Физические основы технологии гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров с большим сроком службы (молекулярно-пучковая эпитаксия в системе AlGaAs) тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РГ6 од

0 > * '■!) [саЖ^-петербуггский государственный

ТЕХ1ШЧЕС1ШЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

Ф О К IIII Георгии Анатольевич

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ГЕТЕРОСТГУКТУР ДЛЯ МОЩНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ С БОЛЬШИМ СРОКОМ СЛУЖБЫ (МОЛЕКУЛЯРНО-НУЧКОВАЯ ЭШ1ТАКСНЯ В СИСТЕМЕ

АЮаАя)

01.04.10 • физика полупроводников и Диэлектриков

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург 1994 г.

Работа выполнена в Центре перспективных технологии и разработок.

Научный руководитель: Лауреат Государственной премии, кандидат

физико-математических наук, Ю.В.ПОГОРЕЛЬСКШ!

Официальные оппоненты: доктор фнзнко-математнческнх наук,

профессор ПОЛТОРАЦКИЙ Э.А. (ГШШ ФП, Зеленоград).

кандидат физико-математических наук ЖЕЛУДЕПЛ C.TI. (ИК РАН, Москва),

Педушая организация: Паучно-технологнчсскнн центр микроэлектроники il субмнкронньгс гетероструктур при ФТ11 ин.А.Ф.Иоффе PAÎÎ.

Зашита состоится ^ Сслр/еЯ 1994 г. в ^^ часоз па заседании специализированного совета К 0S3.3ft.16 в Санкт-Петербургском государственном техническом университете по адресу: 195251, Санкт-Петербург, Политехническая ул. 29. С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке СПбГТУ.

Автореферат разослан ¿^o^/Wу. -г ( ' 1994 г.

Ученый секретарь специализированного совета ОЛ.Подсвиров

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. Метод молекулярно-пучковон эпитаксин (МПЭ) является одним из наиболее перспективных ростовых методов современной полупроводниковой технологии. Возможность создания [етерограннц с резкостью на уровне одного атомного слоя и высокая однородность гетероструктур, выращенных методом МПЭ, позволяют использовать эту технологию для изготовления полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами и транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ). Уникальной особенностью МПЭ является то, что поверхность полупроводника в процессе роста остается открытой, что позволяет использовать тонкие исследовательские методики для изучения процесса роста in situ. Наиболее информативной методикой оказывается дифракция отраженных быстрых электронов (ДБЭО). Эта методика позволяет определять реконструкцию поверхности п с помощью наблюдения осцилляции интенсивности основного рефлекса изучать переходные процессы и динамику роста.

Исследования атомарно-тадкой поверхности н физики послойного роста имеют самостоятельное научное значение; в то же время, такие исследования способствуют быстрому развитию технологии МПЭ. Важной темой является установление связи между состоянием поверхности полупроводника во время роста и приборным качеством выращенных слоев.

Одним из наиболее сложных приборов, изготовление которого возможно с помощью МПЭ, является мощный полупроводниковый лазер. Гетероструктура для такого лазера должна обеспечить как высокую дифференциальную эффективность, так и отсутствие деградации прибора при работе в непрерывном режиме в течение длительного времени (тысяч часов).

В связи с этим, тема работы, направленная на изучение свойств поверхности полупроводников, физики роста GaAs п твердых растворов AlGaAs, а также на разработку технологии выращивания гетероструктур для мощных полупроводниковых лазеров, является актуальной.

поверхности GaAs в условиях сверхвысокого вакуума, в изучении

состоят в исследовании свонств

особенностей эпитаксиалыюго роста ОаАэ и ЛЮаЛз п, на основе этих исследований, в разработке технолопш выращивания гетероструктур, пригодных для изготовления мощных лазерных диодов со временем жизни, составляющим несколько тысяч часог-.

Научная новизна работ;.! определяется тем, что в ней впервые: обнаружено аномальное поведение степени шероховатости поверхности ОаДвСЮО) при начале роста в условиях низкотемпературной реконструкции с(4х4); показано, что структурный переход с(4х4)-> (2x4) в реальных ростовых условиях протекает без кинетических ограничений скорости превращения; обнаружено, что изменение реконструкции с(4х4) на (2x4) происходит через промежуточную реконструкцию (2x1); обнаружена корреляция между наблюдаемыми в процессе МПЭ реконструкциями поверхности АЮаАз и кристаллическим качеством выращенных слоев; обнаружена связь скорости деградации лазерных диодов с температурой роста А1-содержаишх слоев лазерной гетероструктуры.

