Физические свойства молекулярных слоев и анодноокисных пленок на поверхности некоторых твердых тел тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

^ Національна Академія наук України

ДОНЕЦЬКИЙ ОІЗИКО-ТЕХНІЧНИИ іксгшт

• На правах рукопису

ГЗШО- Остап Михайлович

Фізичні властивості молекулярних шарів та анодноокисшп плівок на поверхні деяких твердих тіл

01.04.07 - фізика твердого тіла

Автореферат дисертації ва здобуття вченого ступеню доктора фізико-хатематкчнш: наук

Київ - 1994

Дисертаціє® є рукопис

Робота виконана в Інституті фізика напівпровідників НАН України

Офіційні опоненти: Член-кореспондент НАК України, доктор .

Сізшсо-матемзтичнж наук, професор . ШЕГШКМАН МОИСЕЯ КІВОВИЧ, ' .

Доктор фізика-математичниз: наук, професор БА2ИН АНАТОЛІЙ ІВАНОВИЧ Доктор фізико-математичних наук, професор БАСХЗ СРІДРІХ ГЕРШОНОЕИЧ, '

Провідна установа: Інститут монокристалів НАН України

/у 3°

Захист відбудеться 5 липня 153-і р. о " / ' " годині на засіданні

спеціалізованої ради ДО І Є- 32- ОІ при Донецькому фізпко-технічному Інституті НАН України (3400114, Донецьк-114, -вул. Р.Люксембург,72)

З дисертацією кожна ознайомитись в бібліотеці Дон СТІ НАН України

Автореферат розіслано "_______"______________ 1994р.

Вчений секретар спеціалізованої ради ДО 16.32.01, кг/двдаг фіз.-мгт. наук

СоловЗов Ю.Є.

Актуальність теми.

Інтенсивний розвиток мікроелектроніки та інтегрально! оптики вимагає все більшої мініатюрізації електронних та оптоелектронних пристроїв. Однак подальше зменшення розмірів активних елементів електронних пристроїв обмежується принциповими фізичними границями. Це обумовило необхідність розробки та пошуку нових технологій на молекулярному рівні, стимулювало широкі дослідження фізики поверхневих явищ у напівпровідниках, на межах поділу напівпровідник

- діелектрик, метал - напівпровідник, метал - діелектрик -напівпровідник , діелектрик - шар адсорбованого барвника. Крім того, в останні п'ять-шість років у зв'язку з дослідженням, високотемпературної надпровідності одержали імцульс дослідження поверхневих властивостей високотемпературних надпровідників (ВТНП). .

Відкриття явища підсилених поверхнею комбінаційного розсіяння світла (велетенське комбінаційне розсіяння світла (БКР)), люмінесценції та інфрачервоного поглинання на молекулах, адсорбованих на поверхні металів, привело до значних успіхів у вивченні фізики взаємодії молекул з поверхнею твердого тіла.

Практичне значення таких досліджень визначається їх широким використанням для сенсибілізації фотоефекту, фотографії, розвитку безсрібряної електрофотографі 1. До недавнього часу більшість робіт у даній області проводилась на порошках, на які адсорбувалися молекули барвника. Такі системи, хоч 1 мають розвинену поверхню, мають ІстотаЯй недолік, пов'язаний з тим, що в вих (через велике

неоднорідне ушярення) дослідження танках характеристик взаємодії адсорбованих молекул з поверхнею кристала проводити набагато вааче. З іншого боку, оскільки сучасна електроніка заснована на мікронних та субмікронних пленарних технологіях, дослідження на порошках неперспективні з технологічної гочки зору. Тому у даній роботі основна увага надається вивченню властивостей адсорбованих молекул на плоских поверхнях твердих тіл са твердотільних плівках. '

Система "тверда тіло - тоекі плівки органічних молекул" е дуге перспективною для розвитку нового напрямку електроніки -молекулярної мікроелектроніки. Використання адсорбції дозволяє мобільно формувати названі структури, мати зручні моделі для вивчення механізмів взаємодії адсорбованих молекул барвника ' з поверхне» твердих тіл. ' ' ■ :

Таким чином, дослідження систем поверхня твердого тіла -адсорбовані молекули барвника являється актуальною задачею сучасної фізики і має велике практичне значення. Однак, до моменту початку дисертаційної роботи існувала невелика кількість публікацій, в яких вивчалась адсорбція барзників на . поверіЕі монокристалів широкозоЕННХ наїтівдрозідників.

Практично не були вивчені механізми та характер адсорбції в таких системах, не досліджені їх оптичні та лшіеєсцєетеі властивості. Ке було робіт по вивченню механізму переносу’ енергії фотозбудження в системі молекули барвника - напівпровідник. Ка встановлені залежності орієнтації молекул від їх концентрації на поверхні адсорбата і його стану. Ев досліджувався взаємозв'язок міх станом підкладки та люмінесцентними . 1 оптичними властивостями адсорбованих молекул. Ке було робіт то дол..джєннр

'механізмів електролюмінесценції аноднобкисних ■ тілівок на поверхні карбіду кремнію, цо маз самостійне принципова значення для фізики поверхні напівпровідників, зв'язку з полі типізмом карбіду кремній (для встановлення кореляції фізичних властивостей поверхні напівпровідника з його структурою) 1 т. ін.

Метою дисертаційної роботи в дослідження оптичних та люмінесцентній властивостей поверхонь та границь розділу систем з тонкими молекулярними та анодноокисзими плівками.

Як об'єкти : досліджень використовувались • поверхні

напівпровідників С?/С ,С<І£ , «£/ ,1^6 ), а такса адсорбовані сари молекул органічних барвників . (родаміну В, . родаміну 6Н, кристалічного фіолетового та еритрозину) на поверхнях:

: -напівпровідників СсІЗ.&С ,3: ;

- надпровідників УЩ У-ба~Си-й, В! -^-Са-Са-0\

- сегнетоелектриківКН-РО., /Моґ&/0);

■ *- 4 2. З ^

. - галій-гадолінієвих гранатіз (ГГГ).;

Відповідно з метсы роботи нами поставлені та вирішені задачі:

- розробки методики реєстрації та • обробки дуже слабких (на рівні

десятків фотонів) сигналів люмінесценції та поглинання світла субмоношаровгм покриттям, адсорбованих молекул; . ■

- - розробки методики еліпсометоичних вимірювань ТОЕКЕХ та ультратонких плівок;

- обробки- методики, адсорбції молекул органічних барвників на поверхні твердих тіл та визначення їх осноених характеристик;

- дослідження !,'еханіЕ?лів переносу єнаргії збудження від молекули в підкладку та вздовг шару адсорбованих молекул;

-встановлення залехності орієнтації молекул від їх концентрації на

поверхні адсорбента та дослідження можливих орієнтаційних переходів; :

- вивчення антистоксової люмінесценції при адсорбції молекул барвника на поверхні напівпровідника з метоп з'ясування механізму сенсибілізації; .

- встановлення зв'язку міх фазовими переходами у підкладці та люмінесцентними властивостями адсорбованих молекул;

- розробка методів управління оптичними і люмінесцентними

властивостями поверхні СУ5. Її-С шляхом нанесення молекулярних . шарів та діелектричних покриттів на поверхню. •

Наукова новизна роботи. .

В результаті виконання поставлених задач в роботі шерше:

- Виявлений та досліджений ефект сенсибілізації внтистоксової

люмінесценції молекулами органічного барвника, адсорбованими на поверхні напівпровідника. _

- Виявлений та досліджений оріентаційний фазовий перехід у субмоношарах молекул родаміну В на поверхні £а£?.

