Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

ОГЛАВЛЕНИЕ

Глава 1. Четверные твердые растворы 1пСаА8Р. Свойства.

Параграф 1.1. Предварительные замечания.

Параграф 1.2. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов ЬЮаАзР.

Параграф 1.3. Четверные твердые растворы 1пСаАзР, изопериодические с подложками 1пР и СаАэ.

Параграф 1.4. Поляризация люминесценции в гетероструктурах ЬгОаАзРЛпР и ее использование для определения упругих деформаций, напряжений и несоответствия параметров решеток.

Параграф 1.4.1. Одноосная деформация в кристаллах АШВУ.

Параграф 1.4.2. Поляризация люминесценции в полупроводниковых материалах типа АШВУ.

Параграф 1.4.3. Определение констант деформационного потенциала Ь, с! для п-1пР и Ъ!, с1! для р-1пР.

Параграф 1.4.4. Исследования упругих деформаций, напряжений и несоответствия параметров решеток в гетероструктурах по спектральной зависимости степени линейной поляризации фото- и электролюминесценции.

Параграф 1.5. Особенности легирования твердых растворов ЬЮаАзР акцепторными {7,п, Ве,

§) и донорными (Бп) примесями.

Параграф 1.5.1. Нелегированные эпитаксиальные слои.

Параграф 1.5.2. Эпитаксиальные слои, легированные оловом.

Параграф 1.5.3. Эпитаксиальные слои, легированные Хп, и Ве.

Параграф 1.6. Четверные твердые растворы ТпваАзР/ОаАз в области несмешиваемости и спинодального распада. "

Параграф 1.6.1. Неустойчивость многокомпонентных твердых растворов ЬСаАвР.

Параграф 1.6.2. Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов 1пОаАзР в области несмешиваемости и спинодального распада.

Выводы к главе 1.

Глава 2. Методы

Гетероструктуры на основе четверных твердых растворов 1пСаА8Р. получения.

Параграф 2.1. Модифицированный метод жидкофазной эпитаксии для получения гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов ГпСаАэР.

Параграф 2.1.1 Жидкофазный метод получения эпитаксиальных слоев четверных твердых растворов 1пОаАзР и его аппаратурное оформление. -72 Параграф 2.1.2. Способы получения тонких эпитаксиальных слоев методом жидкофазной эпитаксии.

Параграф. 2.1.3. Рост и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев из движущейся жидкой фазы относительно подложки.

Параграф 2.1.4. Технология получения лазерных 1пСаАзР/1пР гетероструктур раздельного ограничения методом жидкофазной эпитаксии.

Параграф 2.2. Особенности изготовления гетероструктур в системе твердых растворов ЫОаАэР методом МОС-гидридной эпитаксии.

Параграф 2.2.1. Экспериментальное оборудование метода МОС-гидридной эпитаксии.

Параграф 2.2.2. Оптимизация условий роста методом МОС-гидридной эпитаксии толстых и напряженных слоев твердых растворов 1пОаАзР/1пР. -88 Параграф 2.2.2.1. Толстые эпитаксиальные слои твёрдых растворов 1пОаАзР/1пР.

Параграф 2.2.2.2 Напряжённые квантово-размерные эпитаксиальные слои на основе ¡ПхОаьхАэ/ГпОаАзРЛпР твердых растворов.

Параграф 2.2.3. Особенности изготовления двойных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов 1пОаАзРАЗаАз методом МОС-гидридной эпитаксии.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Свойства лазерных гетероструктур с раздельным ограничением.

Параграф 3.1. Свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов 1пОаАзР.

Параграф 3.1.1.Введение. Эффект размерного квантования и его влияние на спектр люминесценции.

Параграф 3.1.2. Квантово-размерные эффекты в спектрах люминесценции. 112 Параграф 3.1.3 Квантово-размерная активная область и ее энергетический спектр при деформации.

Параграф 3.2. Зависимость пороговой плотности тока от длины резонатора лазеров на базе гетероструктур с раздельным ограничением.

Параграф 3.3. Пороговый ток в лазерах на основе гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов 1пОаАзР.

Параграф 3.4. Усиление в гетероструктурах раздельного ограничения на основе твердых растворов ¡пОаАэР.

Параграф 3.5. Внутренние оптические потери в гетероструктурах раздельного ограничения на основе твердых растворов МЗаАзР.

Параграф 3.6. Особенности протекания тока в гетероструктурах раздельного ограничения на основе твердых растворов ЬЮаАэР.

Выводы к главе 3.

Глава 4. Многоходовые лазеры на основе гетероструктур в системе твердых растворов 1пСаАвР с малыми внутренними оптическими потерями и их свойства.

Параграф 4.1. Направления развития в области мощных лазеров на основе гетероструктур в системе твердых растворов 1пОаАзР.

Параграф 4.2.1. Элементы постростовой технологии лазеров с широким мезаполосковым контактом.

Параграф 4.2.2. Измерительные методики лазеров с широким мезаполосковым контактом.

Параграф 4.3.1. Исследование мощных лазерных диодов с шириной полоска 100 мкм на базе 1пОаА5/ОаА5/(АЮаА5)Оа1пР гетероструктур.

Параграф 4.3.2. Исследование мощных лазерных диодов на базе ОаАзЯпОаАз/АЮаАз гетероструктур с расширенным волноводом и широким мезаполосковым контактом.

Параграф 4.3.3. Исследование свойств ¡пОаАэРЛпР лазерных диодов с расширенным волноводом и широким мезаполосковым контактом.

Параграф 4.3.4. Свойства ЬЮаАзРЛпР-гетеролазеров со ступенчатым расширенным волноводом.

Параграф 4.4.1 Особенности температурной зависимости пороговой плотности токов в РО ТпОаАэРЛпР ДГ лазерах (к =1.3 мкм) с тонкой активной областью.

Параграф 4.4.2. Исследование температурной зависимости пороговых характеристик 1пОаАзР/1пР гетеролазеров (Х=1.55 мкм).

Параграф 4.4.3. Температурная зависимость дифференциальной квантовой эффективности квантово-размерных 1пОаАэР/1пР лазеров с расширенным волноводом.

Параграф 4.5. Температурный выброс носителей в квантово-размерных ¡пОаАэРЛпР лазерах с однородным и ступенчатым расширенным волноводом.

Параграф 4.6. О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения 1пОаАэР/1пР гетеролазеров (Х=1.55 мкм).

Параграф 4.7. Порог катастрофической оптической деградации многом одовых лазеров.

Выводы к главе 4.

Глава 5. Одномодовые лазеры на основе гетероструктур в системе твердых растворов ГпСаАвР и их свойства.

Параграф 5.1. Одномодовые полосковые лазеры. (Предварительные замечания). '

Параграф 5.2. Полосковые лазеры, полученные имплантацией высокоэнергетичных ионов кислорода.

Параграф 5.2.1. Влияние параметров имплантационного режима высокоэнергетичных ионов кислорода на свойства 1пР и твердых растворов 1пОаАзР.

Параграф 5.2.2. Оптимальная конструкция полоскового имплантационного лазера и зависимость пороговой плотности тока от ширины области протекания носителей заряда.

Параграф 5.2.3. Мезаполосковые одномодовые лазеры.

Параграф 5.3.1 Технология изготовления мезаполосковых лазеров с помощью селективного и ионно-плазменного травления.

Параграф 5.3.2. Исследование условий генерации нулевой поперечной моды в мезаполосковых лазерах в системе твердых растворов ГгЮаАзР.

Параграф 5.3.3 Селекция основной поперечной моды в мезаполосковых лазерах за счет внесения дополнительных оптических потерь.

Параграф 5.3.4 Исследование излучательных характеристик в двухсекционном перестраиваемом мезаполосковом одномодовом ¡пОаАБРЛпР лазере.

Параграф 5.4. Мезаполосковые зарощенные одномодовые лазеры.

Параграф 5.4.1. Технология мезаполосковых зарощенных лазеров на основе РО ДГС ЬЮаАзР/ЬаР.

Параграф 5.4.2 Условия генерации нулевой поперечной моды в мезаполосковых зарощенных ¡пОаАэР лазерах раздельного ограничения. 320 Параграф 5.4.3. Оптимизация конструкции одномодовых мезаполосковых зарощенных лазеров в системе твердых растворов ¡пОаАэР раздельного ограничения.

Параграф 5.4.4. Влияние температуры на свойства одномодовых мезаполосковых зарощенных гетеролазеров раздельного ограничения. 336 Параграф 5.4.5 О сроке службы одномодовых гетеролазеров раздельного ограничения.

Выводы к главе 5.

Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур представляют наиболее динамично развивающуюся часть физики и технологии полупроводников, а взаимосвязь фундаментальных и прикладных исследований в этой области определяет прогресс мировой оптоэлектронной промышленности.

В конце 60х годов были предсказаны основные преимущества полупроводниковых гетероструктур по сравнению с гомоструктурами. Коллектив сотрудников под руководством Ж.И.Алферова успешно реализовал их в системе твердых растворов АЮаАэ/СаАз [1*, 2*]. Следующим шагом в развитии физики полупроводниковых гетероструктур был переход к четверным твердым растворам, позволяющим независимо управлять основными параметрами (шириной запрещенной зоны и постоянной решетки) полупроводниковых материалов [3*, 4*]. Система твердых растворов 1пОаА$Р, изопериодичных с подложкой 1пР, идеально подошла для создания элементной базы волоконно-оптических линий связи, работающих в области длин волн 1,3-1,55 мкм [4, 6*]. Не содержащие алюминий твердые растворы 1гЮаАзР, изопериодичные с подложкой ваАБ, были использованы для создания высокоэффективных мощных лазерных гетероструктур, излучающих в диапазоне длин волн 0,8 -г- 1,03 мкм [5*, 12].

В диссертационной работе представлены последовательные этапы создания и исследования свойств гетероструктур в системе твердых растворов 1пОаАзР и этапы разработки лазеров на их основе.

В 1974 году появились первые сообщения о создании лазерных гетероструктур на основе твердых растворов ЫваАэР [7*]. Однако для получения высокоэффективных приборов необходимо было исследовать процессы кристаллизации и легирования, свойства изопериодичных и напряженных твердых растворов, построить физические основы одномодовых и многомодовых лазеров с резонатором Фабри-Перо, для чего решить комплекс теоретических, экспериментальных и технологических задач.

К 1980 году были широко развернуты исследования свойств лазерных квантово-размерных гетероструктур, определяемые успехами в развитии метода молекулярно -пучковой эпитаксии [8*, 9*]. В системе твердых растворов ЫОаАэР работы сдерживались трудностями технологического процесса молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием фосфора. Развитие физических основ синтеза квантово-размерных гетероструктур в системе твердых растворов ТпОэАбР методами МОСгидридной и жидкофазной эпитаксий только начиналось [5*, 10*]. Поэтому достижение высокого уровня понимания процессов кристаллизации методами МОС-гидридной и жидкофазной эпитаксий квантово-размерных гетероструктур требовало проведения широкого спектра исследований для поиска новых подходов в решении поставленных задач.

В 1985г. работы с применением жидкофазной эпитаксии [11*] положили начало развитию направления мощных полупроводниковых лазеров на базе гетероструктур с малыми внутренними оптическими потерями [5*]. Для создания физических основ мощных полупроводниковых лазеров на базе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения требовалось понимание фундаментальных физических процессов в гетероструктурах и лазерах на их основе.

Таким образом, диссертационная работа, посвященная созданию и исследованию свойств твердых растворов ГпОаАэР, лазерных гетероструктур раздельного ограничения и мощных лазеров на их основе, является актуальной как с научной, так и с практической точек зрения. Цель и задачи работы

Основная цель работы состояла в исследовании свойств, разработке физических основ получения изопериодических и напряженных квантово-размерных с раздельным ограничением гетероструктур в системе твердых растворов ГпОаАэР и создании мощных одномодовых и многомодовых лазеров.

Для достижения поставленной цели решался следующий комплекс задач:

Разработка физических основ жидкофазной эпитаксии изопериодических и квантово-размерных слоев твердых растворов ¡гЮаАБР и лазерных гетеростуктур на их основе, в том числе раздельного ограничения.

Разработка физических основ МОС-гидридной эпитаксии изопериодических и напряженных квантово-размерных слоев твердых растворов МЗаАэР и лазерных гетероструктур раздельного ограничения на их основе.

Исследование фотолюминесцентных и электролюминесцентных свойств изопериодических и напряженных квантово-размерных, самоорганизующихся низкоразмерных эпитаксиальных слоев в системе твердых растворов ГгЮаАзР и лазерных гетероструктур на их основе.

Разработка научной концепции, создание и исследование мощных полупроводниковых лазеров раздельного ограничения с низкими внутренними оптическими потерями.

-соразработка физических основ, создание и исследование одномодовых и многомодовых полупроводниковых лазеров различных типов на базе ГгЮаАБР гетероструктур.

Научная новизна и практическая ценность.

Исследованы и определены условия кристаллизации и легирования изопериодических и напряженных, объемных и квантово-размерных эпитаксиальных слоев твердых растворов ГпваАзР на подложках ОаАэ и 1пР во всем диапазоне изопериодичности, в том числе в области несмешиваемости и спинодального распада.

Предложен и реализован оптический метод контроля рассогласования параметров решеток слоя и подложки. Исследовано влияние несоответствия параметров решеток на излучательные характеристики эпитаксиальных слоев и лазерных гетероструктур.

Разработаны технологии получения методами МОС-гидридной и жидкофазной эпитаксий квантово-размерных лазерных гетероструктур раздельного ограничения на основе твердых растворов ТпОаАэР на подложках ОаАБ и 1пР.

Обнаружен и интерпретирован ряд новых эффектов, обусловленных особенностями квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения с малыми внутренними оптическими потерями.

Построена концепция лазерных гетероструктур раздельного ограничения с малыми внутренними оптическими потерями.

На базе квантово-размерных лазерных гетероструктур раздельного ограничения разработаны мощные одномодовые и многомодовые лазеры, излучающие в диапазоне длин волн 0.8-1.8 мкм.

Представляемые к защите научные положения и результаты:

1. Результаты исследований процессов синтеза твердых растворов ЫваАБР, изопериодических с подложками 1пР и ваАБ:

Изучена зависимость состава твердой фазы ТпОаАэР от состава жидкой фазы во всем интервале изопериодических твердых растворов для (100) и (111) В ориентаций подложек 1пР.