практическая значимость работы состоит в получении новых данных о динамике изменения реконструкции и кинетике роста на изначально с(4х4)-реконстру1фованиой поверхности ОаАз(100); в выявлении связи дефектности слоев АЮаАэ и срока службы полупроводниковых лазеров с условиями роста гетероструктур; л разработке нового метода получения атомарно-гладкой реконструированной поверхности (ЗаА5(1(Ю), основанного на перекристаллизации материала под действием коротких лазерных импульсов в условиях сверхвысокого вакуума; в разработке технолопш выращивания гетероструктур, пригодных для изготовления мощных лазерных диодов со временем жизни, составляющим несколько тысяч часов.

На защиту выносятся;

I. Методика н результаты экспериментального исследования с помощью ДБЭО шероховатости поверхности СаА5(100) в статических условиях н в процессе установившегося эпнтаксиального роста, динамики структурного перехода с(4х4)->(2х4).

2. Метод получения атомарно-гладкой реконструированной поверхности GaAs(lOO) , основанный на перекристаллизации материала под действием коротких лазерных импульсов п условиях сверхвысокого вакуума.

, 3'. Результаты экспериментального исследования методом двух-крнсталлыюн рентгеновской спектрометрии кристаллического качества слоен AiGaAs в зависимости от температурь! роста it наблюдаемой в процессе зпптаксн» реконструкции поверхности.

4. Результаты исследования зависимости скорости деградации лазерных диодов от температуры роста А1-содержащих слоев лазерных гетероструктур. Разработанная технология выращивания методом К1ПЭ гетероструктур, пригодных для изготовления мощных полупроводниковых лазеров, позволяющая получить гетероструктуры с внутренним квантовым выходом нзлучательной рекомбинации т| =91%, пригодные для изготовления лазеров с выходной мощностью ~ 500 мВт при сроке службы более 3000 часов.

.4ttjioПai!;!^ р;шо:ш, Результаты работы докладывались па: Sixth European Conference on Molecular Beam Epitaxy and Related Growth Methods, 'I'ampere, Finland (1991); Seventh European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, Bardonecchia, Italy (1993).

ПуЛл!!?<iUШХЬ Основные материалы диссертации опубликованы в 8 научных работах, список которых приведен в конце автореферата.

Структура И объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Общин объем диссертации - 116 страниц, в том числе 9-1 страницы машинописного текста и 22 рисунка на 22 страницах. Библиография содержит 87 наименований и занимает 12 страниц.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во ВВЕДЕНИИ обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы ее цель, научная новизна и практическая значимость, изложены основные положения, выносимые на защиту.

ПЕРВАЯ глава носит обзорный характер. В ней проведен анализ литературных данных, относящихся к теме диссертации.

Б первом параграфе подробно анализируются имеющиеся данные о состоянии поверхности СаАз(100). Согласно [1], поверхность СаЛ5(100) претерпевает реконструкцию, образуя ряд поверхностных структур, существование которых определяется величиной внешних потоков тетрамероа (дныерсв) мышьяка н атомов галлия, а также температурой поверхности Т5 . Систематизированы данные о поверхностных структурах н соответствующих им иеличинах покрытия поверхности мышьяком. Приведены картины ДБЭО для основных наблюдаемых реконструкции. Отдельно рассмофены работы,

ассвящешше изучению фазовых диаграмм.! поверхности ОаЛэ, Л1Лз н АЮгАз с ориентацией (100).

Во втором параграфе обсуждаются возможности ¡1 методические особенности ггр^мсиенпя ДБЗО длл изучения свойств поверхности в процесса ¥иптаксиалы!ого роста. Приведены основные результаты, полученные с помощью ДБЗО. Показано, что, согласно результатам работы [2]. с антнбрзггоЕскнх условиях дифракции измерения шпе-нснсиостн зеркального рефлекса позволяют полу-шть пиформацпга о степени шероховатости поверхности.

