Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им. А.Ф. ИОФФЕ

На правах рукописи

РГБ ОД

. • I 3 ДЕК

СМИРНОВ ВАЛЕРИИ МИХАЙЛОВИЧ 1

МНОГОКОМПОНЕНТНЫЕ ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ НА ОСНОВЕ ваБЬ И пАэ, ПОЛУЧЕННЫЕ ИЗ РАСТВОРОВ-РАСПЛАВОВ, ОБОГАЩЕННЫХ .

;урьмой

Специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

, АВТОРЕФЕРАТ

диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Санкт-Петербург

2000

Работа выполнена в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе Российской Академии наук.

Научный руководитель:

кандидат физико-математических наук В.И.Васильев.

Официальные оппоненты:

доктор технических наук И.Н.Арсентьев,

кандидат физико-математических наук В.Г.Данильченко.

Ведущая организация:

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет.

Защита состоится " Ж". 2000 г. в _/$ часов на заседании

специализированного совета K003.23.0J в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН по адресу: 194021 Санкт-Петербург, Политехническая ул., д. 26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФТИ им. А.Ф.Иоффе.

Отзывы на автореферат в двух экземплярах, заверенные печатью, просьба высылать по вышеуказанному адресу на имя ученого секретаря диссертационного совета.

Автореферат разослан ”. /?" 2000 г.

Ученый секретарь диссертационного совета,

кандидат физико-математических наук Г.С.Куликов

Шз. ім.оічс., о

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность :омы. В последнее время исследователями ц нашей стране и за р\бежоу проявлаекч большой интерес к ппоблеме создания и- 1\ ИРОПО пшковых ОМЮЭЛеКГрОКиЫХ (фибиров, в первую очередь ла’зсроп и фогоирисмников, работающих и среднем инфракрасно:.* (ПК) спектроль-

ном диапазоне.

Для лаботы м мои области спсмра при; олн:>: приборы на ^снинс :е;с-ропереходов и система?; чешрехкимпонентных АЮаАзБЬ и СаЬАзБЬ, а также пятикомпонентнмх тпер","’: .'ГТТР'» • .ятклоч.-^

иичп:ии« п < :: !г.А^, лснви^жищие перекрыть диапазон 1,7-5,0 мкм.

Данный класс приборов важен как для создания волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) третьего поколения на основе флюоридных волокон, так и для решения глобальных экологических задач, прежде всего для экспрессного мониторинга окружающей среды, т. к. в среднем ИК диапазоне спектра находятся линии поглощения таких промышленных и природных газов. КПК стилен, мет”, £■;£::;>!: С:’р::пС;ь,гг Г”-”:' ' : Л;ЛЛ\ ‘ : л • ..

л’~: л!ч 'илал/л направлением лрлхлл.ллл ;,,ч-.-..лнкогл,.\ . <■«.ли1

!ера;ллга. ; Г<л’)Г ;. елт-капп1*. н'.' ел и-'/. > • чл*.- лсл.-.^п >г:!

ПЛТ;ЛЧЧ: VI,'ПЫМ К’.МСТ МО 1и I фЛС !' Е1Г Л' Лч;-. ,. ■ ■

и моменту начала выполнения ллллен л..л ль; ; 1 “-НП > -щиглые саовож :ТР) АЮаЛяНЬ и Са'пАхЯЬ были помусли.; различным;-' методами аыращивания. Жидкофазная эпитаксия (ЖФЭ) производилась в оенпп-мпш из рпстпопо!'. расплавов ::т ол .>,;е лл ,л'Плапчл\ мел,.. юн - лили : ■ нм ши I Особенно; I!' проиессои роста в данном случае

приводили к невысокому качеству гетеропереходов и низкой воспроизводимости структур, что не позволяло достичь уровня хаоактрригти*-гоп. Пол\чс!ШЫ\ па осноьс лрии' мнлнн: ■. п\ ч, гл. л :мл.>

ирепягстмием на путл со ;.гншя прпйирои среднею Ик лиапзчпи* довольно проиг/кеннаа облаем» несм-льпц-к-■-■•у. ■. 1 улс л:; > . Д л. , ч.

не позволяют?.;: т>л\чип. меюдо.м Ж 40 начесгвенные слои состава более х=0,26. ПТР Оа1пРА55Ь также не были получены до настоящего времени.

Разработка технологии выращивания, которая позволила бы решать эти задачи делает данную работу актуально}!, как с фундаментально научной, так и с практической точки зрения.

Целью настоящей работы являлся поиск новых методов в технологии ЖФЭ и исследование в этих условиях особенностей кристаллизации твердых растворов AlGaSb, GalnAsSb, AlGaAsSb и GalnAsPSb на подложках GaSb, что позволило бы качественно усовершенствовать, либо разработать (для ПТР) способы выращивания, обеспечить воспроизводимое получение изопериодическнх слоев заданного состава с высоким кристаллическим совершенством, а также изучить возможности эпитаксиального роста в области несмешиваемости.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

- расчет фазовых равновесий в системах GalnAsSb и GalnAsPSb и определение оптимальных условий кристаллизации в процессе ЖФЭ;

- исследование жидких фаз, обогащенных сурьмой, методом прямого визуально-термического анализа in situ для определения величины критического переохлаждения и температуры ликвидуса, либо уточнения (для Ga-ln-As-Sb и Ga-In-As-P-Sb) результатов теоретического расчета;

- определение точки перехода к непрямозонной структуре в полученных твердых растворах AlGaSb, критической толщины слоя, где начинается генерация дислокаций несоответствия, диапазона когерентного роста;

- исследование механизма управления параметром решетки в полученных твердых растворах AlGaAsSb;

- расчет положения и протяженности области несмешиваемости в системе GalnAsSb;

- получение четверных твердых растворов GalnAsSb в широком диапазоне составов, определение условий, необходимых для роста как однородных по составу слоев, так и слоев с признаками спннодального распада;

- получение ПТР GalnAsPSb, исследование их кристаллических и люминесцентных свойств;

- исследование особенностей фотолюминесценции (ФЛ) твердых растворов GalnAsSb, соответствующих но составу области несмешиваемости.

П:іуч!і.г-і_новтнл !іі -л \ 'ieiiiii.iv л рабою рез\лькпоп сосі от н слел> ю-

Ч

- жсиеримешально исследованы сурьмянистые обласні р'аян'л'.еены'. и

когерентных диаграмм состояния систем АКІзРЬ. G і!.-. \>~1> м

AKIaAsSb г. широком диапллклл сосіавоп. рег- лллплі л.:; с нею-л.'1 (ialn.AiSb сопоставлены с теоретическим расчетом, проведенном в приближении п*»гуп«р..._;;: p-;iUWUUo.

- .^юлхсние области несмешиваемости для системы GalnAsSb;

- изучены процессы кристаллизации и получены эпитаксиальные слои тройных AlGaSb и четверных твердых растворов GalnAsSb и AlGaAsSb, в том числе впервые с составами твердой фазы GalnAsSb, соответствующими области сшпюдалыюго распада;

- необходимые n• ~. лрл л.:.: . :~.л...■1; л / : ■

■!Є!і!С.;\ Л ..І.,'.. ( iailiA^Sb Л I \ г; 11,, л. ,,._л л ‘ л І! і.лі чис.л л Л. -‘ г. к ■ ■

лііипочалліл.[ л рллиалл. и 5\ лсл; і л:ом лчл' л л л . л,А. !'>■ ... -

ілм'Налілд.л; ело., н,

- лперпьи полччены и исследованы ПТР \ їді л!'А .л.

Осігошіьіеjіаучні.іє положення. выносимые на у.шшт

і Дач трехкомпонентных твердих растворов AixGa|.xSb существует критическая толщина эпитаксиалмтго с г. о-т, «яя-е лнор >ч к !Ч'< fle генерируются дислокации несоотчегстви,т. для илоев •; юделлллюсм д; х<0,2 эи величина не превышает 1 мкм.

2. Для получения качественных однородных слоев InxGai.xAsySbi.y, соответствующих по составу области отшодалллл; <> олл'адл нем'ходи'.о чтобы знак величині.і несоотвеїствия параметпор. і р геталлипцемл решеток (НІІР) слоя и подложки был отрицательным, то ест;, мипаксиальные слои были растянуты в плоскости роста, кроме тою, их юлщи-на не должна превышать 500А.

3. За счет увеличения коэффициентов активности компонентов в твердой фазе скорость осаждения эпитаксиальных слоев 1пхОа|.хА5у5Ь1_у, соответствующих по составу области несмешиваемости, уменьшается, достигая 500А/мин при х=0,4.

4. ПТР Оа^ГПчАБуРгБЬьу.,. изопериодические с ваБЬ при выращивании методом ЖФЭ на подложках баБЬ из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой, образуют непрерывный ряд твердых растворов в области составов 0,9<х<0,97; 0,04<г<0,1. Подтверждением отсутствия процессов распада в полученных ПТР является относительно высокая скорость их кристаллизации (2-5 мкм/мин).

5. Люминесцентные свойства ПТР Са1пАзР8Ь по сравнению с близкими по ширине запрещенной зоны твердыми растворами Са1пАз8Ь значительно улучшились, что вызвано тем, что для сохранения условия изопериодичности с ОаЭЬ требуется одновременное введение 1пР и 1п8Ь, результатом чего является увеличение величины спин-орбнтального расщепления Дм.

Практическая ценность результатов работы состоит в том, что:

- в твердых растворах АЮаБЬ определен диапазон когерентного роста, уточнено положение точки перехода к непрямозонной структуре;

- исследованы особенности вхождения Аб в жидкую фазу А^Оэ-Аб-БЬ, необходимого для компенсации НПР твердого раствора и подложки, растущего с увеличением концентрации А!, результаты возможно применить при получении согласованных эмиттерных слоев;

- получены твердые растворы Са1пА58Ь, соответствующие по составу области несмешиваемости, определены условия получения однородных по составу слоев;

- получены гетероструктуры Са1пА58Ь/Са8Ь с активной областью, близкой по составу к 1пАб, на основе которых были созданы светодиоды, излучающие на длинах волн 3,7-3,9 мкм при Т=77 К;

- предложен способ представления диаграмм состав-свойство для ПТР, который возможно использовать при определении параметров данных материалов;

- экспериментально получены и исследованы твердые растворы

InGaAsPSb, пригодные для создания излучателей диапазона 3-5 мкм и ТФЭГ;

- па основе разработанной методик” получения ■зілітаксиалмімх слоев GalnAsSb созданы шикопороювые (j=0,9 кА/см*) инжекшкмшые лазеры и бьісіродеГют>тоід!іе фотоприемннки (т-1 мкс) диапазона і.85-2,05 мкм, работающие при комнатной температуре,

Ajфооаіічя раооіьі. Материалы лии’ергашишной раб;;'::л док^алывалисп на след>ющих Всероссийских и Международных конференциях:

1st- 3rd Confcrcwcoj "Міи-йіГгягрп і '?ctrcr.:c;; аїл жк?

L'cvire^” (Lanca^ici, England, 19%; Prague, Czech Republic, 1998; Aachen, Germany, 1999), International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97 (St.-Petersburg, Russia, 1997), 3-ей Всероссийской конференции по физике полупроводников (Москва, 1997), 24th IEEE International Symposium on Compound Semiconductors (San Diego, CA, USA, 1997), 9th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (New Delhi iridi", I9”7). InieriNiriona'i Confere-ire v-r'iv-a: и.'ііщ "1 ' '

; ‘A -^etersivj:-:'. K'-sri. !9°Ч), У'" !гЧ'Л’.а;іо",аі о i In! 'лгіпіогціаг

у.:' 'rations in Mairiv(і ublin, Poland. :7

По материала \і !"'''.Ч‘р:а:;ног!:;( 'і р/■ йіп-- -v л:.;, "

ясчашы.ч тр> список ки;орых чріі'П.*.иіі . .інтор-. hep?,,.

Сгрчкппа и объем диссертации. Диесеріацил гостит іл гже.ісчпк че-плрел глав, заключения и списка цитируемой литературу, вк-дичающст і 47 наименований. Она содержит 113 страниц машинописного текст4.. 62 рис\ н:;и. 8 таблиц. Общий объем диссертации ; 70 e-pamm

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во пилении лбосііоваїі., лкг\ аллиес!). ;■ :т

следошшиИ, определены цели раОиіьі, приведено кпятюу» ^од? сергашш по главам, перечислены сп'св.’--:. ir- • ;;е л: мые на защиту.

Первая глава носнт обзорный характер, в ней рассматриваются работы, посвященные проблеме получения и исследования свойств эпитаксиальных слоев TP AlGaSb, GalnAsSb и AlGaAsSb, изопериодических с GaSb и InAs и создания гетероструктур на их основе. Приводятся различные модели, описывающие зависимости состав-свойства четверных твердых растворов. Рассматривается зонная структура данных соединений, показано, что GalnAsSb является прямозонным во всем диапазоне составов, a AlGaSb и AlGaAsSb имеют как прямую, так н непрямую структуру энергетических зон.

