Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение. лава 1. Характеристика системы твердых растворов

In-Ga-As-P (обзор литературы).

1.1. Экспериментальное обоснование несмешиваемости твердых растворов в системе In-Ga-As-P.

1.1.1. Твердые растворы в системе In-Ga-As-P, выращиваемые на подложках GaAs(OOl).

1.1.2. Твердые растворы в системе In-Ga-As-P, выращиваемые на подложках InP(OOl).

1.2. Оптические свойства твердых растворов InGaAsP, выращенных в области несмешиваемости.

1.3. Просвечивающая электронная микроскопия эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAsP.

1.4. Основные результаты термодинамической теории неустойчивости полупроводниковых твердых растворов.

1.5. Основные результаты кинетической теории неустойчивости полупроводниковых твердых растворов.

1.6. Выводы по обзору литературы.

Глава 2. Фотолюминесценция и электролюминесценция эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAsP, соответствующих по составу области несмешиваемости.

2.1. Получение экспериментальных образцов способом жидкостной эпитаксии.

2.2. Фото- и электролюминесценция эпитаксиальных слоев

InGaAsP.

2.2.1. Методики исследования спектров фото- и электролюминесценции.

2.2.2. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев InGaAsP, полученных на подложках GaAs(OOl).

2.2.3. Электролюминесценция эпитаксиальных слоев InGaAsP, полученных на подложках GaAs(OOl) в области несмешиваемости.

2.2.4. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев InGaAsP, полученных на подложках InP(OOl).

2.3. Выводы.

Глава 3. Исследование структуры эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAsP, выращенных в области несмешиваемости.

3.1. Краткое описание методики исследования образцов на просвечивающем электронном микроскопе.

3.2. ПЭМ исследования эпитаксиальных слоев InGaAsP, полученных на подложках GaAs(OOl).

3.3. Сопоставление оптических и структурных свойств твердых растворов InGaAsP, полученных на подложках GaAs(OOl) в области несмешиваемости.

3.4. ПЭМ исследования эпитаксиальных слоев InGaAsP, полученных на подложках InP(OOl).

3.5. Выводы.

Глава 4. Исследование влияния технологических условий выращивания на свойства твердых растворов InGaAsP.

4.1. Исследование свойств эпитаксиальных слоев InGaAsP в зависимости от скорости роста.

4.2. Исследование свойств эпитаксиальных слоев InGaAsP в зависимости от температуры роста.

4.3. Выводы. аключение.

Титература.

Система твердых растворов In-Ga-As-P широко используется для □готовления оптоэлектронных приборов. Мощные лазеры и уперлюминесцентные диоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP, [злучающие в диапазоне длин волн 1.3-1.55 мкм, являются основными цементами в современных волоконно-оптических линиях связи. Лазеры на 5азе гетероструктур InGaAsP/InGaP/GaAs, работающие в спектральном щапазоне 0.80-0.98 мкм, широко используются в медицине и различных уграслях техники (для лазерной печати и записи информации, для накачки юлоконных усилителей и твердотельных лазеров, в космической технике). В тоследнее десятилетие основные усилия были направлены на исследование свойств и оптимизацию параметров таких приборов. В этой связи, наряду с разработками новых конструкций и технологий изготовления, особое внимание следует уделять изучению материалов, используемых для создания пазеров и светодиодов, оптические характеристики которых во многом определяются кристаллографическим совершенством эпитаксиальных слоев и интерфейсов приборной гетероструктуры.