Установлены экспериментальные зависимости ширины запрещенной зоны Eg твердых растворов 1пОаАзР ( Eg = 0,73 - 1.35 эВ) от состава твердой и жидкой фазы для изопериодического с 1пР разреза фазовой диаграммы. Наилучшее совпадение с экспериментом дает интерполяция зависимости Eg от состава твердой фазы полиномом четвертой степени, учитывающим эффекты смешивания.

Определены границы области несмешиваемости и спинодального распада четверных твердых растворов ЬЮаАзР, изопериодических с ОаАв и 1пР.

Показано, что в области несмешиваемости и спинодального распада определяющим фактором роста эпитаксиального слоя является скорость кристаллизации. При высоких скоростях кристаллизации из сильно переохлажденного расплава (АТ = 10-15° С) возможно получение однородных твердых растворов 1пОаАзР толщиной более 0.15 мкм.

Положение I (об области существования твердых растворов 1пОаАзР): Методами жидкофазной и МОС-гидридной эпитаксий при высоких скоростях роста получены однородные и термодинамически устойчивые твердые растворы 1пОаА$Р, изопериодические с подложками СаАэ и 1пР.

2. Результаты исследований процессов кристаллизации и свойств нелегированных и легированных эпитаксиальных слоев твердых растворов 1пОаАэР и гетероструктур на их основе:

Исследованы фотолюминесцентные свойства как нелегированных эпитаксиальных слоев 1пР и ГгЮаАзР, так и легированных акцепторными (Ве, Хп, Сс1) и донорными (8п) примесями. Определены энергии ионизации акцепторных примесей.

Установлено, что при кристаллизации анизотипных многослойных гетероструктур 1пОаАзР/1пР методом жидкостной эпитаксии, легирование слоев акцепторной примесью приводит к снижению внутреннего квантового выхода и неконтролируемому смещению положения р-п перехода.

Разработаны методики изготовления двойных гетероструктур 1пОаАзР/1пР раздельного ограничения, исключающие попадание акцепторов в узкозонную область и заключающиеся в осаждении нелегированного п-слоя перед нанесением широкозонного Р-слоя или вынесении раствора - расплава, содержащего акцепторную примесь, из высокотемпературной зоны роста.

Разработана технология жидкофазной эпитаксии лазерных гетероструктур раздельного ограничения с субмикронными активными областями в системе твердых растворов ЬЮаАэР при уменьшении времени контакта раствора-расплава с подложкой.

Продемонстрировано, что в лазерных квантово-размерных гетероструктурах раздельного ограничения с преднамеренно нелегированным волноводом (п < 5-1015 см" 3) достигаются низкие внутренние оптические потери: а; = 1-1.5 см-1 в системе твердых растворов InGaAsP/GaAs и а; = 2-4 см"1 в системе твердых растворов InGaAsP/InP. Положение II (о легировании эпитаксиальных слоев и локализации р-n перехода на гетерогранице):

Для получения высокоэффективных лазерных гетероструктур (высокий квантовый выход, малые внутренние потери и токовые утечки), необходимо прецизионно легировать эпитаксиальные слои и локализовать р-n переход на гетерогранице узкозонной и широкозонной областей гетероструктуры.

3. Результаты исследований поляризационных свойств фотолюминесценции и электролюминесценции гетероструктур InGaAsP/InP:

Исследованы спектральные поляризационные свойства рекомбинационного излучения упруго деформированных эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAsP Деформация вызвана несоответствием параметров решеток и различием коэффициентов термического расширения контактирующих слоев в гетероструктурах InGaAsP/InP.

Предложен и реализован оптический метод определения несоответствия параметров решетки и упругих напряжений в гетероструктурах InGaAsP/InP по спектральным зависимостям степени линейной поляризации фото- и электролюминесценции.

Показано, что для получения низкопороговых высокоэффективных лазерных гетероструктур с длиной волны излучения А,=1,3 и 1,55 мкм необходимо выполнить полное совпадение параметров решеток при температуре эпитаксии, тогда при комнатной температуре за счет разницы в коэффициентах термического расширения несоответствие параметра решетки составит Да/а = - 0,05% и Да/а = - 0,1% соответственно для ^=1,3 и 1,55 мкм.

Положение III (о изопериодичности объемных слоев гетероструктур): Оптический метод определения несоответствия параметров решетки позволяет прецизионно управлять параметром решетки объемных слоев для создания эффективно люминесцирующей гетероструктуры в системе твердых растворов

InGaAsP. /34. Результаты исследований электролюминесцентных свойств квантово-размерных лазерных гетероструктур 1пОаАзР/1пР и ЬЮаАзР/СаАв:

Эффекты квантования наблюдаются в гетероструктурах, полученных методами жидкофазной и МОС-гидридной эпитаксий при толщине эпитаксиального слоя активной области меньше 300 А.

В сжато-напряженных (из-за несоответствия параметров решетки слоя и подложки) эпитаксиальных слоях твердых растворов ЬгСаАэРЛпР глубина потенциальной ямы для электронов уменьшается, а для дырок увеличивается по сравнению с объемным случаем.

Напряжение сжатия позволяет расширить диапазон длин волн в длинноволновую область излучения. Квантовые ямы из напряженного твердого раствора 1п^хСахАз на подложке арсенида галлия излучают на длине волны до 1.03 мкм, а на подложке фосфида индия - до 1.8 мкм.

Экспериментально полученные значения внешней эффективности спонтанного излучения (~2%) в квантово-размерных 1пОаАзР/1пР гетероструктурах раздельного ограничения свидетельствуют о близости к 100% внутреннего квантового выхода излучательной рекомбинации.

Величина несоответствия параметра решетки напряженных квантовых ям и подложки ограничена 1.5-2 %, при которой снижения внутреннего квантового выхода не происходит по сравнению с недеформированными объемными эпитаксиальными слоями.

Разработана технология изготовления квантово-размерных лазерных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов ЬЮаАэР методом МОС-гидридной эпитаксии.

Положение IV (о внутреннем квантовом выходе квантово-размерных гетероструктур): Величина внутреннего квантового выхода в изопериодических и упруго-напряженных эпитаксиальных слоях гетероструктур на основе твердых растворов 1пСаАвР не ниже, чем в объемных слоях того же состава.

5. Результаты исследований свойств квантово-размерных ЬЮаАзРЛпР и ЫСаАзР/ваАз лазерных гетероструктур раздельного оптического и электронного ограничения:

Установлена сверхлинейная зависимость пороговой плотности тока от внешних оптических потерь в квантово-размерных ЬЮаАвР лазерных гетероструктурах раздельного ограничения (толщина активной области меньше 500 А).

- 144 В лазерных диодах с малыми внутренними оптическими потерями увеличение длины резонатора лазерных диодов является одним из эффективнейших путей снижения пороговой плотности тока.

В лазерах раздельного ограничения на основе твердых растворов 1пОаАзР/1пР сверхлинейная зависимость ]пор=/(1/Ь) усиливается из-за возрастания процессов Оже-рекомбинации с ростом пороговой концентрации.

В лазерных диодах на основе ¡пваАзРЯпР гетероструктур необходимо учитывать токовые потери в р-эмиттер и безызлучательную компоненту тока Оже-рекомбинации, существенно влияющие на пороговую плотность тока при уменьшении длины резонатора.

Для лазеров на основе гетероструктур раздельного ограничения с квантово-размерными активными областями наблюдается логарифмическая зависимость усиления от тока накачки. Насыщение усиления связано с уменьшением объема, изменением геометрии и энергетического спектра квантово-размерных активных областей.

Установлено усиление температурной зависимости пороговой плотности тока с увеличением внешних оптических потерь в лазерных гетероструктурах ГпОаАзР раздельного ограничения с тонкими активными областями (< 500 А).

В квантово-размерных 1пСаАзР/1пР лазерах раздельного ограничения характеристический параметр То, определяющий температурную чувствительность пороговой плотности тока, ограничен величиной 90 К и снижается при уменьшении толщины активной области. Значения параметра То для структур раздельного ограничения всегда ниже, чем для гетероструктур с толстой активной областью.

Установлено, что падение дифференциальной квантовой эффективности с увеличением внешних оптических потерь обусловлено сверхлинейным возрастанием внутренних потерь.

Быстрый рост пороговой концентрации с возрастанием внешних оптических потерь (уменьшением длины резонатора) сопровождается смещением в коротковолновую область положения максимума полосы генерации на величину, превышающую 100 мэВ.

Положение V (о связи внешних и внутренних оптических потерь в лазерах на основе гетероструктур с раздельным ограничением): % В лазерах на основе квантово-размерных гетероструктур с раздельным электронным и оптическим ограничением уменьшение внешних оптических потерь приводит к снижению внутренних и улучшению основных параметров (пороговая плотность тока и дифференциальная квантовая эффективность).

6. Результаты исследования величины внутренних оптических потерь в лазерах на основе гетероструктур с раздельным ограничением:

В ЬгОаАэР/ОаАэ гетероструктурах с раздельным ограничением снижение доли электромагнитного излучения в высоколегированных эмиттерных слоях достигается при максимальном скачке ширины запрещенной зоны на границе волновод - эмиттер и за счет расширения волноводных нелегированных слоев.

Продемонстрировано, что в лазерных квантово-размерных гетероструктурах ¡пОаАзР/ОаАв раздельного ограничения с высокоэффективным (жестким) и преднамеренно нелегированным волноводом (п < 5-1015см~3) одновременно достигаются: низкие внутренние оптические потери (а, = 1-1.5 см-1), высокий внутренний квантовый выход стимулированного излучения (т|1 ~ 100%) и низкие пороговые плотности тока (ток прозрачности ] ~ 60 А/см2).

Применение расширенного широкозонного волновода в СаАэЛпСаАэ/АЮаАБ гетероструктурах раздельного ограничения позволяет снизить внутренние оптические потери до 1.6-1.9 см"1 при сохранении внутреннего квантового выхода стимулированного излучения 85-95%.

В лазерных гетероструктурах с малым скачком ширины запрещенной зоны между активной областью и эмиттерами минимальные внутренние оптические потери достигаются в гетероструктурах раздельного ограничения с расширенным ступенчатым волноводом.

Показано, что в лазерных квантово-размерных 1пОаАзР/1пР гетероструктурах

1С о

раздельного ограничения с нелегированным (п < 5-10 см" ) расширенным ступенчатым волноводом достигаются внутренние оптические потери 3.6 см"1, внутренний квантовый выход более 85% и низкие пороговые плотности тока (ток л прозрачности ~ 120 А/см ).

Положение VI (о снижении внутренних оптических потерь):

Увеличение фактора оптического ограничения волноводного слоя, снижение концентрации свободных носителей в волноводных слоях до п < 5*1015 см'3 и оптимизация профиля легирования эмиттерных слоев обеспечивают минимум внутренних оптических потерь в лазерах на базе гетероструктур с раздельным ограничением.

7. Результаты исследований свойств лазерных диодов с широким контактом на базе квантово-размерных ЬЮаАзРЛпР и ¡пваАзР/ОаАз гетероструктур раздельного ограничения:

В лазерных диодах на основе квантово-размерных ¡пваАзРЯпР гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом средняя концентрация неравновесных носителей в волноводе продолжает расти с увеличением тока накачки после порога генерации, вследствие чего возрастают утечки неравновесных носителей в р-эмиттер и происходит насыщение ватт-амперных характеристик.

Наличие токовых утечек за порогом генерации приводит к снижению внутреннего квантового выхода стимулированного излучения.

Минимизация токовых утечек возможна за счет снижения пороговой концентрации инжектированных носителей в активной области и концентрации неравновесных носителей на границе волновод - эмиттер.

Теоретически показана возможность создания 1пОаАзР/1пР лазеров (X = 1.55 мкм) с внутренним квантовым выходом стимулированного излучения близким к 100%.

В лазерных диодах на основе гетероструктур раздельного ограничения с расширенным ступенчатым волноводом (А = 1.55 мкм) достигнут внутренний квантовый выход стимулированного излучения ~ 96%.

В ¡пОаАвРЛпР лазерах раздельного ограничения со ступенчатым расширенным волноводом получено значение непрерывной мощности оптического излучения 5.2 Вт на длине волны 1.55 мкм при величине внутреннего квантового выхода 85% и внутренних оптических потерях 3.6 см"1.

Положение VII (о токовых утечках и стимулированном внутреннем квантовом выходе):

Применение расширенного ступенчатого волновода в лазерных 1пСаАэР/1пР гетероструктурах раздельного ограничения снижает токовые утечки и увеличивает внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

8. Результаты исследований температуры зеркал, активной области и порога катастрофической оптической деградации зеркал лазеров на основе гетероструктур в системе твердых растворов ТпОаАзР:

В непрерывном режиме генерации активная область в лазерных диодах на основе твердых растворов InGaAsP перегревается до 60-70° С относительно медного теплоотвода.

С увеличением температуры в лазерных диодах на основе твердых растворов InGaAsP/InP наряду с возрастанием температурной чувствительности пороговой плотности тока наблюдается рост температурной чувствительности дифференциальной квантовой эффективности.

Расчет и экспериментальные исследования локальной температуры на зеркалах квантово-размерных лазеров раздельного ограничения, содержащих алюминий в активной области и волноводе (AlGaAs/GaAs), показали перегрев зеркал на 150 К.

Использование алюминий содержащих волноводных слоев снижает порог катастрофической оптической деградации зеркал и ограничивает оптическую мощность излучения 6.5 Вт из лазерного диода с апертурой 100 мкм на длине волны излучения 0.98мкм в непрерывном режиме генерации.

В лазерах с расширенным волноводом на базе гетероструктур в системе твердых растворов InGaAsP/GaAs температура зеркала на порядок ниже, чем в аналогичных лазерах на базе твердых растворов AlGaAs/GaAs.

Сочетание низких внутренних оптических потерь (1-1.5 см'1), малого последовательного сопротивления (50-100 мОм) и высокого внутреннего квантового выхода стимулированного излучения (85-95%) позволяет достичь высоких мощностей оптического излучения (9,5 Вт) и коэффициента полезного действия (65%) в непрерывном режиме генерации в лазерных диодах на основе InGaAsP/GaAs гетероструктур раздельного ограничения с высокоэффективным жестким волноводом.