- Виявлений ефект прямого збудження екситона в кристадах з адсорбованими молекулами барвника (родамін В).

- Розроблений високочутливий ' метод поверхневих молекулярних люмінесцентних міток для вивчення фазових переходів в твердих тілах, в тому числі 1 в їх приповерхневій області.

- Виявлено та досліджено світіння поверхні карбіду кремнію при анодному окисленні в електроліті. Доведена електролюмінесцентна природа світіння. Запропонована модель механізму анодного окислення '.а електролюмінесценції при анодуванні карбіду кремнію.

- Виявлено вплив надпрозідних, структурних та сегнетоелектричних

фгЗОЕИХ переходіз НЗ люмінесцентні ВЛАСТИВОСТІ молекул адсорбованого барвника.

Проведені дослідкення дозволяють сформулювати слідуючі ОСНОВНІ лолокення, які виносяться на захист:

■/. Ефект сенсибілізації анткстоксозої люмінесценції поверхні в

системі "ДУГ-адсорбовангй барвник".

2. Ь'їс-кт резонансного ентистоксовсго збудження екситона, обумовлений взаємодією адсорбозаних молекул з позерхнев кристала.

3. Експериментальне виявлення орієнтаційних фазових переходіз з концентрацією при адсорбції родаміну В на поверхню СЫЗ 1 доказ того, що адсорбція являється фізичною (енергія зв'язку <0.4 еЗ) 1 залежить від орієнтації молекул відносно поверхні кристалу.

4. - Експериментальне виявлення та пояснення додаткового каналу перекосу енергії збудження молекул вздовж пзру адсорбозаного барвника, обумовленого участи поверхневих хвиль в адсорбенті.

5. ?,!етод молекулярних люмінесцентних міток для вивчення фазових переході з в адсорбенті та на його позерхні. Метод засновано на зміні в умовах фазового переходу в підкладинці локального поля на адсорбованій молекулі, со визначає його люмінесцентні властивості.

•6. Експериментальне виявлення світіння позерхні 5і С в електроліті при анодному окисленні та модель механізму анодного окислення 1 електролюмінесценції £іС .

7. Підвищення квантового виходу електролюмінесценції сзітлодіодів на основі Зі С при ' використанні анодного окислення для обробки випромінюючої робочої поверхні світлодіодів.

Практична цінність досліджень.

Розроблені низькотемпературні методи контоолюємого нанесення

молекул барвника на поверхню твердого тіла шляхом ■ адсорбції' ■ з розчинів барвника. Показана перспективність структур адсорбований барвник - твердоті льна підкладка для створення реальних систем молекулярної електроніки з раніше відомими властивостями. .

Показана можливість практичного застосування оптичних методів для визначення параметрів адсорбованих молекул: орієнтації на поверхні, енергії зв'язку, характеру • адсорбції, ізотерми адсорбції, а також фотозбудасення кристалу - основного процесу, що приводить ' до сенсибілізації фотопровідності та аятистоксової люмінесценції. : Запропоновано новий метод вивчення стану поверхні та фазових переходів в твердому тілі за допомогою дослідження поведінки залежності квантового виходу люмінесценції " молекул адсорбованого барвника від температури, тиску, стану поверхні 1 т.ін. - метод поверхневих люмінесцентних МІТОК (ШМ). ;

На прикладі дослідження надпровідних і структурних фазових переходів, а також дослідження пружних напруг в сегнетоеластиках показана можливість ' практичного застосування даного методу для коректного вивчення фізики молекулярних систем. .

Розроблено метод , керування оптичними та 'Люмінесцентними властивостями сульфіду кадмія та карбіду кремнія шляхом варіації хімічного складу і структури молекулярних та енодноскисних плівок на поверхні Сс/£ 1 . '

Запропоновано метод просвітлення карбідокремніезих сзітлодіодів. Метод шіяхом нанесення на випромінюючу поверхню анодноохисних плівок дозволяє більш, ніж на 20% збільшити їх квантовий вихід. Публікація та апробація роботи.

По результатам роботи опубліковано 37 статей в провідних

' зітеизняних та зарубіжних журналах. Результати робота доповідалися

■ та обговорювалися на міжнародних та вітчизняних наукових конференціях:. Республіканській конференції по : молекулярній

спектроскопії {Чернівці і 1972); V Всесоюзному симпозіумі по електронним процесам на позерхні напівпровідників та на границі розділу. напівпровідник діелектрик (Новосібірськ, 1974); II Всесоюзній нараді, "біготні проблеми МДй - Інтегральної електроніки" (Київ, 1976); VI ■ Всесоюзній конференції по електролюмінесценції

(Дніпропетровськ, 1977); VI Всесоюзній нараді по фізиці поверхневих явиц в напівпровідниках (Київ, 1977); XIII Міжнародному науковому колоквіумі (Ільменау, НДР, 1978); XXVI Міжнародному науковому колоквіумі (Ільменау, НДР, 1931); V Всесоюзній нараді "Фізика та

. . •' ‘. - II "Тій .

технічна застосування напівпровідників А В (Вільнюс, 1983); XXIX Міжнародному науковому колоквіумі (Ільменау, ВДР, 1984); X Всесоюзній конференції по фізиці напівпровідників (Мінськ,

1985); XXXII Міжнародному науковому- колокзіумі (Ільменау, НДР, •1987); VI Всесоюзній сколі-симпозіумі по фізиці поверхні

напівпровідників (Одеса, ,1937);- V Республіканській , конференції "Фізичні проблеет МДН - інтегральної електроніки" (Дрогобич,

,1987); II' Міжнародній конференції по структурі поверхні (Амстердам, 1937); II Всесоюзній гссолі-свмінарі ’ "Взаємодія електромагнітних хвиль з напівпровідниковими та . напівпрозідниково-діелектаичнима структурами" .(Саратов, . 1988);' -ХХ; Всесоюзному з'їзді по

спектроскопії (Київ, 1988); Всесоюзній конференції "Поверхня"

(Черноголовка, 1989); IV Всесоюзній конференції "Еліпсснетрія -метод дослідження поверхні тзердих тіл" (Новосібірськ, 1988); V

■Республіканській еколі "Оптика та . спектроскопія молекул та

кристалів" (Тернопіль, 1989); II Всесоюзній конференції по ВТНИ (Київ, 1989); XXII ВсесоюзніП конференції по фізиці напівпровідників (Київ, 1990); ІІІ Всесоюзній конференції по фізиці та технологи напівпровідникових плівок (Івано-Франківськ, 1990); І Міжнародній коЕфереЕЦІІ по спектроскопічній еліпсометрі 1 (Оранція, Париж, 1993). ' '

Особистий веєсок автора. Друковані роботи, які є осново»

дисертації, написані в спіЕзторстзІ. У есіх роботах автор приймав участь у постановці задач 1 розробці методик експерименту, обговорюванні та формулюванні одержаних результатів та побудові фізичних моделей. Автором особисто була розроблена методика

реєстрації слабких світлових сигналів. Вимірювання оптичних та люмінесцентних властивостей адсорбованого барвника на поверхні напівпровідника виконувалися автором разом з к.ф.м.н. Юрченко

І.А., еліпсометричні вимірювання проводилися разом з к.ф.м.н. БорцагІЕСьким Є.Г., вимірювання оптичних властивостей молекул барвника при Фззоеих переходах в адсорбенті автор проводив при участі к.ф.м.Е. Шало С. А.

Структура та об'єм роботи.

