Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им. А.Ф. Иоффе

На правах рукописи

ПАРХОМЕНКО Яна Александровна

СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ GabAsSb И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ 01.04.10 - физика полупроводников

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

КОНТРОЛЬНЫЙ ЭКЗЕМПЛЯР

..............ЧйНИи. ■' " ад

Работа выполнена в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук.

Научный руководитель:

кандидат физико-математических наук, ст. научн. сотр. Е.В. Куницына. Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор А.Н. Пихтин,

кандидат физико-математических наук, ст. научн. сотр, Б.В. Пушный.

Ведущая организация:

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет.

Защита состоится_г. в_часов на

заседании диссертационного совета К 002.205.02 Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая, 26.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН.

Автореферат разослан_2004 г.

Ученый секретарь

диссертационного совета К 002.205.02 Г.С. Куликов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ.

Актуальность темы

В.последнее время большое внимание уделяется разработке и созданию, полупроводниковых оптоэлектронных приборов.для, средней инфракрасной (ИК) области спектра, находящих широкое применение в системах экологического мониторинга, связи и медицине. Характеристические полосы поглощения целого ряда важных химических соединений, таких как вода, метан,- окись углерода, ацетон и др., лежат в данном спектральном диапазоне. Наиболее перспективными материалами; как для источников, так и для приемников излучения в диапазоне 1.8-3.0 мкм являются многокомпонентные твердые растворы GalnAsSb на основе антимонида галлия (GaSb).

Многочисленные исследования показывают, что как GaSb, так и близкие к нему по составу твердые растворы GalnAsSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) при температурах Т = (500-600)°С, имеют р-тип проводимости; что вызвано высокой концентрацией природных акцепторов - дефектов типа У^, Gasb и их комплексов [1]. Существуют различные методы снижения концентрации природных акцепторов и остаточных примесей - это легирование донорной примесью, использование редкоземельных элементов, выращивание из обогащенных сурьмой либо висмутовых расплавов. В работе [2] было показано, что при получении бинарных соединений GaSb из свинцовых растворов-расплавов возможно снизить концентрацию носителей в данном материале на два порядка. При этом свинец не образует соединений ни с одним из компонентов расплава и не включается в твердую фазу.

Активное развитие оптоэлектроники и широкое использование

А ШтлУ

многокомпонентных твердых растворов на основе соединений А В для создания оптоэлектронных приборов (лазеров, светодиодов, фотоприемников) заставляют искать нетрадиционные подходы к получению данных материалов и новые методы управления их свойствами. Поскольку основные свойства твердых растворов GalnAsSb на основе GaSb во многом определяются GaSb, то исследование особенностей эпитаксиального роста данных твердых растворов из содержащих свинец растворов-расплавов с целью снижения- концентрации и увеличения подвижности носителей является актуальной задачей, как с научной, так и с практической точек зрения. Решение данной проблемы позволит повысить эффективность оптоэлектронных приборов в с среднем ИК диапазоне и расширить область применения узкозонных твердых растворов GalnAsSb.

Цель и задачи работы

Целью настоящей работы являлись разработка технологии выращивания' твердых растворов GalnAsSb из содержащих свинец растворов-расплавов, исследование электрических свойств таких твердых растворов и создание оптоэлектронных приборов на их основе.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

разработка методики выращивания изопериодных с СаБЬ, твердых растворов Оа1.х1пхА8у8Ь1.у из растворов-расплавов, содержащих свинец;

увеличение содержания индия в твердой фазе Са^ПхАвуЗЬ^у, а следовательно смещение рабочей длины волны оптоэлектронных приборов в более длинноволновую область

исследование электрических свойств твердых растворов Са1.х1пхА8у5Ь1.у, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов;

разработка методики легирования эпитаксиальных слоев твердых растворов Са1.х1ПхА8уБЬ1.у выращенных из растворов-расплавов, содержащих свинец;

снижение концентрации и увеличение подвижности носителей в твердых растворах Gai.xInxASySbi.yj

создание светодиодов на основе твердых растворов Са^ПхАвуЗЬ^у, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов.

Научная новизна полученных в работе результатов состоит в следующем:

1. Проведен термодинамический расчет и экспериментальное исследование диаграмм фазовых равновесий в системе Pb-Ga-In-As-Sb при Т = 560°С. Впервые из содержащих свинец растворов-расплавов получены изопериодные с подложкой GaSb(lOO) эпитаксиальные слои твердых растворовОа^ПхАЗуБЬ)., с составом х = 0.11-0.27, у = 0.10-0.21 (^=0.70-0.56 эВ при Т=77К).

2. Впервые получены эпитаксиальные слои изопериодных с подложкой Са5Ь(100) твердых растворов Gao.73Ino.27Asoj1Sbo.79 (Е = 0.56 эВ при Т = 77К), толщиной h = 1.5 мкм.

3. В результате, исследований гальваномагнитных свойств полученных, из свинцовых растворов-расплавов твердых растворов Оа^ПхАвуЗЬ^у показано:.

- твердый, раствор Gao.7gIno.22Aso.17Sbo.g3 представляет собой сильно компенсированный материал с низкой концентрацией и низкой

подвижностью дырок. (Р77 = 2.2х1016 см"3, Ц77 = 220 см2/Вхс) и является аналогичным более широкозонному твердому раствору с х = 0.15, полученному без использования свинца:

- твердый раствор. имеет малое

число дефектов и примесей и обладает высокой подвижностью дырок и = 2800 см2/Вхс при Т = 77К.

4. Впервые проведено исследование поведения примесей Те и ве в твердых растворах Са^ПхАЗуБЬ^у (х = 0.22; 0.25), выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов.

5. Впервые проведено исследование электролюминесцентных свойств светодиодов на основе гетероструктур, в активной области которых были использованы твердые растворы, выращенные из свинцовых растворов-расплавов.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментального исследования - изотерм ликвидуса и солидуса при, температуре Т = 560°С в системе Pb-Ga-In-As-Sb удовлетворительно согласуются (отклонение по составу не превышает 16%) с данными теоретического расчета, выполненного по модели ИФЛКП (избыточные функции - линейные комбинации химических потенциалов). Использование свинца при выращивании методом» жидкофазной эпитаксии твердых растворов Gai_xInxASySbi.y позволяет получить изопериодные с подложкой GaSb(ЮO) эпитаксиальные слои данных твердых растворов с содержанием индия в интервале х = 0 -н 0.27.

2. В твердых растворах Оа1.х1пхА8у8Ь1.у, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов, концентрация - и подвижность носителей заряда зависят от содержания индия в твердой фазе с минимумом при х = 0.22 (р = 2.2x1016 см"3, ц = 220 см2/Вхс, Т = 77К), в то время как в твердых растворах, выращенных без использования свинца, минимум концентрации и подвижности дырок наблюдался при содержании индия в твердой фазе х = 0.15.

3. Слабое легирование теллуром (х^ ^ 1.75x10"5 гЛ.%)> сильно компенсированных (К = 0.93) твердых растворов

выращенных из свинцовых растворов-расплавов, приводит к снижению степени компенсации (до К = 0.1) и резкому увеличению подвижности дырок до Ц77 = 3600 см2/Вхс при Р77 = 5х1016 см"3) за счет «залечивания» дефектов. При сильном легировании теллуром

происходит перекомпенсация акцепторных уровней, что позволяет

получить материал п-типа проводимости в широком интервале концентраций П = 10 — 101 см""5, а также материал с высокой подвижностью электронов ^77 = 4000 см2/Вхс при П77 = 1.2х1017 см"3).

4. Впервые на основе выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов твердых растворов GalnAsSb с составом вблизи границы области несмешиваемости созданы светодиоды с максимумами интенсивности на длине волны Л, = 2.3 мкм (г| = 1.6%, Т = 300К) и X = 2.44 мкм (л = 0.11%, Т = 300К).

Практическая значимость результатов работы заключается в следующем:

1. Сравнение экспериментальных данных с результатами теоретических расчетов показало, что фазовое равновесие в системе Pb-Ga-In-As-Sb с достаточной точностью описывается моделью ИФЛКП.

2. Разработана методика выращивания методом ЖФЭ изопериодных с GaSb твердых растворов Оа1.х1пхА8у8Ь1.у из содержащих свинец растворов-расплавов, позволяющая получить при Т = 560°С эпитаксиальные слои данного твердого раствора с составом х = 0.11 - 0.27, у = 0.10-0.21.

3. Получены из содержащих свинец растворов-расплавов эпитаксиальные слои изопериодных с подложкой Оа8Ь(ЮО) твердых растворов Са|.х1пхА5у5Ь].у (х = 0.27, у = 0.21), толщиной h = 1.5 мкм, пригодные к созданию оптоэлектронных приборов на их основе.