Проводится анализ работ, посвященных проблеме несмешиваемости в TP GalnAsSb. Приведены протяженность, положение границ, а также критическая температура для этой области, полученные как из расчетов методами строго регулярных растворов, дельта-параметра решетки, избыточных термодинамических функций, так и из экспериментов, доказывающих наличие несмешиваемости в данной системе. Дан обзор работ, посвященных получению методом ЖФЭ эпитаксиальных слоев InxGaj.xAsySbi.v вблизи границы зоны несмешиваемости. Максимальные значения составов ТР, изопериодических с GaSb достигали х=0,23; у=0,2 при выращивании на подложках GaSb(IOO) и х=0,26; у=0,23 при выращивании на GaSb(l 11)В.

Рассматриваются различные приближения (простых и регулярных растворов, избыточных термодинамических функций), используемые при расчетах фазовых диаграмм систем TP AlGaSb, GalnAsSb и AlGaAsSb.

Описываются различные режимы жидкофазного эпитаксиального роста AlGaSb, GalnAsSb !i AlGaAsSb. Показано, что при выращивании AlGaSb (как впрочем, и четверных твердых растворов) из металлических растворителей остро стоит проблема эрозии подложки при контакте с жидкой фазой, приводятся уравнения, позволяющие найти температурную область стабильности подложки. При росте с применением сурьмы в качестве растворителя опасность подрастворения подложки практически устраняется.

Рассматриваются особенности процессов кристаллизации методом ЖФЭ слоев GalnAsSb на подложках GaSb и InAs в зависимости от температуры выращивания. Для проведения эпитаксиального роста необходимо

гг L

экспериментально определить температуру ликвидуса Т и величину кри-

тического переохлаждения жидкой фазы ДТкр, что можно сделать используя дифференциально- (ДТА) или визуально-термический (in situ) анализ (ВТА). Рост TP GalnAsSb, близких по составу к inAs, проволился в основном на подложках InAs, для выращивания на GaSb предлагалось применять значительные переохлаждения жидких фаз (до 40°С) или использовать специальные методики (метод «холодной подложки» и др.). Указано, что для управления процессами ЖФЭ необходимо изучение кинетики роста, для чего возможно применять модель диффузионно-ограниченного роста из разбавленного, полубесконечного переохлажденного раствора-расплава.

Показано, что при ЖФЭ A!GiAiSi> оснокнмми проблемам;;, ^a.uvir-ниюии'ми получение согласованных структур, являются сложность введения в расплав требуемых количеств мышьяка и его большой коэффициент распределения.

Дан краткий обзор таких методов получения ТР на основе GaSb, как молекулярно-пучковая и газофазная эпитаксия с применением металлоорганических соединений, указаны их преимущества и недостатки.

Рассматриваются деформации в эпитаксиальных слоях AIGaAsSb и GalnAsSb, вызванные различием в коэффициентах термического расширения (КТР) материалов слоя и подложки. Приведены величины КТГ и максимальные упругие напряжения в различных структурах Пчкапно. чю основным механизмом образования дислокации несоответствия (ДН) в данных твердых растворах является генерация полупетель на поверхности слоя, причем в GalnAsSb плотной сетки ДН не образуется.

Указано, что по люминесцентным свойствам GalnAsSb и прямо^онные AlGaSb н AIGaAsSb не уступают монокристаллам узкозопных бинарных :оединений А3В5. По имеющимся данным излучательные характеристики гетероструктур InxGa|.xASySb|.y/GaSb зависят от удаленности состава твердого раствора от границ области несмешиваемости, а именно щнршга основной полосы ФЛ увеличивается с ростом х. В спектрах ФЛ твердых ряс-гворов, полученных методом ЖФЭ с использованием металлически растворителей, присутствует длинноволновая полоса, связанная со стехиометрическими дефектами.

Твердые растворы GalnAsSb характеризуются аномальной зависимостью показателя преломления п от Eg, т.е. при уменьшении Es уменьшается и п, поэтому в двойных гетероструктурах (ДГС) GaSb/GalnAsSb реализуется антиволноводный эффект. Поэтому предлагается два типа лазерных структур, либо активная область GalnAsSb заключается между широкозонными эмиттерами AlGaAsSb, либо между этими эмиттерами заключена ДГС GaSb/GalnAsSb. На основе структур первого типа созданы лазеры и светодиоды для диапазона Х= 1,8-2,4 мкм с плотностью порогового тока j= 5-7 кА/см2. Основным препятствием для улучшения рабочих характеристик таких приборов (уменьшение j и увеличение X) является безызлучательная рекомбинация. Для устранения данного эффекта предложено использовать лазеры с квантовыми ямами и сверхрешетками в активной области. В них наблюдалась минимальная плотность порогового тока 140 А/см2 и максимальная длина волны 2,78 мкм при Т=300 К.

Для одномодовых лазерных диодов на основе структуры второго типа, работающих на длине волны 2,2 мкм в непрерывном режиме, достигнуто максимальное значение характеристической температуры Т0= 132 К. Максимум выходной мощности для светодиодов в данной системе составлял 30-50 мВт в импульсном режиме и 1-5 мВт в непрерывном, для лазеров эта величина в импульсном режиме равнялась 700 мВт.

Сообщается о создании быстродействующих фотоприемников на основе p-i-n диодов на гетеропереходах GalnAsSb/GaSb.

Максимальная квантовая эффективность термофотоэлектрических преобразователей с фогочувствительным слоем GalnAsSb составляла 95% на длине волны 2,0 мкм.

Во второй главе описываются экспериментальные методики, которые были разработаны или применялись при выполнении настоящей работы. Подробно рассматривается устройство установки для эпитаксиального выращивания и установки для прямого ВТА in situ, а также детально описывается данный метод.

Третья глава посвящена теоретическому (для твердых растворов GalnAsSb и GalnAsPSb) и экспериментальному исследованию фазовых равновесий, описанию технологии этп аксиального выращивания, иссле-

дованию полученных слоев и изучению влияния технологических факторов на свойства таких слоев и гетероструктур. Раскрываются преимущества использования сурьмы при ЖФЭ тройных, четверных и пятерных систем на основе GaSb н InAs. К ним относятся повышение стабильности подложки по отношению к жидкой фазе, уменьшение концентрации стехиометрических дефектов, присущих GaSb и твердым растворам на его основе, уменьшение концентрации акцепторов и увеличение подвижности носителей заряда, повышение воспроизводимости процессов получения мною* слойных гетероструктур.

Описывается методика выращивания TP AUjaSb и AIGaAsSfc пі жидкпч фаз, обогащенных сурьмой. Путем измерений методом RTA in situ установлено, что для жидкой фазы Al-Ga-Sb величина ДТкр составляет 3-5°С в зависимости от состава. Получены зависимости, связывающие состав жидкой и твердой фаз AlxGa).,Sb. Твердые растворы AlxGa,.xSb выращивались в диапазоне составов 0,02<х<0,25. Из исследований рентгеновской дифракции обнаружено отклонение величины Да: от larcoiut Псі арча при составах твердого рас і пора х>0,14 (рис.!), которое гвчзл'.о с появлением и слоях ДН. вызванных заметным различием к пар.трах решеток слот и подложки. Другой причиной появления ДЬ являете? п; ..гниение kpmtwu - кой

ПХНИПШ I С l.js\ "С !(М!!П!ЬЬ! IfГТС-Г’ К0-

1'ороіі Лі і не ••■Чігр'іпуюіся. Выяснено, чго для исследованного /пиша :оиа составов такая критическая толщина со-

‘•'іаімяеі ~ і ,() уменьшение П'Л-

іцнш-ї слое:, позволило расширить диапазон их составов без ДН до х=0,185. На основании пройденных

;пме.',е'Чіі: ■, in опіч;, -..чл: диапазон

, О

noi ■ no.'j r'cc і a і, i \j м.

по резуль гатам ччни ік мі;ін-:исигні.і х ч: н-реі.г ' б, ,д -чдел ■ :• ;•

кл переход;. їх 0.2) і • прямой і. непрямі «ісрі етичесхих зон в

AlxGai_KSb. При достижении данного состава интенсивность ФЛ резко падала, становясь сравнимой с уровнем собственных шумов измерительной

0.00 0.05 0.10

X

Рис 1 Зависимость величины Да. сп

■ . .'I. ‘.jit, \ 14, '•>' • ЧІ'

н ,'1 1ч‘ ’ >.1 НИИ с Пег I'

установки. Для уменьшения НПР слоя АЮаБЬ и подложки предложено добавлять Аз в тройную жидкую фазу. Существенных изменений в величине ЛТкр добавка Аб не вызывает, однако значительно увеличивает температуру ликвидуса системы, что может привести к превышению переохлаждения над критическим, началу спонтанной кристаллизации в растворе-расплаве и уменьшению количества Аэ, поступающего в твердую фазу. Показано, что управление параметром решетки ТР при температуре роста 598,8°С возможно, если атомная доля Аз в жидкой фазе не превышает 2,94-10'4, иначе переохлаждение становится выше критического.

В приближении регулярных растворов было проведено теоретическое описание фазовых равновесий в системе Оа1пА58Ь. В рамках данной модели четверной твердый раствор представляется как гомогенная смесь четырех бинарных соединений. Для заданных температуры роста и состава твердой фазы вычислялись равновесные концентрации компонентов в жидкой фазе и температура ликвидуса. Приведены полученные изотермы ликвидуса жидкой фазы Са-йт-ЛБ-БЬ, соответствующей твердым растворам в интервале составов 0,04<х<0,20; 0,03<у<0,18. Полученные результаты уточнялись методом ВТА, некоторое расхождение между расчетом и экспериментом потребовало существенного изменения при последующих расчетах параметра взаимодействия в жидкой фазе аса-и» что может быть связано как с расположением рассматриваемых жидких фаз в металлоидной области фазовой диаграммы, так и со склонностью к образованию ассоциа-тов в системах антимонидов А^5. Результаты расчетов и измерений показали, что с ростом концентрации Аб в жидкой фазе при неизменном содержании ва и 1п температура ликвидуса увеличивается. При неизменной температуре эпитаксии увеличение доли Аб в жидкой фазе приводит к росту пересыщения раствора-расплава и к увеличению скорости кристаллизации.

При моделировании эпитаксиального осаждения проводился учет процессов массопереноса в рамках модели полного перемешивания. Расчет позволил определить диапазон изменения основных компонентов жидкой фазы, допустимый для получения твердых растворов одинакового состава. Показано, что коэффициент распределения Аб уменьшается по мере увели-

чения переохлаждения, в то время как коэффициенты распределения Са и !п остаются практически постоянными.

Для определения составов сосуществующих фаз в условиях воздействия внешних упругих напряжении по приводимым уравнениям осуществлялся расчет когерентной диаграммы состояния.

Поскольку протяженность и положение области спинодалыюго распада в системе Са1пАз5Ь определены недостаточно точно, был проведен расчет положения данной области на диаграмме состояния системы, для чего также использовалось приближение регулярных растворов. Результаты расчета показали, что спинодадыш кривая сходи» ь сюоону С|нАч-<!я5Ь квадрп-та составов, что справедливо при всех температурах эпитаксии ниже критической (1125°С). При понижении температуры выращивания твердого раствора область несмешиваемости расширяется. Анализ знака параметра ас, характеризующего энергию парных взаимодействий между ближайшими координированными атомами, расположенными в разных подрешетках, показал, что распад на фазы, обогащенными самым легкоплавким и самым тугоплавким бинарным компонентом дает больший выигрыш в свободной энергии, чем распад с образованием твердых растворов, обогащенных 1пД5 и Оа5Ь. Расчет проводился лишь с учетом юмогенной составляющей энергии деформации, характеризующей внутренние напряжения в решетке твердого раствора. Истинный предел метасгабилыюсти пересыщенного твердого раствора определяется когерентной спинодалыо, строящейся с учетом гетерогенной энергии деформации, связанной с внешними напряжениями, а именно, влиянием подложки.