Экспериментально достигнутая величина оптической прочности зеркал в лазерах, не содержащих алюминий в активной области и волноводе, при традиционном режиме охлаждения составила 24.5 МВт/см , а при стабилизации постоянной температуры активной области достигала 32.5 МВт/см2. Положение VIII (об ограничении максимально достижимой мощности излучения в лазерном диоде):

Фактором, ограничивающим максимальную выходную мощность InGaAsP/InP, InGaAs/ GaAs/ AlGaAs и InGaAsP/GaAs гетеролазеров раздельного ограничения, не содержащих алюминия в активной области и волноводных слоях, является тепловой разогрев активной области лазерного диода.

9. Результаты разработки и исследований свойств одномодовых мезаполосковых мощных полупроводниковых InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs лазеров раздельного ограничения:

Проведены исследования процессов химического селективного и «сухого» ионно-плазменного травления лазерных гетероструктур при формировании мезаполоска.

Разработан технологический маршрут изготовления лазеров мезаполосковой конструкции с узким контактом с использованием селективного химического травителя и ионно-плазменного травления для структур, полученных методом жидкофазной и МОС-гидридной эпитаксий.

Теоретически и экспериментально исследованы условия генерации основной поперечной моды в лазерах мезаполосковой конструкции на базе оптимизированных InGaAsP/InP гетероструктур раздельного ограничения.

Обнаружен и исследован эффект селекции поперечных мод высших порядков в полосковых лазерных диодах после нанесения просветляющих покрытий из материалов с низким значением показателя преломления S1O2, LiF и др.

Созданы одномодовые InGaAsP/InP лазеры с шириной мезаполоскового контакта W = 4.5 мкм и скачком эффективного показателя преломления Дпь = (6.2-6.8)10"3 с непрерывной мощностью излучения 185 мВт (ÀM480 нм). Во всем диапазоне токов накачки изменение диаграммы направленности излучения в горизонтальной плоскости составило 1°. Спектр излучения состоял из продольных мод с фиксированным расстоянием ДА,, соответствующим межмодовому расстоянию резонатора Фабри-Перо. Максимальная выходная непрерывная мощность излучения в изготовленных лазерах составила 300 мВт.

Положение IX (о выборе эффективного показателя преломления): Одномодовый режим генерации в лазерах мезаполосковой конструкции в широком диапазоне токов накачки обеспечивается прецизионным выбором скачка эффективного показателя преломления (ДПц) в плоскости, параллельной р-n переходу между активной и пассивными областями мезаполоска.

10. Результаты разработки и исследования свойств одномодовых мезаполосковых зарощенных мощных полупроводниковых лазеров InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs раздельного ограничения:

Исследованы условия селективного химического формирования мезаполоска и технологические проблемы прецизионного заращивания обратным р-n переходом

4| мезаполосковых ЬгваАзРЯпР и ЬгСаАэР/СаАз гетероструктур раздельного ограничения.

Установлена причина падения внутреннего квантового выхода излучения в зарощенных мезаполосковых структурах. Разработан способ восстановления квантового выхода излучения посредством очистки боковой поверхности в ненасыщенном металлическом расплаве. Разработаны способы контроля надежности и технология изготовления узких мезаполосковых зарощенных ЬЮаАзРЛпР и ЬгСаАзР/ОаАэ лазеров.

Теоретически и экспериментально исследованы условия генерации основной поперечной моды в лазерах с двумерным оптическим ограничением на примере зарощенной мезаполосковой конструкции на базе ЬЮаАзРЯпР гетероструктур раздельного ограничения.

Показано, что уменьшение толщины волновода полупроводниковых зарощеных мезаполосковых лазеров раздельного ограничения позволяет сохранить генерацию нулевой поперечной моды излучения в более широком мезаполосковом волноводе и при больших токах накачки.

С использованием разработанной технологии заращивания созданы на основе ГпваАзРЛпР и ¡пСаАвР/ХЗаАз гетероструктур раздельного ограничения одномодовые зарощенные мезаполосковые лазеры с оптической мощностью излучения в непрерывном режиме генерации 260 и 250 мВт на длинах волн излучения 0.8 и 1.3 мкм.

Созданные одномодовые мезаполосковые и мезаполосковые зарощенные 1пОаАзР/1пР гетеролазеры раздельного ограничения обеспечивают надежное функционирование в течение 50.000 часов при мощностях оптического излучения 75 мВт; 125 мВт и 45 мВт для длин волн генерации Х=1.18; 1.3 и 1.55 мкм. Положение X (о селективном формировании и заращивании мезаполоска): Созданы одномодовые зарощенные мезаполосковые лазеры в системе твердых растворов 1пСаА«Р/1пР и ГпСаАяР/СаАэ с применением селективных травителей для формирования мезаполоска с заданными кристаллографическими плоскостями и металлического травления поверхности мезаполоска. 11. Результаты исследований спектральных характеристик одномодовых зарощенных и мезаполосковых 1пОаАзР/1пР лазерных диодов раздельного ограничения: Ф Показано, что лазерные 1пОаАзР гетероструктуры раздельного ограничения обладают аномально широким спектром люминесценции, обусловленным

41 микрофлуктуациями состава в области несмешиваемости и спинодального распада.

Установлена корреляция между аномально широким спектром генерации и неоднородно уширенным спектром спонтанного излучения.

Теоретически определен диапазон перестройки длины волны в двухсекционном Фабри-Перо лазере, и в разработанной конструкции квантово-размерного InGaAsP/InP лазера раздельного ограничения экспериментально достигнута перестройка 120 А прямым токовым управлением при постоянной мощности на длине волны излучения X = 1.55мкм.

Положение XI (об аномально широком спектре спонтанного излучения): Лазерные гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP в области спинодального распада имеют аномально широкий спектр спонтанной люминесценции и являются основой для создания широкополосных и перестраиваемых источников излучения.

Проведенные исследования и разработки положили начало направлению мощных полупроводниковых лазеров на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов InGaAsP.

Приоритет результатов.

Представленные результаты, по которым сформулированы научные положения, получены впервые.

Апробация работы.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всероссийских, международных конференциях и симпозиумах: -Всесоюзной конференции по физике соединений А3В5 (Ленинград, 1978) -Всесоюзной и Международной конференциях по когерентной и нелинейной оптике (Ленинград, 1978; Минск, 1990; С.-Петербург, 1995, 2000) -Международной конференции по росту кристаллов (Москва, 1980) -Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Одесса, 1982; Минск, 1985, 1986; Калуга, 1990) -Всесоюзной конференции по физическим основам поверхности и деградации ф полупроводниковых приборов (Кишенев, 1986)

-ШЕЕ International Semiconductor Laser Conference (Kanasava, Japan, 1986)

-Всесоюзной конференции по применению лазеров в технологии и системах передачи информации (Таллин, 1987)

-International Conference on Lasers and Electronics (CLEO), (Anaheim, California, 1988) -Всесоюзной конференции по физическим основам твердотельной электроники (Ленинград, 1989).

-Всесоюзной конференции по физическим проблемам оптической связи (Севастополь, 1990).

-Europian Conference on Crystal Growth (ECCG-3) (Hungary, 1991). SPIE's Symp. on High Power Laser Diodes, OE/LASE'91 (Los-Angeles, USA, 1991). -Symp. on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (ASPIE'91), (Nagoya, Japan, 1991). -International Russian Fiber Optics and Telecommunications Conference (ISFOC'91) (ISFOC-92) (ISFOS'93) (St.Petersburg, Russia, 1991,1992,1993).

-International Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", (St.Petersburg, Russia, 1995, 1996, 1998, 1999, 2000, 2001, 2002)

-Российской конференции по физике полупроводников (г.Зеленогорск, 1996; Новосибирск, 1999)

-International Symp. "Compound Semiconductors", (ISCS-23), (St.Petersburg, Russia, 1996). -International Symp. on Integrated Optoelectronics, (OE/LASE 96) Conferens, Photonics West, (SanJoze, California, USA, 1996).

-Conference on Lasers and Electro-optics Europe, (CLEO/Europe-EQEC'96, 2000, 2001), (Hamburg, Germany, 1996; Nice, France 2000; Amsterdam, the Netherlands, 2001)

Публикации. Основные результаты исследований опубликованы в 50 печатных работах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и содержит 224 страницы текста, включая 22 таблицы, 188 рисунков и список цитируемой литературы из 441 наименования.

Основные результаты работы сводятся к следующему.

-Исследованы процессы кристаллизации твердых растворов ГпОаАэР, 1пСтаАз, 1пОаР и АЮаАэ, изопериодических и напряженных с подложками 1пР и ОаАв, в том числе в области несмешиваемости, легирования различными примесями и особенности согласования параметров решетки и составов контактирующих материалов.

-Разработаны технологии жидкофазной и МОС-гидридной эпитаксий лазерных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов ТпАЮэАбР. Созданы и исследованы свойства гетероструктур раздельного ограничения, которые излучают в диапазоне длин волн 0.8-1.8 мкм.

-Создана концепция мощных полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур раздельного ограничения с малыми внутренними оптическими потерями.

-Разработана постростовая технология мощных'одномодовых и многомодовых лазеров с резонатором Фабри-Перо.

-Созданы многомодовые мощные лазеры двух типов: мезаполосковые и с оксидной изоляцией на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов 1пАЮаАзР, перекрывающие диапазон длин волн 0.8-1.8 мкм. Проведены комплексные исследования свойств таких лазеров.

-Созданы полосковые одномодовые мощные лазеры трех типов: имплантационные, мезаполосковые и зарощенные мезаполосковые на основе гетероструктур в системе твердых растворов 1пАЮаАзР, перекрывающие диапазон длин волн 0.8-1.8 мкм. Проведены исследования свойств одномодовых лазеров.

Проведенные исследования и разработки положили начало направлению мощных полупроводниковых лазеров на основе квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов ЫАЮаАБР.

-350

Список включенных в диссертацию работ

1] Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г., Москвин П.П., Сорокин B.C., Тарасов И.С. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов Ini-xGaxAsi.yPy // ФТП. - 1981.- Т.15, в. 12 - С. 2410-2413.

2] Вавилова Л.С., Иванова A.B., Капитонов В.А., Мурашова A.B., Тарасов И.С., Арсентьев И.Н., Берт H.A., Мусихин Ю.Г., Пихтин H.A., Фалеев H.H. Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP // ФТП.-1998,- Т.32, в.6- С. 658-662.

3] Берт H.A., Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г., Конников С.Г., Попова Т.Б., Тарасов И.С., Тибилов В.К. Твердые растворы InGaAsP, изопериодические с InP //Автометрия.-1980.-№8-С. 11 -21.

4] Bert N.A., Gorelenok А.Т., Dzigasov A.G., Konnikov S.G., Popova T.B., Tarasov I.S., Tibilov V.K. Epitaxial growth of InGaAsP solid solutions lattice - matched to InP // J.Crystal Growth.- 1981.-V. 52, Part 2,-P. 716-721.

5] Аверкиев H.С., Гореленок А.Т., Тарасов И.С. Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP п - и р - типа проводимости // ФТП. - 1983. - Т. 17, в. 6 - С. 997-1002.

6] Гореленок А.Т., Тарасов И.С., Усиков A.C. Обнаружение поляризации электролюминесценции (Я,=1.3 мкм) в гетероструктурах InP/InGaAsP, обусловленной внутренними деформациями // Письма в ЖТФ,- 1981.- Т.7, в.8- С. 452-456.

7] Берт H.A., Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г., Конников С.Г., Мдивани В.Н., Тарасов И.С., Усиков A.C. Определение упругих напряжений и величин несоответствия параметров решеток в гетероструктурах InGaAsP по поляризации люминесценции // ФТП. - 1982,- Т.16, в. 1 - С. 60-68.

8] Гореленок А.Т., Груздов В.Г., Тарасов И.С. Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики гетеролазеров InGaAsP/InP (X - 1.55 мкм) // ЖТФ -1984. -Т. 54, в.10 - С. 2047-2050.

9] К.А.Гацоев, А.Т.Гореленок, А.Г.Дзигасов, В.Н.Мдивани, И.С.Тарасов, В.К.Тибилов А.С.Усиков. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев InP и InGaAsP, легированных Zn,Mg,Be и Sn. // Полупроводниковые гетероструктуры и фотопреобразователи солнечной энергии. Ереван 1982г. С.20-29.

10] Алферов Ж.И., Гореленок А.Т., Колышкин В.И., Копьев П.С., Мдивани В.Н., Тарасов И.С., Тибилов В.К. Гетеролазеры непрерывного действия в системе InGaAsP // Известия АН СССР; Серия физическая.- 1979- Т. 43, № 7- С. 1448-1450. [И] Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г., Тарасов И.С., Тибилов В.К., Усиков А.С., Челноков В.Е. Гетероструктуры в системе InGaAsP, полученные жидкостной эпитаксией при легировании Ве // Письма в ЖТФ. - 1979.- Т. 5, № 23 - С. 1435-1439.

12] Берт Н.А., Вавилова JI.C., Ипатова И.П., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Пихтин Н.А., Ситникова А.А., Тарасов И.С., Щукин В.А. Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP — структуры с модулированным составом // ФТП.- 1999.-Т. 33, в. 5- С. 544-548.

13] Вавилова JI.C., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С. Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости // ФТП,- 2000,- Т.34, в.11- С. 1307-1310.

14] Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Зайцев С.В., Нивин А.Б., Овчинников А.В., Тарасов И.С., Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГС лазеры с Х=1.3 мкм (Jnop. -410 А/см2, Т=23° С) // ФТП. - 1987. - Т.21, в.5 - С. 824-829.

15] Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Кижаев А.Б., Нивин А.Б., Никишин С.А., Овчинников А.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С.,Чудинов А.В. Низкопороговые InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения с 1.3 и 1.55 мкм ( 600-700 А/см2) // Письма ЖТФ. - 1986. - Т.12, в.4 - С. 210-214.

16] Гарбузов Д.З., Зайцев С.В., Ильин Ю.В., Налет Т.А., Овчинников А.В., Тарасов И.С. Зависимость пороговой плотности тока и дифференциальной эффективности РО ДГС InGaAsP/InP (X = 1.3 мкм) лазеров от потерь на выход // Письма ЖТФ,- 1990,- Т. 16, в.9-С. 50-54.