4. Получен из содержащих свинец растворов-расплавов твердый раствор с содержанием индия х = 0.22 = 0.60 эВ при Т = 77К), представляющий собой сильно компенсированный материал (К = 0.93).

5.Получен из содержащих свинец растворов-расплавов твердый раствор Са^ТПлАвуБЬ!^ с содержанием индия х = 0.25 ^ = 0.58 эВ при Т = 77К), обладающий малым числом дефектов и компенсирующих примесей и высокой подвижностью дырок ^ = 2800 см2/Вхс).

6. При легировании теллуром твердых растворов Gao.78ho22Aso.17Sbo.83 получен материал с высокой подвижностью электронов (Ц77 я 4000 см2/Вхс при П77 = 1.2х1017 см"3).

7. На основе твердых растворов Оа|_х1пхА5у8Ь1.у с содержанием индия х = 0.21, выращенных из свинцовых растворов-расплавов, созданы светодиоды с длиной волны в максимуме интенсивности = 2.3 мкм. Внешний квантовый выход фотонов при комнатной температуре составил Г| = 1.6%.

8. На основе твердых растворов

выращенных из свинцовых растворов-расплавов, созданы светодиоды с

длиной волны в максимуме интенсивности X = 2.44 мкм. Внешний квантовый выход фотонов при комнатной температуре составил n| = 0.11%.

Апробация работы

Основные результаты настоящей работы были представлены на следующих конференциях: Вторая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2000); Шестнадцатая Международная конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2000); Conference on Mid-Infrared Optoelectronics: Materials and Devices (Montpellier, France, 2001); Четвертая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2002).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 5 работ, список которых приведен в конце автореферата.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы составляет

_страниц, включая_рисунков и_таблиц. Список цитируемой

литературы включает_наименования и занимает_страниц.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность проведенных в данной работе исследований, сформулирована основная цель работы, показаны научная новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены выносимые на защиту научные положения и краткое содержание диссертации по главам.

Первая глава посвящена обзору литературы по теме работы и постановке задач исследования. Рассматриваются получение, основные свойства и применение твердых растворов GalnAsSb.

Одним из методов получения эпитаксиальных слоев твердых растворов GalnAsSb является метод ЖФЭ. Для проведения синтеза твердых растворов данным методом необходимо знание диаграмм фазовых равновесий расплав - твердое тело (диаграмм плавкости) и твердое тело (I) - твердое тело (И) (поверхностей спинодального распада твердых растворов). В разделе 1.1 приведен обзор термодинамических моделей, используемых для расчета диаграмм фазовых равновесий в системах на основе A"'BV. Согласно теоретическому расчету, твердый раствор может быть выращен, будучи изопериодным с

подложкой GaSb, лишь в диапазоне 0 < х < 0.29 (состав близок к GaSb). К

настоящему времени методом ЖФЭ был получен вблизи границы области несмешиваемости изопериодный с подложкой Оа8Ь(111)В твердый раствор Са^ПхАвуБЬиу с максимальным содержанием индия и мышьяка в твердой фазе: х = 0.286, у = 0.234, толщина которого составляла 0.3 мкм [3]. В работе [4] сообщалось о получении методом ЖФЭ из сурьмянистых растворов-расплавов твердых растворов изопериодных с

Оа8Ь, внутри области спинодального распада. Диапазоны составов выращенных эпитаксиальных слоев Са^ЛхАБуБЬ^у находились в пределах 0.2 <, х <, 0.32 для ориентации (100) и 0.25 <, х <, 0.4 для ориентации (111)В. Однако толщины данных слоев не превышали 0.05 мкм.

В разделе 1.2 приводятся методы расчета, описывающие зависимости основных свойств твердых растворов от

состава.

Раздел 1.3 посвящен электрофизическим свойствам Оа8Ь и твердых растворов Gai.xInxASySbi.y- Нелегированный Оа8Ь, выращенный методом ЖФЭ из обогащенных галлием растворов-расплавов при Т = (500 - 600)°С, так же как и выращенный методами Чохральского или Бриджмена, имеет р-тип проводимости с концентрацией дырок р « (2 - 3)хЮ16"см3 и подвижностью - и.= 2000'- 3000см2/Вхс при Т = 77К [5]. Для уменьшения концентрации носителей в Оа8Ь применяются различные методы, рассмотрение которых проведено в пункте 1.3.1. Отличие свойств материала, полученного из галлиевых и сурмянистых расплавов, связано с различным соотношением галлия и сурьмы в расплаве, что сказывается и на соотношении дефектов с участием вакансий в эпитаксиальных слоях. Выращивание Оа8Ь из растворов-расплавов, содержащих нейтральный растворитель, позволяет проследить за изменением концентрации природных дефектов в антимониде галлия при варьировании соотношения галлия и сурьмы в растворе-расплаве. Примером таких нейтральных растворителей для соединений АШВУ являются элементы IV группы основной подгруппы - РЬ, 8п. В работе [2] показано, что при получении эпитаксиальных слоев Оа8Ь из расплавов РЬ-Оа-8Ь возможно снижение концентрации носителей в данном материале на два порядка (р = 2х1017 см'3 дор = 2.7x1013 см'3, Т = 300 К).

Электрофизические свойства нелегированных и легированных твердых растворов Са^ПхАБуБЬ^у рассмотрены в пунктах 1.3.2 и 1.3.3. соответственно. Поскольку основные свойства твердых растворов Са^ПхАЗуБЬьу с составом, близким к Оа8Ь, во многом определяются свойствами Оа8Ь, то авторами работ [6 и 7] были предприняты первые шаги в исследовании роли свинца при выращивании эпитаксиальных слоев таких твердых растворов. Однако фазовая диаграмма РЬ-Оа-1п-АБ-8Ь была

изучена мало, и исследование электрофизических свойств таких твердых растворов не проводилось.

В разделе 1.4 дан обзор работ, посвященных созданию и исследованию светодиодов на основе твердых растворов GalnAsSb для спектрального диапазона 1.8-2.4 мкм. Сведений о создании светодиодных гетероструктур на основе твердых растворов GalnAsSb, выращенных из растворов-расплавов, содержащих свинец, не обнаружено.

В конце главы на основе анализа обзора литературы сформулированы цель и основные задачи диссертационной работы.

Вторая глава посвящена технологии получения изопериодных с GaSb твердых растворов из свинцовых растворов-

расплавов.

В разделах 2.1 и 2.2 описаны экспериментальная установка жидкофазной эпитаксии, исходные материалы и их обработка.

Раздел 2.3 посвящен термодинамическому анализу диаграмм фазовых равновесий в системе Pb-Ga-In-As-Sb. В данной работе расчет равновесных значений мольных долей компонентов в жидкой и твердой фазах проводился по модели ИФЛКП (избыточные функции - линейные комбинации химических потенциалов), предложенной Чарыковым Н.А. и Литваком A.M. [8]. Отличительной чертой данной модели является то, что все используемые параметры имеют строгий физический смысл и могут быть найдены из табличных данных о стандартных термодинамических функциях отдельных веществ. Методика выращивания эпитаксиальных слоев твердых растворов из свинцовых растворов-

расплавов описана в пункте 2.4.1.

ПУНКТ 2.4.2 данного раздела посвящен методам контроля параметров эпитаксиальных слоев. Результаты экспериментального исследования фазовой диаграммы в системе Pb-Ga-In-As-Sb и основные параметры полученных твердых растворов представлены в

разделе 2.5. Использование свинца позволило получить при Т = 560°С изопериодные с подложкой GaSb(lOO) твердые растворы Gai_xInxASySbi.y с составом х = 0.11 - 0.27, у = 0.10 - 0.21. Во всех образцах свинец методом количественного рентгеноспектрального микроанализа не был обнаружен, хотя содержался в жидкой фазе на уровне 0.039 - 0.236 мольных долей. В данной работе впервые получены эпитаксиальные слои изопериодных с подложкой GaSb(lOO) твердых растворов = 0.56 эВ

при Т = 77К), толщина которых составляла h = 1.5 мкм.

Скорость роста эпитаксиальных слоев, вычисленная как отношение толщины слоя ко времени роста, составляла 0.3 - 1.0 мкм/мин, что существенно выше скорости роста эпитаксиальных слоев такого же состава, полученных при Т = 560°С из индиевых растворов-расплавов без

использования свинца. Согласно данным рентгеновской дифрактометрии, все образцы имели положительное рассогласование периодов решеток слоя и подложки Да/а = (5.0х10"4+2.0х10"3) при комнатной температуре. Значения полуширин кривых дифракционного отражения от подложки в образцах находились в пределах 9" ^ 14", что указывает на планарность границы раздела «подложка-слой».

