Физико-химические закономерности трансформации микродефектов в кремнии при ионном облучении, воздействии ультразвуком и термообработках тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Влияние примесей и дефектов на электрофизические и функциональные характеристики полупроводниковых структур и приборов.

1.2. Влияние ионного облучения, ультразвуковой обработки и ионно-плазменного травления на процесс формирования и трансформацию примесно-дефектного состава кристаллов полупроводников.

1.3. Эффект дальнодействия.

1.4. Анализ литературных данных, обоснование работы и выбор направлений исследования.

Глава 2. Методы исследований.

2.1. Послойное селективное химическое травление.

2.2. Метод измерения микротвердости.

2.3. Метод атомно - силовой микроскопии.

Глава 3. Изменение структурно-чувствительных характеристик кремния при ионном облучении, в том числе и через аморфный слой.

Глава 4. Влияние ионно-плазменного травления на микродефектность и микроморфологию поверхности кремния.

Глава 5. Влияние ультразвукового воздействия на трансформацию микродефектной структуры кремния.

Выводы.

Список используемой литературы.

Одной из важнейших задач полупроводниковой электроники является обеспечение высокой степени чистоты и совершенства кристаллической структуры полупроводниковых материалов, используемых для производства дискретных приборов и интегральных микросхем. Дефекты структуры и фоновые примеси оказывают решающее влияние на параметры, процент выхода годных и надежность изделий. Современная технология обеспечивает получение практически бездислокационных материалов полупроводников. Однако опыт использования таких материалов показал, что при этом резко возрастает негативная роль точечных дефектов - вакансий, примесных атомов и их кластеров.

Производство микроэлектронных устройств включает механическую, химическую, тепловую, ионную, плазменную, лазерную и другие виды обработки, каждая из которых является дефектообразующей. К числу технологических воздействий, наиболее активно влияющих на структурно-чувствительные характеристики кристаллов, относятся ионное облучение, ультразвуковая обработка, ионно-плазменное травление, низко- и высокотемпературный отжиг. Глубокое понимание физико-химических механизмов перестройки примесного-дефектного состава полупроводникового материала при каждой обработке необходимо для разработки эффективных физико - химических процессов и низкотемпературных методов удаления или подавления электрической активности фоновых примесей и протяженных дефектов. Поэтому исследование процессов изменения дефектности при перечисленных технологических воздействиях (для современной микроэлектроники) является весьма актуальной задачей.

Цель работы состояла в изучении физико-химических закономерностей трансформации микродефектов в кремнии при ионном облучении, ионноплазменном травлении, в том числе через слои аморфного кремния, а также ультразвуковой обработке и высоко- и низкотемпературном отжигах.

Научная новизна работы состоит в следующем:

Впервые выявлены закономерности изменения микродефектной структуры и микротвердости бездислокационных кристаллов кремния после облучения ионами аргона, ионно-плазменного травления и высокотемпературного отжига как на обрабатываемой, так и на противоположной сторонах пластин.

Определено влияние радиационных и термообработок на микроморфологию и микрошероховатость поверхности кремния.

Установлено влияние пленки аморфного кремния, используемой в качестве структурно-неравновесного технологического слоя на поверхности монокристалла кремния на изменение радиационно-чувствительных параметров кристалла.

Найдены закономерности влияния инородных пленок на поверхности бездислокационных кристаллов кремния на трансформацию его микродефектной структуры при ультразвуковом воздействии.

Практическая значимость работы:

Низкотемпературные обработки кремния (ультразвуковое воздействие, осаждение слоя аморфного кремния) значительно повышают чувствительность метода селективного химического травления, что может использоваться при определении дефектности монокристаллов.

Применение ионного облучения, ультразвуковой обработки, ионно-плазменного травления, в том числе через слои аморфного кремния, а также высоко- и низкотемпературного отжига позволяет изменять микроморфологию поверхности, что может быть использовано для получения наноструктур.