К моменту начала выполнения настоящей работы (1996г.) разнообразные светоизлучающие приборы на основе твердых растворов в системе In-Ga-As-P были успешно получены методами жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) и газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ). Однако при выращивании эпитаксиальных слоев многие технологи отмечали ряд трудностей, связанных с несмешиваемостью твердых растворов в достаточно большом диапазоне составов, что препятствовало реализации некоторых эффективных приборных конструкций. Вместе с тем слои твердых растворов, выращенных в области несмешиваемости, имели уникальные особенности в оптических, электрических и структурных свойствах, что отличало их от однородных гвердых растворов и указывало на наличие нового сложного объекта -териодической структуры, состоящей из доменов с разным составом гвердого раствора. Формирование таких структур представляется важным, ю-первых, как подтверждение успешно развивающейся в настоящее время :еории неустойчивости полупроводниковых твердых растворов, и, во-5торых, как возможный способ получения наноразмерных объектов, интерес : которым чрезвычайно высок в последнее время. Несмотря на ряд 1убликаций, посвященных этой теме, процессы кристаллизации твердых )астворов InGaAsP, а также свойства периодических доменных структур >стаются на сегодняшний день мало изученными. По-видимому, такое юложение объясняется тем, что самоорганизация полупроводниковых именных структур - довольно новое направление для исследований в ювременной физике твердого тела. С другой стороны, для изготовления радиционных приборов необходимы однородные твердые растворы nGaAsP. Это требует поиска таких условий роста, которые позволили бы юдавить образование доменной структуры в эпитаксиальном слое. Поэтому кспериментальное исследование явления несмешиваемости твердых •астворов InGaAsP является актуальным как с научной, так и с практической очек зрения.

Основная цель работы заключалась в исследовании особенностей ристаллизации твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости и ;етальном изучении свойств и характеристик выращенных эпитаксиальных лоев. Для выполнения поставленной цели решались следующие основные адачи: Изучение оптических и структурных свойств слоев твердых растворов InGaAsP, выращенных в области несмешиваемости на подложках GaAs(OOl) и InP(OOl), методами фото-, электролюминесценции (ФЛ, ЭЛ), просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и сканирующей электронной микроскопии. . Исследование оптических и структурных характеристик слоев твердых растворов InGaAsP, полученных в области несмешиваемости, в зависимости от технологических условий: скорости и температуры роста. . Выявление закономерностей формирования периодических доменных структур в эпитаксиальных пленках твердых растворов InGaAsP, соответствующих по составу области несмешиваемости. Разработка воспроизводимой технологии получения таких структур способом жидкофазной эпитаксии. . Сравнение полученных экспериментальных данных с результатами теории неустойчивости полупроводниковых твердых растворов. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка итируемой литературы.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к педующему: Твердые растворы InGaAsP, выращенные в области несмешиваемости на подложках GaAs(OOl) при температуре 750°С в течение 5-20сек, имеют в спектрах ФЛ и ЭЛ две полосы, обусловленные межзонными излунательными переходами. В лазерных диодах на основе анизотипных гетероструктур с активной областью в виде таких слоев получена генерация в длинноволновой полосе спектра. Минимальные пороговые

9 9 плотности тока составляют 70А/см при 77К и 0.7кА/см при 300К. . На основании данных ПЭМ и ФЛ установлено, что при выращивании эпитаксиальных слоев InGaAsP в области несмешиваемости на подложках GaAs(OOl) и InP(OOl) происходит формирование наноструктур, представляющих собой чередование доменов двух твердых растворов различного состава с разными постоянными решетки вдоль направлений наилегчайшего сжатия кристалла [100] и [010] с характерным периодом Юнм. , На основании данных сканирующей электронной микроскопии показано, что крупномасштабный контраст на ПЭМ изображениях слоев InGaAsP, полученных в области несмешиваемости, связан с периодическим рельефом на поверхности образцов.

Экспериментально определены границы области несмешиваемости твердых растворов Ini.xGaxAsyPi.y при выбранных условиях роста. Для слоев, полученных на подложках GaAs(OOl) при 750°С, это отрезок на изопериодической с GaAs прямой, соответствующий составам 0.05<у<0.60. Для слоев, осажденных на подложках InP(OOl) при 594°С, это отрезок на изопериодической с InP прямой, соответствующий составам

0.50<у<0.85. Полученные результаты хорошо согласуются с литературными данными. Экспериментально показано, что уменьшение температуры и скорости роста слоев InGaAsP, находящихся в области несмешиваемости, способствует формированию наноструктур с модулированным составом твердого раствора.