В данной работе было проведено исследование влияния кристаллографической ориентации подложки на состав выращиваемого твердого раствора. Установлено, что при неизменных составе жидкой фазы и технологических условиях в ряду подложек GaSb(ЮO), GaSb(Ш)B содержание индия увеличивается. Такое изменение состава твердого раствора приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны материала, что, в свою очередь, приводит к смещению рабочей длины волны приборов в более длинноволновую область. Подобный эффект описывался в литературе для твердых растворов выращенных из не

содержащих свинец растворов-расплавов [4, 9,10].

Третья глава посвящена исследованию гальваномагнитных свойств твердых растворов GalnAsSb, выращенных из свинцовых растворов-расплавов.

В разделе 3.1 описана методика исследования гальваномагнитных свойств твердых растворов GalnAsSb. Для того чтобы избежать влияния подложки GaSb при исследовании электрофизических свойств синтезируемых твердых растворов GalnAsSb, требуется материал с высоким удельным сопротивлением. Получению эпитаксиальных слоев GaSb с низкой концентрацией носителей посвящен раздел 3.2. В данной работе был применен метод выращивания GaSb из растворов-расплавов Ga-Sb-Pb, предложенный в работе [2]. В результате был получен материал, обладающий удельным сопротивлением р > 400 Омхсм при Т = 77 К и концентрацией носителей р = 6x10" см3 (Т = 77 К), который далее использовался в технологических целях.

В разделе 3.3 представлены результаты исследования электрофизических свойств нелегированных твердых растворов выращенных из свинцовых растворов-расплавов на подложках n-GaSb:Te с промежуточным высокоомным слоем p-GaSb, толщина которого составляла 4-5 мкм. Параметры эпитаксиальных слоев приведены в таблице. Для исследуемых твердых растворов минимальные концентрации достигались при содержании индия в твердой фазе х = 0.22 (материал являлся сильно компенсированным), в то время как для твердых растворов, выращенных без использования свинца, минимум концентраций дырок наблюдался при содержании индия в твердой фазе х = 0.15. Твердые растворы Са].х1пхА5уБЬ1.у с содержанием индия х = 0.25,

выращенные из свинцовых растворов-расплавов, имеют малое число дефектов и компенсирующих примесей и обладают высокой подвижностью дырок (ц = 2800 см2/Вхс при Т = 77К). Во всех случаях низким концентрациям дырок соответствуют и низкие подвижности.

Таблица

Параметры эпитаксиальных слоев Са^ПхАвуБЬ!.

Содержание 1п,Х Т=300 К Т=77 К К = Ио/Ыл!

тип пров. п,р см-' см'/Вхс ТИП пров. п,р см-' Ц, см'/Вхс

0.15 р 7.0х1017 560 р 1.5х1017 2200 0.07

0.17 р 1.2хЮ18 560 р З.ОхЮ17 2300 0.02

0.21 р 3.0x10" 80 р 4.6хЮ16 380 0.85

0.22 п З.ОхЮ16 3500 р 2.2хЮ14 220 0.93

0.25 р 1.4x10" 550 р 4.0х1017 2800 0.10

0.27 р 5.6х1017 530 р 1.8х1016 570 < 0.13

Примечание- Ыд] - концентрация мелких акцепторов, N0 - концентрация доноров.

Из зависимостей коэффициента Холла от обратной

температуры для образцов, обладающих высокой подвижностью (х = 0.15-0.17, х = 0.25), было установлено существование мелкого акцепторного уровня с энергиями активации EAi = 0.008-0.015 эВ, определяемого неконтролируемыми примесями, входящими в исходные компоненты твердых растворов, и более глубоких акцепторных уровней Е/а = 0.024 - 0.035 эВ и Едз = 0.07 эВ, определяемых так же, как и в Оа8Ь, двухзарядным акцепторным комплексом В образцах с низкими

концентрацией и подвижностью дырок (х = 0.21-0.22, х = 0.27) при температурах Т = 77-100К также наблюдается мелкий акцепторный уровень Еа1 < 0.01 эВ, а с повышением температуры и более глубокий уровень с энергией активации Еа2 = 0.028 эВ, но при температурах Т > 150К в данных образцах наблюдается резкое уменьшение коэффициента Холла, что указывает на начало перехода к собственной проводимости.

В данной работе исследовалось поведение примесей Те и Ge, которые вводились в твердые растворы с содержанием

индия х > 0.22 в процессе выращивания из легированной жидкой фазы.

Раздел 3.4 посвящен гальваномагнитным свойствам легированных теллуром твердых растворов Оа^п^АвуБЬ^у (х = 0.22; 0.25), выращенных

из растворов-расплавов, содержащих свинец. Методика легирования твердых растворов теллуром описана в пункте 2.4.3.

При слабом легировании теллуром 51.75x10"5 ат.%) твердых

растворов Gai.xInxASySbi.y с х = 0.22, представляющих собой компенсированный неоднородный материал р-типа с низкой концентрацией и подвижностью дырок (Р77 = 2.2х1016 см"3, u,7 = 220 см2/Вхс), происходит «залечивание» дефектов и появляется возможность получения слабо компенсированного материала р-типа с низкой концентрацией и высокой подвижностью дырок Ц77 = 3600 см2/Вхс), содержащего малое число структурных дефектов.

В отличие от твердых растворов с х = 0.22, нелегированные твердые растворы с х = 0.25 всегда имеют более высокую концентрацию и подвижность дырок (р77 и 4.0х1017 см"3, Ц77 » 2800 см2/Вхс), более однородны и не содержат флуктуации примесей и дефектов. Поэтому слабое легирование теллуром <10~* ат.%) твердых растворов

Gai.xInxASySbi.y (х = 0.25) не приводит к заметному изменению свойств материала. При легировании теллуром в больших количествах в твердых растворах с х = 0.22 и х = 0.25

происходит обычная перекомпенсация акцепторных уровней и появляется возможность получения эпитаксиальных слоев n-типа проводимости в широком интервале концентраций от n = 1017 см"3 ДО n = 1019 см"3, а также материал с высокой подвижностью электронов Ц7= 4000 см2/Вхс при

Раздел 3.5 посвящен гальваномагнитным свойствам легированных германием твердых растворов выращенных из

содержащих свинец растворов-расплавов. Методика легирования твердых растворов германием приведена в пункте 2.4.3. Германий в твердых растворах Gai.xInxASySbi.y, близких по составу к GaSb, является акцепторной примесью, позволяющей получить материал р-типа проводимости с высокой концентрацией дырок. При невысоком уровне легирования германием (~ 0.005 вес.%) твердого раствора Gao.7sIno22Aso.i7Sbo83 уменьшается степень компенсации и возможно получение материала р-типа проводимости с концентрацией р = 2x1017 см'3 и подвижностью дырок u = 850 см2/Вхс (Т = 77 К). При дальнейшем увеличении уровня легирования возможно получение материала с концентрацией дырок ~ 10 см"3.

Четвертая глава диссертации посвящена созданию и исследованию светодиодов на основе твердых растворов GalnAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов.

В разделе 4.1 описана методика создания светодиодов на основе GaSb/GalnAsSb/GaSb гетероструктур, а также методика исследования электролюминесцентных свойств светодиодов.

Спектральные характеристики светодиодов исследовались при температурах Т = 300КиТ = 77К при питании импульсным током с разными длительностями и частотой следования импульсов.

Для исследования температурных зависимостей

электролюминесцентных характеристик светодиодные чипы монтировались на термохолодильник Пельтье, расположенный на корпусе ТО-5. Приведены диаграммы направленности исследуемых светодиодов.

ПУНКТ 4.2.1 посвящен светодиодам с длиной волны излучения в максимуме интенсивности X = 2.3 мкм. В качестве активного слоя данной светодиодной структуры использовался твердый раствор Gao.79Ino.21Aso.i6Sbo.g4 (Е8 = 0.534 эВ при Т = 300 К), толщиной 2 мкм, выращенный на подложке GaSb(100). Наибольшая эффективность излучательной рекомбинации была получена для светодиодов, в которых активная область не легировалась, и концентрация носителей, согласно данным, полученным по результатам измерений эффекта Холла, составляла р = ЗхЮ18 СМ"3 при Т = 300 К (р = 4.бхЮ16 см"3 при Т = 77 К). Эмитгерный слой GaSb легировался теллуром до концентрации п = (^^Ю18 см"3 (Т = 300 К). В квазинепрерывном режиме ^ = 2) максимальная величина мощности Р = 0.94 мВт получена при токе I = 220 мА. Максимальная пиковая мощность излучения Р = 126 мВт достигнута при I = ЗА, длительности импульса т = 0.125 мкс и частоте f = 512 Гц. Внешний квантовый выход излучения исследованных светодиодов при комнатной температуре составил ~ 1.6 % при токе I = 220 мА.