Обнаруженные в работе закономерности изменения микродефектной структуры и микроморфологии поверхности кремния могут быть основой для разработки низкотемпературных технологических методов очистки полупроводников от фоновых примесей и протяженных дефектов.

Автор выражает глубокую благодарность к. ф.-м. н., доценту Скупову В.Д. за научные консультации при выполнении работы.

Автор благодарит сотрудников Научно - исследовательского физико -технического института ННГУ им. Н.И. Лобачевского Киселева А.Н., Чигиринского Ю.И., Шаргеля В.Л. и Васильева В.К. за техническую помощь при проведении экспериментов.

Выводы

1. Установлено, что при ионном облучении монокристаллического кремния происходит частичное растворение примесно-дефектных атмосфер, окружающих микродефекты в кристалле, вследствие чего концентрация микродефектов повышается пропорционально дозе облучения.

2. Обнаружено, что облучение через слой аморфного кремния значительно повышает плотность микродефектов с рабочей стороны кристаллов, что связано с более интенсивным взаимодействием кластеров с упругими волнами, амплитуда которых возрастает при прохождении структурно-неравновесного аморфного слоя.

3. Зафиксировано аномальное возрастание плотности микродефектов после ионного облучения вблизи необлученной стороны. Причем

16 2 наибольшее изменение зафиксировано при облучении дозой 2,8-10 см" через пленку аморфного кремния, что свидетельствует о значительном усилении упругих волн при прохождении ими аморфного слоя.

4. Методом атомно-силовой микроскопии показано, что облучение кристаллов с аморфным слоем приводит к резкому увеличению микрошероховатости и дисперсии значений латеральных размеров микрорельефа по сравнению с облучением исходного монокристаллического кремния. Этот эффект наблюдается как с облученной, так и с противоположной стороны кристаллов.

5. После ионно-плазменной обработки в приповерхностной области монокристаллического кремния концентрация выявляемых микродефектов увеличивается пропорционально дозе облучения. В отличие от ионного облучения через слой аморфного кремния при ионно-плазменной обработке через аморфную пленку наблюдается снижение микродефектности по сравнению с плазменным травлением свободной поверхности кремния. Это принципиальное различие связано с тем, что в процессе ионно-плазменной обработки происходит одновременное создание и удаление нарушенного слоя.

6. Установлено, что после ультразвукового воздействия вблизи поверхности кремния резко увеличивается концентрация микродефектов, причем наиболее сильно этот эффект проявляется в области пластины, находившейся под слоем химически стойкого лака во время обработки. Этот эффект объясняется тем, что ультразвуковая обработка за счет упругих волн, образующихся при кавитации рабочей жидкости, способствует растворению примесно-дефектных атмосфер, окружающих кластеры микродефектов в кристалле.

1. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. -463 с.

2. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984.-475 с.

3. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.

4. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.-562 с.

5. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с.

6. Енишерлова K.JL, Марунина Н.И. Неконтролируемые примеси в пластинах кремния и их перераспределение при геттерировании // Электрон, техн. Сер. 2. Полупроводн. приборы. 1984. - Вып. 2. - С. 1015.

7. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.

8. Немцев Г.З., Пекарев А.И., Чистяков Ю.А., Бурмистров А.Н. Геттерирование точечных дефектов в производстве полупроводниковых приборов // Зарубежн. электрон, техника. 1981. - № 11 (245). - С. 3-63.

9. Яковенко А.Г., Гвелесиани A.A. Кислород в кремнии // Зарубежн. электрон, техника. 1975. - № 14. - С. 23-43.

10. Вопросы радиационной технологии полупроводников. / Под. Ред. J1.C. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1980. 296 с.

11. Бажинов А.Н., Никулов В.В., Рябов В.Н. и др. Микродефекты в эпитаксиальных слоях кремния, обусловленные присутствием кислорода и углерода // Электрон, техн. Сер. Электроника СВЧ. 1986. - Вып. 9 (393).-С. 57-60.

12. De Коек A.J. R. Microdefects in dislocation-free silicon crystals // Philips Res. Rept. Suppl. 1973. V. 26, № 1. P. 3-105.

13. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. 144 с.

14. Концевой Ю.А. О рекомбинации в полупроводниках с макроскопическими дефектами.

15. Концевой Ю.А., Филатов Д.К. Дефекты кремниевых структур и приборов. Справочные материалы. Часть 1,2. М.: Изд. ЦНИИ "Электроника", 1987.

16. Смульский А.С. Бездислокационный кремний и создание современных полупроводниковых приборов // Обзоры по электрон, техн. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1979. Вып. 12. 59 с.

17. Lefevre Н. Annealing behavior of trap centers in silicon contaning A - swirl defects // Appl. Phys. A, 1982. V. 29, № 2. - p. 105 - 111.

18. Kubena J., Hlavka J. Space correlation of microdefects with recombination of excess carriers in CZ Si // Phys. State. Sol. (a). 1985. V. 89, № 1. - p. К 2325.

19. Графф К., Фишер Г. Время жизни носителей в кремнии и его влияние на характеристики солнечных элементов // В кн.: Преобразование солнечной энергии: Вопросы физики твердого тела. М.: Энергоиздат, 1982.-е. 151-189.

20. Гришин В.П., Гуляева А.С., Лайнер JI.B. Термостабильность кремния, выращенного бестигельной зонной плавкой в атмосфере аргона // Методы получения и исследования монокристаллов кремния: Научн. тр. / ГИРЕДМЕТ. 1982. Т. 110, вып. 2. с. 80 - 86.

21. Высоцкая В.В., Горин С.Н., Меньшикова В.А. Влияние термических процессов на образование дефектов в кремнии // Электрон, техн. Сер. 6. Материалы. 1984. Вып. 1 (186). с. 26 - 27.

22. Литвиненко Н.М., Трошин А.Л., Сальник З.А. Роль свирлей в определении рекомбинационной неоднородности термообработанного кремния // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1986. № 10. — с. 69-72.

23. Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. М.: Наука, 1983. 280 с.

24. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников. Н. Новгород: Изд. ННГУ, 1992.198 с.

25. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. Н. Новгород: Изд. ННГУ, 1993.490 с.

26. Павлов П.В., Пашков В.И., Успенская Г.И. и др. Изменение дислокационной структуры кремния при облучении ионами средних энергий//ФТТ. 1973. Т. 15, №9.-с. 2857-2859.

27. Павлов П.В. Физические проблемы ионной имплантации твердых тел // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. М. 1984. Вып. 3 (31). -с. 95- 102.

28. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника // ФТП. 1983. Т. 17, вып. 5. с. 838 - 842.

29. Лабунов В.А., Квасов Н.Т., Полонин А.К. Динамические эффекты в кристаллической решетке при ионной имплантации // Докл. АН БССР. Т. 27, № 7.-с. 606-608.

30. Павлов П. В., Семин Ю. А., Скупов В. Д. и др. Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов // Физ. и техн. полупроводников. 1986. Т. 20, вып. З.-с. 503-507.

31. Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Л.И. Усиление генерируемых ионной бомбардировкой упругих волн при распространении в кристалле с кластерами дефектов // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14, №3. с. 273 - 276.

32. Жуков В.П., Демидов A.B. Расчет пиков смещения в приближении сплошной среды // Атомная энергия. 1985. Т. 59, вып. 1. с. 29 - 33.

33. Жуков В.Л., Болдин A.A. Генерация упругих волн при эволюции пиков смешения // Атомая энергия. 1987 Т. 63, вып. 6. с. 375 - 379.

34. Давыдов A.A., Калиниченко А.И. О механических эффектах вблизи термических пиков и осколков деления // Атомная энергия. 1982. Т. 53, вып. З.-с. 27-30.

35. Carter G. A semiquantitative approach to ion impact induced shock process in solids // Rad. Efl. Lett. 1980. V. 50, № 3 5. - p. 105 - 109.

36. Лабунов B.A., Квасов H.T., Полонин A.K. Динамические эффекты в кристаллической решетке при ионной имплантации // Докл. АН БССР. Т. 27, №7. -с. 606-608.