Пленки твердых растворов InGaAsP, полученные в области несмешиваемости способом жидкофазной эпитаксии, содержат переходной слой однородного твердого раствора с характерной толщиной ~100нм, что обусловлено высокой скоростью роста на начальном этапе осаждения и индуцированной устойчивостью. Область составов, в которой наблюдается рост наноструктур, а также их тип, параметры и закономерности формирования хорошо согласуются с результатами теории неустойчивости полупроводниковых твердых растворов. Из этого мы заключили, что причиной возникновения наноструктур является распад неустойчивых твердых растворов.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих аботах: И.С.Тарасов, Н.А.Пихтин, А.В.Мурашова, А.В.Лютецкий, А.Ю.Лешко, М.И.Иванов, Н.А.Берт, Ж.И.Алферов. "Самоупорядоченные InGaAsP наноструктуры", 2W Всероссийская конференция по физике полупроводников РКПФ'96, 26февраля-1 марта, 1996, Зеленогорск, Россия, с.40.

I.S.Tarasov, L.S.Vavilova, N.I.Katsavets, A.V.Lyutetskiy, A.V.Murashova, N.A.Pikhtin, N.A.Bert, Zh.I.Alferov. "Self-organized InGaAsP nanostructures and laser diodes on their base", Proceed, of Int. Symp. "Nanostructures:

Physics and Technology 96", 24-28 June 1996, St.Petersburg, Russia, pp.362365. I.S.Tarasov, L.S.Vavilova, I.P.Ipatova, A.V.Murashova, N.A.Pikhtin, V.A.Shchukin, Zh.I.Alferov. "Growth-induced self-organization of composition-modulated structures in InGaAsP alloys", Proceed, of 23rd Int. Symp. on Compound Semiconductors ISCS-23, 23-27 September, 1996, St.Petersburg, Russia, pp.117-120. . Л.С.Вавилова, А.В.Иванова, В.А.Капитонов, А.В.Мурашова, И.С.Тарасов, И.Н.Арсентьев, Н.А.Берт, Ю.Г.Мусихин, Н.А.Пихтин, Н.Н.Фалеев. "Самоорганизующиеся наногетероструктуры в твердых растворах InGaAsP", ФТП, 1998, т.32, вып.6, сс.658-663. . A.A.Sitnikova, N.A.Bert, A.V.Murashova, N.A.Pikhtin, I.S.Tarasov. "Composition-modulated structures in InGaAsP alloys", Proceed, of Int. Symp. on Electron Microscopy 14, 31August-4September, 1998, Cancun, Mexico, p.199. I.N.Arsent'ev, N.A.Bert, L.S.Vavilova, V.A.Kapitonov, A.V.Murashova, N.A.Pikhtin, I.S.Tarasov. "Investigation of self-organized nanoheterostructure properties in InGaAsP solid solutions", Proceed, of 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", 22-26 June, 1998, St.Petersburg, Russia, pp.280-282. Н.А.Берт, Л.С.Вавилова, И.П.Ипатова, В.А.Капитонов, А.В.Мурашова,

H.А.Пихтин, А.А.Ситникова, И.С.Тарасов, В.А.Щукин. "Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP структуры с модулированным составом", ФТП, 1999, т.ЗЗ, вып.5, сс.544-549.

L.S.Vavilova, V.A.Kapitonov A.V.Murashova, N.A.Pikhtin, I.S.Tarasov,

I.P.Ipatova, V.A.Shchukin, N.A.Bert, A.A.Sitnikova. "Spontaneously assembling periodic composition-modulated InGaAsP structures", Semiconductors, 1999, v.33, № 9, pp. 1010-1012.