Твердые растворы П^Оа^АБ^Ь,.,, изопериодические с ваБЬ были выращены в широком диапазоне составов (0,04<х<0,41; 0,9<х<0,98). Для роста использовались подложки ваБЬ ориентации (100) и (Ш)В. Экспериментально определенная величина критического переохлаждения гоставлялз ?-12°С для роста твердых растворов состава 0,04<хг-'0.25; и 16-24°С для роста твердых растворов состава 0,3<х<0,41, Слои с х<0,25 выращивались при Т~596-605°С, имели толщину 1,0-3,5 мкм, поверхность их была зеркальногладкой в интервале НПР -1,5-10''’ <^<1,5-10°. Полуширины кривых дифракционного отражения (КДО) рентгеновского излучения составляли 10-

30 угл.сек, что свидетельствовало о высоком кристаллическом совершенстве и однородности полученных слоев. Это подтверждается также профилями их поверхности, полученными с помощью профилометра ОЕКТАК. Для жидких фаз, соответствующих твердым растворам, близким по составу к 1пАз, величина критического переохлаждения составляла 15-20°С. Переохлаждение в процессе роста находилось в пределах 8-10°С, что существенно ниже, чем составляла эта величина (40°С) при использовании других методик выращивания таких твердых растворов. Эпитаксиальный рост на подложках СаБЬ проводился при температуре 560°С, при этом за 1 мин толщина слоя достигала 3 мкм. Получены зависимости составов ТР, измеренных на рентгеновском микроанализаторе, от составов исходных жидких фаз. Выращивание твердых растворов Оа1пАз8Ь, близких по составу к 1пАз, на подложках ваБЬ без использования специальных методик ЖФЭ служит доказательством высокой стабильности подложки по отношению к обогащенной сурьмой жидкой фазе.

Впервые методом ЖФЭ были получены твердые растворы Оа1пАз5Ь, соответствующие по составу области несмешиваемости. Слои выращивались при Т=575-600°С. Вне зависимости от степени однородности слоев скорость их роста быстро уменьшалась от 3 мкм/мин до 0,05 мкм/мин по мере увеличения содержания 1п в твердом растворе от х=0,2 до х=0,41, т.е. сдвига состава в область спинодалыюго распада. Максимальные полученные значения состава однородных и имеющих зеркально-гладкую поверхность слоев зависели от ориентации подложки баБЬ, составляя х=0,32 и х=0,41 для ориентации (100) и (111 )В, соответственно, причем качество поверхности слоев, выращенных на подложках (111)В, было, как правило, выше. Была обнаружена следующая анизотропия эффективных коэффициентов распределения компонентов К.(т,!„> К<|00)],, и К<|00,Л5> К<П|)Л5. По результатам анализа КДО, все слои выращенные в области несмешиваемости были разделены на две группы. На КДО слоев первой группы наблюдался только один пик, соответствующий твердому раствору, а селичнна относи-

-0 25 0 20 -0 15 -С 10 -0 05 ООО 0 05 0 10 0 15

0- 0Вр ,угл. сек

0-©г дгл.сек

Рис.2. КДО для однородного Рис. 3. КДО для эпитаксиального слоя эпитаксиального слоя 1п<1 л Оао.5*)Азо зыБЬолз, 1паз70ап/,зА5(иб5Ьо.ы с признаками

выращенного на подложке СаБЬ (1!1)В спинодального распада, выращенного на

(^=1,46-10°).

подложке ва5Ь (111)В (1 - {1=1.94-10‘.

2 - Г --1.55 II)'')

Ч'ДН

•;а-;

: I! ь

1 вдоль нормали к поверхности и растянуты в плоско-1а не превышала 0,05 мкм Для слоен второй группы на ь<1 Пп'кд, С(ч>1ж.-!ет»уюш!!е ТР с отрицательным и ио-т с, а слоях происходил процесс распада твердого рас-

■ ;'ча11ипокидали, тю дополнительный пик с положи-ч па кДО лштаксиальиих слосв толщиной более 200 А, причем его интенсивность нтпрстяля с увеличением толщины. Это д . д. ■ к мо:;' мог д. -дли;; : ; дад-'кн;- о- гстерограппьы) слоев с составами, соответствующими области спинодального распада, ослабляется положительное влияние растягивающей деформации вдоль

гетеоогпанииы Угтянппгтрип итл •^СТ'ГГТТГГТПТ’ТЛ •» ". слое.

МКМ) ЯВЛЯЮТСЯ чрлГплпнччх.. тп; ’ 1' ! г' .!! ( ; Ч;К'РОДНЫХ

В данной работе впервые были получены ПТР Са1лА5РБЬ. Преимуществом ПТР является наличие у них дополнительной степени свободы в управлении электрофизическими параметрами, а именно, возможность при фиксированных ширине запрещенной зоны и периоде кристаллической

Рис.4. Изопериодическая с ОаБЬ х1пхА5уРг5Ь[.у.;, изопериодических с

примера изображена изопериодическая с ваБЬ поверхность ПТР ОЭ|. х^хА^РгБЬ^у.г в концентрационной призме. Ширина запрещенной зоны данного соединения в зависимости от состава может изменяться в весьма широком диапазоне, т.е. существует возможность получить как узкозонные (на подложках ваБЬ и 1пАб), так и широкозонные (на подложках 1пР и ОаАз) слои Оа^ПхАЗуРгБЬ^у.г. На рис.5 прерывистыми линиями изображены пересечения изопериодической с ваБЬ поверхности ПТР Са,. х[пхА5уР28Ь1.у.2 и плоскостей, параллельных концентрационному квадрату СаЫАэБЬ, а сплошными линиями - проекции на плоскость х,у пересечений изопериодической с ОаБЬ поверхности с изоэнергетическими поверхностями. Из рисунка видно, что Оа^ПхАЗуР^Ь^.г изопериодны с ОаБЬ в диапазоне Е8=0,27-0,70 эВ.

решетки, независимо изменять какой-либо другой параметр (например, температурный коэффициент линейного расширения, диэлектрическую проницаемость и т.д.), что наряду с возможностью формирования в структурах с ПТР т.н. "идеального" гетероперехода крайне важно для создания оптоэлектронных приборов. Был проведен теоретический расчет параметров а и Е8 в зависимости от состава для ПТР Са).

поверхность в концентрационной призме твердых растворов Оа^ЛгкАв, Р,5Ь|.,

ваБЬ, 1пАб, 1пР и ОаАэ и получены уравнения, описывающие данные зависимости. На рис.4 в качестве

Фазовые равновесия в данных ПТР описывались в приближении регулярных растворов. Полученные значения равновесных концентраций компонентов в жидкой фазе уточнялись экспериментально. Для более точного установления температурных режимов выращивания гетероструктур в широком диапазоне НПР были определены зависимости температуры ликвидуса от концентрации компонентов, оказывающих на Т1 наибольшее влияние (Оа. Р, Ад). Величина ДТкр, определенная экспериментально, составила

СаАэ [пЛб

1 г '" .....г ■ ; ' "т------*

для пятикомпопапных жидких фаз 10-25°С, Температурный интервал роста ПТ!5 находился в пределах 565-5Н5°С. Эпитаксиальные слои 1пхСа,.

близкие к изоиериодическим с Са8Ь, были получены в диапазоне составов 0,9<х<0,97; 0,74<у:?0,85 и 0,04<г<0,1 при величинах переохлаждения 10-20°С. Полуширина К ДО лучших образцов составляла 30-40 угл. сек, что говорило об их кристаллическом совершенстве, а наличие резких гетерограниц подтверждалось данными вторично-ионной масс-спектрометрпи (ВИМС). Интенсивность ФЛ в ПТР в 5-7 раз превышала аналогичную для слоев Са1пАБ8Ь с близкими значениями ширины запрещенной зоны, что вызвано подавлением процессов поглощения вследствие изменения структуры валентной зоны. Было обнаружено, что коэффициент сегрегации Са в ПТР в 1,5-2,0 раза превышает его значение для Оа1пАз8Ь.

Изучение особенностей кристаллизации эпитаксиальных слоев СайтАББЬ и АЮаАзЗЬ позволило выявить следующие закономерности:

1. Максимальные значения полуширин КДО эпитаксиальных слоев Оа!пАз8Ь, выращенных из растворов - расплавов на основе БЬ не пре-

Рис Л Проекции пересечений непериодической и изоэнергетических поверхностей для ПТР Са|-ч1пчА5уРг5Ь|.у.2: прерывистые линии - пересечения изопериоди-ческой с ваЗЬ поверхности и плоскостей, параллельных концентрационному квадрату Са1пА55Ь, сплошные линии - проекции на плоскость х,у пересечений изо-нериоличсекон с Г,а>.Ь поаерхносш с ижергетичсекнми поверхностями

вышали 40 угл.сек., что, по имеющимся литературным данным, меньше чем для лучших по структурному совершенству слоев, полученных из металлических растворов - расплавов.

2. Минимальные значения полуширин КДО данных эпитаксиальных слоев с составами, находящимися вне области несмешиваемости, были близки к величине Д©0=11 угл. сек., то есть являлись такими же, как у монокристаллических подложек ваБЬ.

3. Для полученных слоев АЮэАбБЬ максимальные значения полуширин КДО (~30 угл. сек.) были существенно ниже, чем сообщалось до этого в литературе (90 угл. сек.), а минимальные также были близки к 11 угл. сек.

4. Полуширина КДО подложки Д02 всегда была меньше, чем у слоя Д0Ь • причем с увеличением последней росла и полуширина КДО подложки. При малой толщине полученных слоев, возрастание полуширин их КДО не приводило к увеличению полуширины КДО подложки.

5. По мере увеличения переохлаждения жидкой фазы, значения полуширины КДО слоя Са1пАз8Ь и подложки вначале монотонно убывали, достигая минимальных значений, близких к Д0О, а затем начинали возрастать. Значения Д©1, Д02, близкие к Д©0, могут быть получены для эпитаксиальных слоев в интервале НПР -1,5-10° < ^<1,6-10'3.

6. В области НПР Гх=(0,8-1,0)10'3 при комнатной температуре, соответствующей крайне малому рассогласованию при температуре роста (Тв=0) интервал переохлаждений, необходимый для получения слоев, в которых Д©1 и Д©2 приближаются к Д©о, составлял 1,5-2,0°С. С увеличением величины ГЕ данный интервал сужался.

Доказательством устойчивости подложки по отношению к жидкой фазе являются приведенные профили распределения концентраций элементов по глубине, полученные методом ВИМС для структур АЮаАзБЬ/СаБЫТе и Оа1пА58Ь/ОаВЬ:Те. В слоях не было обнаружено присутствия Те, что говорит об отсутствии в ходе роста процессов разрушения подложки и перехода ее компонентов в жидкую фазу. Показано, что для уменьшения толщины переходного слоя, возникающего в начале роста из-за сильной неравновес-

пости системы "жидкая фаза-тпсрдьгн раствор" необходимо выбрать оптимальное переохлаждение, вблизи которого в узком температурном Интерполе ?,?о;тч'ст боттъ реализован стабильный режим планарного эпитаксналь-

?’ОГО ростл.

П четпегмой гл_апе рдссмафиваюгся особенности спектров ФЛ эпитаксиальных слоев GalnAsSb. нол\ченных а области несмешиваемости, а так' м п(ч:!г)!;р\егс; применелче разработанных методик эпитаксиального

■ in создания различных оигоэлекгронных приборов среднего ИК диапазона.

* CjJuCB \j*ii Л.А.э^эЬ, jitsridliiИл bHt; OUJmCiH

несмешиваемости, показали, что спектры излучения содержат только одну линию, соответствующую межзонным переходам. При этом длинноволновая линия, соответствующая переходам на акцептор, определяемый дефектом решетки, отсутствовала, что доказывает существенное снижение концентрации стехиометрических дефектов при использовании сурьмянистых растворов-расплавов. Спектры ФЛ слоев, соответствующих области епшго-

ллльного раснала. были глух типов. Для однородных по составу слоев в спектре присутствовал пик, соответствующий /."2.3-2.Л мкм с полушириной полосы ФЛ 20-25 ,\; )В. Дгы слоев с признаками спино-лального распада полуширина полосы межзонной рекомбинации увеличивалась ло 50 м~Р. Исследования рттопшя толттпд )!1П1П!ал1алы101 о слоя на люминесцентные свойства показали, что в слоях толщиной Оолее 20UA наблюдается уменьшение интенсивности излучения и увеличе->!■' •!>•>, . ,..«•••.! [ рекомбинации, что,очевидно связано с

г;pu;i;i.;..:< 1 jo " *■;i;,!■«'!(иixc>i про;..ссон спинодалыюго распада 'ГР (рис.6).

Прелао-кс: а л -леа пновала -.-one грукция инжекционного ДГС лазера, '.г. 'Ч'чаюо - себ- 4KH№HV... ООлаСГЬ П-ГИПа Gno/^In ^dsASooTSbu.oj толщиной 0,7-0,8 мкм, верхний и нижний эмиттерные слои AIo^Gao.jglno.oz-Aso.t» Sb0 97 р и n-типа толщиной 1,5 мкм, легированные Ge и Те^соответственно,}!

Гис 6 Эволюция формы спектров ФЛ твердого паствопа мАяп v.Sb<i<,j

d=360 А, 3-d=200 А).