37. Барабан А.П., Малявка Л.В. Эффекты дальнодействия в ионно-имплантированных структурах кремний двуокись кремния // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. №20.-с. 26-31.

38. Барабан А.Н., Булавинов В.В., Коноров H.H. // Электроника слоев SÍO2 на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ, 1988. 304 с.

39. Барабан А.Н., Булавинов В.В., Грошихин А.Г. // Письма ЖТФ. 1993. Т. 19, вып. 18.-с. 27-30.

40. Куликов A.B., Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. Низкотемпературное радиационно стимулированное геттерирование примесей и дефектов в кремнии слоями пористого кремния // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23, вып. 13.-с. 27-31.

41. Киселев В.К., Скупов В.Д. // Вестник ННГУ. Сер.: Физика твердого тела. 1998. Вып. 2.-с. 125- 130.

42. Демидов Е.С., Латышева Н.Д., Перевощиков В.А., Скупов A.B., Скупов В. Д. Влияние ионного облучения на микродефектную структуру кристаллов кремния. 2000. Т. 36, № 5. с. 1 - 4.

43. Кулемин A.B. Ультразвук и диффузия в металлах.- М.: Металлургия, 1978.200 с.

44. Тяпунина H.A., Наими Е.К., Зиненкова Г.М. Действие ультразвука на кристаллы с дефектами.- М.: Изд-во МГУ, 1999. 238с.

45. Агранат Б.А., Башкиров В.И., Китайгородский Ю.И. Ультразвуковая очистка. В кн.: "Физика и техника мощного ультразвука". Т.З.: "Физические основы ультразвуковой технологии". М.: Наука, 1970. с. 165-252.

46. Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. Влияние упругих волн, возникающих при ионной бомбардировке, на структурное совершенство полупроводниковых кристаллов // Физика и техника полупроводников. 1986. Т. 20, вып. 3. с. 503 - 507.

47. Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. О влиянии упругих напряжений на трансформацию скоплений дефектов в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1987. Т. 21, вып. 8. с. 1495 - 1497.

48. Жуков В.П., Демидов A.B. Расчет пиков смещения в приближении сплошной среды // Атомная энергия. 1985. Т. 59, вып. 1. с.29 - 33.

49. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Изменение микродефектной структуры и свойств кристаллов кремния и композиций кремний диоксид кремния при жидкостной обработке ультразвуком // Н. Новгород: ННГУ. Деп. в ВИНИТИ. № 1595-В00.

50. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. 232 с.

51. Богач Н.В., Старков В.В. Модель плазменного геттерирования быстродиффундирующих примесей из кремния // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. №. 6. с. 100- 105.

52. Ковешников C.B., Редькин C.B., Старков В.В., Юнкин В.А. // Микроэлектроника. 1988. Т. 17, вып. 1.-е. 24.

53. Литовченко В.Г., Литвинов P.O., Лисовский И.П. // Укр. физ. журн. 1976. Т. 21.-е. 863.

54. Madden H.H., Hjalmarson Н.Р. // J. Vac. Sei. Technol. 1982. V. 20, № 3. p. 505.

55. Батавин B.B., Жаворонков Н.В., Земко А.Е., Любимов В.К., Молотков В.А. Влияние ионно-плазменной обработки на поверхностный потенциал кремния // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. №. 2. с. 99 -103.

56. Ковешников С. В., Редькин C.B., Старков В.В., Юнкин В.А., Якимов Е.Б., Ярыкин H.A. Генерация электрически активных дефектов при реактивно-ионном травлении кремния // Физика и техника полупроводников. 1983. Т. 17, № 6. с. 402 - 403.

57. Pang S.W. // Sd. St. Tech. 1984, v. 27, p. 254.

58. Singh R., Fanash S.J., Ashok S.A. Caplan P.G., Shappiro J., Hage-Ali M., Ponporn J. // J. Vac. Sei. and Technol., 1983, v 1.2, p. 334.

