Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С. тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

АКАДЕМИЯ НАУК РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ Объединенный институт физики полупроводников

На правах рукописи

Неустроев Ефим Петрович

РГ6 од

: I АВГ 2000

Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (~10 кэВ/а.е.м.) и высоких (>1 М>В/а.с.м.) энергий, при отжигах до 1050°С.

Специальность 01.04.10 -физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соисхапие ученой степени кандидата физико-математических наук

Научные руководители:

к.ф.м.п. Антонова И.В. к.ф.м.н. Смагулова С. А.

Новосибирск -2000

Работа выполнена в лаборатории «Физического материаловедения кремния» ИФП СО РАН.

Научные руководители: кандидат физико-математических наук

B. И. Антонова

кандидат физико-математических наук

C.А. Смагулова

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук В.Н. Брудный

доктор физико-математических наук В.М. Ардышев

Ведущая организация: Томский политехнический университет

Защита состоится « 29 » июня 2000 в «НЛ2> часов на заседании диссертационного совета К063.53.05 при Томском государственном университете (634036, г. Томск, пр. Ленина, 36)

С диссертацией можно ознакомиться в Научной библиотеке ТГУ

Автореферат разослан « 2.4-» мая 2000г.

Ученый секретарь диссертационного совета

к.ф.-м.н.

Анохина И.Н.

/зз че.Ам.а&оз

Общая характеристика работы.

Актуальность темы. Ионная имплантация кристаллов кремния (Si) занимает все более широкую область применения в технологическом цикле производства полупроводгажовых приборов и интегральных микросхем. Наряду с традиционными применениями, в которых ионная имплантация преимущественно использовалась при создании легирующих слоев с заданными свойствами, в последнее время все интенсивнее развиваются новые направления такие, как создание захороненных изолирующих и геттерирующих слоев, структур кремний на изоляторе (КНИ) [1-3]. При этом облучение ионами газов, как правило, сопровождается проведением последующих термообработок при относительно невысоких температурах (до 1000°С).

Одной из основных особенностей облучения ионами газов Si является образование газовых пузырей (блистеринг), используемое при создании КНИ-структур методом «Smart-Cut». В этом методе одним из существенных моментов является имплантация ионов водорода или гелия и последующие термообработки при температурах 400-500°С [1,3]. С другой стороны известно, что при этих температурах в тигельном кремнии (Cz-Si) эффективно вводятся кислородные доноры (термодоноры), .количество которых при длительных отжш'ах может даже превышать концентрацию легирующей примеси [4]. Вместе с тем, присутствие атомов водорода в решетке Si может значительно увеличить скорость введения термодоноров [4,5]. Несомненно, что такая активность водорода в сочетании с высокой миграционной способностью оказывает существенное влияние на электрофизические свойства Si. В связи с этим, в последнее время наблюдается значительное повышение исследовательского интереса к изучению поведения атомов водорода в монокристаллах Si.

Близость поверхности, являющейся мощным стоком для радиационных дефектов, и области проективных пробегов ионов оказывает существенное влияние на процесс образования примесно-дефектных комплексов и на свойства кристаллов Si, подвергнутых ионной имплантации. Ситуация резко меняется в случае облучения ионами высоких энергий, которое позволяет пространственно разделить поверхность от области залегания внедренных ионов и дефектов [6]. Вместе с тем,

при использовании высокоэнергетичной ионной имплантации (ВИИ) следует учитывать различия в процессах дефектообразования в 81 в сравнении с имплантацией ионов средних энергий, например такие, как пространственное разделение дефектов вакансиошюго и междоузельного типов, образование треков высокоэнергетичных ионов и ускоренная диффузия примесей и дефектов вдоль них, протекание ядерных реакций, отмечаемые в некоторых работах [7,8]. Исследование кристаллов Б!, подвергнутых ВИИ, привлекает к себе интерес и с практической точки зрения, например, как средство создания захороненных геттерирующих слоев [9]. Неудивительно поэтому, что воздействие ВИИ на свойства кристаллов в последние годы является предметом интенсивного изучения, где достигнуты значительные результаты. Однако и в настоящее время многие аспекты, касающиеся влияния ВИИ и последующих отжигов на трансформацию электрически активных центров в кристаллах кремния, остаются неясными. Таким образом, изучение электрофизических свойств кристаллов кремния, подвергнутых ВИИ и последующему отжигу, представляет несомненный интерес как для физики реальных кристаллов, так и с практической точки зрения. He.ii» работы заключалась:

1. в выяснении условий и причин ускоренного введения термодоноров при температуре 450°С в кристаллах кремния, имплантированных ионами газов.

2. в определении условий формирования и природы электрически активных центров в кремнии, подвергнутом имплантации ионов высоких энергий, при отжигах до 1000°С.

Научная новизна работы:

1. Обнаружено ускоренное формирование термодоноров в кристаллах Сг-Б\, имплантированных ионами газов (Н2\ Н+ и О*} средних энергий, за областью проективных пробегов (глубиной до 400-450 мкм), обусловленное диффузией собственных точечных дефектов (вакансий), увеличивающих концентрацию центров зарождения кислородных доноров

2. Обнаружен новый тип электрически активных центров - мелких акцепторных центров, наблюдаемых в кремнии, имплантированном ионами (Кг*, М+) высоких энергий и КНИ структурах при 1>500°С. Аналогичные центры могут возникать

и после других видов облучения (п°, е, п°+е), но при использовании высоких доз

(>3.1016см"2). ______

3. В имплантированном ионами высоких энергий (КГ и К4 дозами 1.1014-2.10|5см"2), имеет место введение донорных центров (с концентрацией до (2-З)х1017см"3), в области Яр при отжигах в интервале температур 650-1050°С, обусловленное увеличением скорости генерации «новых» термодоноров.

Практическая ценность работы:

1. Полученные экспериментальные сведения об ускоренном формировании термодоноров в интервале температур 350-500°С имеют практическое значение при создании структур кремний на изоляторе и приборов на их основе.

2. Результаты изучения изменения свойств монокристаллов кремния, имплантированных ионами высоких энергий, представляют интерес при формировании захороненных геттерирующих, изолирующих и легирующих слоев, а также при создании быстродействующих силовых приборов.

На защиту выносятся положения:

1. Увеличение концентрации вакансий и/или простых ваканси'онных дефектов в Si приводит к росту количества центров зарождения и как следствие, к возрастанию концешрацин термодоноров, формирующихся на начальных стадиях отжига (до 10 ч).

2. Трансформация при отжиге крупных вакансиошшх дефектов в Si приводит к введению мелких акцепторных центров, температурный интервал проявления которых зависит от типа и условий облучения и ограничен 800°С.

3. Высокая концентрация дефектов в районе проективных пробегов высокоэнергетнчных ионов предположительно междоузеяьного типа прнводит к введению стабильных (до ~1000°С) донорных центров с концентрацией ~(2-З)х1017см"3.

Апробация работы. Результаты, изложенные в диссертационной работе, докладывались и обсуждались на семинарах ИФП СО РАН (1997-2000), на научных конференциях: Swift Heavy Ions in Materials (Germany,Berlin, 1998), XVIII международная конференция по взаимодействию заряженных частиц с

кристаллами (Москва, 1998), NATO ARW Conference (Киев, 1998), European Material Research Society (France, Strasbourg, 1998, 1999), High Pressure Semiconductor Physics Conference (Greece, Tsessaloniki, 1998), IV Российская конференция по физике полупроводников (Новосибирск, 1999), 2-ая Российская конференция по материаловедению и физико-химическим технологиям кремния (Москва, 2000).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 13 работах, список которых приведен в конце автореферата, из них 6 в центральных российских и зарубежных изданиях.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных выводов;, изложена на 167 страницах, включая 41 рисунок, 7 таблиц и списка цитируемой литературы из 185 наименований.

Содержание работы

Во введении обоснована актуальность темы исследования и сформулированы цели работы.

Первая глава носит обзорный характер. В ней в кратком виде изложены известные в литературе данные об основных видах радиационных дефектов в Si. Также проведен обзор работ, посвященных исследованию взаимодействия радиационных дефектов с собственными и примесными дефектами кремния. Рассмотрены особенности процессов дефектообразования при использовании высокоэнергетичной ионной имплантации. Приведены известные в литературе данные о влиянии термообработки на характер трансформации радиационных дефектов, введенных имплантацией ионов 1С, О*, N+ и инертных газов, и на связанное с этим изменение электрофизических параметров кристаллов Si. В работе дается описание основных свойств этих примесей в кристаллах Si. Кроме того, описаны условия формирования термодоноров в Si и влияние облучения на процесс их образования. В конце главы рассмотрено влияние гидростатического давления на дефектную структуру и на формирование термодоноров в кристаллах Si. На основе проведенного обзора сформулированы основные цели исследования.

Во второй главе описаны методики эксперимента и обработки результатов. Для исследования взяты образцы тигельного кремния и зонноплавлеготого кремния (Fz-Si), легированные фосфором или бором. Приготовление образцов включало резку, шлифовку, химическую и механическую полировку. Облучение ионами средних энергий дозами от 1.1014см"2 до 1.1017см"2 проведено на стандартных ускорителях «Везувий-5», «Лада-20» и «Лада-30». Бомбардировка высокоэнергетичными ионами Кг*, Хе+ и К+ проведена энергиями в диапазоне от 16 МэВ до 614 МэВ дозами от 1.10псм"2 до 4.1015см"2 на ускорителе У-400 в Объединенном Институте Ядерных Исследований (г. Дубна). Все облучения проводились при температурах ниже 100°С. Термообработки выполнены в атмосферах инертных газов (N2, Ar2) и на воздухе в интервале температур (350-1050°С). В некоторых случаях отжиги проведены в условиях гидростатического давления (до 1.2 ГПа) в аргоне.