контактный слой ОаБЬ:Те. Величина относительного НПР слоя и подложки ваБЬ равнялась 5-10"4 для эмиттеров и ЫО'3 для активной области. Спектры генерации лазеров с резонатором Фабри-Перо состояли из нескольких ' продольных мод, расположенных вблизи основной. Длина волны спонтанного излучения находилась в пределах 1,95-2,05 мкм в зависимости от небольших вариаций НПР, плотность порогового тока структур с широким контактом была равна 900 А/см2, что сравнимо с лучшими мировыми результатами для таких ДГС лазеров, характеристическая температура составляла 66 К.

Созданы светодиодные ДГС Са1пАзБЬ/Оа5Ь для спектрального диапазона 4-5 мкм. Активной областью являлся слой твердого раствора 1пхОа|. хАзу8Ь|_у толщиной 3 мкм, близкого по составу к 1пАз (0,9<х<0,98). Для легирования активной области применялись Те для получения п-типа проводимости я ве, Мп, 2п для р-типа. Минимальная ширина полосы ФЛ и максимальная интенсивность наблюдались в нелегированных и легированных Ъл слоях при относительном НПР МО'3. При Т=77 К длина волны электролюминесценции находилась в диапазоне 3,7-3,9 мкм, при повышении температуры до комнатной интенсивность излучения резко падала из-за возрастания роли оже-рекомбинации в Са1пАзБЬ.

В качестве'элемента оптопар созданы работающие при комнатной температуре фотоприемники. Гетероструктура состояла из эмиттерного слоя р-ОаБЬ:Се толщиной 5 мкм, фоточувствительного слоя п-Оа1пАзБЬ:Те толщиной 5 мкм и второго эмиттерного слоя п-ваБЬ толщиной 2 мкм. Приборы имели темновые токи 20-30 мкА при напряжении обратного смещения 1 В, максимальная скорость фотоответа равнялась 1 мкс, максимум чувствительности приходился на длину волны 1,88 мкм.

В заключении сформулированы основные результаты, полученные в ходе выполнения диссертационной работы.

- Изучена когерентная диаграмма состояния системы ОэЧп-Аб-БЬ и на основании модели регулярных растворов с учетом процессов массопе-реноса в приближении полного перемешивания компонентов произведен теоретический расчет составов и температур ликвидуса жидких

фаз, обогащенных сурьмой. Расчетные величины температуры ликвидуса уточнялись экспериментально методом прямого ВТА in situ.

- Изучены особенности кристаллизации твердых растворов AlGaSb, AlGaAsSb н GdinAbSb из растворов-расплавов на основе сурьмы, разработаны методики, позволяющие получать эпитаксиальные слои, близкие но кристаллическому совершенству к монокристаллам бинар-

- Определен диапазон когерентного роста, изучено влияние НПР на

Iw. w vuviit. i » w-1 wpvsvi м г л i у \j dkjb/ исим). vioHncnd im*

.чижепис точки перехода от прямой к непрямой структуре энергетических зон в твердом растворе AiGaSb.

- Теоретически рассчитаны положение и протяженность области несмешиваемости в системе GalnAsSb.

- Впервые получены твердые растворы GalnAsSb с составами, соответ-

ствующими области спинодального распада, исследованы их кристал-

- :: о. Иг чи ,'::мх ;чк ".,au-.-i,н>. i:-: юеч и

■ ■ г. I'. i. и 1 ы j L) (рис; Hi, т.

- : 1ро;:е;:л: ;Jo.'CTii’iecKsni р;'счсг pa-noiu гноП диаграммы сосю.чним ::лM!:{o',iiioi;cw;tioii сис^мь; Ga-Sn-As->’-S!'). Па основании полученных д.'.н.чих впервые вырашены такие твердые растворы, изучены их люминесцентные с п о ис Iва.

- С применением разработанных технологий созданы низкопороговые инжеышонные гетеролазеры и быстродействующие фогоприемники, рисот тощие па длине нолны -2 мкм при комнатной температуре, а также длинноволновые светодиоды, излучающие в диапазоне 3,7-3,9 мкм при Т=77 К.

Основные результаты диссеришнонной работы изложены в следующих

О^ННчыЦИЯХ. -

1. В.И.Васильев, Л.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, А.В.Лунен, В.М.Смирнов. Низкопороювые лазерные двойные гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/ AlGalnAsSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии из сурьмянистых растворов-расплавов.//Письма в ЖТФ, 1996,т.22, в.2, с. 15-18.

2. Deryagin A.G., Faleev N.N., Smirnov V.M., Sokolovskii G.S., Vasil'ev V.l. High quality AlGaSb, AlGaAsSb, InGaAsSb epitaxial layers grown by LPE from Sb-rich melts.//Abstracts of int.Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Lancaster,England,17-18 September 1996, p.57-58.

3. V.M.Smirnov, D.Akhmedov, V.l.Vasil'ev, T.S.Tabarov and l.A.Zhebulev. GalnAsSb/GaSb double heterojunction room temperature photodetectors.// Abstracts of Int.Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Lancaster,England,17-18 September 1996, p.55-56.

4. D.Akhmedov, V.l.Vasil'ev, N.N.Faleev, V.M.Smirnov, A.G.Deryagin, T.S.Tabarov. Growth and characterisation of GalnAsSb/GaSb double heterostructures for optoelectronic devices operating in infrared range.//Abstracts of the Int. Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97. St.-Petersburg,Russia,9-13 June 1997.

5. Deryagin A.G., Faleev N.N., Smirnov V.M., Sokolovskii G.S., Vasil'ev V.l. High quality AlGaSb, AlGaAsSb, InGaAsSb epitaxial layers grown by LPE from Sb-rich melts.//IEE Proceedings, Optoelectronics,1997,v.l44, N6, p.438-440.

6. В.И.Васильев, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, В.М.Смирнов, Г.С.Соколовский, Н.Н.Фалеев. Получение твердых растворов GalnAsSb, изопериодических с GaSb вблизи границы зоны несмешиваемости методом ЖФЭ из растворов-расплавов, обогащенных Sb./УТруды 3-ей Российской конференции по физике полупроводников,Москва,1-5 декабря

1997, с.286.

7. Д.Ахмедов, В.И.Васильев, А.Г.Дерягин, В.М.Смирнов, Г.С.Соколовский,

Н.Н.Фалеев. Получение методом ЖФЭ высококачественных гетероструктур GalnAsSb/GaSb из растворов-расплавов, обогащенных БЬ.//Уч. Зап. Худжандского гос. университета им. акад. Б.Гафурова (Таджикистан), 1997, N1, с. 18-23.

8. V.A.Mishoumyi, F.de Anda, A.Yu.Gorbatchev, V.l.Vasil'ev, V.M.Smirnov and N.N.Faleev. Multicomponent Sb-based solid solutions grown from Sb-rich liquid phases.//Proc. of 24-th IEEE Int. Symp. on Compound Semiconductors. San Diego,USA.8-11 September 1997, p.37-40.

9. Akhmedov D., Denagin A.G.. Karandashov S.A., Kuchinskii V.I., Smirnov V.M., Sokolovskii G.5., Vasil'ev V.l. GalnAsSb/GaSb double heterostructure liglil emitting diodes fabricated by I.PE from Sb-rich

aiciis./. Proc.SPlE, 1 УУ8,у.23 i 6, p. 162-16-1.

!0 i j Л1. Пас ил !-св. А.ГДерчпш. В.И.Кучинский. В.М.Смирнов.

Г.С.Соколовекнй, Д.11.Трс1Ы1ков, Н.Н.Фалеев. Свойства твердых рас; < ;ninAsSb и облает i шптеалыюго распада, полученных m сурьми-HnCioix растворов-расштьов мсюдом жидкофазной лштксииУ/Писыла а

ЛЬ'ТгЪ 1 ООЙ т ОЛ о А Г

II. V .1. у (1Д11 с V, V . i . IV liCi 111 iSK I i, 1 . i ' . £ ivlt

G.S.Sokolovskii, D.N.Tretyakov, M.P.Scheglov. Isoperiodical

heterostructures GalnAsSb/GaSb LPE-grown from Sb-rich melts in spinodal decomposition area.//Abstracts of 2-nd Int. Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Prague,Czech Republic,26-27 March

1998, p.42.

•2. r.Je- Anda. A.Yti.Gorbatchcv, V.M.Smirnov

■ ' .'MGaAsSb :hk! AiGainAsSb from Sb-rich

. . ■ : T\-- ДЛ’есЬпо! .:0Q8,v.33. N3. p.437-164.

15 '• ■. ' ’ -\* hmcdov. Л Сi.[)t.rv({gi11 V.I.KucJiinskii. I.P.Nikitina,

- ' ■ '■ Пел<ik'-\ GalnAsSbXJaSb П:ierostructures 1.РГ-

. .mi .ruin ; \.h me its id 'vpmoJai decomposition area. Abstracts of Int. ( . ,u. ' Гг.-,-:.s . ■ !iu- Turn ot [lie 21-si Centui\". September 28-October 2,1998, St. Petersburg,Russia, p. 103. i ■ ' ■ . i . : ' . л: . Sriir:::;', ' >! iMizneiM)'. V.V.. og,no\'itska;,a

, (■' t ! i'.c of 4'i ,. .V; region-. щ the phase diagrams {if

Ga-In-As-Sb, Ga-In-P-As-Sb and Al-Ga-In-As-Sb multicomponent syqums.'/Proc. of 5-th Int. Conf. on Intermolecular Interactions in Matter.

........N'kitii'.a, ' ' Млт.а'г.о',, D N. Ппулк'.д. Isoperiodica!

i■'lalnAsSi''-.'.Sl' prown b\ ! pp from Sb-rich melts in dv;jmpoiit:ur: area.//Matemls Science and

Engineering,1999,v.B66, N1-3, p.67-69.

16. В.И.Васильев, Д.Ахмедов, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, И.П.Никитина,

В.М.Смирнов, Д.Н.Третьяков. Гетероструктуры GalnAsSb/GaSb, выращенные в области спинодального распада методом ЖФЭ из растворов-расплавов, обогащенных БЬ.//ФТП,1999,т.ЗЗ, N9, с.1134-1136.

17. V.I.Vasil’ev, M.V.Baidakova, E.A.Kognovitskaya, V.I.Kuchinskii,

I.P.Nikitina, V.M.Smirnov. Growth and characterization of GalnAsPSb pentanary solid solutions, isoperiodic to GaSb substrates.//Abstracts of 3-rd Int. Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Aachen,Germany, 5-7 September 1999, paper 0-9.

Отпечатано в типографии ПИЯФ РАН 188300, Гатчина Ленинградской обл., Орлова роща Зак. 431, тир. 100, уч.-изд. л. 1,5:23.10.2000 г.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ АЮаБЬ, 1пСаАз8Ь, АЮаАэБЬ И ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1 Твердые растворы АЮаБЬ, 1пОаАз8Ь и АЮаАзЗЬ.

1.1.1 Характеристика систем твердых растворов.

1.1.2 Области несмешиваемости твердых растворов 1пСаАз8Ь и

АЮаАвЗЬ.

1.1.3 Диаграммы состояния.

1.1.4 Методы получения твердых растворов АЮаЭЬ, 1пОаАз8Ь и АЮаАяБЬ. а). Жидкофазная эпитаксия АЮа8Ь. б). Жидкофазная эпитаксия 1пОаАз8Ь. в). Жидкофазная эпитаксия АЮаАзБЬ. г). Другие методы эпитаксиального выращивания.

1.2 Гетероструктуры в системах АЮаБЬ, 1пОаАз8Ь и АЮаАзБЬ.

1.2.1 Особенности гетеропереходов 1пОаАз8Ь и АЮаАз8Ь/Оа8Ь.

1.2.2 Люминесцентные свойства твердых растворов АЮа8Ь, 1пОаАз8Ь и АЮаАвЗЬ.

1.2.3 Излучательные приборы на основе гетеропереходов тройных и четверных твердых растворов АЮа8Ь, 1пОаАз8Ь и АЮаАз8Ь.

1.2.4 Фотоприемники на основе гетеропереходов твердых растворов АЮа8Ь, 1пОаА88Ь и АЮаАвЗЬ.

1.2.5 Термофотоэлектрические элементы.

1.3 Выводы.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ВЫРАЩИВАНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ

ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ И ГЕТЕРОСТРУКТУР.

2.1 Получение эпитаксиальных слоев АЮаБЬ, АЮаАзЗЬ, 1пваА88Ь и 1пОаРАБ8Ь.

2.2 Определение характеристик жидкой фазы Т1' и АТкр.

2.3 Получение двойных гетероструктур.

2.4 Методики исследования эпитаксиальных слоев и гетероструктур.

2.4.1 Фотолюминесценция и электролюминесценция.

2.4.2 Определение НГТР и состава эпитаксиальных слоев.