59. Бертонас Г., Бружас С., Григонис А., Пронявигюс Л., Савицкас Р. // Поверхность, 1983, № 5, с. 53.

60. Mu Х.С., Fonash S.J., Yang B.Y., Wedan К., Ronatgi A., Rieger J. // J. Appl. Phys. 1985, v. 58, p. 4283.

61. Павлов П. В., Пашков В.И., Генкин В. М., Камаева Г.В. и др. // ФТТ. 1973. Т. 15, № 11.-е. 2857-2859.

62. Камаева Г.В., Пашков В.И. В сб.: Активируемые процессы технологии микроэлектроники. Таганрог. 1978. с. 42 - 46.

63. Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14, вып. 3.-е. 273-276.

64. Павлов П. В., Пашков В.И., Туловчиков B.C., Чигиринская Т.Ю. // ФТП. 1977. Т. 11, вып. 2.-е. 314-318.

65. Masseti J., Solmy S., Sonani J. // Solid st. Commun. 1973. № 12. p. 1299 -1302.

66. Пашков В.И., Чигиринская Т.Ю., Чигиринский Ю.И. К вопросу о механизме эффекта дальнодействия в кремнии при облучении низкоэнергетическими ионами // Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14, вып. 22. с. 2021 -2024.

67. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Физико химические основы технологии обработки поверхности полупроводников. Н. Новгород: Изд. ИНГУ, 1997.254 с.

68. Шилпакова И. Р., Юдилевич И. Г. Послойный анализ материалов электронной техники. Новосибирск: Наука, 1984. 178 с.

69. Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. Ударно-акустические эффекты в кристаллах при ионном облучении // Физика и химия обработки материалов. 1991. № 6. с. 53 - 57.

70. Такер Дж., Рэмптон В. Гиперзвук в физике твердого тела. М.: Мир, 1975. 454 с.

71. Жуков В.П., Болдин A.A. генерация упругих волн при эволюции пиков смещения // Атом, энергия. 1987. Т. 63, вып. 6. с. 375 - 379.

72. Лабунов В.А., Квасов Н.Т., Полонин А.К. Динамические эффекты в кристаллической решетке при ионной имплантации // Докл. АН БССР. Т. 27, №7.-с. 606-608.

73. Инденбом B.JL Новая гипотеза о механизме радиационно-стимулированных процессов // Письма в ЖТФ. 1979. Т. 5, № 8. с. 489 -492.

74. Горшков О.Н., Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Возникновение упругих волн в кристаллах кремния при химическом травлении поверхности // Поверхность. 1989. № 7. с. 155 - 157.

75. Быков В.Н., Малынкин В.Г., Хмелевская B.C. Эффект дальнодействия при ионном облучении // Вопр. атом, науки и техники. Сер. физика радиац. повреждений и радиац. Материаловедение. 1989. Вып. 3 (50). с. 45-52.

76. Диасамидзе Э.М., Марков B.JL, Романова Г.Я., Соловьева А.Е. структурные изменения поликристаллического оксида алюминия при высокотемпературном отжиге в вакууме и ионном облучении // Физика и химия обр. материалов. 1989. № 6. с. 25 - 30.

77. Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. Влияние протяженных дефектов в исходных кристаллах на эффект дальнодействия при ионной имплантации // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15, № 22. с. 44 - 47.

78. Бублик В.Т., Дубровина А.Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов.- М.: Металлургия, 1978. 272 с.

79. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов.- М.: Металлургия, 1974. С.488-494.

80. Сангвал К. Травление кристаллов. Теория. Эксперимент. Применение. М.: Мир, 1990,480 с.

81. Охрана труда в химической промышленности. Учебное пособие для вузов. М.: Химия, 1977. 569 с.

82. Боярская Ю.С., Грабко Д.З., Кац М.С. Физика процессов микроиндентирования. Кишинев: Штиинца, 1986. 294 с.

83. Физика твердого тела: Лабораторный практикум. Том I. Методы получения твердых тел и исследования их структуры. Н. Новгород: ННГУ, 2000. 360 с.