В пункте 4.2.2 приведены параметры светодиодов с максимумом излучения на длине волны X = 2.44 мкм. В качестве активного слоя данной светодиодной структуры использовался выращенный на подложке Са8Ь(100) твердый раствор Gao.73Ino23ASo.22Sbo.7g (Е8 = 0.506 эВ, Т = 300К), толщиной 1.2 мкм, легированный Те до концентрации п = ЗхЮ18 см"3. В качестве широкозонного эмиттера использовался легированный Ое до концентрации дырок р ~ 5x10" см'3 эпитаксиальный слой Оа8Ь. Максимальная величина средней оптической мощности составляла 123 мкВт при токе I = 218 мА, при этом внешний квантовый выход фотонов при комнатной температуре равен Т]ех1 ~ 0.11%. Максимальная пиковая мощность излучения в импульсном режиме Р = 2 мВт была достигнута при токе I = ЗА, длительности импульса т = 2 мкс и частоте f= 512 Гц.

В заключении сформулированы основные результаты диссертационной работы.

1. Проведено исследование изотерм ликвидуса и солидуса при температуре Т = 560°С в системе Pb-Ga-In-As-Sb.

2. Получены изопериодные с подложкой GaSbflOOÏ эпитаксиальные слои твердых растворов Ga^InnASySbi-y, где х = 0.11-0.27, у = 0.10-0.21.

3. Во всех полученных твердых растворах свинец методом количественного рентгеноспектрального микроанализа не обнаружен.

4. Впервые получены эпитаксиальные слои изопериодных с подложкой твердых растворов

при Т = 77К), толщиной h = 1.5 мкм.

5. В твердых растворах Gai.xInxASySbi.y были обнаружены три акцепторных уровня: мелкий уровень с энергией активации Eai » 0.01-0.017 эВ и более глубокие акцепторные уровни с энергией активации Едг « 0.035 эВ и Баз а 0.07 эВ. Данные уровни ранее наблюдались как в GaSb, так и в твердых растворах Ga].xInxASySbi.y, выращенных без использования свинца.

6. Для исследуемых твердых растворов Gai.xInxASySbi.y минимальные концентрации и подвижности носителей достигались при х = 0.22, в то время как для твердых растворов, выращенных без использования свинца,- при х = 0.15.

7. Легирование Те и Ge эпитаксиальных слоев твердых растворов Gai.xInxASySb[.y (х = 0.22; 0.25), выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов, позволяет получить материалы с высокой подвижностью и малой степенью компенсации.

8. На основе твердых растворов Gai.xInxASySbi.y, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов, были созданы светодиоды с длиной волны в максимуме интенсивности X = 2.3 мкм и X = 2.44 мкм. Внешний квантовый выход фотонов при Т = 300К составлял 1.6% и 0.11%, соответственно.

Основные результаты диссертации изложены в следующих публикациях:

1. Kunitsyna E.V., Andreev I A, Mikhailova M.P., Parkhomenko YaA, Yakovlev Yu.P., Fabrication details of GalnAsSb-based photodiode heterostructures // Proc. SPIE, 2000, v.4340, pp.244-253.

2. Воронина Т.Н., Лагунова T.C., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Васюков Д А., Яковлев Ю.П., Роль свинца при выращивании твердых

растворов Ga[.xInxASySbi.y методом жидкофазной эпитаксии // ФТП, 2001, т.35, вып.8, сс.941-947.

3. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Снповская М.А, Яковлев Ю.П., Влияние примеси теллура на свойства твердых растворов Gai.xInxASySbi.y (Х>0.22) // ФТП, 2002, т.36, вып.8, сс.917-924.

4. Пархоменко Я.А., Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Иванов Э.В., Куницына Е.В., Яковлев Ю.П., Светодиоды на основе твердых растворов выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов // Письма в ЖТФ, 2004, т.ЗО, вып. 13, ее. 1-6.

5. Астахова А.П., Гребенщикова Е.А., Иванов Э.В., Именков А.Н., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Яковлев Ю.П., Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GalnAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов // ФТП,2004 - в печати.

Цитированная литература

[1] Dutta P.S., Bhat H.L., Kumar V.,The physics and technology of gallium» antimonide: An amerging optoelectronic material // J. Appl. Phys., 1997, v.81.N.9,pp.5821-5870.

[2] Баранов А.Н., Воронина Т.И., Лагунова T.C., Тимченко И.Н., Чугуева З.И., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П., Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в р - GaSb // ФТП, 1989, т.23, вып.5, сс.780 - 786.

[3] Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П., Получение твердых растворов

изопериодных к GaSb, вблизи границы области несмешиваемости // Письма в ЖТФ, 1990, т.16, вып.5, сс.ЗЗ - 38.

[4] Васильев В.И., Дерягин А.Г., Кучинский В.И., Смирнов В.М., Соколовский Г.С., Третьяков Д.Н., Фалеев Н.Н., Свойства твердых растворов GalnAsSb в области спинодального распада, полученных из сурьмянистых растворов-расплавов методом жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1998, т.24, вып.6, сс.58-62.

[5] Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Сиповская М.А, Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П., Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава // ФТП, 1998, т.32, вып.З, сс.278-284.

[6] Kunitsyna E.V., Andreev I.A., Charykov N.A., Solov'ev Yu.V., Yakovlev Yu.P. // Applied Surface Science, 1999, v.142, pp.371-374.

[7] Андреев И.А., Куницына Е.В, Соловьев Ю.В., Чарыков Н.А., Яковлев Ю.П., Использование свинца в качестве нейтрального растворителя для

получения твердых растворов Gai.JnxASySbAy // Письма в ЖТФ, 1999, т.25, вып.19,сс.77-81.

[8] Литвак AM.", Чарыков, А.Н. Новый, термодинамический расчет фазовых равновесий расплав-твердое тело системы AUIBV // ЖФХ, 1990, т.64, вып.9, сс.2331-2337.

[9] Баранов А.Н., Кузнецов В.В., Рубцов Э.Р., Яковлев Ю.П., Гусейнов А.А. Кинетика кристаллизации твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y из жидкой фазы // ЖФХ» 1991, т.65; вып. 12, сс.3228-3235.

[10] Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова1 М.П., Яковлев Ю.П. Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y с составом вблизи границы области несмешиваемости // ФТП, 1999;т.ЗЗ, вып.2, сс.249-253.

« I

Отпечатано в типографии ПИЯФ РАН

188300, Гатчина Ленинградской обл., Орлова роща Зак. 222, тир. 100, уч-изд. л. 1; 24.05.2004 г.

»1325 3

Введение

Глава I Получение твердых растворов Gai.xInxAsySbiy методом жидкофазной эпитаксии (Обзор литературы)

1.1 Расчет диаграмм плавкости систем на основе АП1Вv.

1.2 Свойства твердых растворов Gai.xInxAsySbiy на основе антимонида галлия

1.3 Электрические свойства твердых растворов GaiyInxASySbiy

1.3.1 Электрические свойства антимонида галлия

1.3.2 Электрические свойства нелегированных твердых растворов Gai.yInxAsySbi.y

1.3.3 Электрические свойства легированных твердых растворов

GaixInxAsySbi.y

1.4 Светодиодные структуры на основе твердых растворов Gai.xInxAsySbi„y для спектрального диапазона 1.8 - 2.4 мкм

1.4.1 Природа спонтанной электролюминесценции светодиодов на основе Gaj xInxAsySb i .y/GaSb

1.4.2 Светодиодные структуры на основе твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y 50 Выводы 55 Постановка задачи

Глава II Получение твердых растворов GaixInxAsySbi.y из растворов-расплавов, содержащих свинец, методом жидкофазной эпитаксии

2.1 Экспериментальная установка

2.2 Исходные материалы и их обработка.

2.3 Термодинамический расчет диаграмм фазовых равновесий в системе Pb-Ga-In-As- Sb

2.4 Получение твердых растворов Gai.xInxAsySbiy из растворов-расплавов, содержащих свинец, методом жидкофазной эпитаксии

2.4.1. Методика получения твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y из растворов-расплавов, содержащих свинец, методом жидкофазной эпитаксии

2.4.2 Методики определения периода решетки и химического состава эпитаксиальных слоев твердых растворов

2.4.3 Легирование эпитаксиальных слоев твердых растворов Gai.xInxAsySbiy

2.5 Основные параметры твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y, полученных из свинцовых растворов-расплавов

2.6 Выводы

Глава III. Гальваномагнитные свойства твердых растворов GaixInxAsySbi.y, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов

3.1 Методика исследования гальваномагнитных свойств твердых растворов Gai.xInxAsySb].y

3.2 Получение эпитаксиальных слоев GaSb с низкой концентрацией носителей из растворов-расплавов Ga-Sb-Pb

3.3 Гальваномагнитные свойства не легированных твердых растворов GaixInxAsySbi„y, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов

3.4 Гальваномагнитные свойства легированных теллуром твердых растворов GaixInxAsySbiy, выращенных из растворов-расплавов, содержащих свинец

3.4.1 Легирование теллуром твердых растворов GaixInxAsySbi.y с содержанием In в твердой фазе х = 0.