Основная часть экспериментальных данных получена из вольт-фарадных (CV) измерений. В работе приведена блок-схема прибора с описанием основных элементов устройства. Барьеры Шоттки для проведешм вольт-фарадных измерений создавались при помощи ртутного зонда. Установка позволяла автоматически определять распределение концентрации носителей заряда на расстоянии до 30 мкм от поверхности, в зависимости от уровня легирования. Распределения концентраций носителей заряда по толщине образца определялись путем послойного травления в растворе ШЧОз:НР, взятом в соотношении 100:1, или в травителе СР4а. Толщина удаляемого слоя определялась при помощи интерференционного микроскопа МИИ-4. Также, при проведении электрофизических измерений использованы методы эффекта Холла и нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Из измерений эффекта Холла рассчитывались концентрация и подвижности носителей заряда. Из DLTS-измерешш определялись такие параметры глубоких уровней как положение уровня в запрещенной зоне, концентрация и сечение захвата. Кроме того, для исследования образцов были привлечены методы вторичной ионной масс-спектроскогши (SIMS) и обратного рассеяния Резерфорда (RBS).

В третьей главе приведены результаты исследований электрофизических параметров монокристаллов Cz-Si, облученных ионами Н2*, Н+ и Не+ средних

энергий, и подвергнутых последующему отжигу в интервале температур 350-600°С. С целью выяснения природы формируемых центров исследованы образцы, имплантированные ионами СГ с энергией 200 кэВ и высокоэнергетичными ионами и Кг+, а также кристаллы Б!, подвергнутые отжигу в условиях гидростатического давления (до 1.2 ГПа).

В работе проведены детальные исследования зависимости концентрации носителей заряда от дозы облучения, температуры и времени отжига. Обнаружено, что термообработки пластин Сг-Б^ имплантированных ионами Н2+, II* (с энергиями от Е=20 кэВ до 135 кэВ дозами 5.10"-1.1017 см"2) и 0* (Е=200 кэВ, дозами 1.10м-1.1017см*2), приводят к ускоренному (в 2-3 раза превышающие скорость образования термодоноров в контрольных (необлученных) образцах) введению донорных центров (ДЦ) при отжигах в интервале температур 380-520°С длительностью до 10 ч. Максимальные значения концентрации формируемых ДЦ наблюдались при температурах 430-450°С. ДЦ вводятся не только в ионно-имппантированной области, но и практически во всем кристалле при толщине образцов 360-400 мкм. При этом для образцов р-типа проводимости, облученных ионами водорода, происходит смена типа проводимости. В случае имплантации ионов Не* и высокоэнергетичных ионов >Г и Кг* в кристаллы Сг-Б! увеличения скорости образования ДЦ за областью Ир не обнаружено. Аналогичная ситуация имела место в бескислородных р2-Б1 кристаллах независимо от типа имплантируемых ионов. Предположено, что природа ускоренной генерации ДЦ связана с увеличением скорости введения термодонорных комплексов в кремнии, обусловленное ростом концентрации центров их зарождения. Из профилей распределений концентраций ДЦ по глубине образцов было выделено два типа доноров, обозначенных как ДЦ1 и ДЦг. Были проведены оценки коэффициента диффузии (Б) дефекта (или примеси), ответственного за введение доноров, для случая диффузии в полубесконечный кристалл из ограниченного источника на поверхности. Оценки коэффициента диффузии подвижных компонентов, стимулирующих ускоренное введение ДЦ[ и ДЦг при 450°С, дали величины 0[=5.10"8-2.10"7 см2/с и Б2=5.10 ® см^с соответственно. Значение Б! соответствует коэффициентам диффузии собственных точечных дефектов (вакансий и междоузельных атомов), а - коэффициенту диффузии атомов водорода. В

контрольных образцах при аналогичных термообработках скорость введения ДЦ была значительно ниже н, скорее всего, их введение-связано с образованием кислородных доноров (термодоноров).

С целью выяснения какие именно из собствегашх точечных дефектов оказывают воздействие на процесс ускоренного введения термодоноров за областью проективных пробегов были проведены исследования образцов, подвергнутых отжигу в условиях гидростатического давления и кристаллов Б!, подвергнутых облучению ионами высоких энергий. Как следует из литературных данных, изменение равновесной концентрации собственных точечных дефектов при воздействии высокого давления описывается с помощью выражений [10]:

С*цр)= С*[(р=о)ехр(-РД\УкТ)

С\(?у= С*у(р=о>ехр(РД Уу/кТ),

где Д\;[ и ДУу упругие изменения объема, вызванные воздействием давления на междоузлие и вакансию соответственно; и С у(р-о) - соответствующие

концентрации междоузлий и вакансий 1фи отсутствии внешнего давления; РДУ[ и РЛУу - изменения энтальпии образования междоузлий и вакансий соответственно. Согласно этим формулам, увеличение давления должно приводить к повьппешпо концентрации вакансий и уменьшению количества междоузлий. Проведенные исследования влияния отжига (при 450°С) в условиях гидростатического давления (до 1.2 ГПа) на формирование электрически активных центров в имплантированном ионами Н2+и 0+ средних энергий, показали, что наблюдается увеличение концентрации ДЦ во всем объеме кристалла как для контрольных, так и для имплантированных ионами Н2\ Н , О* образцов. Причем, как показывают проведенные оценки, скорость образования доноров повышается на порядок в сравнении с образцами, подвергнутыми отжигу при атмосферном давлении. На основе полученных данных было сделано заключение, что увеличение количества вакансионных дефектов при отжигах в условиях гидростатического давления (1.2ГПа) ионно-имплантированных кристаллов Б! ответственно за дополнительное повышение концентрации термодоноров.

Одной из особенностей имплантации ионов высоких энергий является пространственное разделение вакансионных и междоузельных дефектов. Причем в приповерхностных областях до области Яр преобладают вакансионные дефекты, а в области за Ир глубиной до нескольких микрометров доминируют междоузельные дефекты [6,9]. При исследовании кристаллов подвергнутых ВИИ и последующему отжигу в интервале температур 380-500°С, было обнаружено ускоренное введение ДЦ в области до Ир. Данные БЬТЗ измерений показывают, что в этой области вводятся глубокие центры с энергией ионизации 0.15 эВ, соответствующие уровню термодоноров, что позволяет отождествить их с наблюдаемыми ДЦ. Распределение концентрации термодоноров, полученные из СУ-измерений, имеет максимальное значение вблизи поверхности и затем уменьшается вглубь образца до Кр. Такое распределение коррелирует с распределением вакансионных дефектов в подвергнутом ВИИ [6,9], и отжигающихся при 450°С. В то же время, в необлученной части кристалла наблюдается лишь незначительное уменьшение исходной концентрации дырок, соответствующее изменению концентрации дырок при аналогичной термообработке исходного кристалла, связанное с введением термодоноров. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют в пользу того, что в области, обогащенной вахансионными дефектами, происходит увеличение скорости образования термодоноров. В приведенных результатах наглядно проявляется различие между ВИИ и имплантацией ионов средних энергий. В случае ВИИ число смещений на один ион Кг* (245 МэВ) на 2-3 порядка превышает число смещений при использовании ионов средних энергий. В результате в области Ир вводятся более крупные нарушения, вплоть до аморфизации слоя, имеющие, как правило, температуры отжига превышающие 450°С. Отсутствие дальнопробежных эффектов в случае ВИИ, кроме того, может быть связано с высокой концентрацией междоузельных дефектов за областью Яр. При облучении ионами средних энергий роль этого буферного слоя ослабляется близостью поверхности кристалла, являющейся мощным стоком для междоузельных атомов.

При варьировании атмосферы отжига (сухой кислород, азот) 51, имплантированного ионами высоких энергий выявлена зависимость концентрации вводимых термодоноров от интенсивности окислительного процесса на

поверхности. Причем наибольшие отличия наблюдаются в приповерхностном слое. Как было обнаружено, в случае отжига в сухом кислороде, где наибольшая скорость окисления (и наибольшее количество вводимых междоузлий [11]), концентрация формируемых термодоноров была наименьшей, в то время как при отжиге в нейтральной среде (азот) наблюдалась наибольшая концентрация. Эти данные также являются свидетельством в пользу того, что именно вакансионные дефекты увеличивают темп формирования кислородных доноров.

Таким образом, установлено, что имплантация ионов водорода и кислорода приводит к ускоренному введению термодоноров как и в области от поверхности до 11,,, так и при глубинах много превышающих Ир. Причем, как показали дополнительные исследования, введение термодоноров проведенные в образцах, имплантированных ионами высоких энергий, а также в образцах^ подвергнутых отжигу в различных средах й в условиях высокого гидростатического давления, существует корреляция в распределении вакансионных дефектов и термодоноров. Отсутствие дальнопробежных эффектов в 51, облученном ионами Не', по видимому, связано с более эффективным геттерированием собственных точечных дефектов на микропорах, наполненных гелием.

Четвертая глава посвящена исследованию трансформации электрически активных центров в имплантированном высокоэнергетпчными ионами К1, Кг и Хе+ (1-4.7 МэВ/а.е.м.) дозами 6. Ю1 '-З.Ю,4см"2, при отжигах в интервале температур 500-1050°С. Обнаружено введение мелких акцепторных центров в области от поверхности до Я,, при температурах 500-570°С. В распределении концентрации акцепторов выявляются максимумы на глубине равной Яр (КА~3.1016сы~!) и на поверхности образца (НА~2.5.1015 см"}), соответствующие распределению

вакансионных дефектов в Б», подвергнутом ВИИ [6]. С целью выяснения природы формируемых центров были исследованы сущестаешю отличающиеся (как по типу, так и концентрации легирующей примеси, так и по содержанию кислорода) образцы, облученные реакторными нейтронами и/или электронам, в которых, как и в случае ВИИ, ионизационное дефекгобразование является доминирующим процессом. При этом обнаружено, что формирование акцепторных центров происходит при облучении бескислородного кремния высокими дозами (>3..1016 см"2) электронов и/или нейтронов. В данном случае отжиг термоакцепторов

происходит при 500°С (при электронном облучении) и выше 650°С (при облучении нейтронами). Причем концентрация акцепторов, формирующихся при отжиге более высокоомного материала, выше и они наблюдаются в более широком интервале температур. Различие температурных интервалов существования акцепторов, по-видимому, определяется особенностями трансформации дефектов при отжиге, интенсивностью генерации собственных точечных дефектов и температурой их «освобождения» из других комплексов, а также скоростью введения компенсирующих центров - термодоноров. На основе полученных данных сделан вывод, что наиболее вероятной причиной введения мелких акцепторных центров является активация крупных вакансионных кластеров, введенных в процессе отжига.