ГЛАВА 3. ПОЛУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ЖФЭ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ

СЛОЕВ АЮа8Ь, ЫгаАвЗЬ, АЮаАвЗЬ и 1пОаАзР8Ь.

3.1 Преимущества сурьмы как растворителя при ЖФЭ АЮаБЬ, Ый^Ь, АЮаАвЗЬ и МгаАвРЗЬ.

3.2 Выращивание слоев твердых растворов АЮа8Ь и АЮаАзБЬ из растворов - расплавов на основе сурьмы.

3.3 Моделирование процессов выращивания твердых растворов

ГпОаАзБЬ из растворов - расплавов на основе сурьмы.

3.4 ЖФЭ слоев твердых растворов 1пхОа)хА8у8Ь1-у из растворов-расплавов, обогащенных 8Ь.

3.5 Теоретическое моделирование и практическая реализация жидкофазного эпитаксиального роста пятикомпонентных твердых растворов Са1пАзР8Ь.

3.6 Исследование влияния технологических условий выращивания на кристаллическое совершенство гетероструктур.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ 1пОаАз8Ь И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ.

4.1 Особенности фотолюминесценции эпитаксиальных слоев 1пОаАз8Ь, соответствующих по составу области несмешиваемости.

4.2 Инжекционные лазеры с резонатором Фабри-Перо в системе ОаГпАзЗЬ/АЮаЬъАзБЬ/ОаЗЬ.

4.3 Светодиодные ДГС Оа1пАз8Ь/Оа8Ь для спектрального диапазона

4-5 мкм.

4.4 Фотоприемники на основе ДГС Са1пА58Ь/Оа8Ь.

4.5 Выводы.

В последнее время исследователями в нашей стране и за рубежом проявляется большой интерес к проблеме создания полупроводниковых опто-электронных приборов, в первую очередь лазеров и фотоприемников, работающих в среднем инфракрасном (ИК) спектральном диапазоне. Как известно, вначале для волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) использовался диапазон длин волн 0,8-0,9 мкм, в котором применялись лазеры на гетеропереходах АЮаАБ-ОаАз, подобные созданным впервые лауреатом Нобелевской и Ленинской премий академиком Ж.И. Алферовым с сотрудниками в 1960-70 гг. в ФТИ им. А.Ф. Иоффе. В дальнейшем в ВОЛС на основе кварцевых стекловолокон применялись источники излучения, работающие в спектральном диапазоне 1,3-1,6 мкм, так как ему соответствуют минимум оптических потерь и нулевая дисперсия в данном стекловолокне. Толчком к освоению более длинноволнового участка спектра послужило открытие в 1984 г. того факта [1], что в флюоридных стеклах в среднем ИК диапазоне спектра 2,0-4,5 мкм оптические потери составляют менее 0,01 дБ/км, что на порядок ниже, чем в кварцевых волокнах в диапазоне 1,3-1,6 мкм.

Для создания элементной базы ВОЛС в этой области спектра подходят приборы на основе гетеропереходов в системах четырехкомпонентных твердых растворов АЮаАзБЬ и Оа1пАз8Ь, а также пятикомпонентных твердых растворов (ПТР) 1пОаРА88Ь, изопериодических с Оа8Ь, позволяющие перекрыть спектральную область 1,7-5,0 мкм. Данный класс приборов важен также для решения глобальных экологических задач, прежде всего для экспрессного мониторинга окружающей среды, так как в среднем ИК диапазоне спектра находится большинство линий поглощения промышленных и природных газов (этилена - 3,17 мкм, метана - 2,3 и 3,3 мкм, ацетона - 3,4 и 4,6 мкм, диоксида азота - 3,9 и 4,5 мкм, сернистого ангидрида - 4,0 мкм, углекислого газа - 4,27 мкм, оксида углерода (II) - 4,7 мкм и других) [133,137]. Еще одним направлением применения полупроводниковых систем на основе ва8Ь является создание термофотоэлектрических генераторов (ТФЭГ), являющихся экологически чистыми источниками энергии, интерес к которым заметно возрос в последние годы [134].

К моменту начала выполнения настоящей работы (1993 г.) твердые растворы АЮаАзБЬ и СаГпАяЗЬ были получены методами жидкофазной эпи-таксии (ЖФЭ), молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), газофазной эпитак-сией из металл-органических соединений (МОГФЭ) и другими. Жидкофаз-ный рост производился в основном из растворов - расплавов на основе легкоплавких металлов - галлия и индия. Однако, особенности процессов эпи-таксиального роста в данном случае приводили к невысокому качеству гетеропереходов и низкой воспроизводимости структур, что не позволяло достичь уровня характеристик приборов, полученных для других соединений

3 5

А В . Вместе с тем в системе Оа1х1пхА8у8Ь1-у существует довольно протяженная область несмешиваемости, что также является значительным препятствием на пути создания оптоэлектронных приборов, действующих в среднем ИК диапазоне. В литературе отсутствовали сведения о получении методом ЖФЭ качественных эпитаксиальных слоев с составами твердой фазы более х=0,26. ПТР 1пОаРА88Ь также не были получены до настоящего времени. Разработка технологии выращивания, которая позволила бы решать эти задачи делает данную работу актуальной, как с фундаментально научной, так и с практической точки зрения.

Целью настоящей работы являлся поиск новых методов в технологии ЖФЭ и исследование в этих условиях особенностей кристаллизации твердых растворов АЮаБЬ, Оа1пАз8Ь, АЮаАз8Ь и 1пОаРАз8Ь на ваЗЬ, которые позволили бы качественно усовершенствовать, либо разработать (для ПТР) процессы выращивания, обеспечивая воспроизводимое получение изоперио-дических слоев заданного состава с высоким кристаллическим совершенством, проникнуть в область несмешиваемости, что позволит получить эпитак-сиальные слои с уникальными свойствами, и в целом более детально исследовать свойства и характеристики эпитаксиальных слоев и гетероструктур.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения.

Основные результаты, полученные в настоящей главе заключаются в следующем.

1. Экспериментально изучены спектры фотолюминесценции эпитаксиаль-ных слоев 1пхОа1хА8у8Ь1у в широком диапазоне составов (0,04<х<0,4). Показано, что в спектрах ФЛ твердых растворов, выращенных из жидких фаз, обогащенных сурьмой отсутствует полоса, связанная со стехиомет-рическими дефектами, присущими антимониду галлия. Форма спектров ФЛ твердых растворов, соответствующих по составу области несмешиваемости зависит от толщины эпитаксиального слоя; в слоях толщиной более 200 А наблюдалось уменьшение интенсивности излучения и увеличение ширины полосы межзонной рекомбинации.

2. Созданы инжекционные лазеры на основе ДГС Оа8Ь/Са1пА58Ь/АЮа1пА88Ь. В данных приборах реализована генерация при комнатной температуре, длина волны излучения А,=1,95-2,05 мкм, характеристическая температура Т0=66 К. Плотность порогового тока лазеров составляла 0,9 кА/см , что является одним из лучших результатов для подобных ДГС структур.

3. Предложена и реализована методика выращивания эпитаксиальных слоев 1пхОа1хА8у8Ь1у, близких по составу к 1пАз (0,9<х<0,98) на подложках Оа8Ь. Разработанная методика позволила создать светодиодные ДГС Оа1пАз8Ь/Оа8Ь, излучающие на длине волны А,=3,7-3,9 мкм при Т=77 К.

4. Созданы эффективные фотоприемники на основе структуры Оа1пА88Ь/Са8Ь, обладающие быстродействием т=1 мкс и имеющие максимум чувствительности на длине волны 1,88 мкм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

В результате выполнения диссертационной работы получены следующие основные результаты.

1. Изучена когерентная диаграмма состояния системы Ga-In-As-Sb и на основании модели регулярных растворов с учетом процессов массопереноса в приближении полного перемешивания компонентов произведен теоретический расчет составов и температур ликвидуса жидких фаз, обогащенных сурьмой. Расчетные величины температуры ликвидуса уточнялись экспериментально методом прямого визуально-термического анализа in situ. Это позволило получить данные для проведения процессов жидко-фазной эпитаксии твердых растворов GalnAsSb, близких к изопериодиче-ским с GaSb.

2. Изучены особенности кристаллизации твердых растворов AlGaSb, А1-GaAsSb, GalnAsSb из растворов-расплавов на основе сурьмы, разработаны методики, позволяющие получать эпитаксиальные слои, приближающиеся по кристаллическому совершенству к монокристаллам бинарных соединений А3В5.

3. Определен диапазон когерентного роста, изучено влияние несоответствия параметров кристаллических решеток на люминесцентные свойства гете-роструктур AlGaSb/GaSb, а также уточнено положение точки перехода от прямой к непрямой структуре энергетических зон в твердом растворе AlxGabxSb.

4. Теоретически рассчитаны положение и протяженность области несмешиваемости в системе InGaAsSb.

5. Впервые практически синтезированы твердые растворы InGaAsSb с составами, лежащими в области спинодального распада, исследованы их кристаллические и люминесцентные свойства. Определены условия, необходимые для получения однородных по составу эпитаксиальных слоев в области спинодального распада.

6. Проведен теоретический расчет равновесной диаграммы состояния пяти-компонентной системы Ga-In-As-P-Sb. На основании полученных данных впервые синтезированы такие твердые растворы, изучены некоторые их свойства.

7. С помощью разработанных технологий созданы низкопороговые инжек-ционные гетеролазеры, работающие на длине волны ~2 мкм при комнатной температуре, длинноволновые светодиоды, излучающие в диапазоне 3,7-3,9 мкм при Т=77 К и эффективные быстродействующие фотоприемники для регистрации излучения вблизи 2 мкм.

Основные материалы диссертации опубликованы в следующих работах.

1. В.И.Васильев, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, А.В.Лунев, В.М.Смирнов. Низкопороговые лазерные двойные гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/AlGalnAsSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии из сурьмянистых растворов-расплавов.//Письма в ЖТФ,1996,т.22, в.2, с. 1518.

2. Deryagin A.G., Faleev N.N., Smimov V.M., Sokolovskii G.S., VasiTev V.I. High quality AlGaSb, AlGaAsSb, InGaAsSb epitaxial layers grown by LPE from Sb-rich melts.//Abstracts of Int.Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Lancaster,England, 17-18 September 1996, p.57-58.

3. V.M.Smirnov, D.Akhmedov, V.I.Vasirev, T.S.Tabarov and I.A.Zhebulev. GalnAsSb/GaSb double heterojunction room temperature photodetec-tors.//Abstracts of Int.Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Lancaster,England,17-18 September 1996, p.55-56.

4. D.Akhmedov, V.I.Vasirev, N.N.Faleev, V.M.Smirnov, A.G.Deryagin, T.S.Tabarov. Growth and characterisation of GalnAsSb/GaSb double het-erostructures for optoelectronic devices operating in infrared range.//Abstracts of the Int. Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97. St.-Petersburg,Russia,9-13 June 1997.

5. Deryagin A.G., Faleev N.N., Smirnov V.M., Sokolovskii G.S., Vasil'ev V.I. High quality AlGaSb, AlGaAsSb, InGaAsSb epitaxial layers grown by LPE from Sb-rich melts.//IEE Proceedings, Optoelectronics, 1997,v. 144, N6, p.438-440.

6. В.И.Васильев, А.Г.Дерягии, В.И.Кучинский, В.М.Смирнов, Г.С.Соколовский, Н.Н.Фалеев. Получение твердых растворов GalnAsSb, изопериодических с GaSb вблизи границы зоны несмешиваемости методом ЖФЭ из растворов-расплавов, обогащенных Sb.//Труды 3-ей Российской Конференции по Физике Полупроводников,Москва,1-5 декабря 1997, с.286.

7. Д.Ахмедов, В.И.Васильев, А.Г.Дерягин, В.М.Смирнов, Г.С.Соколовский, Н.Н.Фалеев. Получение методом ЖФЭ высококачественных гетерострук-тур GalnAsSb/GaSb из растворов-расплавов, обогащенных Sb.//Y4. Зап. Худжандского Гос. Университета им. акад. Б.Гафурова (Таджикистан), 1997, N1, с. 18-23.

8. V.A.Mishournyi, F.de Anda, A.Yu.Gorbatchev, V.LVasil'ev, V.M.Smirnov and N.N.Faleev. Multicomponent Sb-based solid solutions grown from Sb-rich liquid phases.//Proc. of 24-th IEEE Int. Symp. on Compound Semiconductors. San Diego,USA,8-11 September 1997, p.37-40.

9. Akhmedov D., Deryagin A.G., Karandashov S.A., Kuchinskii V.I., Smirnov V.M., Sokolovskii G.S., Vasil'ev V.I. GalnAsSb/GaSb double heterostructure light emitting diodes fabricated by LPE from Sb-rich melts.//Proc.SPIE, 1998,v.3316, p. 162-164.