I; третьем парафафс проведен анализ гетсроструктур, используемых для изготовления полупроводниковых лазеров. Рассмотрены основные проблемы технология выращивания лазерных ¡етсрсклрушур методом МПЭ.

В нервим параграфе БТ01;011 главы рассмотрены конструктивные к функциональные особенности использованных для провисши ' исследовании установок МПЭ. Проведено сравнение отечественных установок ЗП-1201 и ЭП-1203. 1> связи с »ем, что общей проблемой для всех установок МПЗ является падение температуры образца на \ начальном этапе роста вследствие изменения излучающей способности молпбдсиогою дгржагеля подложки в процессе знитакепп, с данном параграфе приведены данные но исследованию чувствительности контролирующей термопары блока ¡¡агрека образца к изменению температурь; псперхиоста молибденового держателя.

Во втором параграфе приведено описание методики калибровки потоков основных компонент и темиературы подложки с помощью ДБЗО, основанной на регистрации положения границ фазовой дпафаммы

поверхности ОаАз(ЮО). Подробно описан способ корректировки изменения температуры поверхности подложки на начальном этапе роста с помошыо слежения за структурным переходом от реконструкции с(<!х4) к (2x4) в процессе эпитаксии.

Г! третьем параграфе описан применяемый в экспериментах способ химической подготовки поверхности подложки перед этггахспальшлм ростом. В диссертационной работе предложен новый способ получения атомарно-гладкой реконструированной поверхности ОаЛвООО). Показано, что процедура, включающая перекристаллизацию поверхности СаА$(!00) под действием коротких лазерных импульсов ( тП = 20 не, А.„= 0.69 мкы) в условиях сверхвысокого вакуума я исследующий низкотемпературный (Т8=400°С) отжиг образца в потоке мышьяка, позволяет получить реконструированную мышьяк-стлоплнзпровашгум поверхность, пригодную для зшгтйксиштьпого роста.

ТРЕТЬЯ глава пссслщеиа сравнительным исследованиям поверхности ОзАбООО) в статических условиях и в процессе эпитакспальпопо роста из молекулярных пучкоа.

На основе экспериментов, проведешшх с аптибрэгговских услознях дифракции, была получены температурные зависимости интенсивности згркалыюго рефлекса в статическом режиме (1с;) п в процессе установившегося зпитаксналыюго роста (1<Цп)- I-3 этих зависимостей (рис.!) ьадио, что наибольшая интенсивность дифрахцнп

450 500 550 600 050 Температура (°С)

Рис. 1 .Температурные зависимости интеиспзаоста зеркального рефлекса в статическом режиме (Ist) и в 7qq процессе установившегося эпитаксипьного роста (Idin).

в статических условиях наблюдается ла (2х4)-реконструпрованпой поверхности GaAs(lOO), имеющей, таким образом, наименьшую разуиорядоченность. Температурная зависимость ijj;, обнаруживает • сходное с поведение за исключением области низких температур, близких к структурному переходу (2х4)->с(4х4), ще наблюдается дополнительное увеличение интенсивности дифракции при зиитаксиалыюм росте на поверхности, имеющей в статических условиях реконструкцию с(4х4).

В третье»! параграфе приведены данные о динамике структурного перехода с(4х4)->(2х4), ' индуцированного изменением состава поверхности GaAs(lGG) за счет посту пленка ла нее атомов галлия из внешнего потока. Показано, что переход с(4х4)->(2х4) происходит в отсутствии кинетическою 0!раинчення скорости прекращения и следует за изменением термодинамических параметров системы, таких, как состав я температура поверхности. Отмечено, чго скорость обратно! о перехода (2х4)-»с(4х4) , наблюдающегося ири выключении внешнего потока галлия, ограничена кинетикой адсорбци!: на нокрхиосш молекул тетрамеров мышьяка.

В широком интервале изменения скорости роста экспериментально определено количество галлия Д'Эса > индуцирующее структурный переход с(4х4)—>(2x4). Величина A©Ga оказалась не зависящей от Бнешкего потока Ga и равной 0.2±0.04 МС (I моиослон (МС) ссотвятствует поверхностной концентрации атомов 6.