3.4.2 Легирование теллуром твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y с содержанием In в твердой фазе х = 0.

3.5 Гальваномагнитные свойства легированных германием твердых растворов Gao.78lno.22Aso.17Sbo.835 выращенных из растворов-расплавов, содержащих свинец

3.6 Гальваномагнитные свойства твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y, выращенных на подложках n-GaSb:Te из растворов-расплавов, содержащих свинец

3.7 Выводы

Глава IV Светодиоды на основе твердых растворов GalnAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов

4.1 Методика исследования электролюминесцентных характеристик свето диодов

4.2 Светодиоды на основе твердых растворов GalnAsSb, выращенных из растворов-расплавов, содержащих свинец

4.2.1 Светодиоды с длиной волны излучения X = 2.3 мкм

4.2.2 Светодиоды с длиной волны излучения X = 2.44 мкм

4.3 Выводы 149 Заключение 151 Список литературы

В последнее время большое внимание уделяется разработке и созданию полупроводниковых оптоэлектронных приборов для инфракрасного (ИК) диапазона длин волн, находящих широкое применение в системах экологического мониторинга, связи и медицине. Характеристические полосы поглощения целого ряда важных химических соединений, таких как вода, метан, окись углерода, ацетон и др. лежат в данном спектральном диапазоне.

Наиболее перспективными материалами, как для источников, так и для приемников излучения в диапазоне 1.8 - 3.0 мкм являются многокомпонентные твердые растворы GalnAsSb на основе антимонида галлия (GaSb). Использование таких твердых растворов позволяет изменять ширину запрещенной зоны материала и, следовательно, рабочую длину волны прибора.

Многочисленные исследования показывают, что как GaSb, так и близкие к нему по составу твердые растворы GalnAsSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) при температурах Т = (500 -600)°С, имеют р-тип проводимости, что вызвано высокой концентрацией природных акцепторов - дефектов типа VGa, GaSb и их комплексов [1]. Существуют различные методы снижения концентрации природных акцепторов и остаточных примесей - это легирование донорной примесью, использование редкоземельных элементов, выращивание из обогащенных сурьмой либо висмутовых расплавов. В работе [2] было показано, что при получении бинарных соединений GaSb из свинцовых растворов-расплавов возможно снизить концентрацию носителей в данном материале на два порядка. При этом свинец не образует соединений ни с одним из компонентов расплава и не включается в твердую фазу.

Активное развитие оптоэлектроники и широкое использование

- A IIIt»V многокомпонентных твердых растворов на основе соединении А В для создания оптоэлектронных приборов (лазеров, светодиодов, фотоприемников) заставляют искать нетрадиционные подходы к получению данных материалов и новые методы управления их свойствами. Поскольку основные свойства твердых растворов GalnAsSb на основе GaSb во многом определяются GaSb, то исследование особенностей эпитаксиального роста данных твердых растворов из содержащих свинец растворов-расплавов с целью снижения концентрации и увеличения подвижности носителей является актуальной задачей, как с научной, так и с практической точек зрения. Решение данной проблемы позволит повысить эффективность оптоэлектронных приборов в среднем ИК диапазоне и расширить область применения узкозонных твердых растворов GalnAsSb.

Целью настоящей работы является разработка технологии выращивания твердых растворов GalnAsSb из содержащих свинец растворов-расплавов, исследование электрических свойств таких твердых растворов и создание оптоэлектронных приборов на их основе.

Научная новизна полученных в работе результатов состоит в следующем:

1. Проведен термодинамический расчет и экспериментальное исследование диаграмм фазовых равновесий в системе Pb-Ga-In-As-Sb при Т = 560°С. Впервые из содержащих свинец растворов-расплавов получены изопериодные с подложкой GaSb(lOO) эпитаксиальные слои твердых растворов GaixInxASySbiy с составом х = 0.11 - 0.27, у = 0.10 - 0.21 (Eg = 0.70 - 0.56 эВ при Т = 77К).

2. Впервые получены эпитаксиальные слои изопериодных с подложкой GaSb(100) твердых растворов Gao.73Ino.27Aso.21Sbo.79 (Eg = 0.56 эВ при Т = 77К), толщиной h = 1.5 мкм.

3. В результате исследований гальваномагнитных свойств полученных из свинцовых растворов-расплавов твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y, показано:

- твердый раствор Gao.78lno.22Aso.17Sbo.83 представляет собой сильно компенсированный материал с низкой концентрацией и

1 i' 1 л низкой подвижностью дырок (р77 = 2.2x10 см", Ц/77 = 220 см /Вхс) и является аналогичным более широкозонному твердому раствору с х = 0.15, полученному без использования свинца.

- твердый раствор Gao.75Ino.25Aso.22Sbo.78 имеет малое число дефектов и примесей и обладает высокой подвижностью дырок ц = 2800 см2/Вхс при Т = 77К.

4. Впервые проведено исследование поведения примесей Те и Ge в твердых растворах Gai.xInxAsySbiy (х = 0.22; 0.25), выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов.

5. Впервые проведено исследование электролюминесцентных свойств светодиодов на основе GaSb/GalnAsSb/GaSb гетероструктур, в активной области которых были использованы твердые растворы, выращенные из свинцовых растворов-расплавов.

Результаты проведенных исследований позволили сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты экспериментального исследования изотерм ликвидуса и солидуса при температуре Т = 560°С в системе Pb-Ga-In-As-Sb удовлетворительно согласуются (отклонение по составу не превышает 16%) с данными теоретического расчета, выполненного по модели ИФЛКП (избыточные функции - линейные комбинации химических потенциалов). Использование свинца при выращивании методом жидкофазной эпитаксии твердых растворов Gai-xInxAsySbiy позволяет получить изопериодные с подложкой GaSb(lOO) эпитаксиальные слои данных твердых растворов с содержанием индия в интервале х = 0 0.27.

2. В твердых растворах Gai„xInxAsySbi.y, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов, концентрация и подвижность носителей заряда зависят от содержания индия в твердой фазе с минимумом при х = 0.22 (р = 2.2х1016 см"3, jli = 220 см2/Вхс, Т = 77К), в то время как в твердых растворах, выращенных без использования свинца, минимум концентрации и подвижности дырок наблюдался при содержании индия в твердой фазе х = 0.15.

3. Слабое легирование теллуром (Х'Те < 1.75х10"5 at.%) сильно компенсированных (К = 0.93) твердых растворов Gao.7gIno.22Aso.17Sbo.83, выращенных из свинцовых растворов-расплавов, приводит к снижению степени компенсации (до К = 0.1) и резкому увеличению подвижности л 1 с. О дырок до JH77 = 3600 см /Вхс при р77 = 5x10 см ) за счет «залечивания» дефектов. При сильном легировании теллуром (Х'Хе > 2Х10"4 at.%) происходит перекомпенсация акцепторных уровней, что позволяет получить материал n-типа проводимости в широком интервале концентраций n = 1017 - 1019 см-3, а также материал с высокой

9 17 подвижностью электронов (ц77 = 4000 см /Вхс при n77 = 1.2х 10 см ).

4. Впервые на основе выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов твердых растворов GalnAsSb с составом вблизи границы области несмешиваемости созданы светодиоды с максимумами интенсивности на длине волны X = 2.3 мкм (т| = 1.6%, Т = 300К) и X = 2.44 мкм (г| = 0.11%, Т = 300К).

Практическое значение работы заключается в том, что:

1. Сравнение экспериментальных данных с результатами теоретических расчетов показало, что фазовое равновесие в системе Pb-Ga-In-As-Sb с достаточной точностью описывается моделью ИФЛКП.

2. Разработана методика выращивания методом ЖФЭ изопериодных с GaSb твердых растворов GaixInxAsySbi.y из содержащих свинец растворов-расплавов, позволяющая получить при Т = 560°С эпитаксиальные слои данного твердого раствора с составом х = 0.11 - 0.27, у = 0.10-0.21.

3. Получены из содержащих свинец растворов-расплавов эпитаксиальные слои изопериодных с подложкой GaSb(100) твердых растворов Gai.xbixASySbi.y (х = 0.27, у = 0.21), толщиной h = 1.5 мкм, пригодные к созданию оптоэлектронных приборов на их основе.