10. В.И.Васильев, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, В.М.Смирнов, Г.С.Соколовский, Д.Н.Третьяков, Н.Н.Фалеев. Свойства твердых растворов GalnAsSb в области спинодального распада, полученных из сурьмянистых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии.//Письма в ЖТФ,1998,т.24, в.6, с.58-62.

11. V.I.Vasirev, A.G.Deryagin, V.I.Kuchinskii, I.P.Nikitina, V.M.Smirnov, G.S.Sokolovskii, D.N.Tretyakov, M.P.Scheglov. Isoperiodical heterostructures GalnAsSb/GaSb LPE-grown from Sb-rich melts in spinodal decomposition area.//Abstracts of 2-nd Int.Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materi-als&Devices. Prague,Czech Republic,26-27 March 1998, p.42.

12. V.A.Mishournyi, F.de Anda, A.Yu.Gorbatchev, V.I.Vasirev, V.M.Smirnov and N.N.Faleev. AlGaAsSb and AlGalnAsSb growth from Sb-rich solu-tions.//Cryst.Res.&Technol.,1998,v.33, N3, p.457-464.

13. V.I.Vasirev, D.Akhmedov, A.G.Deryagin, V.I.Kuchinskii, I.P.Nikitina, V.M.Smirnov, D.N.Tretyakov. GalnAsSb/GaSb heterostructures LPE-grown from Sb-rich melts in spinodal decomposition area.//Abstracts of Int. Conf. "Physics at the Turn of the 21-st Century". September 28-October 2,1998,St. Petersburg,Russia, p. 103.

14. Vasil'ev V.I., Losev S.N., Smirnov V.M., Kuznetsov V.V., Kognovitskaya E.A., Rubtsov E.R. The study of Sb-rich regions in the phase diagrams of GaIn-As-Sb, Ga-In-P-As-Sb and Al-Ga-In-As-Sb multicomponent systems.//Proc. of 5-th Int. Conf. on Intermolecular Interactions in Matter. Lublin, Poland, 1999, p.96-100.

15. V.I.Vasil'ev, I.P.Nikitina, V.M. Smirnov, D.N.Tretyakov. Isoperiodical heterostructures GalnAsSb/GaSb grown by LPE from Sb-rich melts in spinodal decomposition area.//Materials Science and Engineering, 1999,V.B66, N1-3, p.67-69.

16. В.И.Васильев, Д.Ахмедов, А.Г.Дерягин, В.И.Кучинский, И.П.Никитина, В.М.Смирнов, Д.Н.Третьяков. Гетероструктуры GalnAsSb/GaSb, выращенные в области спинодального распада методом ЖФЭ из растворов-расплавов, обогащенных 8Ь.//ФТП,1999,т.ЗЗ, N9, с.1134-1136.

17. V.I.Vasil' ev, M.V.Baidakova, Е.A.Kognovitskaya, V.I.Kuchinskii,

153

I.P.Nikitina, V.M.Smirnov. Growth and characterization of GalnAsPSb pen-tanary solid solutions, isoperiodic to GaSb substrates.//Abstracts of 3-rd Int. Conf. on Mid-infrared Optoelectronics. Materials&Devices. Aachen,Germany, 5-7 September 1999, paper P-9.

В заключение я хочу выразить глубокую благодарность за руководство и неоценимую поддержку при проведении работы моему научному руководителю Владиславу Изосимовичу Васильеву.

Я также глубоко благодарен Д. Ахмедову, В.И. Кучинскому и Д.Н. Третьякову за плодотворное обсуждение результатов работы и полезные консультации; А.Г. Дерягину, С.А. Карандашову, Г.С. Соколовскому за проведение люминесцентных исследований; М.В. Байдаковой, Д.А. Васюкову, И.П. Никитиной, Н.Н. Фалееву за рентгеновские измерения; С.Ю. Беловой, Б.Я. Беру, Т.Б. Поповой за измерения состава и анализ качества поверхности полученных слоев, а также всем сотрудникам лаборатории квантово-размерных гете-роструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН за доброжелательное отношение и дружескую поддержку.

1. D.C.Tran, G.H.Sigel and B.Bendow. Heavy metal fluoride glasses and fi-bers./ЯЕЕЕ J.Lightwave Technol.,1984,v.2, N5, p.566-586.

2. Cheng K.Y., Pearson G.L., Bauer R.S., Chadi D.J. Energy band gap of AlxGaixSb ternary solid solution.//Bull.Amer.Phys.Soc.,1976,v.21, p.365-370.

3. T.K.Glisson, J.R.Hauser, M.A.Littlejohn and C.K.Williams. Energy band gap and lattice constant contours of III-V quaternary alloys.//J.Electron.Mater.,1978,v.7, N1, p.1-16.

4. Долгинов Л.М., Дракин A.E., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н., Скрипник В.А. Инжекционные лазеры на основе гетеро-структур AlGaAsSb/GaSb и InGaAsSb/GaSbV/Труды ФИАН,1983,т.141, с.46-61.

5. Zh.I.Alferov, V.M.Andreev, S.G.Kormikov, V.G.Nikitin and D.N.Tretyakov. Het3 5erojunctions on the base of А В semiconductors and their solid solutions.//Proc. Int. Conf. on the Physics of Heterojunctions, Academial Kiado, Budapest, 1971,v. 1, p.93-106.

6. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (об-зор).//Квантовая электроника, 1976,т.З, N7, с.1381-1393.

7. S.Adachi. Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GalnAsSb, and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2-4 fim optoelectronic device applications.//;. Appl.Phys., 1987,v.61, N10, p.4869-4876.

8. Sasaki A., Nishiuma M. and Takeda Y. Energy band structure and lattice constant chart of III-V mixed semiconductors, and AlGaSb/AlGaAsSb semiconductor lasers on GaSb substrates.//Jap.J.Appl.Phys.,1980,v.l9, N9, p. 1695-1702.

9. Dewinter J.C., Pollack M.A., Srivastava A.K., Zyskind J.L. Liquid phase epitaxial

10. Gai.xInxAsySbi-y lattice-matched to (100) GaSb over the 1.71 to 2.33 цт wavelength range.//J.Electron.Mater.,1985,v.l4, N6, p.729-747.

11. M.P.Mikhailova and A.N.Titkov. Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSb system (review).//Semicond.Sci.Technol.,1994,v.9, p. 1279-1295.

12. R.E.Nahory, M.A.Pollack, W.D.Johnston and R.L.Barns. Band gap versus composition and demonstration of Vegard's law for Ini.xGaxAsyPi.y lattice matched to InP.//Appl.Phys.Lett.,1978,v.33, N7, p.659-663.

13. Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах.//М.,Мир,1981,т.1-2.

14. E.K.Muller, J.L.Richards. Miscibility of III-V semiconductors studied by flash evaporation.//J.Appl.Phys., 1964,v.35, N4, p.1233-1241.

15. Gratton M.F., Wooley J.C. Phase diagram and lattice parameter data for GaAsySbi.y system.//J.Electron.Mater.,1973,v.2, N3, p.455-463.

16. Gratton M.F., Goondchild R.C., Juravel L.Y., Wooley J.C. Miscibility gap in the GaAsySbi-y system.//J.Electron.Mater.,1979,v.8, N1, p.25-29.

17. Onabe K. Unstable region of quaternary In!xGaxAsySbiy calculated using strictly regular solution approximation.//Jap.J.Appl.Phys.,1982, v.21, N6, p.964

18. Stringfellow G.B. Miscibility gaps in quaternary III-V alloys.//J. Cryst.Growth,1982,v.58, p. 194-202.

19. Pesseto J.R. and Stringfellow G.B. Ali.xGaxAsySbiy phase dia-gram.//J.Cryst.Growth, 1983,v.62, N1, p. 1-6.

20. Гусейнов A.A., Джуртанов Б.Е., Литвак A.M., Мирсагатов M.A., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Высокоточный метод расчета фазовых3 5равновесий расплав-твердое тело в системах А В (на примере InGaAsSb).//IlHCbMa в ЖТФ,1989,т.15, в. 12, с.67-73.

21. Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Получение твердых растворов GalnAsSb, изопери-одных с GaSb, вблизи границы области несмешиваемости.//Письма в ЖТФ,1990,т.16, в.5, с.33-38.

22. Именков А.Н., Капранчик О.П., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Длинноволновые светодиоды на основе GalnAsSb вблизи области несмешиваемости (2,4-2,6 мкм, Т=300К).//Письма в ЖТФ,1990,т.16, в.24, с.19-24.

23. Nakajima К., Osamura К., Jasuda К., Murakami J. The pseudoquaternary phase diagram of the Ga-In-As-Sb system.//J.Cryst.Growth,1977,v.41, p.87-92.

24. E.Tournie, J.-L.Lazzari, F.Pitard, C.Alibert, A.Joullie and B.Lambert. 2.5 |im GalnAsSb lattice-matched to GaSb by liquid phase epitaxy.//J. Appl.Phys., 1990,v.68, N11, p.5936-5938.

25. E.Tournie, F.Pitard, A.Joullie and R.Fourcade. High temperature liquid phase epitaxy of (100) oriented GalnAsSb near the miscibility gap boundary. //J. Cry st. Growth, 1990,v. 104, p.683-694.

26. Андреев B.M., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов.//М., Советское радио, 1975, с.44-64.

27. Т.Т.Дедегкаев, И.И.Крюков, Т.П.Лидейкис, Б.В.Царенков, Ю.П.Яковлев. Фазовая диаграмма Ga-Al-Sb для жидкостной эпитаксии.//ЖТФ,1978,т.48, в.З, с.599-605.

28. A.S.Jordan, M.Ilegems. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions involving compound semiconductors in the regular solution approxima-tion.//J.Phys.Chem.Solids, 1975,v.36, N4, p.329-342.

29. Blom G.M., Plaskett T.S. Indium-gallium-antimony ternary phase dia gram.//J.Electrochem.Soc.,l971,v. 118, N11, p. 1831 -1834.

30. Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase dia-grams.//J.Cryst.Growth, 1974,v.27, p.21 -34.

31. T.Y.Wu, G.L.Pearson. Phase diagram, crystal growth and band structure of InxGai.xAs.//J.Phys.Chem.Solids,1972,v,33, N2, p.409-415.

32. G.A.Antypas, J.Edgecumbs. Distribution coefficientes of Ga, As and P during growth of InGaAsP layers by liquid-phase epitaxy.//J.Cryst.Growth 1976,v.34, p.132-138.

33. M.Astles, H.Hill, A.J.Williams, P.J.Wright and M.L.Young. Studies of the GaixInxAsiySby quaternary alloy system. Liquid-phase growth and as-sessment.//J.Electron.Mater., 1986,v. 15, N1, p.41-49.

34. Вигдорович B.H., Долгинов JI.M., Млинин А.Ю., Селин А.А. Расчет составачетырехкомпонентных систем с помощью ЭВМ на примере Al-Ga-As-Sb.//,ZJAH СССР, Серия физическая химия, 1978,т.243, N1, с.125-128.

35. M.Ilegems, M.B.Panish. Phase equilibria in III-V quaternary systems application to Al-Ga-P-As.//J.Phys.Chem.Solids,1974,v.35, N2, p.409-420.

36. L.M.Dolginov, P.G.Eliseev, A.N.Lapshin, M.G.Milvidskii. A study of phase equilibria and heterojunctions in Ga-In-As-Sb quaternary system.// Kristall und Tech-nik,1978,v.l3, N6, p.631-650.

37. Бочкарев А.Э., Гульгазов B.H., Долгинов JI.M., Селин A.A. Кристаллизация твердых растворов Ini.xGaxAsySbiy на подложках из GaSb и InAsV/Изв.АН СССР, Неорганические материалы, 1987,т.23, N10, с.1610-1614.

38. А.Н.Именков, Т.П.Лидейкис, Б.В.Царенков, Ю.М.Шерняков, Ю.П.Яковлев. Варизонные GaixAlxSb р-n структуры и их свойства.//ФТП,1976,т.10, в.7, с.1260-1265.

39. Motosugi G., Kagawa Т. Dependence of surface flatness on LPE condition of Al-GaSb.//Jap.J.Appl.Phys.,1979,v.l7,Nll, p.2061-2062.

40. H.Kuwatsuka, T.Tanahashi, C.Anayama, S.Nishiyama, T.Mikawa and K.Nakajima. Liquid phase epitaxial growth of AlixGaxSb from Sb-rich solu-tion.//J.Cryst.Growth, 1989,v.94, p.923-928.

41. W.-J.Jiang, Y.-M.Sun and M.-C.Wu. Electrical and photoluminescent properties of high-quality GaSb and AlGaSb layers grown from Sb-rich solutions by liquidphase epitaxy.//J.Appl.Phys.,1995,v.77, N4, p. 1725-1728.