При термообработках в интервале температур от 570°С до пластин

Сг-Би имплантированных ионами Кг+ и Хе+) высоких энергий (Е= 1-5.1 МэВ/а.е.м. и дозами 6.10п-3.1014см"2), обнаружено формирование слоя с повышенной концентрацией электронов (до (2-3)х10псм"3) в области Ир. Как увеличение времени отжига (до 10 ч), так и температуры отжига (до 850°С) приводят к увеличению толщины данного слоя (до 30 мкм). При повышении дозы облучения и энергии ионов происходит увеличение количества донорных центров, ответственных за рост концентрации электронов. Предложено объяснение наблюдаемого эффекта, согласно которому природа образуемых донорных центров связана с введением так называемых «новых» термодоноров (НТД) (являющихся начальной стадией преципитации кислорода в кремнии), образующихся в температурном интервале 600-900°С в кислородосодержащем кремнии. Увеличение скорости образования НТД в области Яр высокоэнергетичных ионов связывается с увеличением концентрации центров зарождения кислородных преципитатов в области максимального разупорядочения решетки, насыщенного крупными структурными дефектами преимущественно междоузельного типа (дислокационные петли и стержнеобразные дефекты).

Из полученных результатов следует, что при проведении геттерирущнх обработок кремния, подвергнутого ВИИ, необходимо учитывать образование в области Ир слоя повышенной концентрации доноров с высокой термостабильностью

В заключительной части работы, проведено исследование влияния ВИИ и облучения ионами водорода на процесс введения электрически активных центров на примере конкретных структур. В частности, известно, что на практике ВИИ обычно используется в сочетании с мелкими р-п-переходами, сформированными в кристаллах. При исследовании влияния имплантации ионов Кг" (430МэВ) и Хе+ (614 МэВ) дозами 6.10 '-1.1012см 2 и последующей термообработки при Т=1050 С на концентрацию и распределение электрически активных центров, в случае использования примесей Sb и Bi обнаружено уменьшение электрически активной составляющей (до 48%), так и полного количества примесей (до ~40%) в легированном слое относительно контрольных образцов (не подвергнутых ВИИ). Причем основное различие в значении концентраций наблюдалось в приповерхностных областях распределений примесей.

Полученные результаты объяснены ускоренной миграции примесей Sb и Bi в области, насыщенной вакансионными дефектами, введенных при ВИИ. Кроме того, возможно участие в этом процессе крупных протяженных дефектов, образуемых вдоль пробега высокоэнергетичных ионов.

Изменение концентрации носителей заряда при отжигах наблюдалось также на примере одного из наиболее важных с практической точки зрения случая использования имплантации газовых ионов, а именно при создании структур кремний на изоляторе. Исследуемые КНИ-структуры формировались с помощью метода «Smart-Cut», который включает в себя имплантацию ионов водорода в пластину кремния и сращивание с другой пластиной (подложкой). При термообработке таких «склеенных» пластин происходит расщепление имплантированной пластины по слою залегания водорода и перенос тонкой кремниевой пленки на подложку. Изготовление КИИ структур обычно завершается высокотемпературным отжигом, целью которого является устранение радиациотгых дефектов и остаточного водорода из отсеченного слоя (топкого слоя кремния па диэлектрике) кремния. Для выбора оптим.гльного режима высокотемпературного отжига были проведены электрофизические исследования свойств отсеченного слоя кремния при отжиге его в температурном интервале 450-1100°С. Было получено, что (1) сразу после отжига при 450°С о тсеченный слой структуры имеет n-тип проводимости вне зависимости от исходного кристалла; (2)

отжиг уже при температурах выше 500°С приводит к конверсии типа проводимости в р-тап опять же независимо от типа проводимости исходного кремния; (3) термообработки при Т>800°С восстанавливают исходный тип проводимости материала.

. ; Судя по температурному интервалу, n-тип проводимости при температурах .. ртжига до 500°С обусловлен эффективным введением термодоноров в условиях .присутствия в пленке водорода и радиационных дефектов. Переход, отмеченный в пункте 2, по-видимому, обусловлен формированием термоакцепгоров, наблюдаемых при облучении высокоэнергетичными ионами или высокими дозами электронов и/или нейтронов кристаллов Si. Термообработки при температурах выше 800°С удаляют акцепторы из отсеченного слоя кремния, восстанавливая исходный тип проводимости материала. Поэтому, с точки зрения формирования электрически активных дефектов, температура выше 800°С является достаточной для устранения остаточных электрически активных радиационных дефектов в исследуемых КНИ-структурах.

Таким образом, в КНИ-структурах, изготовленных методом "Smart-Cut", имеет место введение электрически активных центров, имеющих такую же природу (термодоноров при Т=450°С и термоакцепторов при Т>500°С), что и в объемном Si. Высокие температуры отжига термоакцепторов можно объяснить участием более крупных дефектных образований и/или границ кремния и Si/Si02 в процессе введения акцепторов в КНИ-структурах.

Основные результаты и выводы:

1. Обнаружено ускоряющее влияние длиннопробежной диффузии собственных точечных дефектов в Si, имплантированном ионами средних энергий (Н+, Н2* и О*), на введение термодоноров в интервале температур Т=380-520°С. Исключение составляет имплантация ионов Не+, которая вводит дефекты, препятствующие выходу собственных точечных дефектов за область Rp.

2. Показано, что вакансии или простые вакансионные дефекты являются центрами зарождения термодоноров. При этом введение в кристалл вакансионных

дефектов существенно увеличивает скорость образования термодоноров в 81. Данный вывод основан на:

1. корреляции распределения по глубине ускоренно формирующихся термодоноров в имплантированном ионами высоких энергий и Кг+), с распределением вакансионных дефектов;

2. росте (на порядок) концентрации термодоноров при отжигах в условиях высокого гидростатического давления (1.2 ГПа) в сравнении с термообработками на воздухе;

3. зависимости количества вводимых термодоноров от интенсивности потока вакансий и междоузлий при термообработках в различных средах.

3. Получено, что отжиг кристаллов 51, облученных ионами высоких энергий (И и Кг+), и КНИ структур, изготовленных с использованием облучения ионами водорода, в интервале температур 500-700°С приводит к введению мелких акцепторных центров. Тогда как, аналогичный отжиг 51, имплантированного ионами средш« энергий, не сопровождается введением электрически активных центров. Высказано предположите, что введение акцепторных центров происходит в результате трансформации и активации крупных вакансионных дефектов.

4. Обнаружено, что в районе проективных пробегов ионов высоких энергий (Ы , Хе" и Кг') формируется слой с высокой концентрацией доноров ~(2-3)*1017см3 при термообработках кремния в диапазоне температур от ,650°С до 1050 С. Формироватше данного слоя объясняется увеличением скорости введения «новых» термодоноров в области с высокой концентрацией структурных дефекгов междоузельного типа (дислокационных петель., стержнеобразных дефектов). В имплантированном ионами средних энергий, имеет место лишь слабое возрастание концентрации донорных центров (-20%) в указанном интервале температур.

5. Показано, что имплантация ионов (Хе+ или Кг+) высоких энергий дозами 6.10 -1.1012см~2 в 51, существенно уменьшает концентрации примесей В1 и БЬ (до 4048%) в мелких р-п-переходах, при отжигах ~1050°С. Вместе о тем, наблюдается увеличение количества данных примесей в окисной пленке на поверхности кристалла. Полученные результаты объяснены ускорением диффузии указанных примесей вахансионными дефектами, введенных при имш/ангации.

Результаты работы изложены в следующих публикациях:

1. Neustroev Е. P., Antonova I. V., Obodrikov V.I, Popov V. P., Skuratov V. A., Smagulova S. A., Didyk A. Yu./ Impact of high energy ion implantation in silicon. Nucl. Instnim. and Methods B, 146, p.323-328 (1998) and Proc. of the Fourth International Conference on Swift Heavy Ions in Matter (Berlin), 1998, p. 323-328.

2. Neustroev E.P., Antonova I.V., Popov V.P., Stas V.F., Obodnikov V.I. Donor center formation in hydrogen implanted silicon. //Physica ВД999, v. 270, p. 1-5.

3. Неустроев E. П., Антонова И.В., Попов В.П., Киланов Д.В., Мисюк А. Формирование донорных центров при различных давлениях в кремнии, облученном ионами кислорода.//ФТП, 1999, т.ЗЗ, в. 10, с. 1153-1157.

4. Стась В.Ф., Антонова И.В., Неустроев Е.П., Попов В.П., Смирнов JI.C. Термоакцепторы в облученном кремнии. //ФТП, 2000, т.34, в.2, с. 162-167.

5. Popov V.P., Antonova I.V., Neustroev Е.Р., Kilanov D.V., Misiuk A. Enhanced formation of thermal donors in oxygen implanted silicon annealed at different pressures. Принята в Physica В.

6. Neustroev E.P., Antonova I.V., V.P.Popov, V. F. Stas, V.A.Skuratov, A.Yu.Dyduk Thermal donor formation in crystalline silicon irradiated by high energy ions.// Принята в Nucl. Instrum. and Methods B.

7. Popov V.P., Antonova I.V., Stas V.F., Mironova L.V., Neustroev E.P., Gutakovskii A.K., Franzusov A.A., Feofanov G.N. Structural and electrical properties of silicon on isolator structures manufactured on Fz- and Cz-silicon by Smart-Cut technology./ Proc. of the NATO Advanced research Workshop on Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, (Kiev, Ukraine), 1998, p. 47-54.

8. Antonova I.V., Neustroev E.P., Popov V.P, Gutakovskii A.K.and Misiuk A. Structural defects and electrical properties of high pressure annealed H2+ implanted silicon./ High Pressure Semiconductor Physics Conference (Greece, Thessaloniki), 1998, PT11.

9. Антонова И.В., Неустроев Е.П., Стась В.Ф., Попов В.П., Ободников В.И. Исследование кинетики образования донорных центров в кремнии, облученном ионами водорода./ XXVIII междунар. конфер. по физике взаимодейств, зар. частиц с кристаллами, (Москва), 1998, Р133.

10. Неустроев Е.П., Антонова И.В., Ободников В.И., Попов В.П., Скуратов В.А., Дидык А.Ю. Влияние высокоэнергетичной ионной имплантации на распределение легирующей примеси в кремнии. /XXVIII междунар. конфер. по физике взаимодейств, зар. частиц с кристаллами, (Москва), 1998, Р134.