84. С. Mathew Mate, "Atomic-force-microscope Study of Polymer Lubricants on Silicon Surfaces", Physical Review Letters, vol. 68, No. 22, 1 June 1992. pp. 3323 -3326.

85. Перевощиков В.А., Скупов В.Д.// Письма в ЖТФ.-1999, т. 25, вып. 8, с. 50-54.

86. В.Л. Левшунова, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов, Ю.И. Чигиринский. Способ обработки кремниевых подложек. Патент РФ. №2172537, кл. H01L 21/322. Бюллетень изобретений. 2001. №23.20.08.2001.

87. А.Н. Киселев, В.Л. Левшунова, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Влияние ультразвуковой обработки на микродефектную структуру кремния. // Всеросс. совещание "Кремний-2002". Новосибирск: ИФП, СО РАН. 9-12 июля 2002 г. Тез. докл. с. 158.

88. А.Н. Киселев, В.Л. Левшунова, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Наноразмерные изменения структуры ионно-облученных кристаллов кремния на глубинах, превышающих пробег внедряемых ионов. // Письма в ЖТФ. 2002. т.28, вып. 14. -с.77-82.

89. A.N. Kiselev, V.L. Levshunova, V.A. Perevoshchikov, V.D. Skupov. Nanodimensional changes in the structure of ion-irradiated silicon crystals at adepth exceeding the ion range. Technical Physics Letters. Vol. 28, № 7, 2002, pp. 612-614.

90. ЮО.Шаскольская М.П. Кристаллография. М.: Высш. шк., 1976. 391 с.

91. Адлене Д.З., Пранявичус Л.И. Генерация упругих волн в имплантируемых твердых телах. Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. № 5. - с. 100 - 106.

92. Rauschenbach В, Hohmuth К. // Phys. St. Sol. (а). 1983. V. 75, № 1. p. 159 - 168.

93. Жуков В.П., Рябенко A.B. Роль ударной волны в радиационном повреждении твердых тел при низких энергиях атома отдачи. Препринт МИФИ. М. 1983.- 18 с.

94. Каганова И.Н., Каганов М.И. К теории генерации звука заряженными частицами. Возбуждение звука 0-вспышкой. ФТТ. 1973. Т. 15, вып. 5. -с. 1536- 1543.

95. Давыдов A.A., Калиниченко А.И. О механических эффектах вблизи термических пиков и треков осколков деления. Атомная энергия. 1982. Т. 53, вып. 3.-с. 186- 187.

96. Калиниченко А.И., Лазурик-Эльцуфин В.Т. Возбуждение акустических колебаний пучком заряженных частиц малой плотности. ЖЭТФ. 1973. Т. 65, вып. 6.-с. 2364-2368.

97. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Механика сплошных сред. М. 1953. 788 с.

98. Жуков В.П., Демидов A.B., Болдин A.A. Динамические эффекты при ионной бомбардировке кристаллов в континуальном приближении. В кн.: Тез. докл. 15 Всес. Совещ. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М. 1985. - с. 135.

99. Фрид ель Ж. Дислокации. М. 1967. 664 с.

100. Кив А.Е., Соловьев В.Н. Примесные комплексы генераторы дефектов. - ФТТ. 1980. Т. 22, вып. 9. - с. 2575 - 2577.

101. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.

102. Исследование реальной структуры полупроводниковых кристаллов методом избирательного химического травления. Методические указания к выполнению лабораторной работы для студентов физического факультета ННГУ. Н. Новгород: ННГУ, 1999. 25 с.

103. Тетельбаум Д.И., Сорвина В.П., Белянина М.Г. Влияние состояния поверхности и исходных дефектов на эффект дальнодействия при ионном облучении кремния // Высокочистые вещества. 1995. № 2. с. 47 -51.

104. Морозов Н.П., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. Дефектообразование в кремнии при ионной бомбардировке за пределами области пробега ионов // ФТП. 1985. Т. 19, № з. с. 464 - 469.