Накопление избыточного мышьяка на поверхности, связанное со структурным переходом (2х4)-»с(4х4) , приводит в статических условиях к возникновению дополнительно!! шероховатости [3J, резко уменьшающей интенсивность зеркального рефлекса. Сказалось, что в условиях установившегося эшпаксналыюго роста наблюдается обрашии эффект1. Кроме того, в экспериментах была обнаружена аномальная зависимость интенсивности зеркального рефлекса от внешнего потока галлня. Для двух значении температуры образца: 470°С и 500СС, лежащих вблизи точки перехода с(4х4)-»(2х4) (Тпер=480°С при потоке мышьяка па поверхность подложки ~2 МС/с) были измерены зависимости ¡¿in от скорости роста (величины внешнего потока галлия). Этн зависимости представлены на рис.2. Вндно, что в отличие от роста на

-б-

I ^ □I ^

0.7 0.9 "l. 1

Скорость роста (МС/с)

Рис.2. Зависимости I^in от скорости роста дня двух значений Температуры вблизи точки структурного перехода с(4х4)->(2х4). Величина Ist показана для темпе!)атуры поверхности 500°С.

исходно (2х4)-реконструнрованной поверхности, величина 1(]|п при росте на изначально с(4х4)-реконструнрованнон поверхности увеличивается с ростом потока п»ллня( и, следовательно, шероховатость поверхности в этом случае уменьшается.

Для объяснения различия в поведении т8< н Г^щ вблизи точки стуктурного перехода с(4х4)->(2х4) было выдвинуто предположение о существовании промежуточной поверхностной структуры, имеющей реконструкцию (2x1), через которую осуществляется переход с(4х4)-> (2x4). Наблюдение изменения дифракционной картины в процессе этого перехода, проведенное в статических условиях при низких скоростях охлаждения образца, согласуется с данным предположением.

В ЧЕТВЕРТОЙ главе представлены результаты исследования кристаллического качества твердого раствора АЮаАа методом двухкрнсталльнон рентгеновской дифрактометрии в зависимости от температуры роста и наблюдаемых в процессе роста реконструкций поверхности. Результаты этих исследований легли в основу выбора оптимальных режимов роста А1-содержащнх слоев лазерных гетероструктур.

В эксперименте анализировались кривые качаиия, полученные при брэгговском отражении рентгеновских лучей от слоев твердого раствора АЮаАэ с одинаковыми толщиной и уровнем легирования, но выращенных при различных температурах. Критерием кристаллического

совершенства является величина полуширины пика брэгговского отражения. Составы твердых растворов (х=0.23; х=0.39; х=0.50) выбирались в диапазоне, типичном для А1-содержащнх слоев, используемых в лазерных гетероструктурах.

На рпс.З представлена зависимость полуширины пика дифракционного отражения рентгеновских лучей на слоях твердою раствора, отличающихся составами, от температуры роста. Видно, что в диапазоне температур до Т$=630°С (при наблюдаемой реконструкции (2x4)) и при температурах роста Т3=700-г720°С (реконструкция (3x1)) наблюдается минимальная величина полуширины пика отражения.

е60 к

К 4 0

(2x4)

(1X1)

(3x1)

о - Х = 0.23 Л - Х=0.39

20 :

а о^

Рнс.З. Зависимость полуширины пика дифракционного отражения рентгеновских лучей на слоях твердого раствора с различными составами от температуры роста.

670

сыо

сто

Температура роста ( °С)

Увеличение значения полуширины пака отражения и области с реконструкцией (1x3) (Т5=630^690°С) коррелирует с наличием так называемой "запрещенной для роста" зоны, при выращивании в которой заметно ухудшаются подвижность носителей и люминесцентные свойства тройного раствора [4]. Уширение пика отражения при Т5>730°С связано с эффективной десорбцией галлия с поверхности тронного раствор;*. Нарастание десорбции галлия с увеличением температуры приводит к флуктуациям состава тройного раствора вследствин небольших колебаный температуры образца во время роста. Наличие таких флуктуаций подтверждается анализом Оже-профилей выращенных структур, который показал, что структуры, выращенные при Т52730°С оказались неоднородными по составу, что и явилось причиной ушнрения

пика отражения от слоев твердого раствора. В ходе экспериментов с помощью ДБЭО была определена зависимость скорости роста тройного раствора от температуры.