11. Neustroev Е.Р., Antonova I.V., Popov V.P., V. F.Stas, V.A. Skuratov, A.Yu. Dyduk. Thermodonors formation in crystalline silicon by high energy ions. /European Material Research Society (Strasbourg, France), 1999, F-I/P1499.

12.Neustroev E.P., Antonova I.V., V.P.Popov, Kilanov D.V., Misiuk A. Enhanced formation of thermal donors in oxygen implanted silicon annealed at different pressures. /European Material Research Society (Strasbourg, France), 1999, IF-I/P15.

13. Антонова И.В., Попов В.П., Е.П. Неустроев, А. Мисюк, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский, А. Е. Плотников. Структурные дефекты и электрические свойства кремния, имплантированного водородом и отожженного при повышенном гидростатическом давлении./ IV Российская конференция по физике полупроводников (Новосибирск), 1999, С-38, с.81.

Цитируемая литература:

1. Zxang М., Li С., Hemment P. L. F., Gutjahr K., Gosele U. Study of Cu gettering to cavities in separation by implantation of oxygen substrates. // Appl. Phys. Lett., 1998, v.72, n.7, p.830-832.

2. Bruel M, Aspar В., Aberton-Herve A.-J. Smart-Cut: A new Silicon-On-Insulator Material Technology Based on Hydrogen Implantation and Wafer Bonded.// Jap. J. Appl. Phys. Pt.l, 1997, n.3B, p.1636-1641.

3. Попов В.П.. Создание КНИ-структур для ультра больших интегральных схем.// Известия ВУЗов: Электроника, 1998, в.5, с.22.

4. Бабич В. М., Блецкан Н. И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния / Киев: Ингерпресс ЛТД, 1997 , 240с.

5. Pearton S.J., Corbett J.W.,Shi T.S. Hydrogen in Crystalline Semiconductors. // Appl.Phys. A 1987, n.43, p. 153-195.

6. Двуреченский А. В., Каранович А. А., Гретцшель P., Херрман Ф., Кеглер P., Рыбин А. В. Распределение по глубине точечных дефектов в Si, облученном высокоэнергетичными ионами N3+ и Si5+.// ФТТ, 1998, т. 40, в.2, с.217-222.

7. Зайцев А. М. Высокоэнергетичная ионная имплантация в полупроводники.// Поверхность, 1991, в. 10, с.5-26.

8. Кривелевич С. А., Маковийчук М. И., Паршин Е. О. Ионный синтез структур кремний на изоляторе. Современное состояние, новые подходы и перспективы.// Микроэлектроника, 1999, т.28, в. 5, с. 363-369.

9. Koglar R., Yankov R. A., Kaschny J. R., Posselt M., Danilin А. В., Skorupa W. Spatial distribution of defects in ion implanted and annealed Si: The Rp/2 effect.// Nucl. Instrum.and Methods B, 1998,v. 142, p.493-502.

10. Park H., Jones K. S, Slinkinan J. A.,. Law M. E. Effects of Hydrostatic pressure on dopant diffusion in silicon.// J. Appl. Phys., 1995, v.78, n.6, p.3664-3670.

11. Charitat G., Martinez A. Stress evolution and point defects generation during oxidation of silicon.// J. Appl. Phys., 1984, v.55, n.4, p.909-913.

Введение.

Глава 1. Перестройка примесно-дефектной структуры кристаллов кремния при ионной имплантации и воздействии гидростатического давления. литературный обзор).

§1.1 Дефектообразование в кристаллическом кремнии при ионном облучении.

§1.2 Особенности процесса дефектообразования в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий

§ 1.3 Электрофизические свойства кристаллов кремния, имплантированных ионами водорода. п. 1.3.1 Основные свойства примеси водорода в кристаллах кремния. п. 1.3.2 Электрофизические свойства кристаллов кремния, имплантированных ионами водорода

§1.4 Свойства кремния, имплантированного ионами инертных газов.

§1.5 Основные свойства кристаллического кремния, облученного ионами кислорода. п. 1.5.1 Влияние примесей кислорода на свойства кремния. п. 1.5.2 Свойства кристаллов кремния, облученных ионами кислорода

§.1.6 Свойства кремния, имплантированного ионами азота.

§.1.7 Свойства кристаллов кремния при воздействии гидростатического давления.

§.1.8 Выводы и постановка задачи.

Глава 2 Методика эксперимента и обработка результатов.

§2.1 Измерения концентрации носителей заряда методом вольт-фарадных характеристик.

§ 2.2 Определение концентрации и подвижности свободных носителей заряда методом эффекта Холла.

§2.3 Измерение параметров глубоких уровней.

§2.4 Измерение методами вторичной ионной масс-спектроскопии и обратного рассеяния Резерфорда.

§.2.5 Подготовка образцов, облучения и термообработки.

Глава 3 Формирование электрически активных центров в кремнии, облученном ионами средних (Н2+, Не+ и 0+) и высоких энергий (Кг+, ]\Г) энергий после отжига в интервале температур

350-500°С.

§3.1 Ускоренное формирование донорных центров за областью проективных пробегов ионов в кремнии, имплантированном

Не+ и Н+.

§3.2 Влияние гидростатического давления на формирование донорных центров в кремнии, облученном ионами Н2+ и Не.

§3.2 Образование донорных центров в кремнии, облученном ионами кислорода. •

§3.3 Формирование донорных центров в кремнии, облученном высокоэнергетичными ионами Кг+ и N+.

§3.4 Выводы к главе 3.

Глава 4. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами Кг+, Хе+ и N+(l-3.5 МэВ/а.е.м.), при последующих отжигах в интервале температур 500-1050°С.

§4.1 Термоакцепторы в облученном кремнии.

§4.2 Образование донорных центров в кремнии, облученном высокоэнергетичными ионами N+ и Кг+ после термообработки в интервале температур 600-1050°С.

§4.3 Влияние ионного облучения и отжига на формирование и распределение электрически активных центров в р-п-переходах и

КНИ-структурах. п.4.4.1 Влияние высокоэнергетичной имплантации и высокотемпературного отжига на распределение электрически активных центров в мелких р-п-переходах. п.4.4.2 Влияние отжига на концентрацию носителей заряда в

КНИ-структурах, изготовленных методом «Smart-Cut».

§4.4 Выводы к главе 4.

Ионная имплантация кристаллов кремния (Si) занимает все более широкую область применения в технологическом цикле производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Наряду с традиционными применениями, в которых ионная имплантация преимущественно использовалась при создании легирующих слоев с заданными свойствами, в последнее время все интенсивнее развиваются новые направления, такие как создание захороненных изолирующих и геттерирующих слоев, структур кремний на изоляторе (КНИ) [1-3].

Одним из основных результатов облучения ионами газов Si является образование газовых пузырей (блистеринг) в области проективных пробегов ионов при последующих термообработках, либо при облучении большими дозами - сразу после имплантации [1,2]. Блистеринг наблюдается начиная с определенной дозы облучения и может приводить к отслаиванию верхних слоев кремния. Этот эффект используется при создании КНИ-структур методом «Smart-Cut», являющимся одним из перспективных способов формирования таких структур. В этом методе одним из существенных моментов является имплантация ионов водорода или гелия [1,4,5]. Исследования свойств водорода в Si показали, что водород является чрезвычайно активной примесью, который вступает во взаимодействие практически со всеми примесями и структурными дефектами [4,6]. Несомненно, что такая активность водорода в сочетании с высокой миграционной способностью оказывает влияние на очень многие свойства Si, в частности, на электрофизические параметры, которые имеют первостепенное значение при изготовлении полупроводниковых структур и приборов. При этом с точки зрения технологии изготовления КНИ-структур, наибольший интерес представляет изучение влияния термообработки при температурах 400-500°С на свойства Si, имплантированного водородом. С другой стороны известно, что при этих температурах в тигельном кремнии эффективно вводятся кислородные доноры (термодоноры), количество которых при длительных отжигах может даже превышать концентрацию легирующей примеси [7]. Вместе с тем, присутствие атомов водорода в решетке Si может значительно увеличить скорость введения термодоноров [6,7]. В связи с этим становится актуальным изучение влияния облучения ионами водорода и последующих отжигов при температурах формирования термодоноров на процесс трансформации электрически активных центров в кристаллах 81.

Несколько иное влияние на свойства кристаллов оказывают атомы гелия, присутствие которых не оказывает столь заметного воздействия на электрофизические параметры, как в случае внедрения атомов водорода. Такое различие может быть обусловлено как различием химической активности данных элементов, так и более эффективным геттерированием на порах, наполненных гелием, различных примесей и собственных точечных дефектов [8,9]. Таким образом, наибольшие изменения свойства кристаллов после облучения ионами гелия будут происходить только в приповерхностных слоях 81.

Близость поверхности, являющейся мощным стоком радиационных дефектов, и области проективных пробегов ионов оказывает существенное влияние на процесс образования примесно-дефектных комплексов и на свойства кристаллов 81, подвергнутых ионной имплантации. Ситуация резко меняется в случае облучения ионами высоких энергий (Е>1 МэВ/а.е.м.), при котором удается пространственно разделить поверхность от области залегания внедренных ионов и дефектов. Вместе с тем, при использовании высокоэнергетичной ионной имплантации (ВИИ) следует учитывать различие в процессах дефектообразования в 81 в сравнении с имплантацией ионов средних энергий, например, такие как пространственное разделение дефектов вакансионного и междоузельного типов, трекообразование и диффузия примесей и дефектов по ним, протекание ядерных реакций [3,10]. С практической точки зрения, исследование имплантации кристаллов 81 высокоэнергетичными ионами газов привлекает к себе интерес как средство создания захороненных геттерирующих слоев и перспективный способ контролирования времени жизни неосновных носителей заряда в высоковольтных приборах [3,11,12]. Неудивительно поэтому, что воздействие ВИИ на свойства кристаллов 81 в последние годы является предметом интенсивного изучения и при этом достигнуты значительные результаты в этой области. Однако и в настоящее время многие детали, касающиеся влияния ВИИ и последующих отжигов на трансформацию электрически активных центров в кристаллах кремния, остаются неясными. Таким образом, изучение электрофизических свойств кристаллов кремния, подвергнутых ВИИ и последующему отжигу, представляет несомненный интерес как для физики реальных кристаллов, так и с практической точки зрения.

