistry Society, 1989.- P. 171.

349. Бёрд Г. Молекулярная газовая динамика / Пер. с англ. -Москва: Мир, 1981 -544 с.

350. Каминский М. Атомные и ионные столкновения на поверхности металла. -Москва: Мир, 1967. 300 с.

351. Кроуэлл А. // Межфазовая граница газ-твердое тело./ Под редакцией Флада Э. -Москва: Мир, 1970. С 150.

352. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. -Москва: Физматгиз, 1961. -360 с.

353. У ив ер К. / / Физика тонких пленок. Т. 6. Современное состояние исследований и технические применения./ Под общей редакцией Франкомба М.Х. и Гофмана Р.У. Москва: Мир, 1973. - Р. 334.

354. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т 2. -Москва: Мир, 1984. 350 с.

355. Martinez A., Esteve D., Guivarc'h A., Auvray P., Непос P., Pelous G. // Solid State Electronics. -1980- 23, P. 55.

356. Zsheng L.R., Zingu E. and Mayer J.W. // Material Research Society Symposium Proceedings. Vol. 25. New York-Amsterdam-Oxford: Elsever Science Publishing Co., 1984. - P. 75.

357. Barth J., Gerken F., Kobayashi K.L.I., et al. // Jornal of Phisics C: Solid State Physics. -1980- 13, P. 1369.

358. Sakisaka Y., Kato II., NicMjima M., et al. // Solid State Communications. -198036, N 4. P. 353.

359. Simmons G.W., Scheibner E.J. // Jornal of Applied Physics. -1972- 43, N 2. -P. 693.

360. Корсунский М.И., Генкии Я.Е., Заводинский В.Г. // Физика твердого тела. -1970- N 12, Р. 3047.

361. Derrien J., Commandre М., Layet J.M., Salvan F., Cross A. // Applied Phisics A. -1982- 28, P. 247.

362. Eastman D.E., Grobman W.D. // Phisical Reveiw Letters. -1973- 30, P. 177.

363. Franciosi A., Weaver J.H., O'Neill D.G., Chabal Y, Rowe J.E., Poate J.M., Bisi 0. and Calandra C. // Jornal of Vacuum Science and Technology. -1982- 21, N 2. - P. 624.

364. Camley R.E. and Mills D.L. // Physical Reveiw B. -1984- 29, N 4. - P. 1695.

365. Nazarov V.U. // Physical Reveiw B. -1994- 49, N 24. - P. 17342.

366. Valeri S., del Pennine U., Sassaroli P., and Ottaviani G. // Physical Reveiw B. -1983- 28, P. 4277.

367. Quinn J.J. // Nuclear Instruments and Methods of Physical Research B. -199596, P. 460.

368. Bell A.E. // RSA Review. 1979.- 40,- N 3,- P. 1.

369. Шалимова К. В. Физика полупроводников. -Москва: Энергия, 1976. 416 с.

370. Himpsel F. J. // Applied Physics A. -1985- 38, P. 205.

371. Lee E.Y., Sirringhaus H., and von Kanel H. // Physical Review B. -1994- 50, -N 8. P. 5807.

372. Gokhale А.В., and Abbaschian G.J. // Bulletin of Alloy Phase Diagrams. -19878, N 5. - P. 474.

373. Radamson H.H., Sardela M.R., Nur J.O., Willander M., Sernelius B.E., Ni W.-X., and Hansson G.V. // Applied Physics Letters. -1994- 64, N 14. - P. 1842.

374. Schdffler F. // Semiconductor Science Technology. -1997- 12, P. 1515.

375. VLSI Electronics. Microstructure Science. Vol.3, Metal-Semiconductor Contacts and Devices. / Ed. Cohen S. and Gildenblat G.S. Orlando - San Diego - New York - Austin - London - Monreal - Sydney - Tokyo - Toronto: Academic Press, 1986. - 424 P.- 374

376. Hsia S.L., Tan T.Y., Smith P., and McGuire G.E. // Jornal of Applied Physics. -1992- 72, N 5. - P. 1864.

377. Франкомб M.X и Джексон Д.Е // Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. / Под редакцией Хасса Г. и Туна Р.Э. Том 5. Москва: Мир, 1972. - с. 140.

378. Liehr М., Renier М., Wachnik R.A., and Scilla G.S. // Jornal of Applied Physics. -1987- 61, P. 4619.

379. Tung R.T., Ng K.K. Gibson J.M., and Levi A.F.J. // Physical Review B. -198633, N 10. - P. 7077.

380. Ossicini S. U Applied Surface Science. -1992- 56-58, P. 290.

381. Kikuchi A. U Applied Physics Letters. -1993- 74, N 5. - P. 3270.

382. Turan R. and Akman N. // Semiconductor Science Technology. -1993- 8, P. 1999.

383. Аморфные полупроводники. / Под. ред. Бродски М. -Москва: Мир, 1982. 420 с.

384. Zunger А. // Annual Reviews of Material Society. -1985- 15, P. 411.

385. Galkin N.G., Goroshko D.L., Konchenko A.V., Ivanov V.A., and Gouralnik A.S. 11 Surface Review and Letters. -1999- 6, N 1. - P. 7.