4. Получен из содержащих свинец растворов-расплавов твердый раствор Gai.xInxAsySbi.y с содержанием индия х = 0.22 (Eg = 0.60 эВ при Т = 77К), представляющий собой сильно компенсированный материал (К = 0.93).

5. Получен из содержащих свинец растворов-расплавов твердый раствор GatxInxAsySbiy с содержанием индия х = 0.25 (Eg = 0.58 эВ при Т = 77К), обладающий малым числом дефектов и компенсирующих примесей и высокой подвижностью дырок (ц = 2800 см /Вхс).

6. При легировании теллуром твердых растворов Gao.78lno.22Aso.17Sbo.s3 получен материал с высокой подвижностью электронов (|177« 4000 см2/Вхс при п77 = 1.2х1017 см-3).

7. На основе твердых растворов Ga0.79^0.21 As0. i6Sb0.84, выращенных из свинцовых растворов-расплавов, созданы светодиоды с длиной волны в максимуме интенсивности X = 2.3 мкм. Внешний квантовый выход фотонов при комнатной температуре составил г) = 1.6%.

8. На основе твердых растворов Gao.75Ino.25Aso.22Sbo.78, выращенных из свинцовых растворов-расплавов, созданы светодиоды с длиной волны в максимуме интенсивности X = 2.44 мкм. Внешний квантовый выход фотонов при комнатной температуре составил rj = 0.11 %.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы составляет 165 страниц, включая 46 рисунков и 7 таблиц. Список цитируемой литературы включает 102 наименования и занимает 12 страниц.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в следующих работах:

1. E.V. Kunitsyna, I.A. Andreev, М.Р. Mikhailova, Ya.A. Parkhomenko, Yu.P. Yakovlev, Fabrication details of GalnAsSb-based photodiode heterostructures // Proc. SPIE, 2000, v. 4340, pp. 244-253.

2. Т.И. Воронина, T.C. Лагунова, E.B. Куницына, Я.А. Пархоменко, Д.А. Васюков, Ю.П. Яковлев, Роль свинца при выращивании твердых растворов Gai„xInxAsySbi.y методом жидкофазной эпитаксии // ФТП, 2001, т.35, вып.8, сс. 941-947.

3. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев, Влияние примеси теллура на свойства твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y (Х>0.22) // ФТП, 2002, т.36, вып.8, сс. 917-924.

4. Я.А. Пархоменко, А.П. Астахова, Е.А. Гребенщикова, Э.В. Иванов, Е.В. Куницына, Ю.П. Яковлев, Светодиоды на основе твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов // Письма в ЖТФ - в печати.

5. А.П. Астахова, Е.А. Гребенщикова, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, Ю.П. Яковлев, Инфракрасные светодиоды на основе твердых растворов GalnAsSb, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов // ФТП 2004 - в печати.

В заключение я хочу выразить глубокую благодарность за помощь и поддержку при проведении работы моему научному руководителю Куницыной Екатерине Вадимовне и заведующему лабораторией профессору Яковлеву Юрию Павловичу.

Я также очень признательна профессору Н.А. Чарыкову и профессору А.Н. Именкову за помощь в обсуждении результатов работы, Е.А. Гребенщиковой и Н.В. Власенко за проведение фотолитографии и напыления контактов, Е.В. Кузнецовой и С.А. Евдокимовой за сборку образцов, Т.С. Лагуновой и Т.И. Ворониной за измерение электрических свойств и плодотворное обсуждение результатов, А.П. Астаховой, Э.В. Иванову, М.Ю. Путиловской, М.А. Сиповской за проведение люминесцентных исследований, М.В. Байдаковой за проведение рентгенодифракционного анализа образцов, Т.Б. Поповой за проведение рентгеноспектрального анализа образцов, а также всем сотрудникам лаборатории Инфракрасной оптоэлектроники ФТИ им. Иоффе за дружеское и внимательное отношение.

Заключение

В результате выполненной диссертационной работы получены следующие основные результаты:

1 Проведено исследование изотерм ликвидуса и солидуса при температуре Т = 560°С в системе Pb-Ga-In-As-Sb.

2 Получены изопериодные с подложкой GaSb(lOO) эпитаксиальные слои твердых растворов GaixInxAsySbi.y, где х = 0.11 - 0.27, у = 0.10 - 0.21.

3 Во всех выращенных твердых растворах свинец методом количественного рентгеноспектрального микроанализа не обнаружен.

4 Впервые получены эпитаксиальные слои изопериодных с подложкой GaSb(100) твердых растворов Gao.73Ino.27Aso.21Sbo.79 (Eg = 0.56 эВ при Т = 77К), толщиной h = 1.5 мкм.

5 В твердых растворах GaixInxAsySbiy были обнаружены три акцепторных уровня: мелкий уровень с энергией активации EAi «0.01 -0.017 эВ и более глубокие акцепторные уровни с энергией активации Ед2 ~ 0.035 эВ и Баз « 0.07 эВ. Данные уровни ранее наблюдались как в GaSb, так и в твердых растворах Gai.xInxAsySbi„y, выращенных без использования свинца.

6 Для исследуемых твердых растворов GaixInxAsySbiy минимальные концентрации и подвижности носителей достигались при х = 0.22, в то время как для твердых растворов, выращенных без использования свинца - при х = 0.15.

7 Легирование Те и Ge эпитаксиальных слоев твердых растворов GaixInxAsySbiy (х = 0.22; 0.25), выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов, позволяет получить материалы с высокой подвижностью и малой степенью компенсации.

8 На основе твердых растворов GaixInxAsySbi.y, выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов были созданы светодиоды с длиной волны в максимуме интенсивности X = 2.3 мкм и X = 2.44 мкм. Внешний квантовый выход фотонов при Т = ЗООК составлял 1.6% и 0.11%, соответственно.

1. Dutta P.S., Bhat H.L., Kumar V. The physics and technology of gallium antimonide: An amerging optoelectronic material // J. Appl. Phys. 1997. - V.81, N.9.-pp. 5821-5870.

2. Баранов A.H., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Тимченко И.Н., Чугуева З.И., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в р GaSb // ФТП, 1989, т.23, вып.5, сс.780 - 786.

3. Бочкарев А.Э., Долгинов JI.M., Дружинина JI.B., Мильвидский М.Г., Жидкофазная эпитаксия GaxIni.xAsySbi.y // Неорганические материалы, 1983, т.19,вып.1,сс. 13-15.

4. Капо Н., Miyazawa Sh., Sugiyama К., Liquid-Phase Epitaxy of Gai.yInyAsxSbix Quaternary Alloys on GaSb // Jap.J.Appl.Pys., 1979, v. 18, N.ll, pp.2183-2184.

5. Баранов A.H., Гусейнов A.A., Литвак A.M., Попов A.A., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П., Получение твердых растворов Inx-Gai.x-Asy-Sbiy, изопериодных к GaSb, вблизи границы области несмешиваемости // Письма в ЖТФ, 1990, т.16, вып.5, сс.ЗЗ 38.

6. DeWinter J.C., Pollack М.А., Srivastava А.К. Liquid phase epitaxial GaxIni.xAsi.ySby lattice-matched to (100) GaSb over the 1.71 to 2.33 mm wavelength range // J. Electron. Materials, 1985, v.4, N.6, pp.729-747.

7. Wang J.M., Sun Y.M., Wu M.C., High-quality Ga,.xInxAsySb,.y quaternary layers grown from antimonide-rich solutions by liquid-phase epitaxy // J. of Cryst. Growth, 1997, v.172, pp.514-520.

8. Wu. M.C., Chen C.C., Liquid-phase epitaxial growth of GalnAsSb with application to GalnAsSb/GaSb heterostructure diodes // J.Appl.Phys., 1992, v.71, N.12, pp.6116-6120.

9. Tournie' E., Pitard F. and Joullie' A., High temperature liquid phase epitaxy of (100) oriented GalnAsSb near the miscibility gap boundary // J. of Cryst. Growth., 1990, v. 104, pp.683-694.

10. Li Sh., Zhou Т., Zhang В., Ning Y., Jiang H., Yuan G., Zhang X., Yuan J. Growth of GalnAsSb alloys by metalorganic chemical vapor deposition // J. of Cryst. Growth., 1995, v.156, pp.39-44

11. Cherng M.J., Jen H.R., Larsen C.A., Stringfellow G.W., Lundt H., Taylor P.C. MOVPE growth of GalnAsSb // J. of Cryst. Growth., 1986, v.77, N.l-3, pp.408-417.

12. Cherg M.J., Stringfellow G.B. GalnAsSb metastable alloys grown by organometallic vapor phase epitaxy. / J.Appl.Phys., 1986, v.48, N.6, pp.419-421.