Кроме того, в данной работе в качестве дополнительного способа воздействия на дефектную структуру кристаллов 81 использовались отжиги в условиях высокого гидростатического давления, которое позволяет изменить количественное соотношение между компонентами пар Френкеля в пользу вакансий [13]. Таким образом, термообработка кристаллов 81 в условиях всестороннего сжатия предоставляет возможность уточнить микроскопическую картину происходящих процессов и способствует их более полному пониманию. Цель работы заключалась:

1. в выяснении условий и причин ускоренного введения при температуре 450°С термодоноров в кристаллах кремния, имплантированных ионами газов.

2. в определении условий формирования и природы электрически активных центров в кремнии, подвергнутом имплантации ионов высоких энергий, при отжигах до 1000°С.

Основные результаты и выводы;

1. Обнаружено ускоряющее влияние длиннопробежной диффузии собственных точечных дефектов в 81, имплантированном ионами средних энергий (Н+, Н2+ и 0+), на введение термодоноров в интервале температур Т=380-520°С. Исключение составляет имплантация ионов Не+, которая вводит дефекты, препятствующие выходу собственных точечных дефектов за область Яр.

2. Показано, что вакансии или простые вакансионные дефекты являются центрами зарождения термодоноров. При этом введение в кристалл вакансионных дефектов существенно увеличивает скорость образования термодоноров в 81. Данный вывод основан на:

1. корреляции распределения по глубине ускоренно формирующихся термодоноров в 81, имплантированном ионами высоких энергий (1Ч+ и Кг+), с распределением вакансионных дефектов;

2. росте (на порядок) концентрации термодоноров при отжигах в условиях высокого гидростатического давления (1.2 ГПа) в сравнении с термообработками на воздухе;

3. зависимости количества вводимых термо доноров от интенсивности потока вакансий и междоузлий при термообработках в различных средах.

3. Получено, что отжиг кристаллов 81, облученных ионами высоких энергий (1М+ и Кг+), и КНИ структур, изготовленных с использованием облучения ионами водорода, в интервале температур 500-700°С приводит к введению мелких акцепторных центров. Тогда как, аналогичный отжиг 81, имплантированного ионами средних энергий, не сопровождается введением электрически активных центров. Высказано предположение, что введение акцепторных центров происходит в результате трансформации и активации крупных вакансионных дефектов.

4. Обнаружено, что в районе проективных пробегов ионов высоких энергий (Ы+, Хе+ и Кг+) формируется слой с высокой концентрацией доноров ~(2-3)х1017см"3 при термообработках кремния в диапазоне температур от 650°С до 1050°С. Формирование данного слоя объясняется увеличением скорости введения «новых» термодоноров в области с высокой концентрацией структурных дефектов междоузельного типа (дислокационных петель, стержнеобразных дефектов). В 81, имплантированном ионами средних энергий, имеет место лишь слабое возрастание концентрации донорных центров (-20%) в данном интервале температур.

5. Показано, что имплантация ионов (Хе+ или Кг+) высоких энергий дозами 6.1011-1.1012см"2 в 81, существенно уменьшает концентрации примесей В1 и 8Ъ (до 40-48%) в мелких р-п-переходах, сформированных при отжигах ~1050°С. Вместе с тем, наблюдается увеличение количества данных примесей в окисной пленке на поверхности кристалла. Полученные результаты объяснены ускорением диффузии указанных примесей вакансионными дефектами, введенных при имплантации.

Заключение

Представленная работа выполнялась в лаборатории №10 «Физического материаловедения кремния» ИФП СО РАН под руководством к.ф.-м.н. Антоновой В.И. и к.ф.-м.н. Смагуловой С.А. Антонова В.И., являющаяся основным соавтором работ, осуществляла руководство на всех этапах ее выполнения: при выборе тематики, постановке задачи, поиске путей решения, анализе полученных данных и оформлении публикаций, за что автор ей глубоко признателен. Смагулова С.А. принимала активное участие при выборе тематики работы и постановке задач. Также автор ей благодарен за идейный вклад и материальную помощь при работе над диссертацией. Особую благодарность автор выражает зав. лаб. к.ф.-м.н. Попову В.П. за помощь при проведении работ, за постоянный интерес к работе и полезные дискуссии. Автор приносит искреннюю благодарность Стасю В.Ф. за непосредственное участие в работе над диссертацией на различных этапах ее выполнения и за помощь в интерпретации экспериментальных результатов. Автор выражает глубокую признательность Наумовой О. В. за полезные дискуссии в ходе работы и помощь в оформлении диссертации, Антоненко А.Х., Дидык А.Ю. и Скуратову В.А. за облучение образцов, Ободникову В.И., Мисюк А за помощь при измерениях методом SIMS и проведение отжигов в условиях гидростатического давления, интерпретацию результатов и оформление печатных работ, Киланова Д.В. за помощь при проведении измерений, Мироновой JI.B., Романовой М.А. за помощь при проведении химических обработок образцов, Сумченко H.A. за техническую помощь при оформлении экспериментальных результатов, публикаций, диссертации, а также декану ФФ ЯГУ Романову Г.Н. за финансовую поддержку.

Автор благодарит весь коллектив лаборатории №10 ИФП СО РАН за творческую атмосферу, полезные рабочие дискуссии и консультации

1. Zxang М., Li С., Hemment P. L. F., Gutjahr K., Gosele U. Study of Cu gettering to cavities in separation by implantation of oxygen substrates. //Appl. Phys. Lett., 1998, v.72, n.7, p.830-832.

2. Bruel M, Aspar В., Aberton-Herve A.-J. Smart-Cut: A new Silicon-On-Insulator Material Technology Based on Hydrogen Implantation and Wafer Bonded.// Jap. J. Appl. Phys. Pt.l, 1997, n.3B, p. 1636-1641.

3. Вариченко В. С., Дидык А. Ю., Мартинович В. А., А. М. Зайцев, Ленина Н. М., Ерчак Д. П. Дефектообразование в кремнии имплантированном ионами никеля с энергией 6 МэВ.//Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1996, Р14-96-230.

4. Попов В.П. Создание КНИ-структур для ультра больших интегральных схем.// Известия ВУЗов: Электроника, 1998, в.5, с.22.

5. Bruel М. The History, Physics, and Applications of the Smart-Cut Process.// MRS Bulletin, 1998, n. 12, p.35-39.

6. Pearton S.J., Corbett J.W.,Shi T.S. Hydrogen in Crystalline Semiconductors. //Appl.Phys. A, 1987, n.43, p. 153-195.

7. Бабич В. M., Блецкан Н. И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния./ Клев: Интерпресс ЛТД, 1997, 240с.

8. Raineri V., Campisano S. U. Secondary defect dissolution by voids in silicon.// Appl. Phys. Lett., 1996, v.69, n.12, p. 1783-1785.

9. Corni F., Tonini R., Frabboni S., Nobili C., Calzolari G., Masetti S., Tamarozzi P., Pavia G., Gerofolini G. F. Vacancy-Gettering in Silicon: Cavities and Helium-Implantation.//Solid State Phenomena, 1999, v.67-68, p.229-234.

10. Ю.Бугров H. H., Карамян С. А. Повреждение и восстановление монокристаллов Si при воздействии быстрых тяжелых ионов.// Изв. АН. Сер. Физика, 1990, т.54, в.5, с. 883-890.

11. Bhave P. S., Bhoraskar V. N. Irradiation effects of high energy ions on the switching charachteristics of p-n-junction diodes.// Nucl. Instrum. and Methods B, 1997, v. 127/128, p.383-387.

12. Park H., Jones K. S, Slinkman J. A.,. Law M. E. Effects of Hydrostatic pressure on dopant diffusion in silicon.// J. Appl. Phys., 1995, v.78, n.6, p.3664-3670.

13. Вопросы в радиационной технологии полупроводников./ под ред. Л. С. Смирнова, Новосибирск: Наука, 1980, 294с.

14. Комаров Ф.Ф., Новиков А.П., Соловьев В. С., Ширяев С. Ю. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии/Минск: Университетское, 1990, 318 с.

15. Винецкий В. Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников./Киев: Наукова думка, 1979, 332с.

16. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф. Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределния ионно-имплантипрованных примесей.//Минск: БГУ, 1980, 352с.

17. Дине Дж., Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах./М.: Иностранная литература, 1960, 244с.

18. Технология СБИС./ Под. ред. Зи. С. М.:Мир, 1986, т. 1, 405с.

19. Шипатов Э.Т. Имплантауия ионов в полупроводникию/ Ульяновск: УлГУ, 1998, -199с.

20. Privitera V., Coffa S., Priolo F., Larsen К. K., Libertino S., Camera A. Room temperature migration of ion beam injected point defects in crystalline silicon// Nucl.Instrum.and Methods, B, 1996, v. 120, p. 9-13.

21. Емцев В. В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках./М.: Радио и связь, 1981, 248с.

22. М. Bruel. Application of Hydrogen ion beams to Silicon On Insulator material technology.//Nucl.Instrum.and Methods, B, 1996, v. 108, p. 313-319.

23. Зайцев A. M. Высокоэнергетичная ионная имплантация в полупроводники.// Поверхность, 1991, в.5, с. 15-26.

24. Agarwal A., Christinsen К., Venables D., Maher D. М., and Rozgonyi G. A. Oxygen gettering and precipitation at MeV Si+ ion implantation induced damage in silicon.// Appl. Phys. Lett. 1996,v. 69, p.3899-3901.

25. Двуреченский А. В., Каранович А. А., Гретцшель P., Херрман Ф., Кеглер P., Рыбин А. В. Распределение по глубине точечных дефектов в Si, облученном высокоэнергетичными ионами N5+ и Si5+.// ФТТ, 1998, т. 40, в.2, с.217-222.

26. Brown R. A., Kononchuk О., Rozgonyi G. A., Koveshnikov S., Knights А.Р., and Simpson P. J. Impurity gettering to secondary defects created by MeV ion implantation in silicon.// J. Appl. Phys. 1998, v.84, n.5, p.2459-2465.

27. Koglar R., Yankov R. A., Kaschny J. R, Posselt M., Danilin А. В., Skorupa W. Spatial distribution of defects in ion implanted and annealed Si: The Rp/2 effect.// Nucl.Instrum.and Methods B, 1998, v. 142, p.493-502.