17] Бондарев А.Д., Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Коваленков О.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Исследование напряженных квантовых ям InxGaixAs/InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии // Письма ЖТФ. - 1998. - Т.24, в. 22 - С.46-51.

18] Соколова З.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С., Гунько Н.А., Зегря Г.Г. Гетероструктуры в системе InGaAs/InP с напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (Х= 1.5-1.9 мкм) // ФТП. - 1999. - Т.ЗЗ, в.9 - С. 1105-1107.

19] Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С. InGaAs/GaAs/InGaP-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии // ФТП. - 2001. - Т. 35, в.11- С. 1380-1384.

20] Булаев П.В., Капитонов В.А., Лютецкий A.B., Мармалюк A.A., Никитин Д.Н., Николаев Д.Н., Падалица A.A., Пихтин H.A., Бондарев А.Д., Залевский И.Д., Тарасов И.С. InGaAs/ GaAs/ AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии. // ФТП.- 2002,- Т. 36, в. 9 - С. 1144-1148.

21] Голикова Е.Г., Горбылев В.А.Давидюк Н.Ю., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий A.B., Пихтин H.A., Рябоштан Ю.А., Симаков В.А., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. Мощные InGaAsP-гетеролазеры раздельного ограничения, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Письма ЖТФ.- 2000. Т. 26, в.б-С. 5-11.

22] Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий A.B., Пихтин H.A., Рябоштан Ю.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Бондарев А.Д., Тарасов И.С., Мощные InGaAsP/InP лазеры, излучающие на длине волны 1.8 мкм // Письма в ЖТФ. - 2002. - Т.28, в.З - С.66-77.

23] Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лившиц Д.А., Лютецкий A.B., Николаев Д.Н., Пихтин H.A., Рябоштан Ю.А., Слипченко С.О., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. Свойства InGaAsP/InP-гетеролазеров со ступенчатым расширенным волноводом // Письма ЖТФ. - 2000. - Т. 26, в. 20- С. 40-45.

24] Евтихиев В. П. Гарбузов Д. 3. Соколова 3. Н., Тарасов И. С., Халфин В. Б., Чалый

B. П., Чудинов А. R. Особенности пороговых характеристик PO InGaA-P/InP ДГ лазеров (А=1.3 мкм) с супертонкими активными областями // ФТП. - 1985. - Т. 19, в. 8

C. 1420—1423.

25] Пихтин H.A.,Соколова З.Н., Слипченко С.О., Тарасов И.С. Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантово - размерных лазерах на основе твердых растворов InGaAsP // ФТП. - 2002. - Т. 36, в. 3 - С. 364-374.

26] Зегря Г.Г., Пихтин H.A., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP - гетеролазеров (Х=1.55 мкм) // ФТП. - 2001. -Т. 35, в.8- С. 1001 - 1008.

27] Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов H.H., Налет Т.А., Тарасов И.С. Рекордные мощностные характеристики лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктур // ФТП. -2001,- Т. 35, в.З- С. 380-384.

28] Гарбузов Д.З., Овчинников A.B., Пихтин H.A., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Халфин В.Б. Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лэзеров (Ä.-1.3 мкм) // ФТП - 1991. - Т.25, в.5 - С.928-933.

29] Пихтин H.A., Тарасов И.С., Иванов М.А. Особенности спектральных характеристик мощных инжекционных гетеролазеров на основе InGaAsP четверных твердых растворов // ФТП.-1994,- Т.28, в.11- С. 1983-1990.

30] Livshits D.A., Kochnev I.V., Lantratov V.M., Ledentsov N.N., Nalet T.A., Tarasov, Alferov Zh.I. Improved catastrophic optical mirror damage level in InGaAs/AlGaAs laser diodes // Electron. Lett.- 2000.- V. 36, № 22- P. 1848-1849.

31] Алферов Ж.И., Кацавец Н.И., Петриков В.Д., Тарасов И.С., Халфин В.Б. Об оптической прочности зеркал высокомощных квантово-размерных лазерных диодов с раздельным ограничением, работающих в непрерывном режиме // ФТП.- 1996.- Т. 30, в.3-С. 474-483.

32] Лешко А.Ю., Лютецкий A.B., Пихтин H.A., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP/InP // ФТП. - 2000. - Т.34, в. 12 -с.1457-1461.

33] Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий A.B., Пихтин H.A., Рябоштан Ю.А., Скрынников Г.А., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Свойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом // ФТП. -2000. - Т.34, в.7, - С.886-890.

34] Тарасов И.С., Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Овчинников A.B., Соколова З.Н., Чудинов A.B. Особенности температурной зависимости порогов в РО 1пСаА5РЛпР ДГ лазерах ( X = 1.3 мкм ) с тонкой активной областью // ФТП.- 1985.- Т. 19, в.8- С. 14961498.

35] Гореленок А.Т., Колышкин В.И., Тарасов И.С. Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные имплантацией ионов кислорода // ЖТФ.-1983,- Т. 53, в. 10-С. 1973-1978.

36] Алферов Ж.И., Гореленок А.Т., Колышкин В.Н., Копьев П.С., Мдивани В.Н., Тарасов И.С., Тибилов В.К., Усиков A.C. Инжекционные гетеролазеры в системе InGaAsP с длиной волны излучения 1.3-1.5 мкм // Письма ЖТФ,- 1978- Т. 4, в. 22- С. 1329-1333.

37] Гореленок А.Т., Груздов В.Г., Декальчук A.A., Декальчук Т.В., Ильинская Н.Д., Мокина И.А., Тарасов И.С. Мезаполосковые ¡пОаАэРЛпР Х= 1.5 мкм лазеры непрерывного действия //ЖТФ. - 1985. - Т.55, № 9 - С. 1872-1876.

38] Иванов M.A., Ильин Ю.В., Ильинская Н.Д., Корсакова Ю.А., Лешко А.Ю., Лунев А.В., Лютецкий А.В., Мурашова А.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. Полосковые одномодовые InGaAsP/InP лазеры, излучающие на длине волны 1.55 мкм // Письма ЖТФ. - 1995. - Т. 21, в. 5- С. 70-75.

39] Бородицкий М.А., Дулькин А.Е., Кочнев И.В., Лившиц Д.А., Соколова И.О., Рафаилов Э.У., Тарасов И.С., Шерняков Ю.М., Явич B.C. Мощные одномодовые лазеры (X = 0.98 мкм), полученные методом МОС-гидридной эпитаксии // Письма ЖТФ. - 1994. - Т. 20, в.6 - С.62-66.

40] Голикова Е.Г., Горбылев В.А., Ильин Ю.В., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Симаков В.А., Тарасов И.С., Третьякова Е.А., Фетисова Н.В. Мезаполосковые одномодовые InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения с двойной гетероструктурой, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений // Письма ЖТФ.-2000,- Т. 26, в. 7- С. 57-63.

41] Лешко А.В., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Голикова Е.Г., Рябоштан Ю.А., Тарасов И.С. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных InGaAsP/InP гетероструктур (1=1.3.-1.6 мкм)// ФТП.- 2002.-Т. 36, в. 11 - С. 1393-1399.

42] Алферов Ж.И., Иванов М.А., Ильин Ю.В., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. О селекции поперечных мод в InGaAsP лазерах с диэлектрическими покрытиями зеркал // Письма ЖТФ,- 1995,- Т. 21, в. 5- С. 64-69.

43] Пихтин Н.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Халфин В.Б., Шувалова Н.В., Ильин Ю.В., Тарасов И.С. Двухсекционный Фабри - Перро лазер с 12 нм диапазоном перестройки длины волны // Письма ЖТФ. - 1997. - Т.23, в.6 - С. 10-15.

44] Schell М., Huhse D., Weber A.G., Fischbeck G., Bimberg D., Tarasov I.S., Gorbachov A.V., Garbuzov D.Z. 20 nm wavelength the tuneable single mode picosecond pulse generation at 1.3 |im by a self-seeded gain-switched semiconductor laser // Electron.Lett. -1992. - V. 28, № 23 - P. 2154-2155.

45] Гарбузов Д.З., Беришев И.Э., Ильин Ю.В., Ильинская Н.Д., Овчинников А.В., Пихтин Н.А., Рассудов Н.Л., Тарасов И.С. Совершенствование процесса зарашивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP лазеров (1=1.3мкм) с мощностью излучения 160 мВт // ФТП. - 1991. - Т. 25, в. 8 - С. 1414-1418.

46] Garbuzov D.Z., Berishev I.E.,.Il'in Yu.V., Il'inskaya N.D., Ovchinnikov A.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. High-power buried heterostructure InGaAsP/InP laser diodes produced by an improved regrowth process // J.Appl.Phys. - 1992. - V.72, № l-P.319-321.

47] Беришев И.Э., Бородицкий M.JL, Горбачев А.Ю., Ильин Ю.В., Ильинская Н.Д., Лившиц Д.А., Станкевич A.JL, Рафаилов Э.У., Тарасов И.С. Одномодовые InGaAsP PO ДГС лазеры с тонким волноводом (Х= 0.8 и 1.3 мкм) // Письма ЖТФ.- 1994.-Т. 20, в. 7-С. 41-46.

48] Бородицкий М.Л., Гарбузов Д.З., Горбачев А.Ю., Ильинская Н:Д.,Лившиц Д.А., Мариинский Д.Н., Рафаилов Э.У., Станкевич А.Л., Тарасов И.С. Мощные одномодовые зарощеные InGaAsP/GaAs PO ДГС лазеры // Письма ЖТФ. - 1993. - Т. 19, в. 21 - С. 78-84.

49] Гарбузов Д.З., Зайцев С.В., Ильинская Н.Д., Колышкин В.И., Овчинников A.B., Тарасов И.С., Трукан М.К. Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsPЛпР (Х= 1.3 мкм) лазеров раздельного ограничения // ЖТФ. - 1987. - Т.57, в.9, С. 1822-1824.

50] Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Нивин А.Б., Овчинников A.B., Тарасов И.С. Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на основе жидкофазной РО InGaAsP ДГС (\= 1.36 мкм, Т = 300 К) // ФТП. - 1985. Т.19, в.З - С.456-459.

Заключение

Представленные в диссертации исследования были направлены на разработку физических основ получения методом жидкофазной и МОС-гидридной эпитаксий изопериодических, а также напряженных квантово-размерных с раздельным ограничением гетероструктур в системе твердых растворов ЫАЮаАэР и созданию мощных одномодовых и многомодовых лазеров на их основе.

1. Onton A. Optical properties and band structure of III-V compounds and alloys // J.Luminescence. -1973.- V.7 P. 95-111.

2. Долгинов JI.M., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах // Квантовая электроника. -1976. Т.З, № 7- С. 1381-1393.

3. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в оптоэлектронике И Вестн. АН СССР. -1978,- № 4 С. 31-36.

4. Glisson Т.Н, Hauser J.R., Littlejohn М.А., Williams С.К. // J.Electron.Mater.- 1978.- V. 7, №1-P. 1-4.

5. Пихтин A.H. Оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах (обзор) // ФТП. 1977,- Т. 11, в. 3- С. 425-455.

6. Nakajima К., Yamaguchi A., Akito К., Kotani Т. Composition dependence of the band gaps of Ini.xGaxAsi.yPy quaternary solids lattice matched on InP substrates // J.Appl.Phys. -1978,- V. 49, № 12 P. 5944- 5950.

7. Moon R.L., Antipas G.A., James L.V. //J.Electron.Mater.- 1974,- V. 3, № 2- P. 635-639.

8. Nahory R.E., Pollack M.A., Johnson W.D., Jr., Barns R.L. Band gap versus composition and demonstration of Vegard's law for InixGaxAsyPiy lattice matched to InP // Appl.Phys.Lett. 1978. - V. 33, № 7- P. 659-661.

9. Гореленок A.T., Дзигасов А.Г., Москвин П.П., Сорокин B.C., Тарасов И.С. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов InixGaxAsi.yPy // ФТП. 1981,- Т.15, в.12 - С. 2410-2413.

10. Алферов Ж.И., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З., Румянцев В.Д. Структура энергетических зон твердых растворов GaxInixP и GaxIni-xAsi.yPy // ФТП.- 1977,- Т. 11, в. 12-С. 2330-2337.

11. Thompson A.G., Cardona М., Shaklee K.L., Woolley J.С. Electroreflectance in the GaAs-GaP alloys // Phys.Rev.-1966.- V.146- P. 601-610.

12. Берт H.A., Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г., Конников С.Г., Попова Т.Б., Тарасов И.С., Тибилов В.К. Твердые растворы InGaAsP, изопериодические с InP //Автометрия.-1980.-№8- С.11 -21.

13. Гореленок А.Т., Тарасов И.С., Усиков А.С. Обнаружение поляризации электролюминесценции (А,=1.3 мкм) в гетероструктурах InP/InGaAsP, обусловленной внутренними деформациями // Письма в ЖТФ,- 1981.- Т.7, в.8- С. 452-456.

14. Арсентьев И.Н., Бежанишвили Г.Р., Вавилова JI.C., Кузнецов В.В. Особенности формирования гетероструктур GalnAs/GaAs с субмикронными слоями эпитаксией из жидкой фазы. -Труды I Всес. конф. "Физические основы твердотельной электроники" -Ленинград, 1989.

15. Вавилова JI.C., Иванова А.В., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С.,

16. Арсентьев И.Н., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Пихтин Н.А., Фалеев Н.Н. Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP // ФТП.-1998,-Т.32, в.б-С. 658-662.

17. Вавилова Л.С., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Тарасов И.С. Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости // ФТП,- 2000,- Т.34, в.11- С. 1307-1310.

18. Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров.- М.: Наука, 1983, 294 с.

19. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Портной Е.Л., Трукан М.К. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре // ФТП.- 1969,- Т.З, в.9 -С. 1328-1332.

20. Bert N.A., Gorelenok А.Т., Dzigasov A.G., Konnikov S.G., Popova T.B., Tarasov I.S., Tibilov V.K. Epitaxial growth of InGaAsP solid solutions lattice matched to InP // J.Crystal Growth.- 1981.- V. 52, Part 2, - P. 716-721.

21. Sankaran R. Growth and characterization of InGaAsP-InP lattice-matched heterojuctions // J.Vac.Sci.Technol.- 1976,- V. 13, № 4- P. 12.