Таким образом, в результате проведенных исследований были установлены два температурных режима выращивания слоев твердого раствора АЮаАэ , ■ приводящие к получению слоев, наилучшего кристаллического качества.

В ПЯТОЙ главе приведены данные по оптимизации технологии получения методом МПЭ лазерных гетероструктур (ЛГС) , пригодных для изготовления из них мощных полупроводниковых лазеров.

В первом параграфе подробно описана базовая конструкция гетероструктуры для изготовления мощных полупроводниковых лазеров. Обоснован выбор параметров всех слоев ЛГС (толщина, состав и легирование каждого слоя). Приведены исходные данные и результаты расчета ожидаемых характеристик выбранной ЛГС (пороговая плотность тока и внутренний квантовый выход излучателышн рекомбинации).

Во втором параграфе обоснован выбор условий роста ЛГС (соотношение потоков основных компонент, температура роста). Описана методика контроля и коррекции температуры поверхности во время роста, основанная на регистрации изменения периода осцилляции интенсивности рефлексов ДБЭО, связанного с эффективной десорбцией галлия с поверхности.

Особое внимание было уделено выбору температуры выращивания АЬсодержащих слоев ЛГС, в особенности, п-эмиттера, т.к. его кристаллическое совершенство определяет качество выращенных вслед за ним волноводных слоев и активной области ЛГС. Для определения влияния условий роста на скорость деградации (срок службы) лазерных, диодов, изготовленных на основе таких ЛГС, была выращена серия ЛГС с различными температурами роста А1-содержащих слоев (Т5=660°С, 680°С и 700°С). В процессе эпнтаксии наблюдались осцилляции интенсивности зеркального рефлекса ДБЭО в начале роста первого эмиттера (рнс.4.а) и после выращивания 0.7 мкм слоя твердого раствора для различных температур роста (рнс.4.б-г). Видно, что в последнем случае число и амплитуда осцилляций интенсивности на образцах, выращенных при температуре Тз=700°С, заметно больше, чем

АЮаАв Т^ббО'С

АЮаЛв Т,=6В0°С

10 20 Время (сек)

Рис.4. Поведение интенсивности ДБЭО при выращивании слоев АЮаАз: (а) начальная стадия роста АЮаАй на ваЛь, (б)-(г) через 30 минут после начала роста слоя АЮаАв при различных температурах.

на образцах с температурой роста Т5=660°С и 680°С. В четвертой главе отмечается, что температуры 660°С и 680°С лежат в так называемой "запрещенной для роста зоне", в то время как температура 700°С лежит вне этой зоны, вблизи ее границы.

Из выращенных прп разных температурах ЛГС были изготовлены мезасолосковые лазерные диоды. Их изготовление и тестирование проводилось в лаборатории полупроводниковых технологии Центра перспективны технологий и разработок. Для исследования срока службы использовались гетсролазеры со сплошным контактом шириной 100 мкм. Тест на срок службы проводился при постоянной выходной мощности 100 мВт на одно зеркало в режиме ускоренной деградации (при температуре 52°С). На рпс.5 представлены зависимости протекающего через лазерные диоды тока, необходимого для поддержания заданной выходной мощности, от эффективного времени наработки (с учетом фактора ускорения) для структур, выращенных при различных температурах роста

А1-содержаших слоев. Видно, что

Рис.5. Временная зависимость тока через лазерный диод необходимого для поддержания постоянной выходной мощности для структур, выращенных при различных температурах.

возрастание температуры роста слоев AlGaAs от С60°С до 700°С приводит к уменьшению скорости деградации.

В дополнительных экспериментах с лазерами, имеющими различную длину резонатора, было установлено, что структур;,:, полученные при температуре роста А1-содср;кащпх слоев 700°С, обладали внутренним квантовым выходом излучательнон рекомбинации r\=9i% (близко к теоретическому пределу). Таким образом, температура роста слоев AlGaAs TS=700°C оказалась оптимально» как с точки зрения квантового выхода излучательнон рекомбинации, так и для достижения максимального срока службы.

Выращенные в оптимальных условиях гстероструктури позволили получить лазерные диоды с выходной мощностью ~ 500 мВт , имеющие срок службы более 3000 часов.