28. Kononchuk O., Brown R. A., Koveshnikov S., Beaman K., Gonzales F., Rozgonyi G. A. Metallic Impurity Gettering in MeV ion implanted Si.// Solid State Commun. 1997, v.57-58, p.69-74.

29. Вариченко В. С., Гайдук П. И., Дидык А. Ю., Казючиц Н. М. Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге.// Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1995, 314-95-73.

30. Cho N.-H., Jang K.-W., Lee L.-Y., Ro J.-S. MeV Ion Induced Damages and Their Annealing Behavior// Silicon. Mat. Res. Soc. Sump. Proc. 1996, v.396, p.781-786.

31. Ackermann J., Angert N., Newmann R., Trautmaim J., Disechner M. Ion track in mica studied with csanning force microscopy.// Nucl. Instrum. and Methods B, 1996, v. 107, p.181-184.

32. Szenes G. Formation latent tracks in mica.// Nucl. Instrum. and Methods B, 1996, v. 107, p. 146-149.

33. S. Furuno, H. Otsu, K. Hojou, K. Izui. Tracs of high energy heavy ions in solids.// Nucl. Instrum.and Methods B, 1996, v. 107, p.223-226.

34. Реутов В. Ф., Сохацкий А. С. Экспрессный метод ПЭМ-изучения струкурных изменений в полупроводниках вдоль пути движения заряженных частиц.// Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1997, Р14-97-199.

35. Челядинский А.П., Вариченко В. С., Зайцев А. М. Пространственное распределение накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионами криптона и ксенона.// ФТТ, 1998, т.40, в. 9, с.627-1630.

36. Dunlop A., Kaskieowicz G., Della-Negra S. Latent track formation by 30 MeV fiillerenes.// Nucl.Instrum. and Methods B, 1998, v. 146, p. 302-308.

37. Canut В., Bonardi N., Ramos S.M.M., Delia-Negro S. Latent track formation in silicon single crystals irradiated by fiillerenes in the electronic regime.// Nucl.Instrum. and Methods. B, 1998, v. 146, p. 296-301.

38. Chavan S.T., Bhave P.S., Bhoraskar V. N., Kanjilal D. Damage induced by silicon ions in crystalline silicon.//! Appl. Phys. 1995, 78, v.4, p.2328-2332.

39. Giri P.K., Dhar S., Kulkarni N. V., Moharatra F. N. Electrically active defects due to end-of-ion-range damage in silicon irradiated by MeV Ar+ ions.// Nucl.Instrum. and Methods B, 1996, v. 11, p. 285-289.

40. Desgardin P., Henry L., Ntsoenzok E., Blondiaux G., Barbot J. F., Blanchart C. The effect of particle fluence and flux in alpha-irradiated silicon.// Nucl. Instrum. and Methods. B, 1997, v. 127/128, p. 59-62.

41. Антонова И.В., Качурнн Г. А., Тысченко И. Е., Шаймеев С. С. Формирование электрически активных центров за областью проникновения ионов при высоктемпературной имплантации в кремний.// ФТП, т.30, в. 11, с.2017-2024.

42. Eaglesham D. J., Haynes Т.Е., Gossmann H.-J., Jacobson D. C., Stolk P. A., Poate J. M. Transient enhansed difusion of Sb and В due to MeV silicon implants.// Appl. Phys. Lett. 1997, v.70, n.24, p.3281-3283.

43. Дидык А. Ю., Вариченко В. С., Зайцев А. М. Радиационная стимулированная диффузия примесей в монокристаллах кремния и алмаза. //Сообщения ОИЯИ, Дубна, Р14-95-144.

44. Svensson В. G., Jagadish С., Hallen A., Lalita J. Generation of vacancy-type point defects in single colllision cascades during swift-ion bombardment of silicon.// Phys. Rev. В 1997, v.55, n.16, p. 10498-10507.

45. Antonova I.V., Dvurechenskii A.V., Karanovich A.A., Rybin A.V., Shaimeev S.S., Klose H. Removol of Electrically Active Defects in Silicon by 340 MeV Xe ion Bombardment.//Phys. Stat. Sol. (a), 1995, v. 147, p. K1-K3.

46. Krunicki J., Toulemonde M., Muller J. C., Siffert P. Electronic properties of Defects Created by 1.6 GeV Argon ions in Silicon. //Materials Science and Engineering, 1989, R2, p. 105-110.

47. Zhang S. В., Chadi D. J. Microscopic structure of hydrogen-shallow-donor complexes in crystalline silicon.//Phys. Rev. B, 1990, v.41, n.6, p.3882-3888.

48. Bergmann К., Stavola M., Pearton S. J., Hayes T. Structure of acceptor-hydrogen and donor-hydrogen complexes in silicon from unaxial sterss studies.// Phys. Rev В., 1988, v.38, n.14, p.9643-9648.

49. Мукашев Б. Н., Тамендаров М. Ф., Токмолдин С. Ж. Состояния водорода и механизм пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии. //ФТП, 1992, т.26, в. 6, с. 1124-1134.

50. Herrero С.Р., Stutzmann М., Breitschwerdt A. Boron-hydrogen complexes in crystalline silicon.// Phys. Rev. B, 1991, v.43, n.2, p. 1555-1574

51. Jones R. Theory of hydrogen in semiconductors./ Phil. Trans. Roy. Soc. London A, 1995, v. 390, n.1693, p. 1-15.

52. Ohmura Y., Zohta Y., Kanazawa M. Electrical properties of n-type Si layers doped with proton bombardment induced shallow donors.// Solid State Commun. 1972, v. 11, p.263-266.

53. Markevich V. P., Suezawa M., Sumino K. J. Murin L. I. Radiation-induced shallow donors in Chochralski-grown silicon crystals saturated with hydrogen.//Appl. Phys. 1994, v.76, n.ll, p.7347-7349.

54. McQuaid S. A., Newmann R. C., Ligthowlers E. C. Hydrogen-related shallow thermal donors in Chochralski silicon.// Semicond. Sci. Technol., 1994, n.9, p. 1736-1739.

55. Маркевич В. П., Мурин Л. И. Особенности начальной кинетики накопления термодоноров в кристаллах Si<0>, насыщенных водородом. // ФТП, 1996, т.ЗО, в.2, с.265-273.

56. Stein Н. J. Hahn S. Depth Profiles for Hydrogen-Enhanced Thermal Donor Formation in Silicon: Spread Resistance Probe Measurements.// J. Electrochem. Soc. 1995, v. 142, n.4, p. 1242-1247.

57. Weber J., Bonhe D. I. Passivation of thermal donors by atomic hydrogen./in Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon. Kluwer Academic Publishers. Eds.by R. Jones. Netherlands, 1996, p. 123-140.

58. McQuaid S.A., Newman R.C., Tucker J.H., Lightowlers E.C., Kubiak R. A. A., Goulding M. Concentration of atomic hydrogen diffused into silicon in the temperature range 900-1300°C.// Appl. Phys. Lett., 1991, v.58, n.25, p.2933-2935.

59. Funk D., Krauser J., Nagengast D., Almedia Murphy Т., Erxmeier J., Palmetshofer L., Brauning D., Weidinger A. Hydrogen implantation and diffusion in silicon and silicon dioxide.//Appl. Phys. A., 1995, n.61, p. 381-388.

60. Mogro-Campero A., Love R.P., Schubert R. Drastic changes in the electrical resistance of Gold-Doped silicon Produced bu Hydrogen plasma.// J. Electrochem. Soc., 1985, v.132, n.8, p. 2006-2009.

61. Leary P., Jones R., Oberg S. Interaction hydrogen with substitutional and interstitial carbon defects in silicon.// Phys. Rev. B, 1998, v.57, n.7, p.3887-3899.

62. Werner P., Gossmann H.-J., Jacobson D.C., Gosele U. Carbon diffusion in silicon.// Appl. Phys. Lett., v.73, n. 17, p. 2465-2467.

63. Наумова O.B., Смирнов Л. С., Стась В. Ф. Природа центров Ес-0.37 эВ и образование высокоомных слоев в Si р-типа проводимости// ФТП, 1997, т.31, в.8, с. 993-997

64. Mukashev В. N., Tamendarov M. F., Tokmoldin S. Zh., Zdanov V. V. Hydrogen Implantation into Silicon.//Phys. Stat. Sol. (a) 1985, v.91, p.509-522 .

65. Tokuda Y., Ito A., Ohshima H. Study of shallow donor formation in hydrogen-implanted n-type silicon.// Semicond. Sci. Technol., 1998, n.13, p. 194-199.

66. Bruni M., Bisero D., Tonini R., Ottaviani G., Queirolo G., Bottini R. Electrical studies on H-implanted silicon.// Phys.Rev.B, 1994, v.49, n. 8, p. 5291-5299.

67. Palmetshofer L., Reisinger J.Defects level in H+, D+, and He+-bombarded silicon.// J. Appl. Phys., 1992, v.72, n.6, p.2167-2173.

68. Fatima S., Jagadish C., Lalita J., Svensson G., Hallen A. Hydrogen interaction with implantation induced point defects in p-type silicon.// J. Appl. Phys., 1999, v.85, n.5, p.2562-2567.

69. Afanas'ev V.V., Stessmans A. Positive charging of thermal Si02/Si Si interface by hydrogen annealing.// Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, n. 1, p. 79-81

70. L.-J. Huang, Q.-Y. Tong, T.-H. Lee, Y. L. Chao, U. Gosele. A model for blistering and splitting of hydrogen implanted and application to silicon-on-quartz./8-th Int. Symp. Silicon materials Science and Technol., San-Diego, 1998, in press.

71. Kinomura A., Williams J. S., Wong=Leung J., Petravic M. Gettering of platinum and silver to cavities formed by hydrogen implantation in silicon.// Nucl. Instrum. and Methods B, 1997, v. 127/128, p.297-300.

72. Wong-Leung J., Williams., Nygren E. Diffusion and gettering of Au to cavities induced by H-implantation in Si.// Nuclear Instrum. and Methods В., 1997, v. 127/128, p.424-428.

73. Raineri V., Battaglia A., Rimini E. Gettering of Metals by He induced voids in silicon.// Nucl. Iinstrum. And Methods B, 1995, v.96, n.1-2, p.249-252.