22. Nakajima K., Kusumoki Т., Akita Kotani T. Phase diagram of the InGaAsP quaternary Ф system and LPE growth conditions for lattice matching on InP substrates // J. Electrochem.

23. Soc.- 1978. -V. 125, № 1-P.18.

24. Абрамов А.В., Арсентьев И.Н., Мишурный В.А.,-Румянцев В.Д., Третьяков Д.Н. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов -расплавов твердых растворов InxGai-xP // Письма в ЖТФ,- 1976,- Т. 2, № 5- С.204-207.

25. Mukai S. Photoluminescent and electrical properties of InGaAsP mixed crystals liquid phase - epitaxially grown on (100) GaAs. // J.Appl.Phys.-1983.-V. 54, № 5,- P. 2635-2645.

26. Kuznetsov V.V., Moskvin P.P., Sorokin V.S. Coherent phase diagram and interface relaxation processes during LPE of AHIBV solid solutions // J.Crystal Growth. 1988. - V. 88, №2 -P. 241-262.

27. Oe K., Shinoda Y., Sugiyama K. Lattice deformations and misfit dislocations in GalnAsP/InP double-heterostructure layers //Appl.Phys.Lett.- 1978,- V. 33, № 11 P. 962964.

28. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках.- М.: Наука, 1972, 584 с.

29. Векуа В.П., Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Ивченко E.JL, Флейшер В.Г. Определение знака g- фактора и обнаружение деформации эпитаксиальных пленок при поперечном эффекте оптической ориентации в полупроводниках // ЖЭТФ.- 1974. Т. 66, №5-С. 1790-1797.

30. Аверкиев Н.С., Гореленок А.Т., Тарасов И.С. Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP п- и р-типа проводимости // ФТП. 1983. - Т. 17, в. 6 - С. 997-1002.

31. Векуа В.П., Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Ивченко E.JL, Флейшер В.Г. Поляризация люминесценции и расщепление акцепторных уровней при деформации в кубических кристаллах // ФТТ.- 1975.- Т. 17, в. 4 С. 1096-1103.

32. Арсентьев И.Н., Берт H.A., Конников С.Г., Уманский В.Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей // ФТП,- 1980. Т.14, в. 1- С. 96-100.

33. Берт H.A., Конников С.Г., Уманский В.Е. Определение величины несоответствия параметров элементарной ячейки в полупроводниковых гетероструктурах методом широко расходящегося пучка рентгеновских лучей // ФТП. 1980. - Т.14, в. 10 - С. 1899-1903.

34. Martin R.M. Elastic properties of ZnS structure semiconductors // Phys. Rev. B.-1970.-V. 1, № 10 P.4005-4011.

35. Коган Iii.M., Полупанов А.Ф. Спектры оптического поглощения и фотоэффекта мелких акцепторных примесей в полупроводниках //ЖЭТФ.-1981.-Т.80, №1- С.394-412.

36. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Морозов Е.П., Портной E.JI. Диагональное туннелирование и поляризация излучения в гетеропереходах AlxGaixAs-GaAs и р-п переходах в GaAs // ФТП. 1969,- Т. 3, в. 7 - С. 1054-1057.

37. Берт H.A., Гореленок А.Т., Конников С.Г., Уманский В.Е., Усиков A.C. Экспериментальное определение различия коэффициентов термического расширения в гетероструктурах GaxIni.xAsyPi.y InP // ЖТФ,- 1981.-Т. 51, в. 5-С. 1018-1020.

38. Williams E.W., Elder W., Astlers M.G., Webb M., Mullin J.B., Standham В., Tufton P.J. Indium phosphide // J. Electrochem. Soc.- 1973,- V. 120, № 12- P. 1741-1749.

39. Colleman J.J., Nash P.R. Zink contamination and misplaced p-n junction in InP-InGaAsP DH lasers // Electron. Lett. 1978.- V. 14, № 17- P. 558-559.

40. Pearsall T.P., Miller B.I., Capik R.J., Bachmann K.J. Efficient lattice-matched double heterostructure LED's at 1.1 цт from GaxIni-xAsyPi.y // Appl. Phys. Lett.- 1976,- V. 29, № 9-P. 499-501.

41. Алферов Ж.И., Гореленок A.T., Копьев П.С., Мдивани В.Н., Тибилов В.К. Низкопороговые лазеры на основе гетероструктур в системе InGaAsP. Письма ЖТФ. -1977,-Т. 3, №22-С. 1169-1171.

42. Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г., Тарасов И.С., Тибилов В.К., Усиков А.С., Челноков В.Е. Гетероструктуры в системе InGaAsP, полученные жидкостной эпитаксией при легировании Be // Письма в ЖТФ. 1979,- Т. 5, № 23 - С. 1435-1439.

43. Алферов Ж.И., Гореленок А.Т., Колышкин В.И., Копьев П.С., Мдивани В.Н., Тарасов И.С., Тибилов В.К. Гетеролазеры непрерывного действия в системе InGaAsP // Известия АН СССР; Серия физическая,- 1979- Т. 43, № 7- С. 1448-1450.

44. Гореленок А.Т., Жингарев М.З., Мамутин В.В., Тибилов В.К., Усиков А.С. Высокоэффективные гетерофотодиоды в спектральном диапазоне 1.0-1.6 мкм. // Автометрия.- 1980.- № 6- С. 82-84.

45. Washington М.А., Nachory R.E., Pollack М.А., Beebe E.D. High-efficiency InP-InGaAsP photodetectores with selective wavelength response between 0.9-1.2 цт // Appl. Phys. Lett.- 1978,- V. 33, № 10 P. 854-856.

46. Fukui Т., Kobaychi T. //Japan. J. Appl. Phys.- 1979,- V. 18, № 12- P. 2307.

47. Агаев В.В., Гарбузов Д.З., Гореленок А.Т., Мдивани В.Н., Чалый В.П. Двойные гетероструктуры InP-InGaAsP (Х=1.3 мкм) с внешним квантовым выходом люминесценции ~ 40% (300 К) // ФТП. 1981. - Т. 15, № 11 - С. 2282-2285.

48. Бурдуков Ю.М., Гашимзаде Ф.М., Гольдберг Ю.А., Гореленок А.Т., Гуткин А.А. Арсенид галлия. Получение и свойства.- М.: Наука, 1973.

49. Zunger A., Mahajan S. In: Handbook of Semiconductors. Edited by T.S. Moss. V. 3, edited by S. Mahajan. Elsevier Science. Amsterdam. 1994. 1399 p.

50. Stringfellow G.B. Miscibility gaps in quaternary III / V alloys // J. Crystal Growth. -1982. -V. 58, № 1-P. 194-202.

51. Stringfellow G.B. Immiscibility and spinodal decomposition in III / V alloys. // J. Crystal Growth.-1983. V. 65, № 1-3- P. 454 462.

52. Cahn J.W. Spinodal decomposition // Trans.Met. Soc.-1968.-V. 242- P. 166 180.

53. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов.-М.; Наука, 1974, 384 с.

54. Ipatova I.P., Shchukin V.A., Malyshkin V.G., Maslov A.Yu., Anastassakis E. Formation of strained superlattices with a macroscopic period via spinodal decomposition of III-V semiconductor alloys. // Sol. St. Commun. -1991.-V.78, № 1- P.19- 24.

55. Ilegems M., Panish M.B. Phase equilibriua in III-V quaternary systems application to Al-Ga-P-As. //J. Phys. Chem. Sol.-1974.-V. 35- P. 409-420.

56. Тарасов И.С., Пихтин Н.А., Мурашова А.В., Лютецкий А.В., Лешко А.Ю., Иванов М.А., Берт Н.А., Алфёров Ж.И. Самоупорядоченные InGaAsP наноструктуры. Тез.2-й Росс. конф. по физике полупроводников, РКФП'96, Зеленогорск, 1996. Т. 1, С. 40.

57. De Cremoux B. Instability criteria internary and quaternary III-V epitaxial solid solutions. // J. Phys. (Paris). -1982.-V. 43, № 12-P. C5-19 C5-27.

58. Ипатова И.П., Малышкин В.Г., Маслов А.Ю., Щукин В.А. Образование структур с периодической модуляцией состава при когерентном разделении фаз в четверных твердых растворах полупроводников А3В5 // ФТП. 1993. - Т. 27, в. 2 - С. 285 - 298.

59. Ipatova I.P., Malyshkin V.G., Shchukin V.A. On spinodal decomposition in elastically anisotropic epitaxial films of III-V semiconductor alloys -// J. Appl. Phys.-1993.-V.74, №11-P. 7198 -7210.-ъьз

60. Ipatova I.P., Malyshkin V.G., Shchukin V.A. Compositional elastic domains in epitaxial layers of phase-separating semiconductor alloys // Phil. Mag. B. -1994.-V. 70, № 4-P.557-566.

61. Бимберг Д., Платова И.П., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Малышкин В.Г., Щукин В.А. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур // УФН. 1997. - Т. 167, в.5 - С.552 — 555.

62. Seiji Mukai. Photoluminescent and electrical properties of InGaPAs mixed crystals liquid-phase-epitaxially grown on (100) GaAs // J.Appl.Phys. 1983. - V. 54, № 5- P. 2635 -2645.

63. Shchukin V.A., Starodubtsev A.N. Lattice-matched alloy films: A novel system for self-organized growth of quantum dots. // Extended Abstracts of the 26th Int. Symp. on Compound Semiconductors. August 22-26, 1999. Berlin, Germany. Abstract WeP-5.

64. Берт H.A., Вавилова Л.С., Ипатова И.П., Капитонов В.А., Мурашова А.В., Пихтин Н.А., Ситникова А.А., Тарасов И.С., Щукин В.А. Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP структуры с модулированным составом // ФТП.- 1999.-Т. 33, в. 5- С. 544-548.

65. Yahary R.E., Pollack М.А., Johustone W.D., Barns R.L. Band gap versus composition and demonstration of Vegard's law for Ini.xGaxAsyPi.y lattice matched to InP // Appl.Phys.Lett. 1978. - V.33, № 7 -P.659-661.1. Литература к главе 2.

66. Wrick V.L., Eastman L.F. Diffusion-limited LPE growth of InP for microwave devices. // Inst. Phys.Conf. Ser.- 1975. № 24, P.31.

67. Aceard A., Bonoit J., Vezguand R. LPE growth of InP layers from supercooled solutions by the two-phase technique. // J.Crystal Growth.-1981 .-V. 54, № 1 -P. 45-50.

68. Ladany I., Hawrylo F.Z. Comparison of single and two-phase LPE growth methods for InGaAsP/InP lasers and LED's. // J.Crystal Growth.-198l.-V. 54, № 1-P. 69-75.

69. Андреев B.M., Ивентьева O.O., Конников С.Г., Погребицкий К.Ю., Пурон Э., Сулима О.В., Фалеев Н.Н. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия AlGaAsгетероструктур с субмикронными (10" -10" мкм) слоями // Письма в ЖТФ. 1986.- Т.12, B.9-C. 533-538.

70. Hsieh J.J. Thickness of InP layers grown by LPE from super-cooled solutions // Inst. Phys. Conf. Ser.- 1977.- № 33B P. 31.

71. Svaminathan V., Koos G. L., Wilt D.P. InGaAsP / InP grown by LPE in the groove of a planneled InP substrate: a photoluminescense study // J.Appl.Phys.-1986.- V. 60, № 1- P. 372-375.

72. Brunemeier P.E., Deppe D.G., Holonyak N., Jr. Photoluminescence measurements of band discontinuity in InGaAsP/InP heterostructures // Appl.Phys.Lett.- 1985.- V. 46, № 8-P. 755-759.

73. Cremoux В., Hirts P., Riccardi J. The presence of a solid immissibility domaine in the phase diagrame // Inst.Phys.Conf.Ser.- 1981.-№ 56-P.31.

74. Kuznetsov V.V., Moskvin P.P., Sorokin V.S. Growth kinetics in LPE of the Ga-In-P-As system // J. Crystal Growth.- 1984.-V.66, № 3-P. 562-574.

75. Holonyak N.,Jr., Chin R., Coleman S., Kenne D.L., Groves W.O. Limitations of the direct-indirect transition on InGaAsP heterojunctions // J. Appl. Phys.-1977,- V. 48, № 2-P. 635-638.

76. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Зайцев С.В., Нивин А.Б., Овчинников А.В., Тарасов И.С., Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГС лазеры с Х=1.3 мкм (Jn0p- =410 А/см2, Т=23° С) // ФТП. 1987. - Т.21, в.5 - С. 824-829.

77. Берт Н.А., Гарбузов Д.З., Гореленок А.Т., Конников С.Г., Мдивани В.Н., Тибилов В.К., Чалый В.П. Квантовый выход люминесценции в InGaAsP-двойных гетероструктурах // ФТП,- 1980. -Т. 14 С. 680- 687.

78. Brunemeier Р.Е., Deppe D.G., Holonyak N., Jr. Photoluminescence measurement of band discontinuing in InGaAsP heterostructures // Appl. Phys. Lett.- 1985.-V. 46, № 8 P. 755-757.

79. Noda У., Sokai К., Matsuchima У., Akiba S., 10000-hour continuos CW operation of InGaAsP heterostructure lasers with a buffer layer at room temperature // Japan.J.Appl.Phys.- 1981. V. 20, № 5- P. 997-998.

80. Yamasaki S., Nokajima K., Kishi Y. Liquid phase epitaxial growth for (1H)A InGaAsP heterostructure photodiode // Fujitsu Scientific and Technical J.- 1984,- V. 20, № 3-P. 329-332.

81. Astles M.G., Smith F.G., Williams E.W. Epitaxial growth of InGaAsP // J. Electrochem. Soc. 1973.-V. 120, № 3- P. 1750-1753.

82. Алферов Ж.И., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Сулима О.В., Чалый В.П. Инжекционные РО ДГС лазеры с порогом 300 А/см2 (четырехсколотые образцы А=1.25 мкм, Т= 300 К) // ФТП. 1984.-Т. 18, в.И - С. 2057-2061.

83. Гореленок А.Т., Груздов В.Г., Тарасов И.С. Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики гетеролазеров InGaAsP/InP (к = 1.55 мкм) // ЖТФ.- 1984. -Т. 54, в.10 С. 2047-2050.