При описании результатов нище специально ие оговаривалась длина полны генерации, т.е. содержание Ai в активной области ЛГС. Все предварительные исследования были выполнены па гетероструктурах с GaAs активной областью. Выбранные нами режимы выращивания ЛГС были использованы для изготовления лазеров с длинами воли генерации 0.863 и 0.803 мкм. Сравнение серий лазеров с различными длинами волн не показало заметной разницы их характеристик (порогового тока, величины рабочей мощности и срока службы на рабочей мощности).

Кроме одиночных гетеролазеров на основе базовых ЛГС были

Время (час)

изготовлены также лазерные линейки, включающие 'в себя • 10-=-15 колосковых лазеров. Максимальная выходная мощность для линейки из 15 лазеров составила 25 Вт в квазннепрерывном режиме. Мощности, излучаемые отдельными полосками, отличались не более, чем на 15%. Возможность изготовления лазерных линеек с вышеприведенными параметрами свидетельствует о высокой однородности выращенных ЛГС.

В ЗАКЛЮЧЕНИИ сфорг.!улированы осцавяыс_результата_ц

выводы работы:

1. С помощью метода ДБЗО обнаружена аномальная зависимость степени шероховатости поверхности ОаАаООО) от величины внешнего потока галлия при росте на изначально с(4х4)-реко1:струированион поверхности. Этот эффект можно объяснить, предполагая, что структурный переход с(4х4)-»(2х4) происходит через промежуточную поверхностную структуру с реконструкцией (2х!). Экспериментально подтверждено существование промежуточной реконструкции (2x1).

2. Исследована динамика прямого и обратного структурного перехода с(4х4)-»(2х4) . Показано, что прямой переход происходит в отсутствии кинетического офаничешш скорости превращения, в то время, как скорость обратного перехода лимитируется кинетикой адсорбции мышьяка на поверхности. В широком интервале изменения скорости роста определено количество галлня (0.2+0.04 МС), индуцирующее переход с(4х4)-»(2х4).

3. Разработан метод получения , атомарно-гладкой реконструированной поверхности ОаАзООО) с помощью перекристаллизации материала под действием коротких лазерных импульсов в условиях сверхвысокого вакуума.

4. Обнаружено наличие корреляции между наблюдаемыми в процессе роста реконструкциями поверхности и кристаллическим качеством эпнтаксиальных слоев АКЗаАз; определены ростовые условия, приводящие к улучшению кристаллического. качества выращиваемых слоев.

5. Показано, что скорость деградации лазерных днодов зависит от температуры роста АЬсодержащих слоев лазерных гетероструктур. На основе проведенных в диссертационной работе исследований разработана технология выращивания методом МПЭ гетероструктур для

изготовления мощных полупроводниковых лазеров. Данная технология позволяет получить гетероструктуры с внутренним квантовым выходом нзлучательпон рекомбинации ti=SI% ', пригодные для изготовления лазеров с выходной мощностью ~ 500 мВт при сроке Службы более 3000 часов.

СПИСОК ЦНТПР01ШШ0И ЛИТЕРАТУРЫ

1. S.M.Nevvstead, R.A.A.Kubiak, E.H.C.I'arker. On the practical applications of MDE surface piiase diagrams.// j.Cryst.Growtii, -1937, -V.81, -N.l, -P.49-54.

2. J.M Van Hove, C.S.Leat, P.R.Pmate and P.I.Cohcn. Damped oscillations in reflection high energy electron diffraction during GaAs MliE //J.Vac.Sci.Techno'.B. -1983. -V.l. -N.3. -PJ41-746.

3. F.Brioues, D.Gotniayo, L.Gonzalez, J.L.De Miguel. Surface stciclucmctry and nsorphclogy of MBE grown (OOl)GaAs thtough the analysis of R11EED osciliations // JspanJ.Appi.Phys. -1585, -V.24, -N.6, -P.L47S-L480.

4. Y.Nonrjra, M.Maanoli, M.Mihara, S.Maritsuka, K.Yamar.aka, T.Yuasa, M.Isliii. Effect of group V/!II flux ratio en iightiy Si-dcped A;xGai-xAs grown by Molecular Beam Epitaxy // J,EIectroche:n.Soc. -1934, -V.131, -N.lI, -P.2630-2633.