I.S.Tarasov, L.S.Vavilova, V.A.Kapitonov, D.A.Livshits, A.V.Lyutetskiy,

A.V.Murashova, N.A.Pikhtin, G.V.Skrynnikov. "Peculiarities of photoluminescence and electroluminescence properties of spontaneously formed periodical InGaAsP/GaAs structures", Proceed, of 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", 14-18 June, 1999, St.Petersburg, Russia, pp.154-156. А.В.Мурашова, Н.А.Берт, Л.С.Вавилова, В.А.Капитонов,

B.Н.Неведомский, А.А.Ситникова. Г.В.Скрынников, И.С.Тарасов. "Исследование свойств спонтанно формирующихся периодических (СФП) InGaAsP структур с модулированным составом", IV Российская конференция по физике полупроводников:"275 лет Российской академии наук; Полупроводники 99", 25-29 октября, 1999, Новосибирск, Россия, с.153.

1. Л.С.Вавилова, В.А.Капитонов, Д.А.Лившиц, А.В.Лютецкий, А.В.Мурашова, Н.А.Пихтин, Г.В.Скрынников, И.С.Тарасов. "Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических InGaAsP структур", ФТП, 2000, т.34, вып.З, сс.325-329.

2. Л.С.Вавилова, В.А.Капитонов, А.В.Мурашова, И.С.Тарасов. "Особенности эпитаксиального осаждения твердых растворов InGaAsP в области неустойчивости", ФТП, 2000, т.34, вып.11, сс.1307-1310. 13. В.Н.Неведомский, Н.А.Берт, А.В.Мурашова, А.А.Ситникова, И.С.Тарасов. "Исследование методом просвечивающей электронной микроскопии распада твердых растворов InGaAsP", XVIII Российская конференция по электронной микроскопии ЭМ'2000, 5июня-8июня, 2000, Черноголовка, Россия, с.60.

В заключение я хочу выразить глубокую благодарность за руководство, внимание и поддержку при проведении работы моему научному гководителю И.С.Тарасову; сотрудникам Л.С.Вавиловой, И.Н.Арсентьеву, А.Капитонову, А.В.Лютецкому, З.Н.Соколовой, А.А.Ситниковой, Н.Неведомскому, Ю.Г.Мусихину, В.М.Бусову, Н.К.Полетаеву, .Ю.Лешко, А.Н.Андрееву при непосредственном участии и помощи >торых были выполнены исследования; а также сотрудникам теоретической >уппы лаборатории "Физики неравновесных процессов в полупроводниках" зоф. И.П.Ипатовой, В.А.Щукину, А.Н.Стародубцеву за плодотворное Зсуждение результатов работы и полезные консультации.

Заключение

1. T.Yamamoto, K.Sakai, S.Akiba, Y.Suematsu. "In^GaxASyPi./InP DH lasers fabricated on InP(lOO) substrates". IEEE J.Quantum Electron., 1978, v. 14, p.95.

2. R.J.Nelson. "Near-equilibrium LPE growth of low threshold current density InGaAsP (Х=1.35цт) DH lasers". Appl.Phys.Lett., 1979, v.35, №9, p.654.

3. N.A.Bert, A.T.Gorelenok, A.G.Dzigasov, S.G.Konnikov, T.B.Popova, V.K.Tiblov. "Epitaxial growth of InGaAsP solid solutions lattice-matched to InP". J.Cryst.Growth, 1981, v.52, p.716.

4. W.T.Tsang, F.K.Reinhart, J.A.Ditzenberger. "Molecular beam epitaxy grown 1.3цт InGaAsP/InP double heterostructure lasers". Electronic Letters, 1982, v.18, p.785.

5. Y.Noguchi, H.Yasaka, O.Mikami, H.Nagai. "High-power broad-band InGaAsP superluminescent diode emitting at 1.5цт". J.Appl.Phys., 1990, v.67, №5, p.2665.

6. Х.Кейси, М.Паниш. "Лазеры на гетероструктурах". М., Мир, 1987.

7. A.Knauer, G.Erbert, S.Gramlich, A.Oster, E.Richter, U.Zeimer, M.Weyers. "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of GalnAsP/GaAs". J.Electron. Mater, 1995, v.24, №11, p.1655.