Дисертація складається з вступу, п'яти глав, висновків та

списку цитованої літератури. Робота викладена на 298 сторінках машинописного тексту, містить 53 рисунки, 3 таблиці та 253 найменувань цитованої літератури. Рисунки та таблиці пронумерозані по главам, бібліографія мав наскрізну нумерацію.

ЗМІСТ ЮБОЇК.

- У вступі данз коротка характеристика галузі дослідаень, сформульована мета роботи, обгрунтовується вибір задач, розв'язаних в дисертації та їх актуальність, а також вказана степінь розробки теми до почату цієї роботи- Тут *0 коротко викладено зміст роботи. Сформульовані основні положення, які виносяться на захист, їх наукова новизна та практична цінність. .

В_п§ршій_главі детально описані метода нанесення молекулярних покриттів шіяхом адсорбції з розчину на поверхня напівпровідників 1 розроблені методи визначення характеристик молекулярного шару, таких як, ступінь покриття та енергія зв'язку, а такоз описані методи -реєстрації оптичних ■ спектральних характеристик адсорбованих 'молекул. .

- Вивчення' адсорбції. органічних барвників на поверхні монокристалів почалося відносно недавно 1 зв'язано з певними експериментальними труднощами вимірювання поглинання та люмінесценції, що пов'язані з незначною кількістю адсорборованих молекул (їх концентрація; на поверхні складає звичайно І О11- І О13 молекул/см2). Тому в главі велика увага' приділяється розробці методів реєстрації дуле слабких оптичних сигналів, засяованних на лічбі фотонів. Приведено опис експериментальної установки, створеної автором з співробітниками. Запропоновано високочутливий метод реєстрації властивостей адсорбованих частинок по параметрам повного внутрішнього відбивання при різних полярізаціях світла. Це дозволило надійно реєструвати оптичне поглинання молекул адоорбованого барвника для степіні покриття менте однієї десятої

монопару. .

Як метод контролю досліджуваних, шавок в роооп застосовується еліпсометрія. Тому в главі були розглянуті особливості застосування еліпсометрії при дослідженні • ультратошшх плівок на поверхні твердих тіл. Запропоновано /феноменологічну теорію еліпсометрії таких систем. Розглянуто методику визначення даних еліпсометркчнпх вимірювана ультратонких плівок.

Проведено вивчення кінетики адсорбції . молекул органічних барвників на поверхні напівпровідника. На основі феноменологічного підходу розроблено метод визначення енергії зв' язку адсорбозаних молекул з даних кінетика адсорбції. Цей метод було використано для вивчення система поверхня ЛяХ- молекули родаміну В. Було показано, що у випадку адоорбції родаміну В на поверхні. кінетика

адоорбції добре описується законом Ленгмюра. Оцінка енергії зв'язку адсорбованих молекул, барвника з поверхнею кристала, одержаних’ з експериментальних даних по кінетиці адсорбції в розчин дає значення для мономерів з дипольним моментом, орієнтованим II позерхні напівпровідника.?^ = 0, 028 еВ, дяя£в «* 0,041 еЗ та для димарів

<£ д-■ 0,159 еВ. Близькі значення енергії зв'язку адсорбованих молекул з поверхнею елі були одержані також із ; результатів спектроскопічних дослідаень. ■

Такі низькі значення енергії зв'язку підтверджують нгге прииуцення про ФізичеиЗ характер адсорбції 2 даних системах. ,

Для коЕтрсиш досліджуваних систем були проведені незалежні вимірювання характеру адоорбції родаміну В на поверхЕП Саі$. за допомогою еліпсометрії досліджені ізотерми адоорбції . родаміну В на поверхню напівпровідників «Г/£. та С&. Обробка одержаних даних

: показала,, що" для 'адсорбозаних.слізок барзника таляризуємість паралельно ( «б/, ) га перпендикулярное^, ) позерхні стаз різноя .за рахуиск взаємодії з; підкладкою. .. Визначені ’ степені згговненЕя поверхні адсорбенту та шдтзердЕено, цо до заповнення мояопару адсорбція носить ленгмюровський характер.

В другій главі досліджені оптичні люмінесцентні властивості адсорбованих на позерхні кристалів молекул органічних барвників родаміну В та кристалічного фіодатозого. На основі вимірювань спектрів поглинання поляризованого світла визначені орієнтації моментів оптичних переходів молекул і виявлено орієнтаційний фазовий перехід при зміні концентрації. А саме, при концентрації молекул на поверхні, .які складать" долі монопару, в спектрах поглинання спостерігалися смуги, характерні для мономерів молекул. .Поглинання відбувалося, в' основному, при полярізвції падаючого ’ випромінювання пвраллельно поверхні ’зразка. Цей факт свідчить про перевазЕу орієнтацію дипольеех моментів -оптичних переходів вздова поверхні кристала. При збільшенні концентрації адсорбованих молекул

• від.-в ^ 0,5 моновзру до -в > 0,6 .моношару поглинення світла відбувається, в основному, на молекулах барвника, дипольний момент ’ оптичних переходів яких орієнтовано вздовя нормалі до поверхні. У . всьому інтервалі концентрацій1 спостерігалася такса смуга поглинання, цо відповідає молекулярним димерам. Характерним е те, цо дгмери, в основному, поглинають світло з толярізаціеа нормальної) поверхні. Се говорить про те, цо дипольні ■ моменти переходів у ■димарів перевагно орієнтовані по нормалі до поверхні. , Підтвердження наявності фазового орієнтаційного переходу було отримано також при досзідаенні залежності інтегральної . інтенсивності люмінесценції

молекул у поляризованому світлі від її концентрації на поверхні. .

Зміну орієнтації дипольних моментів оптичних переходів при збільшенні концентрації адсорбованих молекул було описано в рамках феноменологічної теорії в припущенні, що статичний дипольний . момент молекули жорстко зв'язаний з дипольним моментом переходу. При цьому було показано, що такі оріентаційні переходи . обумовлені міжмолекулярними взаємодіями в парі адсорбата і являються фазовими переходами першого роду. , . ■ ' / • • ■

Вимірювання квантового' виходу люмінесценції при адсорбції РВ Із

розчинів з концентраціями л = І0_б + 5‘ І О'5 моль/л при різних

' ■ ■ . ■ ' л •

орієнтаціях показало, що квантовий вихід люмінесценції £ = ІХ| /&ц

молекул з дипольним моментом, орієнтованим перпендикулярно поверхні.

зразку, в 2 рази більше, ні к для , молекул з дипольним моментом,

орієнтованим в площині поверхні зразку^ 2/?. Це свідчить про

наявність додаткового каналу передачі ■' енергії від паралельно

орієнтованих молекул в кристал. Тобто, поряд з механізмом ' передачі .

енергії збудження вздовж шару барвника внаслідок црямої взаємодії

мік молекулами може відбуватися непряма передача : енергії від

молекули до молекули за участю збудеення в кристалі. Се

підтверджується таксж наявні став концентраційного гасіння

люмінесценції, що проявляється в тому, що, пра звільненні

концентрації молекул ' на поверхні, залежність ■ інтенсивності

люмінесценції від концентраті ВІДХИЛЯЄТЬСЯ від лінійної.