QcnoaHbss .pmegtsuiM дисиртацаи опуал»К8!вань1 .з следующих

работах:

1. СЛО.Карпов, Ю.В.Ксвальчук, В.Е.Мячкн, АЛО.Сстрсзскхш, Ю.Е.Погорсльскип, ПЛО.Русшювпч, И.А.Соколоз, Г.Л.Фохнн, М.И.Этанбсрг. Лазерная очистка подложки для молгкул:!рпо-лучсвой зпптакепп арсеннда ¡аллня: исследование с помощью дифракции быстрых электронов II Письма з ЖТФ. -1989. -Т.15. -Б.1, -С.67-69.

2. Ю.В.Ковальчук, В.Е.Мячнн, Л.Ю.Острогекпм, ИЛО.Русаиовнч, П.Л.Соколов, Г.А.Фскин, В.П.Чалып, М.И.Эпшберг, МЛ. Александров, А.А.Мапоров, С.С.Ромапоз, М.В.Степапов. Исследование полупроводникового AIGaAs-GaAs гетеролазера, пзготозлепнопз методом молекулу,рпо-лучевон зпптакепп II Ппсьма б ЖТФ. -199i. -Т.17. -В.4.

-С.6-10.

3. С.Ю.Карпов, Г. дела Круз, В.Е.Мячин, А.Ю.Остропский, Ю.В.Погорельский, И.Ю.Русапович, И.А.Соколов, , Н.А.Стругов, А.Л.Тер-Мартиросян, Т.А.Фокин, П.П.Чалый, А.П.Шкурко, М.Н.Этннберг. Линейки мощных полупроводниковых лазероп, изготовленных методом ыолекулярио-лучевон опнтакспн // Письма в ЖТФ.-1991.-Т.17. -В.7. -С.31-34.

4. С.Ю.Карпов, Ю.ТЗ.Кояальчук, Г. дела Круз, В.Е.Мячин, АЛО.Островский, 10.В.Погорельский, Н.Ю.Русановнч, И.А.Соколое,

H.М.Фалееп, Г.А.Фокин, М.Н.Этннберг. Исследование кристаллического качества твердых растворов AlxGaj.xAs в зависимости от реконструкции поверхности в процессе роста из молекулярных пучков // Письма в ЖТФ. -1991. -Т.17. -В.7. -С.42-44.

5. M.I.Etinberg, N.N.Paleev, G.A.Fokin, G.. de la Kruz, V.E.Myachin, Yu.V.Pogorelski, I.Yu.Rusanovich, I.A.Sokolov: Dependence of AlxGai.xAs crystalline qualify' on surface reconstruction during growth in molecular beam epitaxy.// In: Sixth European Conference on Molecular Beam Epitaxy and Related Growth Methods. -Tampere (Finland), -1991. -Р.1рб.

6. V.P.Chaly, G.A.Fokin, S.Yu.Karpov, V.E.Myachin, A.Yu.Ostrovsky; Yu.V.Pogorelsky, A.P.Shcurko, N.A.Sirugov, A.L.Ter-Martirosyan: Degradation Rate Study of MBE-Grown High-Power AlGaAs Laser Diode;// In: Seventh . European Workshop on Molecular Beam Epitaxy. -Bardonecchia (Italy), -1993. -P.PD2.

7. V.P.Chaly, M.I.Etinberg, G.A.Fokin, S.Yu.Karpov, V.E.Myachin, A.Yu.Ostrovsky, Yu.V.Pogorelsky, I.Yu.Rusanovich,

I.A.Sokolov, A.P.Shcurko, N.A.Strugov and A.L.Ter-Martirosyan. The degradation rate study of MBE-grown high-power AlGaAs laser diodes // Semicond.Sci.Technol, -1994, -V.8, -N.2, -P.l-8.

8. А.Н.Алексеев, СЛО.Карпов, В.Е.Мячин, 10.В.Погорельский, И.Ю.Русапович, И.А.Соколов, Г.А.Фокин. Сравнительные исследования поверхности GaAs(lOO) в статических условиях и в процессе эпитаксиальнош роста нз молекулярных пучков // ФТТ, -1994, -Т.Зб. -N.8. -С.87-96.

фли .I.« T.iou п.о! m