105. Pavlov P.V., Tetelbaum D.I., Skupov V.D. Abnormally Deep Structural Changes in Ion-Implanted Silicon // Phys. Stat. Sol. (a). 1986. V. 9, № 1. pp. 395-402.

106. Богач H.B., Гусев В.А., Литовченко П.Г. Геттерирование дефектов упаковки и примесей тяжелых металлов в кремнии // Полупроводниковая технология и микроэлектроника. 1981. Вып. 34. с. 3 - 20.

107. Robinson Р.Н., Heiman F.P. Use of HC1 gettering in device processing // J. Electrochem // Soc.: S S Sci. andTechn. 1971. 118, № 1.-pp. 141 - 143.

108. Shiraki Hiromitsu. Elimination of stacking faults formation in silicon wafers by HC1 added dry 02 oxidation // Jap. J. Appl. Phys. 1975. 14, № 6. pp. 747 -752.

109. Rozgonyi G. A., Pearce C.W. Interstatialoxygen gettering in Czochralski silicon wafers // Appl. Phys. Lett., 1977. 31, № 5. pp. 343 - 345.

110. Takeshi Hattori, Toshihary Suzuki. Elimination of stacking faults in silicon by prexidation annealing in N2| HC1 | 02 mixtures // Appl. Phys. Lett., 1978. 33, №4.-pp. 347-349.

111. Takeshi Hattori. Elimination of stacking faults in silicon by trychlorethylene oxidation // J. Electrochem. Soc.: S S Sci. and Techn. 1976. 123, № 6. - pp. 945 - 946.

112. Takeshi Hattori. Gettering of stacking fault nuclei in silicon by trychlorethylene oxidation // Appl. Phys. Lett., 1977. 30, № 7. pp. 312 — 314.

113. Кандыба П.Е., Минаев Б.В., Беклемышев В.И. Влияние условий термообработки кремния на дефекты упаковки // Микроэлектроника. 1979. Т. 8, вып. 1. — с. 85 87.

114. А.Н. Киселев, В.Л. Левшунова, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Влияние ионно плазменного травления на подсистему микродефектов в кремнии. // IV-я Международная научно-техническая конф.

115. Электроника и информатика 2002». г. Москва: МИЭТ. 19-21 ноября 2002 г. Тез. докл. Ч. 1.-е. 230-231.

116. Жуков В.П., Демидов A.B. / Атомная энергия. 1985. Т. 59, вып. 1. с. 29 -33.

117. Кац A.M. Теория упругости. М.: ГИТТЛ. 1956. 311 с.

118. Краткий справочник физико-химических величин. Под ред. К.П. Мищенко, A.A. Равделя. Л.: Химия. 1974. 200 с.

119. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. акад. И.К. Кикоина, М.: Атомиздат. 1976. 1008 с.

120. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкович Н.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев: Наукова думка. 1975. 704 с.

121. Кормишина Ж. А., Скупов В. Д., Смолин В.К. В сб. "Новые промышленные технологии". Изд-во Минатома РФ. 1999. Вып. 1 2 (288 -289).-с. 9-12.

122. Итальянцев А.Г., Мордкович В.Н. / ФТП. 1983. Т. 17, вып. 2. с. 217 -222.

123. Баллоу Р., Ньюман Р. Кинетика миграции точечных дефектов к дислокациям. В кн.: "Термически активированные процессы в кристаллах". М.: Мир. 1973. с. 75 - 145.

124. Кулемин A.B. Ультразвук и диффузия в металлах. М.: Металлургия, 1978.-200 с.

125. Морозов Н.П., Скупов В.Д., Тетельбаум Д.И. // ФТП. 1985. Т. 19, вып. 3. с. 464 468.

126. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Влияние ультразвуковой очистки поверхности на выявляемую селективным травлением микродефектную структуру кремния // Заводская лаборатория. 1999. Т.65, №7. с. 24.

127. Дине Д., Винйард Д. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: Изд. иностр. лит. 1960. 244 с.- У О'Ъ