Одержані нами експериментальні результати показали, що система

адсорбованих молекул на підкладці суттєво відрізняється від трьохвимірного випадку наявністю границі розподілу. Цри наявності взаємодії молекул з підкладкою поряд з пряними механізмами

переносу, аналогічними механізму Докстаре-Оерстерз, можуть їсиузати напрямі механізми переносу енергії від молекули, до молекул за участи поверхневих збуджень.' в підкладці. Проведений таорзгкчниЗ аналіз 1 результати експерименту підтвердили наявність такого додаткового механізму переносу енергії. Зокрема, експериментально встановлено, що'з досліджуваних системах показник ступеню функції <г(£) =• (*0/е)п. по визначає константу швидкості процесу переносу енергії К = І/ Т ^(-е) поряд з величинами п = 6,8,10, характерними для переносу енергії в об'ємі маз величину /?~ 3. Це свідчить про наявність додаткозого каналу переносу енергії вздоез шару молекул барвника за участю підкладки. ’

Присутність механізму передачі енергії збудження за участи підкладки в системі Сс/£ - адсорбований родамін В можна було б очікувати, якщо взяти до уваги, що в цій системі спостерігається сенсибілізована барвником люмінесценція кристала.'

в - ■ третій главі , вивчена сенсибілізація антистоксової %люмінесценціі сульфіду кадмію при адсорбції на його поверхню молекул родаміну 3. Досліджувалась залежність ефективності.

. сенсибілізації антистоксової люмінесценції (АЛ) від степені покритая поверхні ЛІГ молекулами барвника, а також поляризації збуджуючого світла. Сенсибілізація АЛ спостерігалась пря збудженні барвника як в області смуги поглинання адсорбованого родаміну В -М,( А = 510-580 ем), так 1 в смузі поглинання доміпкозих молекул М2( Л - 620-780 нм). Інтенсивність АЛ визначалася в області максимуму безфононної лінії екситонного зипромІназгЕня ( я «= 487 ем, Ьт) = 2,545 еЗ). Показано, що збудження АЛ, в основному, пов'язано з передачею енергії фотазбудоЕня з кристал від молекул,

- ІЗ -

орієнтованих дипольним моментом паралельно поверхні. Пря цьому, інтегральна ефективність сенсибілізації пропорційна кількості "паралельно" орієнтованих молекул родаміну В (збудження АЛ в смузі Ы,) і квадратично залежить від кількості адсорбованого барвника у випадку домі пікового збудження АЛ (смуга М2). Квадратична залежність Інтенсивності АЛ від . концентрації свідчить про ' наявність, кооперативних процессів збудження АЛ.в смузі Мг. '

Для вияснення детального механізму збудження АЛ було, проведено вимірювання спектрів збудження для ■ безфононяоі лінії екситонного випромінювання Сс15при 77 К. Сканування довжини хвилі збудження здійснювалося в межах смуг ■ поглинання барвника. Спостерігається спектр збудження АЛ, який являє собозз вузькі смуги-з явно вираженою осщшшчою структуро». При цьому ці' смуги розташовані з області максимумів смуг поглинання М, тз Ы2. Сорт і структура ' піків • дуже близькі один до одного. Необхідно також відзначити, со' ' піки збудження мають нашвгирину набагато мензіу сірини слуг поглинання адсорбованого барвника,. тоді ех ранісе при дослідженні спектрів ’ збудження АЛ, сенсибілізованої • адсорбованим барвником,. а також спектральної залежності сенсибілізованого фотоефекту одержували залежності, цо повторюють в цілому форму' спектру . поглинання молекул барвника., - , ' . ' . .

При збудженні АЛ в області ^ максимуму спектру збудження вид спектру екситонного випроміЕЮзання являє собою вузьку інтенсивну лінію безфоновного випромінювання екситонів і слабкі піки фононних повторень, які відрізняються від таких при міжзонному збудженні. Наявність інтенсивного гострого (нет!ширина — кТ) піку Еа цьому спектрі говорить про ефективне утворення "холодних", екситонів в

області дна екситонної гоня при їх збудженні. з мзксимуиі огзгя збудження. Шдсзітка інірачервокпм випромінюванням в області енергій КВ2НТІВ 0,4 еЗ приводила до збільшення ІЕЇЄЕСЯЗЕ0СП АЛ.

Дані результати добрэ описуються в рачках моделі трьохступеневого процесу збудження екситонів через поверхневі різні Вл в забороненій зоні кристалу, згідно якої на першому - етапі відбувається: . ,' ■

1). Поглинання кзанту енергії адсорбованою молекулой родаайну 3. При цьому молекула переходить зі стану £ 0 з збудкений стан -Г «. Після чого відбувається швидка коливальна релаксація з основний коливальний стан-Г^ '

2).На другою етапі здійснюється перенос енергії . електронного

збудження молекули (молекула переходить зі стану «У, з стан і’ 0) на поверхневі рівні кристалу та релвксаця енергії на донгскизучий повэрхнезий рівень Лл. . ; ...

3). Поглинання . другого кванту енергії кристалом, при якому здійснюється перехід електрону з рівня ■Л1 в зону провідності. ІІрз цьому відбувається народження пари елєктрон-дірка або народкання безпосередньо екситона в екситоннШ зоні кристалі'. .

Для цього необхідно, щоб енергія кзвету збуджуючого світла: ■

- ЗА,.

У випадку » Вд - Е^відбувається пряме нзродгення "холодних" екситонів. . • .

Величина енергії 34, легко визначається по полояеннп максимуму в спектрі збудження 1 оптимальної величини енергії квантів 14 йдсеітки. Якщо розглядати збудкензя . АЛ з домі піковій смузі поглинання М2, маши на узазі кооперативність 1 малу відносну

кількість домішкових молекул, необхідно ввести в модель два рівні -Д, і Лг, положення рівня Аг визначається ю положенню низькоенергетичного шку в спектрі збудження. Таким - чином, в другому акті поглинання світлового кванту відбувається сумування його енергії з енергіею, яка мала запас на рівнях А, і Аг. .

В цій же главі було розглянуто питання випромінювальної анігіляції екситонів у поверхні кристалу С*/£ при антистоксовому збудженні. Можливість проведення таких досліджень обумовлена малими С< /0 нм) відстанями, на які відбувається перенос енергії від фотозбудженниг адсорбованих молекул барвника. При цьому треба мати на увазі різницп в механізмах утворювання екситонів тоді, кола збудження АЛ екситонів проходить в області вузьких шків спектру збудження, при прямому збудженні екситонів і поза цих смуг, коли утворення екситонів відбувається . со механізму зв'язування електрона та дірки. Така різниця в принципово» і може проявитися в зміні відносної інтенсивності та форми піків фононних повторень безфононної лінії випромінювання. Найбільш цікавою в можливість

антистоксового народження "холодних" екситонів з енергією кТ, що проявляється в наявності інтенсивного гострого (з натваириноп ~кГ) шку ексигонного безфононного випромінювання.

У випадку адсорбції на поверий молекул барвника кристалічний

фіолетовий нами виявлена сенсибілізація АЛ екситон - домівкових

комплексів (ЕДК). Вивчення властивостей випромінювальної анігіляції ЩС показало відміну поверхневих ' констант

екситон-фононної взаємодії від їх об'ємних значень.

В четверті Я главі були розглянуті особливості люмінесценції адсорбованих молекул ори базових переходах (ОП) в адсорбенті.

Приведені результати показали, цо наявність нй поверхні кристалів молекул барвника приводить до суттєвої зміни оптичних та люмінесцентних властивостей системи в цілому. У цьому випадку органічна молекула разом з підкладкою утзорвз нову електродинамічну систему зі своїми особливими властивостями. Оптичні властивості такої системи, в значній мірі, визначаються величиною локального поля на молекулі, яке, в сзов чергу, залезить від поведінки діелектричної функції підкладки. Квантовий вихід . люмінесценції адоорбозаних молекул у цьому вигадку такоз суттєво залежить від величини локального поля Е1оо. Тому мохна записати ■ -

Ъ-&(Х1Ъ)*Г£ебс\

де/(Е1оо) - деяка функція, яка залежить від локального поля на

молекулі, 9 - .ступінь . покриття . поверхні. Тобто, будь-які зміни локального поля повинні відбитися на поведінці квантового виходу лшінесценції адсорбованих молекул. Треба відзначити, по у формуванні лекального поля поряд з адсорбованими молекулгми

приймають участь і црялісверхЕеві пари речовини. Тому дослідження поведінки квантового . еиходу люмінесценції молекул при зміні

лекального поля' може бути Інструментом у вивченні властивостей

самого твердого тіла. . . . . .