84. Horikawa Н., Imanaka К., Matoba A., Kawai Y., Sakuta М. High-power, low-threshold, single-step liquid phase epitaxy //Appl.Phys.Lett. 1984,- V. 45, № 5- P. 328-330.

85. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Нивин А.Б., Овчинников А.В., Тарасов И.С. Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на основе жидкофазной РО InGaAsP ДГС (к = 1.36 мкм, Т = 300 К)//ФТП. 1985. Т.19, в.З - С.456-459.

86. Долгинов JI.M., Дракин А.Е., Елисеев П.Г., Малькова Н.В., Свердлов Б.Н., Шевченко Е.Н. Использование марганца в качестве легирующей примеси в лазерах: Матер. Всес. Конф. по полупроводниковым лазерам.- Душанбе, 1983. -С. 12.

87. Tamari Н. Growth and characterization of Cd-doped double InGaAsP/InP heterostructure lasers // J.Electron.Materials. 1982,- V. 11, № 4- P. 611-614.

88. Овчинников А.В. Разработка жидкофазной технологии изготовления InGaAsP/InP (к= 1.3 мкм) лазерных структур (для BOJIC) со сверхтонкими активными областями: Дис. канд. физ.-мат. наук.- Защищена в 1988г., Ленинград.

89. Stringfellow G.B. Organometallic vapor phase epitaxy: theory and practice. Academic Press.- 1989,- P. 95.

90. Mroziewicz В., Bugajski M., Nakwaski W. Physics of semiconductor lasers. North-Holland.- 1991.- P. 189.

91. Thijs P.J.A., Tiemeijer L.F., Binsma J.J.M., Van Dongen T. Progress in long-wavelength strained-layer InGaAs(P) quantum-well semiconductor lasers and amplifiers // IEEE J.Quant.Electron.- 1994,- V. 30, №2 -P. 477-499.

92. Бондарев А.Д., Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Коваленков О.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Исследование напряженных квантовых ям InxGai.xAs/InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии // Письма в ЖТФ. 1998. - Т. 24, в. 22-С. 46-51.

93. Dingle R. Confined carrier quantum states in ultrathin semiconductor heterostructures- // Festkorper Probleme XV (Advances in Solid. State Physics). H.J.Queisser Ed.-New York: Pergamon, 1975.- P. 21-48.

94. Дьяконов М.И., Хаецкий А.В. Размерное квантование дырок в полупроводнике со сложной валентной зоной и носителей в бесщелевом полупроводнике // ЖЭТФ.- 1982.Т. 82, в.5-С. 1584-1590.

95. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и V групп.-М.: Мир, 1967, 477 с.

96. Мессиа А. Квантовая механика /в 2-х т./. М.: Наука, 1978.13.6. Галицкий В.М., Карнаков Б.М., Коган В.И. Задачи по квантовой механике. М.:1. Наука, 1981,648 с.

97. Xu Z.Y., Kreismanis V.G., Tang C.L. Stimulated emission of GaAs-Alo,6Gao,4As multiple quantum well structures grown by metalorganic chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1984.-V. 44, № I-P. 156-158.

98. Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1976, 664 с.

99. Шик А.Я. О правилах отбора для оптических переходов в тонкопленочных гетероструктурах // Письма ЖТФ. 1979. - Т. 5, в. 14- С. 869-871.

100. Yamanishi М., Suemune I. Comment on polarization dependent momentum matrix elements in quantum well lasers // Japan.J.Appl.Phys. 1984. - V.23, Pt.2, № 1- P. L55-L56.

101. Xu Z.Y., Kreismanis V.G., Tang C.L. Photoluminescence of GaAs AlxGAi.xAs multiple quantum well structure under high excitation // Appl. Phys. Lett.- 1983,- V.43, № 5-P. 415-417.

102. B.В., Чудинов А.В., Свелокузов А.Е. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al-Ga-As и In-Ga-As-P // ФТП. 1986 - Т. 20, в. 4 - С. 708—712.

103. Алферов Ж.И., Арсентьев И.Н., Гарбузов Д.З. Евтихиев В.П., Сулима О.В., Чалый В.П., Чудинов А.В. Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом 300 А/см2 (четырехсколотые образцы, \ =1.25 мкм, Т=300 К) // ФТП. 1984. - Т. 18, в. 111. C. 2057-2060.

104. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Давидюк Н.Ю., Ильинская Н.Д., Нивин А.Б.,

105. Овчинников А.В., Тарасов И.С. Мощные мезаполосковые РО InGaAsP/InP лазеры для-36Ô

106. BOJIC (А=1.3 мкм, Т-18 °С, Jnop =300 мА, Р=28 мВт в волокне 0 50 мкм) // Письма ЖТФ, 1985.-Т. 11, в. 22-С. 1345—1349.

107. Гарбузов Д.З. Зайцев C.B. Нивин А.Б., Овчинников A.B. Комиссаров А.Б., Тарасов И.С., Трукан М.К. Непрерывные мезаполосковые InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с \.=1.3 мкм. Снижение порогов, повышение мощности // Письма ЖТФ. 1986. - Т. 12, в. 1 - С. 660—664.

108. Гарбузов Д.З., Чалый В.П., Чудинов A.B., Свелокузов А.Е., Овчинников A.B. Квантово-размерные эффекты в спектрах люминесценции жидкофазных InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области 230—60 Â // ФТП. 1987. - Т. 21, в. 3- С. 437—441.

109. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Зайцев C.B., Нивин А.Б., Овчинников A.B., Тарасов И.С., Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГС лазеры с \=1.3 мкм (Jn0p =410 А/см2, Т=23°С) К ФТП. 1987. - Т.21, в. 5- С. 824-829.

110. Гарбузов Д.З., Агаев В.В., Халфин В.Б., Чалый В.П. Излучательные и оже-процессы в фотовозбужденной электронно-дырочной плазме ДГ InGaAsP/InP-структур (Х=1.3 мкм)//ФТП,- 1983. -Т. 17, в. 9-С. 1557—1563.

111. Чалый В.П., Гарбузов Д.З., Чудинов A.B., Агаев В.В. Исследование эффекта насыщения интенсивности люминесценции в ДГ InGaAsP/InP-структурах (к = 1.3 мкм) при высоком уровне возбуждения // ФТП. 1983. - Т. 17, в. 3- С. 464—468.

112. Евтихиев В.П., Гарбузов Д.З., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Халфин В.Б., Чалый В.П., Чудинов A.B. Особенности пороговых характеристик PO InGaAsPAnP ДГ лазеров (А=1.3 мкм) с супертонкими активными областями // ФТП. 1985. - Т. 19, в. 8- С. 14201423.

113. Chuang S.L. Efficient band-structure calculations of strained quantum wells // Phys.Rev.B.- 1991.- V. 43, № 12- P.9649-9661.

114. Coldren L.A., Corzine S.W. Diode lasers and photonic integrated circuits. J.Wiley & Sons, Inc., 1995, 594 p.

115. Adachi S. Physical properties of III-V semiconductor compounds. J.Wiley & Sons, Inc., 1992,318 р.

116. Бондарев А.Д., Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Коваленков О.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Исследование напряженных квантовых ям InxGai-xAs/InP,369 полученных методом МОС-гидридной эпитаксии // Письма ЖТФ. 1998. - Т. 24, в. 22-С. 46-51.

117. Dong J., Ubukata A., Matsumoto К. 1.95-|im-wavelength InGaAs/InGaAsP laser with compressively strained quantum well active layer // JapanJ.Appl.Phys.-1997.-V.36, № 9A- P. 5468-5471.

118. Thijs P.J.A., Tiemeijer L.F., Binsma J.J.M., Van Dongen T. Progress in long-wavelength strained-layer InGaAs(P) quantum-well semiconductor lasers and amplifiers // IEEE J. Quant. Electron.- 1994,- V. 30, №2 -P. 477-499.

119. Hayashi I. US Patent -1972,- 3, 691, 476.

120. Thompson G.H.B., Kirkbi P.A. Low threshold-current density in 5-layer-heterostructure (GaAl)As/GaAs localized gain-region injection lasers // Electron.Lett.- 1973.- V. 9, № 13 -P. 295-296.

121. Tsang W.T. Symmetric separate-confinement (SCH) AlGaAs-laser with low threshold and narrow beam divergence grown by molecular epitaxy // Electron. Lett. 1980,- V. 16- P. 939 - 940.

122. Гарбузов Д.З. Арсентьев И.Н., Вавилова Л.С., Тикунов А.В., Тулашвили Э.В. Непрерывный РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт (Т=300 К, 1=0.87 мкм)//ФТП,- 1985.- Т. 19, в. 1-С. 136—138.

123. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З. Нивин А.В., Овчинников А.В., Тарасов И.С. Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на основе жидкофазной РО InGaAsP ДГС (1=1.35 мкм. Т=300 К) // ФТП. 1985. - Т. 19, в. 3- С. 457—461.

124. Wilcox J.Z., Peterson G.L., Ou S., Yang J.J., Jansen M., Schechter D. Gain- and threshold current dependence for multiple-quantum well lasers // J.Appl. Phys.-1988.-V.64, №11 - P.6564 - 6567.

125. Ни S.Y., Corzine S.W. , Law К.-К., Young D.B., Gossard А.С., Coldren L.A., Merz J.L. Lateral carrier diffusion and surface recombination in InGaAs/AlGaAs quantum-well ridge-waveguide lasers // J.Appl.Phys.- 1994.-V. 76, №8-P. 4479-4487.-370

126. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах.-М.: Мир, 1981.-2 т.

127. Dutta К., Nelson R.J. Light saturation of InGaAsP-InP LED's // IEEE J. Quant. Electron.- 1982.- V. 18, № 3 P. 375—381.

128. Asada M., Adams A.R., Stubkjaer K., Suematsu Y., Itaya Y., Arai Sh. The temperature dependence of the threshold current of GalnAsP/InP DH lasers // IEEE J. Quant. Electron.1981.-V. 17- P. 611—619.

129. Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Карпов С.Ю., Соколова З.Н., Халфин В.Б. Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением. // ФТП. 1985. - Т. 19. в. 3- С. 449—455.

130. Sermage В., Eichler H.J., Heritage J.P., Nelson R.J., Dutta N.K. Photoexcited carrier lifetime and Auger recombination in 1.3-цт InGaAsP // Appl.Phys.Lett. 1983. - V. 42, № 3-P. 259—261.

131. Wintner E., Ippen E. P. Nonlinear carrier dynamics in Ga xIni.xAsyPi-y compounds // Appl. Phys. Lett.- 1984.-V. 44, № 10-P. 999—1001.

132. Гарбузов Д.З., Агафонов В.Г., Агаев В.В., Лантратов В.М., Чудинов А. В. Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС // ФТП,- 1983.- Т. 17, в. 12- С. 2168-2172.

133. Tsang W.T. Extremely low threshold (AlGa)As graded-index waveguide separate-confinement heterostructure lasers grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett.1982. V. 40, № 3 - P. 217—219.

134. Пихтин H.A., Соколова 3.H., Слипченко С.О., Тарасов И.С. Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантово-размерных лазерах на основе твердых растворов InGaAsP II ФТП,- 2002,- Т. 36, в. 3- С. 364-374.

135. Казаринов Р.Ф., Константинов О.В., Перель В.И., Эфрос А.Л. К электромагнитной теории инжекционного лазера // ФТТ.-1965. Т. 7, в. 5 - С. 1506

136. Stern F. Gain-current relation for GaAs lasers with n-type and undoped active layers // IEEE J. Quant.Electron.- 1973.-V. 9, № 4- P. 290 294.

137. Тарасов И.С., Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Овчинников А.В., Соколова З.Н., Чудинов А.В. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (Х=1.3 мкм) с тонкой активной областью// ФТП.- 1985.- Т.19, в.8- С. 1496-1498.

138. Гарбузов Д.З., Тикунов А.В., Жигулин С.Н., Соколова З.Н., Халфин В.Б. Влияние насыщения усиления на пороговые характеристики квантоворазмерных InGaAsP/GaAs гетеролазеров // ФТП.-1988.-Т. 22, в. 6 С. 1035-1039.

139. Мс Ilroy P.W.A., Kurobe A., Uematsu Y. Analysis and application of theoretical gain curves t the design of multi-quantum-well lasers // IEEE J. Quant. Electron.- 1985.-V. 21, № 12-P. 1958-1963.

140. Wilcox J.Z., Peterson G.L., Ou S., Yang J.J., Jansen M., Schechter D. Gain- and threshold current dependence for multiple-quantum well lasers // J.Appl. Phys.-1988.-V.64, №11 - P.6564 - 6567. (повтор 3.38]).

141. Makino T. Analytical formulas for the optical gain of quantum well // IEEE J. Quant. Electron.- 1996.-V. 32 P. 493-501.

142. Whiteaway J.E.A., Thompson G.H.B., Greene P.D., Glew R.W. Logarithmic gain / current density characteristic of InGaAs/InGaAlAs/InP multi-quantum-well separate-confinement-heterostructure lasers // Electron. Lett.- 1991.-V. 27, №4 - P. 340-342.

143. Asryan L.V., Gun'ko N.A., Polkovnikov A.S., Zegrya G.G., Suris R.A., Lau P.-K., Makino T. Threshold characteristics of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers // Semicond. Sci. Technol.- 2000.-V. 15 -P. 1131-1140.

144. Broberg В., Lindgren S. Refractive index of Ini.xGaxAsyPi.y layers and InP in the transparent wavelength region // J.Appl.Phys.-1984.- V. 55, № 9- P. 3376-3381.

145. Гарбузов Д.З., Агаев B.B., Соколова 3.H., Халфин В.Б., Чалый В.П. Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС с X,—1-1.5 мкм // ФТП. 1984. - Т.18, в.б-С. - 1069-1076.

146. Wang М.С., Kash К., Zah С.Е., Bhat R., Chuang S.L. Measurement of nonradiative Auger and radiative recombination rates in strained-layer quantum-well systems // Appl.Phys.Lett.-1993 .-V. 62, № 2 P. 166-168.

147. Zou Y., Osinski J.S., Grodzinski P., Dapkus P.D., Rideout W., Sharfin W.F., Crawford F.D. Effect of Auger recombination and differential gain on the temperature sensitivity of 1.5 цт quantum well lasers // Appl.Phys.Lett. 1993.- Y. 62, № 2- P.175-177.