42. Blom G.M. The In-Ga-P ternary phase diagram and its application to liquid phase epitaxial growth.//J.Electrochem.Soc., 1971,v. 118, N11, p. 1834 -1836.

43. Т.Т.Дедегкаев, И.И.Крюков, Т.П.Лидейкис, Б.В.Царенков, Ю.П.Яковлев. Жидкостная эпитаксия варизонных GaixAlxSb структур.//ЖТФ,1980,т.50, в.5, с.1056-1066.

44. А.Н.Баранов, А.Н.Именков, Т.П.Лидейкис, Б.В.Царенков, Ю.М.Шерняков, Ю.П.Яковлев. Широкополосный фотоэлектрический эффект в варизонных Gai.xAlxSb р-n структурах.//ФТП,1978,т.12, в.7, с.1414-1417.

45. J.-M.Wang, Y.-M.Sun, M.-C.Wu. High quality GaixInxAsySbby quaternary layers grown from antimonide-rich solutions by liquid-phase epitaxy.//J.Cryst.Growth, 1997,v. 172, p.514-520.

46. R.Sankaran, G.A.Antypas. Liquid phase epitaxial growth of InGaAsSb on (111)B InAs.//J.Cryst.Growth,1976,v.36, p. 198-204.

47. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г. Контактные явления при жидкофазной эпитаксии./УИзв.АН СССР, Физика, Математика,1984,т.ЗЗ, N1, с.95

48. Вигдорович В.Н., Селин А.А., Шутов С.Г., Батура В.П. Термодинамический анализ устойчивости кристаллов соединений А3В5 в четырехкомпонентной жидкой фазе./УИзв. АН СССР, Неорганические материалы, 1981,т. 17, N1, с.104

49. Селин А.А., Вигдорович В.Н., Ханин В.А. Оценка устойчивости кристаллов при контакте с неравновесной жидкой фазой.//ДАН СССРД983,т.271, с.1174-1178.

50. Болховитянов Ю.Б. Контактные явления на границе раздела фаз перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений А3В5.//Препринт 2-82,Новосибирск, 1982, с.1-51.

51. Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И. Устойчивость неравновесной границыраздела расплав-кристалл перед жидкостной гетероэпитаксией соединений А3В5.//Препринт 5-82,Новосибирск,!982, с. 1-50.

52. A.Joullie, F.Jia Hua, F.Karouta, H.Mani. LPE growth of GalnAsSb/GaSb system: the importance of the sign of the lattice mismatch.//J.Cryst.Growth,1986,v.75, p.309-318.

53. Васильев В.И., Кузнецов B.B., Мишурный B.A. Эпитаксия GaixInxAsySbi-y с использованием сурьмы в качестве растворителя.//Изв.АН СССР,Неорганические материалы, 1990,т.26, N1, с.23-27.

54. N.Kobayashi, Y.Horikoshi, C.Uemura. Liquid-phase phase epitaxial growth of InGaAsSb/GaSb and InGaAsSb/AlGaAsSb DH wafers.//Jpn.J.Appl.Phys.,1979, v.18, N11, p.2169-2170.

55. H.Kano, Sh.Niyazawa, K.Suyiyama. Liquid-phase epitaxy of Gai.xInxAsySbiy quaternary alloys on GaSb.//Jpn.J.Appl.Phys.,1979,v.l8, N11, p.2183-2184.

56. Бочкарев А.Э., Долгинов JI.M., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г. Жидко-фазная эпитаксия Gai-xInxAsySby.//h3b.AH СССР,Неорганические материалы, 1983,т.19, N1, с.13-15.

57. N.Kobayashi, Y.Horikoshi. Liquid phase epitaxial growth of InxGaixAsySbiy with InAs enriched compositions on InAs.//Jpn.J.Appl.Phys.,1981, v.20, N11, p.2253-2254.

58. Акимова H.B., Бочкарев А.Э., Долгинов Л.М., Дракин А.Е., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г., Свердлов Б.Н., Скрипкин В.А. Инжекционные лазеры спектрального диапазона 2,0-2,4 мкм, работающие при комнатной температу-ре.//ЖТФ, 1988,т.58, в.4, с.701-707.

59. C.Caneau, J.L.Srivastava, J.W.Sulhoff, Т.Е.Glower, C.A.Burrus, M.

60. Pollack. 2.2 цш GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers with low threshold current density.//Appl.Phys.Lett., 1987,v.51, N10, p.764-766.

61. Баранов A.H., Джуртанов Б.Е., Именков A.H., Тимченко И.Н., Яковлев Ю.П. Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям вэлектролюминесцентных свойствах лазеров на основе GaInAsSb.//IlHCbMa в ЖТФ, 1987,т.13, в.8, с.459-464.

62. A.N.Baranov, A.N.Imenkov, M.P.Mikhailova, A.A.Rogachev, Yu.P.Yakovlev. Lasers and avalanche photodiodes for IR fiber optic in the spectral range of 2-2.5 |am.//Proc.SPIE,1989,v.l048, p. 188-194.

63. Баранов A.H., Валацка К., Лидейкис Т.П., Яковлев Ю.П. Особенности взаимодействия насыщенных расплавов с твердой фазой в системе Ga-Al-Sb.//H3B.AH СССР,Неорганические материалы, 1981,т.17, N3, с.402-406.

64. B.V.Dutt, H.Temkin, E.D.Kobb, W.A.Sunder. Room-temperature operation of optically pumped InGaAsSb/AlGaAsSb double hetero structure laser at 2 |^m.//Appl.Phys.Lett.,1985,v.47, N2, p. 111-113.

65. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г. Исследование условий получения совершенных гетероструктур в системе AlxGai.xAsySbiy/GaSb. //Кристаллография,!984,т.29, в.1, с.144-149.

66. A.Joullie, C.Alibert, H.Mani, F.Pitard, E.Toumie, G.Boissier. Charakteristic temperature T0 of Ga0.83In0.17As0.15Sb0.85/Al0.27Ga0.73As0.02Sb0.98 injection la-sers.//Electron.Lett.,1988,v.24, N17, p.1076-1077.

67. Lazzari J.L., Leclercq J.L., Grunberg P., Joullie A., Lambert В., Barbusse D. and Fourcade R. Liquid phase epitaxial growth of AlGaAsSb on GaSb.//J.Cryst.Growth,1992,v. 123, p.465-478.

68. P.S.Dutta, H.L.Bhat, V.Kumar, N.V.Sochinski and E.Dieguez. Influence of arsenic concentration on the surface morfology and photoluminescence of LPE grown AlGaAsSb/GaSb with high aluminium content.//J.Cryst.Growth,1996,v.l60, p. 177185.

69. Капо H., Sugiyama K. 2.0 (am cw operation of GalnAsSb/GaSb DH lasers at 80

70. K.//Electron.Lett., 1980,v. 16, N4, p. 146-147.

71. Яковлев Ю.П. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антнмонида галлня.//Автореферат докторской диссертации, СПб, ФТИ им. А.Ф.Иоффе, 1995.

72. Баранов А.Н., Конников С.Г., Попова Т.Б., Уманский В.Е., Яковлев Ю.П. Эффект стабилизации состава жидкой фазы в Ga-Al-As-Sb.//nHCbMa в ЖТФ,1982,т.8, в.7, с.432-436.

73. H.K.Choi, S.J.Eglash, and G.W.Turner. Double-heterostructure diode lasers emitting at 3 |im with a metastable GalnAsSb active layer and AlGaAsSb cladding layers.//Appl.Phys.Lett.,1994,v.64, N19, p.2474-2476.

74. W.T.Tsang, Т.Н.Chin, D.W.Kisker, J.A.Ditzenberger. Molecular beam epitaxial growth of InixGaxAsiySby lattice matched to GaSb.//Appl.Phys.Lett.,1985,v.46, N3, p.283-285.

75. Choi H.K. and Eglash S.J. Room temperature cw operation at 2.2 pm of GalnAsSb/AlGaAsSb diode lasers grown by molecular beam epi-taxy.//Appl.Phys.Lett.,1991,v.59, N10, p.l 165-1166.

76. B.Lambert, Y.Toudic, Y.Rouillard, M.Gauneau, M.Baudet, F.Alard, I. Valiente and I.C.Simon. High reflectivity 1.55 pm (Al)GaAsSb/AlAsSb Bragg reflector lattice matched on InP substrates.//Appl.Phys.Lett.,1995,v.66, N4, p.442-444.

77. T.H.Chiu, W.T.Tsang, J.A.Ditzenberger, J.P.van der Ziel. Room temperature operation of GalnAaSb/AlGaAsSb DH lasers near 2.2 prn prepared by molecular beam epitaxy.//Appl.Phys.Lett.,1986,v.49, N8, p. 1051-1052.

78. C.A.Wang, K.F.Jensen, A.C.Jones and H.K.Choi. n-AlGaSb and GaSb/AlGaSbdouble-heterostructure lasers grown by organnometallic vapor phase epi-taxy.//Appl.Phys.Lett., 1996,v.68, N3, p.400-402.

79. S.Li, Y.Jin, T.Zhou, B.Znang, Y.Ning, H.Jiang, G.Yuan, X.Zhang, J. Yuan. Growth of GalnAsSb alloys by metallorganic chemical vapor deposi-tion.//J.Cryst.Growth,1995,v. 156, p.39-44.

80. M.J.Cherng, G.B.Stringfellow, D.W.Kisker, A.K.Srivastava and J.L.Zyskind. GalnAsSb metastable alloys grown by organnometallic vapor phase epitaxy .//Appl.Phys.Lett., 1986,v.48, N6, p.419-421.

81. W.G.Oldham, A.G.Milnes. Interface states in abrupt semiconductor heterojunc-tions.//Sol.St.Electron.,1964,v.4, N2, p.513-517.

82. Hornstra J., Bartles W.J. Determination of the lattice constant of epitaxial layers of III-V compounds.//J.Cryst.Growth, 1978,v.44, p.513-517.

83. K.Nakajiama, S.Yamazaki, S.Komya, K.Akita. Misfit dislocation-free Inj.xGaxAsi.yPy/InP heterostructure wafers grown by liquid phase epi-taxy.//J.Appl.Phys.,1981,v.52, N7, p.4575-4582.

84. Берт H.A., Гарбузов Д.З., Гореленок A.T., Конников С.Г., Мдивани В.Н., Ти-билов В.К., Чалый В.Н. Квантовый выход электролюминесценции в двойных InGaAsP гетероструктурах.//ФТПД980,т.14, в.4, с.680-685.

85. Воронков В.В., Долгинов JI.M., Лапшин А.Н., Мильвидский М.Г. Эффект стабилизации состава в эпитаксиальном слое твердого раство-ра.//Кристаллография,1977,т.22, в.2, с.375

86. Хансен К.Р., Типп Х.Л., Красильников B.C. Рентгеновское высокотемпературное исследование гетероструктур на основе GaAlAsSb, GalnAsSb и GaInAsP.//B сб."Полупроводники и гетеропереходы",Таллин,1987, с.34-36.

87. Бублик В.Т., Вдовин В.И., Красильников B.C., Югова Т.Г. Особенности процессов генерации дислокаций в эпитаксиальных слоях многокомпоненто сных твердых растворах соединений А В (GaAlAsSb, GalnAsSb и

88. GaAsP).//Тезисы докладов VII конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск, 1986,т.2, с.157-158.

89. Вдовин В.И., Красильников B.C., Югова Т.Г. Дислокационная структура эпитаксиальных слоев твердых растворов GaAlSb и GaAlAsSb.//B сб."Полупроводники и гетеропереходы",Таллин,1987, с.48-50.

90. Долгинов JI.M., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых рас-творов.//В кн. "Успехи науки. Радиотехника",М., ВИНИТИ, 1980,т.21, с.3-52.

91. Крюкова И.В., Лескович В.И., Матвиенко Г.В. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда в твердом растворе GalnAsSb при электронной накачке в области 1,6-3,0 мкм.//Письма в ЖТФ,1979,т.5, в.12, с.717-721.

92. Effer D., Etter P.J. Investigation into apparent purity limit in GaSb //J.Phys.Chem.Sol.,1964,v.25, p.451-460.

93. Van der Meulen Y.J. Growth properties of GaSb. The structure of residual acceptor center.//J.Phys.Chem.Sol.,1967,v.28, p.25-32.

94. Баграев H.T., Баранов A.H., Воронина Т.И., Толпаров Ю.Н., Яковлев Ю.П. Подавление природных акцепторов в GaSb.Z/Письма в ЖТФ,1985,т.11, в.2, с.117-121.

95. Бочкарев А.Э., Колесник Л.И., Лошинский A.M., Мильвидский М.Г. Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb и твердых растворов GaInAsSby/ФТП, 1982,т. 16, в.Ю, с.1886-1888.

96. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Ибрахимов Н., Рогулин В.Ю. Электролюминесценция гетеропереходов на основе GaInAsSb./УФТП, 1976,т. 10, с.847-850.

97. L.K.Tomasetta, H.D.Law, K.Nakano, J.S.Harris. GaAlAsSb/GaSb lattice matched semiconductor lasers operating at 1.25-1.4 |jm.//Semicond. Laser Conf.,San-Francisco, 1978, p.D-2.

98. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г., Мухитдинов М., Му-саев Э.С., Рожков В.М., Шевченко Е.Г. Применение светодиодов на основе гетеропереходов четверных твердых растворов для измерения влажности .//Измерительная техника, 1981,т.4, с.481

99. Лебедев А.И., Стрельникова И.А., Юнович А.Э. Исследование фотолюминесценции тройных твердых растворов GaixInxSb./Ai>Tn,1977,T.l 1,в.11, с.2123-2127.

100. Васильев В.И., Ильинская Н.Д., Куксенков Д.В., Кучинский В.И., Мишурный В.А., Сазонов В.В., Смирницкий В.Б., Фалеев Н.Н. Инжекционные лазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb./ZTtacbMaB ЖТФ,1990,т.16,в.2, с.58-62.

101. Баранов А.Н., Джуртанов Б.Е., Именков А.Н., Рогачев А.А., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. Генерация излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе.//ФТП,1986,т.20, в. 12, с.2217-2221.

102. C.Caneau, A.K.Srivastava, A.G.Dentai, J.L.Zyskind, G.A.Burrus, M.A. Pollack. Reduction of threshold current density of 2.2цт GalnAsSb/AlGaAsSb injection lasers.//Electron.Lett.,1986,v.22, p.992-993.

103. P.Brosson, J.Benoit, A.Joullie, B.Sermage. Analysis of threshold current density in 2.2(im GalnAsSb/AlGaAsSb DH lasers.//Electron.Lett., 1987,v.23, p.418-419.

104. P.Grunberg, A.Baranov, G.Fouilant, J.L.Lazzari, P.Grech, G.Boissier, C.Alibert,

105. A.Joullie. High-power low-threshold Gao.88lno.12Aso.10Sbo.90/Alo.47Gao.53Ino.04Sbo.96 double heterostructure lasers grown by liquid phase epitaxy .//Electron.Lett. ,1994,v.30, p.312-314.

106. M.Morosini, J.-L.Herrera-Peres, M.Loural, A.von Zuben, A.Da Silveira and N.Patel. Low-threshold GalnAsSb/GaAlAsSb double heterostructure lasers grown by LPE.//1EEE J.Quantum Electron., 1993,v.29, p.2103-2108.

107. H.K.Choi, G.W.Turner and S.J.Eglash. High-power GalnAsSb-AlGaAsSb multiple-quantum-well diode lasers emitting at 1.9 pm.//IEEE Photonics Tech-nol.Lett.,1994,v.6, p.7-9.

108. H.Lee, P.K.York, R.J.Menna, R.U.Martinelli, D.Z.Garbuzov, S.Y.Narayan and J.C.Connolly. Room-temperature 2.78 pm AlGaAsSb/InGaAsSb quantum-well lasers.//Appl.Phys.Lett.,1995,v.66, N15, p. 1942-1944.

109. Баранов A.H., Джуртанов Б.Е., Именков A.H., Рогачев А.А., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом. //Письма в ЖТФ,1986,т.12, в.11, с.664-668.

110. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Литвак A.M., Филаретова Г.М., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды на основе InGaAsSb (1=2,0 мкм, ц=4%, Т=300 К).//Письма в ЖТФ,1988,т.14, в.9, с.845-849.

111. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Колчанова Н.Н., Сидоренкова Е.А., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды на основе InGaAsSb для спектрального диапазона 1,8-2,5 мкм.//Письма в ЖТФ, 1989, т.15, в.18, с.71-75.

112. L.R.Tomasseta, H.D.Law, K.Nakano, J.S.Harris. 1.0-1.4 |im high speed avalanche photodiodes.//Appl.Phys.Lett.,1978,v.33, p.416-417.

113. Law H.D., Chin R., Nakano K., Milano R.A. The GaAlAsSb quaternary and

114. GaAlSb ternary alloys and their application to infrared detectors.//IEEE J.Quantum Electron.,1981,v. 17, N2, p.275-283.

115. Андреев И.А., Афраилов M.A., Баранов A.H., Мирсагатов М.А., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Хайдаров А.В. Особенности лавинного умножения фототока в диодных структурах на основе GaInAsSb.//B сб. "Полупроводники и гетеропереходы",Таллин,1987, с.51-53.

116. Андреев И.А., Афраилов М.А., Баранов А.Н., Данильченко В.Г., Мирсагатов М.А., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Фотодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb/GaAlAsSb.//TbiCbMa в ЖТФ,1986,т.12, в.21, с. 1311-1315.

117. Андреев И.А., Афраилов М.А., Баранов А.Н., Мирсагатов М.А., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Лавинное умножение в фото диодных структурах на основе твердых растворов GaInAsSby/Письма в ЖТФ,1987,т.13, в.8, с.481-485.

118. A.N.Baranov, A.N.Imenkov, M.P.Mikhailova, Yu.P.Yakovlev. Type II hetero-junctions in GaSb-InAs solid solutions: physics and applica-tions.//Proc.SPIE, 1990,v. 1361, p.675-685.

119. Андреев И.А., Баранов A.H., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Пенцов А.В., Сморчкова Ю.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Длинноволновое излучение в фотодиодах InGaAsSb/AlGaAsSb.//Письма в ЖТФ,1992,т.18, в. 17, с.50-54.

120. Bowers J.E., Srivastava А.К., Burrus G.A., Dewinter J.C., Pollack M.A., Zy-skind J.L. High-speed GalnAsSb/GaSb p-i-n photodetectors of wavelength to 23 (im.//Electron.Lett., 1986,v.22, N3, p.137-138.

121. А.А.Попов, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев. 2.2 мкм одномодовые диодные лазеры, работающие в непрерывном режиме с термоэлектрическим охлаж-дением.//Письма в ЖТФ,1997,т.23, в.15, с.39-45.

122. V.A.Mishournyi, F.De Anda, A.Yu.Gorbachev, V.I.Vasirev and N.N.Faleev. InGaAsSb growth from Sb-rich solutions.//J.Cryst.Growth, 1997,v. 180, p.34-39.

123. H.K.Choi and G.W.Turner. InAsSb/InAlAsSb strained quantum-well diode lasers emitting at 3.9 |im.//Appl.Phys.Lett.,1995,v.67, N3, p.332-334.

124. B.A.Matveev, G.A.Gavrilov, V.V.Evstropov, N.V.Zotova, S.A.Karandashov, G.Yu.Sotnikova, N.M.Stus', G.N.Talalakin, J.Malinen. Mid-infrared (3-5 jam) LEDs as sources for gas and liquid sensors.//Sensors & Actuators B,1997,v.38-39, p.339-343.

125. Абрамов A.B., Арсентьев И.Н., Мишурный B.A., Румянцев В.Д., Третьяков Д.Н. Люминесцентные свойства и некоторые особенности выращивания из растворов-расплавов твердых растворов GaxInixP.//Письма в ЖТФ,1976,т.2, в.5, с.204-207.

126. I.E.Berishev, F.De Anda, V.A.Mishournyi, J.Olvera, N.D.Ilyinskaya, V.I.Vasirev. Н202:С406Нб (tartaric acid):H20 etching system for chemical polishing of GaSb.//J.Electrochem.Soc., 1995,v. 142, N10, p.L189-L191.

127. Skelton J.K., Knight J.R. Liquid-phase epitaxy of In(As,Sb) on GaSb substrates using antimony-rich melts.//Sol.State Electronics,1985,v.28, N11, p.l 166-1170.

128. Болховитянов Ю.Б., Юдаев В.И. Начальные стадии формирования новой фазы при жидкофазной эпитаксии соединений А3В5.//Препринт, Новосибирск, 1986, с. 112.

129. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов.//М., "Металлургия", 1991, с. 175.

130. V.V.Kuznetsov, P.P.Moskvin, and V.S.Sorokin. Coherent phase diagram and interface relaxation processes during LPE of AniBv solid solu-tions.// J. Cry st. Growth, 1988,v. 88, p.241 -262.

131. Gertner E.R., Andrews A.M., Babulac L.O. Liquid-phase epitaxial growth of InAsi.xSbx on GaSb.//J.Electron.Mater.,1979,v.8, N4, p.545

132. Т.И.Воронина, Б.Е.Джуртанов, Т.С.Лагунова, М.А.Сиповская, В.В.Шерстнев, Ю.П.Яковлев. Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от соста-ва.//ФТП, 1998,т.32, N3, с.278-284.

133. Груздов В.Г., Косогов А.О., Фалеев Н.Н. Ультратонкие слои в системе InGaAsP/InP, полученные жидкофазной эпитаксией.//Письма в ЖТФ,1994,т.20, в.14, с.1-7.

134. H.Luquet, L.Gouskov, M.Perotin, A.Jean, A.Rjeb, T.Zarouri and G.Bougnot. Liquid-phase-epitaxial growth of Ga0.96Al0.04Sb: Electrical and photoelectrical characterizations.//J.Appl.Phys.,1986,v.60, N10, p.3582-3591.

135. Martinelli R.U. Mid-infrared wavelengths enhance trace-gas sensing.//Laser Focus World,1996,v.33, N3, p.77-81.

136. Y.S.Sundaram, M.D.Morgan, W.E.Horne and S.B.Saban. Thermophotovoltaic (TPV): An old concept whose time has come.//Proc.SPDE,1998,v.3316, p.410-419.

137. Бочкарев А.Э., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Капанадзе З.Б. Жидкофаз-ная эпитаксия InGaAsSb вблизи границ области несмешиваемости твердых растворов.//В сб. "Полупроводники и гетеропереходы", Таллин,1987, с.3-5.

138. P.S.Dutta, H.L.Bhat, V.Kumar. The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material.//J.Appl.Phys.,1997,v.81, N9, p.5821-5870.

139. A.A.Popov, V.V.Sherstnev, Y.P.Yakovlev, A.N.Baranov and C.Alibert. Powerful mid-infrared light emitting diodes for pollution monitor-ing.//Electron.Lett., 1997,v.33, N1, p.86-88.

140. Э.Р.Рубцов, В.С.Сорокин, В.В.Кузнецов. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе пятикомпонентных твёрдых растворов А3В5.//ЖФХ, 1997,т.71, N3, с.415-420.

141. Э.Р.Рубцов, В.В.Кузнецов, О.А.Лебедев. Фазовые равновесия пятерных систем из Аш и Ву.//Неорганические материалы, 1998,т.34, N5, с.525-530.

142. K.Shim, H.Rabitz. Electronic and structural properties of the pentanary alloy GaxIn1xPySbzAs1y.z.//J.Appl.Phys.,1999,v.85, N11, p.7705-7715.

143. A.G.Norman, T.Y.Seong, I.T.Ferguson, G.R.Booker and B.A.Joyce. Structural studies of natural superlattices in group III-V alloy epitaxial lay-ers.//Semicond.Sci.Technol.,l993,v.8, p.S9-15.

144. Баранов A.H., Литвак A.M., Моисеев К.Д., Шерстнев B.B., Яковлев Ю.П. Получение твердых растворов In-Ga-As-Sb/GaSb и In-Ga-As-Sb/InAs в области составов, прилегающих к 1пА8.//ЖПХ,1994,т.67, в. 12, с. 1951-1956.

145. B.A.Matveev, M.Aidaraliev, N.V.Zotova, S.A.Karandashov, N.M.Stus', G.N.Talalakin. Midwave (3-5 ¡im) III-V infrared LEDs and diode lasers as a source for gas sensors.//Proc.SPIE,1995,v.2506, p.796-802.

146. V.I.Vasil'ev, V.V.Kuznetzov, V.A.Mishournyi, V.V.Sazonov, N.N.Faleev. Epitaxial growth of InGaAsSb and AlGaAsSb from Sb-riched solutions.//Proc. of 1st Int. Conf. on Epitaxial Growth, Budapest, 1990,v.2, p.659-663.

147. V.M.Andreev, V.P.Khvostikov, S.V.Sorokina, V.I.Vasil'ev. GaSb based PV cells with Zn-difiused emitters.//Proc.SPIE,1998,v.3316, p.420-423.170

148. Z.A.Shellenbarger, M.G.Mauk, L.C.Di Netta, G.W.Charache. Recent progress in InGaAsSb/GaSb TPV devices.//Conf. Rec. of 25-th IEEE Photovoltaics Specialists Conf., IEEE Press, Piscataway, NJ,1996, p.81-84.