8. M.A.Littlejohn, J.R.Hauser, T.H.Glisson. "Velocity-field characteristics of Gai.xInjJVyAsy quaternary alloys". Appl.Phys.Lett, 1977, v.30, p.242.

9. R.Kudela, M.Morvic. "Immiscibility in InixGaxPi.yAsy lattice matched to GaAs". Phys.stat.sol.(a), 1986, v.95, p.Kl.

10. S.Mukai, H.Yajima, J.Shimada. "Fabrication and visible-light-emission characteristics of room-temperature-operated InGaPAs DH diode lasers grown on GaAs substrates". J.J.Appl.Phys., 1981, v.20, №10., p.L729.

11. O.Ueda, S.Isozumi, S.Komiya. "Composition-modulated structures in InGaAsPand InGaP liquid phase epitaxial layers grown on (001) GaAs substrates". J.J.Appl.Phys., 1984, v.23, №4, p.L241.

12. E.Kuphal. "Phase diagrams of InGaAsP, InGaAs and InP lattice-matched to

13. InP". J.Cryst.Growth, 1984, v.67, p.441.

14. E.Kuphal, A.Pocker. "LPE growth of high purity InP and In^GaxPi-yASy ". J.Crystal Growth, 1982, v.58, p.133.

15. K.Bhattacharya, J.W.Ku, S.J.T.Owen, G.H.Olsen, S.H.Chias. "LPE and VPE Ini.xGaxASyPiy/InP: transport properties, defects and device consideration". IEEE J.Quantum Electron, 1981, QE-17, p. 150.

16. S.H.Groves, M.C.Plonko. "Liquid-phase epitaxial growth of InP and InGaAsP alloys". J.Crystal Growth, 1981, v.54, p.81.

17. K.Takahei, H.Nagai. "Instability of In-Ga-As-P liquid solution during low temperature LPE of In^GaxAs^Py on InP". J. J.Appl.Phys., 1981, v.20, p.L313.

18. M.Quillec, C.Daguet, J.L.Benchimol, H.Launois. "InxGai.xAsyPi.y alloy stabilization by the InP substrate inside an unstable region in liquid phase epitaxy". Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, №4, p.325.

19. G.Schemmel, R.Dorn, K.Hess, R.Linnebach, K.Losch. "LPE growth and characteristics of Gao.31Ino.69Aso.69Po.31/InP structures for photodetectors". Inst.Phys.Conf.Ser., 1983, v.65, p.209.

20. J.L.Benchimol, M.Quillec, S.Slempkes. "Improved mobility in InxGaixAsyPiy alloys using high temperature liquid phase epitaxy". J.Cryst.Growth, 1983, v.64, p.96.

21. R.F.Leheny, A.A.Ballman, J.C.De Winter, R.E.Nahory, M.A.Pollack. "Compositional dependence of the electron mobility in In^xGaxASyPi.y". J.Electron.Mater., 1980, v.9, p.561.

22. K.Lee, W.CJohnson, S.Mahajan. "Origin of coarse contrast modulations in Ino.53Gao.47As layers". Microsc.Semicond.Mater.Conf., 20-23 March Oxford, 1995, p.235.

23. H.B.Bebb, E.W.Williams, in Semiconductors and semimetals, edited by RK.Willardson and A.C.Beer (Academic, New York, 1972), v.8, chap.4, p.238.

24. G.S.Pomrenke, Y.S.Park, R.L.Hengehold. "Photoluminescence from Mg-implanted, epitaxial, and semi-insulating InP". J.Appl.Phys., 1981, v.52, p.969.

25. Y.S.Chen, O.K.Kim. "Near-band-gap absorption and photoluminescence of Ino.53Gao.47As semiconductor alloy". J.Appl.Phys., 1981, v.52, p.7392.