148. Davis L., Lam Y., Nichols D., Singh J, Bhattacharya P.K. Auger recombination rates in compressively strained InxGa ixAs/ InGaAsP/ InP (0.53 < x < 0.73) multiquantum well lasers // IEEE Photon. Technol. Lett.- 1993,- V. 5, № 2- P. 120-122.

149. Соколова 3.H., Халфин В.Б. Расчеты вероятностей излучательных переходов и времен жизни в квантово-размерных структурах // ФТП. 1989. - Т. 23, в. 10 - С. 18061812.

150. Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. Исследование пороговых характеристик InGaAsP/InP гетеролазеров (Л.=1.55 мкм) // ФТП. - 2001. -Т. 35, в.8- С. 1001 - 1008.

151. Livshits D.A., Kochnev I.V., Lantratov Y.M., Ledentsov N.N., Nalet Т.A., Tarasov, Alferov Zh.I. Improved catastrophic optical mirror damage level in InGaAs/AlGaAs laser diodes // Electron. Lett.- 2000,- V. 36, № 22- P. 1848-1849.

152. Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. Рекордные мощностные характеристики лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктур // ФТП. -2001.- Т. 35, в.З- С. 380-384.

153. Nabiev R.F., Vail Е.С., Chang-Hasnain C.J. Temperature dependent efficiency and modulation characteristics of AL-free 980-nm laser diodes // IEEE J.Quant. Electron.-1995.-V. 1,№2-P. 234-243.

154. Пихтин Н.А., Тарасов И.С., Иванов М.А. Особенности спектральных характеристик мощных инжекционных гетеролазеров на основе InGaAsP четверных твердых растворов // ФТП.-1994,- Т.28, в.11- С. 1983-1990.

155. Овчинников А.В. Разработка жидкофазной технологии изготовления InGaAsP/InP (X = 1.3 мкм) структур для (BOJIC) со сверхтонкими активными областями. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м. наук, Ленинград, 1988.

156. Nambu Y., Tomita A. Spectral hole burning and carrier-heating effect on the transient optical nonlinearity of highly-carrier injected semicondactors // IEEE J. Quant. Electron.-1994,- V. 30, № 9- P. 1981-1994.

157. Hall K.L., Lenz G., Ippen E.P., Koren U., Raydon G. Carrier-heating and spectral hole burning in strained-layer quantum well laser amplifiers at 1.5цт // Appl. Phys. Lett.- 1992-V. 61, №21-P. 2512-2514.

158. Kesler M.P., Harder C.S., Latta E.E. Carrier heating in AlGaAs single quantum well laser diodes // Appl.Phys.Lett.-1991.- V. 59, № 22- P. 2775-2777.- 374 -Литература к главе 4

159. Tsang W.T. Symmetric separate-confinement (SCH) AlGaAs-laser with low threshold and narrow beam divergence grown by molecular epitaxy // Electron. Lett. 1980.- V. 16- P. 939-940.

160. Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. Рекордные мощностные характеристики лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктур // ФТП -.2001,- Т. 35, №3- С. 380-384.

161. Livshits D.A., Kochnev I.V., Lantratov V.M., Ledentsov N.N., Nalet Т.A., Tarasov, щ Alferov Zh.I. Improved catastrophic optical mirror damage level in InGaAs/AlGaAs laserdiodes // Electron. Lett.- 2000,- V. 36, № 22- P. 1848-1849.

162. Al-Muhanna A., Mawst L.J., Botez D., Garbuzov D.Z., Martinelli R.U., Connolly J.C. High power (10 W) continuous wave operation from 100 цт aperture 0.98 цт emitting Alfree diode lasers // Appl.Phys.Lett. -1998.-V.73- P.l 182-1184.

163. Не X., Srinivasan S., Wilson S., Mitchell C., Patel R. 10,9 W continuous wave optical power from 100 |tm aperture InGaAs/AlGaAs (915 nm) laser diodes // Electron. Lett.- 1998.-V.34.- P. 2126-2127.

164. Botez D. High power Al-free laser diodes // Compound Semicond.- 1999.- V 5, № 6-P. 24-29.

165. Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Скрынников Г.А., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Свойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом // ФТП,-2000,- Т. 34, в.7 С. 886-890.

166. Алферов Ж.И., Кацавец Н.И., Петриков В.Д., Тарасов И.С., Халфин В.Б. Об оптической прочности зеркал высокомощных квантовогразмерных лазерных диодов с раздельным ограничением, работающих в непрерывном режиме // ФТП.- 1996.- Т. 30, в. 3-С. 474-483.

167. Adachi S. Physical properties of Щ-V semiconductor compounds. J.Wiley & Sons, Inc., 1992,318 р.

168. Nabiev R.F., Vail E.C., Chang-Hasnain C.J. Temperature dependent efficiency and modulation characteristics of AL-free 980-nm laser diodes // IEEE J.Quant. Electron.-1995,-V. 1,№2-P. 234-243.

169. Garbuzov D.Z. , Xu L., Forrest S.R., Martinelli R., Connolly J.C. 1.5 цт wavelength, SCH-MQW broadened-waveguide laser diodes with low internal loss and high output power //Electron. Lett.- 1996.- V.32, № 12-P. 1717-1718.-376

170. Лешко А.Ю., Лютецкий A.B., Пихтин H.A., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP/InP // ФТП.- 2000. Т.34, в. 12- С. 14571461.

171. Kasukawa A., Murgatroyd I.J., Imajo Y., Matsumoto N., Fukushima Т., OkamotoH., Kashiwa S. // Japan. J. Appl. Phys., Lett.- 1989.-V.28 P. 661.

172. Kasukawa A., Namegaya Т., Iwai N., Yamanaka N., Ikegami Y., Tsukiji N. Extremely high power 1.48 /spl mu/m GalnAsP/InP GRIN-SCH strained MQW lasers // IEEE Photonics Techn. Lett.- 1994.-V.6, №1 P.4-6.

173. Temkin H., Coblentz D., Logan R.A., van der Ziel J.P., Tanbun-Ek Т., Yadvish R.D., Sergent A.M. High temperature characteristics of InGaAsP/InP laser structures // Appl.Phys.Lett.- 1993.-V.62, № 19 P.2402-2404.

174. Тарасов И.С., Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Овчинников А.В., Соколова З.Н., Чудинов А.В. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (X = 1.3 мкм) с тонкой активной областью // ФТП.- 1985. Т. 19, в.8- С. 14961498.

175. Arakawa Y., Sakaki Н. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current//Appl. Phys. Lett.- 1982. V. 40, № 11- P. 939—941.

176. Елисеев П.Г., Дракин А.Е. Качественный анализ порогового тока в квантово-размерных полупроводниковых лазерах // Квантовая электроника.- 1984,- Т. 11, в. 1- С. 178—181.

177. Tsang W.T. Extremely low threshold (AlGa)As graded-index waveguide separate-confinement heterostructure lasers grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett.-1982,- V. 40, № 3- P. 217—219.

178. Евтихиев В.П., Гарбузов Д.З., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Халфин В.Б., Чалый В.П., Чудинов А.В. Особенности пороговых характеристик РО InGaAsP/InP ДГ лазеров (Х=1.3 мкм) с супертонкими активными областями // ФТП.- 1985- Т. 19, в. 8- С. 1420— 1423.

179. Алферов Ж.И., Гарбузов Д.З., Нивин А.Б., Овчинников А.В., Тарасов И.С. Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на основе жидкофазной РО InGaAsP ДГС (X =1.35 мкм, Т=300 К) // ФТП.- 1985,- Т. 19, в. 3- С. 456—459.

180. Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Карпов С.Ю., Соколова З.Н., Халфин В.Б. Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением // ФТП.- 1985.- Т. 19, в. 3- С. 449—455.

181. Гарбузов Д.З., Агаев В.В., Халфин В.Б., Чалый В.П. Излучательные и оже-процессы в фотовозбужденной электронно-дырочной плазме ДГ InGaAsP/ InP-структур (Х=1.3 мкм) // ФТП.-1983.- Т. 17, в. 9-С. 1557—1562.

182. Sermage В., Eichler H.J., Heritage J.P., Nelson R.J., Dutta N.K. Photoexcited carrier lifetime and Auger recombination in 1.3-|im InGaAsP // Appl. Phys. Lett.- 1983.- V. 42, № 3-P. 259—261.

183. Гарбузов Д.З., Агаев B.B., Соколова 3.H., Халфин В. Б., Чалый В. П. Рекомбинационные процессы в InGaAsP/InP ДГС с X =1-1.5 мкм // ФТП,- 1984,- Т. 18, в. 6-С. 1069—1076.

184. Yamanishi М., Suemune I. Nonomura К., Mikashiba N. // Japan. J. Appl. Phys.-1983.-V. 22, № 1- P. 303—306.

185. Asryan L.V., Gun'ko N.A., Polkovnikov A.S., Zegrya G.G., Suris R.A., Lau P.-K., Makino T. Threshold characteristics of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers // Semicond. Sci. Technol. 2000. - V. 15 -P. 1131-1140.

186. Голикова Е.Г., Дураев В.П., Козиков C.A., Кригель В.Г., Лабутин О.А., Швейкин В.И. Лазеры на основе InGaAsP/ InP с квантово-размерными слоями // Квантовая электроника-1995.-Т. 22, № 2 С. 105-107.

187. O'Reilly Е.Р., Ghiti A. Quantum well lasers. Ed. Zory P.S., Jr. Boston, Academic Press, Inc., 1993 .- P.329-366.

188. Zegrya G.G. Mid-infrared strained diode lasers in antimonide-related strained -layer heterostructures. Ed. Manasreh M.O., Gordon and Breach Science Publishers. Amsterdam. The Netherlands. 1997.- P.273-368.

189. Зегря Г.Г., Харченко В.А. Новый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах // ЖЭТФ.- 1992.- Т. 101, в.1 С. 327-343.

190. Polkovnikov A.S., Zegrya G.G. Auger recombination in semiconductor quantum wells // Phys.Rev.B.-1998.-V. 58- P. 4039 4056.

191. Зегря Г.Г., Полковников A.C. Механизмы оже-рекомбинации в квантовых ямах // ЖЭТФ. 1998. - Т. 113, №4- С. 1491 - 1521.

192. Asada М. Quantum well lasers. Ed. Zory P.S., Jr. Academic Press, Inc. 1993. P. 97130.

193. Asada M. Intraband relaxation time in quantum-well lasers // IEEE J.Quant.Electron. -1989.-V.25, №9 P. 2019-2026.

194. Davis L., Lam Y., Nichols D., Singh J, Bhattacharya P.K. Auger recombination rates in compressively strained InxGai.xAs/InGaAsP/InP (0.53 x 0.73) multiquantum well lasers // IEEE Photon. Technol. Lett.- 1993,- V. 5, № 2- P. 120-122.

195. Asryan L.V., Gun'ko N.A., Polkovnikov A.S., Suris R.A., Zegrya G.G., Elenkrig B.B.,

196. Smetona S., Simmons J.G., Lau P.-K., Makino T. High-power and high temperature operation of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers // Semicond. Sci. Technol.-1999.-V. 14- P. 1069-1075.

197. Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. Исследования пороговых характеристик InGaAsP/InP -гетероструктур (X = 1.55 мкм) // ФТП,- 2001,- Т. 35, в. 8- С. 1001-1008.

198. Казаринов Р.Ф., Константинов О.В., Перель В.И., Эфрос А.Л. К электромагнитной теории инжекционного лазера // ФТТ.-1965.- Т. 7, в. 5 С. 1506 -1516.

199. Kunii Т., Matsui Y., Katoh I., Kamidjoh Т. Low threshold current and high output power operation for 1.5 }j.m GRINSCH strained MQW laser diode // Electron. Lett.- 1995,-V.31,№4-P. 282-284.

200. Chuang S.L. Efficient band-structure calculations of strained quantum wells // Phys. Rev. В.- 1991.-V.43, №12 P. 9649-9661.

201. Пихтин H.A., Тарасов И.С., Иванов M.A. Особенности спектральных характеристик мощных инжекционных гетеролазеров на основе четверных твёрдых растворов InGaAsP II ФТП.-1994,- Т. 28, в. 11, С. 1983-1990.

202. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1981.

203. Coldren L.A., Corzine S.W. Diode lasers and photonic integrated circuits. New York: Wiley Publication. 1995,- 594 p.

204. Hirayama H., Yoshida J., Miyake Y., Asada M. Estimation of carrier capture time of quantum-well lasers by spontaneous emission spectra // Appl.Phys.Lett.-1992.- V. 61, № 20 -P. 2398-2400.

205. Romero В., Arias J., Esquivias I., Cada M. Simple model for calculating the ratio of the carrier capture and escape times in quantum-well lasers // Appl.Phys.Lett.-2000.- V. 76, № 12-P. 1504-1506.

206. Botez D. Design consideration and analytical approximations for high continuos-wave power, broad waveguide diode lasers // Appl. Phys. Lett.- 1999.-V 74- P. 3102-3104.

207. Botez D. High power Al-free laser diodes // Compound Semicond.- 1999.- V. 5, № 6-P. 24-29.

208. Yoo J.S., Lee H.H., Zory P. Temperature rise at mirror faset of CW semiconductor lasers // IEEE J. Quant. Electron.-1992.- V. 28, № 3- P. -635- 639.

209. Henry C.H., Petroff P.M., Logan R.A., Merritt F.R. Catastrophic damage of AlxGal-xAs double-heterostructure laser material // J.Appl.Phys.-1979.- V. 50, № 5 P. 3721-3732.

210. Todoroki S., Sawai M., Aiki K. Temperature distribution along the striped active region in high-power GaAlAs visible lasers // J. Appl. Phys.-1985.- V. 58, № 3-P. 1124-1128.

211. Brugger H., Epperlein P.W. Mapping of local temperatures on mirrors of GaAs/AlGaAs laser diodes // Appl. Phys. Lett.-1990.- V. 56, № 11 P. 1049-1051.

212. Tang W.C., Rosen HJ., Vettiger P., Webb D.J. Raman microprobe study of the time development of AlGaAs single quantum well laser facet temperature on route to catastrophic breakdown // Appl. Phys. Lett.- 1991.- V. 58, № 6 P. 557-559.