Hit відомо, в точках фазових переходів адсорбента відбувається

аномальна поведінка узагальненої сприйнятливості системи, цо приводить до особливої поведінка діелектричної проникливості в підкладці npz критичній температурі Т0. Поява особливостей діелектричної проникливості в решті ревт приведе до зміна

квантового виходу люмінесценції адсорбованих молекул в області То.

Приведена яжт;я схема міркувань стала концептуальної) основою

запропоновазного вали еозого експериментального методу - методу поверхневих люмінесцентних міток .

Нами показана моклквість 'застосування вказанного методу для дослідження надпровідних переходів конкретних систем. Дослідження проводилися ■ на поверхнях пліеок л'Ік' (Тс = 13,5 К) та

високотемпературних кадпровідоках (ВИШ) У&йСиО<Ла = 87 К) об'ємного кера\іічного зразку У8&СиО(.Тс = 50 К) з нанесеними на них молекулами еритрозину. . ' . ■. . , . '

Вимірювались одночасно температурні залежності квантовоіч) виходу люмінесценції барзнкка і магнітної сприйнятливості зразка. . .

Для класичного надпровідника в області _ фазового переходу відбувається невелика (~5Ж) стрибкоподібна зміна 2 молекул. При цьому ничке та вида точки переходу "0 величина £ (Т) практично постійна. Для квантового виходу лшінесценції молекул, нанесених на кристалічну плівку К5аСиО, крім калже незмінного ходу поодаль від Тс Існуз достатньо шрока по температурі область, де £ (Т) поводиться особливо, а саме, проходить скрізь максимум при Т->-105 К. При цьому величина зміни Л£(Т) — 1003. Для. молекул, адсорбованих на кераміці УВвСиО таких областей дві- поблизу Т-90 К та Т~ 50 К. Це мотка пов'язати з наявніста, по крайній мірі, двох фазових переходів. При перзому (7 ~ 90 К) відбувається перехід в

надпровідну фазу окремих ізольованих областей зразка. При другому (Т~ 50 К) відбувається другий перехід, при якому весь зразок переходить в надпровідну фазу, цо підтверджується вимірюваннями провідності. Існування цих двох температур надпровідного переходу може пояснюватися різною степени» кисневої нестехіометрП співіснуючих фаз в керамічних зразках У&гСиО. Особливості поведінки

- ІЗ -

£(Т) Т ~90 К та Т -'-50 К можуть Сути пов'язані з' слідуючими факторами: ’ по-перше, . в силу неоднорідності зразків адсорбенту перехід в надпровідну фазу виявляється декілька розмитим (~30К). По-друге,' згідно., флухтаційно-дксипативної. теореми, діелектрична функція визначається кореляторами типу струм-струм

У флуктаційніЯ області ці кореляторл стають аномально веліс-сими, тому лекальне поле на молекулі сильно змінюється. Це приводить до особливої поведінки 2 VГ). ' ■

Необхідно таксу, звернути увагу на незвичайне сироку флухтаційну область у ВГКІТ. Так .для поліяристалічно! плівки УЗаСиО вона становить ~ 10 К, цо, очевидно, зв'язано з достатньо калою доз:<иною когерентності у ВТНИ. , .

Із. всього . сказаного . можна дійти висновку,. їо запропонований метод може Сути корисним доповнення?.! до. існуючих - експериментальних методів дослідження надпровідників. А П0ВЄДІЕК31 залежності 2(Т) ЯЛЯ плівок ЇВаСи О дозволяє надіятися на перспективність методу не тільки в спостереженні, але йі з вимірюванні величини флуктаційної області ВТНИ. . : ■ ' • ■ .

Метод поверхневих люмінесцентних, міток був апробований нами також Ери дослідженні структурних фазових переходів в плівках ПТ. Тут, як ї в попередньому випадку, спостерігалися особливості -В поведінці, квантового виходу люмінесценції в області критичних температур.'. ' • • - ' • '

. На прикладі дослідження сегнетоеластиків при прикладанні до них одновісейх тисків Сула показана можливість. безконтактного дослідження пружних напруг в таких системах. Таким чином,

універсальність даного методу для дослідження ФП очевидна.

Розвинутий нами метод являється попередником нового методу дослідження поверхні - мікроскопії локального поля {//ел*-Мусгоїссру), що Інтенсивно розвивається на сьогодні.. Треба відзначити, до метод поверхневих люмінесцентних МІТОК являється-аоки що єдиним методом експериментального вивчення особливостей фазових переходів в приповерхневих областях твердого тіла. . .

Оскільки, як було показано раніше, концентрація адсорбованих молекул барвника, при яких створюються найбільш сприятливі умови для сенсибілізації АЛ і фотоефекту 1 ще не відбувається концентраційного гасіння люмінесценції, складає менш ніж один моношар, а інтенсивність люмінесценції дуже слабка, то досить проблематичним становиться використання таких систем в молекулярній електрониці. Виникає питання про можливість збільшення концентрації випромінюючих центрів (молекул барвника) шляхом їх рівномірного розподілу ш товщині плівки і збереження, таким чинсм, оптимальних умов для випромінюючої рекомбінації. На ваз погляд, така можливість може мати місце, якщо спробувати впровадити молекули барвника • із. електроліту в анодноокисну плівку в процесі 11 росту. У зв' язку з цим нами в п'ятій главі були проведені теоретичні та експериментальні дослідження анодного окислення карбіду кремнію, а також виявленої нами електролюмінесценції при анодному окисленні в електроліті, з метою вияснення механізму і характеру анодного окислення і визначення можливості впровадження в анодний окисел в процесі його росту центрів люмінесценції (молекул барвника) та одержання їх однорідного розподілу по об' ему анодного окислу.

Дослідження проводилися як в потайці остаточному, так 1 в

гальваностатичному "режимах на різних полі типах і полярних гранях кристалів карбіду кремнію.. Основний струм, який. протікав крізь енодноокисну плівку (АОЩ при анодному окисленні S/С - електронний. Оцінка ■ корисного виходу по струму . в гальваностатичному режимі окислення (діапазон струмів 2-30 мА/см2, елзктроліт І) дав величину 1,4 - 2, IS для кристалів S/С різних полі типів. Напруженість електричного поля в- плівці слабо залежить від густини струму 1 становить 1, 17 - б’І О7 В/см. . .

, Для здійснення процесу анодного окислення напівпровідників необхідні дірки. Це підтверджується результатами контрольних дослідів з зразками, карбіду кремній р- та гі -типу при освітленні останніх ультрафіолетовим випромінюванням. / .