26. R.Dingle. "Radiative lifetimes of donor-acceptor pairs in p-type gallium arsenide". Phys.Rev., 1969, v. 184, №3, p.788.

27. В.М.Андреев, Л.М.Долгинов, Д.Н.Третьяков. "Жидкостная эпитаксия в технологоии полупроводниковых приборов". М., Советское радио, 1975.

28. S.N.Chu, S.Nakahara, K.E.Strege, W.D.Johnston. "Surface layer spinodal decomposition in Irti.xGaxAsyPi.y and Ini.xGaxAs grown by hidride transport vapor-phase epitaxy". J.Appl.Phys., 1985, v.57, №10, p.4610.

29. P.Roura, J.Bosch, S.A.Clark, F.Peiro, A.Cornet, J.R.Morante, R.H.Williams.

30. Quantification by optical absorption of the coarse modulation observed by transmission electron microscopy in InGaAs layers grown on InP(lOO)". Semicond.Sci.Technol., 1996, v. 11, p. 1310.

31. S.Mahajan, B.V.Dutt, H.Temkin, R.J.Cava, W.A.Bonner. "Spinodal decomposition in InGaAsP epitaxial layers". J.Cryst.Growth, 1984, v.68, p.589.

32. A.G.Norman, G.R.Booker. "Transmission electron microscope and transmission electron diffraction observations of alloy clustering in liquid-phase epitaxial (001) GalnAsP layers". J.Appl.Phys., 1985, v.57, №10, p.4715.

33. T.L.McDevitt, S.Mahajan, D.E.Laughlin, W.A.Bonner, V.G.Keramidas. "Twodimensional phase separation in Ini.xGaxAsyPiy epitaxial layers". Phys.Rev.B, 1992, v.45, p.6614.

34. A.Zunger, S.Mahajan. in "Handbook on semiconductors" edited by T.S.Moss

35. Elsevier Science B.V., 1994), v.3, ch.19, p.1426.

36. J.S.Roberts, G.B.Scott, J.P.Gowers. "Structural and photoluminescent properties of GaxInixP (x~0.5) grown on GaAs by molecular beam epitaxy". J.Appl.Phys., 1981, v.52, p.4018.

37. J.P.Gowers. "ТЕМ image contrast from clustering in Ga-In containing III-Valloys". Appl.Phys.A., 1983, v.31, p.23.

38. J.W.Cahn. "Spinodal decomposition". Trans.Met.Soc., 1968, v.242, p.166.

39. G.B.Stringfellow. "Miscibility gaps in quaternary III-V alloys". J.Cryst.Growth, 1982, v.58,p.l94.

40. K.Onabe. "Unstable regions in III-V quaternary solid solutions compositionplane calculated with strictly regular solution approximation". J.J.Appl.Phys., 1982, v.21, p.L323.

41. B. de Cremoux. "Instability criteria in ternary and quaternary III-V epitaxialsolid solutions". J.Physique, 1982, v.43, p.C5-19.

42. G.B.Stringfellow. "Spinodal decomposition and clustering in III/V alloys". J.Electron.Mater., 1982, v.l 1, p.903.

43. G.B.Stringfellow. "Immiscibility and spinodal decomposition in III/V alloys". J.Cryst.Growth, 1983, v.65, p.454.

44. А.Г.Хачатурян, Р.А.Сурнс. "Теория периодических распределений концентраций в пересыщенных твердых растворах". Кристаллография, 1968, том 13, вып. 1, с.83.

45. А.Г.Хачатурян. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М., Наука, 1974.

46. I.P.Ipatova, V.A.Shchukin, V.G.Malyshkin, A.Yu.Maslov, E.Anastassakis. "Formation of strained superlattices with a macroscopic period via spinodal decomposition of III-V semiconductor alloys". Sol.St.Commun., 1991, v.78, p.19.

47. И.П.Ипатова, В.Г.Малышкин, А.Ю.Маслов, В.А.Щукин. "Образование периодических структур с модулированным составом при когерентном разделении фаз в четверных твердых растворах полупроводников AinBv". ФТП, 1993, том 27, вып.2, с.285.