13. Lambert В., Toudic Y., Rouillard Y., Gauneau M., Baudet M., Alard F., Valiente I., Simon J.C. High reflectivity 1.55 цт (Al)GaAsSb/AlAsSb. Bragg reflectormlattice mathed on InP substrates / Appl.Phys.Lett., 1995, v.66, pp.442444.

14. Yamamoto K., Asahi H., Hidaka K., Satoh J., Gonda S. Growth rate enhancement of III-V antimonides on high-index substrates in metalorganic molecular beam epitaxy // J. of Cryst. Growth., 1997, v. 179, pp.37-40.

15. Lin C., Zheng Y.L., Li A.Z. Mid-infrare GalnAsSb photodetector grown by solid source molecular beam epitaxy // J. of Cryst. Growth., 2001, v.227-228, pp.605-608.

16. Tsang W.T., Chiu Т.Н., Kisker D.W., Ditzenberger J.A. Molecular beam epitaxial growth of InixGaxAsySbiy lattice matched to GaSb / J.Appl.Phys., 1985, v.46, N.3, pp.283-285.

17. Sankaran R. Antypas G.A. Liqui phase epitaxial growth of InGaAsSb on (111)B InAs // J. of Cryst. Growth., 1976, v.36, pp.198-204.

18. Dolginov L.M., Eliseev P.G., Lapshin A.N., Milvidskii M.G. A study of phase equilibria and heterojunctions in Ga-In-As-Sb quaternary system // Kristall and Tecnik, 1978, v. 13, N.6, pp.631-650.

19. Jordan A.S., Ilegems M. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions unvolving compounds semiconductors in the regular solution approximation // J.Phys.Chem.Solids, 1975, v.36, N.4, pp.329-342.

20. Бочкарев А.Э., Гульгазов B.H., Долгинов JI.M., Селин А.А. Кристаллизация твердых растворов GaxIn^AsySbj.y на подложках из GaSb и InAs // Известия АН СССР Неорганические материалы, 1987, т.23, вып. 10, сс.1610-1614.

21. Рубцов Э.Р., Кузнецов В.В., Лебедев О.А. Фазовые равновесия пятерных систем из А111 и Ву // Неорганические материалы, 1998, т.34, вып.9, сс.525-530.

22. Sharma R.C., Leo-Ngai Т., Chan Y.A. Termodynamic analysis and phase equilibia calculation for the InSb and GaSb system // J.Electr.Mater., 1987, v. 16, N.5, pp.307-314.

23. Дуров В. А. К термодинамической теории идеальных ассоциированных растворов // ЖФХ, 1980, т.54, вып.8, сс.2126-2129.

24. Баранов А.Н., Литвак A.M., Чернева Т.В, Ястребов С.Г. Анализ фазовых равновесий в системе In-As-Sb с использованием модели квазирегулярных ассоциированных растворов // Известия АН СССР Неорганические материалы, 1990, т.26, вып. 10, сс.2021-2025.

25. Литвак A.M. Чарыков Н.А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb // Известия АН СССР Неорганические материалы, 1991, т.27, вып.2, сс.225-230.

26. Литвак A.M., Чарыков А.Н. Новый термодинамический расчет фазовых равновесий расплав твердое тело системы АШВУ // ЖФХ, 1990, т.64, вып.9, сс.2331-2337.

27. Гусейнов А.А., Джуртанов Б.Е., Литвак A.M. Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав твердое тело в системах АШВУ (на примере In-Ga-As-Sb) // Письма в ЖТФ, 1989, т. 15, вып. 12, сс. 67-72.

28. Charykov N.A., Sherstnev V.V., Krier A. General thery of multy-phase melt crystallization // J. of Cryst. Growth., 2002, v.234, pp.762-772.

29. Стрельченко П.И., Лебедев B.B. Соединения AmBv. М.: Металлургия, 1984. - 144 с.

30. Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К.Д., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В. Фазовые равновесия расплав твердое тело в четырехкомпонентных системах In-Ga-As-Sb и In-As-P-Sb // ЖФХ, 1990, т.64, вып.6, сс. 1651-1654.

31. Баранов А.Н., Литвак A.M., Моисеев К.Д., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. О построении кривых кристаллизации в четырехкомпонентных полупроводниковых АШВУ системах In-Ga-As-Sb и 1п-P-As-Sb // ЖПХ, 1990, вып.5, сс. 976-981.

32. Баранов А.Н., Джуртанов Б.Е., Литвак A.M., Чарыков Н.А., Чернявский А.Г., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Об ограничениях на получение АШВУ твердых растворов // ЖНХ, 1990, т.35, вып. 12, сс.3008-3012.

33. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Экстремальные свойства молекулярных твердых растворов, находящихся в равновесии с расплавами молекулярного состава // ЖФХ, 1992, т.66, вып.4, сс. 923-929.

34. Onabe К. Unstablle region of quaternary InGaAsSb calculated using strictly regular solution approximation // Jap. J. Appl.Phys., 1982, v.21, N.6, pp.964-971

35. Stringfellow G.B. Immiscibility and spinodal decomposition in III/V alloys. // J. of Crystal Growth, 1983, v.65, pp. 454-462.

36. Sorokin V.S., Sorokin S.V., Semenov A.N., Meltser B.Ya, IvanovS.V. Novel approach to the calculation of instability regions in GalnAsSb alloys // J. of Cryst. Growth., 2000, v.216, pp.97-103.

37. Asomoza R. Spinodal decomposition in the A^ B|xCy Djy quaternaryalloys // J. of Cryst. Growth., 2001, v.222, pp.58-63.

38. Попов А.А. Канд. дисс. Светодиодные структуры на основе GalnAsSb. С.-Пб. ФТИ 1993,121 с.

39. Баранов А.Н. Кузнецов В.В., Рубцов Э.Р., Яковлев Ю.П., Гусейнов А.А. Кинетика кристаллизации твердых растворов GaxIni.xAsySbiy из жидкой фазы // ЖФХ, 1991, т.65, вып.12, сс.3228-3235.

40. Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Gai.xInxAsySbi.y с составов вблизи границы области несмешивамости // ФТП, 1999, т.ЗЗ, вып.2, сс.249-253.

41. Sadao Adachi. Band gaps and refractive indices of AlGaAsSb, GalnAsSb and InPAsSb: Key properties for a variety of the 2 4 mm optoelectronic device applications // J. Appl. Phys, 1987, v.61, N.10, pp. 48694876.

42. Литвак A.M., Чарыков Н.А. Расчет избыточных термодинамических функций в расплавах Аш, Bv компонентов и AinBv твердых растворов изовалентного замещения // ЖНХ, 1990, т.35, вып. 12, сс. 3059-3062.

43. Glisson Т.К, Hauser J.R., Littlejohn М.А., Williams С.Н./ Energy band gap and lattice constant contours of III-V quaternary alloys // J.Electron. Mater., 1978, v.7, N.l, pp.1-16.

44. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.И. / Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор) // Квантовая электроника, 1976, т.З, вып.7, сс.1381-1393.

45. Sasaki A., Nishiuma М., Takeda Y. /Energy band structure and lattice constant chart of III-V mixed semiconductors, and AlGaSb/AlGaAsSb semicondactor lasers on GaSb substrates // Jap.J.Appl.Phys., 1980, v. 19, N.9, pp. 1695-1702.

46. Mikhailova M.P., Titkov A.N Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSb system// Semicond.Sci.Technol., 1994, N.9, pp.1279-1295.

47. Karouta F., Mani H., Bhan J., Fen Jia Hua, Joullie A. Croissance par epitaxie en phase liquide et caracterisation d'alliages Gai.xInxAsySbi.y a parameter de maille accorde sur celui de GaSb // Rev. Phys. Appl., 1987, v.22, N.ll, pp. 14591467.

48. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967.

49. Милне Ф., Фойхт Т.Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник-М.: Мир, 1979.

50. Баранов А.Н., Дахно А.Н., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Яковлев Ю.П. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов р- GalnAsSb // ФТП, 1990, т.24, вып.1, сс. 98-103.

51. Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава // ФТП, 1998, т.32, вып.З, сс.278-284.

52. Nakashima К. Electrical and optical studies in gallium antimonide // Jap. J. Appl. Phys., 1981, v.20, N.4, pp.1085 1094.

53. Miki H., Segava K., Fujubayashi K. Undoped n-type GaSb grown by liquid phase epitaxy // Jap. J. Appl. Phys., 1974, v. 13, N.l. pp.203-204.

54. Лебедев А.И., Стрельникова И.А. О природе эффективного центра излучательной рекомбинации в GaSb и твердых растворах на его основе // ФТП, 1979, т.13, вып.2, сс. 389-391.