' Для дослідження .механізму провідності в АОїї для різних товщин

' • • • ■ , х , - - ■

плівок вимірювались вольамперні характеристики, на яких мокла

. виділити дві ділянки. При низьких напруженостях поля (Е < 1,2* ІОт

В/см, область І) вольтамперні " характеристики добре апроксимуються

формулою Нотта-Герні для струмі б конополярної Інжекції, обмежених

об'ємним зарядом, захопленим на мілкі уловлювачі.. Ефективна

рухливість носіїв струму при-ЦЬОМУ- 6* І0“11 см2/В'сек. Оцінка

нижньої’границі концентрації уловлювачів дав значення - І'ІО19

см*3. Струм в області І визначається дірками. При великих

напряженностях поля (Е й 1,2* 0Т В/см, область 2) механізм

провідності носить інша характер. Такі поля достатні для відриву

іонів кремлів, (вуглецв) ' з кристалічної гратки, і переносу їх

“крізь окисел. При цьому можливе значно збільшення концентрації

електронів, які іЕхектуються з електроліту внаслідок протікання

процесів окислоутворюзання. На ділянці 2 спостерігається світіння,

інтенсивність якого прямо пропорційна густині струму £ ~ .

Світіння спостерігається у видимій області (1,8 - 3,21 <эЗ) 1 мав

широкий 1 плавний спектр з максимумами ЛУ ^ 2,1 та З, І еЗ, які

можуть бути обумовлені власними дефектами 1 домісковими

рівнями, розташованими в забороненій зоні анодного окислу..

Дослідження кінетики світіння, його спектрального ; складу залежно' від матеріалу . підкладки 1 типу електроліту, а такох впливу на кінетику 1 спектр політшпзму карбіду кремнію та полярності граней £>? та дозволило дійти висновку, що світіння при анодному окисленні обумовлено електролюмінесценцією анодные окисних плівок- Електролюмінесценція виникає при прикладанні сильного електричного поля до анодних окисних плівок,. внаслідок інгекщі електронів з електроліту в С-зону (або в домішову зону) окислу з подальшою їх випромінювальною рекомбінацією з дірками, захопленими на уловлювачі. Центри випромінювальної рекомбінації рівномірно розташовані по товщині окисної плівки. . .

1 ' . о '

При великих Еяпругах (2Г£ 400 В товщина плівки більше 2000 А)

при рості анодних окисних плівок на £їС спостерігається пробій, для

якого характерні осциляції напруги, поява мікроспалахів та

лінійчатий спектр (Еалівшрина ліній 0,02 - 0,05 еВ). Лінійчатий

спектр при пробої окислу зв'язаний з світінням мікроплазм і

перетворенням анодного окислу в оксинітркд (по даним

ІЧ-спектроскопіІ).

Дослідження анодного окислення зразків карбіду кремнію різних полі типів, а такса £:СєН різної полярності граней вказало на практично тотокню поведінку процесу окислення, починаючи з товщини

о о

плівок а > 250 А. Товщина плівки Ы ~ 250 А являється деякою

характеристичною товщиною, починаючи з якої при дяиіпг пйлях процес струмопроходаення визначається анодною окисною плівкою. Очевидно, для 5ІС різних полі типів - та полярностей ' граней деяка різниця в швидкі сп окислення на цьому етапі пов'язана з різною величиною потенціального бар'єру на границі sic- sio2, який, згідно моделі Мотта-Кабрера, лімітує швидкість переносу іоніз. Встановлено вплив електроліту при анодному окисленні на властивості та енергетичне положення рівней в анодній окисній плівц! карбіду кремнію. Контроль якості та товщини окисних плівок в процесі їх росту проводився за допомогою еліпсометрії.

:• Показник заломлення анодної окисної плівки на siC при анодному окисленні в електроліті гь - I.4S. Це дозволило використовувати метод анодного окислення для.нанесення просвітляючих покриттів на Sic - СВІТЛОДІОДП 1 Збільсення ЗОВНІШНЬОГО квантового ВИХОДУ SiC -сзітлодіодів на 203. .

- . . ЗАГАЛЬНІ ВИСНОВКИ

І. Виязлєео та досліджено орієнтаційний фазовий перехід у суСмоЕосзрах молекул родгміну В на поверхні сульфіду кадмію. Показано, Ео-оріентгція адсорбованих молекул залетить від ступеню покриття позерхні: при низьких ступенях О <0,5 орієнтація дипольного моменту-адсорбованих молекул паралельна поверхні, при Q »

0,5 орієнтація змінюється на нормальну, при цьому відбувається інтенсивне утворення джерів. В рамках термодиЕамічного підходу була пояснені орієнтацій^ переходи в адсорбованому шарі. Показано наявність критичного ступеню покриття поверхні ' кристалу адсорбованими молекулами, при якій відбувається їх переорієнтація.

2. Встановлено, до квантовий вихід люмінесценції адсорбованої

молекули родаміну В суттєво залежить від II орієнтації (дипольним моментом паралельно або нормально, до поверхні), при цьому * /у ^ *

2,1, що пояснюється існуванням ефективного каналу переносу . енергії фотозбудаення на поверхню кристалу у "параллельно" орієнтованих мономерів. . - ' ' . .. ., ■ ■ . ..... , • '

3. Розроблено теоретичну модель та пояснено особливості переносу

енергії по індукціонно-резонансному механізму в системах з границею розподілу. Показано, що при цьому залежність швидкості переносу від відстані може суттєво відрізняйся від ферстеровськоі. У цьому випадку можуть існувати непрямі механізми переносу енергії збудження вздовж шару молекул за участю поверхневих збудонь підкладки. ■ . • ' . ' . . '

4. Експериментально встановлено, що в системах, які досліджуються,

показник ступеню функції, що визначає константу швидкості процесу перекосу енергії г(к) « (к0/к)п , поряд із значеннями. 6,8,10, характерними для переносу енергії в об'ємі, може дорівнювати 3. Це свідчить про наявність додаткового каналу переносу енергії вздовж шару молекул барвника за участю підкладинки. Для водних розчинів барєника метод підтвердив диполь-дипольну взаємодію молекул в розчині. .

5. Виявлений та досліджений ефект сенсибілізації антистоксової

люмінесценції кристала молекулами органічного барвника, адсорбованими на його поверхні. Показано, що збудження,АЛ пов'язано з переносом енергії збудження від фотозбудаеної молекули в приповерхневий шар кристалу 1 здійснюється тільки молекулами з дипольними моментами, орієнтованими вздовж поверхні кристалу. -

6. На основі феноменологічного • підходу розвинута теорія кінетики адсорбції барвників Еа поверхні капізпровідникіз. Експериментальна перевірка положень теорії показала добре узгодження теорії 1 експерименту, со дозволило визначити такі важливі параметри системи як енергії зв'зку адсорбованих мономерів 1 дилерів барвника родаміну В з поверхнею сульфіду кадмію (23 меВ - дипольний момент оптичного переходу паралельній поверхні, е а 4! меВ -дипольний момент оптичного переходу нормальний до поверхні). Тобто, адсорбція родаміну 3 на поверхню с сів носить фізичній характер. Показано, со кінетика адсорбції рода’Лну 3 добрз описується законс-м Ленгмюрз.

7. Виявлено 1 досліджено ефект прямого антистоксового збудження

екситонів у поверхні христалу слъ в процесі сенсибілізації АЛ. При цьому збудження відбувається за участю позерхзевого рівня з

енергією 2 а- 0,41 еЗ. Встановлено, цо у цьому випадку відбувається народження "холодних" екситоніз з кінетичною енергією ~ кТ. Зиязлено ефект 14 стимуляції антистоксовсі люмінесценції, який підтвердзує модель прямого збудження екситону. Показано відмінність механізмі з утворення екситонів при різних енергіях квантів

антистоксового збудження з меасах полоси поглинання барзника.

3. Запропоновано енергетичну модель збудження ЛЛ екситоні з в кристалах саз при адсорбції молекул барвника РЗ за участю

поверхневих різніз, які утворюються з результаті адсорбції.