74. Peterson G.A., Myers S.M., Follstaedt D. M. Gettering of transition metals by cavities formed by helium ion implantation.// Nucl. Instum. And Methods B, 1997, v. 127-128, p.301-306.

75. Myers S.M., Follstaedt D., Peterson G.A., Seayer C.H., Stein H.J., Wampler W.R Chemical and electrical properties of cavities in silicon and germanium.// Nucl. Instum. and Methods B, 1995, v. 106, n. 1-4, p.379-385.

76. Реутов В. Ф., Сохадкий А. С. Упорядочение гелиевых пор по направлению движения низкоэнергетичных ионов гелия в кремнии.// Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1998, 314-98-365.

77. A. Agarwal, Т. Е. Haynes, V. С. Venezia, О. W. Holland, Eaglesham D.J. Efficient production of silicon-on -insulator films by co-implantation of He+ with H +.H Appl. Phys. Lett. 1998, v.72, n.9, p. 1086-1088.

78. Bruel M., Aspar В., Maleville C., Moriceau H., Auberton-Herve A.J., Barge T. Unibond SOI wafers by Smart-Cut process.// Electrochim.Soc.Proceedings, 1997, v.97-23, p.3-13.

79. Faraci G., Pennisi A. R, Terrasi A., Mobilio S., //Physica B, 1989, v. 158, p. 602.

80. Казючиц H.M., Вариченко В. С., Дидык А.Ю., Скуратов В. А., Зайцев А. М., Фанер В. Электрическая активность имплантированных ионами инертных газов слоев кремния, обусловленная примесью кислорода// Сообщения ОИЯИ, Дубна, 1996, 314-96-231.

81. Borhgesi A., Pivac В., Sassella A., Stella A. Oxygen precipitation in silicon.//- J. Appl. Phys., 1995, v.77, n.9, p.4169-4244.

82. Ramamoorthy M., Pantelides S. T. Ehnansed modes of oxygen diffusion in silicon. // Solid State Commun. 1998, v. 106, n.5, p.243-248.

83. Gozele U., Tun T. Y. Oxygen Diffusion and Thermal Donor Formation in Slicon.// Appl. Phys. A. 1982, v.28, n. 1, p.78-92.

84. Deak P., Snydeer L. C., Corbett J. W.Theoretical studies on the core structure of the 450°C oxygen thermal donor in silicon.// Phys. Rev. B, 1992, v.45, n.20, p. 11612-11625.

85. Oxygen, Carbon, Hydrogen, and Nitrogen in Silicon./ edited by Millesen J. C., Pearton Jr., S. J., Corbett J. W., Pennycook S. J., Princeton, NJ, 1986, 206 p.

86. Сальник З.А. Термодоноры в кремнии, содержащем кислород.// Изв. АН России, Неорган, мат., 1995, т.31, в. 11, с. 1393 -1399.

87. Deak P., Snydeer L. С., Corbett J. W. Silicon-Interstitial Oxygen-Interstitial Complex as a Model of the 450°C Oxygen Thermal Donor in Silicon.// Phys. Rev. Lett. 1991, v.66, n.6, p.747-749.

88. Scmalz K., Kirscht F.-G., Tittelbach-Helmrich K. DLTS Study of Deep Level defects in Cz n-Si Due to Heat Treatment at 600 to 900°C.// Phys. Stat. Sol. (a), 1988, v. 109, p.279-294

89. Pensl G., Schulz M., Holslein K., Berhgolz W., Hutchison J. L. New Oxygen Donors in Silicon.//Appl. Phys. A., 1989, v.48, n.l, p. 49-57.

90. Батавин B.B., Сальник 3. А. Природа термодоноров в кремнии, содержащем кислород.//Изв. АН. СССР. Неорг. Материалы. 1982, т. 18, в.2, с. 185-188.

91. Батавин В.В. Механизм образования термодоноров в кремнии, содержащем кислород.// Изв. АН. СССР. Неорг. Материалы. 1985, т.21, в.4, с.734-738.

92. Hallberg Т., Lingstrom J. L. Enhanced oxygen precipitation in electron irradiated silicon.// J. Appl. Phys., 1992, v. 72, n. 11, p.5130-5138.

93. Даценко Л. И., Мисюк А., Мачулин В. Ф., Хрупа В. И. Влияние температуры и гидростатического сжатия и других физических факторов на эволюцию дефктных структур при преципитации кислорода в кремнии// Поверхность, 1998, в. 10, с. 122138.

94. Hahn S., Stein Н. J., Chatas S. С., Ponce F. A., Thermal donor formation in oxygen-implanted float-zone silicon.// J. Appl. Phys. 1992, v.75, n.5, p. 1758-1765.

95. Алешин A. H., Белогорохов А. И., Малинин А. А., Мордкович В. H., Особенности поведения имплантированного кислорода в кремнии.// Поверхность. Физика, химия, механика, 1990, в.5, с.90-94.

96. Afanas'ev V.V., Stesmans A., Revesz A. G., Hughes Н. L. Stuctural inhomogeneity and silicon enrichment of buried Si02 layers formed by oxygen ion implantation in silicon.//J. Appl. Phys. 1997, v.82, n.5, p.2184-2188.

97. Vettesse F., Sicart J., Robert J. L., Cristoloveanu S., Bruel M. Electrical properties of oxygen thermal donors in silicon films synthesized by oxygen implantation.// J. Appl. Phys. 1989, v.65, n.3, p. 1208-1212.

98. Kaizer W., Frish H., Reiss H. Mechanism of the Formation of Donor States in Heat-Treted Silicon.// Phys. Rev., 1958,v.ll2, n.5, p. 1546-1554.

99. Pflueger R., Corelli J.C., Corbett J. W. Radiation-Enhanced Oxygen-related Thermal donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating -Zone Silicon.// Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v.91, p. k49-k54.

100. Маркевич В. П., Мурин JI. И. Влияние предварительного облучения на образование термодоноров в кремнии.// ФТП, 1991, т.25, в. 10, с. 1737-1744.

101. Лугаков П. Ф., Лукьяница В. В. Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si.// ФТП, 1990, т. 24, в. 10, с. 1721-1725.

102. Павлов П. В., Зорин Е. И., Тетельбаум Д. И., Попов Ю. С. О донорных свойствах азота, введенного в кремний и германий ионной бомбардировкой.// ДАН, 1965, т. 163, в.5, с. 1128-1130.

103. Зорин Е. И., Павлов П. В., Тетельбаум Д. И. О донорных свойствах азота в кремнии// ФТП, 1968, т.2, в.1, с. 131-133.

104. Michell J. В., Shewchun J., Thompson D. A., Davies J. A. Nitrogen implanted silicon. II. Electrical Properties.// J. Appl. Phys., 1975, v.46, n.l, p.335-343.

105. Качурин Г. А., Тысченко И. E. Поведение бора и азота в приповерхностных слоях кремния при синтезе захороненных слоев имплантацией ионов N+ //ФТП, 1993, т.27, в.7, с. 1194-2001.

106. Suezawa М., Sumino К., Harada Н., Abe Т. Nitrogen-oxygen Complexes Shallow Donors in Silicon crystals.//Jap. J. Appl. Phys., 1986, v.25, n.10, p.L859-L861.

107. Shen C. S., Li C. F., Ye H. J., Shen S. C., Yang D. R. Formation of nitrogen-oxygen donors in N-doped Czochralski-silicon.// J. Appl. Phys. 1994, v.76, n.6, p.3347-3350.

108. Zxang X. W., Yang J.S., li L. В., Que D. L. Generation and Dissosiation of the Nitrogen Related Donor in Nitrogen-Doped Cz-Si during Heat Treatments.// Phys. Stat. Sol. (a), 1996, v.155, p. 189-194.

109. Yang D., Fan R., Li L., Que D., Sumino K. Effect of nitrogen-oxygen complex on electrical properties of Czocralski silicon.// Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, n. 4, p.487-489.

110. Yang D., Que D., Sumino K. Nitrogen effects on thermal donor and shallow thermal donor in silicon.// J. Appl. Phys., 1995, v.77, n. 2, p.943-944.

111. Griffin J. A., hatung J., Weber J., Navarro H., Genzel L. Photothermal Ionization Spectroscopy of Oxygen-Related Shallow Donor Defects in Crystalline Silicon.// Appl. Phys. A., 1989, v.48, p.41-47.

112. Shimure F., Hockett R. S. Nitrogen effect on oxygen precipitation in Czochralski silicon.// Appl. Phys. Lett, 1986, v.48,n. 3, p.224-226.

113. Misiuk A.Evolution of process-induced defects in silicon under hydrostatic pressure.// Solid State Phenomena, 1991, v. 19, n.20, p.387-392.

114. A. Misuk, W. Jung. The Effect of Pressure on the Consentration of Thermal Donors in Czochralski Grown Silicon.// Phys. Stat. Sol(b), 1996, v. 198, p.565-568.

115. Emtsev V. V., Andreev В. A., Misiuk A., W. Jung, Schmalz K. Oxygen aggregation in Czocralski-grown silicon heat treatment at 450°C under compressive stress.// Appl. Phys. Lett, 1997, v.71, n.2, p.264-266 .

116. Шульпяков Ю.Ф., Витман P. Ф., Лебедев А. А., Дремин A. H.,. Влияние высокого давления на состояние оптически активного кислорода в кремнии при термообработка.//ФТП, 1984, т. 18, в.7, с. 1306-1307.

117. Шульпяков Ю.Ф., Витман Р. Ф., Лебедев А. А., Дремин А. Н.,. Влияние пластической деформации на состояния кислорода и углерода в кремнии.//ФТП, 1985, т. 19, в.6, с.982-986.

118. Шульпяков Ю.Ф., Витман Р. Ф., Власенко Л. С., Дремин А. Н., Лебедев А. А., Ломасов В. Н., Уткина Т. Г. Свойства монокристаллов кремния после их деформации при высоком давлении. //ФТТ, 1987, т.23, в.5,с. 1486-1492.

119. Misiuk A., Jung W., Wroblevswski М. Sress-Induced generation ot thermal donors in near-surface layer of Czochralski grwn silicon.// Electron Technology, 1996, v.29,n.2/3, p. 210-212.

120. Антонова И. В., Федина Л. И., Мисюк А., Попов В. П., Шаймевв С. С. Исследование методом DLTS эволюции кислородных преципитатов в Cz-Si при высоких температурах и высоком давлении. // ФТП, 1996, т.30, в.8, с.998-1002.