213. J.S. Yoo, H.H. Lee, P. Zory. IEEE J. Quant. Electron., 28, 635 (1992).

214. Cole J.V.,Lee H.H. A model for surface recombination velocity and lifetime of semiconductor lasers // IEEE J. Quant. Electron.- 1993.- V 29, № 2- P. 322-326.

215. Chen G., Tien C.L. Facet heating of quantum well lasers // J. Appl. Phys., 1993.-V. 74, №4-P. 2167-2174.

216. Garbuzov D.Z., Katsavets N.I., Kochergin A.V., Khalfm V.B. Proc. Joint Soviet-American Workshop on the Physics of Semiconductor Lasers (Leningrad, 1991) p. 6.

217. Garbuzov D.Z., Antonishkis N.Yu., Bondarev A.D., Gulakov A.B., Zhigulin S.V., Katsavets N.I., Kochergin A.V., Rafailov E.V. High power 0.8 (am InGaAsP-GaAs SCH SQW lasers // IEEE J. Quant. Electron.-1991.-V. 27- P. 1531-1536.

218. Belov A.V., Dianov E.M., Gusovsky D.D., Karpov V.l., Khopin V.E., A.S. Kurkov, Shernyakov Yu.M., Yavich B.S. // Soviet Lightwave Commun.-1990.-V. 3-P. 3.

219. O' Brien P., O' Callaghan J., Mclnerney J. Internal temperature distribution measurements in high power semiconductor lasers // Electron. Lett.- 1998.- V. 34, № 14- P. 1399-1401.

220. Botez D., Ettenberg M. Beamwidth approximations for the fundamental mode in symmetric double-heterojunction lasers // IEEE J. Quant. Electron.- 1978.- V. 14, № 11- P. 827-830.

221. Hsieh J.J., Rossi J.A.,Donnelly J.P. Room-temperature CW operation of GalnAsP/InP double-heterostructure diode lasers emitting at 1.1 p.m // Appl. Phys. Lett.-1976,- V. 28, № 12-P. 709-711.

222. Гореленок А.Т., Колышкин В.И., Тарасов И.С. Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные имплантацией ионов кислорода // ЖТФ.-1983,- Т. 53, в. 10-С. 1973-1978.

223. Garbuzov D.Z., Berishev I.E.,.H'in Yu.V., Il'inskaya N.D., Ovchinnikov A.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. High-power buried heterostructure InGaAsP/InP laser diodes produced by an improved regrowth process // J.Appl.Phys. 1992. - V. 72, № 1 - P.319 - 321.

224. Diarnaley G., Freeman J.A., Nelson R.S., Sephan J.F. Ion implantation // Plenum press. N.Y.L.- 1973.-P. 689.

225. Tsang W.T. The effects of lateral current spreading, carrier outdiffusion, and optical mode losses on the threshold current density of GaAs-AlxGaixAs stripe-geometry DH lasers // J.Appl.Phys. 1978. - V. 49, № 3 - P. 1031-1044.

226. Hakki B.W. Carrier and gain spatial profiles in GaAs stripe geometry lasers // J. Appl. Phys.- 1973.- V. 44, №1 1 P. 5021-5028.

227. Колышкин В.И., Портной Е.Л. Особенности пороговых характеристик полосковых гетеролазеров в системе AlAs-GaAs при имплантации ионов кислорода // Письма ЖТФ.- 1978,- Т. 4, в. 11 С. 646-649.

228. Алферов Ж.И., Гореленок А.Т., Колышкин В.Н., Копьев П.С,, Мдивани В.Н., Тарасов И.С., Тибилов В.К., Усиков А.С. Инжекционные гетеролазеры в системе InGaAsP с длиной волны излучения 1.3-1.5 мкм // Письма ЖТФ.- 1978- Т. 4, в. 22- С. 1329-1333.- 382.

229. Алферов Ж.И., Гацоев К.А., Гореленок А.Т., Ильинская Н.Д., Тарасов И.С. Низкопороговые мезаполосковые InGaAsP/InP лазеры непрерывного действия (А=1.3 мкм)// Письма ЖТФ.-1984.- Т. 10, B.16-C. 961-964.

230. Alferov Zh.I, Garbuzov D.Z., Gorelenok A.T. Advances in science and technology in USSR. // Physics Series. Problems in solid-state physics. M.: Mir Publishers.- 1984,- P. 201235.

231. Jaeckel Н„ Bona G.-L., Buchmann P., Meier H.P., Vettiger P., Kozlovsky W.J., Lenth W. Very high-power (425 mW) AlGaAs SQW-GRINSCH ridge laser with frequency-doubled output (41 mW at 428 nm) // IEEE J. Quant. Electron.-1991.- V. 27, № 6 P. 1560-1567.

232. Бородицкий M.A., Дулькин A.E., Кочнев И.В., Лившиц Д.А., Соколова Н.О., Рафаилов Э.У., Тарасов И.С., Шерняков Ю.М., Явич B.C. Мощные одномодовые лазеры, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии // Письма ЖТФ. 1994.-Т. 20, в. 6- С. 62-66.

233. Koch T.L., Corvini P.J., Tsang W.T. Anisotropically etched deep gratings for InP/InGaAsP optical devices // J.Appl.Phys.- 1987,- V. 62, № 8- P. 3461-3463.

234. Пихтин H.A., Тарасов И.С., Иванов М.А. Особенности спектральных характеристик мощных инжекционных гетеролазеров на основе четверных твердых растворов InGaAsP/InP. // ФТП. 1994. - Т. 28, в. 11- С. 1983-1990.

235. D.A.Livshits, I.V.Kochnev, V.M.Lantratov, N.N.Ledentsov, T.A.Nalet, I.S.Tarasov, Zh.I.Alferov. Improved catastrophic optical mirror damage level in InGaAs/AlGaAs laser diodes. Electronics Letters , 2000, v. 36, № 2, p. 1848-1849.

236. Mathur A., Fisher M., Ziari ML, Hagberg M., Kolev E. Very high power 1.48 цш semiconductor lasers // Electron. Lett.-1999.-V. 35, № 12, P. 983-985.

237. N.A.Bert, A.T. Gorelenok, A.G.Dzigasov, S.G.Konnikov, T.B.Popova, I.S.Tarasov, V.K.Tibilov, Epitaxial growth of InGaAsP solide solutions lattice matched to InP // J.Crystal Growth. 1981, - V. 52, Part 2, - P. 716-721.

238. Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий A.B., Пихтин H.A., Рябоштан Ю.А., Скрынников Г.А., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Свойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом // ФТП.-2000,- Т. 34, в.7- С. 886- 890.

239. Лешко А.Ю., Лютецкий A.B., Пихтин H.A., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантово-размерных лазерах на основе InGaAsP/InP // ФТП.- 2000.- Т. 34, в. 12- С. 14571461.

240. Chuang S.L. Physics of Optoelectronic Devices. New York: John Wiley & Sons, Inc.-1995,717 p.

241. Weber J.-P. Optimization of the carrier-induced effective index change in InGaAsP waveguides-application to tunable Bragg filters // IEEE J. Quant.Electron.- 1994.-V. 30, N° 8-P. 1801-1816.

242. Komissarov A., Maiorov М., Menna R., Todorov S., Connolly J., Garbuzov D., Khalfin V., Tsekoun A. Waveguide collapse in InGaAsP ridge-waveguide lasers with weak lateral optical confinement: CLEO'2001, Conference Proc.- 2001,- P. 31-32.

243. Пихтин H.A., Соколова 3.H., Слипченко С.О., Тарасов И.С. Анализ пороговой плотности тока и усиления в квантово-размерных лазерах на основе твердых растворов InGaAsP // ФТП,- 2002,- Т. 36, в. 3- С. 364-374.

244. Алферов Ж.И., Иванов М.А., Ильин Ю.В., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Тарасов И.С. О селекции поперечных мод в InGaAsP лазерах с диэлектрическими покрытиями зеркал // Письма ЖТФ,- 1995,- Т. 21, в. 5- С. 64-69.

245. Pikhtin N.A., Fetisova N.V., Golikova E.G., Lyutetskiy A.V., Slipchenko S.O., Tarasov I.S. High power single lateral mode 1=1.48-1.62 цт laser diodes: ECOC'Ol, Amsterdam. Conf. Proc.- 2001.- V. 2 -P. 166-167.

246. Herzog W.D., Goldberg B.B., Unlu M.S. Beam steering in narrow-stripe high-power 980-nm laser diodes // IEEE Photon. Technol. Lett.-2000.-V. 12, № 12- P. 1604-1606.

247. Tan G.-L., Mand R.S., Xu J.M. Self-consistent modeling of beam instabilities in 980-nm fiber pump-lasers // IEEE J. Quant. Electron.-1997.-V. 33, № 8- P. 1384-1395.

248. Gordon R., Xu J. Lateral mode dynamics of semiconductor lasers // IEEE J. Quant. Electron.-1999.-V. 35, № 12- V. 1904-1911.

249. Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах.-М.: Мир, 1981.

250. Борн М., Вольф Э. Основы Оптики. -М.: Наука, 1973, 855 с.

251. Ikegami Т. Reflectivity of mode at facet and oscillation mode in double-heterostructure injection lasers // IEEE J. Quant. Electron.-1972,- V. 8, № 2- P. 470-476.

252. Hillmer H., Grabmaier A., Hansmann S., Zhu H.-L., Burkhard H., Magari K. Tailored DFB laser properties by individually chirped gratings using bent waveguides // IEEE J. Selected Topics in Quant. Electron.- 1995.- V. 1. № 2 P. 356-362.

253. Пихтин H.A., Лешко А.Ю., Лютецкий A.B., Халфин В.Б., Шувалова Н.В., Ильин Ю.В., Тарасов И.С. Двухсекционный Фабри Перро лазер с 12 нм диапазоном перестройки длины волны // Письма ЖТФ,- 1997.-Т. 23, в.6- С. 10-15.-385

254. Garbuzov D.Z., Berishev I.E., Il'yin Yu.V., Il'yinskaya N.D., Ovchinnikov A.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S. High-power buried heterostructure InGaAsP/GaAs laser diodes produced by an improved regrowth process // J.Appl.Phys.- 1992,- V. 72- P. 319-321.

255. Овчинников А.В. Разработка жидкофазной технологии изготовления InGaAsP/InP (X = 1.3 мкм) лазерных структур (для BOJIC) со сверхтонкими активными областями: Дис. канд. физ.-мат. наук:- Защищена в Ленинград, 1988.

256. Botez D. Effective refractive index and first order mode cutoff conditions in InGaAsP/InP DH laser structure (X= 1.2-1.6 цт) // IEEE J. Quant. Electron.- 1982.- V. 18, № 5-P. 865-870.

257. Ильин Ю.В. Разработка и исследование излучательных характеристик мощных одномодовых InGaAsP/InP лазеров // Дис. канд. физ.-мат. наук:.- Защищена в Санкт-Петербурге, 1993.

258. Бородицкий М.Л., Гарбузов Д.З., Горбачев А.Ю., Ильинская Н:Д., Лившиц Д.А., Мариинский Д.Н., Рафаилов Э.У., Станкевич А.Л.,Тарасов И.С. Мощные одномодовые зарощеные InGaAsP/GaAs РО ДГС лазеры // Письма ЖТФ.- 1993.-Т. 19, в. 21- С. 78-84.

259. Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Карпов С.Ю., Соколова З.Н., Халфин В.Б. Расчет пороговых токов для InGaAsP/InP и InGaAsP/GaAs ДГС лазеров с раздельным ограничением // ФТП,- 1985.- Т. 19. в. 3- С. 449—455.

260. Беришев И.Э., .Бородицкий М.Л., Горбачев А.Ю., Ильин Ю.В., Ильинская Н.Д., Лившиц Д.А., Станкевич А.Л., Рафаилов Э.У., Тарасов И.С. Одномодовые InGaAsP РО ДГС лазеры с тонким волноводом (Х= 0.8 и 1.3 мкм) // Письма ЖТФ,- 1994.-Т. 20, в. 7-С. 41-46.

261. Sugimura A. Band-to-band Auger recombination effect on InGaAsP laser threshold // IEEE J. Quant. Electron.-1981.- V.-17, № 5- P. 627-635.

262. Jung H., Gobel E., Romanek K.M., Pilkuhn M.H. Temperature dependence of optical gain spectra in GalnAsP/InP double heterostructure lasers // Appl. Phys. Lett.- 1981.-V. 39, № 6- P. 468-470.

263. Гарбузов Д.З., Чуднов A.B., Агаев B.B., Чалый В.П. Евтихиев В.П. Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (0.94<Х.<1.51) при оптическом возбуждении//ФТП.- 1984,-Т. 18, в. 1-С. 102-110.

264. Arakawa Y., Sakaki H. Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current // Appl. Phys. Lett.- 1982. V. 40, № 11- P. 939—941.

265. Елисеев П.Г., Дракин А.Е. Качественный анализ порогового тока в квантоворазмерных полупроводниковых лазерах // Квантовая электроника,- 1984.-Т. 11, В.1-С. 178-181.

266. Тарасов И.С., Гарбузов Д.З., Евтихиев В.П., Овчинников А.В., Соколова З.Н., Чудинов А.В. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (X = 1.3 мкм) с тонкой активной областью // ФТП.- 1985.- Т. 19, в.8- С. 14961498.

267. Гарбузов Д.З., Зайцев С.В., Нивин А.Б., Овчинников А.В., Комиссаров А.Б., Трукан М.К. Непрерывные мезаполосковые InGaAsP/InP РО ДГС лазеры с к= 1.3 мкм. Снижение порогов, повышение мощности // Письма ЖТФ,- 1986.- Т.12, в.11- С. 660663.

268. Oshiba S., Matoba A., Horikawa Н., Kawai Y., Sakuta M. Reliability of 1.3 pm V-grooved inner-stripe laser diodes under high-power operation // Electron. Lett., 1986, v. 22, N 8, p. 428—429.

269. Paub D.K., Greene K.H. Reliability of 1.3 цт BH lasers diodes // Fibre and integrated optics.- 1984,- V.5,№ 1-P. 23.

270. Елисеев П.Г. Причины и распределение отказов в полупроводниковых лазерах // Квантовая электроника.- 1986,- Т. 13, в. 9- С. 1749-1768. "

271. Я признателен своим коллегам — наставникам — Петру Сергеевичу Копьеву, Алексею Тихоновичу Гореленку и Дмитрию Залмановичу1. Гарбузову.