Показано, цо у випадку збудження АЛ з області основної смуги

поглинання барзника збудження АЛ відбувається по механізму послідовного збудхення, а у випадку збудження АЛ в області

доміпкобоі смуга поглинання - по механізму кооперативного

підсумовування енергії.' .

9. Розглянуто особливості застосування еліпсометрії . при

дослідженні надтонких плівок на поверхні твердого тіла. На основі самоузгодженого підходу, основаного на тому, що макроскопічна електродинаміка ультратонких плівок, товщина яких порівнена з характерним масштабом . неоднорідносте^ мікрополів, повшна будуватися з врахуванням того, що Етрзчае . зміст поняття макроскопічної діелектричної проникневності плівки, а також максвеловські граничні умови на обох сторонах плівки, ' створена модель для інтерпретації результатів ' еліпсометричних досліджень ультратовких плівок. Доведено, що одержані , вирази можуть бути використані в розрахунках відбиття від складних систем з ультратонкими плівками -по рекурентним формулам. , . '

10. Запропоновано новий високоефективний метод вивчення стану

поверхні і фазових переходів у твердому і «.лі ' за допомогою дослідження поведінки залежності квантового виходу ламінесценції молекул адсорбованого барвника від температури, тиску, стану поверхні і т.ін. - метод поверхневих люмінесцентних міток. На прикладі дослідження надпровідних 1 структурних фазових переходів,; а також пружних напруг в сегнетоелектриках показана можливість' практичного застосування . методу ЕЛМ для коректного визчення фізики молекулярних систем. ' ■ ' .

11. Зпершс було виявлено і досліджено світіння позерхні карбіду

кремнію при анодному окисленні в електроліті. Визначено його спектральний склад. Показано, що світіння визначається електрс лзмі еєсцєнці єа анодного окислу напівпровідника.

Запропонована модель механізму анодного окислення і

електролюмінесценції при анодному окисленні Sic.

12. В результаті .порівнянь експериментальних даних для анодне!

окисної плівки з феноменологічною теоріє» визначено ряд параметріе: доля іонного . стрілу, ефективна рухливість носіїв струму та концентрація уловлювачів.' Показано,-. со вольтамперні характеристики системи електроліт - діелектрик' .• -напівпровідник ери низьких Еапруженностях поля (Ед < 1,2* І О7 Е/см) підкоряються закону Нотга-Горні для Інжекційних струмів, обмежених об'ємним зарядом носіїв струму, захоплених Еа уловлювачі. '

13. Розроблено метод упразліЕНя оптичними властивостями SiC шляхом

нанесення різних діелектричних . покрить. Запропоновано спосіб нанесення ннодеоокисних плівок на • випромінюючу поверхню карбідохремнієвих світлодіодів. Одержано • звільнення квантового

виходу СВІТЛОДІОДІВ у ВИДИМІЙ Області спектру ЕЗ 20%.

14. Створена . багатофункціональна автоматизована високочутлива

установка, яка дозволяє з використанням методу МНПБВ проводити реєстрацію слабких світлових потокіз від джерел різної природи (модульованих, Імпульсних, неперервних) у широкому спектральному (0,2 - 4 мкм) та температурному (4,2 - 300 К) діапазонах з високим спектральним розрізненням (зворотня лінійна дісперсія 0,6 нм/мм, ширина апаратної функції 0,015 нм). Визначені та практично

реалізовані найбільш оптимальні . методи 1 режими вимірювання спектрів поглинання та люмінесценції молекул барзника, адсорбованого Еа поверхні напівпровідника.-

15. Розрощено'програмне забезпечення, яке дозволяє автоматизувати

процес вимірюзаЕЬ 1 проводити математичну' обробку одержаних

результатів (арифметичні операції з одним або двома спектрами,

функціональні перетворення спектрів, мзсштзбувгння спектру в будь-яких одиницях, цифрову фільтрацію оуміз, зрізання випадковій випадінь 1 т.д.).

Таким чином з роботі показано, цо наявність на поверхні кристалів молекул барвника приведе до зміни оптичних і люмінесцентних властивостей системи в цілому. У цьому випадку органічна молекула разом з підкладкою утворює електродинамічну систему, оптичні властивості якої, з значній мірі, визначаються величиною локального поля на молекулі, яке, в свою чергу,' залежить від поведінки діелектричної функції підкладкнки.

Приведені вице результати дозволяють стверджувати, цо дисертаційна робота є вагомим науковим внеском в розробку фізичних уявлень про оптичні процеси, які протікають на поверхні 1 границях розділу двошарових систем "ультратонка плівка адсорбованого барвника - твердотільна підкладка" при умові 11 фатозбудаиня. .

Основні результати дисертації опубліковані. в слідуючих роботах:

1. Юрченко И.А., Гецко 0.М.,Колбасов Г.Я., Снитко 0.В..Петрова Н.А. Сенсибилизация антистоксовой люминесценции экситон-приыесных комплексов при адсорбции красителя на поверхности сйэ //

V Всесоюзное созецзние "Оизика и техническое применение полупроводников А11 Б71". Тезисы докладов. Вильнюс, 1Э83. - |, -С. 204-205.

2. Гецко 0.М., Снитко О.В., Юрченко И.А- Исследование адсорбции красителей на поверхности сульфида кадмия оптическими методами// XXIX международный научный коллоквиум. Ильмэнау. ГДР, 1984. - 4, С. 25-28.

3. Юрченко И.А., Колбассв Т.П., Снитко . О.В. Сенсибилизация

антистоксовой люминесценции зкситон-примесных комплексов при адсорбции красителя на поверхности кристалла саз // Поверхность. 1984. - II. - С.133-137.

4. Гецко О.Ы., Снитко О.В., Юрченко И. А. Исследование поверхности с <із оптическими методами при адсорбции органических красителей// Поверхность.- 1985. 7,- С.51-55.

5. Борщаговский Е.Г.. Гецко О.М., Лозовский В.З., Худнк В.И.

Эллипсометрия ультратонких пленок // Опт. и спектр. - 1989. -

66, вып. 6. - С. 1345-1350.

6. Снитко 0.В., Гецко О.Ы., Лозовский В.3.,Ху,дик Б.И.,Юрченко И.А., Борщаговский Е.Г. Адсорбция родамина В на поверхности сульфида кадмия.- Препринт № 31, Киев: Институт физики АН УССР, 1987-43с.

7. Снитко О.В., Гецко О.М., Худик Б.И., Юрченко И.А., Борщаговс -кий Е.Г. Перенос энергий возбуждения в системе родамин В -поверхность с<15.- Препринт №32, Киев: Институт физики АН УССР, 1987.- 47С.

8. Юрченко И.А., Борщаговский Е.Г., Гецко О.М., Снитко О.В.

Автоматизированная система регистрации и обработки спектров с пироким выбором измерительных методик на базе многоканального анализатора ма-1024. // Квантовая электроника. - 1986. -

Вып. 31. - С. 83-88.

9. Борщаговский Е.Г., Гецко О.М., Лозовский В.З., Снитко О.В.

Юрчеико И. А. О переносе энергии вдоль слоя молекул, адсорбированных на поверхности твердого тела // У03. - 1987. -

32, №10. - С. 150-155.

10. Гецко О.М., Снитко О.В., Юрченко И. А. Рождение экситонов в а з при фотовозбухдении адсорбированного красителя // ДАН УССР,

Сер. А, Сиз. -мат. и техн. науки. - І98Є. №ю. - С. 40-42. .