55. Баранов А.Н., Воронина Т.И., Зимогорова Н.С., Канская Л.М., Яколвев Ю.П Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных из расплавов, обогащенных сурьмой // ФТП, 1985, т. 19, вып.9, сс. 1676-1679.

56. Баграев Н.Т., Баранов А.Н., Воронина Т.И., Толпарев Ю.Н., Яковлев Ю.П. Подавление природных акцепторов в GaSb // Письма в ЖТФ, 1985, т.11, вып.2, сс. 117-121.

57. Зиновьев В.Г. Моргун А.И. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaSb<Bi> // ФТП, 1986, т.20, вып.2, сс.337-339.

58. Гермогенов В.П., Отман Я.И., Чалдышев В.В., Шварцев Ю.В., Эпиктетова Л.Е. Подавление "природных" акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом // ФТП, 1990, т.24, вып.6, сс. 1095-1100.

59. Бирюлин Ю.Ф., Воробьева В.В., Голубев В.Г., Голубев Л.В., Иванов-Омский В.И., Новиков С.В., Осутин А.В., Савельев И.Г., Чалдышев В.В., Шварцев Ю.В., Ярошевич О.В. Механизм "очистки" арсенида галлия висмутом // ФТП, 1987, т.21, вып. 12, сс.2201-2209.

60. Баранов А.Н., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Шерстнев В.В.,

61. Яковлев Ю.П. Изменение концентрации природных акцепторов в GaSb // Письма в ЖТФ, 1987, т.13,вып.18, сс.1103 1108.

62. Jiang W.J., Sun Y.M., Wu М.С. Electrical and photoluminescend properties of high-quality GaSb and AlGaSb layers grown from Sb-rich solution by liquid-phase epitaxy // J.Appl.Phys, 1995,v.77, pp. 1725-1728.

63. Sun Y.M., Wu M.C. X-ray photoelectron spectroscopy and optoelectrical properties of low-concentration erbium-doped GaSb layers grown from Sb-rich solutions by liquid-phase epitaxy // J.Appl.Phys., 1995, v.78, N.ll, pp.6691-6695.

64. Баранов A.H., Литвак A.M., Шерстнев В.В. Фазовая диаграмма системы Ga-Sb-Pb // Известия АН СССР Неорганические материалы, 1989, т.25, вып.6, сс. 922 925.

65. Гребенюк A.M., Литвак A.M., Чарыков Н.А., Яковлев Ю.П. Фазовые равновесия расплав-твердое тело в системе Pb-InAs-InSb // ЖНХ, 1990, т.35, вып.11, сс.2941 2944.

66. Chandvankar S.S., Arora В.М. LPE growth of GaSb from Ga and Sn solutions // J. of Cryst. Growth., 1987, v.80, pp.69-72.

67. Баранов A.H., Гореленок A.A., Литвак A.M., Шерстнев B.B., Яковлев Ю.П. Исследование диаграммы фазовых равновесий системы In-As-Pb // ЖНХ, 1992, т.37, вып.2, сс.448-453.

68. Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. Поведение примесей в твердых растворах p-GalnAsSb // ФТП, 1991, т.25,вып.2, сс.283-286.

69. Васильев В.И., Кузнецов В.В. Мишурный В.А. Эпитаксия GaxInixAsySbiy с использованием сурьмы в качестве растворителя // Известия АН СССР Неорганические материалы, 1990, т.26, вып.1, сс.23-27.

70. Kunitsyna E.V., Andreev I.A., Charykov N.A., Solov'ev Yu.V., Yakovlev Yu.P. // Applied Surface Science, 1999, v. 142, pp.371-374

71. Андреев И.А., Куницына Е.В, Соловьев Ю.В., Чарыков Н.А., Яковлев Ю.П. Использование свинца в качестве нейтрального растворителя для получения твердых растворов GaixInxAsySbiy // Письма в ЖТФ, 1999, т.25, вып. 19, сс.77-81.

72. Баранов А.Н., Воронина Т.И., Дахно А.Н., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Сиповская М.А., Яколвев Ю.П. Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов р- GalnAsSb, выращенных на подложках n-GaSb:Te // ФТП, 1990, т.24, вып.6, сс.1072-1078.

73. Вуль А.Я., Бир Г.Л., Шмарцев Ю.П./ Донорные состояния серы в антимониде галлия // ФТП, 1970, т.4, вып. 12, сс.2331-2346.

74. Мельникова Ю.С. Наколпение зарядов близи плоскости прямосмещенного р-п-перехода с большими разрывами зон // ФТП, 1980, т. 14, вып.З, сс.602-605.

75. Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Астахова А.П., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6 2.4 мкм для медицинской диагностики и экологического мониторинга // ФТП, 2003, т.37, вып.8, сс.996-1009.

76. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Яковлев Ю.П. // ФТП, 1990, т.24, вып.Ю, сс.1708-1714.

77. Гельмонт Б.Л., Соколова З.Н., Яссиевич И.Н. Оже-рекомбинация в прямозонных полупроводниках А3В5 р-типа // ФТП, 1982, т.16, вып.4, сс.592-600.

78. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Именков А.Н., Литвак A.M., Филаретова Г.М., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды на основе GalnAsSb (А, = 2,2 мкм, rj = 4%, Т= ЗООК) // Письма в ЖТФ, 1988, т.14, вып.9, сс. 45-849.

79. Попов А.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Мощностные характеристики 2.2 |im светодиодов для спектральных приложений // Письма в ЖТФ, 1997, т.23, вып. 18, сс. 12-18.

80. Попов А.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю. 2.35 jim светодиоды для измерения метана // Письма в ЖТФ, 1998, т.24, вып.2, сс.72-80.

81. Попов А.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. 1.94 (um светодиоды для влагометрии // Письма в ЖТФ, 1997, т.23, вып.20, сс. 19-25.

82. Андаспаева А.А., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Попов А.А., Яковлев Ю.П. Эффективность излучательной рекомбинации в светодиодах с гетеропереходом N-GaSb/n-GalnAsSb // Письма в ЖТФ, 1993, т. 19, вып.24, сс.5-10.

83. Именков А.Н. Капранчик О.П., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков Н.А., Яковлев Ю.П. Длинноволновые светодиоды на основе GalnAsSb вблизи области несмешиваемости (Я = 2.4 2.6 мкм, Т = 300 К) // Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, вып.24, сс.9-24.

84. Юнусов М.С., Абдурахманов Ю.Ю., Объедков Е.В., Паттахов А.А. Светоизлучающие диоды на основе изопериодных GalnAsSb/GaSb и GalnAsSb/AlGaAsSb р-n структур // Письма в ЖТФ, 1994, т.20, вып. 12, сс.48-51.

85. Литвак A.M. Диаграммы плавкости многокомпонентных систем с нейтральным растворителем (на примере системы Pb-In-Ga-As-Sb) // ЖНХ, 1992, т.37, вып.2, сс.470 478.

86. Гребенюк A.M., Литвак A.M., Попов А.А., Чарыков Н.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Фазовые равновесия расплав-твердое тело в системе Pb-GaAs-GaSb // ЖНХ, 1991, т.36, вып.4, сс. 1067-1071.

87. Гребенюк A.M., Чарыков Н.А., Пучков Л.В. Фазовые равновесия расплав-твердое тело в системах Pb-InSb-GaSb и Pb-InAs-GaAs // ЖНХ, 1992, т.37, вып.1, сс.201-203.

88. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкофазной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991. - 175 с.

89. Шкловский Б.И., Эфрос А.Н. Электронные свойства легированных полупроводников М.: Наука, 1979 с. 416

90. Kranzer D. Mobility of holes of zinc-blende III-V and II-Vi compounds // Phys. St. Sol. (a) 1974, v.26, N. 11, pp. 11 -52

91. Kawabata A. Theory of negative magnetoresistance. I. Application to heavily doped semiconductors // J. Phys. Sos. Japan, 1980, v.49, N.2, pp.628-652

92. Альтшулер Б.Л., Аронов А.Г., Ларкин А.И., Хмельницкий Д.Е., Об аномальном магнитосопротивлении в полупроводниках // ЖТЭФ, 1981, т.81, вып.2, сс.768-783.

93. Cohen M.H. Inhomogeneous transport regime in disordered materials Phys. Rev. Lett, 1973, v.30, N.15 pp.699-702

94. Шкловский Б.И., Эфрос A.H., Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников // ЖЭТФ, 1971, т.60, вып.2, сс.867-678.

95. Шейкман М.К., Шик А .Я., Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках (обзор) // ФТП, 1976, т. 10, вып.2, сс.209-233.

96. Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. // ФТП в печати.