121. Antonova I. V., Misiuk A., Popov V. P., Fedina L. I., Shaimeev S. S. DLTS study of oxygen precipitates in silicon annealed at high pressure.// Physica B, 1996, v.225, p.251-257.

122. Antonova I. V., Misuk A., Popov V. P., Plotnikov A. E., Surma B. Nucleation and formation of oxygen precipitates in Chochralski grown silicon annealed under uniform stress conditions.//Physica B, 1998, v.253, p. 131-137.

123. Antonova I. V., Misuk A., J.-Bak Misiuk, Popov V. P., Plotnikov A. E., Surma B. Dependence of oxygen precipitate size and strain on external stress at annealing of Cz-Si.// J. Alloys and Compaunds, 1999, v.286, p.241-245.

124. Misiuk A., Hathwig J., Prieur E., M. Ohler., Bak-Misiuk J., Domagala J., Surma B. Defect structure of pressure treated Czochralski silicon investigated by X-ray topography and difractometry.// Acta Physica Polonica A, 1997, v.91, n.5, p.987-991.

125. Kaminski P., Kozlowski R., Misiuk A. Electrically active defects in Ni-contaminated Cz-Si with oxygen precipitates.// SPIE, 1996, v.2780, p. 137-140.

126. Берман Л. С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупрводниках./Л.: Наука, 1981, 176с.

127. Берман Л. С. Нелинейная полупроводниковая емкость./ М.: Физматгиз, 1963,-88с.

128. Берман Л. С. Емкостные методы исследования полупроводников./ Л.: Наука, 1972,- 104с.

129. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, т.1, 456с.

130. Зеегер К. Физика полупровдников. М.: Мир, 1977, 616с.

131. Батавин В. В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Определение параметров полупровдниковых материалов и структур./ М.: Радио и связь, 1985, 264с.

132. Lang V. D. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors.// J. Appl. Phys., 1974, v.45, n.7, p.3023-3032.

133. Шаймеев С. С. Автоматический емкостной спектрометр для измерения параметров глубоких центров в полупроводниках. // ПТЭ, 1985, в.1, с. 175-177.

134. Васильев А. В., Смагулова с. А., Шаймеев С. С. К вопросу о методики обработки DLTS сигналов.//ФТП, 1983, т. 17, с. 162-164.

135. Нага Т., Onda Т., Kakizaki Y., Oshima S., Kitamura T. Delamination of Thin Layers by High Dose Hydrogen Ion Implantation in Silicon.//J.Electrochem. Soc., 1996, v. 143, n.8, p.L166-L168.

136. Ewels C.P., Jones R., Oberg S., Miro J., Deak P. Shallow thermal donor defects in silicon.// Phys. Rev.Lett, 1996, 77, n.5, p.865-868.

137. G.D.Watkins in: Radiation Effects in Semiconductors. Conf.Ser.N31, Inst.of Phys., London-Bristol, 221, 1977.

138. Эндензон A.M., Пузанов Н.И. Собственные точечные дефекты в кремнии при высоких температурах.//Неорган. матер., 1995, т. 31, в.9, с. 1139-1145

139. Falster R., Pagani М., Gambaro D., Corana M., Olmo M., Ferrero G., Pichler P., Jacob M. Vacancy-Assisted Oxygen Precipitation Phenomena in Si.//Solid State Phenomena, 1997, v.57-58, p. 129-136.

140. Eaglesham D. Dopants, defects, and diffusion.// Phys.Wold, 1995, n. 11, p.41-45.

141. Davies Gr., Lightowles E.C., Newman R.C., Oates A.C. A model for radiation damage effescts in carbon-doped crystalline silicon.//Semicond. Sci. Technol., 1987, n.2, p.524-532.

142. Job R., Farhner W. R., Kazutchits N. M., Ulyashin A. G. A two-step low-temperature processor for a p-n-junction formation in p-type Chochralski silicon.// Materials Research Society Symp. Proc., 1998, v.513, p.337-342.

143. Martynov Yu.V., Gregorkiewicz Т., Ammerlaan C.A.J. Role oh Hydrogen in the Formation and Structure of the Si-NLIO Themal Donor.//Phys. Rew. Lett., 1995, v.74, n. 11, p. 2030-2033.

144. Markevich V.P., Suerawa M. Hydrogen-oxygen interaction in silicon at around 50°C.// J. AppLPhys. 1998, v.83, n.6, p. 2988-2993.

145. McQuaid S.A., Binns M.J., Londos C.A., Tucker L.H., Brown A.R., Newman R.C. Oxygen loss during thermal donor formation in czochralski silicon: New insigths into oxygen diffusion mechanisms.// J.Appl.Phys., 1995, v.77, n.4, p. 1427-1441.

146. G.D. Watkins, Corbett J.W., McDonald R.S. Diffusion of oxygen in silicon.// J. Appl. Phys. 1982, v.53, n.10, p. 7097-7098.

147. Takeno H., Hayamizu Y., Miki K. Diffusivity of Oxygen in Czochralski silicon at 400-750°C.// J. Appl. Phys., 1998, v.84, n. 6, p.3113-3117.

148. Zhong L., Shimura F. Hydrogen-enhanced out diffusion of oxygen in Czochralksi silicon.//J. Appl. Phys., 1993, v.73, p.707-710.

149. Mathiot D.Influence of silicid growth on the formation rate of thermal donors in silicon.//Mat. Sci. Forum, 1989, v.38-41, p. 649-654.

150. Tajiama M., Warashina M., Takena H., Abe T. Effects of points defects on oxygen aggregation in Si at 450°C.// Appl. Phys. Lett., 1994, v.65, n.2, p.222-224.

151. В. П. Маркевич, JI. И. Мурин. Образование термодоноров и механизм ускоренной диффузии кислорода в кремнии.//ФТП, 1988, т.22, в.7, с. 1324-1329.

152. Skorupa W., Hatzopoulos N., Yankov R. A., Danilin A. B.Proximity gettering of transition metals in separation by implantated oxygen structure.// Appl. Phys. Lett., 1995, v.67, n.20, p.2992-2994.

153. Charitat G., Martinez A. Stress evolution and point defects generation during oxidation of silicon.// J. Appl. Phys. 1984, v.55, n.4, p.909-913.

154. Antoniadis D.A., Moskowitz I. Diffusion of substitutional impurities in silicon at short oxidation times: An insight into points defect kinetics.//! Appl. Phys., 1982, v.53, n. 10, p.6788-6796.

155. J. H. Lee, P. R. Brosious, J. W. Corbett, Rad. Eff. 1974, v. 22, p.69.

156. Стельмах В. Ф., Толстых В. П, Цвирко Л. В. //ФТП, 1985, т. 19, в. 10, с. 1860 .

157. Chadi D. J., Chang К. J. Magic number for vacancy aggregation in crystalline Si// Phys. Rev. B, 1988, v.38 , n.2,1523-1525.

158. Ohmer M. C. and Lang J. E. Unidentified acceptores in silicon and germanium.// Appl. Phis. Lett. 1979, v. 34, n.ll, p.750 752.

159. А.Л.Асеев, Л.И.Федина, Д.Хеэль, Х.Барч, Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск, Наука, (1991), 149с.

160. Физические процессы в облученных полупроводниках./под ред. Л. С. Смирнова, Новосибирск: Наука, 1977, 255с.

161. Hastings G. Н., Esteicher S. К., Fedders P. A. Vacancy aggregation in silicon.// Phys. Rev. B, 1997, v.56, n. 16, p. 10215-10220.

162. Lee J. H., Corbett J. W., Gerasimenko N.N. Phys. Rev. B, 1976, v. 14, p.4506

163. Brown R.A., Kononchuk j., Radzimski Z., Rozgonyi G.A., Gonzalez F. The effect of oxygen on secondary defect formation in MeV self-implantated silicon.// Nucl. Instrum. And Methodds in Physics Research, B, 1997, v. 127/128, p.55-57.

164. Fatima S., Wong-leung J., Fitz Gerald J., Jagadish C. Electrical characterization of the threshold fluence for extended defect formation in p-type silicon implanted with MeV Si ions.// Appl. Phys Lett., 1998, v.94, n.23, p. 3044-3046.

165. Varichenko V.S., Zaitsev A.M., Melnikov A.A., Fahrner W.R., Kazytchits N.M., Penina N.M., Erchak D.P.Defect production in silicon implanted with 13.6 MeV boron ions.// Nucl. Instrum. and Methodds in Physics Research B, 1994, v.94, p.259-265.

166. Falster R., Pagani M., Gambaro D., Cornara M., Olmo M., Ferrero G., Pichler P., Jacob M. Vacancy Assisted Oxygen Precipitation Phenomena in Si.// Solid State Phenpmena, 1997, v.57-58, p. 129-136.

167. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках.-M: Физматгиз, 1961,-462с.

168. Атомная диффузия в полупроводниках.-Под. ред. Шоу И., М.: Мир, 1975, -685с.

169. Yataka I., Izumi К., Ichiro N.Oxidation-retardet Diffusion of bismuth in silicon.// Jap. J. Appl. Phys. Pt.2, -1990,v.29, n.10, p.L1929-L1931.

170. Servidori M., Angellucci R., Cembali F., Negrini P., Solmi S. Retarded and enhanced dopant diffusion in silicon related to impantation-induced exceed vacancies and interstitials.// J. Appl. Phys., 1987, v.61, n.5,p. 1834-1840.

171. Robertson L.S., Law M.E., Jones K.S., Rubin L.M., Jackson J., Chi P., Simons D.S. Correlation of end-of-range damage evolution and transient enhanced diffusion of boron in regrown silicon.//Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, n. 24, -p.3844-3846.

172. Kissinger G., Morgenstern G., Vanhellement J., Graf D., Lambert U., Richter H. Internal oxidation of vacancy in Czochralski silicon wafers during high-tempeature anneals.//Appl. Phys. Lett., 1998, v.72, n.2, p.223-225.

173. Wilson I. H., Zheng N. J., Knipping U., Tsong I. S.T. Effects of isolated atomic collision on SiCVSi interfaces studied by scanning tuneling microscopy.// Phys. Rev. B., 1988, v. 38, n. 12, p.8444-8450.