11. Юрченко И.А., Лозовский В.Г., Шило С.А., Гецко О.М. Влияеиє

сверхпроводящего перехода ■ на квантовый выход люминесценции адсорбированного красителя // Писька в ЕЭТС.-1988.-.43, №2. -С. 89-91. . .

12. Шило С.А., Юрченко И.А., Снитко о.В., Гецко О.М. Поведение оптических характеристик примесного центра Еи3+ при структурном фазовом переходе в галлийгадолиниевом гранате// ДАН УССР. Сер. А. Оиз-м&т. и техн. науки. 1989. № 6.- С. 58-61.

13. Юрченко И.А., Шило С.А., Гецко О.М.,Синицын В.К.,Савуцкий А.И.,

Хребтов А. 0., - Цибульский Е.О. Взаимосвязь . структурных,

превращений галлийгадоллиниевого - граната с оптическими

характеристиками-примесного центра Еи3+ // XX Зсесоюзн. съезд по. спектроскопии, Тез. докл. - Киев, 1988. -ч2.- Ill с.

14. Гецко О.Ы., .Пасечник Ю.А., Снитко О.В., Романенко В.О.

Поглощение инфракрасного. света на поверхности монокристаллоз карбида кремния // Письма НЭТО. - 1973. 17.- с.587 - 590.

15. Гецко О.М., Пасечник Ю.А., Снитко О.В., Романенко В.С., Сергеев О.Т. Изучение системы диэлектрик-полупроводник (Si02 -sic) методами ИК-спектроскопии // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. - 1974. 18. - С. 35-39.

ІЄ. Гецко О.М., Пасечник Ю.А., Снитко О.З., Кравченко В.В.

Исследование окисной пленки карбида кремния методом многократного внутреннего отражения // В кн.: Электронные

процессы на поверхности полупроводников и на границе раздела ' патупроводник-диэлектрик. - Новосибирск, 1974.- С. 273-275.

17. Гецко O.U., Пасечник Ю.А., Венгер Е.О., Панаетоз Г.А., Снитко

О.В.' Исследование окисных пленок карбида кремния" методами ИК-СЛектроскопии // УФЯ. - 1977. - 22. №ю. - С. 1703-1706.

18. Гецко О.М., Пасечник Ю.А., Снитко О.В., Банцер С. Г.

Электролюминесценция карбида кремния различных политипов при

анодном окислении // УОЖ. - 1980. - 25. №|. - С.41-48.

19. Гецко 0.М., Пасечник Ю.А., Банцер С.Г., Снитко О.В. Свечение

. поверхности карбида кремния'при анодном окислении // Оптика и спектроскопия. -1977. - 43. - С.372-374. .

20. Гецко 0.М., Пасечник Ю.А., Банцер С.Г., Снитко О.В. Свечение поверхности карбидз кремния при анодном окислении // Материалы

<

Международного совещания ''по фотоэлектрическим и

оптическим явлениям в твердом теле. - Варна, 1977.- 47с.

21. Гецко О.М., Пасечник Ю.А., Снитко О.В., • Банцер С.Г., Чайкин

В. И. Электролюминесценция системы 8НТИМОЕВД индия - окисел -электролит при анодном окислении //Украинский физический зсурнал. 1977. -.22. №9. С. 1530-1534. '

22. Гецко О.М., Пасечник Ю.А., Снитко О.В., Банцер С.Г. Электролюминесценция’ системы .антимония индия - окисел -электролит при анодном окислении //Тезисы докладов VI Всесоюзной конференции по электролюминесценции, Днепропетровск. 1977. -67с.

23. Гецко О.М., Пасечник Ю.А., Снитко О.В., Банцер С.Г.

- Электролюминесценция карбида кремния различных политипов при . анодном окислении // Тезисы докладов VI Всесоюзного совещания по физике поверхностных явлений в полупроводниках. - Киев: "Нэукова

думка 1977. - 22с.

24. Гецко О.М., Пасечник Ю.А., Юрченко И.А. Исследование механизмг роста анодных окисных пленок на поверхности карбида кремния при

различных режимах окисления // XXIX Международный научный коллоквиум. - Ильменау, ГДР, 1984, - 4. С. 29-32.

25. Гецко О.М., Снитко О.В., Юрченко И.А. Исследование адсорбции красителей на поверхнос^л сульфида кадмия оптическими методами// XXIX Международный научный коллоквиум. Ильменау, ГДР, .1984. -4.-С. 25-28.

26. Гецко О.М., Снитко О.В., Лозовский В.З., Юрченко И.А., Борщаговский Е.Г. Миграция энергии вдоль слоя красителя, адсорбированного . на поверхности полупроводника//' XXXII Международный научный коллоквиум. - Ильменау, ГДР, 1987. - 4.

С.31-34. .

27. Гецко О.М., Снитко О.В., Лозовский В.S., Юрченко И.А. XXXII Международный научный коллоквиум. - Ильменау, ГДР, 1987. -т. 4. -С. 27-29.

28. Гецко О.М., . Снитко О.В., Борщаговский Е.Г. . Исследование оптических характеристик анодных окисных пленок на поверхности sic.// Тезисы докладов V Республиканской конференции "Физические проблемы МДП-интегральной электроники". -Дрогобыч, 1987.-С. 31-32.

29. Гецко О.М., Борщаговский В.Г., Банцер Т.Д., Костенков С.А.,

Снитко О.В. Эллипсометрические исследования анодных окисных слоев на поверхности s»c. // Поверхность. -1988. - №5.-

С. 89-94.

30. Гецко О.Ы., Борщаговский Е.Г. Эллипсометрия "толстых" пленок // Оптика и спектроскопия. - 1989. - 66, в. 2.- С. 442-448.

31. Гецко 0.М., Снитко О.В., Юрченко И.А. Прямое антистоксово возбуждение экситонов в cos, сенсибилизированное адсорбированным на поверхности красителем // X Е се союзная конференция по физике

полупроводников.' - Минск, 1385. -ч.2. - С. 62-63.

32. Гецко О.М., Юрченко И.А., Снитко О.В. Исследование адсорбции родамина В на поверхности саз оптическими методами. Сизика поверхностных явлений в полупроводниках // УМ I совещание.-Киев, IS34. - 4.2. С. 127-128.

33. Гецко О.М., Лозовский В.З., Снитко О.В., Врчекко И.А. О кинетике адсорбции молекул красителя, на поверхности сульфида кадия // УЖ. - 1986. - 31. №10. - С. 1550-1555.

34. Гецко О.М., Снитко О-В., Юрченко И.А. Пареное энергии фотовозбух:ения s системе саз - адсорбированный краситель // Поверхность. - 1987. - №б. - С. 100-103,

35. Гецко О.М., Борщаговский Е.Г. Калибровка эллипсомэтра путем минимизации интенсивности с учетом песоворсекств, - Препринт №33, Киев: Институт физики АН УССР, IS33.

36. Гецко 0.М., Борщаговский Е.Г. Выбор оптимальных условий для .

■ эллипсс.-летрических измерений //Оптика я спектроскопия. - 1991.-

70, в.5. - С. 1144-1151.

37. E.G.Bortchagovsky and O..M.Getsko Invisible Layers in

Ellypaometry // Thin Solid Films.— 1993.—V.233/234.— P.553-556.

ПТдіясано до друку /7.05-19 9$яФормат 60x84/16 Папір офсетний. Уковн.-друк. аркуп. 2,0.

Об.-вад.аркуп 2,0. Тирах 100 . Замовя.256.

ПолІграф.дІльн. Інституту електродинаміка JS. України, 252SE0, КиІв-57, проспект Перемога ,56