48. P.Ipatova, V.G.Malyshkin, V.A.Shchukin. "On spinodal decomposition in elastically anisotropic epitaxial films of III-V semiconductor alloys". J.Appl.Phys., 1993, v.74, №11, p.7198.

49. I.P.Ipatova, V.G.Malyshkin, V.A.Shchukin. "Compositional elastic domains in epitaxial layers of phase-separating semiconductor alloys". Phil.Mag.B., 1994, v.70, №4, p.557.

50. I.P.Ipatova, V.G.Malyshkin, V.A.Shchukin. "Self-organized composition-modulated structures in epitaxial layers of semiconductors". Phys.Low-Dim.Struct., 1994, v.7, p.l.

51. Д.Бимберг, И.П.Ипатова, П.С.Копьев, H.H.Леденцов, В.Г.Малышкин, В.А.Щукин. "Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур". УФН, 1997, том 167, вып.З, с.552.

52. Э. В.Г.Малышкин, В.А.Щукин. "Развитие неоднородностей состава при послойном росте эпитаксиальной пленки твердого раствора полупроводников AnIBv ". ФТП, 1993, том 27, вып. 11/12, с. 1931.

53. J.Tersoff. "Stress-driven alloy decomposition during step-flow growth".

54. Phys.Rev.Letters, 1996, v.11, №10, p.2017. L. I.P.Ipatova, V.G.Malyshkin, A.A.Maradudin, V.A.Shchukin, R.F.Wallis. "Kinetic instability of semiconductor alloy growth". Phys.Rev.B., 1998, v.57, №20, p. 12968.

55. V.A.Shchukin, A.N.Starodubtsev. "Self-organized growth of composition modulated alloys". Proc. 7th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", June 13-18, 1999, St.Petersburg, p.497.

56. V.A.Shchukin, A.N.Starodubtsev. "Lattice-matched alloy films: A novel system for self-organized growth of quantum dots". Extended abstracts of the 26th Int. Symp. on compound semiconductors, August 22-26, 1999, Berlin, Germany, abstract WeP-5.

57. J.E.Guyer, P.W.Voorhees. "Morphological stability of alloy thin films". Phys.Rev.B., 1996, v.54, №16, p.l 1710.

58. F.Leonard, R.C.Desai. "Chemical ordering during the surface growth". Phys.Rev.B., 1997, v.55, №15, p.9990.

59. E.A.Regek, H.Slichijo, B.A.Vojak, N.Holonyak. "Confined-carrier luminescence of an thin InGaAsP well (x~0.13; z~10;29; ~300 A) in an InP p-n junctions". Appl.Phys.Lett., 1977, v.31, №5, p.534.

60. Masahiro Asada. in "Quantum well lasers", edited by Peter S.Zory (Academic

61. Press, USA, 1993), chap.2, p.97. Э. R.L.Moon, G.A.Antypas, L.WJames. "Bandgap and lattice constant of GalnAsP as a function of alloy composition". J.Electron.Mater, 1974, v.3, p.635.

62. В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников. "Физика полупроводников". М, Наука, 1977, гл.9, с.294-314.

63. Д.З.Гарбузов, В.Б.Халфин. "Эффективность и времена излучательных переходов в прямозонном полупроводнике типа GaAs". Материалы IX Зимней школы по физике полупроводников, 652, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, Ленинград, 1980.

64. П.Хирш, А.Хови, Р.Николсон, Д.Пэшли, М.Уэлан. "Электроннаямикроскопия тонких кристаллов". М, Мир, 1968, с.61-74. '4. П.И.Баранский, В.П.Клочков, И.В.Потыкевич. Полупроводниковая электроника (справочник). Киев, "Hayкова думка", 1975, с.143.

65. Т.Мосс, Г.Баррел, Б.Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника. М, Мир, 1976, с.61. или

66. С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. М, Мир, 1984, т.1, с.49.